JP2008309146A - 内燃機関用点火装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】周辺回路や外部で発生したノイズによる誤動作を防止することができる内燃機関用点火装置を提供する。
【解決手段】スイッチIC2のグランド電位としてのエミッタ用パッド2bと制御回路IC3の回路グランドとしての回路グランド用パッド3bとをワイヤW6でそれぞれ接続すると共に、制御回路IC3においてエミッタ用パッド2bに対応した回路グランド用パッド3bとFG用パッド3cとをワイヤW7で接続する。これにより、スイッチIC2のエミッタ電位、制御回路IC3の回路グランド、そしてFGを同電位とし、ノイズの影響を防止する。
【選択図】図3

Description

本発明は、コイル電流を通電・遮断するパワースイッチング素子と、それを制御するための制御回路ICとを有する内燃機関用点火装置に関する。
従来、点火コイルへの通電を制御することで、内燃機関での点火タイミングを制御するイグナイタとしての点火装置が種々知られている。出願人が先に出願した特許文献1では、点火装置はスイッチング素子として機能するIGBTチップや当該IGBTチップを制御するICチップがリードフレームに実装され、樹脂でモールドされて構成される。IGBTチップのエミッタ電位はリードフレームGNDに接続されるICチップに設けられた回路グランドは、IGBTチップのエミッタ電位に接続され、ICチップがIGBTグランドに接地された状態となっている。そして、例えばエンジンECUからの指令に応じてICチップがIGBTチップをスイッチング駆動することで点火コイルへの通電が制御されるようになっている。この技術において、小型化できるという長所を生かし、誘電分離構造を持つ制御ICが提案されている。絶縁分離構造のICには、分離され、回路が形成されていない領域をグランドにとるためにFG(フィールドグランド)用パッドが設けられている。これは、分離された回路素子間の電位干渉を防ぐ目的である。そして、これをリードフレームGNDに接続するのが一般的である。
特開2006−299988号公報
しかしながら、前記誘電分離構造を持つ制御ICで構成した点火装置での定電流制御域においてノイズによって誤動作することが確認された。これは次の理由によるものであると考えられる。
すなわち、点火装置のICチップに設けられた回路グランドは、IGBTチップのエミッタ電位に接続されている一方、ICチップに設けられたFGは点火装置のグランド用のリードフレームに接続されている。このため、ICチップ内でICチップ内の回路グランドとFGとに電位差が生じる。この電位差がICチップ内に生じていることによって、点火装置の周辺回路や外部で発生したノイズの影響を受けると考えられる。
本発明は、上記点に鑑み、周辺回路や外部で発生したノイズによる誤動作を防止することができる内燃機関用点火装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明の第1の特徴では、制御回路IC(3)は、当該制御回路IC(3)に作り込まれた回路の回路グランドに接続された回路グランド用パッド(3b)と、制御回路IC(3)において回路が形成されていない領域の一部をフィールドグランドとし、当該フィールドグランドに接続されたフィールドグランド用パッド(3c)とを有しており、
回路グランド用パッド(3b)と前記フィールドグランド用パッド(3c)とはワイヤ(W7)を介して接続されていることを特徴とする。
このように、制御回路IC(3)において備えられた回路グランド用パッド(3b)とフィールドグランド用パッド(3c)とをワイヤ(W7)で接続することで、制御回路IC(3)に設けられた各グランドを同電位にすることができる。これにより、ノイズが影響する電位差を無くすことができるので、外部からのノイズに対する影響を防止することができ、ひいてはノイズによる点火装置の誤動作を防止することができる。
この場合、スイッチIC(2)は、半導体スイッチング素子(5)のエミッタ電位に接続されたエミッタ用パッド(2b)を有し、制御回路IC(3)の回路グランド用パッド(3b)とスイッチIC(2)のエミッタ用パッド(2b)とはワイヤ(W6)を介して接続されている。
これにより、スイッチIC(2)のグランドであるエミッタ電位、制御回路IC(3)の回路グランドおよびフィールドグランドの各グランドを同電位とすることができ、各ICにおいてノイズの影響を受ける電位差を無くすことができる。
本発明の第2の特徴では、上記に示された点火装置を、負荷をスイッチングする電子装置として構成した場合にも、同様の効果を得ることができる。
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
(第1実施形態)
以下、本発明の第1実施形態について図を参照して説明する。以下で示される内燃機関用点火装置は、例えば内燃機関に設置された点火コイルへの通電を制御するイグナイタとして用いられ、内燃機関での点火タイミングを制御するものとして好適である。
図1は、本発明の一実施形態に係る点火装置1の回路構成図である。また、図2は、本実施形態における点火装置1の部品構成レイアウト図である。これらの図を参照して、本実施形態における点火装置1について説明する。
図1に示されるように、点火装置1には、スイッチIC2と制御回路IC3とが備えられている。これらスイッチIC2と制御回路IC3とは別々のチップで構成され、互いにワイヤを介して接続された構成となっている。
スイッチIC2は、点火コイル4の1次巻線4aへの通電のスイッチング制御を行うためのものである。このスイッチIC2には、半導体スイッチング素子に相当するIGBT5と抵抗6が備えられている。
IGBT5には、点火コイル4の1次巻線4aへの通電のスイッチング制御を行うために用いられるメインセルと、メインセル側のIGBT5に流される電流量を検出するために用いられる電流検出セルとがある。これら各セルのIGBT5へのゲート電圧の制御は、抵抗6を介して入力される制御回路IC3からの制御信号によって行われるようになっている。
IGBT5のコレクタ端子に負荷となる点火コイル4の1次巻線4aが接続され、エミッタ端子にGNDが接続されており、IGBT5のエミッタからGNDにメイン電流が流れる。また、電流検出セル側のIGBT5のコレクタ端子は、メインセル側のIGBT5のコレクタ端子と共通化されており、エミッタ端子は制御回路IC3に接続されている。これにより、エミッタ端子から流れる電流検出用のセンス電流、すなわちメインセル側のIGBT5に流れる電流に比例する電流が制御回路IC3にフィードバックされるようになっている。
このような構成のスイッチIC2において、IGBT5へのゲート電圧は、抵抗6を介して入力される制御回路IC3からの制御信号によって行われるようになっている。そして、IGBT5へのゲート電圧の電位レベルがハイレベルになるとIGBT5がONし、点火コイル4における1次巻線4aへの通電が行われ、ゲート電圧の電位レベルがローレベルになるとIGBT5がOFFし、点火コイル4における1次巻線4aへの通電が遮断されるようになっている。
なお、抵抗6は、IGBT5のゲートに対してゲート電圧を印加するための入力抵抗である。
一方、制御回路IC3は、エンジンECU8から送られてくる点火信号をスイッチIC2におけるIGBT5の制御信号として伝える役割を果たすものである。
この制御回路IC3には、駆動回路9と、定電流制御回路10とが備えられ、これらにより点火コイル4の1次巻線4aに流されるコイル電流に基づいてIGBT5の制御信号を調整できるようになっている。
また、制御回路IC3には、図示しない電源からの電力供給が為されるようになっており、この電源からの電力供給に基づいて制御回路IC3が駆動されるようになっている。
制御回路IC3に入力された点火信号は、駆動回路9に入力された後、IGBT5をON/OFF駆動するためのゲート電圧に変換されるようになっている。このため、基本的には、駆動回路9から入力されるゲート電圧によってIGBT5がON/OFF駆動される。
定電流制御回路10は、電流検出セル側のIGBT5から流されるセンス電流を入力し、その大きさに基づいて各IGBT5のゲート電圧を調整するものである。例えば、定電流制御回路10は、この定電流制御回路10内に備えられた図示しない抵抗によってセンス電流を電圧変換し、その電圧の変化に基づいて各IGBT5のゲート電圧を調整する。
この定電流制御回路10は、例えば、参照電圧を形成する電源部とOPアンプおよび参照電圧の電圧値を温度補正するための温度特性を有するダイオード等によって構成される。これらの構成により、ダイオードの温度特性によって温度補正された参照電圧と電圧変換されたセンス電流とを比較し、ゲート電圧調整用の出力を発生させる。
そして、このように構成される点火装置1の各構成要素が、図2に示されるように、一枚の金属板を打ち抜いて形成した各種端子を構成するリードフレーム20の上の所定位置に実装されたのち、モールド樹脂1aによって樹脂封止されることで、点火装置1が構成されている。
具体的には、スイッチIC2は、点火コイル4の1次巻線4aに接続される出力端子21の上に実装され、制御回路IC3は、GND端子22の上に実装されている。
そして、スイッチIC2は、ワイヤを介して制御回路IC3と、ワイヤW1を介してGND端子22と電気的に接続されている。また、制御回路IC3は、ワイヤW2を通じて点火信号が入力される入力端子23と、ワイヤW3を通じて保護抵抗12と電気的に接続されている。さらに、保護抵抗12は、ワイヤW4を通じてバッテリに接続される電源(+B)端子24と電気的に接続されている。
図3は、スイッチIC2と制御回路IC3とのグランドの接続を示した模式図である。なお、図3では、グランドに関わるワイヤのみを描いてあり、他のワイヤやパッドの一部を省略してある。
制御回路IC3には、当該制御回路IC3に作り込まれた回路の回路グランドに接続されると共に、スイッチIC2に設けられた各エミッタ用パッド2bに対応した回路グランド用パッド3bが設けられており、各エミッタ用パッド2bと各回路グランド用パッド3bとがワイヤW6でそれぞれ接続されている。
また、制御回路IC3にはフィールドグランド(FG)用パッド3cが設けられている。フィールドグランドとは、駆動回路等が誘電体分離され、複数の半導体島を持つ半導体集積回路において、各駆動回路で発生したノイズまたは外部ノイズの各相間に対する影響を考慮しなければならないため、誘電体分離半導体島相互間の浮動である電位をグランドにすることでノイズをグランドへ流し、相互干渉、ノイズによる誤動作を防止するための各半導体島間のグランドを指す。すなわち、フィールドグランドは、制御回路IC3において駆動回路等が形成されていない領域の一部と言える。
そして、スイッチIC2のエミッタ用パッド2bに対応した回路グランド用パッド3bと制御回路IC3のFG用パッド3cとがワイヤW7で接続されている。これにより、一点アースとなり、スイッチIC2のグランドおよび制御回路IC3のグランドがFGの電位と同電位となる。ワイヤとしては、AlやAuの材質のものが用いられる。
以上のような構成により点火装置1が構成されている。そして、スイッチIC2に備えられたIGBT5のコレクタ端子に点火コイル4の1次巻線4aが接続されると共に、点火コイル4の2次巻線4bがプラグ13に接続されることで、点火装置1によるプラグ13の点火タイミングの制御が行われるようになっている。
次に、上記の点火装置1の作動について、図4を参照して説明する。図4は、エンジンECU8から点火装置1に入力信号として点火信号を入力したときのタイミングチャートである。
まず、エンジンECU8から点火装置1に入力される点火信号がハイレベルとなると、駆動回路9を経たハイレベルのゲート電圧がスイッチIC2に伝えられる。このため、抵抗6を介して各IGBT5に高いゲート電圧が印加され、各IGBT5がON状態とされる。これにより、各IGBT5のコレクタ−エミッタ間に電流が流れ、点火コイル4の1次巻線4aに流れるコイル電流が上昇していく。そして、IGBT5がOFFした瞬間、2次巻線4bからプラグ13の放電に必要な電圧が発生し、内燃機関での点火が行われる。
コイル電流は、点火信号がハイレベルの間上昇し続けるため、大きな電流が点火コイル4に流れるとIGBT5が破壊される可能性がある。そこで、本実施形態では、コイル電流に定電流制御値となるしきい値を設け、コイル電流を当該しきい値で飽和させている。
また、エンジンECU8からの点火信号がローレベルのときには、IGBT5のゲート電圧が低下するため、IGBT5がOFF状態とされ、点火コイル4の1次巻線4aへのコイル電流が遮断される。
以上説明したように、本実施形態では、スイッチIC2のグランド電位としてのエミッタ用パッド2bと制御回路IC3の回路グランドとしての回路グランド用パッド3bとをワイヤW6でそれぞれ接続すると共に、制御回路IC3においてエミッタ用パッド2bに対応した回路グランド用パッド3bとFG用パッド3cとをワイヤW7で接続したことが特徴となっている。
これにより、スイッチIC2のグランド(エミッタ電位)、制御回路IC3の回路グランド、そしてFGの各グランドを同電位とすることができ、各グランドの電位差を無くすことができる。したがって、外部からのノイズに対する影響を防止することができ、ひいてはノイズによる点火装置1の誤動作を防止することができる。
また、制御回路IC3において回路グランド用パッド3bとFG用パッド3cとをワイヤW7で接続して新たな電気経路を形成するだけであるので、ノイズ除去用の新たな部品等を追加することなく、ノイズの影響を防止することができる。
(他の実施形態)
上記実施形態では、点火装置1としてイグナイタを例に説明したが、負荷のスイッチングを行う半導体スイッチング素子を備えたスイッチIC2や当該スイッチIC2を制御駆動する制御回路IC3を備えた電子装置に対しても本発明を採用することができる。
本発明の一実施形態に係る点火装置の回路構成図である。 図1に示される点火装置の部品構成レイアウト図である。 スイッチICと制御回路ICとのグランドの接続を示した模式図である。 エンジンECUから点火装置に入力信号として点火信号を入力したときのタイミングチャートである。
符号の説明
1…点火装置、2…スイッチIC、2b…エミッタ用パッド、3…制御回路IC、3b…回路グランド用パッド、3c…フィールドグランド用パッド、4…点火コイル、5…IGBT、W1〜W7…ワイヤ。

Claims (4)

  1. 点火コイル(4)に流れるコイル電流のスイッチングを行う半導体スイッチング素子(5)が備えられたスイッチIC(2)と、
    前記スイッチIC(2)における前記半導体スイッチング素子(5)をON、OFF制御するための制御信号を出力する制御回路IC(3)とを備え、
    前記制御回路IC(3)は、
    当該制御回路IC(3)に作り込まれた回路の回路グランドに接続された回路グランド用パッド(3b)と、
    前記制御回路IC(3)において回路が形成されていない領域の一部をフィールドグランドとし、当該フィールドグランドに接続されたフィールドグランド用パッド(3c)とを有し、
    前記回路グランド用パッド(3b)と前記フィールドグランド用パッド(3c)とはワイヤ(W7)を介して接続されていることを特徴とする点火装置。
  2. 前記スイッチIC(2)は、前記半導体スイッチング素子(5)のエミッタ電位に接続されたエミッタ用パッド(2b)を有し、
    前記制御回路IC(3)の前記回路グランド用パッド(3b)と前記スイッチIC(2)の前記エミッタ用パッド(2b)とはワイヤ(W6)を介して接続されていることを特徴とする請求項1に記載の点火装置。
  3. 負荷のスイッチングを行う半導体スイッチング素子(5)が備えられたスイッチIC(2)と、
    前記スイッチIC(2)における前記半導体スイッチング素子(5)をON、OFF制御するための制御信号を出力する制御回路IC(3)とを備え、
    前記制御回路IC(3)は、
    当該制御回路IC(3)に作り込まれた回路の回路グランドに接続された回路グランド用パッド(3b)と、
    前記制御回路IC(3)において回路が形成されていない領域の一部をフィールドグランドとし、当該フィールドグランドに接続されたフィールドグランド用パッド(3c)とを有し、
    前記回路グランド用パッド(3b)と前記フィールドグランド用パッド(3c)とはワイヤ(W7)を介して接続されていることを特徴とする電子装置。
  4. 前記スイッチIC(2)は、前記半導体スイッチング素子(5)のエミッタ電位に接続されたエミッタ用パッド(2b)を有し、
    前記制御回路IC(3)の前記回路グランド用パッド(3b)と前記スイッチIC(2)の前記エミッタ用パッド(2b)とはワイヤ(W6)を介して接続されていることを特徴とする請求項3に記載の電子装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015043380A (ja) * 2013-08-26 2015-03-05 富士電機株式会社 半導体装置
JP2016017512A (ja) * 2014-07-11 2016-02-01 富士電機株式会社 内燃機関の点火制御装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63300542A (ja) * 1987-05-29 1988-12-07 Nec Corp 半導体集積回路装置
JPH0289871U (ja) * 1988-12-28 1990-07-17
JP2006299988A (ja) * 2005-04-22 2006-11-02 Denso Corp 内燃機関用点火装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63300542A (ja) * 1987-05-29 1988-12-07 Nec Corp 半導体集積回路装置
JPH0289871U (ja) * 1988-12-28 1990-07-17
JP2006299988A (ja) * 2005-04-22 2006-11-02 Denso Corp 内燃機関用点火装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015043380A (ja) * 2013-08-26 2015-03-05 富士電機株式会社 半導体装置
JP2016017512A (ja) * 2014-07-11 2016-02-01 富士電機株式会社 内燃機関の点火制御装置

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