JP2008268666A - Element manufacturing method and display device manufacturing method using the same - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、素子の製造方法及びそれを用いた表示装置の製造方法に関し、特に、有機エレクトロルミネッセンス素子(有機EL素子)、液晶素子等を用いた表示装置の製造に好適な素子の製造方法に関する。 The present invention relates to an element manufacturing method and a display apparatus manufacturing method using the element, and more particularly to an element manufacturing method suitable for manufacturing a display device using an organic electroluminescence element (organic EL element), a liquid crystal element, and the like. .
近年、液晶素子、有機EL素子などを用いた薄型の表示装置が多く利用されている。図10は、有機EL素子1の構成を概略的に示している。ガラス等の基板2上に、陽極3、有機EL層8(正孔輸送層4、発光層5、及び電子輸送層6)、陰極7等が形成されている。なお、図10では、隔壁、絶縁膜、封止部材等は省略されている。そして引出配線(端子)9を介して外部の配線と接続し、両極3,7に電界を印加することにより、電極3,7間に挟まれた領域の発光層5が励起状態となって発光する。
In recent years, thin display devices using a liquid crystal element, an organic EL element, and the like are often used. FIG. 10 schematically shows the configuration of the organic EL element 1. An
このような構成の有機EL素子1を基板2上に形成する場合、マスクを用いた真空蒸着や露光によるパターニングを行うことで所定の位置に形成する。カラー表示が可能な表示装置を製造する場合は、例えば、基板上に陽極をストライプ状に形成した後、陽極上に赤(R)、緑(G)、青(B)に対応した有機EL層が繰り返し現れるように有機色素材料等でパターニングを行う。次いで、有機EL層上に陰極を形成し、さらに、各電極の端子(外部接続端子)に制御配線、信号配線等の外部配線を接続する。これにより、RGBに対応した有機EL層素子が並んで画素を構成し、カラー表示を行うことができる。
When the organic EL element 1 having such a configuration is formed on the
なお、基板2に関しては、ガラス基板のほか、樹脂フィルムや薄い金属板等の可撓性基板を用いる場合もある(例えば特許文献1〜3参照)。このような可撓性基板を用いて表示装置を製造する場合には、例えば、ガラス等の支持体上に可撓性基板を支持した状態でパターニングを行う(例えば特許文献4参照)。
In addition, regarding the board |
上記のような表示装置を製造する場合、製造コストを削減するため、大面積のガラス基板上に素子を形成した後、基板を所定のサイズに分割する方法がある。このように大面積のガラス基板にパターニングを行って取り数を増やすことで、製造コストの低減を図ることができる。 When manufacturing the display device as described above, there is a method of dividing the substrate into a predetermined size after forming elements on a large-area glass substrate in order to reduce manufacturing costs. In this manner, the manufacturing cost can be reduced by patterning a large-area glass substrate to increase the number of the substrates.
樹脂フィルムのような可撓性基板を用いて表示装置を製造する場合も、生産性の向上や製造コストの削減を図るため、例えば、図7に示すように、ガラス基板等の大面積の支持基板30上にこれとほぼ同じサイズの樹脂フィルム34を貼り付けてパターニングを行った後、所定のサイズの基板36に分割する方法が考えられる。
Even in the case of manufacturing a display device using a flexible substrate such as a resin film, in order to improve productivity and reduce manufacturing cost, for example, as shown in FIG. A method is conceivable in which a
ところが、樹脂フィルムのような可撓性基板では、真空蒸着やフォトリソグラフィーを行う際に基板が伸縮し易く、例えば角部に位置していたフィルム基板では、図8に示すように陽極38が設計位置37から大きくずれた位置に形成されてしまう場合がある。特に陽極38の幅方向Wの位置が設計位置37から大きくずれてしまうと、有機EL層のRGBを蒸着マスクにて塗わけ形成する場合など塗わけ不良が生じ、発光不良などの問題が生じる。
However, in the case of a flexible substrate such as a resin film, the substrate easily expands and contracts when performing vacuum deposition or photolithography. For example, in the case of a film substrate located at a corner, the
本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり、可撓性基板上に素子のパターニングを行う場合に加工マージンを容易にとることができ、高精度にパターニングを行うことができる素子の製造方法及びそれを用いた表示装置の製造方法を提供することを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and a device manufacturing method that can easily provide a processing margin when patterning a device on a flexible substrate and can perform patterning with high accuracy. It is another object of the present invention to provide a method for manufacturing a display device using the same.
上記目的を達成するため、本発明では以下の素子の製造方法等が提供される。
<1> 可撓性基板上に素子を製造する方法であって、前記可撓性基板よりも寸法変化率の小さい支持基板上に複数の前記可撓性基板を分割した状態で保持する工程と、前記支持基板上に保持された各可撓性基板上に素子をパターニングする工程と、を含むことを特徴とする素子の製造方法。
In order to achieve the above object, the present invention provides the following device manufacturing method and the like.
<1> A method of manufacturing an element on a flexible substrate, the step of holding a plurality of the flexible substrates in a divided state on a support substrate having a smaller dimensional change rate than the flexible substrate; And patterning the element on each flexible substrate held on the support substrate.
<2> 前記可撓性基板を、粘着層を介して前記支持基板上に保持することを特徴とする<1>に記載の素子の製造方法。 <2> The element manufacturing method according to <1>, wherein the flexible substrate is held on the support substrate via an adhesive layer.
<3> 前記支持基板上に前記パターニングを行う可撓性基板よりも面積が大きい可撓性基板を保持した後、該大面積の可撓性基板を切断して前記パターニングを行う可撓性基板に分割することを特徴とする<1>又は<2>に記載の素子の製造方法。 <3> A flexible substrate that holds the flexible substrate having a larger area than the flexible substrate that performs the patterning on the support substrate, and then performs the patterning by cutting the flexible substrate having the large area. <1> or <2> The method for producing an element according to <1>, wherein the element is divided into two.
<4> 前記パターニングを行う可撓性基板を、前記支持基板上にマトリクス状に配置することを特徴とする<1>〜<3>のいずれかに記載の素子の製造方法。 <4> The method for manufacturing an element according to any one of <1> to <3>, wherein the patterning flexible substrate is arranged in a matrix on the support substrate.
<5> 前記粘着層を、前記パターニングを行う可撓性基板ごとに独立して設けることを特徴とする<2>〜<4>のいずれかに記載の素子の製造方法。 <5> The method for producing an element according to any one of <2> to <4>, wherein the adhesive layer is provided independently for each flexible substrate to be patterned.
<6> 前記支持基板にアライメントマークを設け、該支持基板のアライメントマークを基準として前記可撓性基板上に前記素子のパターニングを行うことを特徴とする<1>〜<5>のいずれかに記載の素子の製造方法。 <6> Any one of <1> to <5>, wherein an alignment mark is provided on the support substrate, and the element is patterned on the flexible substrate based on the alignment mark of the support substrate. The manufacturing method of the element of description.
<7> 可撓性基板上に画素をパターニングして表示装置を製造する方法であって、<1>〜<6>のいずれかに記載の方法を用いて前記画素のパターニングを行うことを特徴とする表示装置の製造方法。 <7> A method of manufacturing a display device by patterning pixels on a flexible substrate, wherein the pixels are patterned using the method according to any one of <1> to <6>. A method for manufacturing a display device.
本発明によれば、可撓性基板上に素子のパターニングを行う場合に、加工マージンを容易にとることができ、高精度にパターニングを行うことができる素子の製造方法及びそれを用いた表示装置の製造方法が提供される。 According to the present invention, when patterning an element on a flexible substrate, it is possible to easily obtain a processing margin and to perform patterning with high accuracy, and a display device using the same. A manufacturing method is provided.
以下、添付の図面を参照しながら、本発明に係る素子の製造方法及びそれを適用して主に有機EL素子による表示装置を製造する場合について説明する。 Hereinafter, a method for manufacturing an element according to the present invention and a case of manufacturing a display device mainly using an organic EL element will be described with reference to the accompanying drawings.
図1は、本発明により可撓性基板上に有機EL素子等の素子のパターニングを行う方法の一例を概略的に示している。支持基板10上には粘着層12を介して複数(9枚)の可撓性基板14が分割された状態で保持されている。支持基板10は、素子のパターニングを行う場合に可撓性基板14よりも寸法変化率が小さい基板が使用されている。このように支持基板10上に分割された状態で複数の可撓性基板14を保持することで加工マージンを容易にとることができ、支持基板10上の全ての可撓性基板14に対して高精度にパターニングを行うことができる。
FIG. 1 schematically shows an example of a method for patterning an element such as an organic EL element on a flexible substrate according to the present invention. On the
<可撓性基板>
可撓性基板14は目的に応じて選択すればよい。例えば、可撓性基板14上に有機EL素子を形成した表示装置を製造する場合には、可撓性基板14として、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ(クロロトリフルオロエチレン)等のフィルム基板を用いることができる。このような樹脂材料からなるフィルム基板であれば、光透過性及び強度が高く、表示装置の基板として好適である。
<Flexible substrate>
The
また、樹脂製の可撓性基板14には、水分や酸素の透過を防止するためのガスバリア層、有機EL素子の傷付きを防止するためのハードコート層、基板の平坦性や陽極との密着性を向上するためのアンダーコート層等を適宜備えることも可能である。
なお、いわゆるトップエミッション型の表示装置を製造する場合には、可撓性基板14として、ステンレス等の金属製の基板を用いることもできる。
The
In the case of manufacturing a so-called top emission type display device, a metal substrate such as stainless steel can be used as the
可撓性基板14の厚さは、その材質や目的に応じて決めればよいが、有機EL素子による表示装置を製造する場合には、強度、光透過性、可撓性等を考慮すると、好ましくは、50μm〜3mm、より好ましくは、100μm〜300μm程度とすることができる。
The thickness of the
<支持基板>
支持基板10は、可撓性基板14上に素子をパターニングする間、可撓性基板14を一時的に保持するためのものであり、本発明では、前記のような可撓性基板14を保持することができ、パターニングを行う場合に可撓性基板14よりも寸法変化率の小さいものを使用する。ここで、パターニングを行う場合の基板の寸法変化率とは、パターニングの開始から終了までに基板の寸法が変化する割合のことを意味する。例えば、可撓性基板14上にマスク蒸着によりパターニングを行う場合には、蒸着時の熱により可撓性基板14の寸法が変化しや易く、また、フォトリソグラフィーによるパターニングでは、レジストの塗布、露光、アルカリ現像、溶剤によるレジストの剥離などの処理が行われ、可撓性基板14の寸法が変化し易い。そこで、支持基板10としては、このようなパターニング工程における可撓性基板14の寸法変化率よりも寸法変化率が小さい基板を選択すればよい。そのような支持基板10としては、具体的には、ガラス基板、セラミック基板、金属基板等が挙げられ、特にガラス基板が好適である。
<Support substrate>
The
支持基板10のサイズは、素子のパターニングを行う複数の可撓性基板14を分割した状態で保持することができるサイズとする。特に大面積の支持基板10を用い、可撓性基板14の取り数を増やしてパターニングを行えば、生産性が向上するため好ましい。支持基板10としてガラス基板を用いる場合は、例えば、縦横の寸法が400mm×500mm、あるいはそれ以上のガラス基板を用いることができる。
The size of the
<保持手段>
可撓性基板14を支持基板10上に保持する手段としては、パターニング工程で可撓性基板14を支持基板10上に固定して確実に保持することができ、さらに、パターニング工程後は、可撓性基板14を剥離することができる手段であれば特に限定されない。具体的には、粘着層、接着層、真空吸着などが挙げられ、作業の容易性、保持力等から、粘着層12が好ましい。
<Holding means>
As a means for holding the
粘着層12を構成する材料としては、パターニング工程後は、例えば、水、有機溶媒、紫外線照射等によって可撓性基板14を容易に剥離することができるものが好ましく、例えば、シリコン系樹脂(オイル型、ペースト型、溶液型等)、ブチルゴム、アクリルゴム、ウレタンゴム等が挙げられる。このような粘着剤を両面に設けた粘着テープ、粘着シート、粘着フィルム等を好適に用いることができ、両面で粘着力(接着力)が異なるものでもよい。また、例えば、粘着剤を含む溶液を、支持基板10及び可撓性基板14の少なくともいずれか一方に、ロールコーティング、スピンコーティング、ナイフコーティング、スプレーコーティング等により均一に塗布して粘着層12を設けてもよい。
The material constituting the
粘着層12の厚さは、可撓性基板14及び支持基板10のそれぞれの材質、厚さ、パターニング条件等にもよるが、例えば、5〜300μmの厚さとすることができる。
Although the thickness of the
次に、複数のフィルム基板(可撓性基板)14をガラス基板(支持基板)10上に分割した状態で保持し、各フィルム基板14上に有機EL素子のパターニングを行う手順について具体的に説明する。
Next, a procedure for holding the plurality of film substrates (flexible substrates) 14 in a state of being divided on the glass substrate (support substrate) 10 and patterning the organic EL elements on each
<可撓性基板の保持>
まず、ガラス基板10上に複数のフィルム基板14を分割した状態で保持する。例えば、ガラス基板10とほぼ同じ面積を有する大面積の樹脂フィルムを粘着層12を介してガラス基板10上に貼り付けた後、この大面積の樹脂フィルムをカッター等で所定のサイズに切断して複数のフィルム基板14に分割することができる。あるいは、前記のような大面積の樹脂フィルムを予め分割し、この分割されたフィルム基板14をそれぞれガラス基板10上に貼り付けてもよい。
ガラス基板10上に保持するフィルム基板14の数は2枚以上であれば特に限定されず、目的に応じて適宜決めればよい。また、ガラス基板10上に保持される各フィルム基板14のサイズも特に限定されず、目的に応じて決めればよい。
<Holding of flexible substrate>
First, the plurality of
The number of
ガラス基板10上でのフィルム基板14の配置は、全てのフィルム基板14が分割された状態で保持されていれば特に限定されるものではないが、図1に示されるようにガラス基板10上に複数のフィルム基板14がマトリクス状に配置されていることが好ましい。このようにガラス基板10上にフィルム基板14をマトリクス状に配置すれば、フィルム基板14間の隙間が小さく、フィルム基板14の取り数を最大限にすることができる。また、フィルム基板14がガラス基板10上にマトリクス状に配置されていれば、各フィルム基板14に対する素子のパターニングを容易に行うことができる。
The arrangement of the
また、フィルム基板14は、基板14ごとに独立した粘着層12を設けてガラス基板10上に貼り付けられていることが好ましい。例えば、図2に示すように、各フィルム基板14が、それとほぼ同じ大きさの粘着層12を介してガラス基板10に貼り付けられ、隣接するフィルム基板14間では粘着層12がほとんど存在しない状態とする。例えば、大面積の樹脂フィルムを粘着層を介してガラス基板10上に貼り付けた後、この樹脂フィルムをマトリクス状に分割する際、樹脂フィルムとともに粘着層を切断する。このとき、隣接するフィルム基板14間に所定の隙間、例えば、1〜10mm程度の隙間が形成されるようにフィルム基板と粘着層を切断して除去する。このような方法により各フィルム基板14がそれぞれ独立した粘着層12を介して確実に保持されるとともに、隣接するフィルム基板14間では粘着層12にも隙間が設けられることになる。
なお、予め分割して得た複数のフィルム基板14を、図2に示すように互いに隙間を設けてガラス基板10上に貼り付けてもよい。また、寸法精度上問題なければ、パターニング後に分割して得たフィルムをさらに分割してもかまわない。
The
In addition, you may affix the some film board |
例えば、粘着層12として、パターニング工程で寸法変化が生じ易いPET等を支持体とした両面粘着シートやテープを用いても、図2に示したように分割された各フィルム基板14がガラス基板10上に互いに独立した粘着層12を介して貼り付けられていれば、パターニングの際、粘着層12がある程度伸縮しても、パターニング精度への影響を確実に防ぐことができる。
For example, even if a double-sided pressure-sensitive adhesive sheet or tape using PET or the like that is likely to undergo dimensional changes in the patterning step as the
また、パターニング精度をより向上させるため、ガラス基板10には各フィルム基板14に対応したアライメントマークを設けることが好ましい。パターニングを行う際、真空蒸着における加熱やフォトリソグラフィーで使用する溶媒等によってフィルム基板14が伸縮して寸法が変化する。例えば図3(A)に示すように、フィルム基板14に設けたアライメントマーク16を基準とすると、フィルム基板14の収縮に対応してアライメントマーク16aの位置が設計位置16からずれることがある。特に、マスクを使った蒸着や露光などにより複数回のパターニング工程がある場合、工程ごとにフィルム基板14の寸法変化が生じ、フィルム基板14の寸法変化の影響を受けてアライメントを合わせることが困難となる。この場合、図3(B)に示すようにフィルム基板14のアライメントマーク16aとマスク20のアライメントマーク22との位置合わせが難しくなり、フィルム基板14の寸法変化を考慮してアライメントの補正が必要となる。
In order to further improve the patterning accuracy, the
一方、ガラス基板10の寸法はフィルム基板14に対するパターニング工程においてほとんど変化しないため、例えば、図4(A)に示すように、ガラス基板10上に個々のフィルム基板14に対応した位置にアライメントマーク18を設けることで、フィルム基板14とマスク20とのアライメントを、容易にかつ確実に行うことができる。
ガラス基板10上のアライメントマーク18は、例えば、フィルム基板14の伸縮マージンを考慮したパターニング設計にのみしておけばよい。このようにフィルム基板14の伸縮マージンを考慮したパターン設計に対応したアライメントマーク18をガラス基板10上に設けておけば、図4(B)に示すようにフィルム基板14が伸縮してもアライメントの補正は不要となり、伸縮後のフィルム基板14aに対するパターニングを容易に行うことができる。なお、ガラス基板10上のアライメントマーク18やマスク20のアライメントマーク22は図4に示した態様に限定されず、適宜設計すればよい。
また、例えばパターニング工程後のアライメント用として、フィルム基板14にもアライメントマークを設けておいてもよい。
On the other hand, since the dimensions of the
For example, the
Further, for example, an alignment mark may be provided on the
<パターニング>
上記のようにガラス基板10上に複数のフィルム基板14を分割した状態で保持した後、各フィルム基板14上に発光層を含む有機EL素子を形成する。
有機EL素子の層構成は特に限定されるものではなく、目的に応じて適宜設定すればよい。例えば下記のような層構成が挙げられるが、本発明はこれらの構成に限定されるものではない。
・陽極/発光層/陰極
・陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
・陽極/正孔輸送層/発光層/ブロック層/電子輸送層/陰極
・陽極/正孔輸送層/発光層/ブロック層/電子輸送層/電子注入層/陰極
・陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/ブロック層/電子輸送層/陰極
・陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/ブロック層/電子輸送層/電子注入層/陰極
<Patterning>
After holding the plurality of
The layer structure of the organic EL element is not particularly limited, and may be appropriately set depending on the purpose. For example, the following layer configurations may be mentioned, but the present invention is not limited to these configurations.
Anode / light-emitting layer / cathode Anode / hole transport layer / light-emitting layer / electron transport layer / cathode Anode / hole transport layer / light-emitting layer / block layer / electron transport layer / cathode Anode / hole transport layer / Light emitting layer / block layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode ・ Anode / hole injection layer / hole transport layer / light emission layer / block layer / electron transport layer / cathode ・ Anode / hole injection layer / hole transport Layer / light emitting layer / block layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode
−陽極−
ガラス基板10上に保持された各フィルム基板14上に陽極を形成する。陽極材料は公知のものを用いることができ、例えば、アンチモンやフッ素等をドープした酸化錫(ATO、FTO)、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫(ITO)、酸化亜鉛インジウム(IZO)、アルミニウムやガリウムをドープした酸化亜鉛(AZO、GZO)等の導電性金属酸化物を好適に用いることができる。陽極材料を、例えばスパッタ蒸着によりフィルム基板14上に蒸着した後、レジストの塗布やマスク露光などを含むフォトリソグラフィーによりパターニングを行う。このとき、特に、図4に示したようなガラス基板10のアライメントマークを基準としてフィルム基板14上に素子のパターニングを行うことで、パターニング精度をより向上させることができる。これにより、例えば図5に示すように、各フィルム基板14上に陽極24をストライプ状に形成することができる。なお、図5では、陽極24の一部は省略されている。
-Anode-
An anode is formed on each
ガラス基板10上で個々に分割された状態の各フィルム基板14に対して上記のように陽極24のパターニングを行えば、フィルム基板14の寸法変化による影響を効果的に抑制することができる。例えばガラス基板10の角部に位置していたフィルム基板14でも、図6に示すように陽極24の設計位置23からのズレは極めて小さく、高精度にパターニングすることができる。このように陽極24の設計位置23からのずれが小さく抑えられ、パターニング精度が向上するため、後の工程において、例えばRGBに対応した発光層を陽極24上に高精度に塗り分けることができる。
If the
−有機EL層−
陽極24を形成した後、絶縁膜や隔壁を形成し、さらに発光層を含む有機EL層を形成する。有機EL層は少なくとも発光層を含み、電圧の印加により所定の発光色を呈することができれば、層構成、厚み、材料等は特に限定されるものではなく、公知の層構成、材料等を採用することができる。
-Organic EL layer-
After forming the
陽極24上に必要に応じて正孔輸送層等を形成した後、陽極24に対応した位置に、例えばRGBに相当する発光層を塗り分けて形成する。
発光層は、電界印加時に、陽極、正孔注入層、又は正孔輸送層から正孔を受け取り、陰極、電子注入層、又は電子輸送層から電子を受け取り、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させる機能を有する層である。発光層は、発光材料のみで構成されていても良く、ホスト材料と発光材料の混合層とした構成でも良い。さらに、発光層中に電荷輸送性を有さず、発光しない材料を含んでいても良い。また、発光層は1層であっても2層以上であってもよく、それぞれの層が異なる発光色で発光してもよい。
After forming a hole transport layer or the like on the
The light-emitting layer receives holes from the anode, the hole injection layer, or the hole transport layer when an electric field is applied, receives electrons from the cathode, the electron injection layer, or the electron transport layer, and recombines holes and electrons. It is a layer which has the function to provide and to emit light. The light emitting layer may be composed of only a light emitting material, or may be a mixed layer of a host material and a light emitting material. Further, the light emitting layer may include a material that does not have charge transporting properties and does not emit light. Further, the light emitting layer may be a single layer or two or more layers, and each layer may emit light in different emission colors.
発光材料は蛍光発光材料でも燐光発光材料であっても良く、ドーパントは1種であっても2種以上であっても良い。
蛍光発光材料の例としては、例えば、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、スチリルベンゼン誘導体、ポリフェニル誘導体、ジフェニルブタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ナフタルイミド誘導体、クマリン誘導体、縮合芳香族化合物、ペリノン誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサジン誘導体、アルダジン誘導体、ピリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、ビススチリルアントラセン誘導体、キナクリドン誘導体、ピロロピリジン誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、スチリルアミン誘導体、ジケトピロロピロール誘導体、芳香族ジメチリディン化合物、8−キノリノール誘導体の金属錯体やピロメテン誘導体の金属錯体に代表される各種金属錯体等、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化合物、有機シラン誘導体などの化合物等が挙げられる。
The light emitting material may be a fluorescent light emitting material or a phosphorescent light emitting material, and the dopant may be one type or two or more types.
Examples of fluorescent light emitting materials include, for example, benzoxazole derivatives, benzimidazole derivatives, benzothiazole derivatives, styrylbenzene derivatives, polyphenyl derivatives, diphenylbutadiene derivatives, tetraphenylbutadiene derivatives, naphthalimide derivatives, coumarin derivatives, condensed aromatic compounds. , Perinone derivatives, oxadiazole derivatives, oxazine derivatives, aldazine derivatives, pyridine derivatives, cyclopentadiene derivatives, bisstyrylanthracene derivatives, quinacridone derivatives, pyrrolopyridine derivatives, thiadiazolopyridine derivatives, cyclopentadiene derivatives, styrylamine derivatives, diketo Typical examples include pyrrolopyrrole derivatives, aromatic dimethylidin compounds, metal complexes of 8-quinolinol derivatives and metal complexes of pyrroletene derivatives. Seed metal complexes, polythiophene, polyphenylene, polyphenylene vinylene polymer compounds include compounds such as organic silane derivatives.
燐光発光材料は、例えば、遷移金属原子又はランタノイド原子を含む錯体が挙げられる。
遷移金属原子としては特に限定されないが、好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、及び白金が挙げられ、より好ましくは、レニウム、イリジウム、及び白金である。
ランタノイド原子としては、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ルテシウムが挙げられる。これらのランタノイド原子の中でも、ネオジム、ユーロピウム、及びガドリニウムが好ましい。
Examples of the phosphorescent material include a complex containing a transition metal atom or a lanthanoid atom.
Although it does not specifically limit as a transition metal atom, Preferably, ruthenium, rhodium, palladium, tungsten, rhenium, osmium, iridium, and platinum are mentioned, More preferably, they are rhenium, iridium, and platinum.
Examples of lanthanoid atoms include lanthanum, cerium, praseodymium, neodymium, samarium, europium, gadolinium, terbium, dysprosium, holmium, erbium, thulium, ytterbium, and lutetium. Among these lanthanoid atoms, neodymium, europium, and gadolinium are preferable.
錯体の配位子としては、例えば、G.Wilkinson等著,Comprehensive Coordination Chemistry, PergamonPress社1987年発行、H.Yersin著,「Photochemistry and Photophysics of Coordination Compounds」 Springer-Verlag社1987年発行、山本明夫著「有機金属化学−基礎と応用−」裳華房社1982年発行等に記載の配位子などが挙げられる。具体的な配位子としては、好ましくは、ハロゲン配位子(好ましくは塩素配位子)、含窒素ヘテロ環配位子(例えば、フェニルピリジン、ベンゾキノリン、キノリノール、ビピリジル、フェナントロリンなど)、ジケトン配位子(例えば、アセチルアセトンなど)、カルボン酸配位子(例えば、酢酸配位子など)、一酸化炭素配位子、イソニトリル配位子、シアノ配位子であり、より好ましくは、含窒素ヘテロ環配位子である。上記錯体は、化合物中に遷移金属原子を一つ有してもよいし、また、2つ以上有するいわゆる複核錯体であってもよい。異種の金属原子を同時に含有していてもよい。 Examples of the ligand of the complex include, for example, G. Wilkinson et al., Comprehensive Coordination Chemistry, PergamonPress 1987, H. Yersin, “Photochemistry and Photophysics of Coordination Compounds” Springer-Verlag 1987, Akio Yamamoto Examples of the ligand include those described in “Organic Metal Chemistry-Fundamentals and Applications-” published in 1982. Specific ligands are preferably halogen ligands (preferably chlorine ligands), nitrogen-containing heterocyclic ligands (eg, phenylpyridine, benzoquinoline, quinolinol, bipyridyl, phenanthroline, etc.), diketones Ligand (for example, acetylacetone), carboxylic acid ligand (for example, acetic acid ligand), carbon monoxide ligand, isonitrile ligand, cyano ligand, more preferably nitrogen-containing Heterocyclic ligand. The complex may have one transition metal atom in the compound, or may be a so-called binuclear complex having two or more. Different metal atoms may be contained at the same time.
燐光発光材料は、発光層中に0.1〜40質量%含有されることが好ましく、0.5〜20質量%含有されることがより好ましい。 The phosphorescent material is preferably contained in the light emitting layer in an amount of 0.1 to 40% by mass, and more preferably 0.5 to 20% by mass.
また、発光層に含有されるホスト材料は電荷輸送材料であることが好ましい。ホスト材料は1種であっても2種以上であっても良く、例えば、電子輸送性のホスト材料とホール輸送性のホスト材料を混合した構成が挙げられる。
ホスト材料の具体例としては、例えば、カルバゾール骨格を有するもの、ジアリールアミン骨格を有するもの、ピリジン骨格を有するもの、ピラジン骨格を有するもの、トリアジン骨格を有するもの及びアリールシラン骨格を有するものや、後述の正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層の項で例示されている材料が挙げられる。
The host material contained in the light emitting layer is preferably a charge transport material. The host material may be one type or two or more types, and examples thereof include a configuration in which an electron transporting host material and a hole transporting host material are mixed.
Specific examples of the host material include those having a carbazole skeleton, those having a diarylamine skeleton, those having a pyridine skeleton, those having a pyrazine skeleton, those having a triazine skeleton, those having an arylsilane skeleton, The materials exemplified in the sections of the hole injection layer, the hole transport layer, the electron injection layer, and the electron transport layer are given.
発光層の厚さは、特に限定されるものではないが、通常、1nm〜500nmであるのが好ましく、5nm〜200nmであるのがより好ましく、10nm〜100nmであるのが更に好ましい。 Although the thickness of a light emitting layer is not specifically limited, Usually, it is preferable that they are 1 nm-500 nm, it is more preferable that they are 5 nm-200 nm, and it is still more preferable that they are 10 nm-100 nm.
上記のような発光層を構成する材料をそれぞれ用い、RGBの画素の大きさに準じた孔(開口部)を有するマスク(シャドーマスク)を用いて各フィルム基板14上の陽極24に対応する位置に蒸着させる。このようなマスク蒸着により発光層を形成する際、各フィルム基板14上には、陽極24が設計位置とのズレが極めて小さい位置に形成されているため、RGBの各発光層をそれぞれ高精度にパターニングすることができる。また、マスク蒸着により発光層のパターニングを行う際も、ガラス基板10に設けたアライメントマーク18を基準としてマスクとのアライメントを行うことで、より高精度に発光層のパターニングを行うことができる。
なお、各発光層の形成方法は上記のようなマスク蒸着に限定されず、例えばインクジェット法、印刷法、型転写などを採用してもよい。
A position corresponding to the
In addition, the formation method of each light emitting layer is not limited to the above mask vapor deposition, For example, you may employ | adopt the inkjet method, the printing method, type | mold transfer, etc.
−陰極−
発光層を形成した後、必要に応じて電子輸送層等を形成する。そして、発光層を含む有機EL層を形成した後、例えば陽極24と直交する方向にストライプ状の陰極を形成する。陰極を構成する材料も特に限定されず、公知の材料、例えばAl、MgAg、AlLi等を用いて蒸着により形成することができる。このような陰極材料を用い、陰極を形成する領域にマスク蒸着によるパターニングを行うことで陽極24と直交する方向にストライプ状の陰極を形成することができる。この場合も、ガラス基板10上に保持されている全てのフィルム基板14に対して高精度にパターニングを行うことができる。
-Cathode-
After forming the light emitting layer, an electron transport layer or the like is formed as necessary. Then, after forming the organic EL layer including the light emitting layer, a striped cathode is formed in a direction orthogonal to the
上記のように陰極等を形成することで、両極間に挟まれた発光層を含む有機EL素子が画素を構成する。これにより、例えばRGBのサブピクセルを含む多数の画素が各フィルム基板14上の縦横に配列されることになる。
By forming a cathode or the like as described above, an organic EL element including a light emitting layer sandwiched between both electrodes constitutes a pixel. Thereby, for example, a large number of pixels including RGB sub-pixels are arranged vertically and horizontally on each
−封止等−
陰極を形成した後、水分や酸素による有機EL素子の劣化を抑制するため、封止部材(保護層)により被覆して封止する。封止部材としては、ガラス、金属、プラスチック等を用いることができる。なお、ガラス基板10上に保持された各フィルム基板14は、有機EL素子を形成した後、封止前又は封止後に粘着層12から剥離しても良いし、外部回路と接続後、剥離しても良い。
さらに、各電極に対して、それぞれ制御配線、信号配線等の外部配線を接続する。これにより、有機EL素子による表示装置を製造することができる。
そして、上記のような方法により画素(有機EL素子)のパターニングを行って製造された表示装置は、有機EL素子の設計位置からのズレが極めて小さく、高品質の表示装置となる。
-Sealing-
After the cathode is formed, it is covered and sealed with a sealing member (protective layer) in order to suppress deterioration of the organic EL element due to moisture and oxygen. As the sealing member, glass, metal, plastic, or the like can be used. Each
Furthermore, external wiring such as control wiring and signal wiring is connected to each electrode. Thereby, the display apparatus by an organic EL element can be manufactured.
A display device manufactured by patterning pixels (organic EL elements) by the above-described method has a very small deviation from the design position of the organic EL elements and becomes a high-quality display device.
以下、本発明の実施例及び比較例を説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。 Examples of the present invention and comparative examples will be described below, but the present invention is not limited to the following examples.
<実施例>
図9に示すように、X=500mm、Y=400mmのサイズのガラス基板10上にポリエチレンナフタレート(PEN)製のフィルムを貼り付けた後、このPENフィルムを縦横で8個×8個の基板14に分割した。分割後の各PEN基板14は、縁込みサイズ45mm×60mm(表示エリア37.3mm×50.1mm)とした。
<Example>
As shown in FIG. 9, after a polyethylene naphthalate (PEN) film is pasted on a
分割した各PEN基板14上にITO透明電極をストライプ状に成膜し、レジストによりパターニングを行った後のITO電極の設計位置からのズレを調べた。
その結果、ITO電極の長さ方向Lのズレは7〜11μmであり、幅方向Wのズレは9〜15μmであった。
An ITO transparent electrode was formed in a stripe shape on each divided
As a result, the deviation in the length direction L of the ITO electrode was 7 to 11 μm, and the deviation in the width direction W was 9 to 15 μm.
<比較例>
実施例と同じサイズのPENフィルムをガラス基板上に貼り付けて保持した。このPENフィルムを分割せずにその上にITO透明電極をストライプ状に成膜し、レジストによりパターニングを行った後のITO電極の設計位置からのズレを調べた。
その結果、ITO電極の長さ方向Lのズレは60〜100μmであり、幅方向Wのズレは75〜100μmであった。
<Comparative example>
A PEN film having the same size as that of the example was stuck on a glass substrate and held. The ITO transparent electrode was formed in a stripe shape on the PEN film without dividing it, and the deviation from the design position of the ITO electrode after patterning with a resist was examined.
As a result, the deviation in the length direction L of the ITO electrode was 60 to 100 μm, and the deviation in the width direction W was 75 to 100 μm.
以上、本発明について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。
例えば、支持基板上に保持する各可撓性基板のサイズは必ずしも同じである必要はなく、大きさが異なる可撓性基板を保持してもよい。
また、製造する表示装置の駆動方式も限定されず、パッシブマトリクス方式の表示装置及びアクティブマトリクス方式の表示装置のいずれの製造にも本発明を適用することができる。表示もフルカラー表示に限らず、例えばエリアカラー表示の表示装置を製造する場合にも本発明を適用することができる。
As mentioned above, although this invention was demonstrated, this invention is not limited to the said embodiment.
For example, the size of each flexible substrate held on the supporting substrate is not necessarily the same, and flexible substrates having different sizes may be held.
Further, the driving method of the display device to be manufactured is not limited, and the present invention can be applied to any manufacturing of a passive matrix display device and an active matrix display device. The display is not limited to full color display, and the present invention can be applied to, for example, manufacturing a display device for area color display.
また、本発明の素子の製造方法は、有機EL素子のパターニングに限定されず、例えば無機EL素子、プラズマ素子、電気泳動素子などの電子素子を用いた表示装置の製造にも好適に適用することができる。さらに、本発明の素子の製造方法は、表示装置に限らず、可撓性基板を用いた電子機器の製造における回路素子等のパターニングにも適用することができる。 The element manufacturing method of the present invention is not limited to the patterning of an organic EL element, and can be suitably applied to the manufacture of a display device using electronic elements such as inorganic EL elements, plasma elements, and electrophoretic elements. Can do. Furthermore, the element manufacturing method of the present invention can be applied not only to display devices but also to patterning of circuit elements and the like in the manufacture of electronic equipment using a flexible substrate.
10・・・ガラス基板(支持基板)
12・・・粘着層(保持手段)
14・・・フィルム基板(可撓性基板)
18・・・支持基板のアライメントマーク
20・・・マスク
22・・・マスクのアライメントマーク
24・・・陽極
10 ... Glass substrate (support substrate)
12 ... Adhesive layer (holding means)
14 ... Film substrate (flexible substrate)
18 ... Alignment mark on
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