JP2008305959A - Repairing method of radiation image detector, image processing method, radiation image detector, and image processor - Google Patents
Repairing method of radiation image detector, image processing method, radiation image detector, and image processor Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008305959A JP2008305959A JP2007151562A JP2007151562A JP2008305959A JP 2008305959 A JP2008305959 A JP 2008305959A JP 2007151562 A JP2007151562 A JP 2007151562A JP 2007151562 A JP2007151562 A JP 2007151562A JP 2008305959 A JP2008305959 A JP 2008305959A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- image
- wiring
- charge
- detector
- image detector
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims abstract description 85
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 35
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 9
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims abstract description 55
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims abstract description 16
- 230000008439 repair process Effects 0.000 claims description 9
- 230000007774 longterm Effects 0.000 abstract 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 abstract 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 28
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 27
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 22
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 21
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 19
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 17
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 15
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 description 13
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 12
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 6
- 229910017000 As2Se3 Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- -1 for example Substances 0.000 description 5
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 4
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 4
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229910018110 Se—Te Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 235000010384 tocopherol Nutrition 0.000 description 2
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 235000019731 tricalcium phosphate Nutrition 0.000 description 2
- ZXYHFBOHVNFGHI-UHFFFAOYSA-N 1,2,3,4,5,6-hexapentoxytriphenylene Chemical group CCCCCOC1=C(OCCCCC)C(OCCCCC)=C2C3=C(OCCCCC)C(OCCCCC)=CC=C3C3=CC=CC=C3C2=C1OCCCCC ZXYHFBOHVNFGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLYPIBBGWLKELC-RMKNXTFCSA-N 2-[2-[(e)-2-[4-(dimethylamino)phenyl]ethenyl]-6-methylpyran-4-ylidene]propanedinitrile Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1\C=C\C1=CC(=C(C#N)C#N)C=C(C)O1 YLYPIBBGWLKELC-RMKNXTFCSA-N 0.000 description 1
- DNTVTBIKSZRANH-UHFFFAOYSA-N 4-(4-aminophenyl)-3-(3-methylphenyl)aniline Chemical compound CC1=CC=CC(C=2C(=CC=C(N)C=2)C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 DNTVTBIKSZRANH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004985 Discotic Liquid Crystal Substance Substances 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- SLGBZMMZGDRARJ-UHFFFAOYSA-N Triphenylene Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C3C2=C1 SLGBZMMZGDRARJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000113 methacrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229910052958 orpiment Inorganic materials 0.000 description 1
- YRZZLAGRKZIJJI-UHFFFAOYSA-N oxyvanadium phthalocyanine Chemical compound [V+2]=O.C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 YRZZLAGRKZIJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 238000002601 radiography Methods 0.000 description 1
- 230000008707 rearrangement Effects 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 229910052959 stibnite Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004763 sulfides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000005580 triphenylene group Chemical group 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Apparatus For Radiation Diagnosis (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
Description
本発明は、記録光の照射を受けることにより電荷が発生する光導電層と、光導電層に電圧を印加するための複数の配線とを備えてなる放射線画像検出器において、画像上の欠陥が生じた場合の補修方法、補修を行なった放射線画像検出器から出力された画像信号に対する画像処理方法、画像上の欠陥が生じた場合に補修を行なった放射線画像検出器および補修を行なった放射線画像検出器から出力された画像信号に対する画像処理装置に関するものである。 The present invention relates to a radiation image detector comprising a photoconductive layer that generates an electric charge when irradiated with recording light, and a plurality of wirings for applying a voltage to the photoconductive layer. Repair method when it occurs, image processing method for the image signal output from the repaired radiation image detector, radiation image detector that repairs when a defect occurs on the image, and repaired radiation image The present invention relates to an image processing apparatus for an image signal output from a detector.
今日、医療診断等を目的とする放射線撮影において、放射線を検出して得た電荷を放射線画像情報を表す電気信号に変換して出力する放射線画像検出器(以下単に検出器ともいう)を使用する放射線画像情報記録読取装置が各種提案されている。この装置において使用される放射線画像検出器としては、種々のタイプのものが提案されているが、電荷を外部に読み出す電荷読出プロセスの面から、TFT(薄膜トランジスタ)方式のものと検出器に読取光(読取用の電磁波)を照射して読み出す光読出方式のものがある。 Today, in radiography for medical diagnosis and the like, a radiographic image detector (hereinafter also simply referred to as a detector) is used that converts a charge obtained by detecting radiation into an electrical signal representing radiographic image information and outputs it. Various radiation image information recording / reading apparatuses have been proposed. Various types of radiation image detectors have been proposed for use in this apparatus. From the viewpoint of a charge reading process for reading out charges to the outside, a TFT (thin film transistor) type and a detector for reading light are used. There is an optical readout type that reads by reading (electromagnetic wave for reading).
本出願人は、読出しの高速応答性と効率的な信号電荷の取り出しの両立を図ることができる光読出方式の放射線画像検出器として、特許文献1、特許文献2、特許文献3において、記録用の放射線あるいは該放射線の励起により発せられる光(以下記録光という)に対して透過性を有する第1の導電層、記録光を受けることにより導電性を呈する記録用光導電層、第1の導電層に帯電される電荷と同極性の電荷に対しては略絶縁体として作用し、かつ、該同極性の電荷と逆極性の電荷に対しては略導電体として作用する電荷蓄積層、読取光の照射を受けることにより導電性を呈する読取用光導電層、読取光に対して透過性を有する信号出力用線状配線を含む第2の導電層を、この順に積層して成り、画像情報を担持する潜像電荷(静電潜像)を電荷蓄積層に蓄積する検出器を提案している。
The present applicant has disclosed, in
そして、上記特許文献2および特許文献3においては、特に、第2の導電層の配線を多数の読取光に対して透過性を有する信号出力用線状配線からなるストライプ配線とすると共に、電荷蓄積層に蓄積された潜像電荷の量に応じたレベルの電気信号を出力させるための多数の補助線状配線を、前記信号出力用線状配線と交互にかつ互いに平行となるように設けた検出器を提案している。
In
このように、多数の補助線状配線からなるサブストライプ配線を併設して第2の導電層とすることにより、電荷蓄積層とサブストライプ配線との間に新たなコンデンサが形成され、記録光によって電荷蓄積層に蓄積された潜像電荷と逆極性の輸送電荷を、読取りの際の電荷再配列によってこのサブストライプ配線にも帯電させることが可能となる。これにより、読取用光導電層を介してストライプ配線と電荷蓄積層との間で形成されるコンデンサに配分される前記輸送電荷の量を、このサブストライプ配線を設けない場合よりも相対的に少なくすることができ、結果として検出器から外部に取り出し得る信号電荷の量を多くして読取効率を向上させると共に、読出しの高速応答性と効率的な信号電荷の取り出しの両立をも図ることができるようになっている。
上記放射線画像検出器の光導電層の成膜は、別の工程で形成された電荷収集電極を有する基板上に,真空中で光導電層の材料を加熱蒸発させた真空蒸着等により行なわれる。この基板の製造工程、基板の搬送、蒸着のための蒸着装置への基板セットなどの各工程で、ゴミが基板表面に付着する機会が生じる。このゴミを付着させたまま蒸着を行うと、これが原因で画像上の欠陥が生じて問題になる。特に光導電層をアモルファスセレン(a−Se)を主成分とするものにした場合の光導電層の成膜時においては、紛れ込んだゴミや突沸等に起因して結晶型セレンが生じることがある。放射線画像検出器では記録時等に光導電層に対して電界を印加するが、画像上の欠陥の生じた放射線画像検出器に電界を印加すると、結晶化部とアモルファス部で導電性が異なり、またゴミとセレンで誘電率が異なること等から結晶化部近傍への電界集中が起こる。この結晶型セレンを起点として発生する突発的な電荷注入により、放射線画像検出器中に電荷が過剰に蓄積もしくは過剰に流れることが原因となり画像上の欠陥は拡大する傾向がある。 The photoconductive layer of the radiation image detector is formed on a substrate having a charge collecting electrode formed in a separate process by vacuum evaporation or the like in which the photoconductive layer material is heated and evaporated in a vacuum. There is an opportunity for dust to adhere to the substrate surface in each process such as the manufacturing process of the substrate, the transport of the substrate, and the setting of the substrate to a vapor deposition apparatus for vapor deposition. If vapor deposition is performed with this dust attached, this causes a problem on the image and causes a problem. In particular, when the photoconductive layer is made of amorphous selenium (a-Se) as a main component, crystalline selenium may be generated due to dust, bumping, etc. . In the radiographic image detector, an electric field is applied to the photoconductive layer at the time of recording or the like. However, when an electric field is applied to the radiographic image detector in which defects on the image are generated, the conductivity differs between the crystallized part and the amorphous part. In addition, the electric field concentration near the crystallized portion occurs due to the difference in dielectric constant between dust and selenium. Due to the sudden charge injection generated from the crystalline selenium, defects on the image tend to expand due to excessive accumulation or excessive flow of charges in the radiation image detector.
さらに、この電界集中はその領域に対して電流を集中させるために発熱を引き起こし、周囲のa−Seに対して結晶化を引き起こさせるため、放射線画像検出器の使用に伴い光導電層に電界形成が繰り返されることで結晶化部を拡大させて、次第に欠陥範囲が拡大することが見出されている。 Furthermore, this electric field concentration causes heat generation to concentrate the current in the region, and causes crystallization of the surrounding a-Se, so that an electric field is formed in the photoconductive layer with the use of the radiation image detector. It has been found that the defect range is gradually expanded by expanding the crystallization part by repeating the above.
すなわち、初期にはゴミや突沸等を起点として発生した結晶型のセレンが、放射線画像の記録および読取りを繰り返し行うことにより次第に大きくなり、この拡大にともない画像上の欠陥も拡大していくことが問題となっている。 In other words, the crystalline selenium generated from the beginning of dust, bumps, etc., gradually becomes larger by repeatedly recording and reading the radiation image, and this enlargement also enlarges the defects on the image. It is a problem.
本発明は、上記の事情に鑑み、記録光の照射を受けることにより電荷が発生する光導電層と、光導電層に電圧を印加するための複数の配線とを備えてなる放射線画像検出器において、画像上の欠陥が生じた場合に上記のような結晶型のセレンの拡大にともなう画像上の欠陥の拡大を抑制することが可能な放射線画像検出器の補修方法、補修を行なった放射線画像検出器から出力された画像信号に対する画像処理方法、画像上の欠陥が生じた場合に補修を行なった放射線画像検出器および補修を行なった放射線画像検出器から出力された画像信号に対する画像処理装置を提供することを目的とする。 In view of the above circumstances, the present invention provides a radiographic image detector comprising a photoconductive layer that generates charges when irradiated with recording light, and a plurality of wirings for applying a voltage to the photoconductive layer. The repair method of the radiological image detector capable of suppressing the expansion of the defect on the image due to the expansion of the crystal type selenium as described above when the defect on the image occurs, and the radiological image detection performed by the repair An image processing method for an image signal output from a detector, a radiation image detector that has been repaired when an image defect occurs, and an image processing device for an image signal output from the repaired radiation image detector The purpose is to do.
本発明による放射線画像検出器の補修方法は、記録光の照射を受けることにより電荷が発生する光導電層と、光導電層に電圧を印加するための複数の配線とを備え、配線には光導電層と重ならない領域において外部接続端子との所定の接続位置まで延びた取出部が形成されるとともに、配線の配列に基づいて複数の画素データが送出される放射線画像検出器に対して、予め検出された画像上の欠陥に対応する配線を、取出部において切断することを特徴とする方法である。 A repair method for a radiological image detector according to the present invention includes a photoconductive layer that generates charges when irradiated with recording light, and a plurality of wirings for applying a voltage to the photoconductive layer. An extraction portion that extends to a predetermined connection position with an external connection terminal is formed in a region that does not overlap with the conductive layer, and a radiation image detector that sends out a plurality of pixel data based on the arrangement of wirings in advance. In the method, the wiring corresponding to the detected defect on the image is cut at the extraction portion.
また、本発明による画像処理方法は、上記の補修方法により補修された放射線画像検出器から出力された信号に基づいて画像信号を生成する画像処理方法であって、切断された配線に対応した画素データに対して補正処理を行うことを特徴とする方法である。 An image processing method according to the present invention is an image processing method for generating an image signal based on a signal output from a radiation image detector repaired by the repair method described above, and a pixel corresponding to a cut wiring In this method, correction processing is performed on data.
また、本発明による放射線画像検出器は、記録光の照射を受けることにより電荷が発生する光導電層と、光導電層に電圧を印加するための複数の配線とを備え、配線には光導電層と重ならない領域において外部接続端子との所定の接続位置まで延びた取出部が形成されるとともに、配線の配列に基づいて複数の画素データが送出される放射線画像検出器であって、予め検出された画像上の欠陥に対応する配線が、取出部において切断されたものであることを特徴とするものである。 The radiation image detector according to the present invention includes a photoconductive layer that generates an electric charge when irradiated with recording light, and a plurality of wirings for applying a voltage to the photoconductive layer. A radiation image detector in which an extraction portion extending to a predetermined connection position with an external connection terminal is formed in a region that does not overlap with a layer, and a plurality of pixel data is sent out based on an arrangement of wirings, and is detected in advance The wiring corresponding to the defect on the printed image is cut at the extraction portion.
さらに、本発明による画像処理装置は、上記の放射線画像検出器から出力された信号に基づいて画像信号を生成する画像処理装置であって、切断された配線に対応した画素データに対して補正処理を行うものであることを特徴とするものである。 Furthermore, an image processing apparatus according to the present invention is an image processing apparatus that generates an image signal based on a signal output from the radiation image detector, and performs a correction process on pixel data corresponding to the cut wiring. It is a thing characterized by performing.
通常、放射線画像検出器では二次元状の画像を構成するように画素データが送出されるが、本願発明は、例えば一次元状の画像を構成するように画素データが送出されるもの等、複数の画素データが送出されるものであればどのようなものにも適用できる。 Usually, in the radiation image detector, pixel data is transmitted so as to form a two-dimensional image. However, in the present invention, for example, a plurality of pixel data are transmitted so as to form a one-dimensional image. Any pixel can be applied as long as the pixel data is transmitted.
ここで、画像上の欠陥を検出する方法は、特に限定されるものではなく、例えば均一露光に対して画像検出を行い、これにより得られた画像中において輝度が局所的に他の部分と異なる点を画像上の欠陥とみなす方法等、どのような方法を用いてもよい。 Here, the method for detecting defects on the image is not particularly limited. For example, the image detection is performed for uniform exposure, and the brightness is locally different from other portions in the image obtained by this. Any method may be used such as a method of regarding a point as a defect on an image.
また、補正処理とは、切断された配線に対応した画素(二次元検出器の場合は画素列)が、他の正常な画素と比べて目立たないようにする処理、もしくは切断された配線に対応した画素(画素列)を除いて画像を形成する処理を意味する。 In addition, correction processing corresponds to processing that prevents pixels corresponding to the cut wiring (pixel array in the case of a two-dimensional detector) from being noticeable compared to other normal pixels, or corresponds to the cut wiring It means a process of forming an image by removing the pixels (pixel columns).
なお、異常画素(画素列)を目立たなくする処理も、特に限定されるものではなく、一次元画素の放射線画像検出器では例えば異常画素に隣接する2つの画素の平均値を取る等、二次元画素の放射線画像検出器では例えば異常画素列中の各画素について異常画素列が延びる方向と直交する方向に隣接する2つの画素の平均値を取る等、どのような方法を用いてもよい。 In addition, the process of making the abnormal pixels (pixel rows) inconspicuous is not particularly limited, and in a one-dimensional pixel radiographic image detector, for example, an average value of two pixels adjacent to the abnormal pixels is taken. In the radiation image detector for pixels, for example, any method may be used such as taking an average value of two pixels adjacent to each other in the abnormal pixel column in a direction orthogonal to the direction in which the abnormal pixel column extends.
上記において「画像検出器」とは、被写体の画像情報を担持する記録光、例えば放射線を検出して被写体に関する放射線画像を表す画像信号を出力する検出器であって、入射した放射線を直接または一旦光に変換した後に電荷に変換し、この電荷を外部に出力させることにより、被写体に関する放射線画像を表す画像信号を得ることができるものである。 In the above, the “image detector” is a detector that detects recording light carrying image information of a subject, for example, radiation, and outputs an image signal representing a radiation image related to the subject, and directly or once receives incident radiation. An image signal representing a radiographic image related to a subject can be obtained by converting the light into light and then converting it into electric charge and outputting the electric charge to the outside.
この画像検出器には種々の方式のものがあり、例えば、放射線を電荷に変換する電荷生成プロセスの面からは、放射線が照射されることにより蛍光体から発せられた蛍光を光電変換素子で検出して得た信号電荷を画像信号(電気信号)に変換して出力する光変換方式の放射線画像検出器、あるいは、放射線が照射されることにより放射線導電体内で発生した信号電荷を電気信号に変換して出力する直接変換方式の放射線画像検出器等、あるいは、電荷を外部に読み出す電荷読出プロセスの面からは、蓄電部と接続されたTFT(薄膜トランジスタ)を走査駆動して読み出すTFT読出方式のものや、読取光(読取用の電磁波)を検出器に照射して読み出す光読出方式のもの等、さらには、前記直接変換方式と光読出方式を組み合わせた本願出願人による上記特許文献1や上記特許文献2において提案している改良型直接変換方式のもの等がある。
There are various types of image detectors. For example, from the aspect of the charge generation process that converts radiation into electric charge, the fluorescence emitted from the phosphor when irradiated with radiation is detected by the photoelectric conversion element. The photo-conversion radiation image detector that converts the signal charge obtained in this way into an image signal (electrical signal) and outputs it, or the signal charge generated in the radiation conductor when irradiated with radiation is converted into an electrical signal. From the aspect of the charge conversion process that reads out the external charge radiation image detector or the like, or the charge readout process that reads out the charge to the outside, the TFT readout system that scans and reads out the TFT (thin film transistor) connected to the power storage unit Or a light reading method in which reading light (electromagnetic wave for reading) is irradiated to the detector to read out, or a combination of the direct conversion method and the light reading method. Some like the improved direct conversion type which is proposed in the
本発明の放射線画像検出器の補修方法および放射線画像検出器によれば、記録光の照射を受けることにより電荷が発生する光導電層と、光導電層に電圧を印加するための複数の配線とを備え、配線の配列に基づいて複数の画素データが送出される放射線画像検出器において、配線には光導電層と重ならない領域において外部接続端子との所定の接続位置まで延びた取出部を形成しておくとともに、予め検出された画像上の欠陥に対応する配線を、取出部において切断することにより、放射線画像検出器の使用に伴い光導電層に電界形成が繰り返された場合でも、光導電層の画像上の欠陥に対応する部分(例えば光導電層にアモルファスセレンを用いた場合では結晶化セレン部)には電界が形成されなくなるため、欠陥部の拡大を防止することができる。 According to the radiological image detector repair method and the radiographic image detector of the present invention, a photoconductive layer that generates charges when irradiated with recording light, and a plurality of wirings for applying a voltage to the photoconductive layer In the radiation image detector that sends out a plurality of pixel data based on the arrangement of the wiring, the wiring forms an extraction portion that extends to a predetermined connection position with the external connection terminal in a region that does not overlap the photoconductive layer In addition, by cutting the wiring corresponding to the defect on the image detected in advance at the extraction part, even if the electric field formation is repeated in the photoconductive layer with the use of the radiation image detector, the photoconductive Since the electric field is not formed in the portion of the layer corresponding to the defect on the image (for example, in the case where amorphous selenium is used for the photoconductive layer), the enlargement of the defect portion is prevented. It can be.
また、本発明の画像処理方法および画像処理装置によれば、切断された配線に対応した画素データに対して補正処理を行うことにより、画像上の欠陥を有する放射線画像検出器から出力された画像信号であっても画質を向上させることができる。 In addition, according to the image processing method and the image processing apparatus of the present invention, the image output from the radiation image detector having a defect on the image is obtained by performing correction processing on the pixel data corresponding to the cut wiring. Even with a signal, the image quality can be improved.
上記のように、画像上の欠陥に対応する配線を切断することにより、この配線に対応した1ラインは画像上の欠陥となるが、欠陥がある放射線画像検出器を使用し続けて欠陥が二次元状に広範囲に拡大した場合と比べた場合には、1ラインの欠陥の方が欠陥の補正を容易かつ正確に行うことができるため、欠陥がある放射線画像検出器に対しては本発明を適用することにより経時的な画質の劣化を防止することが可能となるという顕著な効果を奏する。 As described above, by cutting the wiring corresponding to the defect on the image, one line corresponding to this wiring becomes a defect on the image. Compared with a case where the dimension is expanded over a wide range, the defect of one line can be corrected more easily and accurately. Therefore, the present invention is applied to a radiological image detector having a defect. By applying it, it is possible to prevent the deterioration of image quality over time.
以下、図面を参照して本発明の画像撮像装置の好ましい実施の形態について説明する。図1は本発明の第1の実施の形態の放射線画像検出器の概略構成を示す上面図、図2は図1中のII−II線断面図、図3は上記放射線画像検出器の第2の導電層の構成を示す上面図である。 Hereinafter, a preferred embodiment of an image pickup apparatus of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a top view showing a schematic configuration of a radiation image detector according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a sectional view taken along line II-II in FIG. 1, and FIG. 3 is a second view of the radiation image detector. It is a top view which shows the structure of this conductive layer.
放射線画像検出器1は、被写体の放射線画像を担持した放射線を透過する第1の導電層11、第1の導電層11を透過した放射線の照射を受けることにより電荷を発生する記録用光導電層12、記録用光導電層12において発生した潜像電荷に対しては絶縁体として作用し、且つその潜像電荷と逆極性の輸送電荷に対しては導電体として作用する電荷蓄積層13、読取光の照射を受けることにより電荷を発生する読取用光導電層14、および読取光を透過する第2の導電層15をガラス基板20上にこの順に積層してなるものである。記録用光導電層12内で発生した潜像電荷は電荷蓄積層13に蓄積される。また、支持部材となるガラス基板20は透明で剛性のあるガラス、例えばソーダライムガラスにより厚さ1.8mmで形成されている。
The
第1の導電層11としては、放射線を透過するものであればよく、たとえば、ネサ皮膜(SnO2)、ITO(Indium Tin Oxide)、アモルファス状光透過性酸化膜であるIDIXO(Idemitsu Indium X-metal Oxide ;出光興産(株))などを50〜200nm厚にして用いることができ、また、100nm厚のAlやAuなども用いることもできる。
The first
図3に示す通り、第2の導電層15は、記録用光導電層12や読取用光導電層14等が重なる領域において、多数の信号出力用線状配線15aと多数の共通線状配線15bとが交互に複数平行に配列された構造となっている。各線状配線の長手方向と直交する方向の幅は例えば信号出力用線状配線15aが10μm、共通線状配線15bが20μmである。信号出力用線状配線15aおよび共通線状配線15bは、ガラス基板20側から照射される読取光に対して透明である例えばIZO(Indium Zinc Oxide)、ITO(Indium Tin Oxide)等の材料により厚さ0.2μmの平坦な線状に形成されている。また、共通線状配線15bは、記録用光導電層12や読取用光導電層14等と重ならない領域において、互いに電気的に接続されており、共通電位となるように構成されている。
As shown in FIG. 3, the second
共通線状配線15bのガラス基板20側には、所定の波長の光だけを透過させるカラーフィルター15cが形成されており、共通線状配線15bとカラーフィルター15cの間には透明有機絶縁層が形成されている。カラーフィルター15cは、顔料を分散させた感光性のレジスト、例えばLCDのカラーフィルターに用いられる赤色レジストにより厚さ1.2μmで形成されている。さらに、このカラーフィルター層による段差を無くすため、PMMA (メタクリル樹脂)等の透明有機絶縁層が、例えば1.8μmの厚さで形成されている。
A
記録用光導電層12は、放射線の照射を受けることにより電荷を発生するものであればよく、放射線に対して比較的量子効率が高く、また暗抵抗が高いなどの点で優れているa−Seを主成分とするものを使用するのが好ましい。本願では記録用光導電層12として、厚さ200μmのa−Seを用いる。
The
電荷蓄積層13としては、蓄積したい極性の電荷に対して絶縁性の膜であれば良く、アクリル系有機樹脂、ポリイミド、BCB、PVA、アクリル、ポリエチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルイミド等のポリマーやAs2S3、Sb2S3、ZnS等の硫化物、その他に酸化物、フッ化物より構成される。更には、蓄積したい極性の電荷に対して絶縁性であり、それと逆の極性の電荷に対しては導電性を有する方がより好ましく、移動度×寿命の積が、電荷の極性により3桁以上差がある物質が好ましい。
The
好ましい化合物としては以下のものを挙げることができる。 Preferred compounds include the following.
・As2Se3
・As2Se3にCl、Br、Iを500ppmから20000ppmまでドープしたもの
・As2Se3のSeをTeで50%程度まで置換したAs2(SexTe1−x)3(0.5<x<1)
・As2Se3のSeをSで50%程度まで置換したもの
・As2Se3からAs濃度を±15%程度変化させたもの
・アモルファスSe−Te系でTeを5−30wt%のもの
この様なカルコゲナイド系元素を含む物質を用いる場合、電荷蓄積層の厚みは0.4μm以上3.0μm以下であること好ましく、より好ましくは0.5μm以上2.0μm以下である。この様な電荷蓄積層は、一度の製膜で形成しても良いし、複数回に分けて積層しても良い。
・ As2Se3
・ As2Se3 doped with Cl, Br, I from 500 ppm to 20000 ppm ・ As2Se3 (SexTe1-x) 3 (0.5 <x <1) with Se substituted to about 50% with Te
・ As2Se3 with Se replaced to about 50% ・ As2Se3 with As concentration changed by about ± 15% ・ Amorphous Se-Te system with Te of 5-30 wt% Such chalcogenide elements In the case of using a substance including the charge storage layer, the thickness of the charge storage layer is preferably 0.4 μm or more and 3.0 μm or less, more preferably 0.5 μm or more and 2.0 μm or less. Such a charge storage layer may be formed by a single film formation or may be laminated in a plurality of times.
有機膜を用いた好ましい電荷蓄積層としては、アクリル系有機樹脂、ポリイミド、BCB、PVA、アクリル、ポリエチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルイミド等のポリマーに対し、電荷輸送剤をドープした化合物が好ましく用いられる。好ましい電荷輸送剤としては、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム(Alq3)、N,N−ジフェニル−N,N−ジ(m−トリル)ベンジジン(TPD)、ポリパラフェニレンビニレン(PPV)、ポリアルキルチオフェン、ポリビニルカルバゾール(PVK)、トリフェニレン(TNF)、金属フタロシアニン、4−(ジシアノメチレン)−2−メチル−6−(p−ジメチルアミノスチリル)−4H−ピラン(DCM)、液晶分子、ヘキサペンチロキシトリフェニレン、中心部コアがπ共役縮合環あるいは遷移金属を含有するディスコティック液晶分子、カーボンナノチューブ、フラーレンからなる群より選択される分子を挙げることができる。ドープ量は0.1から50wt%の間で設定される。 As a preferable charge storage layer using an organic film, a compound obtained by doping a charge transport agent with a polymer such as an acrylic organic resin, polyimide, BCB, PVA, acrylic, polyethylene, polycarbonate, polyetherimide, or the like is preferably used. Preferred charge transfer agents include tris (8-quinolinolato) aluminum (Alq3), N, N-diphenyl-N, N-di (m-tolyl) benzidine (TPD), polyparaphenylene vinylene (PPV), polyalkylthiophene. , Polyvinylcarbazole (PVK), triphenylene (TNF), metal phthalocyanine, 4- (dicyanomethylene) -2-methyl-6- (p-dimethylaminostyryl) -4H-pyran (DCM), liquid crystal molecule, hexapentyloxytriphenylene And a molecule selected from the group consisting of a discotic liquid crystal molecule having a central core containing a π-conjugated condensed ring or a transition metal, a carbon nanotube, and fullerene. The doping amount is set between 0.1 and 50 wt%.
読取用光導電層14としては、読取光の照射を受けることにより導電性を呈するものであればよく、例えば、a−Se、Se−Te、Se−As−Te、無金属フタロシアニン、金属フタロシアニン、MgPc(Magnesium phtalocyanine),VoPc(phaseII of Vanadyl phthalocyanine)、CuPc(Cupper phtalocyanine)などのうち少なくとも1つを主成分とする光導電性物質が好適である。本願では読取用光導電層14として、厚さ10μmのa−Seを用いる。
The reading
なお、放射線画像検出器1の層構成は上記のような層構成に限らず、その他の層を含むものとしてもよく、また各層の材料についても上記各層の作用と同等の作用を有するものであれば上記以外の材料を利用するようにしてもよい。
The layer configuration of the
電流検出部30は、フレキシブル基板32上に信号検出用IC(チャージアンプIC)31を実装した複数のTCP(Tape Carrier Package)を備えており、図1および図3に示す通り、TCPの一方の端部はガラス基板20上において放射線画像検出器1の線状配線15aおよび共通線状配線15bと接続されており、TCPの他方の端部は画像処理基板33に接続されている。
The current detection unit 30 includes a plurality of TCP (Tape Carrier Packages) in which signal detection ICs (charge amplifier ICs) 31 are mounted on a
線状配線15aおよび共通線状配線15bには、記録用光導電層12や読取用光導電層14等と重ならない領域においてTCPとの所定の接続位置まで延びた取出部が形成されている。また、取出部には、TCPと重ならない領域において各線状配線を個別に切断可能な切断領域Aが設けられている。
The
なお、図3においては各配線とTCPが接続される様子を分かり易く示すために、一つのTCPに対して5本の配線が接続された態様を示しているが、実際の放射線画像検出器では一つの信号検出用ICには256個のチャージアンプ31が集積されており、各線状配線15a毎にフレキシブル基板32によりチャージアンプ31に接続されている。
FIG. 3 shows an aspect in which five wires are connected to one TCP in order to easily show how the wires and TCP are connected. However, in an actual radiation image detector, FIG. In one signal detection IC, 256
画像処理基板33は、各線状配線15aより出力され信号検出用IC31により検出されたアナログ信号をデジタル信号(画像信号)に変換するための不図示のA/D変換器等を備えている。
The
次に、上記放射線画像検出器1の作用について説明する。
Next, the operation of the
まず、第1の導電層11と第2の導電層15との間に電界を形成する。本実施の形態においては第1の導電層11と信号出力用線状配線15aおよび共通線状配線15bとの間に不図示の高圧電源を接続し、両者の間にバイアス電圧を印加する。この状態で記録用光導電層12に画像情報を担持する放射線が照射されると、記録用光導電層12内に正と負の電荷が発生し、そのうちの負電荷が上記電圧の印加により形成された電界分布に沿って第2の導電層15の各線状配線に集中せしめられ、電荷蓄積層13に潜像電荷として蓄積される。潜像電荷の量は照射放射線量に略比例し、この潜像電荷の量が放射線画像を示すことになる。一方、記録用光導電層12内で発生する正電荷は第1の導電層11に引き寄せられて、電圧源から注入された負の電荷と結合して消滅する。
First, an electric field is formed between the first
次に、上記のようにして放射線画像検出器1に記録された放射線画像を読み取る際には、信号出力用線状配線15aの延びる方向と直交する方向に延びる線状の読取光により、信号出力用線状配線15aの長手方向に沿って放射線画像検出器1の全面を走査することによって、読取光の走査位置に対応する読取用光導電層14内に正負の電荷対が発生し、読取用光導電層14に生じた正電荷は電荷蓄積層13の潜像電荷に引きつけられ、電荷蓄積層13で潜像電荷と電荷再結合し消滅する一方、読取用光導電層14に生じた負電荷は信号出力用線状配線15aの正電荷と電荷再結合し消滅する。この読取りの際に各画素に対応して発生した潜像電荷に基づく画像信号をTCPに出力させ、チャージアンプ31により検出することにより、潜像電荷が担持する放射線画像を読み取ることができる。
Next, when the radiation image recorded in the
上記の放射線画像検出器1において画像上の欠陥の検出を行なう場合、放射線画像検出器1全体に対して一様な放射線露光を行い、その結果得られた画像に基づいて欠陥の検出を行なう。
When the above-described
図4(A)に欠陥検出により得られた画像の一例を示す。なお、図4(A)では6×6画素の画像を示している。これは図3において各線状配線の配置態様を分かり易く示すために6本のみ信号出力用線状配線15aを示し、それに基づいて点線で区画された6×6個の領域が各画素に対応するように示しているためである。実際の放射線画像検出器から得られる画像は多数の画素(例えば4300×4300画素等)を有している。なお、後述の図4(B)〜(D)においても、図4(A)に倣って6×6画素の画像を示している。
FIG. 4A shows an example of an image obtained by defect detection. Note that FIG. 4A shows a 6 × 6 pixel image. In FIG. 3, only six signal output
放射線画像検出器1全体に対して一様な放射線露光を行なった場合、通常であれば画面全体で均一な濃度の画像が得られるはずであるが、画像上の欠陥がある場合には図4(A)に示すように欠陥に対応する画素は周囲の欠陥に対応しない画素の濃度と異なる濃度に検出される。この欠陥の検出においては、上記の放射線露光により得られるはずの濃度範囲から極端に外れた濃度を示している部分を欠陥とみなせばよいため、ソフトウェアにより自動的に検出させることが可能である。もちろん使用者により手動で検出を行なってもよい。図4(A)では画素C5が欠陥となっている。
When uniform radiation exposure is performed on the entire
このような欠陥を生じる主な原因の一つとして、a−Seを主成分とする光導電層(記録用光導電層12、読取用光導電層14)の成膜時において紛れ込んだゴミや突沸等に起因して生じる結晶型セレンがある。放射線画像検出器1では記録時等に光導電層に対して電界を形成するが、画像上の欠陥の生じた放射線画像検出器1に電界を形成すると、結晶化部とアモルファス部で導電性が異なったり、またゴミとセレンで誘電率が異なること等から結晶化部への電界集中が起こる。この結晶型セレンを起点として発生する突発的な電荷注入により、放射線画像検出器1中に電荷が過剰に蓄積もしくは過剰に流れることが原因となり画像上の欠陥を生じる。
One of the main causes of such defects is dust or bumping that is trapped in the formation of a photoconductive layer (a
さらに、この電界集中はその領域に対して電流を集中させるために発熱を引き起こし、周囲のa−Seに対して結晶化を引き起こさせるため、放射線画像検出器1の継続的な使用に伴い光導電層に電界形成が繰り返されることで結晶化部を拡大させて、図4(B)に示すように当初の欠陥画素C5を起点として、欠陥範囲が周囲に二次元状に拡大することが見出された。
Furthermore, since this electric field concentration causes heat generation to concentrate the current in the region and causes crystallization to the surrounding a-Se, the photoconductivity is accompanied with the continuous use of the
そのため、本実施の形態においては、予め検出された画像上の欠陥に対応する線状配線を、上記の切断領域Aにおいて切断し、光導電層の画像上の欠陥に対応する部分には電界が形成されなくなるようにする。 Therefore, in the present embodiment, the linear wiring corresponding to the defect on the image detected in advance is cut in the cutting area A, and an electric field is applied to the portion corresponding to the defect on the image of the photoconductive layer. Make it no longer formed.
具体的には、画像上の欠陥の位置から放射線画像検出器1における欠陥部の位置は一義的に推測できるため、この欠陥部の位置に対応する信号出力用線状配線15aを切断領域Aにおいて切断する。すなわち、図3に示すように欠陥画素C5に対応する位置には結晶型セレン等の欠陥部Dが存在することが推測されるため、欠陥部Dと重なる信号出力用線状配線15aを切断する。
Specifically, since the position of the defective portion in the
切断する方法は、レーザ光を照射して配線を焼き切るレーザリペア等どのような方法を用いてもよい。 As a method for cutting, any method such as laser repair for irradiating a laser beam to burn out the wiring may be used.
その結果、図4(C)に示すように、切断した信号出力用線状配線15aに対応した画素はライン状に欠陥となる。しかしながら、このようなライン状の欠陥に対する補正は、二次元状に広範囲に拡大した欠陥に対する補正と比べて、容易かつ正確に行うことができる。
As a result, as shown in FIG. 4C, the pixels corresponding to the cut signal output
このライン状の欠陥に対する補正は、例えば欠陥画素周囲の画素の濃度の平均値を欠陥画素の濃度とみなすような処理を行ってもよい。また、実際の放射線画像検出器1では非常に多数の画素ライン(例えば4300ライン)があるため欠陥ラインを全く表示せずこのラインの上下のラインをつなぎあわす処理等を行ってもよい。勿論、上記の処理に限定されるものではなく、どのような画像処理方法で行ってもよい。
For the correction for the line-shaped defect, for example, a process may be performed in which an average value of the density of pixels around the defective pixel is regarded as the density of the defective pixel. Further, since the actual
本実施の形態では画像処理基板33上の不図示の画像処理手段により画像上の欠陥周囲の濃度の平均値を欠陥部の濃度とみなすような処理を行い欠陥部を補正することによって、図4(D)に示すように、正常な画像を取得できるようになる。またこの放射線画像検出器1は、欠陥部の位置に対応した信号出力用線状配線15aが切断されているため、放射線画像検出器1の使用に伴い光導電層に電界形成が繰り返された場合でも欠陥部Dには電界が形成されなくなるので、欠陥部Dの拡大を防止することができる。
In the present embodiment, the image processing means (not shown) on the
なお、本実施の形態においては画像上の欠陥に対応する信号出力用線状配線15aのみを切断したが、欠陥に対応する共通線状配線15bも併せて切断してもよい。
In the present embodiment, only the signal output
次に、本発明の第2の実施の形態の画像撮像装置について説明する。本実施の形態は上記第1の実施の形態と比べ、放射線画像検出器を光読出方式のものからTFT読出方式のものに変更したものである。図5は本実施の形態の放射線画像検出器の概略構成を示す上面図、図6は図5中のVI−VI線断面図、図7は上記放射線画像検出器の電荷検出層の構成を示す構成図である。 Next, an image pickup apparatus according to a second embodiment of the present invention will be described. In the present embodiment, the radiation image detector is changed from the optical readout type to the TFT readout type as compared with the first embodiment. 5 is a top view showing a schematic configuration of the radiation image detector of the present embodiment, FIG. 6 is a sectional view taken along line VI-VI in FIG. 5, and FIG. 7 shows a configuration of the charge detection layer of the radiation image detector. It is a block diagram.
本実施の形態の放射線画像検出器2は、ガラス基板120上に、a−Si TFTからなる電荷検出層113、X線の照射を受けることにより電荷を発生して導電性を呈する光導電層112、導電層111がこの順に積層されたものである。
In the
図7に示すように、電荷検出層113は、具体的には電荷蓄積容量PとTFTスイッチTがマトリクス状に配された構造をしている。TFTスイッチTのドレイン電極と電荷蓄積容量Pの一方の電極とは接続されている。そして、電荷蓄積容量Pの他方の電極は蓄積容量配線Vsに接続されている。TFTスイッチTのゲート電極にはスキャン配線Vgが接続されており、ソース電極にはデータ配線Sigが接続されている。
As shown in FIG. 7, the
スキャン配線Vgには、各スキャン配線Vgに接続されたTFTスイッチTをオンオフ制御するため制御信号が流される。また、データ配線Sigには、各データ配線Sigに接続された電荷蓄積容量Pに蓄積された電荷信号が流れ出す。なお、上記制御信号は、後述するゲートドライバから出力される。スキャン配線Vgとデータ配線Sigとは互いに直交して設けられている。 A control signal is supplied to the scan wiring Vg for on / off control of the TFT switch T connected to each scan wiring Vg. Further, the charge signal accumulated in the charge storage capacitor P connected to each data line Sig flows out to the data line Sig. The control signal is output from a gate driver described later. The scan wiring Vg and the data wiring Sig are provided orthogonal to each other.
また、図5および図7に示すように、方形のガラス基板120の上辺に沿ってフレキシブル基板132上に信号検出用IC131を実装した複数のTCPが配置されており、TCPの一方の端部はガラス基板120上において放射線画像検出器2のデータ配線Sigおよび蓄積容量配線Vsと接続されており、TCPの他方の端部は画像処理基板133に接続されている。
Further, as shown in FIGS. 5 and 7, a plurality of TCPs in which the
また、方形のガラス基板120の右辺に沿ってフレキシブル基板135上にゲートドライバIC134を実装した複数のTCPが配置されており、TCPの一方の端部はガラス基板120上において放射線画像検出器2のスキャン配線Vgと接続されており、TCPの他方の端部は制御基板136に接続されている。
A plurality of TCPs each having a
次に、上記放射線画像検出器2の作用について説明する。
Next, the operation of the
まず、導電層111と電荷検出層113との間に電界を形成する。本実施の形態においては導電層111と蓄積容量配線Vsとの間に不図示の高圧電源を接続し、両者の間にバイアス電圧を印加する。この状態で図6上方よりX線が照射されると、光導電層112の内部で電荷対が発生する。その発生した電荷対のうち正電荷は上記電界により電荷検出層113方向に移動させられ最終的に電荷蓄積容量Pに蓄積される。光導電層112はX線量に応じて異なる電荷量を発生するため、X線が担持した画像情報に応じた電荷が各画素の電荷蓄積容量Pに蓄積される。その後、スキャン配線Vgを介してTFTスイッチTをON状態にする信号を順次加え、データ配線Sigを介して各電荷蓄積容量Pに蓄積された電荷を取り出す。さらに信号検出用IC131で各画素の電荷量を検出することにより画像情報を読み取ることができる。
First, an electric field is formed between the
このように構成されたTFT読出方式の放射線画像検出器2においても、上記第1の実施の形態と同様に、画像上の欠陥の検出を行い、欠陥がある場合には欠陥に対応する配線を切断するとともに、これに伴って生じるライン状の欠陥の補正処理を行うことによって、上記第1の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
Also in the
本実施の形態においては、バイアス電圧を形成する際に蓄積容量配線Vsに高圧電源を接続する態様としているため、欠陥がある場合には少なくとも欠陥に対応する蓄積容量配線Vsを切断することにより、欠陥部分に電界を形成させないようにすることができるが、欠陥画素に対応するデータ配線Sigも併せて切断してもよい。 In this embodiment, since a high voltage power supply is connected to the storage capacitor wiring Vs when the bias voltage is formed, if there is a defect, at least the storage capacitor wiring Vs corresponding to the defect is cut, Although an electric field can be prevented from being formed in the defective portion, the data wiring Sig corresponding to the defective pixel may be cut together.
なお、TFT読出方式の放射線画像検出器の場合において切断すべき配線は、TFTスイッチおよび電荷蓄積容量の接続構成により変化するため、上記以外の構成のTFT読出方式の放射線画像検出器とした場合には、適宜切断する配線を変更する必要があることは言うまでもない。 Since the wiring to be cut in the case of a TFT readout type radiographic image detector varies depending on the connection configuration of the TFT switch and the charge storage capacitor, when the TFT readout type radiographic image detector has a configuration other than the above, Needless to say, it is necessary to change the wiring to be cut as appropriate.
以上、本発明の好ましい実施の形態について説明したが、本発明は上記に限定されるものではない。例えば放射線画像検出器の構成については、直接変換方式に限らず、シンチレーターを用いた間接変換方式のものを用いてもよい。 As mentioned above, although preferable embodiment of this invention was described, this invention is not limited above. For example, the configuration of the radiation image detector is not limited to the direct conversion method, and an indirect conversion method using a scintillator may be used.
1、2 放射線画像検出器
11 第1の導電層
12 記録用光導電層
13 電荷蓄積層
14 読取用光導電層
15 第2の導電層
20 ガラス基板
30 電流検出部
31 信号検出用IC
32 フレキシブル基板
33 画像処理基板
111 導電層
112 光導電層
113 電荷検出層
120 ガラス基板
131 信号検出用IC
132 フレキシブル基板
133 画像処理基板
134 ゲートドライバIC
135 フレキシブル基板
136 制御基板
DESCRIPTION OF
32
132
135
Claims (4)
切断された前記配線に対応した画素データに対して補正処理を行うことを特徴とする画像処理方法。 An image processing method for generating an image signal based on a signal output from a radiation image detector repaired by the repair method according to claim 1,
An image processing method, wherein correction processing is performed on pixel data corresponding to the cut wiring.
予め検出された画像上の欠陥に対応する前記配線が、前記取出部において切断されたものであることを特徴とする放射線画像検出器。 A photoconductive layer that generates an electric charge when irradiated with recording light and a plurality of wirings for applying a voltage to the photoconductive layer, wherein the wiring is externally connected in a region that does not overlap the photoconductive layer. A radiation image detector in which an extraction portion extending to a predetermined connection position with a terminal is formed, and a plurality of pixel data is sent out based on the arrangement of the wiring,
The radiation image detector, wherein the wiring corresponding to the defect on the image detected in advance is cut at the extraction portion.
切断された前記配線に対応した画素データに対して補正処理を行うものであることを特徴とする画像処理装置。 An image processing apparatus for generating an image signal based on a signal output from the radiation image detector according to claim 3,
An image processing apparatus that performs correction processing on pixel data corresponding to the cut wiring.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007151562A JP2008305959A (en) | 2007-06-07 | 2007-06-07 | Repairing method of radiation image detector, image processing method, radiation image detector, and image processor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007151562A JP2008305959A (en) | 2007-06-07 | 2007-06-07 | Repairing method of radiation image detector, image processing method, radiation image detector, and image processor |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008305959A true JP2008305959A (en) | 2008-12-18 |
Family
ID=40234413
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007151562A Withdrawn JP2008305959A (en) | 2007-06-07 | 2007-06-07 | Repairing method of radiation image detector, image processing method, radiation image detector, and image processor |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008305959A (en) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010147407A (en) * | 2008-12-22 | 2010-07-01 | Toshiba Corp | Radiation detector and method of correcting defect of the same |
JP2011108890A (en) * | 2009-11-18 | 2011-06-02 | Fujifilm Corp | Radiation detecting element |
WO2011111590A1 (en) * | 2010-03-09 | 2011-09-15 | 株式会社島津製作所 | Two-dimensional x-ray detector array inspection method |
WO2013157231A1 (en) * | 2012-04-17 | 2013-10-24 | 株式会社 東芝 | Method for manufacturing x-ray planar detector, and tft array substrate for x-ray planar detector |
CN110064132A (en) * | 2015-02-26 | 2019-07-30 | 夏普株式会社 | Substrate is used in light irradiation |
-
2007
- 2007-06-07 JP JP2007151562A patent/JP2008305959A/en not_active Withdrawn
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010147407A (en) * | 2008-12-22 | 2010-07-01 | Toshiba Corp | Radiation detector and method of correcting defect of the same |
JP2011108890A (en) * | 2009-11-18 | 2011-06-02 | Fujifilm Corp | Radiation detecting element |
JP5348314B2 (en) * | 2010-03-09 | 2013-11-20 | 株式会社島津製作所 | Inspection method for two-dimensional array X-ray detector |
US8415636B2 (en) | 2010-03-09 | 2013-04-09 | Shimadzu Corporation | Method for inspecting two-dimensional array X-ray detector |
KR101306512B1 (en) | 2010-03-09 | 2013-09-09 | 가부시키가이샤 시마즈세이사쿠쇼 | Two-dimensional x-ray detector array inspection method |
WO2011111590A1 (en) * | 2010-03-09 | 2011-09-15 | 株式会社島津製作所 | Two-dimensional x-ray detector array inspection method |
WO2013157231A1 (en) * | 2012-04-17 | 2013-10-24 | 株式会社 東芝 | Method for manufacturing x-ray planar detector, and tft array substrate for x-ray planar detector |
KR20150005593A (en) * | 2012-04-17 | 2015-01-14 | 가부시끼가이샤 도시바 | Method for manufacturing x-ray planar detector, and tft array substrate for x-ray planar detector |
JPWO2013157231A1 (en) * | 2012-04-17 | 2015-12-21 | 株式会社東芝 | X-ray flat panel detector manufacturing method and X-ray flat panel detector TFT array substrate |
KR101655004B1 (en) | 2012-04-17 | 2016-09-06 | 도시바 덴시칸 디바이스 가부시키가이샤 | Method for manufacturing x-ray flat panel detector and x-ray flat panel detector tft array substrate |
US9589855B2 (en) | 2012-04-17 | 2017-03-07 | Toshiba Electron Tubes & Devices Co., Ltd. | Method for manufacturing X-ray flat panel detector and X-ray flat panel detector TFT array substrate |
CN110064132A (en) * | 2015-02-26 | 2019-07-30 | 夏普株式会社 | Substrate is used in light irradiation |
CN110064132B (en) * | 2015-02-26 | 2021-01-15 | 夏普株式会社 | Substrate for light irradiation |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7786446B2 (en) | Radiation detector | |
US8022451B2 (en) | Radiation detector | |
JP2009010075A (en) | Radiation image detector | |
JP2008305959A (en) | Repairing method of radiation image detector, image processing method, radiation image detector, and image processor | |
JP4739298B2 (en) | Radiation image detector | |
JP2009212162A (en) | Radiation detector | |
JP5230791B2 (en) | Radiation detector | |
JP2003031837A (en) | Image detector and its manufacturing method, image recording method and reading method, and image recorder and reading device | |
JP4940125B2 (en) | Radiation detector | |
JP2010003713A (en) | Radiation detector and method of manufacturing thereof | |
JP2009233488A (en) | Inkjet head, coating method and coating device, and method of manufacturing radiation detector | |
JP5270121B2 (en) | Imaging device | |
JP2012154933A (en) | Radiation detector | |
JP5235119B2 (en) | Radiation image detector | |
JP2001337171A (en) | Image recording medium and manufacturing method therefor | |
US7358518B2 (en) | Radiation image detector and radiation image detecting system | |
JP2009088200A (en) | Radiation detector | |
JP4990084B2 (en) | Radiation detector | |
JP5207451B2 (en) | Radiation image detector | |
JP2009054923A (en) | Method of manufacturing radiograph detector | |
JP2010098102A (en) | Radiological image detector | |
JP2008177394A (en) | Image pickup apparatus | |
JP2007027184A (en) | Image pickup device | |
JP2007053304A (en) | Radiation image detection system | |
JP2008053672A (en) | Radiation solid sensor and manufacturing method thereof |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20100907 |