JP2008307646A - Cutting apparatus - Google Patents
Cutting apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008307646A JP2008307646A JP2007158469A JP2007158469A JP2008307646A JP 2008307646 A JP2008307646 A JP 2008307646A JP 2007158469 A JP2007158469 A JP 2007158469A JP 2007158469 A JP2007158469 A JP 2007158469A JP 2008307646 A JP2008307646 A JP 2008307646A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cutting
- wafer
- depth
- groove
- axis
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 title claims abstract description 207
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 3
- 230000010356 wave oscillation Effects 0.000 claims 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Dicing (AREA)
- Machine Tool Sensing Apparatuses (AREA)
- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
Abstract
Description
本発明は、チャックテーブルに保持されたウエーハを切削手段で切削する切削装置に関するものである。 The present invention relates to a cutting apparatus for cutting a wafer held on a chuck table by a cutting means.
IC,LSI等のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハは、ダイシング装置によって個々のデバイスに分割され、携帯電話、パソコン等の電子機器に利用される。ここで、ウエーハは、粘着テープを介してダイシングフレームに配設され、表面に形成された分割予定ラインに切削ブレードが位置付けられ粘着テープに至る切り込み深さで個々のデバイスに分割される。 A wafer on which a device such as an IC or LSI is divided and formed on a surface by dividing lines is divided into individual devices by a dicing apparatus and used for electronic devices such as mobile phones and personal computers. Here, the wafer is arranged on the dicing frame via an adhesive tape, and the cutting blade is positioned on a predetermined division line formed on the surface, and the wafer is divided into individual devices at a cutting depth reaching the adhesive tape.
また、分割予定ライン上に金属等の積層物が存在する場合は、積層物を取り除く第1の切削ブレードで所定の深さの切削溝を形成し、その後、第2の切削ブレードで切削溝を完全に切断してウエーハを個々のデバイスに分割する場合がある(例えば、特許文献1参照)。さらに、デバイスの仕上げ厚さに相当する深さの切削溝を形成し、その後、ウエーハの裏面を研削して切削溝をウエーハの裏面に表出させてウエーハを個々のデバイスに分割する場合もある。 Further, when there is a laminate such as metal on the planned dividing line, a cutting groove having a predetermined depth is formed by the first cutting blade for removing the laminate, and then the cutting groove is formed by the second cutting blade. In some cases, the wafer is completely cut to divide the wafer into individual devices (see, for example, Patent Document 1). Furthermore, there is a case where a cutting groove having a depth corresponding to the finished thickness of the device is formed, and then the back surface of the wafer is ground to expose the cutting groove on the back surface of the wafer to divide the wafer into individual devices. .
このように、ウエーハの表面に形成された分割予定ラインに所定の深さの切削溝を形成するには、切削溝の深さが許容値であるか否かを確認する必要がある。 As described above, in order to form a cutting groove having a predetermined depth on the division line formed on the surface of the wafer, it is necessary to confirm whether or not the depth of the cutting groove is an allowable value.
しかしながら、溝の深さを確認するには切削溝が形成されたウエーハをダイシング装置から搬出して検査装置に搬送しなければならず、切削溝の深さが許容値を逸脱していても切削段階で直ちに切削溝の深さを修正することができないという問題がある。 However, in order to check the depth of the groove, the wafer in which the cutting groove is formed must be taken out of the dicing device and transported to the inspection device, and cutting is performed even if the depth of the cutting groove deviates from the allowable value. There is a problem that the depth of the cutting groove cannot be corrected immediately at the stage.
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、切削手段によるウエーハの切削の際に切削溝の深さを許容値に維持することができる切削装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above, and an object of the present invention is to provide a cutting apparatus capable of maintaining the depth of the cutting groove at an allowable value when the wafer is cut by the cutting means.
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明にかかる切削装置は、ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハを切削する切削手段と、前記チャックテーブルと前記切削手段とを相対的にX軸方向に加工送りするX軸送り手段と、前記チャックテーブルと前記切削手段とを相対的にY軸方向に割り出し送りするY軸送り手段と、前記チャックテーブルと前記切削手段とを相対的にZ軸方向に切り込み送りするZ軸送り手段とを備える切削装置であって、前記切削手段に隣接して配設されて該切削手段による切削で前記ウエーハに形成された切削溝の深さを計測する溝深さ計測手段を備えることを特徴とする。 In order to solve the above-described problems and achieve the object, a cutting apparatus according to the present invention includes a chuck table for holding a wafer, cutting means for cutting a wafer held by the chuck table, the chuck table, and the chuck table. An X-axis feed means that relatively feeds the cutting means in the X-axis direction, a Y-axis feed means that relatively feeds the chuck table and the cutting means in the Y-axis direction, the chuck table, A cutting device comprising a Z-axis feeding means for cutting and feeding the cutting means relative to the Z-axis direction, the cutting apparatus being disposed adjacent to the cutting means and formed on the wafer by cutting with the cutting means. A groove depth measuring means for measuring the depth of the cutting groove is provided.
また、本発明にかかる切削装置は、上記発明において、前記溝深さ計測手段は、超音波発振部と、該超音波発振部から発振されウエーハで反射した反射波を受波する受波部と、前記超音波発振部と前記受波部とウエーハの表面とで形成される空間を仕切る筒部と、該筒部に水を供給して前記空間内を水で満たす水供給部と、前記受波部が受波した反射波の時間差を求めて前記切削溝の深さを算出する深さ算出部と、を備えることを特徴とする。 Further, the cutting device according to the present invention is the above invention, wherein the groove depth measuring means includes an ultrasonic oscillator, and a wave receiver that receives a reflected wave oscillated from the ultrasonic oscillator and reflected by the wafer. A cylindrical portion that partitions a space formed by the ultrasonic oscillating portion, the receiving portion, and the surface of the wafer, a water supply portion that supplies water to the cylindrical portion and fills the space with water, and the receiving portion. A depth calculation unit that calculates a time difference between reflected waves received by the wave unit and calculates a depth of the cutting groove.
また、本発明にかかる切削装置は、上記発明において、前記溝深さ計測手段によって計測された前記切削溝の深さが許容値を満たしていない場合には前記Z軸送り手段を作動させて切り込み送り量を調整する制御手段を備えることを特徴とする。 Further, the cutting device according to the present invention is the above-described invention, wherein when the depth of the cutting groove measured by the groove depth measuring means does not satisfy an allowable value, the Z-axis feeding means is operated to perform cutting. Control means for adjusting the feed amount is provided.
本発明にかかる切削装置は、切削手段による切削でウエーハに形成された切削溝の深さを溝深さ計測手段で計測するので、計測された切削溝の深さが許容値を満たしていない場合にはZ軸送り手段を作動させて切り込み送り量を調整することが可能となり、切削手段によるウエーハの切削の際に切削溝の深さを許容値に維持することができるという効果を奏する。 Since the cutting device according to the present invention measures the depth of the cutting groove formed in the wafer by the cutting by the cutting means by the groove depth measuring means, the measured cutting groove depth does not satisfy the allowable value. In this case, it is possible to adjust the cutting feed amount by operating the Z-axis feeding means, and there is an effect that the depth of the cutting groove can be maintained at an allowable value when the wafer is cut by the cutting means.
以下、本発明を実施するための最良の形態である切削装置について図面を参照して説明する。 DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A cutting apparatus that is the best mode for carrying out the present invention will be described below with reference to the drawings.
図1は、本発明の実施の形態の切削装置の一例を示す外観斜視図であり、図2は、その切削手段周りの構成を抽出して示す斜視図であり、図3は、第1の切削ブレード周りの構成を拡大して示す斜視図であり、図4は、図3の概略正面図である。本実施の形態の切削装置10は、ウエーハWを分割予定ラインに沿って切削する切削装置に適用したものであり、概略構成として、図1に示すように、チャックテーブル11、撮像手段12、切削手段20、溝深さ計測手段30および制御手段40を備える。
FIG. 1 is an external perspective view showing an example of a cutting apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a perspective view showing an extracted configuration around the cutting means, and FIG. FIG. 4 is an enlarged perspective view showing a configuration around a cutting blade, and FIG. 4 is a schematic front view of FIG. 3. A
切削手段20は、2つの切削ブレードをY軸方向に対向配置させて並行して切削動作が可能なデュアルカット方式のもので、チャックテーブル11に保持されたウエーハWの分割予定ラインに沿って、第1の切削ブレード21がハーフカットを行い、図示しない第2の切削ブレードがハーフカット済み部分のフルカットを行うものである。ここで、切削手段20のうち、第1のブレード21側は、第1の切削ブレード21が着脱自在に装着されたスピンドル22と、このスピンドル22を回転可能に支持するとともに回転駆動する図示しない駆動源を含む円筒状のハウジング23とを備える。また、図3や図4に示すように、切削手段20のうち、ハーフカット用の第1のブレード21側は、第1の切削ブレード21を両側より挟持するフランジ24と、第1の切削ブレード21の両側から洗浄・冷却用の切削水を供給する側面ノズル25と、ホイールカバー26とを備える。切削手段20のうち、フルカット用の第2のブレード側も同様に構成され、ハウジング27等を備える。
The cutting means 20 is of a dual cut type in which two cutting blades are arranged opposite to each other in the Y-axis direction and can perform a cutting operation in parallel, and along the planned dividing line of the wafer W held on the chuck table 11, The
また、第1の切削ブレード21および第2の切削ブレードは、略リング形状を有する極薄の切削砥石である。本実施の形態では、ハーフカット用の第1の切削ブレード21は、フルカット用の第2の切削ブレードよりも厚めのものが用いられている。
The
撮像手段12は、図2に示すように、ハウジング23の側部に設けられたもので、チャックテーブル11に保持されたウエーハWの表面を撮像するCCDカメラ等を搭載した顕微鏡であり、切削すべき分割予定ラインに対する第1の切削ブレード21の位置付けに供するアライメント用である。
As shown in FIG. 2, the imaging means 12 is provided on the side of the
保持テープTを介してフレームFと一体となった状態のウエーハWを保持するチャックテーブル11は、図2に示すように、駆動源13に連結されて回転可能とされている。駆動源13は、移動基台14に固定されている。ここで、切削装置10は、切削動作に必要な送り動作を行うためのX軸送り手段50、Z軸送り手段60およびY軸送り手段70を備える。図2は、第1の切削ブレード21に対する送り機構の構成例を示しているが、第2の切削ブレードに対する送り機構も対称的に同様の構成とされている。
As shown in FIG. 2, the chuck table 11 that holds the wafer W that is integrated with the frame F via the holding tape T is connected to a
X軸送り手段50は、移動基台14をX軸方向に移動させることで、チャックテーブル11を切削手段20の第1のブレード21に対して相対的にX軸方向に加工送りするためのものである。X軸送り手段50は、X軸方向に配設されたボールねじ51と、ボールねじ51の一端に連結されたパルスモータ52と、ボールねじ51と平行に配列された一対のガイドレール53とから構成され、ボールねじ51には、移動基台14の下部に設けられた図示しないナットが螺合している。ボールねじ51は、パルスモータ52に駆動されて回転し、それに伴って移動基台14がガイドレール53にガイドされてX軸方向に移動する構成となっている。
The X-axis feeding means 50 is for processing and feeding the chuck table 11 relative to the
Z軸送り手段60は、第1のブレード21のハウジング23を支持する支持部15を壁部16に対して相対的にZ軸方向に移動させることで、切削手段20の第1のブレード21を昇降させてウエーハWに対する切り込み量を制御するためのものである。Z軸送り手段60は、壁部16の一方の面においてZ軸方向に配設されたボールねじ61と、このボールねじ61を回動させるパルスモータ62と、ボールねじ61と平行に配列された一対のガイドレール63とを有し、支持部15の内部の図示しないナットがボールねじ61に螺合している。支持部15は、パルスモータ62によって駆動されてボールねじ61が回動するのに伴ってガイドレール63にガイドされてZ軸方向に昇降し、支持部15に支持された第1の切削ブレード21もZ軸方向に昇降する構成となっている。
The Z-axis feed means 60 moves the
Y軸送り手段70は、第1のブレード21のハウジング23を、支持部15を介して支持する壁部16をY軸方向に移動させることで、切削手段20の第1のブレード21をチャックテーブル11に対して相対的にY軸方向に割り出し送りするためのものである。Y軸送り手段70は、Y軸方向に配設されたボールねじ71と、ボールねじ71の一端に連結されたパルスモータ72と、ボールねじ71と平行に配列された一対のガイドレール73とから構成され、ボールねじ71には、壁部16と一体に形成された移動基台17の内部に設けられた図示しないナットが螺合している。ボールねじ71は、パルスモータ72に駆動されて回転し、それに伴って移動基台17がガイドレール73にガイドされてY軸方向に移動する構成となっている。
The Y-axis feeding means 70 moves the
ここで、本実施の形態の切削装置10によるウエーハWのステップカット動作について説明する。本実施の形態の切削装置10においては、第1の切削ブレード21を用いて分割予定ラインに沿ってウエーハWの表面から所定の切り込み量で切削溝を形成するハーフカット動作に並行して、既にハーフカットされた切削溝部分を第2の切削ブレードを用いてフルカットすることで、ウエーハWをデバイスD毎に分割するものである。
Here, the step cut operation of the wafer W by the
まず、高速回転させた第1の切削ブレード21をZ軸送り手段60による切り込み送りでチャックテーブル11上のウエーハWに所定の切り込み深さで切り込ませながら、切削手段20の第1の切削ブレード21に対してチャックテーブル11をX軸送り手段50でX軸方向に相対的に加工送りすることで、図3に示すように、ウエーハW上の分割予定ラインを切削加工してハーフカットされた切削溝Kを形成する。同一方向の次の分割予定ラインの切削加工は、チャックテーブル11に対して第1の切削ブレード21をY軸送り手段70でY軸方向に分割予定ライン幅分だけ相対的に割り出し送りすることで、同様に繰り返す。そして、同一方向の全ての分割予定ラインについてハーフカットされた切削溝Kを形成した後、チャックテーブル11の回転によりウエーハWを90°回転させ、新たにX軸方向に配された全ての分割予定ラインについて第1の切削ブレード21で同様の切削加工を繰り返すことにより、ハーフカットされた切削溝Kを形成する。
First, the
このような第1の切削ブレード21による分割予定ラインに沿ったハーフカット動作に並行して、高速回転させた第2の切削ブレードをZ軸送り手段による切り込み送りでチャックテーブル11上のウエーハWに所定の切り込み深さで切り込ませながら、第2の切削ブレードに対してチャックテーブル11をX軸送り手段でX軸方向に相対的に加工送りすることで、ウエーハW上のハーフカットされた切削溝Kを切削加工してフルカットする。同一方向の次のハーフカットされた切削溝Kのフルカットは、チャックテーブル11に対して第2の切削ブレードをY軸送り手段でY軸方向に分割予定ライン幅分だけ相対的に割り出し送りすることで、同様に繰り返す。そして、同一方向の全てのハーフカットされた切削溝Kについてフルカットした後、チャックテーブル11の回転によりウエーハWを90°回転させ、新たにX軸方向に配されてハーフカット済みの切削溝Kについて第2の切削ブレードで同様のフルカット加工を繰り返すことにより、個々のデバイスDに分割される。
In parallel with such a half-cut operation along the line to be divided by the
つぎに、溝深さ計測手段30および制御手段40について説明する。溝深さ計測手段30は、切削手段20の第1の切削ブレード21によるハーフカットでウエーハWに形成された切削溝Kの深さhを切削直後に計測するためのものである。この溝深さ計測手段30は、図5に示すように、超音波を利用して切削溝Kの深さhを非接触で計測するもので、パルス電圧を印加することで超音波を発振する超音波発振部31と、この超音波発振部31から発振されウエーハWで反射した反射波を受波する受波部32と、超音波発振部31と受波部32とウエーハWの表面とで形成される空間33を仕切る筒部34と、この筒部34に水35を図示しない供給源から供給して空間33内を水35で満たす水供給部36と、受波部32が受波した反射波の時間差tを求めて切削溝Kの深さhを算出する深さ算出部37と、を備える。ここで、超音波発振部31と受波部32は、ウエーハWの表面に対して斜めに対向配置されている。また、超音波発振部31や受波部32を内蔵した筒部34部分は、第1の切削ブレード21による切削直後の切削溝K(分割予定ライン)上となる位置に隣接させて、ウエーハWの表面に対して非接触状態で近接配設されてホイールカバー26部分に固定されている。これにより、溝深さ計測手段30の深さ算出部37を除く検出部は、ホイールカバー26と一体で移動するものであり、第1の切削ブレード21との位置関係が固定されている。
Next, the groove depth measuring means 30 and the control means 40 will be described. The groove depth measuring means 30 is for measuring the depth h of the cutting groove K formed in the wafer W by half cutting by the
ここで、深さ算出部37は、図5に示すように、超音波発振部31から発振される超音波のウエーハWに対する入射角およびウエーハWで反射する反射波の反射角をαとし、水35中を伝わる音速をvとし、ウエーハWの表面で反射した第1の反射波を受波部32が受波した時点から切削溝Kの溝底で反射した第2の反射波を受波部32が受波した時点までの時間差をtとした場合、切削溝Kの深さhは、
h=cosα・v・t/2
により算出する。なお、ウエーハWの裏面(底面)で反射される第3の反射波も生じ得るが、時間的に優先して発生する第1,第2の反射波のみに注目して時間差tを求めることで、第3の反射波は無視すればよい。
Here, as shown in FIG. 5, the
h = cosα · v · t / 2
Calculated by Note that a third reflected wave reflected on the back surface (bottom surface) of the wafer W may also be generated, but the time difference t is obtained by paying attention to only the first and second reflected waves generated with priority in time. The third reflected wave can be ignored.
このような切削溝Kの深さhの計測に際して、超音波発振部31と受波部32とウエーハWの表面とで形成される空間33内には、常に水35が満たされており、超音波が空気中を伝搬することはない。超音波は、空気中よりも水中の方が、減衰が少なく伝搬性がよいため、計測をより正確に行うことができる。特に、水35として、純水を用いれば、より伝搬性がよくなる。また、切削水を使用しながらの第1の切削ブレード21による切削直後の位置で切削溝Kの深さhを計測するものであるが、計測対象となる空間33内を水供給部36から供給する水35で満たしているので、第1の切削ブレード21付近に用いる切削水の悪影響を受けることなく、切削溝Kの深さhを安定して計測することができる。
When measuring the depth h of the cutting groove K, the
制御手段40は、溝深さ計測手段30によって計測された切削溝Kの深さhの計測結果に基づきZ軸送り手段60のパルスモータ62をフィードバック制御するためのものである。この制御手段40は、溝深さ計測手段30によって計測された深さhが予め設定された所定の許容値の範囲内にあるか否かを常時監視し、深さhが許容値の範囲内にあれば現状維持のままとするが、深さhが許容値の範囲内を満たしてない場合にはZ軸送り手段60のパルスモータ62を作動させて深さhが許容値の範囲内に収まるようにウエーハWに対する第1の切削ブレード21の切り込み量を調整する。
The control means 40 is for feedback control of the
このように、本実施の形態によれば、切削手段20の第1の切削ブレード21による切削(ハーフカット)でウエーハWに形成された切削直後の切削溝Kの深さhを常に溝深さ計測手段30で計測し、計測された切削溝Kの深さhが許容値を満たしていない場合には制御手段40によってZ軸送り手段60のパルスモータ62を作動させて切削溝Kの深さhが許容値の範囲内に収まるように第1の切削ブレード21の切り込み送り量を調整するので、第1の切削ブレード21によるウエーハWのハーフカットの際に形成される切削溝Kの深さhを許容値の範囲内に維持することができる。よって、ハーフカットにより形成される切削溝Kの深さhを許容値内に維持することができ、第2の切削ブレードによるウエーハWのフルカットを確実に行わせることができる。
Thus, according to the present embodiment, the depth h of the cutting groove K immediately after cutting formed on the wafer W by the cutting (half cutting) by the
本発明は、上述した実施の形態に限らず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲であれば、種々の変形が可能である。例えば、本実施の形態では、ハーフカット用の第1の切削ブレード21とフルカット用の第2の切削ブレードとをY軸方向に対向配置させたデュアルカット方式でステップカットを行う例で説明したが、ハーフカット用の第1の切削ブレードと、フルカット用の第2の切削ブレードとをX軸方向に前後させて備える2軸構造とし、同一ライン上でハーフカットに引き続きフルカットを連続的に行う方式の切削装置であっても同様に適用することができる。この場合、溝深さ計測手段は、第1,第2の切削ブレード間の分割予定ライン上に配設させればよい。
The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention. For example, in the present embodiment, the example in which the step cut is performed by the dual cut method in which the
また、本実施の形態では、溝深さ計測手段30を、第1の切削ブレード21の切削直後の位置に隣接して配設したが、第1の切削ブレード21でハーフカットされた切削溝Kの深さが計測可能であれば、第1の切削ブレード21の前側に隣接する位置に配設させてもよい。
In the present embodiment, the groove depth measuring means 30 is disposed adjacent to the position immediately after the cutting of the
また、本実施の形態では、超音波を利用した溝深さ計測手段30の例で説明したが、光、特にレーザ光等を利用して切削溝の深さを非接触で計測するものであってもよい。 In the present embodiment, the groove depth measuring means 30 using ultrasonic waves has been described as an example. However, the depth of the cutting groove is measured in a non-contact manner using light, particularly laser light. May be.
また、本実施の形態では、ウエーハWをハーフカットする際に形成される切削溝を対象としたが、ハーフカットの場合に限らず、例えば、デバイスの仕上げ厚さに相当する深さの切削溝を形成し、その後、ウエーハの裏面を研削して切削溝をウエーハの裏面に表出させてウエーハを個々のデバイスに分割する場合の切削溝を対象とする場合にも同様に適用することができる。 In the present embodiment, the cutting groove formed when half-cutting the wafer W is targeted. However, the cutting groove is not limited to the half-cutting, but has a depth corresponding to the finished thickness of the device, for example. Can be similarly applied to a case where the wafer is divided into individual devices by grinding the back surface of the wafer to expose the cutting groove to the back surface of the wafer and dividing the wafer into individual devices. .
11 チャックテーブル
20 切削手段
21 第1の切削ブレード
30 溝深さ計測手段
31 超音波発振部
32 受波部
33 空間
34 筒部
35 水
36 水供給部
40 制御手段
50 X軸送り手段
60 Z軸送り手段
70 Y軸送り手段
DESCRIPTION OF
Claims (3)
前記切削手段に隣接して配設されて該切削手段による切削で前記ウエーハに形成された切削溝の深さを計測する溝深さ計測手段を備えることを特徴とする切削装置。 A chuck table for holding a wafer, a cutting means for cutting a wafer held on the chuck table, an X-axis feed means for processing and feeding the chuck table and the cutting means relatively in the X-axis direction, and the chuck Cutting provided with Y-axis feeding means for indexing and feeding the table and the cutting means in the Y-axis direction, and Z-axis feeding means for relatively cutting and feeding the chuck table and the cutting means in the Z-axis direction A device,
A cutting apparatus, comprising: a groove depth measuring unit that is disposed adjacent to the cutting unit and measures a depth of a cutting groove formed in the wafer by cutting by the cutting unit.
超音波発振部と、
該超音波発振部から発振されウエーハで反射した反射波を受波する受波部と、
前記超音波発振部と前記受波部とウエーハの表面とで形成される空間を仕切る筒部と、
該筒部に水を供給して前記空間内を水で満たす水供給部と、
前記受波部が受波した反射波の時間差を求めて前記切削溝の深さを算出する深さ算出部と、
を備えることを特徴とする請求項1に記載の切削装置。 The groove depth measuring means includes:
An ultrasonic oscillator,
A wave receiving unit that receives a reflected wave oscillated from the ultrasonic wave oscillation unit and reflected by a wafer;
A cylindrical part that partitions a space formed by the ultrasonic wave oscillating part, the wave receiving part, and the surface of the wafer;
A water supply part for supplying water to the cylindrical part and filling the space with water;
A depth calculation unit for calculating a time difference between reflected waves received by the wave receiving unit and calculating a depth of the cutting groove;
The cutting apparatus according to claim 1, comprising:
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007158469A JP2008307646A (en) | 2007-06-15 | 2007-06-15 | Cutting apparatus |
CN2008101088546A CN101325178B (en) | 2007-06-15 | 2008-05-29 | Cutting device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007158469A JP2008307646A (en) | 2007-06-15 | 2007-06-15 | Cutting apparatus |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008307646A true JP2008307646A (en) | 2008-12-25 |
Family
ID=40188628
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007158469A Pending JP2008307646A (en) | 2007-06-15 | 2007-06-15 | Cutting apparatus |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008307646A (en) |
CN (1) | CN101325178B (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012024904A (en) * | 2010-07-27 | 2012-02-09 | Jtekt Corp | Grinding method and grinding machine |
KR20150118024A (en) | 2014-04-11 | 2015-10-21 | 가부시기가이샤 디스코 | Machining method of laminated substrate |
CN107097136A (en) * | 2016-02-22 | 2017-08-29 | Tdk株式会社 | Topping machanism and cutting process |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6783614B2 (en) * | 2016-10-11 | 2020-11-11 | 株式会社ディスコ | Wiring board manufacturing method |
JP6866217B2 (en) * | 2017-04-21 | 2021-04-28 | 株式会社ディスコ | Cutting equipment |
CN108857442A (en) * | 2018-08-06 | 2018-11-23 | 湖南省池海浮标钓具有限公司 | A kind of buoy numerical control molding sander |
CN110509263B (en) * | 2019-09-11 | 2024-08-06 | 东莞市茂基机械设备科技有限公司 | Paper clamping sliding device |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06252260A (en) * | 1993-02-23 | 1994-09-09 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Depth measuring method of dicing trench and equipment |
JP2003168655A (en) * | 2001-12-03 | 2003-06-13 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Dicing apparatus |
JP2004241626A (en) * | 2003-02-06 | 2004-08-26 | Kulicke & Soffa Ltd | Dicing apparatus and dicing method |
JP2006038744A (en) * | 2004-07-29 | 2006-02-09 | Disco Abrasive Syst Ltd | Thickness measuring instrument and grinding device |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4387007B2 (en) * | 1999-10-26 | 2009-12-16 | 株式会社ディスコ | Method for dividing semiconductor wafer |
-
2007
- 2007-06-15 JP JP2007158469A patent/JP2008307646A/en active Pending
-
2008
- 2008-05-29 CN CN2008101088546A patent/CN101325178B/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06252260A (en) * | 1993-02-23 | 1994-09-09 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Depth measuring method of dicing trench and equipment |
JP2003168655A (en) * | 2001-12-03 | 2003-06-13 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Dicing apparatus |
JP2004241626A (en) * | 2003-02-06 | 2004-08-26 | Kulicke & Soffa Ltd | Dicing apparatus and dicing method |
JP2006038744A (en) * | 2004-07-29 | 2006-02-09 | Disco Abrasive Syst Ltd | Thickness measuring instrument and grinding device |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012024904A (en) * | 2010-07-27 | 2012-02-09 | Jtekt Corp | Grinding method and grinding machine |
KR20150118024A (en) | 2014-04-11 | 2015-10-21 | 가부시기가이샤 디스코 | Machining method of laminated substrate |
CN107097136A (en) * | 2016-02-22 | 2017-08-29 | Tdk株式会社 | Topping machanism and cutting process |
CN107097136B (en) * | 2016-02-22 | 2020-07-17 | Tdk株式会社 | Cutting device and cutting method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101325178A (en) | 2008-12-17 |
CN101325178B (en) | 2011-04-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2008307646A (en) | Cutting apparatus | |
CN107030905B (en) | Wafer generation method | |
JP6444249B2 (en) | Wafer generation method | |
US10076805B2 (en) | Laser processing apparatus | |
KR102331680B1 (en) | Cutting method and cutting apparatus | |
JP6388545B2 (en) | Workpiece grinding method | |
US10940560B2 (en) | Laser processing apparatus | |
CN102528952B (en) | Topping machanism | |
US11224941B2 (en) | Laser processing apparatus | |
JP6137798B2 (en) | Laser processing apparatus and protective film coating method | |
JP5122854B2 (en) | Device grinding method | |
JP2007111803A (en) | Ultrasonic vibration cutting device | |
JP2009018368A (en) | Processing device | |
TWI768138B (en) | Laser processing equipment | |
JP2010214428A (en) | Optical system and laser beam machining apparatus | |
CN101740346A (en) | Semiconductor wafer processing device | |
JP2013129024A (en) | Method for dividing workpiece | |
JP2010173002A (en) | Cutting device | |
JP6178568B2 (en) | Combined processing method and combined processing apparatus | |
JP2013089713A (en) | Method for grinding wafer | |
JP6824577B2 (en) | Wafer processing method | |
JP2015157312A (en) | Laser processing method and laser processing apparatus of composite material | |
JP2012110942A (en) | Machining method | |
JP6625852B2 (en) | Laser processing equipment | |
JP6173168B2 (en) | Laser processing equipment |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100513 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120517 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20120605 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20121016 |