JP2008507150A - LED array package with internal feedback and control - Google Patents

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Abstract

高温動作用のパッケージングされたLEDアレイは、下にある熱接続パッドを含む金属ベースを備える。1つまたは複数のセラミック層は、金属層の上にある。アレイは、複数のLEDダイを含み、各LEDダイが電極を有する。また、LEDは、熱的に金属ベースに結合される。ドライバ回路は、LEDダイ電極に電気接続され、LEDアレイ電流を制御する。LEDドライバは、LEDアレイパッケージ内に搭載され、金属ベースに熱的に結合される。第2の実施形態では、LEDダイの1つまたは複数は、ドライバから測定回路へ切り換えられ、LEDアレイの光出力を測定する光検出器として使用されることができる。測定された光検出器信号は、さらに、LEDアレイ光出力を制御するためのフィードバック信号として使用されることができる。A packaged LED array for high temperature operation comprises a metal base that includes an underlying thermal connection pad. One or more ceramic layers are on the metal layer. The array includes a plurality of LED dies, each LED die having an electrode. The LED is also thermally coupled to the metal base. The driver circuit is electrically connected to the LED die electrode and controls the LED array current. The LED driver is mounted in the LED array package and is thermally coupled to the metal base. In a second embodiment, one or more of the LED dies can be switched from a driver to a measurement circuit and used as a photodetector to measure the light output of the LED array. The measured photodetector signal can further be used as a feedback signal to control the LED array light output.

Description

本発明は、電子ドライバおよびフィードバック回路を有する発光ダイオード(LED)アレイを同時にパッケージングする装置に関し、電子ドライバおよび制御回路は、LEDアレイパッケージ内に組み込まれる。本発明はまた、LEDアレイの1つまたは複数のダイを光検出器として使用して、LEDアレイ光出力を監視し、制御する方法および装置に関する。   The present invention relates to an apparatus for simultaneously packaging a light emitting diode (LED) array having an electronic driver and a feedback circuit, wherein the electronic driver and control circuit are incorporated within the LED array package. The present invention also relates to a method and apparatus for monitoring and controlling LED array light output using one or more dies of the LED array as a photodetector.

発光ダイオード(LED)はいろいろな用途で有用である。LEDアレイは、共通基板上に搭載されたLEDダイのアレイである。LEDアレイは、通信および計装、商業用および家庭用部屋照明、ならびに、自動車および視覚ディスプレイを含む増加する種々の用途において光源として使用される。LEDアレイは、同じ基板上に複数のLEDを備えるデバイスである。LEDアレイを種々の技法によって作ることができる。   Light emitting diodes (LEDs) are useful in a variety of applications. An LED array is an array of LED dies mounted on a common substrate. LED arrays are used as light sources in a wide variety of applications including communications and instrumentation, commercial and home room lighting, and automotive and visual displays. An LED array is a device comprising a plurality of LEDs on the same substrate. LED arrays can be made by various techniques.

LEDアレイに関する1つの問題は、LEDの密な集中によってかなりの熱が生成されることである。LEDアレイに関連する熱問題に対する解決策は、2003年8月11日に出願された米国特許出願第10/638,579号である「Light Emitting Diodes Packaged For High Temperature Operation」という名称の関連出願の主題である。LEDアレイ性能、照明効率に関連する別の問題は、2004年4月9日に出願された米国特許出願第10/822,191号である「Efficient LED Array」という名称の関連出願の主題である。これら2つの出願は、共に、参照により本明細書に組み込まれる。   One problem with LED arrays is that considerable heat is generated by the close concentration of LEDs. A solution to the thermal problem associated with LED arrays is disclosed in a related application entitled “Light Emitting Diodes Packaged For High Temperature Operation”, US patent application Ser. No. 10 / 638,579, filed Aug. 11, 2003. The subject. Another issue related to LED array performance, lighting efficiency is the subject of a related application entitled “Efficient LED Array”, US patent application Ser. No. 10 / 822,191, filed Apr. 9, 2004. . Both of these two applications are hereby incorporated by reference.

LEDアレイが、金属上の低温同時焼成セラミックス(LTCC−M)パッケージング技術を使用して成功裏に作成されている。LTCC−M構造および材料は、米国特許第6,455,930号である「Integrated Heat Sinking Packages Using Low Temperature Co−Fired Ceramic Metal Circuit Board Technology」(2002年9月24日発行)に記載されている。LTCC−M構造は、さらに米国特許第5,581,876号(1996年12月10日発行)、第5,725,808号(1998年3月30日発行)、第5,953,203号(1999年9月14日発行)、および第6,518,502号(2003年2月11日発行)に記載されている。その全てが、Lamina Ceramics Inc.(社名または商標)に譲渡されている米国特許第6,455,930号、第5,581,876号、第5,725,808号、第5,953,203号、および第6,518,502号もまた、参照により本明細書に組み込まれる。   LED arrays have been successfully created using low temperature co-fired ceramics (LTCC-M) packaging technology on metal. The LTCC-M structure and materials are described in US Pat. No. 6,455,930, “Integrated Heat Sinking Packages Using Low Temperature Co-Fired Ceramic Circuit Board Technology, Monthly, Published 24th, 2002”. . The LTCC-M structure is further described in US Pat. Nos. 5,581,876 (issued on Dec. 10, 1996), 5,725,808 (issued on Mar. 30, 1998), and 5,953,203. (Issued on Sep. 14, 1999) and No. 6,518,502 (issued on Feb. 11, 2003). All of which are available at Lamina Ceramics Inc. US Pat. Nos. 6,455,930, 5,581,876, 5,725,808, 5,953,203, and 6,518, No. 502 is also incorporated herein by reference.

多くの用途では、LEDアレイを電子ドライバ回路によって制御することが有利である。ドライバは、LEDをオンまたはオフすること、または、出力光度を制御することができる。能動パワー半導体(active power semiconductor)を使用してドライバ機能を提供することができる。ドライバ制御信号を、通常ローレベル制御信号または論理信号の形態である単なるオン−オフコマンドとすることができる。あるいは、制御信号を、所望の光度のためのLEDを通る電流を設定する電気信号とすることができる。LEDアレイの光度を設定するためにLED電流を制御する場合、フィードバックおよび制御回路を含むことがさらに有利である。光出力を測定し、必要とされるフィードバック信号を提供するために、光検出器構成部品をLEDアレイの近くに配置することができる。問題は、付加的な検出器のコストと複雑さ、および検出器をアレイの中または近くに搭載するのに必要とされる機械的構造である。   In many applications, it is advantageous to control the LED array with an electronic driver circuit. The driver can turn the LED on or off, or control the output luminous intensity. An active power semiconductor can be used to provide the driver function. The driver control signal can be simply an on-off command, usually in the form of a low level control signal or a logic signal. Alternatively, the control signal can be an electrical signal that sets the current through the LED for the desired light intensity. When controlling the LED current to set the brightness of the LED array, it is further advantageous to include feedback and control circuitry. Photodetector components can be placed near the LED array to measure the light output and provide the required feedback signal. The problem is the cost and complexity of the additional detector and the mechanical structure required to mount the detector in or near the array.

内蔵電子ドライバおよびフィードバック制御用のセンサを含む制御回路を有するLEDアレイを設けることが非常に有利である。こうした回路が必要ではあるが、LEDと同じ基板上にパッケージングすることが難しかった。通常、特定用途用のLEDドライバおよび制御回路を、LEDアレイの外のプリント配線板(PCB)上に構築する。これは、小さな空間内に取り付けなければならない用途にとって問題となる。外部PCB搭載式電子回路を使用したLEDアレイもまた高価である。ドライバ回路をLEDアレイパッケージ内に組み込むという過去の試みは、半導体ダイと従来技術のLEDパッケージング方法と材料との間の熱膨張係数の差によって生じる機械的応力のために、大部分が成功裏に至らなかった。
米国特許出願第10/638,579号明細書 米国特許出願第10/822,191号明細書 米国特許第6,455,930号明細書 米国特許第5,581,876号明細書 米国特許第5,725,808号明細書 米国特許第5,953,203号明細書 米国特許第6,518,502号明細書
It would be very advantageous to provide an LED array having a control circuit that includes a built-in electronic driver and a sensor for feedback control. Although such a circuit is necessary, it has been difficult to package on the same substrate as the LED. Typically, application specific LED drivers and control circuits are built on a printed wiring board (PCB) outside the LED array. This is a problem for applications that must be installed in a small space. LED arrays using external PCB mounted electronics are also expensive. Past attempts to incorporate driver circuitry into LED array packages have been largely successful due to mechanical stresses caused by differences in thermal expansion coefficients between the semiconductor die and prior art LED packaging methods and materials. It did not lead to.
US patent application Ser. No. 10 / 638,579 US patent application Ser. No. 10 / 822,191 US Pat. No. 6,455,930 US Pat. No. 5,581,876 US Pat. No. 5,725,808 US Pat. No. 5,953,203 US Pat. No. 6,518,502

したがって、費用をかけずに、ドライバ、制御回路、および光検出器センサをアレイ内に同時にパッケージングすることができる、改良されたLEDアレイデバイスについての必要性が存在する。   Accordingly, there is a need for an improved LED array device that can package drivers, control circuitry, and photodetector sensors simultaneously in an array without cost.

本発明は、高温動作用のパッケージングされたLEDアレイを提供する。一実施形態では、本発明は、下にある熱接続パッドを含む金属ベースを備えるパッケージングされたLEDアレイを提供する。1つまたは複数のセラミック層は金属ベースの上にある。アレイは、金属ベースに熱的に結合した複数のLEDダイを含み、各LEDダイは電極を有する。LEDアレイ電流の制御を提供するために、ドライバ回路をLEDアレイパッケージ内に搭載し、LEDダイ電極に電気接続する。ドライバ回路の少なくとも一部分を金属ベースに熱的に結合することが好ましい。   The present invention provides a packaged LED array for high temperature operation. In one embodiment, the present invention provides a packaged LED array comprising a metal base that includes an underlying thermal connection pad. One or more ceramic layers are on the metal base. The array includes a plurality of LED dies thermally coupled to a metal base, each LED die having an electrode. To provide control of the LED array current, a driver circuit is mounted in the LED array package and electrically connected to the LED die electrode. Preferably, at least a portion of the driver circuit is thermally coupled to the metal base.

第2実施形態では、1つまたは複数のLEDダイを、ドライバ回路から測定回路へ接続的に切り換え、LEDアレイの光出力を測定する光検出器として使用することができる。さらに、測定された光検出器信号を、LEDアレイ光出力を制御するためのフィードバック信号として使用することができる。   In the second embodiment, one or more LED dies can be connected from the driver circuit to the measurement circuit and used as a photodetector to measure the light output of the LED array. Furthermore, the measured photodetector signal can be used as a feedback signal to control the LED array light output.

本発明の利点、特質、および種々の付加的な特徴は、添付図面に関連して詳細に述べられる、具体的な実施形態をここで考慮することによって、より完全に明らかになるであろう。
これらの図面は本発明の概念を示すためのものであり、グラフを除き、一定の比例尺には従っていないことを理解されたい。
The advantages, features, and various additional features of the present invention will become more fully apparent upon consideration of the specific embodiments herein set forth in detail with reference to the accompanying drawings.
It should be understood that these drawings are for purposes of illustrating the concepts of the invention and do not follow a scale except for the graph.

詳細な説明は4つの部分からなる。第I章は、LEDアレイパッケージで使用する埋め込み式フィードバックおよび制御のいくつかの実施形態を開示する。第II章は、アレイのフィードバックおよび制御を提供するために、LEDアレイのLEDダイの1つまたは複数を使用することを述べる。第III章は、本発明で使用するのに適したLEDドライバ回路を説明する。第IV章は、本発明に関連するのでLTCC−Mパッケージング技術を述べる。   The detailed description consists of four parts. Chapter I discloses several embodiments of embedded feedback and control for use in LED array packages. Section II describes using one or more of the LED dies in the LED array to provide array feedback and control. Section III describes an LED driver circuit suitable for use with the present invention. Section IV describes LTCC-M packaging technology as it relates to the present invention.

第I章:集積型フィードバックおよび制御を有するLEDアレイ
図面を参照すると、図1は、例示的なLEDアレイ10を示す。7つの空洞がセラミック回路内に形成され、6つのLEDダイ11が各空洞の金属ベースに取り付けられている。ワイヤボンド12を通して、また、金属ベース上の金電極を通して、電気接続部がダイに対して作られる。
Chapter I: LED Array with Integrated Feedback and Control Referring to the drawings, FIG. 1 shows an exemplary LED array 10. Seven cavities are formed in the ceramic circuit, and six LED dies 11 are attached to the metal base of each cavity. Electrical connections are made to the die through wire bonds 12 and through gold electrodes on a metal base.

図2は、埋め込み式のドライバ回路21とフィードバック23と検出器22とを組み込むLEDアレイ10を含む例示的なLEDアレイパッケージ100のブロック図を示す。図2に示す一実施形態では、パルス幅変調器(PWM)21をドライバ回路として使用する。LEDアレイ10を、本発明で使用するのに適し、そして本出願の第III章でより詳細に説明される任意のドライバ回路によって駆動することができる。ドライバ回路21はまた、測定されたパラメータ入力に基づく閉ループフィードバック動作用の誤差増幅器を含むことができる。こうした測定されたパラメータは、限定はしないが、アレイ電流、電圧、電力、輝度、光束、光色、磁界、または温度を含むことができる。所望のフィードバックパラメータを検出器22によって測定し、フィードバック23上の信号によってドライバ回路21に提供することができる。   FIG. 2 shows a block diagram of an exemplary LED array package 100 that includes an LED array 10 that incorporates an embedded driver circuit 21, feedback 23, and detector 22. In one embodiment shown in FIG. 2, a pulse width modulator (PWM) 21 is used as a driver circuit. The LED array 10 can be driven by any driver circuit suitable for use in the present invention and described in more detail in Section III of this application. The driver circuit 21 may also include an error amplifier for closed loop feedback operation based on the measured parameter input. Such measured parameters can include, but are not limited to, array current, voltage, power, brightness, luminous flux, light color, magnetic field, or temperature. The desired feedback parameter can be measured by the detector 22 and provided to the driver circuit 21 by a signal on the feedback 23.

当業者は、電流などのパラメータを測定する場合、検出器22を、アレイ(図示する)またはホール効果タイプ電流センサと直列に接続することができることを理解している。他のパラメータの測定の場合、ブロック図で文字通りに示される以外のところにセンサを位置することができる。たとえば、アレイ電圧はLEDアレイ端子の両端で測定されること、および、光は、図6のブロック図に示すように、アレイによって生成される照明の目に見える近接位置にある光検出器によって検出することができることを理解されたい。   Those skilled in the art understand that when measuring parameters such as current, the detector 22 can be connected in series with an array (shown) or a Hall effect type current sensor. For measurement of other parameters, the sensor can be located other than what is literally shown in the block diagram. For example, the array voltage is measured across the LED array terminals, and the light is detected by a photodetector in the visible proximity of the illumination generated by the array, as shown in the block diagram of FIG. Please understand that you can.

図3は、埋め込み式LEDアレイ10で使用するのに適した回路トポロジのパルス幅変調式ドライバの一実施形態を示す。この例示的な回路トポロジは、PWMコントローラU1、ツェナーダイオードCR1、およびパワー電界効果型(FET)トランジスタQ1を含む半導体デバイスを使用する。本発明で使用する半導体は、LEDアレイなどのパッケージ内に直接集積するためにダイの形態で商業的に容易に入手可能である。たとえば、本発明で使用するための半導体は、Fairchild Semiconductor(バージニア州マクリーン)、Microsemi Corporation(カルフォルニア州アーバン)、Motorola,Inc.(イリノイ州シャウンバーグ)、International Rectifier(カルフォルニア州El セグンド)、およびNational Semiconductor(カルフォルニア州サンタクララ)から入手可能である。
(尚、「Fairchild Semiconductor」「Microsemi」「Motorola」、「International Rectifier」及び「National Semiconductor」はそれぞれ社名または商標である。)
FIG. 3 illustrates one embodiment of a pulse width modulated driver with a circuit topology suitable for use with the embedded LED array 10. This exemplary circuit topology uses a semiconductor device that includes a PWM controller U1, a Zener diode CR1, and a power field effect (FET) transistor Q1. The semiconductors used in the present invention are readily available commercially in die form for direct integration in packages such as LED arrays. For example, semiconductors for use in the present invention are available from Fairchild Semiconductor (McLean, VA), Microsemi Corporation (Urban, CA), Motorola, Inc. (Schaumburg, Ill.), International Rectifier (El Segundo, CA), and National Semiconductor (Santa Clara, CA).
(“Fairchild Semiconductor”, “Microsemi”, “Motorola”, “International Rectifier”, and “National Semiconductor” are company names or trademarks, respectively.)

これらのデバイスのほとんどの温度係数は5ppm/度C程度で、15〜20ppm/度Cの熱膨張係数を有する従来技術のLEDアレイ基板に対し熱的整合が乏しい。こうした不整合により、半導体は、LEDアレイによって生じる加熱に起因する非常に大きな機械的力を受ける可能性がある。これらの力により、初期LEDアレイ故障を引き起こすことがある亀裂および破裂を装置に生じることがある。故障は、光出力の断続または低下から、アレイ光出力が全くなくなる破壊故障までをも含む。   Most of these devices have a temperature coefficient on the order of 5 ppm / degree C, which is poorly matched to prior art LED array substrates having a coefficient of thermal expansion of 15-20 ppm / degree C. Due to these mismatches, the semiconductor can be subjected to very large mechanical forces due to the heating caused by the LED array. These forces can cause cracks and ruptures in the device that can cause initial LED array failure. Faults include from intermittent or reduced light output to destructive faults where there is no array light output.

本発明の一実施形態では、この問題を、ダイを同じ熱膨張係数を有するガラス層に機械的に結合し、こうしたデバイスをLTCC−Mパッケージされたアレイの層上に搭載することによって解決する。そのため、機械的力が著しく低減され、より典型的な半導体寿命および故障率を達成することができる。LTCC−M技術を本出願の第IV章でより詳細に説明する。   In one embodiment of the invention, this problem is solved by mechanically bonding the die to a glass layer having the same coefficient of thermal expansion and mounting such a device on a layer of an LTCC-M packaged array. As a result, mechanical forces are significantly reduced and more typical semiconductor lifetimes and failure rates can be achieved. The LTCC-M technology is described in more detail in section IV of this application.

本発明の別の実施形態では、集積したドライバおよび/またはドライバを含む制御ループを有するLEDアレイをLTCC−M技術で作成することによって、熱管理の改善を達成することができる。LEDダイとドライバと他のループ電子回路は全て、LEDダイおよび他のチップから移動するかなりの熱を生成する。熱除去は、アレイおよびアレイパッケージ内に埋め込まれた電子デバイスの過度の温度上昇を防止するために必要である。これらのデバイスを、ガラス層および/または金属基板上またはその内に搭載することによって、優れた受動冷却を達成することができる。ガラス層内に埋め込まれた電子回路の場合、伝導性および非伝導性熱バイアは、廃熱流を金属基板に流すことによって廃熱流をさらに増大させることができる。   In another embodiment of the present invention, improved thermal management can be achieved by creating LED arrays with LTCC-M technology with integrated drivers and / or control loops containing drivers. The LED die and driver and other loop electronics all generate significant heat that travels from the LED die and other chips. Heat removal is necessary to prevent excessive temperature rise of the electronic devices embedded in the array and array package. By mounting these devices on or in the glass layer and / or metal substrate, excellent passive cooling can be achieved. For electronic circuits embedded in a glass layer, conductive and non-conductive thermal vias can further increase the waste heat flow by flowing the waste heat flow through the metal substrate.

図5は、LEDアレイパッケージ50内に組み込まれたドライバ回路51を有するLEDアレイ52を含むLEDアレイパッケージ50を示す。図5に示すSMTコンデンサなどの付属ドライバ回路53を収容するために、セラミック回路内の付加的な開口および回路相互接続部を作成してもよい。ドライバ回路51を空洞54内に搭載することが好ましい。この実施形態では、ドライバ51、フィードバックおよび制御、ならびに、LED光出力を設定する基準を空洞54内に搭載することができる。電力を接触パッド55、56を介してLEDアレイ52に提供することが好ましい。接触パッド55、56を任意の市販の材料から作成することができ、信頼性の高い大電流電源接続部を提供する。接触パッド55、56を、限定はしないが、銀、銅、ニッケル、または錫−鉛を含む、任意の適した溶接可能材料から構成することができる。好ましい実施形態では、接触パッド55、56を銀パラジウムで作成する。   FIG. 5 shows an LED array package 50 that includes an LED array 52 having a driver circuit 51 incorporated within the LED array package 50. Additional openings and circuit interconnections in the ceramic circuit may be created to accommodate the attached driver circuit 53 such as the SMT capacitor shown in FIG. It is preferable to mount the driver circuit 51 in the cavity 54. In this embodiment, the driver 51, feedback and control, and the criteria for setting the LED light output can be mounted in the cavity 54. Preferably, power is provided to LED array 52 via contact pads 55,56. The contact pads 55, 56 can be made from any commercially available material, providing a reliable high current power connection. Contact pads 55, 56 can be constructed of any suitable weldable material including, but not limited to, silver, copper, nickel, or tin-lead. In a preferred embodiment, the contact pads 55, 56 are made of silver palladium.

図6のブロック図に示すように、フォトダイオード光出力検出器61をLEDアレイ10から放射された光を検出するのに使用してもよい。本発明で使用する、市販の適切なフォトダイオード光出力検出器は、限定はしないが、Vishay Intertechnology,Inc.(ペンシルベニア州マルバーン)から市販されるVishay BPW21Rを含む(尚、「Vishay Intertechnology」は社名または商標であり、「Vishay BPW21R」は商品名または商標である)。アレイからの光出力が、時刻、温度、使用年数、または、変化するドライバパラメータによって減少する場合、検出器61の出力が相応して下がることになる。そのため、LEDアレイドライバ62に対する結果生じるフィードバックはドライバ62の出力を増加させることになり、したがって、LEDアレイ10の所望の出力を維持する。   As shown in the block diagram of FIG. 6, a photodiode light output detector 61 may be used to detect light emitted from the LED array 10. Suitable commercially available photodiode light output detectors for use with the present invention include, but are not limited to, Vishay Intertechnology, Inc. (Including “Vishay Intertechnology” is a company name or trademark, and “Vishay BPW21R” is a trade name or a trademark). If the light output from the array decreases with time, temperature, age, or changing driver parameters, the output of detector 61 will drop accordingly. Thus, the resulting feedback to the LED array driver 62 will increase the output of the driver 62 and thus maintain the desired output of the LED array 10.

さらに別の実施形態では、制御基準入力信号を提供することによって、ユーザがLEDアレイを遠隔で制御することを可能にする、付加的な端子が設けられる。一般に、制御とはアレイの要素の全てを同時に制御することを言うが、LEDダイ11のクラスタまたは個々のLEDダイ11を独自に制御する形態が存在する可能性がある。通常、入力制御基準信号はアナログ制御信号であるが、デジタル制御信号とすることもでき、その場合、LEDアレイは、デジタル制御信号を受け取るのに適したデジタル回路をさらに備える。ドライバ回路を直接に制御するか、デジタル的に制御される内部フィードバックおよび制御ループに基準を提供するか、または、デジタル−アナログ変換器によるのと同様にLEDアレイアセンブリ上でアナログ制御信号へ変換することによって、デジタル信号はLEDアレイを制御することができる。あるいは、擬似デジタル制御をLEDアレイ内に構築された周波数−アナログ信号変換器によって達成することもできる。   In yet another embodiment, additional terminals are provided that allow a user to remotely control the LED array by providing a control reference input signal. In general, control refers to controlling all of the elements of the array at the same time, but there may be a form of independently controlling a cluster of LED dies 11 or individual LED dies 11. Typically, the input control reference signal is an analog control signal, but can also be a digital control signal, in which case the LED array further comprises a digital circuit suitable for receiving the digital control signal. Directly control the driver circuit, provide a reference to digitally controlled internal feedback and control loops, or convert to analog control signals on the LED array assembly as with a digital-to-analog converter Thus, the digital signal can control the LED array. Alternatively, pseudo-digital control can be achieved by a frequency-to-analog signal converter built in the LED array.

第II章:LEDアレイの1つまたは複数のLEDの検出器としての使用
別の実施形態では、LEDアレイのLEDダイの1つまたは複数を、ドライバ回路から光測定回路に切り換えて、LEDアレイの光出力を測定する光検出器として使用することができる。図7に示す一実施形態によれば、LEDアレイ10内のLEDダイの1つまたは複数を光検出器として使用することによって、LEDアレイ10からの出力光を検出する(図7を参照されたい)。動作時は、LEDアレイ10の1つまたは複数のLEDダイを、ドライバ回路62、または、光測定回路80とフィードバック64に、スイッチ71で交互に電気接続する。LEDダイ11は、ドライバ回路62に接続されたときには光源として、そしてスイッチ71の動作によってドライバ回路62から周期的かつ一時的に切り離されたときには光検出器63として機能する。
Chapter II: Using an LED Array as a Detector of One or More LEDs In another embodiment, one or more of the LED dies of the LED array can be switched from a driver circuit to a light measurement circuit to It can be used as a photodetector for measuring the light output. According to one embodiment shown in FIG. 7, the output light from the LED array 10 is detected by using one or more of the LED dies in the LED array 10 as a photodetector (see FIG. 7). ). In operation, one or more LED dies of the LED array 10 are alternately electrically connected by a switch 71 to the driver circuit 62 or the light measurement circuit 80 and the feedback 64. The LED die 11 functions as a light source when connected to the driver circuit 62, and functions as a photodetector 63 when periodically and temporarily disconnected from the driver circuit 62 by the operation of the switch 71.

一実施形態によれば、図7は、LEDアレイ10の最も離れた左のLEDダイがLED光検出器63として動作するような位置にスイッチ71がある状態のLEDアレイ10を示す。ドライバ回路62から切り離されることによって、光検出器61は、隣接するLED11Aおよび11Bから放射される光を検出する。この技法を使用して、アレイ光出力を、測定回路80によって周期的にサンプリングし、そしてフィードバック64を介してドライバ回路62にフィードバックすることができる。   According to one embodiment, FIG. 7 shows LED array 10 with switch 71 in a position such that the farthest left LED die of LED array 10 operates as LED photodetector 63. By being disconnected from the driver circuit 62, the photodetector 61 detects light emitted from the adjacent LEDs 11A and 11B. Using this technique, the array light output can be periodically sampled by measurement circuit 80 and fed back to driver circuit 62 via feedback 64.

そのため、ドライバ回路62は、測定回路80によって提供される測定値に応じてLEDアレイ10の制御における適切な調整を行うことができる。LEDアレイ10の光出力の測定が終了することによって、測定回路80は、スイッチ71を動作させて(図7の破線で示す作動中の制御)、光検出器61をドライバ回路62に再接続する。   Therefore, the driver circuit 62 can make an appropriate adjustment in the control of the LED array 10 according to the measurement value provided by the measurement circuit 80. When the measurement of the light output of the LED array 10 is completed, the measurement circuit 80 operates the switch 71 (control during operation indicated by a broken line in FIG. 7) to reconnect the photodetector 61 to the driver circuit 62. .

光検出器用に使用される、スイッチ71に接続された1つまたは複数のLEDダイを、検出モードから元の光放射モードへ迅速に、好ましくは10ms未満で切り換えることができる。比較的速いこの切り換えレートでは、光の観察者は光検出サンプリングモードを知覚しないであろう。光検出器用にLEDアレイ10の1つまたは複数のLEDダイを使用することは、独立の光検出器を使用することに比較して、デバイスのコストおよび複雑さが減少する。   One or more LED dies connected to the switch 71 used for the photodetector can be switched quickly from the detection mode to the original light emission mode, preferably in less than 10 ms. At this relatively fast switching rate, the light observer will not perceive the light detection sampling mode. Using one or more LED dies of the LED array 10 for the photodetector reduces the cost and complexity of the device compared to using an independent photodetector.

光検出器としてLEDアレイ10の1つまたは複数のLEDダイを使用する用途は、出力光の調節およびLED故障検出を含むが、それに限定されない。光調節機能において、光検出器として動作するLEDダイは、第I章で詳細に述べたように、フィードバックおよび制御回路に対するリニアフィードバック要素として有益である。故障検出の場合、光検出器63は、LEDアレイの1つまたは複数のエミッタからの低い光放射を指示する出力レベルの閾変化を検出することができる。この検出モードは、電気的検出方式と比べて有利である。たとえば、電気的検出方式の1つの欠点は、LED電流などのパラメータの変化を検出することで低い光出力を推測することができるだけ、ということである。   Applications using one or more LED dies of the LED array 10 as photodetectors include, but are not limited to, output light adjustment and LED failure detection. In the light conditioning function, the LED die operating as a photodetector is useful as a linear feedback element for feedback and control circuits, as detailed in Section I. In the case of fault detection, the photodetector 63 can detect a threshold change in power level indicative of low light emission from one or more emitters of the LED array. This detection mode is advantageous compared to the electrical detection method. For example, one drawback of electrical detection schemes is that low light output can only be estimated by detecting changes in parameters such as LED current.

具体例
以下は、同時にパッケージングする発光ダイオードアレイを備えるデバイスの例であり、LEDの1つまたは複数を、LEDアレイの光出力を検出する光検出器として使用する。デバイスは、適した金属ラミネートベースから始まって構成される。13%銅、74%モリブデン、13%銅(CMC)金属ラミネートを使用することが好ましい。より好ましくは、H.C.Starck Corporation(マサチューセッツ州ニュートン)によって製造されるCMC金属ラミネートを本発明に従って使用することができる(尚、「H.C.Starck」は社名または商標である。)。
Specific Example The following is an example of a device comprising a light emitting diode array that is packaged simultaneously, where one or more of the LEDs are used as a photodetector to detect the light output of the LED array. The device is constructed starting from a suitable metal laminate base. It is preferred to use a 13% copper, 74% molybdenum, 13% copper (CMC) metal laminate. More preferably, H.M. C. CMC metal laminates manufactured by Stark Corporation (Newton, Mass.) Can be used in accordance with the present invention (“HC Starck” is a company name or trademark).

各ダイのロケーションに相当する厚膜金ボンディングパッドを、LEDダイを含むように金属ベース上で焼成し、任意のダイを制御およびフィードバックのために使用することができる。パッドをCMCベースに電気的かつ熱的に接続することができる。CMC適合セラミックテープ層を、ダイ空洞を形成し、電気接続部を作り、アレイハウジングを形成するのに使用することができる。セラミックテープは、限定はしないが、Ferro Corporation(オハイオ州クリーブランド)などによって供給されるものを含む、商業的に容易に入手可能なガラスおよび樹脂からなる(尚、「Ferro」は社名または商標である。)。テープ材料を粉砕し、混合して平坦シートに鋳造することができる。その後、穿孔、印刷、丁合い、および張り合わせを含む一般的な「グリーン」テープ処理を使用して、シートを処理することができる。これらの技法は当業者によく知られている。CMCベースを、張り合わせ中に取り付け、〜900度Cの焼成中にテープ層と接合する。複数のアレイを単一ウェハ上で処理し、その後、焼成後にダイシング(dicing)することによって切断分離することができる。   Thick film gold bonding pads corresponding to the location of each die can be fired on the metal base to include the LED die, and any die can be used for control and feedback. The pad can be electrically and thermally connected to the CMC base. CMC compatible ceramic tape layers can be used to form die cavities, make electrical connections, and form array housings. Ceramic tapes are composed of commercially readily available glass and resin, including but not limited to those supplied by Ferro Corporation (Cleveland, Ohio), etc. (where “Ferro” is a company name or trademark) .) The tape material can be crushed, mixed and cast into a flat sheet. The sheet can then be processed using typical “green” tape processing including punching, printing, collating, and pasting. These techniques are well known to those skilled in the art. The CMC base is attached during lamination and joined to the tape layer during ˜900 ° C. firing. Multiple arrays can be processed on a single wafer and then cut and separated by dicing after firing.

ベースモジュールがセラミック層に設けられた後に、個々のダイを、はんだ付けによって、80%Au/20%Snはんだを使用して、各空洞の底の中の金パッドに接続することが好ましい。あるいは、限定はしないが、Emerson&Cuming(マサチューセッツ州カントン)から市販されているAblebond84LM1を含む導電性エポキシを使用して個々のダイを金パッドに接続することができる(尚、「Emerson&Cuming」は社名または商標、及び「Ablebond84LM1」は商品名または商標である。)。   After the base module is provided in the ceramic layer, the individual dies are preferably connected by soldering to the gold pads in the bottom of each cavity using 80% Au / 20% Sn solder. Alternatively, each die can be connected to a gold pad using conductive epoxy, including but not limited to Ablebond 84LM1, commercially available from Emerson & Cuming (Canton, Massachusetts). , And “Ablebond84LM1” are trade names or trademarks).

金パッドを金属ベースに接続することができる。導電性バイアを使用して、一番上のセラミック層上の電気端子を金属ベースに接続する。アノードまたはカソードをダイの背面に共通に接続することができ、次に、背面を金ボンディングパッドに接続する。ワイヤボンドを使用して、ダイの対向面をアレイに電気接続することができる。ダイからセラミック層のうちの一層上のボンディングパッドにボンドを接続することができる。また、圧膜の導電性トレースを、ボンディングパッドを含むセラミック層の表面上に堆積することができる。トレースを、導電性バイアを通して一番上のセラミック層上の電気端子に接続することができる。直列、並列、および直列−並列の組み合わせを含む種々のダイ接続が可能である。   A gold pad can be connected to the metal base. Conductive vias are used to connect the electrical terminals on the top ceramic layer to the metal base. The anode or cathode can be commonly connected to the back of the die, and then the back is connected to a gold bonding pad. Wire bonds can be used to electrically connect the opposing faces of the die to the array. Bonds can be connected from the die to bonding pads on one of the ceramic layers. Also, pressure film conductive traces can be deposited on the surface of the ceramic layer including the bonding pads. The traces can be connected to electrical terminals on the top ceramic layer through conductive vias. Various die connections are possible, including series, parallel, and series-parallel combinations.

具体例によれば、7つの空洞を有するパッケージが製造される。各空洞は、3つの赤LED、3つの緑LED、および1つの青LEDを含む。LEDアレイの単一色に電力を印加すると、他の色のLEDのうちの1つのLEDの両端に生じる電圧を測定することによって、他のLEDの光出力を検出することができる。   According to a specific example, a package with seven cavities is produced. Each cavity includes three red LEDs, three green LEDs, and one blue LED. When power is applied to a single color of the LED array, the light output of the other LED can be detected by measuring the voltage developed across one LED of the other color LEDs.

特定の色LEDからの光出力を、同じか、または、より長い波長放射を有する別のLEDを使用して検出することが好ましい。たとえば、緑LED(505nm波長)の出力を検出するために、青LED(470nm波長)に重ねて赤LED(625nm波長)を使用することが好ましい。さらに、赤LEDの1つまたは複数を、アレイ内の残りの赤LEDの出力を検出するのに使用できることが意図される。LEDの光感度は、検出器として使用するために適切なLEDを決定するときに考えるべき別の因子である。   The light output from a particular color LED is preferably detected using another LED with the same or longer wavelength emission. For example, in order to detect the output of a green LED (505 nm wavelength), it is preferable to use a red LED (625 nm wavelength) superimposed on a blue LED (470 nm wavelength). Furthermore, it is contemplated that one or more of the red LEDs can be used to detect the output of the remaining red LEDs in the array. The light sensitivity of an LED is another factor to consider when determining the appropriate LED to use as a detector.

より好ましくは、異なる検出器LEDは、その最も効率的な検出範囲で使用されるべきである。検出器が図11に示す曲線の折れ点のすぐ下で動作するように、検出範囲を選択すべきである。   More preferably, different detector LEDs should be used in their most efficient detection range. The detection range should be selected so that the detector operates just below the curve break shown in FIG.

さらに、電圧を降下しおよび電流を制限する抵抗器、インダクタ、およびコンデンサを、セラミック層の中間に埋め込まれる構成部品、または、パッケージの一番上の表面上に搭載される個別の構成部品として付加することができる。付加的な制御、ESD保護、および電圧調節半導体を、ダイまたはパケージングされた形態で付加してもよい。最後に、Henkel Loctite(登録商標) Corporation(コネチカット州ロッキーヒル、トラウトブルック交差点1001)から入手可能なHysol(登録商標)1600などの屈折率整合エポキシを、デバイスを保護するために、各ダイ空洞に付加することができる。   In addition, resistors, inductors and capacitors that drop voltage and limit current are added as components that are embedded in the middle of the ceramic layer or as separate components that are mounted on the top surface of the package can do. Additional control, ESD protection, and voltage regulation semiconductors may be added in die or packaged form. Finally, a refractive index matching epoxy, such as Hysol® 1600, available from Henkel Loctite® Corporation (Troutbrook Crossing, Rocky Hill, Conn. 1001) is applied to each die cavity to protect the device. Can be added.

第III章:本発明で使用するためのLEDドライバ
いくつかのLEDアレイ光特性を、自動制御を使用して補正してもよい。たとえば、光出力(光束または放射束)を、LEDアレイに定電流ドライバを含むませることによって制御してもよい。その線形動作範囲にわたるLEDの光出力(φ)は、フォワードDC電流に比例し、
φ=ηIV
によって与えられる。ここで、
ηはダイオード外部量子効率、
Iはフォワードダイオード電流、そして、
Vはフォワードダイオード電圧である。
Chapter III: LED Drivers for Use with the Present Invention Some LED array light characteristics may be corrected using automatic control. For example, the light output (flux or radiant flux) may be controlled by including a constant current driver in the LED array. The light output (φ) of the LED over its linear operating range is proportional to the forward DC current,
φ = ηIV
Given by. here,
η is the diode external quantum efficiency,
I is the forward diode current, and
V is the forward diode voltage.

図8は、本発明で使用するのに適したLEDドライバの一例を示す。図8に示すシリコンバイポーラトランジスタを使用して、ダイオード電流を一定に保持してもよい。図9は、本発明で使用するのに適した別の定電流ドライバを示す。このドライバは、同じフォワード電流を有する複数のダイオードストリングを駆動する電流ミラーを含む。定電流動作のための別のオプションは、図9に示す、National Semiconductor Corporation(カルフォルニア州サンタクララ)から入手可能なLM134 3−端子調整可能電流源などの、この目的で特別に設計された専用集積回路を使用することである(尚、「National Semiconductor」は社名または商標である。)。図10は、本発明で使用するのに適した、例示的な複数ストリング定電流ドライバ回路を示す。   FIG. 8 shows an example of an LED driver suitable for use with the present invention. A silicon bipolar transistor shown in FIG. 8 may be used to keep the diode current constant. FIG. 9 shows another constant current driver suitable for use with the present invention. The driver includes a current mirror that drives a plurality of diode strings having the same forward current. Another option for constant current operation is a dedicated integration specifically designed for this purpose, such as the LM134 3-terminal adjustable current source available from National Semiconductor Corporation (Santa Clara, Calif.) As shown in FIG. Circuit (the “National Semiconductor” is a company name or a trademark). FIG. 10 illustrates an exemplary multiple string constant current driver circuit suitable for use with the present invention.

図8、9、および10に示す回路は、本発明で使用する単純でかつ費用のかからないドライバであることが有利である。本発明で使用するさらに別のドライバ回路は、図2および図3に示す、可変パルス幅制御(VPWC)回路である。   The circuits shown in FIGS. 8, 9, and 10 are advantageously simple and inexpensive drivers for use with the present invention. Yet another driver circuit for use with the present invention is the variable pulse width control (VPWC) circuit shown in FIGS.

図2を参照すると、PWM回路21は、パラメータ検出器22からのフィードバック信号に基づいて電流または電圧パルス幅を変えることができる。検出器22を、電力消費、電流、電圧、温度、光束または放射束、あるいは、他の所望のパラメータを監視するのに使用することができる。PWM出力は、負荷(LEDアレイ10)の変化または入力変動にかかわらず、所望のフィードバックを生成するように働くことができる。   Referring to FIG. 2, the PWM circuit 21 can change the current or voltage pulse width based on the feedback signal from the parameter detector 22. The detector 22 can be used to monitor power consumption, current, voltage, temperature, luminous flux or radiant flux, or other desired parameters. The PWM output can serve to produce the desired feedback regardless of load (LED array 10) changes or input variations.

図3に示す回路は、広い範囲の入力電圧についてLEDアレイ10に送出される電力を制御する。この回路は、入力電圧が電池動作中の低レベルから電池充電中の高レベルまで変わることができる自動車用途で有用である。この回路を、9〜20ボルトの入力電圧(VCC)変動についてC3の両端に接続されたLED(複数可)に対して一定電力を維持するように設計する。LED(複数可)に対する電流パルス幅を変えることによって一定電力(一定光出力)を維持する。入力電圧が増加するにつれてパルス幅が狭くなる。パルス幅変動は電力消耗を最小にするのに役立つ。90%より大きい効率を有する回路が一般的である。   The circuit shown in FIG. 3 controls the power delivered to the LED array 10 for a wide range of input voltages. This circuit is useful in automotive applications where the input voltage can vary from a low level during battery operation to a high level during battery charging. This circuit is designed to maintain constant power for the LED (s) connected across C3 for input voltage (VCC) variations of 9-20 volts. Constant power (constant light output) is maintained by changing the current pulse width for the LED (s). As the input voltage increases, the pulse width becomes narrower. Pulse width variation helps to minimize power consumption. Circuits with efficiencies greater than 90% are common.

別の実施形態によれば、図2、3、6、7、8、9および10に示す回路を、第IV章で詳細に述べられ、そして図1に示される典型的なLTCC−Mアレイ内に構築することができる。   According to another embodiment, the circuits shown in FIGS. 2, 3, 6, 7, 8, 9 and 10 are described in detail in Section IV and in the exemplary LTCC-M array shown in FIG. Can be built.

第IV章:LTCC−Mパッケージング
LTCC−Mパッケージングは、LEDダイの密にパッケージングされたアレイによって生成される熱が多いために、LEDアレイに特に適する。この章は、反射バリアを有するLEDアレイを作成するのに適用可能なものとして、LTCC−Mパッケージングの重要な態様の一部を強調する。
Chapter IV: LTCC-M Packaging LTCC-M packaging is particularly suitable for LED arrays due to the high heat generated by a closely packaged array of LED dies. This section highlights some of the important aspects of LTCC-M packaging as applicable to making LED arrays with reflective barriers.

多層セラミック回路板はグリーンセラミックテープの層から作られる。グリーンテープは特定のガラス成分および任意選択のセラミック粉末から作られ、それらは有機バインダおよび溶剤と混合され、鋳造され、切断されて、テープを形成する。種々の機能を実施するために、配線パターンをテープ層上にスクリーン印刷することができる。その後、バイアが、テープに穿孔され、導体インクが充填されて、1つのグリーンテープ上の配線が別のグリーンテープ上の配線に接続される。その後、テープはアライメント(整合)がとられ、張り合わせされ、焼成されて、有機材料が除去され、金属パターンが焼結され、ガラスが結晶化される。これは、一般に、約1000度C未満、好ましくは、約750〜950度Cでの温度で実施される。ガラスの成分は、熱膨張係数、誘電率、および種々の電子構成部品に対する多層セラミック回路板の適合性を決定する。温度範囲700〜1000度Cで焼結する無機充填剤を有する例示的な結晶化用ガラスは、マグネシウムアルミノシリケート、カルシウムボロシリケート、リードボロシリケート、およびカルシウムアルミノボリケートである。   Multilayer ceramic circuit boards are made from layers of green ceramic tape. Green tapes are made from specific glass components and optional ceramic powders, which are mixed with an organic binder and solvent, cast and cut to form the tape. A wiring pattern can be screen printed on the tape layer to perform various functions. Thereafter, vias are drilled into the tape, filled with conductive ink, and the wiring on one green tape is connected to the wiring on another green tape. Thereafter, the tape is aligned, laminated and fired, the organic material is removed, the metal pattern is sintered, and the glass is crystallized. This is generally performed at a temperature of less than about 1000 degrees C., preferably about 750 to 950 degrees C. The composition of the glass determines the coefficient of thermal expansion, the dielectric constant, and the suitability of the multilayer ceramic circuit board for various electronic components. Exemplary crystallization glasses with inorganic fillers that sinter in the temperature range of 700-1000 degrees C. are magnesium aluminosilicate, calcium borosilicate, lead borosilicate, and calcium aluminoborate.

ごく最近まで、金属支持基板(金属板)は、グリーンテープを支持するのに使用されてきた。金属板はガラス層に強度を与える。グリーンテープ層を金属板の両面に搭載することができ、適切な接合ガラスによって金属板に固着することができるため、金属板によって、回路およびデバイスの複雑さおよび密度の増加が可能になる。さらに、さらなる機能性のために、抵抗器、インダクタ、およびコンデンサなどの受動および能動構成部品を回路板内に組み込むことができる。LEDなどの光学構成部品を設置するときには、パッケージの反射光学特性を高めるために、セラミック層の壁を成形及び/またはコーティングすることができる。あるいは、LEDアレイパッケージの照明効率と熱効率の両方をさらに改善するために、反射バリアを使用することができる。   Until very recently, metal support substrates (metal plates) have been used to support green tape. The metal plate gives strength to the glass layer. Because the green tape layer can be mounted on both sides of the metal plate and can be secured to the metal plate with a suitable bonded glass, the metal plate allows for increased circuit and device complexity and density. In addition, passive and active components such as resistors, inductors, and capacitors can be incorporated into the circuit board for additional functionality. When installing optical components such as LEDs, the walls of the ceramic layer can be shaped and / or coated to enhance the reflective optical properties of the package. Alternatively, a reflective barrier can be used to further improve both the illumination efficiency and thermal efficiency of the LED array package.

金属支持板上での低温同時焼成セラミックまたはLTCC−Mとして知られるこのシステムは、種々のデバイスおよび回路を単一パッケージ内に高集積化する手段であることがわかった。システムは、たとえば、支持板用の金属およびグリーンテープ内のガラスを適切に選択することによって、シリコンベースデバイス、インジウム燐ベースデバイス、およびガリウム砒素ベースデバイスを含むデバイスと適合性があるように調節することができる。   This system, known as low temperature co-fired ceramic on metal support plates or LTCC-M, has been found to be a means of highly integrating various devices and circuits in a single package. The system is adjusted to be compatible with devices including, for example, silicon-based devices, indium phosphide-based devices, and gallium arsenide-based devices by appropriate selection of metal for the support plate and glass in green tape. be able to.

LTCC−M構造のセラミック層は、金属支持板の熱膨張係数に一致しなければならない。種々の金属または金属マトリクス複合物の熱膨張特性に一致するガラスセラミック成分が知られている。LTCC−M技術に使用される金属支持板は高い熱伝導率を示すが、一部の金属板は高い熱膨張係数を有し、そのため、ベアダイを常にこうした金属支持板に直接に搭載することができるわけではない。しかし、こうした目的に使用することができる、粉末冶金技法を使用して作られた銅とモリブデン(銅の重量約10%〜約25%のモリブデンのパーセンテージを含む)または銅とタングステン(銅の重量約10%〜約25%のタングステンのパーセンテージを含む)の金属複合物などの、一部の金属支持板が知られている。AlSiCは、アルミニウムまたは銅グラファイトの複合物ができるのと同様に、直接取り付けに使用することができる別の材料である。本発明で使用するための適した支持板の例は、鉄、ニッケル、コバルト、およびマンガニーズの金属合金を含むCopper clad Kovar(登録商標)である。Copper clad Kovar(登録商標)は、Carpenter Technology(ペンシルベニア州リーディング)の製品である(尚、「Carpenter Technology」は社名または商標である。)。   The ceramic layer of LTCC-M structure must match the coefficient of thermal expansion of the metal support plate. Glass ceramic components are known that match the thermal expansion properties of various metals or metal matrix composites. Although the metal support plates used in LTCC-M technology show high thermal conductivity, some metal plates have a high coefficient of thermal expansion, so it is always possible to mount the bare die directly on such metal support plates. It's not possible. However, copper and molybdenum made using powder metallurgy techniques (including copper percentages of about 10% to about 25% molybdenum) or copper and tungsten (copper weight) can be used for these purposes. Some metal support plates are known, such as metal composites (including a percentage of tungsten of about 10% to about 25%). AlSiC is another material that can be used for direct attachment, as can aluminum or copper graphite composites. An example of a suitable support plate for use in the present invention is Copper clad Kovar®, which includes iron, nickel, cobalt, and Manganese metal alloys. Copper clad Kovar (R) is a product of Carpenter Technology (Leading Pennsylvania) ("Carpenter Technology" is a company name or trademark).

効率的な冷却を必要とする別の用途は、フリップチップパッケージングの熱管理を必要とする。大量の熱を発生する、密にパッケージングされたマイクロ電子回路およびデコーダ/ドライバ、増幅器、発振器などのようなデバイスはまた、有利にLTCC−M技法を使用することができる。集積回路の一番上の層上での金属化は、チップを含むパッケージまたはモジュールにワイヤボンディングすることができるように、チップの縁に入力/出力線をもたらす。そのため、ワイヤボンドのワイヤ長が問題となり、長過ぎるワイヤは寄生成分をもたらす。集積化の非常に高いチップのコストを、回路を作るのに必要とされるシリコン面積によってではなく、ボンドパッドの配置構成によって決定してもよい。フリップチップパッケージングは、接続部を作るために、ワイヤボンドパッドではなくはんだバンプを使用することによって、これらの問題の少なくとも一部を克服する。これらのはんだバンプはワイヤボンドパッドより小さく、チップが上を下に向けられる、すなわち裏返しにされるときに、はんだリフローを使用してチップをパッケージに取り付けることができる。はんだバンプが小さいために、多層パッケージングを使用するときには、チップはその内部に入力/出力接続部を含むことができる。そのため、ボンドパッドの数およびサイズではなく、チップ内のダイの数がチップサイズを決定するであろう。   Another application that requires efficient cooling requires thermal management of flip chip packaging. Devices such as closely packaged microelectronic circuits and decoder / drivers, amplifiers, oscillators, etc. that generate large amounts of heat can also advantageously use LTCC-M techniques. Metallization on the top layer of the integrated circuit provides input / output lines at the edge of the chip so that it can be wire bonded to the package or module containing the chip. Therefore, the wire length of the wire bond becomes a problem, and a wire that is too long causes a parasitic component. The cost of very high integration chips may be determined by bond pad layout rather than by the silicon area required to make the circuit. Flip chip packaging overcomes at least some of these problems by using solder bumps rather than wire bond pads to make connections. These solder bumps are smaller than the wire bond pads and solder reflow can be used to attach the chip to the package when the chip is turned upside down, i.e. flipped over. Due to the small solder bumps, when using multi-layer packaging, the chip can include input / output connections therein. Thus, the number of dies in a chip, not the number and size of bond pads, will determine the chip size.

LTCC−M構造のセラミック層は、金属支持板の熱膨張係数に一致しなければならない。種々の金属または金属マトリクス複合物の熱膨張特性に一致するガラスセラミック成分が知られている。LTCC−M構造および材料は、2002年9月24日にPonnuswamy他に対して発行され、Lamina Ceramicsに譲渡された米国特許第6,455,930号である「Integrated Heat Sinking Packages Using Low Temperature Co−fired Ceramic Metal Circuit Board Technology」に記載される。米国特許第6,455,930号は、参照により本明細書に組み込まれる。LTCC−M構造は、さらに、米国特許第5,581,876号、第5,725,808号、第5,953,203号、および第6,518,502号に記載され、その全てが、Lamina Ceramicsに譲渡され、同様に、参照により本明細書に組み込まれる。   The ceramic layer of LTCC-M structure must match the coefficient of thermal expansion of the metal support plate. Glass ceramic components are known that match the thermal expansion properties of various metals or metal matrix composites. The LTCC-M structure and materials are disclosed in US Pat. No. 6,455,930 issued to Ponwaswamy et al. On September 24, 2002 and assigned to Lamina Ceramics, “Integrated Heat Sinking Packages Using Low Temperature Co-. fired Ceramic Metal Circuit Board Technology ". US Pat. No. 6,455,930 is hereby incorporated by reference. The LTCC-M structure is further described in US Pat. Nos. 5,581,876, 5,725,808, 5,953,203, and 6,518,502, all of which Assigned to Lamina Ceramics and similarly incorporated herein by reference.

LTCC−M技術に使用される金属支持板は高い熱伝導率を有するが、一部の金属板は高い熱膨張係数を有し、そのために、ベアダイを常にこうした金属支持板に直接に搭載することができるわけではない。しかし、こうした目的に使用することができる、粉末冶金技法を使用して作られた銅とモリブデン(銅の重量約10〜25%を含む)または銅とタングステン(銅の重量約10〜25%を含む)の金属複合物などの、一部の金属支持板が知られている。鉄、ニッケル、コバルト、およびマンガンの金属合金であるCopper clad Kovar(Carpenter Technologyの登録商標)は非常に有用な支持板である。AlSiCは、アルミニウムまたは銅グラファイトの複合物ができるのと同様に、直接取り付けに使用することができる別の材料である。   Although metal support plates used in LTCC-M technology have high thermal conductivity, some metal plates have a high coefficient of thermal expansion, so that the bare die should always be mounted directly on such metal support plates. Is not possible. However, copper and molybdenum (including about 10-25% copper weight) or copper and tungsten (about 10-25% copper weight) made using powder metallurgy techniques can be used for these purposes. Some metal support plates are known, such as metal composites. Copper clad Kovar (registered trademark of Carpenter Technology), which is a metal alloy of iron, nickel, cobalt, and manganese, is a very useful support plate. AlSiC is another material that can be used for direct attachment, as can aluminum or copper graphite composites.

フリップチップパッケージングの熱管理は、効率的な冷却を必要とするさらに別の用途である。大量の熱を発生する、密にパッケージングされたマイクロ電子回路およびデコーダ/ドライバ、増幅器、発振器などのようなデバイスはまた、有利にLTCC−M技法を使用することができる。集積回路の一番上の層上での金属化は、チップを含むパッケージまたはモジュールにワイヤボンディングすることができるように、チップの縁に入力/出力線をもたらす。そのため、ワイヤボンドのワイヤ長が問題となり、長過ぎるワイヤは寄生成分をもたらす。集積化の非常に高いチップのコストを、回路を作るのに必要とされるシリコン面積によってではなく、ボンドパッドの配置によって決定してもよい。フリップチップパッケージングは、接続部を作るために、ワイヤボンドパッドではなくはんだバンプを使用することによって、これらの問題の少なくとも一部を克服する。これらのはんだバンプはワイヤボンドパッドより小さく、チップが上を下に向けられる、すなわち裏返しにされるときに、はんだリフローを使用してチップをパッケージに取り付けることができる。はんだバンプが小さいため、多層パッケージングが使用されるときには、チップはその内部に入力/出力接続部を含むことができる。そのため、ボンドパッドの数およびサイズではなく、チップ内のダイの数がチップサイズを決定するであろう。   Thermal management of flip chip packaging is yet another application that requires efficient cooling. Devices such as closely packaged microelectronic circuits and decoder / drivers, amplifiers, oscillators, etc. that generate large amounts of heat can also advantageously use LTCC-M techniques. Metallization on the top layer of the integrated circuit provides input / output lines at the edge of the chip so that it can be wire bonded to the package or module containing the chip. Therefore, the wire length of the wire bond becomes a problem, and a wire that is too long causes a parasitic component. The cost of a very integrated chip may be determined by bond pad placement, not by the silicon area required to make the circuit. Flip chip packaging overcomes at least some of these problems by using solder bumps rather than wire bond pads to make connections. These solder bumps are smaller than the wire bond pads and solder reflow can be used to attach the chip to the package when the chip is turned upside down, i.e. flipped over. Due to the small solder bumps, when multi-layer packaging is used, the chip can include input / output connections therein. Thus, the number of dies in a chip, not the number and size of bond pads, will determine the chip size.

しかし、単一チップ上での機能の密度および集積が高くなると、チップ上の温度が高くなり、最適回路密度の十分な利用が妨げられる場合がある。唯一のヒートシンクが、チップをパッケージに接続する小さなはんだバンプである。これが不十分である場合、小さな能動または受動ヒートシンクをフリップチップの一番上に付加しなければならない。こうした付加的なヒートシンクは、組み立てコストを増加させ、必要とされる部品の数を増加させ、パッケージコストを増加させる。特に、ヒートシンクは、小さい熱容積を有する場合、制限された効率も有する。   However, increasing the density and integration of functions on a single chip can increase the temperature on the chip and prevent full utilization of the optimum circuit density. The only heat sink is a small solder bump that connects the chip to the package. If this is insufficient, a small active or passive heat sink must be added on top of the flip chip. Such additional heat sinks increase assembly costs, increase the number of parts required, and increase package costs. In particular, heat sinks also have limited efficiency if they have a small heat volume.

本発明の最も単純な形態では、LTCC−M技術は、半導体構成部品および関連する回路のための集積パッケージを提供するのに使用され、導電性金属支持板は構成部品用のヒートシンクを提供する。たとえば、半導体構成部品を冷却するために、高い熱伝導率を有するLTCC−Mシステムの金属ベース上に半導体ベアダイを直接に搭載することができる。こうした場合、構成部品を動作させる電気信号をセラミックから構成部品に接続しなければならない。   In the simplest form of the invention, LTCC-M technology is used to provide an integrated package for semiconductor components and associated circuitry, and a conductive metal support plate provides a heat sink for the components. For example, a semiconductor bare die can be mounted directly on the metal base of an LTCC-M system with high thermal conductivity to cool the semiconductor components. In such cases, the electrical signal that operates the component must be connected from the ceramic to the component.

金属支持板に対する間接的な取り付けも使用することができる。このパッケージでは、必要とされる構成部品は全て、多層セラミック部分内に導体および抵抗器などの埋め込み式受動構成部品を組み込むこともできる金属支持板に熱的に結合され、種々の構成部品、すなわち、半導体構成部品、回路、ヒートシンクなどが集積パッケージ内で接続されている。電気回路の問題によって、絶縁材料を使用することが指示されるLEDアレイの場合、熱伝導が問題となる可能性がある。この場合、反射バリアはさらに、絶縁層を通して金属ベースへ伝導および放射することによって受け取られる熱の伝達を補助する熱拡散デバイスとして動作する。   Indirect attachment to a metal support plate can also be used. In this package, all the required components are thermally coupled to a metal support plate that can also incorporate embedded passive components such as conductors and resistors in a multilayer ceramic part, and various components, i.e. Semiconductor components, circuits, heat sinks, etc. are connected in an integrated package. For LED arrays where electrical circuit issues dictate the use of insulating materials, heat conduction can be a problem. In this case, the reflective barrier further operates as a thermal diffusion device that assists in the transfer of heat received by conduction and radiation through the insulating layer to the metal base.

プリント配線板または他のパターニングされた導体搭載デバイスにLTCC−M回路を金属基板表面によって搭載することも可能である。パターンが金属基板に切り抜かれ、絶縁体が金属基板表面内で絶縁電気端子を画定する。これらの端子は、Lamina Ceramics,Inc.に譲渡されたHammond外の米国特許第6,518,502号(2003年2月11日に発行)に詳細に説明されている。米国特許第6,518,502号は、参照により本明細書に組み込まれる。   It is also possible to mount the LTCC-M circuit with a metal substrate surface on a printed wiring board or other patterned conductor mounting device. A pattern is cut into the metal substrate and the insulator defines an insulated electrical terminal within the metal substrate surface. These terminals are available from Lamina Ceramics, Inc. U.S. Pat. No. 6,518,502 (issued Feb. 11, 2003) to Hammond et al. US Pat. No. 6,518,502 is incorporated herein by reference.

放熱が改善されたより複雑な構造の場合、本発明の集積パッケージは、第1および第2のLTCC−M基板を組み合わせる。第1基板は、半導体デバイスおよび構成部品を動作させる埋め込み式回路を有する多層セラミック回路板を搭載することができ、第2基板は、ヒートシンクまたは導電性ヒートスプレッダを搭載している。熱電気(TEC)プレート(ペルチエデバイス)および温度制御回路が第1基板と第2基板との間に搭載されて、半導体デバイスの改善された温度制御を提供する。密閉格納容器を金属支持板に固着することができる。   For more complex structures with improved heat dissipation, the integrated package of the present invention combines first and second LTCC-M substrates. The first substrate can be mounted with a multilayer ceramic circuit board having embedded circuits for operating semiconductor devices and components, and the second substrate is mounted with a heat sink or a conductive heat spreader. A thermoelectric (TEC) plate (Peltier device) and a temperature control circuit are mounted between the first substrate and the second substrate to provide improved temperature control of the semiconductor device. The hermetic containment vessel can be secured to the metal support plate.

LTCC−M技術の使用によって、放熱の集積と一緒に、フリップチップパッケージングの利点も利用することができる。本発明のパッケージは、既存の現在のパッケージングに比べて、小型で、安価で、効率的であるように作ることができる。金属基板は、ヒートスプレッダまたはヒートシンクとして動作する。フリップチップをパッケージの一体部分である金属基板上に直接に搭載することができ、ヒートシンクを付加する必要性がなくなる。可撓性回路をフリップチップ上のバンプの上に搭載することができる。多層セラミック層の使用はまた、パッケージ周辺に対するトレースのファンアウトおよびルーティングを達成することができ、放熱がさらに改善される。熱管理のニーズが高い、高出力集積回路およびデバイスは、この新しいLTCC−M技術と共に使用することができる。   Through the use of LTCC-M technology, the benefits of flip chip packaging can be exploited along with heat dissipation integration. The package of the present invention can be made smaller, cheaper and more efficient than existing current packaging. The metal substrate operates as a heat spreader or heat sink. The flip chip can be mounted directly on the metal substrate that is an integral part of the package, eliminating the need to add a heat sink. A flexible circuit can be mounted on the bumps on the flip chip. The use of multilayer ceramic layers can also achieve trace fanout and routing to the package perimeter, further improving heat dissipation. High power integrated circuits and devices with high thermal management needs can be used with this new LTCC-M technology.

図4は、LTCC−M構成を使用した例示的なLEDアレイパッケージの断面を示す。LTCC−M構造は、多層セラミック回路板42に接続された熱伝導性金属ベースからなる。セラミック回路板42内の開口43が、半導体ダイ44および他の構成部品を収容するために作られる。構成部品を金属ベース45に直接に取り付ける。金属ベース45を、銅タングステン、コバール、あるいは、種々の厚さ比を有する銅モリブデンなどの金属ラミネートなどの、任意の適した材料から構成することができる。金属ベース45を銅クラッディングモリブデンから作成することが好ましい。金属ベース45への取り付けは、半導体ダイ44を冷たく保ち、効率的で、かつ、信頼性の高い動作を可能にする。   FIG. 4 shows a cross section of an exemplary LED array package using the LTCC-M configuration. The LTCC-M structure consists of a thermally conductive metal base connected to a multilayer ceramic circuit board 42. An opening 43 in the ceramic circuit board 42 is made to accommodate the semiconductor die 44 and other components. The components are attached directly to the metal base 45. The metal base 45 can be composed of any suitable material such as copper tungsten, Kovar, or a metal laminate such as copper molybdenum having various thickness ratios. The metal base 45 is preferably made from copper cladding molybdenum. Attachment to the metal base 45 keeps the semiconductor die 44 cool, enabling efficient and reliable operation.

通常、半導体ダイ44への接続部が、ワイヤボンド46を使用して、または、フリップチップ取り付け(図示せず)によって作られる。ポリマー封入47を使用してワイヤボンド46を保護することが好ましい。   Typically, connections to the semiconductor die 44 are made using wire bonds 46 or by flip chip attachment (not shown). A polymer encapsulation 47 is preferably used to protect the wire bond 46.

上述した実施形態は、本発明の用途を示すことができる多くの可能性のある特定の実施形態のほんの少数を示すことが理解される。本発明の精神および範囲から逸脱することなく、当業者によって、多数の、また、変更された他の配置構成を作ることができる。   It is understood that the above-described embodiments represent only a few of the many possible specific embodiments that can show the application of the present invention. Numerous and varied other arrangements can be made by those skilled in the art without departing from the spirit and scope of the invention.

例示的なLEDアレイを示す図である。FIG. 3 illustrates an exemplary LED array. 集積型の、ドライバとフィードバックと制御システムとを組み込むLEDアレイのブロック図を示す図である。FIG. 5 shows a block diagram of an LED array that incorporates an integrated driver, feedback, and control system. パルス幅変調式LEDアレイ制御回路の一実施形態の略図である。1 is a schematic diagram of one embodiment of a pulse width modulated LED array control circuit. 例示的なLTCC−M LEDアレイの断面を示す図である。FIG. 3 is a cross-sectional view of an exemplary LTCC-M LED array. 集積型ドライバ回路を有する例示的なLEDアレイのブロック図である。FIG. 3 is a block diagram of an exemplary LED array having integrated driver circuitry. 集積型光検出器を有するLEDアレイを示す図である。It is a figure which shows the LED array which has an integrated type photodetector. 集積型光検出器を有する例示的なLEDアレイを示す図であり、アレイの1つのLEDダイは、光検出器および光源として交互に動作する。FIG. 2 illustrates an exemplary LED array with an integrated photodetector, where one LED die of the array operates alternately as a photodetector and a light source. トランジスタ定電流ドライバ回路の略図である。1 is a schematic diagram of a transistor constant current driver circuit. 例示的なLM134ドライバ集積型回路の略図である。1 is a schematic diagram of an exemplary LM134 driver integrated circuit. 複数ストリング定電流ドライバ回路の略図である。1 is a schematic diagram of a multiple string constant current driver circuit. LEDダイを光検出器として使用して検出された光束を示すグラフである。It is a graph which shows the light beam detected using an LED die as a photodetector.

Claims (23)

高温動作用のLEDアレイパッケージであって、
金属ベースと、
前記金属ベースの下にある熱接続パッドと、
前記金属ベースの上にある1つまたは複数のセラミック層と、
前記熱接続パッドに前記金属ベースを通して熱的に結合した電極を含む複数のLEDダイと、
前記LEDアレイパッケージ内に搭載され、前記LEDダイ電極に電気接続されたドライバ回路とを備えるLEDアレイパッケージ。
An LED array package for high temperature operation,
A metal base,
A thermal connection pad under the metal base;
One or more ceramic layers overlying the metal base;
A plurality of LED dies including electrodes thermally coupled to the thermal connection pads through the metal base;
A LED array package comprising a driver circuit mounted in the LED array package and electrically connected to the LED die electrode.
前記ドライバ回路の少なくとも一部分は前記金属ベースに熱的に結合する請求項1記載のLEDアレイパッケージ。   The LED array package of claim 1, wherein at least a portion of the driver circuit is thermally coupled to the metal base. 空洞をさらに備え、前記複数のLEDダイは、前記空洞内に固定された少なくとも1つのLEDクラスタを形成するように相互接続される請求項1記載のLEDアレイパッケージ。   The LED array package of claim 1, further comprising a cavity, wherein the plurality of LED dies are interconnected to form at least one LED cluster secured within the cavity. 前記ドライバ回路は前記少なくとも1つのLEDクラスタを制御する請求項3記載のLEDアレイパッケージ。   4. The LED array package of claim 3, wherein the driver circuit controls the at least one LED cluster. 前記ドライバ回路は複数の独立した出力を提供し、前記LEDダイは、個々に、前記独立した出力に接続され、前記独立した出力によって制御される請求項1記載のLEDアレイパッケージ。   The LED array package of claim 1, wherein the driver circuit provides a plurality of independent outputs, and the LED dies are individually connected to and controlled by the independent outputs. 前記1つまたは複数のセラミック層は前記金属ベースに対する熱伝導性バイアを含み、前記ドライバ回路は、前記1つまたは複数のセラミック層上に搭載され、前記熱伝導性バイアによって前記金属ベースに熱的に結合される請求項1記載のLEDアレイパッケージ。   The one or more ceramic layers include thermally conductive vias to the metal base, and the driver circuit is mounted on the one or more ceramic layers and is thermally coupled to the metal base by the thermally conductive vias. The LED array package of claim 1, coupled to the LED array package. 前記1つまたは複数のセラミック層は導電性トレースをさらに備える請求項1記載のLEDアレイパッケージ。   The LED array package of claim 1, wherein the one or more ceramic layers further comprise conductive traces. 前記1つまたは複数のセラミック層はプリント回路層を備える請求項1記載のLEDアレイパッケージ。   The LED array package of claim 1, wherein the one or more ceramic layers comprise printed circuit layers. 前記ドライバ回路はパルス幅変調器またはリニア電流ドライバを備える請求項1記載のLEDアレイパッケージ。   The LED array package of claim 1, wherein the driver circuit comprises a pulse width modulator or a linear current driver. 前記LEDダイおよび前記ドライバ回路の少なくとも一部分は前記1つまたは複数のセラミック層の最も外側に搭載される請求項1記載のLEDアレイパッケージ。   The LED array package of claim 1, wherein at least a portion of the LED die and the driver circuit are mounted on the outermost side of the one or more ceramic layers. 前記ドライバ回路の少なくとも一部分は前記2つのセラミック層の中間に搭載される請求項1記載のLEDアレイパッケージ。   The LED array package according to claim 1, wherein at least a part of the driver circuit is mounted between the two ceramic layers. 前記パッケージはLTCC−Mパッケージである請求項1記載のLEDアレイパッケージ。   The LED array package according to claim 1, wherein the package is an LTCC-M package. LEDパラメータを制御するように前記ドライバ回路を調整するためのフィードバックおよび制御ループをさらに備える請求項1記載のLEDアレイパッケージ。   The LED array package of claim 1, further comprising a feedback and control loop for adjusting the driver circuit to control LED parameters. 前記LEDパラメータは、光度、光束、アレイ電流、ダイ電流、電圧、磁界、温度、輝度、および光源色からなるパラメータの群から選択される請求項13記載のLEDアレイパッケージ。   14. The LED array package of claim 13, wherein the LED parameter is selected from the group of parameters consisting of luminous intensity, luminous flux, array current, die current, voltage, magnetic field, temperature, brightness, and light source color. 高温動作用のLEDアレイパッケージであって、
金属ベースと、
前記金属ベースの下にある熱接続パッドと、
前記金属ベースの上にある1つまたは複数のセラミック層と、
それぞれが一対の電極を有する複数のLEDダイとを備え、前記LEDダイが前記熱接続パッドに前記金属ベースを通して熱的に結合しており、さらに、
前記パッケージ内に搭載され、前記金属ベースに熱的に結合したドライバ回路を備え、前記ドライバ回路は前記LEDダイに供給される電流を制御する出力を有しており、さらに、
前記LEDアレイの光出力を測定する測定回路と、
1つまたは複数のLEDダイの接続を前記ドライバ回路から前記測定回路へ切り換える電子スイッチとを備え、前記1つまたは複数のLEDダイが前記ドライバ回路から切り離されると、前記1つまたは複数の切り離されたLEDダイは、LED光検出器として動作して、前記LEDアレイの光出力を検出し、測定された信号を生成し、前記測定された信号を前記測定回路に提供するものであり、さらに、
前記測定された信号を前記測定回路から受け入れ、前記ドライバ回路出力を調整することによって前記LEDアレイ光出力を制御する制御回路を備えるLEDアレイパッケージ。
An LED array package for high temperature operation,
A metal base,
A thermal connection pad under the metal base;
One or more ceramic layers overlying the metal base;
A plurality of LED dies each having a pair of electrodes, wherein the LED dies are thermally coupled to the thermal connection pads through the metal base;
A driver circuit mounted in the package and thermally coupled to the metal base, the driver circuit having an output for controlling a current supplied to the LED die;
A measurement circuit for measuring the light output of the LED array;
And an electronic switch that switches connection of one or more LED dies from the driver circuit to the measurement circuit, and the one or more LED dies are disconnected when the one or more LED dies are disconnected from the driver circuit. The LED die operates as an LED photodetector, detects the light output of the LED array, generates a measured signal, and provides the measured signal to the measurement circuit;
An LED array package comprising a control circuit that receives the measured signal from the measurement circuit and controls the LED array light output by adjusting the driver circuit output.
前記測定された信号は前記LED光検出器の電圧または電流である請求項15に記載のLEDアレイパッケージ。   The LED array package of claim 15, wherein the measured signal is a voltage or current of the LED photodetector. 前記電子スイッチは、≦10msの期間の間、前記1つまたは複数のLEDダイを前記測定回路に接続する請求項15に記載のLEDアレイパッケージ。   16. The LED array package of claim 15, wherein the electronic switch connects the one or more LED dies to the measurement circuit for a period of ≦ 10 ms. 前記パッケージはLTCC−Mパッケージである請求項15に記載のLEDアレイパッケージ。   The LED array package of claim 15, wherein the package is an LTCC-M package. 前記1つまたは複数のセラミック層は導電性トレースをさらに備える請求項15に記載のLEDアレイパッケージ。   The LED array package of claim 15, wherein the one or more ceramic layers further comprise conductive traces. 前記1つまたは複数のセラミック層はプリント回路層を備える請求項15に記載のLEDアレイパッケージ。   The LED array package of claim 15, wherein the one or more ceramic layers comprise printed circuit layers. LEDアレイ内に光フィードバックを設ける方法であって、
複数のLEDダイ、ドライバ回路、および検出器回路を含むLEDアレイを設ける工程と、
前記LEDダイの1つまたは複数を前記ドライバ回路から前記検出器回路へ切り換えるスイッチを設ける工程と、
前記ドライバ回路と前記検出器回路とを切り換える工程と、
前記切り換えられたLEDダイの1つまたは複数を使用して測定信号を提供するために、前記LEDアレイの光出力を測定する工程と、
前記LEDアレイ光出力を制御するために前記測定信号を前記ドライバ回路にフィードバックする工程とを含む方法。
A method of providing optical feedback in an LED array comprising:
Providing an LED array including a plurality of LED dies, driver circuits, and detector circuits;
Providing a switch for switching one or more of the LED dies from the driver circuit to the detector circuit;
Switching between the driver circuit and the detector circuit;
Measuring the light output of the LED array to provide a measurement signal using one or more of the switched LED dies;
Feeding back the measurement signal to the driver circuit to control the LED array light output.
前記切り換える工程は、人にとって安定した照明であるように見えるのに十分に速いレートで、前記ドライバ回路と前記検出器回路とを切り換える工程を含む請求項21に記載の方法。   The method of claim 21, wherein the step of switching includes switching between the driver circuit and the detector circuit at a rate fast enough to appear to be stable illumination for a person. 前記切り換える工程は、周期的レートで前記ドライバ回路と前記検出器回路とを切り換える工程を含む請求項21に記載の方法。   The method of claim 21, wherein the switching step includes switching the driver circuit and the detector circuit at a periodic rate.
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