JP2008244729A - Terminating resistance adjusting method and terminating resistance adjustment circuit - Google Patents
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本発明は、終端抵抗調整方法および終端抵抗調整回路に関し、より詳しくは、LSIに外付けされた抵抗をリファレンスとしてLSIに内蔵されたレプリカ抵抗の調整を行ない、その結果に基づいてLSIに内蔵された終端抵抗の調整を行なう方法とその回路に関するものである。 The present invention relates to a termination resistance adjustment method and a termination resistance adjustment circuit. More specifically, the present invention relates to adjustment of a replica resistance built in an LSI using a resistor externally attached to the LSI as a reference, and built in the LSI based on the result. The present invention relates to a method and a circuit for adjusting termination resistance.
高速の信号を扱うLSI、例えば信号の立ち上がり及び立ち下がり時間が速い高速ロジック回路では、信号線を分布定数回路の伝送線路として扱う必要があり、信号の反射を考慮する必要がある。伝送線路の特性インピーダンスと異なるインピーダンスの回路をこの伝送線路に接続したときに接続点で信号の反射が生じ、伝送信号の品質が劣化する。この場合に、伝送線路の特性インピーダンスで入出力端を終端すれば、信号の反射が回避される。このため、LSIの入出力部には、伝送線路のインピーダンスと整合するための終端抵抗が設けられている。この終端抵抗は、LSI内に作り込むことが広く行われている(例えば、特許文献1参照)。 In an LSI that handles a high-speed signal, for example, a high-speed logic circuit having a fast signal rise and fall time, it is necessary to handle the signal line as a transmission line of a distributed constant circuit, and it is necessary to consider signal reflection. When a circuit having an impedance different from the characteristic impedance of the transmission line is connected to the transmission line, signal reflection occurs at the connection point, and the quality of the transmission signal deteriorates. In this case, if the input and output ends are terminated with the characteristic impedance of the transmission line, signal reflection is avoided. For this reason, a termination resistor for matching with the impedance of the transmission line is provided in the input / output unit of the LSI. This termination resistor is widely built in an LSI (see, for example, Patent Document 1).
しかし、一般にLSI内に高い精度で抵抗を形成することは困難である。LSI内に作り込まれた終端抵抗が、伝送線路のインピーダンスと整合しない場合には、信号反射が起こり、終端抵抗を設けた意義が減殺される。また、LSI内に形成された抵抗は、温度依存性が高く温度が変化すると大きく抵抗値が変わる。従って、例え終端抵抗がある温度で伝送線路のインピーダンスと整合するように形成されたとしても、温度がその温度からずれると、整合が取れなくなってしまう。このような不都合を回避するために、高精度に形成された、温度依存性の高くない抵抗をリファレンス抵抗としてLSIに外付けし、この外付け抵抗の抵抗値にLSI内の終端抵抗の抵抗値を追随させることが従来より行われてきた。 However, it is generally difficult to form a resistor with high accuracy in an LSI. When the termination resistor built in the LSI does not match the impedance of the transmission line, signal reflection occurs and the significance of providing the termination resistor is reduced. In addition, the resistance formed in the LSI is highly temperature dependent, and the resistance value changes greatly as the temperature changes. Therefore, even if the termination resistor is formed to match the impedance of the transmission line at a certain temperature, if the temperature deviates from that temperature, the matching cannot be achieved. In order to avoid such an inconvenience, a highly accurate resistor having a low temperature dependency is externally attached to the LSI as a reference resistor, and the resistance value of the external resistor is added to the resistance value of the external resistor. It has been conventionally performed to follow.
図8は、このようなLSIに内蔵された終端抵抗を外付け抵抗に追随させる回路の従来例を示す回路図である。この種調整回路では、終端抵抗の抵抗値を直接的に測定し調整するのではなく、終端抵抗を模擬するレプリカ抵抗をLSI内に設け、このレプリカ抵抗を外付け抵抗に追随させて、終端抵抗の抵抗値を調整することが一般的に行なわれている。図8に示されるように、LSI100内に終端抵抗調整回路101の外付け抵抗以外の部分が設置されており、この終端抵抗調整回路101内に設けられたレプリカ抵抗Rrepは、端子T1を介して外付けのリファレンス抵抗Rrefと直列に接続され、電源端子VDD−接地間に接続されている。レプリカ抵抗Rrepの電源と反対側の端子は、一方の入力端子に電源電圧の1/2の電圧が印加されている比較器22の他方の入力端子に入力される。比較器22の出力は、判定回路23に入力されて判定結果コードに変換される。更にこの判定結果コードは、調整コード発生回路24において調整コードに変換され、その調整コードに基づいてレプリカ抵抗Rrepの調整が行なわれる。また、この調整コードを用いて、LSI100内に設置された終端抵抗(図示省略)の調整が行われる。
上述した従来のレプリカ抵抗の調整方法では、図8に示されるように、外付けリファレンス抵抗Rrefの抵抗値に配線などの寄生抵抗Rparの抵抗値が加算されてしまうため、レプリカ抵抗の抵抗値を正確にリファレンス抵抗Rrefの抵抗値に合わせることができなくなる。特に、LSIテスタを用いてLSIの試験を行う場合、LSIテスタのプローブ(探針)のLSIパッドへの接触抵抗が寄生抵抗Rparに加わるため、レプリカ抵抗の抵抗値の目的抵抗値とのずれが大きくなり、その結果、終端抵抗の抵抗値が大きくずれた状態で試験が行われることになってしまい大きな問題となる。
本発明の課題は、上述した従来技術の問題点を解決することであって、その目的は、寄生抵抗に影響されることなく、レプリカ抵抗をリファレンス抵抗の抵抗値に調整できるようにして、LSI内蔵の終端抵抗を正確に目的の抵抗値に調整できるようにすることである。
In the conventional replica resistance adjusting method described above, as shown in FIG. 8, the resistance value of the parasitic resistance Rpar such as the wiring is added to the resistance value of the external reference resistance Rref. It becomes impossible to accurately match the resistance value of the reference resistor Rref. In particular, when an LSI test is performed using an LSI tester, the contact resistance of the LSI tester probe (probe) to the LSI pad is added to the parasitic resistance Rpar. As a result, the test is performed in a state in which the resistance value of the termination resistor is greatly deviated, which is a serious problem.
An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems of the prior art, the purpose of which is to adjust the replica resistance to the resistance value of the reference resistance without being affected by the parasitic resistance, and to It is to be able to accurately adjust the built-in termination resistance to the target resistance value.
上記の目的を達成するため、本発明によれば、LSI外付けの参照抵抗をリファレンスとしてLSI内蔵のレプリカ抵抗の抵抗値を調整する終端抵抗調整方法において、第1の電源と第2の電源との間に、前記レプリカ抵抗と前記参照抵抗との直列回路を形成し、第1の電圧測定手段により前記レプリカ抵抗の2端子間の電圧を、第2の電圧測定手段により前記参照抵抗の2端子間の電圧をそれぞれ測定し、前記レプリカ抵抗の2端子間の電圧と前記参照抵抗の2端子間の電圧とに基づいて、前記レプリカ抵抗の抵抗値の調整を行なうことを特徴とする終端抵抗調整方法、が提供される。 In order to achieve the above object, according to the present invention, in a termination resistance adjusting method for adjusting a resistance value of a replica resistor built in an LSI using a reference resistor external to the LSI as a reference, a first power source, a second power source, A series circuit of the replica resistor and the reference resistor is formed between the two terminals of the replica resistor by the first voltage measuring unit, and the two terminals of the reference resistor by the second voltage measuring unit. And adjusting the resistance value of the replica resistor based on the voltage between the two terminals of the replica resistor and the voltage between the two terminals of the reference resistor. A method is provided.
また、上記の目的を達成するため、本発明によれば、LSI外付けの参照抵抗をリファレンスとしてLSI内蔵のレプリカ抵抗の抵抗値を調整する終端抵抗調整回路において、第1の電源と第2の電源との間に、前記レプリカ抵抗と前記参照抵抗との直列回路を形成し、前記レプリカ抵抗の2端子間の電圧を測定する第1の電圧測定回路と、前記参照抵抗の2端子間の電圧を測定する第2の電圧測定回路と、測定された2つの抵抗の電圧値の比較を行う判定回路と、前記判定回路の判定結果に基づいて前記レプリカ抵抗の抵抗値の調整値に対応するコードを出力する調整コード発生回路と、を備える終端抵抗調整回路、が提供される。 In order to achieve the above object, according to the present invention, in the termination resistance adjusting circuit for adjusting the resistance value of the replica resistor built in the LSI using the reference resistor external to the LSI as a reference, the first power supply and the second power supply A series circuit of the replica resistor and the reference resistor is formed between the power source and a first voltage measuring circuit for measuring a voltage between two terminals of the replica resistor, and a voltage between the two terminals of the reference resistor A second voltage measuring circuit for measuring the voltage, a determination circuit for comparing the measured voltage values of the two resistors, and a code corresponding to the adjustment value of the resistance value of the replica resistor based on the determination result of the determination circuit And a termination resistance adjustment circuit comprising: an adjustment code generation circuit that outputs.
〔作用〕
本発明によると、レプリカ抵抗の両端子間の電圧とリファレンス抵抗の両端子間の電圧とが独立に測定され、その二つの電圧測定値が比較され、その結果に基づいてレプリカ抵抗がリファレンス抵抗の抵抗値に調整される。すなわち、図1に示されるように、レプリカ抵抗とリファレンス抵抗との直列回路が形成され、レプリカ抵抗に生成される電圧V1とリファレンス抵抗に生成される電圧V2とが等しくなるようにレプリカ抵抗の調整が行われる。レプリカ抵抗とリファレンス抵抗との直列回路に流れる電流をI、レプリカ抵抗とリファレンス抵抗との抵抗値をそれぞれRrep、Rrefとして、V1=V2となるようにRrepの調整を行うと、 V1=Rrep・I、 V2=Rref・I であることから、Rrep=Rrefとなって、寄生抵抗Rparの抵抗値に関わらずRrepがRrefと等しくなる。よって、終端抵抗の抵抗値がリファレンス抵抗の抵抗値に正確に追随するようになる。
[Action]
According to the present invention, the voltage between both terminals of the replica resistor and the voltage between both terminals of the reference resistor are measured independently, the two voltage measurements are compared, and based on the result, the replica resistor is connected to the reference resistor. It is adjusted to the resistance value. That is, as shown in FIG. 1, a series circuit of a replica resistor and a reference resistor is formed, and the replica resistor is adjusted so that the voltage V1 generated at the replica resistor is equal to the voltage V2 generated at the reference resistor. Is done. When the current flowing through the series circuit of the replica resistor and the reference resistor is I, and the resistance values of the replica resistor and the reference resistor are Rrep and Rref, respectively, and Rrep is adjusted so that V1 = V2, V1 = Rrep · I Since V2 = Rref · I, Rrep = Rref, and Rrep is equal to Rref regardless of the resistance value of the parasitic resistance Rpar. Therefore, the resistance value of the termination resistor accurately follows the resistance value of the reference resistor.
本発明によれば、外付けのリファレンス抵抗に付く寄生抵抗の抵抗値に依らずにレプリカ抵抗の抵抗値をリファレンス抵抗の抵抗値に合わせることが可能になる。したがって、本発明によれば、LSI内蔵の終端抵抗を外付けのリファレンス抵抗の抵抗値に寄生抵抗の抵抗値に影響されることなく正確に追随させることが可能になる。 According to the present invention, the resistance value of the replica resistor can be matched to the resistance value of the reference resistor without depending on the resistance value of the parasitic resistor attached to the external reference resistor. Therefore, according to the present invention, it is possible to accurately follow the termination resistor incorporated in the LSI without affecting the resistance value of the external reference resistor by the resistance value of the parasitic resistance.
以下、本発明の実施の形態について、添付の図面を参照して具体的に説明する。
〔第1の実施の形態〕
図2は、本発明の第1の実施の形態を示すブロック図である。図2に示されるように、LSI100には、入力端子T4〜T9に接続された入力回路102が形成されると共に、終端抵抗調整回路101の外付け抵抗以外の部分が形成されている。入力回路102内には、バッファ10が設置されており、バッファ10の入力端子に接続された信号線には終端抵抗Rterが接続されている。終端抵抗調整回路101内には、レプリカ抵抗Rrepの外に電圧測定回路11、12、判定回路13および調整コード発生回路14が設けられている。レプリカ抵抗Rrepの一端は電源端子VDDに接続され、その他端は電圧測定回路11の入力端子に接続されると共に、端子T1を介して外付けのリファレンス抵抗Rrefの一端に接続されている。リファレンス抵抗Rrefの他端は、接地されている。リファレンス抵抗Rrefの一端は端子T1を介して電圧測定回路12の入力端子に接続されている。電圧測定回路11と電圧測定回路12の+端子と−端子にはそれぞれ電源と接地とが反転してあるいは反転することなく接続されている。電圧測定回路11と電圧測定回路12とで生成された測定結果コードは、判定回路13に入力されて比較され、その結果に基づいて生成された判定結果コードが調整コード発生回路14宛て出力される。そして、調整コード発生回路14が出力する調整コードにより、レプリカ抵抗Rrepの調整が行なわれ、レプリカ抵抗Rrepの抵抗値がリファレンス抵抗Rrefの抵抗値に合わせられる。具体的には、リファレンス抵抗Rrefの抵抗値調整は次のように行われる。判定回路13は、電圧測定回路11および電圧測定回路12の出力する測定結果コードから、リファレンス抵抗Rrefよりレプリカ抵抗Rrepの方が小さいと判定した場合には“0”を、逆に大きいと判定した場合には“1”を生成してこれを判定結果コードとして出力する。調整コード発生回路14は判定結果コードに応じて、調整コードを1ビットずつ変化させてリファレンス抵抗Rrefの抵抗値を調整する。この動作を繰り返す事で、レプリカ抵抗Rrepの抵抗値がリファレンス抵抗Rrefの抵抗値に近づき、温度変動などでレプリカ抵抗Rrepが変化した場合にも追従することになる。レプリカ抵抗Rrepを調整した調整コードと同一のコードにより、入力回路102に設けられた終端抵抗Rterも同様に制御される。このレプリカ抵抗調整方法によれば、リファレンス抵抗Rrefに付く寄生抵抗Rparに影響されることなくレプリカ抵抗の調整が行なわれることになり、レプリカ抵抗Rrepを、したがって終端抵抗Rterを正確にリファレンス抵抗Rrefの抵抗値に調整することが可能になる。前述したように外付けのリファレンス抵抗Rrefは、温度依存性の低い抵抗であり、かつ、高精度に形成された抵抗であるので、終端抵抗Rterも温度よらず高精度に調整されることになる。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be specifically described with reference to the accompanying drawings.
[First Embodiment]
FIG. 2 is a block diagram showing the first embodiment of the present invention. As shown in FIG. 2, the
図3は、電圧測定回路11、12の具体的構成を示す回路図であって、電圧測定回路11では、+端子が接地され、−端子が電源端子VDDに接続される。電圧測定回路12では、逆に+端子が電源端子VDDに接続され、−端子が接地される。+端子と−端子との間には分圧抵抗が接続され、分圧抵抗の各分圧値は比較回路15の反転入力端子に入力される。比較回路15の正入力端子には電圧測定すべき抵抗(Rrep or Rref)の一端に接続される。各比較回路15の出力は、電圧測定回路11ではインバータ19を介して、電圧測定回路12ではそのままコーダ16に入力され、コーダ16からは比較回路15の出力結果に応じた測定結果コードが出力される。
FIG. 3 is a circuit diagram showing a specific configuration of the
図4は、レプリカ抵抗Rrepの具体的構成を示す回路図である。レプリカ抵抗Rrepは、抵抗Rk(kは、1、2、3または4)とpチャネルMOSトランジスタMkとの直列回路を並列に接続したものである。抵抗R1〜R4の共通接続点は電源端子VDDに接続され、MOSトランジスタM1〜M4のソースは、図2に示される節点N1に共通に接続される。MOSトランジスタM1〜M4のゲートには、それぞれ調整コード発生回路から出力される調整コードが入力され、各MOSトランジスタのON、OFFが制御される。抵抗R1〜R4の抵抗値は互いに異なっており、従って図示の回路により、(24−1)=15通りの抵抗値が得られる。説明の簡単のために、図4には抵抗が4本のみの回路が示されているが、並列接続される抵抗数は、求められている調整精度に応じて適宜選定される。
図2の入力回路102に接続される終端抵抗Rterも図4に示されるような、抵抗とpチャネル型MOSトランジスタとの直列接続体の並列接続回路によって構成されている。
FIG. 4 is a circuit diagram showing a specific configuration of the replica resistor Rrep. The replica resistor Rrep is obtained by connecting a series circuit of a resistor Rk (k is 1, 2, 3, or 4) and a p-channel MOS transistor Mk in parallel. The common connection point of the resistors R1 to R4 is connected to the power supply terminal VDD, and the sources of the MOS transistors M1 to M4 are commonly connected to the node N1 shown in FIG. The adjustment codes output from the adjustment code generation circuit are input to the gates of the MOS transistors M1 to M4, respectively, and the ON / OFF of each MOS transistor is controlled. The resistance values of the resistors R1 to R4 are different from each other. Therefore, (2 4 −1) = 15 resistance values can be obtained by the illustrated circuit. For the sake of simplicity, FIG. 4 shows a circuit having only four resistors, but the number of resistors connected in parallel is appropriately selected according to the required adjustment accuracy.
The termination resistor Rter connected to the
〔第2の実施の形態〕
図5は、本発明の第2の実施の形態の主要部を示すブロック図である。図5において、図2に示した第1の実施の形態の部分と同等の部分には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。また、図5においては終端抵抗の接続される入力回路の図示が省略されている。本実施の形態においては、第1の実施の形態の回路では、LSI100内設置されていた電圧測定回路12が、LSI100外に実装されている。そして、電圧測定回路12によって外付けのリファレンス抵抗Rrefの電圧が測定され、電圧測定回路12において形成された測定結果コードは、端子T3を介してLSI100内に取り込まれ、判定回路13に入力される。それ以外の動作は第1の実施の形態の場合と同様である。
第2の実施の形態では、電圧測定回路12のみをLSI外に設置したものであったが、電圧測定回路11もLSI外に設置するようにすることができる。更には、判定回路13を、あるいは、判定回路13と調整コード発生回路14もLSI外に設置するようにしてもよい。一般的にLSI内に形成された回路よりも外付けの回路の方がばらつきが少ないので、1ないし複数の回路をLSI外に実装することにより、より正確な調整が可能となる。
[Second Embodiment]
FIG. 5 is a block diagram showing the main part of the second embodiment of the present invention. 5, parts that are the same as the parts of the first embodiment shown in FIG. 2 are given the same reference numerals, and redundant descriptions are omitted. Further, in FIG. 5, the illustration of the input circuit to which the termination resistor is connected is omitted. In the present embodiment, the
In the second embodiment, only the
〔第3の実施の形態〕
図6は、本発明の第3の実施の形態の主要部を示すブロック図である。図6において、図2に示した第1の実施の形態の部分と同等の部分には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。また、図6においては終端抵抗の接続される入力回路の図示が省略されている。本実施の形態においては、第1の実施の形態においてLSI100内に設置されていた電圧測定回路11、12、判定回路13、調整コード発生回路14の全てがLSI100外に実装され、代わってLSI100内には、レプリカ抵抗(終端抵抗)の調整を行うための調整コードが格納される不揮発性メモリ18と、調整コード発生回路14から端子T3を介して調整コードを受け取り、その調整コードの不揮発性メモリ18への書き込みを制御する制御回路17とがLSI100内に設置される。
[Third Embodiment]
FIG. 6 is a block diagram showing the main part of the third embodiment of the present invention. 6, parts that are the same as the parts of the first embodiment shown in FIG. 2 are given the same reference numerals, and redundant descriptions are omitted. Further, in FIG. 6, illustration of an input circuit to which a termination resistor is connected is omitted. In the present embodiment, all of the
本実施の形態によれば、調整コードは不揮発性メモリに記録されるため、一度抵抗調整を行なえば、再調整が不要になる。例えば、LSIの工場出荷時や当該LSIが組み込まれた情報処理システムの立ち上げ時のみにリファレンス抵抗を参照した調整を行い、その後は不揮発性メモリに記憶された調整コードにより調整を行うようにすることができる。この場合に、端子T3は、レプリカ抵抗の抵抗値調整時にのみ調整コード入力用として用い、それ以外の場合には他の信号の入出力用ピンとして用いることができる。そのようにする場合、制御回路17は、レプリカ抵抗の抵抗値調整時にのみ端子T3からの信号(調整コード)を書き込みデータとして不揮発性メモリ18への書き込みを行なう。
一般的にLSIの電源電圧変動および環境温度変化によってLSI内蔵抵抗の抵抗値は変化する。そこで、電源電圧変動や環境温度変化による内蔵抵抗の抵抗値変化を補償する電圧変動補正データおよび温度変化補正データを不揮発性メモリ内に格納しておき、電圧変動や温度変化に応じて調整コードの変更を行うようにしておけば、これらの変化に依らず正確な抵抗調整が可能である。
According to the present embodiment, since the adjustment code is recorded in the nonvolatile memory, readjustment is not necessary once resistance adjustment is performed. For example, the adjustment with reference to the reference resistor is performed only when the LSI is shipped from the factory or when the information processing system incorporating the LSI is started, and thereafter, the adjustment is performed using the adjustment code stored in the nonvolatile memory. be able to. In this case, the terminal T3 can be used as an adjustment code input only when adjusting the resistance value of the replica resistor, and can be used as an input / output pin for other signals in other cases. In such a case, the
In general, the resistance value of the LSI built-in resistor changes due to the power supply voltage fluctuation and environmental temperature change of the LSI. Therefore, voltage fluctuation correction data and temperature change correction data that compensates for changes in the resistance value of the built-in resistor due to power supply voltage fluctuations and environmental temperature changes are stored in the nonvolatile memory, and the adjustment code is changed according to voltage fluctuations and temperature changes. If changes are made, accurate resistance adjustment is possible regardless of these changes.
〔第4の実施の形態〕
図7は、本発明の第4の実施の形態の主要部を示すブロック図である。図7において、図6に示した第3の実施の形態の部分と同等の部分には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。また、図7においては終端抵抗の接続される入力回路の図示が省略されている。本実施の形態においては、第3の実施の形態において、LSI外に実装されていた電圧測定回路11、判定回路13および調整コード発生回路14がLSI内に取り込まれている。また、制御回路が、17a、17bに分割され制御回路17aはLSI外に設置されている。このようにすることにより、第3の実施の形態の場合よりも使用ピン数を1本少なくすることができる。本実施の形態においては、レプリカ抵抗の抵抗値調整時には、制御回路17bは、端子T3より入力された測定結果コードを判定回路13へ送出すると共に、調整コード発生回路14で形成された調整コードを不揮発性メモリに書き込む制御を行なう。なお、本実施の形態では、測定結果コードをLSI内に入力する必要があるが、大規模なLSIで搭載されているようなLSI制御系の信号に重畳させたり、コマンド化することで、既存のピンを利用し追加のピンは不要となる。
[Fourth Embodiment]
FIG. 7 is a block diagram showing the main part of the fourth embodiment of the present invention. In FIG. 7, parts that are the same as the parts of the third embodiment shown in FIG. 6 are given the same reference numerals, and redundant descriptions are omitted. Further, in FIG. 7, the illustration of the input circuit to which the termination resistor is connected is omitted. In the present embodiment, the
以上、好ましい実施の形態について説明したが、本発明はこれら実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において適宜の変更が可能なものである。例えば、実施の形態では入力回路に接続された終端抵抗について説明したが、出力回路に終端抵抗を接続する場合にも本発明の適用は可能である。また、レプリカ抵抗の接・断を説明するトランジスタは、pチャネル型トランジスタに代えてnチャネル型のものを用いてもよく、更にはMES型やバイポーラ型のトランジスタを用いることもできる。 Although preferred embodiments have been described above, the present invention is not limited to these embodiments, and appropriate modifications can be made without departing from the scope of the present invention. For example, in the embodiment, the termination resistor connected to the input circuit has been described. However, the present invention can be applied to the case where the termination resistor is connected to the output circuit. In addition, as a transistor for explaining connection / disconnection of the replica resistor, an n-channel transistor may be used instead of a p-channel transistor, and a MES or bipolar transistor may be used.
10 バッファ
11、12 電圧測定回路
13、23 判定回路
14、24 調整コード発生回路
15 比較回路
16 コーダ
17、17a、17b 制御回路
18 不揮発性メモリ
19 インバータ
22 比較器
100 LSI
101 終端抵抗調整回路
102 入力回路
Rpar 寄生抵抗
Rref リファレンス抵抗
Rrep レプリカ抵抗
Rter 終端抵抗
DESCRIPTION OF
101 termination
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