JP2008307646A - Cutting apparatus - Google Patents

Cutting apparatus Download PDF

Info

Publication number
JP2008307646A
JP2008307646A JP2007158469A JP2007158469A JP2008307646A JP 2008307646 A JP2008307646 A JP 2008307646A JP 2007158469 A JP2007158469 A JP 2007158469A JP 2007158469 A JP2007158469 A JP 2007158469A JP 2008307646 A JP2008307646 A JP 2008307646A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cutting
wafer
depth
groove
axis
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2007158469A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazuma Sekiya
一馬 関家
Katsuharu Negishi
克治 根岸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Abrasive Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Abrasive Systems Ltd filed Critical Disco Abrasive Systems Ltd
Priority to JP2007158469A priority Critical patent/JP2008307646A/en
Priority to CN2008101088546A priority patent/CN101325178B/en
Publication of JP2008307646A publication Critical patent/JP2008307646A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Machine Tool Sensing Apparatuses (AREA)
  • Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a cutting apparatus capable of controlling the depth of a cutting groove within a permissible value when cutting a wafer by a cutting means. <P>SOLUTION: In the cutting apparatus, a depth h of cutting groove K just after cutting which is formed on a wafer W by a cutting means is measured by a non-contact type groove depth measuring means 30 utilizing ultrasonic wave. If the depth of the cutting groove measured does not satisfy the permissible value, the cutting feed amount can be adjusted by operating a Z-axis feeding means, so that the depth h of the cutting groove K can controlled within the permissible value when cutting the wafer W by the cutting means. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、チャックテーブルに保持されたウエーハを切削手段で切削する切削装置に関するものである。   The present invention relates to a cutting apparatus for cutting a wafer held on a chuck table by a cutting means.

IC,LSI等のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハは、ダイシング装置によって個々のデバイスに分割され、携帯電話、パソコン等の電子機器に利用される。ここで、ウエーハは、粘着テープを介してダイシングフレームに配設され、表面に形成された分割予定ラインに切削ブレードが位置付けられ粘着テープに至る切り込み深さで個々のデバイスに分割される。   A wafer on which a device such as an IC or LSI is divided and formed on a surface by dividing lines is divided into individual devices by a dicing apparatus and used for electronic devices such as mobile phones and personal computers. Here, the wafer is arranged on the dicing frame via an adhesive tape, and the cutting blade is positioned on a predetermined division line formed on the surface, and the wafer is divided into individual devices at a cutting depth reaching the adhesive tape.

また、分割予定ライン上に金属等の積層物が存在する場合は、積層物を取り除く第1の切削ブレードで所定の深さの切削溝を形成し、その後、第2の切削ブレードで切削溝を完全に切断してウエーハを個々のデバイスに分割する場合がある(例えば、特許文献1参照)。さらに、デバイスの仕上げ厚さに相当する深さの切削溝を形成し、その後、ウエーハの裏面を研削して切削溝をウエーハの裏面に表出させてウエーハを個々のデバイスに分割する場合もある。   Further, when there is a laminate such as metal on the planned dividing line, a cutting groove having a predetermined depth is formed by the first cutting blade for removing the laminate, and then the cutting groove is formed by the second cutting blade. In some cases, the wafer is completely cut to divide the wafer into individual devices (see, for example, Patent Document 1). Furthermore, there is a case where a cutting groove having a depth corresponding to the finished thickness of the device is formed, and then the back surface of the wafer is ground to expose the cutting groove on the back surface of the wafer to divide the wafer into individual devices. .

このように、ウエーハの表面に形成された分割予定ラインに所定の深さの切削溝を形成するには、切削溝の深さが許容値であるか否かを確認する必要がある。   As described above, in order to form a cutting groove having a predetermined depth on the division line formed on the surface of the wafer, it is necessary to confirm whether or not the depth of the cutting groove is an allowable value.

特開2003−197564号公報JP 2003-197564 A 特開2006−38744号公報JP 2006-38744 A

しかしながら、溝の深さを確認するには切削溝が形成されたウエーハをダイシング装置から搬出して検査装置に搬送しなければならず、切削溝の深さが許容値を逸脱していても切削段階で直ちに切削溝の深さを修正することができないという問題がある。   However, in order to check the depth of the groove, the wafer in which the cutting groove is formed must be taken out of the dicing device and transported to the inspection device, and cutting is performed even if the depth of the cutting groove deviates from the allowable value. There is a problem that the depth of the cutting groove cannot be corrected immediately at the stage.

本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、切削手段によるウエーハの切削の際に切削溝の深さを許容値に維持することができる切削装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above, and an object of the present invention is to provide a cutting apparatus capable of maintaining the depth of the cutting groove at an allowable value when the wafer is cut by the cutting means.

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明にかかる切削装置は、ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハを切削する切削手段と、前記チャックテーブルと前記切削手段とを相対的にX軸方向に加工送りするX軸送り手段と、前記チャックテーブルと前記切削手段とを相対的にY軸方向に割り出し送りするY軸送り手段と、前記チャックテーブルと前記切削手段とを相対的にZ軸方向に切り込み送りするZ軸送り手段とを備える切削装置であって、前記切削手段に隣接して配設されて該切削手段による切削で前記ウエーハに形成された切削溝の深さを計測する溝深さ計測手段を備えることを特徴とする。   In order to solve the above-described problems and achieve the object, a cutting apparatus according to the present invention includes a chuck table for holding a wafer, cutting means for cutting a wafer held by the chuck table, the chuck table, and the chuck table. An X-axis feed means that relatively feeds the cutting means in the X-axis direction, a Y-axis feed means that relatively feeds the chuck table and the cutting means in the Y-axis direction, the chuck table, A cutting device comprising a Z-axis feeding means for cutting and feeding the cutting means relative to the Z-axis direction, the cutting apparatus being disposed adjacent to the cutting means and formed on the wafer by cutting with the cutting means. A groove depth measuring means for measuring the depth of the cutting groove is provided.

また、本発明にかかる切削装置は、上記発明において、前記溝深さ計測手段は、超音波発振部と、該超音波発振部から発振されウエーハで反射した反射波を受波する受波部と、前記超音波発振部と前記受波部とウエーハの表面とで形成される空間を仕切る筒部と、該筒部に水を供給して前記空間内を水で満たす水供給部と、前記受波部が受波した反射波の時間差を求めて前記切削溝の深さを算出する深さ算出部と、を備えることを特徴とする。   Further, the cutting device according to the present invention is the above invention, wherein the groove depth measuring means includes an ultrasonic oscillator, and a wave receiver that receives a reflected wave oscillated from the ultrasonic oscillator and reflected by the wafer. A cylindrical portion that partitions a space formed by the ultrasonic oscillating portion, the receiving portion, and the surface of the wafer, a water supply portion that supplies water to the cylindrical portion and fills the space with water, and the receiving portion. A depth calculation unit that calculates a time difference between reflected waves received by the wave unit and calculates a depth of the cutting groove.

また、本発明にかかる切削装置は、上記発明において、前記溝深さ計測手段によって計測された前記切削溝の深さが許容値を満たしていない場合には前記Z軸送り手段を作動させて切り込み送り量を調整する制御手段を備えることを特徴とする。   Further, the cutting device according to the present invention is the above-described invention, wherein when the depth of the cutting groove measured by the groove depth measuring means does not satisfy an allowable value, the Z-axis feeding means is operated to perform cutting. Control means for adjusting the feed amount is provided.

本発明にかかる切削装置は、切削手段による切削でウエーハに形成された切削溝の深さを溝深さ計測手段で計測するので、計測された切削溝の深さが許容値を満たしていない場合にはZ軸送り手段を作動させて切り込み送り量を調整することが可能となり、切削手段によるウエーハの切削の際に切削溝の深さを許容値に維持することができるという効果を奏する。   Since the cutting device according to the present invention measures the depth of the cutting groove formed in the wafer by the cutting by the cutting means by the groove depth measuring means, the measured cutting groove depth does not satisfy the allowable value. In this case, it is possible to adjust the cutting feed amount by operating the Z-axis feeding means, and there is an effect that the depth of the cutting groove can be maintained at an allowable value when the wafer is cut by the cutting means.

以下、本発明を実施するための最良の形態である切削装置について図面を参照して説明する。   DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A cutting apparatus that is the best mode for carrying out the present invention will be described below with reference to the drawings.

図1は、本発明の実施の形態の切削装置の一例を示す外観斜視図であり、図2は、その切削手段周りの構成を抽出して示す斜視図であり、図3は、第1の切削ブレード周りの構成を拡大して示す斜視図であり、図4は、図3の概略正面図である。本実施の形態の切削装置10は、ウエーハWを分割予定ラインに沿って切削する切削装置に適用したものであり、概略構成として、図1に示すように、チャックテーブル11、撮像手段12、切削手段20、溝深さ計測手段30および制御手段40を備える。   FIG. 1 is an external perspective view showing an example of a cutting apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a perspective view showing an extracted configuration around the cutting means, and FIG. FIG. 4 is an enlarged perspective view showing a configuration around a cutting blade, and FIG. 4 is a schematic front view of FIG. 3. A cutting apparatus 10 according to the present embodiment is applied to a cutting apparatus that cuts a wafer W along a division line. As shown in FIG. 1, a chuck table 11, an imaging unit 12, and a cutting apparatus are schematically shown. Means 20, a groove depth measuring means 30, and a control means 40 are provided.

切削手段20は、2つの切削ブレードをY軸方向に対向配置させて並行して切削動作が可能なデュアルカット方式のもので、チャックテーブル11に保持されたウエーハWの分割予定ラインに沿って、第1の切削ブレード21がハーフカットを行い、図示しない第2の切削ブレードがハーフカット済み部分のフルカットを行うものである。ここで、切削手段20のうち、第1のブレード21側は、第1の切削ブレード21が着脱自在に装着されたスピンドル22と、このスピンドル22を回転可能に支持するとともに回転駆動する図示しない駆動源を含む円筒状のハウジング23とを備える。また、図3や図4に示すように、切削手段20のうち、ハーフカット用の第1のブレード21側は、第1の切削ブレード21を両側より挟持するフランジ24と、第1の切削ブレード21の両側から洗浄・冷却用の切削水を供給する側面ノズル25と、ホイールカバー26とを備える。切削手段20のうち、フルカット用の第2のブレード側も同様に構成され、ハウジング27等を備える。   The cutting means 20 is of a dual cut type in which two cutting blades are arranged opposite to each other in the Y-axis direction and can perform a cutting operation in parallel, and along the planned dividing line of the wafer W held on the chuck table 11, The first cutting blade 21 performs a half cut, and a second cutting blade (not shown) performs a full cut of a half-cut portion. Here, the first blade 21 side of the cutting means 20 has a spindle 22 on which the first cutting blade 21 is detachably mounted, and a drive (not shown) that rotatably supports and rotates the spindle 22. And a cylindrical housing 23 including a source. As shown in FIGS. 3 and 4, the first blade 21 for half-cutting of the cutting means 20 includes a flange 24 that sandwiches the first cutting blade 21 from both sides, and a first cutting blade. A side nozzle 25 that supplies cleaning water for cooling and cooling from both sides of the wheel 21 and a wheel cover 26 are provided. Of the cutting means 20, the second blade side for full cutting is similarly configured and includes a housing 27 and the like.

また、第1の切削ブレード21および第2の切削ブレードは、略リング形状を有する極薄の切削砥石である。本実施の形態では、ハーフカット用の第1の切削ブレード21は、フルカット用の第2の切削ブレードよりも厚めのものが用いられている。   The first cutting blade 21 and the second cutting blade are extremely thin cutting grindstones having a substantially ring shape. In the present embodiment, the first cutting blade 21 for half-cutting is thicker than the second cutting blade for full-cutting.

撮像手段12は、図2に示すように、ハウジング23の側部に設けられたもので、チャックテーブル11に保持されたウエーハWの表面を撮像するCCDカメラ等を搭載した顕微鏡であり、切削すべき分割予定ラインに対する第1の切削ブレード21の位置付けに供するアライメント用である。   As shown in FIG. 2, the imaging means 12 is provided on the side of the housing 23, and is a microscope equipped with a CCD camera or the like that images the surface of the wafer W held on the chuck table 11, and is cut. This is for alignment used for positioning the first cutting blade 21 with respect to the power division planned line.

保持テープTを介してフレームFと一体となった状態のウエーハWを保持するチャックテーブル11は、図2に示すように、駆動源13に連結されて回転可能とされている。駆動源13は、移動基台14に固定されている。ここで、切削装置10は、切削動作に必要な送り動作を行うためのX軸送り手段50、Z軸送り手段60およびY軸送り手段70を備える。図2は、第1の切削ブレード21に対する送り機構の構成例を示しているが、第2の切削ブレードに対する送り機構も対称的に同様の構成とされている。   As shown in FIG. 2, the chuck table 11 that holds the wafer W that is integrated with the frame F via the holding tape T is connected to a driving source 13 and is rotatable. The drive source 13 is fixed to the moving base 14. Here, the cutting apparatus 10 includes an X-axis feed unit 50, a Z-axis feed unit 60, and a Y-axis feed unit 70 for performing a feed operation necessary for the cutting operation. FIG. 2 shows a configuration example of the feed mechanism for the first cutting blade 21, but the feed mechanism for the second cutting blade is also symmetrically configured similarly.

X軸送り手段50は、移動基台14をX軸方向に移動させることで、チャックテーブル11を切削手段20の第1のブレード21に対して相対的にX軸方向に加工送りするためのものである。X軸送り手段50は、X軸方向に配設されたボールねじ51と、ボールねじ51の一端に連結されたパルスモータ52と、ボールねじ51と平行に配列された一対のガイドレール53とから構成され、ボールねじ51には、移動基台14の下部に設けられた図示しないナットが螺合している。ボールねじ51は、パルスモータ52に駆動されて回転し、それに伴って移動基台14がガイドレール53にガイドされてX軸方向に移動する構成となっている。   The X-axis feeding means 50 is for processing and feeding the chuck table 11 relative to the first blade 21 of the cutting means 20 in the X-axis direction by moving the movable base 14 in the X-axis direction. It is. The X-axis feed means 50 includes a ball screw 51 disposed in the X-axis direction, a pulse motor 52 connected to one end of the ball screw 51, and a pair of guide rails 53 arranged in parallel with the ball screw 51. A nut (not shown) provided at the lower part of the moving base 14 is screwed to the ball screw 51. The ball screw 51 is driven and rotated by a pulse motor 52, and accordingly, the moving base 14 is guided by a guide rail 53 and moves in the X-axis direction.

Z軸送り手段60は、第1のブレード21のハウジング23を支持する支持部15を壁部16に対して相対的にZ軸方向に移動させることで、切削手段20の第1のブレード21を昇降させてウエーハWに対する切り込み量を制御するためのものである。Z軸送り手段60は、壁部16の一方の面においてZ軸方向に配設されたボールねじ61と、このボールねじ61を回動させるパルスモータ62と、ボールねじ61と平行に配列された一対のガイドレール63とを有し、支持部15の内部の図示しないナットがボールねじ61に螺合している。支持部15は、パルスモータ62によって駆動されてボールねじ61が回動するのに伴ってガイドレール63にガイドされてZ軸方向に昇降し、支持部15に支持された第1の切削ブレード21もZ軸方向に昇降する構成となっている。   The Z-axis feed means 60 moves the first blade 21 of the cutting means 20 by moving the support portion 15 supporting the housing 23 of the first blade 21 relative to the wall portion 16 in the Z-axis direction. This is for controlling the amount of cut with respect to the wafer W by moving it up and down. The Z-axis feeding means 60 is arranged in parallel with the ball screw 61 arranged in the Z-axis direction on one surface of the wall portion 16, a pulse motor 62 that rotates the ball screw 61, and the ball screw 61. A nut (not shown) inside the support portion 15 is screwed into the ball screw 61. The support portion 15 is driven by the pulse motor 62 and is guided by the guide rail 63 as the ball screw 61 rotates to move up and down in the Z-axis direction, and the first cutting blade 21 supported by the support portion 15. Is also configured to move up and down in the Z-axis direction.

Y軸送り手段70は、第1のブレード21のハウジング23を、支持部15を介して支持する壁部16をY軸方向に移動させることで、切削手段20の第1のブレード21をチャックテーブル11に対して相対的にY軸方向に割り出し送りするためのものである。Y軸送り手段70は、Y軸方向に配設されたボールねじ71と、ボールねじ71の一端に連結されたパルスモータ72と、ボールねじ71と平行に配列された一対のガイドレール73とから構成され、ボールねじ71には、壁部16と一体に形成された移動基台17の内部に設けられた図示しないナットが螺合している。ボールねじ71は、パルスモータ72に駆動されて回転し、それに伴って移動基台17がガイドレール73にガイドされてY軸方向に移動する構成となっている。   The Y-axis feeding means 70 moves the wall portion 16 supporting the housing 23 of the first blade 21 via the support portion 15 in the Y-axis direction, thereby moving the first blade 21 of the cutting means 20 to the chuck table. 11 for indexing and feeding relative to the Y-axis direction. The Y-axis feed means 70 includes a ball screw 71 disposed in the Y-axis direction, a pulse motor 72 connected to one end of the ball screw 71, and a pair of guide rails 73 arranged in parallel with the ball screw 71. A nut (not shown) provided inside the moving base 17 formed integrally with the wall portion 16 is screwed to the ball screw 71. The ball screw 71 is rotated by being driven by a pulse motor 72, and accordingly, the moving base 17 is guided by the guide rail 73 and moves in the Y-axis direction.

ここで、本実施の形態の切削装置10によるウエーハWのステップカット動作について説明する。本実施の形態の切削装置10においては、第1の切削ブレード21を用いて分割予定ラインに沿ってウエーハWの表面から所定の切り込み量で切削溝を形成するハーフカット動作に並行して、既にハーフカットされた切削溝部分を第2の切削ブレードを用いてフルカットすることで、ウエーハWをデバイスD毎に分割するものである。   Here, the step cut operation of the wafer W by the cutting apparatus 10 of the present embodiment will be described. In the cutting apparatus 10 of the present embodiment, the first cutting blade 21 is already used in parallel with the half-cut operation for forming a cutting groove with a predetermined cutting amount from the surface of the wafer W along the division line. The wafer W is divided for each device D by full-cutting the half-cut cutting groove portion using a second cutting blade.

まず、高速回転させた第1の切削ブレード21をZ軸送り手段60による切り込み送りでチャックテーブル11上のウエーハWに所定の切り込み深さで切り込ませながら、切削手段20の第1の切削ブレード21に対してチャックテーブル11をX軸送り手段50でX軸方向に相対的に加工送りすることで、図3に示すように、ウエーハW上の分割予定ラインを切削加工してハーフカットされた切削溝Kを形成する。同一方向の次の分割予定ラインの切削加工は、チャックテーブル11に対して第1の切削ブレード21をY軸送り手段70でY軸方向に分割予定ライン幅分だけ相対的に割り出し送りすることで、同様に繰り返す。そして、同一方向の全ての分割予定ラインについてハーフカットされた切削溝Kを形成した後、チャックテーブル11の回転によりウエーハWを90°回転させ、新たにX軸方向に配された全ての分割予定ラインについて第1の切削ブレード21で同様の切削加工を繰り返すことにより、ハーフカットされた切削溝Kを形成する。   First, the first cutting blade 21 of the cutting means 20 is cut while the first cutting blade 21 rotated at a high speed is cut into the wafer W on the chuck table 11 by a cutting feed by the Z-axis feeding means 60. As shown in FIG. 3, the chuck table 11 is half-cut by cutting the line to be divided on the wafer W by machining and feeding the chuck table 11 relative to the workpiece 21 in the X-axis direction by the X-axis feeding means 50. A cutting groove K is formed. Cutting the next division line in the same direction is performed by indexing and feeding the first cutting blade 21 relative to the chuck table 11 by the Y-axis feed means 70 in the Y-axis direction by the division line width. Repeat as well. Then, after forming cut grooves K that are half-cut for all the division lines in the same direction, the wafer W is rotated by 90 ° by the rotation of the chuck table 11 and all the division schedules newly arranged in the X-axis direction. By repeating the same cutting process with the first cutting blade 21 for the line, a half-cut cutting groove K is formed.

このような第1の切削ブレード21による分割予定ラインに沿ったハーフカット動作に並行して、高速回転させた第2の切削ブレードをZ軸送り手段による切り込み送りでチャックテーブル11上のウエーハWに所定の切り込み深さで切り込ませながら、第2の切削ブレードに対してチャックテーブル11をX軸送り手段でX軸方向に相対的に加工送りすることで、ウエーハW上のハーフカットされた切削溝Kを切削加工してフルカットする。同一方向の次のハーフカットされた切削溝Kのフルカットは、チャックテーブル11に対して第2の切削ブレードをY軸送り手段でY軸方向に分割予定ライン幅分だけ相対的に割り出し送りすることで、同様に繰り返す。そして、同一方向の全てのハーフカットされた切削溝Kについてフルカットした後、チャックテーブル11の回転によりウエーハWを90°回転させ、新たにX軸方向に配されてハーフカット済みの切削溝Kについて第2の切削ブレードで同様のフルカット加工を繰り返すことにより、個々のデバイスDに分割される。   In parallel with such a half-cut operation along the line to be divided by the first cutting blade 21, the second cutting blade rotated at a high speed is fed to the wafer W on the chuck table 11 by cutting feed by the Z-axis feeding means. Half-cut cutting on the wafer W is performed by feeding the chuck table 11 relative to the second cutting blade in the X-axis direction with the X-axis feeding means while cutting at a predetermined cutting depth. The groove K is cut and fully cut. The full cut of the next half-cut cutting groove K in the same direction is performed by relatively indexing and feeding the second cutting blade relative to the chuck table 11 by the Y-axis feeding means by the planned division line width in the Y-axis direction. Repeat in the same way. After all the half-cut cutting grooves K in the same direction are fully cut, the wafer W is rotated by 90 ° by the rotation of the chuck table 11, and the half-cut cutting grooves K are newly arranged in the X-axis direction. Is divided into individual devices D by repeating the same full-cutting process with the second cutting blade.

つぎに、溝深さ計測手段30および制御手段40について説明する。溝深さ計測手段30は、切削手段20の第1の切削ブレード21によるハーフカットでウエーハWに形成された切削溝Kの深さhを切削直後に計測するためのものである。この溝深さ計測手段30は、図5に示すように、超音波を利用して切削溝Kの深さhを非接触で計測するもので、パルス電圧を印加することで超音波を発振する超音波発振部31と、この超音波発振部31から発振されウエーハWで反射した反射波を受波する受波部32と、超音波発振部31と受波部32とウエーハWの表面とで形成される空間33を仕切る筒部34と、この筒部34に水35を図示しない供給源から供給して空間33内を水35で満たす水供給部36と、受波部32が受波した反射波の時間差tを求めて切削溝Kの深さhを算出する深さ算出部37と、を備える。ここで、超音波発振部31と受波部32は、ウエーハWの表面に対して斜めに対向配置されている。また、超音波発振部31や受波部32を内蔵した筒部34部分は、第1の切削ブレード21による切削直後の切削溝K(分割予定ライン)上となる位置に隣接させて、ウエーハWの表面に対して非接触状態で近接配設されてホイールカバー26部分に固定されている。これにより、溝深さ計測手段30の深さ算出部37を除く検出部は、ホイールカバー26と一体で移動するものであり、第1の切削ブレード21との位置関係が固定されている。   Next, the groove depth measuring means 30 and the control means 40 will be described. The groove depth measuring means 30 is for measuring the depth h of the cutting groove K formed in the wafer W by half cutting by the first cutting blade 21 of the cutting means 20 immediately after cutting. As shown in FIG. 5, the groove depth measuring means 30 measures the depth h of the cutting groove K in a non-contact manner using ultrasonic waves, and oscillates ultrasonic waves by applying a pulse voltage. The ultrasonic oscillating unit 31, the wave receiving unit 32 that receives the reflected wave oscillated from the ultrasonic oscillating unit 31 and reflected by the wafer W, the ultrasonic oscillating unit 31, the wave receiving unit 32, and the surface of the wafer W A cylindrical portion 34 that partitions the formed space 33, a water supply portion 36 that supplies water 35 to the cylindrical portion 34 from a supply source (not shown) and fills the space 33 with the water 35, and the wave receiving portion 32 receives the water. A depth calculation unit 37 that calculates the time difference t of the reflected wave and calculates the depth h of the cutting groove K. Here, the ultrasonic oscillating unit 31 and the wave receiving unit 32 are diagonally opposed to the surface of the wafer W. Further, the cylindrical portion 34 including the ultrasonic oscillating portion 31 and the wave receiving portion 32 is adjacent to a position on the cutting groove K (division planned line) immediately after cutting by the first cutting blade 21, and the wafer W The wheel cover 26 is fixed in proximity to the surface of the wheel cover 26 in a non-contact state. Thereby, the detection part except the depth calculation part 37 of the groove depth measurement means 30 moves integrally with the wheel cover 26, and the positional relationship with the first cutting blade 21 is fixed.

ここで、深さ算出部37は、図5に示すように、超音波発振部31から発振される超音波のウエーハWに対する入射角およびウエーハWで反射する反射波の反射角をαとし、水35中を伝わる音速をvとし、ウエーハWの表面で反射した第1の反射波を受波部32が受波した時点から切削溝Kの溝底で反射した第2の反射波を受波部32が受波した時点までの時間差をtとした場合、切削溝Kの深さhは、
h=cosα・v・t/2
により算出する。なお、ウエーハWの裏面(底面)で反射される第3の反射波も生じ得るが、時間的に優先して発生する第1,第2の反射波のみに注目して時間差tを求めることで、第3の反射波は無視すればよい。
Here, as shown in FIG. 5, the depth calculation unit 37 sets the incident angle of the ultrasonic wave oscillated from the ultrasonic oscillation unit 31 to the wafer W and the reflection angle of the reflected wave reflected by the wafer W as α, 35, the velocity of sound traveling through 35 is v, and the second reflected wave reflected from the groove bottom of the cutting groove K from the time when the wave receiving section 32 receives the first reflected wave reflected from the surface of the wafer W. When the time difference up to the time when 32 is received is t, the depth h of the cutting groove K is:
h = cosα · v · t / 2
Calculated by Note that a third reflected wave reflected on the back surface (bottom surface) of the wafer W may also be generated, but the time difference t is obtained by paying attention to only the first and second reflected waves generated with priority in time. The third reflected wave can be ignored.

このような切削溝Kの深さhの計測に際して、超音波発振部31と受波部32とウエーハWの表面とで形成される空間33内には、常に水35が満たされており、超音波が空気中を伝搬することはない。超音波は、空気中よりも水中の方が、減衰が少なく伝搬性がよいため、計測をより正確に行うことができる。特に、水35として、純水を用いれば、より伝搬性がよくなる。また、切削水を使用しながらの第1の切削ブレード21による切削直後の位置で切削溝Kの深さhを計測するものであるが、計測対象となる空間33内を水供給部36から供給する水35で満たしているので、第1の切削ブレード21付近に用いる切削水の悪影響を受けることなく、切削溝Kの深さhを安定して計測することができる。   When measuring the depth h of the cutting groove K, the space 33 formed by the ultrasonic wave oscillating unit 31, the wave receiving unit 32, and the surface of the wafer W is always filled with water 35. Sound waves do not propagate in the air. Ultrasonic waves can be measured more accurately because they are less attenuated and better propagated in water than in air. In particular, if pure water is used as the water 35, the propagation property is improved. In addition, the depth h of the cutting groove K is measured at a position immediately after cutting by the first cutting blade 21 while using cutting water, and the space 33 to be measured is supplied from the water supply unit 36. Therefore, the depth h of the cutting groove K can be stably measured without being adversely affected by the cutting water used in the vicinity of the first cutting blade 21.

制御手段40は、溝深さ計測手段30によって計測された切削溝Kの深さhの計測結果に基づきZ軸送り手段60のパルスモータ62をフィードバック制御するためのものである。この制御手段40は、溝深さ計測手段30によって計測された深さhが予め設定された所定の許容値の範囲内にあるか否かを常時監視し、深さhが許容値の範囲内にあれば現状維持のままとするが、深さhが許容値の範囲内を満たしてない場合にはZ軸送り手段60のパルスモータ62を作動させて深さhが許容値の範囲内に収まるようにウエーハWに対する第1の切削ブレード21の切り込み量を調整する。   The control means 40 is for feedback control of the pulse motor 62 of the Z-axis feed means 60 based on the measurement result of the depth h of the cutting groove K measured by the groove depth measurement means 30. This control means 40 constantly monitors whether or not the depth h measured by the groove depth measuring means 30 is within a predetermined allowable value range, and the depth h is within the allowable value range. If the depth h is not within the allowable range, the pulse motor 62 of the Z-axis feed means 60 is operated to make the depth h within the allowable range. The cut amount of the first cutting blade 21 with respect to the wafer W is adjusted so as to be accommodated.

このように、本実施の形態によれば、切削手段20の第1の切削ブレード21による切削(ハーフカット)でウエーハWに形成された切削直後の切削溝Kの深さhを常に溝深さ計測手段30で計測し、計測された切削溝Kの深さhが許容値を満たしていない場合には制御手段40によってZ軸送り手段60のパルスモータ62を作動させて切削溝Kの深さhが許容値の範囲内に収まるように第1の切削ブレード21の切り込み送り量を調整するので、第1の切削ブレード21によるウエーハWのハーフカットの際に形成される切削溝Kの深さhを許容値の範囲内に維持することができる。よって、ハーフカットにより形成される切削溝Kの深さhを許容値内に維持することができ、第2の切削ブレードによるウエーハWのフルカットを確実に行わせることができる。   Thus, according to the present embodiment, the depth h of the cutting groove K immediately after cutting formed on the wafer W by the cutting (half cutting) by the first cutting blade 21 of the cutting means 20 is always the groove depth. When the depth h of the cutting groove K measured by the measuring means 30 does not satisfy the allowable value, the pulse motor 62 of the Z-axis feed means 60 is operated by the control means 40 and the depth of the cutting groove K is determined. Since the cutting feed amount of the first cutting blade 21 is adjusted so that h falls within the allowable range, the depth of the cutting groove K formed when the wafer W is half-cut by the first cutting blade 21. h can be maintained within a tolerance range. Therefore, the depth h of the cutting groove K formed by the half cut can be maintained within an allowable value, and the wafer W can be surely fully cut by the second cutting blade.

本発明は、上述した実施の形態に限らず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲であれば、種々の変形が可能である。例えば、本実施の形態では、ハーフカット用の第1の切削ブレード21とフルカット用の第2の切削ブレードとをY軸方向に対向配置させたデュアルカット方式でステップカットを行う例で説明したが、ハーフカット用の第1の切削ブレードと、フルカット用の第2の切削ブレードとをX軸方向に前後させて備える2軸構造とし、同一ライン上でハーフカットに引き続きフルカットを連続的に行う方式の切削装置であっても同様に適用することができる。この場合、溝深さ計測手段は、第1,第2の切削ブレード間の分割予定ライン上に配設させればよい。   The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention. For example, in the present embodiment, the example in which the step cut is performed by the dual cut method in which the first cutting blade 21 for half cut and the second cutting blade for full cut are arranged to face each other in the Y-axis direction has been described. However, it has a biaxial structure that includes a first cutting blade for half-cutting and a second cutting blade for full-cutting back and forth in the X-axis direction. The same can be applied to a cutting apparatus of the type described in (1). In this case, the groove depth measuring means may be arranged on the division line between the first and second cutting blades.

また、本実施の形態では、溝深さ計測手段30を、第1の切削ブレード21の切削直後の位置に隣接して配設したが、第1の切削ブレード21でハーフカットされた切削溝Kの深さが計測可能であれば、第1の切削ブレード21の前側に隣接する位置に配設させてもよい。   In the present embodiment, the groove depth measuring means 30 is disposed adjacent to the position immediately after the cutting of the first cutting blade 21, but the cutting groove K half-cut by the first cutting blade 21 is used. If the depth is measurable, it may be arranged at a position adjacent to the front side of the first cutting blade 21.

また、本実施の形態では、超音波を利用した溝深さ計測手段30の例で説明したが、光、特にレーザ光等を利用して切削溝の深さを非接触で計測するものであってもよい。   In the present embodiment, the groove depth measuring means 30 using ultrasonic waves has been described as an example. However, the depth of the cutting groove is measured in a non-contact manner using light, particularly laser light. May be.

また、本実施の形態では、ウエーハWをハーフカットする際に形成される切削溝を対象としたが、ハーフカットの場合に限らず、例えば、デバイスの仕上げ厚さに相当する深さの切削溝を形成し、その後、ウエーハの裏面を研削して切削溝をウエーハの裏面に表出させてウエーハを個々のデバイスに分割する場合の切削溝を対象とする場合にも同様に適用することができる。   In the present embodiment, the cutting groove formed when half-cutting the wafer W is targeted. However, the cutting groove is not limited to the half-cutting, but has a depth corresponding to the finished thickness of the device, for example. Can be similarly applied to a case where the wafer is divided into individual devices by grinding the back surface of the wafer to expose the cutting groove to the back surface of the wafer and dividing the wafer into individual devices. .

本発明の実施の形態の切削装置の一例を示す外観斜視図である。It is an appearance perspective view showing an example of a cutting device of an embodiment of the invention. 図1の切削手段周りの構成を抽出して示す斜視図である。It is a perspective view which extracts and shows the structure around the cutting means of FIG. 第1の切削ブレード周りの構成を拡大して示す斜視図である。It is a perspective view which expands and shows the structure around the 1st cutting blade. 図3の概略正面図である。FIG. 4 is a schematic front view of FIG. 3. 溝深さ計測手段および制御手段の構成例を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the structural example of a groove depth measurement means and a control means.

符号の説明Explanation of symbols

11 チャックテーブル
20 切削手段
21 第1の切削ブレード
30 溝深さ計測手段
31 超音波発振部
32 受波部
33 空間
34 筒部
35 水
36 水供給部
40 制御手段
50 X軸送り手段
60 Z軸送り手段
70 Y軸送り手段
DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Chuck table 20 Cutting means 21 1st cutting blade 30 Groove depth measurement means 31 Ultrasonic oscillation part 32 Wave receiving part 33 Space 34 Cylinder part 35 Water 36 Water supply part 40 Control means 50 X-axis feed means 60 Z-axis feed Means 70 Y-axis feed means

Claims (3)

ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハを切削する切削手段と、前記チャックテーブルと前記切削手段とを相対的にX軸方向に加工送りするX軸送り手段と、前記チャックテーブルと前記切削手段とを相対的にY軸方向に割り出し送りするY軸送り手段と、前記チャックテーブルと前記切削手段とを相対的にZ軸方向に切り込み送りするZ軸送り手段とを備える切削装置であって、
前記切削手段に隣接して配設されて該切削手段による切削で前記ウエーハに形成された切削溝の深さを計測する溝深さ計測手段を備えることを特徴とする切削装置。
A chuck table for holding a wafer, a cutting means for cutting a wafer held on the chuck table, an X-axis feed means for processing and feeding the chuck table and the cutting means relatively in the X-axis direction, and the chuck Cutting provided with Y-axis feeding means for indexing and feeding the table and the cutting means in the Y-axis direction, and Z-axis feeding means for relatively cutting and feeding the chuck table and the cutting means in the Z-axis direction A device,
A cutting apparatus, comprising: a groove depth measuring unit that is disposed adjacent to the cutting unit and measures a depth of a cutting groove formed in the wafer by cutting by the cutting unit.
前記溝深さ計測手段は、
超音波発振部と、
該超音波発振部から発振されウエーハで反射した反射波を受波する受波部と、
前記超音波発振部と前記受波部とウエーハの表面とで形成される空間を仕切る筒部と、
該筒部に水を供給して前記空間内を水で満たす水供給部と、
前記受波部が受波した反射波の時間差を求めて前記切削溝の深さを算出する深さ算出部と、
を備えることを特徴とする請求項1に記載の切削装置。
The groove depth measuring means includes:
An ultrasonic oscillator,
A wave receiving unit that receives a reflected wave oscillated from the ultrasonic wave oscillation unit and reflected by a wafer;
A cylindrical part that partitions a space formed by the ultrasonic wave oscillating part, the wave receiving part, and the surface of the wafer;
A water supply part for supplying water to the cylindrical part and filling the space with water;
A depth calculation unit for calculating a time difference between reflected waves received by the wave receiving unit and calculating a depth of the cutting groove;
The cutting apparatus according to claim 1, comprising:
前記溝深さ計測手段によって計測された前記切削溝の深さが許容値を満たしていない場合には前記Z軸送り手段を作動させて切り込み送り量を調整する制御手段を備えることを特徴とする請求項1または2に記載の切削装置。   When the depth of the cutting groove measured by the groove depth measuring means does not satisfy an allowable value, the cutting groove is provided with control means for adjusting the cutting feed amount by operating the Z-axis feeding means. The cutting device according to claim 1 or 2.
JP2007158469A 2007-06-15 2007-06-15 Cutting apparatus Pending JP2008307646A (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007158469A JP2008307646A (en) 2007-06-15 2007-06-15 Cutting apparatus
CN2008101088546A CN101325178B (en) 2007-06-15 2008-05-29 Cutting device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007158469A JP2008307646A (en) 2007-06-15 2007-06-15 Cutting apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2008307646A true JP2008307646A (en) 2008-12-25

Family

ID=40188628

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007158469A Pending JP2008307646A (en) 2007-06-15 2007-06-15 Cutting apparatus

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP2008307646A (en)
CN (1) CN101325178B (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012024904A (en) * 2010-07-27 2012-02-09 Jtekt Corp Grinding method and grinding machine
KR20150118024A (en) 2014-04-11 2015-10-21 가부시기가이샤 디스코 Machining method of laminated substrate
CN107097136A (en) * 2016-02-22 2017-08-29 Tdk株式会社 Topping machanism and cutting process

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6783614B2 (en) * 2016-10-11 2020-11-11 株式会社ディスコ Wiring board manufacturing method
JP6866217B2 (en) * 2017-04-21 2021-04-28 株式会社ディスコ Cutting equipment
CN108857442A (en) * 2018-08-06 2018-11-23 湖南省池海浮标钓具有限公司 A kind of buoy numerical control molding sander
CN110509263B (en) * 2019-09-11 2024-08-06 东莞市茂基机械设备科技有限公司 Paper clamping sliding device

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06252260A (en) * 1993-02-23 1994-09-09 Tokyo Seimitsu Co Ltd Depth measuring method of dicing trench and equipment
JP2003168655A (en) * 2001-12-03 2003-06-13 Tokyo Seimitsu Co Ltd Dicing apparatus
JP2004241626A (en) * 2003-02-06 2004-08-26 Kulicke & Soffa Ltd Dicing apparatus and dicing method
JP2006038744A (en) * 2004-07-29 2006-02-09 Disco Abrasive Syst Ltd Thickness measuring instrument and grinding device

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4387007B2 (en) * 1999-10-26 2009-12-16 株式会社ディスコ Method for dividing semiconductor wafer

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06252260A (en) * 1993-02-23 1994-09-09 Tokyo Seimitsu Co Ltd Depth measuring method of dicing trench and equipment
JP2003168655A (en) * 2001-12-03 2003-06-13 Tokyo Seimitsu Co Ltd Dicing apparatus
JP2004241626A (en) * 2003-02-06 2004-08-26 Kulicke & Soffa Ltd Dicing apparatus and dicing method
JP2006038744A (en) * 2004-07-29 2006-02-09 Disco Abrasive Syst Ltd Thickness measuring instrument and grinding device

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012024904A (en) * 2010-07-27 2012-02-09 Jtekt Corp Grinding method and grinding machine
KR20150118024A (en) 2014-04-11 2015-10-21 가부시기가이샤 디스코 Machining method of laminated substrate
CN107097136A (en) * 2016-02-22 2017-08-29 Tdk株式会社 Topping machanism and cutting process
CN107097136B (en) * 2016-02-22 2020-07-17 Tdk株式会社 Cutting device and cutting method

Also Published As

Publication number Publication date
CN101325178A (en) 2008-12-17
CN101325178B (en) 2011-04-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2008307646A (en) Cutting apparatus
CN107030905B (en) Wafer generation method
JP6444249B2 (en) Wafer generation method
US10076805B2 (en) Laser processing apparatus
KR102331680B1 (en) Cutting method and cutting apparatus
JP6388545B2 (en) Workpiece grinding method
US10940560B2 (en) Laser processing apparatus
CN102528952B (en) Topping machanism
US11224941B2 (en) Laser processing apparatus
JP6137798B2 (en) Laser processing apparatus and protective film coating method
JP5122854B2 (en) Device grinding method
JP2007111803A (en) Ultrasonic vibration cutting device
JP2009018368A (en) Processing device
TWI768138B (en) Laser processing equipment
JP2010214428A (en) Optical system and laser beam machining apparatus
CN101740346A (en) Semiconductor wafer processing device
JP2013129024A (en) Method for dividing workpiece
JP2010173002A (en) Cutting device
JP6178568B2 (en) Combined processing method and combined processing apparatus
JP2013089713A (en) Method for grinding wafer
JP6824577B2 (en) Wafer processing method
JP2015157312A (en) Laser processing method and laser processing apparatus of composite material
JP2012110942A (en) Machining method
JP6625852B2 (en) Laser processing equipment
JP6173168B2 (en) Laser processing equipment

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100513

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120517

A131 Notification of reasons for refusal

Effective date: 20120605

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20121016