JP2008300382A - Method of manufacturing circuit board - Google Patents

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Kenji Terada
健司 寺田
Yukiko Hiraoka
友紀子 平岡
Kazuhiro Okamoto
和弘 岡本
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a circuit board that can suppress peeling between a conductive layer and a resin substrate by maintaining the adhesive strength between the conductive layer and the resin substrate. <P>SOLUTION: The manufacturing method of the circuit board includes stages of: preparing an uncured resin substrate 21 and a depression member 22 having an uneven surface; forming unevenness 23 on one main surface of the resin substrate 21 by pressing a top surface of the depression member 22 against one main surface of the resin substrate 21; curing the resin substrate 21 by heating the resin substrate 21 while pressing the depression member 22 against the resin substrate 21; removing the depression member 22 from the one main surface of the resin substrate 21; and forming a conductive layer 3 along the unevenness 23 formed on the one main surface of the resin substrate 21. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、IC(Integrated Circuit)又はLSI(Large Scale Integration)等の半導体素子を実装する、樹脂基板を備えた配線基板の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a wiring board having a resin substrate on which a semiconductor element such as an IC (Integrated Circuit) or an LSI (Large Scale Integration) is mounted.

従来より、IC又はLSI等の半導体素子を実装することが可能な配線基板が知られている。近年では、電子部品の小型軽量化を目的として、配線基板の配線パターンを微細にすることが求められている。かかる配線基板は、樹脂基板と、樹脂基板の一主面及び他主面に形成される導電層と、を含んで構成されている。   Conventionally, a wiring board on which a semiconductor element such as an IC or an LSI can be mounted is known. In recent years, for the purpose of reducing the size and weight of electronic components, it is required to make the wiring pattern of the wiring board fine. Such a wiring board includes a resin substrate and a conductive layer formed on one main surface and the other main surface of the resin substrate.

配線パターンとしての導電層を微細にすると、樹脂基板と導電層との接触面積が小さくなり、両者の接着力が低下して、導電層が樹脂基板から剥離しやすくなる。そこで、配線パターンとしての導電層を微細にするために、硬化した樹脂基板の一主面及び他主面に対して、例えば過マンガン酸と炭酸ナトリウムとの混合液を浸透し、樹脂基板の一主面及び他主面を溶かして凹凸を形成し、さらにその凹凸上に導電層を形成することで、両者の接着力を保つ方法がある(下記特許文献1参照)。   When the conductive layer as the wiring pattern is made fine, the contact area between the resin substrate and the conductive layer is reduced, the adhesive force between them is reduced, and the conductive layer is easily peeled from the resin substrate. Therefore, in order to make the conductive layer as a wiring pattern fine, for example, a mixed liquid of permanganic acid and sodium carbonate is infiltrated into one main surface and the other main surface of the cured resin substrate, so There is a method in which the main surface and the other main surface are melted to form irregularities, and a conductive layer is formed on the irregularities to maintain the adhesive force between them (see Patent Document 1 below).

なお、過マンガン酸と炭酸ナトリウムとの混合液を浸透する方法で凹凸を形成すると、その凹凸の最大高さ(Rz)は、3.0μmより大きく、例えば5μm程度となる。
特開2002−124753号公報
In addition, when an unevenness | corrugation is formed by the method of osmosis | permeating the liquid mixture of permanganic acid and sodium carbonate, the maximum height (Rz) of the unevenness | corrugation will be larger than 3.0 micrometers, for example, about 5 micrometers.
JP 2002-124753 A

ところが、上述した特許文献1に記載の配線基板の製造方法では、混合液の濃度を均一にすることが難しく、樹脂基板の一主面及び他主面の溶ける領域が疎らになって、凹凸の形成されにくい領域が発生することがある。また、この製造方法では、凹凸の最大高さを小さく抑えることも難しい。そのため、凹凸の少ない領域に導電層を形成すると、導電層と樹脂基板との接着力を大きくすることができず、導電層が樹脂基板から剥離しやすい。また、凹凸の最大高さが大きい領域に導電層を形成しても、導電層と樹脂基板との間に隙間が出来やすく、この場合も導電層が樹脂基板から剥離しやすい。そして、両者の剥離が起きると、配線基板の電気的接続が不安定になってしまうという問題がある。   However, in the manufacturing method of the wiring board described in Patent Document 1 described above, it is difficult to make the concentration of the mixed solution uniform, and the melting area of one main surface and the other main surface of the resin substrate becomes sparse, and the unevenness is reduced. Regions that are difficult to form may occur. Also, with this manufacturing method, it is difficult to keep the maximum height of the irregularities small. Therefore, when a conductive layer is formed in a region with little unevenness, the adhesive force between the conductive layer and the resin substrate cannot be increased, and the conductive layer easily peels from the resin substrate. Further, even when the conductive layer is formed in a region where the maximum height of the unevenness is large, a gap is easily formed between the conductive layer and the resin substrate, and in this case, the conductive layer is easily peeled off from the resin substrate. And when both occur, there is a problem that the electrical connection of the wiring board becomes unstable.

本発明は、上述した課題に鑑みなされたものであって、導電層と樹脂基板との接着力を維持することで、導電層と樹脂基板との剥離を抑制することが可能な配線基板の製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above-described problems, and manufacturing a wiring board capable of suppressing peeling between the conductive layer and the resin substrate by maintaining the adhesive force between the conductive layer and the resin substrate. It aims to provide a method.

上記の課題を解決するため、本発明の配線基板の製造方法は、未硬化の樹脂基板と、表面が凹凸状の押圧部材を準備する工程と、前記樹脂基板の一主面に、前記押圧部材の表面を押圧し、前記樹脂基板の一主面に凹凸を形成する工程と、前記樹脂基板に対し前記押圧部材を押圧した状態で、前記樹脂基板に熱を加えて、前記樹脂基板を硬化する工程と、前記押圧部材を前記樹脂基板の一主面から取り除く工程と、前記樹脂基板の一主面に形成された前記凹凸に沿って導電層を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。   In order to solve the above-described problems, a method for manufacturing a wiring board according to the present invention includes an uncured resin substrate, a step of preparing a pressing member having an uneven surface, and the pressing member on one main surface of the resin substrate. And pressing the surface of the resin substrate to form irregularities on one main surface of the resin substrate, and in a state where the pressing member is pressed against the resin substrate, heat is applied to the resin substrate to cure the resin substrate. And a step of removing the pressing member from one main surface of the resin substrate, and a step of forming a conductive layer along the unevenness formed on the one main surface of the resin substrate. To do.

また、本発明の配線基板の製造方法は、前記樹脂基板の一主面に凹凸を形成する工程が、前記樹脂基板に熱を加えて、前記樹脂基板の一主面を溶かし、前記樹脂基板の一主面を前記押圧部材の表面に接着させることを特徴とする。   Further, in the method for manufacturing a wiring board according to the present invention, the step of forming irregularities on one principal surface of the resin substrate applies heat to the resin substrate to melt the one principal surface of the resin substrate. One main surface is adhered to the surface of the pressing member.

また、本発明の配線基板の製造方法は、前記押圧部材が、エッチングされて前記樹脂基板の一主面から除去されるとともに、前記樹脂基板の一主面が露出されることを特徴とする。   In the wiring board manufacturing method of the present invention, the pressing member is etched and removed from one main surface of the resin substrate, and the one main surface of the resin substrate is exposed.

また、本発明の配線基板の製造方法は、前記樹脂基板の一主面に形成される前記凹凸の最大高さ(Rz)が、0.2μm以上、3.0μm以下であることを特徴とする。   In the method for manufacturing a wiring board according to the present invention, a maximum height (Rz) of the unevenness formed on one main surface of the resin substrate is 0.2 μm or more and 3.0 μm or less. .

また、本発明の配線基板の製造方法は、前記押圧部材を前記樹脂基板に向って押圧する圧力が、0.5MPa以上、5.0MPa以下であることを特徴とする。   Moreover, the manufacturing method of the wiring board according to the present invention is characterized in that a pressure for pressing the pressing member toward the resin substrate is 0.5 MPa or more and 5.0 MPa or less.

また、本発明の配線基板の製造方法は、前記樹脂基板を硬化させる熱の温度が、160℃以上、250℃以下であることを特徴とする。   In the method for manufacturing a wiring board according to the present invention, the temperature of heat for curing the resin substrate is 160 ° C. or more and 250 ° C. or less.

また、本発明の配線基板の製造方法は、前記樹脂基板の一主面を溶かす熱の温度が、100℃以上、150℃以下であることを特徴とする。   The method for manufacturing a wiring board according to the present invention is characterized in that the temperature of heat for melting one main surface of the resin substrate is 100 ° C. or higher and 150 ° C. or lower.

また、本発明の配線基板の製造方法は、前記押圧部材が、酸化亜鉛から成るとともに、前記樹脂基板が、熱硬化性樹脂から成ることを特徴とする。   The wiring board manufacturing method of the present invention is characterized in that the pressing member is made of zinc oxide and the resin board is made of a thermosetting resin.

また、本発明の配線基板の製造方法は、前記樹脂基板の一主面に、前記導電層が形成された配線領域と、前記凹凸が露出した露出領域が存在し、さらに、前記配線領域及び前記露出領域にかけて絶縁層を形成する工程を、備えたことを特徴とする。   Further, in the method for manufacturing a wiring board according to the present invention, a wiring area where the conductive layer is formed and an exposed area where the unevenness is exposed exist on one main surface of the resin substrate. A step of forming an insulating layer over the exposed region is provided.

本発明によれば、導電層と樹脂基板との剥離を抑制し、配線基板の電気的接続を安定に維持することが可能な配線基板の製造方法を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the peeling of a conductive layer and a resin substrate can be suppressed, and the manufacturing method of the wiring board which can maintain the electrical connection of a wiring board stably can be provided.

以下に、本発明にかかる配線基板の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。かかる配線基板は、例えば各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ機器又はその周辺機器などの電子機器に使用されるものである。   Embodiments of a wiring board according to the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. Such wiring boards are used for electronic devices such as various audiovisual devices, home appliances, communication devices, computer devices or peripheral devices thereof.

図1は本実施形態に係る配線基板の平面図、図2は本実施形態に係る配線基板の断面図である。   FIG. 1 is a plan view of a wiring board according to the present embodiment, and FIG. 2 is a cross-sectional view of the wiring board according to the present embodiment.

本実施形態に係る配線基板1は、コア基板2と、コア基板2の一主面及び他主面に形成される導電層3と、絶縁層4と、を含んで構成されている。なお、配線基板1には、半田等のバンプ5を介してIC又はLSI等の半導体素子6が実装される。   The wiring board 1 according to this embodiment includes a core substrate 2, a conductive layer 3 formed on one main surface and the other main surface of the core substrate 2, and an insulating layer 4. A semiconductor element 6 such as an IC or LSI is mounted on the wiring board 1 via bumps 5 such as solder.

コア基板2は、例えばガラス繊維、ポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂又は全芳香族ポリアミド樹脂等を縦横に織り込んだ基材Fに、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂又はシアネート樹脂などの熱硬化性樹脂を含浸させたシートを積層して固化することによって作製される。なかでもポリパレフェにレンベンズビスオキサゾール樹脂を使用することが望ましい。ポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂は、熱膨張率が低く、このような低熱膨張樹脂を使用することによって、コア基板2自体の熱膨張を抑制することができる。   The core substrate 2 is made of, for example, a thermosetting resin such as an epoxy resin, a bismaleimide triazine resin, or a cyanate resin on a base material F in which glass fiber, polyparaphenylene benzbisoxazole resin or wholly aromatic polyamide resin is woven vertically and horizontally. It is produced by laminating and solidifying impregnated sheets. Among them, it is desirable to use a lenbenzbisoxazole resin for polyparefé. The polyparaphenylene benzbisoxazole resin has a low coefficient of thermal expansion, and by using such a low thermal expansion resin, the thermal expansion of the core substrate 2 itself can be suppressed.

また、コア基板2は基材を用いずに樹脂から作製することもできる。かかる樹脂としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、シアネート樹脂、ポリイミド樹脂又はポリフェニレンエーテル樹脂等を用いることができる。   Moreover, the core substrate 2 can also be produced from resin without using a base material. As such a resin, an epoxy resin, a bismaleimide triazine resin, a cyanate resin, a polyimide resin, a polyphenylene ether resin, or the like can be used.

コア基板2には、コア基板2を上下方向に貫通するスルーホール7が形成されている。かかるスルーホール7の内壁面には、導電性を有する銅めっき等からなるスルーホール導体8が形成されている。また、スルーホール7には、コア基板2の平坦性を良好にするために絶縁性の樹脂からなる絶縁体9が充填されている。なお、スルーホール導体8は、コア基板2の主面又は他主面に形成された導電層3同士を電気的に接続している。また、絶縁体9をスルーホール7に充填することによって、スルーホール7の直上又は直下に後述するビア導体10を形成することができ、配線基板1の小型化に寄与することができる。   A through hole 7 is formed in the core substrate 2 so as to penetrate the core substrate 2 in the vertical direction. On the inner wall surface of the through hole 7, a through hole conductor 8 made of conductive copper plating or the like is formed. The through hole 7 is filled with an insulator 9 made of an insulating resin in order to improve the flatness of the core substrate 2. The through-hole conductor 8 electrically connects the conductive layers 3 formed on the main surface or the other main surface of the core substrate 2. In addition, by filling the through holes 7 with the insulator 9, via conductors 10 to be described later can be formed immediately above or directly below the through holes 7, which can contribute to downsizing of the wiring board 1.

さらに、コア基板2の一主面及び他主面には、凹凸が形成されている。かかる凹凸は、一主面が凹凸状の基板、例えば酸化亜鉛から成る基板をコア基板2の一主面及び他主面に貼り合わせて、押圧することで形成することができる。また、コア基板2の一主面及び他主面は、JISB0601−2001に準ずる最大高さ(Rz)が、0.2μm以上、3.0μm以下に設定されていることが好ましい。   Further, irregularities are formed on one main surface and the other main surface of the core substrate 2. Such irregularities can be formed by bonding a substrate having an irregular surface on one main surface, for example, a substrate made of zinc oxide, to one main surface and the other main surface of the core substrate 2 and pressing them. Moreover, it is preferable that the maximum height (Rz) according to JISB0601-2001 is set to 0.2 micrometer or more and 3.0 micrometers or less for the one main surface of the core board | substrate 2, and another main surface.

かかる最大高さ(Rz)を0.2μm以上にすることで、コア基板2の一主面及び他主面と、導電層3との接触面積を十分に大きくすることができ、両者の接着力を維持することができる。その結果、導電層3がコア基板2から剥離するのを効果的に抑制することができる。一方、凹凸の最大高さ(Rz)が、3.0μmを超えると、導電層3とコア基板2との間に隙間が出来やすく、かえって導電層3がコア基板2から剥離しやすくなってしまう。そのため、凹凸の最大高さ(Rz)を3.0μm以下にすることで、導電層3とコア基板2との間に隙間が出来るのを抑制しつつ、両者の接触面積を大きくすることで、両者の接着力を効果的に維持することができる。   By setting the maximum height (Rz) to 0.2 μm or more, the contact area between one main surface and the other main surface of the core substrate 2 and the conductive layer 3 can be sufficiently increased, and the adhesive strength between the two Can be maintained. As a result, it is possible to effectively suppress the conductive layer 3 from peeling from the core substrate 2. On the other hand, when the maximum height (Rz) of the unevenness exceeds 3.0 μm, a gap is easily formed between the conductive layer 3 and the core substrate 2, and the conductive layer 3 is easily peeled off from the core substrate 2. . Therefore, by making the maximum height of the unevenness (Rz) 3.0 μm or less, while suppressing the formation of a gap between the conductive layer 3 and the core substrate 2, increasing the contact area between both, Both adhesive forces can be maintained effectively.

導電層3は、所定の電気信号を伝達する機能を備えたライン状の信号線路3aと、半導体素子6に接続される電源電位を共通の電位、例えばアース電位にする機能を備えた平板状のグランド層3bとを含んでいる。また、信号線路3aは、グランド層3bに対して、絶縁層4を介して対向するように配置されている。また、導電層3は、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル又はクロム等の金属材料からなる。   The conductive layer 3 is a flat signal line 3a having a function of transmitting a predetermined electric signal, and a flat plate having a function of setting a power supply potential connected to the semiconductor element 6 to a common potential, for example, a ground potential. And a ground layer 3b. The signal line 3a is disposed so as to face the ground layer 3b with the insulating layer 4 interposed therebetween. The conductive layer 3 is made of a metal material such as copper, silver, gold, aluminum, nickel, or chromium.

絶縁層4は、フィルム層4aと接着層4bとを上下に積層して形成されている。また、絶縁層4には、その上下方向を貫くビア導体10が形成されている。かかるビア導体10は、上下位置の異なる導電層3同士を電気的に接続するためのものである。かかるビア導体10は、コア基板2の一主面側から配線基板1の一主面側(コア基板2の他主面側から配線基板1の他主面側)に向けて幅広な逆テーパー状に形成されており、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル又はクロム等の導電材料からなる。   The insulating layer 4 is formed by vertically laminating a film layer 4a and an adhesive layer 4b. In addition, a via conductor 10 is formed in the insulating layer 4 so as to penetrate the vertical direction. The via conductor 10 is for electrically connecting the conductive layers 3 having different vertical positions. The via conductor 10 has a reverse taper shape that is wide from one main surface side of the core substrate 2 toward one main surface side of the wiring substrate 1 (from the other main surface side of the core substrate 2 to the other main surface side of the wiring substrate 1). For example, it is made of a conductive material such as copper, silver, gold, aluminum, nickel, or chromium.

フィルム層4aは、絶縁層4の厚み寸法を所定の値に近づけ、平坦性を確保するために、精密に厚さが制御されている。また、フィルム層4aは、印加される温度や圧力によってフィルム層4aの厚み寸法が変化するのを防止するために、耐熱性と硬さに優れた特性の材料であることが望ましい。この様な特性を有するフィルム層4aとしては、例えばポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂、全芳香族ポリアミド樹脂、全芳香族ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂又は液晶ポリマー樹脂のうち少なくともいずれか一つを用いることができる。なお、フィルム層4aは、フィルム層4aの強度を保持するために、ポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂とポリイミド樹脂の混合樹脂であることが望ましい。また、フィルム層4aの厚み寸法は、例えば1μmから10μmとなるように設定されている。   The thickness of the film layer 4a is precisely controlled in order to bring the thickness dimension of the insulating layer 4 close to a predetermined value and ensure flatness. The film layer 4a is desirably a material having excellent heat resistance and hardness in order to prevent the thickness dimension of the film layer 4a from being changed by the applied temperature and pressure. As the film layer 4a having such characteristics, for example, at least one of polyparaphenylene benzbisoxazole resin, wholly aromatic polyamide resin, wholly aromatic polyester resin, polyimide resin or liquid crystal polymer resin is used. it can. The film layer 4a is preferably a mixed resin of a polyparaphenylene benzbisoxazole resin and a polyimide resin in order to maintain the strength of the film layer 4a. In addition, the thickness dimension of the film layer 4a is set to be, for example, 1 μm to 10 μm.

また、フィルム層4aの一主面であって、導電層3が形成される表面には、コア基板2と同様の凹凸が形成されている。なお、かかる凹凸は、コア基板2に形成される凹凸と同様の理由より、最大高さ(Rz)が、0.2μm以上、3.0μm以下に設定されていることが好ましい。   Further, unevenness similar to that of the core substrate 2 is formed on the surface of the film layer 4a on which the conductive layer 3 is formed. The unevenness is preferably set such that the maximum height (Rz) is 0.2 μm or more and 3.0 μm or less for the same reason as the unevenness formed on the core substrate 2.

接着層4bは、フィルム層4aをコア基板2又は導電層3に対して固着させるためのものであって、熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂等の接着剤が使用される。なお、かかる接着剤は、硬化後に接着層4bとなる。熱硬化性樹脂としては、例えばポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、シアネート樹脂、シリコン樹脂又はビスマレイミドトリアジン樹脂のうち少なくともいずれか一つを使用することができる。熱可塑性樹脂としては、半田リフロー時の加熱に耐える耐熱性を有する必要があることから、構成する材料の軟化温度が200℃以上であることが望ましく、ポリエーテルケトン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂又はポリフェニレンエーテル樹脂等を使用することができる。   The adhesive layer 4b is for fixing the film layer 4a to the core substrate 2 or the conductive layer 3, and an adhesive such as a thermosetting resin or a thermoplastic resin is used. Such an adhesive becomes the adhesive layer 4b after curing. As the thermosetting resin, for example, at least one of polyimide resin, acrylic resin, epoxy resin, urethane resin, cyanate resin, silicon resin, and bismaleimide triazine resin can be used. As the thermoplastic resin, since it is necessary to have heat resistance capable of withstanding heating during solder reflow, it is desirable that the softening temperature of the constituent material is 200 ° C. or higher. Polyether ketone resin, polyethylene terephthalate resin or polyphenylene ether Resin or the like can be used.

接着剤は、フィルム層4aに被着した状態で、コア基板2及び導電層3に対して貼り合わされる。そして、接着剤を、例えば加熱プレス装置を用いて加熱しながら加圧した後、冷却することによって硬化する。また、接着層4bは、厚み寸法が例えば1μmから10μmとなるように設定されている。   The adhesive is bonded to the core substrate 2 and the conductive layer 3 while being attached to the film layer 4a. Then, after the adhesive is pressurized while being heated using, for example, a hot press device, the adhesive is cured by cooling. The adhesive layer 4b is set so that the thickness dimension is, for example, 1 μm to 10 μm.

なお、半導体素子6には、絶縁層4の熱膨張率と近似する材料が使用され、例えばシリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素、ガリウム砒素リン、窒化ガリウム又は炭化珪素等を用いることができる。なお、半導体素子6の厚み寸法は、例えば0.1mmから1mmのものを使用することができる。   The semiconductor element 6 is made of a material that approximates the coefficient of thermal expansion of the insulating layer 4. For example, silicon, germanium, gallium arsenide, gallium arsenide phosphorus, gallium nitride, or silicon carbide can be used. In addition, the thickness dimension of the semiconductor element 6 can use the thing of 0.1 mm to 1 mm, for example.

以下に、上述した配線基板1の製造方法について図3乃至図5を用いて説明する。   Below, the manufacturing method of the wiring board 1 mentioned above is demonstrated using FIG. 3 thru | or FIG.

まず、未硬化の樹脂基板21と、表面が凹凸状の押圧部材22を準備する。かかる樹脂基板21は、本実施の形態に係るコア基板2を構成するものである。   First, an uncured resin substrate 21 and a pressing member 22 having an uneven surface are prepared. The resin substrate 21 constitutes the core substrate 2 according to the present embodiment.

樹脂基板21は、基材に熱硬化性樹脂を含浸させたシートを複数層積層したものである。かかる樹脂基板21の一主面及び他主面は、平坦に形成されている。その平坦な表面の最大高さ(Rz)が、例えば0.1μm以下のものをいう。このように、一主面が平坦な樹脂基板21を使用することで、後述するように、表面の最大高さ(Rz)が大きい押圧部材22の凹凸を、樹脂基板21の一主面に転写することができる。   The resin substrate 21 is obtained by laminating a plurality of layers in which a base material is impregnated with a thermosetting resin. One main surface and the other main surface of the resin substrate 21 are formed flat. The maximum height (Rz) of the flat surface is, for example, 0.1 μm or less. In this way, by using the resin substrate 21 having a flat one principal surface, the unevenness of the pressing member 22 having a large maximum surface height (Rz) is transferred to one principal surface of the resin substrate 21 as described later. can do.

押圧部材22は、板体であって、銅箔22aの表面に無電界めっき法を用いて、凹凸を有するめっき層22bを形成したものである。押圧部材22の具体的な製造方法は、まず、硝酸亜鉛と純水とを混合した混合水を用意し、その混合水にジメチルアミノボランからなる添加物を添加して、水溶液を準備する。このとき、水溶液の濃度は、亜鉛濃度で例えば0.03mol%から0.05mol%であって、ジメチルアミノボランは、0.005重量%から0.02重量%添加されている。次に、この水溶液を例えば65℃から95℃に加熱し、銅箔22aを例えば15分から120分浸漬することで、銅箔22aの表面に凹凸を有する酸化亜鉛からなるめっき層22bを形成することができる。めっき層22bは、上記した条件にて、時間をかけて膜成長することで、銅箔22aの表面に均一に凹凸を形成することができる。このようにして、表面が凹凸状の押圧部材22を作製することができる。   The pressing member 22 is a plate body, and has a plated layer 22b having irregularities formed on the surface of the copper foil 22a by using an electroless plating method. The specific manufacturing method of the pressing member 22 first prepares mixed water in which zinc nitrate and pure water are mixed, and adds an additive composed of dimethylaminoborane to the mixed water to prepare an aqueous solution. At this time, the concentration of the aqueous solution is, for example, from 0.03 mol% to 0.05 mol% in terms of zinc concentration, and dimethylaminoborane is added from 0.005 wt% to 0.02 wt%. Next, this aqueous solution is heated to, for example, 65 ° C. to 95 ° C., and the copper foil 22a is immersed, for example, for 15 to 120 minutes, thereby forming a plating layer 22b made of zinc oxide having irregularities on the surface of the copper foil 22a. Can do. The plated layer 22b can form unevenness uniformly on the surface of the copper foil 22a by growing the film over time under the above-described conditions. In this way, the pressing member 22 having an uneven surface can be produced.

かかる凹凸は、最大高さ(Rz)が、0.2μm以上、3.0μm以下に設定されている。なお、添加物は、ジメチルアミノボランに代えて、例えばホウ酸水素ナトリウム等の硝酸亜鉛を還元して金属を析出させる還元剤を用いることができる。   The unevenness has a maximum height (Rz) set to 0.2 μm or more and 3.0 μm or less. As the additive, a reducing agent that reduces zinc nitrate such as sodium hydrogen borate to precipitate a metal can be used instead of dimethylaminoborane.

また、準備する押圧部材22は、樹脂基板21の全面に凹凸23を形成するために、樹脂基板21を完全に覆ってしまう大きさのものであることが好ましい。   The prepared pressing member 22 is preferably of a size that completely covers the resin substrate 21 in order to form the unevenness 23 on the entire surface of the resin substrate 21.

次に、図3(a)に示すように、樹脂基板21に対して押圧部材22を対向配置する。   Next, as illustrated in FIG. 3A, the pressing member 22 is disposed to face the resin substrate 21.

そして、図3(b)に示すように、樹脂基板21の一主面に、押圧部材22の一主面を貼り合わせて、下記の条件(温度条件、圧力条件)にて、押圧部材22を樹脂基板21に向って押圧し、樹脂基板21の一主面に凹凸を形成する。   And as shown in FIG.3 (b), the one main surface of the press member 22 is bonded together to one main surface of the resin substrate 21, and the press member 22 is carried out on the following conditions (temperature conditions, pressure conditions). By pressing toward the resin substrate 21, irregularities are formed on one main surface of the resin substrate 21.

温度条件は、具体的には、樹脂基板21の一主面に対し押圧部材22の凹凸側であるめっき層22bを貼り合わせ、樹脂基板21及び押圧部材22に、100℃以上、150℃以下の熱を加えることが好ましい。樹脂基板21及び押圧部材22に、100℃以上の熱を印可することで、樹脂基板21の表面を溶かし、樹脂基板21を押圧部材22の凹凸に沿って接着させることができる。一方、樹脂基板21及び押圧部材22に、150℃を超える熱を加えると、樹脂基板21の樹脂が硬化し始めるため、押圧部材22を樹脂押圧部材22に密着した状態で接着させることができない。そのため、樹脂基板21及び押圧部材22に150℃以下の熱を加えることで、樹脂基板21と押圧部材22との接着段階で、両者が接着する前に、樹脂押圧部材22が硬化するのを抑制することができる。   Specifically, the temperature condition is such that a plating layer 22b that is an uneven side of the pressing member 22 is bonded to one main surface of the resin substrate 21, and the resin substrate 21 and the pressing member 22 are 100 ° C. or higher and 150 ° C. or lower. It is preferable to apply heat. By applying heat of 100 ° C. or more to the resin substrate 21 and the pressing member 22, the surface of the resin substrate 21 can be melted and the resin substrate 21 can be adhered along the unevenness of the pressing member 22. On the other hand, when heat exceeding 150 ° C. is applied to the resin substrate 21 and the pressing member 22, the resin of the resin substrate 21 begins to harden, and thus the pressing member 22 cannot be adhered in a state of being in close contact with the resin pressing member 22. Therefore, by applying heat of 150 ° C. or less to the resin substrate 21 and the pressing member 22, it is possible to prevent the resin pressing member 22 from being cured before the two are bonded in the bonding stage between the resin substrate 21 and the pressing member 22. can do.

また、圧力条件は、押圧部材22を樹脂基板21に向って、0.5MPa以上、5.0MPa以下の圧力を、樹脂基板21の一主面全面に対し均一となるように押圧することが好ましい。なお、この条件を、真空雰囲気下で、例えば5分から15分維持することで、樹脂基板21と押圧部材22とを密着させることができる。上記温度条件にて、圧力条件を0.5MPa以上とすることで、樹脂基板21と押圧部材22との間の隙間を十分に少なくして両者を密着させることができる。また、圧力条件を5.0MPa以下にすることで、押圧部材22と樹脂基板21との間から、樹脂基板21の一部が樹脂基板21の端部に向って流れ出るのを抑制することができる。   The pressure condition is preferably that the pressing member 22 is pressed toward the resin substrate 21 so that a pressure of 0.5 MPa or more and 5.0 MPa or less is uniformly applied to the entire main surface of the resin substrate 21. . The resin substrate 21 and the pressing member 22 can be brought into close contact with each other by maintaining this condition in a vacuum atmosphere, for example, for 5 to 15 minutes. By setting the pressure condition to 0.5 MPa or more under the above temperature condition, the gap between the resin substrate 21 and the pressing member 22 can be sufficiently reduced and the two can be brought into close contact with each other. Moreover, it can suppress that a part of resin substrate 21 flows out toward the edge part of the resin substrate 21 from between the press member 22 and the resin substrate 21 by making pressure conditions into 5.0 Mpa or less. .

次に、樹脂基板21を硬化させて、樹脂基板21と押圧部材22とを固定するために、樹脂基板21及び押圧部材22に、160℃以上、250℃以下の熱を加えることが好ましい。なお、熱を加える時間は、例えば40分から90分に設定されていれば、両者を十分に接着して固定することができる。   Next, in order to cure the resin substrate 21 and fix the resin substrate 21 and the pressing member 22, it is preferable to apply heat of 160 ° C. or more and 250 ° C. or less to the resin substrate 21 and the pressing member 22. In addition, if the time which applies heat is set to 40 minutes to 90 minutes, for example, both can fully adhere | attach and can be fixed.

ここで、樹脂基板21及び押圧部材22に、160℃以上の熱を加えることで、樹脂基板21を硬化させることができ、両者を固定することができる。また、樹脂基板21及び押圧部材22に、250℃を超える熱を加えると、樹脂基板21及び押圧部材22の熱膨張率の差が大きくなって、両者が剥離するおそれがある。そのため、樹脂基板21及び押圧部材22に、250℃以下の熱を加えることで、両者が剥離するのを抑制することができる。   Here, by applying heat of 160 ° C. or more to the resin substrate 21 and the pressing member 22, the resin substrate 21 can be cured and both can be fixed. Further, when heat exceeding 250 ° C. is applied to the resin substrate 21 and the pressing member 22, the difference between the thermal expansion coefficients of the resin substrate 21 and the pressing member 22 is increased, and there is a possibility that both of them are peeled off. Therefore, by applying heat of 250 ° C. or less to the resin substrate 21 and the pressing member 22, it is possible to suppress both from peeling.

次に、図3(c)に示すように、押圧部材22を樹脂基板21の一主面から取り除く。   Next, as shown in FIG. 3C, the pressing member 22 is removed from one main surface of the resin substrate 21.

固定した押圧部材22及び樹脂基板21を、エッチング液に、例えば1分から5分浸すことで、樹脂基板21から押圧部材22を溶解除去する。押圧部材22は、エッチングされて樹脂基板21の一主面から除去されるとともに、樹脂基板21の一主面が露出される。その結果、樹脂基板21の一主面には、貼り合わせた押圧部材22の一主面が転写されて、凹凸23が形成される。ここで、エッチング液は、例えば、塩化第2鉄、塩化銅、塩酸、硫酸又は硝酸などの強酸又は弱酸水溶液であって、濃度は、例えば5%から20%のものを用いることができる。   The fixed pressing member 22 and the resin substrate 21 are immersed in an etching solution for 1 to 5 minutes, for example, to dissolve and remove the pressing member 22 from the resin substrate 21. The pressing member 22 is etched and removed from one main surface of the resin substrate 21, and the one main surface of the resin substrate 21 is exposed. As a result, the one main surface of the bonded pressing member 22 is transferred to one main surface of the resin substrate 21 to form the unevenness 23. Here, the etching solution may be, for example, a strong acid or weak acid aqueous solution such as ferric chloride, copper chloride, hydrochloric acid, sulfuric acid, or nitric acid, and the concentration may be, for example, 5% to 20%.

また、樹脂基板21の他主面にも上述した工程を得て、凹凸23を形成することができる。なお、樹脂基板21は、厚み寸法が例えば0.3mmから1.5mmに設定されている。   Moreover, the unevenness | corrugation 23 can be formed in the other main surface of the resin substrate 21 by obtaining the process mentioned above. The resin substrate 21 has a thickness dimension set to 0.3 mm to 1.5 mm, for example.

ここで、過マンガン酸を主成分とする混合液を用いて、基板表面を溶かして、凹凸を形成する方法について説明し、本実施形態に係る発明と比較する。   Here, a method for forming the unevenness by dissolving the substrate surface using a mixed liquid containing permanganic acid as a main component will be described and compared with the invention according to the present embodiment.

基板表面を溶かし凹凸を形成する方法について説明する。基板には、基板を構成する材料が分離して、密になっている領域、粗になっている領域があるため、基板表面を溶かすと、基板表面に溶けにくい領域と、溶けやすい領域が発生してしまう。そのため、基板表面を溶かす方法では、基板表面に凹凸が疎らに形成されるとともに、基板表面の全面に凹凸を形成しようとすると、凹凸の最大高さを小さく抑えることが難しい。したがって、この基板表面の凹凸が小さい領域に導電層が形成されると、両者の接着力を良好に維持することが難しい。また、基板表面の凹凸が大きい領域に導電層が形成されると、両者の間に隙間が形成されやすく、両者が剥離しやすくなってしまう。また、基板表面を溶かす方法に用いられる混合液は、ペーハー(pH)が、例えば13から14のアルカリ性であって、例えば70℃から80℃に加熱して用いられる。樹脂は、酸性に耐性を有しているがアルカリ性に弱いため、基板表面に凹凸が形成されるものの、基板を構成する樹脂自体の強度が低下してしまい、基板が破壊されやすくなってしまう。このため、樹脂表面に凹凸が形成されアンカー効果が期待できる場合であっても、樹脂の強度が低下することから、樹脂の凸部が破壊され、樹脂と導電層を接着するアンカー効果が発揮されず、両者の接着力を良好に維持することができない。   A method of melting the substrate surface and forming irregularities will be described. There are areas in the substrate where the materials that make up the substrate are separated into dense and rough areas. When the substrate surface is melted, areas that are difficult to dissolve and areas that are easily melted are generated. Resulting in. Therefore, in the method of melting the substrate surface, irregularities are formed sparsely on the substrate surface, and it is difficult to keep the maximum height of the irregularities small when attempting to form irregularities on the entire surface of the substrate. Therefore, when a conductive layer is formed in a region where the unevenness on the surface of the substrate is small, it is difficult to maintain good adhesion between the two. In addition, when a conductive layer is formed in a region where the substrate surface has large irregularities, a gap is easily formed between the two, and both are easily peeled off. Further, the mixed solution used in the method for dissolving the substrate surface has an alkaline pH (pH) of 13 to 14, for example, and is heated to 70 to 80 ° C., for example. Although the resin is resistant to acidity but weak in alkalinity, although unevenness is formed on the surface of the substrate, the strength of the resin itself constituting the substrate is lowered, and the substrate is easily destroyed. For this reason, even when unevenness is formed on the resin surface and the anchor effect can be expected, the strength of the resin is reduced, so that the convex portion of the resin is destroyed and the anchor effect of bonding the resin and the conductive layer is exhibited. Therefore, the adhesive strength between the two cannot be maintained well.

一方、本実施形態に係る発明によれば、樹脂基板21の凹凸23は、押圧部材22上に膜成長した凹凸を転写したものであるから、基板表面を溶かす方法に比べて、樹脂基板21の一主面及び他主面に一様に凹凸23を形成することができる。そのため、本実施形態に係る発明によれば、凹凸の形成されにくい領域が発生するのを低減することができる。また、本実施形態に係る発明によれば、樹脂基板21の凹凸23は、転写されたものであるから、基板の溶けやすい領域と溶けにくい領域に左右されることなく、凹凸23を形成することができるため、凹凸の最大高さを小さく抑えることができる。したがって、本実施形態に係る樹脂基板21の一主面に、導電層3を形成した場合、樹脂基板21の一主面の全面に凹凸23が形成されているため、樹脂基板21と導電層3との接着力を良好に維持することができる。また、凹凸23の最大高さを小さく抑えることができるため、両者の間に隙間が形成されにくく、両者が剥離するのを効果的に抑制することができる。また、本実施形態に使用されるエッチング液は、ペーハー(pH)が、例えば2から4の酸性であって、例えば20℃から30℃に加熱して用いられる。したがって、エッチング液が酸性であるため、樹脂基板の強度が低下して、樹脂基板が破壊されるような問題も生じない。このため、樹脂表面に凹凸が形成された場合でも、樹脂強度が低下することがなく、樹脂の凸部が破壊され難いことから、樹脂と導電層を接着するアンカー効果が発揮され、両者の接着力を良好に維持することができる。   On the other hand, according to the invention according to the present embodiment, the unevenness 23 of the resin substrate 21 is a transfer of the unevenness grown on the pressing member 22, so that the resin substrate 21 has a surface roughness that is higher than that of the method of melting the substrate surface. Irregularities 23 can be formed uniformly on one main surface and the other main surface. Therefore, according to the invention according to the present embodiment, it is possible to reduce the occurrence of regions where unevenness is difficult to be formed. Further, according to the invention according to the present embodiment, since the unevenness 23 of the resin substrate 21 is transferred, the unevenness 23 is formed without being influenced by the easily soluble region and the hardly soluble region of the substrate. Therefore, the maximum height of the unevenness can be kept small. Therefore, when the conductive layer 3 is formed on one main surface of the resin substrate 21 according to the present embodiment, the unevenness 23 is formed on the entire main surface of the resin substrate 21, and thus the resin substrate 21 and the conductive layer 3. It is possible to maintain the adhesive strength with. Moreover, since the maximum height of the unevenness | corrugation 23 can be restrained small, it is hard to form a clearance gap between both, and it can suppress effectively that both peel. The etching solution used in the present embodiment has a pH (pH) of, for example, 2 to 4, and is heated to, for example, 20 ° C. to 30 ° C. Therefore, since the etching solution is acidic, there is no problem that the strength of the resin substrate is reduced and the resin substrate is destroyed. For this reason, even when unevenness is formed on the resin surface, the resin strength does not decrease and the resin protrusions are not easily destroyed. The force can be maintained well.

次に、樹脂基板21には、図3(d)に示すように、従来周知のドリル加工などによって、上下方向に貫通するスルーホール7を形成する。そして、図3(e)に示すように、無電解めっきなどにより、樹脂基板21の表面に導電層3を構成する材料を被着させ、めっき3’を形成するとともに、スルーホール7の内壁面にスルーホール導体8を形成する。スルーホール7は、樹脂基板21に複数個以上形成され、その直径が例えば0.1mmから1mmに設定されている。   Next, as shown in FIG. 3D, through holes 7 penetrating in the vertical direction are formed in the resin substrate 21 by a conventionally known drilling process or the like. Then, as shown in FIG. 3 (e), the material constituting the conductive layer 3 is deposited on the surface of the resin substrate 21 by electroless plating or the like to form the plating 3 ′ and the inner wall surface of the through hole 7. A through-hole conductor 8 is formed on the substrate. A plurality of through holes 7 are formed in the resin substrate 21, and the diameter is set to 0.1 mm to 1 mm, for example.

そのあと、図4(a)に示すように、スルーホール7に例えばポリイミド等の樹脂を充填し、絶縁体9を形成する。さらに、図4(b)に示すように、絶縁体9の直上にも、従来周知の蒸着法、CVD法又はスパッタリング法等によって、導電層3を構成する材料を被着し、めっき3’を被着させる。そして、その表面にレジストを塗布し、露光現像を行った後、エッチング処理をして、図4(c)に示すように、次に、樹脂基板21の一主面に形成された凹凸23に沿って導電層3を形成する。そのため、樹脂基板21の一主面には、導電層3が形成された配線領域Aと、凹凸23が露出した露出領域Bが存在する。   Thereafter, as shown in FIG. 4A, the through-hole 7 is filled with a resin such as polyimide to form an insulator 9. Further, as shown in FIG. 4B, the material constituting the conductive layer 3 is deposited on the insulator 9 by a conventionally known vapor deposition method, CVD method, sputtering method or the like, and the plating 3 ′ is formed. Adhere. And after apply | coating a resist to the surface and performing exposure development, it etches and then, as shown in FIG.4 (c), next to the unevenness | corrugation 23 formed in the one main surface of the resin board | substrate 21 A conductive layer 3 is formed along the line. Therefore, on one main surface of the resin substrate 21, there are a wiring region A where the conductive layer 3 is formed and an exposed region B where the unevenness 23 is exposed.

次に、接着剤が被着したフィルム層4aを準備する。接着剤は、例えばポリイミド樹脂からなり、従来周知のスピンコート法等によって、フィルム層4a上に被着させることができる。   Next, the film layer 4a to which the adhesive is applied is prepared. The adhesive is made of, for example, a polyimide resin, and can be deposited on the film layer 4a by a conventionally known spin coating method or the like.

次に、図4(d)に示すように、配線領域A及び露出領域Bにかけて、接着剤を介してフィルム層4aを貼り合わせる。さらに、導電層3にフィルム層4を貼り合わせた状態で、例えば加熱プレス装置で熱を接着剤に印加することによって、接着剤を硬化し、フィルム層4aを導電層3に固着する。さらに接着剤を硬化することによって、接着層4bを形成することができる。そして、配線領域A及び露出領域Bにかけて、フィルム層4aと接着層4bとからなる絶縁層4が形成される。   Next, as shown in FIG. 4D, the film layer 4a is bonded to the wiring region A and the exposed region B through an adhesive. Further, in a state where the film layer 4 is bonded to the conductive layer 3, for example, by applying heat to the adhesive with a heating press device, the adhesive is cured and the film layer 4 a is fixed to the conductive layer 3. Further, the adhesive layer 4b can be formed by curing the adhesive. Then, the insulating layer 4 including the film layer 4a and the adhesive layer 4b is formed over the wiring area A and the exposed area B.

絶縁層4は、露出領域Bと接着して形成されるため、露出領域Bの凹凸23に沿って接着層4bが固着される。そのため、絶縁層4と露出領域Bとの接触面積が大きくなることで、両者の接着力を良好に維持することができ、絶縁層4が樹脂基板21から剥離するのを抑制することができる。   Since the insulating layer 4 is formed by adhering to the exposed region B, the adhesive layer 4b is fixed along the unevenness 23 of the exposed region B. Therefore, by increasing the contact area between the insulating layer 4 and the exposed region B, it is possible to maintain a good adhesive force between them, and to suppress the peeling of the insulating layer 4 from the resin substrate 21.

次に、図4(e)に示すように、上述した樹脂基板21に凹凸を形成した方法と同様の方法により、絶縁層4の一主面に凹凸23を形成する。   Next, as shown in FIG. 4E, the unevenness 23 is formed on one main surface of the insulating layer 4 by a method similar to the method of forming the unevenness on the resin substrate 21 described above.

次に、図5(a)に示すように、絶縁層4に、例えばYAGレーザー装置又はCOレーザー装置を用いて、ビア孔24を形成する。ビア孔24は、絶縁層4の一主面に対して垂直方向から、絶縁層4の一主面に向けてレーザー光が照射されることによって形成される。さらに、図5(b)に示すように、ビア孔24に、例えば従来周知のめっき処理を施し、導電性材料を充填することによってビア導体10を形成する。 Next, as shown in FIG. 5A, via holes 24 are formed in the insulating layer 4 using, for example, a YAG laser device or a CO 2 laser device. The via hole 24 is formed by irradiating laser light toward one main surface of the insulating layer 4 from a direction perpendicular to one main surface of the insulating layer 4. Further, as shown in FIG. 5B, the via hole 24 is subjected to, for example, a conventionally known plating process and filled with a conductive material, thereby forming the via conductor 10.

次に、フィルム層4aの一主面に対して、従来周知の蒸着法、CVD法又はスパッタリング法等によって、導電層3を構成する材料を被着させる。そして、その表面にレジストを塗布し、露光現像を行った後、エッチング処理をして、図5(c)に示すように、導電層3を形成する。また、絶縁層4の一主面に凹凸が形成されているため、その絶縁層4と導電層3との接触面積を大きくし、両者の接着力を良好に維持することで、両者の剥離を抑制することができる。   Next, the material constituting the conductive layer 3 is deposited on one main surface of the film layer 4a by a conventionally known vapor deposition method, CVD method, sputtering method or the like. And after apply | coating a resist to the surface and performing exposure development, it etches and forms the conductive layer 3 as shown in FIG.5 (c). Moreover, since the unevenness is formed on one main surface of the insulating layer 4, the contact area between the insulating layer 4 and the conductive layer 3 is increased, and the adhesive strength between the two is maintained, so that the both can be separated. Can be suppressed.

このようにして、配線基板1を作製することができる。そして、配線基板1に対してバンプ5を介して半導体素子6を実装することによって、実装構造体を作製することができる。   In this way, the wiring board 1 can be manufactured. A mounting structure can be manufactured by mounting the semiconductor element 6 on the wiring board 1 via the bumps 5.

なお、本発明は上述の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。   In addition, this invention is not limited to the above-mentioned form, A various change, improvement, etc. are possible in the range which does not deviate from the summary of this invention.

上記実施形態では、押圧部材を板体としたが、表面が凹凸状の部材であれば、球状や多角形状のものであってもよい。   In the said embodiment, although the press member was made into the plate body, if the surface is an uneven | corrugated member, a spherical or polygonal thing may be sufficient.

本発明の実施形態に係る配線基板の平面図である。It is a top view of the wiring board concerning the embodiment of the present invention. 本発明の実施形態に係る配線基板の断面図である。It is sectional drawing of the wiring board which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る配線基板の製造工程を説明する断面図である。It is sectional drawing explaining the manufacturing process of the wiring board which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る配線基板の製造工程を説明する断面図である。It is sectional drawing explaining the manufacturing process of the wiring board which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る配線基板の製造工程を説明する断面図である。It is sectional drawing explaining the manufacturing process of the wiring board which concerns on embodiment of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1 配線基板
2 コア基板
3 導電層
3a 信号線路
3b グランド層
4 絶縁層
4a フィルム層
4b 接着層
5 バンプ
6 半導体素子
7 スルーホール
8 スルーホール導体
9 絶縁体
10 ビア導体
21 樹脂基板
22 押圧部材
23 凹凸
24 ビア孔
A 配線領域
B 露出領域
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Wiring board 2 Core board 3 Conductive layer 3a Signal line 3b Ground layer 4 Insulating layer 4a Film layer 4b Adhesive layer 5 Bump 6 Semiconductor element 7 Through hole 8 Through hole conductor 9 Insulator 10 Via conductor 21 Resin substrate 22 Press member 23 Concavity and convexity 24 Via hole A Wiring area B Exposed area

Claims (9)

未硬化の樹脂基板と、表面が凹凸状の押圧部材を準備する工程と、
前記樹脂基板の一主面に、前記押圧部材の表面を押圧し、前記樹脂基板の一主面に凹凸を形成する工程と、
前記樹脂基板に対し前記押圧部材を押圧した状態で、前記樹脂基板に熱を加えて、前記樹脂基板を硬化する工程と、
前記押圧部材を前記樹脂基板の一主面から取り除く工程と、
前記樹脂基板の一主面に形成された前記凹凸に沿って導電層を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする配線基板の製造方法。
A step of preparing an uncured resin substrate and a pressing member having an uneven surface;
Pressing the surface of the pressing member on one main surface of the resin substrate and forming irregularities on the one main surface of the resin substrate;
In a state where the pressing member is pressed against the resin substrate, heat is applied to the resin substrate to cure the resin substrate;
Removing the pressing member from one main surface of the resin substrate;
Forming a conductive layer along the irregularities formed on one main surface of the resin substrate;
A method of manufacturing a wiring board, comprising:
請求項1に記載の配線基板の製造方法において、
前記樹脂基板の一主面に凹凸を形成する工程は、前記樹脂基板に熱を加えて、前記樹脂基板の一主面を溶かし、前記樹脂基板の一主面を前記押圧部材の表面に接着させることを特徴とする配線基板の製造方法。
In the manufacturing method of the wiring board of Claim 1,
In the step of forming irregularities on one main surface of the resin substrate, heat is applied to the resin substrate, the one main surface of the resin substrate is melted, and the one main surface of the resin substrate is adhered to the surface of the pressing member. A method for manufacturing a wiring board.
請求項1又は請求項2に記載の配線基板の製造方法において、
前記押圧部材は、エッチングされて前記樹脂基板の一主面から除去されるとともに、前記樹脂基板の一主面が露出されることを特徴とする配線基板の製造方法。
In the manufacturing method of the wiring board according to claim 1 or 2,
The method of manufacturing a wiring board, wherein the pressing member is etched and removed from one main surface of the resin substrate, and the one main surface of the resin substrate is exposed.
請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の配線基板の製造方法において、
前記樹脂基板の一主面に形成される前記凹凸の最大高さ(Rz)は、0.2μm以上、3.0μm以下であることを特徴とする配線基板の製造方法。
In the manufacturing method of the wiring board in any one of Claims 1 thru | or 3,
The method for manufacturing a wiring board, wherein the maximum height (Rz) of the unevenness formed on one main surface of the resin substrate is 0.2 μm or more and 3.0 μm or less.
請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の配線基板の製造方法において、
前記押圧部材を前記樹脂基板に向って押圧する圧力は、0.5MPa以上、5.0MPa以下であることを特徴とする配線基板の製造方法。
In the manufacturing method of the wiring board in any one of Claim 1 thru | or 4,
A method for manufacturing a wiring board, wherein the pressure for pressing the pressing member toward the resin substrate is 0.5 MPa or more and 5.0 MPa or less.
請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の配線基板の製造方法において、
前記樹脂基板を硬化させる熱の温度は、160℃以上、250℃以下であることを特徴とする配線基板の製造方法。
In the manufacturing method of the wiring board in any one of Claims 1 thru | or 5,
The method of manufacturing a wiring board, wherein a temperature of heat for curing the resin substrate is 160 ° C. or higher and 250 ° C. or lower.
請求項2に記載の配線基板の製造方法において、
前記樹脂基板の一主面を溶かす熱の温度は、100℃以上、150℃以下であることを特徴とする配線基板の製造方法。
In the manufacturing method of the wiring board of Claim 2,
The method of manufacturing a wiring board, wherein a temperature of heat for melting one main surface of the resin board is 100 ° C. or higher and 150 ° C. or lower.
請求項1乃至請求項7のいずれかに記載の配線基板の製造方法において、
前記押圧部材は、酸化亜鉛から成るとともに、前記樹脂基板は、熱硬化性樹脂から成ることを特徴とする配線基板の製造方法。
In the manufacturing method of the wiring board in any one of Claim 1 thru | or 7,
The pressing member is made of zinc oxide, and the resin substrate is made of a thermosetting resin.
請求項1乃至請求項8のいずれかに記載の配線基板の製造方法において、
前記樹脂基板の一主面には、前記導電層が形成された配線領域と、前記凹凸が露出した露出領域が存在し、
さらに、前記配線領域及び前記露出領域にかけて絶縁層を形成する工程を、備えたことを特徴とする配線基板の製造方法。
In the manufacturing method of the wiring board in any one of Claims 1 thru | or 8,
On one main surface of the resin substrate, there is a wiring region where the conductive layer is formed and an exposed region where the unevenness is exposed,
Furthermore, the manufacturing method of the wiring board characterized by including the process of forming an insulating layer over the said wiring area | region and the said exposed area | region.
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WO2012140744A1 (en) * 2011-04-13 2012-10-18 三共化成株式会社 Molded circuit component

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