JP2002289923A - Light-emitting diode and its manufacturing method - Google Patents

Light-emitting diode and its manufacturing method

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light-emitting diode(LED) that is constituted to make the light-emitting element exhibit its characteristics fully by forming a flip-chip structure, without using Zener diodes.
SOLUTION: In the LED 1, one of the electrodes provided on the backside of the light-emitting element 2 is connected to the top of a through-hole 5 which is filled with solder 6 through the gold bump 7a and the other electrode is connected to a conductor pattern 4 insulated from the through-hole 5 through the other gold bump 7b. Since the flip-chip structure is formed by connecting the electrodes on the backside of the element 2 directly on the through-hole 5 and pattern 4 via the gold bumps 7a and 7b without going via a Zener diode as in the conventional example, the through-hole 5 and solder 6 filling up the hole 5 work as a heat sink and the heat radiating property of the LED 1 is very much improved. Consequently, the light-emitting element 2 will not become high in temperature, and therefore, the luminous efficiency of the element 2 is maintained at a high level and the service life of the element 2 is prolonged also.
COPYRIGHT: (C)2002,JPO

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、発光素子が裏面の電極によってリードと電気的接続をとる所謂フリップチップ型の発光ダイオード(以下、「LED」とも略する。)に関するものである。 The present invention relates to a light emitting element takes the lead and electrically connected by the back surface of the electrode so-called flip-chip type light-emitting diode (hereinafter,. Substantially as "LED") it relates. なお、本明細書中ではLE Incidentally, LE is herein
Dチップそのものは「発光素子」と呼び、LEDチップを搭載したパッケージ樹脂またはレンズ系等の光学装置を含む発光装置全体を「発光ダイオード」または「LE D chip itself is referred to as "light emitting device", "light emitting diode" the entire light-emitting device including the optical device of the package resin or the lens system or the like mounted with LED chips or "LE
D」と呼ぶこととする。 It will be referred to as a D ".

【0002】 [0002]

【従来の技術】従来、GaN系発光素子のように片面にアノードとカソードの両方の電極を備えた発光素子をマウントする際には、電極(透明電極)側を下にしてツェナーダイオードを介してマウントする、所謂フリップチップ構造によって発光ダイオードを構成していた(WO Conventionally, when mounting the light emitting element having an anode and a cathode both electrodes on one surface as GaN-based light emitting device, via a Zener diode electrode (transparent electrode) side down mounting, constituted the light emitting diode by a so-called flip-chip structure (WO
98−34285)。 98-34285).

【0003】かかる従来の発光ダイオードの一例について、図6を参照して説明する。 [0003] One such example will of a conventional light emitting diode, will be described with reference to FIG. 図6は従来の発光ダイオードの発光素子のマウント部分の構成を示す断面図である。 6 is a sectional view showing the structure of a mounting portion of the light emitting element of a conventional light emitting diode. 図6に示されるように、この発光ダイオード51においては、GaN系の発光素子52に電力を供給する1 As shown in FIG. 6, in this light-emitting diode 51 supplies power to the light emitting element 52 of the GaN-based 1
対のリード53a,53bのうち一方のリード53aによって反射鏡53cが形成され、この反射鏡53cの底面にツェナーダイオード54が銀ペーストによってマウントされている。 Pair of leads 53a, a reflecting mirror 53c by one lead 53a of 53b is formed, the Zener diode 54 to the bottom surface of the reflecting mirror 53c is mounted by a silver paste. ツェナーダイオード54の上面には、 The top surface of the Zener diode 54,
2種類の電極54a,54bが形成されており、これらの電極54a,54bの上に金バンプ55a,55bによって発光素子52の下面の2種類の電極が接続されるとともに、発光素子52がマウントされている。 Two electrodes 54a, 54b are formed, these electrodes 54a, gold bumps 55a on the 54b, together with the two electrodes on the lower surface of the light emitting element 52 are connected by 55b, the light emitting element 52 is mounted ing. ツェナーダイオード54の上面の一方の電極54bには、ワイヤ56がボンディングされて他方のリード53bと電気的に接続されている。 To one electrode 54b on the upper surface of the Zener diode 54, the wire 56 is has been the other lead 53b electrically connected bonding. このようにして、ツェナーダイオード54の上にフリップチップ構造によって発光素子5 Thus, the light-emitting element 5 by flip-chip structure on the Zener diode 54
2がマウントされて、1対のリード53a,53bによって電力を供給されて発光する。 2 is mounted, a pair of leads 53a, emits light when powered by 53b.

【0004】 [0004]

【発明が解決しようとする課題】しかし、かかる発光ダイオード51においては、発光素子52がツェナーダイオード54を介して一方のリード53a上にマウントされているため放熱性が悪く、このため発光素子52が高温になって発光効率が低下し、素子寿命も短くなるという問題点があった。 [SUMMARY OF THE INVENTION However, in such a light emitting diode 51, the light emitting element 52 is poor heat dissipation because it is mounted on one lead 53a through the Zener diode 54, and thus the light emitting element 52 luminous efficiency decreases very hot, there is a problem that the device lifetime is shortened. また、図6に示されるように発光素子52の周囲に反射鏡53cを構成しても、ツェナーダイオード54のために発光素子52から反射鏡53cが離れてしまい、十分な光学特性を得ることができなかった。 Also, it is configured reflector 53c around the light emitting element 52 as shown in FIG. 6, will apart reflector 53c from the light emitting element 52 for the Zener diode 54, to obtain a sufficient optical property could not.

【0005】そこで、本発明は、ツェナーダイオードを用いることなくフリップチップ構造を形成することによって、発光素子の特性が十分に発揮される発光ダイオード及びその製造方法を提供することを課題とするものである。 [0005] Therefore, the present invention is, by forming a flip chip structure without using a Zener diode, in which an object that the characteristics of the light emitting device provide a light emitting diode and a manufacturing method thereof are sufficiently exhibited is there.

【0006】 [0006]

【課題を解決するための手段】請求項1の発明にかかる発光ダイオードは、フリップチップ型の発光素子を備える発光ダイオードであって、スルーホール基板のスルーホールが金属で充填されて、前記スルーホールの上に前記発光素子の裏側の電極の一方が接続され、前記スルーホール基板の前記スルーホールとは絶縁された導電性パターンに前記発光素子の裏側の電極の他方が接続されているものである。 Emitting diode according to the invention of claim 1 Means for Solving the Problems] is a light-emitting diode comprising a flip-chip type light-emitting element, the through hole of the through-hole substrate is filled with a metal, the through hole one back electrode of the light emitting element is connected over, and the through hole of the through-hole substrate is one that is connected to the other of the back electrode of the light emitting element to the conductive pattern that is insulated .

【0007】かかる構成のLEDにおいては、スルーホール基板の導電性パターンが細かく精密なものが作れるため、非常に間隔の狭い発光素子の裏側の2つの電極を、一方はスルーホールの上に、他方はスルーホールとは絶縁された導電性パターンの上に、確実に絶縁を保ちながら接続することができる。 [0007] In the LED having such a configuration, since those conductive pattern of the through-hole substrate fine precision can make, very back of the two electrodes of the narrow emission element spaced, on one the through hole, the other it is a through-hole can be connected while keeping on the conductive patterns insulated reliably insulated. そして、スルーホールが金属で充填されているためにヒートシンクとしての役割を果たし、放熱性に優れたものとなるために、発光効率も高く保たれ、素子寿命も長くなる。 Then, act as a heat sink for the through holes are filled with metal, to become excellent in heat dissipation properties, luminous efficiency is kept high, and longer device lifetime.

【0008】このようにして、ツェナーダイオードを用いることなくフリップチップ構造を形成することによって、発光素子の特性が十分に発揮されるLEDとなる。 [0008] Thus, by forming a flip chip structure without using a Zener diode, a LED which characteristics of the light-emitting element can be sufficiently exhibited.

【0009】請求項2の発明にかかる発光ダイオードは、フリップチップ型の発光素子を備える発光ダイオードであって、前記発光素子に電力を供給する1対のリードのうち一方のリードの上面に固定された絶縁性フィルムと、前記絶縁性フィルムの上に互いに離して形成された2つの導電性の箔とを具備し、前記2つの導電性の箔に前記発光素子の裏側の電極がそれぞれ接続され、前記2つの導電性の箔のうち一方が前記一方のリードと電気的に接続され、前記2つの導電性の箔のうち他方が前記1対のリードのうち他方のリードに電気的に接続されているものである。 [0009] emitting diode according to a second aspect of the invention, a light emitting diode having a flip-chip type light-emitting element is fixed to the upper surface of one lead of the pair of leads for supplying electric power to the light emitting element and an insulating film, wherein the provided with two conductive foil formed apart from each other on the insulating film, the back side of the electrode of the light emitting element to foil the two conductive is connected, wherein one of the two conductive foil wherein the one lead electrically connected, said two other of the conductive foil is electrically connected to the other lead of said pair of lead it is those who are.

【0010】かかる構成のLEDにおいては、絶縁性フィルムが一方のリードの上に固定されているため、発光素子の裏側の電極は一方のリードと絶縁されている。 [0010] In the LED having such a configuration, since the insulating film is fixed onto the one lead, the back electrode of the light-emitting element is insulated from the one lead. そして、絶縁性フィルムの上に互いに離して形成された2 Then, it formed apart from each other on the insulating film 2
つの導電性の箔に対して、発光素子の裏側の電極がそれぞれ接続され、更に、2つの導電性の箔はそれぞれ一方のリードと他方のリードとに電気的に接続されている。 Against One of the conductive foil, the back electrode of the light emitting element are respectively connected, furthermore, the two conductive foils are electrically connected to each one of the leads and the other lead.
これによって、発光素子の裏側の電極が一方のリードと他方のリードとにそれぞれ電気的に接続される。 Thus, the back electrode of the light-emitting elements are electrically connected to the one lead and the other lead. このようにして、フリップチップ構造が形成されている。 Thus, flip-chip structure are formed. そして、発光素子は極めて薄い絶縁性フィルムと導電性の箔を介して一方のリードの上に載っているため、極めて放熱性に優れたものとなり、発光効率も高く保たれ、素子寿命も長くなる。 Since the light-emitting element rests via a very thin insulating film and a conductive foil onto the one lead, it is excellent in an extremely heat dissipation, the light emitting efficiency is kept high, and longer device lifetime .

【0011】このようにして、ツェナーダイオードを用いることなくフリップチップ構造を形成することによって、発光素子の特性が十分に発揮されるLEDとなる。 [0011] Thus, by forming a flip chip structure without using a Zener diode, a LED which characteristics of the light-emitting element can be sufficiently exhibited.

【0012】請求項3の発明にかかる発光ダイオードは、フリップチップ型の発光素子を備える発光ダイオードであって、前記発光素子に電力を供給する1対のリードのうち一方のリードの上面に固定された絶縁性フィルムと、前記絶縁性フィルムの上に形成された導電性の箔とを具備し、前記発光素子の裏側の電極の一方が前記導電性の箔に接続され、前記発光素子の裏側の電極の他方が前記一方のリードに接続され、前記導電性の箔が前記1対のリードのうち他方のリードに電気的に接続されているものである。 [0012] emitting diode according to the third aspect of the present invention, a light emitting diode having a flip-chip type light-emitting element is fixed to the upper surface of one lead of the pair of leads for supplying electric power to the light emitting element and an insulating film, wherein the comprises a conductive foil formed on the insulating film, one of the back electrode of the light emitting element is connected to the foil of the conductive, the back side of the light emitting element the other electrode connected to said one lead, the foil of the conductive is one that is electrically connected to the other lead of said pair of leads.

【0013】かかる構成のLEDにおいては、発光素子の裏側の電極の一方は絶縁性フィルムによって一方のリードと絶縁された導電性の箔に接続され、更に、導電性の箔は他方のリードにワイヤ等によって電気的に接続されている。 [0013] In the LED having such a configuration, one of the back electrode of the light emitting element is connected to the foil one lead and insulated conductive by an insulating film, further, the foil of the conductive wire to the other lead It is electrically connected by the like. これに対して、発光素子の裏側の電極の他方は、金バンプ等によって一方のリードに直接接続されている。 In contrast, the other back side electrode of the light emitting element by the gold bumps are directly connected to one lead. これによって、発光素子の裏側の電極が一方のリードと他方のリードとにそれぞれ電気的に接続される。 Thus, the back electrode of the light-emitting elements are electrically connected to the one lead and the other lead.
このようにして、フリップチップ構造が形成されている。 Thus, flip-chip structure are formed. そして、発光素子の一部は極めて薄い絶縁性フィルムと導電性の箔を介して、他の部分は直接、一方のリードの上に載っているため、極めて放熱性に優れたものとなり、発光効率も高く保たれ、素子寿命も長くなる。 A part of the light emitting element via an extremely thin insulating film and a conductive foil, for the other part is directly placed on the one lead, it is excellent in an extremely heat dissipation, the light emission efficiency also kept high, even longer device lifetime.

【0014】このようにして、ツェナーダイオードを用いることなくフリップチップ構造を形成することによって、発光素子の特性が十分に発揮されるLEDとなる。 [0014] Thus, by forming a flip chip structure without using a Zener diode, a LED which characteristics of the light-emitting element can be sufficiently exhibited.

【0015】請求項4の発明にかかる発光ダイオードは、請求項3の構成において、前記一方のリードによって凹型の反射鏡が形成され、前記発光素子が前記反射鏡の底面に位置しているものである。 [0015] emitting diode according to a fourth aspect of the present invention, in the configuration of claim 3, wherein the reflector concave is formed by one lead, in which the light emitting element is positioned on the bottom surface of the reflector is there.

【0016】かかる凹型の反射鏡によって、発光素子の発光面から水平方向に出射された光も発光面に対して略垂直方向に反射されて照射されるため、LEDとしての外部放射効率が向上する。 [0016] By such concave reflector to be irradiated is reflected in a direction substantially perpendicular to also the light-emitting surface light emitted in a horizontal direction from the light emitting surface of the light emitting element is improved external emission efficiency of the LED . そして、発光素子の裏側の電極の一方は絶縁性フィルムによって一方のリードと絶縁され、一方のリードよりなる反射鏡の縁まで伸びた導電性の箔に接続され、更に、導電性の箔は他方のリードにワイヤ等によって電気的に接続されている。 Then, one of the back electrode of the light emitting element is insulated from the one lead by an insulating film, is connected to the conductive foil extending to the edge of the reflector consisting of one lead, further, a conductive foil on the other hand It is electrically connected by a wire or the like of the lead. これに対して、発光素子の裏側の電極の他方は、金バンプ等によって一方のリードに直接接続されている。 In contrast, the other back side electrode of the light emitting element by the gold bumps are directly connected to one lead. これによって、 by this,
発光素子の裏側の電極が一方のリードと他方のリードとにそれぞれ電気的に接続される。 Backside electrode of the light-emitting elements are electrically connected to the one lead and the other lead. このようにして、フリップチップ構造が形成されている。 Thus, flip-chip structure are formed. したがって、ツェナーダイオードを介さずに発光素子が直接反射鏡の底面にマウントされているため、反射鏡としての役割を十分に果たすことができ、十分な光学特性を得ることができる。 Accordingly, since the light-emitting element without passing through the Zener diode is mounted on the bottom surface of the directly reflecting mirror, it is possible to perform sufficiently role as a reflecting mirror, it is possible to obtain a sufficient optical property.

【0017】更に、発光素子の一部は極めて薄い絶縁性フィルムと導電性の箔を介して、他の部分は直接、一方のリードの上に載っているため、極めて放熱性に優れたものとなり、発光効率も高く保たれ、素子寿命も長くなる。 Furthermore, some of the light emitting element via an extremely thin insulating film and a conductive foil, for the other part is directly placed on the one lead, it is excellent in an extremely heat dissipation , luminous efficiency is kept high, and longer device lifetime.

【0018】このようにして、ツェナーダイオードを用いることなくフリップチップ構造を形成するとともに反射鏡を形成することによって、発光素子の発光効率、素子寿命、光学特性が十分に発揮されるLEDとなる。 [0018] Thus, by forming a reflecting mirror to form a flip-chip structure without using a Zener diode, the luminous efficiency of the light emitting element, the LED of device life, the optical characteristics are sufficiently exhibited.

【0019】請求項5の発明にかかる発光ダイオードは、請求項1乃至請求項4のいずれか1つの構成において、前記スルーホール基板の一部または前記1対のリードの一部と前記発光素子とを光透過性材料で封止するとともに、前記光透過性材料の前記発光素子の発光面側を光放射面としたものである。 The light emitting diode according to the invention of claim 5, in any one configuration of claims 1 to 4, a part or a portion of the pair of leads of the through-hole board and said light emitting element together sealed with optically transparent material, in which a light emitting surface side of the light emitting element of the light-transmitting material and a light emitting surface.

【0020】このように発光素子を光透過性材料で封止することによって、発光素子から放射される光量は封止されていない場合の約2倍になるため、外部放射効率が著しく向上する。 [0020] By sealing the thus-emitting element of a light transmissive material, the amount of light emitted from the light-emitting element to become about two times the case where not sealed, the external radiation efficiency is significantly improved. そして、発光素子はツェナーダイオードを用いることなくフリップチップ構造によってマウントされているために、極めて放熱性に優れたものとなり、発光効率も高く保たれ、素子寿命も長くなる。 And since the light emitting element is mounted by flip-chip structure without using a Zener diode, it becomes excellent in extremely heat dissipation, the light emitting efficiency is kept high, and longer device lifetime.

【0021】このようにして、ツェナーダイオードを用いることなくフリップチップ構造を形成するとともに光透過性材料で封止することによって、発光素子の発光効率、素子寿命、外部放射効率により優れたLEDとなる。 [0021] Thus, by sealing a light transmissive material to form a flip-chip structure without using a Zener diode, the luminous efficiency, device life of the light-emitting element, an excellent LED by external radiation efficiency .

【0022】請求項6の発明にかかる発光ダイオードは、請求項5の構成において、前記光放射面は凸レンズであるものである。 The light emitting diode according to the invention of claim 6 is the structure of claim 5, wherein the light emitting surface is one which is a convex lens.

【0023】このように発光素子を光透過性材料で封止するとともに発光面側に凸レンズの光放射面を設けることによって、発光素子から発せられた光が集光されて外部放射されるため、光学特性に優れたものとなる。 [0023] Since the by the light-emitting element providing a light emitting surface of the convex lens on the light emitting surface side with sealed with optically transparent material as light emitted from the light emitting element is radiated outside is condensed, and it is excellent in optical properties. また、発光素子を光透過性材料で封止することによって、 Further, by sealing the light emitting element of a light transmitting material,
発光素子から放射される光量は封止されていない場合の約2倍になるため、外部放射効率が著しく向上する。 The amount of light emitted from the light-emitting element to become about two times the case where not sealed, the external radiation efficiency is significantly improved. そして、発光素子はツェナーダイオードを用いることなくフリップチップ構造によってマウントされているために、極めて放熱性に優れたものとなり、発光効率も高く保たれ、素子寿命も長くなる。 And since the light emitting element is mounted by flip-chip structure without using a Zener diode, it becomes excellent in extremely heat dissipation, the light emitting efficiency is kept high, and longer device lifetime.

【0024】このようにして、ツェナーダイオードを用いることなくフリップチップ構造を形成するとともに光透過性材料で封止して凸レンズの光放射面を設けることによって、発光素子の発光効率、素子寿命、外部放射効率、集光特性により優れたLEDとなる。 [0024] In this manner, by sealing a light transmissive material to form a flip-chip structure without using a Zener diode providing a light emitting surface of the convex lens, the luminous efficiency of the light emitting element, element life, external radiation efficiency, an excellent LED by the focusing characteristics.

【0025】請求項7の発明にかかる発光ダイオードの製造方法は、発光素子に電力を供給する1対のリードのうち一方のリードの一部に導電性の箔が貼り付けられた絶縁性のフィルムを貼り付ける工程と、前記一方のリードをプレス加工して前記絶縁性のフィルムの前記導電性の箔の一方の端が中央部に位置する凹型の反射鏡とし、 The method of manufacturing a light emitting diode according to the invention of claim 7, a pair of one part of the conductive foil insulating affixed lead film of the lead for supplying power to the light emitting element and a step of attaching, the concave reflecting mirror in which one end of the conductive foil of the insulating film the one lead by pressing is positioned in a central portion,
前記反射鏡の凹面が角張らず丸みを帯びるように加工する工程と、前記凹型の反射鏡の中央部において、前記導電性の箔の端に前記発光素子の裏側の電極の一方を接続する工程と、前記一方のリードに前記発光素子の裏側の電極の他方を接続する工程と、前記導電性の箔の他方の端を前記1対のリードのうち他方のリードに電気的に接続する工程とを具備するものである。 Step of connecting the steps of processing to assume a concave surface having any sharp angles without rounding of the reflecting mirror in the central portion of the reflecting mirror of the concave, one of the back electrode of the light emitting element to an end of the conductive foil When the step of connecting the other of the back electrode of the light emitting element to the one lead, and the step of electrically connecting the other end of the conductive foil to the other lead of said pair of lead it is intended to include a.

【0026】この発光ダイオードの製造方法においては、一方のリードの上に導電性の箔が貼り付けられた絶縁性のフィルムを貼り付けた後に、一方のリードをプレス加工して凹型の反射鏡とし、フィルムと箔の一方の端を反射鏡の中央部に位置させるとともに、反射鏡の凹面が角張らず丸みを帯びるように加工する。 [0026] In this manufacturing method of a light emitting diode, after laminating the film insulating affixed foils of conductive over one of the leads, the concave reflecting mirror and one lead by pressing , together to position the one end of the film and the foil in the center of the reflector, the concave reflecting mirror is processed to be rounded without having any sharp angles. これによって、発光素子を反射鏡の中央部にマウントすることができるとともに、反射鏡の凹面に丸みをもたせることによって、プレス加工時に導電性の箔が切れてしまうのを確実に防止することができる。 Thus, it is possible to mount the light emitting element at the center of the reflector, by to have a rounded concave reflector, it is possible to reliably prevent from being broken conductive foil during press working . 続いて、反射鏡の中央部において、導電性の箔の一方の端に発光素子の裏側の電極の一方を金バンプ等によって電気的に接続するとともに、発光素子の裏側の電極の他方を一方のリードに金バンプ等によって直接接続する。 Subsequently, in the central portion of the reflector, one of the back electrode of the light emitting element at one end of the conductive foil with electrically connected by gold bumps, one the other rear electrode of the light emitting element directly connected by a gold bump or the like to lead. そして、導電性の箔の他方の端を他方のリードにワイヤ等で電気的に接続することによって、フリップチップ構造が形成される。 Then, by electrically connecting a wire or the like and the other end of the conductive foil to the other lead, a flip-chip structure is formed.

【0027】この発光ダイオードの製造方法によれば、 According to the manufacturing method of the light-emitting diode,
ツェナーダイオードを用いることなくフリップチップ構造で発光素子をマウントすることができ、また、発光素子の裏側の電極の一方を他方のリードと電気的に接続するための導電性の箔が、反射鏡形成時に切れてしまうのを確実に防止することができる。 Zener diode can mount a light-emitting element in a flip chip structure without using, The conductive foil to connect one of the backside electrode other the leads and electrically the light-emitting element, a reflecting mirror formed from being cut off at the time it can be reliably prevented. そして、凹型の反射鏡の中央部に発光素子をマウントすることによって、発光素子の発光面から水平方向に出射された光も発光面に対して略垂直方向に反射されて照射されるため、LEDとしての外部放射効率が向上する。 Then, by mounting the light emitting element in the center of the concave reflecting mirror, since the light from the light emitting surface of the light emitting element is emitted in the horizontal direction is irradiated is reflected in a direction substantially perpendicular to the light-emitting surface, LED external radiation efficiency as can be improved.

【0028】このようにして、ツェナーダイオードを用いることなくフリップチップ構造を形成するとともに丸みを帯びた凹面の反射鏡を形成することによって、発光素子の放熱性が良くなって発光効率、素子寿命に優れ、 [0028] Thus, by forming a concave reflector rounded to form a flip-chip structure without using a Zener diode, the luminous efficiency becomes better heat dissipation properties of the light-emitting element, the element lifetime excellent,
また十分な光学特性が得られるとともに電気的接続の信頼性の高いLEDの製造方法となる。 Also a reliable method of manufacturing an LED electrical connections with sufficient optical characteristics can be obtained.

【0029】請求項8の発明にかかる発光ダイオードの製造方法は、請求項7の構成において、前記1対のリードの一部と前記反射鏡と前記発光素子とを光透過性材料で封止するとともに、前記光透過性材料の前記発光素子の発光面側を光放射面とする工程を付加したものである。 The method of manufacturing a light emitting diode according to the invention of claim 8, in the configuration of claim 7, sealing the first and part of the pair of leads with the reflector and the light emitting element of a light transmissive material with the emission surface side of the light emitting element of the light transmissive material is obtained by adding the step of the light emitting surface.

【0030】このように発光素子を光透過性材料で封止することによって、発光素子から放射される光量は封止されていない場合の約2倍になるため、外部放射効率が著しく向上する。 [0030] By sealing the thus-emitting element of a light transmissive material, the amount of light emitted from the light-emitting element to become about two times the case where not sealed, the external radiation efficiency is significantly improved. そして、発光素子はツェナーダイオードを用いることなくフリップチップ構造によって反射鏡の中央部にマウントされているために、極めて放熱性に優れたものとなり、発光効率も高く保たれ、素子寿命も長くなり、外部放射効率も向上する。 And since the light-emitting element that is mounted on the central portion of the reflecting mirror by a flip-chip structure without using a Zener diode, becomes excellent in extremely heat dissipation, the light emitting efficiency is kept high, device lifetime becomes longer, also improved external radiation efficiency.

【0031】このようにして、ツェナーダイオードを用いることなくフリップチップ構造を形成するとともに光透過性材料で封止して光放射面を形成することによって、発光素子の発光効率、素子寿命、外部放射効率により優れたLEDの製造方法となる。 [0031] In this manner, by sealing a light transmissive material to form a flip-chip structure without using a Zener diode forming a light emitting surface, the light emitting efficiency of the light emitting element, element life, external radiation is an excellent method of manufacturing an LED by efficiency.

【0032】請求項9の発明にかかる発光ダイオードは、請求項8の構成において、前記光放射面は凸レンズであるものである。 The light emitting diode according to the invention of claim 9, in the configuration of claim 8, wherein the light emitting surface is one which is a convex lens.

【0033】このように発光素子を光透過性材料で封止するとともに発光面側に凸レンズの光放射面を設けることによって、発光素子から発せられた光が集光されて外部放射されるため、光学特性に優れたものとなる。 [0033] Since the by the light-emitting element providing a light emitting surface of the convex lens on the light emitting surface side with sealed with optically transparent material as light emitted from the light emitting element is radiated outside is condensed, and it is excellent in optical properties. また、発光素子を光透過性材料で封止することによって、 Further, by sealing the light emitting element of a light transmitting material,
発光素子から放射される光量は封止されていない場合の約2倍になるため、外部放射効率が著しく向上する。 The amount of light emitted from the light-emitting element to become about two times the case where not sealed, the external radiation efficiency is significantly improved. そして、発光素子はツェナーダイオードを用いることなくフリップチップ構造によって反射鏡の中央部にマウントされているために、極めて放熱性に優れたものとなり、 Then, the light emitting device because it is mounted in the central portion of the reflecting mirror by a flip-chip structure without using a Zener diode, becomes excellent in extremely heat dissipation,
発光効率も高く保たれ、素子寿命も長くなり、外部放射効率も向上する。 Luminous efficiency is kept high, device lifetime becomes longer, thereby improving external emission efficiency.

【0034】このようにして、ツェナーダイオードを用いることなくフリップチップ構造を形成するとともに光透過性材料で封止して凸レンズの光放射面を設けることによって、発光素子の発光効率、素子寿命、外部放射効率、集光特性により優れたLEDの製造方法となる。 [0034] In this manner, by sealing a light transmissive material to form a flip-chip structure without using a Zener diode providing a light emitting surface of the convex lens, the luminous efficiency of the light emitting element, element life, external radiation efficiency, an excellent method of manufacturing an LED by the focusing characteristics.

【0035】 [0035]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。 BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, will be described with reference to the drawings, embodiments of the present invention.

【0036】実施の形態1 まず、本発明の実施の形態1について、図1を参照して説明する。 Firstly the first embodiment, a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 図1(a)は本発明の実施の形態1にかかる発光ダイオードの全体構造を示す縦断面図、(b)は平面図である。 1 (a) is a longitudinal sectional view showing the overall structure of a light emitting diode according to a first embodiment of the present invention, (b) is a plan view.

【0037】図1(a)に示されるように、本実施の形態1のLED1は、ガラスエポキシ製の基板にスルーホール5が穿設され、さらに基板の上下面とスルーホール5の内面に銅箔からなる導電性パターン4がプリントされたスルーホール基板3の上に、GaN系の発光素子2 [0037] As shown in FIG. 1 (a), LED1 of the embodiment 1, the through-hole 5 is bored in a substrate made of glass epoxy, further copper on the upper and lower surfaces and the inner surface of the through hole 5 of the board on the conductive pattern 4 made of foil of the through hole substrate 3 is printed, the light emitting element 2 of the GaN-based
がマウントされている。 There has been mounted. スルーホール5の内部は、金属としてのハンダ6で充填されている。 The through holes 5 are filled with the solder 6 as a metal. このスルーホール5の上に、発光素子2の裏側の電極の一方が金バンプ7 On the through hole 5, while the back electrode of the light emitting element 2 gold bumps 7
aによって電気的に接続されている。 It is electrically connected by a. 一方、発光素子2 On the other hand, the light emitting element 2
の裏側の電極の他方が、スルーホール5と絶縁された側の導電性パターン4の上に金バンプ7bによって電気的に接続されている。 The other of the back side of the electrodes, are electrically connected by a gold bump 7b on the conductive patterns 4 of the through holes 5 and insulated side.

【0038】これを上から見ると、導電性パターン4の隙間4aによって、スルーホール5上の金バンプ7aと導電性パターン4上の金バンプ7bとの絶縁が確保されている。 [0038] Looking at this from above, by a gap 4a of conductive pattern 4, insulation between the gold bumps 7a and the conductive pattern 4 on the gold bumps 7b on the through hole 5 is ensured. このようにして、フリップチップ構造が形成されている。 Thus, flip-chip structure are formed.

【0039】このように、本実施の形態1のLED1においては、従来のようにツェナーダイオードを介さずに、発光素子2の裏側の電極を金バンプ7a,7bによって直接スルーホール5及び導電性パターン4に接続してフリップチップ構造を形成しているために、スルーホール5とその中に充填されたハンダ6がヒートシンクの役割を果たして、極めて放熱性に優れたLEDとなる。 [0039] Thus, in the LED1 of the first embodiment, without using the conventional Zener diode as the back side of the electrode to the gold bumps 7a of the light emitting element 2, directly through holes by 7b 5 and the conductive pattern to form a flip-chip structure connected to 4, the solder 6 is filled with the through holes 5 therein serve sink, the LED extremely excellent in heat dissipation.
この結果、発光素子2が高温になって発光効率が低下することがなく高い発光効率が保たれ、素子寿命も長くなる。 As a result, the light emitting element 2 can be kept high luminous efficiency without decrease the luminous efficiency becomes high temperature, is prolonged device life.

【0040】また、互いに絶縁された導電性パターン4 Further, the conductive pattern 4 are insulated from each other
が基板の裏側にまで回り込んでプリントされているスルーホール基板3の上に発光素子2をマウントしたことによって、LED1はこのまま表面実装することができる。 By There has been mounted light emitting element 2 on the through-hole substrate 3 that is printed wraps around to the back side of the substrate, LED1 may be surface mounted as it is.

【0041】このようにして、本実施の形態1のLED [0041] In this way, the first embodiment LED
1においては、ツェナーダイオードを用いることなくフリップチップ構造を形成することによって、発光素子2 In one, by forming a flip chip structure without using a Zener diode, the light emitting element 2
の特性が十分に発揮される。 Characteristics of can be sufficiently exhibited.

【0042】実施の形態2 次に、本発明の実施の形態2について、図2を参照して説明する。 [0042] Embodiment 2 Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 図2(a)は本発明の実施の形態2にかかる発光ダイオードの全体構造を示す縦断面図、(b)は平面図である。 2 (a) is a longitudinal sectional view showing the overall structure of a light emitting diode according to a second embodiment of the present invention, (b) is a plan view. なお、実施の形態1と同一の部分については同一の符号を付して説明を省略する。 The same parts as in the first embodiment will not be described are denoted by the same reference numerals.

【0043】図2に示されるように、本実施の形態2のLED11が実施の形態1のLED1と異なるのは、発光素子2及びスルーホール基板3の一部を光透過性材料としての透明エポキシ樹脂8で封止して、その発光面側を光放射面としての凸レンズ9とした点である。 [0043] As shown in FIG. 2, the LED11 of the second embodiment is different from the LED1 of the first embodiment, transparent epoxy part of the light emitting element 2 and the through-hole substrate 3 as a light-transmitting material sealed with a resin 8, a point obtained by the emission surface side and the convex lens 9 as the light emitting surface.

【0044】このように発光素子2を透明エポキシ樹脂8で封止することによって、発光素子2から放射される光量は封止されていない場合の約2倍になるため、LE [0044] Since by sealing this way the light-emitting element 2 in the transparent epoxy resin 8, the amount of light emitted from the light emitting element 2 is made approximately twice the unsealed, LE
D11は外部放射効率が著しく向上する。 D11 external radiation efficiency is significantly improved. また、発光素子2の発光面側に凸レンズ9の光放射面を設けることによって、発光素子2から発せられた光が集光されて外部放射されるため、光学特性に優れたものとなる。 Further, by providing the light emitting surface of the convex lens 9 to the light emitting surface of the light emitting element 2, the light emitted from the light emitting element 2 is to be externally emitted is condensed, and is excellent in optical properties. 更に、 In addition,
実施の形態1のLED1と同様にこのまま表面実装することが可能である。 It is possible to LED1 similarly to surface mount this state in the first embodiment.

【0045】このようにして、本実施の形態2のLED [0045] Thus, the present embodiment 2 LED
11においては、ツェナーダイオードを用いることなくフリップチップ構造を形成するとともに透明エポキシ樹脂8で封止して凸レンズ9の光放射面を設けることによって、発光素子2の発光効率、素子寿命、及び外部放射効率、集光特性により優れたLEDとなる。 In 11, by sealing with a transparent epoxy resin 8 so as to form a flip-chip structure without using a Zener diode providing a light emitting surface of the convex lens 9, the light emitting element 2 emission efficiency, device life and external radiation efficiency, an excellent LED by the focusing characteristics.

【0046】実施の形態3 次に、本発明の実施の形態3について、図3を参照して説明する。 [0046] Embodiment 3 Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 図3は本発明の実施の形態3にかかる発光ダイオードの全体構造を示す縦断面図である。 Figure 3 is a longitudinal sectional view showing an entire structure of a light emitting diode according to a third embodiment of the present invention.

【0047】図3に示されるように、本実施の形態3のLED21は、GaN系の発光素子22に電力を供給する1対のリード23a,23bのうち一方のリード23 [0047] As shown in FIG. 3, LED 21 of the third embodiment, the lead 23a of the pair for supplying power to the light emitting element 22 of the GaN-based, 23b one lead of the 23
aの上に、2枚の導電性の箔としての互いに離れた銅箔25a,25bが形成された絶縁性フィルム24を貼り付けている。 On the a, a copper foil 25a spaced from each other as two conductive foil, 25b are pasted formed insulating film 24. 絶縁性フィルム24の厚さは約100μ The thickness of the insulating film 24 is about 100μ
m、銅箔25a,25bの厚さは約20μmである。 m, a copper foil 25a, the thickness of 25b is approximately 20 [mu] m. このように絶縁された2枚の銅箔25a,25bに、発光素子22の裏側の2つの電極が、それぞれ金バンプ26 Such insulated two copper foils 25a, to 25b, 2 two electrodes on the back of the light emitting element 22 are each gold bump 26
a,26bによって接続されている。 a, it is connected by 26b. そして、銅箔25 Then, the copper foil 25
aの表面が一方のリード23aとワイヤ27aによってボンディングされることによって電気的に接続され、銅箔25bの表面が他方のリード23bとワイヤ27bによってボンディングされることによって電気的に接続される。 Are electrically connected by the surface of a is bonded by one lead 23a and the wire 27a, the surface of the copper foil 25b are electrically connected by being bonded by other lead 23b and the wire 27b. このようにして、発光素子22がフリップチップ構造によって、一方のリード23aの上にマウントされる。 Thus, the light-emitting element 22 by flip-chip structure, is mounted on top of one lead 23a.

【0048】そして、光透過性材料としての透明エポキシ樹脂28によって、発光素子22、1対のリード23 [0048] Then, a transparent epoxy resin 28 as a light transmissive material, the light-emitting element 22, one pair leads 23
a,23bの一部、絶縁性フィルム24、銅箔25a, a, a portion of the 23b, the insulating film 24, a copper foil 25a,
25b、金バンプ26a,26b、ワイヤ27a,27 25b, the gold bumps 26a, 26b, the wire 27a, 27
bが封止されて、発光素子22の発光面側即ち上側に光放射面としての凸レンズ29が形成される。 b is sealed, a convex lens 29 as a light emitting surface is formed on the light emitting surface side or upper side of the light emitting element 22.

【0049】このように発光素子22を透明エポキシ樹脂28で封止することによって、発光素子22から放射される光量は封止されていない場合の約2倍になるため、LED21は外部放射効率が著しく向上する。 [0049] By sealing in this manner the light-emitting element 22 with a transparent epoxy resin 28, the amount of light emitted from the light emitting element 22 to become approximately twice the unsealed, LED 21 is an external radiation efficiency significantly improved. また、発光素子22の発光面側に凸レンズ29の光放射面を設けることによって、発光素子22から発せられた光が集光されて外部放射されるため、光学特性に優れたものとなる。 Further, by providing the light emitting surface of the convex lens 29 on the emitting surface side of the light emitting element 22, light emitted from the light emitting element 22 to be radiated outside it is condensed, and is excellent in optical properties.

【0050】このようにして、本実施の形態3のLED [0050] Thus, LED of the third embodiment
21においては、ツェナーダイオードを用いることなくフリップチップ構造を形成するとともに透明エポキシ樹脂28で封止して凸レンズ29の光放射面を設けることによって、発光素子22の発光効率、素子寿命、及び外部放射効率、集光特性により優れたLEDとなる。 In 21, by sealing with a transparent epoxy resin 28 to form a flip-chip structure without using a Zener diode providing a light emitting surface of the convex lens 29, the light emission efficiency of the light emitting element 22, device life, and external radiation efficiency, an excellent LED by the focusing characteristics.

【0051】実施の形態4 次に、本発明の実施の形態4について、図4を参照して説明する。 [0051] Embodiment 4 Next, Embodiment 4 of the present invention will be described with reference to FIG. 図4(a)は本発明の実施の形態4にかかる発光ダイオードの全体構造を示す縦断面図、(b)は発光素子のマウント部分の周辺を拡大して示す部分拡大平面図である。 4 (a) is a longitudinal sectional view showing the overall structure of a light emitting diode according to a fourth embodiment of the present invention, (b) is a partially enlarged plan view showing the periphery of the mounting portion of the light emitting element.

【0052】図4(a)に示されるように、本実施の形態4のLED31は、GaN系の発光素子32に電力を供給する1対のリード33a,33bのうち一方のリード33aの先端に、導電性の箔としての銅箔35のパターンが形成された絶縁性フィルム34を貼り付けている。 [0052] As shown in FIG. 4 (a), LED 31 of the fourth embodiment, a pair of leads 33a supplies power to the light emitting element 32 of the GaN-based, the tip of one lead 33a of 33b , and paste the insulating film 34 the pattern of copper foil 35 as a foil conductivity is formed. 絶縁性フィルム34の厚さは約100μm、銅箔3 The thickness of the insulating film 34 is about 100 [mu] m, the copper foil 3
5の厚さは約20μmである。 Thickness of 5 is about 20μm. この銅箔35の上に発光素子32の裏側の電極の一方のみが載るように、金バンプ36bによって発光素子32が接続される。 As only one of the back electrode of the light emitting element 32 on the copper foil 35 rests, the light emitting element 32 are connected by gold bumps 36b. 発光素子32の裏側の電極の他方は、金バンプ36aによって一方のリード33aの上に直接接続される。 The other back electrode of the light emitting element 32 is connected directly on top of one lead 33a by the gold bumps 36a. そして、銅箔35の表面が他方のリード33bとワイヤ37によってボンディングされることによって電気的に接続される。 Then, the surface of the copper foil 35 are electrically connected by being bonded by other lead 33b and the wire 37.
このようにして、発光素子32がフリップチップ構造によって、一方のリード33aの上にマウントされる。 Thus, the light-emitting element 32 by flip-chip structure, is mounted on top of one lead 33a.

【0053】図4(b)に示されるように、このマウント部分を上から見ると、発光素子32の裏側の2つの電極は、絶縁性フィルム34によって作られる隙間34a [0053] As shown in FIG. 4 (b), when looking at the mount portion from above, the two electrodes of the back side of the light emitting element 32, a gap 34a created by the insulating film 34
によって確実に絶縁が保たれている。 Are reliably insulated is maintained by. また、本実施の形態4のLED31は、実施の形態3のLED21のように2枚の銅箔を用いずに、発光素子32の裏側の電極の他方は金バンプ36aによって一方のリード33aの上に直接接続されているため、発光素子32の発光層で発した熱は絶縁性フィルムを介さず直接一方のリード33 Also, LED 31 of the fourth embodiment, without using the two copper foil as the LED21 of the third embodiment, the other back side electrode of the light emitting element 32 on the one lead 33a by the gold bumps 36a because it is directly connected to the heat emitted from the light-emitting layer of the light emitting element 32 directly one lead not through the insulating film 33
aに逃がされる。 It is released in a. さらに、構造がより簡単であり、また製造が容易である。 Furthermore, the structure is simpler and is easy to manufacture. これによって、LED31の低コスト化を図ることができる。 Thereby, it is possible to reduce the cost of the LED 31.

【0054】そして、光透過性材料としての透明エポキシ樹脂38によって、発光素子32、1対のリード33 [0054] Then, a transparent epoxy resin 38 as a light transmissive material, the light-emitting element 1/32 pair leads 33
a,33bの一部、絶縁性フィルム34、銅箔35、金バンプ36a,36b、ワイヤ37が封止されて、発光素子32の発光面側即ち上側に光放射面としての凸レンズ39が形成される。 a, a portion of the 33b, the insulating film 34, a copper foil 35, the gold bumps 36a, 36b, the wire 37 is sealed, a convex lens 39 as a light emitting surface is formed on the light emitting surface side or upper side of the light emitting element 32 that.

【0055】このように発光素子32を透明エポキシ樹脂38で封止することによって、発光素子32から放射される光量は封止されていない場合の約2倍になるため、LED31は外部放射効率が著しく向上する。 [0055] By sealing in this manner the light-emitting element 32 with a transparent epoxy resin 38, the amount of light emitted from the light emitting element 32 to become approximately twice the unsealed, LED 31 is an external radiation efficiency significantly improved. また、発光素子32の発光面側に凸レンズ39の光放射面を設けることによって、発光素子32から発せられた光が集光されて外部放射されるため、光学特性に優れたものとなる。 Further, by providing the light emitting surface of the convex lens 39 on the emitting surface side of the light emitting element 32, light emitted from the light emitting element 32 to be radiated outside it is condensed, and is excellent in optical properties.

【0056】このようにして、本実施の形態4のLED [0056] LED in this way, the present embodiment 4
31においては、ツェナーダイオードを用いることなくフリップチップ構造を形成するとともに透明エポキシ樹脂38で封止して凸レンズ39の光放射面を設けることによって、発光素子32の発光効率、素子寿命、及び外部放射効率、集光特性により優れたLEDとなる。 In 31, by sealing with a transparent epoxy resin 38 to form a flip-chip structure without using a Zener diode providing a light emitting surface of the convex lens 39, the light emission efficiency of the light emitting element 32, device life, and external radiation efficiency, an excellent LED by the focusing characteristics.

【0057】実施の形態5 次に、本発明の実施の形態5について、図5を参照して説明する。 Next a fifth embodiment, the fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 図5(a)は本発明の実施の形態5にかかる発光ダイオード及びその製造方法についての全体構造を示す縦断面図、(b)は発光素子のマウント部分の周辺を拡大して示す部分拡大平面図である。 5 (a) is a longitudinal sectional view showing the overall structure of a light emitting diode and a manufacturing method thereof according to the fifth embodiment of the present invention, (b) is a partially enlarged plan illustrating an enlarged vicinity of the mounting portion of the light emitting element it is a diagram.

【0058】図5(a)に示されるように、本実施の形態5のLED41は、GaN系の発光素子42に電力を供給する1対のリード43a,43bのうち一方のリード43aの先端に長めに絶縁性フィルム44を貼り付け、その上に導電性の箔としての銅箔45を貼り付けている。 [0058] As shown in FIG. 5 (a), LED 41 of the fifth embodiment, a pair of leads 43a supplies power to the light emitting element 42 of the GaN-based, the tip of one lead 43a of 43b longer stuck insulating film 44, are adhered copper foil 45 as the foil of the conductive thereon. 絶縁性フィルム44の厚さは約100μm、銅箔45の厚さは約20μmである。 The thickness of the insulating film 44 has a thickness of about 100 [mu] m, copper foil 45 is about 20 [mu] m.

【0059】ここで、一方のリード43aをプレス加工して凹型の反射鏡43cを形成し、絶縁性フィルム44 [0059] Here, the one lead 43a by pressing to form a concave reflecting mirror 43c, the insulating film 44
と銅箔45の一方の端を反射鏡43cの中央部に位置させるとともに、反射鏡43cの凹面が角張らず丸みを帯びるように加工する。 And together to position the one end of the copper foil 45 in the central portion of the reflecting mirror 43c, the concave reflecting mirror 43c is processed to rounded without having any sharp angles. これによって、発光素子42を反射鏡43cの中央部にマウントすることができるとともに、反射鏡43cの凹面に丸みをもたせることによって、プレス加工時に銅箔45が切れてしまうのを確実に防止することができる。 Thus, it is possible to mount the light emitting element 42 in the central portion of the reflecting mirror 43c, by to have a rounded concave reflecting mirror 43c, possible to reliably prevent the copper foil 45 will cut off during press working can. 続いて、反射鏡43cの中央部において、銅箔45の一方の端に発光素子42の裏側の電極の一方を金バンプ46bによって接続するとともに、発光素子42の裏側の電極の他方を一方のリード4 Subsequently, in the central portion of the reflecting mirror 43c, one of the back electrode of the light emitting element 42 to one end of the copper foil 45 as well as connected by gold bumps 46b, one lead to the other back electrode of the light emitting element 42 4
3aに金バンプ46aによって直接接続する。 Directly connected by the gold bumps 46a to 3a. そして、 And,
銅箔45の他方の端を他方のリード43bにワイヤ47 Wire the other end of the copper foil 45 to the other lead 43 b 47
でボンディングして電気的に接続することによって、フリップチップ構造が形成される。 By electrically connecting in to bonding, flip-chip structure are formed.

【0060】そして、光透過性材料としての透明エポキシ樹脂48によって、発光素子42、1対のリード43 [0060] Then, a transparent epoxy resin 48 as a light transmissive material, the light-emitting element 42, one pair leads 43
a,43bの一部、反射鏡43c、絶縁性フィルム4 a, a portion of 43 b, reflection mirrors 43c, insulating film 4
4、銅箔45、金バンプ46a,46b、ワイヤ47が封止されて、発光素子42の発光面側即ち上側に光放射面としての凸レンズ49が形成される。 4, the copper foil 45, the gold bumps 46a, 46b, the wire 47 is sealed, a convex lens 49 as a light emitting surface is formed on the light emitting surface side or upper side of the light emitting element 42.

【0061】このように発光素子42を透明エポキシ樹脂48で封止することによって、発光素子42から放射される光量は封止されていない場合の約2倍になるため、LED41は外部放射効率が著しく向上する。 [0061] By sealing in this manner the light-emitting element 42 with a transparent epoxy resin 48, since the amount of light emitted from the light emitting element 42 is made approximately twice the unsealed, LED 41 is an external radiation efficiency significantly improved. また、発光素子42の発光面側に凸レンズ49の光放射面を設けることによって、発光素子42から発せられた光が集光されて外部放射されるため、光学特性に優れたものとなる。 Further, by providing the light-emitting surface of the convex lens 49 on the emitting surface side of the light emitting element 42, light emitted from the light emitting element 42 to be radiated outside it is condensed, and is excellent in optical properties. 更に、凹型の反射鏡43cの中央部に発光素子42をマウントすることによって、発光素子42の発光面から水平方向に出射された光も発光面に対して略垂直方向に反射されて照射されるため、外部放射効率がより一層向上する。 Furthermore, by mounting the light emitting element 42 in the central portion of the concave reflecting mirror 43c, is irradiated is reflected in a direction substantially perpendicular to also the light-emitting surface light emitted in a horizontal direction from the light emitting surface of the light emitting element 42 Therefore, the external radiation efficiency can be further improved.

【0062】このようにして、本実施の形態5のLED [0062] LED in this way, the present embodiment 5
41においては、ツェナーダイオードを用いることなくフリップチップ構造を形成するとともに透明エポキシ樹脂48で封止して凸レンズ49の光放射面を設けることによって、発光素子42の発光効率、素子寿命、及び外部放射効率、集光特性により優れたLEDとなる。 In 41, by sealing with a transparent epoxy resin 48 to form a flip-chip structure without using a Zener diode providing a light emitting surface of the convex lens 49, the light emitting efficiency of the light emitting element 42, device life, and external radiation efficiency, an excellent LED by the focusing characteristics. 更に、凹型の反射鏡43cを形成することによって外部放射効率がより一層向上する。 Furthermore, the external radiation efficiency can be further improved by forming a concave reflector 43c.

【0063】上記実施の形態2〜5においては、発光素子及び1対のリードの一部等を光透過性材料としての透明エポキシ樹脂で封止した場合について説明したが、実施の形態1で示したように必ずしも樹脂封止しなくても良い。 [0063] In embodiments 2-5 of the above embodiment has described the case where the such part of the light-emitting element and a pair of leads sealed with a transparent epoxy resin as a light transmitting material, described in Embodiment 1 It does not necessarily have to be a resin sealing as. また、透明エポキシ樹脂により形成される光放射面を凸レンズとした場合について説明したが、光放射面としては、平坦面を始めとして他にも種々の形状とすることができる。 Also, a case has been described in which a convex lens light emitting surface formed by a transparent epoxy resin, as the light emitting surface, can have various shapes in other including the flat surface.

【0064】更に、上記各実施の形態においては、封止材料としての光透過性材料として透明エポキシ樹脂を使用した例について説明したが、その他にも透明シリコン樹脂を始めとして、硬化前の流動性、充填性、硬化後の透明性、強度等の条件を満たすものであれば、どのような光透過性材料を用いても良い。 [0064] Further, in the above embodiments, an example has been described using the transparent epoxy resin as a light transmitting material as a sealing material, including the other transparent even silicone resin, before curing flowable , filling property, transparency after curing, as long as satisfying the condition that the strength and the like, may be used any light transmissive material.

【0065】発光ダイオードのその他の部分の構成、形状、数量、材質、大きさ、接続関係等、及び発光ダイオードの製造方法のその他の工程についても、上記各実施の形態に限定されるものではない。 [0065] Other configurations of the light-emitting diodes, the shape, quantity, material, size, connection relationship and the like, and for the other steps of the method for manufacturing the light-emitting diode, is not limited to the above embodiments .

【0066】 [0066]

【発明の効果】以上説明したように、請求項1の発明にかかる発光ダイオードは、フリップチップ型の発光素子を備える発光ダイオードであって、スルーホール基板のスルーホールが金属で充填されて、前記スルーホールの上に前記発光素子の裏側の電極の一方が接続され、前記スルーホール基板の前記スルーホールとは絶縁された導電性パターンに前記発光素子の裏側の電極の他方が接続されているものである。 As described above, according to the present invention, light-emitting diode according to a first aspect of the invention, a light emitting diode having a flip-chip type light-emitting element, the through hole of the through-hole substrate is filled with a metal, said one back electrode of the light emitting element is connected on the through hole, which said through hole of said through-hole substrate is connected to the other back electrode of the light emitting element to the conductive pattern that is insulated it is.

【0067】かかる構成のLEDにおいては、スルーホール基板の導電性パターンが細かく精密なものが作れるため、非常に間隔の狭い発光素子の裏側の2つの電極を、一方はスルーホールの上に、他方はスルーホールとは絶縁された導電性パターンの上に、確実に絶縁を保ちながら接続することができる。 [0067] In the LED having such a configuration, since those conductive pattern of the through-hole substrate fine precision can make, very back of the two electrodes of the narrow emission element spaced, on one the through hole, the other it is a through-hole can be connected while keeping on the conductive patterns insulated reliably insulated. そして、スルーホールが金属で充填されているためにヒートシンクとしての役割を果たし、放熱性に優れたものとなるために、発光効率も高く保たれ、素子寿命も長くなる。 Then, act as a heat sink for the through holes are filled with metal, to become excellent in heat dissipation properties, luminous efficiency is kept high, and longer device lifetime.

【0068】このようにして、ツェナーダイオードを用いることなくフリップチップ構造を形成することによって、発光素子の特性が十分に発揮されるLEDとなる。 [0068] Thus, by forming a flip chip structure without using a Zener diode, a LED which characteristics of the light-emitting element can be sufficiently exhibited.

【0069】請求項2の発明にかかる発光ダイオードは、フリップチップ型の発光素子を備える発光ダイオードであって、前記発光素子に電力を供給する1対のリードのうち一方のリードの上面に固定された絶縁性フィルムと、前記絶縁性フィルムの上に互いに離して形成された2つの導電性の箔とを具備し、前記2つの導電性の箔に前記発光素子の裏側の電極がそれぞれ接続され、前記2つの導電性の箔のうち一方が前記一方のリードと電気的に接続され、前記2つの導電性の箔のうち他方が前記1対のリードのうち他方のリードに電気的に接続されているものである。 [0069] emitting diode according to a second aspect of the invention, a light emitting diode having a flip-chip type light-emitting element is fixed to the upper surface of one lead of the pair of leads for supplying electric power to the light emitting element and an insulating film, wherein the provided with two conductive foil formed apart from each other on the insulating film, the back side of the electrode of the light emitting element to foil the two conductive is connected, wherein one of the two conductive foil wherein the one lead electrically connected, said two other of the conductive foil is electrically connected to the other lead of said pair of lead it is those who are.

【0070】かかる構成のLEDにおいては、絶縁性フィルムが一方のリードの上に固定されているため、発光素子の裏側の電極は一方のリードと絶縁されている。 [0070] In the LED having such a configuration, since the insulating film is fixed onto the one lead, the back electrode of the light-emitting element is insulated from the one lead. そして、絶縁性フィルムの上に互いに離して形成された2 Then, it formed apart from each other on the insulating film 2
つの導電性の箔に対して、発光素子の裏側の電極がそれぞれ接続され、更に、2つの導電性の箔はそれぞれ一方のリードと他方のリードとに電気的に接続されている。 Against One of the conductive foil, the back electrode of the light emitting element are respectively connected, furthermore, the two conductive foils are electrically connected to each one of the leads and the other lead.
これによって、発光素子の裏側の電極が一方のリードと他方のリードとにそれぞれ電気的に接続される。 Thus, the back electrode of the light-emitting elements are electrically connected to the one lead and the other lead. このようにして、フリップチップ構造が形成されている。 Thus, flip-chip structure are formed. そして、発光素子は極めて薄い絶縁性フィルムと導電性の箔を介して一方のリードの上に載っているため、極めて放熱性に優れたものとなり、発光効率も高く保たれ、素子寿命も長くなる。 Since the light-emitting element rests via a very thin insulating film and a conductive foil onto the one lead, it is excellent in an extremely heat dissipation, the light emitting efficiency is kept high, and longer device lifetime .

【0071】このようにして、ツェナーダイオードを用いることなくフリップチップ構造を形成することによって、発光素子の特性が十分に発揮されるLEDとなる。 [0071] Thus, by forming a flip chip structure without using a Zener diode, a LED which characteristics of the light-emitting element can be sufficiently exhibited.

【0072】請求項3の発明にかかる発光ダイオードは、フリップチップ型の発光素子を備える発光ダイオードであって、前記発光素子に電力を供給する1対のリードのうち一方のリードの上面に固定された絶縁性フィルムと、前記絶縁性フィルムの上に形成された導電性の箔とを具備し、前記発光素子の裏側の電極の一方が前記導電性の箔に接続され、前記発光素子の裏側の電極の他方が前記一方のリードに接続され、前記導電性の箔が前記1対のリードのうち他方のリードに電気的に接続されているものである。 [0072] emitting diode according to the third aspect of the present invention, a light emitting diode having a flip-chip type light-emitting element is fixed to the upper surface of one lead of the pair of leads for supplying electric power to the light emitting element and an insulating film, wherein the comprises a conductive foil formed on the insulating film, one of the back electrode of the light emitting element is connected to the foil of the conductive, the back side of the light emitting element the other electrode connected to said one lead, the foil of the conductive is one that is electrically connected to the other lead of said pair of leads.

【0073】かかる構成のLEDにおいては、発光素子の裏側の電極の一方は絶縁性フィルムによって一方のリードと絶縁された導電性の箔に接続され、更に、導電性の箔は他方のリードにワイヤ等によって電気的に接続されている。 [0073] In the LED having such a configuration, one of the back electrode of the light emitting element is connected to the foil one lead and insulated conductive by an insulating film, further, the foil of the conductive wire to the other lead It is electrically connected by the like. これに対して、発光素子の裏側の電極の他方は、金バンプ等によって一方のリードに直接接続されている。 In contrast, the other back side electrode of the light emitting element by the gold bumps are directly connected to one lead. これによって、発光素子の裏側の電極が一方のリードと他方のリードとにそれぞれ電気的に接続される。 Thus, the back electrode of the light-emitting elements are electrically connected to the one lead and the other lead.
このようにして、フリップチップ構造が形成されている。 Thus, flip-chip structure are formed. そして、発光素子の一部は極めて薄い絶縁性フィルムと導電性の箔を介して、他の部分は直接、一方のリードの上に載っているため、極めて放熱性に優れたものとなり、発光効率も高く保たれ、素子寿命も長くなる。 A part of the light emitting element via an extremely thin insulating film and a conductive foil, for the other part is directly placed on the one lead, it is excellent in an extremely heat dissipation, the light emission efficiency also kept high, even longer device lifetime.

【0074】このようにして、ツェナーダイオードを用いることなくフリップチップ構造を形成することによって、発光素子の特性が十分に発揮されるLEDとなる。 [0074] Thus, by forming a flip chip structure without using a Zener diode, a LED which characteristics of the light-emitting element can be sufficiently exhibited.

【0075】請求項4の発明にかかる発光ダイオードは、請求項3の構成において、前記一方のリードによって凹型の反射鏡が形成され、前記発光素子が前記反射鏡の底面に位置しているものである。 [0075] emitting diode according to a fourth aspect of the present invention, in the configuration of claim 3, wherein the reflector concave is formed by one lead, in which the light emitting element is positioned on the bottom surface of the reflector is there.

【0076】かかる凹型の反射鏡によって、請求項3に記載の効果に加えて、発光素子の発光面から水平方向に出射された光も発光面に対して略垂直方向に反射されて照射されるため、LEDとしての外部放射効率が向上する。 [0076] By such concave reflector, in addition to the effect of claim 3, is irradiated is reflected in a direction substantially perpendicular to also the light-emitting surface light emitted in a horizontal direction from the light emitting surface of the light emitting element Therefore, to improve the external emission efficiency of the LED. そして、発光素子の裏側の電極の一方は絶縁性フィルムによって一方のリードと絶縁され、一方のリードよりなる反射鏡の縁まで伸びた導電性の箔に接続され、更に、導電性の箔は他方のリードにワイヤ等によって電気的に接続されている。 Then, one of the back electrode of the light emitting element is insulated from the one lead by an insulating film, is connected to the conductive foil extending to the edge of the reflector consisting of one lead, further, a conductive foil on the other hand It is electrically connected by a wire or the like of the lead. これに対して、発光素子の裏側の電極の他方は、金バンプ等によって一方のリードに直接接続されている。 In contrast, the other back side electrode of the light emitting element by the gold bumps are directly connected to one lead. これによって、発光素子の裏側の電極が一方のリードと他方のリードとにそれぞれ電気的に接続される。 Thus, the back electrode of the light-emitting elements are electrically connected to the one lead and the other lead. このようにして、フリップチップ構造が形成されている。 Thus, flip-chip structure are formed. したがって、ツェナーダイオードを介さずに発光素子が直接反射鏡の底面にマウントされているため、反射鏡としての役割を十分に果たすことができ、十分な光学特性を得ることができる。 Accordingly, since the light-emitting element without passing through the Zener diode is mounted on the bottom surface of the directly reflecting mirror, it is possible to perform sufficiently role as a reflecting mirror, it is possible to obtain a sufficient optical property.

【0077】更に、発光素子の一部は極めて薄い絶縁性フィルムと導電性の箔を介して、他の部分は直接、一方のリードの上に載っているため、極めて放熱性に優れたものとなり、発光効率も高く保たれ、素子寿命も長くなる。 [0077] Furthermore, some of the light emitting element via an extremely thin insulating film and a conductive foil, other parts directly because they rest on one lead, it is excellent in an extremely heat dissipation , luminous efficiency is kept high, and longer device lifetime.

【0078】このようにして、ツェナーダイオードを用いることなくフリップチップ構造を形成するとともに反射鏡を形成することによって、発光素子の発光効率、素子寿命、光学特性が十分に発揮されるLEDとなる。 [0078] In this way, by forming a reflecting mirror to form a flip-chip structure without using a Zener diode, the luminous efficiency of the light emitting element, the LED of device life, the optical characteristics are sufficiently exhibited.

【0079】請求項5の発明にかかる発光ダイオードは、請求項1乃至請求項4のいずれか1つの構成において、前記スルーホール基板の一部または前記1対のリードの一部と前記発光素子とを光透過性材料で封止するとともに、前記光透過性材料の前記発光素子の発光面側を光放射面としたものである。 [0079] emitting diode according to the invention of claim 5, in any one configuration of claims 1 to 4, a part or a portion of the pair of leads of the through-hole board and said light emitting element together sealed with optically transparent material, in which a light emitting surface side of the light emitting element of the light-transmitting material and a light emitting surface.

【0080】このように発光素子を光透過性材料で封止することによって、請求項1乃至請求項4のいずれか1 [0080] By sealing the thus-emitting element of a light transmissive material, one of the claims 1 to 4 1
つに記載の効果に加えて、発光素子から放射される光量は封止されていない場合の約2倍になるため、外部放射効率が著しく向上する。 In addition to the effects described in One, the amount of light emitted from the light-emitting element to become about two times the case where not sealed, the external radiation efficiency is significantly improved. そして、発光素子はツェナーダイオードを用いることなくフリップチップ構造によってマウントされているために、極めて放熱性に優れたものとなり、発光効率も高く保たれ、素子寿命も長くなる。 And since the light emitting element is mounted by flip-chip structure without using a Zener diode, it becomes excellent in extremely heat dissipation, the light emitting efficiency is kept high, and longer device lifetime.

【0081】このようにして、ツェナーダイオードを用いることなくフリップチップ構造を形成するとともに光透過性材料で封止することによって、発光素子の発光効率、素子寿命、外部放射効率により優れたLEDとなる。 [0081] Thus, by sealing a light transmissive material to form a flip-chip structure without using a Zener diode, the luminous efficiency, device life of the light-emitting element, an excellent LED by external radiation efficiency .

【0082】請求項6の発明にかかる発光ダイオードは、請求項5の構成において、前記光放射面は凸レンズであるものである。 [0082] emitting diode according to the invention of claim 6 is the structure of claim 5, wherein the light emitting surface is one which is a convex lens.

【0083】このように発光素子を光透過性材料で封止するとともに発光面側に凸レンズの光放射面を設けることによって、請求項5に記載の効果に加えて、発光素子から発せられた光が集光されて外部放射されるため、光学特性に優れたものとなる。 [0083] By providing the light emitting surface of the convex lens on the light emitting surface side with sealing such light emitting element of a light transmissive material, in addition to the effects of claim 5, light emitted from the light emitting element There because it is radiated outside is condensed, and is excellent in optical properties. また、発光素子を光透過性材料で封止することによって、発光素子から放射される光量は封止されていない場合の約2倍になるため、外部放射効率が著しく向上する。 Further, by sealing the light emitting element of a light transmissive material, the amount of light emitted from the light-emitting element to become about two times the case where not sealed, the external radiation efficiency is significantly improved. そして、発光素子はツェナーダイオードを用いることなくフリップチップ構造によってマウントされているために、極めて放熱性に優れたものとなり、発光効率も高く保たれ、素子寿命も長くなる。 And since the light emitting element is mounted by flip-chip structure without using a Zener diode, it becomes excellent in extremely heat dissipation, the light emitting efficiency is kept high, and longer device lifetime.

【0084】このようにして、ツェナーダイオードを用いることなくフリップチップ構造を形成するとともに光透過性材料で封止して凸レンズの光放射面を設けることによって、発光素子の発光効率、素子寿命、外部放射効率、集光特性により優れたLEDとなる。 [0084] In this manner, by sealing a light transmissive material to form a flip-chip structure without using a Zener diode providing a light emitting surface of the convex lens, the luminous efficiency of the light emitting element, element life, external radiation efficiency, an excellent LED by the focusing characteristics.

【0085】請求項7の発明にかかる発光ダイオードの製造方法は、発光素子に電力を供給する1対のリードのうち一方のリードの一部に導電性の箔が貼り付けられた絶縁性のフィルムを貼り付ける工程と、前記一方のリードをプレス加工して前記絶縁性のフィルムの前記導電性の箔の一方の端が中央部に位置する凹型の反射鏡とし、 [0085] method of manufacturing a light emitting diode according to the invention of claim 7, a pair of one part of the conductive foil insulating affixed lead film of the lead for supplying power to the light emitting element and a step of attaching, the concave reflecting mirror in which one end of the conductive foil of the insulating film the one lead by pressing is positioned in a central portion,
前記反射鏡の凹面が角張らず丸みを帯びるように加工する工程と、前記凹型の反射鏡の中央部において、前記導電性の箔の端に前記発光素子の裏側の電極の一方を接続する工程と、前記一方のリードに前記発光素子の裏側の電極の他方を接続する工程と、前記導電性の箔の他方の端を前記1対のリードのうち他方のリードに電気的に接続する工程とを具備するものである。 Step of connecting the steps of processing to assume a concave surface having any sharp angles without rounding of the reflecting mirror in the central portion of the reflecting mirror of the concave, one of the back electrode of the light emitting element to an end of the conductive foil When the step of connecting the other of the back electrode of the light emitting element to the one lead, and the step of electrically connecting the other end of the conductive foil to the other lead of said pair of lead it is intended to include a.

【0086】この発光ダイオードの製造方法においては、一方のリードの上に導電性の箔が貼り付けられた絶縁性のフィルムを貼り付けた後に、一方のリードをプレス加工して凹型の反射鏡とし、フィルムと箔の一方の端を反射鏡の中央部に位置させるとともに、反射鏡の凹面が角張らず丸みを帯びるように加工する。 [0086] In this manufacturing method of a light emitting diode, after laminating the film insulating affixed foils of conductive over one of the leads, the concave reflecting mirror and one lead by pressing , together to position the one end of the film and the foil in the center of the reflector, the concave reflecting mirror is processed to be rounded without having any sharp angles. これによって、発光素子を反射鏡の中央部にマウントすることができるとともに、反射鏡の凹面に丸みをもたせることによって、プレス加工時に導電性の箔が切れてしまうのを確実に防止することができる。 Thus, it is possible to mount the light emitting element at the center of the reflector, by to have a rounded concave reflector, it is possible to reliably prevent from being broken conductive foil during press working . 続いて、反射鏡の中央部において、導電性の箔の一方の端に発光素子の裏側の電極の一方を金バンプ等によって接続するとともに、発光素子の裏側の電極の他方を一方のリードに金バンプ等によって直接接続する。 Subsequently, in the central portion of the reflector, one of the back electrode of the light emitting element at one end of the conductive foil with connecting by gold bumps, gold and the other of the back electrode of the light emitting element to one lead directly connected by a bump or the like. そして、導電性の箔の他方の端を他方のリードにワイヤ等で電気的に接続することによって、フリップチップ構造が形成される。 Then, by electrically connecting a wire or the like and the other end of the conductive foil to the other lead, a flip-chip structure is formed.

【0087】この発光ダイオードの製造方法によれば、 [0087] According to the manufacturing method of the light-emitting diode,
ツェナーダイオードを用いることなくフリップチップ構造で発光素子をマウントすることができ、また、発光素子の裏側の電極の一方を他方のリードと電気的に接続するための導電性の箔が、反射鏡形成時に切れてしまうのを確実に防止することができる。 Zener diode can mount a light-emitting element in a flip chip structure without using, The conductive foil to connect one of the backside electrode other the leads and electrically the light-emitting element, a reflecting mirror formed from being cut off at the time it can be reliably prevented. そして、凹型の反射鏡の中央部に発光素子をマウントすることによって、発光素子の発光面から水平方向に出射された光も発光面に対して略垂直方向に反射されて照射されるため、LEDとしての外部放射効率が向上する。 Then, by mounting the light emitting element in the center of the concave reflecting mirror, since the light from the light emitting surface of the light emitting element is emitted in the horizontal direction is irradiated is reflected in a direction substantially perpendicular to the light-emitting surface, LED external radiation efficiency as can be improved.

【0088】このようにして、ツェナーダイオードを用いることなくフリップチップ構造を形成するとともに丸みを帯びた凹面の反射鏡を形成することによって、発光素子の放熱性が良くなって発光効率、素子寿命に優れ、 [0088] Thus, by forming a concave reflector rounded to form a flip-chip structure without using a Zener diode, the luminous efficiency becomes better heat dissipation properties of the light-emitting element, the element lifetime excellent,
また十分な光学特性が得られるとともに電気的接続の信頼性の高いLEDの製造方法となる。 Also a reliable method of manufacturing an LED electrical connections with sufficient optical characteristics can be obtained.

【0089】請求項8の発明にかかる発光ダイオードの製造方法は、請求項7の構成において、前記1対のリードの一部と前記反射鏡と前記発光素子とを光透過性材料で封止するとともに、前記光透過性材料の前記発光素子の発光面側を光放射面とする工程を付加したものである。 [0089] method of manufacturing a light emitting diode according to the invention of claim 8, in the configuration of claim 7, sealing the first and part of the pair of leads with the reflector and the light emitting element of a light transmissive material with the emission surface side of the light emitting element of the light transmissive material is obtained by adding the step of the light emitting surface.

【0090】このように発光素子を光透過性材料で封止することによって、請求項7に記載の効果に加えて、発光素子から放射される光量は封止されていない場合の約2倍になるため、外部放射効率が著しく向上する。 [0090] By sealing the thus-emitting element of a light transmissive material, in addition to the effects according to claim 7, the amount of light emitted from the light emitting element is approximately twice the unsealed becomes therefore, external radiation efficiency is significantly improved. そして、発光素子はツェナーダイオードを用いることなくフリップチップ構造によって反射鏡の中央部にマウントされているために、極めて放熱性に優れたものとなり、発光効率も高く保たれ、素子寿命も長くなり、外部放射効率も向上する。 And since the light-emitting element that is mounted on the central portion of the reflecting mirror by a flip-chip structure without using a Zener diode, becomes excellent in extremely heat dissipation, the light emitting efficiency is kept high, device lifetime becomes longer, also improved external radiation efficiency.

【0091】このようにして、ツェナーダイオードを用いることなくフリップチップ構造を形成するとともに光透過性材料で封止して光放射面を形成することによって、発光素子の発光効率、素子寿命、外部放射効率により優れたLEDの製造方法となる。 [0091] In this manner, by sealing a light transmissive material to form a flip-chip structure without using a Zener diode forming a light emitting surface, the light emitting efficiency of the light emitting element, element life, external radiation is an excellent method of manufacturing an LED by efficiency.

【0092】請求項9の発明にかかる発光ダイオードは、請求項8の構成において、前記光放射面は凸レンズであるものである。 [0092] emitting diode according to the invention of claim 9, in the configuration of claim 8, wherein the light emitting surface is one which is a convex lens.

【0093】このように発光素子を光透過性材料で封止するとともに発光面側に凸レンズの光放射面を設けることによって、請求項8に記載の効果に加えて、発光素子から発せられた光が集光されて外部放射されるため、光学特性に優れたものとなる。 [0093] By providing the light emitting surface of the convex lens on the light emitting surface side with sealing such light emitting element of a light transmissive material, in addition to the effects according to claim 8, light emitted from the light emitting element There because it is radiated outside is condensed, and is excellent in optical properties. また、発光素子を光透過性材料で封止することによって、発光素子から放射される光量は封止されていない場合の約2倍になるため、外部放射効率が著しく向上する。 Further, by sealing the light emitting element of a light transmissive material, the amount of light emitted from the light-emitting element to become about two times the case where not sealed, the external radiation efficiency is significantly improved. そして、発光素子はツェナーダイオードを用いることなくフリップチップ構造によって反射鏡の中央部にマウントされているために、極めて放熱性に優れたものとなり、発光効率も高く保たれ、 Then, the light emitting device because it is mounted in the central portion of the reflecting mirror by a flip-chip structure without using a Zener diode, becomes excellent in extremely heat dissipation, the light emitting efficiency is kept high,
素子寿命も長くなり、外部放射効率も向上する。 Device lifetime becomes longer, thereby improving external emission efficiency.

【0094】このようにして、ツェナーダイオードを用いることなくフリップチップ構造を形成するとともに光透過性材料で封止して凸レンズの光放射面を設けることによって、発光素子の発光効率、素子寿命、外部放射効率、集光特性により優れたLEDの製造方法となる。 [0094] In this manner, by sealing a light transmissive material to form a flip-chip structure without using a Zener diode providing a light emitting surface of the convex lens, the luminous efficiency of the light emitting element, element life, external radiation efficiency, an excellent method of manufacturing an LED by the focusing characteristics.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】 図1(a)は本発明の実施の形態1にかかる発光ダイオードの全体構造を示す縦断面図、(b)は平面図である。 [FIG. 1 (a) is a longitudinal sectional view showing the overall structure of a light emitting diode according to a first embodiment of the present invention, (b) is a plan view.

【図2】 図2(a)は本発明の実施の形態2にかかる発光ダイオードの全体構造を示す縦断面図、(b)は平面図である。 [2] 2 (a) is a longitudinal sectional view showing the overall structure of a light emitting diode according to a second embodiment of the present invention, (b) is a plan view.

【図3】 図3は本発明の実施の形態3にかかる発光ダイオードの全体構造を示す縦断面図である。 Figure 3 is a longitudinal sectional view showing an entire structure of a light emitting diode according to a third embodiment of the present invention.

【図4】 図4(a)は本発明の実施の形態4にかかる発光ダイオードの全体構造を示す縦断面図、(b)は発光素子のマウント部分の周辺を拡大して示す部分拡大平面図である。 [FIG. 4 (a) is a longitudinal sectional view showing the overall structure of a light emitting diode according to a fourth embodiment of the present invention, (b) is partially enlarged plan view showing the periphery of the mounting portion of the light emitting element it is.

【図5】 図5(a)は本発明の実施の形態5にかかる発光ダイオード及びその製造方法についての全体構造を示す縦断面図、(b)は発光素子のマウント部分の周辺を拡大して示す部分拡大平面図である。 [5] FIGS. 5 (a) is a longitudinal sectional view showing the overall structure of a light emitting diode and a manufacturing method thereof according to the fifth embodiment of the present invention, (b) is an enlarged peripheral mount portion of the light emitting element it is a partially enlarged plan view showing.

【図6】 図6は従来の発光ダイオードの発光素子のマウント部分の構成を示す断面図である。 Figure 6 is a sectional view showing the structure of a mounting portion of the light emitting element of a conventional light emitting diode.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1,11,21,31,41 発光ダイオード 2,22,32,42 発光素子 3 スルーホール基板 4 導電性パターン 5 スルーホール 6 金属 8,28,38,48 光透過性材料 9,29,39,49 光放射面(凸レンズ) 23a,33a,43a 一方のリード 23b,33b,43b 他方のリード 24,34,44 絶縁性フィルム 25a,25b,35,45 導電性の箔 43c 反射鏡 1,11,21,31,41 emitting diode 2,22,32,42-emitting element 3 through-hole substrate 4 conductive pattern 5 through hole 6 metal 8,28,38,48 light transmissive material 9,29,39, 49 light emitting surface (convex lens) 23a, 33a, one lead 23b 43a, 33b, 43b and the other lead 24, 34, 44 insulating films 25a, 25b, 35, 45 conductive foil 43c reflector

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 甚目 邦博 愛知県西春日井郡春日町大字落合字長畑1 番地 豊田合成株式会社内 Fターム(参考) 5F041 AA31 DA01 DA07 DA09 DA20 DA44 DA61 DB01 ────────────────────────────────────────────────── ─── front page of the continuation (72) inventor Hadame Kunihiro, Aichi Prefecture Nishikasugai District Kasuga-cho Oaza Ochiai Jichohatake 1 address Toyoda Gosei Co., Ltd. in the F-term (reference) 5F041 AA31 DA01 DA07 DA09 DA20 DA44 DA61 DB01

Claims (9)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 フリップチップ型の発光素子を備える発光ダイオードであって、 スルーホール基板のスルーホールが金属で充填されて、 1. A light emitting diode comprising a flip-chip type light-emitting element, the through hole of the through-hole substrate is filled with a metal,
    前記スルーホールの上に前記発光素子の裏側の電極の一方が接続され、前記スルーホール基板の前記スルーホールとは絶縁された導電性パターンに前記発光素子の裏側の電極の他方が接続されていることを特徴とする発光ダイオード。 Wherein the one connection on the back of the electrode of the light-emitting element over the through-hole, and the through hole of the through-hole substrate is connected to the other back electrode of the light emitting element to the conductive pattern that is insulated light emitting diodes, characterized in that.
  2. 【請求項2】 フリップチップ型の発光素子を備える発光ダイオードであって、 前記発光素子に電力を供給する1対のリードのうち一方のリードの上面に固定された絶縁性フィルムと、 前記絶縁性フィルムの上に互いに離して形成された2つの導電性の箔とを具備し、 前記2つの導電性の箔に前記発光素子の裏側の電極がそれぞれ接続され、前記2つの導電性の箔のうち一方が前記一方のリードと電気的に接続され、前記2つの導電性の箔のうち他方が前記1対のリードのうち他方のリードに電気的に接続されていることを特徴とする発光ダイオード。 2. A light emitting diode comprising a flip-chip type light-emitting element, a pair of insulating film which is fixed to the upper surface of one lead of the lead supplying power to the light emitting element, the insulating provided with two conductive foil formed apart from each other on the film, the back side of the electrode of the light emitting element to the two conductive foils are connected, one of the two conductive foil emitting diode one of the is one lead electrically connected, wherein the other of said two conductive foils are electrically connected to the other lead of said pair of leads.
  3. 【請求項3】 フリップチップ型の発光素子を備える発光ダイオードであって、 前記発光素子に電力を供給する1対のリードのうち一方のリードの上面に固定された絶縁性フィルムと、 前記絶縁性フィルムの上に形成された導電性の箔とを具備し、 前記発光素子の裏側の電極の一方が前記導電性の箔に接続され、前記発光素子の裏側の電極の他方が前記一方のリードに接続され、前記導電性の箔が前記1対のリードのうち他方のリードに電気的に接続されていることを特徴とする発光ダイオード。 3. A light emitting diode comprising a flip-chip type light-emitting element, a pair of insulating film which is fixed to the upper surface of one lead of the lead supplying power to the light emitting element, the insulating ; and a conductive foil formed on a film, one of the back electrode of the light emitting element is connected to the foil of the conductive, the other is the one lead of the back electrode of the light emitting element connected, light emitting diodes foil of the conductivity is characterized in that it is electrically connected to the other lead of said pair of leads.
  4. 【請求項4】 前記一方のリードによって凹型の反射鏡が形成され、前記発光素子が前記反射鏡の底面に位置していることを特徴とする請求項3に記載の発光ダイオード。 4. A reflector concave by the one lead is formed, the light emitting diode of claim 3, wherein the light emitting element and being located on a bottom surface of the reflector.
  5. 【請求項5】 前記スルーホール基板の一部または前記1対のリードの一部と前記発光素子とを光透過性材料で封止するとともに、前記光透過性材料の前記発光素子の発光面側を光放射面としたことを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1つに記載の発光ダイオード。 5. A with sealed with optically transparent material and a portion the light emitting element of the through-hole substrate portion or said pair of leads, the light emitting surface side of the light emitting element of the light-transmitting material the light emitting diode according to any one of claims 1 to 4, characterized in that the light emitting surface.
  6. 【請求項6】 前記光放射面は凸レンズであることを特徴とする請求項5に記載の発光ダイオード。 6. The light emitting diode of claim 5, wherein the light emitting surface is a convex lens.
  7. 【請求項7】 発光素子に電力を供給する1対のリードのうち一方のリードの一部に導電性の箔が貼り付けられた絶縁性のフィルムを貼り付ける工程と、 前記一方のリードをプレス加工して前記絶縁性のフィルムの前記導電性の箔の一方の端が中央部に位置する凹型の反射鏡とし、前記反射鏡の凹面が角張らず丸みを帯びるように加工する工程と、 前記凹型の反射鏡の中央部において、前記導電性の箔の端に前記発光素子の裏側の電極の一方を接続する工程と、 前記一方のリードに前記発光素子の裏側の電極の他方を接続する工程と、 前記導電性の箔の他方の端を前記1対のリードのうち他方のリードに電気的に接続する工程とを具備することを特徴とする発光ダイオードの製造方法。 7. A step of attaching a pair of one part of the conductive foil insulating affixed lead film of the lead for supplying power to the light emitting element, press the one lead a step one end of the conductive foil of the insulating film is a concave reflecting mirror positioned at the center, for processing to assume a concave rounded without having any sharp angles of the reflecting mirror processed to the in the central portion of the concave reflecting mirror, the step of connecting the steps of connecting one of the rear electrode of the light emitting element to an end of the conductive foil, the other back side electrode of the light emitting element to the one lead When manufacturing method of a light emitting diode, characterized by comprising a step of connecting the other end of the conductive foil electrically to the other lead of said pair of leads.
  8. 【請求項8】 前記1対のリードの一部と前記反射鏡と前記発光素子とを光透過性材料で封止するとともに、前記光透過性材料の前記発光素子の発光面側を光放射面とする工程を付加したことを特徴とする請求項7に記載の発光ダイオードの製造方法。 8. with sealing the part between the reflector and the light emitting element of a light transmissive material of the pair of leads, the light emitting surface of the light emitting surface side of the light emitting element of the light-transmitting material the method as claimed in claim 7, characterized in that by adding the step of a.
  9. 【請求項9】 前記光放射面は凸レンズであることを特徴とする請求項8に記載の発光ダイオードの製造方法。 9. A method as claimed in claim 8, wherein the light emitting surface is a convex lens.
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