JP2008257060A - 露光方法および露光装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】基板の角部や周辺部におけるショットのアライメント精度と、露光工程の処理能力とを両立させる露光方法、およびそのための露光装置を提供する。
【解決手段】露光方法は、角部11を有し、アライメントマークが形成されたガラス基板7を、複数のショット領域20ごとに露光する露光方法である。まず計測によりアライメントマークの位置の情報が取得される。この位置の情報が用いられて、角部11を除外する中央範囲に含まれるショット領域21のアライメントの補正値が算出される。また、この位置の情報が用いられて、角部を含む周辺範囲に含まれるショット領域22のアライメントの補正値が算出される。
【選択図】図4
【解決手段】露光方法は、角部11を有し、アライメントマークが形成されたガラス基板7を、複数のショット領域20ごとに露光する露光方法である。まず計測によりアライメントマークの位置の情報が取得される。この位置の情報が用いられて、角部11を除外する中央範囲に含まれるショット領域21のアライメントの補正値が算出される。また、この位置の情報が用いられて、角部を含む周辺範囲に含まれるショット領域22のアライメントの補正値が算出される。
【選択図】図4
Description
本発明は、露光方法および露光装置に関し、特に、角部を有し、アライメントマークが形成された基板を、複数のショット領域ごとに露光する露光方法およびそれに用いる露光装置に関する。
近年、大型のTFT(Thin Film Transistor)液晶パネルが普及してきている。TFT液晶パネルはアレイ基板とカラーフィルタとが貼合わされて製造される。1枚のガラス基板から多くのアレイ基板やカラーフィルタが製造されれば生産効率が向上する。このため大型の長方形状を有するガラス基板が用いられることが多い。
ガラス基板からアレイ基板やカラーフィルタが製造される際には、フォトリソグラフィのための露光工程が繰り返し行なわれる。各露光工程におけるショット領域の位置は、それに先立って行なわれた露光工程におけるショット位置に対して精確に重ね合わせられる必要がある。
アレイ基板やカラーフィルタの製造工程、特に熱処理工程において、ガラス基板にシュリンクなどの変形が生じることがある。ガラス基板が大型であるほどこの変形が大きくなる。またガラス基板の中央部に比して周辺部ほどこの変形は大きくなる。変形したガラス基板に対して露光工程が行なわれる際にはショット領域の重ね合わせ誤差が生じやすい。重ね合わせ精度を向上させるためには、精度の高いアライメントの補正が行なわれる必要がある。
特開平5−74683号公報には、アライメント精度とスループットとを両立させる目的で、ダイバイダイアライメントとグローバルアライメントとが組合わされたアライメント方法が開示されている。
この方法による露光工程においては、まずこの露光工程に先立って行なわれた露光工程におけるショット領域の位置が計測される。そして理想座標からのズレを生じさせる、シフト、スケーリング、ローテーション、オーソゴナリティの各補正量が算出される。またこれらの補正量に含まれない残留エラーが算出される。この残留エラーが許容値以下ならば上記補正量によってグローバルアライメント露光が行なわれ、許容値を超えればダイバイダイアライメント露光が行なわれる。
なおグローバルアライメントとは上記補正量により各ショットの位置が予測されるアライメントであり、スループット(処理能力)に優れている。またダイバイダイアライメントとはショット毎に位置計測が行なわれるアライメントであり、アライメント精度に優れている。
特開平5−74683号公報
特開平5−74683号公報のアライメント方法によれば、ウェーハ(基板)全体に渡って、グローバルアライメント露光またはダイバイダイアライメント露光のいずれかが選択される。グローバルアライメント露光が選択される場合、基板の変形の影響を大きく受ける角部や周辺部におけるショットのアライメント精度が低くなることがあるという問題がある。またダイバイダイアライメント露光が選択される場合、基板における全ショット領域に対して位置計測が行なわれるため、露光工程の処理能力が低下するという問題がある。
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、基板の角部や周辺部におけるショットのアライメント精度と、露光工程の処理能力とを両立させる露光方法、およびそのための露光装置を提供することである。
本発明の露光方法は、角部を有し、アライメントマークが形成された基板を、複数のショット領域ごとに露光する露光方法であって、以下の工程を有している。
まず計測によりアライメントマークの位置の情報が取得される。この位置の情報が用いられて、角部を除外する一の範囲に含まれるショット領域のアライメントの補正値が算出される。また、この位置の情報が用いられて、角部を含む他の範囲に含まれるショット領域のアライメントの補正値が算出される。
本発明の露光方法によれば、角部を含む範囲に含まれるショット領域のアライメントの補正値が算出されるので、角部を含む範囲に含まれるショット領域の最適なアライメント補正が行なわれてアライメント精度が向上する。また基板における全ショットごとに位置計測を行なう必要はないため、基板全体に渡ってダイバイダイアライメント露光が用いられる場合と比して、露光工程の処理能力を高くすることができる。
上記の露光方法において好ましくは、上記他の範囲に含まれるショット領域のアライメントの補正値を算出する工程が、アライメントマークの形成後、かつ露光の前における基板の変形量を用いて行なわれる。
角部を含む範囲におけるアライメントの補正値の算出に基板の変形量が用いられることにより、より精度よく角部を含む範囲におけるアライメントの補正値が算出される。
さらに好ましくは、アライメントマークが上記他の範囲に形成されたアライメントマークを含み、上記他の範囲に形成されたアライメントマークの位置の情報が用いられて変形量が算出される。
上記他の範囲に形成されたアライメントマークの位置の情報が用いられて変形量が算出されることにより、個別の基板の変形状態に応じた変形量が算出されるため、より精度よく角部を含む範囲におけるアライメントの補正値が算出される。
また上記の露光方法において好ましくは、アライメントマークが上記他の範囲に含まれる複数のショット領域のそれぞれに形成されたアライメントマークを含み、位置の情報を取得する工程が上記他の範囲に含まれるショット領域ごとに位置の情報を取得する工程を含む。
角部を含む範囲に含まれるショット領域ごとに位置の情報が取得されることにより、角部を含む範囲に含まれるショット領域ごとの変形状態に応じたアライメントの補正を行なうことができる。
本発明の露光装置は、上記の露光方法に用いられる露光装置であって、上記一の範囲に含まれるショット領域および他の範囲に含まれるショット領域のそれぞれを記憶する手段を備えている。
本発明の露光装置によれば、上記一の範囲に含まれるショット領域および他の範囲に含まれるショット領域が予め記憶されることにより、ショット領域が上記一の範囲および他の範囲のいずれに含まれるのかを露光装置が自動的に判断することができる。
以上説明したように、本発明によれば、基板の角部や周辺部におけるショットのアライメント精度と、露光工程の処理能力とを両立させることができる。
以下、本発明の実施の形態について図に基づいて説明する。
(実施の形態1)
最初に、本発明の実施の形態1における露光装置の構成について説明する。図1は、本発明の実施の形態1における露光装置によって実現される各機能の構成を表すブロック図である。
(実施の形態1)
最初に、本発明の実施の形態1における露光装置の構成について説明する。図1は、本発明の実施の形態1における露光装置によって実現される各機能の構成を表すブロック図である。
図1を参照して、本実施の形態の露光装置1は、照明光学系2と、マスクステージ4と、投影光学系5と、アライメント光学システム6と、プレートステージ8と、ステージ駆動装置9と、制御装置100とを備えている。またフォトマスク3がマスクステージ4に保持されている。
露光装置1の露光対象であるガラス基板7(図中破線部)は、プレートステージ8に保持される。プレートステージ8は、ステージ駆動装置9に駆動されることによってアライメントのときにガラス基板7を移動させる機構を有している。ステージ駆動装置9は、制御装置100によって制御されて、所定の位置にプレートステージ8を移動させる機能を有している。
照明光学系2は、超高圧水銀アークランプやキセノン水銀アークランプ、エキシマレーザなどの露光用の光源と、レンズやミラーで構成される光学系とから構成されている。照明光学系2は、照明光学系2から発せられた光がフォトマスク3に照射されるように配置されている。
投影光学系5は、フォトマスク3を通過した光をガラス基板7に照射することにより、フォトマスク3のパターンをガラス基板7上に投影する機能を有している。
アライメント光学システム6は、前回の露光工程により形成されたパターンに対して位置合わせされた露光が行なえるように、ガラス基板7の表面に形成されたアライメントマークの位置を計測する機能を有している。またアライメント光学システム6は、アライメントマークの位置の情報を制御装置100に送信する機能を有している。
制御装置100は、所定のプログラムを実行するCPU(Central Processing Unit)
101と、メモリ102とを備えている。制御装置100は、所定のプログラムを実行することによって、アライメント光学システム6から得られた情報を解析して、照明光学系2およびステージ駆動装置9を制御する機能を有している。
101と、メモリ102とを備えている。制御装置100は、所定のプログラムを実行することによって、アライメント光学システム6から得られた情報を解析して、照明光学系2およびステージ駆動装置9を制御する機能を有している。
メモリ102は、実行されるプログラム、プログラム実行中のデータ、プログラム実行結果のデータおよびショット領域のデータを記憶する機能を有している。
図2は、本発明の実施の形態1における露光装置のメモリが記憶する中央範囲および周辺範囲のそれぞれのショット領域を概略的に示す平面図である。図1および図2を参照して、メモリ102は、ガラス基板7上の中央範囲に含まれるショット領域21のデータ102Aと、周辺範囲に含まれるショット領域22のデータ102Bとを記憶する機能を有している。
露光装置1によって露光されるガラス基板7は、たとえば角部11を4箇所有する長方形状の基板である。ガラス基板7において、境界線14の内側が中央範囲であり、外側が周辺範囲である。中央範囲は角部11を除外する範囲(一の範囲)であり、周辺範囲は角部11を含む範囲(他の範囲)である。
次に、本実施の形態の露光方法について、図3〜図5を用いて説明する。
図3は、本発明の実施の形態1における露光方法の中央範囲および周辺範囲の設定方法の一例を説明するための平面図である。図3を参照して、ガラス基板7に対して、たとえば短辺方向(図中縦方向)に5行、長辺方向(図中横方向)に7列に渡って配列されたショット領域20ごとに露光が行なわれる。
図3は、本発明の実施の形態1における露光方法の中央範囲および周辺範囲の設定方法の一例を説明するための平面図である。図3を参照して、ガラス基板7に対して、たとえば短辺方向(図中縦方向)に5行、長辺方向(図中横方向)に7列に渡って配列されたショット領域20ごとに露光が行なわれる。
各ショット領域20が中央範囲に含まれるか、周辺範囲に含まれるかを設定するために、まずガラス基板7の中点12を中心とし、少なくとも角部11の最も近くに位置するショット領域20が完全に円外に位置するような半径を有する円13が設定される。
図2および図3を参照して、この円13の内側に完全に含まれるショット領域20が中央範囲に含まれるショット領域21とされ、この円の外側に少なくとも一部が位置するショット領域20が周辺範囲に含まれるショット領域22とされる。
図4は、本発明の実施の形態1における露光処理の流れを示すフローチャートである。主に図4を参照して、この露光処理は、露光装置1の制御装置100のCPU101によって、露光工程ごとに実行される処理である。
ステップS110にて、CPU101は、ガラス基板7上の複数のショット領域20のうち、一部のショット領域20に形成されたアライメントマークの位置を計測する。そしてCPU101は計測された位置をメモリ102(図1)に記憶させる。これにより、アライメントマークの位置の情報が取得される。
なお計測されたアライメントマークの位置は、ガラス基板7の基板の変形などの要因により、理論的に算出される位置からズレを有している。よって実際に形成されたアライメントマークの位置を基準としてショット領域20の露光を行なうためには、理論的な位置に対してアラインメントの補正がなされたショット領域20に露光が行なわれる必要がある。
ステップS120にて、CPU101は、アライメントマークの位置の情報を用いて中央範囲に含まれるショット領域21(図2)のアライメントの補正値を算出する。この算出は、たとえば、計測されたアライメントマークの位置と、このアライメントマークの形成に用いられたフォトマスク3(すなわち前回以前の露光工程に用いられたフォトマスク3)のパターンから理論的に算出されるアライメントマークの位置とが比較されることにより行なわれる。アライメントの補正値は、たとえば、シフト、スケーリング、ローテーションおよびオーソゴナリティのそれぞれに対応する補正値を有している。
ステップS130にて、CPU101は、アライメントマークの位置の情報を用いて周辺範囲に含まれるショット領域22(図2)のアライメントの補正値を算出する。一般的には、中央範囲に含まれるショット領域21および周辺範囲に含まれるショット領域22のそれぞれのアライメントの補正値は異なる補正値である。なおステップS130はステップS120より前に行なわれてもよい。
そしてCPU101は、今回の露光工程の各ショット領域20ごとに、ステップS140からステップS160までの処理を繰返し実行する。
ステップS140にて、CPU101は、そのショット領域20の位置を算出する。図5は、本発明の実施の形態1におけるショット領域の位置算出処理の流れを示すフローチャートである。
図5を参照して、ステップS141にて、CPU101は、ショット領域20が周辺範囲に含まれるショット領域22であるか否かを判断する。ショット領域20が周辺範囲に含まれるショット領域22であると判断された場合(ステップS141においてYESの場合)、CPU101は、実行する処理をステップS142Aに進める。ショット領域20が周辺範囲に含まれるショット領域22でないと判断された場合(ステップS141においてNOの場合)、CPU101は、実行する処理をステップS142Bに進める。なお上記NOの場合とは、ショット領域20が中央範囲に含まれるショット領域21である場合である。
ステップS142AおよびステップS142Bのそれぞれにて、CPU101は、周辺範囲に含まれるショット領域22および中央範囲に含まれるショット領域21の各々のアライメントの補正値を用いて、そのショット領域20の位置を算出する。すなわち、ショット領域20の理論的な位置に対して、アライメントの補正がなされた位置が算出される。
図4を再び参照して、ステップS150にて、CPU101は、ステージ駆動装置9を制御して、算出された位置のショット領域20の露光が行なえるように、プレートステージ8の位置を移動させる。
ステップS160にて、CPU101は、照明光学系2または投影光学系5の少なくともいずれかを制御して、ガラス基板7を露光させる。
CPU101は、ステップS140からステップS160までの処理をすべてのショット領域20について繰返す。これにより1枚のガラス基板7に対する露光処理が完了する。
次に、本実施の形態の露光方法を用いた液晶パネルの製造方法について説明する。図6は、本発明の実施の形態1の露光方法を用いた液晶パネルの製造方法のフローチャートである。
図6を参照して、液晶パネルの製造方法は、上流工程であるアレイ基板の製造工程(ステップS210〜ステップS280)およびカラーフィルタの製造工程(ステップS310〜ステップS350)と、下流工程(ステップS410〜ステップS660)とに大きく分類される。
まずアレイ基板の製造工程(ステップS210〜ステップS280)について説明する。
アレイ基板にpoly−Si(ポリシリコン)TFTを形成するために、ステップS210からステップS270までの工程が繰返される。
ステップS210にて、薄膜が形成される。形成方法としては、たとえばスパッタ法やP−CVD(Plasma-Chemical Vapor Deposition)法が用いられる。この形成時に、ガラス基板7が加熱される場合がある。この加熱は、ガラス転移温度に近い温度や、場合によってはガラス転移温度を超える温度にまで行なわれることがある。
また、TFTのチャネル領域などのa−Si(アモルファスシリコン)膜からpoly−Si膜への多結晶化や結晶のダメージの除去、その他の目的で、各薄膜に対して熱処理が行なわれる場合がある。すなわち、ガラス基板7が加熱される場合がある。この加熱は、ガラス転移温度に近い温度や、場合によってはガラス転移温度を超える温度にまで行なわれることがある。
ステップS220にて、形成された薄膜上にコーターによりフォトレジストが塗布される。
ステップS230にて、TFTの各層に対応するフォトマスク3が用いられて、フォトレジストが塗布されたガラス基板7が露光される。
ステップS250にて、フォトレジストが現像されて、フォトマスク3のパターンがフォトレジストに転写される。
ステップS260にて、パターンが転写されたフォトレジストをマスクとして、薄膜のエッチングが行なわれる。これにより薄膜のパターニングが行なわれる。
ステップS270にて、エッチング後に残存したフォトレジストが、たとえばアッシングなどにより除去される。
ステップS210からステップS270までの一連の工程によって、poly−SiTFTを構成する1つの層が形成される。この一連の工程が繰返されることによって、複数の層からなるpoly−SiTFTがガラス基板7上に形成される。
ステップS280にて、外観検査や寸法検査が行なわれ、不良がある場合は可能であれば修正が行なわれる。これによって、ガラス基板7から、poly−SiTFTが形成されたアレイ基板が形成される。
次にカラーフィルタの製造工程(ステップS310〜ステップS350)について説明する。
カラーフィルタは、光遮断用のブラックマトリクス部、RGB(Red, Green, Blue)の着色パターン、着色パターンを保護する透明な保護膜、および液晶を駆動するための透明電極膜を有する。これらの各層はさまざまな方法で形成される。特に着色パターンを形成する方法としては、染色法や顔料分散法、印刷法、電着法などがある。ここでは顔料分散法について、特に着色感材法が用いられる場合について説明する。
ステップS310にて、ブラックマトリクスの膜材料の膜がガラス基板7上に形成される。そしてブラックマトリクスのパターンに対応するフォトマスク3が用いられて、フォトリソグラフィ法によりブラックマトリクスが形成される。
次に、R,G,Bの各色について、ステップS320が繰返される。まずガラス基板7上に赤、緑、または青のいずれかで着色されたフォトレジストが塗布される。そしてこのフォトレジストが形成されたガラス基板7が、その着色パターンに対応したフォトマスク3が用いられて露光される。そしてフォトレジストが現像される。これにより、その色の着色パターンが形成される。
ステップS330にて、保護膜が形成される。
ステップS340にて、この保護膜上にITO膜が形成され、その上にフォトレジストが塗布される。そしてこのフォトレジストが形成されたガラス基板7が、透明電極膜のパターンに対応したフォトマスク3が用いられて露光される。そしてフォトレジストが現像されることによりレジストマスクが形成される。このレジストマスクが用いられてエッチングが行なわれることにより、ITO膜がパターニングされて透明電極膜が形成される。
ステップS340にて、この保護膜上にITO膜が形成され、その上にフォトレジストが塗布される。そしてこのフォトレジストが形成されたガラス基板7が、透明電極膜のパターンに対応したフォトマスク3が用いられて露光される。そしてフォトレジストが現像されることによりレジストマスクが形成される。このレジストマスクが用いられてエッチングが行なわれることにより、ITO膜がパターニングされて透明電極膜が形成される。
ステップS350にて、検査工程が行なわれる。これによって、カラーフィルタが形成される。
次に下流工程(ステップS410〜ステップS660)について説明する。
ステップS410,S510のそれぞれにて、アレイ基板およびカラーフィルタの各々にポリイミド樹脂などの配向膜が形成される。
ステップS410,S510のそれぞれにて、アレイ基板およびカラーフィルタの各々にポリイミド樹脂などの配向膜が形成される。
ステップS420,S520のそれぞれにて、アレイ基板およびカラーフィルタの各々について、配向膜層の配向材料の軸がラビングによって配向される。
ステップS430にて、配向処理が行なわれたアレイ基板にエポキシ樹脂などによってシールが形成される。またステップS530にて、アレイ基板とカラーフィルタとの隙間の寸法であるセルギャップに見合うプラスチックビーズやガラス繊維が、配向処理が行なわれたカラーフィルタに均一に散布される。
ステップS610にて、アレイ基板と、カラーフィルタとのそれぞれの電極が向かい合わせに貼付けられる。貼付けの際の位置合わせは、アレイ基板およびカラーフィルタに形成された位置合わせマークが光学的に整合されることにより行なわれる。
ステップS620にて、貼合わせられたアレイ基板およびカラーフィルタが、パネルごとに分断される。ステップS630にて、検査が行なわれる。ステップS640にて、分断されたパネルのセルギャップに液晶が充填され、封止される。ステップS650にて、パネルの両側に偏向板が貼付けられる。ステップS660にて、液晶パネルの全体または部分が点灯動作されて検査が行なわれる。これによって、液晶パネルが完成する。
本実施の形態によれば、周辺範囲に含まれるショット領域22(図2)のアライメントの補正値がステップS130(図4)にて算出されるので、角部11を含む範囲に含まれるショット領域22の最適なアライメント補正が行なわれてアライメント精度が向上する。
また、ステップS110にて、ガラス基板7上の複数のショット領域20のうち、一部のショット領域20に形成されたアライメントマークの位置が計測される。すなわち、必ずしも全ショット領域20の位置計測を行なう必要はないため、露光工程の処理能力が高くなる。
また露光装置1のメモリ102が中央範囲のショット領域21のデータ102Aと周辺範囲のショット領域22のデータ102Bとを記憶する機能を有している。これにより、ステップS141(図5)にて、ショット領域20が中央範囲に含まれるのか、周辺範囲に含まれるのかを露光装置1が自動的に判断することができる。
なお本実施の形態におけるガラス基板7の角部11は直角の形状に限定されるものではない。角部11の角度は鋭角や鈍角であってもよい。また角部11の先端は面取りされていてもよい。
また中央範囲および周辺範囲の設定方法は、図3に示すような円を用いた方法に限定されるものではない。
(実施の形態2)
図7は、本発明の実施の形態2におけるガラス基板の変形の一例を概略的に示す平面図である。図7を参照して、ガラス基板7は長方形状である初期形状(図中破線で示す形状)から、たとえば図中実線で示す形状に変形し、角部11Bが角部11に変形している。この変形に伴い、ガラス基板7に形成されたアライメントマークの位置も変位している。このため露光工程におけるショット領域20の位置はこのアライメントマークの変位に応じて補正される必要が生じる。
図7は、本発明の実施の形態2におけるガラス基板の変形の一例を概略的に示す平面図である。図7を参照して、ガラス基板7は長方形状である初期形状(図中破線で示す形状)から、たとえば図中実線で示す形状に変形し、角部11Bが角部11に変形している。この変形に伴い、ガラス基板7に形成されたアライメントマークの位置も変位している。このため露光工程におけるショット領域20の位置はこのアライメントマークの変位に応じて補正される必要が生じる。
ガラス基板7の変形量は、中央範囲よりも周辺範囲の方が大きいことが多い。すなわち、図2を参照して、ガラス基板7の境界線14の内側の範囲よりも外側の範囲の方が変形量が大きいことが多い。たとえば図7に示す変形においては、角部の先端位置はガラス基板7の中央方向に大きく変位している。
ガラス基板7の変形は実施の形態1において説明した液晶パネルの製造工程(図6)において生じやすい。なぜならば液晶パネルの製造工程においてガラス基板7がガラス転移温度に近い温度やガラス転移温度を超える温度にまで加熱されることがあるからである。
図8は、本発明の実施の形態2における露光装置のメモリの機能を表すブロック図である。図8を参照して、本実施の形態の露光装置1のメモリ102は、上述したガラス基板7の変形についての変形量のデータ102Cを記憶する機能を有している。
また本実施の形態においては、図4に示すステップS130にて、CPU101は、アライメントマークの位置の情報に加えてこの変形量のデータ102Cを用いて周辺範囲に含まれるショット領域22(図2)のアライメントの補正値を算出する。
なお、本実施の形態のこれ以外の構成は上述した実施の形態1の構成と同様であるため、同一の要素については同一の符号を付し、その説明を省略する。
本実施の形態によれば、ガラス基板7の変形量のデータ102Cが用いられて周辺範囲に含まれるショット領域22(図2)のアライメントの補正値が算出される。これにより、アライメントマークが形成された後に、図7に示すように、ガラス基板7の周辺範囲において大きな変形が生じた場合においても、変形に対応したアライメントの補正値を算出することができ、アライメント精度が向上する。
(実施の形態3)
本実施の形態においては、周辺範囲における補正値を算出するステップS130(図4)にて、実施の形態2におけるガラス基板7の変形量の算出が行なわれる。
本実施の形態においては、周辺範囲における補正値を算出するステップS130(図4)にて、実施の形態2におけるガラス基板7の変形量の算出が行なわれる。
図9は、本発明の実施の形態3における露光方法の周辺範囲における補正値の算出処理の流れを示すフローチャートである。
図8および図9を参照して、ステップS131にて、ガラス基板7の変形量が算出されて、メモリ102に変形量のデータ102Cが書込まれる。この算出には周辺範囲に形成されたアライメントマークの位置の情報が用いられる。この位置の情報の取得は、ステップS110(図4)にて、ガラス基板7の周辺範囲に形成されたアライメントマークの位置の情報が取得されることにより行なわれる。
ステップS132にて、上記の変形量が用いられて周辺範囲に含まれるショット領域22(図2)のアライメントの補正値が算出される。なおこの算出の際に、この変形量に加えて、ステップS110(図2)にて取得されたアライメントマークの位置情報が合わせて用いられてもよい。
その後CPU101は、実行する処理を、この周辺範囲における補正値の算出処理の呼出元の処理(図4)に戻す。
なお、本実施の形態のこれ以外の構成は上述した実施の形態2の構成と同様であるため、同一の要素については同一の符号を付し、その説明を省略する。
本実施の形態によれば、周辺範囲に形成されたアライメントマークの位置の情報が用いられてガラス基板7の変形量が算出される。これにより個々のガラス基板7の周辺範囲における大きな変形に対応したアライメントの補正値を算出することができるので、アライメントの精度が向上する。
(実施の形態4)
本実施の形態においては、アライメントマークの位置情報を取得するステップS110(図4)にて、周辺範囲に含まれるショット領域22ごとにアライメントマークの位置の情報が取得される。以下にその詳細を説明する。
本実施の形態においては、アライメントマークの位置情報を取得するステップS110(図4)にて、周辺範囲に含まれるショット領域22ごとにアライメントマークの位置の情報が取得される。以下にその詳細を説明する。
図10は、本発明の実施の形態4における露光方法の位置情報の取得処理の流れを示すフローチャートである。図11は、本発明の実施の形態4における中央範囲に含まれるショット領域に形成されたアライメントマークを概略的に示す平面図である。図12は、本発明の実施の形態4における周辺範囲に含まれるショット領域に形成されたアライメントマークを概略的に示す平面図である。なお図11および図12における三角形はアライメントマークの形状を示しているわけではなく、ガラス基板7におけるアライメントマークの概略の位置を示している。
図10および図11を参照して、ステップS111にて、中央範囲に含まれるショット領域21に形成されたアライメントマーク32の位置の情報が取得される。アライメントマーク32の位置の情報の取得は、中央範囲に含まれるショット領域21の一部について行なわれる。図11に示す例においては、21個のショット領域21のうち、4個のショット領域21に形成されたアライメントマーク32について位置の情報が取得され、残り17個のショット領域21については位置の情報の取得は行なわれない。
主に図10および図12を参照して、ガラス基板7は、周辺範囲に含まれる複数のショット領域22a〜22nのそれぞれに形成されたアライメントマーク32a〜32nの各々を有している。そして周辺範囲に含まれる各ショット領域22a〜22nごとに、ステップS112の処理が繰返し実行される。1回のステップS112にて、周辺範囲に含まれるショット領域22a〜22nのいずれかにおいてアライメントマークの位置の情報が取得される。
CPU101は、ステップS112の処理をすべての周辺範囲に含まれる各ショット領域22a〜22nについて繰返す。
その後CPU101は、実行する処理を、このアライメントマークの位置情報の取得処理の呼出元の処理(図4)に戻す。
なお、本実施の形態のこれ以外の構成は上述した実施の形態1の構成と同様であるため、同一の要素については同一の符号を付し、その説明を省略する。
図13は、本発明の実施の形態4におけるガラス基板の変形の一例を概略的に示す平面図である。図13を参照して、ガラス基板7は、長方形状である初期形状(図中破線で示す形状)から、たとえば図中実線で示す形状に変形している。ガラス基板7の周辺範囲においては局所的に特異な変形が生じている。具体的には、4つの変形前の角部11Bのそれぞれが、角部11a,11d,11k,11nの各々のように変形している。角部11d,11k,11nはガラス基板7の中央方向へほぼ同一量だけ変形しているが、角部11aは局所的にガラス基板7の外周方向へ変形している。
図12および図13を参照して、このガラス基板7の変形に伴い、ガラス基板7に形成されたアライメントマーク32a〜32nの位置も変位している。角部11aの局所的に特異な変形に伴い、その近傍に位置するアライメントマーク32aが局所的にガラス基板7の外周方向に変位している。他の角部11d,11k,11nのそれぞれの近傍に位置するアライメントマーク32d,32k,32nの各々は、ガラス基板7の中央方向に変位している。
周辺範囲に含まれるショット領域22a〜22nの一部のアライメントマークが計測されるのみでは、上記のような局所的に特異な変形に対応したアライメント補正が困難となる。なおこのような局所的に特異な変形は、たとえばガラス基板7の熱処理における炉内温度の不均一な分布などにより生じる。
本実施の形態によれば、ステップS112(図10)が繰返されることにより、周辺範囲に含まれる各ショット領域22a〜22n(図12)のそれぞれに形成されたアライメントマーク32a〜32n(図12)の各々の位置の情報が取得される。これにより、周辺範囲に含まれるショット領域22a〜22nごとに、そのショット領域に形成されたアラインメントマークの位置の情報に基づいてアライメントの補正値を算出して、露光を行なうことができる。すなわち、周辺範囲に含まれるショット領域22a〜22nについてダイバイダイ露光を行なうことができ、周辺範囲に含まれるショット領域22ごとにガラス基板7の変形状態に応じたアライメントの補正を行なうことができる。
またステップS111にて、アライメントマーク32の位置の情報の取得は、中央範囲に含まれるショット領域21の一部について行なわれる。すなわち中央範囲に含まれるショット領域21においてはグローバルアライメントが行なわれる。よって基板全体に渡ってダイバイダイアライメント露光が用いられる場合と比して、露光工程の処理能力を高くすることができる。
なお中央範囲に含まれるショット領域21のアライメントの補正値(グローバルアライメントの補正値)を周辺範囲に含まれるショット領域22に形成されたアライメントマークの位置の情報を用いて算出することもできる。この場合、ステップS111を省略することができる。
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることを意図される。
本発明は、複数のショット領域ごとに露光する露光方法および露光装置に特に有利に適用され得る。
1 露光装置、2 照明光学系、3 フォトマスク、4 マスクステージ、5 投影光学系、6 アライメント光学システム、7 ガラス基板、8 プレートステージ、9 ステージ駆動装置、11 角部、11B 変形前の角部、12 基板中心、20 ショット領域、21 中央範囲に含まれるショット領域、22,22a〜22n 周辺範囲に含まれるショット領域、32 アライメントマーク、32a〜32n 周辺範囲に含まれるショット領域に形成されたアライメントマーク、100 制御装置、101 CPU、102 メモリ。
Claims (5)
- 角部を有し、アライメントマークが形成された基板を、複数のショット領域ごとに露光する露光方法であって、
計測により前記アライメントマークの位置の情報を取得する工程と、
前記位置の情報を用いて、前記角部を除外する一の範囲に含まれるショット領域のアライメントの補正値を算出する工程と、
前記位置の情報を用いて、前記角部を含む他の範囲に含まれるショット領域のアライメントの補正値を算出する工程とを備えた、露光方法。 - 前記他の範囲に含まれるショット領域のアライメントの補正値を算出する工程が、前記アライメントマークの形成後、かつ前記露光の前における前記基板の変形量を用いて行なわれる、請求項1に記載の露光方法。
- 前記アライメントマークが、前記他の範囲に形成されたアライメントマークを含み、
前記他の範囲に形成されたアライメントマークの前記位置の情報を用いて前記変形量を算出する工程をさらに備えた、請求項2に記載の露光方法。 - 前記アライメントマークが、前記他の範囲に含まれる複数のショット領域のそれぞれに形成されたアライメントマークを含み、
前記位置の情報を取得する工程が、前記他の範囲に含まれるショット領域ごとに前記位置の情報を取得する工程を含む、請求項1に記載の露光方法。 - 請求項1〜4のいずれかに記載の露光方法に用いる露光装置であって、
前記一の範囲に含まれるショット領域および前記他の範囲に含まれるショット領域のそれぞれを記憶する手段を備えた、露光装置。
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---|---|---|---|---|
JP2017111186A (ja) * | 2015-12-14 | 2017-06-22 | 株式会社ニコン | デバイス製造方法、露光方法、および、デバイス製造システム |
JP7433861B2 (ja) | 2019-11-27 | 2024-02-20 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、インプリント方法、物品の製造方法、基板、および、型 |
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2007
- 2007-04-06 JP JP2007100882A patent/JP2008257060A/ja not_active Withdrawn
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