JP2008217898A - Optical disk device and temperature detection method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は光ディスク装置及び温度検出方法に関し、レーザダイオードの温度検出を行う場合に適用して好適なものである。 The present invention relates to an optical disk device and a temperature detection method, and is suitable for application to temperature detection of a laser diode.
従来、光ディスク装置におけるレーザ光の光源として、レーザダイオードが広く用いられている。 Conventionally, a laser diode has been widely used as a light source of laser light in an optical disc apparatus.
レーザダイオードはレーザ光の出射に伴って発熱するが、当該発熱の影響によってレーザ光の波長や出力が変化してしまい、また過度な発熱によってレーザダイオード自体が破損するという問題もある。このため図1に示すように、光ピックアップの回路基板1上におけるレーザダイオード2の近傍に、サーミスタ等でなる温度検出素子3を配置し、当該温度検出素子3によってレーザダイオード2の温度を検出するようになされた光ディスク装置が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
ところが上述した構成の光ディスク装置では、温度検出素子3は、レーザダイオード2近傍の雰囲気温度や回路基板1を介して伝わった熱を検出することになるため、当該レーザダイオード2自体の温度を正確には検出し得ないという問題があった。さらに、温度検出素子3が必要であることから光ディスク装置の構成が複雑になるという問題もあった。
However, in the optical disk apparatus having the above-described configuration, the temperature detection element 3 detects the ambient temperature in the vicinity of the
本発明は以上の点を考慮してなされたもので、簡易な構成で、確実にレーザダイオードの温度を検出し得る光ディスク装置及び温度検出方法を提案しようとするものである。 The present invention has been made in consideration of the above points, and intends to propose an optical disc apparatus and a temperature detection method capable of reliably detecting the temperature of a laser diode with a simple configuration.
かかる課題を解決するため本発明の光ディスク装置においては、レーザダイオードのパッケージ内に設けられ、当該レーザダイオードの出射光量を検出するためのフォトダイオードと、フォトダイオードに順方向電流を供給する電流供給手段と、フォトダイオードに順方向電流が流れた際の順方向降下電圧を検出する降下電圧検出手段と、フォトダイオードに上記順方向電流を流した際の順方向降下電圧と温度との関係を示す変換係数と、検出した順方向降下電圧とに基づいて、レーザダイオードの温度を算出する温度算出手段とを光ディスク装置に設けた。 In order to solve such a problem, in the optical disc apparatus of the present invention, a photodiode for detecting the amount of light emitted from the laser diode provided in the package of the laser diode, and a current supply means for supplying a forward current to the photodiode A voltage drop detecting means for detecting a forward voltage drop when a forward current flows through the photodiode, and a conversion indicating a relationship between the forward voltage drop and the temperature when the forward current flows through the photodiode. The optical disk apparatus is provided with temperature calculation means for calculating the temperature of the laser diode based on the coefficient and the detected forward voltage drop.
そして、フォトダイオードが所定の基準温度にある状態で順方向電流を流した際の基準順方向降下電圧を用いて順方向降下電圧を正規化し、レーザダイオードの温度を算出するようにした。 Then, the forward voltage drop is normalized using the reference forward voltage drop when a forward current is passed while the photodiode is at a predetermined reference temperature, and the temperature of the laser diode is calculated.
レーザダイオードのパッケージ内に設けられ当該レーザダイオードとの間の熱抵抗が小さいフォトダイオードに順方向電流を流し、その際の順方向降下電圧に基づいてレーザダイオードの温度を検出するようにしたことにより、簡易な構成で、精度良くレーザダイオードの温度検出を行うことができる。 By applying a forward current to a photodiode provided in a laser diode package and having a low thermal resistance with the laser diode, and detecting the temperature of the laser diode based on the forward voltage drop at that time The temperature of the laser diode can be accurately detected with a simple configuration.
そして、基準順方向降下電圧を用いて順方向降下電圧を正規化することにより、フォトダイオード個々の特性のばらつきを補正し、簡易な構成で、さらに精度良くレーザダイオードの温度検出を行うことができる。 Then, by normalizing the forward voltage drop using the reference forward voltage drop, it is possible to correct variations in individual characteristics of the photodiode, and to detect the temperature of the laser diode with a simple configuration with higher accuracy. .
また、本発明の温度検出方法では、レーザダイオードのパッケージ内に設けられ、当該レーザダイオードの出射光量を検出するためのフォトダイオードに順方向電流を供給し、フォトダイオードに順方向電流が流れた際の順方向降下電圧を検出し、フォトダイオードに順方向電流を流した際の順方向降下電圧と温度との関係を示す変換係数と、検出した順方向降下電圧とに基づいて、レーザダイオードの温度を算出するようにした。 In the temperature detection method of the present invention, a forward current is supplied to a photodiode provided in a laser diode package for detecting the amount of light emitted from the laser diode, and the forward current flows through the photodiode. The temperature of the laser diode is detected based on the conversion coefficient indicating the relationship between the forward voltage drop and the temperature when a forward current is passed through the photodiode and the detected forward voltage drop. Was calculated.
レーザダイオードのパッケージ内に設けられ当該レーザダイオードとの間の熱抵抗が小さいフォトダイオードに順方向電流を流し、その際の順方向降下電圧に基づいてレーザダイオードの温度を検出するようにしたことにより、簡易な構成で、精度良くレーザダイオードの温度検出を行うことができる。 By applying a forward current to a photodiode provided in a laser diode package and having a low thermal resistance with the laser diode, and detecting the temperature of the laser diode based on the forward voltage drop at that time The temperature of the laser diode can be accurately detected with a simple configuration.
本発明によれば、レーザダイオードのパッケージ内に設けられ当該レーザダイオードとの間の熱抵抗が小さいフォトダイオードに順方向電流を流し、その際の順方向降下電圧に基づいてレーザダイオードの温度を検出するようにしたことにより、簡易な構成で、精度良くレーザダイオードの温度検出を行い得る光ディスク装置及び温度検出方法を実現することができる。 According to the present invention, a forward current is passed through a photodiode provided in a laser diode package and having a low thermal resistance with the laser diode, and the temperature of the laser diode is detected based on the forward voltage drop. By doing so, it is possible to realize an optical disc apparatus and a temperature detection method capable of accurately detecting the temperature of the laser diode with a simple configuration.
以下図面について、本発明の一実施の形態を詳述する。 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
(1)光ディスク装置の全体構成
図2において、10は全体として本発明を適用した光ディスク装置を示し、制御部12によって全体を統括制御するようになされている。そして光ディスク装置10は、光ディスク100が装填された状態で図示しない外部機器からの再生又は記録指示等を受け付けると、制御部12が駆動部13及び信号処理部14を制御することにより、当該光ディスク100に記録された情報を読み出したり、外部機器から供給される情報を当該光ディスク100に記録するようになされている。
(1) Overall Configuration of Optical Disc Device In FIG. 2, reference numeral 10 denotes an optical disc device to which the present invention is applied as a whole, and the whole is controlled by the
実際上、駆動部13は制御部12の制御に基づき、スピンドルモータ15により光ディスク100を所望の回転速度で回転させ、スレッドモータ16により光ピックアップ17を光ディスク100の径方向であるトラッキング方向へ大きく移動させ、さらに2軸アクチュエータ18により対物レンズ19を光ディスク100に対して近接又は離隔させる方向であるフォーカス方向及びトラッキング方向の2方向へそれぞれ細かく移動させる。
In practice, the
これと並行して信号処理部14は、光ピックアップ17により対物レンズ19から光ビームを光ディスク100の所望トラックに対して照射する。
In parallel with this, the
このとき光ピックアップ17は、対物レンズ19を用いて出射光ビームを集光し、当該光ディスク100の記録層に焦点を合致させて照射するとともに、当該合焦記録層で反射された反射光ビームを対物レンズで受光して光電変換し、各種検出信号を生成して信号処理部14に供給する。
At this time, the
駆動部13は、信号処理部14から供給されるフォーカスエラー信号やトラッキングエラー信号に基づいて2軸アクチュエータ18を駆動する。また信号処理部14は、光ピックアップ17から供給される再生信号に対し所定の信号処理を施し、制御部12を介して外部に出力する。
The
また光ディスク装置10では、光ピックアップ17のレーザダイオードから出射されるレーザ光の光量をフォトダイオードで検出し、当該検出した光量に基づいてレーザダイオードに供給するレーザ駆動電流を調整することにより、レーザ光の光量を一定に制御する(いわゆるAPC(Automatic Power Control)制御)。
Further, in the optical disc apparatus 10, the amount of laser light emitted from the laser diode of the
ここでレーザダイオードが封止されたパッケージには、一般的に上述したAPC制御において出射光量検出用に用いられるフォトダイオード(いわゆるリアモニタ)が内蔵されている。 Here, the package in which the laser diode is sealed contains a photodiode (so-called rear monitor) that is generally used for detecting the amount of emitted light in the APC control described above.
すなわち図3は本発明の光ディスク装置10で用いられる缶型のレーザパッケージ20を示し、銅合金等の熱抵抗の小さな材質で形成された略円板状のヒートシンク21上に、金属の缶状でなるキャップ22が取り付けられている。このキャップ22の上端にはレーザ光を透過させるための透過孔22Aが開口されているとともに、例えばガラスでなる円板状の窓部材23が当該透過孔22Aを覆うように取り付けられ、かくしてキャップ22の内側空間はヒートシンク21及び窓部材23によって封止される。
That is, FIG. 3 shows a can-
ヒートシンク21の上面には逆L字型のレーザマウント24が垂設されており、当該レーザマウント24の端部における取付面24Aにはレーザダイオード25が取り付けられている。このレーザマウント24も熱抵抗の小さな材質で形成されており、これによりレーザパッケージ20は、レーザダイオード25が発する熱をレーザマウント24を介して効率的にヒートシンク25へと伝熱し、さらに当該ヒートシンク25を介して、レーザパッケージ20が設置される光ピックアップのシャシー(図示せず)へと逃がすようになされている。
An inverted L-
レーザダイオード25は、出射するレーザ光が窓部材23を通過するように設置方向が定められている。また、ヒートシンク21の上面におけるレーザダイオード25の下方には、上述した出射光量検出用のフォトダイオード26が取り付けられている。
The installation direction of the
ヒートシンク21の下面には、3本のリード27が取り付けられている。そして図4に示すように、レーザダイオード25のカソード及びフォトダイオード26のカソードがグランドのリード27Aに接続されているとともに、レーザダイオード25のアノードはリード27Bに接続され、フォトダイオード26のアノードはリード27Cに接続されている。
Three
そして、リード27A及び27Bは駆動部13(図2)のレーザドライバ(図示せず)に接続されており、制御部12は当該レーザドライバを制御してレーザ駆動電流を生成させ、リード27A及び27Bを介してレーザダイオード25に供給することにより、当該レーザダイオード25からレーザ光を出射させる。
The
ここでレーザパッケージ20内のフォトダイオード26において検出される出射光量の精度は比較的低く、再生専用の光ディスク装置では、厳密な出射光量の制御を必要としないため、一般的にフォトダイオード26を用いてAPC制御を実行する。
Here, the accuracy of the amount of emitted light detected by the
しかしながら厳密な出射光量の制御が必要な記録再生用の光ディスク装置10では、フォトダイオード26よりも高精度で出射光量を制御する必要があるため、光路上に設置されたビームスプリッタ(図示しない)によって出射光ビームを所定の光量比で分離し、別に設けられたフォトダイオード(図示しない)で出射光量を検出してAPC制御を実行しており、実際上フォトディテクタ26をAPC制御に使用していない。
However, in the recording / reproducing optical disk apparatus 10 that requires strict control of the amount of emitted light, it is necessary to control the amount of emitted light with higher accuracy than the
(2)本発明によるレーザダイオードの温度検出
この光ディスク装置10では、上述したレーザパッケージ20内のフォトダイオード26を用いてレーザダイオード25の温度検出を行うことにより、別途温度検出素子を設けることなく、簡易な構成で高精度な温度検出を実現している。
(2) Temperature Detection of Laser Diode According to the Present Invention In this optical disk apparatus 10, by detecting the temperature of the
すなわち、フォトダイオードは光に対する感度を有するPN接合型半導体であるが、通常の接合型シリコンダイオードと同等な電気的特性を有している。 That is, the photodiode is a PN junction type semiconductor having sensitivity to light, but has an electrical characteristic equivalent to that of a normal junction type silicon diode.
図5は、シリコンダイオードSiD、2種類のショットキーダイオードSkD1及びSkD2、2種類のフォトダイオードPD1及びPD2それぞれについてのVf(順方向降下電圧)/If(順方向電流)曲線を示し、フォトダイオードPD1及びPD2の特性がシリコンダイオードSiDの特性と類似していることがわかる。 FIG. 5 shows Vf (forward voltage drop) / If (forward current) curves for the silicon diode SiD, the two types of Schottky diodes SkD1 and SkD2, and the two types of photodiodes PD1 and PD2, respectively. It can be seen that the characteristics of PD2 and PD2 are similar to those of the silicon diode SiD.
そしてフォトダイオードは、その温度変化に応じてVfが変化する。図6は、フォトダイオードの温度を変化させた場合におけるVf/If曲線を示し、フォトダイオードの温度が上昇するにつれてVfが低下していることがわかる。 In the photodiode, Vf changes according to the temperature change. FIG. 6 shows a Vf / If curve when the temperature of the photodiode is changed, and it can be seen that Vf decreases as the temperature of the photodiode increases.
また図3に示したように、フォトダイオード26はレーザダイオード25の熱を逃がすためのヒートシンク21に取り付けられているため、当該フォトダイオード26及びレーザダイオード25の間の熱抵抗は極めて小さく、十分に熱結合されており、このため図6に示すように、フォトダイオード26のVfはレーザダイオード25の温度を良好に反映する。
Further, as shown in FIG. 3, since the
従って、フォトダイオード26が検出電流を生成しないようレーザダイオード25の発光を停止させた状態で、当該フォトダイオード26に対して一定の順方向電流でなる測定電流を流し、その際のVfに基づいてレーザダイオード25の温度を検出することができる。
Accordingly, in a state where the light emission of the
ところが実際上、個々のフォトダイオードは特性にばらつきを有している。例えば図7は、同一種類の6個のフォトダイオードそれぞれについてのVf/If曲線を示し、If=8.0[mA]の状態でVfには15[mV]程度のばらつきが現れている。このばらつきは±5℃に相当し、このため、単純にVfを温度に変換した場合、特性のばらつきに起因する誤差を生じてしまうという問題がある。 In practice, however, individual photodiodes have variations in characteristics. For example, FIG. 7 shows a Vf / If curve for each of six photodiodes of the same type. In the state of If = 8.0 [mA], a variation of about 15 [mV] appears in Vf. This variation corresponds to ± 5 ° C. Therefore, when Vf is simply converted to temperature, there is a problem that an error due to variation in characteristics occurs.
しかしながら、図7に示した各Vf/If曲線は、If>4.0[mA]の領域でほぼ同一のカーブを描いているため、所定の基準温度で正規化することで、実際上十分な精度で、Vfに基づく温度検出を行うことができる。図8は、If=5[mA]のVfを基準温度25℃で正規化し、55℃で測定した場合のVf/If曲線の例を示し、Vfのばらつきは数[mV]程度に抑えられており、このばらつきは±0.5℃程度に相当することから、実際上十分な精度でレーザダイオード25の温度を測定することができる。
However, since each Vf / If curve shown in FIG. 7 draws almost the same curve in the region of If> 4.0 [mA], it is practically sufficient to normalize at a predetermined reference temperature. Temperature detection based on Vf can be performed with accuracy. FIG. 8 shows an example of a Vf / If curve when Vf of If = 5 [mA] is normalized at a reference temperature of 25 ° C. and measured at 55 ° C., and variation in Vf is suppressed to about several [mV]. Since this variation corresponds to about ± 0.5 ° C., the temperature of the
すなわち、フォトダイオード26に対して所定の測定電流を流した状態で当該フォトダイオード26の温度を変化させ、このときの温度とVfとの関係に基づいて、Vfから温度を求めるためのVf−温度変換係数を算出する。
That is, the temperature of the
なお、このVf−温度変換係数の算出は、予め一つのフォトダイオードに対して行っておけば良く、その結果得られたVf−温度変換係数を全ての光ディスク装置10に適用してかまわない。また測定形態についても、試験装置上でフォトダイオード26単体に対して行っても、光ピックアップ17や光ディスク装置10が組み立てられた状態で行ってもよい。このようにして算出しておいたVf−温度変換係数を、制御部12の図示しない記憶手段(例えば不揮発メモリ等)に記憶させておく。
The calculation of the Vf-temperature conversion coefficient may be performed for one photodiode in advance, and the Vf-temperature conversion coefficient obtained as a result may be applied to all the optical disc apparatuses 10. Also, the measurement mode may be performed on the
さらに、各光ディスク装置10それぞれについて、フォトダイオード26を所定の基準温度に保った状態で上述した測定電流を流し、このときのVfを基準Vfとして制御部12の記憶手段に記憶させておく。
Further, for each optical disk device 10, the above-described measurement current is passed in a state where the
そして、光ディスク装置10の動作時においてフォトダイオード26の温度を検出する場合、制御部12はまず、駆動部13を制御してレーザダイオード25の発光を停止させた後、カレントミラー回路32を制御してフォトダイオード26に測定電流を流すと同時に、オペアンプ33の出力をディジタル変換して測定Vfとする。さらに、測定Vfから基準Vfを減算した値にVf−温度変換係数を乗算して、フォトダイオード26の検出温度とする。
When detecting the temperature of the
次に、上述したフォトダイオードを用いてレーザダイオードの温度検出を行うための回路構成について説明する。図9に示すように、フォトダイオード26のアノードは、信号処理部14内において、温度検出部31に接続されている。
Next, a circuit configuration for detecting the temperature of the laser diode using the photodiode described above will be described. As shown in FIG. 9, the anode of the
この温度検出部31は、トランジスタQ1及びQ2のエミッタがそれぞれミラー比抵抗R1及びR2を介して電源Vccに接続されるとともに、トランジスタQ1のコレクタとトランジスタQ1及びQ2のベースが接続されてカレントミラー回路32が形成され、さらに、トランジスタQ2のコレクタがフォトダイオード26のアノードに接続されている。
The temperature detector 31 has a current mirror circuit in which the emitters of the transistors Q1 and Q2 are connected to the power source Vcc via the mirror specific resistances R1 and R2, respectively, and the collector of the transistor Q1 and the bases of the transistors Q1 and Q2 are connected. 32 is formed, and the collector of the
そして、トランジスタQ1及びQ2のベースは制御部12に接続されており、当該制御部12はトランジスタQ1及びQ2のベースに制御信号を加えることにより、フォトダイオード26に対しカレントミラー回路32から一定の順方向電流でなる測定電流を流したり、当該測定電流を停止することができる。
The bases of the transistors Q1 and Q2 are connected to the
また、フォトダイオード26のアノードはオペアンプ33の+入力端子にも接続されている。そして、オペアンプ33の出力端子と−入力端子とが接続されてボルテージフォロア回路が形成されており、フォトダイオード26のアノードは当該ボルテージフォロア回路を介して制御部12に接続され、当該制御部12はオペアンプ33の出力に基づいて、フォトダイオード26のVfを検出するようになされている。
The anode of the
実際上、フォトダイオード26のVfを検出する際にレーザダイオード25が発光していると、フォトダイオード26はレーザ光の受光光量に応じた検出電流を生成してしまうためVfを正確に検出し得なくなる。このため制御部12は、フォトダイオード26のVfを検出する際には、駆動部13を制御してレーザダイオード25の発光を停止させる。そして、Vfの検出が終了次第、レーザダイオード25の発光を再開させる。
Actually, if the
また上述したように、フォトダイオード26が有する特性のばらつきを補正するため、予め基準温度における基準Vfを測定して制御部12に記憶させておく必要がある。
Further, as described above, in order to correct the variation in characteristics of the
例えば光ディスク装置10の完成後、レーザパッケージ20若しくは光ピックアップ17の温度を基準温度(例えば25℃)に調整し、さらにレーザダイオード25を消灯させた状態で、フォトダイオード26に対しカレントミラー回路32から測定電流を流し、その際の基準Vfをディジタル変換して制御部12の不揮発メモリ(図示せず)に記憶させる。
For example, after the optical disk device 10 is completed, the temperature of the
そして、光ディスク装置10の動作時においてフォトダイオード26の温度を検出する際には、制御部12はまず、駆動部13を制御してレーザダイオード25の発光を停止させた後、カレントミラー回路32を制御してフォトダイオード26に測定電流を流すと同時に、オペアンプ33の出力をディジタル変換して測定Vfとし、当該測定Vfから基準Vfを減算した値にVf−温度変換係数を乗算して、フォトダイオード26の検出温度を算出する。
When detecting the temperature of the
(3)動作及び効果
以上の構成において、この光ディスク装置10では、本来レーザダイオード25の出射光量検出のために設けられたフォトダイオード26に、順方向の測定電流を流す電流源としてのカレントミラー回路32を接続するとともに、当該測定電流を流した際のフォトダイオード26の順方向降下電圧でなる測定Vfを制御部12で測定する。
(3) Operation and Effect In the above configuration, in the optical disc apparatus 10, a current mirror circuit as a current source that allows a measurement current in the forward direction to flow through the
そして、予め測定しておいた基準温度における順方向降下電圧でなる基準Vfを用いて測定Vfを正規化し、さらにVf−温度変換係数を乗算して、フォトダイオード26の検出温度を得るようにした。
Then, the measured Vf is normalized using a reference Vf that is a forward drop voltage at a reference temperature that has been measured in advance, and is further multiplied by a Vf-temperature conversion coefficient to obtain a detected temperature of the
フォトダイオード26は、レーザダイオード25とともにレーザパッケージ20の内部に近接して封止されているとともに、両者はヒートシンク21及びレーザマウント24を介して熱抵抗が極めて小さい状態で設置されていることから、当該フォトダイオード26の温度は、雰囲気温度や光ディスク装置10内部の空気の流動等に影響されることなく、レーザダイオード25の温度と極めて近い値となる。
The
さらに、フォトダイオードの電気的特性は接合型シリコンダイオードと略同等であるため、順方向降下電圧はフォトダイオード自身の温度を良く反映するとともに、個々のフォトダイオードが有する特性のばらつきを基準Vfを用いた正規化によって補正することにより、測定Vfを基にレーザダイオード25の温度を精度良く検出することができる。
Furthermore, since the electrical characteristics of the photodiode are almost the same as those of the junction type silicon diode, the forward voltage drop reflects the temperature of the photodiode itself, and the characteristic variation of each photodiode is used as a reference Vf. By correcting by normalization, the temperature of the
また、出射光量検出のために設けられているフォトダイオード26をレーザダイオード25の温度検出手段として流用することから、別途温度検出手段を設けることなく、簡易な構成で精度良くレーザダイオードの温度検出を行うことができる。
Further, since the
以上の構成によれば、レーザダイオード25の出射光量検出のためレーザパッケージ20内に設けられたフォトダイオード26に順方向の測定電流を流し、その際の順方向降下電圧でなる測定Vfを用いてレーザダイオード25の温度を検出するようにしたことにより、簡易な構成で、精度良くレーザダイオードの温度検出を行うことができる。
According to the above configuration, a forward measurement current is passed through the
(4)他の実施の形態
なお、上述の実施の形態においては、測定電流の電流源としてカレントミラー回路32を設けたが、本発明はこれに限らず、駆動部13から供給されるレーザ駆動電流をフォトダイオード26に流し、その際の順方向降下電圧を測定Vfとするようにしてもよい。
(4) Other Embodiments In the above-described embodiment, the
すなわち、図9との対応部分に同一符号を付して示す図10において、フォトダイオード26のアノードが、温度検出部41に設けられたスイッチング手段としてのFET(Field Effect Transistor)42を介して駆動部13に接続されている。そして、FET42のゲートは制御部12に接続されており、制御部12はFET42のゲート電圧を制御することにより、駆動部13から供給されるレーザ駆動電流を測定電流としてフォトダイオード26に流したり、当該測定電流を停止することができる。
That is, in FIG. 10 in which the same reference numerals are assigned to the parts corresponding to those in FIG. 9, the anode of the
通常のレーザ光照射状態においては、制御部12はFET42に対するゲート電圧の供給を停止して当該FET42を閉とし、これによりレーザ駆動電流はフォトダイオード26には流れない。
In a normal laser light irradiation state, the
これに対して、レーザダイオード25の温度検出を行う際には、制御部12は駆動部13を制御してレーザ駆動電流の電流値を上述した測定電流の値まで下げた後、FET42に対しゲート電圧を供給して当該FET42を開とする。
On the other hand, when detecting the temperature of the
これにより駆動部13はレーザダイオード25及びフォトダイオード26の双方に接続されるが、レーザダイオード25の順方向降下電圧はフォトダイオード26の順方向降下電圧に比べて大きいことから(例えば、レーザダイオード25の順方向降下電圧が約2〜5[V]であるのに対しフォトダイオード26の順方向降下電圧は0.7[V]程度)、当該駆動部13から供給されるレーザ駆動電流(すなわち測定電流)は、フォトダイオード26に対してのみ流れ、これによりレーザダイオード25を消灯するとともにフォトダイオード26に測定電流を流すことができる。
As a result, the
このような構成を取ることにより、図9で示した測定電流の電流源としてカレントミラー回路32を省いて、さらに簡易な構成で、精度良くレーザダイオードの温度検出を行うことができる。
By adopting such a configuration, it is possible to accurately detect the temperature of the laser diode with a simpler configuration by omitting the
さらに上述の実施の形態では、フォトダイオード26がAPC制御に使用されないようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、フォトダイオード26をAPC制御及び温度検出の両方に使用するようにしても良い。この場合、フォトダイオード26のアノードは、信号処理部14内において、温度検出部31と共に出射光量検出部30にも接続されている。この出射光量検出部30は、フォトダイオード26から供給される検出電流に対し増幅などの信号処理を施して出射光量信号を生成し、これを制御部12に供給する。
Further, in the above-described embodiment, the case where the
本発明は、種々の光ディスク装置に広く適用することができる。 The present invention can be widely applied to various optical disk devices.
1……回路基板、2……レーザダイオード、3……温度検出素子、10……光ディスク装置、12……制御部、13……駆動部、14……信号処理部、15……スピンドルモータ、16……スレッドモータ、17……光ピックアップ、18……2軸アクチュエータ、19……対物レンズ、30……出射光量信号生成部、31、41……温度検出部、32……カレントミラー回路、33……オペアンプ、42……FET、100……光ディスク。
DESCRIPTION OF
Claims (4)
上記フォトダイオードに順方向電流を供給する電流供給手段と、
上記フォトダイオードに上記順方向電流が流れた際の順方向降下電圧を検出する降下電圧検出手段と、
上記フォトダイオードに上記順方向電流を流した際の上記順方向降下電圧と温度との関係を示す変換係数と、上記検出した順方向降下電圧とに基づいて、上記レーザダイオードの温度を算出する温度算出手段と
を具えることを特徴とする光ディスク装置。 A photodiode provided in a laser diode package for detecting the amount of light emitted from the laser diode;
Current supply means for supplying a forward current to the photodiode;
A voltage drop detecting means for detecting a forward voltage drop when the forward current flows through the photodiode;
The temperature at which the temperature of the laser diode is calculated based on the conversion coefficient indicating the relationship between the forward voltage drop and the temperature when the forward current flows through the photodiode and the detected forward voltage drop An optical disc apparatus comprising: a calculating means.
ことを特徴とする請求項1に記載の光ディスク装置。 The temperature calculation means normalizes the forward voltage drop using a reference forward voltage drop when the forward current flows in a state where the photodiode is at a predetermined reference temperature, and calculates the temperature of the laser diode. The optical disc apparatus according to claim 1, wherein:
上記フォトダイオードの上記順方向電流を検出する際に、レーザダイオード駆動手段を当該フォトダイオードに接続する接続手段を具える
ことを特徴とする請求項1に記載の光ディスク装置。 The current supply means comprises a laser diode drive means for driving current to the laser diode,
2. The optical disk apparatus according to claim 1, further comprising a connecting unit that connects a laser diode driving unit to the photodiode when detecting the forward current of the photodiode.
上記フォトダイオードに上記順方向電流が流れた際の順方向降下電圧を検出し、
上記フォトダイオードに上記順方向電流を流した際の上記順方向降下電圧と温度との関係を示す変換係数と、上記検出した順方向降下電圧とに基づいて、上記レーザダイオードの温度を算出する
ことを特徴とする温度検出方法。 Provided in the laser diode package, supplying a forward current to the photodiode for detecting the amount of light emitted from the laser diode,
Detecting the forward voltage drop when the forward current flows through the photodiode;
Calculating the temperature of the laser diode based on the conversion coefficient indicating the relationship between the forward voltage drop and the temperature when the forward current is passed through the photodiode, and the detected forward voltage drop. The temperature detection method characterized by this.
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