JP2008218624A - Identification mark and semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、光学的な認識に使用される認識マーク、および当該認識マークを備えた半導体装置に関する。 The present invention relates to a recognition mark used for optical recognition, and a semiconductor device including the recognition mark.
半導体集積回路装置(以下、半導体装置という。)の製造工程は、半導体基板上に半導体装置を作りこむウエハ工程と、ウエハ工程が完了した半導体基板を個々の半導体チップ(以下、チップという。)に分割し、組立を行う組立工程とに分けることができる。組立工程では、まず、ダイシング等により半導体基板がチップに分割される。半導体基板の分割に際し、半導体基板は粘着性を有するダイシングシート等に貼り付けられる。このため、分割された各チップは、ダイシングシート上に配列された状態で保持される。そして、当該ダイシングシートからピックアップされたチップが組立に使用される。このようなピックアップを行う装置は、ピックアップの際に画像認識によりチップの有無を判別している。このような画像認識を行うために、各チップ上には、認識マークが形成されている。 A manufacturing process of a semiconductor integrated circuit device (hereinafter referred to as a semiconductor device) includes a wafer process in which a semiconductor device is formed on a semiconductor substrate and a semiconductor substrate in which the wafer process is completed into individual semiconductor chips (hereinafter referred to as chips). It can be divided into an assembly process for dividing and assembling. In the assembly process, first, the semiconductor substrate is divided into chips by dicing or the like. When the semiconductor substrate is divided, the semiconductor substrate is attached to an adhesive dicing sheet or the like. For this reason, each divided | segmented chip | tip is hold | maintained in the state arranged on the dicing sheet. A chip picked up from the dicing sheet is used for assembly. An apparatus that performs such pickup determines the presence or absence of a chip by image recognition at the time of pickup. In order to perform such image recognition, a recognition mark is formed on each chip.
図19は、一般的なMOS(Metal Oxide Semiconductor)型半導体装置の製造プロセスにより形成された、従来の認識マークの構造の一例を示す図である。図19(a)は認識マークの平面図であり、図19(b)は、図19(a)のX−X線における断面図である。 FIG. 19 is a diagram showing an example of the structure of a conventional recognition mark formed by a manufacturing process of a general MOS (Metal Oxide Semiconductor) type semiconductor device. FIG. 19A is a plan view of the recognition mark, and FIG. 19B is a cross-sectional view taken along line XX in FIG.
図19(b)の例では、シリコン基板101上にLOCOS(Local Oxidation of Silicon)膜103が形成されており、LOCOS膜103上にBPSG(Boro-Phospho Silicate Glass)膜104が形成されている。BPSG膜104上には、TEOS(Tetra Ethyl Ortho Silicate)膜105が形成されている。ここで、BPSG膜104は、シリコン基板101の表面に形成された半導体素子と、BPSG膜104上に形成される配線との間の層間絶縁膜であり、TEOS膜105は、BPSG膜104上に形成される配線と、TEOS膜105上に形成される配線との間の層間絶縁膜である。
In the example of FIG. 19B, a LOCOS (Local Oxidation of Silicon)
TEOS膜105上には、十字型パターンからなる認識マーク100が形成されている。当該認識マーク100は、矩形パターン110によって囲まれている。当該矩形パターン110は、認識マーク領域を示す機能を有するパターンであり、認識マークに必須のパターンではない。
On the TEOS
図19(a)の例では、認識マーク100および矩形パターン110はアルミニウム(Al)等の金属膜107により構成されている。金属膜107は、チップ上の半導体回路を構成する配線(ここでは、TEOS膜5上に形成される配線)を形成するために使用される。したがって、認識マーク100は、当該配線の形成工程において形成される。近年、配線形成工程では、微細な配線の安定した加工を実現するために、金属膜107上には、窒化チタン(TiN)膜等からなる反射防止膜111が形成されている。反射防止膜111は、金属膜107にパターン形成を行うためのリソグラフィ工程において、反射光を低減させて加工精度を確保する機能と、金属膜107の酸化を防止して配線の信頼性を確保する機能とを有している。なお、TEOS膜105上には、認識マーク100を被覆する窒化シリコン(SiN)膜106が保護膜として形成されている。なお、図19(a)では、SiN膜6の図示を省略している。
In the example of FIG. 19A, the
図19に示す認識マーク100の画像認識は、十字型パターン形成領域における光の反射率と、十字型パターンの周囲で金属膜7が存在しない領域における光の反射率とが異なることを利用して行われる。すなわち、半導体装置の表面を光学的に観察したときに、反射率の差から生じるコントラストにより認識マークの形状を検出する。そして、ダイシングシート上における各チップ位置において、所定形状(ここでは、十字型)の認識マークが検出できた場合にはそのチップをピックアップする。また、所定の認識マークが検出できなかった場合には、その位置にチップが存在しないと判定し、次のチップ位置に移動する。
The image recognition of the
なお、チップ上の認識マークの認識率を向上させる技術として、例えば、特許文献1、2に開示された技術がある。特許文献1は、反射率の低い絶縁膜等で形成されたパターンの認識力を向上させるため、Al膜等の高反射率膜をパターンの形状に沿って設ける技術を開示している。また、特許文献2は、平面部からなる垂直反射率が高いパターンと、凹凸部からなる垂直反射率が低いパターンとを有する、認識マークが開示されている。
図19の構造を有する認識マークでは金属膜107上に反射防止膜111が形成されているため、認識マーク100(十字型パターン)形成領域の光の反射率は比較的小さい。このため、認識マーク形成領域の反射率と、金属膜107が形成されていない周辺領域の反射率との差が約6%程度になる。このような状況下で、画像認識によりチップの有無を確実に認識するためには、画像認識において、半導体装置の表面を観察した画像から認識マーク100の形状を抽出するための判定基準を厳密に設定する必要があった。
In the recognition mark having the structure of FIG. 19, since the
しかしながら、上述の組立工程は、出荷先のユーザにおいて行われることもある。この場合、半導体装置は非分割状態(ウエハ状態)でユーザに供給され、ユーザが上述のピックアップを行う。したがって、画像認識によるチップ有無の判定は、ユーザが有するピックアップ装置が実施することになる。このため、ユーザが有するピックアップ装置において、上述の判定基準の設定ができなければ、認識マーク100を画像認識により検出することができず、誤認識が多発する。このような状況を回避するためには、ユーザ側のピックアップ装置の画像認識力に依存することのない、高い認識率を有する認識マークをチップ上に形成することが必要である。さらに、このような認識マークは、半導体装置の製造コストを増大させることがないように、半導体装置の形成に必要な工程のみを含むウエハ工程において形成できる必要がある。
However, the assembly process described above may be performed by a user at the shipping destination. In this case, the semiconductor device is supplied to the user in a non-divided state (wafer state), and the user performs the above pickup. Therefore, the determination of the presence / absence of a chip by image recognition is performed by a pickup device possessed by the user. For this reason, if the above-mentioned determination criteria cannot be set in the pickup device possessed by the user, the
上述の特許文献1および特許文献2に開示された認識マークでは、特別な工程を付加することなく形成する場合、高反射率膜や反射パターンが配線層により構成されることになる。このため、上述の問題を解決することはできない。
In the recognition marks disclosed in
本発明は、上記従来の事情を鑑みて提案されたものであって、新たな工程を追加することなく、画像認識により確実に、かつ容易に認識することができる認識マークおよび当該認識マークを備えた半導体装置を提供することを目的とする。 The present invention has been proposed in view of the above-described conventional circumstances, and includes a recognition mark that can be reliably and easily recognized by image recognition without adding a new process, and the recognition mark. An object of the present invention is to provide a semiconductor device.
上述の課題を解決するため、本発明は以下の技術的手段を採用している。まず、本発明は、半導体基板上に形成され、光学的に認識される認識用マークを前提としている。そして、本発明に係る認識マークは、半導体基板の主面に形成された絶縁膜と、当該絶縁膜の表面に形成された金属膜からなる反射パターンとを備える。また、本認識マークは、反射パターンよりも上層に形成された絶縁膜からなり、平面視において反射パターンの周縁部に隣接する領域を被覆する反射抑制パターンを備える。ここで、周縁部とは、反射パターンのエッジから所定距離の範囲にある反射パターン上の領域を指す。また、隣接する領域とは、隣合う両領域の端部が完全に一致している場合だけでなく、両領域の端部の間に間隙が存在する場合であっても、両領域の端部が完全に一致している場合と同様の効果を奏する状態を含む。 In order to solve the above-described problems, the present invention employs the following technical means. First, the present invention is premised on a recognition mark formed on a semiconductor substrate and optically recognized. The recognition mark according to the present invention includes an insulating film formed on the main surface of the semiconductor substrate and a reflective pattern made of a metal film formed on the surface of the insulating film. The recognition mark is made of an insulating film formed in an upper layer than the reflection pattern, and includes a reflection suppression pattern that covers a region adjacent to the peripheral edge of the reflection pattern in plan view. Here, the peripheral portion refers to a region on the reflection pattern within a predetermined distance from the edge of the reflection pattern. In addition, the adjacent region is not only the case where the end portions of both adjacent regions completely match, but also the case where there is a gap between the end portions of both regions. Includes a state in which the same effect as in the case where is completely matched.
本構成によれば、認識マークのエッジ近傍における光の反射率の差を従来に比べて増大させることができる。この結果、認識マークの認識率を向上させることができる。 According to this configuration, the difference in light reflectance near the edge of the recognition mark can be increased as compared with the conventional case. As a result, the recognition rate of the recognition mark can be improved.
上記構成において、反射抑制パターンは、例えば、平面視において反射パターンの周縁部を除く反射パターンの内側の領域を被覆するパターンとすることができる。 In the above configuration, the reflection suppression pattern can be, for example, a pattern that covers a region inside the reflection pattern excluding the peripheral portion of the reflection pattern in plan view.
また、反射抑制パターンは、平面視において反射パターンの外側の領域、あるいは、平面視において反射パターンの外側の領域および反射パターンの周縁部を被覆するパターンとすることもできる。この場合、反射パターンは、反射パターン領域の反射率を、反射抑制パターン被覆領域の反射率よりも小さい状態にする反射抑制部を備えてもよい。本構成では、反射パターン領域の光の反射率を低減することにより、認識マークのエッジ近傍における光の反射率の差を従来に比べて増大させることができる。反射抑制部は、例えば、反射パターンの表面に設けられた傾斜面により構成することができる。 In addition, the reflection suppression pattern can be a pattern that covers a region outside the reflection pattern in a plan view, or a region outside the reflection pattern in a plan view and a peripheral portion of the reflection pattern. In this case, the reflection pattern may include a reflection suppression unit that makes the reflectance of the reflection pattern region smaller than the reflectance of the reflection suppression pattern coating region. In this configuration, the light reflectance difference in the vicinity of the edge of the recognition mark can be increased compared to the conventional case by reducing the light reflectance in the reflective pattern region. The reflection suppressing unit can be configured by, for example, an inclined surface provided on the surface of the reflection pattern.
また、本発明に係る他の認識マークは、半導体基板の主面に形成された絶縁膜と、当該絶縁膜の表面に形成された金属膜からなる反射パターンとを備える。また、本認識マークは、反射パターンよりも上層に形成された絶縁膜からなり、平面視において反射パターンの周縁部のみを被覆する帯状の反射抑制パターンを備える。本構成によっても、同様の効果を得ることができる。 Another recognition mark according to the present invention includes an insulating film formed on the main surface of the semiconductor substrate and a reflective pattern made of a metal film formed on the surface of the insulating film. In addition, the recognition mark is made of an insulating film formed in an upper layer than the reflection pattern, and includes a strip-like reflection suppression pattern that covers only the peripheral edge of the reflection pattern in plan view. The same effect can be obtained by this configuration.
以上の構成は、例えば、反射パターンを最上層配線を形成するための金属膜で形成し、反射抑制パターンをポリイミド膜等の最終保護膜で形成することで実現できる。すなわち、認識マークを形成するための特別な工程を必要としない。 The above configuration can be realized, for example, by forming the reflection pattern with a metal film for forming the uppermost layer wiring and forming the reflection suppression pattern with a final protective film such as a polyimide film. That is, a special process for forming the recognition mark is not required.
一方、本発明に係るさらに他の認識マークは、半導体基板表面に形成された絶縁膜の開口部から露出する半導体基板表面からなる反射パターンを備える。また、上記絶縁膜よりも上層に形成された絶縁膜からなり、平面視において反射パターンの周縁部に隣接する領域を被覆する反射抑制パターンを備える。本構成においても、上述の構成と同様の効果を得ることができる。 On the other hand, still another recognition mark according to the present invention includes a reflection pattern formed on the surface of the semiconductor substrate exposed from the opening of the insulating film formed on the surface of the semiconductor substrate. Moreover, it is made of an insulating film formed in an upper layer than the insulating film, and includes a reflection suppression pattern that covers a region adjacent to the peripheral edge of the reflection pattern in plan view. Also in this configuration, the same effect as the above configuration can be obtained.
本構成において、反射抑制パターンは、平面視において反射パターンの外側の領域、あるいは、平面視において前記反射パターンの外側の領域および前記反射パターンの周縁部を被覆するパターンとすることができる。 In this configuration, the reflection suppression pattern can be a pattern that covers a region outside the reflection pattern in plan view, or a region that covers the region outside the reflection pattern and the peripheral edge of the reflection pattern in plan view.
また、反射パターンを構成する半導体基板表面が、反射パターン領域の反射率を、前記反射抑制パターン被覆領域の反射率よりも小さい状態にする反射抑制部を備えてもよい。この場合、反射抑制部は、半導体基板表面に設けられた傾斜面により構成することができる。また、反射抑制部は、半導体基板表面に形成された凹部と、当該凹部に充填された絶縁膜とにより構成することもできる。このような半導体基板表面の傾斜面や凹部は、OEIC(Optical Electric Integrate Circuit)等を含む半導体装置を製造するプロセスでは、特別な工程を付加することなく形成することが可能である。 Moreover, the semiconductor substrate surface which comprises a reflective pattern may be provided with the reflection suppression part which makes the reflectance of a reflective pattern area | region smaller than the reflectance of the said reflection suppression pattern coating | coated area | region. In this case, the reflection suppressing portion can be configured by an inclined surface provided on the surface of the semiconductor substrate. Further, the reflection suppressing portion can be configured by a recess formed on the surface of the semiconductor substrate and an insulating film filled in the recess. Such inclined surfaces and recesses on the surface of the semiconductor substrate can be formed without adding special steps in the process of manufacturing a semiconductor device including an OEIC (Optical Electric Integrate Circuit).
さらに、本発明に係るさらに他の認識マークは、半導体基板の主面に形成された絶縁膜と、当該絶縁膜上に、断面形状が三角形である線状または点状の、複数の金属膜からなる反射パターンと、当該反射パターンを被覆する絶縁膜とを備える。上記金属膜の断面形状は、三角形に代えて台形であってもよい。 Furthermore, another recognition mark according to the present invention includes an insulating film formed on the main surface of the semiconductor substrate, and a plurality of metal films having a triangular or linear cross-section on the insulating film. A reflection pattern, and an insulating film covering the reflection pattern. The cross-sectional shape of the metal film may be a trapezoid instead of a triangle.
また、本発明に係るさらに他の認識マークは、半導体基板の主面に形成された絶縁膜と、当該絶縁膜上に形成された金属膜からなるとともに、複数の開口部を有する反射パターンと、当該反射パターンを被覆する絶縁膜とを備える。 Further, another recognition mark according to the present invention comprises an insulating film formed on the main surface of the semiconductor substrate, a reflective film having a plurality of openings, and a metal film formed on the insulating film, And an insulating film covering the reflective pattern.
以上の構成によっても、認識マークのエッジ近傍における光の反射率の差を従来に比べて増大させることができる。 Also with the above configuration, the difference in light reflectance near the edge of the recognition mark can be increased as compared with the conventional case.
また、以上のような認識マークを備えた半導体装置によれば、組立工程におけるチップ自動認識を確実に行うことができ、誤認識の発生を防止することができる。 Further, according to the semiconductor device provided with the recognition mark as described above, automatic chip recognition in the assembly process can be reliably performed, and occurrence of erroneous recognition can be prevented.
本発明によれば、認識マークを構成する反射パターンと、反射パターンの周囲の領域の反射率との差を大きくすることができる。このため、認識マークの認識率を向上させることができ、組立工程におけるチップ誤認識を防止することができる。また、本発明の認識マークは、特別な工程を追加することなく形成することができるため、製造コストを増大させることもない。さらに、半導体装置の製造プロセスに応じた、認識マークの構造を選択することができる。 According to the present invention, the difference between the reflection pattern constituting the recognition mark and the reflectance of the area around the reflection pattern can be increased. For this reason, the recognition rate of a recognition mark can be improved and chip | tip recognition mistake in an assembly process can be prevented. Moreover, since the recognition mark of the present invention can be formed without adding a special process, the manufacturing cost is not increased. Furthermore, the structure of the recognition mark can be selected according to the manufacturing process of the semiconductor device.
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。以下の実施形態では、十字型の反射パターンにより構成された認識マークを備えた半導体装置により本発明を具体化している。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following embodiments, the present invention is embodied by a semiconductor device provided with a recognition mark constituted by a cross-shaped reflection pattern.
(第1の実施形態)
第1の実施形態では、SiN膜等からなる保護膜上に、最終保護膜としてポリイミド膜を備える半導体装置に好適な構成について説明する。公知のように、最終保護膜は、組立工程において、半導体チップに機械的な損傷が加わることを防止する機能や、半導体チップを樹脂パッケージ封止した際に、半導体チップに加わる応力を緩和する機能を有している。
(First embodiment)
In the first embodiment, a configuration suitable for a semiconductor device including a polyimide film as a final protective film on a protective film made of a SiN film or the like will be described. As is well known, the final protective film has a function to prevent mechanical damage to the semiconductor chip during the assembly process, and a function to relieve stress applied to the semiconductor chip when the semiconductor chip is sealed with a resin package. have.
図1は、本発明に係る第1の実施形態の半導体装置が備える認識マークの構造を示す図である。図1(a)は、認識マークの構造を示す平面図である。また、図1(b)は、図1(a)のA−A線における断面図である。 FIG. 1 is a diagram showing the structure of a recognition mark provided in the semiconductor device according to the first embodiment of the present invention. FIG. 1A is a plan view showing the structure of the recognition mark. Moreover, FIG.1 (b) is sectional drawing in the AA line of Fig.1 (a).
図1(a)および図1(b)に示すように、本実施形態の認識マーク10は、金属膜からなる十字型パターン21(反射パターン)と、十字型パターン21上に形成された、絶縁膜からなる十字型パターン22(反射抑制パターン)を備える。また、認識マーク10の周囲には認識マーク10を囲む矩形パターン23が設けられている。
As shown in FIGS. 1A and 1B, the
以下、図1に示す認識マーク10の形成方法を図1(b)を参照しながら簡単に説明する。まず、シリコン基板1上に熱酸化法等によりLOCOS膜3が形成される。LOCOS膜3は、半導体装置において、素子分離として機能する。図1に図示しない領域のシリコン基板1上には、LOCOS膜3が形成されない領域が存在し、当該領域に、MOS型トランジスタ等の半導体素子が形成される。半導体素子を形成する過程で、図1に示す領域(以下、認識マーク形成領域という。)に、ゲート絶縁膜やゲート電極を形成するための各種薄膜が堆積される。本実施形態では、認識マーク形成領域に堆積されたこれらの薄膜は、各薄膜に対するエッチング工程において除去される。
Hereinafter, a method of forming the
半導体素子が形成されたシリコン基板1上には、BPSG膜4がCVD(Chemical Vapor Deposition)法等により形成される。BPSG膜4は、シリコン基板1の表面に形成された半導体素子と、BPSG膜4上に形成される配線との間の層間絶縁膜である。図1に図示しない領域のBPSG膜4には、シリコン基板1に形成された半導体素子と、BPSG膜4上に形成される配線とを電気的に接続するためのコンタクトホールが形成される。このとき、認識マーク形成領域のBPSG膜4は、エッチングマスクで被覆されておりエッチングされない。この後、BPSG膜4上には、コンタクトホール内にコンタクトプラグを形成するための導体膜や、BPSG膜4上に配線を形成するための導体膜が堆積される。認識マーク形成領域のBPSG膜4上に堆積されたこれらの導体膜は、各導体膜に対するエッチング工程において除去される。
On the
続いて、BPSG膜4上に、CVD法等によりTEOS膜5が形成される。TEOS膜5は、BPSG膜4上に形成される配線と、TEOS膜5上に形成される配線との間の層間絶縁膜である。図1に図示しない領域のTEOS膜5には、例えば、BPSG膜4上に形成された配線と、TEOS膜5上に形成される配線とを電気的に接続するためのビアホールが形成される。このとき、認識マーク形成領域のTEOS膜5はエッチングマスクで被覆されておりエッチングされない。この後、TEOS膜5上には、ビアホール内にビアプラグを形成するための導体膜が堆積される。認識マーク形成領域のTEOS膜5上に堆積された導体膜は、当該導体膜に対するエッチング工程において除去される。
Subsequently, a
次いで、TEOS膜5上に、配線を形成するための金属膜であるAl膜7が堆積される。Al膜7上には、TiN膜、あるいはTiN膜とTi膜との積層膜等からなる反射防止膜11が堆積される。ここで、反射防止膜11は、Al膜7にパターン形成を行うためのリソグラフィ工程において、反射光を低減させて加工精度を確保する機能と、Al膜7の酸化を防止してAl配線の信頼性を確保する機能とを有している。Al膜7および反射防止膜11は、例えば、スパッタリング法等により堆積することができる。
Next, an
本実施形態においても、従来と同様に、認識マーク10を構成する十字型パターン21および認識マーク10の周囲を囲む矩形パターン23は、Al膜7と反射防止膜11との積層膜により構成されている。これらのパターン21、23は、Al膜7と反射防止膜11との積層膜に対して、公知のリソグラフィ技術およびエッチング技術を適用することにより形成される。このとき、図1に図示しないTEOS膜5上には、Al膜7および反射防止膜11の積層膜からなる配線パターンが形成される。
Also in the present embodiment, the
Al膜7および反射防止膜11の積層膜に対するパターン形成が完了した後、TEOS膜5上には、保護膜であるSiN膜6がCVD法等により形成される。また、SiN膜6上には、最終保護膜2であるポリイミド膜2が形成される。なお、図1(a)では、ポリイミド膜2とAl膜7との間に存在するSiN膜6の図示を省略している。
After the pattern formation for the laminated film of the
図1(a)および図1(b)に示すように、本実施形態では、Al膜7と反射防止膜11との積層膜からなる十字型パターン21上にポリイミド膜2からなる十字型パターン22が形成されている。十字型パターン22は、図1に図示しない領域に形成された、ポリイミド膜2に開口部を形成する工程において、公知のリソグラフィ技術により同時に形成される。なお、当該工程は、半導体回路と外部回路とを電気的に接続するために使用される電極パッド上のポリイミド膜2に開口部を形成する工程である。図1(a)に示すように、ポリイミド膜2からなる十字型パターン22は、平面視において、十字型パターン21に内包されている。なお、ポリイミド膜2の膜厚は3〜4μmである。
As shown in FIGS. 1A and 1B, in this embodiment, a
図1の例では、十字型パターン21上でポリイミド膜2が形成された領域(反射抑制パターン被覆領域)の可視光の反射率は約20%である。また、十字型パターン21上でポリイミド膜2が形成されていない領域(反射パターン領域)の可視光の反射率は約31%である。したがって、可視光の反射率の差は11%程度となる。このように、本実施形態によれば、Al膜7からなる十字型パターン21の周縁部と、その内側の領域との光の反射率の差を大きくすることができる。これにより、画像認識のために取得される認識マークの画像では、Al膜7からなる十字型パターン21の周縁部と、その内側の領域とのコントラストが大きくなる。このため、画像認識により認識マーク10を容易にかつ確実に検出することができる。この結果、画像認識における誤認識を低減することができ、確実にチップの有無を判別することができる。
In the example of FIG. 1, the visible light reflectance of an area where the
上記では、認識マークが、十字型の反射パターン上に、平面視において反射パターンの周縁部を除く反射パターンの内側の領域を被覆する十字型の反射抑制パターンを備えた構成を説明した。しかしながら、反射抑制パターンは、平面視において反射パターンの周縁部に隣接する領域を被覆する構成であれば、同様の効果を得ることができる。 In the above description, the configuration in which the recognition mark includes the cross-shaped reflection suppression pattern that covers the area inside the reflection pattern excluding the peripheral portion of the reflection pattern in plan view on the cross-shaped reflection pattern has been described. However, the same effect can be obtained if the reflection suppression pattern is configured to cover a region adjacent to the peripheral edge of the reflection pattern in plan view.
図2は、本実施形態の認識マークの変形例の構造を示す図である。図1と同様に、図2(a)が認識マークの構造を示す平面図であり、図2(b)が、図2(a)のB−B線における断面図である。また、図2(a)では、図1(a)と同様に、ポリイミド膜2とAl膜7との間に存在するSiN膜6の図示を省略している。
FIG. 2 is a diagram showing a structure of a modified example of the recognition mark of the present embodiment. As in FIG. 1, FIG. 2A is a plan view showing the structure of the recognition mark, and FIG. 2B is a cross-sectional view taken along line BB in FIG. 2A, illustration of the
図2の例では、ポリイミド膜2からなるパターン24(反射抑制パターン)が、図1に示したポリイミド膜2のパターン22を反転させた形状を有している。すなわち、平面視において、十字型パターン21と矩形パターン23とに囲まれた領域にポリイミド膜2のパターン24が形成されている。当該パターン24は十字型の開口部を有し、当該十字型の開口部に十字型パターン21が位置している。ポリイミド膜2からなるパターン24は、図1の例と同様に、電極パッド上のポリイミド膜2に開口部を形成する工程において形成される。
In the example of FIG. 2, the pattern 24 (reflection suppression pattern) made of the
本構成では、ポリイミド膜2からなるパターン24が形成された領域の可視光の反射率は約13%である。また、十字型パターン21が形成された領域の可視光の反射率は約24%である。したがって、可視光の反射率の差は11%程度となる。この結果、図1の例と同様に、画像認識による認識マークの認識率を向上させることができる。
In this configuration, the visible light reflectance of the region where the
また、反射抑制パターンは、平面視において反射パターンの周縁部のみを被覆する帯状のパターンであってもよい。図3は、本実施形態の認識マークの他の変形例の構造を示す図である。図1および図2と同様に、図3(a)が認識マークの構造を示す平面図であり、図3(b)が、図3(a)のC−C線における断面図である。また、図3(a)では、図1(a)および図2(a)と同様に、ポリイミド膜2とAl膜7との間に存在するSiN膜6の図示を省略している。
Further, the reflection suppression pattern may be a belt-like pattern that covers only the peripheral edge of the reflection pattern in plan view. FIG. 3 is a diagram showing the structure of another modification of the recognition mark of the present embodiment. Similar to FIGS. 1 and 2, FIG. 3A is a plan view showing the structure of the recognition mark, and FIG. 3B is a cross-sectional view taken along the line CC of FIG. 3A. 3A, illustration of the
図3の例では、ポリイミド膜2のパターン25(反射抑制パターン)が、Al膜7からなる十字型パターン21の周縁部に沿って2μm程度の幅で形成されている。ポリイミド膜2からなるパターン25は、図1および図2に示した例と同様に、電極パッド上のポリイミド膜2に開口部を形成する工程において形成される。
In the example of FIG. 3, the pattern 25 (reflection suppression pattern) of the
本構成においても、図1および図2に示した例と同様に、ポリイミド膜2からなるパターン25が形成された領域の可視光の反射率と、当該パターン23で囲まれた領域内のAl膜7からなる十字型パターン21が形成された領域の反射率との差を大きくすることができる。この結果、画像認識による認識マークの認識率を向上させることができる。
Also in this configuration, similarly to the example shown in FIGS. 1 and 2, the visible light reflectance in the region where the
以上説明したように、本実施形態では、認識マークを構成する十字型パターンの周縁部と、当該周縁部に隣接する領域との反射率の差を大きくすることができる。この結果、画像認識により認識マークを容易にかつ確実に検出することができ、認識マークの認識率を向上させることができる。 As described above, in this embodiment, it is possible to increase the difference in reflectance between the peripheral portion of the cross pattern constituting the recognition mark and the region adjacent to the peripheral portion. As a result, the recognition mark can be detected easily and reliably by image recognition, and the recognition rate of the recognition mark can be improved.
なお、以上の構造で使用される各膜は一般的なMOS型半導体装置の製造プロセスにおいて使用される膜を例示したものであり、認識マークを構成する反射パターンの周縁部と、当該周縁部に隣接する領域との反射率の差を大きくすることができる構成であれば、各膜の材質は、上記説明で例示した材料と異なってもよい。 Each film used in the above structure is an example of a film used in a general MOS type semiconductor device manufacturing process, and the peripheral part of the reflection pattern constituting the recognition mark and the peripheral part. The material of each film may be different from the material exemplified in the above description as long as the difference in reflectance between adjacent regions can be increased.
また、反射抑制パターン(上記ではポリイミド膜2のパターン)は、一体のパターンに限らず、線状パターンや点状パターンの集合体として構成してもよい。この場合、線状パターンや点状パターンの密度を変更することにより、反射抑制パターン形成領域の反射率を調整することが可能となる。
Further, the reflection suppression pattern (the pattern of the
(第2の実施形態)
第1の実施形態では、認識マークを構成する反射パターンをAl膜および反射防止膜で形成したが、当該反射パターンは、シリコン基板によって構成することも可能である。そこで、本発明の第2の実施形態では、シリコン基板を露出させることにより構成した反射パターンを備える認識マークについて説明する。図4は、本実施形態の半導体装置が備える認識マークの構造を示す図である。図4(a)は、認識マークの構造を示す平面図である。また、図4(b)は、図4(a)のD−D線における断面図である。
(Second Embodiment)
In the first embodiment, the reflection pattern constituting the recognition mark is formed of the Al film and the antireflection film, but the reflection pattern can also be formed of a silicon substrate. Therefore, in the second embodiment of the present invention, a recognition mark having a reflection pattern configured by exposing a silicon substrate will be described. FIG. 4 is a view showing the structure of the recognition mark provided in the semiconductor device of this embodiment. FIG. 4A is a plan view showing the structure of the recognition mark. FIG. 4B is a cross-sectional view taken along the line DD in FIG.
図4に示すように、シリコン基板1上によりLOCOS膜3が形成されている。本実施形態では、LOCOS膜3が、十字型の開口部31と、当該十字型開口部31を囲む矩形の各辺を構成する開口部33とを有している。このような開口部31、33は、例えば、以下のようにして形成される。まず、シリコン基板1上にCVD法等によりSiN膜(図示せず)が堆積される。当該SiN膜にリソグラフィ技術およびエッチング技術を適用することにより、開口部31、33の形成領域を被覆するSiN膜のパターンが形成される。当該SiN膜パターンが形成されたシリコン基板1を熱酸化することにより、LOCOS膜3が形成される。このとき、SiN膜パターンにより被覆された領域にはLOCOS膜3は形成されない。この後、エッチングによりSiN膜パターンを除去することで、十字型開口部31と、当該十字型開口部31を矩形状に囲む各辺を構成する開口部33とが形成される。
As shown in FIG. 4, a
開口部31、33が形成されたLOCOS膜3上には、第1の実施形態と同様に、半導体装置を構成する各種薄膜が堆積される。しかしながら、本実施形態では、認識マーク20の反射パターンを構成するシリコン基板1を最表面に露出させるために、認識マーク形成領域に成膜された各薄膜(ここでは、BPSG膜4、TEOS膜5、および図4に示す領域には形成されていないAl膜、ゲート絶縁膜、ゲート電極を構成する膜等の他の膜)に、矩形の開口部(例えば、BPSG膜4の開口部41、TEOS膜5の開口部51)を設けている。各膜の開口部は、その膜が層間絶縁膜である場合には、当該層間絶縁膜にコンタクトホールやビアホール等の開口部を形成する工程で同時に形成される。また、その膜が配線等に使用される膜である場合には、配線パターンを形成するエッチング工程で同時に形成される。なお、図4では、認識マーク形成領域において、BPSG膜4およびTEOS膜5以外の膜は、全て除去されている。
Various thin films constituting the semiconductor device are deposited on the
また、TEOS膜5上に保護膜として形成されるSiN膜6に対しては、十字型開口部31のみを露出させるための十字型の開口部61が設けられている。すなわち、開口部61の開口端は、開口部31の開口端に沿って設けられている。開口部61は、上述の電極パッド上に開口部を形成する工程において同時に形成される。この場合、SiN膜6は、下層のTEOS膜5やBPSG膜4に設けられた開口部の側面を被覆している。したがって、TEOS膜5の開口部51やBPSG膜4の開口部41から、水分等が半導体装置に浸入することはない。また、各膜の開口部における段差に起因して、上層に形成した膜の開口部を形成するエッチング工程においてエッチング不良が生じるこがある。本実施形態では、このようなエッチング不要を防止するため、図4(b)に示すように、LOCOS膜3の開口部33よりもBPSG膜4の開口部41を広く形成している。同様に、BPSG膜4の開口部41よりもTEOS膜5の開口部51を広く形成している。例えば、BPSG膜4の膜厚が700nmであり、TEOS膜5の膜厚が800nmである場合、開口部41の開口端は、開口部33の開口端よりも1μm程度後退させればよい。また、開口部51の開口端は、開口部41の開口端よりも1μm程度後退させればよい。
A
本構成では、認識マーク20において、反射パターン領域(十字型開口部31内でシリコン基板表面が露出している領域)の可視光の反射率は約41%である。また、反射抑制パターン被覆領域(十字型開口部31の周囲でSiN膜6が被覆している領域)の可視光の反射率は約31%である。したがって、可視光の反射率の差は10%程度となる。このように、本実施形態によれば、シリコン基板表面により構成された十字型の反射パターンの周縁部と、その外側の領域との光の反射率の差を大きくすることができる。このため、画像認識により認識マーク20を容易にかつ確実に検出することができる。この結果、第1の実施形態と同様に、画像認識による認識マークの認識率を向上させることができる。
In this configuration, in the
なお、上記では、開口部61の開口端を、平面視において反射パターン領域の外側に配置したが、開口部61の開口端は、反射パターン(十字型開口部31内でシリコン基板表面が露出している領域)の周縁部上に配置してもよい。
In the above description, the opening end of the
また、上記では、最終保護膜を備えない構成について説明したが、本実施形態は、最終保護膜を備えた半導体装置に対しても適用可能である。図5は、最終保護膜を備えた半導体装置が備える認識マークの構造を示す図である。図5(a)は、認識マークの構造を示す平面図である。また、図5(b)は、図5(a)のE−E線における断面図である。図5の例では、平面視において、SiN膜6の開口部61およびLOCOS膜3の開口部33を内包する開口部26が最終保護膜であるポリイミド膜2に形成されている。
In the above description, the configuration not including the final protective film has been described. However, the present embodiment can also be applied to a semiconductor device including the final protective film. FIG. 5 is a diagram showing the structure of the recognition mark provided in the semiconductor device provided with the final protective film. FIG. 5A is a plan view showing the structure of the recognition mark. FIG. 5B is a cross-sectional view taken along the line E-E in FIG. In the example of FIG. 5, the
ポリイミド膜2を形成することにより、認識マーク20を囲むように形成した開口部33の外側の領域における可視光の反射率は約13%となる。このため、図4の例に比べて十字型に露出したシリコン基板1における反射率と、その周囲(ポリイミド膜2に被覆された領域)の反射率との差が大きくなる。この結果、図4に示した事例よりも、画像認識による認識マークの認識率を向上させることができる。
By forming the
なお、以上の構造で使用される各膜は一般的なMOS型半導体装置の製造プロセスにおいて使用される膜を例示したものであり、認識マークを構成する反射パターンの周縁部と、当該周縁部に隣接する領域との反射率の差を大きくすることができる構成であれば、各膜の材質は、上記説明で例示した材料と異なってもよい。 Each film used in the above structure is an example of a film used in a general MOS type semiconductor device manufacturing process, and the peripheral part of the reflection pattern constituting the recognition mark and the peripheral part. The material of each film may be different from the material exemplified in the above description as long as the difference in reflectance between adjacent regions can be increased.
(第3の実施形態)
以上では、一般的なMOS型半導体装置の製造プロセスに好適な構成を説明した。第1および第2の実施形態に示した構造は、OEIC(Optical Electric Integrate Circuit)の製造プロセスにも適用可能であるが、これらの製造プロセスでは、より好適な実現することができる。そこで、本発明の第3の実施形態では、OEICの製造プロセスに好適な認識マークについて説明する。図6は、本実施形態の半導体装置が備える認識マークの構造を示す図である。図6(a)は、認識マークの構造を示す平面図である。また、図6(b)は、図6(a)のF−F線における断面図である。
(Third embodiment)
The configuration suitable for the manufacturing process of a general MOS type semiconductor device has been described above. The structures shown in the first and second embodiments can be applied to an OEIC (Optical Electric Integrate Circuit) manufacturing process, but can be realized more suitably in these manufacturing processes. Accordingly, in the third embodiment of the present invention, a recognition mark suitable for the OEIC manufacturing process will be described. FIG. 6 is a view showing the structure of the recognition mark provided in the semiconductor device of this embodiment. FIG. 6A is a plan view showing the structure of the recognition mark. FIG. 6B is a cross-sectional view taken along the line FF in FIG.
図6(b)に示すように、本実施形態の認識マーク30は、第2の実施形態と同様に表面に十字型に露出させたシリコン基板1からなる反射パターンを備える。また、本実施形態の認識マーク30は、反射パターンの形状に沿った開口部61を有するSiN膜6からなる反射抑制パターンを備えている。また、本実施形態では、反射パターンの表面に、傾斜面により構成された反射抑制部が設けられている。ここでは、露出したシリコン基板1に溝部35を形成することにより傾斜面を形成している。反射抑制部は、反射パターンの反射率を低下させる機能を有している。したがって、本実施形態の認識マークでは、第1および第2の実施形態とは異なり、反射パターン領域における光の反射率が、反射抑制パターン被覆領域(SiN膜6に被覆された領域)における光の反射率よりも小さくなる。
As shown in FIG. 6B, the
図7、図8および図9は、本実施形態の認識マーク30を形成する手順を示す工程断面図である。図7(a)に示すように、まず、表面にエピタキシャル成長したシリコン層(図示せず)を備えるP型のシリコン基板1の全面に熱酸化法により35nm程度の膜厚を有する酸化膜8が形成される。酸化膜8上には、CVD法等により、膜厚が120nm程度のSiN膜9が形成される。
7, 8, and 9 are process cross-sectional views illustrating a procedure for forming the
次いで、公知のリソグラフィ技術およびエッチング技術を適用して、図7(b)に示すように、酸化膜8とSiN膜9との積層膜からなるマスクパターンが形成される。当該マスクパターンは、LOCOS膜3の非形成領域を被覆している。続いて、図7(c)に示すように、当該マスクパターンをマスクとしたエッチングにより、深さが500nm程度のトレンチ34がシリコン基板1に形成される。この状態で、熱酸化を行うことにより、図7(d)に示すようにトレンチ34の内部にLOCOS膜3が形成される。その後、図8(a)に示すように、SiN膜9および酸化膜8がエッチング等により除去される。
Next, by applying a known lithography technique and etching technique, as shown in FIG. 7B, a mask pattern made of a laminated film of the
この段階で、図7〜図9に図示しない領域のシリコン基板1上にトランジスタ等の半導体素子が形成される。半導体素子を形成する過程で、認識マーク形成領域に成膜された各種薄膜は、その膜に対するエッチング工程において全て除去される。半導体素子の形成が完了すると、層間絶縁膜としてBPSG膜4が形成され、図8(b)に示すように、認識マーク形成領域のBPSG膜4に開口部41が形成される。この開口部41は、図示しない領域のBPSG膜4にコンタクトホールを形成する工程で形成される。
At this stage, a semiconductor element such as a transistor is formed on the
続いて、図示しない領域のBPSG膜4上に配線が形成される。配線を形成する過程で、認識マーク形成領域に成膜された各種薄膜は、その膜に対するエッチング工程において全て除去される。
Subsequently, a wiring is formed on the
配線の形成が完了すると、層間絶縁膜としてTEOS膜5が形成され、当該TEOS膜5に、図8(c)に示すように、BPSG膜4の開口部41を内包する開口部51が形成される。この開口部51は、図示しない領域のTEOS膜5にビアホールを形成する工程で形成される。図示しない領域のTEOS膜5上には、配線や外部接続用の電極パッドが形成される。その過程で、認識マーク形成領域に成膜された各種薄膜は、その膜に対するエッチング工程において全て除去される。配線の形成が完了すると、保護膜としてSiN膜6が形成され、当該SiN膜6に開口部61が形成される。図8(d)に示すように、SiN6の開口部61は、BPSG膜4の開口部41およびTEOS膜5の開口部51に内包されている。また、BPSG膜4の開口部41の側面およびTEOS膜5の開口部51の側面は、SiN膜6によって被覆されている。なお、SiN膜6の開口部61は、上記電極パッドを露出させる開口部を保護膜6に形成する工程で形成される。
When the formation of the wiring is completed, a
続いて、図9(a)に示すように、SiN6の開口部61に露出したLOCOS膜3上に、リソグラフィ技術によりレジストパターン12が形成される。当該レジストパターン12は、以下で形成される溝部35の非形成領域を被覆している。レジストパターン12をマスクとしたLOCOS膜3のエッチングにより、図9(b)に示すようにレジストパターン12に対応するLOCOS膜3のパターン36が形成される。
Subsequently, as shown in FIG. 9A, a resist
レジストパターン12が除去された後、LOCOS膜3からなるパターン36をマスクとして、シリコン基板1がエッチングされる。当該エッチングは、例えば、水酸化カリウム溶液(KOH)等のアルカリ溶液をエッチャントとしたウエットエッチングにより行うことができる。これにより、図9(c)に示すように、シリコン基板1に溝部35が形成される。溝部35の形成が完了すると、図9(d)に示すように、マスクとして使用したLOCOS膜3のパターン36が除去され、認識マーク30の形成が完了する。本実施形態では、以上の工程により、十字型開口部31内に、その一端から他端にわたる溝部35が複数形成される(図6(a)参照。)。
After the resist
なお、図9(a)〜図9(d)に示した工程は、OEICプロセスの工程の一部であり、認識マーク30を形成するために新たな追加した工程ではない。OEICプロセスでは、図6から図9には図示していない領域において、最終保護膜形成後、リソグラフィ工程、シリコン基板エッチング工程、レジスト除去工程を経て、ミラー領域と呼ぶ別の半導体レーザチップを配置するための領域がシリコン基板に形成される。この場合、エッチング工程において、ミラー領域のシリコン基板側面は45度の傾斜になるように形成される。これにより、ミラー領域に配置された半導体レーザチップから出射された光が45度のシリコン基板側壁で反射し、シリコン基板1の表面側へ光を取り出すことができる。すなわち、図9(a)の工程は、ミラー領域を形成するためのレジストパターンを形成するリソグラフィ工程である。図9(b)の工程は、ミラー領域形成位置の酸化膜を除去する工程である。図9(c)の工程は、シリコン基板をエッチングによりミラー領域を形成するエッチング工程である。図9(d)の工程は、レジストを除去する工程である。
9A to 9D are a part of the OEIC process and are not newly added steps for forming the
以上のようにして形成された認識マーク30の十字型の反射パターン領域(十字型開口部31内でシリコン基板表面が露出している領域)における可視光の反射率はシリコン基板1に形成された溝部35の側壁の角度により変化する。例えば、側壁が溝部35の底面に対して45度傾斜している場合は約17%である。このとき、認識マーク30周辺の反射抑制パターン被覆領域(SiN膜6により被覆された領域)における可視光の反射率は約31%である。したがって、可視光の反射率の差は14%程度となる。この結果、第1および第2の実施形態と同様に、画像認識による認識マークの認識率を向上させることができる。
The visible light reflectance of the
このように、本実施形態によれば、シリコン基板表面により構成された十字型の反射パターンの周縁部と、その外側の領域との光の反射率の差を大きくすることができる。この結果、第1の実施形態と同様に、画像認識による認識マークの認識率を向上させることができる。 As described above, according to the present embodiment, it is possible to increase the difference in light reflectance between the peripheral portion of the cross-shaped reflection pattern formed by the silicon substrate surface and the outer region. As a result, the recognition rate of recognition marks by image recognition can be improved as in the first embodiment.
なお、上記では、開口部61の開口端を、平面視において反射パターン領域の外側に配置したが、開口部61の開口端は、反射パターンの周縁部上に配置してもよい。また、以上の構造で使用される各膜は一般的なOEICの製造プロセスにおいて使用される膜を例示したものであり、認識マークを構成する反射パターンの周縁部と、当該周縁部に隣接する領域との反射率の差を大きくすることができる構成であれば、各膜の材質は、上記説明で例示した材料と異なってもよい。
In the above description, the opening end of the
(第4の実施形態)
本実施形態では、第3の実施形態の認識マークと同様に、OEICの製造プロセスに好適な認識マークについて説明する。図10は、本実施形態の半導体装置が備える認識マークの構造を示す図である。図10(a)は、認識マークの構造を示す平面図である。また、図10(b)は、図10(a)のG−G線における断面図である。
(Fourth embodiment)
In the present embodiment, a recognition mark suitable for the OEIC manufacturing process will be described in the same way as the recognition mark of the third embodiment. FIG. 10 is a view showing the structure of the recognition mark provided in the semiconductor device of this embodiment. FIG. 10A is a plan view showing the structure of the recognition mark. Moreover, FIG.10 (b) is sectional drawing in the GG line | wire of Fig.10 (a).
図10(b)に示すように、本実施形態の認識マーク40は、第3の実施形態と同様にシリコン基板1に溝部35が形成されている。そして、溝部35上にAl膜7および反射防止膜11からなる積層膜により構成された十字型パターン21からなる反射パターンを備えた構造になっている。なお、本実施形態では、十字型パターン21の表面に、傾斜面により構成された反射抑制部が設けられている。このため、第3の実施形態と同様に、反射パターン領域における光の反射率が、反射抑制パターン被覆領域(SiN膜6に被覆された領域)における光の反射率よりも小さくなる。
As shown in FIG. 10B, the
図11および図12は、本実施形態の認識マーク40を形成する手順を示す工程断面図である。第3の実施形態と同様に、まず、表面にエピタキシャル成長したシリコン層を備えるP型のシリコン基板1の全面に熱酸化法により35nm程度の膜厚を有する酸化膜8が形成される。酸化膜8上には、CVD法等により、膜厚が120nm程度のSiN膜9が形成される(図11(a))。
11 and 12 are process cross-sectional views illustrating a procedure for forming the
次いで、公知のリソグラフィ技術およびエッチング技術を適用して、酸化膜8とSiN膜9との積層膜からなるマスクパターンが形成される。当該マスクパターンは、LOCOS膜3の非形成領域を被覆している。当該マスクパターンをマスクとしたエッチングにより、深さが500nm程度のトレンチ34がシリコン基板1に形成される(図11(b))。この状態で、熱酸化を行うことにより、トレンチ34の内部にLOCOS膜3が形成される。SiN膜9および酸化膜8は、LOCOS膜3が形成された後、エッチング等により除去される(図11(c))。
Next, a mask pattern composed of a laminated film of the
本実施形態では、続いて、認識マーク形成領域のシリコン基板1に溝部35が形成される。ここでは、リソグラフィ技術により、LOCOS膜3が形成されたシリコン基板1上に、溝部35の形成領域に開口部を有するレジストパターン12が形成される。当該レジストパターン12をマスクとしたエッチングにより、以降で形成される十字型パターン21直下のシリコン基板1に溝部35が形成される。当該エッチングは、例えば、KOHなどのアルカリ溶液を用いた異方性ウエットエッチングにより行うことができる。溝部35の形成が完了すると、レジストパターン12が除去される(図12(a))。なお、本実施形態では、第3の実施形態において説明したミラー領域を形成するエッチング工程を、LOCOS膜3形成直後に実施している。溝部35は、当該エッチング工程により形成される。
In the present embodiment, subsequently, a
本実施形態では、この段階で、図11および図12に図示しない領域のシリコン基板1上にトランジスタ等の半導体素子が形成される。半導体素子を形成する過程で、認識マーク形成領域に成膜された各種薄膜は、その膜に対するエッチング工程において全て除去される。半導体素子の形成が完了すると、図12(b)に示すように、層間絶縁膜としてBPSG膜4が形成される。
In this embodiment, at this stage, a semiconductor element such as a transistor is formed on the
続いて、BPSG膜4上に配線が形成される。本実施形態では、当該工程で、認識マークを構成する十字型パターン21と、十字型パターン21を囲む矩形パターン23が形成される。図12の例では、当該工程で、まず、BPSG膜4上にAl膜7と、TiN膜およびTi膜の積層膜からなる反射防止膜11とが形成される。そして、Al膜7と反射防止膜11とからなる積層膜に対して公知のリソグラフィ技術およびエッチング技術を適用することにより、十字型パターン21、矩形パターン23、および図示しない配線パターンが形成される(図12(c))。
Subsequently, a wiring is formed on the
以降、TEOS膜5および保護膜であるSiN膜6が形成される。本実施形態では、TEOS膜5およびSiN膜6に、平面視において、十字型パターン21および矩形パターン23を内包する開口部51および開口部61がそれぞれ形成される(図12(d))。開口部51はTEOS膜5にビアホールを形成する工程において形成され、開口部61は図示しない領域のSiN膜6に電極パッドに対応する開口部を形成する工程においてそれぞれ形成される。なお、図12(d)に示すように、SiN膜6の開口部61は、TEOS膜5の開口部51に内包されている。このため、TEOS膜5の開口部51の側面は、SiN膜6により被覆されている。
Thereafter, a
以上のようにして形成された認識マーク40では、シリコン基板1に形成された溝部35の側壁の角度に応じて、十字型パターン21表面の傾斜面の角度が変化する。このため、十字型の反射パターン領域における可視光の反射率は、シリコン基板1に形成された溝部35の側壁の角度により変化する。例えば、側壁が溝部35の底面に対して45度傾斜している場合は約18%である。このとき、認識マーク40周辺の反射抑制パターン被覆領域(SiN膜6により被覆された領域)における可視光の反射率は約31%である。したがって、可視光の反射率の差は13%程度となる。この結果、第1〜第3の実施形態と同様に、画像認識による認識マークの認識率を向上させることができる。
In the
なお、本実施形態では、認識マーク上のTEOS膜5およびSiN膜6を除去した構成としたが、認識マーク上にTEOS膜5またはiN膜6が残存していてもよい。また、上記では、開口部61の開口端を、平面視において矩形パターン23の外側に配置したが、開口部61の開口端は、十字型パターン21の周縁部に隣接する位置、または周縁部上に配置してもよい。さらに、SiN膜6上に、最終保護膜としてポリイミド膜を形成する製造プロセスである場合には、SiN膜6上に最終保護膜を形成してもよい。いずれの場合であっても、画像認識による認識マークの認識率を向上させることができる。
In this embodiment, the
(第5の実施形態)
本発明に係る第5の実施形態では、例えばエピタキシャル成長したシリコン基板1にバイポーラトランジスタを形成する場合等に好適な他の認識マークの構成を説明する。図13は本実施形態の半導体装置が備える認識マークの構造を示す図である。図13(a)は、認識マークの構造を示す平面図である。また、図13(b)は、図13(a)のH−H線における断面図である。
(Fifth embodiment)
In the fifth embodiment according to the present invention, the configuration of another recognition mark suitable for forming a bipolar transistor on the epitaxially grown
図13に示すように、本実施形態の認識マーク50は、第2の実施形態と同様に、シリコン基板1の一部を十字型に露出させた反射パターンを備える。また、本実施形態の認識マーク50は、反射パターンの形状に沿った開口部61を有するSiN膜6からなる反射抑制パターンを備えている。さらに、本実施形態の認識マーク50は、露出したシリコン基板1に、溝部内に絶縁膜が充填された反射抑制部37が設けられている。このため、本実施形態では、第3の実施形態と同様に、反射パターン領域における光の反射率が、反射抑制パターン被覆領域(SiN膜6に被覆された領域)における光の反射率よりも小さくなる。
As shown in FIG. 13, the
図14は、本実施形態の認識マーク50を形成する手順を示す工程断面図である。第3および第4の実施形態と同様に、まず、表面にエピタキシャル成長したシリコン層を備えるP型のシリコン基板1の全面に熱酸化法により35nm程度の膜厚を有する酸化膜8が形成される。酸化膜8上には、CVD法等により、膜厚が120nm程度のSiN膜9が形成される(図14(a))。
FIG. 14 is a process cross-sectional view illustrating a procedure for forming the
次いで、公知のリソグラフィ技術およびエッチング技術を適用して、酸化膜8とSiN膜9との積層膜からなるマスクパターンが形成される。当該マスクパターンは、LOCOS膜3の形成領域に対応する開口部を有するパターンである。本実施形態では、反射パターンを構成するシリコン基板1の表面にもLOCOS膜3が形成される。当該マスクパターンをマスクとしたエッチングにより、深さが500nm程度のトレンチ34がシリコン基板1に形成される(図14(b))。本実施形態では、反射パターンを構成するシリコン基板1の表面にもトレンチ34が形成される。この状態で、熱酸化を行うことにより、トレンチ34の内部にLOCOS膜3が形成される。SiN膜9および酸化膜8は、LOCOS膜3が形成された後、エッチング等により除去される(図11(c))。これにより、十字型開口部31と、当該十字型開口部31を矩形状に囲む各辺を構成する開口部33とが形成される。同時に、十字型開口部31の一端から他端にわたって、トレンチ34にLOCOS膜3が充填された反射抑制部37が形成される(図13(a)参照)。なお、反射抑制部は、開口部31内に島状に形成されてもよい。
Next, a mask pattern composed of a laminated film of the
この後、第3の実施形態において、図8(a)からと同様に図8(d)を用いて説明した同様の工程により、半導体素子、BPSG膜4、BPSG膜4上の配線、TEOS膜5、TEOS膜5上の配線、およびSiN膜6が形成される。このとき、各工程において、認識マーク上に形成された各種薄膜は、その膜をエッチングする工程において除去される。これにより、図14(d)に示すように、認識マーク形成領域に開口部41、51、61をそれぞれ有するBPSG膜4、TEOS膜5、SiN膜6が形成される。なお、本実施形態では、BPSG膜4の開口部41は、TEOS膜5の開口部51に内包されている。また、SiN膜6の開口部61は、BPSG膜4の開口部41およびTEOS膜5の開口部51に内包されている。このため、BPSG膜4の開口部41の側面およびTEOS膜5の開口部51の側面は、SiN膜6により被覆されている。さらに、SiN膜6の開口部61は、図13(a)に示すように、十字型の反射パターンの形状に沿って設けられている。
Thereafter, in the third embodiment, the semiconductor element, the
以上のようにして形成された認識マーク50の十字型の反射パターン領域における可視光の反射率は、シリコン基板1に形成された反射抑制部37を構成するLOCOS膜3の面積により変化する。例えば、反射抑制部37を構成するLOCOS膜3の面積が、反射抑制部が形成されていない場合の十字型の反射パターンの面積の70%を占める場合、反射率は約22%である。このとき、認識マーク50の周辺の反射抑制パターン被覆領域(SiN膜6により被覆された領域)における可視光の反射率は約31%である。したがって、可視光の反射率の差は9%程度となる。この結果、上述の各実施形態と同様に、画像認識による認識マークの認識率を向上させることができる。
The reflectance of visible light in the cross-shaped reflection pattern region of the
なお、十字型パターンに形成するトレンチ34の深さは、特に限定されない。また、SiN膜6上に、最終保護膜としてポリイミド膜を形成する製造プロセスである場合には、SiN膜6上に最終保護膜を形成してもよい。いずれの場合であっても、画像認識による認識マークの認識率を向上させることができる。また、各膜の材質は、上述の材料に限定されるものではなく、半導体装置の製造プロセスで使用される任意の材料を使用することができる。
(第6の実施形態)
本実施形態では、例えば、MOS型トランジスタの製造プロセス等に好適な他の認識マークの構成を説明する。図15は本実施形態の半導体装置が備える認識マークの構造を示す図である。図15(a)は、認識マークの構造を示す平面図である。また、図15(b)は、図15(a)のI−I線における断面図である。なお、図15(a)では、ポリイミド膜2とAl膜7との間に存在するSiN膜6の図示を省略している。
The depth of the
(Sixth embodiment)
In the present embodiment, for example, a configuration of another recognition mark suitable for a manufacturing process of a MOS transistor will be described. FIG. 15 is a view showing the structure of a recognition mark provided in the semiconductor device of this embodiment. FIG. 15A is a plan view showing the structure of the recognition mark. FIG. 15B is a cross-sectional view taken along the line II of FIG. In FIG. 15A, the
図15に示すように、本実施形態の認識マーク60の反射パターンは、断面が三角状のAl膜7からなる複数の線状パターン71によって構成されている。線状パターン71は、ストライプ状に配置されており、全体として十字型パターン21になっている。
As shown in FIG. 15, the reflection pattern of the
図16は、本実施形態の認識マーク60を形成する手順を示す工程断面図である。第1の実施形態と同様に、シリコン基板1上にLOCOS膜3が形成される。当該状態で、図16に図示しない領域のシリコン基板1上に半導体素子が形成される。この過程で認識マーク形成領域に堆積された各種薄膜は、その薄膜に対するエッチング工程で全て除去される。その後、第1の実施形態において説明した手順により、シリコン基板1上にBPSG膜4、TEOS膜5、Al膜7、およびTiN膜やTiN膜とTi膜の積層膜等からなる反射防止膜11が順に形成される。また、反射防止膜11上には、Al膜7および反射防止膜11の積層膜に対してパターン形成を行うためのレジスト膜13が形成される(図16(a))。
FIG. 16 is a process cross-sectional view illustrating a procedure for forming the
本実施形態の反射パターン21を構成する線状パターン71は、Al膜7および反射防止膜11の積層膜に対してパターン露光を行う工程で使用される露光装置の解像度限界未満の線幅で設計される。これにより、露光および現像を経て形成された認識マーク形成領域のレジストパターン14の断面形状を、図16(b)に示すように、三角形(あるいは、台形)にすることができる。なお、図示しない領域に形成される半導体回路を構成する配線は、露光装置の解像度限界以上の線幅で設計されているため、当該配線に対応するレジストパターンの断面形状は矩形となる。また、レジストパターン14の高さは、半導体回路を構成する配線に対応するレジストパターンの高さよりも低くなる。
The
レジストパターン14をマスクとして、反射防止膜11およびAl膜7のエッチングを行うと、図16(c)に示すように、断面形状がほぼ三角形のAl膜7からなる線状パターン71が形成される。これは、エッチングにより、レジストパターン14の断面形状が転写されるためである。また、反射防止膜11は、Al膜7の断面形状が三角形になること、およびレジストパターン14の高さが、半導体回路を構成する配線に対応するレジストパターンの高さよりも低いことに起因して、エッチングの過程で除去される。なお、半導体回路を構成する配線は、露光装置の解像度限界以上の線幅で設計されているため、当該エッチングにより、断面形状が矩形のパターンになる。したがって、本実施形態の認識マークを採用しても、半導体回路の特性は従来と同一である。
When the
エッチングが完了すると、図16(d)に示すように、保護膜であるSiN膜6が形成される。なお、SiN膜6が形成された後、上述の電極パッド上のSiN膜6に開口部が形成されるが、認識マーク形成領域のSiN膜6上にはエッチングマスクが形成されるため、エッチングされない。
When the etching is completed, as shown in FIG. 16D, a
以上のようにして形成された反射パターン21は、断面形状が三角形の線状パターン71の集合体である。このような反射パターン21では、線状パターン71の傾斜面の部分に反射防止膜11がなく、線状パターン71の側面(傾斜面)において、光が反射する。このため、表面から見た光の反射率が向上する。反射パターン領域における可視光の反射率は、線状パターン71の断面形状や線状パターンの密度によって変化する。例えば、十字型領域の全面積に対して線状パターン71の総底面積が50%を占める場合、反射率は約45%である。このとき、認識マーク60の周辺領域における可視光の反射率は約31%である。したがって、可視光の反射率の差は14%程度となる。この結果、上述の各実施形態と同様に、画像認識による認識マークの認識率を向上させることができる。
The
このように本実施形態によれば、新たな工程を追加することなく、画像認識による認識マークの認識率を向上させることができる。なお、上記では、反射パターン21を断面形状が三角形の線状パターン71の集合体として構成したが、反射パターンは、断面形状が三角形の点状パターンの集合体として構成してもよい。また、本実施形態では、特に好ましい形態として、TEOS膜5上に形成されたAl膜、すなわち最上層の配線層により反射パターンを構成したが、他の配線層により反射パターンを構成してもよい。さらに、SiN膜6上に、最終保護膜としてポリイミド膜を形成する製造プロセスである場合には、SiN膜6上に最終保護膜を形成してもよい。いずれの場合であっても、画像認識による認識マークの認識率を向上させることができる。また、各膜の材質は、上述の材料に限定されるものではなく、半導体装置の製造プロセスで使用される任意の材料を使用することができる。
As described above, according to the present embodiment, the recognition rate of recognition marks by image recognition can be improved without adding a new process. In the above description, the
(第7の実施形態)
第6の実施形態では、反射パターンを、断面形状が三角形の線状パターン(あるいは、点状パターン)の集合体として構成した。しかしながら、反射パターンが、側面が傾斜面である線状パターンあるいは点状パターンの集合体であっても、同様の効果を得ることができる。そこで、本実施形態では、反射パターンを、断面形状が台形の線状パターンの集合体として構成した事例を説明する。図17は本実施形態の半導体装置が備える認識マークの構造を示す図である。図17(a)は、認識マークの構造を示す平面図である。また、図17(b)は、図17(a)のJ−J線における断面図である。なお、図17(a)では、ポリイミド膜2とAl膜7との間に存在するSiN膜6の図示を省略している。
(Seventh embodiment)
In the sixth embodiment, the reflection pattern is configured as an aggregate of linear patterns (or dot patterns) having a triangular cross-sectional shape. However, the same effect can be obtained even if the reflection pattern is a collection of linear patterns or dotted patterns whose side surfaces are inclined surfaces. Therefore, in the present embodiment, an example will be described in which the reflection pattern is configured as an assembly of linear patterns having a trapezoidal cross-sectional shape. FIG. 17 is a view showing the structure of a recognition mark provided in the semiconductor device of this embodiment. FIG. 17A is a plan view showing the structure of the recognition mark. Moreover, FIG.17 (b) is sectional drawing in the JJ line | wire of Fig.17 (a). In FIG. 17A, the illustration of the
図17に示すように、本実施形態の認識マーク70の反射パターン21は、Al膜7および反射防止膜11の積層膜からなる複数の線状パターン72によって構成されている。線状パターン72は、ストライプ状に配置されており、全体として十字型になっている。また、線状パターン72は、断面形状が台形になっている。
As shown in FIG. 17, the
台形の断面形状を有する線状パターン72は、Al膜7および反射防止膜11からなる積層膜のエッチング条件で、例えばドライエッチング時のプラズマパワーを上げることやエッチングガスとしての塩素ガス比を低下させるなどにより形成することができる。また、側面の傾斜角度も、プラズマパワーや塩素ガス比を変えることにより調整可能である。このため、第6の実施形態のように、反射パターンを構成する線状パターンの線幅を解像度限界未満の線幅にする必要がない。なお、他の構造の形成方法は、上述の実施形態において説明しているため、ここでは省略する。
The
本実施形態の反射パターン21は、側面に傾斜面を備えた線状パターン72により構成されている。このような反射パターン21では、線状パターン72の傾斜面において、光が反射する。傾斜面には反射防止膜11が存在しないため、効率良く光が反射する。また、本実施形態では、反射パターン21をBPSG膜4とTEOS膜5との間に形成される金属膜により形成している。加えて、線状パターン72の断面形状が台形のため反射パターン21上に形成されるTEOS膜5、およびSiN膜6のパターンカバレッジが向上する。このため、SiN膜6表面をより平坦にすることができる。以上のことから、表面から見た光の反射率を向上させることができる。
The
反射パターン領域における可視光の反射率は、線状パターン72の傾斜面の角度や線状パターン72の密度によって変化する。例えば、十字型領域の全面積に対して線状パターン72の総底面積が50%、傾斜面の角度が45度である場合、反射率は約57%である。このとき、認識マーク70の周辺領域における可視光の反射率は約31%となる。したがって、可視光の反射率の差は14%程度となる。この結果、上述の各実施形態と同様に、画像認識による認識マークの認識率を向上させることができる。
The reflectance of visible light in the reflection pattern region varies depending on the angle of the inclined surface of the
このように本実施形態によれば、新たな工程を追加することなく、画像認識による認識マークの認識率を向上させることができる。なお、上記では、反射パターン21を断面形状が台形の線状パターン72の集合体として構成したが、反射パターンは、断面形状が台形の点状パターンの集合体として構成してもよい。また、本実施形態では、特に好ましい形態として、BPSG膜4上に形成されたAl膜、すなわち最上層から2番目の配線層により反射パターンを構成したが、他の配線層により反射パターンを構成してもよい。さらに、SiN膜6上に、最終保護膜としてポリイミド膜を形成する製造プロセスである場合には、SiN膜6上に最終保護膜を形成してもよい。いずれの場合であっても、画像認識による認識マークの認識率を向上させることができる。また、各膜の材質は、上述の材料に限定されるものではなく、半導体装置の製造プロセスで使用される任意の材料を使用することができる。
As described above, according to the present embodiment, the recognition rate of recognition marks by image recognition can be improved without adding a new process. In the above description, the
(第8の実施形態)
本実施形態では、例えば、MOS型トランジスタの製造プロセス等に好適な他の認識マークの構成を説明する。図18は本実施形態の半導体装置が備える認識マークの構造を示す図である。図18(a)は、認識マークの構造を示す平面図である。また、図18(b)は、図18(a)のK−K線における断面図である。なお、図18(a)では、ポリイミド膜2とAl膜7との間に存在するSiN膜6の図示を省略している。
(Eighth embodiment)
In the present embodiment, for example, a configuration of another recognition mark suitable for a manufacturing process of a MOS transistor will be described. FIG. 18 is a view showing the structure of a recognition mark provided in the semiconductor device of this embodiment. FIG. 18A is a plan view showing the structure of the recognition mark. FIG. 18B is a cross-sectional view taken along the line KK in FIG. In FIG. 18A, the
図15に示すように、本実施形態の認識マーク80の反射パターンは、従来と同様に十字型パターンにより構成されている。そして、本実施形態では、十字型パターン21(反射パターン)に多数の矩形状の開口部73を設けている。当該開口部73は、Al膜7および反射防止膜11の積層膜をパターニングする工程において形成される。例えば、十字型パターン21の最大幅が5μmである場合、開口部73の寸法は0.5μm角とすることができる。
As shown in FIG. 15, the reflection pattern of the
このように十字型パターン21に開口部73を形成することにより、反射パターン内の金属膜の割合が減少する。また、多数の開口部73を形成することにより、SiN膜6の表面に凹凸が形成される。この凹凸により、表面から入射する光は乱反射される。これらにより、十字型パターン21全体として光の反射率が低下する。
By forming the
反射パターン領域における可視光の反射率は、開口部73の大きさとピッチによって変化する。例えば、十字型領域の全面積に対して開口部73の総面積が50%である場合、反射率は約21%である。このとき、認識マーク80の周辺領域における可視光の反射率は約31%となる。したがって、可視光の反射率の差は10%程度となる。この結果、上述の各実施形態と同様に、画像認識による認識マークの認識率を向上させることができる。
The reflectance of visible light in the reflection pattern region varies depending on the size and pitch of the
このように本実施形態によれば、新たな工程を追加することなく、画像認識による認識マークの認識率を向上させることができる。なお、開口部の形状は矩形状に限定されるものではなく任意の形状とすることができる。また、開口部は帯状であってもよく、さらに、十字型パターン21の一端から他端にわたって形成されてもよい。また、帯状の開口部を格子状に設けてもよい。この場合、十字型パターン21は、線状パターンあるいは点状パターンの集合体になる。また、SiN膜6上に、最終保護膜としてポリイミド膜を形成する製造プロセスである場合には、SiN膜6上に最終保護膜を形成してもよい。さらに、各膜の材質は、上述の材料に限定されるものではなく、半導体装置の製造プロセスで使用される任意の材料を使用することができる。
As described above, according to the present embodiment, the recognition rate of recognition marks by image recognition can be improved without adding a new process. Note that the shape of the opening is not limited to a rectangular shape, and may be an arbitrary shape. Further, the opening may be in a band shape, and may be formed from one end of the
以上説明したように、本発明によれば、認識マークを構成する反射パターンと、反射パターンの周囲の領域の反射率との差を大きくすることができる。このため、認識マークの認識率を向上させることができ、組立工程におけるチップ誤認識を防止することができる。また、本発明の認識マークは、特別な工程を追加することなく形成することができるため、製造コストを増大させることもない。さらに、半導体装置の製造プロセスに応じた、認識マークの構造を選択することができる。また、以上のような認識マークを備えた半導体装置によれば、組立工程におけるチップ自動認識を確実に行うことができ、誤認識の発生を防止することができる。 As described above, according to the present invention, it is possible to increase the difference between the reflection pattern constituting the recognition mark and the reflectance of the area around the reflection pattern. For this reason, the recognition rate of a recognition mark can be improved and chip | tip recognition mistake in an assembly process can be prevented. Moreover, since the recognition mark of the present invention can be formed without adding a special process, the manufacturing cost is not increased. Furthermore, the structure of the recognition mark can be selected according to the manufacturing process of the semiconductor device. Further, according to the semiconductor device provided with the recognition mark as described above, automatic chip recognition in the assembly process can be reliably performed, and occurrence of erroneous recognition can be prevented.
なお、本発明は、以上で説明した各実施形態に限定されるものではなく、本発明の効果を奏する範囲において、種々の変形および応用が可能である。上記各実施形態では、認識マークが十字型の反射パターンを備えた構成を説明したが、反射パターンの形状は任意に設計することができる。また、各実施形態において、Al膜7上に反射防止膜11を形成することは必須ではなく、反射防止膜11を有しない構成であっても同様の効果を得ることができる。
In addition, this invention is not limited to each embodiment demonstrated above, A various deformation | transformation and application are possible in the range with the effect of this invention. In each of the embodiments described above, the configuration in which the recognition mark includes the cross-shaped reflection pattern has been described. However, the shape of the reflection pattern can be arbitrarily designed. In each embodiment, it is not essential to form the
本発明は、認識率を向上できるという効果を有し、認識マークおよび当該マークを備えた半導体装置として有用である。 The present invention has an effect that the recognition rate can be improved, and is useful as a recognition mark and a semiconductor device including the mark.
1 シリコン基板(半導体基板)
2 ポリイミド膜
3 LOCOS膜
4 BPSG膜
5 TEOS膜
6 SiN膜
7 Al膜(金属膜)
8 酸化膜
9 SiN膜
10、20、30、40、50、60、70、80 認識マーク
11 反射防止膜
34 トレンチ
35 溝部
73 開口部
1 Silicon substrate (semiconductor substrate)
2
8 Oxide film 9
Claims (16)
前記半導体基板の主面に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜の表面に形成された金属膜からなる反射パターンと、
前記反射パターンよりも上層に形成された絶縁膜からなり、平面視において前記反射パターンの周縁部に隣接する領域を被覆する反射抑制パターンと、
を備えたことを特徴とする認識マーク。 A recognition mark formed on a semiconductor substrate and optically recognized,
An insulating film formed on the main surface of the semiconductor substrate;
A reflective pattern made of a metal film formed on the surface of the insulating film;
A reflection suppression pattern that is formed of an insulating film formed in an upper layer than the reflection pattern and covers a region adjacent to the peripheral edge of the reflection pattern in plan view;
A recognition mark characterized by comprising.
前記半導体基板の主面に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜の表面に形成された金属膜からなる反射パターンと、
前記反射パターンよりも上層に形成された絶縁膜からなり、平面視において前記反射パターンの周縁部のみを被覆する帯状の反射抑制パターンと、
を備えたことを特徴とする認識マーク。 A recognition mark formed on a semiconductor substrate and optically recognized,
An insulating film formed on the main surface of the semiconductor substrate;
A reflective pattern made of a metal film formed on the surface of the insulating film;
It consists of an insulating film formed in an upper layer than the reflective pattern, and a strip-shaped antireflection pattern that covers only the peripheral edge of the reflective pattern in plan view;
A recognition mark characterized by comprising.
半導体基板表面に形成された絶縁膜の開口部から露出する半導体基板表面からなる反射パターンと、
前記絶縁膜よりも上層に形成された絶縁膜からなり、平面視において前記反射パターンの周縁部に隣接する領域を被覆する反射抑制パターンと、
を備えたことを特徴とする認識マーク。 A recognition mark formed on a semiconductor substrate and optically recognized,
A reflection pattern comprising a semiconductor substrate surface exposed from an opening of an insulating film formed on the semiconductor substrate surface;
A reflection suppression pattern that is formed of an insulating film formed in an upper layer than the insulating film, and covers a region adjacent to the peripheral edge of the reflective pattern in plan view;
A recognition mark characterized by comprising.
前記半導体基板の主面に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に、断面形状が三角形である線状または点状の、複数の金属膜からなる反射パターンと、
前記反射パターンを被覆する絶縁膜と、
を備えたことを特徴とする認識マーク。 A recognition mark formed on a semiconductor substrate and optically recognized,
An insulating film formed on the main surface of the semiconductor substrate;
On the insulating film, a reflective pattern consisting of a plurality of metal films in the form of a triangle having a triangular cross-section, and
An insulating film covering the reflective pattern;
A recognition mark characterized by comprising.
前記半導体基板の主面に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成された金属膜からなるとともに、複数の開口部を有する反射パターンと、
前記反射パターンを被覆する絶縁膜と、
を備えたことを特徴とする認識マーク。 A recognition mark formed on a semiconductor substrate and optically recognized,
An insulating film formed on the main surface of the semiconductor substrate;
A reflection pattern comprising a metal film formed on the insulating film and having a plurality of openings,
An insulating film covering the reflective pattern;
A recognition mark characterized by comprising.
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