JP2008300804A - Light modulation light source and light modulation method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、光変調光源および光変調方法に関し、より詳細には、光信号源への電流注入の変調により生じる光周波数の変調信号を、強度変調信号に変換して光ファイバに伝送する光変調方式にかかる光変調光源および光変調方法に関する。 The present invention relates to an optical modulation light source and an optical modulation method, and more particularly, optical modulation for converting an optical frequency modulation signal generated by modulation of current injection into an optical signal source into an intensity modulation signal and transmitting the signal to an optical fiber. The present invention relates to a light modulation light source and a light modulation method.
従来、光通信用の光源として、半導体レーザが広く用いられており、主として、DFB(Distributed Feed Back)レーザが用いられてきた。変調方式としては、DFBレーザの駆動電流を変調することにより、レーザ発振光の強度を変調する直接変調方式が用いられている。直接変調方式は、光送信器の構成をコンパクトにでき、低コストであることから、広く用いられている。 Conventionally, semiconductor lasers have been widely used as light sources for optical communications, and DFB (Distributed Feed Back) lasers have been mainly used. As a modulation method, a direct modulation method is used in which the intensity of laser oscillation light is modulated by modulating the drive current of the DFB laser. The direct modulation method is widely used because the configuration of the optical transmitter can be made compact and the cost is low.
しかしながら、直接変調方式の欠点の一つとして、チャープが大きいことが挙げられる。チャープとは、強度変調に伴う光周波数または位相の急速な変化のことである。チャープの大きな光信号パルスは、分散を有する光ファイバを伝搬した後に波形が歪んでしまうので、伝送距離が制限されていた。そこで、光フィルタを用いて、チャープした周波数成分を除去することにより伝送距離を拡大する方法が提案された。例えば、1.55μm帯DFBレーザを、光信号のビットレート10Gb/s、直接変調方式で用いた場合、伝送距離を18.4kmから38.5kmに拡大できることが報告されている(例えば、非特許文献1参照)。
However, one of the drawbacks of the direct modulation method is that the chirp is large. Chirp is a rapid change in optical frequency or phase associated with intensity modulation. Since the optical signal pulse having a large chirp is distorted after propagating through an optical fiber having dispersion, the transmission distance is limited. Therefore, a method for extending the transmission distance by removing the chirped frequency component using an optical filter has been proposed. For example, when a 1.55 μm band DFB laser is used in the optical
また、直接変調時に生じる周波数変調成分を積極的に利用することにより、更なる長距離伝送が可能であることが報告されている。これは、チャープマネージドレーザ(CML)と呼ばれている。CMLでは、部分的に周波数変調した光信号を、透過ピークが信号光の中心周波数(またはキャリア周波数)からずれている光フィルタに入射する。これにより、光フィルタの透過域の透過端を用いて、光フィルタの透過率の正または負のどちらか一方の傾きにより、周波数変調を強度(振幅)変調に変換する。この方法により1.55μm帯DFBレーザを、光信号のビットレート10Gb/s、直接変調方式で用いた場合、伝送距離を250kmまで拡大できることが報告されている(例えば、非特許文献2参照)。 Further, it has been reported that further long-distance transmission is possible by positively using frequency modulation components generated during direct modulation. This is called a chirp managed laser (CML). In CML, a partially frequency-modulated optical signal is incident on an optical filter whose transmission peak is shifted from the center frequency (or carrier frequency) of the signal light. Thus, the frequency modulation is converted into intensity (amplitude) modulation by using either the positive or negative slope of the transmittance of the optical filter using the transmission end of the transmission region of the optical filter. It has been reported that the transmission distance can be increased up to 250 km when a 1.55 μm band DFB laser is used in this method, with a bit rate of optical signal of 10 Gb / s and direct modulation (see, for example, Non-Patent Document 2).
従来の直接変調方式による光送信器は、半導体レーザと光フィルタを組み合わせた簡易な構成であるため、低コストで長距離伝送を実現することができる。しかしながら、半導体レーザの変調帯域としては、光信号のビットレートと同程度を要求されるため、変調速度の上限がレーザの緩和振動周波数以下に制限されていた。すなわち、10Gb/sの変調を行う場合、半導体レーザの変調帯域も7〜8GHz以上が要求される。従来のDFBレーザの変調帯域は12〜13GHz程度が上限であるため、更なる高速変調への対応、例えば、40Gb/sへの対応は不可能であった。 Since the conventional optical transmitter based on the direct modulation system has a simple configuration combining a semiconductor laser and an optical filter, long-distance transmission can be realized at low cost. However, since the modulation band of the semiconductor laser is required to be approximately the same as the bit rate of the optical signal, the upper limit of the modulation speed is limited to the laser relaxation oscillation frequency or less. That is, when 10 Gb / s modulation is performed, the modulation band of the semiconductor laser is required to be 7 to 8 GHz or more. Since the modulation band of the conventional DFB laser has an upper limit of about 12 to 13 GHz, it is impossible to cope with further high-speed modulation, for example, 40 Gb / s.
本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、光信号源の変調帯域が光信号のビットレートよりも小さい場合でも、直接変調方式により伝送を行うことが可能な光変調光源および光変調方法を提供することにある。 The present invention has been made in view of such problems, and an object of the present invention is to perform transmission by a direct modulation method even when the modulation band of the optical signal source is smaller than the bit rate of the optical signal. It is an object to provide a light modulation source and a light modulation method that are possible.
本発明は、このような目的を達成するために、請求項1に記載の光変調光源は、多値の信号強度を有する電気信号により駆動され、多値の周波数で光周波数変調された光信号を生成する光信号源と、前記光周波数変調された光信号を2値の振幅変調された光信号に変換する光弁別器とを備えたことを特徴とする。
In order to achieve such an object, the light modulation light source according to
前記光変調光源は、2値の信号強度を有する電気信号を、多値の信号強度を有する電気信号に変換し、前記光信号源を駆動する変換手段をさらに備えることもできる。前記変換手段は、前記2値の信号強度を有する電気信号の帯域を制限する。 The light modulation light source may further include conversion means for converting an electric signal having a binary signal intensity into an electric signal having a multilevel signal intensity and driving the optical signal source. The converting means limits a band of the electric signal having the binary signal strength.
前記光弁別器は、前記光周波数変調された光信号の最小周波数と最大周波数の間において正の傾きを持つ領域と負の傾きを持つ領域の両方が存在する透過または反射特性を有することを特徴とする。 The optical discriminator has a transmission or reflection characteristic in which both a region having a positive slope and a region having a negative slope exist between a minimum frequency and a maximum frequency of the optical frequency modulated optical signal. And
請求項13に記載の発明は、2値の信号強度を有する電気信号を入力し、2値の振幅変調された光信号を出力する光変調光源の光変調方法であって、前記2値の信号強度を有する電気信号を、多値の信号強度を有する電気信号に変換する第1工程と、前記多値の信号強度を有する電気信号を、多値の周波数で光周波数変調された光信号に変換する第2工程と、前記光周波数変調された光信号を、2値の振幅変調された光信号に変換する第3工程とを備えたことを特徴とする。
The invention according to
前記第1工程は、前記2値の信号強度を有する電気信号の帯域を制限することを特徴とする。前記第3工程は、前記光周波数変調された光信号の最小周波数と最大周波数の間において正の傾きを持つ領域と負の傾きを持つ領域の両方が存在する入出力特性を有することを特徴とする。 The first step is characterized in that a band of the electric signal having the binary signal intensity is limited. The third step has an input / output characteristic in which both a region having a positive slope and a region having a negative slope exist between the minimum frequency and the maximum frequency of the optical signal modulated by the optical frequency. To do.
以上説明したように、本発明によれば、多値の信号強度を有する電気信号により、多値の周波数で光周波数変調された光信号を生成した後、2値の振幅変調された光信号に変換するので、光信号源の変調帯域が光信号のビットレートよりも小さい場合でも、直接変調方式により伝送を行うことが可能となる。 As described above, according to the present invention, an optical signal that is optical frequency modulated at a multi-value frequency is generated by an electrical signal having multi-value signal strength, and then converted into a binary amplitude-modulated optical signal. Since the conversion is performed, even if the modulation band of the optical signal source is smaller than the bit rate of the optical signal, transmission can be performed by the direct modulation method.
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態について詳細に説明する。
(第1の実施形態)
(光変調光源)
図1に、本発明の第1の実施形態にかかる光変調光源の構成を示す。光変調光源は、入力された電気信号の高周波帯域を制限する帯域制限フィルタ101と、帯域制限された信号を入力して周波数変調信号を生成する光信号源102と、光弁別器103とが縦続に接続されている。帯域制限フィルタ101は、例えば、ベッセルフィルタに代表されるような低域通過フィルタを用いることができる。光信号源102は、例えば、直接変調方式の半導体レーザを用いることができる。光弁別器103は、例えば、エタロンと呼ばれているキャビティ型の干渉フィルタを用いることができる。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
(First embodiment)
(Light modulation light source)
FIG. 1 shows a configuration of a light modulation light source according to the first embodiment of the present invention. The optical modulation light source includes a
図2および3を参照しながら、光変調光源の動作原理を説明する。図2(a)は、図1に示した帯域制限フィルタ101に入力される電気信号S1の信号強度波形であり、2値のデジタル信号を表している。縦軸は電圧、横軸は時間である。ビットレートは、例えば、40Gb/sとすることができる。帯域制限フィルタ101の高域3dB遮断周波数fcは、例えば、12GHzとすることができる。詳しくは後述する。
The operation principle of the light modulation light source will be described with reference to FIGS. FIG. 2A shows a signal intensity waveform of the electric signal S1 input to the
図2(b)は、帯域制限フィルタ101から出力される帯域制限された電気信号S2の波形である。縦軸は電圧、横軸は時間である。信号レベルがH,M,Lの3値に変換されている。帯域制限された電気信号S2は、直接、光信号源102に入力される。半導体レーザである光信号源102の駆動条件としては、閾値よりも高い直流バイアス電流をかけ、そこに高周波信号として帯域制限された電気信号S2を重畳する。光信号源102は、高周波信号と同期した光周波数変調信号を発生する。この半導体レーザに要求される変調周波数帯域は、電気信号が12GHzに帯域制限されているため、電気信号と同等の12GHz程度で構わない。
FIG. 2B shows the waveform of the band-limited electric signal S2 output from the band-limiting
光信号源102から出力される光信号S3は、図2(b)の縦軸を、光周波数に読み替えればよい。光信号S3は、帯域制限された電気信号S2と同じく3値に変調されており、Lレベルで周波数f1、Mレベルで周波数f2、Hレベルで周波数f3となっている。直接変調方式の半導体レーザの場合、電流値が大きい方が周波数は高くなるため、f1<f2<f3となる。ここで、便宜上、Lレベルに対応する周波数f1を最小周波数、Hレベルに対応する周波数f3を最大周波数と呼ぶことにする。
For the optical signal S3 output from the
図2(c)は、周波数変調の変調度(Δf=f3−f1)が、例えば20GHzになるように半導体レーザの駆動条件を設定したときの、光信号源102から出力される光信号S3の光スペクトルである。横軸は、周波数f3を中心として、周波数f3からのずれを表し、縦軸は光強度の対数である。
FIG. 2C shows an optical signal output from the
図3(a)は、光弁別器103の透過または反射特性を示す。例えば、反射率R=0.3〜0.7程度のミラー対によりキャビティが構成されたエタロンを、光弁別器103として用いる。ここで、周波数変調された光信号の最小周波数f1と最大周波数f3の間において、正の傾きを持つ領域と負の傾きを持つ領域の両方が存在するように設定する。周波数f1に対する出力レベルはP1、周波数f2に対する出力レベルはP2、周波数f3に対する出力レベルはP1とする。3値の周波数変調信号である光信号S3は、光弁別器103により光信号S4に変換される。
FIG. 3A shows the transmission or reflection characteristics of the
図3(b)は、光弁別器103から出力される光信号S4の光のスペクトルであり、図3(c)は、光弁別器103から出力される光信号S4の強度波形である。光信号S4の光のスペクトルは、図3(b)に示すように、中央部で窪んだ形状になる。光信号S4の時間波形は、40Gb/sの2値の振幅変調信号となる。
FIG. 3B is a light spectrum of the optical signal S4 output from the
このようにして、入力された電気信号を多値化するステップと、多値化された電気信号により多値の光周波数変調信号を生成するステップと、多値の光周波数変調信号を2値の振幅変調信号に変換するステップとを有することにより、12GHzの変調帯域しか有さない光信号源102を用いて、40Gb/sの変調信号を生成することができる。
In this way, the step of multi-leveling the input electrical signal, the step of generating a multi-level optical frequency modulation signal from the multi-level electrical signal, and the multi-level optical frequency modulation signal of binary The step of converting into an amplitude modulation signal, a 40 Gb / s modulation signal can be generated using the
ここでは、3値の信号レベルの電気信号から、3値の周波数変調された光信号に変換した例を示したが、4値またはそれ以上の多値に変換することもできる。 Here, an example in which an electrical signal having a ternary signal level is converted into a ternary frequency-modulated optical signal is shown.
(帯域制限フィルタ)
帯域制限フィルタ101は、上述したように、例えば、ベッセルフィルタに代表されるような低域通過フィルタを用いることができる。このとき、2値信号を3値信号に変換するという観点から、高域3dB遮断周波数fcの値は、入力される電気信号のビットレートの20%〜35%程度に設定することが望ましい。例えば、ビットレートが40Gb/sの場合、高域3dB遮断周波数fcの値は、8〜14GHz程度に設定することが望ましい。
(Band limiting filter)
As described above, for example, a low-pass filter represented by a Bessel filter can be used as the
(光信号源−1)
光周波数変調の変調度(Δf=f3−f1)については、特に制約を設けるものではない。しかし、伝送距離を最長化するという観点からは、変調度の値は、光周波数変調の変調度がビットレートの半分となるように設定することが望ましい。例えば、ビットレートが40Gb/sの場合、光周波数変調度がΔf=f3−f1=20GHzとすることが、最も長距離伝送に適している。一般的に、光周波数変調の変調度がビットレートの半分になった状態を、ミニマムシフトキーイング(MSK)と呼び、変調スペクトルの幅が最小になることが知られている。本実施形態においても、MSK条件を用いることにより、光ファイバの分散の影響を最小化し、伝送距離を拡大することができる。
(Optical signal source-1)
The modulation degree of optical frequency modulation (Δf = f 3 −f 1 ) is not particularly limited. However, from the viewpoint of maximizing the transmission distance, it is desirable that the value of the modulation degree is set so that the modulation degree of the optical frequency modulation is half the bit rate. For example, when the bit rate is 40 Gb / s, it is most suitable for long-distance transmission that the optical frequency modulation degree is Δf = f 3 −f 1 = 20 GHz. In general, a state in which the modulation degree of optical frequency modulation is half of the bit rate is called minimum shift keying (MSK), and it is known that the width of the modulation spectrum is minimized. Also in this embodiment, by using the MSK condition, the influence of optical fiber dispersion can be minimized and the transmission distance can be increased.
半導体レーザの変調帯域が光信号のビットレートよりも小さい場合でも、直接変調方式により伝送を行うことができるという目的効果を奏する限りにおいては、光周波数変調の変調度に制約を設けるものではない。光弁別器として用いる光フィルタの光周波数応答を光周波数変調の変調度に応じて適切なものを選定することにより、上述した目的効果を奏することができる。 Even if the modulation band of the semiconductor laser is smaller than the bit rate of the optical signal, the degree of modulation of the optical frequency modulation is not limited as long as the objective effect that transmission can be performed by the direct modulation method is achieved. By selecting an appropriate optical frequency response of the optical filter used as the optical discriminator according to the modulation degree of the optical frequency modulation, the above-described objective effect can be obtained.
上述したように、帯域制限フィルタの高域3dB遮断周波数fcの値は、入力される電気信号のビットレートの20%〜35%程度に設定することが望ましい。帯域制限された電気信号により駆動される光信号源に要求される変調帯域は、駆動する電気信号と同程度あれば十分であり、ビットレートの20%〜35%程度が要求される。逆に、光信号源の変調帯域がわかれば、本実施形態の光変調光源により実現可能なビットレートは、高域3dB遮断周波数fcの逆数から、変調帯域の3〜5倍程度であると導き出せる。
As described above, the value of the
(光弁別器−1)
光弁別器としては、周波数変調された光信号の最小周波数f1と最大周波数f3の間において正の傾きを持つ領域と負の傾きを持つ領域の両方が存在することが必要である。例えば、図3(a)に示した光弁別器の場合、周波数f1において傾きは負であり、周波数f2において最小値をとり、周波数f3において傾きは正である。このように、3値信号の中央の周波数f2付近で極値を有し、その前後において傾きの符号が異なるような光周波数応答を有するフィルタであればよい。
(Light discriminator-1)
As an optical discriminator, it is necessary that both a region having a positive slope and a region having a negative slope exist between the minimum frequency f 1 and the maximum frequency f 3 of the frequency-modulated optical signal. For example, if the optical discriminator shown in FIG. 3 (a), a negative slope at the frequency f 1, takes a minimum value at a frequency f 2, the slope in the frequency f 3 is positive. Thus, any filter may be used as long as it has an extreme value near the center frequency f 2 of the ternary signal and has an optical frequency response in which the sign of the slope is different before and after that.
図4に、実施例1にかかる光弁別器の構成を示す。シングルキャビティ型の干渉フィルタ(エタロン)である。光弁別器は、誘電体多層膜ミラー301,302と、これに挟まれた厚さLのスペーサー層305とから構成されている。誘電体多層膜ミラー301,302は、Ta2O5からなる高屈折率層303と、SiO2からなる低屈折率層304とが交互に積層されている。
FIG. 4 shows the configuration of the optical discriminator according to the first embodiment. This is a single cavity type interference filter (etalon). The optical discriminator is composed of dielectric multilayer mirrors 301 and 302 and a
スペーサー層305の厚さLは、エタロンの透過ピークもしくは反射ピークの光周波数軸上での間隔により決定され、ピークの光周波数間隔(またはFSR:Free Spectral Range)をΔfに設定したい場合にはL=c/2/n/Δfと設定すればよい。ここで、cは真空中の光速、nはスペーサー層の屈折率である。例えば、スペーサー層の屈折率がn=1.5のとき、FSRを100GHzとしたい場合には、L=1mmとすればよい。図3(a)は、誘電体多層膜ミラーの反射率R=0.7、FSR=200GHzのエタロンを、反射モードで用いた場合の光周波数応答を示している。
The thickness L of the
一般的に、信号光の光スペクトルをフィルタリングする場合、光弁別器のFSRの値は、信号光のビットレートの5倍程度のものが用いられる。FSRが狭いと、FSRに比例して信号光の透過帯域も狭くなり、信号光のスペクトルが必要以上にフィルタリングされてしまうからである。このとき、信号光の時間波形は、大幅に歪んでしまう。本実施形態によれば、光信号のビットレートに比べて、半導体レーザの変調帯域が1/3以下であるため、光弁別器に入力される信号光のスペクトル幅は、従来のNRZ変調の場合と比較して狭い。従って、要求されるFSRも、従来のNRZ変調と比較すると狭いものを利用することができる。また、信号光のスペクトル幅が狭いので、光ファイバ伝送時の伝送特性は、従来のNRZ変調より優れており、より長距離を伝送することが可能である。 Generally, when filtering the optical spectrum of signal light, the FSR value of the optical discriminator is about 5 times the bit rate of signal light. This is because if the FSR is narrow, the transmission band of the signal light is also narrowed in proportion to the FSR, and the spectrum of the signal light is filtered more than necessary. At this time, the time waveform of the signal light is significantly distorted. According to this embodiment, since the modulation band of the semiconductor laser is 1/3 or less compared to the bit rate of the optical signal, the spectral width of the signal light input to the optical discriminator is the case of the conventional NRZ modulation. Narrow compared to. Therefore, the required FSR can be narrower than the conventional NRZ modulation. Further, since the spectrum width of the signal light is narrow, the transmission characteristics at the time of optical fiber transmission are superior to the conventional NRZ modulation, and it is possible to transmit a longer distance.
上述の実施形態では、光信号のビットレート40Gb/sに対し、5倍のFSR=200GHzを有するエタロンついて示したが、1.25倍であるFSR=50GHzのエタロンを用いることもできる。反射率R=0.5、FSR=100GHzのエタロン、反射率R=0.3、FSR=50GHzのエタロンを用いた場合でも、反射モードでの光周波数応答は、図3(a)の特性を得ることができる。従来、10Gb/sのNRZ変調用として広く用いられているFSR=50GHzのエタロンフィルタを用いることができるので、システムの低コスト化を図ることができる。なお、反射率RとFSRの関係は、上記の組み合わせに限定されるものではなく、反射率Rの範囲としては約0.3〜0.95程度までの値に対し、適切なFSRを設定することにより、本実施形態の光変調光源に適用することができる。 In the above-described embodiment, an etalon having an FSR = 200 GHz that is five times as high as the optical signal bit rate of 40 Gb / s is shown. However, an etalon having an FSR = 50 GHz that is 1.25 times may be used. Even when an etalon having a reflectance R = 0.5 and FSR = 100 GHz and an etalon having a reflectance R = 0.3 and FSR = 50 GHz are used, the optical frequency response in the reflection mode has the characteristics shown in FIG. Obtainable. Conventionally, since an etalon filter of FSR = 50 GHz widely used for 10 Gb / s NRZ modulation can be used, the cost of the system can be reduced. The relationship between the reflectance R and the FSR is not limited to the above combination, and an appropriate FSR is set for a value of about 0.3 to 0.95 as the range of the reflectance R. Thus, the present invention can be applied to the light modulation light source of the present embodiment.
図5に、光弁別器の配置法を示す。図5(a)は、図4に示したエタロンを反射モードで用いる構成を示している。光弁別器入力402aは、図1に示した光信号S3であり、光弁別器401aに傾けて入射される。光弁別器出力403aは、図1に示した光信号S4であり、入射光と反射光の光路が重ならないように構成する。
FIG. 5 shows an arrangement method of the light discriminator. FIG. 5A shows a configuration in which the etalon shown in FIG. 4 is used in the reflection mode. The
図5(b)もエタロンを反射モードで用いる構成である。光弁別器入力402bは、光弁別器401bで反射され、光サーキュレータ404により光弁別器出力403bとして出力される。図5(c)に示すように、光サーキュレータ404に代えて、ビームスプリッタ405を用いて反射光を取り出すこともできる。ビームスプリッタ405は、バルク型であってもよく、ファイバカプラであってもよい。
FIG. 5B also shows a configuration in which the etalon is used in the reflection mode. The
図5(d)は、偏光ビームスプリッタ406と1/4波長板407とを用いて反射光を取り出す。偏光ビームスプリッタ406を直進透過する偏光状態を仮に状態Aと呼ぶ。状態Aの偏波状態で光弁別器入力402dが偏光ビームスプリッタ406に入射すると、偏光ビームスプリッタ406をそのまま透過し、1/4波長板407で偏光状態が45度回転した状態で光弁別器401dに入射し反射される。反射光は、再び1/4波長板407で偏光状態が45度回転し、状態Aと90度異なる状態で偏光ビームスプリッタ406に入射される。偏光状態が状態Aと90度異なっているので、偏光ビームスプリッタ407で反射され、光弁別器出力403dとして出力される。
In FIG. 5D, the reflected light is extracted using the
このように、偏光ビームスプリッタ406と1/4波長板407とを組み合わせた構成では、偏光状態により光路変換動作が行われるために、図5(c)のビームスプリッタ405を用いた構成と比較して、分岐損が無いという利点を有する。
As described above, in the configuration in which the
(光弁別器−2)
図6に、実施例2にかかる光弁別器の構成を示す。ダブルキャビティ型の干渉フィルタ(エタロン)である。光弁別器は、誘電体多層膜ミラー306,307,308と、これに挟まれた厚さLのスペーサー層311a,311bとから構成されている。誘電体多層膜ミラー306,307,308は、Ta2O5からなる高屈折率層309と、SiO2からなる低屈折率層310とが交互に積層されている。
(Light discriminator-2)
FIG. 6 shows the configuration of the optical discriminator according to the second embodiment. This is a double cavity type interference filter (etalon). The optical discriminator is composed of dielectric multilayer mirrors 306, 307, 308 and
例えば、反射ミラー306,307の反射率を0.2〜0.4程度に、反射ミラー308の反射率を0.5〜0.9程度に設定する。2箇所のスペーサー層311a,311bの厚さを共に0.5〜4mm程度に設定することにより、図3(a)の特性を得ることができる。すなわち、周波数変調された光信号の最小周波数f1と最大周波数f3の間において正の傾きを持つ領域と負の傾きを持つ領域の両方が存在するようなフィルタを構成することができる。
For example, the reflectance of the reflecting
実施例2では、スペーサーが2箇所あるダブルキャビティフィルタについて説明したが、スペーサーが複数(3箇所以上)存在するマルチキャビティフィルタについても同様な効果が期待できることは言うまでもない。反射型で用いる光弁別器の配置に関しては、図5(a)〜(d)で説明した実施例1と同じである。 Although the double cavity filter having two spacers has been described in the second embodiment, it goes without saying that the same effect can be expected for a multicavity filter having a plurality of spacers (three or more). The arrangement of the light discriminator used in the reflection type is the same as that of the first embodiment described with reference to FIGS.
(光弁別器−3)
図7に、実施例3にかかる光弁別器の構成を示す。図7(a)は、光導波路により構成されたリングフィルタを示す図である。リングフィルタは、透過モードを有する干渉型フィルタであり、リングキャビティを構成しているのでキャビティ型に分類されるが、導波路により構成されているので、導波路型にも分類される。リングフィルタは、入力導波路312を一方の面に、出力導波路313を他方の面に接続するカプラ314を備え、カプラ314の一方の面から他方の面にリング導波路315が接続されている。リングフィルタの透過特性は、図3(a)の特性を得ることができる。すなわち、周波数変調された光信号の最小周波数f1と最大周波数f3の間において正の傾きを持つ領域と負の傾きを持つ領域の両方が存在するようなフィルタを構成することができる。
(Light discriminator-3)
FIG. 7 shows a configuration of the optical discriminator according to the third embodiment. FIG. 7A is a diagram showing a ring filter constituted by an optical waveguide. The ring filter is an interference type filter having a transmission mode, and is classified as a cavity type because it constitutes a ring cavity. However, since it is constituted by a waveguide, it is also classified as a waveguide type. The ring filter includes a
リングフィルタは、透過モードのフィルタであり、図7(b)に示した配置となる。光弁別器入力402eは、図1に示した光信号S3であり、光弁別器401eであるリングフィルタの入力導波路312に入射される。光弁別器出力403aは、図1に示した光信号S4であり、リングフィルタの出力導波路313から出射される。光弁別器を透過状態で用いるため、光弁別器の配置は単純化され、光路中に光弁別器を挿入するだけでよい。
The ring filter is a transmission mode filter and has the arrangement shown in FIG. The
(光弁別器−4)
図8に、実施例4にかかる光弁別器の構成を示す。透過モードを有する干渉型フィルタであり、導波路型のマッハツェンダ型フィルタである。マッハツェンダ型フィルタは、入力導波路312に接続されたカプラ314aと、出力導波路313に接続されたカプラ314bと、カプラ314a,314bとの間に光路長差を設けた2本のアーム導波路318a,318bとから構成されている。マッハツェンダ型フィルタの透過特性は、図3(a)の特性を得ることができる。すなわち、周波数変調された光信号の最小周波数f1と最大周波数f3の間において正の傾きを持つ領域と負の傾きを持つ領域の両方が存在するようなフィルタを構成することができる。実施例4では、透過型のフィルタであり、図7(b)に示したように、光路中に光弁別器を挿入するだけでよく、光弁別器の配置が単純化される。
(Light discriminator-4)
FIG. 8 shows a configuration of the optical discriminator according to the fourth embodiment. It is an interference type filter having a transmission mode, and is a waveguide type Mach-Zehnder type filter. The Mach-Zehnder type filter includes a
(光弁別器−5)
図9に、実施例5にかかる光弁別器の構成を示す。光ファイバ316中に屈折率の周期的摂動317が形成されたファイバグレーティングフィルタである。ファイバグレーティングフィルタの透過特性は、図3(a)に示した特性を得ることができる。すなわち、周波数変調された光信号の最小周波数f1と最大周波数f3の間において正の傾きを持つ領域と負の傾きを持つ領域の両方が存在するようなフィルタを構成することができる。
(Light discriminator-5)
FIG. 9 shows the configuration of the optical discriminator according to the fifth embodiment. This is a fiber grating filter in which a
実施例5では、ファイバグレーティングについて説明したが、グレーティング反射器であれば、石英導波路中に形成されたグレーティングであってもよく、また半導体中に形成されたグレーティングであっても同様な動作が実現できることは言うまでもない。グレーティングの構成法についても特に制約を設けるものではなく、媒質の屈折率自体が周期的に変化しているような構造であればよい。また、導波路のコア層もしくはクラッド層の厚さ等の構造が周期的に変化している構造でもよい。実施例5では、透過型のフィルタであり、図7(b)に示したように、光路中に光弁別器を挿入するだけでよく、光弁別器の配置が単純化される。 In the fifth embodiment, the fiber grating has been described. However, the grating reflector may be a grating formed in a quartz waveguide, and the same operation is performed even with a grating formed in a semiconductor. It goes without saying that it can be realized. There are no particular restrictions on the construction method of the grating as long as the refractive index of the medium itself changes periodically. Further, a structure in which the structure such as the thickness of the core layer or the cladding layer of the waveguide is periodically changed may be used. In the fifth embodiment, the transmission type filter is used. As shown in FIG. 7B, it is only necessary to insert the optical discriminator in the optical path, and the arrangement of the optical discriminator is simplified.
(第2の実施形態)
(光変調光源)
第1の実施形態では、光弁別器である光フィルタの光周波数応答が図3(a)で示される場合について説明した。すなわち、周波数変調された光信号の最小周波数f1と最大周波数f3の間において正の傾きを持つ領域と負の傾きを持つ領域の両方が存在し、かつ最小周波数f1の近傍では負の傾き、最大周波数f3の近傍では正の傾きとなっている。多値光周波数変調信号を2値振幅変調信号に変換する光弁別器の周波数応答として、図3(a)の特性曲線を、上下逆さにした特性を用いることもできる。すなわち、周波数変調された光信号の最小周波数f1と最大周波数f3の間において正の傾きを持つ領域と負の傾きを持つ領域の両方が存在し、かつ最小周波数f1の近傍では正の傾き、最大周波数f3の近傍では負の傾きとなっている光弁別器である。
(Second Embodiment)
(Light modulation light source)
In 1st Embodiment, the optical frequency response of the optical filter which is an optical discriminator demonstrated the case where Fig.3 (a) shows. That is, both a region having a positive slope and a region having a negative slope exist between the minimum frequency f 1 and the maximum frequency f 3 of the frequency-modulated optical signal, and negative in the vicinity of the minimum frequency f 1 . The slope is positive in the vicinity of the maximum frequency f 3 . As the frequency response of the optical discriminator that converts the multilevel optical frequency modulation signal into the binary amplitude modulation signal, it is also possible to use a characteristic in which the characteristic curve of FIG. That is, both a region having a positive slope and a region having a negative slope exist between the minimum frequency f 1 and the maximum frequency f 3 of the frequency-modulated optical signal, and are positive in the vicinity of the minimum frequency f 1 . It is a light discriminator having a negative inclination in the vicinity of the inclination and the maximum frequency f 3 .
図10および11を参照しながら、本発明の第2の実施形態にかかる光変調光源の動作原理を説明する。図10(a)は、図1に示した帯域制限フィルタ101に入力される電気信号S1の強度波形であり、2値のデジタル信号を表している。縦軸は電圧、横軸は時間である。波形は、図2(a)と同じである。
The operation principle of the light modulation light source according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 10A shows an intensity waveform of the electric signal S1 input to the
図10(b)は、帯域制限フィルタ101から出力される帯域制限された電気信号S2の波形である。縦軸は電圧、横軸は時間である。信号レベルがH,M,Lの3値に変換されている。波形は、図2(b)と同じである。光信号源102から出力される光信号S3は、図10(b)の縦軸を、光周波数に読み替えればよい。光信号S3は、帯域制限された電気信号S2と同じく3値に変調されており、Lレベルで周波数f1、Mレベルで周波数f2、Hレベルで周波数f3となっている。直接変調方式の半導体レーザの場合、電流値が大きい方が周波数は高くなるため、f1<f2<f3となる。
FIG. 10B shows the waveform of the band-limited electric signal S2 output from the band-limiting
図10(c)は、周波数変調の変調度(Δf=f3−f1)が、例えば40GHzになるように半導体レーザの駆動条件を設定したときの、光信号源102から出力される光信号S3の光スペクトルである。横軸は、周波数f3を中心として、周波数f3からのずれを表し、縦軸は光強度の対数である。
FIG. 10C shows an optical signal output from the
第1の実施形態で述べたように、伝送距離を最長化するという観点からは、周波数変調の変調度がビットレートの半分となるように設定することが望ましい。例えば、ビットレートが40Gb/sの場合、周波数変調度がΔf=f3−f1=20GHzとすることが最も長距離伝送に適している。しかし、周波数変調の変調度(Δf=f3−f1)については、特に制約を設ける必要はないので、第2の実施形態では、最適値の倍の40GHzでも動作可能であることを示す。 As described in the first embodiment, from the viewpoint of maximizing the transmission distance, it is desirable to set the modulation factor of frequency modulation to be half the bit rate. For example, when the bit rate is 40 Gb / s, it is most suitable for long-distance transmission that the frequency modulation degree is Δf = f 3 −f 1 = 20 GHz. However, the degree of modulation of frequency modulation (Δf = f 3 −f 1 ) need not be particularly limited, and the second embodiment shows that it can operate at 40 GHz, which is twice the optimum value.
図10(c)に示した周波数変調の変調度が40GHzの場合、図2(c)に示した変調度が20GHzの場合と比べると、光スペクトルの幅が広くなる。加えて、最小周波数f1と最大周波数f3に対応する周波数に線スペクトルが現れる。3値に変調された光信号S3は、光フィルタ103に入射される。
When the modulation factor of the frequency modulation shown in FIG. 10C is 40 GHz, the width of the optical spectrum becomes wider than when the modulation factor shown in FIG. 2C is 20 GHz. In addition, a line spectrum appears at frequencies corresponding to the minimum frequency f 1 and the maximum frequency f 3 . The optical signal S3 modulated into three values is incident on the
図11(a)は、光弁別器103の透過または反射特性を示す。例えば、反射率R=0.3〜0.7程度のミラー対によりキャビティが構成されたエタロンであって、図4(a)に示したシングルキャビティ型のファブリペローフィルタを透過型フィルタとして、光弁別器103に適用する。ここでは、反射率R=0.3、FSR=100GHzのエタロンフィルタを用いた。周波数変調された光信号の最小周波数f1と最大周波数f3の間において正の傾きを持つ領域と負の傾きを持つ領域の両方が存在し、かつ最小周波数f1の近傍では正の傾き、最大周波数f3の近傍では負の傾きとなっている。周波数f1に対する出力レベルはP2、周波数f2に対する出力レベルはP1、周波数f3に対する出力レベルはP2とする。3値の周波数変調信号である光信号S3は、光弁別器103により光信号S4に変換される。
FIG. 11A shows the transmission or reflection characteristics of the
図11(b)は、光弁別器103から出力される光信号S4の光のスペクトルであり、図11(c)は、光弁別器103から出力される光信号S4の強度波形である。光信号S4の光のスペクトルは、図10(c)に示した光信号S3の光のスペクトルよりも幅の細い形状になる。光信号S4の時間波形は、40Gb/sの2値の振幅変調信号となる。この時間波形は、図3(c)と比較すると、論理レベルが反転した波形となっている。
FIG. 11B shows the light spectrum of the optical signal S4 output from the
このようにして、入力された電気信号を多値化するステップと、多値化された電気信号により多値の光周波数変調信号を生成するステップと、多値の光周波数変調信号を2値の振幅変調信号に変換するステップとを有することにより、12GHzの変調帯域しか有さない光信号源102を用いて、40Gb/sの変調信号を生成することができる。
In this way, the step of multi-leveling the input electrical signal, the step of generating a multi-level optical frequency modulation signal from the multi-level electrical signal, and the binary of the multi-level optical frequency modulation signal The step of converting into an amplitude modulation signal can generate a 40 Gb / s modulation signal using the
第2の実施形態では、反射率R=0.3、FSR=100GHzのエタロンを光弁別器として用いたが、例えば、反射率R=0.6、FSR=200GHzのエタロンを用いることもできる。また、第1の実施形態と同様に、反射率RとFSRの関係は、上記の組み合わせに限定されるものではなく、反射率Rの範囲としては約0.3〜0.95程度までの値に対し、適切なFSRを設定することにより、本実施形態の光変調光源に適用することができる。 In the second embodiment, an etalon with reflectivity R = 0.3 and FSR = 100 GHz is used as an optical discriminator. However, for example, an etalon with reflectivity R = 0.6 and FSR = 200 GHz can also be used. Similarly to the first embodiment, the relationship between the reflectance R and the FSR is not limited to the above combination, and the reflectance R ranges from about 0.3 to 0.95. On the other hand, it can be applied to the light modulation light source of the present embodiment by setting an appropriate FSR.
第2の実施形態では、周波数変調度が40GHzであり、MSK条件と比較してスペクトルが広い条件での変調について説明した。本実施形態によれば、光信号源からの周波数変調された光信号S3を光弁別器によりフィルタリングするため、振幅変調に変換された後の光信号S4のスペクトルは、変換前よりも狭くなっている。そのため、光ファイバの分散による波形劣化を低減することが可能となり、MSK条件よりもスペクトルが広い駆動条件においても、従来のNRZ変調と比較すると、光ファイバ伝送時の伝送特性は、従来のNRZ変調より優れている。 In the second embodiment, the modulation has been described under the condition where the frequency modulation degree is 40 GHz and the spectrum is wider than the MSK condition. According to the present embodiment, since the frequency-modulated optical signal S3 from the optical signal source is filtered by the optical discriminator, the spectrum of the optical signal S4 after being converted to amplitude modulation becomes narrower than before the conversion. Yes. Therefore, it is possible to reduce waveform deterioration due to dispersion of the optical fiber, and the transmission characteristics at the time of optical fiber transmission are the same as those of the conventional NRZ modulation even in the driving condition where the spectrum is wider than the MSK condition. Better.
(光弁別器−6)
図6に示したダブルキャビティ型の干渉フィルタ(エタロン)を透過型の光弁別器として用いることができる。反射ミラー306,307の反射率を0.2〜0.4程度に、反射ミラー308の反射率を0.5〜0.9程度に設定する。2箇所のスペーサー層311a,311bの厚さを共に0.5〜4mm程度にすることにより、図11(a)の特性を得ることができる。すなわち、周波数変調された光信号の最小周波数f1と最大周波数f3の間において正の傾きを持つ領域と負の傾きを持つ領域の両方が存在し、かつ最小周波数f1の近傍では正の傾き、最大周波数f3の近傍では負の傾きとなる。このようにして、光信号源の変調帯域を超えたビットレートに対しても変調動作を行うことができる。
(Light discriminator-6)
The double cavity type interference filter (etalon) shown in FIG. 6 can be used as a transmission type optical discriminator. The reflectance of the reflection mirrors 306 and 307 is set to about 0.2 to 0.4, and the reflectance of the
第1の実施形態で述べたとおり、光弁別器は、周波数変調された光信号の最小周波数f1と最大周波数f3の間において正の傾きを持つ領域と負の傾きを持つ領域の両方が存在することが必要である。例えば、エタロンに限らず、マッハツェンダ型干渉フィルタ、リングフィルタ等を用いることもできる。このように、光周波数の3値信号の中央の周波数f2付近で極値を有し、その前後において傾きの符号が異なるような光周波数応答を有するフィルタであればよい。 As described in the first embodiment, the optical discriminator has both a region having a positive slope and a region having a negative slope between the minimum frequency f 1 and the maximum frequency f 3 of the frequency-modulated optical signal. It is necessary to exist. For example, not only an etalon but also a Mach-Zehnder interference filter, a ring filter, or the like can be used. In this way, any filter may be used as long as it has an extreme value near the center frequency f 2 of the ternary signal of the optical frequency and has an optical frequency response in which the sign of the slope is different before and after that.
(光弁別器−7)
図9に示したファイバグレーティングフィルタを反射型光弁別器として用いることもできる。図11(a)に示した特性、すなわち、周波数変調された光信号の最小周波数f1と最大周波数f3の間において正の傾きを持つ領域と負の傾きを持つ領域の両方が存在し、かつ最小周波数f1の近傍では正の傾き、最大周波数f3の近傍では負の傾きとなる光周波数応答を実現することができる。
(Light discriminator-7)
The fiber grating filter shown in FIG. 9 can also be used as a reflection type optical discriminator. The characteristic shown in FIG. 11 (a), that is, there are both a region having a positive slope and a region having a negative slope between the minimum frequency f 1 and the maximum frequency f 3 of the frequency-modulated optical signal, An optical frequency response having a positive slope near the minimum frequency f 1 and a negative slope near the maximum frequency f 3 can be realized.
(その他の実施形態)
(帯域制限フィルタ)
帯域制限フィルタは、上述したように、低域通過フィルタを用いることができる。4値またはそれ以上の多値に変換する場合にも、低域通過フィルタを用いることができるが、加算回路を用いた信号処理回路を用いれば、精度よく変換することができる。例えば、2系列の2値の電気信号を、それぞれ重み付けを行って電圧加算すれば、4値の電気信号に変換することができる。
(Other embodiments)
(Band limiting filter)
As described above, a low-pass filter can be used as the band limiting filter. A low-pass filter can also be used when converting to a 4-value or multi-value, but if a signal processing circuit using an addition circuit is used, the conversion can be performed with high accuracy. For example, if two series of binary electrical signals are weighted and voltage-added, they can be converted into quaternary electrical signals.
(光信号源)
多値の光周波数変調信号を生成する光信号源として、直接変調方式の半導体レーザを用いた。半導体レーザの構造としては、特に制約を設けるものではなく、DFBレーザ、DBRレーザ、リングレーザ、その他光周波数を変調することができるレーザであれば、どのような構造であってもよい。一般的に、DFBレーザを直接変調して、周波数変調信号を生成した場合、周波数変調に伴い、光周波数変調成分と同じ時間波形を有する強度変調成分も重畳されることが多い。光信号源の変調帯域を超えたビットレートに対しても変調動作を行うことはできるが、本実施形態においては、周波数変調成分のみを利用するため、強度変調成分は小さいことがより望ましい。
(Optical signal source)
A direct modulation type semiconductor laser was used as an optical signal source for generating a multilevel optical frequency modulation signal. The structure of the semiconductor laser is not particularly limited, and may be any structure as long as it is a DFB laser, DBR laser, ring laser, or other laser capable of modulating the optical frequency. In general, when a DFB laser is directly modulated to generate a frequency modulation signal, an intensity modulation component having the same time waveform as the optical frequency modulation component is often superimposed along with the frequency modulation. Although the modulation operation can be performed even for a bit rate exceeding the modulation band of the optical signal source, in the present embodiment, only the frequency modulation component is used, so that the intensity modulation component is preferably small.
図12に、光弁別器から出力される光信号の強度波形を比較するための図を示す。図12(a)の波形は、第1の実施形態における図3(c)と同じである。直接変調方式の半導体レーザ(光信号源102)から生成された多値の周波数変調信号が、強度変調成分を含まない場合を示す。図12(b)は、強度変調成分を含む場合であって、多値の周波数変調信号の強度が、光周波数と同位相で20%変化する場合を示す。光信号源の変調帯域を超えたビットレートに対しても変調動作を実現できることがわかる。 FIG. 12 is a diagram for comparing the intensity waveforms of the optical signals output from the optical discriminator. The waveform in FIG. 12A is the same as that in FIG. 3C in the first embodiment. A case where a multi-value frequency modulation signal generated from a direct modulation type semiconductor laser (optical signal source 102) does not include an intensity modulation component is shown. FIG. 12B shows a case where an intensity modulation component is included and the intensity of the multi-level frequency modulation signal changes by 20% in the same phase as the optical frequency. It can be seen that the modulation operation can be realized even for a bit rate exceeding the modulation band of the optical signal source.
(光弁別器)
4値またはそれ以上の多値に変換された周波数変調信号を、2値の振幅変調信号に変換する光弁別器について説明する。図13に、4値の周波数変調信号を2値の振幅変調信号に変換する光弁別器の透過または反射特性を示す。4値またはそれ以上の多値の周波数変調信号を扱う場合には、出力レベルに複数のピークと複数の谷とを含むスペクトルを有するフィルタを用いる。多値の周波数変調信号のうち、例えば、奇数番目の周波数変調信号をピーク(出力レベルはP1)に、偶数番目の周波数変調信号を谷(出力レベルはP2)に、またはその逆に設定する。これにより、4値の周波数変調信号である光信号は、光弁別器により2値の光信号に変換される。
(Light discriminator)
An optical discriminator that converts a frequency modulation signal converted into a four-value or higher multi-value into a binary amplitude modulation signal will be described. FIG. 13 shows the transmission or reflection characteristics of an optical discriminator that converts a quaternary frequency modulation signal into a binary amplitude modulation signal. When dealing with a four-level or more multi-level frequency modulation signal, a filter having a spectrum including a plurality of peaks and a plurality of valleys in the output level is used. Among the multi-level frequency modulation signals, for example, odd number frequency modulation signal is set to peak (output level is P 1 ), and even number frequency modulation signal is set to valley (output level is P 2 ) or vice versa. To do. Thereby, the optical signal which is a quaternary frequency modulation signal is converted into a binary optical signal by the optical discriminator.
光弁別器の具体的な構成は、上述したように、キャビティ型または導波路型のフィルタを用いることができる。上述したフィルタの他に、アレイ導波路型回折格子(AWG)フィルタを適用することもできる。いずれも、図3(a)、図11(a)または図13に示した透過または反射特性を実現することができれば、どのような構成のフィルタであってもよい。 As a specific configuration of the optical discriminator, as described above, a cavity type or waveguide type filter can be used. In addition to the above-described filter, an arrayed waveguide grating (AWG) filter can also be applied. Any filter may be used as long as the transmission or reflection characteristics shown in FIG. 3A, FIG. 11A, or FIG. 13 can be realized.
101 帯域制限フィルタ
102 光信号源
103 光弁別器
301,302,306,307,308 誘電体多層膜ミラー
303,309 高屈折率層
304,310 低屈折率層
305,311 スペーサー層
312 入力導波路
313 出力導波路
314 カプラ
315 リング導波路
316 光ファイバ
317 屈折率の周期的摂動
318 アーム導波路
401 光弁別器
402 光弁別器入力
403 光弁別器出力
404 光サーキュレータ
405 ビームスプリッタ
406 偏光ビームスプリッタ
407 1/4波長板
DESCRIPTION OF
Claims (15)
前記光周波数変調された光信号を2値の振幅変調された光信号に変換する光弁別器と
を備えたことを特徴とする光変調光源。 An optical signal source that is driven by an electrical signal having multi-level signal strength and generates an optical signal that is optical frequency modulated at a multi-level frequency;
An optical discriminator comprising: an optical discriminator that converts the optical signal that has been optical frequency modulated into a binary amplitude-modulated optical signal.
前記2値の信号強度を有する電気信号を、多値の信号強度を有する電気信号に変換する第1工程と、
前記多値の信号強度を有する電気信号を、多値の周波数で光周波数変調された光信号に変換する第2工程と、
前記光周波数変調された光信号を、2値の振幅変調された光信号に変換する第3工程と
を備えたことを特徴とする光変調方法。 A light modulation method of a light modulation light source that inputs an electrical signal having a binary signal intensity and outputs a binary amplitude modulated optical signal,
A first step of converting the electrical signal having a binary signal strength into an electrical signal having a multilevel signal strength;
A second step of converting the electrical signal having the multi-level signal strength into an optical signal that is optical frequency modulated at a multi-level frequency;
And a third step of converting the optical frequency modulated optical signal into a binary amplitude modulated optical signal.
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