JP2008238379A

JP2008238379A - 研磨方法および研磨装置

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Publication number: JP2008238379A
Application number: JP2007086144A
Authority: JP
Inventors: Isao Sugai; 勲菅井
Original assignee: High Energy Accelerator Research Organization
Current assignee: High Energy Accelerator Research Organization
Priority date: 2007-03-29
Filing date: 2007-03-29
Publication date: 2008-10-09
Anticipated expiration: 2027-03-29
Also published as: JP4399611B2

Abstract

【課題】低コスト且つシンプルな構成で、被研磨体表面を一様に研磨することができる研磨方法及び研磨装置を提供する。
【解決手段】少なくとも一対の電極３，４と、前記電極間に配置された絶縁部材８と、前記一対の電極と前記絶縁部材とにより形成された空間９に配置された被研磨体６，７と、前記一対の電極と前記絶縁部材とにより形成された空間に収容され、前記被研磨体のモース硬度よりも小さいモース硬度の研磨用粉体Ｆと、前記電極に電圧を印加することにより、前記電極および前記絶縁部材により形成された空間に収容された研磨用粉体を前記電極間で往復動させる電源装置Ｅと、を備えた研磨装置１。
【選択図】図１

Description

本発明は、被研磨体を研磨する研磨方法および研磨装置に関し、特に、一対の電極間に囲まれた空間に収容された研磨用粉体を前記電極間で往復動させることで、前記空間に配置された被研磨体を研磨する研磨方法および研磨装置に関する。

従来より、研磨技術は、様々な分野において利用されており、一般の産業機械や工業製品の表面加工や、光の反射を利用する光学ディスク、半導体等の製造過程や最終工程での研磨工程で利用されている。研磨は、一般的に、被研磨体と研磨材とを擦り合わせたりすることで、機械的に表面の凹凸を平坦化することでされており、このような技術として下記の従来技術（Ｊ01）〜（Ｊ03）が公知である。

（Ｊ01）特許文献１（特開平７−２７６２２１号公報）記載の技術
特許文献１には、光学ディスク等のプラスチック製円板の表面に予め研磨剤を塗布しておき、円板表面にバフを押圧した状態で回転させることで、プラスチック製円板表面を研磨する技術が記載されている。
（Ｊ02）特許文献２（特開平１０−１７５１５７号公報）記載の技術
特許文献２には、研磨粒子が含まれた懸濁液（スラリー）状の研磨材を、電極による電界で平坦状に保持し、懸濁液の表面側から被研磨材（ウェハ等）を接触させて、被研磨材表面を研磨する技術が記載されている。

（Ｊ03）特許文献３（特開平１０−２０２５０９号公報）記載の技術
特許文献３には、水にダイヤモンド砥粒と酸化シリコン微粒を混合した研磨剤中に、被加工物を浸漬した状態で、陽電極となる研磨工具と陰電極を浸漬して電極間に電圧を印加することで、電気泳動現象により研磨工具に酸化シリコン微粒とともにダイヤモンド砥粒を付着させ、ダイヤモンド砥粒の付着した研磨工具を移動させることで被加工物を研磨する技術が記載されている。
この他にも、硫酸や硝酸、フッ酸を使用して表面を溶かすことで研磨する化学的な湿式の研磨法も知られている。

特開平７−２７６２２１号公報（要約書）特開平１０−１７５１５７号公報（要約書）特開平１０−２０２５０９号公報（要約書）

（従来技術の問題点）
被研磨物と、研磨剤とを擦り合わせる従来の乾式の研磨技術では、被研磨物と研磨物との粒子の衝突あるいは、場所による研磨が一様でないので、一様に研磨することが困難であるという問題がある。
また、湿式の研磨技術では、酸を使用するため、設備が大型化してコストがかかり、研磨後の洗浄等の作業もあり、面倒であるという問題がある。また、廃液が環境に負荷を与え、廃液の処理等でコストがかかるという問題がある。

本発明は、前述の事情に鑑み、低コスト且つシンプルな構成で、被研磨体表面を一様に研磨することを第１の技術的課題とする。

前記技術的課題に鑑み、本願発明者が鋭意研究した結果、本願発明者が以前出願した金属被膜の作成装置（特開平６−１５８３５０号公報、特開２０００−１７４５５号公報参照）において、使用する粉体と材料との組み合わせや電圧の条件等によっては、基板表面に金属被膜が形成されない場合があり、このとき、基板表面がそれ以外の部分に比べて、研磨されて、材料によっては鏡面のような光沢がでることを見いだし、本発明をするに至った。

（本発明）
前記技術的課題を解決するために、請求項１に記載の発明の研磨方法は、
少なくとも一対の電極および前記電極間に配置された絶縁部材により形成された空間に、被研磨体を配置し且つ研磨用粉体を封入して、前記電極間に前記研磨用粉体を往復動させ且つ前記研磨用粉体が前記被研磨体表面に付着して成膜されない電圧を印加することにより、被研磨体表面を研磨することを特徴とする。

請求項２に記載の発明の研磨方法は、
前記被研磨体のモース硬度よりも小さいモース硬度の研磨用粉体を使用することを特徴とする。

請求項３に記載の発明は、請求項１または２に記載の研磨方法において、
前記被研磨体がステンレスまたはモリブデンにより構成され、且つ、前記研磨用粉体が銅、スズおよび白金のいずれかにより構成されたことを特徴とする。

前記技術的課題を解決するために、請求項３に記載の発明の研磨装置は、
少なくとも一対の電極と、
前記電極間に配置された絶縁部材と、
前記一対の電極と前記絶縁部材とにより形成された空間に配置された被研磨体と、
前記一対の電極と前記絶縁部材とにより形成された空間に封入された研磨用粉体と、
前記電極に電圧を印加することにより、前記電極および前記絶縁部材により形成された空間に収容された前記研磨用粉体を前記電極間で往復動させ且つ前記研磨用粉体が前記被研磨体表面に付着して成膜されない電源装置と、
を備えたことを特徴とする。

請求項１記載の発明によれば、研磨用粉体が前記被研磨体表面に付着して成膜されず、且つ往復動することで、被研磨体を研磨できるので、低コスト且つシンプルな構成で、被研磨体表面を一様に研磨することができる。
請求項２記載の発明によれば、前記被研磨体のモース硬度よりも小さいモース硬度の研磨用粉体を電極間で往復動させることにより、被研磨体を研磨することができるため、被研磨体よりもモース硬度が小さい研磨用粉体を使用することができ、使用可能な研磨材の自由度を高めることができる。
請求項３記載の発明によれば、研磨用粉体として銅、スズおよび白金を使用して、前記被研磨体としてのステンレスやモリブデンを研磨することができる。
請求項４記載の発明によれば、研磨装置により、前記被研磨体のモース硬度よりも小さいモース硬度の研磨用粉体を電極間で往復動させることにより、被研磨体を研磨することができるため、被研磨体よりもモース硬度が小さい研磨用粉体を使用することができ、使用可能な研磨材の自由度を高めることができる。

次に図面を参照しながら、本発明の実施の形態の具体例（実施例）を説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
なお、以下の図面を使用した説明において、理解の容易のために説明に必要な部材以外の図示は適宜省略されている。

図１は本発明の実施例１の研磨装置の全体説明図である。
図１において、本発明の実施例１の研磨装置１は、板状のベース２を有する。前記ベース２上には、第１電極部材３が支持されており、前記第１電極部材３の上方には、第１電極部材３に対向して第２電極部材４が配置されている。なお、実施例１では、前記電極部材３，４間の距離は１０ｍｍ（＝１ｃｍ）に設定されているが、前記距離は設計や仕様等に応じて任意に変更可能である。
前記一対の電極部材３，４には、電源装置Ｅが接続されている。前記各電極部材３，４の対向する側の面には、非導電性の板状部材（被研磨体）６，７が固定支持されている。一対の前記板状部材６，７の内側にはリング状の絶縁部材８が挟持されている。前記一対の電極部材３，４（より正確には板状部材６，７）および絶縁部材８により囲まれた空間により粉体Ｆが収容される粉体収容空間９が構成されている。なお、実施例１では、前記絶縁部材８は、内周が直径２５ｃｍのリング状に形成されているが、直径は設計等に応じて任意に変更可能である。また、前記絶縁部材８として、ガラスが使用されているが、材料は特に限定されず、任意の絶縁性の部材（セラミック、樹脂等）を採用可能である。

前記ベース２の端部には、支柱１１が支持されており、支柱１１の先端部には第２電極部材４側に延びるアーム１２がネジ止めされている。前記アーム１２の先端部には、軸部材１３が上下方向に移動可能に支持されている。軸部材１３の下端には前記第２電極部材４の上面に接触する板状の押圧部材１４が支持されている。前記軸部材１３には、前記押圧部材１４とアーム１２との間にスプリング１６が装着されており、押圧部材１４を常時下方に付勢する。したがって、前記押圧部材により第２電極部材４は第１電極部材３側に押圧され、粉体Ｆが外部に漏出しないように粉体収容空間９が密閉される。
実施例１では、前記粉体収容空間９は、１０^−８ｔｏｒｒ〜１０^−１０ｔｏｒｒ程度の真空に排気され、室温環境下に配置されている。そして、前記電源装置Ｅにより、電極部材３，４間に１５ｋＶ程度の直流電圧（即ち、電界強度は１５ｋＶ／ｃｍ）と、交流電圧が重畳されて印加される。
また、実施例１では、前記粉体収容空間９には、前記板状部材６，７を研磨する研磨用粉体が収容されており、前記研磨用粉体Ｆは、インゴットを瑪瑙乳鉢で粉砕して、５００μｍ以下に微細化されている。

（実施例１の作用）
前記構成を備えた実施例１の研磨装置では、粉体収容空間９に粉体Ｆを収容した状態で、電源装置Ｅにより電極３，４間に、放電しない程度の所定の電圧値以上の高電圧（実施例１では４ｋＶ）が印加されると、粉体Ｆが電極３，４間で振動（往復動）を開始する。なお、高電圧が印加されると粉体Ｆが振動する原理は、特開２０００−１７４５５号公報等に記載されているように従来公知であるので、詳細な説明は省略する。
電極３，４で往復動が行われると、粉体Ｆが被研磨体としての板状部材６，７に繰り返し衝突することで、表面が研磨される。このとき、粉体Ｆのモース硬度が小さい場合でも、粉体Ｆよりもモース硬度が大きい被研磨体としての板状部材６，７に、高速で繰り返し衝突することで、板状部材６，７の表面（粉体収容空間９側の面）の凹凸が削られて、板状部材６，７の表面が研磨され、平坦化される。なお、粉体Ｆは、板状部材６，７間で、振動（往復動）する際に、粉体どうしの衝突により、粉体収容空間９の全域に拡散するため、板状部材６，７表面が一様に研磨することができる。

なお、このときの原理の詳細は不明であるが、以下のように推察される。すなわち、粉体Ｆのモース硬度の方が大きい場合、高速で衝突した粉体Ｆが板状部材６，７に叩き付けられ、硬い粉体Ｆが板状部材６，７表面に凹凸を形成してめり込むような形で、埋め込まれ、堆積し、被膜が形成されやすい。一方で、粉体Ｆのモース硬度が小さい場合には、粉体Ｆが板状部材６，７よりも軟らかいため、めり込んだり被膜が形成されたりせず、衝突時の衝撃で板状部材６，７の凹凸が削られ、平坦化されるのではないかと考えられる。したがって、粉体Ｆのモース硬度が大きくても、電圧を調整することで、往復動時の移動速度（すなわち、運動エネルギー）を、研磨材（粉体）Ｆが被研磨体表面に埋め込まれない程度に調整でき、成膜ではなく、研磨ができる。

（実験例）
次に、実際に実施例１の研磨装置１を使用して研磨が行われるか否かの実験を行った。
図２は実施例１の実験例の実験条件および実験結果の一覧表である。
実験の各種条件（装置のサイズや電圧等）は、前記実施例１の条件で行い、研磨装置１の板状部材６，７（基板）と、研磨材との組み合わせを図２に示すように、以下のようにした。
（実験例１）
実験例１では、研磨材としてモース硬度が３．０の銅（Ｃｕ）を使用し且つ、基板としてモース硬度が２．７５のアルミニウム（Ａｌ）を使用した。なお、印加電圧は１５ｋＶとした。

（実験例２）
実験例２では、研磨材としてモース硬度が３．０の銅（Ｃｕ）を使用し且つ、基板としてモース硬度が６．０のステンレス（ＳＵＳ３０４）を使用した。なお、印加電圧は１５ｋＶとした。
（実験例３）
実験例３では、研磨材としてモース硬度が３．０の銅（Ｃｕ）を使用し且つ、基板としてモース硬度が５．５のモリブデン（Ｍｏ）を使用した。なお、印加電圧は１５ｋＶとした。
（実験例４）
実験例４では、研磨材としてモース硬度が１．５の錫（Ｓｎ）を使用し且つ、基板として、実験例１〜３と同様に、アルミニウム（モース硬度２．７５）、ステンレス（モース硬度６．０）、モリブデン（モース硬度５．５）をそれぞれ使用した。なお、印加電圧は１５ｋＶとした。

（実験例５）
実験例５では、研磨材としてモース硬度が３．５の白金（Ｐｔ）を使用し且つ、基板として、実験例１〜３と同様に、アルミニウム（モース硬度２．７５）、ステンレス（モース硬度６．０）、モリブデン（モース硬度５．５）をそれぞれ使用した。なお、印加電圧は１５ｋＶとした。
（比較例１）
比較例１では、粉体としてモース硬度が６のチタン（Ｔｉ）を使用し且つ、基板として、真鍮（Ｂｒａｓｓ：モース硬度３〜４程度）を使用した。なお、印加電圧は３０ｋＶとした。
（比較例２）
比較例２では、粉体としてモース硬度が４．７５のパラジウム（Ｐｄ）を使用し且つ、基板として、真鍮（Ｂｒａｓｓ：モース硬度３〜４程度）を使用した。なお、印加電圧は３０ｋＶとした。

（実験例６）
実験例６では、研磨材としてモース硬度が３．０の銅（Ｃｕ）を使用し且つ、基板として、真鍮（Ｂｒａｓｓ：モース硬度３〜４程度）を使用した。実験例６において、粒径８０μｍ程度の銅粉末を使用して、実施例１の研磨装置で、直流高電圧２７ｋＶを印加し、電極間の電流は最大で８０マイクロアンペア（約２Ｗ）、１５時間行った。この時、真鍮表面は研磨され、単位面積あたりの重量減少は平均で２００μｇ／ｃｍ^２であり、表面が鏡面状となった。

（実験例７）
実験例７では、研磨剤として修正モース硬度が１３の炭化珪素（ＳｉＣ）を使用し且つ、被研磨体としての基板として、モース硬度５．５のモリブデン（Ｍｏ）を使用した。実験例７において、実施例１の研磨装置を使用して、真空中で印加電圧２７ｋＶ、１００マイクロアンペア（２．７Ｗ）で１０時間行った。このとき、基板の単位面積あたりの重量減少は平均で２８０μｇ／ｃｍ２であり、表面は研磨前の薄緑色から金属光沢となった。

前記実験例１〜７および比較例１，２の結果から、研磨材Ｆとして、基板（板状部材６，７）よりもモース硬度が小さい材料を使用した場合に、基板表面が研磨される傾向があり（図２のEtching、「Ｅ」参照）、モース硬度が大きい粉体を使用すると、基板表面に被膜が形成される傾向がある（図２のDeposition、「Ｄ」参照）ことが確認された。ただし、実験例１，７から、研磨材Ｆの方が板状部材（基板）６，７よりもモース硬度が大きい場合でも、被膜が形成されない程度の電圧を印加することで、研磨可能であることがわかる。
したがって、実施例１の研磨装置１では、従来、被研磨体６，７よりも硬い材料を使用して研磨していた場合と異なり、被研磨体６，７よりも軟らかい材料を使用して研磨することもできる。すなわち、研磨材（研磨用粉体Ｆ）として使用可能な材料の選択肢が増え、研磨材の選択の自由度が向上する。さらに、研磨後は、研磨材を回収でき、研磨材が外部に漏出する等の公害の発生を防止できる。また、研磨材の粒径や、材料、電圧を変化させることにより、被研磨体表面の凹凸をコントロールすることもできる。

さらに、実施例１の研磨装置１では、液体中に浸漬したりせず、酸液を使用しないため、コストも低減でき、廃液による公害の心配もない。また、室温で研磨されるため、研磨用粉体Ｆや被研磨体６，７が加熱されたりしないので、熱による被研磨体の歪みや変形の発生も防止でき、研磨後の被研磨体６，７を速やかに取り出すことができ、生産性を高めることができる。さらに、研磨に要する電力は、数ワット以下であるため、超省エネルギーで研磨が実行でき、コストが低減できる。

さらに、実施例１の研磨装置１では、粉体の種類によって異なるが、３ｋＶ／ｃｍ程度から振動を開始し、高い電圧ほど移動速度（運動エネルギー）が大きくなり、研磨速度が進展しやすいものと考えられる。したがって、印加電圧を調節して（電界強度を調節して）往復動の移動速度を調節したり、装置１の稼働時間を調節することで、板状部材（被研磨体）６，７表面の研磨の程度を制御することも可能である。

図３は実施例２の研磨装置の説明図であり、図３Ａは電源装置による電圧印加開始前の状態の説明図、図３Ｂは電源装置による電圧印加開始後の状態の説明図である。
なお、この実施例２の説明において、前記実施例１の構成要素に対応する構成要素には下一桁に同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。
この実施例２は、下記の点で前記実施例１と相違しているが、他の点では前記実施例１と同様に構成されている。

図３において、実施例２の研磨装置２１は、チューブ状（円筒状）の第１電極部材２２と、第１電極部材２２の円筒の軸に沿って配置されたワイヤ状（円柱状）の第２電極部材２３とを有する。前記第１電極部材２２の内周面および第２電極部材２３の外周面には、それぞれ被研磨体の一例としての筒状部材２６，２７が支持されている。前記電極部材２２，２３の軸方向一端部には、絶縁部材としての一端壁２８が固定支持されている。また、軸方向他端部には、絶縁部材としての他端壁２９が着脱可能に支持されており、他端壁２９と各電極部材２２，２３との接続部には、密閉用のパッキン３１，３２が配置されている。前記第２電極部材２３の他端部には、ネジが形成されており、他端壁２９を貫通した第２電極部材２３の他端部のネジにナット３３を着脱することで、他端壁２９を着脱できる。前記第１電極部材２２と第２電極部材２３には、電源装置Ｅが接続され、高電圧が印加される。したがって、実施例２では、電極２２，２３は対向して配置されており、電極２２，２３（より正確には筒状部材２６，２７）および両端壁２８，２９により囲まれた空間により粉体Ｆを収容する粉体収容空間３４が構成されている。なお、前記粉体Ｆは、筒状部材２６，２７のモース硬度に比べて、モース硬度が小さい材料により構成されている。

（実施例２の作用）
前記構成を備えた実施例２の研磨装置２１では、他端壁２９を外して、粉体収容空間３４の他端部に粉体Ｆを収容した状態（図４Ａ参照）で他端壁２９を装着し、電源装置Ｅにより高電圧を印加すると、粉体Ｆが電極２２，２３の間で往復動を開始する。このとき、粉体Ｆどうしの衝突や筒状部材２６，２７との衝突等により、粉体Ｆはドーナツ状の粉体収容空間３４の軸方向および周方向に速やかに拡散していく。そして、粉体Ｆと筒状部材２６，２７との衝突により筒状部材２６，２７の内周面または外周面が研磨される。したがって、実施例２の研磨装置２１では、板状の部材でなく、筒状の部材の内周面または外周面も研磨できる。その他、実施例２の研磨装置２１は、実施例１の研磨装置１と同様の作用、効果を有する。

（変更例）
以上、本発明の実施例を詳述したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内で、種々の変更を行うことが可能である。本発明の変更例（Ｈ01）〜（Ｈ011）を下記に例示する。
（Ｈ01）前記実施例において、常温、真空下で研磨装置１，２１を稼働させたが、これに限定されず、粉体収容空間９，３４を加熱または冷却したり、大気圧あるいは高圧ガス封入による高圧条件等任意に変更可能である。すなわち、真空圧、大気圧、高圧状態のいずれでも、研磨可能である。なお、このとき、温度や圧力、粉体材料の種類、粉体のサイズ等により放電条件が変わるため、放電せず且つ粒子の往復動が行われ、被研磨体表面に成膜されない電圧を電源装置で印加することが必要となる。前記電圧としては、研磨材の種類や結晶の状態、研磨材と被研磨体との組み合わせ、間隔等により異なるが、約３ｋＶ〜３０ｋＶ程度である。

（Ｈ02）前記実施例において、粉体としてＣｕ，Ｓｎ、Ｐｔを例示したが、これに限定されず、被研磨体との組み合わせによりことなるが、被研磨体のモース硬度に対して、モース硬度が小さい材料であれば、任意の金属材料、金属化合物、非金属材料、非金属化合物、あるいは、有機材料、樹脂材料、セラミックス等の電圧印加時に往復動する任意の材料を使用可能である。例えば、Ｍｏ（モリブデン）、Ｗ（タングステン）、Ｈｆ（ハフニウム）、Ｔａ（タンタル）、Ｃｒ（クロム）、Ｃ（炭素）、Ｔｉ（チタン）、Ｂｅ（ベリリウム）、Ｂ（ホウ素）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｖ（バナジウム）、Ｍｎ（マンガン）、Ｆｅ（鉄）、Ｃｏ（コバルト）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｇｅ（ゲルマニウム）、Ｒｂ（ルビジウム）、Ｙ（イットリウム）、Ｚｒ（ジルコニウム）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｒｕ（ルテニウム）、Ｒｈ（ロジウム）、Ｐｄ（パラジウム）、Ｒｅ（レニウム）、Ｏｓ（オスミウム）、Ｉｒ（イリジウム）、Ｐｂ（鉛）、Ｂｉ（ビスマス）等が挙げられる。また、化合物としては、ステンレス、Ｃｒ_２Ｎ、ＴｉＮ、ＴｉＣ、ＣｏＣｒ、ＣｏＮｉ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴａＮ、ＮｉＣｒ、ＳｉＣ、ＴｉＣｒ、ＴｉＦｅ等が挙げられる。なお、これら複数の材料を同時に使用することも可能である。

（Ｈ03）前記実施例において、被研磨体としての板状部材６，７や筒状部材２６，２７が導電性である場合には、被研磨体を電極部材３，４，２２，２３と兼用（共通化）することも可能である。
（Ｈ04）前記実施例において、被研磨体６，７，１６，１７として使用可能な材料は、例示した材料に限定されず、金属、非金属、合金、あるいは、樹脂やセラミックス等の絶縁体等任意の材料を使用可能である。
（Ｈ05）前記実施例において、装置のサイズや印加する電圧は、実施例に例示した値に限定されず、設計に応じて変更可能である。このとき、電極間の間隔と、電圧は、放電条件や粉体の往復動と関連するため、放電せず且つ往復動可能で、しかも、粉体が被研磨体に叩き込まれることで表面に成膜されない電圧および電極間間隔に設定することができる。

（Ｈ06）前記実施例において、電極部材３，４，２２，２３は、対向する一対の平板状またはチューブとワイヤとの組み合わせにより構成したが、これに限定されず任意の形状とすることも可能である。例えば、チューブをドーナツ状に湾曲させたり、平板状の第１電極部材と第２電極部材を交互に積み重ねていって、複数の粉体収容空間９，３４を有する多層構造とすることも可能である。
（Ｈ07）前記実施例において、粉体収容空間９，３４は、密閉し、長時間往復動させることが望ましいが、これに限定されず、例えば、一端側から順次粉体を供給し、通路状の粉体収容空間９，３４を通過させて研磨することも可能である。また、往復動させる時間や印加電圧を調整することで研磨速度や研磨が終了するまでの時間を調整することができる。

（Ｈ08）前記実施例において、印加する電圧は直流電圧に交流電圧が重畳された電圧に限定されず、交流電圧あるいは直流電圧のみ、あるいは、パルス電流を使用することも可能である。
（Ｈ09）前記実施例において、瑪瑙乳鉢で粉砕した粉体Ｆを例示したが、これに限定されず、任意の方法で往復動可能な程度の大きさ（比重等により異なるが、５００μｍ以下程度が好ましい）にすることが可能である。

（Ｈ010）前記実施例において、第１電極部材３，２２と第２電極部材４，２３とを同じ材料により構成したが、これに限定されず、例えば、第１電極部材２と第２電極部材３とを別の材料で構成して、第１電極部材２側では研磨が行われるとともに、第２電極部材３側では成膜が行われるように各電極部材２，３および研磨用粉体Ｆの材料を選択することで、研磨と成膜を同時に実行可能に構成することも可能である。
（Ｈ011）前記実施例において、粉体Ｆを衝突させることで、研磨だけでなく、印加電圧を調整することで、表面のクリーニングや、被研磨体の吸蔵ガスの脱ガスに利用することもできる。

図１は本発明の実施例１の研磨装置の全体説明図である。図２は実施例１の実験例の実験条件および実験結果の一覧表である。図３は実施例２の研磨装置の説明図であり、図３Ａは電源装置による電圧印加開始前の状態の説明図、図３Ｂは電源装置による電圧印加開始後の状態の説明図である。

符号の説明

１，２１…研磨装置、
２…ベース、
３，２２…第１電極部材、
４，２３…第２電極部材、
６，７，２６，２７…被研磨体、
８，２８，２９…絶縁部材、
９，３４…粉体収容空間、
１１…支柱、
１２…アーム、
１３…軸部材、
１４…押圧部材、
１６…スプリング、
３１，３２…パッキン、
３３…ナット、
Ｆ…研磨用粉体。

Claims

少なくとも一対の電極および前記電極間に配置された絶縁部材により形成された空間に、被研磨体を配置し且つ前記空間に研磨用粉体を封入して、前記電極間に前記研磨用粉体を往復動させ且つ前記研磨用粉体が前記被研磨体表面に付着して成膜されない電圧を印加することにより、被研磨体表面を研磨することを特徴とする研磨方法。
前記被研磨体のモース硬度よりも小さいモース硬度の研磨用粉体を使用することを特徴とする請求項１に記載の研磨方法。
前記被研磨体がステンレスまたはモリブデンにより構成され、且つ、前記研磨用粉体が銅、スズおよび白金のいずれかにより構成されたことを特徴とする請求項１または２に記載の研磨方法。
少なくとも一対の電極と、
前記電極間に配置された絶縁部材と、
前記一対の電極と前記絶縁部材とにより形成された空間に配置された被研磨体と、
前記一対の電極と前記絶縁部材とにより形成された空間に封入された研磨用粉体と、
前記電極に電圧を印加することにより、前記電極および前記絶縁部材により形成された空間に収容された前記研磨用粉体を前記電極間で往復動させ且つ前記研磨用粉体が前記被研磨体表面に付着して成膜されない電源装置と、
を備えたことを特徴とする研磨装置。