JP2008223091A - Electrode for welding, and method for producing the same - Google Patents

Electrode for welding, and method for producing the same Download PDF

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泰一 松本
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electrode for welding whose wear and deposition can be suppressed while maintaining its strength even if service temperature reaches a high temperature of ≥500°C by performing welding at a high current, and to provide a method for producing the same. <P>SOLUTION: The electrode 2 for welding is formed of an electrode material in which at least one kind of hard grains selected from SiO<SB>2</SB>hard grains, Mo<SB>2</SB>C hard grains and TiC hard grains are dispersed by 0.1 to 2 wt.% in total, and the balance Cu. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、溶接用電極及びその製造方法に係わり、特に、高電流で溶接することにより使用温度が500℃以上の高温になっても強度を維持しつつ摩耗及び溶着を抑制できる溶接用電極及びその製造方法に関する。   The present invention relates to a welding electrode and a method for manufacturing the same, and in particular, a welding electrode capable of suppressing wear and welding while maintaining strength even when the operating temperature becomes high temperature of 500 ° C. or higher by welding at a high current. It relates to the manufacturing method.

以下、従来の溶接用電極について説明する。
溶接用電極(例えばコンタクトチップ、電極チップ等)の材料の要求特性としては下記の(1)〜(4)が挙げられる。
(1)チップが発熱するのを抑制するために導電率が高い材料であること。
(2)耐摩耗性、耐焼きつき性を向上させるため、またコンタクトチップから供給されるワイヤが供給停止に陥るのを防止するために、高温強度が高い材料であること。
(3)スパッタが付着しにくい材料であること。
(4)酸化しにくい材料であること。
Hereinafter, a conventional welding electrode will be described.
The following (1) to (4) may be mentioned as the required characteristics of the material for the welding electrode (for example, contact tip, electrode tip, etc.).
(1) A material having high conductivity in order to suppress the chip from generating heat.
(2) A material having high high-temperature strength in order to improve wear resistance and seizure resistance, and to prevent the wire supplied from the contact chip from being stopped.
(3) The material is difficult to adhere to spatter.
(4) The material is difficult to oxidize.

特に、上記(2)の高温強度を高くする対応として、従来の電極材料には、通電性、熱伝導性を得るために銅を基軸とする合金が用いられ、その合金には、高温硬度を維持するためにクロムやジルコニウムなどの金属元素が含有されている。この金属元素を含有させるのは、析出効果により高硬度を得るためである。   In particular, as a countermeasure for increasing the high temperature strength of (2) above, a conventional electrode material uses an alloy based on copper to obtain conductivity and thermal conductivity, and the alloy has a high temperature hardness. In order to maintain, metal elements such as chromium and zirconium are contained. The reason why this metal element is contained is to obtain high hardness due to the precipitation effect.

従来の電極チップの具体例としては、析出効果により硬化させたクロム銅が最も汎用的に使用されている。このクロム銅は、Cu中にCrを0.3〜1.2質量%含有させている。このCrは、熱処理により析出物を作り、電極の銅の硬度を上昇させるものである(例えば特許文献1参照)。   As a specific example of the conventional electrode tip, chrome copper hardened by the precipitation effect is most widely used. This chromium copper contains 0.3 to 1.2% by mass of Cr in Cu. This Cr creates precipitates by heat treatment and increases the hardness of copper of the electrode (see, for example, Patent Document 1).

特開2005−111483号公報(0008段落)JP 2005-111483 A (paragraph 0008)

ところで、最近の溶接においては、大電流化の方向に進んでおり、それに伴い、溶接時における溶接用電極の温度が上昇する傾向にある。例えば400アンペアを超える高電流では、溶接用電極の温度が500℃を超えることがある。上述したクロム銅からなる溶接用電極では、使用温度が500℃程度までは必要な硬度を保つが、使用温度が500℃を超えるとクロム銅が軟化し始める。一度軟化したクロム銅は再び硬度を取り戻すことがない。従って、溶接用電極を繰り返し使用することにより加えられる繰り返し熱に弱い。このため、溶接用電極が早期に摩耗、溶着し、それにより、溶接用電極の交換頻度が多くなり、全体として設備稼働率が低下するという問題が生じていた。   By the way, in recent welding, the current has been increasing, and accordingly, the temperature of the welding electrode tends to increase during welding. For example, at high currents exceeding 400 amps, the temperature of the welding electrode may exceed 500 ° C. In the above-described welding electrode made of chromium copper, the required hardness is maintained until the use temperature is about 500 ° C., but when the use temperature exceeds 500 ° C., the chromium copper starts to soften. Once softened, chrome copper will not regain hardness. Therefore, it is vulnerable to repeated heat applied by repeatedly using the welding electrode. For this reason, the welding electrode was worn and welded at an early stage, thereby increasing the frequency of replacement of the welding electrode, resulting in a problem that the facility operation rate was lowered as a whole.

本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、高電流で溶接することにより使用温度が500℃以上の高温になっても強度を維持しつつ摩耗及び溶着を抑制できる溶接用電極及びその製造方法を提供することにある。   The present invention has been made in consideration of the above circumstances, and its purpose is to wear and weld while maintaining the strength even when the operating temperature becomes 500 ° C. or higher by welding at a high current. It is providing the welding electrode which can be suppressed, and its manufacturing method.

上記課題を解決するため、本発明に係る溶接用電極は、SiO硬質粒子、MoC硬質粒子及びTiC硬質粒子のうち少なくとも1種の硬質粒子を合計で0.1重量%〜2重量%分散させ、残部がCuからなる電極材料によって形成されていることを特徴とする。 In order to solve the above-mentioned problems, the welding electrode according to the present invention comprises at least one hard particle of SiO 2 hard particles, Mo 2 C hard particles, and TiC hard particles in a total amount of 0.1 wt% to 2 wt%. Dispersed, and the remainder is formed of an electrode material made of Cu.

また、本発明に係る溶接用電極において、前記電極材料には、Zn、Sn、Mn、Al及びPからなる群から選択される少なくとも一の元素がさらに含有されており、前記Znの上限含有量は0.9重量%であり、前記Snの上限含有量は0.14重量%であり、前記Mnの上限含有量は0.1重量%であり、前記Alの上限含有量は0.1重量%であり、前記Pの上限含有量は0.02重量%であることが好ましい。   In the welding electrode according to the present invention, the electrode material further contains at least one element selected from the group consisting of Zn, Sn, Mn, Al and P, and the upper limit content of Zn Is 0.9 wt%, the upper limit content of Sn is 0.14 wt%, the upper limit content of Mn is 0.1 wt%, and the upper limit content of Al is 0.1 wt% It is preferable that the upper limit content of P is 0.02% by weight.

また、本発明に係る溶接用電極において、前記電極材料からなる粉末が成形され、焼結によって作製されていることも可能である。
また、本発明に係る溶接用電極において、前記電極材料を含む混練物が射出成形され、焼結によって作製されていることも可能である。
Further, in the welding electrode according to the present invention, the powder made of the electrode material may be formed and produced by sintering.
In the welding electrode according to the present invention, the kneaded material containing the electrode material may be injection-molded and produced by sintering.

本発明に係る溶接用電極の製造方法は、SiO硬質粒子、MoC硬質粒子及びTiC硬質粒子のうち少なくとも1種の硬質粒子を合計で0.1重量%〜2重量%分散させ、残部がCuからなる溶接用電極の製造方法であって、
SiO硬質粒子、MoC硬質粒子及びTiC硬質粒子のうち少なくとも1種の硬質粒子粉末とCu粉末を混合する工程と、
前記混合粉末を圧粉成形する工程と、
前記圧粉末成形した成形体を900℃〜1100℃の温度で焼結する工程と、
を具備することを特徴とする。
In the method for producing a welding electrode according to the present invention, at least one kind of hard particles among SiO 2 hard particles, Mo 2 C hard particles and TiC hard particles is dispersed in a total amount of 0.1 wt% to 2 wt%, and the balance Is a method of manufacturing a welding electrode made of Cu,
Mixing at least one hard particle powder and Cu powder among SiO 2 hard particles, Mo 2 C hard particles and TiC hard particles;
A step of compacting the mixed powder;
Sintering the green compact molded body at a temperature of 900 ° C. to 1100 ° C .;
It is characterized by comprising.

本発明に係る溶接用電極の製造方法は、SiO硬質粒子、MoC硬質粒子及びTiC硬質粒子のうち少なくとも1種の硬質粒子を合計で0.1重量%〜2重量%分散させ、残部がCuからなる溶接用電極の製造方法であって、
SiO硬質粒子、MoC硬質粒子及びTiC硬質粒子のうち少なくとも1種の硬質粒子粉末とCu粉末とバインダを混合する工程と、
前記混練した混練物を射出成形する工程と、
前記射出成形した成形体を900℃〜1100℃の温度で焼結する工程と、
を具備することを特徴とする。
In the method for producing a welding electrode according to the present invention, at least one kind of hard particles among SiO 2 hard particles, Mo 2 C hard particles and TiC hard particles is dispersed in a total amount of 0.1 wt% to 2 wt%, and the balance Is a method of manufacturing a welding electrode made of Cu,
A step of mixing at least one hard particle powder, Cu powder and binder among SiO 2 hard particles, Mo 2 C hard particles and TiC hard particles;
A step of injection molding the kneaded kneaded product;
Sintering the injection molded molded body at a temperature of 900 ° C. to 1100 ° C .;
It is characterized by comprising.

本発明に係る溶接用電極の製造方法において、前記溶接用電極にはZn、Sn、Mn、Al及びPからなる群から選択される少なくとも一の元素がされに含有されており、前記混合する工程ではZn、Sn、Mn、Al及びPからなる群から選択される少なくとも一の元素を含む粉末をさらに混合することも可能である。   In the method for manufacturing a welding electrode according to the present invention, the welding electrode contains at least one element selected from the group consisting of Zn, Sn, Mn, Al, and P, and the mixing step. Then, it is also possible to further mix a powder containing at least one element selected from the group consisting of Zn, Sn, Mn, Al and P.

以上説明したように本発明によれば、高電流で溶接することにより使用温度が500℃以上の高温になっても強度を維持しつつ摩耗及び溶着を抑制できる溶接用電極及びその製造方法を提供することができる。   As described above, according to the present invention, there is provided a welding electrode capable of suppressing wear and welding while maintaining the strength even when the operating temperature becomes 500 ° C. or higher by welding at a high current, and a method for manufacturing the same. can do.

以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
(実施の形態1)
図1は、本発明の実施の形態1による溶接用電極の一例であるコンタクトチップを用いて溶接する様子を模式的に示す図である。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
(Embodiment 1)
FIG. 1 is a diagram schematically showing welding using a contact tip that is an example of a welding electrode according to Embodiment 1 of the present invention.

溶接機のノズル1にはコンタクトチップ2が取り付けられており、このコンタクトチップ2には溶接ワイヤ3を繰り出すための穴(図示せず)が設けられている。コンタクトチップ2によって溶接電流を溶接ワイヤ3に供給し、溶接ワイヤ3を狙い位置へ正確に供給することにより溶接対象物4に溶接を行う。この際、コンタクトチップ2には大電流が流されるため、コンタクトチップ2の温度が高温になる。   A contact tip 2 is attached to the nozzle 1 of the welding machine, and a hole (not shown) for feeding the welding wire 3 is provided in the contact tip 2. A welding current is supplied to the welding wire 3 by the contact tip 2, and the welding object 4 is welded by accurately supplying the welding wire 3 to a target position. At this time, since a large current flows through the contact chip 2, the temperature of the contact chip 2 becomes high.

コンタクトチップ2の材料として好ましい特性としては下記の(1)〜(5)が挙げられる。
(1)チップの発熱を抑制するために導電率が高い材料であること。
(2)高温で使用されたり、また温度が変動することで繰り返し熱が加えられても、コンタクトチップ2の硬度又は強度が低下しないこと。即ち、溶接ワイヤ3を狙い位置へ正確に供給するというターゲット性を確保するには、高温での耐摩耗性を高くしてコンタクトチップ2の穴が広がらないこと。
(3)溶接ワイヤ3の供給停止を抑制するには、焼付き難く、融着し難いこと。
(4)スパッタが付着し難いこと。
(5)酸化しにくいこと。
The following properties (1) to (5) are preferable as the material of the contact chip 2.
(1) A material having high conductivity in order to suppress heat generation of the chip.
(2) The hardness or strength of the contact chip 2 does not decrease even when heat is repeatedly applied due to use at a high temperature or when the temperature fluctuates. That is, in order to ensure the target property of accurately supplying the welding wire 3 to the target position, the wear resistance at high temperature should be increased and the hole of the contact tip 2 should not be widened.
(3) In order to suppress the supply stop of the welding wire 3, it is difficult to be seized and difficult to be fused.
(4) Spatter is difficult to adhere.
(5) It is difficult to oxidize.

1.コンタクトチップの材料
コンタクトチップ2の材料は、電気伝導率に優れたCuを母材として用い、この母材に1重量%以下の焼結緻密化材を含有させ、且つ0.1〜2重量%の硬質粒子を分散させたものである。この硬質粒子は、600℃から800℃の温度域においても硬度が低下せず、熱衝撃に強く、従来のクロム銅よりも耐摩耗性に優れている。硬質粒子を分散させることにより耐摩耗性、耐焼付き性を確保することができる。尚、コンタクトチップ2の材料中に母材が含有する下限量は97重量%である。
1. Contact Chip Material The contact chip 2 is made of Cu having excellent electrical conductivity as a base material. The base material contains 1% by weight or less of a sintered densified material, and 0.1 to 2% by weight. The hard particles are dispersed. The hard particles do not decrease in hardness even in a temperature range of 600 ° C. to 800 ° C., are resistant to thermal shock, and are more excellent in wear resistance than conventional chromium copper. Abrasion resistance and seizure resistance can be ensured by dispersing hard particles. Incidentally, the lower limit amount of the base material in the material of the contact chip 2 is 97% by weight.

前記硬質粒子としては、SiO、MoC及びTiCが挙げられる。これらの硬質粒子は1種を1重量%以下含有させても良いし、複数種を合計で1重量%以下含有させても良い。硬質粒子としてSiOを挙げたのは、Cu−10重量%Sn−10重量%PにSiOを0.5重量%含有させた摺動材料は耐摩耗性が向上することが確認されているからである。また、硬質粒子としてのMoCは、Moよりも耐摩耗性及び耐焼付き性に優れており、非油潤滑特性が良好である。また、TiCは高温耐焼付き性及び耐摩耗性に大変優れている。 Examples of the hard particles include SiO 2 , Mo 2 C, and TiC. One type of these hard particles may be contained in an amount of 1% by weight or less, or a plurality of types of hard particles may be contained in a total of 1% by weight. The reason why SiO 2 is cited as the hard particles is that it is confirmed that the wear resistance of the sliding material containing 0.5 wt% of SiO 2 in Cu-10 wt% Sn-10 wt% P is improved. Because. Moreover, Mo 2 C as hard particles is superior in wear resistance and seizure resistance to Mo and has good non-oil lubrication characteristics. TiC is very excellent in high temperature seizure resistance and wear resistance.

Cuに不純物を含有させると電気伝導度が下がるが、コンタクトチップ2の電気伝導度は35m/Ohm・mm以上とすることが好ましい。ここで、Cu母材の電気伝導度は50m/Ohm・mm程度である。このため、コンタクトチップ2を35m/Ohm・mm以上の電気伝導度とするには、焼結緻密化材として機能する各元素のCu母材への最大添加量は表1に示すとおりであり、母材の組成例は表2に示すとおりである。尚、焼結緻密化材の一例としてはCu−10重量%Sn−0.2重量%Pがある。 When Cu contains impurities, the electrical conductivity decreases, but the electrical conductivity of the contact chip 2 is preferably 35 m / Ohm · mm 2 or more. Here, the electric conductivity of the Cu base material is about 50 m / Ohm · mm 2 . Therefore, in order to make the contact chip 2 have an electrical conductivity of 35 m / Ohm · mm 2 or more, the maximum addition amount of each element functioning as a sintered densification material to the Cu base material is as shown in Table 1. Table 2 shows composition examples of the base material. An example of the sintered densified material is Cu-10 wt% Sn-0.2 wt% P.

Figure 2008223091
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Figure 2008223091
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2.コンタクトチップの製造方法
2−1.プレス成形−焼結
図2は、本発明の実施の形態1による第1の製造方法(プレス成形−焼結)を示す図である。
2. 2. Contact chip manufacturing method 2-1. Press Forming-Sintering FIG. 2 is a diagram showing a first manufacturing method (press forming-sintering) according to Embodiment 1 of the present invention.

まず、硬質粒子の粉末が0.5〜1重量%、Cu−10重量%Sn−0.2重量%Pの粉末が1重量%、残部がCu粉末(日鉱金属株式会社製#51)となるように秤量し、混合する。   First, the hard particle powder is 0.5 to 1% by weight, the Cu-10% by weight Sn-0.2% by weight P powder is 1% by weight, and the remainder is Cu powder (# 51 manufactured by Nikko Metal Co., Ltd.). Weigh and mix as above.

次に、100tアムスラーで4t/cmの圧粉成形を行う。これにより、10mm×12mm×80mmの成形体が形成される。 Next, 4 t / cm < 2 > compacting is performed with 100 t Amsler. Thereby, a molded body of 10 mm × 12 mm × 80 mm is formed.

次に、前記成形体を900℃〜1100℃(好ましくは1050℃)の温度で真空焼結する。焼結緻密化材の融点より高い温度で且つCuの融点直下で焼結することにより焼結緻密化材を液相化させて焼結密度を上げることができる。   Next, the molded body is vacuum sintered at a temperature of 900 ° C. to 1100 ° C. (preferably 1050 ° C.). By sintering at a temperature higher than the melting point of the sintered densified material and immediately below the melting point of Cu, the sintered densified material can be made into a liquid phase and the sintered density can be increased.

次に、前記真空焼結した焼結体に15%の圧延を行う。これにより、酸化膜を破壊して密度を上げることができる。   Next, the vacuum sintered body is rolled by 15%. Thereby, the oxide film can be broken to increase the density.

次に、前記圧延を行った圧延体に400℃以上の温度(好ましくは400℃)で真空焼鈍を行う。温度を400℃としたのは、銅系材料で最も導電率が回復する温度であること、加工歪を完全に除くために再結晶温度以上とするためである。   Next, vacuum annealing is performed at a temperature of 400 ° C. or higher (preferably 400 ° C.) on the rolled body. The reason why the temperature is set to 400 ° C. is that it is the temperature at which the electrical conductivity is recovered most in the copper-based material, and is equal to or higher than the recrystallization temperature in order to completely remove the processing strain.

次に、外径加工及び内径加工を機械加工によって行う。これにより、コンタクトチップ2が製造される。   Next, outer diameter processing and inner diameter processing are performed by machining. Thereby, the contact chip 2 is manufactured.

2−2.押出し成形−脱脂−焼結(金属射出成形法)
図3は、本発明の実施の形態1による第2の製造方法(金属射出成形法)を示す図である。
2-2. Extrusion molding-degreasing-sintering (metal injection molding method)
FIG. 3 is a diagram showing a second manufacturing method (metal injection molding method) according to Embodiment 1 of the present invention.

まず、硬質粒子の粉末が0.5〜1重量%、Cu−10重量%Sn−0.2重量%Pの粉末が1重量%、残部がCu粉末(日鉱金属株式会社製#51)となるように秤量する。これらの金属粉末とアミド化合物のバインダを混練する。   First, the hard particle powder is 0.5 to 1% by weight, the Cu-10% by weight Sn-0.2% by weight P powder is 1% by weight, and the balance is Cu powder (# 51 made by Nikko Metal Co., Ltd.) Weigh as follows. These metal powders and an amide compound binder are kneaded.

次に、前記混練した混練物を射出成形する。
次に、この射出成形した成形体を400℃±10℃の温度で40時間保持することにより、成形体の脱脂を行う。次に、脱脂後の成形体を900℃〜1100℃(好ましくは1050℃)の温度で真空焼結する。焼結緻密化材の融点より高い温度で且つCuの融点直下で焼結することにより焼結緻密化材を液相化させて焼結密度を上げることができる。
Next, the kneaded mixture is injection molded.
Next, the molded body is degreased by holding the injection-molded molded body at a temperature of 400 ° C. ± 10 ° C. for 40 hours. Next, the compact after degreasing is vacuum sintered at a temperature of 900 ° C. to 1100 ° C. (preferably 1050 ° C.). By sintering at a temperature higher than the melting point of the sintered densified material and immediately below the melting point of Cu, the sintered densified material can be made into a liquid phase and the sintered density can be increased.

次に、外径加工及び内径加工を機械加工によって行う。これにより、コンタクトチップ2が製造される。   Next, outer diameter processing and inner diameter processing are performed by machining. Thereby, the contact chip 2 is manufactured.

尚、本実施の形態では、コンタクトチップ2の製造方法として2−1.プレス成形−焼結、2−2.金属射出成形法を説明しているが、これに限定されるものではなく、コンタクトチップ2を鋳込みによって製造することも可能である。   In the present embodiment, the manufacturing method of the contact chip 2 is 2-1. Press molding-sintering, 2-2. Although the metal injection molding method is described, the present invention is not limited to this, and the contact chip 2 can be manufactured by casting.

3.溶接試験及びその結果
3−1.試験
試験用コンタクトチップの材料としては、Cuに焼結緻密化材としてCu−10重量%Sn−0.2重量%Pを1重量%含有させるとともに硬質粒子としてSiOを0.5重量%添加した材料(0.5SiO2)、Cuに焼結緻密化材としてCu−10重量%Sn−0.2重量%Pを1重量%含有させるとともに硬質粒子としてMoCを1重量%添加した材料(1Mo2C)、Cuに焼結緻密化材としてCu−10重量%Sn−0.2重量%Pを1重量%含有させるとともに硬質粒子としてTiCを1重量%添加した材料(1TiC)を用いた。これらの材料を用いて前述した第1の製造方法(プレス成形−焼結)によりコンタクトチップを製造した。
3. 3. Welding test and results 3-1. As a test contact tip material, Cu contains 1 wt% Cu-10 wt% Sn-0.2 wt% P as a sintered densification material and 0.5 wt% SiO 2 as hard particles. material (0.5SiO2), materials obtained by adding Mo 2 C 1 weight percent hard particles with Cu-10 to wt% Sn-0.2 wt% P and containing 1 wt% as a sintering densification material Cu ( 1Mo2C), a material containing 1% by weight of Cu-10% by weight Sn-0.2% by weight P as a sintered densification material and 1% by weight of TiC as hard particles (1TiC) was used. Using these materials, contact chips were manufactured by the first manufacturing method (press molding-sintering) described above.

前記コンタクトチップそれぞれによって30分間連続して溶接長11mを溶接した際の溶接性と耐久性の評価を行った。具体的には下記の(1)〜(3)の評価を行った。
(1)コンタクトチップが溶着して溶接ワイヤの送給が停止しないかを評価した。
(2)溶接の電圧、電流の安定性を評価した。
(3)コンタクトチップの穴先端の消耗量を溶接前後の真円度の変化で評価した。
Weldability and durability were evaluated when welding length 11 m was continuously welded for 30 minutes with each of the contact tips. Specifically, the following (1) to (3) were evaluated.
(1) It was evaluated whether or not the contact tip was welded to stop feeding the welding wire.
(2) Welding voltage and current stability were evaluated.
(3) The amount of wear at the tip of the contact tip was evaluated by the change in roundness before and after welding.

尚、真円度はチップ穴径を4点測定し、そのうちの最大値と最小値の差によって求めた。また、溶接条件は下記のとおりである。
・ビードオンプレート
・電源 松下AEII−500
・電流400アンペア
・電圧36V
・送り37cm/min
・溶接線径φ1.4
・突出量25mm
・Ar80%、CO20%の混合ガス使用
The roundness was obtained by measuring the tip hole diameter at four points and calculating the difference between the maximum value and the minimum value. The welding conditions are as follows.
・ Bead on plate ・ Power supply Matsushita AEII-500
・ Current 400A ・ Voltage 36V
・ Feed 37cm / min
・ Welding wire diameter φ1.4
・ Protrusion 25mm
・ Use of mixed gas of Ar 80% and CO 2 20%

3−2.結果
上記評価に対する結果を表3に示している。表3に示すように、耐摩耗性は従来のコンタクトチップより良好であり、硬質粒子による耐摩耗性の向上効果が確認できた。また、溶接ワイヤの送給が停止することはなく、溶接ワイヤの詰まりや焼付きは発生しなかった。また、0.5重量%SiOを添加したコンタクトチップは、電流、電圧の安定度が従来材よりも高く、溶接中のスパッタの飛散量も少なかった。また、溶接前後の真円度の結果からターゲット性は良好であることが予想される。
3-2. Results The results for the above evaluation are shown in Table 3. As shown in Table 3, the wear resistance was better than that of the conventional contact tip, and the effect of improving the wear resistance by the hard particles could be confirmed. Further, the feeding of the welding wire did not stop, and the welding wire was not clogged or seized. Further, the contact tip to which 0.5 wt% SiO 2 was added had higher current and voltage stability than the conventional material, and the amount of spatter scattered during welding was small. In addition, the target property is expected to be good from the result of roundness before and after welding.

Figure 2008223091
Figure 2008223091

上記実施の形態1によれば、硬質粒子を分散させることにより耐熱性を向上させているため、従来の析出効果型のクロム銅のように再固溶することがない。従って、溶接用電極に高電流が流れることで500℃を超える温度で溶接用電極を使用しても、軟化しにくく、耐摩耗性及び耐焼付き性を高く維持することができ、強度及び導電率が低下することが少なく、繰り返し加熱などの熱衝撃に強い。このため、溶接用電極の寿命を延ばすことができ、溶接用電極の交換頻度を少なくでき、全体として設備稼働率を高くすることができる。また、より過酷な溶接条件になるほど従来の溶接用電極材料であるクロム銅よりも高寿命とすることができる。   According to the first embodiment, since the heat resistance is improved by dispersing the hard particles, it does not re-dissolve like the conventional precipitation effect type chrome copper. Therefore, even if the welding electrode is used at a temperature exceeding 500 ° C. due to a high current flowing through the welding electrode, it is difficult to soften and can maintain high wear resistance and seizure resistance. Is resistant to thermal shock such as repeated heating. For this reason, the lifetime of the welding electrode can be extended, the replacement frequency of the welding electrode can be reduced, and the facility operation rate can be increased as a whole. Further, the severer the welding conditions, the longer the life can be achieved than chromium copper which is a conventional welding electrode material.

また、従来のクロム銅からなる溶接用電極では、鉄分が電極内に拡散しやすく、鉄分が異常に溶け込むことによって導電率が低下し、溶接ワイヤと溶接用電極との間の接触抵抗が異常に高まることによって溶着が発生する。これに対し、本実施の形態による溶接用電極では、硬質粒子によって鉄分の拡散を抑制し、母材の歪を抑えることができ、高温下でも高強度を維持できると考えられる。   In addition, in conventional welding electrodes made of chrome copper, iron easily diffuses into the electrode, and the iron content abnormally melts, resulting in a decrease in conductivity and abnormal contact resistance between the welding wire and the welding electrode. Increased welds occur. In contrast, in the welding electrode according to the present embodiment, it is considered that the hard particles can suppress the diffusion of iron, suppress the distortion of the base material, and maintain high strength even at high temperatures.

また、上記実施の形態1では、粉体焼結によって溶接用電極を製造するため、形状の自由度を大きくすることができ、ニアネットシェイプで作製でき、製造コストを低減することができる。   In the first embodiment, since the welding electrode is manufactured by powder sintering, the degree of freedom of the shape can be increased, the electrode can be manufactured in a near net shape, and the manufacturing cost can be reduced.

(実施の形態2)
図4(A)は、本発明の実施の形態2による溶接用電極の一例であるスポット溶接電極を示す平面図であり、図4(B)は、図4(A)に示すスポット溶接電極を用いてワークを溶接する様子を模式的に示す図である。
(Embodiment 2)
FIG. 4 (A) is a plan view showing a spot welding electrode which is an example of a welding electrode according to Embodiment 2 of the present invention, and FIG. 4 (B) shows the spot welding electrode shown in FIG. 4 (A). It is a figure which shows a mode that a workpiece | work is welded using.

溶接対象物であるワーク4をスポット溶接電極5,6で圧着しつつ+電極から−電極に通電し、抵抗熱で金属を溶かして溶接接合する。   While the workpiece 4 as a welding object is crimped by the spot welding electrodes 5 and 6, electricity is passed from the + electrode to the − electrode, and the metal is melted and welded by resistance heat.

スポット溶接電極5,6の材料としては、実施の形態1のコンタクトチップと同様の材料を用いる。また、スポット溶接電極の製造方法は、実施の形態1と同様の製造方法、即ち、第1の製造方法(プレス成形−焼結)及び第2の製造方法(金属射出成形法)を用いることができる。   As the material of the spot welding electrodes 5 and 6, the same material as that of the contact tip of the first embodiment is used. Moreover, the manufacturing method of a spot welding electrode uses the manufacturing method similar to Embodiment 1, ie, the 1st manufacturing method (press molding-sintering) and the 2nd manufacturing method (metal injection molding method). it can.

上記実施の形態2においても実施の形態1と同様の効果を得ることができる。   In the second embodiment, the same effect as in the first embodiment can be obtained.

尚、本発明は上記実施の形態及び上記実施例に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することが可能である。例えば、上記実施の形態1,2では、SiO硬質粒子、MoC硬質粒子及びTiC硬質粒子のいずれか1種の硬質粒子を0.1重量%〜2重量%分散させた溶接用電極を用いているが、これに限定されるものではなく、SiO硬質粒子、MoC硬質粒子及びTiC硬質粒子のうち少なくとも1種の硬質粒子を合計で0.1重量%〜2重量%分散させた溶接用電極を用いることも可能である。 In addition, this invention is not limited to the said embodiment and said Example, A various change can be implemented within the range which does not deviate from the main point of this invention. For example, in the first and second embodiments, the welding electrode in which any one hard particle of SiO 2 hard particles, Mo 2 C hard particles, and TiC hard particles is dispersed by 0.1 wt% to 2 wt% is used. Although it is used, the present invention is not limited to this, and at least one kind of hard particles out of SiO 2 hard particles, Mo 2 C hard particles and TiC hard particles is dispersed in a total amount of 0.1 wt% to 2 wt%. It is also possible to use a welding electrode.

本発明の実施の形態1による溶接用電極の一例であるコンタクトチップを用いて溶接する様子を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically a mode that it welds using the contact tip which is an example of the electrode for welding by Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態1による第1の製造方法(プレス成形−焼結)を示す図である。It is a figure which shows the 1st manufacturing method (press molding-sintering) by Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態1による第2の製造方法(金属射出成形法)を示す図である。It is a figure which shows the 2nd manufacturing method (metal injection molding method) by Embodiment 1 of this invention. (A)は実施の形態2による溶接用電極の一例であるスポット溶接電極を示す平面図であり、(B)は(A)に示すスポット溶接電極を用いてワークを溶接する様子を模式的に示す図である。(A) is a top view which shows the spot welding electrode which is an example of the electrode for welding by Embodiment 2, (B) typically shows a mode that a workpiece | work is welded using the spot welding electrode shown to (A). FIG.

符号の説明Explanation of symbols

1…ノズル
2…コンタクトチップ
3…溶接ワイヤ
4…溶接対象物(ワーク)
5,6…スポット溶接電極
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Nozzle 2 ... Contact tip 3 ... Welding wire 4 ... Welding object (workpiece)
5, 6 ... Spot welding electrode

Claims (7)

SiO硬質粒子、MoC硬質粒子及びTiC硬質粒子のうち少なくとも1種の硬質粒子を合計で0.1重量%〜2重量%分散させ、残部がCuからなる電極材料によって形成されていることを特徴とする溶接用電極。 At least one hard particle of SiO 2 hard particles, Mo 2 C hard particles, and TiC hard particles is dispersed in a total amount of 0.1 wt% to 2 wt%, and the balance is formed of an electrode material made of Cu. An electrode for welding. 請求項1において、前記電極材料には、Zn、Sn及びPからなる群から選択される少なくとも一の元素がさらに含有されており、前記Znの上限含有量は0.9重量%であり、前記Snの上限含有量は0.14重量%であり、前記Pの上限含有量は0.02重量%であることを特徴とする溶接用電極。   2. The electrode material according to claim 1, further comprising at least one element selected from the group consisting of Zn, Sn, and P, wherein the upper limit content of Zn is 0.9 wt%, The upper limit content of Sn is 0.14 weight%, The upper limit content of the said P is 0.02 weight%, The electrode for welding characterized by the above-mentioned. 請求項1又は2において、前記電極材料からなる粉末が成形され、焼結によって作製されていることを特徴とする溶接用電極。   3. The welding electrode according to claim 1, wherein the powder made of the electrode material is molded and sintered. 請求項1又は2において、前記電極材料を含む混練物が射出成形され、焼結によって作製されていることを特徴とする溶接用電極。   3. The welding electrode according to claim 1, wherein the kneaded material containing the electrode material is injection-molded and produced by sintering. SiO硬質粒子、MoC硬質粒子及びTiC硬質粒子のうち少なくとも1種の硬質粒子を合計で0.1重量%〜2重量%分散させ、残部がCuからなる溶接用電極の製造方法であって、
SiO硬質粒子、MoC硬質粒子及びTiC硬質粒子のうち少なくとも1種の硬質粒子粉末とCu粉末を混合する工程と、
前記混合粉末を圧粉成形する工程と、
前記圧粉末成形した成形体を900℃〜1100℃の温度で焼結する工程と、
を具備することを特徴とする溶接用電極の製造方法。
This is a method for producing a welding electrode in which at least one hard particle out of SiO 2 hard particles, Mo 2 C hard particles and TiC hard particles is dispersed in a total amount of 0.1 wt% to 2 wt%, and the balance is made of Cu. And
Mixing at least one hard particle powder and Cu powder among SiO 2 hard particles, Mo 2 C hard particles and TiC hard particles;
A step of compacting the mixed powder;
Sintering the green compact molded body at a temperature of 900 ° C. to 1100 ° C .;
The manufacturing method of the electrode for welding characterized by comprising.
SiO硬質粒子、MoC硬質粒子及びTiC硬質粒子のうち少なくとも1種の硬質粒子を合計で0.1重量%〜2重量%分散させ、残部がCuからなる溶接用電極の製造方法であって、
SiO硬質粒子、MoC硬質粒子及びTiC硬質粒子のうち少なくとも1種の硬質粒子粉末とCu粉末とバインダを混合する工程と、
前記混練した混練物を射出成形する工程と、
前記射出成形した成形体を900℃〜1100℃の温度で焼結する工程と、
を具備することを特徴とする溶接用電極の製造方法。
This is a method for producing a welding electrode in which at least one hard particle out of SiO 2 hard particles, Mo 2 C hard particles and TiC hard particles is dispersed in a total amount of 0.1 wt% to 2 wt%, and the balance is made of Cu. And
A step of mixing at least one hard particle powder, Cu powder and binder among SiO 2 hard particles, Mo 2 C hard particles and TiC hard particles;
A step of injection molding the kneaded kneaded product;
Sintering the injection molded molded body at a temperature of 900 ° C. to 1100 ° C .;
The manufacturing method of the electrode for welding characterized by comprising.
請求項5又は6において、前記溶接用電極にはZn、Sn及びPからなる群から選択される少なくとも一の元素がされに含有されており、前記混合する工程ではZn、Sn及びPからなる群から選択される少なくとも一の元素を含む粉末をさらに混合することを特徴とする溶接用電極の製造方法。   7. The welding electrode according to claim 5 or 6, wherein the welding electrode contains at least one element selected from the group consisting of Zn, Sn, and P, and in the mixing step, the group consisting of Zn, Sn, and P. A method for producing a welding electrode, further comprising mixing a powder containing at least one element selected from the group consisting of:
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN103643075A (en) * 2013-11-29 2014-03-19 浙江工业大学 Nano-particle reinforced copper-based composite material and preparation method thereof
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