JP2008262220A - Light emitting apparatus - Google Patents

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Yojiro Matsueda
洋二郎 松枝
Hayato Nakanishi
早人 中西
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Seiko Epson Corp
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electro-optical apparatus having a power-supply wiring structure that is capable of supplying sufficient electrical power to a common electrode of an electrooptical element. <P>SOLUTION: The electro-optical apparatus includes the electrooptical element having a stacked structure which includes a first electrode layer formed on the above side on an effective region 11 of a substrate 15 and a second electrode layer 14 disposed on the side of the first electrode layer, wherein a first power source line for performing voltage supply to the first electrode layer and a second power source line 16 electrically connected to the second electrode layer are included, and both of the first power source line and second power source line are disposed on the side of the effective region and the same layer as the first electrode layer, or on the under layer of the first electrode layer. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は電気光学素子を備えた電気光学装置に好適な電源配線構造に関する。   The present invention relates to a power supply wiring structure suitable for an electro-optical device including an electro-optical element.

有機EL素子は電流駆動型の自発光素子であるため、バックライトが不要となる上に、低消費電力、高視野角、高コントラスト比が得られるメリットがあり、フラットパネルディスプレイの開発において期待されている。有機EL素子は蛍光性物質を含有する発光層を陽極と陰極との間に挟んで構成される電気光学素子であり、両電極間に順バイアス電流を供給することで、陽極から注入された正孔と陰極から注入された電子とが再結合する際の再結合エネルギーにより自発光する。このため、有機EL素子を発光させるためには、外部回路からの電源供給が必要となる。従来のアクティブマトリクス駆動型有機ELディスプレイパネルでは、画素領域に設けられた個々の画素に陽極となる画素電極を配置する一方、共通電極としての陰極を画素領域全体に被覆する構成を採用するのが一般的であった。例えば、特開平11−24606号公報(特許文献1)には、配線レイアウトの最適化により低消費電力及び発光効率を向上させることを特徴とした表示装置について開示されている。
特開平11−24606号公報
The organic EL element is a current-driven self-luminous element, which eliminates the need for a backlight and has the advantages of low power consumption, high viewing angle, and high contrast ratio, and is expected in the development of flat panel displays. ing. An organic EL element is an electro-optical element configured by sandwiching a light emitting layer containing a fluorescent substance between an anode and a cathode. By supplying a forward bias current between both electrodes, a positive electrode injected from the anode is provided. Self-emission occurs due to recombination energy when the holes and electrons injected from the cathode recombine. For this reason, in order to cause the organic EL element to emit light, it is necessary to supply power from an external circuit. In a conventional active matrix driving type organic EL display panel, a pixel electrode serving as an anode is disposed on each pixel provided in a pixel region, while a structure in which a cathode as a common electrode is covered over the entire pixel region is employed. It was general. For example, Japanese Patent Laid-Open No. 11-24606 (Patent Document 1) discloses a display device characterized by improving low power consumption and light emission efficiency by optimizing a wiring layout.
Japanese Patent Laid-Open No. 11-24606

しかし、電気光学素子を用いてディスプレイパネルを実現するには、共通電極の配線抵抗が問題となる。つまり、共通電極の配線抵抗が大きいと、画面中央付の画素の電圧降下が大きくなるため、画面中央付近に十分な電流を供給することができず、正確な階調表示が困難となり、ディスプレイパネルの表示性能が低下する。このような問題はディスプレイパネルが大型になるほど、共通電極の配線抵抗が大きくなるため、深刻な問題となる。特に、透明陰極側から光を射出するトップエミッション構造においては、メタル層なみの低抵抗値を有する光透過性電極となる好適な材料は未だ開発されておらず、共通電極の低抵抗化が課題となっている。
そこで、本発明は電気光学素子の共通電極に十分な電力を供給できる電源配線構造を備えた電気光学装置及びマトリクス基板を提案することを課題とする。また、本発明はディスプレイパネルの狭額縁化を実現できる電気光学装置及びマトリクス基板を提供することを課題とする。
However, in order to realize a display panel using an electro-optic element, the wiring resistance of the common electrode becomes a problem. In other words, if the wiring resistance of the common electrode is large, the voltage drop in the pixel at the center of the screen increases, so that sufficient current cannot be supplied near the center of the screen, making accurate gradation display difficult, and display panels The display performance is reduced. Such a problem becomes a serious problem because the wiring resistance of the common electrode increases as the display panel becomes larger. In particular, in a top emission structure that emits light from the transparent cathode side, a suitable material for a light transmissive electrode having a low resistance value similar to that of a metal layer has not yet been developed, and there is a problem in reducing the resistance of the common electrode. It has become.
Accordingly, an object of the present invention is to propose an electro-optical device and a matrix substrate having a power supply wiring structure capable of supplying sufficient power to the common electrode of the electro-optical element. It is another object of the present invention to provide an electro-optical device and a matrix substrate that can realize a narrow frame of a display panel.

本発明の発光装置は、基板と、前記基板上の行方向に配列される複数の走査線と、列方向に配列される複数のデータ線と、前記走査線と前記データ線との交差部に対応して配置されたスイッチング素子と、前記複数の走査線及び前記複数のデータ線の上方側に配置された第1電極と、前記第1電極の上に配置された第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に配置された発光層と、前記第1電極の下方側に配置された補助配線と、を備え、前記補助配線は、前記データ線と同一層に配置され、前記第2電極と前記補助配線とは、前記第2電極と前記補助配線との間に配置されている絶縁膜に形成された第1コンタクトホールを介して電気的に接続されている。   The light emitting device of the present invention includes a substrate, a plurality of scanning lines arranged in a row direction on the substrate, a plurality of data lines arranged in a column direction, and an intersection of the scanning lines and the data lines. Correspondingly arranged switching elements, a first electrode arranged above the plurality of scanning lines and the plurality of data lines, a second electrode arranged on the first electrode, and the first electrode A light emitting layer disposed between one electrode and the second electrode, and an auxiliary wiring disposed below the first electrode, wherein the auxiliary wiring is disposed in the same layer as the data line. The second electrode and the auxiliary wiring are electrically connected via a first contact hole formed in an insulating film disposed between the second electrode and the auxiliary wiring.

本発明の発光装置は、基板と、前記基板上の行方向に配列される複数の走査線と、列方向に配列される複数のデータ線と、前記走査線と前記データ線との交差部に対応して配置されたスイッチング素子と、前記複数の走査線及び前記複数のデータ線の上方側に配置された第1電極と、前記第1電極の上に配置された第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に配置された発光層と、前記第1電極の下方側に配置された補助配線と、を備え、前記補助配線は、前記走査線と同一層に配置され、前記第2電極と前記補助配線とは、前記第2電極と前記補助配線との間に配置されている絶縁膜に形成された第1コンタクトホールを介して電気的に接続されている。   The light emitting device of the present invention includes a substrate, a plurality of scanning lines arranged in a row direction on the substrate, a plurality of data lines arranged in a column direction, and an intersection of the scanning lines and the data lines. Correspondingly arranged switching elements, a first electrode arranged above the plurality of scanning lines and the plurality of data lines, a second electrode arranged on the first electrode, and the first electrode A light emitting layer disposed between one electrode and the second electrode, and an auxiliary wiring disposed below the first electrode, wherein the auxiliary wiring is disposed in the same layer as the scanning line. The second electrode and the auxiliary wiring are electrically connected via a first contact hole formed in an insulating film disposed between the second electrode and the auxiliary wiring.

本発明の発光装置において、前記第2電極と前記補助配線とは、多層積層構造を介して電気的に接続されており、前記多層積層構造は、前記第2電極と前記補助配線との間に配置され、かつ、前記第1電極と同じ材料で形成されている電気接続層と、前記電気接続層と前記補助配線との間に配置され、前記電気接続層と前記補助配線とを電気的に接続するための前記第1コンタクトホールが形成された前記絶縁膜と、を有する。   In the light emitting device of the present invention, the second electrode and the auxiliary wiring are electrically connected via a multilayer stacked structure, and the multilayer stacked structure is interposed between the second electrode and the auxiliary wiring. And an electrical connection layer formed of the same material as the first electrode, and disposed between the electrical connection layer and the auxiliary wiring, and electrically connecting the electrical connection layer and the auxiliary wiring. And the insulating film in which the first contact hole for connection is formed.

本発明の発光装置において、前記多層積層構造は、前記第2電極と前記電気接続層との間に配置され、前記第2電極と前記電気接続層を電気的に接続するための第2コンタクトホールが形成されたバンク層をさらに有する。   In the light emitting device of the present invention, the multilayer stacked structure is disposed between the second electrode and the electrical connection layer, and a second contact hole for electrically connecting the second electrode and the electrical connection layer. And a bank layer formed with.

本発明の電気光学装置は、基板の有効領域の上方に形成された第1電極層と前記第1電極層の上方に設けられた第2電極層とを含む積層構造によって電気光学素子を構成する電気光学装置であって、前記第1電極層に電圧供給を行う第1電源線と、前記第2電極層と電気的に接続された第2電源線と、を含み、前記第1電源線及び前記第2電源線は、ともに、前記有効領域の上方、かつ、前記第1電極層と同層又は前記第1電極層より下層に設けられていることを特徴とする。   In the electro-optical device according to the aspect of the invention, the electro-optical element is configured by a stacked structure including a first electrode layer formed above the effective region of the substrate and a second electrode layer provided above the first electrode layer. An electro-optical device, comprising: a first power supply line that supplies voltage to the first electrode layer; and a second power supply line electrically connected to the second electrode layer, wherein the first power supply line and Both of the second power supply lines are provided above the effective region and in the same layer as the first electrode layer or in a layer below the first electrode layer.

このように、基板の有効領域上に積層された多層積層構造の何れかの層に第2電極層と電気的に接続する第2電源線を形成することで、第2電極層が高抵抗化しても十分な電力を供給することができる。また、第2電極層と第2電源線の電気的な接続点を多層積層構造内部に設けることができるため、ディスプレイパネルの狭額縁化を実現できる。   As described above, the second electrode layer has a high resistance by forming the second power supply line electrically connected to the second electrode layer in any layer of the multilayer laminated structure laminated on the effective region of the substrate. However, sufficient power can be supplied. Further, since the electrical connection point between the second electrode layer and the second power supply line can be provided in the multilayer laminated structure, a narrow frame of the display panel can be realized.

ここで、「電気光学素子」とは、電気的作用により光の光学的状態を変化させる電子素子一般をいい、エレクトロルミネセンス素子などの自発光素子の他に、液晶素子のように光の偏向状態を変化させることで階調表示する電子素子を含む。また、「有効領域」とは、基板上において電気光学表示に寄与する領域、つまり、電気光学素子が形成されるべき領域をいい、本実施形態の「表示領域」と同義である。「多層積層構造」とは、基板上に積層される各種の薄膜から成る積層構造をいい、電気光学素子を構成するデバイス層だけでなく、層間絶縁膜や、電極層、電源線などを含むものとする。また、本発明において、第1電極層と第1電源線の間には、トランジスタなどの電子素子が介在していてもよい。また、第1電源線と第2電源線は製造プロセスの都合から、同一層(同一レイヤ)に形成されていてもよく、それぞれ異なる層に形成されていてもよい。   Here, an “electro-optical element” refers to an electronic element that changes the optical state of light by an electrical action. In addition to a self-light-emitting element such as an electroluminescence element, light deflection such as a liquid crystal element. It includes electronic elements that display gradation by changing the state. The “effective area” means an area contributing to electro-optic display on the substrate, that is, an area where an electro-optic element is to be formed, and is synonymous with the “display area” in the present embodiment. “Multilayer laminated structure” means a laminated structure composed of various thin films laminated on a substrate, and includes not only a device layer constituting an electro-optic element but also an interlayer insulating film, an electrode layer, a power supply line, and the like. . In the present invention, an electronic element such as a transistor may be interposed between the first electrode layer and the first power supply line. Further, the first power supply line and the second power supply line may be formed in the same layer (same layer) or may be formed in different layers for convenience of the manufacturing process.

本発明の電気光学装置において、前記第1電源線と前記第2電源線の少なくとも一部は同一層に配置されていることが好ましい。このように構成することで、製造プロセスを簡易化できる。   In the electro-optical device according to the aspect of the invention, it is preferable that at least a part of the first power supply line and the second power supply line are arranged in the same layer. With this configuration, the manufacturing process can be simplified.

本発明の電気光学装置において、前記第2電極層は前記電気光学素子に対して陰極として機能することが好ましい。第2電極層を陰極とすることで、電気光学素子の陰極の抵抗値を下げることができる。   In the electro-optical device according to the aspect of the invention, it is preferable that the second electrode layer functions as a cathode with respect to the electro-optical element. By using the second electrode layer as a cathode, the resistance value of the cathode of the electro-optic element can be lowered.

本発明の電気光学装置において、前記第2電源線は陰極補助配線として機能することが好ましい。これにより、電気光学素子の陰極に十分な電力を供給することができる。   In the electro-optical device according to the aspect of the invention, it is preferable that the second power supply line functions as a cathode auxiliary wiring. Thereby, sufficient electric power can be supplied to the cathode of the electro-optic element.

本発明の電気光学装置において、前記第2電極層は透光性を有することが好ましい。これにより、第2電極層側から光を射出するトップエミッション構造を実現でき、開口率を高めることができる。   In the electro-optical device according to the aspect of the invention, it is preferable that the second electrode layer has translucency. Thereby, the top emission structure which inject | emits light from the 2nd electrode layer side is realizable, and an aperture ratio can be raised.

本発明の電気光学装置において、前記第2電源線は、前記多層積層構造を構成する何れかの層において、所定の分散密度でライン状に形成されていることが好ましい。第2電源線が所定の分散密度で分散することで、第2電極層の抵抗値を下げることができる。   In the electro-optical device according to the aspect of the invention, it is preferable that the second power supply line is formed in a line shape with a predetermined dispersion density in any layer constituting the multilayer stacked structure. By dispersing the second power supply line at a predetermined dispersion density, the resistance value of the second electrode layer can be lowered.

本発明の電気光学装置において、前記第2電源線と前記第2電極層は、前記多層積層構造の異なる層に形成されており、両者は前記多層積層構造内において電気的に接続していることが好ましい。第2電源線と第2電極層の電気的な接続位置を多層積層構造体内部に設けることで、ディスプレイパネルの狭額縁化を実現できる。   In the electro-optical device according to the aspect of the invention, the second power supply line and the second electrode layer are formed in different layers of the multilayer stacked structure, and both are electrically connected in the multilayer stacked structure. Is preferred. By providing the electrical connection position of the second power supply line and the second electrode layer inside the multilayer structure, it is possible to realize a narrow frame of the display panel.

本発明の電気光学装置において、前記第2電源線と前記第2電極層とが電気的に接続する位置は前記第2電源線の延設方向に沿って複数箇所に点在していることが好ましい。第2電源線と第2電極層の電気的な接続点を複数箇所設けることで、第2電極層の低抵抗化を実現できる。   In the electro-optical device according to the aspect of the invention, positions where the second power supply line and the second electrode layer are electrically connected are scattered in a plurality of locations along the extending direction of the second power supply line. preferable. By providing a plurality of electrical connection points between the second power supply line and the second electrode layer, the resistance of the second electrode layer can be reduced.

本発明の電気光学装置において、前記第2電源線と前記第2電極層は層間絶縁膜を介して異なる層に形成されており、両者は前記層間絶縁膜に開口されたコンタクトホールを通じて電気的に接続していることが好ましい。第2電極層と第2電源線を多層積層構造体の異なるレイヤに形成することで、両者の形成工程を分離できる。   In the electro-optical device according to the aspect of the invention, the second power supply line and the second electrode layer are formed in different layers via an interlayer insulating film, and both are electrically connected through a contact hole opened in the interlayer insulating film. It is preferable that they are connected. By forming the second electrode layer and the second power supply line in different layers of the multilayer laminated structure, the forming steps of both can be separated.

本発明の電気光学装置において、前記電気光学素子は略直角二方向に配列されており、前記第2電源線の配列方向は略直角二方向に配列する電気光学素子の配列方向のうち何れかの配列方向と略平行であることが好ましい。第2電源線の配列方向を電気光学素子の配列方向と平行にすることで、直角二方向に配列する電気光学素子の第2電極層に十分な電力を供給できる。   In the electro-optical device according to the aspect of the invention, the electro-optical elements are arranged in two substantially right-angle directions, and the arrangement direction of the second power supply line is any one of the arrangement directions of the electro-optic elements arranged in two substantially right-angle directions. It is preferably substantially parallel to the arrangement direction. By making the arrangement direction of the second power supply lines parallel to the arrangement direction of the electro-optic elements, sufficient power can be supplied to the second electrode layers of the electro-optic elements arranged in two perpendicular directions.

本発明の電気光学装置において、前記第2電源線の配列ピッチは等間隔であることが好ましい。第2電源線を等間隔に配列することで、直角二方向に配列する電気光学素子に対して均等に電力を供給できる。   In the electro-optical device according to the aspect of the invention, it is preferable that the arrangement pitch of the second power supply lines is equal. By arranging the second power supply lines at equal intervals, electric power can be evenly supplied to the electro-optic elements arranged in two perpendicular directions.

本発明の電気光学装置において、前記電気光学素子はエレクトロルミネセンス素子であることが好ましい。エレクトロルミネセンス素子を用いることで、電流駆動により発光階調を調整することができる。   In the electro-optical device according to the aspect of the invention, it is preferable that the electro-optical element is an electroluminescence element. By using the electroluminescence element, the light emission gradation can be adjusted by current driving.

本発明の電子機器は、上記の電気光学装置を備える。電子機器としては、表示装置を備えるものであれば特に限定はなく、例えば、携帯電話、ビデオカメラ、パーソナルコンピュータ、ヘッドマウントディスプレイ、プロジェクター、ファックス装置、デジタルカメラ、携帯型TV、DSP装置、PDA、電子手帳などに適用できる。   The electronic apparatus of the present invention includes the above electro-optical device. The electronic device is not particularly limited as long as it includes a display device. For example, a mobile phone, a video camera, a personal computer, a head mounted display, a projector, a fax device, a digital camera, a portable TV, a DSP device, a PDA, It can be applied to electronic notebooks.

本発明のマトリクス基板は、第1電極層と第2電極層とを含む多層積層構造から成る電気光学素子を形成するためのマトリクス基板であって、基板の上方に形成された第1電極層と、前記第1電極層に電圧供給を行う第1電源線と、前記第1電極層の上方に形成されるべき第2電極層と電気的に接続するための第2電源線と、を含み、前記第1電源線及び前記第2電源線は、ともに、前記有効領域の上方、かつ、前記第1電極層と同層又は前記第1電極層より下層に設けられていることを特徴とする。   A matrix substrate of the present invention is a matrix substrate for forming an electro-optic element having a multilayer laminated structure including a first electrode layer and a second electrode layer, and includes a first electrode layer formed above the substrate, A first power line for supplying voltage to the first electrode layer, and a second power line for electrically connecting to a second electrode layer to be formed above the first electrode layer, The first power supply line and the second power supply line are both provided above the effective region and in the same layer as the first electrode layer or below the first electrode layer.

このように、基板の有効領域上に積層されるべき電気光学素子の多層積層構造の何れかの層に第2電極層と電気的に接続するための第2電源線を形成することで、第2電極層が高抵抗化しても電気光学素子に十分な電流を供給することができる。また、第2電極層と第2電源線の電気的な接続点を電気光学素子の多層積層構造内部に設けることができるため、ディスプレイパネルの狭額縁化を実現できる。ここで、「マトリクス基板」とは、電気光学素子が未だ形成されていない配線基板をいうものとする。   Thus, by forming the second power supply line for electrically connecting to the second electrode layer in any layer of the multilayered laminated structure of the electro-optic element to be laminated on the effective area of the substrate, Even if the resistance of the two-electrode layer is increased, a sufficient current can be supplied to the electro-optical element. In addition, since the electrical connection point between the second electrode layer and the second power supply line can be provided inside the multilayer laminated structure of the electro-optic element, a narrow frame of the display panel can be realized. Here, the “matrix substrate” refers to a wiring substrate on which an electro-optic element is not yet formed.

本発明のマトリクス基板において、前記第1電源線と前記第2電源線の少なくとも一部は同一層に配置されていることが好ましい。このように構成することで、製造プロセスを簡易化できる。   In the matrix substrate of the present invention, it is preferable that at least a part of the first power supply line and the second power supply line are arranged in the same layer. With this configuration, the manufacturing process can be simplified.

本発明のマトリクス基板において、前記第2電極層は前記電気光学素子に対して陰極として機能することが好ましい。第2電極層を陰極とすることで、電気光学素子の陰極の抵抗値を下げることができる。   In the matrix substrate of the present invention, it is preferable that the second electrode layer functions as a cathode for the electro-optic element. By using the second electrode layer as a cathode, the resistance value of the cathode of the electro-optic element can be lowered.

本発明のマトリクス基板において、前記第2電源線は陰極補助配線として機能することが好ましい。これにより、電気光学素子の陰極に十分な電力を供給することができる。   In the matrix substrate of the present invention, it is preferable that the second power supply line functions as a cathode auxiliary wiring. Thereby, sufficient electric power can be supplied to the cathode of the electro-optic element.

本発明のマトリクス基板において、前記第2電極層は透光性を有することが好ましい。これにより、第2電極層側から光を射出するトップエミッション構造を実現でき、開口率を高めることができる。   In the matrix substrate of the present invention, it is preferable that the second electrode layer has translucency. Thereby, the top emission structure which inject | emits light from the 2nd electrode layer side is realizable, and an aperture ratio can be raised.

本発明のマトリクス基板において、前記第2電源線は、前記多層積層構造を構成する何れかの層において、所定の分散密度でライン状に形成されていることが好ましい。第2電源線が所定の分散密度で分散することで、第2電極層の抵抗値を下げることができる。   In the matrix substrate of the present invention, it is preferable that the second power supply line is formed in a line shape with a predetermined dispersion density in any layer constituting the multilayer stacked structure. By dispersing the second power supply line at a predetermined dispersion density, the resistance value of the second electrode layer can be lowered.

本発明のマトリクス基板において、前記第2電源線と前記第2電極層は、前記多層積層構造の異なる層に形成されており、両者は前記多層積層構造内において電気的に接続していることが好ましい。第2電源線と第2電極層の電気的な接続位置を多層積層構造体内部に設けることで、ディスプレイパネルの狭額縁化を実現できる。   In the matrix substrate of the present invention, the second power supply line and the second electrode layer are formed in different layers of the multilayer stacked structure, and both are electrically connected in the multilayer stacked structure. preferable. By providing the electrical connection position of the second power supply line and the second electrode layer inside the multilayer structure, it is possible to realize a narrow frame of the display panel.

本発明のマトリクス基板において、前記第2電源線と前記第2電極層とが電気的に接続する位置は前記第2電源線の延設方向に沿って複数箇所に点在していることが好ましい。第2電源線と第2電極層の電気的な接続点を複数箇所設けることで、第2電極層の低抵抗化を実現できる。   In the matrix substrate of the present invention, it is preferable that the positions where the second power supply line and the second electrode layer are electrically connected are scattered in a plurality of locations along the extending direction of the second power supply line. . By providing a plurality of electrical connection points between the second power supply line and the second electrode layer, the resistance of the second electrode layer can be reduced.

本発明のマトリクス基板において、前記第2電源線と前記第2電極層は層間絶縁膜を介して異なる層に形成されており、両者は前記層間絶縁膜に開口されたコンタクトホールを通じて電気的に接続していることが好ましい。第2電極層と第2電源線を多層積層構造体の異なるレイヤに形成することで、両者の形成工程を分離できる。   In the matrix substrate of the present invention, the second power supply line and the second electrode layer are formed in different layers via an interlayer insulating film, and both are electrically connected through a contact hole opened in the interlayer insulating film. It is preferable. By forming the second electrode layer and the second power supply line in different layers of the multilayer laminated structure, the forming steps of both can be separated.

本発明のマトリクス基板において、前記第2電源線の配列方向は略直角二方向に配列されるべき電気光学素子の配列方向のうち何れかの配列方向と略平行であることが好ましい。第2電源線の配列方向を電気光学素子の配列方向と平行にすることで、直角二方向に配列する電気光学素子の第2電極層に十分な電力を供給できる。   In the matrix substrate according to the aspect of the invention, it is preferable that the arrangement direction of the second power supply line is substantially parallel to any one of the arrangement directions of the electro-optic elements to be arranged in two substantially perpendicular directions. By making the arrangement direction of the second power supply lines parallel to the arrangement direction of the electro-optic elements, sufficient power can be supplied to the second electrode layers of the electro-optic elements arranged in two perpendicular directions.

本発明のマトリクス基板において、前記第2電源線の配列ピッチは等間隔であることが好ましい。第2電源線を等間隔に配列することで、直角二方向に配列する電気光学素子に対して均等に電力を供給できる。   In the matrix substrate of the present invention, it is preferable that the arrangement pitch of the second power supply lines is equal. By arranging the second power supply lines at equal intervals, electric power can be evenly supplied to the electro-optic elements arranged in two perpendicular directions.

[発明の実施の形態1]
以下、各図を参照して本実施形態について説明する。
図1は本実施形態のアクティブマトリクス型有機ELディスプレイパネル100の全体構成図である。同図に示すように、基板15には表示領域11上に形成された多層積層構造によって構成される複数の画素10と、行方向に並ぶ一群の画素10に接続する走査線に走査信号を出力する走査線ドライバ12と、列方向に並ぶ一群の画素10に接続するデータ線及び電源供給線にデータ信号及び電源電圧を供給するデータ線ドライバ13とが配置されている。画素10はN行M列の直角二方向に配列しており、画素マトリクスを形成している。各々の画素10には、RGB三原色で発光する有機EL素子が形成されている。表示領域11上に形成された多層積層構造の全面には共通電極としての陰極14が被覆成膜されている。陰極14に用いられる材料としては、電子をできるだけ多く注入できる材料、つまり、仕事関数が小さい材料が望ましい。このような導電材料としては、カルシウム、リチウム、アルミニウムなどの金属薄膜が好適である。
Embodiment 1 of the Invention
Hereinafter, this embodiment will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is an overall configuration diagram of an active matrix organic EL display panel 100 of the present embodiment. As shown in the figure, a scanning signal is output to a scanning line connected to a group of pixels 10 arranged in a row direction on a substrate 15 and a plurality of pixels 10 formed in a multi-layered structure formed on a display region 11. A scanning line driver 12 that performs this operation and a data line driver 13 that supplies data signals and power supply voltages to the data lines and power supply lines connected to the group of pixels 10 arranged in the column direction are arranged. The pixels 10 are arranged in two orthogonal directions of N rows and M columns, forming a pixel matrix. Each pixel 10 is formed with an organic EL element that emits light in RGB three primary colors. A cathode 14 as a common electrode is formed on the entire surface of the multi-layer structure formed on the display region 11. The material used for the cathode 14 is preferably a material that can inject as many electrons as possible, that is, a material having a low work function. As such a conductive material, a metal thin film such as calcium, lithium or aluminum is suitable.

尚、同図に示す有機ELディスプレイパネル100は、基板15側から光を射出するいわゆるボトムエミッション構造のタイプであるが、本発明はこれに限らず、陰極14として光透過性の導電膜を用いることで、陰極14から光を射出するいわゆるトップエミッション構造のタイプでもよい。トップエミッション構造を採用する場合には、陰極14として、ITOなどの光透過性導電材料の他に、カルシウム、リチウム、アルミニウムなどの金属薄膜を光透過可能な程度に薄膜処理した導電性半透明金属層を用いることができる。導電性半透明金属層を用いることで、陰極14の低抵抗化を実現できる。   The organic EL display panel 100 shown in the figure is a so-called bottom emission structure type that emits light from the substrate 15 side. However, the present invention is not limited to this, and a light-transmitting conductive film is used as the cathode 14. Thus, a so-called top emission structure type in which light is emitted from the cathode 14 may be used. In the case of adopting a top emission structure, a conductive translucent metal obtained by thin-film processing a light-transmitting conductive material such as ITO as well as a metal thin film such as calcium, lithium, and aluminum as the cathode 14 so as to transmit light. Layers can be used. By using the conductive translucent metal layer, the resistance of the cathode 14 can be reduced.

図2は画素10の主要回路構成図である。画素10は、スイッチングトランジスタTr1と、駆動トランジスタTr2と、保持容量Cと、発光部OLEDとを備えて構成されており、2トランジスタ方式により駆動制御される。スイッチングトランジスタTr1はnチャネル型FETであり、そのゲート端子には走査線Vselが接続されており、ドレイン端子にはデータ線Idatが接続している。駆動トランジスタTr2はpチャネル型FETであり、そのゲート端子はスイッチングトランジスタTr1のソース端子に接続されている。また、同トランジスタのソース端子は電源供給線Vddに接続されており、そのドレイン端子は発光部OLEDに接続している。さらに、同トランジスタのゲート/ソース間には保持容量Cが形成されている。上記の構成において、走査線Vselに選択信号を出力し、スイッチングトランジスタTr1を開状態にすると、データ線Idatを介して供給されたデータ信号は電圧値として保持容量Cに書き込まれる。すると、保持容量Cに書き込まれた保持電圧は1フレーム期間を通じて保持され、当該保持電圧によって、駆動トランジスタTr2のコンダクタンスがアナログ的に変化し、発光階調に対応した順バイアス電流を発光部OLEDに供給する。 FIG. 2 is a main circuit configuration diagram of the pixel 10. The pixel 10 includes a switching transistor Tr1, a driving transistor Tr2, a storage capacitor C, and a light emitting unit OLED, and is driven and controlled by a two-transistor method. The switching transistor Tr1 is an n-channel FET, the scanning terminal V sel is connected to the gate terminal, and the data line I dat is connected to the drain terminal. The drive transistor Tr2 is a p-channel FET, and its gate terminal is connected to the source terminal of the switching transistor Tr1. The source terminal of the transistor is connected to the power supply line Vdd , and the drain terminal thereof is connected to the light emitting unit OLED. Further, a storage capacitor C is formed between the gate and source of the transistor. In the above configuration, when a selection signal is output to the scanning line Vsel and the switching transistor Tr1 is opened, the data signal supplied via the data line Idat is written in the storage capacitor C as a voltage value. Then, the holding voltage written in the holding capacitor C is held throughout one frame period, and the conductance of the driving transistor Tr2 changes in an analog manner by the holding voltage, and a forward bias current corresponding to the light emission gradation is applied to the light emitting unit OLED. Supply.

図3は画素領域内における配線レイアウトを説明するための図である。本発明においては、陰極14の低抵抗化を実現するため、表示領域11上に積層された多層積層構造の上面を被覆する面状の陰極14とは異なるレイヤに細線状の陰極補助配線16を形成し、層間絶縁膜を介して両者を電気的にコンタクトする。陰極補助配線16を形成するレイヤは特に限定されるものではないが、ディスプレイの製造プロセスを考慮すると、走査線Vselなどのメタル配線と同一の製造工程で同一のレイヤ上に形成することで、プロセス数を増大させることなく、低コストで製造できる。走査線Vselと同一工程で形成される陰極補助配線16はゲートメタル層と称することもできる。また、陰極補助配線16を形成する位置はできるだけ画素10のデッドスペースを利用することが好ましい。当該デッドスペースはデータ線Idat、走査線Vsel、電源供給線Vdd、スイッチングトランジスタTr1などの各々のレイアウト位置によって異なるため、各種のレイアウトに最適な位置を選択して陰極補助配線16を形成する。但し、データ線Idatに対して平面的に重なる位置に陰極補助配線16を形成すると、データ線Idatと陰極補助配線16との間に寄生容量が生じ、保持容量Cへのデータの書き込み不足が生じる場合があるため、データ線Idatとの位置関係を考慮して陰極補助配線16を形成する。 FIG. 3 is a diagram for explaining a wiring layout in the pixel region. In the present invention, in order to reduce the resistance of the cathode 14, the thin-line cathode auxiliary wiring 16 is provided in a layer different from the planar cathode 14 covering the upper surface of the multilayer laminated structure laminated on the display region 11. Then, they are electrically contacted through an interlayer insulating film. The layer for forming the cathode auxiliary wiring 16 is not particularly limited. However, in consideration of the manufacturing process of the display, the cathode auxiliary wiring 16 is formed on the same layer in the same manufacturing process as the metal wiring such as the scanning line V sel . It can be manufactured at low cost without increasing the number of processes. The cathode auxiliary wiring 16 formed in the same process as the scanning line Vsel can also be referred to as a gate metal layer. Further, it is preferable to use the dead space of the pixel 10 as much as possible for the position where the auxiliary cathode wiring 16 is formed. Since the dead space differs depending on the layout positions of the data line I dat , the scanning line V sel , the power supply line V dd , the switching transistor Tr 1, etc., the optimum position for various layouts is selected to form the cathode auxiliary wiring 16. To do. However, if the cathode auxiliary wiring 16 is formed at a position overlapping the data line I dat in a plan view, a parasitic capacitance is generated between the data line I dat and the cathode auxiliary wiring 16, and insufficient data is written to the storage capacitor C. Therefore, the auxiliary cathode wiring 16 is formed in consideration of the positional relationship with the data line I dat .

同図に示す例では、2本の走査線Vselからなる一組の走査線と陰極補助配線16とが交互に行方向にレイアウトされている。つまり、N/2本の陰極補助配線16が1行おきに形成されている。走査線Vselと陰極補助配線16は各々同一レイヤにおいて、メタル配線を一括してパターニングすることにより得られ、陰極補助配線16の線幅は、2本の走査線Vselの合計線幅とほぼ等しくなるように調整されている。一方、列方向にはデータ線Idatと電源供給線Vddとが各々の列方向に1列につき1本ずつ配線されている。同図に示す配線パターンは周期的に繰り返す一単位を示すものであり、多層積層構造内のどの画素10についても同図に示す配線レイアウトになっている。つまり、本実施形態の配線レイアウトは任意の行に対して線対称となり、画素ピッチは行方向及び列方向に対して等間隔に設定されている。また、データ線Idatと走査線Vselとが交差する位置にはスイッチングトランジスタTr1が形成されている。同トランジスタのソース端子の延在方向には駆動トランジスタTr2のゲート端子が位置しており、駆動トランジスタTr2のドレイン端子はコンタクトホールh1を介して画素電極17と導通している。電圧供給線Vdd上には画素電極17の長手方向に平行して保持容量Cが形成されている。 In the example shown in the figure, a set of scanning lines composed of two scanning lines Vsel and the cathode auxiliary wiring 16 are alternately laid out in the row direction. That is, N / 2 auxiliary cathode wirings 16 are formed every other row. The scanning line V sel and the cathode auxiliary wiring 16 are obtained by patterning metal wirings in the same layer, and the line width of the cathode auxiliary wiring 16 is substantially equal to the total line width of the two scanning lines V sel. It is adjusted to be equal. On the other hand, one data line I dat and one power supply line V dd are wired in each column direction in the column direction. The wiring pattern shown in the figure shows one unit that is periodically repeated, and the wiring layout shown in the figure is used for every pixel 10 in the multilayer laminated structure. That is, the wiring layout of this embodiment is line symmetric with respect to an arbitrary row, and the pixel pitch is set at equal intervals in the row direction and the column direction. A switching transistor Tr1 is formed at a position where the data line I dat and the scanning line V sel intersect. The gate terminal of the drive transistor Tr2 is located in the extending direction of the source terminal of the transistor, and the drain terminal of the drive transistor Tr2 is electrically connected to the pixel electrode 17 through the contact hole h1. A storage capacitor C is formed on the voltage supply line V dd in parallel with the longitudinal direction of the pixel electrode 17.

図4は図3のA−A'線断面図である。同図に示すように、基板15上には陰極補助配線16、層間絶縁膜21、ソースメタル層22、平坦化膜20、ITO層18、及びバンク層19が順次積層されてなる多層積層構造30が形成されている。この多層積層構造30は表示領域11上に形成されているものである。多層積層構造30の上層には陰極14が成膜されている。層間絶縁膜21はデータ線Idat及び走査線Vselを陰極補助配線16から電気的に分離するための絶縁膜であり、層間絶縁膜21上にはデータ線Idat及び走査線Vselと同一工程でパターニングされたソースメタル層22が島状に形成されている。ソースメタル層22は層間絶縁膜21内に開口するコンタクトホールh5を通じて陰極補助配線16と導通している。層間絶縁膜21上には平坦化処理された絶縁性の平坦化膜20が積層されており、その上層には島状にパターニングされたITO層18が形成されている。ITO層18とソースメタル層22は平坦化膜20に開口するコンタクトホールh3を通じて導通している。コンタクトホールh3は陰極補助配線26の延設方向に沿って複数開口しており、ITO層18とソースメタル層22との接続点を多数設けることで電気抵抗値を低減している。 4 is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. As shown in the figure, a multilayer laminated structure 30 in which a cathode auxiliary wiring 16, an interlayer insulating film 21, a source metal layer 22, a planarizing film 20, an ITO layer 18, and a bank layer 19 are sequentially laminated on a substrate 15. Is formed. This multilayer laminated structure 30 is formed on the display area 11. A cathode 14 is formed on the upper layer of the multilayer laminated structure 30. The interlayer insulating film 21 is an insulating film for electrically separating the data line I dat and the scanning line V sel from the cathode auxiliary wiring 16, and is the same as the data line I dat and the scanning line V sel on the interlayer insulating film 21. A source metal layer 22 patterned in the process is formed in an island shape. The source metal layer 22 is electrically connected to the cathode auxiliary wiring 16 through a contact hole h5 opened in the interlayer insulating film 21. An insulating planarizing film 20 that has been planarized is laminated on the interlayer insulating film 21, and an ITO layer 18 patterned in an island shape is formed thereon. The ITO layer 18 and the source metal layer 22 are electrically connected through a contact hole h3 opened in the planarizing film 20. A plurality of contact holes h3 are opened along the extending direction of the cathode auxiliary wiring 26, and the electrical resistance value is reduced by providing many connection points between the ITO layer 18 and the source metal layer 22.

一方、平坦化膜20の上層には感光性有機材料などから成るバンク層19が成膜されている。バンク層19は個々の画素10を区切る区画部材であり、長円形状の開口部h2が画素電極17上に位置するように精密なアライメント調整の下で開口してある(図3参照)。開口部h2内において表面に露出する画素電極17上には基板下層側から正孔輸送層及び発光層が順次成膜され、さらに共通電極としての陰極14が表示領域11上に積層された多層積層構造30の上面を被覆するように成膜される。これにより、陰極/発光層/正孔輸送層/画素電極から成る発光部OLEDが形成される。   On the other hand, a bank layer 19 made of a photosensitive organic material or the like is formed on the planarizing film 20. The bank layer 19 is a partition member that separates the individual pixels 10 and is opened under precise alignment adjustment so that the oval opening h2 is positioned on the pixel electrode 17 (see FIG. 3). A multilayer stack in which a hole transport layer and a light emitting layer are sequentially formed from the lower layer side of the substrate on the pixel electrode 17 exposed on the surface in the opening h2, and a cathode 14 as a common electrode is stacked on the display region 11. A film is formed so as to cover the upper surface of the structure 30. Thereby, the light emitting part OLED composed of the cathode / light emitting layer / hole transporting layer / pixel electrode is formed.

発光部OLEDを構成するデバイス層の積層構造としては、上記の構成に限らず、陰極/発光層/画素電極、陰極/電子輸送層/発光層/画素電極、陰極/電子輸送層/発光層/正孔輸送層/画素電極などの構成であってもよい。つまり、正孔輸送層と電子輸送層は必ずしも必須ではなく、これらの層は任意に追加できる。正孔輸送層としては、トリフェニルアミン誘導体(TPD)、ヒドラジン誘導体、アリールアミン誘導体などを用いることができる。電子輸送層としては、アルミキレート錯体(Alq3)、ジスチリルビフェニル誘導体(DPVBi)、オキサジアゾール誘導体、ビスチリルアントラセン誘導体、ベンゾオキサゾールチオフェン誘導体、ペリレン類、チアゾール類などを用いることができる。また、発光層は有機材料に限らず、無機材料であってもよい。 The laminated structure of the device layers constituting the light emitting unit OLED is not limited to the above configuration, but is cathode / light emitting layer / pixel electrode, cathode / electron transport layer / light emitting layer / pixel electrode, cathode / electron transport layer / light emitting layer / The structure may be a hole transport layer / pixel electrode or the like. That is, the hole transport layer and the electron transport layer are not necessarily essential, and these layers can be arbitrarily added. As the hole transport layer, a triphenylamine derivative (TPD), a hydrazine derivative, an arylamine derivative, or the like can be used. As the electron transporting layer, an aluminum chelate complex (Alq 3 ), a distyryl biphenyl derivative (DPVBi), an oxadiazole derivative, a bistyrylanthracene derivative, a benzoxazole thiophene derivative, a perylene, a thiazole, or the like can be used. The light emitting layer is not limited to an organic material, and may be an inorganic material.

バンク層19の表面にはITO層18に通じる位置に精密なアライメント調整の下で開口された開口部h4が陰極補助配線16の延設方向において複数箇所に点在している。バンク層19の上層に成膜された陰極14はコンタクトホールh4を介してITO層18と導通し、さらに、ソースメタル層22を介して陰極補助配線16と導通している。このように、多層積層構造30内に形成された陰極補助配線16と陰極14とを導通することで、陰極14の電気抵抗値を下げることができ、画素10に十分な電流を供給できるように構成されている。   On the surface of the bank layer 19, openings h <b> 4 that are opened under precise alignment adjustment at positions leading to the ITO layer 18 are scattered at a plurality of locations in the extending direction of the cathode auxiliary wiring 16. The cathode 14 formed on the bank layer 19 is electrically connected to the ITO layer 18 via the contact hole h4, and is further electrically connected to the cathode auxiliary wiring 16 via the source metal layer 22. As described above, the cathode auxiliary wiring 16 and the cathode 14 formed in the multilayer laminated structure 30 are electrically connected to each other so that the electric resistance value of the cathode 14 can be lowered and a sufficient current can be supplied to the pixel 10. It is configured.

本実施形態によれば、陰極14の抵抗値を低減することが可能となり、各画素に供給される電流量の不均一に起因する輝度ムラの発生を低減することが可能となる。さらに、従来ではディスプレイパネルの額縁に陰極14と陰極用電源配線とのコンタクト領域を設けていたが、本実施形態によれば、多層積層構造30内で陰極14とのコンタクトを確保できるため、狭額縁化が可能となり、デッドスペースの少ないディスプレイパネルを実現することができる。また、有機材料などから構成されるバンク層は耐熱性、耐薬品性に劣るため、バンク層上に陰極補助配線16を形成することは困難であるが、FETなどが形成されている基板15上であれば、陰極補助配線16などのメタル配線を容易に形成することができる。   According to the present embodiment, it is possible to reduce the resistance value of the cathode 14, and it is possible to reduce the occurrence of luminance unevenness due to nonuniformity in the amount of current supplied to each pixel. Further, conventionally, a contact region between the cathode 14 and the power supply wiring for the cathode is provided in the frame of the display panel. However, according to the present embodiment, since the contact with the cathode 14 can be secured in the multilayer laminated structure 30, it is narrow. Frame display is possible, and a display panel with little dead space can be realized. Further, since the bank layer made of an organic material is inferior in heat resistance and chemical resistance, it is difficult to form the cathode auxiliary wiring 16 on the bank layer, but on the substrate 15 on which the FET or the like is formed. If so, metal wiring such as the auxiliary cathode wiring 16 can be easily formed.

尚、本実施形態では2行に1本の割合で陰極補助配線16を形成したが、これに限らず、n(nは3以上の整数)行に1本の割合にするなど、適当な分散密度で陰極補助配線16を形成してもよい。また、陰極補助配線16を形成する位置は、多層積層構造30内の何れかの層に形成することができ、基板15の表面上に限られるものではない。   In this embodiment, the cathode auxiliary wiring 16 is formed at a ratio of one line per two rows. However, the present invention is not limited to this, and appropriate dispersion such as a ratio of one line per n (n is an integer of 3 or more) lines. The cathode auxiliary wiring 16 may be formed with a density. The position where the auxiliary cathode wiring 16 is formed can be formed in any layer in the multilayer laminated structure 30 and is not limited to the surface of the substrate 15.

[発明の実施の形態2]
図5は本発明の第2の実施形態を示す有機ELディスプレイパネル100の配線レイアウト図である。本実施形態においては、陰極補助配線16を列方向に形成している点において、実施形態1と異なる。同図に示す例では、RGB3画素で一つのピクセルを構成するものとすると、2ピクセルにつき3本の割合で陰極補助配線16が列方向に等間隔に形成されている。また、陰極補助配線16の両側には2本のデータ線Idatが形成されている。隣接する陰極補助配線16同士の間の列には2本の電源供給線Vddが一組として形成されており、1本の陰極補助配線16と2本のデータ線Idatの合計線幅と、2本の電源供給線Vddの合計線幅とがほぼ等しくなるようにレイアウトされている。これにより、同図に示す配線レイアウトは、任意の列に対して線対称となるように構成されている。一方、行方向には各行につき1本の走査線Vselが形成されており、走査線Vselとデータ線Idatの交差点にスイッチングトランジスタTr1が形成されている。同トランジスタのソース端子の延在方向には駆動トランジスタTr2のゲート端子が位置しており、駆動トランジスタTr2のドレイン端子はコンタクトホールh1を介して画素電極17と導通している。電圧供給線Vdd上には画素電極17の長手方向に平行して保持容量Cが形成されている。
[Embodiment 2 of the Invention]
FIG. 5 is a wiring layout diagram of the organic EL display panel 100 showing the second embodiment of the present invention. This embodiment is different from the first embodiment in that the cathode auxiliary wiring 16 is formed in the column direction. In the example shown in the figure, assuming that one pixel is composed of three RGB pixels, the cathode auxiliary wirings 16 are formed at equal intervals in the column direction at a rate of three for every two pixels. Further, two data lines I dat are formed on both sides of the cathode auxiliary wiring 16. Two power supply lines V dd are formed as a set in a column between adjacent cathode auxiliary wirings 16, and the total line width of one cathode auxiliary wiring 16 and two data lines I dat The layout is made such that the total line width of the two power supply lines Vdd is substantially equal. As a result, the wiring layout shown in the figure is configured to be line-symmetric with respect to an arbitrary column. On the other hand, one scanning line Vsel is formed for each row in the row direction, and a switching transistor Tr1 is formed at the intersection of the scanning line Vsel and the data line Idat . The gate terminal of the drive transistor Tr2 is located in the extending direction of the source terminal of the transistor, and the drain terminal of the drive transistor Tr2 is electrically connected to the pixel electrode 17 through the contact hole h1. A storage capacitor C is formed on the voltage supply line V dd in parallel with the longitudinal direction of the pixel electrode 17.

図6は図5のB−B'線断面図である。同図に示すように、基板15上には走査線Vsel、層間絶縁膜21、陰極補助配線16、平坦化膜20、ITO層18、及びバンク層19が順次積層されてなる多層積層構造30が形成されている。この多層積層構造30は表示領域11上に形成されているものである。多層積層構造30の上層には陰極14が成膜されている。層間絶縁膜21は走査線Vselを陰極補助配線16から電気的に分離するための絶縁膜であり、層間絶縁膜21上には陰極補助配線16がライン状に形成されている。陰極補助配線16上に成膜された平坦化膜20上には島状にパターニングされたITO層18が陰極補助配線16の延設方向に沿って複数箇所に点在している。平坦化膜20にはコンタクトホールh3が開口しており、ITO層18と陰極補助配線16がコンタクトホールh3を通じて導通するよう構成されている。平坦膜20の上層には感光性有機材料などからなるバンク層19が形成され、画素電極17の位置に合わせて長円形の開口部h2が形成されている(図5参照)。開口部h2には実施形態1と同様に発光部OLEDが形成される。 6 is a cross-sectional view taken along the line BB ′ of FIG. As shown in the figure, a multilayer laminated structure 30 in which a scanning line V sel , an interlayer insulating film 21, a cathode auxiliary wiring 16, a planarizing film 20, an ITO layer 18, and a bank layer 19 are sequentially laminated on a substrate 15. Is formed. This multilayer laminated structure 30 is formed on the display area 11. A cathode 14 is formed on the upper layer of the multilayer stacked structure 30. The interlayer insulating film 21 is an insulating film for electrically separating the scanning line V sel from the cathode auxiliary wiring 16, and the cathode auxiliary wiring 16 is formed in a line shape on the interlayer insulating film 21. On the planarizing film 20 formed on the cathode auxiliary wiring 16, ITO layers 18 patterned in an island shape are scattered at a plurality of locations along the extending direction of the cathode auxiliary wiring 16. A contact hole h3 is opened in the planarizing film 20, and the ITO layer 18 and the auxiliary cathode wiring 16 are configured to be conducted through the contact hole h3. A bank layer 19 made of a photosensitive organic material or the like is formed on the flat film 20, and an oval opening h2 is formed in accordance with the position of the pixel electrode 17 (see FIG. 5). As in the first embodiment, the light emitting unit OLED is formed in the opening h2.

一方、バンク層19の表面にはITO層18に通じる位置に精密なアライメント調整の下で開口された開口部h4が陰極補助配線16の延設方向に沿って複数箇所に点在している。バンク層19の上層に成膜された陰極14はコンタクトホールh4を介してITO層18と導通し、さらに、陰極補助配線16と導通している。このように、画素10の列方向に沿ってライン状に複数形成された陰極補助配線16と陰極14を電気的に導通することで、画素10に十分な電流を供給できるように構成されている。   On the other hand, on the surface of the bank layer 19, openings h <b> 4 opened under precise alignment adjustment at positions leading to the ITO layer 18 are scattered at a plurality of locations along the extending direction of the cathode auxiliary wiring 16. The cathode 14 formed on the bank layer 19 is electrically connected to the ITO layer 18 through the contact hole h4, and is further electrically connected to the cathode auxiliary wiring 16. As described above, the plurality of auxiliary cathode wirings 16 formed in a line along the column direction of the pixels 10 and the cathodes 14 are electrically connected to each other so that a sufficient current can be supplied to the pixels 10. .

本実施形態によれば、実施形態1と同様に、陰極14の抵抗値を低減することが可能となり、各画素10に供給される電流量の不均一に起因する輝度ムラの発生を低減することが可能となる。さらに、多層積層構造30の内部で陰極補助配線16と陰極14とのコンタクトを確保できるため、狭額縁化が可能となり、デッドスペースの少ないディスプレイパネルを実現することができる。尚、本実施形態では2列に1本の割合で陰極補助配線16を形成したが、これに限らず、n(nは3以上の整数)列に1本の割合にするなど、適当な分散密度で陰極補助配線16を形成してもよい。   According to the present embodiment, as in the first embodiment, the resistance value of the cathode 14 can be reduced, and the occurrence of luminance unevenness due to nonuniformity in the amount of current supplied to each pixel 10 can be reduced. Is possible. Further, since the contact between the cathode auxiliary wiring 16 and the cathode 14 can be secured inside the multilayer laminated structure 30, a narrow frame can be achieved, and a display panel with less dead space can be realized. In this embodiment, the cathode auxiliary wirings 16 are formed in a ratio of one in two rows. However, the present invention is not limited to this, and appropriate dispersion such as a ratio of one in n (n is an integer of 3 or more) columns. The cathode auxiliary wiring 16 may be formed with a density.

[発明の実施の形態3]
図7は本発明の第3の実施形態を示す有機ELディスプレイパネル100の配線レイアウト図である。本実施形態においては、陰極補助配線16を行方向及び列方向に形成している点において、実施形態1及び2と異なる。ここでは、行方向及び列方向に形成される陰極補助配線16を便宜上区別するため、行方向に沿って形成される陰極補助配線16を第1陰極補助配線16−1とし、列方向に沿って形成される陰極補助配線16を第2陰極補助配線16−2とする。また、単に陰極補助配線16というときは特に断りがない限り両者を含むものとする。同図に示す例では、RGB3画素で一つのピクセルを構成するものとすると、2ピクセルにつき3本の割合で第2陰極補助配線16−2が列方向に等間隔に形成されている。また、第2陰極補助配線16−2の両側には2本のデータ線Idatが形成されている。隣接する第2陰極補助配線16−2同士の間の列には2本の電源供給線Vddが一組として形成されており、1本の第2陰極補助配線16−2と2本のデータ線Idatの合計線幅と、2本の電源供給線Vddの合計線幅とがほぼ等しくなるようにレイアウトされている。これにより、同図に示す配線レイアウトは、任意の列に対して線対称となるように構成されている。
Embodiment 3 of the Invention
FIG. 7 is a wiring layout diagram of an organic EL display panel 100 showing a third embodiment of the present invention. This embodiment is different from the first and second embodiments in that the cathode auxiliary wiring 16 is formed in the row direction and the column direction. Here, in order to distinguish the cathode auxiliary wiring 16 formed in the row direction and the column direction for the sake of convenience, the cathode auxiliary wiring 16 formed along the row direction is referred to as a first cathode auxiliary wiring 16-1 and is arranged along the column direction. The formed cathode auxiliary wiring 16 is referred to as a second cathode auxiliary wiring 16-2. Further, the term “cathode auxiliary wiring 16” includes both unless otherwise specified. In the example shown in the figure, assuming that one pixel is constituted by three RGB pixels, the second cathode auxiliary wiring 16-2 is formed at equal intervals in the column direction at a ratio of three for every two pixels. Further, two data lines I dat are formed on both sides of the second cathode auxiliary wiring 16-2. Two power supply lines Vdd are formed as a set in a column between adjacent second cathode auxiliary wirings 16-2, and one second cathode auxiliary wiring 16-2 and two pieces of data are formed. The layout is made such that the total line width of the line I dat and the total line width of the two power supply lines V dd are substantially equal. As a result, the wiring layout shown in the figure is configured to be line-symmetric with respect to an arbitrary column.

一方、行方向には、2本の走査線Vselからなる一組の走査線と第1陰極補助配線16−1とが交互にレイアウトされている。走査線Vselと第1陰極補助配線16−1は各々同一レイヤにおいて、メタル配線を一括してパターニングすることにより得られ、第1陰極補助配線16−1の線幅は、2本の走査線Vselの合計線幅とほぼ等しくなるように調整されている。かかる構成により、同図に示す配線レイアウトは、任意の行及び列に対して線対称となっている。 On the other hand, in the row direction, a set of scanning lines composed of two scanning lines Vsel and the first cathode auxiliary wiring 16-1 are laid out alternately. The scanning line Vsel and the first cathode auxiliary wiring 16-1 are obtained by patterning metal wirings in a single layer, and the line width of the first cathode auxiliary wiring 16-1 is two scanning lines. The total line width of V sel is adjusted to be approximately equal. With this configuration, the wiring layout shown in the figure is axisymmetric with respect to an arbitrary row and column.

走査線Vselとデータ線Idatの交差点にはスイッチングトランジスタTr1が形成されており、同トランジスタのソース端子の延在方向には駆動トランジスタTr2のゲート端子が位置している。駆動トランジスタTr2のドレイン端子はコンタクトホールh1を介して画素電極17と導通している。電圧供給線Vdd上には画素電極17の長手方向に平行して保持容量Cが形成されている。 The intersections of the scanning lines V sel and the data line I dat and the switching transistor Tr1 is formed, in the extending direction of the source terminal of the transistor is located the gate terminal of the driving transistor Tr2. The drain terminal of the drive transistor Tr2 is electrically connected to the pixel electrode 17 through the contact hole h1. A storage capacitor C is formed on the voltage supply line V dd in parallel with the longitudinal direction of the pixel electrode 17.

図8は図7のC−C'線断面図である。同図に示すように、基板15上には第1陰極補助配線16−1、層間絶縁膜21、平坦化膜20、ソースメタル層22、ITO層18、及びバンク層19が順次積層されてなる多層積層構造30が形成されている。この多層積層構造30は表示領域11上に形成されているものである。多層積層構造30の上層には陰極14が成膜されている。層間絶縁膜21はデータ線Idat及び電源供給線Vddを第1陰極補助配線16−1から電気的に分離するための絶縁膜である。データ線Idat及び電源供給線Vddと同一レイヤには第1陰極補助配線16−1と直交する向きに第2陰極補助配線16−2が形成されており、層間絶縁膜21に開口されたコンタクトホールh6を介して両者は電気的に接続している。 8 is a cross-sectional view taken along the line CC ′ of FIG. As shown in the figure, a first cathode auxiliary wiring 16-1, an interlayer insulating film 21, a planarizing film 20, a source metal layer 22, an ITO layer 18, and a bank layer 19 are sequentially stacked on the substrate 15. A multilayer laminated structure 30 is formed. This multilayer laminated structure 30 is formed on the display area 11. A cathode 14 is formed on the upper layer of the multilayer stacked structure 30. The interlayer insulating film 21 is an insulating film for electrically separating the data line I dat and the power supply line V dd from the first cathode auxiliary wiring 16-1. A second cathode auxiliary wiring 16-2 is formed in the same layer as the data line I dat and the power supply line V dd in a direction orthogonal to the first cathode auxiliary wiring 16-1, and is opened in the interlayer insulating film 21. Both are electrically connected through the contact hole h6.

また、層間絶縁膜21上には第2陰極補助配線16−2と同一レイヤにソースメタル層22が第1陰極補助配線16−1の延設方向に沿って複数箇所に島状に形成されている。ソースメタル層22は層間絶縁膜21に開口するコンタクトホールh5を介して第1陰極補助配線16−1と導通している。また、平坦化膜20上にはITO層18が第1陰極補助配線16−1の延設方向に沿って島状に複数所点在するように形成されており、コンタクトホールh3を介してソースメタル層22と導通している。平坦膜20の上層には感光性有機材料などからなるバンク層19が形成され、画素電極17の位置に合わせて長円形の開口部h2が形成されている(図7参照)。開口部h2には実施形態1と同様に発光部OLEDが形成される。バンク層19の表面にはITO層18に通じる位置に精密なアライメント調整の下で開口されたコンタクトホールh4が第2陰極補助配線16−2の延設方向に点在している。バンク層19の上層に成膜された陰極14は多層積層構造30内部において、陰極補助配線16と導通しており、陰極14の抵抗値を低減することにより、画素10に十分な電流を供給できるように構成されている。   On the interlayer insulating film 21, the source metal layer 22 is formed in islands at a plurality of locations along the extending direction of the first cathode auxiliary wiring 16-1 in the same layer as the second cathode auxiliary wiring 16-2. Yes. The source metal layer 22 is electrically connected to the first cathode auxiliary wiring 16-1 through a contact hole h5 opened in the interlayer insulating film 21. Further, the ITO layer 18 is formed on the planarizing film 20 so as to be scattered in a plurality of islands along the extending direction of the first cathode auxiliary wiring 16-1, and the source is connected through the contact hole h3. The metal layer 22 is electrically connected. A bank layer 19 made of a photosensitive organic material or the like is formed on the flat film 20, and an oval opening h2 is formed in accordance with the position of the pixel electrode 17 (see FIG. 7). As in the first embodiment, the light emitting unit OLED is formed in the opening h2. On the surface of the bank layer 19, contact holes h <b> 4 opened under precise alignment adjustment at positions that communicate with the ITO layer 18 are dotted in the extending direction of the second cathode auxiliary wiring 16-2. The cathode 14 formed on the bank layer 19 is electrically connected to the cathode auxiliary wiring 16 in the multilayer laminated structure 30, and a sufficient current can be supplied to the pixel 10 by reducing the resistance value of the cathode 14. It is configured as follows.

図9は図7のD−D'線断面図である。同図に示すように、基板15上には第1陰極補助配線16−1、走査線Vsel、層間絶縁膜21、第2陰極補助配線16−2、平坦化膜20、ITO層18、及びバンク層19から成る多層積層構造30が形成されている。第1陰極補助配線16−1及び第2陰極補助配線16−2は層間絶縁膜21を間に挟んで互いに直交する向きに形成されており、層間絶縁膜21に開口されたコンタクトホールh6を介して相互に導通している。第2陰極補助配線16−2の上層に積層されている平坦化膜20にはITO層18が第2陰極補助配線16−2の延設方向に沿って島状に複数箇所点在して形成されている。平坦化膜20にはコンタクトホールh3が開口しており、ITO層18と第2陰極補助配線16−2が導通している。また、バンク層19には第2陰極補助配線16−2の延設方向に沿ってコンタクトホールh4が複数箇所点在して開口しており、陰極14とITO層18とが導通している。このように、陰極14は多層積層構造30内部において、互いに直交する二方向に形成された陰極補助配線16と導通することにより、陰極14の抵抗値を大幅に下げ、画素10に十分な電力を供給できるように構成されている。このため、画素10に供給される電流量の不均一による輝度ムラの発生を低減し、優れた表示性能を実現できる。さらに、さらに、多層積層構造30の内部で陰極補助配線16と陰極14とのコンタクトを確保できるため、狭額縁化が可能となり、デッドスペースの少ないディスプレイパネルを実現することができる。 9 is a cross-sectional view taken along the line DD ′ of FIG. As shown in the figure, on the substrate 15, a first cathode auxiliary wiring 16-1, a scanning line V sel , an interlayer insulating film 21, a second cathode auxiliary wiring 16-2, a planarizing film 20, an ITO layer 18, and A multilayer laminated structure 30 composed of the bank layers 19 is formed. The first cathode auxiliary wiring 16-1 and the second cathode auxiliary wiring 16-2 are formed in directions orthogonal to each other with the interlayer insulating film 21 interposed therebetween, and through a contact hole h6 opened in the interlayer insulating film 21. Are connected to each other. The planarizing film 20 laminated on the upper layer of the second cathode auxiliary wiring 16-2 is formed with a plurality of ITO layers 18 scattered in an island shape along the extending direction of the second cathode auxiliary wiring 16-2. Has been. A contact hole h3 is opened in the planarizing film 20, and the ITO layer 18 and the second cathode auxiliary wiring 16-2 are electrically connected. Further, a plurality of contact holes h4 are dotted and opened along the extending direction of the second cathode auxiliary wiring 16-2 in the bank layer 19, and the cathode 14 and the ITO layer 18 are electrically connected. In this way, the cathode 14 is electrically connected to the auxiliary cathode wiring 16 formed in two directions orthogonal to each other in the multilayer laminated structure 30, thereby greatly reducing the resistance value of the cathode 14 and providing sufficient power to the pixel 10. It is configured so that it can be supplied. For this reason, it is possible to reduce the occurrence of luminance unevenness due to non-uniformity in the amount of current supplied to the pixels 10 and realize excellent display performance. Furthermore, since the contact between the cathode auxiliary wiring 16 and the cathode 14 can be secured inside the multilayer laminated structure 30, it is possible to narrow the frame and to realize a display panel with little dead space.

[発明の実施の形態4]
図10は本発明の電気光学装置を適用可能な電子機器の例を示す図である。同図(a)は携帯電話への適用例であり、携帯電話230は、アンテナ部231、音声出力部232、音声入力部233、操作部234、及び本発明の有機ELディスプレイパネル100を備えている。このように本発明の有機ELディスプレイパネル100を携帯電話230の表示部として利用可能である。同図(b)はビデオカメラへの適用例であり、ビデオカメラ240は、受像部241、操作部242、音声入力部243、及び本発明の有機ELディスプレイパネル100を備えている。このように本発明の有機ELディスプレイパネル100は、ファインダーや表示部として利用可能である。同図(c)は携帯型パーソナルコンピュータへの適用例であり、コンピュータ250は、カメラ部251、操作部252、及び本発明の有機ELディスプレイパネル100を備えている。このように本発明の有機ELディスプレイパネル100は、表示装置として利用可能である。
[Embodiment 4 of the Invention]
FIG. 10 is a diagram illustrating an example of an electronic apparatus to which the electro-optical device of the invention can be applied. FIG. 6A shows an application example to a mobile phone. The mobile phone 230 includes an antenna unit 231, an audio output unit 232, an audio input unit 233, an operation unit 234, and the organic EL display panel 100 of the present invention. Yes. Thus, the organic EL display panel 100 of the present invention can be used as the display unit of the mobile phone 230. FIG. 2B shows an application example to a video camera. The video camera 240 includes an image receiving unit 241, an operation unit 242, an audio input unit 243, and the organic EL display panel 100 of the present invention. Thus, the organic EL display panel 100 of the present invention can be used as a finder or a display unit. FIG. 2C shows an application example to a portable personal computer. The computer 250 includes a camera unit 251, an operation unit 252, and the organic EL display panel 100 of the present invention. Thus, the organic EL display panel 100 of the present invention can be used as a display device.

同図(d)はヘッドマウントディスプレイへの適用例であり、ヘッドマウントディスプレイ260は、バンド261、光学系収納部262及び本発明の有機ELディスプレイパネル100を備えている。このように本発明の有機ELディスプレイパネル100は画像表示源として利用可能である。同図(e)はリア型プロジェクターへの適用例であり、プロジェクター270は、筐体271に、光源272、合成光学系273、ミラー274、ミラー275、スクリーン276、及び本発明の有機ELディスプレイパネル100を備えている。同図(f)はフロント型プロジェクターへの適用例であり、プロジェクター280は、筐体282に光学系281及び本発明の有機ELディスプレイパネル100を備え、画像をスクリーン283に表示可能になっている。このように本発明の有機ELディスプレイパネル100は画像表示源として利用可能である。   FIG. 4D shows an application example to a head mounted display. The head mounted display 260 includes a band 261, an optical system storage unit 262, and the organic EL display panel 100 of the present invention. Thus, the organic EL display panel 100 of the present invention can be used as an image display source. FIG. 6E shows an application example to a rear type projector. The projector 270 includes a housing 271, a light source 272, a composite optical system 273, a mirror 274, a mirror 275, a screen 276, and the organic EL display panel of the present invention. 100. FIG. 5F shows an application example to a front type projector. The projector 280 includes an optical system 281 and the organic EL display panel 100 of the present invention in a housing 282, and can display an image on a screen 283. . Thus, the organic EL display panel 100 of the present invention can be used as an image display source.

本発明の有機ELディスプレイパネルの全体構成図である。1 is an overall configuration diagram of an organic EL display panel of the present invention. 画素の主要回路構成図である。It is a main circuit block diagram of a pixel. 本発明の第1実施形態に係わる配線レイアウトの説明図である。It is explanatory drawing of the wiring layout concerning 1st Embodiment of this invention. 図3のA−A'線断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line AA ′ in FIG. 3. 本発明の第2実施形態に係わる配線レイアウトの説明図である。It is explanatory drawing of the wiring layout concerning 2nd Embodiment of this invention. 図5のB−B'線断面図である。FIG. 6 is a sectional view taken along line BB ′ in FIG. 5. 本発明の第3実施形態に係わる配線レイアウトの説明図である。It is explanatory drawing of the wiring layout concerning 3rd Embodiment of this invention. 図7のC−C'線断面図である。It is CC 'sectional view taken on the line of FIG. 図7のD−D'線断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view taken along the line DD ′ of FIG. 本発明の有機ELディスプレイパネルの適用例を示す図である。It is a figure which shows the example of application of the organic electroluminescent display panel of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

10…画素 11…画素領域 12…走査線ドライバ 13…データ線ドライバ 14…陰極 15…基板 16…陰極補助配線 16−1…第1陰極補助配線 16−2…第2陰極補助配線 17…画素電極 18…ITO層 19…バンク層 20…平坦化膜 21…層間絶縁膜 30…多層積層構造 100…有機ELディスプレイパネル Tr1…スイッチングトランジスタ Tr2…駆動トランジスタ C…保持容量 OLED…発光部 Vsel…走査線 Idat…データ線 Vdd…電源供給線 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Pixel 11 ... Pixel region 12 ... Scan line driver 13 ... Data line driver 14 ... Cathode 15 ... Substrate 16 ... Cathode auxiliary wiring 16-1 ... First cathode auxiliary wiring 16-2 ... Second cathode auxiliary wiring 17 ... Pixel electrode DESCRIPTION OF SYMBOLS 18 ... ITO layer 19 ... Bank layer 20 ... Planarization film 21 ... Interlayer insulating film 30 ... Multilayer laminated structure 100 ... Organic EL display panel Tr1 ... Switching transistor Tr2 ... Drive transistor C ... Retention capacitor OLED ... Light emitting part Vsel ... Scanning line I dat ... Data line V dd ... Power supply line

Claims (4)

基板と、
前記基板上の行方向に配列される複数の走査線と、列方向に配列される複数のデータ線と、
前記走査線と前記データ線との交差部に対応して配置されたスイッチング素子と、
前記複数の走査線及び前記複数のデータ線の上方側に配置された第1電極と、
前記第1電極の上に配置された第2電極と、
前記第1電極と前記第2電極との間に配置された発光層と、
前記第1電極の下方側に配置された補助配線と、を備え、
前記補助配線は、前記データ線と同一層に配置され、
前記第2電極と前記補助配線とは、前記第2電極と前記補助配線との間に配置されている絶縁膜に形成された第1コンタクトホールを介して電気的に接続されていることを特徴とする発光装置。
A substrate,
A plurality of scanning lines arranged in a row direction on the substrate; a plurality of data lines arranged in a column direction;
Switching elements arranged corresponding to the intersections of the scanning lines and the data lines;
A first electrode disposed above the plurality of scanning lines and the plurality of data lines;
A second electrode disposed on the first electrode;
A light emitting layer disposed between the first electrode and the second electrode;
An auxiliary wiring disposed on the lower side of the first electrode,
The auxiliary wiring is disposed in the same layer as the data line,
The second electrode and the auxiliary wiring are electrically connected through a first contact hole formed in an insulating film disposed between the second electrode and the auxiliary wiring. A light emitting device.
基板と、
前記基板上の行方向に配列される複数の走査線と、列方向に配列される複数のデータ線と、
前記走査線と前記データ線との交差部に対応して配置されたスイッチング素子と、
前記複数の走査線及び前記複数のデータ線の上方側に配置された第1電極と、
前記第1電極の上に配置された第2電極と、
前記第1電極と前記第2電極との間に配置された発光層と、
前記第1電極の下方側に配置された補助配線と、を備え、
前記補助配線は、前記走査線と同一層に配置され、
前記第2電極と前記補助配線とは、前記第2電極と前記補助配線との間に配置されている絶縁膜に形成された第1コンタクトホールを介して電気的に接続されていることを特徴とする発光装置。
A substrate,
A plurality of scanning lines arranged in a row direction on the substrate; a plurality of data lines arranged in a column direction;
Switching elements arranged corresponding to the intersections of the scanning lines and the data lines;
A first electrode disposed above the plurality of scanning lines and the plurality of data lines;
A second electrode disposed on the first electrode;
A light emitting layer disposed between the first electrode and the second electrode;
An auxiliary wiring disposed on the lower side of the first electrode,
The auxiliary wiring is disposed in the same layer as the scanning line,
The second electrode and the auxiliary wiring are electrically connected through a first contact hole formed in an insulating film disposed between the second electrode and the auxiliary wiring. A light emitting device.
請求項1又は2記載の発光装置であって、
前記第2電極と前記補助配線とは、多層積層構造を介して電気的に接続されており、
前記多層積層構造は、
前記第2電極と前記補助配線との間に配置され、かつ、前記第1電極と同じ材料で形成されている電気接続層と、
前記電気接続層と前記補助配線との間に配置され、前記電気接続層と前記補助配線とを電気的に接続するための前記第1コンタクトホールが形成された前記絶縁膜と、
を有することを特徴とする発光装置。
The light-emitting device according to claim 1 or 2,
The second electrode and the auxiliary wiring are electrically connected via a multilayer laminated structure,
The multilayer laminated structure is
An electrical connection layer disposed between the second electrode and the auxiliary wiring and made of the same material as the first electrode;
The insulating film disposed between the electrical connection layer and the auxiliary wiring, wherein the first contact hole for electrically connecting the electrical connection layer and the auxiliary wiring is formed;
A light emitting device comprising:
請求項3に記載の発光装置であって、
前記多層積層構造は、
前記第2電極と前記電気接続層との間に配置され、前記第2電極と前記電気接続層を電気的に接続するための第2コンタクトホールが形成されたバンク層をさらに有することを特徴とする発光装置。
The light-emitting device according to claim 3,
The multilayer laminated structure is
It further comprises a bank layer disposed between the second electrode and the electrical connection layer, and having a second contact hole for electrically connecting the second electrode and the electrical connection layer. Light-emitting device.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5152133B2 (en) * 2009-09-18 2013-02-27 豊田合成株式会社 Light emitting element
JP5627682B2 (en) * 2010-06-18 2014-11-19 パナソニック株式会社 Organic EL display device

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000347621A (en) * 1999-06-09 2000-12-15 Nec Corp Method and device for image display
JP2001230086A (en) * 2000-02-16 2001-08-24 Idemitsu Kosan Co Ltd Active drive organic electroluminescence device and its manufacturing method
JP2002318556A (en) * 2001-04-20 2002-10-31 Toshiba Corp Active matrix type planar display device and manufacturing method therefor
JP2003303687A (en) * 2002-02-06 2003-10-24 Hitachi Ltd Organic luminous display device
JP2004139970A (en) * 2002-09-25 2004-05-13 Seiko Epson Corp Electro-optical device, matrix substrate, and electronic equipment

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07159810A (en) * 1993-12-10 1995-06-23 Toshiba Corp Liquid crystal display device
JP3520396B2 (en) * 1997-07-02 2004-04-19 セイコーエプソン株式会社 Active matrix substrate and display device
JP4360015B2 (en) * 2000-03-17 2009-11-11 セイコーエプソン株式会社 Method for manufacturing organic EL display, method for arranging semiconductor element, method for manufacturing semiconductor device

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000347621A (en) * 1999-06-09 2000-12-15 Nec Corp Method and device for image display
JP2001230086A (en) * 2000-02-16 2001-08-24 Idemitsu Kosan Co Ltd Active drive organic electroluminescence device and its manufacturing method
JP2002318556A (en) * 2001-04-20 2002-10-31 Toshiba Corp Active matrix type planar display device and manufacturing method therefor
JP2003303687A (en) * 2002-02-06 2003-10-24 Hitachi Ltd Organic luminous display device
JP2004139970A (en) * 2002-09-25 2004-05-13 Seiko Epson Corp Electro-optical device, matrix substrate, and electronic equipment

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