JP2008243391A - Conductive paste composition for filling via hole, and multilayer wiring board using the same - Google Patents

Conductive paste composition for filling via hole, and multilayer wiring board using the same Download PDF

Info

Publication number
JP2008243391A
JP2008243391A JP2007078052A JP2007078052A JP2008243391A JP 2008243391 A JP2008243391 A JP 2008243391A JP 2007078052 A JP2007078052 A JP 2007078052A JP 2007078052 A JP2007078052 A JP 2007078052A JP 2008243391 A JP2008243391 A JP 2008243391A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wiring board
conductive paste
particles
multilayer wiring
paste composition
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2007078052A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP4787195B2 (en
Inventor
Shingetsu Yamada
紳月 山田
Jun Matsui
純 松井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Plastics Inc
Original Assignee
Mitsubishi Plastics Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Plastics Inc filed Critical Mitsubishi Plastics Inc
Priority to JP2007078052A priority Critical patent/JP4787195B2/en
Publication of JP2008243391A publication Critical patent/JP2008243391A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4787195B2 publication Critical patent/JP4787195B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a conductive paste composition for filling via holes that can be filled into via holes by a normal printing method, is lead-free so as to be preferable from the view point of a reduction in environmental load, and has high connection reliability without defects in via holes after lamination to a multilayer wiring board while minimizing a resistance value, and to provide a multilayer wiring board using the same. <P>SOLUTION: The conductive paste composition (40) is filled into via holes (30) in a multilayer wiring board (200). A mass ratio of conductive powder to a binder component is set to ≥90/10 and less than 98/2. The conductive powder is made of first alloy particles, which are lead-free solder particles having a melting point of ≥180°C and less than 260°C, and at least one or more kinds of second metal particles selected from in a group consisting of Au, Ag, and Cu. A mass ratio of the first alloy particles to the second metal particles is set to ≥76/24 and less than 90/10. The binder component is made of a bisarylnadiimide compound. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、ビアホール充填用導電性ペースト組成物と、それを用いた複数の配線基板同士を積層してなる多層配線基板に関する。   The present invention relates to a conductive paste composition for filling via holes and a multilayer wiring board formed by laminating a plurality of wiring boards using the same.

高度情報化社会の進展により、電子機器の情報処理の高速化(動作周波数の高速化)、情報通信の周波数広帯域化(ブロードバンド)が進み、電子機器に搭載される基板としては、高密度な多層配線基板が求められている。また、その配線基板材料は、比誘電率、誘電正接が低いことが求められている。   Advances in the highly information-oriented society have led to faster information processing in electronic devices (higher operating frequency) and wider frequency bands for information communications (broadband). There is a need for a wiring board. Further, the wiring board material is required to have a low relative dielectric constant and dielectric loss tangent.

この高密度な多層配線基板としては、90年代より、ガラスエポキシ基板からなるコア層の上下に感光性エポキシ樹脂からなるビルドアップ層を逐次積み上げたビルドアップ多層基板が提案されている。このビルドアップ多層基板は、従来の多層基板に比較して微細配線が容易なため、今日では、多くの電子機器に採用されている。   As this high-density multilayer wiring board, a buildup multilayer board in which buildup layers made of a photosensitive epoxy resin are successively stacked above and below a core layer made of a glass epoxy board has been proposed since the 1990s. This build-up multilayer board is used in many electronic devices today because fine wiring is easier compared to conventional multilayer boards.

しかしながら、ビルドアップ多層配線基板においては、基板の絶縁信頼性を確保する必要上、コア基板の貫通スルーホール径や配線間隔がコア層の上下に積層されるビルドアップ層のビア径や配線間隔に比較して大きい点、また、各層間の接続をするビア配線が銅めっきで形成されているため、製造プロセス上、ビアの上にビアを形成することができない点、といった問題があった。よって、ビルドアップ多層配線基板においては、近年要求されている、更なる高密度化に対応するには限界が見えはじめていた。   However, in the build-up multilayer wiring board, it is necessary to ensure the insulation reliability of the board, so that the through-hole diameter and the wiring interval of the core substrate are the same as the via diameter and the wiring interval of the build-up layer stacked above and below the core layer. In comparison, there is a problem that the via wiring for connecting the layers is formed by copper plating, so that the via cannot be formed on the via in the manufacturing process. Therefore, in the build-up multilayer wiring board, a limit has begun to appear in order to cope with the further higher density demanded in recent years.

これらの問題を解決するものとして、最近では、配線設計の自由度が高く、かつ、伝送特性に優れたコアレス全層IVH(Interstitial Via Hole)基板が注目されている。このコアレス全層IVH基板における各層間の接続をするビア配線は導電性ペースト組成物で形成されている。よって、ビアの上にビアを形成するビアオンビア構造、および、パッドオンビア構造を形成することが可能であり、近年の更なる高密度化の要求に十分対応するものである。   As a solution to these problems, a coreless all-layer IVH (Intermediate Via Hole) substrate that has a high degree of freedom in wiring design and excellent transmission characteristics has recently attracted attention. Via wiring for connecting each layer in the coreless all-layer IVH substrate is formed of a conductive paste composition. Therefore, it is possible to form a via-on-via structure and a pad-on-via structure in which a via is formed on the via, and sufficiently meet the recent demand for higher density.

ビアホール充填用の導電性ペースト組成物は、一般的には、電粒子、樹脂および溶剤から構成される。ビアホール充填用の導電性ペースト組成物は、これらの各成分をプラネタリーミキサーで粗練し、3本ロールで混練し、さらにプラネタリーミキサーで脱泡して、製造される。   The conductive paste composition for filling via holes is generally composed of electroparticles, a resin and a solvent. The conductive paste composition for filling a via hole is produced by roughly kneading each of these components with a planetary mixer, kneading with a three roll, and defoaming with a planetary mixer.

ビアホール充填用の導電性ペースト組成物としては、大別して、金属圧接ペーストと金属拡散ペーストがある。金属圧接ペーストは、溶剤揮発、樹脂の硬化収縮、積層圧力により金属粒子が接触して導通を図るものである。金属圧接ペーストにおける金属粒子としては、銀粉、銅粉、銀コート銅粉等が用いられる。   The conductive paste composition for filling via holes is roughly classified into a metal pressure contact paste and a metal diffusion paste. The metal pressure contact paste is intended to conduct electricity by contacting metal particles due to solvent volatilization, resin curing shrinkage, and lamination pressure. As the metal particles in the metal pressure contact paste, silver powder, copper powder, silver-coated copper powder or the like is used.

金属拡散ペーストは、積層温度よりも低温で融解し、導体パターンである銅箔に金属拡散する金属粒子を含有し、溶剤揮発、積層圧力により、この金属粒子が拡散アロイ化して導通を図るものである。このため、金属拡散ペーストにおいては、高接続信頼性が期待できる。   The metal diffusion paste contains metal particles that melt at a temperature lower than the laminating temperature and diffuse into the copper foil, which is a conductor pattern, and the metal particles are diffused and alloyed by the solvent volatilization and laminating pressure to achieve conduction. is there. For this reason, high connection reliability can be expected in the metal diffusion paste.

金属拡散ペーストにおいて用いられる金属粒子としては、共晶半田(Sn/Pb:mp183℃)、Pbフリー半田粉(例えば、Sn/Ag/Cu:mp220℃)、Snめっき(Sn:mp232℃)Cuコア、SnめっきAgコア等を挙げることができる。このうち、共晶半田はPbを含有しているため環境負荷が大きいため使えず、SnめっきCuコア、SnめっきAgコアはコストが高く好まれない。従って、金属拡散ペーストにおいて用いられる金属粒子としては、Pbフリー半田粉(無鉛半田粒子)が用いられることが多い。   The metal particles used in the metal diffusion paste include eutectic solder (Sn / Pb: mp 183 ° C.), Pb-free solder powder (for example, Sn / Ag / Cu: mp 220 ° C.), Sn plating (Sn: mp 232 ° C.) Cu core , Sn plating Ag core and the like. Of these, eutectic solder contains Pb and therefore cannot be used because it has a large environmental load, and Sn-plated Cu core and Sn-plated Ag core are not preferred because of their high cost. Therefore, Pb-free solder powder (lead-free solder particles) is often used as the metal particles used in the metal diffusion paste.

金属拡散ペーストに関する従来の技術としては、特許文献1には、プリント基板における絶縁基材に設けられたビアホール中に充填される導電性組成物が記載されている。この導電性組成物は、錫と銀との合金からなっており、この錫がプリント基板における導体パターンを形成する金属と固相拡散相を形成し、電気的接続がなされる。この場合、導体パターン相互の電気的接続が接触導通により行われるものではないので、層間接続抵抗値が変化し難く、層間接続の信頼性低下を防止できる、と記載されている。   As a conventional technique related to a metal diffusion paste, Patent Document 1 describes a conductive composition filled in a via hole provided in an insulating base material in a printed circuit board. This conductive composition is made of an alloy of tin and silver, and this tin forms a solid phase diffusion phase with a metal that forms a conductor pattern in a printed circuit board, and is electrically connected. In this case, it is described that since the electrical connection between the conductor patterns is not performed by contact conduction, the interlayer connection resistance value hardly changes and the reliability of the interlayer connection can be prevented from being lowered.

特許文献2には、絶縁基板、導体配線層、バイアホール導体を具備する配線基板が記載されている。このバイアホール導体を形成する導電性ペーストとして、特許文献2の実施例においては、銀被覆銅粉末、Pb−Sn合金、エポキシ樹脂、溶剤を含有する導電性ペーストが記載されている。この発明においては、配線基板作製時における加熱により、溶融した錫成分が銅成分と反応し、CuSn等の金属間化合物が生成される。そして、金属間化合物が銅粉末間、あるいは、銅粉末と導体配線層間とを強固に接合し、耐熱性、導電性を良好にすることができる、と記載されている。 Patent Document 2 describes a wiring board including an insulating substrate, a conductor wiring layer, and a via hole conductor. As the conductive paste for forming the via-hole conductor, in the example of Patent Document 2, a conductive paste containing silver-coated copper powder, Pb—Sn alloy, epoxy resin, and solvent is described. In the present invention, the molten tin component reacts with the copper component by heating during the production of the wiring board, and an intermetallic compound such as Cu 3 Sn is generated. Further, it is described that the intermetallic compound can firmly bond the copper powder or between the copper powder and the conductor wiring layer to improve heat resistance and conductivity.

特許文献3には、無鉛半田粉末および半田フラックスを混合してなる、無鉛半田ペーストが記載されている。   Patent Document 3 describes a lead-free solder paste obtained by mixing a lead-free solder powder and a solder flux.

また、多層配線基板の高性能化(高密度化、高信頼性化)における最大のポイントは、前述の配線構造にプラスして、各層の厚み方向に形成された導電性ペースト組成物からなるビア配線と、各層の表面に形成された銅箔からなる導体パターンとの接続信頼性を、多層化された際において、十分に確保する点にある。    In addition, the greatest point in improving the performance (high density, high reliability) of the multilayer wiring board is a via made of a conductive paste composition formed in the thickness direction of each layer in addition to the above-described wiring structure. The connection reliability between the wiring and the conductor pattern made of the copper foil formed on the surface of each layer is sufficiently ensured when multilayered.

多層配線基板に関する従来の技術としては、特許文献4には、従来のビルドアップ多層配線基板の欠点を解消したものとして、配線設計の自由度が高く、スタックドビア構造の実現が可能であり、しかも高速信号伝送に適した全層IVH構造の多層配線基板が提案されている。特許文献4に記載されているところによると、アラミド不織布に熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂を含浸させたシート基板材を用い、このシート基板材に貫通穴を形成する。この貫通穴に、金属粒子とエポキシ等のバインダー樹脂と溶剤からなる導電性ペーストを充填後、乾燥固化する。そして、この基板材の両面に銅箔を熱プレスすることによ
り、導電性ペーストを硬化させた両面銅張板を作製する。この両面銅張板をエッチングして、両面回路基板を形成する。その後、この両面回路基板の両側に、前記シート基板材(プリプレグ)を配置し、さらにそれらの外側に銅箔を配置して、熱プレスすることにより、4層のインナビアホール構造を持つ多層配線基板が形成される。
As a conventional technique related to a multilayer wiring board, Patent Document 4 discloses that a defect in the conventional build-up multilayer wiring board is solved, and the degree of freedom in wiring design is high, and a stacked via structure can be realized. A multilayer wiring board having an all-layer IVH structure suitable for signal transmission has been proposed. According to the description in Patent Document 4, a sheet substrate material in which an aramid nonwoven fabric is impregnated with an epoxy resin which is a thermosetting resin is used, and a through hole is formed in the sheet substrate material. The through holes are filled with a conductive paste composed of metal particles, a binder resin such as epoxy, and a solvent, and then dried and solidified. And the double-sided copper clad board which hardened the conductive paste is produced by carrying out the hot press of the copper foil on both surfaces of this board | substrate material. This double-sided copper-clad board is etched to form a double-sided circuit board. Thereafter, the sheet substrate material (prepreg) is arranged on both sides of the double-sided circuit board, and a copper foil is further arranged on the outside thereof, followed by hot pressing, thereby providing a multilayer wiring board having a four-layer inner via hole structure. Is formed.

非特許文献1には、全層IVH構造を有し、しかも一括積層により多層化できる多層配線基板例として、ガラスクロスエポキシ基材からなるリジッドな片面銅張積層板を用いて、各層毎に配線パターンとビアホールを有する片面回路板を作製した後に、配線パターンが形成された反対の面に熱硬化性樹脂からなる接着剤を塗布し、一括積層プレスすることにより製造する全層IVH配線基板が記載されている。この工法の特徴として、以下の事項が挙げられている。まず、スタックドビア構造やパッドオンビア構造が容易に実現できる。そして、前記のプリプレグにビア加工する工法に比べて積層プレスの際にビア位置が
変化しにくいためにビアランド径を小さくできる。そして、一括多層工法を採ることにより、欠陥がない基板だけを積層プレスすることにより、高い歩留まりが期待できる。そして、工程が極めてシンプルであることに加えて、各層を平行して作製することにより納期を大幅に短縮することができる。
Non-Patent Document 1 discloses that a rigid single-sided copper-clad laminate made of a glass cloth epoxy substrate is used as an example of a multilayer wiring board that has an all-layer IVH structure and can be multilayered by batch lamination. An all-layer IVH wiring board manufactured by manufacturing a single-sided circuit board having a pattern and via holes, applying an adhesive made of a thermosetting resin to the opposite surface on which the wiring pattern is formed, and performing batch lamination pressing is described. Has been. The following items are listed as characteristics of this method. First, a stacked via structure or a pad-on-via structure can be easily realized. In addition, the via land diameter can be reduced because the via position is less likely to change during the laminating press as compared with the above-described method of via-processing the prepreg. Then, by adopting the collective multilayer construction method, a high yield can be expected by laminating and pressing only the substrates having no defects. In addition to the extremely simple process, the delivery time can be greatly shortened by producing each layer in parallel.

非特許文献2には、熱硬化性樹脂からなる片面銅張積層板の銅張面とは反対面に熱硬化性樹脂をベースとした接着層とそのカバーフィルムをあらかじめ設けておき、エッチングにより銅回路形成と導電性ペーストによるビア形成が完了後に、カバーフィルムを取り除き、一括積層することが記載されている。   In Non-Patent Document 2, an adhesive layer based on a thermosetting resin and its cover film are provided in advance on the opposite side of the copper-clad surface of a single-sided copper-clad laminate made of thermosetting resin, and copper is etched. The document describes that after the circuit formation and via formation with the conductive paste are completed, the cover film is removed and then laminated at once.

特許文献5には、全層IVH構造を有し、接着剤を用いることなく一括積層により多層化で出来る多層配線基板例として、ポリアリールケトンとポリエーテルイミドからなる熱可塑性樹脂混合物からなる一括多層用絶縁基材の記述がある。これは、一括積層前の絶縁基材は非晶性にしておき、樹脂混合物のガラス転移温度以上での一括積層プレス時に層間の熱融着が起こり、さらに結晶化させることにより半田耐熱性が発現するものである。   In Patent Document 5, as an example of a multilayer wiring board having an all-layer IVH structure and capable of being multilayered by batch lamination without using an adhesive, a batch multilayer made of a thermoplastic resin mixture comprising polyaryl ketone and polyetherimide is disclosed. There is a description of an insulating base material. This is because the insulating substrate before batch lamination is made amorphous, and heat fusion occurs between the layers at the time of batch lamination press above the glass transition temperature of the resin mixture. To do.

特許文献6には、絶縁体層を挟んで複数のIVH基板を積層する多層プリント配線板の製造方法であって、あらかじめビアホールの内層部位を樹脂で塞ぎ、かつ、絶縁体層の前記ビアホールと同一座標に導電性ペーストを貫通配置し、積層の際に、前記各ビアホールの内層ランド間を導電性ペーストにより接続することを特徴とする多層プリント配線板の製造方法が記載されている。そして、この方法によると、積層の際に、導電性ペーストが各ビアホールの空銅内に入り込んでしまうこともなく、導電性ペーストと内層ランドとの確実な接続が得られる、とされている。   Patent Document 6 discloses a method of manufacturing a multilayer printed wiring board in which a plurality of IVH substrates are stacked with an insulator layer interposed therebetween, and the inner layer portion of a via hole is previously closed with a resin, and the same as the via hole of the insulator layer. A method for manufacturing a multilayer printed wiring board is described, in which a conductive paste is disposed through the coordinates, and the inner lands of each via hole are connected by a conductive paste during lamination. According to this method, the conductive paste does not enter the empty copper of each via hole during lamination, and a reliable connection between the conductive paste and the inner land is obtained.

特許文献7には、第1の断面積の信号配線を有し、両面に電源層を設けた第1配線板と、第1の断面積よりも小さい第2の断面積の高密度信号配線を有し、実装面と反対側の面に電源を設けた一対の第2配線板とを個別に準備する。前記一対の第2配線板で第1配線板を挟むように、前記第1配線板の電源・グランド層と、第2配線板の電源・グランド層とを、所定の位置に導電性の貫通ビアを有する接着性の絶縁シートで張り合わせる、と記載されている。   Patent Document 7 includes a first wiring board having a signal wiring having a first cross-sectional area and having a power supply layer on both surfaces, and a high-density signal wiring having a second cross-sectional area smaller than the first cross-sectional area. And a pair of second wiring boards each having a power supply on the surface opposite to the mounting surface. The power supply / ground layer of the first wiring board and the power supply / ground layer of the second wiring board are placed at predetermined positions so that the first wiring board is sandwiched between the pair of second wiring boards. It is described that they are bonded together with an adhesive insulating sheet having

また、非特許文献3には、高周波特性に優れた高耐熱性の特殊ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)系熱可塑性樹脂組成物からなるフィルムと汎用基板(FR4基板)との複合化技術及びその信頼性試験結果について記載されており、前記フィルムにビアを形成後、特殊イミド樹脂をバインダー樹脂に持ち、Sn/Ag3/Cu0.5の無鉛半田金属粒子と、溶剤からなるペーストをビアに充填後、乾燥固化させ、前記汎用基板と真空熱プレス機を用いて複合基板を作製する方法や、前記フィルムと、前記汎用基板とを熱硬化タイプのイミド系接着剤を塗工して、複合基板を作製する方法が開示されている。   Non-Patent Document 3 discloses a technology for combining a film made of a special heat-resistant polyether ether ketone (PEEK) thermoplastic resin composition excellent in high-frequency characteristics and a general-purpose substrate (FR4 substrate) and its reliability. After forming a via on the film, a special imide resin is included in the binder resin, and after filling the via with a paste made of lead-free solder metal particles of Sn / Ag3 / Cu0.5 and a solvent, A method of producing a composite substrate using the general-purpose substrate and a vacuum heat press machine after drying and solidifying, and applying a thermosetting type imide adhesive to the film and the general-purpose substrate to produce a composite substrate A method is disclosed.

特許第3473601号公報Japanese Patent No. 3473601 特許第3187373号公報Japanese Patent No. 3187373 特許第3074649号公報Japanese Patent No. 3074649 特開平7−176846号公報Japanese Patent Laid-Open No. 7-176846 特許第3514647号公報Japanese Patent No. 3514647 特開2004−288989号公報JP 2004-28889A 特開2005−116811号公報Japanese Patent Laying-Open No. 2005-116811 榎本亮、「一括積層法による全層IVH配線板」、エレクトロニクス実装学会誌、社団法人エレクトロニクス実装学会、2000年11月、第3巻、第7号、p.544−547Ryo Enomoto, “All-Layer IVH Wiring Board by Batch Lamination”, Journal of Japan Institute of Electronics Packaging, Japan Institute of Electronics Packaging, November 2000, Vol. 3, No. 7, p. 544-547 前田修二、外3名、「一括多層配線基板材料と対応プロセス」、MES2004 第14回マイクロエレクトロニクス論文集、社団法人エレクトロニクス実装学会、平成16年10月14日、p.341―344Shuji Maeda, 3 others, “Batch multilayer wiring board materials and corresponding processes”, MES 2004 14th Microelectronics Thesis, Japan Institute of Electronics Packaging, October 14, 2004, p.341-344 山田紳月他、「PEEK系熱可塑性樹脂フィルムを用いた高性能基板の開発」、第15回マイクロエレクトロニクスシンポジウム、2005年10月Yamada, S. et al., “Development of high performance substrates using PEEK thermoplastic film”, 15th Microelectronics Symposium, October 2005

特許文献1に記載の導電性組成物は、錫および銀、場合によっては、有機溶剤を含むものであるが、樹脂を含むものではない。発明は、ビアホール中の金属粒子同士を、金属拡散接合させること等によって、多層配線基板の高性能化を目的とするものであるが、バインダー樹脂が存在せず、ビアホール中への充填に特殊な装置を使う必要があり、通常の印刷手段によってこの導電性組成物を歩留り良くビアホールに充填することは難しく、特殊な印刷手法を採用する必要があった。   The conductive composition described in Patent Document 1 contains tin and silver and, in some cases, an organic solvent, but does not contain a resin. The invention aims at improving the performance of a multilayer wiring board by, for example, metal diffusion bonding between metal particles in a via hole. However, the binder resin does not exist and is special for filling in a via hole. It is necessary to use an apparatus, and it is difficult to fill the via hole with the conductive composition with a high yield by a normal printing means, and it is necessary to employ a special printing method.

また、特許文献2に記載の導電性ペーストは、バインダー成分がエポキシ樹脂であることから、絶縁基材の選択によっては、半田成分が金属粒子および導体パターン部に金属拡散するための圧力が十分にかからず、金属拡散接合が十分に生じない等の課題があった。また半田として鉛を含有したものを使用している。このような鉛含有半田は、鉛含有半田を使用した配線基板等を廃棄した際に、この基板から鉛が溶出して、地下水が汚染されるおそれがあり、環境負荷が大きいため問題があった。また、電子部品のPbフリー化の方向に逆行するものであった。   In addition, since the binder component of the conductive paste described in Patent Document 2 is an epoxy resin, depending on the selection of the insulating base material, the pressure required for metal diffusion of the solder component to the metal particles and the conductor pattern portion is sufficient. However, there were problems such as insufficient metal diffusion bonding. Also, solder containing lead is used. Such a lead-containing solder has a problem because when the wiring board using the lead-containing solder is discarded, the lead may be eluted from the board and the groundwater may be contaminated. . In addition, the electronic component goes backward in the direction of making Pb free.

また、特許文献3に記載の無鉛半田ペーストは、樹脂を含むものではない。そのため、上記の特許文献1における場合と同様に、これをビアホールに充填する際には、特殊な印刷手法を採用する必要があった。   Moreover, the lead-free solder paste described in Patent Document 3 does not contain a resin. Therefore, as in the case of the above-mentioned Patent Document 1, it is necessary to adopt a special printing technique when filling the via hole.

また、より高性能な配線基板を作製するという観点から、ビアホール中の導電性ペースト組成物は高度に金属拡散接合し、その抵抗値が非常に低いことが要求されている。   Further, from the viewpoint of producing a higher performance wiring substrate, the conductive paste composition in the via hole is required to be highly metal diffusion bonded and have a very low resistance value.

次に、特許文献4には、多層配線基板の工法はビルドアップ工法と同じシーケンシャル工法が記載されている。プリプレグのような単一材料に層間絶縁層と接着層の二つの機能を兼用させているため、多層時の溶融や流動変形が大きく、積層方向の位置精度がばらつくという問題があった。これにより、ビア位置精度の点からビアランドを小径化することが難しく、マザーボードやモジュール基板として使用することは難しかった。また、特許文献4に用いられている導電性ペーストは、圧接型の導電性ペーストである。   Next, Patent Document 4 describes the same sequential method as the build-up method for the multilayer wiring board. Since a single material such as a prepreg has the two functions of an interlayer insulating layer and an adhesive layer, there is a problem that the melting and flow deformation during the multilayering are large and the positional accuracy in the stacking direction varies. Accordingly, it is difficult to reduce the via land diameter from the viewpoint of via position accuracy, and it is difficult to use the via land as a mother board or a module substrate. Further, the conductive paste used in Patent Document 4 is a pressure-contact type conductive paste.

また、非特許文献1、2に記載の多層配線基板では、全層IVH構造を有し、しかも一括積層により多層化することができるが、一括積層をするために、熱硬化性樹脂からなる接着剤を用いることが必要である。このため、接着剤の流動硬化特性の制御が難しかったり、接着剤が介入することにより、基板のZ方向の線膨張係数が不均一となり電気的な層間の接続信頼性が損なわれたりする、という問題があった。また、非特許文献1、2に用いられている導電性ペーストは、圧接型の導電性ペーストである。   In addition, the multilayer wiring boards described in Non-Patent Documents 1 and 2 have an all-layer IVH structure and can be multilayered by batch lamination. However, in order to carry out batch lamination, an adhesive made of a thermosetting resin is used. It is necessary to use an agent. For this reason, it is difficult to control the flow hardening characteristics of the adhesive, or the adhesive intervenes, the linear expansion coefficient in the Z direction of the substrate becomes non-uniform, and the connection reliability between the electrical layers is impaired. There was a problem. The conductive paste used in Non-Patent Documents 1 and 2 is a pressure-contact type conductive paste.

また、特許文献5に記載の多層配線基板は、絶縁基材としては新規な材料により構成されたものであるから、一括積層や部品実装する際にプロセスの再調整等が必要になる等の手間があった。また、特許文献5に用いられている導電性ペーストは、圧接型の導電性ペーストである。   In addition, since the multilayer wiring board described in Patent Document 5 is composed of a new material as an insulating base material, it is necessary to readjust the process when performing batch stacking or component mounting. was there. Further, the conductive paste used in Patent Document 5 is a pressure contact type conductive paste.

また、特許文献6に記載の多層プリント配線基板の製造方法においては、めっきスルーホールを形成して、このめっきスルーホール同士を接続する際に、導電性ペーストがめっきスルーホール内に入り込まないようにして、導電性ペーストとめっきスルーホールとを物理的に確実に接続することを目的とするものである。   Further, in the method of manufacturing a multilayer printed wiring board described in Patent Document 6, when forming plated through holes and connecting the plated through holes, the conductive paste is prevented from entering the plated through holes. Thus, the object is to physically and reliably connect the conductive paste and the plated through hole.

また、特許文献7に記載の多層配線回路基板は、LSI等を高密度で実装するための高密度用の配線板と、高速伝送に必要な信号配線を有する高周波用の配線板を、別個に用意し、これらを貼り付けて製造するものであり、これにより、高周波化と高密度化の双方に適合する多層配線回路基板を製造することを目的とするものである。   In addition, the multilayer wiring circuit board described in Patent Document 7 separately includes a high-density wiring board for mounting LSIs and the like and a high-frequency wiring board having signal wiring necessary for high-speed transmission. The object is to prepare and affix them to produce a multilayer wiring circuit board suitable for both high frequency and high density.

よって、特許文献4、特許文献5、非特許文献1、非特許文献2、特許文献6および特許文献7に記載の発明は、多層配線基板におけるビアホールの接続技術に関するものではなく、ましてや、ビアホール中の金属粒子同士を、金属拡散接合させること等によって、多層配線基板の高性能化を目的とするものではなかった。このため、ビアホールの抵抗値の低減、吸湿耐熱性、接続信頼性、および導体接着強度の点では課題が存在した。   Therefore, the inventions described in Patent Document 4, Patent Document 5, Non-Patent Document 1, Non-Patent Document 2, Patent Document 6 and Patent Document 7 are not related to via hole connection technology in a multilayer wiring board, and moreover, in a via hole. It was not intended to improve the performance of the multilayer wiring board by, for example, metal diffusion bonding of these metal particles. For this reason, there existed a subject in the point of reduction of the resistance value of a via hole, moisture absorption heat resistance, connection reliability, and conductor adhesive strength.

また、非特許文献3には、絶縁基材と基板との接着に際して、「特殊イミド樹脂」、又は「熱硬化タイプのイミド系接着剤」を用いている旨の記載がある。非特許文献3においては、特殊ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)系熱可塑性樹脂組成物からなるフィルムにレーザービアを形成後、特殊イミド樹脂をバインダー樹脂にもち、Sn/Ag3/Cu0.5の無鉛半田金属粒子と、溶剤からなるペーストをビアに充填し、汎用基板と接着して、絶縁基材と汎用基板との接着観察結果について説示されているが、層間接続信頼性を向上させるための金属拡散接合を効率よく生じさせる為の条件が明らかにされておらず、まして、所定の配合割合の導電粉末と、どのような導電性ペースト組成物が、金属拡散接合を効率よく生じさせることは明らかにされていなかった。   Further, Non-Patent Document 3 describes that “special imide resin” or “thermosetting type imide-based adhesive” is used for bonding the insulating base material to the substrate. In Non-Patent Document 3, after forming a laser via on a film made of a special polyetheretherketone (PEEK) thermoplastic resin composition, a special imide resin is used as a binder resin, and Sn / Ag3 / Cu0.5 lead-free solder Metal paste and solvent paste are filled into vias and bonded to a general-purpose board, and the observation results of adhesion between the insulating substrate and the general-purpose board are explained. Metal diffusion to improve interlayer connection reliability The conditions for efficiently producing the bonding have not been clarified. Furthermore, it is clear that the conductive powder of a predetermined blending ratio and what conductive paste composition can efficiently produce the metal diffusion bonding. Was not.

そこで、本発明は、通常の印刷手法(例えば、スクリーン印刷法)によってビアホールに充填することができ、鉛を含有していないので環境負荷を低減する点から好ましく、また、多層配線基板に積層後においてビアホールに欠陥の発生がなく、ビアホールの接続信頼性が高く、ビアホールの抵抗値を非常に小さくすることができる、ビアホール充填用導電性ペースト組成物およびそれを用いた多層配線基板を提供することを課題とする。   Therefore, the present invention is preferable from the viewpoint that the via hole can be filled by a normal printing method (for example, a screen printing method) and does not contain lead, so that environmental load is reduced. A conductive paste composition for filling via holes and a multilayer wiring board using the same can be obtained, in which there is no defect in via holes, the connection reliability of via holes is high, and the resistance value of via holes can be made extremely small Is an issue.

以下、本発明について説明する。なお、本発明の理解を容易にするために添付図面の参照符号を括弧書きにて付記するが、それにより本発明が図示の形態に限定されるものではない。   The present invention will be described below. In order to facilitate understanding of the present invention, reference numerals in the accompanying drawings are appended in parentheses, but the present invention is not limited to the illustrated embodiment.

第一の本発明は、熱可塑性樹脂組成物からなる絶縁基材(10)、該絶縁基材上に設けられた導体パターン(20)を備え、該絶縁基材(10)に導電性ペースト組成物(40)が充填されたビアホール(30)が形成されてなる配線基板(100)を、該配線基板(100)同士を複数重ね合わせて、または、該配線基板(100)とは異なる、熱可塑性樹脂組成物以外からなる配線基板(300)と交互に重ね合わせて、熱融着により一括積層または逐次積層してなる多層配線基板(200)における、前記ビアホールに充填する導電性ペースト組成物(40)であって、導電粉末と、バインダー成分とを含み、該導電粉末および該バインダー成分の質量比が、90/10以上98/2未満であり、前記導電粉末が、第1の合金粒子と第2の金属粒子とからなり、前記第1の合金粒子が、180℃以上260℃未満の融点を有する非鉛半田粒子であり、前記第2の金属粒子が、Au,Ag,Cuからなる群から選ばれる少なくとも一種以上であり、前記第1の合金粒子と前記第2の金属粒子との質量比が、76/24以上90/10未満であり、前記バインダー成分が、下記式(1)で表されるビスアリルナジイミド化合物であることを特徴とするビアホール充填用導電性ペースト組成物である。   The first aspect of the present invention comprises an insulating base material (10) made of a thermoplastic resin composition, and a conductor pattern (20) provided on the insulating base material, and a conductive paste composition on the insulating base material (10). A wiring board (100) formed with via holes (30) filled with an object (40) is overlapped with the wiring boards (100), or different from the wiring board (100). A conductive paste composition (filled in the via hole) in a multilayer wiring substrate (200), which is alternately laminated with a wiring substrate (300) made of a material other than the plastic resin composition, and laminated or sequentially laminated by thermal fusion ( 40) comprising conductive powder and a binder component, wherein the mass ratio of the conductive powder and the binder component is 90/10 or more and less than 98/2, and the conductive powder comprises the first alloy particles and First The first alloy particles are non-lead solder particles having a melting point of 180 ° C. or higher and lower than 260 ° C., and the second metal particles are selected from the group consisting of Au, Ag, and Cu. The mass ratio of the first alloy particles and the second metal particles is 76/24 or more and less than 90/10, and the binder component is represented by the following formula (1). A conductive paste composition for filling via holes, which is a bisallyl nadiimide compound.

Figure 2008243391
(ただし、Rは、少なくとも1個の炭素を有する2価の有機基である。)
Figure 2008243391
(However, R is a divalent organic group having at least one carbon.)

第一の本発明によれば、通常の印刷手法によってビアホール(30)に充填することができ、鉛を含有していないため環境負荷を低減する点から好ましい、ビアホール充填用導電性ペースト組成物を提供することができる。また、非鉛半田粒子の融点が、バインダー成分の硬化温度範囲に含まれるような、非鉛半田粒子およびバインダー成分を使用すると、半田成分が第2の金属粒子および導体パターン(20)を形成する金属との間で、高度に金属拡散接合するため好ましい。これにより、本発明のビアホール充填用導電性ペースト組成物を用いた多層配線基板(200)は、ビアホールの抵抗値が非常に小さく、吸湿耐熱性、接続信頼性、および導体接着強度に優れたものとなる。ここで、「金属拡散接合」とは、非鉛半田粒子からなる合金の融点を超えた時点で、非鉛半田粒子中の錫が、第2の金属粒子、および/または、導体パターン(20)を形成する金属中に、拡散し、新たな合金を形成することをいう。   According to the first aspect of the present invention, there is provided a conductive paste composition for filling via holes, which can be filled into the via holes (30) by a normal printing technique and is preferable from the viewpoint of reducing environmental load because it does not contain lead. Can be provided. Moreover, when the lead-free solder particles and the binder component are used such that the melting point of the lead-free solder particles is included in the curing temperature range of the binder component, the solder component forms the second metal particles and the conductor pattern (20). This is preferable because metal diffusion bonding is highly performed between metals. As a result, the multilayer wiring board (200) using the conductive paste composition for filling via holes of the present invention has a very small resistance value of via holes and is excellent in moisture absorption heat resistance, connection reliability, and conductor adhesive strength. It becomes. Here, “metal diffusion bonding” means that the tin in the lead-free solder particles becomes the second metal particles and / or the conductor pattern (20) when the melting point of the alloy composed of the lead-free solder particles is exceeded. It diffuses in the metal forming the metal to form a new alloy.

第一の本発明において、第1の合金粒子および第2の金属粒子の平均粒径は10μm以下であることが好ましい。こうすることで、導電性ペースト組成物をビアホール(30)に導入し易くなり、また、金属拡散接合を起こしやすくすることができる。また、第1の合金粒子と第2の金属粒子との平均粒径差は、2μm以下であることが好ましい。こうすることで、金属拡散接合を起こしやすくすることができる。   In the first aspect of the present invention, the average particle size of the first alloy particles and the second metal particles is preferably 10 μm or less. By doing so, the conductive paste composition can be easily introduced into the via hole (30), and metal diffusion bonding can be easily caused. The average particle size difference between the first alloy particles and the second metal particles is preferably 2 μm or less. By doing so, metal diffusion bonding can be easily caused.

第一の本発明において、第1の合金粒子は、Sn−Cu、Sn−Sb、Sn−Ag−Cu、Sn−Ag−Cu−Bi、Sn−Ag−In、Sn−Ag−In−Bi、Sn−Zn、Sn−Zn−Bi、および、Sn−Ag−Biからなる群から選ばれる一種以上の非鉛半田粒子であることが好ましい。バインダー成分および非鉛半田粒子として、これら例示されたものを使用することによって、非鉛半田粒子の融点が、バインダー成分の硬化温度範囲に含まれるようになり、半田成分と第2の金属粒子および導体パターン(20)を形成する金属との間で、金属拡散接合させることができる。   In the first invention, the first alloy particles are Sn—Cu, Sn—Sb, Sn—Ag—Cu, Sn—Ag—Cu—Bi, Sn—Ag—In, Sn—Ag—In—Bi, One or more lead-free solder particles selected from the group consisting of Sn—Zn, Sn—Zn—Bi, and Sn—Ag—Bi are preferable. By using those exemplified as the binder component and the non-lead solder particles, the melting point of the non-lead solder particles is included in the curing temperature range of the binder component, and the solder component and the second metal particles and Metal diffusion bonding can be performed between the metal forming the conductor pattern (20).

第一の本発明において、上記式(1)で表されるビスアリルナジイミド化合物のRが、下記式(2)で表されるN−N'−(4,4'−ジフェニルメタン)ジアリルナジイミド又は(3)で表されるN−N'−(m−キシリレン)ジアリルナジイミド化合物であることが好ましい。このようなバインダー成分を使用することによって、導体接着力をより良好なものとすることができる。   In the first invention, R of the bisallylnadiimide compound represented by the above formula (1) is NN ′-(4,4′-diphenylmethane) diallylnadiimide represented by the following formula (2): Or it is preferable that it is a NN '-(m-xylylene) diallyl nadiimide compound represented by (3). By using such a binder component, it is possible to make the conductor adhesive force better.

Figure 2008243391
Figure 2008243391

第二の本発明は、熱可塑性樹脂組成物からなる絶縁基材(10)、該絶縁基材上に設けられた導体パターン(20)を備え、該絶縁基材に導電性ペースト組成物(40)が充填されたビアホール(30)が形成されてなる配線基板(100)を、該配線基板同士を複数重ね合わせて、または、該配線基板とは異なる、熱可塑性樹脂組成物以外からなる配線基板(300)と交互に重ね合わせて、熱融着により一括積層または逐次積層してなる多層配線基板であって、導電性ペースト組成物(40)が、導電粉末と、バインダー成分とを含み、該導電粉末および該バインダー成分の質量比が、90/10以上98/2未満で
あり、導電粉末が、第1の合金粒子と第2の金属粒子とからなり、第1の合金粒子が、180℃以上260℃未満の融点を有する非鉛半田粒子であり、第2の金属粒子が、Au,Ag,Cuからなる群から選ばれる少なくとも一種以上であり、第1の合金粒子と第2の金属粒子との質量比が、76/24以上90/10未満であり、バインダー成分が、下記式(4)で表されるビスアリルナジイミド化合物であることを特徴とする、多層配線基板(200)である。

Figure 2008243391
(ただし、Rは、少なくとも1個の炭素を有する2価の有機基である。) 2nd this invention is equipped with the insulating base material (10) which consists of a thermoplastic resin composition, and the conductor pattern (20) provided on this insulating base material, A conductive paste composition (40 on this insulating base material) A wiring board (100) formed with via holes (30) filled with) is formed by superimposing a plurality of wiring boards, or different from the wiring board and made of a material other than the thermoplastic resin composition. (300) is a multilayer wiring board which is alternately laminated and laminated by heat fusion or sequentially laminated, and the conductive paste composition (40) includes a conductive powder and a binder component, The mass ratio of the conductive powder and the binder component is 90/10 or more and less than 98/2, the conductive powder is composed of first alloy particles and second metal particles, and the first alloy particles are 180 ° C. More than 260 ° C melting point The second metal particles are at least one selected from the group consisting of Au, Ag, and Cu, and the mass ratio of the first alloy particles to the second metal particles is 76. It is / 24 or more and less than 90/10, and is a multilayer wiring board (200) characterized by the binder component being the bisallyl nadiimide compound represented by following formula (4).
Figure 2008243391
(However, R is a divalent organic group having at least one carbon.)

第二の本発明において、非鉛半田粒子の融点が、バインダー成分の硬化温度範囲に含まれるような、非鉛半田粒子およびバインダー成分を使用すると、半田成分が第2の金属粒子および導体パターン(20)を形成する金属との間で、高度に金属拡散接合するため好ましい。これにより、本発明の多層配線基板(200)は、ビアホールの抵抗値が非常に小さく、吸湿耐熱性、接続信頼性、および導体接着強度に優れたものとなる。   In the second aspect of the present invention, when the lead-free solder particles and the binder component are used such that the melting point of the lead-free solder particles is included in the curing temperature range of the binder component, the solder component becomes the second metal particles and the conductor pattern ( 20) is preferable because metal diffusion bonding is highly performed between the metal and the metal forming. Thereby, the multilayer wiring board (200) of the present invention has a very small resistance value of the via hole, and has excellent moisture absorption heat resistance, connection reliability, and conductor adhesive strength.

第二の本発明において、上記式(4)で表されるビスアリルナジイミド化合物のRが、下記式(5)で表されるN−N '−(4,4'−ジフェニルメタン)ジアリルナジイミド又は(6)で表されるN−N'−(m−キシリレン)ジアリルナジイミド化合物であることが好ましい。このようなバインダー成分を使用することによって、導体接着力をより良好なものとすることができる。 In the second present invention, R of the bisallylnadiimide compound represented by the above formula (4) is NN ′-(4,4′-diphenylmethane) diallylnadiimide represented by the following formula (5): Or it is preferable that it is a NN '-(m-xylylene) diallyl nadiimide compound represented by (6). By using such a binder component, it is possible to make the conductor adhesive force better.

Figure 2008243391
Figure 2008243391

第二の本発明において、配線基板(100、300)の熱融着による一括積層または逐次積層は、温度200℃以上260℃未満、圧力3MPa以上8MPa未満で行われることが好ましい。これにより、第1の合金粒子と第2の金属粒子間、および/または、第1の合金粒子と導体パターン(20)を形成する金属との間における金属拡散接合を生じさせることができる。   In the second aspect of the present invention, the batch lamination or sequential lamination by thermal fusion of the wiring boards (100, 300) is preferably performed at a temperature of 200 ° C. or more and less than 260 ° C. and a pressure of 3 MPa or more and less than 8 MPa. Thereby, metal diffusion bonding can be generated between the first alloy particles and the second metal particles and / or between the first alloy particles and the metal forming the conductor pattern (20).

第二の本発明において、熱可塑性樹脂組成物は、260℃以上の結晶融解ピーク温度(Tm)を有する、ポリアリールケトン樹脂および非晶性ポリエーテルイミド樹脂の混合組成物からなるものであることが好ましい。これにより、非鉛半田粒子の融点における熱可塑性樹脂組成物の貯蔵弾性率を10MPa以上5GPa未満とすることができる。   In the second invention, the thermoplastic resin composition is composed of a mixed composition of a polyaryl ketone resin and an amorphous polyetherimide resin having a crystal melting peak temperature (Tm) of 260 ° C. or higher. Is preferred. Thereby, the storage elastic modulus of the thermoplastic resin composition at the melting point of the lead-free solder particles can be 10 MPa or more and less than 5 GPa.

第二の本発明において、熱可塑性樹脂以外からなる配線基板(300)は、ガラスエポキシ基板(FR4基板)、2層ポリイミド基板、擬似2層ポリイミド基板、3層ポリイミド基板、液晶ポリマー(LCP)基板、および、低温焼成セラミック(LTCC)基板からなる群から選ばれる一種以上の配線基板であることが好ましい。これら例示した熱可塑性樹脂組成物以外からなる配線基板(300)は、熱可塑性樹脂組成物からなる絶縁基材(10)を備えた配線基板(100)と交互に重ね合わせて、熱融着により良好に積層することができる。   In the second aspect of the present invention, the wiring substrate (300) made of other than the thermoplastic resin is a glass epoxy substrate (FR4 substrate), a two-layer polyimide substrate, a pseudo two-layer polyimide substrate, a three-layer polyimide substrate, or a liquid crystal polymer (LCP) substrate. And one or more types of wiring substrates selected from the group consisting of low-temperature fired ceramic (LTCC) substrates. A wiring board (300) made of a material other than these exemplified thermoplastic resin compositions is alternately superposed on a wiring board (100) provided with an insulating base material (10) made of a thermoplastic resin composition, and heat-sealed. It can be laminated satisfactorily.

本発明のビアホール充填用導電性ペースト組成物は、通常の印刷手法によってビアホールに充填することができ、鉛を含有していないため環境負荷を低減する点から好ましい。また、非鉛半田粒子の融点が、バインダー成分の硬化温度範囲に含まれるような、非鉛半田粒子およびバインダー成分を使用することによって、半田成分が第2の金属粒子および導体パターンを形成する金属との間において、高度に金属拡散接合する。これにより、本発明のビアホール充填用導電性ペースト組成物を用いた多層配線基板を、そのビアホールの抵抗値を非常に小さいものとすることができると共に、吸湿耐熱性、接続信頼性、およ
び導体接着強度に優れたものとすることができる。
The conductive paste composition for filling via holes of the present invention can be filled in via holes by a normal printing method, and is preferable from the viewpoint of reducing environmental burden because it does not contain lead. Further, by using the lead-free solder particles and the binder component such that the melting point of the lead-free solder particles is included in the curing temperature range of the binder component, the solder component forms the second metal particles and the conductor pattern. Highly metal diffusion bonding between the two. As a result, the multilayer wiring board using the conductive paste composition for filling via holes of the present invention can have a very small resistance value of the via holes, and also has moisture absorption heat resistance, connection reliability, and conductor adhesion. It can be excellent in strength.

本発明によれば、上記構成の導電性ペースト組成物、および、絶縁基材(より好ましくは、この導電性ペースト組成物に含まれる非鉛半田粒子の融点における貯蔵弾性率が特定の範囲である熱可塑性樹脂組成物からなる絶縁基材)を組み合わせて多層配線基板を構成することによって、半田粒子の半田成分が第2の金属粒子および/または導体パターンを形成する金属との間で、高度に金属拡散接合する。これにより、本発明の多層配線基板における、ビアホールの抵抗値をより低下させることができる。また、本発明の多層配線基板を、吸湿耐熱性、接続信頼性、および導体接着強度に優れたものとすることができる。   According to the present invention, the storage elastic modulus at the melting point of the lead-free solder particles contained in the conductive paste composition and the insulating base material (more preferably, the conductive paste composition) is in a specific range. By forming a multilayer wiring board by combining an insulating base material made of a thermoplastic resin composition, the solder component of the solder particles is highly advanced between the second metal particles and / or the metal forming the conductor pattern. Metal diffusion bonding. Thereby, the resistance value of the via hole in the multilayer wiring board of the present invention can be further reduced. Moreover, the multilayer wiring board of the present invention can be excellent in moisture absorption heat resistance, connection reliability, and conductor adhesive strength.

また、本発明の多層配線基板において使用される導電性ペースト組成物は、通常の印刷手法によってビアホールに充填することができ、また、鉛を含有しないため環境負荷が小さく好ましいものである。また、導電性ペースト組成物において、非鉛半田粒子の融点がバインダー成分の硬化温度範囲に含まれるような、非鉛半田粒子およびバインダー成分を組み合わせて使用すれば、半田成分が第2の金属粒子および導体パターンを形成する金属との間で、より高度に金属拡散接合する。これにより、本発明の多層配線基板を、そのビアホールの抵抗値を非常に低くすることができ、また、吸湿耐熱性、接続信頼性、および導体接着強度に極めて優れたものとすることができる。   In addition, the conductive paste composition used in the multilayer wiring board of the present invention can be filled in via holes by a normal printing technique, and since it does not contain lead, it has a low environmental burden and is preferable. Further, in the conductive paste composition, if the lead-free solder particle and the binder component are used in combination such that the melting point of the lead-free solder particle is included in the curing temperature range of the binder component, the solder component becomes the second metal particle. And metal diffusion bonding to a higher degree between the metal forming the conductor pattern. As a result, the resistance value of the via hole can be made extremely low in the multilayer wiring board of the present invention, and the moisture absorption heat resistance, connection reliability, and conductor adhesive strength can be made extremely excellent.

以下本発明を図面に示す実施形態に基づき説明する。
<ビアホール充填用導電性ペースト組成物の用途>
図1に、本発明のビアホール充填用導電性ペースト組成物が使用される多層配線基板200の一般的な製造工程を模式的に示す。図1(a)〜(g)は、熱可塑性樹脂組成物からなる絶縁基材10を備えた配線基板100aを複数枚重ね合わせて、多層配線基板200aを製造する工程を示した図である。また、図1(h)〜(l)は、熱可塑性樹脂組成物からなる絶縁基材10を備えた配線基板100bおよび熱可塑性樹脂組成物以外からなる配線基板300を交互に重ね合わせて、多層配線基板200bを製造する工程を示した図である。本発明のビアホール充填用導電性ペースト組成物40は、これらの工程によって製造される多層配線基板200において、ビアホール30に充填することにより、多層配線基板200において、導体パターン20部を電気的に接続するビアホールを形成するものである。なお、図1に示した工程は、本発明のビアホール充填用導電性ペースト組成物40が使用される多層配線基板200の製法の一例であり、本発明のビアホール充填用導電性ペースト組成物40は、これらの製法により製造される多層配線基板200に限定されず、ビアホール充填用導電性ペースト組成物中の第1の合金粒子の融点より高い温度で加熱することにより熱圧着して積層される他の多層配線基板においても使用することもできる。
Hereinafter, the present invention will be described based on embodiments shown in the drawings.
<Use of conductive paste composition for filling via hole>
FIG. 1 schematically shows a general manufacturing process of a multilayer wiring board 200 in which the conductive paste composition for filling via holes of the present invention is used. FIGS. 1A to 1G are views showing a process of manufacturing a multilayer wiring board 200a by superimposing a plurality of wiring boards 100a provided with an insulating base material 10 made of a thermoplastic resin composition. 1 (h) to 1 (l) show a multilayer structure in which a wiring board 100b provided with an insulating base material 10 made of a thermoplastic resin composition and a wiring board 300 made of a material other than the thermoplastic resin composition are alternately stacked. It is the figure which showed the process of manufacturing the wiring board 200b. The conductive paste composition 40 for filling via holes of the present invention electrically connects 20 parts of the conductor pattern in the multilayer wiring board 200 by filling the via holes 30 in the multilayer wiring board 200 manufactured by these processes. The via hole to be formed is formed. The process shown in FIG. 1 is an example of a method for producing a multilayer wiring board 200 in which the via hole filling conductive paste composition 40 of the present invention is used, and the via hole filling conductive paste composition 40 of the present invention includes: The multilayer wiring board 200 is not limited to the multilayer wiring board 200 manufactured by these manufacturing methods, and is laminated by thermocompression bonding by heating at a temperature higher than the melting point of the first alloy particles in the conductive paste composition for filling via holes. It can also be used in multilayer wiring boards.

<ビアホール充填用導電性ペースト組成物>
本発明のビアホール充填用導電性ペースト組成物は、導電粉末、および、バインダー成分を含むものである。
<Conductive paste composition for via hole filling>
The conductive paste composition for filling via holes of the present invention contains conductive powder and a binder component.

(導電粉末)
本発明において使用する導電粉末は、第1の合金粒子と第2の金属粒子とから構成されるものである。
(Conductive powder)
The conductive powder used in the present invention is composed of first alloy particles and second metal particles.

第1の合金粒子は、180℃以上260℃未満の融点を有する非鉛半田粒子である。このような非鉛半田粒子としては、例えば、Sn−Cu、Sn−Sb、Sn−Ag−Cu、Sn−Ag−Cu−Bi、Sn−Ag−In、Sn−Ag−In−Bi、Sn−Zn、Sn−Zn−Bi、および、Sn−Ag−Biを挙げることができる。これらの非鉛半田粒子は、錫を金属拡散させるという効果において信頼をおけるものである。また、第1の合金粒子としては、これらの非鉛半田粒子の二種以上の混合物を使用することもできる。   The first alloy particles are non-lead solder particles having a melting point of 180 ° C. or higher and lower than 260 ° C. Examples of such lead-free solder particles include Sn—Cu, Sn—Sb, Sn—Ag—Cu, Sn—Ag—Cu—Bi, Sn—Ag—In, Sn—Ag—In—Bi, and Sn—. Zn, Sn-Zn-Bi, and Sn-Ag-Bi can be mentioned. These lead-free solder particles are reliable in the effect of metal diffusion of tin. As the first alloy particles, a mixture of two or more of these non-lead solder particles can also be used.

第2の金属粒子は、Au、Ag、Cuからなる群から選ばれる少なくとも一種以上の金属粒子である。第2の金属粒子は、電気抵抗値が低い金属から形成されている粒子であり、ビアホールの電気伝導性を担うものである。また、第2の金属粒子は、第1の合金粒子に比べて融点が高く、加熱時における導電性ペースト組成物の粘度を保持する役割を有する。   The second metal particles are at least one or more metal particles selected from the group consisting of Au, Ag, and Cu. The second metal particle is a particle formed of a metal having a low electric resistance value, and bears the electric conductivity of the via hole. The second metal particles have a higher melting point than the first alloy particles, and have a role of maintaining the viscosity of the conductive paste composition during heating.

導電粉末における、第1の合金粒子および第2の金属粒子の混合割合は、質量比で、「76/24」以上「90/10」未満である(「第1の合金粒子」/「第2の金属粒子」)。この範囲を超えて、第1の合金粒子の量が多すぎると、基板を加熱積層する際に、導電性ペースト組成物の粘度の低下が大きく、導電性ペースト組成物40がビアホール30から流出してしまうおそれがある。   The mixing ratio of the first alloy particles and the second metal particles in the conductive powder is “76/24” or more and less than “90/10” by mass ratio (“first alloy particles” / “second” Metal particles "). If the amount of the first alloy particles is too large beyond this range, the viscosity of the conductive paste composition is greatly reduced when the substrate is heated and laminated, and the conductive paste composition 40 flows out from the via hole 30. There is a risk that.

第1の合金粒子および第2の金属粒子の平均粒子径は、10μm以下であることが好ましい。第1の合金粒子をこのような粒径とすることによって、導電性ペースト組成物40をビアホール30に充填しやすくなり、また、金属拡散が生じやすくなる。また、第2の金属粒子をこのような粒径とすることによって、基板を加熱積層する際における導電性ペースト組成物の粘度を調整する効果が良好となる。   The average particle diameter of the first alloy particles and the second metal particles is preferably 10 μm or less. By setting the first alloy particles to such a particle size, the conductive paste composition 40 can be easily filled into the via hole 30 and metal diffusion can easily occur. Moreover, the effect which adjusts the viscosity of the electrically conductive paste composition at the time of carrying out heating lamination | stacking of a board | substrate by using a 2nd metal particle as such a particle size becomes favorable.

第1の合金粒子と第2の金属粒子の平均粒径差は、2μm以下であることが好ましい。このように粒径をなるべくそろえることによって、金属拡散接合を生じやすくすることができる。   The average particle size difference between the first alloy particles and the second metal particles is preferably 2 μm or less. By aligning the particle diameters as much as possible, metal diffusion bonding can be easily generated.

(バインダー成分)
本発明において使用するバインダー成分は、下記式(7)で表されるビスアリルナジイミド化合物であり、また少なくとも1個の炭素原子を含む2価の有機基(R)としては、例えば、下記式で表される化合物を挙げることができ、中でも式(7)中のRが、下記式(8)で表されるN−N'−(4,4'−ジフェニルメタン)ジアリルナジイミド又は(9)で表されるN−N'−(m−キシリレン)ジアリルナジイミド化合物であることが好ましい。これらビスアリルナジイミド化合物は、かさ高く比較的強固なアリルノルボルネン骨格を有しているため、融点が低く、汎用溶剤に可溶である。

Figure 2008243391
(ただし、Rは少なくとも1個の炭素原子を含む2価の有機基である。)
Figure 2008243391
Figure 2008243391
(Binder component)
The binder component used in the present invention is a bisallylnadiimide compound represented by the following formula (7), and examples of the divalent organic group (R) containing at least one carbon atom include the following formula: In particular, R in the formula (7) is NN ′-(4,4′-diphenylmethane) diallyldiimide represented by the following formula (8) or (9) It is preferable that it is a NN '-(m-xylylene) diallyl nadiimide compound represented by these. Since these bisallylnadiimide compounds have a bulky and relatively strong allyl norbornene skeleton, they have a low melting point and are soluble in general-purpose solvents.
Figure 2008243391
(However, R is a divalent organic group containing at least one carbon atom.)
Figure 2008243391
Figure 2008243391

式(10)に示すビスアリルナジイミド化合物は、式(11)に示す無水アリルナジック酸と、式(12)に示すジアミンの脱水閉環反応から合成される。   The bisallylnadiimide compound represented by the formula (10) is synthesized from a dehydration ring-closing reaction of allyl nadic acid anhydride represented by the formula (11) and a diamine represented by the formula (12).

Figure 2008243391
Figure 2008243391

バインダー成分であるビスアリルナジイミド化合物は、室温で固化しており、35℃以上100℃未満に融点を有していることが好ましい。これにより、非鉛半田粒子の融点がバインダー成分の硬化温度範囲に含まれるような、非鉛半田粒子およびバインダー成分を組み合わせて使用することが出来て、半田成分が第2の金属粒子および導体パターンを形成する金属との間で、高度に金属拡散接合する。   The bisallylnadiimide compound as a binder component is solidified at room temperature and preferably has a melting point of 35 ° C. or higher and lower than 100 ° C. Accordingly, the lead-free solder particles and the binder component can be used in combination such that the melting point of the lead-free solder particles is included in the curing temperature range of the binder component, and the solder component is the second metal particle and conductor pattern. High-level metal diffusion bonding is performed with the metal forming the metal.

ビスアリルナジイミド化合物の硬化は、アリル基及びノルボルネン骨格中の二重結合の付加反応で進行し、三次元架橋構造を形成する。硬化機構については、式(13)、式(14)に示すようにアリル基のエン反応や、一部マレイミド構造を経由する硬化機構などが知られている。付加型熱硬化性イミドモノマーは、加熱して溶融が始まるとともに200℃程度まで粘度は低下していくが、以降、硬化が始まり、急激に粘度上昇する。   Curing of the bisallylnadiimide compound proceeds by an addition reaction of double bonds in the allyl group and the norbornene skeleton, and forms a three-dimensional crosslinked structure. As for the curing mechanism, as shown in the formulas (13) and (14), an allyl group ene reaction, a curing mechanism partially via a maleimide structure, and the like are known. The addition-type thermosetting imide monomer begins to melt when heated, and the viscosity decreases to about 200 ° C., but thereafter, curing starts and the viscosity increases rapidly.

Figure 2008243391
Figure 2008243391

本発明においては、このようなバインダー成分の三次元架橋による硬化が、半田成分が第2の金属粒子および/または導体パターン20を形成する金属へ金属拡散することを促進し、これにより高度な金属拡散接合が形成されると考えられている。つまり、バインダー成分が硬化する時に、ビアホール30内の第1の合金粒子および第2の金属粒子に圧力がかかり、これにより、半田成分が、金属粒子および導体パターン20を形成する金属へ金属拡散することが促進されると考えられている。   In the present invention, the curing by the three-dimensional crosslinking of the binder component promotes the metal diffusion of the solder component to the metal forming the second metal particles and / or the conductor pattern 20, thereby increasing the level of the metal. It is believed that a diffusion bond is formed. That is, when the binder component is cured, pressure is applied to the first alloy particles and the second metal particles in the via hole 30, whereby the solder component is diffused into the metal that forms the metal particles and the conductor pattern 20. Is believed to be promoted.

バインダー成分の弾性率が、温度によって変化する様子を図2に示す。ビスアリルナジイミド化合物は、かさ高い構造をしたイミドモノマーであり、該モノマーの弾性率は、温度の上昇により小さくなっていく。しかし、120〜180℃において、線状の重合体が形成されることによって、弾性率が急に大きくなる(図2における、「単量体混合物」のグラフから、「架橋後」のグラフとなる。)。その後、線状の重合体は、200℃以上において三次元状に架橋した重合体に変化していくと考えられている。架橋後のグラフは、温度の上昇と共に小さくなる傾向はある。しかし、高温領域においても溶融することなく、一定の弾性率を保っている。   FIG. 2 shows how the elastic modulus of the binder component changes with temperature. A bisallyl nadiimide compound is an imide monomer having a bulky structure, and the elastic modulus of the monomer decreases with increasing temperature. However, when a linear polymer is formed at 120 to 180 ° C., the elastic modulus suddenly increases (from the graph of “monomer mixture” in FIG. 2, the graph after “crosslinking” is obtained). .) Thereafter, the linear polymer is considered to change into a three-dimensionally crosslinked polymer at 200 ° C. or higher. The graph after crosslinking tends to decrease with increasing temperature. However, a constant elastic modulus is maintained without melting even in a high temperature region.

このように、180〜260℃において非鉛半田粒子が融解した時に、バインダー成分は硬化反応することにより、一定の弾性率を保持する。このように、融解した非鉛半田粒子に対して、バインダーが硬化することによる圧力がかかり、これにより本発明のビアホール充填用導電性ペースト組成物40において、金属拡散接合が生じると考えられる。そして、本発明の導電性ペースト組成物40を用いた多層配線基板200は、そのビアホールの抵抗値が非常に低いものとなり、吸湿耐熱性、接続信頼性、および、導体接着強度に優れたものになると考えられる。   Thus, when the lead-free solder particles are melted at 180 to 260 ° C., the binder component undergoes a curing reaction to maintain a certain elastic modulus. As described above, it is considered that a metal diffusion bonding occurs in the conductive paste composition 40 for filling a via hole according to the present invention by applying pressure to the melted lead-free solder particles due to curing of the binder. And the multilayer wiring board 200 using the conductive paste composition 40 of the present invention has a very low resistance value of the via hole, and has excellent moisture absorption heat resistance, connection reliability, and conductor adhesive strength. It is considered to be.

このような観点から、半田粒子が溶解した段階で、バインダー成分が硬化していることが好ましく、非鉛半田粒子の融点が、バインダー成分の硬化温度範囲に含まれていることが好ましい。これに対して、バインダー成分の硬化温度範囲に比べて、非鉛半田粒子の融点が高すぎる場合は、バインダー成分が硬化する段階において、非鉛半田粒子は未だ融解していないため、金属拡散が促進されなかったり、バインダー成分の硬化温度範囲に比べて、非鉛半田粒子の融点が低すぎる場合は、溶解した半田成分がビアホールからはみ出したりしてしまうおそれがある。   From such a viewpoint, it is preferable that the binder component is cured when the solder particles are dissolved, and the melting point of the lead-free solder particles is preferably included in the curing temperature range of the binder component. On the other hand, when the melting point of the lead-free solder particles is too high compared to the curing temperature range of the binder component, the lead-free solder particles are not yet melted at the stage where the binder component is cured. If the melting point of the lead-free solder particles is too low as compared with the curing temperature range of the binder component, the dissolved solder component may protrude from the via hole.

なお、バインダー成分の硬化温度範囲は、昇温速度10℃/分における示差走査熱量測定(DSC)により測定した発熱ピークの発生温度により、測定した。   In addition, the curing temperature range of the binder component was measured by the generation temperature of an exothermic peak measured by differential scanning calorimetry (DSC) at a temperature rising rate of 10 ° C./min.

上記したように、本発明のビアホール充填用導電性ペースト組成物40は、導電粉末およびバインダー成分を含有するものであるが、この導電粉末およびバインダー成分の混合比は、質量比で、「90/10」以上「98/2」未満である(「導電性粉末」/「バインダー成分」)。この範囲を超えて、導電性粉末の量が少なすぎるとビアホールに充填した導電性ペーストの電気抵抗値が増加してしまう。また、この範囲を超えて、導電性粉末の量が多すぎると、導電性ペースト組成物40をビアホール30に印刷充填する作業性が悪化し、また、導電性ペースト組成物40と導体パターン20部との接着強度が低下してしまう。   As described above, the conductive paste composition 40 for filling a via hole of the present invention contains a conductive powder and a binder component. The mixing ratio of the conductive powder and the binder component is “90 / 10 "or more and less than" 98/2 "(" conductive powder "/" binder component "). If the amount of the conductive powder is too small beyond this range, the electrical resistance value of the conductive paste filled in the via hole will increase. If the amount of the conductive powder is too large beyond this range, the workability of printing and filling the conductive paste composition 40 into the via hole 30 is deteriorated, and the conductive paste composition 40 and 20 parts of the conductive pattern are also obtained. And the adhesive strength will decrease.

<熱可塑性樹脂組成物からなる絶縁基材10>
熱可塑性樹脂組成物からなる絶縁基材10を形成する熱可塑性樹脂組成物としては、260℃以上の結晶融解ピーク温度(Tm)を有する、ポリアリールケトン樹脂および非晶性ポリエーテルイミド樹脂の混合組成物を用いることが好ましい。なお、ポリアリールケトン樹脂および非晶性ポリエーテルイミド樹脂は相溶系であり、これらの混合組成物は一つの結晶融解ピーク温度を有する。つまり、上記においては、ポリアリールケトン樹脂および非晶性ポリエーテルイミド樹脂の混合組成物が示す一つの結晶融解温度が260℃以上であることを意味している。
<Insulating base material 10 made of thermoplastic resin composition>
The thermoplastic resin composition forming the insulating substrate 10 made of a thermoplastic resin composition is a mixture of a polyaryl ketone resin and an amorphous polyetherimide resin having a crystal melting peak temperature (Tm) of 260 ° C. or higher. It is preferable to use a composition. Note that the polyaryl ketone resin and the amorphous polyetherimide resin are compatible systems, and these mixed compositions have one crystal melting peak temperature. That is, in the above, it means that one crystal melting temperature of the mixed composition of the polyaryl ketone resin and the amorphous polyetherimide resin is 260 ° C. or higher.

このポリアリールケトン樹脂は、その構造単位に芳香核結合、エーテル結合およびケトン結合を含む熱可塑性樹脂であり、その代表例としては、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルケトンケトン等があり、なかでも、ポリエーテルエーテルケトンが好ましい。なお、ポリエーテルエーテルケトンは、「PEEK151G」、「PEEK381G」、「PEEK450G」(いずれもVICTREX社の商品名)等として市販されている。   This polyaryl ketone resin is a thermoplastic resin having an aromatic nucleus bond, an ether bond and a ketone bond in its structural unit, and representative examples include polyether ketone, polyether ether ketone, polyether ketone ketone, etc. Of these, polyetheretherketone is preferred. Polyether ether ketone is commercially available as “PEEK151G”, “PEEK381G”, “PEEK450G” (all are trade names of VICTREX), and the like.

また、非晶性ポリエーテルイミド樹脂は、その構造単位に芳香核結合、エーテル結合およびイミド結合を含む非晶性熱可塑性樹脂であり、特に制限されるものではない。なお、ポリエーテルイミドは、「Ultem CRS5001」、「Ultem 1000」(いずれもゼネラルエレクトリック社の商品名)等として市販されている。   The amorphous polyetherimide resin is an amorphous thermoplastic resin containing an aromatic nucleus bond, an ether bond and an imide bond in the structural unit, and is not particularly limited. Polyetherimide is commercially available as “Ultem CRS 5001”, “Ultem 1000” (both are trade names of General Electric).

ポリアリールケトン樹脂および非晶性ポリエーテルイミド樹脂の混合割合としては、積層する他の配線基板100、300との密着性を考慮した場合、ポリアリールケトン樹脂を30質量%以上かつ70質量%以下含有し、残部を非晶性ポリエーテルイミド樹脂および不可避不純物とした混合組成物を用いることが好ましい。ここで、ポリアリールケトン樹脂の含有率を30質量%以上かつ70質量%以下と限定した理由は、ポリアリールケトン樹脂の含有率が高すぎると、熱可塑性樹脂組成物の結晶性が高いために多層化する際の積層性が低下するからであり、また、ポリアリールケトン樹脂の含有率が低すぎると、熱
可塑性樹脂組成物全体としての結晶性自体が低くなり、結晶融解ピーク温度が260℃以上であってもリフロー耐熱性が低下するからである。
The mixing ratio of the polyaryl ketone resin and the amorphous polyetherimide resin is 30% by mass or more and 70% by mass or less of the polyaryl ketone resin in consideration of adhesion to other wiring substrates 100 and 300 to be laminated. It is preferable to use a mixed composition containing an amorphous polyetherimide resin and inevitable impurities. Here, the reason why the content of the polyaryl ketone resin is limited to 30% by mass or more and 70% by mass or less is that when the content of the polyaryl ketone resin is too high, the crystallinity of the thermoplastic resin composition is high. This is because the lamination property at the time of multilayering is lowered, and if the content of the polyaryl ketone resin is too low, the crystallinity itself of the thermoplastic resin composition as a whole is lowered, and the crystal melting peak temperature is 260 ° C. It is because reflow heat resistance falls even if it is above.

この熱可塑性樹脂組成物は無機充填材を含有していてもよい。無機充填材としては、特に制限はなく、公知のいかなるものも使用できる。例えば、タルク、マイカ、雲母、ガラスフレーク、窒化ホウ素(BN)、板状炭酸カルシウム、板状水酸化アルミニウム、板状シリカ、板状チタン酸カリウム等が挙げられる。これらは1種類を単独で添加してもよく、2種類以上を組み合わせて添加してもよい。特に、平均粒径が15μm以下、アスペクト比(粒径/厚み)が30以上の鱗片状の無機充填材が、平面方向と厚み方向の線膨張係数比を低く抑えることができ、熱衝撃サイクル試験時の基板内のクラック発生を抑制することができるので、好ましい。   This thermoplastic resin composition may contain an inorganic filler. There is no restriction | limiting in particular as an inorganic filler, Any well-known thing can be used. Examples include talc, mica, mica, glass flake, boron nitride (BN), plate calcium carbonate, plate aluminum hydroxide, plate silica, plate potassium titanate and the like. These may be added singly or in combination of two or more. In particular, a scale-like inorganic filler having an average particle size of 15 μm or less and an aspect ratio (particle size / thickness) of 30 or more can keep the linear expansion coefficient ratio in the plane direction and the thickness direction low, and the thermal shock cycle test. This is preferable because generation of cracks in the substrate at the time can be suppressed.

この無機充填材を含有する場合は、熱可塑性樹脂100質量部に対して20質量部以上かつ50質量部以下が好ましい。無機充填材の含有量が多すぎると、無機充填材の分散不良の問題が発生し、線膨張係数がばらつき易くなったり、強度低下を招き易くなったりするからである。また、無機充填材の含有量が20質量部以上であれば、線膨張係数を低下させて、寸法安定性を向上させる効果が大きく、リフロー工程において他の配線基板300や導電パターン20との線膨張係数差に起因する内部応力が発生し、基板にそりやねじれが発生する問題がない。   When it contains this inorganic filler, 20 to 50 mass parts is preferable with respect to 100 mass parts of thermoplastic resins. This is because if the content of the inorganic filler is too large, a problem of poor dispersion of the inorganic filler occurs, and the coefficient of linear expansion tends to vary or the strength tends to decrease. Further, if the content of the inorganic filler is 20 parts by mass or more, the effect of reducing the linear expansion coefficient and improving the dimensional stability is great, and the line with another wiring substrate 300 or the conductive pattern 20 is reflowed. There is no problem that internal stress is generated due to the difference in expansion coefficient and the substrate is warped or twisted.

また、熱可塑性樹脂組成物は、その性質を損なわない程度に、他の樹脂や無機充填材以外の各種添加剤、例えば、安定剤、紫外線吸収剤、光安定剤、核剤、着色剤、滑剤、難燃剤等を適宜含有していてもよい。これら無機充填材を含めた各種添加剤を添加する方法としては、公知の方法、例えば下記に挙げる方法(a)、(b)を用いることができる。   In addition, the thermoplastic resin composition has various additives other than other resins and inorganic fillers, such as a stabilizer, an ultraviolet absorber, a light stabilizer, a nucleating agent, a colorant, and a lubricant, to the extent that the properties are not impaired. In addition, flame retardants and the like may be appropriately contained. As a method of adding various additives including these inorganic fillers, a known method, for example, the following methods (a) and (b) can be used.

(a)各種添加剤を、ポリアリールケトン樹脂および/または非晶性ポリエーテルイミド樹脂の基材(ベース樹脂)に高濃度(代表的な含有量としては10〜60質量%程度)に混合したマスターバッチを別途作製しておき、これを使用する樹脂に濃度を調整して混合し、ニーダーや押出機等を用いて機械的にブレンドする方法。(b)使用する樹脂に直接各種添加剤をニーダーや押出機等を用いて機械的にブレンドする方法。これらの方法の中では、(a)の方法が分散性や作業性の点から好ましい。さらに、熱可塑性樹脂組成物からなる絶縁基材10の表面には積層性を向上させる目的でコロナ処理、プラズマ処理、プライマー処理等を適宜施しても構わない。   (A) Various additives were mixed with a polyaryl ketone resin and / or an amorphous polyetherimide resin base material (base resin) at a high concentration (typically about 10 to 60% by mass). A method of preparing a master batch separately, adjusting the concentration of the master batch and mixing it with resin, and mechanically blending it using a kneader or an extruder. (B) A method in which various additives are mechanically blended directly with a resin to be used using a kneader or an extruder. Among these methods, the method (a) is preferable from the viewpoint of dispersibility and workability. Further, the surface of the insulating base material 10 made of the thermoplastic resin composition may be appropriately subjected to corona treatment, plasma treatment, primer treatment, etc. for the purpose of improving the lamination property.

<熱可塑性樹脂組成物からなる絶縁基材10を備えた配線基板100aの製造方法>
図1(a)〜(e)に、単層の配線基板100aを製造する工程を示した。まず、図1(a)に示すように、熱可塑性樹脂組成物からなる絶縁基材10を用意する。絶縁基材10は、フィルム、薄板状またはシート状が好ましく、成形方法としては、公知の方法、例えばTダイを用いる押出キャスト法、あるいはカレンダー法等を採用することができ、特に限定されるものではないが、シートの製膜性や安定生産性等の点から、Tダイを用いる押出キャスト法が好ましい。Tダイを用いる押出キャスト法での成形温度は、用いる樹脂の流動特性や製膜性等によって適宜調整されるが、概ね、260℃以上の結晶融解ピーク
温度を有する、ポリアリールケトン樹脂および非晶性ポリエーテルイミド樹脂の混合組成物の場合、360〜400℃である。また、押出キャスト製膜時に急冷製膜することにより非晶性フィルム化することが必要である。これにより、170〜230℃付近に弾性率が低下する領域を発現するので、この温度領域での熱成形、熱融着が可能となる。詳細には、170℃付近で弾性率が低下し始め、200℃付近において熱成形、熱融着が可能となる。また、図3に示したグラフは、昇温速度を3℃/分として弾性率を測定したものであるが、昇温速度を10℃/分とすると、非晶から結晶への転移が遅れて、230℃付近
において弾性率がもっとも低くなる。
<The manufacturing method of the wiring board 100a provided with the insulating base material 10 which consists of a thermoplastic resin composition>
1A to 1E show a process for manufacturing a single-layer wiring board 100a. First, as shown to Fig.1 (a), the insulating base material 10 which consists of a thermoplastic resin composition is prepared. The insulating substrate 10 is preferably in the form of a film, a thin plate or a sheet. As a forming method, a known method such as an extrusion casting method using a T die or a calendar method can be adopted, and the method is particularly limited. However, an extrusion casting method using a T-die is preferable from the viewpoints of sheet formability and stable productivity. The molding temperature in the extrusion casting method using a T-die is appropriately adjusted depending on the flow characteristics and film-forming properties of the resin used, but is generally polyaryl ketone resin and amorphous having a crystal melting peak temperature of 260 ° C. or higher. In the case of a mixed composition of a conductive polyetherimide resin, the temperature is 360 to 400 ° C. In addition, it is necessary to form an amorphous film by rapidly forming a film during extrusion casting. Thereby, since the area | region where an elasticity modulus falls in 170-230 degreeC vicinity is expressed, thermoforming and heat fusion in this temperature range are attained. Specifically, the elastic modulus starts to decrease at around 170 ° C., and thermoforming and heat fusion are possible at around 200 ° C. The graph shown in FIG. 3 is obtained by measuring the elastic modulus at a temperature rising rate of 3 ° C./min. When the temperature rising rate is 10 ° C./min, the transition from amorphous to crystalline is delayed. In the vicinity of 230 ° C., the elastic modulus is the lowest.

次いで、図1(b)に示すように、熱可塑性樹脂組成物からなる絶縁基材10の表面に金属箔が貼り付けられる。上記したように熱可塑性樹脂組成物からなる絶縁基材10は非晶性の状態であるため、熱可塑性樹脂の結晶化が大きく進行しないガラス転移温度の少し上の温度での比較的短時間での熱圧着により、絶縁基材の結晶化を進行させずに金属箔を貼り付けることができる。また、絶縁基材10を製膜する際に銅箔を同時にラミネートして図1(b)の段階にしても良い。   Subsequently, as shown in FIG.1 (b), metal foil is affixed on the surface of the insulating base material 10 which consists of a thermoplastic resin composition. As described above, since the insulating base material 10 made of the thermoplastic resin composition is in an amorphous state, the crystallization of the thermoplastic resin does not proceed greatly, and it takes a relatively short time at a temperature slightly above the glass transition temperature. Thus, the metal foil can be attached without causing crystallization of the insulating base material. Further, when forming the insulating base material 10, a copper foil may be laminated at the same time as shown in FIG.

次いで、図1(c)に示すように、絶縁基材10の所定位置に、レーザー若しくは機械ドリル等を用いてビアホール30が形成される。次いで、図1(d)に示すように、金属箔の表面にレジストを回路パターン状に塗布して、エッチング、レジスト除去する等の通常の方法により、導体パターン20が形成される。なお、ビアホールを形成してから、銅箔を貼り付けて、導体パターン20を形成してもよいし、導体パターン20を形成してから、ビアホールを形成してもよく、各手順の順序は特に限定されない。次いで、ビアホール30に、スクリーン印刷等の通常の印刷手法によって、導電性ペースト組成物40が充
填され、図1(e)に示すような単層の配線基板100aが作製される。
Next, as shown in FIG. 1C, a via hole 30 is formed at a predetermined position of the insulating base 10 using a laser or a mechanical drill. Next, as shown in FIG. 1D, a conductor pattern 20 is formed by a normal method such as applying a resist to the surface of the metal foil in a circuit pattern, etching, and removing the resist. In addition, after forming a via hole, a copper foil may be affixed and the conductor pattern 20 may be formed, and after forming the conductor pattern 20, a via hole may be formed. It is not limited. Next, the conductive paste composition 40 is filled into the via hole 30 by a normal printing method such as screen printing, and a single-layer wiring board 100a as shown in FIG.

<熱可塑性樹脂組成物からなる絶縁基材10の温度に対する弾性率の挙動>
ここで、熱可塑性樹脂組成物からなる絶縁基材10の温度に対する弾性率の挙動について説明する。熱可塑性樹脂組成物として、260℃以上の結晶融解ピーク温度(Tm)を有する、ポリアリールケトン樹脂および非晶性ポリエーテルイミド樹脂の混合組成物であって、特に、ポリアリールケトン樹脂としてポリエーテルエーテルケトンを使用した場合における絶縁基材10の、温度に対する弾性率の挙動を図3に示した。
<Behavior of elastic modulus with respect to temperature of insulating substrate 10 made of thermoplastic resin composition>
Here, the behavior of the elastic modulus with respect to the temperature of the insulating substrate 10 made of the thermoplastic resin composition will be described. As a thermoplastic resin composition, a mixed composition of a polyaryl ketone resin and an amorphous polyetherimide resin having a crystal melting peak temperature (Tm) of 260 ° C. or higher, particularly a polyether as a polyaryl ketone resin The behavior of the elastic modulus with respect to temperature of the insulating base material 10 when ether ketone is used is shown in FIG.

「積層前」と表示されているのが、多層配線基板200として積層する前における、絶縁基材10の温度に対する弾性率の挙動を示したグラフである。また、「積層後」と表示されているのが、所定の条件において加熱・加圧することによって多層配線基板200とした後における、絶縁基材10の温度に対する弾性率の挙動を示したグラフである。積層前の状態では、上記したように、絶縁基材10は急冷製膜することにより非晶性フィルム化されている。よって、200℃付近という比較的低温領域において弾性率が十分に低下する。これにより、積層前の絶縁基材10は、比較的低温において熱成形、熱融着することができる。   “Before lamination” is a graph showing the behavior of the elastic modulus with respect to the temperature of the insulating base material 10 before lamination as the multilayer wiring board 200. Also, “after lamination” is displayed as a graph showing the behavior of the elastic modulus with respect to the temperature of the insulating base material 10 after the multilayer wiring board 200 is formed by heating and pressurizing under predetermined conditions. . In the state before lamination, as described above, the insulating base material 10 is formed into an amorphous film by rapid cooling. Therefore, the elastic modulus is sufficiently lowered in a relatively low temperature region of around 200 ° C. Thereby, the insulating base material 10 before lamination can be thermoformed and heat-sealed at a relatively low temperature.

非晶性フィルム化されている絶縁基材10は、多層配線基材200を製造する際における所定の条件下での加熱・加圧成形によって、結晶性へと変化する。これに伴って絶縁基材10の弾性率は大きく変化して、図3における積層後のグラフで示されるような挙動を示すようになる。これにより、以下に説明するように金属拡散接合を促進するという効果を発揮して、多層配線基板200を、そのビアホールの抵抗値を非常に小さくすることができると共に、吸湿耐熱性、接続信頼性、および導体接着力に優れたものとすることができると考えられている。   The insulating base material 10 formed into an amorphous film changes to crystallinity by heating and pressure molding under predetermined conditions when the multilayer wiring base material 200 is manufactured. Along with this, the elastic modulus of the insulating base material 10 is greatly changed to behave as shown in the graph after lamination in FIG. As a result, the effect of promoting metal diffusion bonding is demonstrated as will be described below, and the resistance value of the via hole of the multilayer wiring board 200 can be made extremely small, as well as moisture absorption heat resistance and connection reliability. In addition, it is considered that the adhesive strength of the conductor can be excellent.

次に、どのように金属拡散接合が促進されるかについて説明する。ここで、導電性ペースト組成物40中の非鉛半田粒子と熱可塑性樹脂組成物からなる絶縁基材10との関係が重要であり、非鉛半田粒子の融点における、熱可塑性樹脂組成物の貯蔵弾性率は、10MPa以上5GPa未満であることが好ましい。なお、熱可塑性樹脂組成物からなる絶縁基材10を形成する熱可塑性樹脂組成物として、上記した好ましい形態である、ポリエーテルエーテルケトンおよび非晶性ポリエーテルイミドの混合組成物を使用した場合は、図3に示すように、180℃以上260℃未満という非鉛半田粒子の融点における、熱可塑性樹脂組成物の貯蔵弾性率は、10MPa以上5GPa未満となっている。なお、熱可塑性樹脂組成物の貯蔵弾性率は、粘弾性評価装置を用い、測定周波数1Hzで昇温速度3℃/分で測定した値である。   Next, how metal diffusion bonding is promoted will be described. Here, the relationship between the lead-free solder particles in the conductive paste composition 40 and the insulating substrate 10 made of the thermoplastic resin composition is important, and storage of the thermoplastic resin composition at the melting point of the lead-free solder particles. The elastic modulus is preferably 10 MPa or more and less than 5 GPa. In addition, when the mixed composition of polyether ether ketone and amorphous polyether imide, which is the above-described preferred form, is used as the thermoplastic resin composition forming the insulating base material 10 made of the thermoplastic resin composition. As shown in FIG. 3, the storage elastic modulus of the thermoplastic resin composition at the melting point of the lead-free solder particles of 180 ° C. or higher and lower than 260 ° C. is 10 MPa or higher and lower than 5 GPa. The storage elastic modulus of the thermoplastic resin composition is a value measured using a viscoelasticity evaluation apparatus at a measurement frequency of 1 Hz and a temperature increase rate of 3 ° C./min.

上記のように非鉛半田粒子の融点において、熱可塑性樹脂組成物が10MPa以上5GPa未満の貯蔵弾性率を有するものとすることは、非鉛半田粒子の融点において、熱可塑性樹脂組成物にある程度の柔軟性を持たせると共に、溶融せずにある程度の弾性率を保持させていることを意味している。   As described above, the thermoplastic resin composition has a storage elastic modulus of 10 MPa or more and less than 5 GPa at the melting point of the lead-free solder particles. It means that a certain degree of elastic modulus is maintained without being melted while having flexibility.

このように、非鉛半田粒子の融点において、熱可塑性樹脂組成物にある程度の柔軟性を持たせることによって、導電性ペースト組成物40と熱可塑性樹脂組成物とが相互になじむことができ、導電性ペースト組成物40と熱可塑性樹脂組成物からなる絶縁基材10との接着性が向上する。また、非鉛半田粒子の融点において、熱可塑性樹脂組成物が溶融せずに、ある程度の弾性率を保持することによって、配線基板100を熱融着により積層する際に、導電性ペースト組成物40をビアホールの側面である熱可塑性樹脂組成物により締め付けることができ、導電性ペースト組成物40に圧力をかけることができる。これに
より、非鉛半田粒子中の錫成分が第2の金属粒子および/または導体パターン20を形成する金属中に拡散し、金属拡散接合を形成させることができると考えられる。
Thus, by giving the thermoplastic resin composition a certain degree of flexibility at the melting point of the lead-free solder particles, the conductive paste composition 40 and the thermoplastic resin composition can be compatible with each other, and the conductive Adhesiveness between the insulating paste composition 40 and the insulating substrate 10 made of the thermoplastic resin composition is improved. In addition, when the wiring substrate 100 is laminated by thermal fusion, the conductive paste composition 40 is maintained by maintaining a certain degree of elastic modulus without melting the thermoplastic resin composition at the melting point of the lead-free solder particles. Can be clamped by the thermoplastic resin composition which is the side surface of the via hole, and pressure can be applied to the conductive paste composition 40. Thereby, it is considered that the tin component in the lead-free solder particles can diffuse into the metal forming the second metal particles and / or the conductor pattern 20 to form a metal diffusion bonding.

<熱可塑性樹脂組成物以外からなる配線基板300>
熱可塑性樹脂組成物以外からなる配線基板300としては、ガラスエポキシ基板(FR4基板)、2層ポリイミド基板、擬似2層ポリイミド基板、3層ポリイミド基板、LCP(液晶ポリマー)基板、LTCC(低温焼成セラミック)基板を使用することができる。これらの配線基板300は、二種以上を併せて積層して多層基板200を形成してもよい。
<Wiring board 300 made of a material other than the thermoplastic resin composition>
The wiring substrate 300 made of a material other than the thermoplastic resin composition includes a glass epoxy substrate (FR4 substrate), a two-layer polyimide substrate, a pseudo two-layer polyimide substrate, a three-layer polyimide substrate, an LCP (liquid crystal polymer) substrate, and an LTCC (low temperature fired ceramic). ) A substrate can be used. Two or more of these wiring boards 300 may be laminated together to form the multilayer board 200.

ガラスエポキシ基板(FR4基板)の製造方法について説明する。まず、ガラスクロスに熱硬化性樹脂を含浸させ半硬化状態(Bステージ化)とした絶縁基材(プリブレグ)を用意する。次いで、絶縁基材の所定位置に、レーザー若しくは機械ドリル等を用いて絶縁基材を貫通する貫通孔を形成し、これをビアホールとする。次いで、スクリーン印刷等によりビアホール内に導電性ペーストを充填する。そして、必要により、加熱して溶剤を揮発させて導電性ペーストを固化させる。配線基板300に用いられる導電性ペーストとしては、特に限定されず、ビアホール充填用に使用される一般的な導電性ペーストを使用することができる。また、配線基板300に用いられる導電性ペーストとして、配線基材100において使用する導電性ペースト組成物40を使用することもできる。次いで、必要に応じて、絶縁基材の表面上にはみ出した導電性ペーストの乾燥固化物を機械的研磨等により除去して、そして、絶縁基材の一方の面あるいは両方の面に、銅箔を熱圧着すると同時に絶縁基材を完全に硬化する(Cステージ化)。次いで、銅箔をエッチングによりパターニングし、導体パターンを形成する。以上より、ガラスエポキシ基板を使用した熱可塑性樹脂組成物以外からなる配線基板300を製造することができる。   A method for manufacturing a glass epoxy substrate (FR4 substrate) will be described. First, an insulating base material (prepreg) in which a glass cloth is impregnated with a thermosetting resin to form a semi-cured state (B stage) is prepared. Next, a through-hole penetrating the insulating base material is formed at a predetermined position of the insulating base material using a laser or a mechanical drill, and this is used as a via hole. Next, a conductive paste is filled into the via hole by screen printing or the like. Then, if necessary, the conductive paste is solidified by heating to volatilize the solvent. The conductive paste used for the wiring substrate 300 is not particularly limited, and a general conductive paste used for filling via holes can be used. Moreover, the conductive paste composition 40 used in the wiring base material 100 can also be used as the conductive paste used for the wiring board 300. Next, if necessary, the dried and solidified product of the conductive paste protruding on the surface of the insulating base material is removed by mechanical polishing or the like, and copper foil is applied to one or both surfaces of the insulating base material. The insulating substrate is completely cured simultaneously with thermocompression bonding (C-stage). Next, the copper foil is patterned by etching to form a conductor pattern. From the above, it is possible to manufacture the wiring substrate 300 made of a material other than the thermoplastic resin composition using the glass epoxy substrate.

上記したエポキシ樹脂の「Bステージ」とは、樹脂、硬化剤を混合した場合において、反応がある程度進み、半硬化(Semi−cure)の状態をいう。この段階では、もはや大部分は溶剤に溶解しないが、加熱すると溶解してさらに反応が進む。また、「Cステージ」とは、反応の最終段階で不溶不融の完全硬化の状態をいう。   The “B stage” of the above-described epoxy resin refers to a semi-cured state in which the reaction proceeds to some extent when a resin and a curing agent are mixed. At this stage, most of it is no longer dissolved in the solvent, but when heated, it dissolves and the reaction proceeds further. The “C stage” refers to a completely cured state that is insoluble and infusible at the final stage of the reaction.

また、液晶ポリマー(LCP)基板の製造方法について説明する。まず、LCPからなる絶縁基板を用意する。LCPとしては、LCPI型(液晶転移温度:350℃)、LCPII型(液晶転移温度:300℃)等を使用することができる。LCPからなる絶縁基材としては、フィルム状、薄板状、またはシート状が好ましい。その成形方法としては、公知の方法、例えばTダイを用いる押出キャスト法、あるいはカレンダー法、インフレーション成形法等が好ましく、特に限定されるものではないが、シートの製膜性や安定生産性等を考慮すると、Tダイを用いる押出キャスト法が好ましい。Tダイを用いる押出キャ
スト法での成形温度は、用いる樹脂の流動性や製膜性等によって適宜調整されるが、概ね、LCPI型樹脂の場合、400〜420℃、LCPII型樹脂の場合、350〜370℃である。製膜時に銅箔を貼り付け、その後、絶縁基材にビアホールを形成し、パターニングして導体パターンを形成することについては、上記したガラスエポキシ基板の製造方法における場合と同様である。
A method for manufacturing a liquid crystal polymer (LCP) substrate will be described. First, an insulating substrate made of LCP is prepared. As the LCP, LCPI type (liquid crystal transition temperature: 350 ° C.), LCP II type (liquid crystal transition temperature: 300 ° C.), or the like can be used. As the insulating substrate made of LCP, a film shape, a thin plate shape, or a sheet shape is preferable. The molding method is preferably a known method, for example, an extrusion casting method using a T die, a calendar method, an inflation molding method, or the like, and is not particularly limited. Considering, an extrusion casting method using a T die is preferable. The molding temperature in the extrusion casting method using a T-die is appropriately adjusted depending on the fluidity and film-forming property of the resin used, but is generally 400 to 420 ° C. for the LCPI type resin and 350 for the LCP II type resin. ~ 370 ° C. The copper foil is affixed at the time of film formation, and then a via hole is formed in the insulating base material and patterned to form a conductor pattern, which is the same as in the above-described method for manufacturing a glass epoxy substrate.

銅箔上にキャスト法や流延法でポリイミド層を形成した2層ポリイミド基板や、ポリイミドフィルムと銅箔間に熱可塑性ポリイミド層を接着層として熱ラミネートした擬似2層ポリイミド基板や、ポリイミドフィルムと銅箔間に熱硬化型の接着剤を用いた3層ポリイミド基板についても、上記したガラスエポキシ基板、LCP基板と同様の製造方法により製造することができる。   A two-layer polyimide substrate in which a polyimide layer is formed on a copper foil by a casting method or a casting method, a pseudo two-layer polyimide substrate in which a thermoplastic polyimide layer is bonded as an adhesive layer between a polyimide film and a copper foil, A three-layer polyimide substrate using a thermosetting adhesive between copper foils can also be manufactured by the same manufacturing method as the above-described glass epoxy substrate and LCP substrate.

LTCC(低温焼成セラミック)基板は、焼成前のLTCC(低温焼成セラミック)基板にビアホールを形成し、ビアホール中にAgペーストを充填し、また表層にもAgペースト配線を施し、焼成して作製した。   The LTCC (low temperature fired ceramic) substrate was produced by forming via holes in an LTCC (low temperature fired ceramic) substrate before firing, filling the via holes with Ag paste, and applying Ag paste wiring to the surface layer and firing.

<多層配線基板200の製造方法>
図1(e)〜(g)に、多層配線基板200aの製造工程を示した。図1(f)に示すように、作製した単層の配線基板100aを複数枚重ね合わせる。図示した形態においては、単層配線基板100aを三つ重ね合わせている。また、最下層の基板をその方向を変えて重ね合わせて、多層基板の外側に導体パターン20が形成されるようにしている。具体的には、図4に示すように、ヒーター内蔵の積層治具50内に下側より弾性および離型性を有するクッションフィルム51、配線基材100aを三つ、その上に、クッションフィルム51を重ねて、その後、押圧治具52を、図中に示した矢印の方向に押し下げることで、三つの配線基材100aに熱圧着を施し、これらを積層一体化して多層配線基板200aとする。各層の積層条件としては、金属拡散接合を効果的に起こらしめる観点から、温度:200℃以上260℃未満、圧力:3MPa以上8MPa未満、プレス時間:10分以上40分未満とすることが好ましい。
<Method for Manufacturing Multilayer Wiring Board 200>
1E to 1G show the manufacturing process of the multilayer wiring board 200a. As shown in FIG. 1F, a plurality of produced single-layer wiring boards 100a are overlapped. In the illustrated form, three single-layer wiring boards 100a are overlaid. In addition, the lowermost substrate is superposed in a different direction so that the conductor pattern 20 is formed outside the multilayer substrate. Specifically, as shown in FIG. 4, the cushioning film 51, which has three cushion films 51 and wiring substrates 100 a having elasticity and releasability from the lower side, are stacked on the laminated jig 50 with a built-in heater. After that, the pressing jig 52 is pressed down in the direction of the arrow shown in the drawing, so that the three wiring substrates 100a are thermocompression bonded, and these are laminated and integrated to form the multilayer wiring board 200a. As the lamination conditions of each layer, from the viewpoint of effectively causing metal diffusion bonding, it is preferable that the temperature is 200 ° C. or more and less than 260 ° C., the pressure is 3 MPa or more and less than 8 MPa, and the press time is 10 minutes or more and less than 40 minutes.

図1(h)〜(l)は、熱可塑性樹脂組成物からなる絶縁基材10を備えた配線基板100b、および、熱可塑性樹脂組成物以外からなる配線基板300を交互に重ね合わせて、多層配線基板200bを製造する工程を示した図である。まず、図1(h)に示すように、熱可塑性樹脂組成物からなる絶縁基材10を用意する。成形方法については、図1(a)の場合と同様である。次いで、図1(i)に示すように、絶縁基材10の所定位置に、レーザー若しくは機械ドリル等を用いてビアホール30が形成される。そして、スクリーン印刷等の通常の印刷手法によって、形成されたビアホール30に導電性ペースト組成物40が充填され、図1(j)に示すような単層の配線基板100bが製造される。   1 (h) to (l) show a multilayer structure in which a wiring board 100b provided with an insulating base material 10 made of a thermoplastic resin composition and a wiring board 300 made of a material other than the thermoplastic resin composition are alternately stacked. It is the figure which showed the process of manufacturing the wiring board 200b. First, as shown in FIG.1 (h), the insulating base material 10 which consists of a thermoplastic resin composition is prepared. The molding method is the same as in the case of FIG. Next, as shown in FIG. 1 (i), a via hole 30 is formed at a predetermined position of the insulating substrate 10 using a laser or a mechanical drill. Then, the formed via hole 30 is filled with the conductive paste composition 40 by a normal printing method such as screen printing, and a single-layer wiring board 100b as shown in FIG. 1 (j) is manufactured.

次いで、図1(k)に示したように、製造した単層の配線基板100bと、この配線基板100bとは異なる熱可塑性樹脂組成物以外からなる配線基板300とを交互に重ね合わせる。図示した形態においては、配線基板100bを真ん中にして、その両側に、熱可塑性樹脂以外からなる配線基板300が配置されている。   Next, as shown in FIG. 1 (k), the manufactured single-layer wiring board 100b and the wiring board 300 made of a material other than the thermoplastic resin composition different from the wiring board 100b are alternately stacked. In the illustrated embodiment, the wiring board 300 made of a material other than the thermoplastic resin is disposed on both sides of the wiring board 100b in the middle.

そして、所定の条件において、各層が熱融着され、図1(l)に示すような多層配線基板200bが作製される。積層方法、積層条件は、上記の図1(g)において示した方法、条件と同様である。   Then, under predetermined conditions, the layers are heat-sealed to produce a multilayer wiring board 200b as shown in FIG. The lamination method and lamination conditions are the same as the method and conditions shown in FIG.

なお、図1(a)〜(g)に示した製造方法においては、単層配線基板100aの片面に導体パターン20を形成しており、また、図1(h)〜(l)に示した製造方法においては、単層配線基板100bに導体パターン20を形成せずに、熱可塑性樹脂組成物以外からなる配線基板300の両面に導体パターン20を形成しているが、製造する多層配線基板200a、200bにおいて所望の位置に導体パターン20が形成されるのであれば、単層配線基板100a、100b、300における導体パターンを形成する箇所は特に限定されず、適宜変更することができる。   In addition, in the manufacturing method shown to Fig.1 (a)-(g), the conductor pattern 20 is formed in the single side | surface of the single layer wiring board 100a, and also shown to FIG.1 (h)-(l). In the manufacturing method, the conductor pattern 20 is formed on both surfaces of the wiring board 300 made of a material other than the thermoplastic resin composition without forming the conductor pattern 20 on the single-layer wiring board 100b, but the multilayer wiring board 200a to be manufactured is formed. As long as the conductor pattern 20 is formed at a desired position in 200b, the position where the conductor pattern is formed in the single-layer wiring boards 100a, 100b, 300 is not particularly limited, and can be changed as appropriate.

<実施例1>
(絶縁基材10の作製)
ポリエーテルエーテルケトン樹脂(PEEK450G、Tm=335℃)40質量%と、非晶性ポリエーテルイミド樹脂(Ultem 1000)60質量%とからなる樹脂混合物100質量部に対して、平均粒径5μm、平均アスペクト比50の合成マイカを39質量部混合して得られた熱可塑性樹脂組成物を溶融混練し、急冷製膜して100μm厚の非晶性フィルムからなる絶縁基材10を作製した。この非晶性フィルムを、示差走査熱量計を用いて10℃/分で昇温させながら測定した時の結晶融解ピーク温度(Tm)は、335℃であった。
<Example 1>
(Preparation of insulating substrate 10)
For 100 parts by mass of a resin mixture composed of 40% by mass of a polyether ether ketone resin (PEEK450G, Tm = 335 ° C.) and 60% by mass of an amorphous polyetherimide resin (Ultem 1000), an average particle diameter of 5 μm and an average A thermoplastic resin composition obtained by mixing 39 parts by mass of synthetic mica having an aspect ratio of 50 was melt-kneaded and rapidly cooled to form an insulating substrate 10 made of an amorphous film having a thickness of 100 μm. The crystal melting peak temperature (Tm) was 335 ° C. when this amorphous film was measured using a differential scanning calorimeter while raising the temperature at 10 ° C./min.

(ビアホール充填用導電性ペースト組成物の作製)
Sn−Ag−Cu合金粒子(平均粒径5.55μm、融点220℃、Sn:Ag:Cu(質量比)=96.5:3:0.5)76質量%およびCu粒子(平均粒径5μm)24質量%の割合で混合した導電粉末97質量部に対して、N−N'−(4,4'−ジフェニルメタン)ジアリルナジイミド3質量部、ならびに溶剤としてターピネオール7.2質量部、を添加して、3本ロールで混練して導電性ペースト組成物を調製した。
(Preparation of conductive paste composition for via hole filling)
Sn-Ag-Cu alloy particles (average particle size 5.55 μm, melting point 220 ° C., Sn: Ag: Cu (mass ratio) = 96.5: 3: 0.5) 76% by mass and Cu particles (average particle size 5 μm) ) To 97 parts by mass of conductive powder mixed at a ratio of 24% by mass, 3 parts by mass of NN ′-(4,4′-diphenylmethane) diallylnadiimide, and 7.2 parts by mass of terpineol as a solvent were added. Then, the conductive paste composition was prepared by kneading with three rolls.

(単層の配線基板100aの作製)
205℃、5MPa、10分間の熱圧着により、12μmの厚みの銅箔を上記で作製した絶縁基材10に貼り付けた。次いで、絶縁基材の所望の位置に、レーザーを使用して絶縁基材を貫通する直径100μmのビアホールを形成した。そして、上記で調製した導電性ペースト組成物を、このビアホールにスクリーン印刷により充填した。充填後、125℃、45分間加熱し、溶剤を揮発させて導電性ペーストを乾燥固化した。その後、フォトリソグラフ法によって、銅箔に導体パターンを形成して、単層の配線基板100aを作製した。
(Production of single-layer wiring board 100a)
A copper foil having a thickness of 12 μm was attached to the insulating base material 10 produced above by thermocompression bonding at 205 ° C., 5 MPa for 10 minutes. Next, a via hole having a diameter of 100 μm penetrating the insulating base material was formed using a laser at a desired position of the insulating base material. Then, the conductive paste composition prepared above was filled in this via hole by screen printing. After filling, the conductive paste was dried and solidified by heating at 125 ° C. for 45 minutes to evaporate the solvent. Thereafter, a conductor pattern was formed on the copper foil by a photolithographic method to produce a single-layer wiring board 100a.

(多層配線基板200aの作製)
上記で得られ単層の配線基板100aを3枚用意し、ビア部の位置が合うように積み重ね、温度230℃、5MPa、30分間、真空プレスすることにより積層して、絶縁基材10が結晶化した層厚0.3mmの3層の多層配線基板200aを作製した。
(Preparation of multilayer wiring board 200a)
Three single-layer wiring boards 100a obtained as described above are prepared, stacked so that the positions of the via portions match, and stacked by vacuum pressing at a temperature of 230 ° C., 5 MPa for 30 minutes, whereby the insulating substrate 10 is crystallized. A three-layer multilayer wiring board 200a having a layer thickness of 0.3 mm was produced.

<実施例2>
実施例1において導電性ペースト組成物中の導電粉末を95質量部、N−N'−(4,4'−ジフェニルメタン)ジアリルナジイミドを5質量部とした以外は、実施例1と同様にして、導電性ペースト組成物を調製し、単層の配線基板100aおよび多層配線基板200aを作製した。
<Example 2>
In Example 1, except that the conductive powder in the conductive paste composition was 95 parts by mass and NN ′-(4,4′-diphenylmethane) diallylnadiimide was 5 parts by mass, the same as in Example 1. A conductive paste composition was prepared, and a single-layer wiring board 100a and a multilayer wiring board 200a were produced.

<実施例3>
実施例1において導電性ペースト組成物中の導電粉末を、Sn−Ag−Cu合金粒子85質量%、Cu粒子15質量%の割合で混合したものとした以外は、実施例1と同様にして、導電性ペースト組成物を調製し、単層の配線基板100aおよび多層配線基板200aを作製した。
<Example 3>
In the same manner as in Example 1 except that the conductive powder in the conductive paste composition in Example 1 was mixed at a ratio of 85% by mass of Sn—Ag—Cu alloy particles and 15% by mass of Cu particles, A conductive paste composition was prepared to produce a single-layer wiring board 100a and a multilayer wiring board 200a.

<実施例4>
(単層の配線基板100bの作製)
実施例1において、絶縁基材10に銅箔を貼り付けない以外は、実施例1と同様にして単層の配線基板100bを作製した。
<Example 4>
(Production of single-layer wiring board 100b)
In Example 1, a single-layer wiring board 100b was produced in the same manner as in Example 1 except that the copper foil was not attached to the insulating base material 10.

(ガラスエポキシ基板(FR4)の作製)
ガラスクロスにエポキシ樹脂組成物を含浸させて、厚さ100μmの半硬化状態(Bステージ)のプリプレグを用意した。このプリプレグの所定の箇所にレーザーによりビアホールを形成し、このビアホールに実施例1において調製した導電性ペースト組成物をスクリーン印刷により充填した。充填後、125℃45分間加熱し、溶剤を揮発させて導電性ペーストを乾燥固化した。そして、プリプレグの両面に12μmの厚さの銅箔を180℃、5MPa、30分間の熱圧着により貼り付け、これと同時にエポキシ樹脂を完全に硬化した(Cステージ)。次いで、フォトリソグラフ法によって、銅箔に導体パターンを形成して、ガラスエポキシ基板を作製した。
(Production of glass epoxy substrate (FR4))
A glass cloth was impregnated with an epoxy resin composition to prepare a semi-cured (B stage) prepreg having a thickness of 100 μm. Via holes were formed by laser at predetermined locations of the prepreg, and the conductive paste composition prepared in Example 1 was filled into the via holes by screen printing. After filling, the conductive paste was dried and solidified by heating at 125 ° C. for 45 minutes to evaporate the solvent. Then, a 12 μm thick copper foil was attached to both surfaces of the prepreg by thermocompression bonding at 180 ° C. and 5 MPa for 30 minutes, and at the same time, the epoxy resin was completely cured (C stage). Next, a conductive pattern was formed on the copper foil by a photolithographic method to produce a glass epoxy substrate.

(多層配線基板200bの作製)
上記で得られ単層の配線基板100bを1枚、および、ガラスエポキシ基板を2枚用意して、これらを交互に、ビア部の位置が合うように積み重ね、温度230℃、5MPa、30分間、真空プレスすることにより積層して、絶縁基材10が結晶化した層厚0.3mmの3層の多層配線基板200bを製造した。
(Preparation of multilayer wiring board 200b)
Prepare one single-layer wiring board 100b obtained above and two glass epoxy boards, and stack them alternately so that the positions of the via portions match, at a temperature of 230 ° C., 5 MPa, 30 minutes, Lamination was performed by vacuum pressing to produce a three-layer multilayer wiring board 200b having a layer thickness of 0.3 mm in which the insulating base material 10 was crystallized.

<実施例5>
実施例4において、ガラスエポキシ基板の代わりに、液晶ポリマー基板を用いた以外は、実施例4と同様にして、多層配線基板200bを製造した。液晶ポリマー基板の製造方法を以下に説明する。
<Example 5>
In Example 4, a multilayer wiring substrate 200b was manufactured in the same manner as in Example 4 except that a liquid crystal polymer substrate was used instead of the glass epoxy substrate. A method for producing a liquid crystal polymer substrate will be described below.

(液晶ポリマー基板の製造方法)
Tダイを用いた押出キャスト法によって、LCPI型を420℃にて押し出すと同時に、12μmの厚さの銅箔を両面に貼り付けた。その後、上記のガラスエポキシ基板における場合と同様にして、ビアホールを形成し、導電性ペースト組成物を充填・乾燥し、導体パターンを形成して、厚さ0.1mmの液晶ポリマー基板を得た。
(Manufacturing method of liquid crystal polymer substrate)
The LCPI mold was extruded at 420 ° C. by an extrusion casting method using a T die, and at the same time, a copper foil having a thickness of 12 μm was attached to both sides. Thereafter, in the same manner as in the above glass epoxy substrate, a via hole was formed, and the conductive paste composition was filled and dried to form a conductor pattern, thereby obtaining a liquid crystal polymer substrate having a thickness of 0.1 mm.

<実施例6>
実施例4において、ガラスエポキシ基板の代わりに、3層ポリイミド基板を用いた以外は、実施例4と同様にして、多層配線基板200bを得た。3層ポリイミド基板の製造方法を以下に説明する。
<Example 6>
In Example 4, a multilayer wiring substrate 200b was obtained in the same manner as in Example 4 except that a three-layer polyimide substrate was used instead of the glass epoxy substrate. A method for producing a three-layer polyimide substrate will be described below.

(3層ポリイミド基板の製造方法)
35μmのポリイミドフィルムの両面に、熱硬化型の接着層を薄くコーティングし、接着層の硬化が進まない程度に乾燥固化させ、この接着層付きポリイミドフィルムの所定の箇所にビアホールを形成し、このビアホールに実施例1において調製した導電性ペースト組成物をスクリーン印刷により充填した。充填後、さらに、接着層の硬化が進まない125℃45分間の条件で加熱乾燥し、溶剤を揮発させて導電性ペーストを乾燥固化した。そして、ビアが形成された接着層付きポリイミドフィルムの両面に12μmの厚さの銅箔を180℃、5MPa、30分間の熱圧着により貼り付け、これと同時にエポキシ樹脂を完全に硬化した(Cステージ)。次いで、フォトリソグラフ法によって、銅箔に導体パターンを形成して、厚さ60μmの3層ポリイミド両面基板を作製した。
(Method for producing a three-layer polyimide substrate)
A thermosetting adhesive layer is thinly coated on both sides of a 35 μm polyimide film, dried and solidified to such an extent that the adhesive layer does not cure, and a via hole is formed in a predetermined portion of the polyimide film with the adhesive layer. The conductive paste composition prepared in Example 1 was filled by screen printing. After filling, the conductive paste was further dried by heating under conditions of 125 ° C. and 45 minutes at which the adhesive layer did not cure, and the solvent was evaporated. Then, a 12 μm thick copper foil was attached to both sides of the polyimide film with an adhesive layer on which vias were formed by thermocompression bonding at 180 ° C. and 5 MPa for 30 minutes, and at the same time, the epoxy resin was completely cured (C stage). ). Next, a conductor pattern was formed on the copper foil by a photolithographic method to produce a three-layer polyimide double-sided substrate having a thickness of 60 μm.

<実施例7>
実施例4において、ガラスエポキシ基板の代わりに、LTCCを用いた以外は、実施例4と同様にして、多層配線基板200bを得た。LTCCの製造方法を以下に説明する。
<Example 7>
In Example 4, a multilayer wiring board 200b was obtained in the same manner as in Example 4 except that LTCC was used instead of the glass epoxy board. The manufacturing method of LTCC is demonstrated below.

(LTCCの製造方法)
焼成前のLTCC(低温焼成セラミック)基板にビアホールを形成し、このビアホール中にAgペーストを充填し、焼成前の基板の表裏層にAgペースト配線を施し、焼成して、LTCC両面基板を作製した。
(Manufacturing method of LTCC)
Via holes are formed in an LTCC (low temperature fired ceramic) substrate before firing, Ag paste is filled into the via holes, Ag paste wiring is applied to the front and back layers of the substrate before firing, and firing is performed to produce an LTCC double-sided substrate. .

<比較例1>
実施例1において導電性ペースト組成物中の導電粉末を98質量部、N−N'−(4,4'−ジフェニルメタン)ジアリルナジイミドを2質量部とした以外は、実施例1と同様にして、導電性ペースト組成物を調製し、単層の配線基板100aおよび多層配線基板200aを作製した。
<Comparative Example 1>
In Example 1, except that the conductive powder in the conductive paste composition was 98 parts by mass and NN ′-(4,4′-diphenylmethane) diallylnadiimide was 2 parts by mass, the same as in Example 1. A conductive paste composition was prepared, and a single-layer wiring board 100a and a multilayer wiring board 200a were produced.

<比較例2>
実施例1において導電性ペースト組成物中の導電粉末を89質量部、N−N'−(4,4'−ジフェニルメタン)ジアリルナジイミドを11質量部とした以外は、実施例1と同様にして、導電性ペースト組成物を調製し、単層の配線基板100aおよび多層配線基板200aを作製した。
<Comparative example 2>
In Example 1, except that the conductive powder in the conductive paste composition was 89 parts by mass and NN ′-(4,4′-diphenylmethane) diallylnadiimide was 11 parts by mass, the same as in Example 1. A conductive paste composition was prepared, and a single-layer wiring board 100a and a multilayer wiring board 200a were produced.

<比較例3>
実施例1において導電性ペースト組成物中の導電粉末を、Sn−Ag−Cu合金粒子75質量%、Cu粒子25質量%の割合で混合したものとした以外は、実施例1と同様にして、導電性ペースト組成物を調製し、単層の配線基板100aおよび多層配線基板200aを作製した。
<Comparative Example 3>
In the same manner as in Example 1 except that the conductive powder in the conductive paste composition in Example 1 was mixed at a ratio of 75% by mass of Sn—Ag—Cu alloy particles and 25% by mass of Cu particles, A conductive paste composition was prepared to produce a single-layer wiring board 100a and a multilayer wiring board 200a.

<比較例4>
実施例1において導電性ペースト組成物中の導電粉末を、Sn−Ag−Cu合金粒子91質量%、Cu粒子9質量%の割合で混合したものとした以外は、実施例1と同様にして、導電性ペースト組成物を調製し、単層の配線基板100aおよび多層配線基板200aを作製した。
<Comparative Example 4>
In the same manner as in Example 1 except that the conductive powder in the conductive paste composition in Example 1 was mixed at a ratio of 91% by mass of Sn—Ag—Cu alloy particles and 9% by mass of Cu particles, A conductive paste composition was prepared to produce a single-layer wiring board 100a and a multilayer wiring board 200a.

<比較例5>
比較のために、特許文献2に記載の導電性ペースト、多層配線基板を作製した。
(導電性ペーストの調製)
銀被覆銅粉末(平均粒径5μm、銀含有量6質量%)60質量%と、Pb−Sn合金(平均粒径10μm、Pb:Sn質量比=38:62、融点=約183℃)40質量%の割合で混合した金属成分96質量部に対して、エポキシ樹脂を4質量部、溶剤として2−オクタノールを2.0質量部添加し、3本ロールで混練して導電性ペーストを調製した。
<Comparative Example 5>
For comparison, a conductive paste and a multilayer wiring board described in Patent Document 2 were produced.
(Preparation of conductive paste)
60% by mass of silver-coated copper powder (average particle size 5 μm, silver content 6% by mass) and Pb—Sn alloy (average particle size 10 μm, Pb: Sn mass ratio = 38: 62, melting point = about 183 ° C.) 40% by mass 4 parts by weight of epoxy resin and 2.0 parts by weight of 2-octanol as a solvent were added to 96 parts by weight of the metal component mixed at a ratio of%, and kneaded with three rolls to prepare a conductive paste.

(多層配線基板の作製)
ポリフェニレンエーテル樹脂40体積%と、シリカを60体積%からなるBステージの絶縁シートに対して、マイクロドリルによって直径が200μmのビアホールを形成し、このビアホール内に前記において調製した導電性ペースト組成物を充填した。そして、導電性ペーストを埋め込んだBステージ状態の絶縁シートの両面に、厚さ12μmの銅箔からなる導体配線層を転写法により前記ビアホール導体の両端を狭持するように貼りあわせた後、200℃、1時間の条件にて熱処理を施した。次いで、フォトリソグラフ法によって、銅箔に導体パターンを形成して、単層基板を作製した。この単層基板4枚を、ビア部
の位置が合うように積み重ねて、温度200℃、5MPa、30分間、真空プレスすることにより積層し、4層の多層配線基板を製造した。
(Production of multilayer wiring board)
A via hole having a diameter of 200 μm was formed by microdrilling on a B-stage insulating sheet comprising 40% by volume of polyphenylene ether resin and 60% by volume of silica, and the conductive paste composition prepared above was formed in the via hole. Filled. Then, a conductive wiring layer made of a copper foil having a thickness of 12 μm is bonded to both sides of the B-stage insulating sheet embedded with the conductive paste so as to sandwich both ends of the via-hole conductor by a transfer method, and then 200 Heat treatment was performed at 1 ° C. for 1 hour. Next, a conductor pattern was formed on the copper foil by a photolithographic method to produce a single layer substrate. The four single-layer substrates were stacked so that the positions of the via portions were aligned and laminated by vacuum pressing at a temperature of 200 ° C. and 5 MPa for 30 minutes to produce a four-layer multilayer wiring substrate.

<比較例6>
(圧接ペーストの作製)
Ag粒子(平均粒径5μm)90質量部に対して、バインダー10質量部、溶剤としてγブチロラクトン7質量部、を添加して、3本ロールで混練して導電性ペースト組成物を調製した。なお、バインダーとしては、実施例1で使用したN−N'−(4,4'−ジフェニルメタン)ジアリルナジイミドを使用した。
<Comparative Example 6>
(Preparation of pressure contact paste)
A conductive paste composition was prepared by adding 10 parts by weight of a binder and 7 parts by weight of γ-butyrolactone as a solvent to 90 parts by weight of Ag particles (average particle size 5 μm) and kneading them with three rolls. As the binder, NN ′-(4,4′-diphenylmethane) diallyl nadiimide used in Example 1 was used.

(多層配線基板の作製)
上記の圧接ペーストを使用して、実施例1と同様にして単層の配線基板100a、多層配線基板200aを作製した。
(Production of multilayer wiring board)
Using the above-mentioned pressure contact paste, a single-layer wiring board 100a and a multilayer wiring board 200a were produced in the same manner as in Example 1.

<評価方法>
上記で作製した多層配線基板に対して、以下の評価を行った。それぞれの評価結果を表1に示す。
(ビア断面の外観)
得られた多層配線基板のビア部について、断面SEM観察を行い、以下の基準により評価した。
○:金属粒子が見あたらない。充填欠陥がない。
×:金属粒子が確認できる。または、金属粒子は見あたらないが充填欠陥が存在する。
<Evaluation method>
The following evaluation was performed on the multilayer wiring board produced above. Each evaluation result is shown in Table 1.
(Appearance of via cross section)
The via portion of the obtained multilayer wiring board was subjected to cross-sectional SEM observation and evaluated according to the following criteria.
○: Metal particles are not found. There are no filling defects.
X: Metal particles can be confirmed. Or, metal particles are not found, but there are filling defects.

(吸湿耐熱性)
得られた多層配線基板を、125℃で4時間乾燥する。そして、30℃、湿度85%の恒温恒湿槽に96時間おいて、その後、ピーク温度250℃のリフロー炉で加熱する処理を二度繰り返した。得られた多層配線基板を以下の基準により評価した。
○:基板間の積層界面に剥がれがなく、ビアホール中に膨れが生じていない。
×:基板間の積層界面に剥がれ生じ、および/または、ビアホール中に膨れが生じた。
(Hygroscopic heat resistance)
The obtained multilayer wiring board is dried at 125 ° C. for 4 hours. Then, the treatment in a constant temperature and humidity chamber of 30 ° C. and a humidity of 85% for 96 hours was repeated twice, followed by heating in a reflow furnace having a peak temperature of 250 ° C. The obtained multilayer wiring board was evaluated according to the following criteria.
◯: There is no peeling at the laminated interface between the substrates, and no swelling occurs in the via hole.
X: Peeling occurred at the laminated interface between the substrates and / or swelling occurred in the via hole.

(試験前抵抗値)
得られた多層配線基板の最上層から最下層まで配線が施されたテストパターン部において、以下の基準により評価した。
○:抵抗値が1×10−4Ωcm未満
×:抵抗値が1×10−4Ωcm以上
(Resistance value before test)
In the test pattern portion where wiring was applied from the uppermost layer to the lowermost layer of the obtained multilayer wiring board, the following criteria were evaluated.
○: Resistance value is less than 1 × 10 −4 Ωcm ×: Resistance value is 1 × 10 −4 Ωcm or more

(接続信頼性)
上記の吸湿耐熱性における処理を施した多層配線基板に対して、以下の二つの接続信頼性試験を行った。
(Connection reliability)
The following two connection reliability tests were performed on the multilayer wiring board subjected to the above-described treatment for moisture absorption heat resistance.

(耐マイグレーション試験)
85℃、湿度85%の恒温恒湿槽中において、DC50Vを240時間印可した。得られた多層配線基板を以下の基準により評価した。なお、「マイグレーション」とは、例えば、銅からなる導体パターン間において、CuOが形成され、ショートしてしまう現象をいう。
○:絶縁抵抗値が低下しなかった。
×:絶縁抵抗値が低下した。
(Migration resistance test)
In a constant temperature and humidity chamber at 85 ° C. and a humidity of 85%, DC 50 V was applied for 240 hours. The obtained multilayer wiring board was evaluated according to the following criteria. “Migration” refers to a phenomenon in which CuO is formed and short-circuited between conductor patterns made of copper, for example.
○: The insulation resistance value did not decrease.
X: The insulation resistance value decreased.

(熱衝撃試験)
−25℃において9分、125℃において9分というサイクルを1000回繰り返した。得られた多層配線基板を以下の基準により評価した。なお、抵抗変化率は、「|試験前抵抗値−試験後抵抗値|/試験前抵抗値」×100(%)で表される値である。
○:抵抗変化率が、常温時および恒温時(25℃)ともに、20%未満である。
×:抵抗変化率が、常温時あるいは恒温時(25℃)のいずれかにおいて、20%以上である。
(Thermal shock test)
The cycle of 9 minutes at -25 ° C and 9 minutes at 125 ° C was repeated 1000 times. The obtained multilayer wiring board was evaluated according to the following criteria. The resistance change rate is a value represented by “| resistance value before test−resistance value after test | / resistance value before test” × 100 (%).
○: The rate of change in resistance is less than 20% at both normal temperature and constant temperature (25 ° C.).
X: The rate of change in resistance is 20% or more at either room temperature or constant temperature (25 ° C.).

(導体接着強度)
多層配線基板上に表出した導体パターン部に針金を半田付けし、この針金を上に引き上げ、導体パターン部を剥がした時の強度を測定した。
○:強度が1N/mm以上であった。
×:強度が1N/mm未満であった。
(Conductor adhesive strength)
A wire was soldered to the conductor pattern portion exposed on the multilayer wiring board, the wire was pulled up, and the strength when the conductor pattern portion was peeled was measured.
A: The strength was 1 N / mm or more.
X: The strength was less than 1 N / mm.

(評価結果)   (Evaluation results)

Figure 2008243391
Figure 2008243391

本発明のビアホール充填用導電性ペースト組成物を用いた多層配線基板は、すべての評価項目において良好な結果を示した(実施例1〜7)。これに対して、比較例1においては、導電性ペースト組成物中のバインダー成分の量が少ないため、ビア断面の外観、吸湿耐熱性、試験前抵抗値、および導体接着強度において劣った結果を示した。バインダー成分が少なく、ビア穴へのスクリーン印刷適性が悪く、ビア欠陥が多数発生し、また金属拡散接合を促進する効果が少なかったためであると考えられる。   The multilayer wiring board using the conductive paste composition for filling via holes of the present invention showed good results in all evaluation items (Examples 1 to 7). On the other hand, in Comparative Example 1, since the amount of the binder component in the conductive paste composition is small, the appearance of the via cross section, the moisture absorption heat resistance, the resistance value before the test, and the conductor adhesion strength are inferior. It was. This is presumably because the binder component was small, the screen printability to via holes was poor, a number of via defects were generated, and the effect of promoting metal diffusion bonding was small.

また、比較例2においては、導電性ペースト組成物中のバインダー成分の量が多いため、試験前抵抗値、導体接着強度において劣った結果を示した。バインダー成分量が多すぎるため、金属拡散接合が十分に生じなかったためであると考えられる。   Moreover, in Comparative Example 2, since the amount of the binder component in the conductive paste composition was large, the results were inferior in the resistance value before the test and the conductor adhesive strength. It is considered that the metal diffusion bonding was not sufficiently generated because the amount of the binder component was too large.

また、比較例3においては、導電性ペースト組成物中の導電粉末における、第1の合金粒子の割合が少ないため、ビア断面の外観、耐マイグレーション試験において、劣った結果を示した。第1の合金粒子は耐マイグレーション性が強く、この割合が少なくなって、第2の金属粒子のイオンマイグレーションが発生し易くなったためであると考えられる。   Moreover, in Comparative Example 3, since the ratio of the first alloy particles in the conductive powder in the conductive paste composition was small, inferior results were obtained in the appearance of the via cross section and the migration resistance test. This is probably because the first alloy particles have strong migration resistance, and this ratio is reduced, and ion migration of the second metal particles is likely to occur.

また、比較例4においては、導電性ペースト組成物中の導電粉末における、第1の合金粒子の割合が多いため、試験前抵抗値において、劣った結果を示した。第1の合金粒子は、第2の金属粒子と比較すると抵抗値が高く、これにより多層配線基板の抵抗値が高くなったと考えられる。   Moreover, in Comparative Example 4, since the ratio of the first alloy particles in the conductive powder in the conductive paste composition was large, an inferior result was shown in the resistance value before the test. It is considered that the first alloy particles have a higher resistance value than the second metal particles, and thus the resistance value of the multilayer wiring board is increased.

比較例5は、特許文献2に記載の導電性ペースト組成物を用いた例であるが、ビア断面の外観、吸湿耐熱性、および導体接着強度において劣っていた。これは、絶縁基材が熱硬化性PPE樹脂であるとともに、導電性ペースト組成物中のバインダー成分がエポキシ樹脂であることから、半田成分が金属粒子および導体パターン部に金属拡散するための圧力が十分にかからず、金属拡散接合が十分に生じなかったためであると考えられる。また、熱硬化性PPE樹脂の硬化温度が150〜200℃であるので、比較例5における半田成分を融点が200℃以上の無鉛半田に変更すると、さらに金属拡散が難しくなり、より劣った結果を示すことになると考えられる。   Although the comparative example 5 is an example using the electrically conductive paste composition of patent document 2, it was inferior in the external appearance of a via | veer cross section, moisture absorption heat resistance, and conductor adhesive strength. This is because the insulating base material is a thermosetting PPE resin and the binder component in the conductive paste composition is an epoxy resin, so that the pressure for the solder component to diffuse into the metal particles and the conductor pattern portion is reduced. This is probably because the metal diffusion bonding did not occur sufficiently. Moreover, since the curing temperature of the thermosetting PPE resin is 150 to 200 ° C., if the solder component in Comparative Example 5 is changed to lead-free solder having a melting point of 200 ° C. or more, metal diffusion becomes more difficult, resulting in inferior results. It will be shown.

比較例6においては、金属拡散ペーストではなく、金属圧接ペーストを使用した例であるが、ビア断面の外観、耐マイグレーション試験、熱衝撃試験、および導体接着強度において劣っていた。   Comparative Example 6 is an example in which a metal pressure welding paste is used instead of the metal diffusion paste, but the appearance of the via cross section, the migration resistance test, the thermal shock test, and the conductor adhesive strength are inferior.

以上、現時点において、もっとも、実践的であり、かつ、好ましいと思われる実施形態に関連して本発明を説明したが、本発明は、本願明細書中に開示された実施形態に限定されるものではなく、請求の範囲および明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴うビアホール充填用導電性ペースト組成物もまた本発明の技術的範囲に包含されるものとして理解されなければならない。   While the present invention has been described in connection with embodiments that are presently the most practical and preferred, the present invention is not limited to the embodiments disclosed herein. However, the conductive paste composition for filling via holes can be changed as appropriate without departing from the spirit or concept of the invention that can be read from the claims and the entire specification. The technical scope of the present invention also includes a conductive paste composition for filling via holes. Must be understood as encompassed by.

本発明のビアホール充填用導電性ペースト組成物40を用いた多層配線基板200の製造方法の概要を示した図である。It is the figure which showed the outline | summary of the manufacturing method of the multilayer wiring board 200 using the electrically conductive paste composition 40 for via-hole filling of this invention. バインダー成分の弾性率が、温度による変化する様子を示した図である。It is the figure which showed a mode that the elasticity modulus of a binder component changed with temperature. 絶縁基材10を構成する特定の熱可塑性樹脂組成物の弾性率が、温度により変化する様子を示した図である。It is the figure which showed a mode that the elasticity modulus of the specific thermoplastic resin composition which comprises the insulating base material 10 changes with temperature. 配線基板100を熱圧着することにより多層配線基板200を製造するための積層治具50の概念図である。It is a conceptual diagram of the lamination jig | tool 50 for manufacturing the multilayer wiring board 200 by thermocompression bonding the wiring board 100. FIG.

符号の説明Explanation of symbols

10 熱可塑性樹脂からなる絶縁基材
20 導体パターン
30 ビアホール
40 ビアホール充填用導電性ペースト組成物
100a、100b 単層配線基板
200a、200b 多層配線基板
50 積層治具
51 クッションフィルム
52 押圧治具
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Insulation base material which consists of thermoplastic resins 20 Conductive pattern 30 Via hole 40 Conductive paste composition for via hole filling 100a, 100b Single-layer wiring board 200a, 200b Multi-layer wiring board 50 Lamination jig 51 Cushion film 52 Pressing jig

Claims (12)

熱可塑性樹脂組成物からなる絶縁基材、該絶縁基材上に設けられた導体パターンを備え、
該絶縁基材に導電性ペースト組成物が充填されたビアホールが形成されてなる配線基板を、該配線基板同士を複数重ね合わせて、または、該配線基板とは異なる、熱可塑性樹脂組成物以外からなる配線基板と交互に重ね合わせて、熱融着により一括積層または逐次積層してなる多層配線基板における、前記ビアホールに充填する導電性ペースト組成物であって、
導電粉末と、バインダー成分とを含み、該導電粉末および該バインダー成分の質量比が、90/10以上98/2未満であり、
前記導電粉末が、第1の合金粒子と第2の金属粒子とからなり、
前記第1の合金粒子が、180℃以上260℃未満の融点を有する非鉛半田粒子であり、前記第2の金属粒子が、Au,Ag,Cuからなる群から選ばれる少なくとも一種以上であり、前記第1の合金粒子と前記第2の金属粒子との質量比が、76/24以上90/10未満であり、
前記バインダー成分が、下記式(1)で表されるビスアリルナジイミド化合物であることを特徴とするビアホール充填用導電性ペースト組成物。
Figure 2008243391
(ただし、Rは、少なくとも1個の炭素を有する2価の有機基である。)
Insulating substrate comprising a thermoplastic resin composition, comprising a conductor pattern provided on the insulating substrate,
A wiring board in which a via hole in which the conductive paste composition is filled in the insulating base material is formed by superimposing a plurality of the wiring boards, or from other than the thermoplastic resin composition different from the wiring board. In the multilayer wiring board that is alternately stacked with the wiring board to be laminated and laminated by heat fusion or sequentially, the conductive paste composition filling the via hole,
A conductive powder and a binder component, wherein a mass ratio of the conductive powder and the binder component is 90/10 or more and less than 98/2;
The conductive powder comprises first alloy particles and second metal particles,
The first alloy particles are non-lead solder particles having a melting point of 180 ° C. or higher and lower than 260 ° C., and the second metal particles are at least one selected from the group consisting of Au, Ag, Cu, The mass ratio between the first alloy particles and the second metal particles is 76/24 or more and less than 90/10,
The conductive paste composition for filling via holes, wherein the binder component is a bisallyl nadiimide compound represented by the following formula (1).
Figure 2008243391
(However, R is a divalent organic group having at least one carbon.)
Rが、下記式(2)または(3)で表される化合物である請求項1に記載のビアホール充填用導電性ペースト組成物。
Figure 2008243391
The conductive paste composition for filling via holes according to claim 1, wherein R is a compound represented by the following formula (2) or (3).
Figure 2008243391
前記第1の合金粒子および前記第2の金属粒子の平均粒径が、10μm以下であり、平均粒径差が2μm以下であることを特徴とする請求項1または2に記載のビアホール充填用導電性ペースト組成物。   3. The via hole filling conductive material according to claim 1, wherein an average particle size of the first alloy particles and the second metal particles is 10 μm or less, and an average particle size difference is 2 μm or less. Paste composition. 前記第1の合金粒子が、Sn−Cu、Sn−Sb、Sn−Ag−Cu、Sn−Ag−Cu−Bi、Sn−Ag−In、Sn−Ag−In−Bi、Sn−Zn、Sn−Zn−Bi、および、Sn−Ag−Biからなる群から選ばれる一種以上の非鉛半田粒子である、請求項1〜3のいずれかに記載のビアホール充填用導電性ペースト組成物。   The first alloy particles are Sn—Cu, Sn—Sb, Sn—Ag—Cu, Sn—Ag—Cu—Bi, Sn—Ag—In, Sn—Ag—In—Bi, Sn—Zn, Sn— The conductive paste composition for filling via holes according to any one of claims 1 to 3, which is one or more lead-free solder particles selected from the group consisting of Zn-Bi and Sn-Ag-Bi. 前記非鉛半田粒子の融点が、前記バインダー成分1の硬化温度範囲に含まれていることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のビアホール充填用導電性ペースト組成物。   5. The conductive paste composition for filling via holes according to claim 1, wherein a melting point of the lead-free solder particles is included in a curing temperature range of the binder component 1. 熱可塑性樹脂組成物からなる絶縁基材、該絶縁基材上に設けられた導体パターンを備え、該絶縁基材に導電性ペースト組成物が充填されたビアホールが形成されてなる配線基板を、該配線基板同士を複数重ね合わせて、または、該配線基板とは異なる、熱可塑性樹脂組成物以外からなる配線基板と交互に重ね合わせて、熱融着により一括積層または逐次積層してなる多層配線基板であって、
前記導電性ペースト組成物が、導電粉末と、バインダー成分とを含み、該導電粉末および該バインダー成分の質量比が、90/10以上98/2未満であり、
前記導電粉末が、第1の合金粒子と第2の金属粒子とからなり、
前記第1の合金粒子が、180℃以上260℃未満の融点を有する非鉛半田粒子であり、前記第2の金属粒子が、Au,Ag,Cuからなる群から選ばれる少なくとも一種以上であり、前記第1の合金粒子と前記第2の金属粒子との質量比が、76/24以上90/10未満であり、
前記バインダー成分が、下記式(4)で表されるビスアリルナジイミド化合物であることを特徴とする多層配線基板。
Figure 2008243391
(ただし、Rは、少なくとも1個の炭素を有する2価の有機基である。)
An insulating substrate made of a thermoplastic resin composition, a wiring board comprising a conductor pattern provided on the insulating substrate, and a via hole filled with a conductive paste composition is formed on the insulating substrate. A multilayer wiring board in which a plurality of wiring boards are superposed on each other or alternately superposed on a wiring board made of a material other than a thermoplastic resin composition, which is different from the wiring board, and laminated or sequentially laminated by thermal fusion. Because
The conductive paste composition includes a conductive powder and a binder component, and a mass ratio of the conductive powder and the binder component is 90/10 or more and less than 98/2,
The conductive powder comprises first alloy particles and second metal particles,
The first alloy particles are non-lead solder particles having a melting point of 180 ° C. or higher and lower than 260 ° C., and the second metal particles are at least one selected from the group consisting of Au, Ag, Cu, The mass ratio between the first alloy particles and the second metal particles is 76/24 or more and less than 90/10,
The multilayer wiring board, wherein the binder component is a bisallyl nadiimide compound represented by the following formula (4).
Figure 2008243391
(However, R is a divalent organic group having at least one carbon.)
Rが、下記式(5)または(6)で表される化合物である請求項6に記載の多層配線基板。
Figure 2008243391
The multilayer wiring board according to claim 6, wherein R is a compound represented by the following formula (5) or (6).
Figure 2008243391
前記非鉛半田粒子の融点が、前記バインダー成分1の硬化温度範囲に含まれ、前記非鉛半田粒子の融点における、前記熱可塑性樹脂組成物の貯蔵弾性率が10MPa以上5GP未満であることを特徴とする請求項6または7に記載の多層配線基板。   The melting point of the lead-free solder particles is included in the curing temperature range of the binder component 1, and the storage elastic modulus of the thermoplastic resin composition at the melting point of the lead-free solder particles is 10 MPa or more and less than 5 GP. The multilayer wiring board according to claim 6 or 7. 前記第1の合金粒子および前記第2の金属粒子の平均粒径が、10μm以下であり、平均粒径差が2μm以下であることを特徴とする請求項6〜8のいずれかに記載の多層配線基板。   The multilayer according to any one of claims 6 to 8, wherein an average particle size of the first alloy particles and the second metal particles is 10 µm or less, and an average particle size difference is 2 µm or less. Wiring board. 前記第1の合金粒子と前記第2の金属粒子間、および/または、前記第1の合金粒子と前記導体パターンを形成する金属との間で金属拡散接合が形成されている、請求項6〜9のいずれかに記載の多層配線基板。   The metal diffusion bonding is formed between the first alloy particles and the second metal particles and / or between the first alloy particles and the metal forming the conductor pattern. The multilayer wiring board according to any one of 9. 前記熱可塑性樹脂組成物が、260℃以上の結晶融解ピーク温度(Tm)を有する、ポリアリールケトン樹脂および非晶性ポリエーテルイミド樹脂の混合組成物である、請求項6〜10のいずれかに記載の多層配線基板。   The thermoplastic resin composition according to any one of claims 6 to 10, wherein the thermoplastic resin composition is a mixed composition of a polyaryl ketone resin and an amorphous polyetherimide resin having a crystal melting peak temperature (Tm) of 260 ° C or higher. The multilayer wiring board as described. 前記熱可塑性樹脂以外からなる配線基板が、ガラスエポキシ基板(FR4基板)、2層ポリイミド基板、擬似2層ポリイミド基板、3層ポリイミド基板、液晶ポリマー(LCP)基板、および、低温焼成セラミック(LTCC)基板からなる群から選ばれる一種以上の配線基板である、請求項6〜11のいずれかに記載の多層配線基板。   The wiring board made of other than the thermoplastic resin is a glass epoxy board (FR4 board), a two-layer polyimide board, a pseudo two-layer polyimide board, a three-layer polyimide board, a liquid crystal polymer (LCP) board, and a low-temperature fired ceramic (LTCC). The multilayer wiring board according to any one of claims 6 to 11, which is one or more kinds of wiring boards selected from the group consisting of substrates.
JP2007078052A 2007-03-26 2007-03-26 Conductive paste composition for via hole filling and multilayer wiring board using the same Expired - Fee Related JP4787195B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007078052A JP4787195B2 (en) 2007-03-26 2007-03-26 Conductive paste composition for via hole filling and multilayer wiring board using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007078052A JP4787195B2 (en) 2007-03-26 2007-03-26 Conductive paste composition for via hole filling and multilayer wiring board using the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008243391A true JP2008243391A (en) 2008-10-09
JP4787195B2 JP4787195B2 (en) 2011-10-05

Family

ID=39914503

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007078052A Expired - Fee Related JP4787195B2 (en) 2007-03-26 2007-03-26 Conductive paste composition for via hole filling and multilayer wiring board using the same

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4787195B2 (en)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010103805A1 (en) * 2009-03-12 2010-09-16 タツタ電線株式会社 Multilayer wiring substrate producing method and multilayer wiring substrate obtained by the same
WO2011065396A1 (en) * 2009-11-25 2011-06-03 ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社 Conductive paste, printed circuit board, and manufacturing method thereof
JP2012250240A (en) * 2011-05-31 2012-12-20 Asahi Kasei E-Materials Corp Metal filler, solder paste, and connected structure
CN103314652A (en) * 2012-01-17 2013-09-18 松下电器产业株式会社 Wiring substrate and production method therefor
JP2015153550A (en) * 2014-02-13 2015-08-24 有限会社 ナプラ Method for producing conductor in fine space
KR101741389B1 (en) * 2015-07-08 2017-05-29 유겐가이샤 나프라 Metal particle, paste, formed article, and laminated article
WO2017179532A1 (en) * 2016-04-12 2017-10-19 積水化学工業株式会社 Conductive material and connected structure

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005353781A (en) * 2004-06-10 2005-12-22 Mitsubishi Plastics Ind Ltd Conductive paste composition for multilayer interconnection substrate
JP2006012734A (en) * 2004-06-29 2006-01-12 Tatsuta System Electronics Kk Conductive paste and multilayer substrate using the same

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005353781A (en) * 2004-06-10 2005-12-22 Mitsubishi Plastics Ind Ltd Conductive paste composition for multilayer interconnection substrate
JP2006012734A (en) * 2004-06-29 2006-01-12 Tatsuta System Electronics Kk Conductive paste and multilayer substrate using the same

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8756805B2 (en) 2009-03-12 2014-06-24 Tatsuta Electric Wire & Cable Co., Ltd. Method of manufacturing multilayer printed wiring board
CN102369791A (en) * 2009-03-12 2012-03-07 大自达电线股份有限公司 Multilayer wiring substrate producing method and multilayer wiring substrate obtained by the same
WO2010103805A1 (en) * 2009-03-12 2010-09-16 タツタ電線株式会社 Multilayer wiring substrate producing method and multilayer wiring substrate obtained by the same
US9420706B2 (en) 2009-03-12 2016-08-16 Tatsuta Electric Wire & Cable Co., Ltd. Multilayer wiring board
TWI419633B (en) * 2009-03-12 2013-12-11 Tatsuta Densen Kk A multilayer wiring board, and a multilayer wiring board obtained
WO2011065396A1 (en) * 2009-11-25 2011-06-03 ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社 Conductive paste, printed circuit board, and manufacturing method thereof
JP2012250240A (en) * 2011-05-31 2012-12-20 Asahi Kasei E-Materials Corp Metal filler, solder paste, and connected structure
CN103314652A (en) * 2012-01-17 2013-09-18 松下电器产业株式会社 Wiring substrate and production method therefor
JP2015153550A (en) * 2014-02-13 2015-08-24 有限会社 ナプラ Method for producing conductor in fine space
KR101741389B1 (en) * 2015-07-08 2017-05-29 유겐가이샤 나프라 Metal particle, paste, formed article, and laminated article
US10016848B2 (en) 2015-07-08 2018-07-10 Napra Co., Ltd. Metal particles having intermetallic compound nano-composite structure crystal
US10478924B2 (en) 2015-07-08 2019-11-19 Napra Co., Ltd. Metal particle and electroconductive paste formed therefrom
US10507551B2 (en) 2015-07-08 2019-12-17 Napra Co., Ltd. Metal particle and articles formed therefrom
WO2017179532A1 (en) * 2016-04-12 2017-10-19 積水化学工業株式会社 Conductive material and connected structure
CN108475551A (en) * 2016-04-12 2018-08-31 积水化学工业株式会社 Conductive material and connection structural bodies

Also Published As

Publication number Publication date
JP4787195B2 (en) 2011-10-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8044304B2 (en) Multilayer printed circuit board
JP4787195B2 (en) Conductive paste composition for via hole filling and multilayer wiring board using the same
JP4934334B2 (en) Double-sided copper-clad board
JP2009065008A (en) Conductive paste composition
JP4996838B2 (en) Multilayer wiring board
JP4268476B2 (en) Conductive paste, wiring board and manufacturing method thereof
JP2008244091A (en) Interlayer connection bonding sheet for multilayer wiring circuit board
JP4838606B2 (en) Copper foil with resin
JP4468080B2 (en) Conductive paste composition for multilayer wiring board
JP4965102B2 (en) Conductive paste composition for via hole filling
JP4774215B2 (en) Multilayer printed circuit board
JP4468081B2 (en) Conductive paste composition for multilayer wiring board
JP2009065009A (en) Multilayer wiring board
JP5032205B2 (en) Multilayer wiring board having a cavity portion
JP4881193B2 (en) Conductive paste composition
JP4959966B2 (en) Interlayer connection bonding sheet for multilayer wiring boards
JP4965286B2 (en) Multilayer wiring board
JP4422555B2 (en) Conductive paste composition for multilayer wiring board
WO1995013901A1 (en) Metallurgically bonded polymer vias
JP4863543B2 (en) Conductive paste and method for manufacturing wiring board using the same
JP4481734B2 (en) Conductive paste composition for multilayer wiring board
JP4481733B2 (en) Conductive paste composition for multilayer wiring board
JP2008235833A (en) Interlayer connection bonding sheet for multilayer wiring board
JP2008103427A (en) Separation film
JP2008244061A (en) Interlayer connection bonding sheet for multilayer wiring circuit board

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20091124

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110311

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110712

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110714

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140722

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees