JP2008244170A - Divided substrate and manufacturing method thereof, and infrared detector - Google Patents
Divided substrate and manufacturing method thereof, and infrared detector Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008244170A JP2008244170A JP2007083019A JP2007083019A JP2008244170A JP 2008244170 A JP2008244170 A JP 2008244170A JP 2007083019 A JP2007083019 A JP 2007083019A JP 2007083019 A JP2007083019 A JP 2007083019A JP 2008244170 A JP2008244170 A JP 2008244170A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- resin
- resin layer
- laminated
- main
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Landscapes
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
Description
本発明は、個片基板の製造方法、個片基板、赤外線検出器に関するものである。 The present invention relates to an individual substrate manufacturing method, an individual substrate, and an infrared detector.
従来から、半導体素子等の実装部品が実装される個片基板6として、図4に示すように一表面(図4の上面)に樹脂基板67(たとえば、エポキシ樹脂基板)が積層された主基板66を有し、樹脂基板67における主基板66と反対側の一表面に凹部からなる立体形状部6aが形成されたものが提供されている。なお、図4の例では主基板66の両面に電子部品64’が実装され、樹脂基板67の前記一表面に金属層68(たとえば、回路パターン68aを構成する)が形成されている。
Conventionally, as a
この種の個片基板6の製造方法としては、主基板66の一表面に樹脂基板67を積層するとともに樹脂基板67の一表面にたとえば銅箔からなり金属層68の基礎となる金属シート69を積層することで、図5(a)に示す位置関係となるように主基板66と樹脂基板67と金属シート69とを積層した積層基板60を形成する積層工程と、図5(b)に示すように積層基板60(主基板66と樹脂基板67と金属シート69)を熱圧着成形するとともに前記立体形状部6aを成型するプレス工程とを有する製造方法が提案されている。ここにおいて、プレス工程で用いられるプレス金型4は、積層基板60との当接部位に個片基板6の立体形状部6aに対応する形状の凸部からなる成型部4aを有し、この成型部4aによりプレス工程において積層基板60に立体形状部6aを成型する。ここで、プレス金型4の成型部4aの高さ寸法h0は、樹脂基板67に形成する立体形状部6aの深さ寸法に応じて設定されるので、通常、樹脂基板67の厚み寸法t0よりも小さく(低く)設定される(h0<t0)。この製造方法では、プレス工程において積層基板60の熱圧着成形と立体形状部6aの成型とを同時に行うことができ、積層基板60の熱圧着成形と立体形状部6aの成型とをそれぞれ別工程で行う場合に比べて工数を少なくすることができる(たとえば特許文献1参照)。特許文献1に記載の発明では、プレス工程の後、金属層68(金属シート69)にエッチング処理を施すことにより回路パターン68aが形成される。
As a method for manufacturing this kind of
ところで、近年では、個片基板6として上述した主基板66における樹脂基板67と反対側の他表面に樹脂層65が積層され、この樹脂層65のうちで主基板66の厚み方向において立体形状部6aと少なくとも一部が重なる所定領域に回路部品63(図6参照)が埋設された個片基板6が提案されている。この種の個片基板6においては、主基板66の厚み方向において立体形状部6aと回路部品63の少なくとも一部が重なるから、主基板66の厚み方向に直交する面内での小型化を図ることができる。
Incidentally, in recent years, a
樹脂層65の前記所定領域に回路部品63が埋設された個片基板6を製造するに当たっては、積層工程において、上述した主基板66と樹脂基板67と金属シート69に加え、主基板66の他表面側に樹脂層65を積層するとともに、図6(a)に示すように回路部品63が実装された回路基板62を樹脂層65における主基板66と反対側の表面に回路部品63の実装面を樹脂層65側に向けて積層し、図6(b)のようにプレス工程において回路部品63を樹脂層65内に埋設する。この製造方法では、プレス工程において積層基板60(主基板66と樹脂基板67と金属シート69と樹脂層65と回路基板62)の熱圧着成形と立体形状部6aの成型と、さらに樹脂層65への回路部品63の埋設とを同時に行うことができる。
In manufacturing the
なお、上述の製造方法で製造される個片基板6の一例として、立体形状部6a側の一表面に実装部品が実装される実装領域を備え、立体形状部6aの少なくとも一部が実装領域に形成されるものでは、立体形状部6aによって実装部品と樹脂基板67との間に空隙が形成されるので、実装部品と樹脂基板67との間の熱絶縁を図ることができる。そこで、この個片基板6をたとえば赤外線を検出する赤外線検出器に用いる場合には、実装領域に実装される実装部品として赤外線の受光量の変化を電圧信号に変換して出力する焦電素子を用い、実装領域において焦電素子の検知部に対応する位置に熱絶縁用の凹部からなる立体形状部6aを形成することにより、焦電素子の感度向上を図ることが考えられる。
ところで、樹脂層65に回路部品63が埋設された個片基板6の上記製造方法では、プレス工程において樹脂層65に回路部品63が埋設される際に、主基板66が樹脂層65を介して回路部品63に押圧されることにより主基板66に応力が発生するので、主基板66の変形を防止するために、この応力を打ち消す押圧力を主基板66に対して樹脂層65と反対側から印加する必要がある。
By the way, in the manufacturing method of the
しかし、上述したようにプレス金型4の成型部4aの高さ寸法h0は樹脂基板67の厚み寸法t0よりも小さく(h0<t0)設定されているので、プレス加工を行った図6(b)の状態で成型部4aと主基板66との間に樹脂基板67が介在し、樹脂基板67が緩衝材となることで成型部4aから主基板66に対して主基板66に発生した上記応力を打ち消す適正な押圧力を印加することができない。つまり、成型部4aから主基板66に印加される押圧力が樹脂基板67で緩和されてしまうため、適正な押圧力を主基板66に対して樹脂層65と反対側から印加することができず、図6(b)、(c)に示すように主基板66の変形を生じることがある(図6(b)、(c)では変形前の主基板66を2点鎖線で示す)。主基板66が変形すると、主基板66や回路部品63が損傷するなどの不具合を生じる可能性がある。
However, since the height dimension h0 of the
本発明は上記事由に鑑みて為されたものであって、主基板の変形を防止することができる個片基板の製造方法、個片基板、高感度化および信頼性の向上を図れる赤外線検出器を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above-described reasons, and an individual substrate manufacturing method capable of preventing deformation of a main substrate, an individual substrate, an infrared detector capable of increasing sensitivity and improving reliability. The purpose is to provide.
請求項1の発明は、一表面に樹脂基板が積層され他表面に樹脂層が積層された主基板を有し、樹脂基板における主基板と反対側の一表面に凹部からなる立体形状部が形成され、樹脂層のうち主基板の厚み方向において立体形状部と少なくとも一部が重なる所定領域に回路部品が埋設された個片基板の製造方法であって、樹脂層の主基板とは反対側の表面に積層される回路基板と主基板とのいずれか一方に実装された回路部品が樹脂層に接触するように、主基板に少なくとも樹脂基板および樹脂層を積層することで積層基板を形成する積層工程と、個片基板の立体形状部に対応する形状の凸部からなる成型部を具備するプレス金型を積層基板の樹脂基板側の表面に当接させてプレス加工を行うことにより、成型部で立体形状部を成型するとともに樹脂層の前記所定領域に回路部品を埋設するプレス工程とを有し、プレス金型として、樹脂基板の厚み寸法と同じ高さ寸法の成型部を具備するものを用いることを特徴とする。
The invention of
この発明によれば、プレス金型として、樹脂基板の厚み寸法と同じ高さ寸法の成型部を具備するものを用いるので、プレス加工を行った状態でプレス金型の成型部と主基板との間に樹脂基板が介在することはなく、成型部から主基板に印加される押圧力が樹脂基板で緩和されてしまうことはない。ここで、回路部品は樹脂層のうち主基板の厚み方向において立体形状部と少なくとも一部が重なる所定領域に埋設されるので、成型部からの押圧力は主基板のうち前記所定領域に対応する部分に対して印加されることになる。したがって、プレス工程において樹脂層の所定領域に回路部品が埋設される際に、主基板が樹脂層を介して回路部品に押圧されることにより主基板のうち前記所定領域に対応する部分に応力が発生しても、主基板に発生した応力を打ち消す適正な押圧力を成型部から主基板に印加することができ、主基板の変形を防止することができる。 According to the present invention, as the press mold, one having a molding part having the same height as the thickness dimension of the resin substrate is used. Therefore, in the state where the press process is performed, the molding part of the press mold and the main substrate There is no intervening resin substrate, and the pressing force applied from the molding part to the main substrate is not relaxed by the resin substrate. Here, since the circuit component is embedded in a predetermined region of the resin layer at least partially overlapping the three-dimensionally shaped portion in the thickness direction of the main substrate, the pressing force from the molding portion corresponds to the predetermined region of the main substrate. Will be applied to the part. Therefore, when a circuit component is embedded in a predetermined region of the resin layer in the pressing process, stress is applied to a portion of the main substrate corresponding to the predetermined region by pressing the main substrate against the circuit component through the resin layer. Even if it occurs, an appropriate pressing force that cancels the stress generated in the main substrate can be applied to the main substrate from the molding portion, and deformation of the main substrate can be prevented.
請求項2の発明は、請求項1記載の個片基板の製造方法によって製造された個片基板であって、前記立体形状部側の一表面に実装部品が実装される実装領域を備え、前記立体形状部は、少なくとも一部が実装領域に形成されることにより実装部品と前記樹脂基板との間に熱絶縁用の空隙を形成する凹部からなることを特徴とする。
The invention according to
この発明によれば、主基板の厚み方向において前記所定領域と重なる位置に立体形状部を形成しても主基板の変形を防止することができるので、主基板の厚み方向において前記所定領域と重なる位置を避けることなく、実装部品と樹脂基板との間の熱絶縁をとるために最適な位置に立体形状部を形成することができる。 According to the present invention, since the deformation of the main substrate can be prevented even if the three-dimensionally shaped portion is formed at a position overlapping the predetermined region in the thickness direction of the main substrate, it overlaps with the predetermined region in the thickness direction of the main substrate. Without avoiding the position, the three-dimensionally shaped portion can be formed at an optimum position for thermal insulation between the mounting component and the resin substrate.
請求項3の発明は、請求項2記載の個片基板と、前記実装部品として前記実装領域に実装される焦電素子とを備え、前記立体形状部は、前記実装領域において焦電素子の検知部に対応する位置に形成されていることを特徴とする。 A third aspect of the invention includes the individual substrate according to the second aspect of the invention and a pyroelectric element mounted on the mounting area as the mounting component, and the three-dimensional shape portion detects the pyroelectric element in the mounting area. It is formed in the position corresponding to a part.
この発明によれば、焦電素子の検知部と樹脂基板との間の熱絶縁をとることができるので、焦電素子の感度が高くなる。しかも、主基板の変形が防止されているので、主基板の変形による主基板や回路部品の損傷等の不具合を回避でき、信頼性の向上を図れる。 According to this invention, since the thermal insulation between the detection part of the pyroelectric element and the resin substrate can be taken, the sensitivity of the pyroelectric element is increased. In addition, since deformation of the main board is prevented, problems such as damage to the main board and circuit components due to deformation of the main board can be avoided, and reliability can be improved.
請求項1の発明は、プレス金型として樹脂基板の厚み寸法と同じ高さ寸法の成型部を具備するものを用いることにより、主基板の変形を防止できるという効果がある。
The invention according to
請求項3の発明は、焦電素子の感度向上および信頼性の向上を図れるという効果がある。
The invention of
以下の実施形態では、赤外線を検出する赤外線検出器に用いる個片基板の製造方法を例示するが、本発明の個片基板の製造方法は、赤外線検出器に用いる個片基板に限らず、一表面に樹脂基板が積層され他表面に樹脂層が積層された主基板を有し、樹脂基板における主基板と反対側の一表面に凹部からなる立体形状部が形成され、樹脂層のうち主基板の厚み方向において立体形状部と少なくとも一部が重なる所定領域に回路部品が埋設された構成の様々な個片基板の製造方法として用いることができる。 In the following embodiments, a method for manufacturing an individual substrate used for an infrared detector that detects infrared light is illustrated. However, the method for manufacturing an individual substrate according to the present invention is not limited to an individual substrate used for an infrared detector. A main substrate having a resin substrate laminated on the surface and a resin layer laminated on the other surface, and a three-dimensionally shaped portion formed of a concave portion is formed on one surface of the resin substrate opposite to the main substrate. It can be used as a manufacturing method of various individual substrates having a configuration in which circuit components are embedded in a predetermined region at least partially overlapping the three-dimensionally shaped portion in the thickness direction.
以下、本実施形態で例示する赤外線検出器の構成について図2および図3を参照して説明する。 Hereinafter, the configuration of the infrared detector exemplified in this embodiment will be described with reference to FIGS.
本実施形態の赤外線検出器は、赤外線の受光量の変化を電圧信号として出力する焦電素子1を個片基板6に実装した回路ブロック10と、回路ブロック10を収納するパッケージ2とを備えている。回路ブロック10には、少なくとも焦電素子1の出力を信号処理する信号処理回路が形成されている。
The infrared detector according to the present embodiment includes a
パッケージ2は、金属製であって円盤状に形成されたステム21と、金属製であって後面が開放された有底円筒状に形成されたキャップ22とを有し、キャップ22の後面をステム21で閉塞する形に組み立てられる。ステム21には絶縁材料からなるスペーサ7を介して回路ブロック10が実装され、キャップ22は、ステム21との間に回路ブロック10を収納する空間を形成するようにステム21に固着される。ここで、ステム21には回路ブロック10と電気的に接続される複数本(ここでは3本)の端子ピン25が挿通されており、パッケージ2の外部空間から回路ブロック10に対する電気的接続を可能としてある。なお、スペーサ7と回路ブロック10とステム21とは接着剤により固着される。
The
キャップ22のうち焦電素子1の前方に位置する前壁には、矩形状(ここでは正方形状)の窓部2aが形成されており、焦電素子1の受光面(前面)に赤外線を集光する赤外線レンズ3が、キャップ22の内側に窓部2aを覆う形で配設されている。ステム21は、上述の各端子ピン25それぞれが挿通される複数の端子用孔21bが厚み方向に貫設されており、各端子ピン25が端子用孔21bに挿通された状態で封止部24により封止される。本実施形態ではキャップ22およびステム21は鋼板から形成されており、ステム21の周部に形成されたフランジ部21cに対して、キャップ22の後端縁から外方に延設された鍔部22cを溶接により封着してある。
A rectangular (here, square)
ところで、回路ブロック10の個片基板6は、ガラスエポキシなどからなり信号処理回路等の構成要素であるICやチップ状電子部品64が実装される回路基板62と、ガラスエポキシなどからなり回路基板62と共に信号処理回路等の回路を形成する主基板66と、回路基板62および主基板66の間に積層された樹脂層65と、主基板66における樹脂層65と反対側の一表面に積層される樹脂基板67と、樹脂基板67における主基板66と反対側の一表面に積層される金属層68とで構成されており、回路基板62、樹脂層65および樹脂基板67、金属層68は、後述する個片基板6の製造方法を用いて主基板66に一体的に積層されるように形成される。ここにおいて、回路基板62および主基板66は回路部品63である上述のICが実装された状態で樹脂層65を挟んで成型されることにより、回路部品63を樹脂層65に埋設した状態で樹脂層65と共に所謂部品内蔵基板からなる多層回路板を構成する。つまり、本実施形態の個片基板6は、樹脂基板67および金属層68を多層回路板に積層することにより構成されている。
By the way, the
なお、回路基板62は、図3における上面側に回路部品63がフリップチップ実装され、下面側に複数のチップ状電子部品64が半田リフローにより実装されている。なお、本実施形態の赤外線検出器は、人体から放射される赤外線を検出することで人の動きを検知する用途に用いるものであり、回路部品63(IC)は、焦電素子1の所定周波数帯域(たとえば、0.1〜10Hz程度)の出力を増幅する増幅回路(バンドパスアンプ)や増幅回路の後段のウインドウコンパレータなどが集積化されている。
In the
焦電素子1は、個片基板6のうち樹脂基板67において金属層68が積層された上記一表面の実装領域67aに実装されるものであって、個片基板6の実装領域67aのうち焦電素子1の検知部に対応する部位には、焦電素子1の検知部と樹脂基板67との間に熱絶縁用の空隙を形成する形の凹部からなる立体形状部6aが形成されている。この立体形状部6aを設けたことにより、焦電素子1の検知部と樹脂基板67との間の熱絶縁をとることができ、焦電素子1の感度が高くなる。ここでは、立体形状部6a(凹部)は平面視が長円状に形成されており、個片基板6の上記一表面における立体形状部6aの短径方向の両側は焦電素子1の両端部を支持する支持部として機能する。この支持部には、焦電素子1の両端部に形成されている電極(図示せず)を接続するパッド68bが形成されている。ここにおいて、上述した回路部品63は、樹脂層65のうち主基板66の厚み方向において立体形状部6aと少なくとも一部が重なる所定領域に埋設されている。
The
回路ブロック10は、回路基板62、樹脂層65、主基板66、樹脂基板67のそれぞれに、上述の端子ピン25が挿通されるスルーホール62b,65b,66b,67bが厚み方向に貫設されており、焦電素子1と信号処理回路とが端子ピン25を介して電気的に接続されるようになっている。なお、本実施形態では、回路基板62、樹脂層65、主基板66、樹脂基板67を積層し、これらの厚み方向に貫通する貫通孔を形成する1回の孔あけ加工でスルーホール62b,65b,66b,67bを形成しており、これにより各スルーホール62b,65b,66b,67bを個別に形成する場合に比べて製造工程の簡略化を図れ、回路ブロック10内の電気的接続が容易に行える。
In the
樹脂基板67の上記一表面に形成された金属層68は、上述したパッド68bを構成するとともに、パッド68bに電気的に接続されたパターン部68cを構成している。以下では、樹脂基板67の上記一表面に金属層68から形成されたパッド68bやパターン部68cを回路パターン68aと称する。
The
上述の3本の端子ピン25は、1本が給電用の端子ピン25(25a)、他の1本が信号出力用の端子ピン25(25b)、残りの1本がグランド用の端子ピン25(25c)である。ここで、端子ピン25a,25bを封止する封止部24,24(24a,24b)は、絶縁性を有する封着用のガラスにより形成されており、端子ピン25cを封着する封止部24(24c)は、金属材料により形成されている。要するに、端子ピン25a,25bにおいては金属製のステム21と電気的に絶縁されているのに対し、グランド用の端子ピン25cにおいてはステム21と同電位に設定されている。
Of the above-described three
上述した構成の赤外線検出器を組み立てる際には、回路ブロック10をステム21にスペーサ7を介して実装した後に、赤外線レンズ3が固着されたキャップ22の鍔部22cとステム21のフランジ部21cとを溶接することにより、密封された金属製のパッケージ2内に回路ブロック10を収納すればよい。なお、パッケージ2は所謂CANパッケージであり、外来ノイズに対するシールド効果を高めるとともに、気密性の向上による耐候性の向上を図ることができる。また、個片基板6に実装される実装部品は、上述した焦電素子1に限るものではなく、たとえばサーミスタ型の赤外線検出素子、サーモパイル型の赤外線検出素子、抵抗ボロメータ型の赤外線検出素子などのように、赤外線受光量の変化を電気信号変化に変換できるものであればよい。
When assembling the infrared detector having the above-described configuration, after mounting the
次に、上述した赤外線検出器で用いる個片基板6の製造方法について図1を参照して説明する。
Next, a method for manufacturing the
まず、回路基板62に回路部品63を実装するとともに回路基板62および主基板66に必要な回路パターンを形成する。この状態で、回路基板62と樹脂層65と主基板66とを積層し、さらに樹脂基板67を主基板66の表面に積層し、上述の金属層68の基礎となる金属シート69(たとえば、厚みが18μm程度の銅箔)を樹脂基板67の表面に積層することで、図1(a)に示す位置関係となるように回路基板62と樹脂層65と主基板66と樹脂基板67と金属シート69とを積層した積層基板60を形成する(以下、積層工程と称する)。このとき、回路基板62は回路部品63を実装した実装面を樹脂層65側に向けて積層される。また、本実施形態では、比較的高い伸び率と引っ張り強度をもち常温では強靭性があって破れにくいBステージ状態の樹脂シートを重ねたものをそれぞれ樹脂層65および樹脂基板67として用いている。樹脂シートとしては、たとえば厚みが10〜1000μm程度で、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂にシリカ等の無機フィラーを高充填(たとえば60〜95wt%程度)したエポキシ樹脂シートのような有機グリーンシートを用いることができる。要するに、回路基板62および主基板66の間に樹脂シートを複数枚(たとえば13枚)重ねて積層することにより樹脂層65を形成し、主基板66に樹脂シートを複数枚(たとえば3枚)重ねて積層することにより樹脂基板67を形成する。なお、本実施形態では矩形板状の積層基板60を形成している。
First,
そして、図1(b)に示すように積層工程で形成された積層基板60上にプレス金型4を配置した状態で、樹脂シートを軟化させて真空雰囲気中でプレス金型4に圧力をかけることにより積層基板60の熱圧着成形を行い、さらに所定の温度で樹脂シートをCステージ状態まで硬化させる(以下、プレス工程と称する)。プレス工程にて用いるプレス金型4は、図1(a)に示すように積層基板60の金属シート69側の表面との当接部位に、個片基板6の立体形状部6a(ここでは、熱絶縁用の凹部)に対応する形状(ここでは、平面視が長円状)の凸部からなる成型部4aを有し、この成型部4aによりプレス工程において積層基板60に立体形状部6aを成型する。つまり、プレス工程においては、プレス金型4が成型部4aの形成された面(以下、成型面4bと称する)を積層基板60の金属シート69側の表面に突き合わせるように積層基板60上に配置され、この状態でプレス加工が行われることで、積層基板60には成型部4aにより立体形状部6aが成型される。さらに、プレス工程においては積層基板60の熱圧着成形(つまり、回路基板62、樹脂層65、主基板66、樹脂基板67、金属層68の一体化)が行われるので、このとき、回路基板62に実装されている回路部品63が樹脂層65に埋設される。その結果、図1(c)に示すようにプレス工程において積層基板60の熱圧着成形と立体形状部6aの成型と、さらに樹脂層65への回路部品63の埋設とを同時に行うことができ、工数を比較的少なくすることができる。ここにおいて、回路部品63が樹脂層65のうち主基板66の厚み方向において立体形状部6aと少なくとも一部が重なる所定領域に埋設されるように、回路基板62と主基板66とプレス金型4とは主基板66の厚み方向に直交する面内で互いに位置合わせされた状態でプレス加工される。なお、上述の熱圧着成形の条件は適宜設定可能であるが、たとえば圧力を0.2〜5MPa、温度を100〜150℃、時間を60〜600秒とすればよい。さらに、Cステージ状態まで硬化させるため、温度を150〜200℃、時間を10〜180分にして硬化させる。
Then, as shown in FIG. 1B, in a state where the press die 4 is arranged on the
ところで、本実施形態では、プレス工程で用いるプレス金型4として、樹脂基板67の厚み寸法t1と同じ高さ寸法h1を有する成型部4aを具備したプレス金型4を採用している(h1=t1)。つまり、本実施形態ではBステージ状態の樹脂シートを重ねたものを樹脂基板67として用いているので、樹脂基板67として主基板66に重ねて積層された複数枚(たとえば3枚)の樹脂シートの合計の厚み寸法t1と同じ高さ寸法h1の成型部4aを具備するプレス金型4を用いる。これにより、図1(b)に示すようにプレス加工を行った状態で成型部4aと主基板66との間に樹脂基板67が介在することはない。本実施形態では、樹脂基板67に金属シート69が積層されているので、成型部4aが主基板66に直接当接することはないものの、成型部4aと主基板66との間に介在する金属シート69が樹脂基板67のように緩衝材となることはなく、成型部4aからの押圧力は金属シート69で緩和されることなく主基板66に印加されることになる。
By the way, in this embodiment, the press die 4 provided with the
また、プレス工程後の回路形成工程において、プレス工程で一体化された積層基板60に対してスルーホール62b,65b,66b,67bやビアホールを形成するとともに、スルーホール62b,65b,66b,67b内やビアホール内に導電路を形成し、さらに金属層68をパターニングすることで金属層68から上述した回路パターン68aを形成する。具体的には、金属層68において回路パターン68aとなる部分をレジスト(図示せず)で被覆し、金属層68にエッチング処理を施すことにより金属層68のうち回路パターン68a以外の不要な部分(立体形状部6aの金属層68を含む)をエッチング除去する。その後、レジストを除去すれば、樹脂基板67の一表面に回路パターン68aが形成されることとなる。
In the circuit forming process after the pressing process, through
さらにまた、本実施形態では、生産性を向上させるために1回のプレス工程で複数の個片基板6を同時に形成する(所謂、多数個取り)方法を採用している。具体的には、積層基板60として個片基板6を複数取ることのできる大きさのものを用い、さらに、上記成型面4bに同形状の複数の成型部4aが配列されたプレス金型4を用いる。ここでは、一例として複数の成型部4aが格子点状に形成されることで成型面4bに等間隔で成型部4aが整列されたプレス金型4を使用する。プレス工程においては、回路基板62と主基板66とプレス金型4とは、それぞれの四隅に形成された透孔(図示せず)にピン(図示せず)が挿通されることによって互いに位置合わせされる。そして、回路形成工程の後の切出工程において積層基板60から個々の個片基板6が切り出される。
Furthermore, in this embodiment, in order to improve productivity, a method of simultaneously forming a plurality of
以上説明した個片基板6の製造方法によれば、プレス金型4として樹脂基板67の厚み寸法t1と同じ高さ寸法h1の成型部4aを具備するものを用いるので、プレス加工を行った状態でプレス金型4の成型部4aと主基板66との間に樹脂基板67が介在することはなく、成型部4aから主基板66に印加される押圧力が樹脂基板67で緩和されてしまうことはない。ここで、回路部品63は樹脂層65のうち主基板66の厚み方向において立体形状部6aと少なくとも一部が重なる所定領域に埋設されるので、成型部4aからの押圧力は主基板66のうち前記所定領域に対応する部分に印加されることになる。したがって、プレス工程において樹脂層65の所定領域に回路部品63が埋設される際に、主基板66が樹脂層65を介して回路部品63に押圧されることにより主基板66のうち前記所定領域に対応する部分に応力が発生しても、この応力を打ち消す適正な押圧力を成型部4aから主基板66に対して印加することができ、主基板66の変形を防止することができる。
According to the manufacturing method of the
ところで、上述した実施形態では、回路基板62と樹脂層65と主基板66と樹脂基板67と金属シート69(金属層68)とを積層したものを積層基板60としたが、この構成の積層基板60に限るものではなく、少なくとも主基板66の一表面に樹脂基板67が積層され他表面に樹脂層65が積層された積層基板60であれば本発明の製造方法を適用して個片基板6を製造することができる。たとえば金属シート69がない場合でも、プレス金型4として樹脂基板67の厚み寸法t1と同じ高さ寸法h1の成型部4aを具備したものを用いることにより、成型部4aが主基板66に直接当接し、成型部4aから主基板66に適正な押圧力を印加することができる。また、本実施形態では、回路基板62に実装された回路部品63が樹脂層65に接触するように積層工程において主基板66に樹脂層65および回路基板62を積層することで回路基板62に実装された回路部品63を樹脂層65の前記所定領域に埋設するようにしているが、この例に限らず、主基板66の前記他表面(樹脂層65側)に回路部品63を実装し、この(主基板66に実装された)回路部品63を樹脂層65に埋設するようにしてもよく、この場合には回路基板62を省略してもよい。
In the above-described embodiment, the
さらにまた、上記実施形態では、回路基板62の図3における上面側に回路部品63、下面側に複数のチップ状電子部品64を実装した例を示したが、回路設計を変更して、回路基板62の下面側に回路部品63をフリップチップ実装し(または、図示しないが回路部品63をダイボンディング後、ワイヤボンディングにて接続し樹脂封止してもよい)、回路基板62の上面側に複数のチップ状電子部品64が半田リフローにより実装されるようにしてもよい。この場合、樹脂層65のうち主基板66の厚み方向において立体形状部6aと少なくとも一部が重なる所定領域には、上記実施形態のICからなる回路部品63に代えて複数のチップ状電子部品64が回路部品として埋設されることとなる。したがって、プレス工程において樹脂層65の所定領域にチップ状電子部品64が埋設される際に、主基板66が樹脂層65を介してチップ状電子部品64に押圧されることにより主基板66のうち前記所定領域に対応する部分に応力が発生するものの、この応力を打ち消す適正な押圧力を成型部4aから主基板66に対して印加することができるので、主基板66の変形を防止することができる。
Furthermore, in the above-described embodiment, the example in which the
1 焦電素子
4 プレス金型
4a 成型部
6 個片基板
6a 立体形状部
60 積層基板
62 回路基板
63 回路部品
65 樹脂層
66 主基板
67 樹脂基板
67a 実装領域
h1 成型部の高さ寸法
t1 樹脂基板の厚み寸法
DESCRIPTION OF
Claims (3)
A solid substrate according to claim 2 and a pyroelectric element mounted on the mounting area as the mounting component, wherein the three-dimensionally shaped portion is formed at a position corresponding to the detection part of the pyroelectric element in the mounting area. Infrared detector characterized by being made.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007083019A JP2008244170A (en) | 2007-03-27 | 2007-03-27 | Divided substrate and manufacturing method thereof, and infrared detector |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007083019A JP2008244170A (en) | 2007-03-27 | 2007-03-27 | Divided substrate and manufacturing method thereof, and infrared detector |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008244170A true JP2008244170A (en) | 2008-10-09 |
Family
ID=39915138
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007083019A Withdrawn JP2008244170A (en) | 2007-03-27 | 2007-03-27 | Divided substrate and manufacturing method thereof, and infrared detector |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008244170A (en) |
-
2007
- 2007-03-27 JP JP2007083019A patent/JP2008244170A/en not_active Withdrawn
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5763682B2 (en) | Miniaturized electrical device including MEMS and ASIC and method for manufacturing the same | |
JP5296894B2 (en) | Package carrier and manufacturing method thereof | |
KR101229142B1 (en) | Semiconductor device and microphone | |
KR101602537B1 (en) | Package for high-frequency semiconductor and high-frequency semiconductor device | |
US20050189622A1 (en) | Packaged acoustic and electromagnetic transducer chips | |
JP6105087B2 (en) | Overmolded device with MEMS parts and manufacturing method | |
JP4655017B2 (en) | Acoustic sensor | |
JP4989139B2 (en) | Infrared detector | |
JP2005191146A (en) | Method of manufacturing hybrid integrated circuit device | |
KR20130047756A (en) | Optoelectronic semi-conductor component | |
JP2008244170A (en) | Divided substrate and manufacturing method thereof, and infrared detector | |
JP2008277954A (en) | Package device | |
JP2008244171A (en) | Divided substrate and manufacturing method thereof, and infrared detector | |
JP5921090B2 (en) | Semiconductor device | |
JP5001695B2 (en) | Individual substrate manufacturing method, individual substrate, infrared detector | |
JP4996302B2 (en) | Individual substrate manufacturing method, individual substrate, infrared detector | |
JP4472481B2 (en) | Semiconductor device, method of manufacturing the same, and stacked semiconductor device | |
JP5054337B2 (en) | Infrared detector and manufacturing method thereof | |
JP4088633B2 (en) | Cavity structure for optical device and optical device | |
JP4989138B2 (en) | Infrared detector | |
JP5825854B2 (en) | Semiconductor device | |
JP2007042702A (en) | Semiconductor device | |
EP4371033A1 (en) | Lead-frame, card body of a smart card, smart card, and method of forming a smart card | |
JP2011014615A (en) | Sensor device and manufacturing method thereof | |
JP2005262353A (en) | Electronic part and method of manufacturing electronic part |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20100601 |