JP2008244147A - Electrostatic chuck, manufacturing method thereof, and attraction method of glass substrate - Google Patents

Electrostatic chuck, manufacturing method thereof, and attraction method of glass substrate Download PDF

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Tomoyuki Ogura
知之 小倉
Noboru Miyata
昇 宮田
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electrostatic chuck capable of attracting and fixing an insulating glass substrate at relatively low temperature uniformly with sufficient attraction force. <P>SOLUTION: The electrostatic chuck for attracting and fixing a glass substrate at a temperature range of 80-150°C comprises: an insulator layer 2 made of oxide-based ceramics formed by flame spraying onto a base material 1; a bipolar comb-like teeth electrode 3 formed by flame spraying on the insulator layer; and a dielectric layer 4 mainly made of oxide-based ceramics formed by flame spraying so that the bipolar comb-like teeth electrode is covered. The comb-like teeth width W of the comb-like teeth electrode 3 ranges from 2.5 to 5.0 mm; distance L between comb-like teeth ranges from 2.5 to 5.0 mm; and the thickness of the dielectric layer 4 ranges from 100 to 600 μm. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、ガラス基板を吸着固定する静電チャックに関するもので、特に、双極の櫛歯電極と、この櫛歯電極を被覆する誘電体層と、を溶射により形成した静電チャックに関するものである。 The present invention relates to an electrostatic chuck for attracting and fixing a glass substrate, and more particularly to an electrostatic chuck formed by thermal spraying a bipolar comb-tooth electrode and a dielectric layer covering the comb-tooth electrode. .

従来、双極型の静電チャックが多く用いられてきた。双極型の静電チャックは、一対の静電電極それぞれに正負の電圧を印加すると、電極に近接する誘電体表面に正負の電荷が生じ、このとき誘電体表面に載置した導電性基板には誘電体表面と逆電荷が生じるため、互いに引き合う力、すなわちジョンセンラーベック力が発現することを利用したものである。したがって、絶縁性のガラス基板を静電チャックにより吸着固定するときは、ガラス基板に電荷が生じないためITO等の導電膜を塗布して吸着させていた。しかし、吸着固定するためだけに導電膜を形成することは手間やコストがかかるため、導電膜を塗布せずに吸着固定する手段が望まれていた。そこで、絶縁性のガラス基板を吸着する静電チャックとして、電界に働く力であるグラディエント力を利用した静電チャックが提案されている(例えば、特許文献1、2参照)。さらには、ガラス基板を加熱することによってガラス基板の抵抗率を1015Ω・cm以下に変化させて静電吸着させる静電チャックも提案されている(例えば、特許文献3参照)。
特開2006−66857号公報 特開2006−49852号公報 特開2005−32858号公報
Conventionally, bipolar electrostatic chucks have been frequently used. In a bipolar electrostatic chuck, when a positive or negative voltage is applied to each of a pair of electrostatic electrodes, positive and negative charges are generated on the dielectric surface adjacent to the electrodes. At this time, the conductive substrate placed on the dielectric surface Since a charge opposite to that of the dielectric surface is generated, this utilizes the fact that the forces attracting each other, that is, the Johnsenlerbeck force is developed. Therefore, when an insulating glass substrate is attracted and fixed by an electrostatic chuck, a conductive film such as ITO is applied and adsorbed because no electric charge is generated on the glass substrate. However, since it takes time and cost to form the conductive film only for adsorption fixation, a means for adsorption fixation without applying the conductive film has been desired. Thus, as an electrostatic chuck that attracts an insulating glass substrate, an electrostatic chuck using a gradient force that is a force acting on an electric field has been proposed (for example, see Patent Documents 1 and 2). Furthermore, an electrostatic chuck that electrostatically attracts the glass substrate by changing the resistivity of the glass substrate to 10 15 Ω · cm or less by heating the glass substrate has also been proposed (see, for example, Patent Document 3).
JP 2006-66857 A JP 2006-49852 A JP 2005-32858 A

しかしながら、前記したグラディエント力を利用した静電チャックでは、ジョンセンラーベック力を利用した静電チャックと比べて十分な吸着力を得ることができないという問題があった。本発明者らの検討によれば、ジョンセンラーベック力を利用した静電チャックの吸着力が数百g/cmであるのに対して、グラディエント力を利用した静電チャックの吸着力は数十g/cmであり、十分ではない。また、グラディエント力を発揮するには、特許文献1に記載された静電チャックのように櫛歯間距離が小さいことが要求されるため電極間で放電し易く、耐電圧が低くなり絶縁破壊が起きる場合があった。特に特許文献1に記載された静電チャックは、電極が露出しているため電極間の放電による絶縁破壊を防ぐには高真空が要求されることから、処理容器内を所定の真空圧に到達させるまでの低真空時は電圧を印加することができないのでガラス基板の固定ができず位置ずれを起こすことがあった。
また、特許文献2に記載された静電チャックでは、誘電体層を0.2〜2.0mmの厚さに形成することを特徴としておりCVD等の蒸着法で誘電体層を形成することが困難であるという理由から焼結法を用いて作製している。しかしながら、焼結体中に電極を埋設し、その電極上に薄い誘電体層を精度良く形成することは、小型のガラス基板用の小さい静電チャックであれば可能であっても、近年大型化が著しいガラス基板に対応できる大型の静電チャックを作製することは困難である。
However, the electrostatic chuck using the above-described gradient force has a problem that a sufficient attracting force cannot be obtained as compared with the electrostatic chuck using the Johnsenler-Beck force. According to the study by the present inventors, the chucking force of the electrostatic chuck using the Johnsenler Beck force is several hundred g / cm 2 , whereas the chucking force of the electrostatic chuck using the gradient force is It is several tens of g / cm 2 , which is not sufficient. Further, in order to exert the gradient force, it is required that the distance between the comb teeth is small as in the electrostatic chuck described in Patent Document 1, so that it is easy to discharge between the electrodes, the withstand voltage is lowered, and the dielectric breakdown occurs. There was a case to get up. In particular, the electrostatic chuck described in Patent Document 1 requires a high vacuum in order to prevent dielectric breakdown due to discharge between the electrodes because the electrodes are exposed. Since the voltage could not be applied at the time of low vacuum until the glass substrate was made, the glass substrate could not be fixed and the position could be displaced.
The electrostatic chuck described in Patent Document 2 is characterized in that the dielectric layer is formed to a thickness of 0.2 to 2.0 mm, and the dielectric layer can be formed by a vapor deposition method such as CVD. It is manufactured using a sintering method because it is difficult. However, it is possible to embed an electrode in a sintered body and to accurately form a thin dielectric layer on the electrode even if it is possible to use a small electrostatic chuck for a small glass substrate. However, it is difficult to produce a large electrostatic chuck that can cope with a glass substrate that is markedly low.

特許文献3による静電チャックも同様に、焼結法により作製しているため大型のガラス基板には適用が難しいことに加え、ガラス基板を最高350℃もの高温に加熱するため静電チャックの基材とガラス基板との熱膨張の差により歪が発生して、ガラス基板への成膜やエッチング等の微細で精密な処理が難しいという問題があった。 Similarly, the electrostatic chuck according to Patent Document 3 is manufactured by a sintering method, so that it is difficult to apply to a large glass substrate. In addition, the electrostatic chuck is heated to a maximum temperature of 350 ° C. There is a problem that distortion is generated due to a difference in thermal expansion between the material and the glass substrate, and fine and precise processing such as film formation and etching on the glass substrate is difficult.

本発明は、絶縁性の大型のガラス基板を、比較的低温で十分な吸着力で吸着固定できる静電チャックを提供することを目的としている。 An object of the present invention is to provide an electrostatic chuck capable of attracting and fixing an insulating large glass substrate with a sufficient attracting force at a relatively low temperature.

上記した本発明の目的は、ガラス基板を吸着固定する静電チャックであって、基材上に溶射により形成された酸化物系セラミックスからなる絶縁体層と、前記絶縁体層上に溶射により形成された双極の櫛歯電極と、前記双極の櫛歯電極を被覆するように溶射により形成された酸化物系セラミックスを主成分とする誘電体層と、を具備することを特徴とする静電チャックによって達成することができる。 An object of the present invention described above is an electrostatic chuck for adsorbing and fixing a glass substrate, which is formed by thermal spraying on an insulator layer made of an oxide ceramic formed on a base material by thermal spraying. An electrostatic chuck comprising: a bipolar comb-teeth electrode; and a dielectric layer mainly composed of an oxide-based ceramic formed by spraying so as to cover the bipolar comb-teeth electrode Can be achieved.

本発明は、従来のように焼結体の誘電体層を用いたものでなく、絶縁体層、櫛歯電極および誘電体層が溶射により形成されている。これによりそれぞれの層がアンカー効果によって結合が強固になり密着性を高めることができる。したがって、本発明のような溶射構造を適用すれば、比較的低い温度範囲で大型のガラス基板を吸着できるような櫛歯電極を備えた静電チャックの作製が可能となる。 The present invention does not use a sintered dielectric layer as in the prior art, but an insulator layer, a comb electrode, and a dielectric layer are formed by thermal spraying. As a result, the bonds of each layer are strengthened by the anchor effect, and the adhesion can be improved. Therefore, when the thermal spray structure as in the present invention is applied, it is possible to manufacture an electrostatic chuck having comb-tooth electrodes that can adsorb a large glass substrate in a relatively low temperature range.

また、本発明の静電チャックは、双極の櫛歯電極の櫛歯幅が2.5〜5.0mm、櫛歯間距離が2.5〜5.0mm、前記誘電体層の厚さが100〜600μmであることを特徴とする。 In the electrostatic chuck of the present invention, the comb teeth width of the bipolar comb electrode is 2.5 to 5.0 mm, the distance between the comb teeth is 2.5 to 5.0 mm, and the thickness of the dielectric layer is 100. It is -600 micrometers.

本発明によれば、櫛歯電極の櫛歯幅および櫛歯間距離を2.5〜5.0mmとし、誘電体層の厚さを100〜600μmとすることで、従来に比べて低温である80〜150℃の温度範囲で絶縁性のガラス基板を吸着することができ、しかも基材に溶射する方法により電極および誘電体層を設けることで大型の静電チャックを作製できる。 According to the present invention, the comb-teeth width of the comb-teeth electrode and the inter-comb distance are set to 2.5 to 5.0 mm, and the thickness of the dielectric layer is set to 100 to 600 μm. An insulating glass substrate can be adsorbed in a temperature range of 80 to 150 ° C., and a large electrostatic chuck can be produced by providing an electrode and a dielectric layer by a thermal spraying method on a base material.

また、本発明の静電チャックは、80〜150℃の温度範囲でガラス基板を吸着固定することを特徴とする。上述したような構成とすることにより、従来に比べて比較的低い温度範囲で大型のガラス基板を吸着することができる。 Moreover, the electrostatic chuck of the present invention is characterized in that the glass substrate is attracted and fixed in a temperature range of 80 to 150 ° C. By setting it as the above-mentioned structure, a large sized glass substrate can be adsorb | sucked in a comparatively low temperature range compared with the past.

また、本発明は、基材上に酸化物系セラミックスからなる絶縁体層を溶射により形成する工程と、前記絶縁体層上にマスキング冶具を用いて双極の櫛歯電極を溶射により形成する工程と、前記双極の櫛歯電極を被覆するように酸化物系セラミックスを主成分とする誘電体層を形成する工程と、前記誘電体層表面を研削加工する工程と、を含むことを特徴とする静電チャックの製造方法を提供するものである。絶縁体層、電極層および誘電体層を、溶射により形成することで、それぞれの層が強固に結合されるため剥離することを抑制することができる。 The present invention also includes a step of forming an insulator layer made of an oxide ceramic on a substrate by thermal spraying, and a step of forming a bipolar comb-teeth electrode by thermal spraying on the insulator layer using a masking jig. A step of forming a dielectric layer mainly composed of an oxide-based ceramic so as to cover the bipolar comb-teeth electrode, and a step of grinding the surface of the dielectric layer. An electric chuck manufacturing method is provided. By forming the insulator layer, the electrode layer, and the dielectric layer by thermal spraying, each layer is firmly bonded, so that peeling can be suppressed.

さらに、本発明は、ガラス基板を80〜150℃の温度に加熱して、静電チャックに吸着させることを特徴とする上記静電チャックを用いたガラス基板の吸着方法を提供するものである。絶縁体層、電極および誘電体層を溶射により形成し、電極を櫛歯形状とし、櫛歯幅、櫛歯間距離および誘電体層厚さを最適化することで、低温であっても絶縁性のガラス基板を吸着できる。 Furthermore, the present invention provides a method for adsorbing a glass substrate using the electrostatic chuck, wherein the glass substrate is heated to a temperature of 80 to 150 ° C. and adsorbed to the electrostatic chuck. Insulating even at low temperatures by forming the insulator layer, electrode and dielectric layer by thermal spraying, making the electrode comb-shaped, and optimizing the comb-teeth width, inter-comb distance and dielectric layer thickness The glass substrate can be adsorbed.

本発明により絶縁性のガラス基板を比較的低温度で、十分な吸着力で均一に吸着固定できる静電チャックを提供することができる。また、電極および誘電体層の形成を溶射法で行っているので、大型ガラス基板に対応できる大型の静電チャックを作製できる。 The present invention can provide an electrostatic chuck capable of uniformly adsorbing and fixing an insulating glass substrate at a relatively low temperature with a sufficient adsorbing force. In addition, since the electrodes and the dielectric layer are formed by a thermal spraying method, a large electrostatic chuck that can be applied to a large glass substrate can be manufactured.

図1に本発明に係る静電チャックの平面図、およびAA断面図を示した。平面図の点線で示した部分に櫛歯電極が埋設されている。また、図2は本発明の櫛歯電極の構成を示す模式平面図である。
図1および図2に模式的に示すように、本発明の静電チャック10は、基材1と、この基材1上に溶射により形成された酸化物系セラミックスからなる絶縁体層2と、絶縁体層2上に溶射により形成された双極の櫛歯電極3と、双極の櫛歯電極3を被覆するように溶射により形成された酸化物系セラミックスを主成分とする誘電体層4と、を具備している。図2において、Wは櫛歯電極の櫛歯幅であり、Lは櫛歯間距離である。図2に示したように、櫛歯間距離とは、双極の一方の電極の櫛歯と、もう一方の電極の櫛歯との間の距離である。
FIG. 1 shows a plan view and an AA cross-sectional view of the electrostatic chuck according to the present invention. A comb electrode is embedded in a portion indicated by a dotted line in the plan view. FIG. 2 is a schematic plan view showing the configuration of the comb electrode of the present invention.
As schematically shown in FIGS. 1 and 2, the electrostatic chuck 10 of the present invention includes a base material 1 and an insulator layer 2 made of oxide ceramics formed on the base material 1 by thermal spraying. A bipolar comb-teeth electrode 3 formed by thermal spraying on the insulator layer 2, and a dielectric layer 4 mainly composed of an oxide-based ceramic formed by thermal spraying so as to cover the bipolar comb-teeth electrode 3. It has. In FIG. 2, W is a comb tooth width of the comb electrode, and L is a distance between comb teeth. As shown in FIG. 2, the inter-comb distance is the distance between the comb teeth of one of the bipolar electrodes and the comb teeth of the other electrode.

本発明者らは、それまで2枚の平板形状であった双極型電極について、櫛歯形状に変えたところ絶縁性のガラス基板であっても、わずかに吸着力を示すことを見出した。しかしながら、実用可能なものではなかったことから、さらに吸着力を高めるべく温度条件、櫛歯形状、および誘電体層について詳細な検討を行った結果、本発明を知見するに至った。 The inventors of the present invention have found that the bipolar electrode, which has been in the form of two flat plates so far, shows a slight adsorption force even if it is an insulating glass substrate when it is changed to a comb shape. However, since it was not practical, the present invention was discovered as a result of detailed investigation of the temperature conditions, the comb shape, and the dielectric layer in order to further increase the attractive force.

平板形状から櫛歯形状に変えることにより吸着力が生じたのは、ジョンセンラーベック力に加えてグラディエント力が吸着力に作用したためと考えられる。グラディエント力を作用させるには、櫛歯幅Wや櫛歯間距離Lを小さくする必要があるが、溶射法による電極形成では精度上困難であった。また、焼結体を用いた静電チャックでは、誘電体層を精度良く形成することが困難であるという問題があった。本発明はこのような問題を一挙に解決し、溶射による電極形成が可能な櫛歯幅Wおよび櫛歯間距離Lでありながら、グラディエント力が効果的に作用するような静電チャックを提供するものである。 The reason why the attractive force is generated by changing the shape from the flat plate shape to the comb-tooth shape is considered to be that the gradient force acts on the attractive force in addition to the John Senler Beck force. In order to apply the gradient force, it is necessary to reduce the comb tooth width W and the inter-comb distance L, but it is difficult in terms of accuracy to form electrodes by the thermal spraying method. In addition, the electrostatic chuck using a sintered body has a problem that it is difficult to form a dielectric layer with high accuracy. The present invention solves such problems all at once, and provides an electrostatic chuck in which a gradient force acts effectively while having a comb tooth width W and an inter-comb distance L capable of forming electrodes by thermal spraying. Is.

櫛歯電極の櫛歯幅Wおよび櫛歯間距離Lを2.5〜5.0mmの範囲としたのは、櫛歯幅Wおよび櫛歯間距離Lが、上記範囲であれば、溶射法によって精度良く電極を形成することができ、櫛歯幅や櫛歯間距離のばらつきが低減され、吸着力を均一にすることができる。特に櫛歯間距離Lを小さくすると、溶射の精度不良により生じた櫛歯間距離の小さいところでは、放電が起き易くなるので好ましくない。逆に櫛歯幅Wおよび櫛歯間距離Lが5.0mmを超えて大きくなると所望の吸着力が得られず好ましくない。これは、5.0mmを超えて大きくなると、グラディエント力が吸着力に寄与しなくなるためである。なお、本発明では、櫛歯間距離Lが大きく形成されているため、低真空(例えば0.05MPa程度)や大気中でも放電が起き難く、高真空でなくとも静電吸着力を作用させることができるので、より高精度にガラス基板を吸着することができる。また、大気中でも電圧を印加できることから、吸着力やリーク電流の評価が容易である。なお、櫛歯を繋ぐ連結軸の幅については、特に限定しないが、連結軸付近での放電や吸着力を考慮すると、櫛歯の幅と同等であることが望ましく、連結軸と櫛歯の先端との距離も、櫛歯間距離と同等であることが望ましい。 The reason why the comb tooth width W and the inter-comb distance L are in the range of 2.5 to 5.0 mm is that if the comb tooth width W and the inter-comb distance L are within the above ranges, the thermal spray method is used. Electrodes can be formed with high accuracy, variation in comb tooth width and inter-comb distance can be reduced, and adsorption force can be made uniform. In particular, if the inter-comb distance L is made small, it is not preferable because the discharge tends to occur where the inter-comb distance is small due to poor spraying accuracy. Conversely, when the comb tooth width W and the inter-comb distance L are larger than 5.0 mm, it is not preferable because a desired adsorption force cannot be obtained. This is because the gradient force does not contribute to the adsorption force when it exceeds 5.0 mm. In the present invention, since the inter-comb distance L is formed large, it is difficult for electric discharge to occur even in a low vacuum (for example, about 0.05 MPa) or in the atmosphere, and an electrostatic attraction force can be applied even if the vacuum is not high. Therefore, the glass substrate can be adsorbed with higher accuracy. In addition, since the voltage can be applied even in the atmosphere, it is easy to evaluate the adsorption force and the leakage current. The width of the connecting shaft that connects the comb teeth is not particularly limited, but it is desirable that the width of the connecting shaft is equal to the width of the comb teeth in consideration of the discharge and adsorption force near the connecting shaft. It is also desirable that the distance between and is equal to the distance between the comb teeth.

本発明の静電チャックの適用温度は80〜150℃である。高温まで加熱すると絶縁性ガラス基板の体積抵抗率が低下して、静電吸着力を大きくすることができるが不具合も起き易くなる。具体的には、ガラス基板と静電チャックの熱膨張差によって固定精度が低下して、ガラス基板への成膜処理等に影響を及ぼす場合がある。また、静電チャックの誘電体層は酸化物系セラミックスを主成分とした溶射セラミックスに樹脂等の封孔剤を用いた封孔処理を施す場合があり、高温では封孔剤の成分が揮発したり、染み出したりしてガラス基板を汚染するおそれがある。したがって、静電チャックの適用温度としては150℃以下の低温が望ましく、さらに120℃よりも低温であれば、より望ましい。本発明の静電チャックを用いれば高温まで加熱しなくとも80〜150℃の低温で絶縁性(23℃における体積抵抗率2.2×1015Ω・cm)のガラス基板を十分な吸着力で吸着することができる。ガラス基板の加熱は、基材にトンネル状の流体経路を設けて所定温度の流体を流せるようにしたり、静電チャックをヒータ上に載せたりする方法で静電チャックを介して行うことができる。また、静電チャック内部にヒータ電極を設けても良い。 The application temperature of the electrostatic chuck of the present invention is 80 to 150 ° C. When heated to a high temperature, the volume resistivity of the insulating glass substrate is reduced, and the electrostatic adsorption force can be increased, but problems are likely to occur. Specifically, the fixing accuracy may be reduced due to a difference in thermal expansion between the glass substrate and the electrostatic chuck, which may affect the film forming process on the glass substrate. In addition, the dielectric layer of the electrostatic chuck may be subjected to a sealing treatment using a sealing agent such as a resin on thermal sprayed ceramics mainly composed of oxide ceramics. The components of the sealing agent volatilize at high temperatures. There is a risk that the glass substrate may be contaminated by oozing out. Therefore, the application temperature of the electrostatic chuck is desirably a low temperature of 150 ° C. or lower, and more desirably a temperature lower than 120 ° C. If the electrostatic chuck of the present invention is used, a glass substrate having an insulating property (volume resistivity 2.2 × 10 15 Ω · cm at 23 ° C.) at a low temperature of 80 to 150 ° C. can be obtained without sufficient heating without heating to a high temperature. Can be adsorbed. The glass substrate can be heated through the electrostatic chuck by a method in which a fluid having a predetermined temperature is allowed to flow by providing a tunnel-like fluid path in the base material or an electrostatic chuck is placed on the heater. A heater electrode may be provided inside the electrostatic chuck.

誘電体層は、酸化物系セラミックスを主成分とした溶射セラミックスである。酸化物系セラミックスとしては、Al、アルミナジルコニア、スピネル、ムライト等を用いることができる。なかでもAlが溶射膜の密着性、耐食性および体積抵抗率の調整の容易性から好ましい。Alに添加する材料としては、TiOやSiC等の導電材料が適用できる。このような導電材料を添加するのは、体積抵抗率の調整と溶射膜の密着性を高めるためである。溶射膜の密着性の観点からTiOが好適である。TiOの添加量は2.5〜20質量%で調整することにより本発明の静電チャックの適用温度に好適な誘電体層を形成することができる。 The dielectric layer is a thermal sprayed ceramic whose main component is an oxide-based ceramic. As the oxide ceramic, Al 2 O 3 , alumina zirconia, spinel, mullite, or the like can be used. Among these, Al 2 O 3 is preferable from the viewpoint of adhesion of the sprayed film, corrosion resistance, and ease of adjusting the volume resistivity. As a material to be added to Al 2 O 3 , a conductive material such as TiO 2 or SiC can be applied. The reason why such a conductive material is added is to adjust the volume resistivity and improve the adhesion of the sprayed film. From the viewpoint of adhesion of the sprayed film, TiO 2 is preferred. A dielectric layer suitable for the application temperature of the electrostatic chuck of the present invention can be formed by adjusting the amount of TiO 2 added to 2.5 to 20% by mass.

誘電体層の厚さは、100〜600μmである。100μmより薄いと耐電圧が低くなり絶縁破壊が起こりやすく、600μmより厚いと吸着力が低下するため好ましくない。これは、誘電体層が厚くなるとジョンセンラーベック力およびグラディエント力が低下するためである。したがって、誘電体層の厚さは500μm以下とすることがより望ましい。このような範囲で溶射セラミックスからなる誘電体層を形成し、さらに櫛歯幅Wおよび櫛歯間距離Lを上記範囲とし、温度条件を80〜150℃とすることで十分な吸着力が発揮される。 The thickness of the dielectric layer is 100 to 600 μm. If the thickness is less than 100 μm, the withstand voltage is lowered and dielectric breakdown is likely to occur. This is because as the dielectric layer becomes thicker, the John Senler Beck force and gradient force decrease. Therefore, the thickness of the dielectric layer is more preferably 500 μm or less. In this range, a dielectric layer made of thermal sprayed ceramics is formed, and the comb tooth width W and the inter-comb tooth distance L are in the above ranges, and the temperature condition is set to 80 to 150 ° C., so that sufficient adsorbing power is exhibited. The

本発明の静電チャックの基材としては、セラミックス、金属または金属基複合材料を用いることができるが、熱伝導性、熱膨張特性、機械的強度、耐熱性、および溶射膜との密着性を総合的に判断すると金属基複合材料が好ましい。特に、本発明の静電チャックは、80℃〜150℃に加熱して使用するため迅速な加熱および均熱性が求められることから、これらの特性に優れた金属基複合材料が好適である。 As the base material of the electrostatic chuck of the present invention, ceramics, metal, or metal matrix composite material can be used, but it has thermal conductivity, thermal expansion characteristics, mechanical strength, heat resistance, and adhesion to the sprayed film. When judging comprehensively, metal matrix composite materials are preferable. In particular, since the electrostatic chuck of the present invention is used after being heated to 80 ° C. to 150 ° C., rapid heating and soaking properties are required. Therefore, a metal matrix composite material excellent in these characteristics is suitable.

絶縁体層としては、Al、アルミナジルコニア、スピネル、ムライト等、種々の酸化物系セラミックスを用いることができる。なかでも、Alが耐食性や絶縁性の点で好ましい。 As the insulator layer, various oxide ceramics such as Al 2 O 3 , alumina zirconia, spinel and mullite can be used. Of these, Al 2 O 3 is preferable in terms of corrosion resistance and insulation.

また、櫛歯電極の電極材料としては、要求特性により選択することが可能で、Ni、Fe、Al、Mo、W、およびそれらの合金等を用いることができる。 Further, the electrode material of the comb-teeth electrode can be selected according to required characteristics, and Ni, Fe, Al, Mo, W, and alloys thereof can be used.

ここで、図1に示した本発明の静電チャックの製造方法をより詳細に説明する。静電チャックの構成として、基材;金属基複合材料、絶縁体層;Al、電極材料;Ni、誘電体層;主成分Alとした例を用いて説明する。まず基材1となる金属基複合材料を用意する。基材の形状は特に限定しないが、ガラス基板を載置する目的上、通常板形状が採用される。次に、この基材1のガラス基板を載置する側である上面に溶射法により、下地層としてのAl絶縁体層2を500μmの厚さで形成する。絶縁体層の厚さにムラができないように、基材の上面は平面度3.0μm以下に予め加工しておくことが望ましい。 Here, the manufacturing method of the electrostatic chuck of the present invention shown in FIG. 1 will be described in more detail. The structure of the electrostatic chuck will be described using an example in which a base material: a metal matrix composite material, an insulator layer: Al 2 O 3 , an electrode material: Ni, a dielectric layer; a main component Al 2 O 3 . First, a metal matrix composite material to be the base material 1 is prepared. Although the shape of a base material is not specifically limited, A plate | board shape is normally employ | adopted for the objective of mounting a glass substrate. Next, an Al 2 O 3 insulator layer 2 as a base layer is formed to a thickness of 500 μm by a thermal spraying method on the upper surface of the base 1 on which the glass substrate is placed. In order to prevent unevenness in the thickness of the insulator layer, it is desirable that the upper surface of the base material is processed in advance to have a flatness of 3.0 μm or less.

次に、Al絶縁体層2の上に溶射法により双極の櫛歯電極3を形成する。所望の櫛歯形状の開口部を有するマスキング冶具をAl絶縁体層2上に載置してからNiの溶射を行う。ここで、櫛歯電極3の厚さとしては、30〜40μm程度が好ましい。溶射により電極層を形成することで、下地層となるAl絶縁体層2および後述するAlを主成分とする誘電体層4との密着性を高めることができる。これは、前記櫛歯電極3とAl絶縁体層2とAlを主成分とする誘電体層4をいずれも溶射により形成するので、溶射層に存在するポアに、別の溶射層が入り込むことによってアンカー効果を発揮するためである。すなわち、櫛歯電極を溶射するとAl絶縁体層に存在するポアに櫛歯電極の一部が入り込み、誘電体層を溶射するとAl絶縁体層および櫛歯電極に存在するポアに誘電体層の一部が入り込むことによって各層間の結合が強固になり密着性が高まる。 Next, a bipolar comb electrode 3 is formed on the Al 2 O 3 insulator layer 2 by a thermal spraying method. A masking jig having a desired comb-shaped opening is placed on the Al 2 O 3 insulator layer 2 and then Ni is sprayed. Here, the thickness of the comb electrode 3 is preferably about 30 to 40 μm. By forming the electrode layer by thermal spraying, it is possible to improve the adhesion between the Al 2 O 3 insulator layer 2 serving as a base layer and the dielectric layer 4 mainly composed of Al 2 O 3 described later. This is because the comb electrode 3, the Al 2 O 3 insulator layer 2 and the dielectric layer 4 mainly composed of Al 2 O 3 are all formed by thermal spraying. This is because an anchor effect is exhibited when the sprayed layer enters. That is, a part of the comb electrodes when spraying comb electrodes in pores present in the Al 2 O 3 insulator layer enters present in Al 2 O 3 insulator layer and comb electrodes when spraying dielectric layer pore When a part of the dielectric layer enters, the bonding between the layers is strengthened and the adhesion is improved.

櫛歯電極3を溶射により形成した後、Alを主成分とする誘電体層4を溶射する。誘電体層4は、櫛歯電極3を被覆するように形成されれば良く、副次的にAl絶縁体層2も、櫛歯電極3の被覆に伴って被覆されて良い。したがって、図1に示された静電チャックように、双極の櫛歯電極3およびAl絶縁体層2を被覆するように誘電体層4が形成された構造を採用することができる。また、図3に示された静電チャックのように櫛歯電極の一部が電源との接続のために露出した構造とすることも可能である。 After the comb electrode 3 is formed by thermal spraying, the dielectric layer 4 mainly composed of Al 2 O 3 is sprayed. The dielectric layer 4 may be formed so as to cover the comb-teeth electrode 3, and the Al 2 O 3 insulator layer 2 may also be coated as the comb-teeth electrode 3 is coated. Therefore, a structure in which the dielectric layer 4 is formed so as to cover the bipolar comb-tooth electrode 3 and the Al 2 O 3 insulator layer 2 as in the electrostatic chuck shown in FIG. 1 can be adopted. Moreover, it is also possible to have a structure in which a part of the comb electrode is exposed for connection with a power source, like the electrostatic chuck shown in FIG.

ここで、静電チャックの表面となるAlを主成分とする誘電体層は公知の方法にて封孔処理されていても良い。封孔処理で充填する処理材としては、シリカゾル、アルミナゾル、マグネシアゾルなどのコロイダル状のスラリ−、あるいは、SiO2、Al2O3、TiO2等の金属アルコキシド系ポリマ−及びこれらのポリマ−とメラミン、アクリル、フェノ−ル、フッ素、シリコン、アクリル樹脂等の各種樹脂を含有するものを使用することができる。 Here, the dielectric layer mainly composed of Al 2 O 3 serving as the surface of the electrostatic chuck may be sealed by a known method. As the treatment material to be filled in the sealing treatment, colloidal slurry such as silica sol, alumina sol, magnesia sol, or metal alkoxide polymer such as SiO 2 , Al 2 O 3 , TiO 2 , and these polymers Those containing various resins such as melamine, acrylic, phenol, fluorine, silicon, and acrylic resin can be used.

次に、静電チャックの表面の研削加工、ラッピング加工を行い、所望の表面粗さ(Ra:0.1〜2.0μm程度)となるようにする。
外部電源5と櫛歯電極3との接続は、図1の例のように、端子接続用の穴を開けた基材に端子6を接続しても良いし、図3のように櫛歯電極3の一部を露出させて、その部分に接続しても良い。基材の穴に端子を挿入する場合、基材に導電性があると短絡してしまうおそれがあるので、端子周りを絶縁管7で保護すると良い。絶縁管7の部分は、他の形態、例えば絶縁性の充填材を入れたり、何もいれずに間隙としたりする方法も採用できる。なお、図3の断面図においては双極の片方のみ電源に接続されているが、双極のもう一方の電極が電源に接続されていることは言うまでも無い。
Next, the surface of the electrostatic chuck is ground and lapped so as to have a desired surface roughness (Ra: about 0.1 to 2.0 μm).
As for the connection between the external power supply 5 and the comb electrode 3, the terminal 6 may be connected to a base material having a hole for terminal connection as in the example of FIG. 1, or the comb electrode as shown in FIG. A part of 3 may be exposed and connected to that part. When inserting the terminal into the hole of the base material, if the base material is conductive, there is a possibility of short-circuiting. For the insulating tube 7, other forms, for example, an insulating filler or a method of forming a gap without anything can be employed. In the cross-sectional view of FIG. 3, only one of the bipolar electrodes is connected to the power source, but it goes without saying that the other electrode of the bipolar electrode is connected to the power source.

以下、試験例を用いて本発明をさらに詳細に説明する。
(1)静電チャックの作製
基材として金属基複合材料(寸法:209×157mm、厚さ40mm、SiC70質量%、Al合金加圧浸透品)を用いた。まず、金属基複合材料の表面のブラスト処理を行った。次に、この基材の上面に溶射法により下地層としてのAl絶縁体層を500μmの厚さで形成した。その後、櫛歯形状の開口部を有するマスキング冶具をAl絶縁体層上に載置してから厚さ40μmのNiの電極を溶射した。櫛歯電極の形状はマスキング冶具の開口部を変えて櫛歯幅Wおよび櫛歯間距離Lを調整した(表1参照)。なお、櫛歯を繋ぐ連結軸の幅は3mmで一定とし、双極の一方の連結軸と他方の櫛歯の先端との距離は櫛歯間距離と同一とした。また、櫛歯電極形成の範囲は、櫛歯電極を模式的に示した図2におけるDに相当する幅を150mmとし、櫛歯幅および櫛歯間距離によって多少の差はあるもののCをおよそ180mmの幅とした。
次に、櫛歯電極およびAl絶縁体層を被覆するように誘電体層(5質量%のTiOを含むAl)を形成した。その後、誘電体層を研削加工、ラップ処理を実施し、誘電体層の厚さ(表1参照)および表面粗さ(Ra0.2μm)を調整し静電チャックを作製した。電極との接続は、図3に示したように、櫛歯電極の一部を露出させ、露出部に導線を接続した。なお、評価に使用するガラス基板は露出部にかからない大きさのものを用いた。
Hereinafter, the present invention will be described in more detail using test examples.
(1) A metal matrix composite material (dimensions: 209 × 157 mm, thickness 40 mm, SiC 70 mass%, Al alloy pressure penetration product) was used as a base material for producing an electrostatic chuck. First, the surface of the metal matrix composite material was blasted. Next, an Al 2 O 3 insulator layer having a thickness of 500 μm was formed on the upper surface of the substrate by a thermal spraying method. Thereafter, a masking jig having comb-shaped openings was placed on the Al 2 O 3 insulator layer, and then a 40 μm thick Ni electrode was sprayed. The shape of the comb-teeth electrode was adjusted by changing the opening of the masking jig to adjust the comb-teeth width W and the inter-comb distance L (see Table 1). The width of the connecting shaft connecting the comb teeth was fixed at 3 mm, and the distance between one of the bipolar connecting shafts and the tip of the other comb tooth was the same as the distance between the comb teeth. The range of the comb electrode formation is such that the width corresponding to D in FIG. 2 schematically showing the comb electrode is 150 mm, and C is approximately 180 mm although there is a slight difference depending on the comb tooth width and the inter-comb distance. And the width.
Next, a dielectric layer (Al 2 O 3 containing 5% by mass of TiO 2 ) was formed so as to cover the comb electrode and the Al 2 O 3 insulator layer. Thereafter, the dielectric layer was ground and lapped, and the thickness (see Table 1) and surface roughness (Ra 0.2 μm) of the dielectric layer were adjusted to produce an electrostatic chuck. As shown in FIG. 3, the connection with the electrode was made by exposing a part of the comb electrode and connecting the lead wire to the exposed portion. In addition, the glass substrate used for evaluation used the thing of the magnitude | size which does not cover an exposed part.

(2)評価
上記のようにして得られた静電チャックをヒータ上に設置し、静電チャックの誘電体層上に□150mm×2mmのガラス基板(23℃における体積抵抗率が2.2×1015Ω・cm)を載置した後、ウエハを所定温度に加熱し、大気中で櫛歯電極間に±2000Vの電圧を印加したときの各静電チャックの吸着力を評価した。
吸着力の測定は、静電吸着させたガラス基板を垂直方向に引き上げて、ガラス基板が静電チャックの吸着面から外れたときの力を測定した。その結果を、表1にまとめて示した。
(2) Evaluation The electrostatic chuck obtained as described above was placed on a heater, and a □ 150 mm × 2 mm glass substrate (volume resistivity at 23 ° C. was 2.2 × on the dielectric layer of the electrostatic chuck). 10 15 Ω · cm) was placed on the wafer, the wafer was heated to a predetermined temperature, and the attractive force of each electrostatic chuck when a voltage of ± 2000 V was applied between the comb electrodes in the atmosphere was evaluated.
The adsorption force was measured by pulling up the electrostatically adsorbed glass substrate in the vertical direction and measuring the force when the glass substrate was detached from the adsorption surface of the electrostatic chuck. The results are summarized in Table 1.

表1の結果からわかるように、櫛歯幅、櫛歯間距離及び誘電体層厚さが、本発明の範囲内であるNo.2〜5、8〜11では100g/cm以上の吸着力が得られた。
一方、本発明の範囲外であるNo.1、6、7、12では十分な吸着力が得られないか、不具合により吸着力の評価ができない結果となった。櫛歯幅および櫛歯間距離が小さい試験例1では、櫛歯電極に電圧を印加したところ絶縁破壊が起こり、吸着力の評価ができなかった。また、櫛歯幅および櫛歯間距離が大きい試験例6では、十分な吸着力が得られなかった。誘電体層厚さが小さい試験例7では、絶縁破壊が発生し、また、誘電体層厚さの大きい試験例10では、十分な吸着力が得られなかった。
As can be seen from the results in Table 1, the comb tooth width, the inter-comb distance and the dielectric layer thickness are within the scope of the present invention. For 2 to 5 and 8 to 11, an adsorption force of 100 g / cm 2 or more was obtained.
On the other hand, Nos. 1, 6, 7, and 12 which are out of the scope of the present invention did not provide sufficient adsorption force, or the adsorption force could not be evaluated due to problems. In Test Example 1 where the comb tooth width and the inter-comb distance were small, when a voltage was applied to the comb electrode, dielectric breakdown occurred, and the adsorptive power could not be evaluated. Further, in Test Example 6 where the comb tooth width and the inter-comb distance were large, sufficient adsorption force could not be obtained. In Test Example 7 in which the dielectric layer thickness was small, dielectric breakdown occurred, and in Test Example 10 in which the dielectric layer thickness was large, sufficient adsorption force was not obtained.

以上説明したように、本発明によれば、絶縁性のガラス基板を比較的低温で、十分な吸着力で吸着固定できる静電チャックが得られることが分かった。 As described above, according to the present invention, it has been found that an electrostatic chuck capable of attracting and fixing an insulating glass substrate at a relatively low temperature with a sufficient attracting force can be obtained.

次に、図4および図5に示した大型ガラス基板用の静電チャックについて実施例を示す。図4は本実施例で作製した静電チャックの櫛歯電極形状を示した全体図であり、図5は6分割された電極領域のうち、一領域を拡大して示した図である。基材(1360mm×821mm×50mm、金属基複合材料;SiC70質量%、Al合金加圧浸透品)に絶縁体層(厚さ500μm)、6分割電極(櫛歯幅3mm、櫛歯間距離3mm、電極形成範囲375mm×312.4mm)および誘電体層(厚さ500μm、表面粗さ0.2μm)を形成した。電極との接続は、図5の電極領域の対角に存在する端子接続部(図5において、寸法;30mm×27mmの領域)に接続できるように基材に端子挿入穴を設けて、図1のように金属端子(低熱膨張合金;ニレジスト)を挿入し、その周りの絶縁管7に相当する部分にエポキシ樹脂を充填し固定する構成とした。静電チャックをヒータ上に載せ、櫛歯電極間に±2000Vの電圧を印加し、真空中(0.05MPa)、115℃で6箇所の分割電極が埋設された誘電体層上にガラス基板(405mm×342mm×2mm)を吸着させて吸着力を測定したところ、平均180g/cmであった。さらに、同条件で大型ガラス基板(1220mm×685mm×2mm)を吸着させたところ、問題なく吸着することができた。 Next, an Example is shown about the electrostatic chuck for large sized glass substrates shown to FIG. 4 and FIG. FIG. 4 is an overall view showing the shape of the comb-teeth electrode of the electrostatic chuck produced in this example, and FIG. 5 is an enlarged view of one of the six electrode regions. Base material (1360 mm × 821 mm × 50 mm, metal matrix composite material: SiC 70% by mass, Al alloy pressure infiltration product), insulator layer (thickness 500 μm), 6-divided electrode (comb tooth width 3 mm, intercombination distance 3 mm, An electrode formation range of 375 mm × 312.4 mm) and a dielectric layer (thickness 500 μm, surface roughness 0.2 μm) were formed. For the connection with the electrode, a terminal insertion hole is provided in the base material so that it can be connected to a terminal connection portion (in FIG. 5, a region of 30 mm × 27 mm in FIG. 5) diagonally to the electrode region of FIG. As described above, a metal terminal (low thermal expansion alloy; Ni-resist) is inserted, and a portion corresponding to the insulating tube 7 around the metal terminal is filled with epoxy resin and fixed. An electrostatic chuck is placed on the heater, a voltage of ± 2000 V is applied between the comb electrodes, and a glass substrate (on a dielectric layer in which six divided electrodes are embedded at 115 ° C. in vacuum (0.05 MPa)). 405 mm × 342 mm × 2 mm) was adsorbed and the adsorbing power was measured, and the average was 180 g / cm 2 . Furthermore, when a large glass substrate (1220 mm × 685 mm × 2 mm) was adsorbed under the same conditions, it could be adsorbed without problems.

本発明に係る静電チャックの平面図およびAA模式断面図である。It is the top view and AA schematic cross section of the electrostatic chuck which concern on this invention. 本発明に係る静電チャックの櫛歯電極形状を示す模式的平面図である。It is a typical top view which shows the comb-tooth electrode shape of the electrostatic chuck which concerns on this invention. 本発明の他の実施形態を示す平面図およびBB模式断面図である。It is a top view and BB model sectional view showing other embodiments of the present invention. 本発明の実施例に係る静電チャックの電極形状を示す平面図である(数値は寸法mmを示す)。It is a top view which shows the electrode shape of the electrostatic chuck which concerns on the Example of this invention (a numerical value shows the dimension mm). 本発明の実施例に係る静電チャックの電極形状を示す拡大図である(数値は数法mmを示す)。It is an enlarged view which shows the electrode shape of the electrostatic chuck which concerns on the Example of this invention (a numerical value shows several-method mm).

符号の説明Explanation of symbols

1;基材
10;静電チャック
2;絶縁体層
3;双極の櫛歯電極
4;誘電体層
5;電源
6;電極端子
7;絶縁管
W;櫛歯幅
L;櫛歯間距離
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1; Substrate 10; Electrostatic chuck 2; Insulator layer 3; Bipolar comb electrode 4; Dielectric layer 5; Power source 6; Electrode terminal 7; Insulation tube W;

Claims (5)

ガラス基板を吸着固定する静電チャックであって、基材上に溶射により形成された酸化物系セラミックスからなる絶縁体層と、前記絶縁体層上に溶射により形成された双極の櫛歯電極と、前記双極の櫛歯電極を被覆するように溶射により形成された酸化物系セラミックスを主成分とする誘電体層と、を具備することを特徴とする静電チャック。 An electrostatic chuck for adsorbing and fixing a glass substrate, an insulator layer made of oxide ceramics formed by spraying on a substrate, and a bipolar comb-teeth electrode formed by spraying on the insulator layer; And a dielectric layer mainly composed of an oxide-based ceramic formed by thermal spraying so as to cover the bipolar comb-teeth electrode. 前記双極の櫛歯電極の櫛歯幅が2.5〜5.0mm、櫛歯間距離が2.5〜5.0mm、前記誘電体層の厚さが100〜600μmであることを特徴とする請求項1記載の静電チャック。 The bipolar comb electrode has a comb tooth width of 2.5 to 5.0 mm, a distance between comb teeth of 2.5 to 5.0 mm, and a thickness of the dielectric layer of 100 to 600 μm. The electrostatic chuck according to claim 1. 80〜150℃の温度範囲でガラス基板を吸着固定することを特徴とする請求項1または2記載の静電チャック The electrostatic chuck according to claim 1 or 2, wherein the glass substrate is fixed by suction in a temperature range of 80 to 150 ° C. 基材上に酸化物系セラミックスからなる絶縁体層を溶射により形成する工程と、
前記絶縁体層上にマスキング冶具を用いて双極の櫛歯電極を溶射により形成する工程と、
前記双極の櫛歯電極を被覆するように酸化物系セラミックスを主成分とする誘電体層を形成する工程と、
前記誘電体層表面を研削加工する工程と、を含むことを特徴とする請求項1〜3記載の静電チャックの製造方法。
Forming an insulator layer made of an oxide-based ceramic on a substrate by thermal spraying;
Forming a bipolar comb-teeth electrode by thermal spraying on the insulator layer using a masking jig;
Forming a dielectric layer mainly composed of an oxide-based ceramic so as to cover the bipolar comb-teeth electrode;
The method for manufacturing an electrostatic chuck according to claim 1, further comprising a step of grinding the surface of the dielectric layer.
ガラス基板を80〜150℃の温度に加熱して、静電チャックに吸着させることを特徴とする請求項1または2記載の静電チャックを用いたガラス基板の吸着方法。 The method for adsorbing a glass substrate using an electrostatic chuck according to claim 1, wherein the glass substrate is heated to a temperature of 80 to 150 ° C. and adsorbed to the electrostatic chuck.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011009692A (en) * 2009-05-27 2011-01-13 Tokyo Electron Ltd Electrostatic chuck, method of manufacturing the same, and substrate processing apparatus
JP2014139989A (en) * 2013-01-21 2014-07-31 Tokyo Electron Ltd Bonding method, mounting table and substrate processing apparatus
WO2015013142A1 (en) * 2013-07-22 2015-01-29 Applied Materials, Inc. An electrostatic chuck for high temperature process applications
CN107636820A (en) * 2015-06-04 2018-01-26 应用材料公司 Transparent electrostatic carrier

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004103648A (en) * 2002-09-05 2004-04-02 Taiheiyo Cement Corp Method of manufacturing electrostatic chuck and electrostatic chuck obtained by it
JP2005032858A (en) * 2003-07-09 2005-02-03 Toto Ltd Electrostatic chucking method of glass substrate and electrostatic chuck
JP2006049852A (en) * 2004-06-29 2006-02-16 Toto Ltd Electrostatic chuck
JP2006066857A (en) * 2004-07-26 2006-03-09 Creative Technology:Kk Bipolar electrostatic chuck

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004103648A (en) * 2002-09-05 2004-04-02 Taiheiyo Cement Corp Method of manufacturing electrostatic chuck and electrostatic chuck obtained by it
JP2005032858A (en) * 2003-07-09 2005-02-03 Toto Ltd Electrostatic chucking method of glass substrate and electrostatic chuck
JP2006049852A (en) * 2004-06-29 2006-02-16 Toto Ltd Electrostatic chuck
JP2006066857A (en) * 2004-07-26 2006-03-09 Creative Technology:Kk Bipolar electrostatic chuck

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011009692A (en) * 2009-05-27 2011-01-13 Tokyo Electron Ltd Electrostatic chuck, method of manufacturing the same, and substrate processing apparatus
JP2014139989A (en) * 2013-01-21 2014-07-31 Tokyo Electron Ltd Bonding method, mounting table and substrate processing apparatus
WO2015013142A1 (en) * 2013-07-22 2015-01-29 Applied Materials, Inc. An electrostatic chuck for high temperature process applications
US9711386B2 (en) 2013-07-22 2017-07-18 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck for high temperature process applications
CN107636820A (en) * 2015-06-04 2018-01-26 应用材料公司 Transparent electrostatic carrier

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