JP2008263204A - High-current surface mount type light-emitting diode lamp and manufacturing method thereof - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、表面実装型発光ダイオード(LED)ランプに関し、より具体的には一般にプリント回路基板等に用いられるような、絶縁体層の表面に金属層を設けた形式の基板に対し、熱放出のための構成を設けたものに発光ダイオードチップを載置してなり、大電流駆動時においても発熱が有効に放出されるためにその効率を実質的に損ねることのない、低コストで製造可能な新規の発光ダイオードランプに関する。 The present invention relates to a surface-mounted light-emitting diode (LED) lamp, and more specifically, heat emission to a substrate of a type in which a metal layer is provided on the surface of an insulator layer, which is generally used for a printed circuit board. A light emitting diode chip is mounted on a device with a configuration for the above, and heat can be effectively released even when driven at a large current, so that the efficiency can be manufactured at a low cost without substantially impairing its efficiency. The present invention relates to a novel light emitting diode lamp.
従来のLEDランプは、LEDチップをリードフレームと組み合わせてパッケージ化し、これをさらに回路基板等に実装したものや、モジュール形態の部品として使用されてきた。 また、従来のリードフレームにLEDチップを備え付けてなるLEDランプは、放熱効率が低いという問題があったため、とくに熱放出通路を備えたセラミックス構造や、金属スラグまたはアルミナイトライド(AIN)−セラミックス基板を含むリードフレームを採用して放熱の問題の解決を試みたものが存在する。しかし、放熱機構を改善したこれらのLEDランプは、複雑な構成や比較的高価な材料を使用するため生産コストが高く、また歩留まりが悪くなるといった問題がある。 Conventional LED lamps have been packaged by combining LED chips with a lead frame, which are further mounted on a circuit board or the like, and have been used as modular components. In addition, since the LED lamp having the LED chip on the conventional lead frame has a problem of low heat dissipation efficiency, a ceramic structure having a heat release passage, a metal slag or an aluminum nitride (AIN) -ceramics substrate in particular. There have been attempts to solve the problem of heat dissipation by adopting a lead frame including. However, these LED lamps having an improved heat dissipation mechanism have a problem that the production cost is high and the yield deteriorates because a complicated structure and a relatively expensive material are used.
また、リード線を付与したプリント回路基板を利用して、その上にLEDチップを備え付けて作られるLEDランプも提案されているが、これは、光の利用効率が低く、放熱も十分に行われないという問題があり、大きな駆動電圧が必要な用途に利用することは困難であった。 In addition, LED lamps have been proposed that use a printed circuit board provided with lead wires, and LED chips are provided on the printed circuit board, but this has low light utilization efficiency and sufficient heat dissipation. It is difficult to use for applications that require a large driving voltage.
LED素子は、その性質上熱に弱く、とくに大電流下で駆動させるとLEDチップ自身の発熱によりエネルギー効率が急激に低下し、寿命が短くなることもあるため、比較的輝度の低い電子機器の動作表示灯など、低出力の光源として主に用いられてきたが、とくに近年では道路信号などの屋外用ディスプレイにも使用の幅が広がってきており、また、蛍光灯や電球の代わりとなる光源としての役割が期待されている。そこで、大きな駆動電圧下でも効率的に放熱を行うことができ、かつ製造コストを低減することができる新しいLEDランプの開発が強く求められている。 LED elements are vulnerable to heat due to their properties. Especially when driven under a large current, the energy efficiency of the LED chip is drastically reduced due to the heat generated by the LED chip itself, and the lifetime may be shortened. It has been mainly used as a low-output light source such as operation indicator lamps, but in recent years, it has also been used for outdoor displays such as road signals, and it can also be used as a substitute for fluorescent lights and light bulbs. The role is expected. Thus, there is a strong demand for the development of a new LED lamp that can efficiently dissipate heat even under a large driving voltage and can reduce the manufacturing cost.
本発明は、LEDチップを載置するための基板として回路基板を利用した場合にとくに問題となる過度の発熱を防ぐとともに、大電流駆動を可能とし、かつ高いエネルギー効率を達成する新規の表面実装型LEDランプを提供することを目的とする。 また、かかる表面実装型LEDランプを安価に製造することができる新規の製造方法を提供する。 The present invention provides a novel surface mounting that prevents excessive heat generation, which is particularly problematic when a circuit board is used as a substrate for mounting an LED chip, enables a large current drive, and achieves high energy efficiency. An object is to provide a type LED lamp. Moreover, the novel manufacturing method which can manufacture such a surface mount type LED lamp at low cost is provided.
本発明は、従来技術の課題を解決し、上記目的を達成するために次のような特徴を有する。
すなわち本願発明は、電気的に絶縁された第1領域および第2領域からなる上部金属層、上部金属層の下部に設けられた絶縁体層、前記絶縁体層の下部に設けられた下部金属層、および上部金属層の第1領域上に設けられ、上部金属層の第1領域および第2領域にダイオードの各極がそれぞれ電気的に接続された発光ダイオードチップを備えた、表面実装型発光ダイオードランプであって、前記絶縁体層および下部金属層の一部が除去され、上部金属層が露出することによって形成される空間であって、はんだ上り構造を有しており、はんだの濡れ性または表面張力によってはんだ浸け工程において空間の少なくとも一部にはんだが流れ込んで固化する、はんだ上り構造(浸け構造)を有する空間をさらに備えることを特徴とする、前記発光ダイオードランプに関する。
The present invention has the following features in order to solve the problems of the prior art and achieve the above object.
That is, the present invention relates to an upper metal layer composed of an electrically isolated first region and a second region, an insulator layer provided below the upper metal layer, and a lower metal layer provided below the insulator layer. , And a light emitting diode chip provided on the first region of the upper metal layer and having the diode poles electrically connected to the first region and the second region of the upper metal layer, respectively. The lamp is a space formed by removing a part of the insulator layer and the lower metal layer and exposing the upper metal layer, and has a solder rising structure. The light emitting device further comprising a space having a solder rising structure (immersion structure) in which solder flows into and solidifies into at least a part of the space in a solder immersion process due to surface tension. It relates to a gastric diode lamp.
また本発明は、電気的に絶縁された第1領域および第2領域からなる上部金属層、上部金属層の下部に設けられた絶縁体層、前記絶縁体層の下部に設けられた下部金属層、および上部金属層の第1領域上に設けられ、上部金属層の第1領域および第2領域にダイオードの各極がそれぞれ電気的に接続された発光ダイオードチップを備えた、表面実装型発光ダイオードランプであって、前記絶縁体層および下部金属層の一部が除去され、上部金属層が露出することによって形成された空間の一部に、はんだが流入固化されてなることを特徴とする、
前記発光ダイオードランプに関する。
The present invention also provides an upper metal layer composed of a first region and a second region that are electrically insulated, an insulator layer provided below the upper metal layer, and a lower metal layer provided below the insulator layer. , And a light emitting diode chip provided on the first region of the upper metal layer and having the diode poles electrically connected to the first region and the second region of the upper metal layer, respectively. The lamp is characterized in that a part of the insulator layer and the lower metal layer is removed, and solder is introduced and solidified into a part of the space formed by exposing the upper metal layer.
The present invention relates to the light emitting diode lamp.
また本発明は、絶縁体層を貫通して延在し、上部金属層と下部金属層を電気的に接続する、前記はんだ上り用空間に露出した少なくとも1つのはんだ上り用構造体をさらに備えたことを特徴とする、上記発光ダイオードランプに関する。
さらに本発明は、上部金属層の第1領域と第2領域との間に、光反射性を有する電気絶縁部を備えたことを特徴とする、上記発光ダイオードランプに関する。
The present invention further includes at least one solder rising structure that extends through the insulator layer and electrically connects the upper metal layer and the lower metal layer and is exposed to the solder rising space. It is related with the said light emitting diode lamp characterized by the above-mentioned.
Furthermore, the present invention relates to the light emitting diode lamp, characterized in that an electrically insulating portion having light reflectivity is provided between the first region and the second region of the upper metal layer.
また本発明は、絶縁体層および下部金属層を除去して形成された空間の断面が、長方形または矩形のもの、さらに角部をわん曲面としたものを含むことを特徴とする、上記発光ダイオードランプに関する。
さらにまた本発明は、絶縁体層および下部金属層を除去して形成された空間の壁面の少なくとも一部に、はんだ上りを補助する梯子構造を有してなることを特徴とする、上記発光ダイオードランプに関する。
In addition, the present invention provides the light-emitting diode, wherein the space formed by removing the insulator layer and the lower metal layer includes a rectangular or rectangular cross section, and a corner having a curved surface. Regarding lamps.
Furthermore, the present invention is characterized in that the light emitting diode is characterized by having a ladder structure for assisting solder rising on at least a part of the wall surface of the space formed by removing the insulator layer and the lower metal layer. Regarding lamps.
また本発明は、はんだ上りを補助する梯子構造が、上部金属層、絶縁体層および下部金属層を貫通する少なくとも1つの貫通穴と、該貫通穴の側面の少なくとも一部に施された、金属メッキまたははんだエレベーティング物質とからなることを特徴とする、上記発光ダイオードランプに関する。 Further, according to the present invention, a ladder structure that assists solder rising is provided on at least one through hole that penetrates the upper metal layer, the insulator layer, and the lower metal layer, and at least a part of a side surface of the through hole. The light-emitting diode lamp is characterized by comprising a plating or solder elevating material.
さらに本発明は、上部金属層と絶縁体層との結合を補助するために、上部金属層を貫通して絶縁体層内に延在する、係合部をさらに備えたことを特徴とする、上記発光ダイオードランプに関する。 The present invention is further characterized by further comprising an engaging portion that extends through the upper metal layer into the insulator layer in order to assist the bonding between the upper metal layer and the insulator layer. The present invention relates to the light emitting diode lamp.
また本発明は、表面実装型発光ダイオードランプを製造する方法であって、上部金属層、下部金属層および上部金属層と下部金属層との間に設けられた絶縁体層を含む回路基板を用意するステップと、電気絶縁部を設けて上部金属層を第1領域と第2領域に電気的に絶縁するステップと、上部金属層が部分的に露出するように下部金属層および前記絶縁体層を除去して、はんだ上り用の空間(浸け構造空間)を形成するステップと、を含む、前記方法に関する。 The present invention also provides a method of manufacturing a surface-mounted light-emitting diode lamp, comprising a circuit board including an upper metal layer, a lower metal layer, and an insulator layer provided between the upper metal layer and the lower metal layer. Providing an electrically insulating portion to electrically insulate the upper metal layer from the first region and the second region; and forming the lower metal layer and the insulator layer so that the upper metal layer is partially exposed. And removing to form a space (soaking structure space) for solder up.
さらに本発明は、はんだ上り用の空間にはんだが上がって、空間の少なくとも一部を占めるはんだ層を形成するステップをさらに含む、上記方法に関する。
さらにまた本発明は、ダイシングまたはエッチングによって、下部金属層および絶縁体層を除去することを特徴とする、上記方法に関する。
Furthermore, the present invention relates to the above method, further comprising the step of forming the solder layer that occupies at least a part of the space in which the solder rises into the space for solder rise.
Furthermore, the present invention relates to the above method, wherein the lower metal layer and the insulator layer are removed by dicing or etching.
また本発明は、絶縁体層および下部金属層を除去して形成された空間の少なくとも一部に、はんだ上りを補助する梯子構造を形成することを特徴とする、上記方法に関する。
さらに本発明は、上部金属層、絶縁体層および下部金属層を貫通する少なくとも1つの貫通穴をはんだ上り用空間(浸け構造空間)に露出するように形成し、該貫通穴の側面の少なくとも一部に、金属メッキまたははんだエレベーティング物質を施すことによって、はんだリフローを補助する梯子構造を形成することを特徴とする、上記方法に関する。
The present invention also relates to the above method, wherein a ladder structure for assisting solder rise is formed in at least a part of a space formed by removing the insulator layer and the lower metal layer.
Further, according to the present invention, at least one through-hole penetrating the upper metal layer, the insulator layer, and the lower metal layer is formed so as to be exposed to the solder rising space (immersion structure space), and at least one side surface of the through-hole is formed. The present invention relates to the above method, characterized in that a ladder structure for assisting solder reflow is formed by applying metal plating or solder elevating material to the part.
さらにまた本発明は、上部金属層と絶縁体層との結合を補助するために、上部金属層を貫通して絶縁体層内に延在する、係合部をさらに形成するステップをさらに含むことを特徴とする、上記方法に関する。 Furthermore, the present invention further includes the step of further forming an engaging portion extending through the upper metal layer and into the insulator layer to assist the bonding between the upper metal layer and the insulator layer. To the above method.
本発明においては、はんだ上り用の空間(浸け構造空間)にはんだが流入固化すると、露出した金属層とはんだとを経由して、発光ダイオードチップからの発熱を有効に発光ダイオードランプが実装されている回路基板側に逃がすことができるために、大電流駆動が可能となる。また、はんだは、リフロー工程において容易にはんだ上り用空間に上がることができ、熱放出手段の形成はきわめて容易である。また、はんだ上り用空間の形成そのものも、従来の熱放出のための構成の構築工法と比較して、簡便容易である。
本発明は、従来のリードフレームとディスペンス工法を用いる一般的な方法に比べて、小型でかつ薄型でありながらも熱放出特性に優れ、大電流で駆動が可能であるとともに、エネルギー効率を大きく改善することができる。とくにLEDランプを大量生産する場合にもその性能の均一さ、収率および量産性などの点において優れるため、全体としてもコスト低減が可能である。その結果として、LEDの需要創出に寄与し、同産業の発展に大きく寄与することが期待される。
In the present invention, when the solder flows into and solidifies into the space for the solder rise (immersion structure space), the light emitting diode lamp is mounted effectively through the exposed metal layer and the solder to generate heat from the light emitting diode chip. Since it can escape to the circuit board side, a large current drive becomes possible. In addition, the solder can easily go up to the space for solder rise in the reflow process, and the formation of the heat release means is very easy. In addition, the formation of the solder rising space itself is simple and easy as compared with a conventional construction method for heat release.
Compared to the conventional method using a lead frame and a dispensing method, the present invention is small and thin, has excellent heat dissipation characteristics, can be driven with a large current, and greatly improves energy efficiency. can do. In particular, even in the case of mass production of LED lamps, it is excellent in terms of uniformity of performance, yield, mass productivity, and the like, and thus the overall cost can be reduced. As a result, it is expected to contribute to the creation of demand for LEDs and greatly contribute to the development of the industry.
本発明に係るLEDランプの基本構造を図1〜を参照して以下に説明する。
図1は、LEDチップをマウントする基板となる回路基板を示しており、これは、電気絶縁部14により電気的に分離された第1領域12および第2領域13を含む上部金属層11と、上部金属層11の下部に位置する絶縁体層16と、下部金属層15とを含む。
The basic structure of the LED lamp according to the present invention will be described below with reference to FIGS.
FIG. 1 shows a circuit board to be a board for mounting an LED chip, which includes an
本発明において、上部金属層11と下部金属層15は、一般にプリント回路基板に使用されている金属(たとえば銅、アルミニウムなど)で構成することができるが、とくに銅を使用することが好ましい。
In the present invention, the
上部金属層11の厚さは、10μm以上、好ましくは約100〜800μmとして構成され、下部金属層15の厚さは、上部金属層11よりも薄く構成するのが好ましい。また、下部金属層15は、図1に示されるように、電気的に分離された2つの領域からなるように形成してもよい。かかる構成とした場合、後述するように、下部金属層15を上部の上部金属層11と導電体で接続することによって、下部金属層15を電極として機能させることができる。
The thickness of the
上部金属層11を電気的に分離する電気絶縁部14は、用意した回路基板の上部金属層11の一部をレーザ、パンチングまたはエッチングなどの技術を利用して除去し、電気絶縁体を充填させることによって形成する。この際、光反射性の高い電気絶縁性物質を電気絶縁体として使用するのが好ましい。光反射性絶縁部を設けることによって、LED素子から放出される光をより効率的に収集して輝度の高い光を提供することができる。このような光反射性を有する電気絶縁性物質の一例としては、白色レジストが挙げられる。
The
回路基板を構成する絶縁体層16は、上部金属層11と下部金属層15の間に位置してこれらを電気的に絶縁させている。絶縁体層16を構成する材料としては、FR−1、FR−4または他の樹脂類を使用することができる。絶縁体層16の厚さは400μm以上とするのが好ましいが、後述するはんだ上りまたはリフローが可能なように適宜決定することができる。
The
以上に説明した回路基板を利用した、本発明に係る表面実装型LEDランプの一態様を図2に概略的に示す。
上部金属層11上にLEDチップ23をマウントし、ワイヤ24を介してLED素子の各極を第1領域12、第2領域13にそれぞれ電気的に接続する。すなわち、本発明のLEDランプにおいて、上部金属層11の第1領域12、第2領域13を電極として利用するが、たとえば図2に示すように、上部金属層11の第2領域13および絶縁体層16を貫通するように導電体22(電極リード)を設けて上部金属層11の第2領域13と下部金属層の一方とを電気的に接続させることによって、下部金属層15の一部を電極として利用することも可能である。また、第1領域12とLEDチップ23の一方の電極とは、
直に導通を図ってもよい。
FIG. 2 schematically shows one embodiment of the surface-mount LED lamp according to the present invention using the circuit board described above.
The
Direct conduction may be achieved.
次にとくに特徴的な本発明のLEDランプの放熱構造について図2および図3を参照して詳細に説明する。本発明のLEDランプは、絶縁体層16と下部金属層15の一部または全部を除去して、上部金属層11を露出させることによって、少なくとも1つのはんだ流入用の空間21(熱放出通路)を有している。はんだ流入用の空間21は、好ましくはダイシングまたはエッチング(腐刻法)によって直線状またはテーパ状に形成され、その断面は長方形または矩形であるが、とくにこれに限定されない。本発明の空間21は、所望の放熱性、LEDランプの駆動特性など、必要に応じて1〜数十個まで形成
することができる。また、図2には、回路基板の背面の比較的小さい範囲を除去してはんだ流入用の空間21を設けた態様を示すが、これに限定されず、回路基板の大部分を実質的に除去してはんだ流入用の空間を形成することも可能である。
Next, a particularly characteristic heat dissipation structure of the LED lamp of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. In the LED lamp of the present invention, the insulating
はんだ流入用の空間21にはんだを流入ないし充填させる具体的な方法としては、本発明のLEDランプをはんだ付けで実装する際のはんだリフロー(reflow soldering)を利用することが好ましい。すなわち、LEDランプを実装するときに熱を加えてはんだ付け材料を熱溶解させると、毛細管現象によりはんだ材料が空間21内を上昇して、結果として空間21、または少なくともその一部が、はんだ材料で実質的に満たされるように、はんだ上り用空間21およびマウント基板上のはんだ材料の位置決めを行うことが好ましい。はんだ付けの材料は、通常使用される鉛や錫などの熱伝導性の高い金属をそのまま本発明に適用することができる。本発明にしたがってはんだリフローを応用することによって、高価な銅などの導電性の高い金属を用いて金属リードを利用して放熱を行う従来のLEDランプに比べて、製造コストを劇的に抑えることができる。
As a specific method for introducing or filling the solder into the
次に、図3a、図3bを参照して、下部金属層15および絶縁体層16を除去して形成した空間21内へのはんだの上りを補助する梯子構造31について説明する。図3aは、図2のA−A’線に沿った断面を示し、図3bは、図2のB−B’線に沿って切った状態の斜視図である。本発明のはんだ上り補助用の梯子構造31は、上記空間21の側面の少なくとも一部に対して、はんだ付け材料と親和性の高いはんだ付けエレベーティング物質(たとえば銀ペースト、銀または銅を含む金属材料と樹脂との混合物など)を注入するか、または同じくはんだ付け材料と親和性の高い他の金属でメッキ処理等を行うことによって形成される。本発明の梯子構造31は、図に示すように、上部金属層11と下部金属層15を接続するようにして形成され、絶縁体層16を除去する際に梯子構造31の一部を一緒に除去することによって、はんだ流入用空間21との境界に梯子構造31の断面31aを露出されてなる。
Next, with reference to FIGS. 3a and 3b, a
また本発明の梯子構造31は、下部金属層15および絶縁体層16が除去された空間に形成される態様に限定されず、図3aおよび図3bに示すように、適当な熱放出通路の形成を補助する機能を有する限り、たとえば上部金属層11、絶縁体層16および下部金属層15を貫通する貫通穴の側面に形成するなどしてもよい。
Further, the
このように梯子構造31、すなわちはんだ上り構造を設けることによって、LEDランプをはんだ付けでマウント基板に実装する際に、はんだ付け材料がLEDランプの背面に設けられた空間21内を上昇する毛細管現象を促進することができる。
By providing the
ここで重要なことは、LEDチップ23から発せられる熱を放出する通路として適切に機能するように、はんだリフローが十分に高く、すなわちはんだ材料が上部電極層11まで達して熱伝導性の通路を形成するように、絶縁体層16および下部電極層15の厚さ、梯子構造31の高さ等の諸事項を決定することである。
What is important here is that the solder reflow is sufficiently high so that it properly functions as a path for releasing the heat generated from the
[実施例1]
本発明に係るLEDランプの一態様を図4に示す。基本的な構成は、既に以上に説明した態様と同様なので、重複した説明は省略する。この態様では、LEDチップ23を覆うように、シリコーンまたはエポキシなどの光透過性の材料で光抽出部41を形成する。光抽出部41は、LEDチップ23の上方にモールドして形成することができ、LEDチップ23を保護したり、出力光の光学的特性を変える効果を備える効果を有する。つまり、モールド材料にLED素子から放出される光の波長を変換するための蛍光剤、光を拡散させるための拡散剤または光の色を変化させるための色素などの各種添加剤を含めることによって、発光ランプとしての機能を追加ないし変更することが可能となる。
[Example 1]
One embodiment of the LED lamp according to the present invention is shown in FIG. Since the basic configuration is the same as that already described above, a duplicate description is omitted. In this embodiment, the
光抽出部41は、約200〜100μmの厚さとすることが好ましく、上述したシリコーン、エポキシなどの屈折率1.4〜2.5程度の材料を用いるのが好ましい。とくに、LEDチップ23に光が吸収されることを防ぐために、LEDチップ23を構成する材料よりも屈折率が低い物資を使用するのが望ましい。
The
[実施例2]
図5aおよび図5bを参照して、モールドして形成される光抽出部41などのモールド層とLEDチップとの結合を高めるために、上部金属層11と絶縁体層16にまたがって延在する係合部51を形成した本発明の別の態様のLEDランプを説明する。なお、図ではLEDチップまたは基板背面のはんだ上り用空間など、既に説明した構造については適宜省略してある。
[Example 2]
Referring to FIGS. 5a and 5b, the
すなわち、係合部51は、上部金属層11と絶縁体層16の一部とを略垂直な方向に除去しておき、この除去された空間内に、光抽出部41などのモールド材料を注入することによって形成され、この係合部51によって、モールド層とチップとの相互の結合性を高めることができる。係合部51を形成するために予め除去される穴は、円柱、四角柱、下辺が上辺より長い矩形柱などの形状にすることもできる。
That is, the engaging
[実施例3]
図6を参照して、光抽出部41の側面に隣接して形成される光ガイド61をさらに含んだ本発明の別の態様を説明する。光ガイド61は、発光ダイオードチップ23から放出される光をチップ23の上方に放出されるように光を誘導する役割を果たす。光ガイド61は、白色レジストなどの反射率が高い物質、または白色顔料や光反射性に優れた金属粒子を分散させた材料で形成され、モールドまたはテープ接着によって取り付けることができる。また、必要に応じて、光ガイドを光抽出部に対して所定の傾斜を持たせるように形成
することもでき、45度〜90度の傾斜角度とするのが好ましい。
[Example 3]
With reference to FIG. 6, another aspect of the present invention that further includes a
[実施例4]
図7を参照して、本発明の別の態様のLEDランプを説明する。この態様は、LED素子からの発光効率を高めるために、LEDチップが載置される箇所に反射構造71を設けたものである。反射構造71は、上部金属層11の第1領域12に凹部を形成するように、第1領域12の一部を除去することによって得られる。第1領域12上の凹部は、ウェットエッチング、好ましくはハーフエッチングで形成することができる。反射構造71は、複数の曲率半径を有する形状とし、凹部の下面方向の光と側面方向の光がともに上方に誘導されるようにすることが好ましい。また、光の再吸収が起きないように大きさ、形状な
どを適宜選択することが好ましい。さらに、反射構造71に対して、反射率の高い金属材料、たとえば銀でコーティングしてもよい。反射構造71によって、LEDチップから放出される光が所望の方向に導かれ、より効率の高い光を生成することができる。
[Example 4]
With reference to FIG. 7, the LED lamp of another aspect of this invention is demonstrated. In this aspect, in order to increase the light emission efficiency from the LED element, the
本発明により、放熱効率の高いLEDランプを容易かつ安価に製造できるので、LED素子を利用した高出力光源としての用途をさらに拡大し、以て産業の発展に大いに寄与することが期待される。 According to the present invention, an LED lamp having a high heat dissipation efficiency can be easily and inexpensively manufactured. Therefore, it is expected that the application as a high-output light source using the LED element will be further expanded and contribute greatly to the development of the industry.
11 上部金属層
12 第1領域
13 第2領域
14 電気絶縁部
15 下部金属層
16 絶縁体層
21 はんだ流入用空間
22 導電体
23 LEDチップ
24 ワイヤ
31 梯子構造
31a 梯子構造の断面
41 光抽出部
51 係合部
61 光ガイド
71 反射構造
DESCRIPTION OF
Claims (12)
上部金属層の下部に設けられた絶縁体層、
前記絶縁体層の下部に設けられた下部金属層、および
上部金属層の第1領域上に設けられ、上部金属層の第1領域および第2領域にダイオードの各極がそれぞれ電気的に接続された発光ダイオードチップを備えた、表面実装型発光ダイオードランプであって、
前記絶縁体層および下部金属層の一部が除去され、上部金属層が露出することによって形成されたはんだ上り空間を有し、該空間部分には溶融はんだが上るための構造をさらに備えたことを特徴とする、前記発光ダイオードランプ。 An upper metal layer comprising a first region and a second region which are electrically isolated;
An insulator layer provided below the upper metal layer,
A lower metal layer provided below the insulator layer, and a first region of the upper metal layer, and each pole of the diode is electrically connected to the first region and the second region of the upper metal layer, respectively. A surface-mounted light-emitting diode lamp equipped with a light-emitting diode chip,
A part of the insulator layer and the lower metal layer is removed, and a solder rising space is formed by exposing the upper metal layer, and the space part further includes a structure for allowing molten solder to rise. The light-emitting diode lamp characterized by the above.
上部金属層の下部に設けられた絶縁体層、
前記絶縁体層の下部に設けられた下部金属層、および
上部金属層の第1領域上に設けられ、上部金属層の第1領域および第2領域にダイオードの各極がそれぞれ電気的に接続された発光ダイオードチップを備えた、表面実装型発光ダイオードランプであって、
前記絶縁体層および下部金属層の一部が除去され、上部金属層が露出することによって形成されたはんだ上り空間を有し、
発光ダイオードランプを実装する際のはんだづけ工程において、該空間内にはんだが上って、該空間の少なくとも一部を占有してなることを特徴とする、前記発光ダイオードランプ。 An upper metal layer comprising a first region and a second region which are electrically isolated;
An insulator layer provided below the upper metal layer,
A lower metal layer provided below the insulator layer, and a first region of the upper metal layer, and each pole of the diode is electrically connected to the first region and the second region of the upper metal layer, respectively. A surface-mounted light-emitting diode lamp equipped with a light-emitting diode chip,
A part of the insulator layer and the lower metal layer is removed, and the upper metal layer is exposed to have a solder up space formed;
In the soldering step when mounting the light emitting diode lamp, the solder goes up into the space and occupies at least a part of the space.
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