JP2008260114A - ポリイミド薄膜弾性結合部を用いた自己組織化微細構造 - Google Patents

ポリイミド薄膜弾性結合部を用いた自己組織化微細構造 Download PDF

Info

Publication number
JP2008260114A
JP2008260114A JP2007106608A JP2007106608A JP2008260114A JP 2008260114 A JP2008260114 A JP 2008260114A JP 2007106608 A JP2007106608 A JP 2007106608A JP 2007106608 A JP2007106608 A JP 2007106608A JP 2008260114 A JP2008260114 A JP 2008260114A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
microstructure
self
thin film
polyimide thin
micro
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2007106608A
Other languages
English (en)
Inventor
Alex Horng
ホン アレックス
I-Yu Huang
ファン イ−ユ
Chih-Hung Wang
ワン チン−フン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sunonwealth Electric Machine Industry Co Ltd
Original Assignee
Sunonwealth Electric Machine Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sunonwealth Electric Machine Industry Co Ltd filed Critical Sunonwealth Electric Machine Industry Co Ltd
Priority to JP2007106608A priority Critical patent/JP2008260114A/ja
Publication of JP2008260114A publication Critical patent/JP2008260114A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Micromachines (AREA)

Abstract

【課題】少なくとも1つの微細構造の静止部と少なくとも1つの微細構造の可動部からなる微細構造において可動部を変位させる自己組織化構造を提供する。
【解決手段】静止部53と可動部54との間に設けた弾性結合部52は、感光性ポリイミド薄膜材料からなる。ポリイミド弾性結合部52は、高温リフロープロセスの後に収縮する。硬化したポリイミドの表面張力により、微細構造の自己組織化完了に際して微細構造の可動部を回転させ、持ち上げることが可能となる。
【選択図】図1

Description

本発明は、弾性結合部としてポリイミド薄膜を用いた自己組織化微細構造を提供する。その微細構造は、簡単、高速且つ経済的な特性を有する集積的小型化平面技術を用いて、従来の自己組織化技術の問題点を解決するものである。
小型化技術の開発と応用は、近代科学の主要トレンドである。特に、自己組織化技術は、近年、ミクロの世界の基礎となる方法である。
微小電気機械システム(MEMS)技術により製造された微小回転ファンにおいて、付属書1に示すように、微小回転ファンのスクラッチ駆動アクチュエータ(SDA)と微小ブレード構造間の部分は、自己組織化技術とマルチユーザーMEMSプロセス(MUMPs)によって形成される。
いわゆる自己組織化技術は、微細構造が、最終解放プロセスの完了後に自己整合するものである。付属書2に示すように、自己組織化技術を用いて製造された従来の微細構造には、以下のような3タイプがある。
タイプ1は、付属書2の図1に示すように、製造プロセスにおける残留応力を用いて、変形を生じさせ、結果として微細構造の変位をもたらす。付属書2の図1はLucent Technology社によって開発された三次元微小光学スイッチを示す。
タイプ2は、付属書2の図2に示すように、超音波によって発生した表面音響波を用いて、振動により微細構造をプリセット位置に移動させる。
タイプ3は、ソルダーボール、フォトレジストまたは他のポリマーを用いて、微小ヒンジ上に弾性結合部を形成する。弾性結合部の溶融は高温リフロープロセスによって行われ、このプロセスによって、付属書2の図3に示すように、微細構造を引っ張り上げる表面張力を生じさせる。
Ryan. J. Linderman、Paul. E. Kladitis、Victor. M. Bright、「微小回転ファンの開発」、センサーとアクチュエータ A、 95巻、2002、135〜142ページ
しかしながら、従来の自己組織化技術によるタイプ1とタイプ2は、静的な用途あるいは固定微細構造に対してのみ適用可能であり、微小ファン用途などの動的あるいは回転微細構造に対しては適していない。
タイプ3の自己組織化技術に関しては、弾性結合部製作に適した多くの材料が用いられている。これらの材料はそれぞれ欠点を有する。ソルダーボールを1例として以下説明する。
鉛汚染: ソルダーボールは錫と鉛(63Sn/37Pb)からできている。リフロープロセス中には、設備や環境が鉛に汚染される。
高コスト: 表面をマイクロマシン化した微細構造のほとんどは、通常多結晶シリコン(Poly−Si)により形成されており、ここで、金パッドの層は、ソルダーボールとPoly−Siとを相互に接続する被膜として形成されている。この追加プロセスにより、必然的に生産が困難となり、コストが増加する。
低精度: 微細構造の立ち上げ角度あるいは変位を計算するためには、ソルダーボールの寸法が正確に制御されなければならない。しかしながら、従来のソルダーボールは、体積のばらつきが25%にものぼり、立ち上げ角度や変位の精度が制御不能となる。
手作業処理: 今のところ、ソルダーボールの金パッドへの取付は、いまだ手作業による芯出し処理でおこなわれている。
小型化実現不可: 現時点では、ソルダーボールの最小寸法は100μm以上であり、はんだを用いる装置の最小サイズに限界がある。
フォトレジストにより形成される弾性結合をもう1つの例を参照して説明する。
フォトレジストにより形成される弾性結合の製造プロセスは、ソルダーボールを用いたプロセスほど複雑ではなく、低コストでもある。しかしながら、微細構造の解放にはドライまたはウエットエッチング処理が必要である。
ドライエッチングでは、液体二酸化炭素を用いて微細構造を解放し、水分子を置換して微細構造の吸着効果を防止しているが、この方法に使用される臨界超過CO2乾燥除去装置は非常に高価であり、このためこのプロセスのコストは比較的高い。
ウエットエッチングでは、余計な製造装置は不要であり、コストはかからない。しかしながら、希フッ化水素酸(HF)溶液あるいは緩衝酸化物エッチング(BOE)を用いて犠牲層をエッチングした後、さらにイソプロピル・アルコール(IPA)を塗布し、水分子を急速に気化させる。IPAはフォトレジストを溶解させる特性を有するため、初めに作られたフォトレジストベースの弾性結合部を損傷する。
つまり、生産コスト、プロセス統合、小型化性能を考慮して、ソルダーボールやフォトレジストにより形成される弾性結合から生じる様々な問題を解決するために、まったく新しい製造プロセスが緊急に求められている。
上記した事情に鑑み、本発明は、ポリイミドベースの薄膜自己組織化構造を提供するものであり、同構造は、微細構造層を有する少なくともの1つの静止部と、微細構造層少なくともの1つの可動部とを具備し、前記静止部と前記可動部との弾性結合部は一体化ポリイミド薄膜からなり、高温リフロープロセス後に、前記弾性結合部から大きな表面張力が発生し、前記微細構造の可動部を回転させ持ち上げ可能とした。
本発明の自己組織化微細構造は以下の特徴を有する。
(1)微細構造層を有する少なくともの1つの静止部と、微細構造層少なくともの1つの可動部とを具備し、前記静止部と前記可動部との弾性結合部は一体化ポリイミド薄膜からなり、高温リフロープロセス後に、前記弾性結合部から大きな表面張力が発生し、前記微細構造の可動部を回転させ持ち上げ可能とした。
(2)微小ファンの自己組織化に適用したことを特徴とする。
(3)前記微小ファンが、本体と一組の微小ブレードとを具備し、前記ポリイミド薄膜を用いて前記弾性結合部を前記本体と前記微小ブレードとの間に形成し、前記リフロープロセスにより、前記弾性結合部に前記表面張力を発生させ前記微小ブレードを回転し持ち上げ可能としたことを特徴とする。
(4)本発明のポリイミド薄膜弾性結合部を用いた自己組織化微細構造は、微小虫状チップの自己組織化、スクラッチ駆動アクチュエータの自己組織化、微小光学ベンチチップの自己組織化、微小光学スイッチの自己組織化、微小受動素子の自己組織化、に適用できる。前記微小受動素子は、微小誘導体、或いは微小キャパシタであることを特徴とする。
(5)ポリイミド薄膜膜弾性結合部を用いた自己組織化微細構造の製作プロセスは、
a.シリコン基板上に犠牲層を蒸着し、前記犠牲層上に低応力微細構造層を蒸着するステップと、
b.前記犠牲層上に形成された低応力微細構造をパターン化しエッチングするステップと、
c.前記微細構造層上にポリイミド薄膜を被覆するステップと、
d.前記ポリイミド薄膜上に形成された弾性結合部をパターン化しエッチングするステップと、
e.前記犠牲層の予め画定された輪郭部をエッチングし除去するためのウエットエッチングプロセスを実行するステップと、
f.ポリイミドのリフロープロセスを実行して弾性結合部を収縮させ、前記微細構造層の予め画定された部分を回転させ持ち上げるステップからなることを特徴とする。
(6)前記犠牲層が燐酸シリケートガラス(PSG)であることを特徴とする
(7)前記低応力微細構造層が多結晶シリコン(Poly−Si)であることを特徴とする。
本発明は、多くの小型化業界に広く適用されるので、従来技術を問題を解決して、低コスト化、製造プロセスの簡素化及び、小型化を図ることができる。
本発明は、図1に示すポリイミド薄膜自己組織化微細構造に関し、その微細構造には、少なくとも1つの微細構造の静止部53と少なくとも1つの微細構造の可動部を含む。静止部53と可動部54との間に置かれた弾性結合部52は、感光性ポリイミド薄膜材料でできている。ポリイミド弾性結合部52は、高温リフロープロセスの後に収縮する。硬化されたポリイミドの表面張力により、微細構造の自己組織化完了に際して微細構造の可動部54を回転させ、持ち上げることができる。
図2に示すように、本発明の自己組織化微細構造の製造プロセスを以下に述べる。
プロセス1:プラズマ助長化学蒸着(PECVD)法により犠牲層20として燐酸シリケートガラス(PSG)をシリコン基板10上に蒸着し、さらに、低圧化学蒸着(LPCVD)法により微細構造層30として低応力Poly−Siを犠牲層20上に蒸着する。
プロセス2:第一のフォトリソグセフィプロセスを行い、微細構造層30を誘導結合プラズマ(ICP)エッチング法を用いてエッチングし、全体的な輪郭を画定する。
プロセス3:スピンコーターを用いて感光性ポリイミド薄膜40を微細構造層30上に蒸着する。
プロセス4:第二のフォトリソグラフィプロセスを行い、ポリイミド弾性結合部41の形状輪郭を画定する。
プロセス5:ウエハーをBOE中に浸漬し、犠牲層20のあらかじめ画定した部分をウエットエッチングし、その後微細構造層を解放する。
プロセス6:高温炉を用いてポリイミド薄膜のリフロープロセスを行うことによって、380℃〜405℃の高温下で弾性結合部41が溶融する。付属書3に示すように、加熱されたポリイミド弾性結合部41は収縮変形し、Poly−Si微細構造層30のあらかじめ画定した部分を回転させ持ち上げる。
先ず最初に、本発明により形成されたポリイミド弾性結合部とソルダーボールのそれぞれの長所と短所を比較してみると以下の通りである。
本発明では、鉛汚染は生じない。
本発明では、連結インターフェースを被覆する金パッドを追加する必要はなく、簡単で費用のかからない製造プロセスを提供することができる。
本発明では、フォトリソグラフィ技術によって、相当高い精度で位置合わせを行い、より良い精度を提供できる。
本発明は、一体的小型化平面自己組織化処理を行うことができる。
本発明の小型化寸法には限界が無い。
さらに、本発明により形成されたポリイミド弾性結合部とフォトレジストを用いて形成されたポリイミド弾性結合部のそれぞれ長所と短所を比較すると以下の通りである。
感光性ポリイミドとフォトレジストは共にポリマー材料として分類されるが、ポリイミドは、より大きい表面張力を有し、同じ微細構造層であればより大きな角度で立ち上げることができる。その結果、本発明は、弾性結合部がIPAによって溶解により損傷を受ける心配が無い。
感光性ポリイミド薄膜は、十分な耐有機溶液性を有するので、費用のかからないウエットエッチングプロセスで形成できる。従って、本発明の製作コストは低く、比較的おさえることができる。
要約すれば、本発明は、製造プロセスを簡素化し、コストを下げ、ソルダーボールやフォトレジストにより形成される弾性結合部から生じる問題を完全に解決することができる。
微小ファンに適用した微小ブレード構造の自己組織化プロセスを以下に示す。
最初に、燐酸シリケートガラス(PSG)犠牲層をシリコン基板上に蒸着し、低応力微細構造層を前記犠牲層上に蒸着する。
図3に示すように、Poly−Si微細構造層をパターン化しエッチングして、フォトリソグラフィプロセスにより本体50と微小ファンの微小ブレード51を形成する。
微細構造層を感光性ポリイミド薄膜で被覆する。
フォトリソグラフィプロセスによりポリイミド薄膜をパターン化しエッチングして、微小ブレード51と本体50の間に弾性結合部52を形成する。
ウエットエッチングプロセスを行い微小ブレード層の下方の犠牲層をエッチングし、微小ブレード構造51を解放する。
最後に、ポリイミドのリフロープロセスを進めることで、弾性結合部52を収縮し、さらに微細構造の自己組織化の完了に際して微小ブレード51を回転させ持ち上げる。
上記のポリイミドベースの微細構造設計によって、本発明は、ハンダボールあるいはフォトレジストベースの微細構造から生じる様々な問題を完全に解決する。本発明は多くの小型化業界に広く適用することが可能であるので、従来技術のすべての問題を解決し、低コスト、製造プロセスの単純化および小型化といった要求を満足することができる。従って、本発明は、新規で進歩的なだけではなく、産業上の利用性も有する。
図1は本発明によるシリコン基板上の持ち上げられた状態の微細構造を示す概略図である。 図2は本発明の製造プロセスを示す概略図である。 図3は本発明を適用した未解放自己組織化微小ファンを示す概略図(I)である。 図4は本発明を適用した開放自己組織化微小ファンを示す概略図(II)である。
符号の説明
10 シリコン基板
20 犠牲層
30 微細構造層
40 感光性ポリイミド薄膜
41 ポリイミド弾性結合部
50 本体
51 微小ブレード
52 弾性結合部
53 静止部
54 可動部

Claims (13)

  1. 微細構造層を有する少なくともの1つの静止部と、
    微細構造層少なくともの1つの可動部とを具備し、
    前記静止部と前記可動部との弾性結合部は一体化ポリイミド薄膜からなり、高温リフロープロセス後に、前記弾性結合部から大きな表面張力が発生し、前記微細構造の可動部を回転させ持ち上げ可能とした自己組織化微細構造。
  2. 微小ファンの自己組織化に適用したことを特徴とする、請求項1に記載のポリイミド薄膜弾性結合部を用いた自己組織化微細構造。
  3. 前記微小ファンが、本体と一組の微小ブレードとを具備し、前記ポリイミド薄膜を用いて前記弾性結合部を前記本体と前記微小ブレードとの間に形成し、前記リフロープロセスにより、前記弾性結合部に前記表面張力を発生させ前記微小ブレードを回転し持ち上げ可能としたことを特徴とする、請求項2に記載のポリイミド薄膜弾性結合部を用いた自己組織化微細構造。
  4. 微小虫状チップの自己組織化に適用したことを特徴とする、請求項1に記載のポリイミド薄膜弾性結合部を用いた自己組織化微細構造。
  5. スクラッチ駆動アクチュエータの自己組織化に適用したことを特徴とする、請求項1に記載のポリイミド薄膜弾性結合部を用いた自己組織化微細構造。
  6. 微小光学ベンチチップの自己組織化に適用したことを特徴とする、請求項1に記載のポリイミド薄膜弾性結合部を用いた自己組織化微細構造。
  7. 微小光学スイッチの自己組織化に適用したことを特徴とする、請求項1に記載のポリイミド薄膜弾性結合部を用いた自己組織化微細構造。
  8. 微小受動素子の自己組織化に適用したことを特徴とする、請求項1に記載のポリイミド薄膜弾性結合部を用いた自己組織化微細構造。
  9. 前記微小受動素子が微小誘導体であることを特徴とする、請求項8に記載のポリイミド薄膜弾性結合部を用いた自己組織化微細構造。
  10. 前記微小受動素子が微小キャパシタであることを特徴とする、請求項8に記載のポリイミド薄膜弾性結合部を用いた自己組織化微細構造。
  11. ポリイミド薄膜膜弾性結合部を用いた自己組織化微細構造であって、前記微細構造の製作プロセスは、
    a.シリコン基板上に犠牲層を蒸着し、前記犠牲層上に低応力微細構造層を蒸着するステップと、
    b.前記犠牲層上に形成された低応力微細構造をパターン化しエッチングするステップと、
    c.前記微細構造層上にポリイミド薄膜を被覆するステップと、
    d.前記ポリイミド薄膜上に形成された弾性結合部をパターン化しエッチングするステップと、
    e.前記犠牲層の予め画定された輪郭部をエッチングし除去するためのウエットエッチングプロセスを実行するステップと、
    f.ポリイミドのリフロープロセスを実行して弾性結合部を収縮させ、前記微細構造層の予め画定された部分を回転させ持ち上げるステップからなることを特徴とする請求項1記載のポリイミド薄膜膜弾性結合部を用いた自己組織化微細構造。
  12. 前記犠牲層が燐酸シリケートガラス(PSG)であることを特徴とする、請求項11に記載のポリイミド薄膜弾性結合部を用いた自己組織化微細構造。
  13. 前記低応力微細構造層が多結晶シリコン(Poly−Si)であることを特徴とする、請求項11に記載のポリイミド薄膜弾性結合部を用いた自己組織化微細構造。
JP2007106608A 2007-04-14 2007-04-14 ポリイミド薄膜弾性結合部を用いた自己組織化微細構造 Pending JP2008260114A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007106608A JP2008260114A (ja) 2007-04-14 2007-04-14 ポリイミド薄膜弾性結合部を用いた自己組織化微細構造

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007106608A JP2008260114A (ja) 2007-04-14 2007-04-14 ポリイミド薄膜弾性結合部を用いた自己組織化微細構造

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2008260114A true JP2008260114A (ja) 2008-10-30

Family

ID=39982991

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007106608A Pending JP2008260114A (ja) 2007-04-14 2007-04-14 ポリイミド薄膜弾性結合部を用いた自己組織化微細構造

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2008260114A (ja)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070040229A1 (en) * 2005-08-17 2007-02-22 Sunonwealth Electric Machine Industry Co., Ltd. Self-assembly microstructure with polymide thin-film elastic joint

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070040229A1 (en) * 2005-08-17 2007-02-22 Sunonwealth Electric Machine Industry Co., Ltd. Self-assembly microstructure with polymide thin-film elastic joint

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7535068B2 (en) Self-assembly microstructure with polyimide thin-film elastic joint
US7357873B2 (en) Polymide thin film self-assembly process
US7268081B2 (en) Wafer-level transfer of membranes with gas-phase etching and wet etching methods
EP1837305B1 (en) Protection capsule for MEMS devices
Su et al. Surface-micromachined 2-D optical scanners with high-performance single-crystalline silicon micromirrors
US6815361B1 (en) Method of fabricating anti-stiction micromachined structures
WO2012088820A1 (zh) Mems器件的制作方法
JP2008166676A (ja) 超低抵抗シリコンウエハーによる低駆動電圧微細スクラッチ駆動アクチュエータの開発
JP2011529798A (ja) マイクロ構造体を封入する方法及びデバイス
Park et al. Pattern transfer of large-scale thin membranes with controllable self-delamination interface for integrated functional systems
JP2007015101A (ja) 隠れヒンジmemsデバイス
JP2008260113A (ja) ポリイミド薄膜の自己組織化プロセス
WO2010081275A1 (zh) 一种衬底上基片的微细加工方法
JP2008260114A (ja) ポリイミド薄膜弾性結合部を用いた自己組織化微細構造
Chapuis et al. Alternative approach in 3D MEMS-IC integration using fluidic self-assembly techniques
US6930051B1 (en) Method to fabricate multi-level silicon-based microstructures via use of an etching delay layer
US20070072330A1 (en) Wafer bonding compatible with bulk micro-machining
US20090185909A1 (en) Self-assembly micro blade
GB2448881A (en) Polyimide thin film self-assembly
CN1935628A (zh) 聚酰亚胺薄膜的自我组装结构
CN1935629A (zh) 聚酰亚胺薄膜的自我组装制造过程
CN201176971Y (zh) 自我组装式微型扇叶
Samyn et al. Self-assembly of microsystem components with micrometer gluing pads through capillary forces
GB2448882A (en) Self-assembly microstructure with polyimide thin film elastic joint
JP2006062016A (ja) 微細構造の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100414

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20101001