JP2008216835A - Manufacturing method of thin substrate - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、透光性基板を用いて導電膜等のパターンを有する薄型の基板を製造する薄型
基板の製造方法に関する。
The present invention relates to a thin substrate manufacturing method for manufacturing a thin substrate having a pattern such as a conductive film using a light-transmitting substrate.
現在、携帯電話機、携帯情報端末機等といった各種の電子機器において、例えば、当該
電子機器に関する各種の情報を視覚的に表示するための表示部として、液晶装置やEL(
Electro luminessence)装置等といった電気光学装置が広く用いられている。また、これ
らの電気光学装置にはタッチパネル等といった入力装置が設けられることがある。これら
の電気光学装置や入力装置には、一般に、透明導電膜や金属膜等といった種々の要素を透
光性基板、例えばガラス基板上に形成して成るパネルが用いられている。
Currently, in various electronic devices such as a mobile phone and a portable information terminal, for example, a liquid crystal device or an EL (EL display) is used as a display unit for visually displaying various information related to the electronic device.
Electro-optical devices such as electro luminessence devices are widely used. These electro-optical devices may be provided with an input device such as a touch panel. In these electro-optical devices and input devices, a panel formed by forming various elements such as a transparent conductive film and a metal film on a translucent substrate, for example, a glass substrate is generally used.
上記の電気光学装置や入力装置は薄型化が求められている。この薄型化に関しては、ガ
ラス基板を薄型に形成することが有効である。このようにガラス基板を薄く形成すること
により、そのガラス基板を用いて構成される電気光学装置や入力装置の全体の厚みを薄く
することができる。
The electro-optical device and the input device are required to be thin. For this thinning, it is effective to form the glass substrate thin. By forming the glass substrate thin in this manner, the entire thickness of the electro-optical device and the input device configured using the glass substrate can be reduced.
電気光学装置等に用いるパネルを製造する作業としては、例えば、ガラス基板の表面に
導電パターン等を形成する作業やガラス基板同士を貼り合わせる作業等があり、それらの
作業の間には基板を搬送する作業がある。これらの作業を薄く形成されたガラス基板に対
して行うと、そのガラス基板が破損したり、自重により反って曲がったりするおそれがあ
る。特に、大判のガラス基板を用いて複数個分のパネルを一度に形成する、いわゆる多数
個取りの手法を用いる場合には、ガラス基板の破損や曲りが発生する可能性が高くなり作
業が困難となる。そのため、薄型のガラス基板を用いてパネルを製造するには、作業中に
破損や曲りが生じないようにガラスを補強しておく等といった対策が必要である。
Examples of operations for manufacturing a panel used for an electro-optical device include an operation for forming a conductive pattern on the surface of a glass substrate, an operation for bonding glass substrates together, and the like. There is work to do. If these operations are performed on a thin glass substrate, the glass substrate may be damaged or bend and bend due to its own weight. In particular, when using a so-called multi-cavity method in which a large number of glass substrates are used to form a plurality of panels at once, there is a high possibility that the glass substrate will be damaged or bent, making the operation difficult. Become. For this reason, in order to manufacture a panel using a thin glass substrate, it is necessary to take measures such as reinforcing the glass so that it is not damaged or bent during the operation.
ガラス基板を用いてパネルを製造する方法として、従来、液晶装置を構成する液晶パネ
ルの複数個分の面積を有する一対のガラス基板をシール材を用いて貼り合わせた後に、ガ
ラス基板の少なくとも一方の表面をエッチング処理により除去してガラスを薄くする方法
が知られている(例えば、特許文献1参照)。この方法では、個々の液晶パネルのうちの
シール材の内側に対応する部分のガラスを除去し、シール材を含めた周縁部にガラス厚が
厚い部分を残している。
As a method of manufacturing a panel using a glass substrate, conventionally, after bonding a pair of glass substrates having an area corresponding to a plurality of liquid crystal panels constituting a liquid crystal device using a sealing material, at least one of the glass substrates A method is known in which the surface is removed by etching to thin the glass (see, for example, Patent Document 1). In this method, the glass of the portion corresponding to the inside of the sealing material in each liquid crystal panel is removed, and a thick glass portion is left in the peripheral portion including the sealing material.
特許文献1に開示された液晶装置の製造方法は、表示に寄与する部分のガラス基板を薄
くすることによりそのガラスにおいて光が屈折することに起因して発生する反射光の経路
のずれを小さくして、鮮明な表示を得ることを目的としている。また、作製された個々の
液晶装置の周縁部分にガラス厚が厚い部分を残すことにより、ガラス基板を薄く形成して
もそのガラス基板の強度を確保できるという効果がある。しかしながら、ガラス基板の周
縁部分にガラス厚が厚い部分が残されることから、そのガラス基板を用いて液晶装置等と
いった電気光学装置を薄型に形成することは難しい。また、特許文献1の製造方法では、
一対のガラス基板を貼り合わせた状態でガラス基板の薄い部分を形成しているため、1枚
のガラス基板を用いてパネル基板を形成する場合、例えばタッチパネル等を形成する場合
に特許文献1の製造方法を適用することは難しい。
The manufacturing method of the liquid crystal device disclosed in
Since the thin part of the glass substrate is formed in a state in which the pair of glass substrates are bonded together, when a panel substrate is formed using one glass substrate, for example, when a touch panel or the like is formed, manufacturing of
本発明は、上記の問題点に鑑みて成されたものであって、ガラスの破損や曲りを発生さ
せることなく、液晶パネル等といった薄型の基板を容易に形成する薄型基板の製造方法を
提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and provides a method for manufacturing a thin substrate that easily forms a thin substrate such as a liquid crystal panel without causing breakage or bending of glass. For the purpose.
本発明に係る薄型基板の製造方法は、透光性基板の平面領域であるパネル領域を選択的
に薄く形成するパネル領域形成工程と、薄く形成された前記パネル領域内の少なくとも一
方の表面に少なくとも1つの基板要素を形成する基板要素形成工程と、前記基板要素形成
工程の後に、前記透光性基板のうちの前記パネル領域以外の領域である外縁領域を除去す
る外縁領域除去工程とを有することを特徴とする。本明細書において、基板要素とは、透
光性基板上に形成される種々の要素、例えば透光性基板上に積層される導電膜や絶縁膜等
のことをいう。
A method for manufacturing a thin substrate according to the present invention includes a panel region forming step of selectively thinning a panel region, which is a planar region of a translucent substrate, and at least one surface of the thinly formed panel region. A substrate element forming step of forming one substrate element; and an outer edge region removing step of removing an outer edge region which is a region other than the panel region of the translucent substrate after the substrate element forming step. It is characterized by. In this specification, a substrate element refers to various elements formed on a light-transmitting substrate, such as a conductive film and an insulating film stacked on the light-transmitting substrate.
上記の薄型基板の製造方法では、パネル領域形成工程が終了した状態で、透光性基板の
パネル領域のみが選択的に薄く形成され、当該パネル領域以外、すなわちパネル領域の外
縁に、厚さが厚いままの外縁領域が残されている。この状態で基板要素形成工程を行えば
、厚さが厚い外縁領域によって基板の曲げに対する強度を確保できるので、厚さが薄いパ
ネル領域内に基板要素を形成する際に、透光性基板が損傷したり、透光性基板が反って曲
がることを防止できる。さらに、厚さが厚い外縁領域は、基板要素形成工程後の外縁領域
除去工程において除去される。その結果、薄型の透光性基板上に基板要素を形成した薄型
基板を、破損や曲りを発生させることなく製造することができる。
In the above thin substrate manufacturing method, in the state where the panel region forming step is completed, only the panel region of the light-transmitting substrate is selectively formed thin, and the thickness is outside the panel region, that is, at the outer edge of the panel region. A thick outer edge region is left behind. If the substrate element forming process is performed in this state, the strength against bending of the substrate can be secured by the thick outer edge region, so that the transparent substrate is damaged when the substrate element is formed in the thin panel region. Or the light-transmitting substrate can be prevented from being bent and bent. Further, the thick outer edge region is removed in the outer edge region removing step after the substrate element forming step. As a result, a thin substrate in which substrate elements are formed on a thin translucent substrate can be manufactured without causing damage or bending.
次に、本発明に係る薄型基板の製造方法において、前記パネル領域形成工程は、前記透
光性基板の前記外縁領域にレジストを形成する工程と、前記パネル領域をエッチング処理
によって所定厚さ除去する工程と、前記レジストを除去する工程とを有することが望まし
い。本発明態様は、フォトリソグラフィ処理とエッチング処理とを組み合わせて成る、い
わゆるフォトエッチング処理によって透光性基板の一部を選択的に除去してパネル領域の
厚さを薄くする方法である。フォトエッチング処理は、透光性基板上に基板要素を形成す
る際に一般に用いられる手法であるので、既存の製造装置によって容易に処理できる。ま
た、エッチングの条件、例えばエッチング液の種類、処理時間等を選択することによって
、透光性基板の厚さを容易に調節することができる。
Next, in the method for manufacturing a thin substrate according to the present invention, the panel region forming step includes a step of forming a resist in the outer edge region of the translucent substrate, and removing the panel region by a predetermined thickness by an etching process. It is desirable to have a step and a step of removing the resist. An embodiment of the present invention is a method of reducing the thickness of the panel region by selectively removing a part of the light-transmitting substrate by a so-called photoetching process, which is a combination of a photolithography process and an etching process. The photo-etching process is a technique generally used when forming a substrate element on a light-transmitting substrate, so that it can be easily processed by an existing manufacturing apparatus. In addition, the thickness of the light-transmitting substrate can be easily adjusted by selecting the etching conditions such as the type of etching solution and the processing time.
次に、本発明に係る薄型基板の製造方法において、前記パネル領域形成工程と前記基板
要素形成工程の間に、前記透光性基板の両面に強化層を形成する強化層形成工程をさらに
有することが望ましい。この強化層は、透光性基板の強度、例えば面押し強度等といった
透光性基板にかかる荷重に対する強度(耐荷重性)や割れや傷に対する強度(耐衝撃性)
を向上させることができる層である。この強化層を透光性基板に形成することにより、パ
ネル領域形成工程において透光性基板のパネル領域の厚さを薄く形成したとしても、透光
性基板が破損したり曲がったりすることを防止できる。それ故、外縁領域を除去した後の
透光性基板の厚さをより薄くできる。
Next, the method for manufacturing a thin substrate according to the present invention further includes a reinforcing layer forming step of forming a reinforcing layer on both surfaces of the translucent substrate between the panel region forming step and the substrate element forming step. Is desirable. This reinforced layer has a strength against the load on the translucent substrate (load resistance) such as the strength of the translucent substrate, for example, the surface pressing strength, and the strength against cracks and scratches (impact resistance).
It is a layer that can improve. By forming this reinforced layer on the translucent substrate, the translucent substrate is prevented from being damaged or bent even if the panel region of the translucent substrate is thinly formed in the panel region forming process. it can. Therefore, the thickness of the translucent substrate after removing the outer edge region can be further reduced.
なお、強化層形成工程は、パネル領域形成工程の後であって基板要素形成工程より前に
行うことにした。仮に、パネル領域形成工程より前に強化層形成工程を実施した場合には
、例えばエッチング処理等といった透光性基板の一部を除去する処理によって、基板表面
の強化層も除去されてしまうことがある。これに対し本発明態様では、パネル領域形成工
程の後に強化層を形成することにより、強化層が除去されることなく透光性基板を確実に
強化できる。また、強化層形成工程の後に基板要素形成工程を行うことにより、基板要素
形成工程における透光性基板の破損や曲りをより確実に防止できる。
The reinforcing layer forming step is performed after the panel region forming step and before the substrate element forming step. If the reinforcing layer forming step is performed before the panel region forming step, the reinforcing layer on the substrate surface may also be removed by a process of removing a part of the light transmitting substrate such as an etching process. is there. On the other hand, in the aspect of the present invention, by forming the reinforcing layer after the panel region forming step, the translucent substrate can be surely strengthened without removing the reinforcing layer. Further, by performing the substrate element forming step after the reinforcing layer forming step, it is possible to more reliably prevent the translucent substrate from being damaged or bent in the substrate element forming step.
次に、基板の両面に強化層を形成する薄型基板の製造方法において、前記透光性基板は
アルカリガラスを用いて形成され、前記強化層形成工程では化学強化処理によって前記強
化層が形成されることが望ましい。アルカリガラスは、ガラス基板として液晶パネルやタ
ッチパネル等に一般に用いられているガラスである。このアルカリガラスに強化層を形成
するには、化学強化処理、いわゆるイオン交換処理が施される。イオン交換処理は、アル
カリガラス基板の表面のイオン半径が小さいアルカリイオン(例えば、ナトリウムイオン
)をイオン半径の大きなアルカリイオン(例えば、カリウムイオン)に置換する処理であ
る。
Next, in the method for manufacturing a thin substrate in which the reinforcing layers are formed on both surfaces of the substrate, the translucent substrate is formed using alkali glass, and the reinforcing layer is formed by a chemical strengthening process in the reinforcing layer forming step. It is desirable. Alkali glass is glass generally used for liquid crystal panels, touch panels, and the like as a glass substrate. In order to form a strengthening layer on this alkali glass, chemical strengthening treatment, so-called ion exchange treatment is performed. The ion exchange treatment is a treatment for replacing alkali ions (for example, sodium ions) having a small ion radius on the surface of the alkali glass substrate with alkali ions (for example, potassium ions) having a large ion radius.
このイオン交換処理は、例えば、ナトリウムイオンを含有するガラス基板を、カリウム
イオンを含む溶融処理塩で処理することにより行うことができる。このようなイオン交換
処理が行われることにより、ガラス基板表面に所定の厚み(深さ)の強化層が形成される
。この強化層は、いわゆる圧縮応力層と呼ばれるものである。このようにアルカリガラス
を用いて透光性基板を形成すれば、化学強化処理によって強化層を容易に形成できる。な
お、こうして形成された強化層の組成はイオン交換処理前の組成と若干異なるが、強化層
より深い部分における基板の組成はイオン交換処理前の組成と略同じである。
This ion exchange treatment can be performed, for example, by treating a glass substrate containing sodium ions with a molten salt containing potassium ions. By performing such ion exchange treatment, a reinforcing layer having a predetermined thickness (depth) is formed on the surface of the glass substrate. This reinforcing layer is a so-called compressive stress layer. Thus, if a translucent board | substrate is formed using alkali glass, a reinforcement layer can be easily formed by a chemical strengthening process. The composition of the reinforcing layer formed in this way is slightly different from the composition before the ion exchange treatment, but the composition of the substrate in the portion deeper than the reinforcement layer is substantially the same as the composition before the ion exchange treatment.
次に、本発明に係る薄型基板の製造方法において、前記パネル領域形成工程では、複数
の前記パネル領域を前記透光性基板の平面内に並べて形成することができる。本発明態様
は、大面積の1枚の基板から複数個のパネルを形成する、いわゆる多数個取りの手法を用
いた製造方法に好適に適用できる。このように大面積の基板を用いる場合には、従来、自
重による透光性基板の反りや曲りが大きくなる傾向にあるので薄い透光性基板を用いるこ
とが難しかった。本発明態様では、パネル領域形成工程においてパネル領域のみを薄く形
成し、パネル領域以外の外縁領域の厚さを厚くしている。これにより、基板の製造工程中
においては厚さが厚い外縁領域によって透光性基板の曲げに対する強度を確保できる。ま
た、外縁領域除去工程において外縁領域が除去されるので、完成したパネルは薄く形成さ
れる。
Next, in the method for manufacturing a thin substrate according to the present invention, in the panel region forming step, a plurality of the panel regions can be formed side by side in a plane of the light transmitting substrate. The aspect of the present invention can be suitably applied to a manufacturing method using a so-called multi-cavity method in which a plurality of panels are formed from a single substrate having a large area. In the case of using such a large-area substrate, conventionally, it has been difficult to use a thin light-transmitting substrate because warpage or bending of the light-transmitting substrate due to its own weight tends to increase. In the aspect of the present invention, only the panel region is formed thin in the panel region forming step, and the thickness of the outer edge region other than the panel region is increased. Thereby, in the manufacturing process of a board | substrate, the intensity | strength with respect to the bending of a translucent board | substrate is securable by the thick outer edge area | region. Further, since the outer edge region is removed in the outer edge region removing step, the completed panel is formed thin.
次に、本発明に係る薄型基板の製造方法において、前記外縁領域除去工程では、前記パ
ネル領域以外の部分を前記透光性基板から切断によって除去することが望ましい。こうす
れば、外縁領域を容易に除去できる。また、前記外縁領域除去工程では、前記パネル領域
以外の部分をレーザを用いて切断することが望ましい。一般に、ガラス基板を切断する際
には、ガラススクライバによってスクライブ(すなわち罫書き)を行い、その後個々のパ
ネルにブレーク(すなわちチッピング)する。
Next, in the method for manufacturing a thin substrate according to the present invention, in the outer edge region removing step, it is desirable to remove a portion other than the panel region from the translucent substrate by cutting. In this way, the outer edge region can be easily removed. In the outer edge region removing step, it is desirable to cut a portion other than the panel region using a laser. Generally, when a glass substrate is cut, scribing (that is, scoring) is performed by a glass scriber, and then breaks (that is, chipping) into individual panels.
しかしながら、本発明の薄型基板の製造方法では、透光性基板の厚みが薄い部分(パネ
ル領域)と厚い部分(外縁領域)とにわたって切断するので、例えば厚い部分と薄い部分
の段差においてスクライバによるスクライブ処理ができない部分が生じることが考えられ
る。また、強化層を形成した透光性基板を切断する場合には、スクライバを用いると基板
表面をきれいにスクライブできないことがある。例えば、スクライブした線に沿って基板
表面に割れが発生し、ブレイク後の基板切断面が凹凸形状になったり損傷が発生するおそ
れがある。本発明態様では、レーザを用いて切断するので、透光性基板の厚みの差に関係
なく当該基板を切断できる。また、強化層を形成した透光性基板を切断する場合にも、切
断面が損傷することがなくなる。
However, in the thin substrate manufacturing method of the present invention, since the light-transmitting substrate is cut across the thin portion (panel region) and the thick portion (outer edge region), for example, the scriber scribes at the step between the thick portion and the thin portion. It is conceivable that a portion that cannot be processed occurs. In the case of cutting a translucent substrate on which a reinforcing layer is formed, the substrate surface may not be scribed cleanly if a scriber is used. For example, cracks may occur on the substrate surface along the scribed lines, and the substrate cut surface after the break may be uneven or damaged. In the aspect of the present invention, since the laser is used for cutting, the substrate can be cut regardless of the difference in thickness of the light-transmitting substrate. Further, even when the translucent substrate on which the reinforcing layer is formed is cut, the cut surface is not damaged.
次に、本発明に係る薄型基板の製造方法において、前記基板要素形成工程は、前記透光
性基板の一方の表面に少なくとも1つの第1導電パターンを形成する工程と、前記透光性
基板の他方の表面に少なくとも1つの第2導電パターンを形成する工程とを有することが
できる。このように透光性基板の両面に導電パターンを形成するものとして、例えば静電
容量方式の入力装置、いわゆるタッチパネルがある。また、第1導電パターンとしては、
例えば、透光性基板の一方の面に形成された透光性の電極や端子等がある。一方、第2導
電パターンとしては、例えば、透光性基板の他方の面に形成された透光性の電極、端子、
配線等がある。
Next, in the method for manufacturing a thin substrate according to the present invention, the substrate element forming step includes a step of forming at least one first conductive pattern on one surface of the translucent substrate, and a step of forming the translucent substrate. Forming at least one second conductive pattern on the other surface. As a method for forming a conductive pattern on both surfaces of a light-transmitting substrate in this manner, there is, for example, a capacitive input device, a so-called touch panel. As the first conductive pattern,
For example, there are a light-transmitting electrode and a terminal formed on one surface of the light-transmitting substrate. On the other hand, as the second conductive pattern, for example, translucent electrodes, terminals formed on the other surface of the translucent substrate,
There are wiring etc.
静電容量方式のタッチパネルは、基板の一方の面に設けられた第1導電パターンとして
の電極と基板の他方の面に設けられた第2導電パターンとしての電極の間に形成された静
電容量の変化に基づいて位置を検出するものである。この静電容量方式のタッチパネルで
は、基板の一方の面に設けられた導電膜に入力手段(例えば、指、ペン)が触れるか又は
その導電膜に入力手段が近づくことにより、基板の一方の面に設けられた導電膜と基板の
他方の面に設けられた導電膜との間の電気力線が入力手段によって吸収されて静電容量が
減少する。この静電容量の減少による電流変化を、例えば位置検出手段を用いて検出する
ことにより、入力した位置を検出することができる。
An electrostatic capacity type touch panel has a capacitance formed between an electrode as a first conductive pattern provided on one surface of a substrate and an electrode as a second conductive pattern provided on the other surface of the substrate. The position is detected based on the change of. In this capacitive touch panel, an input means (for example, a finger or a pen) touches a conductive film provided on one surface of the substrate, or the input means approaches the conductive film, thereby bringing one surface of the substrate into contact. The lines of electric force between the conductive film provided on the substrate and the conductive film provided on the other surface of the substrate are absorbed by the input means, and the capacitance is reduced. An input position can be detected by detecting a change in current due to the decrease in capacitance using, for example, a position detection unit.
本発明態様においても、パネル領域形成工程が終了した状態で、パネル領域のみが選択
的に薄く形成され、当該パネル領域以外、すなわちパネル領域の外縁に、厚さが厚いまま
の外縁領域が残されているので、透光性基板の曲げに対する強度を確保でき、その結果、
基板要素形成工程の際に透光性基板が損傷したり、透光性基板が反って曲がることを防止
できる。さらに、厚さが厚い外縁領域を基板要素形成工程後の外縁領域除去工程において
除去するので、基板要素を形成した薄型の基板を破損や曲りを発生させることなく製造す
ることができる。従って、本発明態様の薄型基板であるタッチパネルも、損傷や曲りが発
生することなく薄型に形成できる。
Also in the aspect of the present invention, in the state where the panel region forming step is completed, only the panel region is selectively formed thin, and the outer edge region with a thick thickness is left outside the panel region, that is, the outer edge of the panel region. Therefore, the strength against bending of the translucent substrate can be secured, and as a result,
It is possible to prevent the light-transmitting substrate from being damaged or the light-transmitting substrate from being bent and bent during the substrate element forming step. Further, since the thick outer edge region is removed in the outer edge region removing step after the substrate element forming step, the thin substrate on which the substrate element is formed can be manufactured without causing damage or bending. Therefore, the touch panel, which is a thin substrate according to the present invention, can also be formed thin without causing damage or bending.
次に、本発明に係る薄型基板の製造方法において、前記基板要素形成工程は、前記透光
性基板の一方の表面に少なくとも1つの第1導電パターンを形成する工程と、前記第1導
電パターンを覆う絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に複数の第2導電パターンを形
成する工程とを有することができる。このように、基板の一方の面上に、絶縁膜を挟んで
第1導電パターンと第2導電パターンを形成することにより、静電容量方式のタッチパネ
ルを形成することができる。このタッチパネルの原理は、既述の基板の両面に導電パター
ンを形成するものと同じである。本発明態様においても、損傷や曲りが発生することなく
基板を薄く形成できるので、薄型基板であるタッチパネルを薄く形成できる。
Next, in the method for manufacturing a thin substrate according to the present invention, the substrate element forming step includes a step of forming at least one first conductive pattern on one surface of the translucent substrate, and the first conductive pattern. The method may include a step of forming an insulating film to cover and a step of forming a plurality of second conductive patterns on the insulating film. Thus, a capacitive touch panel can be formed by forming the first conductive pattern and the second conductive pattern on one surface of the substrate with the insulating film interposed therebetween. The principle of this touch panel is the same as that in which conductive patterns are formed on both surfaces of the substrate described above. Also in the aspect of the present invention, since the substrate can be formed thin without causing damage or bending, the touch panel that is a thin substrate can be formed thin.
次に、本発明に係る薄型基板の製造方法において、前記薄型基板は互いに対向する2枚
の基板から成る液晶パネルの第1基板として形成することができる。この場合、前記基板
要素形成工程は、前記透光性基板の一方の表面に複数の第1導電パターンを形成する工程
と、前記第1導電パターン上に配向膜を形成する工程とを有することが望ましい。この第
1基板は、透過型単純マトリクス方式の液晶パネルのうちの一方の基板である。本発明態
様においても、パネル領域を薄く形成した後に基板要素を形成し、その後、外縁領域を除
去することにより損傷や曲りが発生することなく第1基板を薄く形成することができる。
Next, in the method for manufacturing a thin substrate according to the present invention, the thin substrate can be formed as a first substrate of a liquid crystal panel composed of two substrates facing each other. In this case, the substrate element forming step may include a step of forming a plurality of first conductive patterns on one surface of the translucent substrate and a step of forming an alignment film on the first conductive pattern. desirable. This first substrate is one of the transmissive simple matrix liquid crystal panels. Also in the aspect of the present invention, by forming the substrate element after forming the panel region thin, and then removing the outer edge region, the first substrate can be formed thin without causing damage or bending.
また、前記薄型基板は互いに対向する2枚の基板から成る液晶パネルの第2基板として
形成することができる。この場合、前記基板要素形成工程は、前記透光性基板の一方の表
面に複数の着色膜を隣接して形成する工程と、互いに隣接する前記着色膜同士の間に遮光
膜を形成する工程と、前記着色膜及び前記遮光膜を覆う樹脂膜を形成する工程と、前記樹
脂膜上に前記着色膜に平面的に重なる複数の第2導電パターンを形成する工程と、前記樹
脂膜上であって前記遮光膜と平面的に重なる位置にスペーサを形成する工程と、前記第2
導電パターン及び前記スペーサを覆う配向膜を形成する工程とを有することが望ましい。
この第2基板は、上記の第1基板に対向する基板である、いわゆる第2基板である。本発
明態様においても、パネル領域を薄く形成した後に基板要素を形成し、その後、外縁領域
を除去することにより損傷や曲りが発生することなく第2基板を薄く形成することができ
る。
The thin substrate can be formed as a second substrate of a liquid crystal panel composed of two substrates facing each other. In this case, the substrate element forming step includes a step of forming a plurality of colored films adjacent to one surface of the translucent substrate, and a step of forming a light shielding film between the adjacent colored films. Forming a resin film covering the colored film and the light shielding film, forming a plurality of second conductive patterns on the resin film so as to overlap the colored film in plane, and on the resin film, Forming a spacer at a position overlapping the light-shielding film in a plane, and the second
It is desirable to include a step of forming an alignment film covering the conductive pattern and the spacer.
This second substrate is a so-called second substrate which is a substrate facing the first substrate. Also in the aspect of the present invention, the substrate element is formed after the panel region is formed thin, and then the outer substrate is removed, whereby the second substrate can be formed thin without causing damage or bending.
さらに、前記第1基板の基板要素形成工程及び前記第2基板の基板要素形成工程の後に
は、前記第1基板と前記第2基板とを、前記基板要素が形成された面を互いに対向させて
貼り合せる工程と、互いに貼り合わせた前記第1基板と前記第2基板の間に液晶層を形成
する工程とをさらに有することが望ましい。このように第1基板と第2基板を貼り合せ、
その第1基板と第2基板の間に液晶を注入して液晶層を形成することにより、液晶パネル
が形成される。
Further, after the substrate element forming step of the first substrate and the substrate element forming step of the second substrate, the surfaces on which the substrate elements are formed are opposed to each other with the first substrate and the second substrate. It is desirable to further include a step of bonding and a step of forming a liquid crystal layer between the first substrate and the second substrate bonded to each other. In this way, the first substrate and the second substrate are bonded together,
A liquid crystal panel is formed by injecting liquid crystal between the first substrate and the second substrate to form a liquid crystal layer.
既述の通り、本発明の薄型基板の製造方法を適用することにより、液晶パネルの第1基
板及び第2基板を損傷や曲りが発生することなく薄く形成することができる。従って、こ
れらの第1基板と第2基板を貼り合せて形成される本発明態様の液晶パネルも損傷や曲り
が発生することなく薄く形成することができる。
As described above, by applying the method for manufacturing a thin substrate of the present invention, the first substrate and the second substrate of the liquid crystal panel can be formed thin without causing damage or bending. Therefore, the liquid crystal panel according to the embodiment of the present invention formed by bonding the first substrate and the second substrate can be thinly formed without causing damage or bending.
(薄型基板の製造方法の第1実施形態)
以下、本発明に係る基板の製造方法を一実施形態に基づいて説明する。本実施形態では
、STN(Super Twisted Nematic)液晶を用いた透過型で単純マトリクス方式の液晶装
置に本発明を適用した場合を例示する。なお、これ以降に説明する実施形態は本発明の一
例であって、本発明を限定するものではない。また、これからの説明では必要に応じて図
面を参照するが、この図面では、複数の構成要素から成る構造のうち重要な構成要素をわ
かり易く示すため、各要素を実際とは異なった相対的な寸法で示している。
(First Embodiment of Manufacturing Method of Thin Substrate)
Hereinafter, the manufacturing method of the board concerning the present invention is explained based on one embodiment. In this embodiment, a case where the present invention is applied to a transmission type simple matrix type liquid crystal device using STN (Super Twisted Nematic) liquid crystal is illustrated. In addition, embodiment described below is an example of this invention, Comprising: This invention is not limited. In the following description, reference will be made to the drawings as necessary. In this drawing, in order to clearly show important constituent elements among the structure composed of a plurality of constituent elements, the relative dimensions different from actual ones are shown. Is shown.
まず、本実施形態の基板の製造方法を用いて製造される液晶装置について説明する。
図5は、単純マトリクス方式でカラー表示が可能なSTN透過型の液晶装置1を示して
いる。この図に示された構造は、その構造に含まれる複数の構成要素を分かり易く示すた
めに、それらの構成要素を実際の寸法比とは異なる寸法比で描いてある。
First, a liquid crystal device manufactured using the substrate manufacturing method of the present embodiment will be described.
FIG. 5 shows an STN transmissive
図5において、本実施形態の液晶装置1は、液晶パネル2と、この液晶パネル2に実装
された半導体要素である駆動用IC3と、照明装置4とを有する。この液晶装置に関して
は、矢印Aが描かれた側が観察側である。
In FIG. 5, the
照明装置4は、光源としてのLED(Light Emitting Diode)6と、LED6から出射
する点状の光を面状に変換する導光体7とを有する。LED6は図5の紙面垂直方向(行
方向X)に関して複数個、例えば4個程度、設けられる。各LED6から出射した光は、
導光体7の光入射面7aから導光体7の内部へ導かれ、導光体7の内部を伝播した後、光
出射面7bから面状の光となって液晶パネル2へ向けて出射する。
The illuminating device 4 includes an LED (Light Emitting Diode) 6 serving as a light source, and a
After being guided from the light incident surface 7 a of the
液晶パネル2は、第1基板11と第2基板12とを矢印A方向(基板法線方向)から見
て正方形又は長方形で枠状のシール材8で貼り合わせることによって形成されている。第
1基板11は、照明装置4側に設けられた基板である。一方、第2基板12矢印Aが描か
れた観察側に設けられた基板である。第1基板11と第2基板12との間には、間隙、い
わゆるセルギャップGが形成され、そのセルギャップG内には、液晶、本実施形態ではS
TN(Super Twisted Nematic)液晶が封入されて液晶層9が形成されている。
The
A
第1基板11は、第1の透光性基板11aを有する。この第1透光性基板11aはその
1辺が第2基板12の外側へ張り出して張出し部13を形成している。この第1透光性基
板11aは本実施形態では化学強化ガラス(いわゆるアルカリ強化ガラス)によって形成
されている。この化学強化ガラスは、例えば図6に示すように、ガラス基材22と、その
ガラス基材22の両側の表面に形成された強化層23と、強化層23上に形成されたSi
O2層24とによって構成されている。強化層23はガラス表面に形成された圧縮応力層
である。この圧縮応力層をガラス基材22の両面に被覆することによりガラス基材22の
傷等に対する強度(耐衝撃性)と荷重に対する強度(耐荷重性)を向上させている。また
、SiO2層24はガラス基材22又は強化層23に含まれる成分が第1透光性基板11
の表面に形成される種々の要素に流出することを防止するために設けられている。これら
の強化層23及びSiO2層24は、第1透光性基板11aの両面に形成されている。
The
And an O 2 layer 24. The reinforcing
It is provided in order to prevent outflow to various elements formed on the surface. The reinforcing
ガラス基材22は、Na(ナトリウム)を多く含む、厚みが約0.4mmのアルカリガ
ラスである。このガラス基材22の表面部分のNaをK(カリウム)に置換し、焼成する
ことによって、ガラス基材22の表面に強化層23が形成される。この強化層23の層厚
は、例えば約20μmとすることができる。強化層23上に設けられるSiO2層24は
、例えばSiO2から成り、スパッタ処理によって約100Åの厚さの膜に形成される。
なお、図5においては、図6の強化層23及びSiO2層24の図示を省略している。
The
In FIG. 5, illustration of the reinforcing
図5において、第1透光性基板11aの外側表面には、偏光層17aが、貼着等によっ
て装着される。一方、第1透光性基板11aの内側の表面には、紙面左右方向(列方向Y
)へ直線的に延びる第1導電パターンとしての複数の帯状電極15aが形成され、さらに
その上に配向膜16aが形成される。これらの帯状電極15a及び配向膜16aは第1基
板11を構成する要素である。以下の説明において、これらの要素を基板要素30aとい
うことがある。配向膜16aには配向処理、例えばラビング処理が施され、これにより、
第1基板11の近傍における液晶分子の初期配向が決められる。本実施形態において、第
1透光性基板11aの外側の表面が第1主面S1であり、内側の表面(すなわち、基板要
素30aが形成される面)が第2主面S2である。
In FIG. 5, a
) Are formed as a first conductive pattern extending linearly, and an
The initial alignment of the liquid crystal molecules in the vicinity of the
紙面左右方向に帯状に延びる複数の電極15aは、例えばITO(Indium Tin Oxide:
インジウム錫酸化物)等といった金属酸化物によって形成される。また、その上に形成さ
れた配向膜16aは、例えばポリイミド等によって形成される。
The plurality of
Indium tin oxide) or the like. Further, the
次に、第1基板11に対向する第2基板12は、基板の法線方向から見て長方形又は正
方形の第2の透光性基板12aを有する。この第2透光性基板12aは本実施形態では化
学強化ガラス(いわゆるアルカリ強化ガラス)によって形成されている。この化学強化ガ
ラスには、第1透光性基板11aと同じ構造(すなわち、図6に示す構造)のガラスが用
いられている。また、この第2透光性基板12aの外側表面には、偏光層17bが、貼着
等によって装着される。
Next, the
図5において、第2透光性基板12aの内側の表面には、複数の着色膜18及びそれら
を取り囲む遮光膜19が形成され、その上にオーバーコート層20が形成され、その上に
紙面垂直方向へ直線的に延びる第2導電パターンとしての複数の帯状電極15bと複数の
柱状のスペーサ21が形成され、さらにその上に配向膜16bが形成される。これらの着
色膜18、遮光膜19、オーバーコート層20、帯状電極15b、スペーサ21及び配向
膜16bは第2基板12を構成する要素である。以下の説明において、これらの要素を基
板要素30bということがある。また、本実施形態において、第2透光性基板12aの外
側の表面が第1主面S1であり、内側の表面(すなわち、基板要素30bが形成される面
)が第2主面S2である。
In FIG. 5, a plurality of
着色膜18は、例えば、1つ1つが図5の矢印A方向から見て長方形のドット状に形成
され、1つの着色膜18は、R(赤)、G(緑)、B(青)の3色のいずれか1つの光を
通す材料によって形成されている。これら各色の着色膜18は、平面的に見てストライプ
配列に並べられている。これらの着色膜18は、ストライプ配列に代えて、デルタ配列、
モザイク配列、その他適宜の配列となるように並べることもできる。なお、着色膜18は
、C(シアン)、M(マゼンタ)、Y(イエロー)の3原色によって形成することもできる。
このように着色膜18が形成された第2基板12はカラーフィルタ基板として機能する。
For example, each of the
They can be arranged in a mosaic arrangement or any other appropriate arrangement. The
The
遮光膜19は、例えばCr(クロム)等といった遮光性の材料によって、複数の着色膜
18の間を埋める状態に形成される。なお、遮光膜19は、着色膜18を構成するR,G
,Bの各着色膜を重ねること、すなわち積層することによっても形成することができる。
オーバーコート層20は、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等といった感光性の樹
脂によって形成される。複数のスペーサ21は、オーバーコート層20上であって各帯状
電極15bの間、すなわち遮光膜19に平面的に重なる位置に形成される。これらのスペ
ーサ21は、例えば感光性樹脂を用いて形成される。
The
, B can be formed by overlapping, that is, stacking.
The
図5の紙面垂直方向に帯状に延びる複数の電極15bは、例えばITO等といった金属
酸化物によって形成される。また、その上に形成された配向膜16bは、例えばポリイミ
ド等によって形成される。配向膜16bには配向処理、例えばラビング処理が施され、こ
れにより、第2基板12の近傍における液晶分子の初期配向が決められる。
The plurality of
次に、図7は、図5の液晶パネル2を基板の法線方向から平面的に見た図である。図7
では、主に配線や電極を示しており、他の要素の図示を省略している。また、図7では、
配線及び電極の構造を解り易くするため、第2基板12の第2透光性基板12aを鎖線で
示している。
Next, FIG. 7 is a plan view of the
In the figure, wiring and electrodes are mainly shown, and illustration of other elements is omitted. In FIG.
In order to make the structure of the wiring and the electrode easier to understand, the second
図5の第1基板11に設けられる複数の帯状電極15aは、図7に示すように、全体と
して縦方向(列方向Y)へ延びてストライプ状に設けられている。また、図5において第
1基板11に対向する第2基板12に設けられる複数の帯状電極15bは、図7に示すよ
うに、全体として横方向(行方向X)へ延びてストライプ状に形成されている。これらの
帯状電極15bは、図5のように第2基板12と第1基板11とをシール材8によって貼
り合わせたとき、帯状電極15aに対して直角の方向に延び、第1基板11側の帯状電極
15aと第2基板12側の帯状電極15bとは、互いが交差する位置で平面的に重なり合
う。このように、帯状電極15aと帯状電極15bとが重なり合う領域が、表示の最小単
位であるサブ画素Pを構成する。複数のサブ画素Pが縦方向及び横方向に複数個、マトリ
クス状に並べられて表示領域Vが形成され、この表示領域Vに文字、数字、図形等といっ
た像が表示される。
As shown in FIG. 7, the plurality of
本実施形態のように、R,G,Bの3色から成る着色膜18を用いてカラー表示を行う
場合は、R,G,Bの3色に対応する3つの着色膜18に対応する3つのサブ画素Pによ
って1つの画素が形成される。他方、白黒又は任意の2色でモノカラー表示を行う場合は
、1つのサブ画素Pによって1つの画素が形成される。
When color display is performed using the colored
図7において、第1基板11の張出し部13上には、複数の配線26及び複数の外部接
続用端子27が形成されている。上記複数の配線26の一部は、第1基板11側の帯状電
極15aに直接につながっている。そして、複数の配線26の残りの部分は、一対の基板
11,12を接合しているシール材8の中に含まれる導通材を介して、矢印Bで示す位置
において第2基板12側の帯状電極15bに導電接続される。
In FIG. 7, a plurality of
また、第1基板11の張出し部13上には駆動用IC3が、例えばACF(Anisotropi
c Conductive Film:異方性導電膜)を用いたCOG(Chip On Glass)方式によって実装
されている。駆動用IC3の入力用バンプがACF内の導電粒子を介して外部接続用端子
27に導電接続され、さらに、駆動用IC3の出力用バンプがACF内の導電粒子を介し
て配線26に導電接続されている。
Further, a driving
c Conductive Film: Implemented by COG (Chip On Glass) method using anisotropic conductive film. The input bumps of the driving
張出し部13に関する以上の構成により、図示しない外部回路から外部接続用端子27
を介して駆動用IC3へ信号が供給される。そして、駆動用IC3から駆動用の信号、す
なわち走査信号及びデータ信号が、第1基板11側の電極15a及び第2基板12側の電
極15bに供給される。走査信号を電極15a及び電極15bのどちらへ供給し、データ
信号を電極15a及び電極15bのどちらへ供給するか、については必要に応じて適宜に
設定する。
With the above-described configuration relating to the
A signal is supplied to the driving
本実施形態に係る液晶装置1は以上のように構成されているので、図5において、照明
装置4の導光体7の光出射面7bから出射された面状の光L0が第1基板11を通って液
晶層9へ供給される。液晶層9はサブ画素Pごとに電圧が制御され、これにより、液晶分
子の配向がサブ画素Pごとに制御される。この配向制御により光が変調され、この変調さ
れた光が第2透光性基板12aを通して偏光層17bに与えられることにより、その偏光
層17bの表面に文字、数字、図形等といった像が表示される。本実施形態では、第2基
板12に着色膜18を設けたので、表示はカラーによって行われる。また、偏光層17b
に加えて位相差膜を設ければ、STNの液晶層9で変調された光の偏光特性を補償、再変
調等することにより、無彩色化や視野角特性の改善が行われる。
Since the
In addition, if a retardation film is provided, the polarization characteristics of the light modulated by the STN
以上に説明したように、液晶パネル2は、片面に導電パターンを有する基板をシール材
によって貼り合せて形成されたパネルである。以下、この液晶パネル2を製造する方法に
ついて説明する。なお、本実施形態では、パネルを1つずつ作製するのではなく、面積の
大きな透光性基板(いわゆるマザー透光性基板)を用いて複数の基板を同時に作製する、
いわゆる多数個取りの手法に基づいて基板を作製するものとする。このような多数個取り
の製造方法においては、図7に示すパネル2を1つずつ形成するのではなく、図8に示す
ように、複数の液晶パネル2を同時に形成する。
As described above, the
It is assumed that the substrate is manufactured based on a so-called multi-cavity method. In such a multi-cavity manufacturing method, the
図8は、図7の液晶パネル2の要素を複数個形成した状態のマザー基板2’を示す平面
図である。また、図9は、図8に示すマザー基板2’のうちのマザー第1基板11’を示
す平面図である。また、図10は、図8に示すマザー基板2’のうちのマザー第2基板1
2’を示す平面図である。図9及び図10においては、紙面手前側が第1主面S1であり
紙面奥側が第2主面S2である。本実施形態の製造方法で製造される液晶パネル2は、図
5に示すように、第1基板11の第2主面S2と第2基板12の第2主面S2が対向する
構成となっている。従って、図8のパネル構造体2’は、図9のマザー基板11’を裏返
した状態で図10のマザー基板12’の紙面奥側に配置した構成となっている。なお、図
8〜図10の各図では、透光性基板上に形成される基板要素として主に電極を示しており
、他の要素の図示を省略している。
FIG. 8 is a plan view showing the
It is a top view which shows 2 '. 9 and 10, the front side of the paper is the first main surface S1, and the back side of the paper is the second main surface S2. As shown in FIG. 5, the
液晶パネルの製造工程では、まず、図9に示すように、複数の液晶パネルを形成できる
大きさの面積を有するマザー透光性基板11a’の上に、第1基板11の複数個分の基板
要素(すなわち、図5の帯状電極15a及び配向膜16a)30aを同時に形成してマザ
ー第1基板11’を形成する。一方、図10に示すように、複数の液晶パネル2を形成で
きる大きさの面積を有するマザー透光性基板12a’の上に、第2基板12の複数個分の
基板要素(すなわち、図5の着色膜18や帯状電極15b等)30bを同時に形成してマ
ザー第2基板12’を形成する。そして、図8に示すように、基板11’と基板12’を
シール材8によって貼り合わせ、液晶パネル2を縦及び横に複数列含む大きさの大面積の
パネル構造体2’を作製する。そして、その大面積のパネル構造体2’に対して、縦方向
及び横方向に、レーザを用いて切断して分割することにより、個々の液晶パネル2が作製
される。
In the manufacturing process of the liquid crystal panel, first, as shown in FIG. 9, a plurality of substrates of the
以下、液晶パネル2の具体的な製造方法について説明する。図1は、図5の液晶パネル
2を製造するための本実施形態の製造方法を示している。また、図2〜図4は、図1の各
工程において形成される基板の構造を工程順に示す構造変遷図である。図2、図3、図4
(i)及び図4(j)は、図9又は図10のZ1−Z1線に従った断面を示している。ま
た、図4(k)及び図4(l)は、図8のZ2−Z2線に従った断面、すなわち複数の帯
状電極15aを横切る方向に沿った断面であって、帯状電極15bの延在方向(行方向X
)に沿った断面を示している。
Hereinafter, a specific manufacturing method of the
(I) and FIG.4 (j) have shown the cross section according to the Z1-Z1 line | wire of FIG. 9 or FIG. 4 (k) and 4 (l) are cross sections according to the Z2-Z2 line of FIG. 8, that is, cross sections along the direction crossing the plurality of
) Is shown along the cross section.
図1において、工程P1〜工程P9は図9のマザー第1基板11’を形成する工程であ
る。そのうちの工程P1〜工程P7がマザー第1透光性基板11a’を形成する工程Q1
である。一方、工程P11〜工程P19は図10のマザー第2基板12’を形成する工程
である。そのうちの工程P11〜P17がマザー第2透光性基板12a’を形成する工程
Q2である。
In FIG. 1, Step P1 to Step P9 are steps for forming the mother
It is. On the other hand, Step P11 to Step P19 are steps for forming the mother
まず、図9に示すマザー第1基板11’の製造工程について説明する。本実施形態にお
いてマザー透光性基板11a’は、例えば370mm×470mmの面積を有し、厚みが
0.4mmであるアルカリガラスを用いて形成される。このアルカリガラスは、Na(ナ
トリウム)イオンを含有するガラスである。図1の工程P1において、図2(a)のマザ
ー透光性基板11a’を所定の洗浄液によって洗浄する。次に、図1の工程P2において
、図2(b)に示すように、マザー透光性基板11a’の第2主面S2上に保護膜31を
、例えばラミネートにより貼り付ける。この保護膜31は、後の工程において基板11a
’の第2主面S2を保護するために設けられる。
First, the manufacturing process of the mother
It is provided to protect the second main surface S2 of '.
次に、図1の工程P3において、図2(b)のマザー透光性基板11a’の第1主面S
1上にレジストパターンを形成する。具体的には、図2(c)に示すように、マザー透光
性基板11a’の第1主面S1上にポジ型の感光性樹脂を、例えばスピンコートによって
一様な厚さに塗布することによりレジスト膜32’を成膜する。次に、プレベークを行っ
てレジスト膜32’内の溶媒を除去する。その後、図2(d)において、レジスト膜32
’をフォトエッチング処理によってパターニングする。
Next, in the process P3 of FIG. 1, the first main surface S of the mother
A resist pattern is formed on 1. Specifically, as shown in FIG. 2C, a positive photosensitive resin is applied on the first main surface S1 of the mother
'Is patterned by photoetching process.
具体的には、マザー基板11a’を露光装置、例えば一括露光装置又はステッパの所定
位置に設置し、さらに露光マスク33をマザー基板11a’に対向する所定位置に設置す
る。露光マスク33は、ガラス基板34によって形成された完全光透過領域A0と遮光パ
ターン35によって形成された完全遮光領域A1の2つの領域を有する2階調の露光マス
クである。この露光マスク33は、完全光透過領域A0がレジスト膜32’を除去する部
分に対向し、完全遮光領域A1がレジスト膜32’を残す部分に対向するように、マザー
基板11a’に対向する位置に設置される。この状態で露光マスク33を通してレジスト
膜32’へ一定光量の露光光L1を照射すると、鎖線で示す露光像が形成されて露光され
た部分B1が可溶化する。
Specifically, the
次に、現像処理を行う。具体的には、図2(d)のマザー基板11a’を現像液に所定
時間、浸漬する。すると、図2(d)において可溶化した部分B1のレジスト膜32’が
除去されて、レジスト膜32’が図3(e)に示す形状にパターニングされてレジストパ
ターン32が形成される。このレジストパターン32に、ポストベークを、例えば約12
0℃の温度で行い、後のエッチング処理に用いるエッチング液に対するレジストパターン
32の耐性を調整する。
Next, development processing is performed. Specifically, the
This is performed at a temperature of 0 ° C., and the resistance of the resist
次に、図1のパネル領域形成工程としてのガラス基板パターニング工程P4において、
マザー基板11a’に対してレジストパターン32をマスクとしてエッチング処理を行う
ことにより、図3(f)に示すように、基板11a’のマスク以外の領域が所定厚さ除去
されて薄く形成される。この薄く形成された領域が後に基板要素を形成するパネル領域で
ある。本実施形態では、厚さ0.4mmのガラス基板においてパネル領域の厚さを、例え
ば0.2mmにすることができる。
Next, in the glass substrate patterning step P4 as the panel region forming step in FIG.
By performing an etching process on the
上記のエッチング処理の後、図1の工程P5において、マスクとして使用したレジスト
パターン32を、例えば有機溶剤等によって剥離して除去することにより、図3(g)に
示すように、基板11a’に厚みが薄いパネル領域Tpと厚みが厚い外縁部分Toとが形
成される。この状態の基板11a’を第1主面S1側から平面的に見ると、図9に示すよ
うに、複数のパネル領域Tpが窓形状に形成され、外縁領域(斜線で示す領域)Toが複
数のパネル領域Tpを囲む窓枠形状に形成されている。
After the above etching process, in step P5 of FIG. 1, the resist
次に、強化層形成工程としての図1の強化処理工程P6において、基板11a’の第1
主面S1及び第2主面S2に強化層23(図6参照)を形成する。具体的には、Naイオ
ンを含有したアルカリガラスから成る基板11a’をK(カリウム)イオンを含む溶融処
理塩(例えば、KNO3)に浸漬することによりイオン交換を行う。これにより、基板1
1a’の表面のイオン半径が小さいNaイオンがイオン半径の大きなKイオンに置換され
る。これにより、基板11a’の両面に透明な強化層23(図6参照)である圧縮応力層
が形成される。本実施形態において、強化層23は約20μmの厚さに形成される。
Next, in the reinforcement processing step P6 of FIG.
The reinforcing layer 23 (see FIG. 6) is formed on the main surface S1 and the second main surface S2. Specifically, ion exchange is performed by immersing the
Na ions having a small ionic radius on the surface of 1a ′ are replaced with K ions having a large ionic radius. Thereby, the compressive stress layer which is the transparent reinforcement | strengthening layer 23 (refer FIG. 6) is formed in both surfaces of board |
次に、図1の工程P7において、図3(h)に示すように、化学強化処理を施した基板
11a’の第1主面S1上及び第2主面S2上にSiO2層24を、例えばスパッタ処理
によって約100Åの厚さに成膜する。このSiO2層24は、図6に示すSiO2層2
4と同じ膜である。以上により、マザー第1透光性基板11a’を形成する図1の工程Q
1が終了する。
Next, in step P7 of FIG. 1, as shown in FIG. 3 (h), the SiO 2 layer 24 is formed on the first main surface S1 and the second main surface S2 of the
4 is the same film. 1A to 1C for forming the mother first light-transmitting
1 ends.
次に、基板要素形成工程P8において、図4(i)に示すように、マザー透光性基板1
1a’の第2主面S2上の各パネル領域Tp内に、第1基板11を構成する基板要素30
aが形成される。具体的には、まず、基板11a’のSiO2層24上に、図5に示す複
数の帯状電極15aを、例えばITOを材料としてフォトエッチング処理によって形成す
る。次に、複数の帯状電極15a上に、配向膜16aを、例えばポリイミドを印刷するこ
とによって形成する。次に、図1の工程P9において、図5の配向膜16aに対して配向
処理、例えばラビング処理が施される。以上により、図9に示すマザー第1基板11’が
形成される。
Next, in the substrate element forming step P8, as shown in FIG.
A substrate element 30 constituting the
a is formed. Specifically, first, a plurality of
次に、図10に示すマザー第2基板12’の製造工程について説明する。なお、図1の
工程P11〜工程P17において、図10のマザー第2透光性基板12a’を形成するの
であるが、このマザー第2透光性基板12a’は図9のマザー第1基板11’に用いられ
るマザー第1透光性基板11a’と同じ基板である。従って、図1のマザー第2透光性基
板形成工程Q2は、マザー第1透光性基板形成工程Q1と同じである。
Next, the manufacturing process of the mother
すなわち、工程P11において、図2(a)のマザー透光性基板12a’を所定の洗浄
液によって洗浄し、工程P12において、図2(b)のマザー透光性基板12a’の第2
主面S2上に保護膜31を貼り付け、工程P13において、図2(b)のマザー透光性基
板12a’の第1主面S1上に、図2(d)に示すようにフォトエッチング処理によって
レジストパターン32を形成する。その後、図1のパネル領域形成工程としてのガラス基
板パターニング工程P14において、マザー基板12a’に対してレジストパターン32
をマスクとしてエッチング処理を行うことにより、図3(f)に示すように、基板12a
’のマスク以外の領域を所定厚さ除去して薄く形成し、その後、工程P15においてレジ
ストパターン32を除去することにより、図3(g)に示すように、基板12a’に厚み
が薄いパネル領域Tpと厚みが厚い外縁部分Toとを形成する。この状態の基板12a’
を第1面S1側から平面的に見ると、図10に示すように、複数のパネル領域Tpが窓形
状に形成され、外縁領域(斜線で示す領域)Toが複数のパネル領域Tpを囲む窓枠形状
に形成されている。
That is, in the process P11, the mother
A
As a mask, the
A region other than the mask of 'is removed to a predetermined thickness to form a thin region, and then the resist
When viewed in plan from the first surface S1 side, as shown in FIG. 10, a plurality of panel regions Tp are formed in a window shape, and an outer edge region (region indicated by hatching) To surrounds the plurality of panel regions Tp. It is formed in a frame shape.
次に、強化層形成工程としての図1の強化処理工程P16において、基板12a’の第
1主面S1及び第2主面S2に強化層23(図6参照)を形成し、その後工程P17にお
いて、図3(h)に示すように、化学強化処理を施した基板12a’の第1主面S1上及
び第2主面S2上にSiO2層24を形成する。以上により、マザー第2透光性基板12
a’を形成する図1の工程Q2が終了する。
Next, in the reinforcing treatment step P16 of FIG. 1 as the reinforcing layer forming step, the reinforcing layer 23 (see FIG. 6) is formed on the first main surface S1 and the second main surface S2 of the
Step Q2 in FIG. 1 for forming a ′ is completed.
次に、基板要素形成工程P18において、図4(j)に示すように、マザー透光性基板
12a’の第2主面S2上の各パネル領域Tp内に、第2基板12を構成する基板要素3
0bが形成される。具体的には、まず、基板12a’のSiO2層24上に、図5の遮光
膜19を、例えばCr等を材料としてフォトエッチング処理によって所定のパターンに形
成し、さらに着色膜18を形成する。この着色膜18は、例えばR,G,B各色の顔料や
染料を感光性樹脂に分散させて成る着色材料を用いてフォトリソグラフィ処理によって所
定の配列に形成される。なお、R,G,Bの積層によって上記の遮光膜19を形成するこ
ともできる。
Next, in the substrate element forming step P18, as shown in FIG. 4 (j), the substrate constituting the
0b is formed. Specifically, first, on the SiO 2 layer 24 of the
そしてその後、オーバーコート層20を、例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等とい
った感光性樹脂を材料としてフォトリソグラフィ処理によって形成する。そして、オーバ
ーコート層20の上に帯状電極15bを、例えばITOを材料としてフォトエッチング処
理によって形成する。また、オーバーコート層20上であって遮光膜19に平面的に重な
る位置に、スペーサ21を、例えば感光性樹脂材料を材料としてフォトリソグラフィ処理
によって形成する。そしてさらに、配向膜16bを、例えばポリイミドを印刷することに
よって形成する。次に、図1の工程P19において、図5の配向膜16bに対して配向処
理、例えばラビング処理が施される。以上により、図10に示すマザー第2基板12’が
形成される。ここで、マザー透光性基板11a’とマザー透光性基板12a’の板厚、エ
ッチング量、強化処理層の厚みは、異なる設定としても良い。
Thereafter, the
次に、図1の工程21において、図4(k)に示すように、マザー第1基板11’とマ
ザー第2基板12’とを貼り合わせる。これにより、第1基板11’と第2基板12’と
がシール材8を挟んで貼り合わされ、さらにシール材8を熱硬化または紫外線硬化によっ
て硬化させて両基板を接着してパネル構造体2’が形成される。シール材8は、個々の液
晶パネル2に対応した各パネル領域Tp内に形成される。
Next, in
次に、外縁領域除去工程としての図1の工程P22において、図8に示す大面積のパネ
ル構造体2’を1次切断、すなわち1次ブレークする。この1次ブレーク工程P22によ
り、図8の鎖線X0に沿ってパネル構造体2’が切断され、行方向Xに延びる外縁領域T
oがパネル領域Tpから除去される。また、この1次ブレーク工程P22により、液晶パ
ネル2の複数が1列に並んだ状態で含まれる中面積のパネル構造体、いわゆる短冊状のパ
ネル構造体2’’が複数形成される。この1次ブレーク工程P22によりシール材8に形
成した開口(図示せず)が外部へ露出する。
Next, in step P22 of FIG. 1 as the outer edge region removing step, the large-
o is removed from the panel region Tp. In addition, by the primary break process P22, a plurality of medium-area panel structures including a plurality of
なお、本実施形態において1次ブレーク工程P22では、レーザを用いてパネル構造体
2’が切断される。これにより、互いに厚みが異なるパネル領域Tpと外縁領域Toとに
わたって切断することができる。また、工程P22では基板11a’又は基板12a’の
強化層23を切断することになるのであるが、レーザを用いて切断することにより、切断
面が荒れることがなく基板を損傷することがない。
In the present embodiment, in the primary break process P22, the
次に、図1の工程P23において、シール材8の開口(図示せず)を通して上記の短冊
状のパネル構造体2’’の内部の個々のパネル領域内へ液晶を注入し、その注入の完了後
、図1の工程P24において、その開口を樹脂によって封止する。その後、外縁領域除去
工程としての図1の工程P25において、図8の列方向Yに延びる鎖線X1に沿って2回
目の切断、すなわち2次ブレークを行う。この鎖線X1は、図4(k)に示す鎖線X1と
同じである。この2次ブレーク工程P25も1次ブレーク工程P22と同じくレーザを用
いてパネル構造体2’を切断する。この2次ブレーク工程P25により、図4(l)に示
すように外縁領域Toがパネル領域Tpから切断される。すなわち、図8に示す短冊状の
パネル構造体2’’の列方向Yに延びる外縁領域Toがパネル領域Tpから除去される。
これにより、短冊状のパネル構造体2’’から図7及び図4(l)に示す個々の液晶パネ
ル2が切り出される。以上により、液晶パネル2が完成する。
Next, in step P23 of FIG. 1, liquid crystal is injected into individual panel regions inside the strip-shaped
As a result, the individual
ところで、液晶パネルを薄く形成するためには、ガラス基板を薄く形成することが有効
であるが、薄いガラス基板を用いて液晶パネルを作製しようとすると、例えばガラス基板
上に基板要素を形成する作業、ガラス基板同士を貼り合せる作業、さらにそれらの作業の
間には基板を搬送する作業等(以下の説明では、上記3つの作業を総じて「パネル形成作
業」という)において、ガラス基板が破損したり、自重により反って曲がったりするおそ
れがある。特に、本実施形態のように、大判のガラス基板を用いて複数個分のパネルを形
成する場合には、ガラス基板の破損や曲りが発生する可能性が高くなる。
By the way, in order to form a thin liquid crystal panel, it is effective to form a thin glass substrate. However, when a liquid crystal panel is produced using a thin glass substrate, for example, an operation of forming a substrate element on the glass substrate. In the operation of bonding the glass substrates together, and in the operation of transporting the substrates between those operations (in the following description, the above three operations are collectively referred to as “panel forming operation”), the glass substrate is damaged. There is a risk of bending due to its own weight. In particular, as in the present embodiment, when a plurality of panels are formed using a large glass substrate, there is a high possibility that the glass substrate is damaged or bent.
これに対し本実施形態では、ガラス基板である図8のマザー透光性基板11a’,12
a’に加工を施すことにより、パネル形成作業に耐える十分な強度を確保することにした
。具体的には、図1の工程P4,P14において、図3(g)に示すように、電極15a
,15b等といった基板要素30a,30b(図5参照)を形成する領域であるパネル領
域Tpを選択的に薄く形成し、それ以外の外縁領域Toの厚みを厚くしておくことにした
。こうすれば、工程P8,P18以降のパネル形成作業において、厚さが厚い外縁領域T
oによってマザー透光性基板11a’,12a’の曲げに対する強度を確保することがで
きるので、厚さが薄いパネル領域Tpに基板要素30a,30bを形成する際に、基板1
1a’,12a’が反って曲がったり損傷したりすることを防止できる。
On the other hand, in this embodiment, the mother
By processing a ′, it was decided to ensure sufficient strength to withstand panel forming work. Specifically, in steps P4 and P14 of FIG. 1, as shown in FIG.
, 15b, etc., the panel region Tp, which is the region for forming the
Since the strength of the mother
It is possible to prevent 1a ′ and 12a ′ from being bent and damaged.
さらに本実施形態では、図1の工程P21において、図4(k)に示すようにマザー第
1基板11’及びマザー第2基板12’をシール材8によって貼り合せ、その貼り合せた
状態で1次ブレーク(図1の工程P22)及び2次ブレーク(図1の工程P25)を行う
ことによりパネル領域Tpから外縁領域Toを切断して除去することにした。こうして形
成された液晶パネル2は、ガラス基板パターニング工程P4,P14において薄く形成さ
れた部分である基板11a及び12aを用いて構成されている。従って、第1基板11及
び第2基板12の厚さを薄く形成でき、その結果、液晶パネル全体の厚みを薄く形成でき
る。
Further, in the present embodiment, in step P21 of FIG. 1, the mother
また、本実施形態では、図1の第1透光性基板形成工程Q1において、ガラス基板パタ
ーニング工程P4と基板要素形成工程P8の間に強化処理工程P6を行うことにした。ま
た、第2透光性基板形成工程Q2において、ガラス基板パターニング工程P14と基板要
素形成工程P18の間に強化処理工程P16を行うことにした。工程P6又はP16にお
いて透光性基板に強化層を形成することにより、透光性基板11a,12aの耐衝撃性及
び耐荷重性を向上させることができる。その結果、強化層が形成されない従来の製造方法
に比べて基板11a’のパネル領域の厚さをさらに薄く形成しても、基板要素形成工程P
8において基板11a’が破損したり曲がったりすることを防止できる。それ故、外縁部
分を除去した後の基板11aの厚さをより薄くできる。例えば、強化処理が施されない従
来の基板は厚さが約0.4mmであったものが、強化処理を施した本実施形態の基板11
aは約0.2mmの厚さに形成できる。また、基板に強化処理が施されることにより、薄
く形成した基板を用いて液晶パネルを形成したとしても、耐荷重性が高い(すなわち、面
押し強度が強い)液晶パネルを形成できる。
Moreover, in this embodiment, in the 1st translucent board | substrate formation process Q1 of FIG. 1, it decided to perform the reinforcement | strengthening process P6 between the glass substrate patterning process P4 and the board | substrate element formation process P8. Moreover, in the 2nd translucent board | substrate formation process Q2, it decided to perform the reinforcement | strengthening process P16 between the glass substrate patterning process P14 and the board | substrate element formation process P18. By forming the reinforcing layer on the translucent substrate in the process P6 or P16, the impact resistance and load resistance of the
8, it is possible to prevent the
a can be formed to a thickness of about 0.2 mm. In addition, by performing the strengthening process on the substrate, it is possible to form a liquid crystal panel having high load resistance (that is, having high surface pressing strength) even if the liquid crystal panel is formed using a thin substrate.
なお、本実施形態では、強化処理工程P6を、ガラス基板パターニング工程P4の後で
あって基板要素形成工程P8より前に行うことにした。こうすれば、ガラス基板パターニ
ング工程P4におけるエッチング処理によって強化層が除去されることなく、基板11a
’及び基板12a’の強化処理を確実に行うことができる。
In the present embodiment, the strengthening process P6 is performed after the glass substrate patterning process P4 and before the substrate element forming process P8. In this case, the reinforcing layer is not removed by the etching process in the glass substrate patterning step P4, and the
The strengthening process of “and the
なお、本実施形態では、図5に示すように、透過型で単純マトリクス方式の液晶装置を
製造する方法を例示したが、これに代えて、外部光を反射した光を表示に用いる反射型や
、透過型表示と反射型表示のいずれかを選択的に行うことができる半透過反射型の液晶装
置を製造する場合に本発明を適用することもできる。また、本実施形態では、基板11a
’と基板12a’の両基板を薄型強化する場合を説明したが、どちらか一方のみを薄く強
化する場合でも、同様な効果が得られる。
In the present embodiment, as shown in FIG. 5, a method of manufacturing a transmissive and simple matrix type liquid crystal device has been exemplified. However, instead of this, a reflective type that uses light reflected from external light for display or the like is used. The present invention can also be applied to manufacturing a transflective liquid crystal device capable of selectively performing either transmissive display or reflective display. In the present embodiment, the
Although the case of thinning and strengthening both of the substrates 'and 12a' has been described, the same effect can be obtained even when only one of them is strengthened thinly.
(薄型基板の製造方法の第2実施形態)
図11は本発明に係る基板の製造方法の第2実施形態を示している。本第2実施形態で
は、薄型基板として、基板の両面に導電パターンを有する静電容量方式のタッチパネルを
製造する方法を例示する。
(Second Embodiment of Manufacturing Method of Thin Substrate)
FIG. 11 shows a second embodiment of a substrate manufacturing method according to the present invention. In the second embodiment, a method of manufacturing a capacitive touch panel having conductive patterns on both surfaces of a substrate as a thin substrate will be exemplified.
まず、本実施形態の製造方法で製造する静電容量方式タッチパネルについて説明する。
図13(a)は、本実施形態の製造方法において製造されるタッチパネル41の平面の
構造を示している。図13(b)は、図13(a)を矢印ZM方向から見た側面の構造を
示している。
First, the capacitive touch panel manufactured by the manufacturing method of this embodiment will be described.
FIG. 13A shows a planar structure of the
タッチパネル41は、図13(b)に示すように、透光性基板42と、その基板42の
両面に形成された複数の導電パターンを有する。透光性基板42の第1主面(図13(b
)の上側面)S1上には、第1導電パターンとしての複数の第1電極43と、個々の第1
電極43の端部に形成された端子部45aが設けられている。以下の説明において、これ
らの要素を基板要素40aということがある。一方、透光性基板42の第2主面(図13
(b)の下側面)S2上には、第2導電パターンとしての複数の第2電極44と、複数の
端子部45bと、第2電極44と端子部45bとを接続する配線49とが設けられている
。以下の説明において、これらの要素を基板要素40bということがある。このタッチパ
ネル41では、基板42の第1主面S1側が位置入力側である。
As shown in FIG. 13B, the
) Upper side surface) A plurality of
A
(B) Lower side) On S2, a plurality of
透光性基板42は、図13(a)に示す平面視で、長方形又は正方形に形成されている
。本実施形態においてこの透光性基板42は、アルカリガラスによって形成されている。
第1電極43及び第2電極44は、透光性の導電材料、本実施形態ではITOを用いて形
成されている。
The
The
第1電極43は、その個々が横方向Y(すなわち、図の左右方向)に延びる帯状に形成
されている。そしてそれら帯状の第1電極43の複数が、縦方向X(すなわち、図の上下
方向)に間隔を空けて設けられている。各第1電極43の端部には端子部45aが設けら
れている。
Each of the
図13(b)において、タッチパネル41の位置入力側の面上であって図の左側端部に
は、配線基板46aが接続されている。図13(a)では、配線基板46aを鎖線で示し
ている。この配線基板46aの一端は、各端子部45aに電気的に接続されている。配線
基板46aの他端は、外部の制御回路、例えば位置検出回路等(図示せず)に接続され、
その制御回路と端子部45aに接続された第1電極43との間で信号の入力又は出力が行
われる。
In FIG. 13B, the
A signal is input or output between the control circuit and the
第2電極44は、図13(a)に示すように、その個々が縦方向Xに延びて帯状に形成
されている。そしてそれら帯状の第2電極44の複数が、横方向Yに間隔を空けて設けら
れている。配線49は複数本設けられている。これらの配線49は、透光性基板42の横
方向Yに延びる端辺42b及び42cの近傍で横方向Yに沿って延在する部分と、縦方向
Xへ延在する部分とによって形成されている。個々の配線49同士は互いに間隔を空けて
設けられている。
As shown in FIG. 13A, each of the
図13(b)において、配線49の左側の先端部分49aの上に導電部材50が設けら
れ、その先端部分49a及びその導電部材50によって端子部45bが形成されている。
以下、先端部分49aを端子部45bの第1層といい、導電部材50を端子部45bの第
2層という。端子部45bは図13(a)に示すように透光性基板42上に複数個、設け
られている。これらの端子部45bは透光性基板42の縦方向Xに延びる端辺42aの近
傍で縦方向Xに沿って間隔を空けて並んでいる。個々の端子部45bは、平面的に見て正
方形状又は長方形状のドット状に形成されている。なお、端子部45bを円形状に形成し
ても良い。
In FIG. 13B, the
Hereinafter, the
図13(b)において、配線49は端子部45bの第1層49aを含めて金属によって
形成されている。本実施形態ではその金属として単層構造のCr(クロム)を用いている
。端子部45bの第2層50は、第2電極44と同じく、透光性の導電材料であるITO
を用いて形成されている。なお、配線49は、Cr及びそれを覆うITOから成る積層膜
によって形成することも可能である。この場合には、端子部45bの第2層50は第1層
49aを形成する積層膜の上層そのものとなる。
In FIG. 13B, the
It is formed using. The
タッチパネル41の位置入力側と反対側の面上であって図の左側端部には、配線基板4
6bが接続されている。この配線基板46bの一端は、各端子部45bに電気的に接続さ
れている。配線基板46bの他端は、外部の制御回路、例えば位置検出回路等(図示せず
)に接続され、その制御回路と端子部45bに接続された第2電極44との間で信号の入
力又は出力が行われる。
On the surface opposite to the position input side of the
6b is connected. One end of the
透光性基板42の第1主面S1上には、複数の第1電極43を覆うように樹脂膜47が
設けられている。また、透光性基板42の第2主面S2上にも、複数の第2電極44を覆
うように樹脂膜47が設けられている。これらの樹脂膜47は、透光性を有した感光性樹
脂、例えばアクリル樹脂等を用いて形成できる。樹脂膜47は、第1電極43及び第2電
極44が水分等によって腐蝕することを防止する保護膜として設けられている。また、本
実施形態において、図13(b)の樹脂膜47は、透光性基板42の第1主面S1上及び
第2主面S2上に設けているが、それに代えて、第1主面S1上又は第2主面S2上のい
ずれか一方に設けることもできる。
A
タッチパネル41の表面という場合、樹脂膜47が設けられているときには、その樹脂
膜47の表面がタッチパネル41の表面である。また、樹脂膜47が設けられていないと
きには、基板42及び電極43,44の表面がタッチパネル41の表面である。また、必
要に応じて樹脂膜47の上に適宜の光学膜が設けられる場合には、その光学膜の表面がタ
ッチパネル41の表面である。
In the case of the surface of the
本実施形態におけるタッチパネル41は、透光性基板42の一方の面に設けられた第1
電極43と他方の面に設けられた第2電極44との間に形成された静電容量の変化に基づ
いて、指、ペン等といった入力手段が触れた位置(以下、入力位置とする)を検出する、
いわゆる静電容量方式のタッチパネルである。このタッチパネル41における入力位置を
検出する原理を、図13(a)のZN−ZN線に従った断面図である図14を用いて説明
する。第1電極43にはパルス信号が印加されている。矢印ZRで示す部分において第1
電極43に何も触れていない状態では、電気力線が第1電極43と第2電極44の間に形
成されて静電容量C1が形成される。この状態で、図14の矢印ZSで示す部分に示すよ
うに、入力手段48が第1電極43に触れるか又は接近すると第1電極43と第2電極4
4の間の電気力線が入力手段48に吸収されて静電容量C1がC2(C2<C1)に減少
する。このように静電容量C1がC2に減少することに起因する電流変化を検出すること
により、入力位置を検出することができる。
The
Based on a change in capacitance formed between the
This is a so-called capacitive touch panel. The principle of detecting the input position on the
When nothing is touching the
The electric field lines between 4 are absorbed by the input means 48 and the capacitance C1 is reduced to C2 (C2 <C1). In this way, the input position can be detected by detecting the current change caused by the decrease in the capacitance C1 to C2.
以下、薄型基板としての上記のタッチパネル41の製造方法を図11、図2、図3、図
12及び図15を用いて説明する。本実施形態においても、図13に示すタッチパネル4
1を1つずつ形成するのではなく、図15に示すように、複数個のタッチパネル41を同
時に形成する、いわゆる多数個取りの手法に基づいて基板を作製するものとする。また、
図12は図15のZL−ZL線に従った断面を示している。
Hereinafter, a method for manufacturing the
Instead of forming one by one, as shown in FIG. 15, the substrate is manufactured based on a so-called multi-chip method in which a plurality of
FIG. 12 shows a cross section according to the Z L -Z L line of FIG.
本実施形態において、図11の透光性基板形成工程Q3(工程P31〜工程P37)は
、先の第1実施形態における図1の第1透光性基板形成工程Q1(工程P1〜工程P7)
と同じである。すなわち、図11の工程P31において、図2(a)のマザー透光性基板
42’を所定の洗浄液によって洗浄し、図11の工程P32において、図2(b)のマザ
ー透光性基板42’の第2主面S2上に保護膜31を、例えばラミネートにより貼り付け
る。
In this embodiment, the translucent substrate forming process Q3 (process P31 to process P37) in FIG. 11 is the first translucent substrate forming process Q1 (process P1 to process P7) in FIG. 1 in the first embodiment.
Is the same. That is, in step P31 of FIG. 11, the mother
次に、図11の工程P33において、図2(c)にいてのマザー透光性基板42’の第
1主面S1上にポジ型の感光性樹脂を塗布してレジスト膜32’を成膜し、プレベークを
行ってレジスト膜32’内の溶媒を除去し、図2(d)においてレジスト膜32’をフォ
トエッチング処理によってパターニングして、図3(e)のレジストパターン32を形成
する。
Next, in step P33 of FIG. 11, a positive photosensitive resin is applied on the first main surface S1 of the mother
次に、図11のパネル領域形成工程としてのガラス基板パターニング工程P34におい
て、マザー基板42’に対してレジストパターン32をマスクとしてエッチング処理を行
うことにより、図3(f)に示すように、基板42’のマスク以外の領域、すなわちパネ
ル領域が所定厚さ除去されて薄く形成される。本実施形態では、厚さ0.4mmのガラス
基板においてパネル領域の厚さを、例えば0.2mmにすることができる。
Next, in the glass substrate patterning step P34 as the panel region forming step in FIG. 11, the
上記のエッチング処理の後、図11の工程P35において、レジストパターン32を、
例えば有機溶剤等によって剥離して除去することにより、図3(g)に示すように、基板
42’に厚みが薄いタッチパネル領域Tp(以下パネル領域Tpと記載)と厚みが厚い外
縁領域Toとが形成される。この状態の基板42’を平面的に見ると、図15に示すよう
に、複数のパネル領域Tpが窓形状に形成され、外縁領域(斜線で示す領域)Toが複数
のパネル領域Tpを囲む窓枠形状に形成されている。
After the above etching process, in step P35 of FIG.
For example, by peeling and removing with an organic solvent or the like, as shown in FIG. 3G, a thin touch panel region Tp (hereinafter referred to as a panel region Tp) and a thick outer edge region To are formed on the
次に、強化層形成工程としての図11の強化処理工程P36において、基板42’の第
1主面S1及び第2主面S2に強化層23(図6参照)を形成し、図11の工程P37に
おいて、図3(h)に示すように、化学強化処理を施した基板42’の第1主面S1上及
び第2主面S2上にSiO2層24を形成する。以上により、マザー透光性基板42’を
形成する図11の工程Q3が終了する。
Next, in the reinforcing treatment step P36 of FIG. 11 as the reinforcing layer forming step, the reinforcing layer 23 (see FIG. 6) is formed on the first main surface S1 and the second main surface S2 of the
次に、図15に示すマザー透光性基板42’に対する図11の第2導電パターン形成工
程Q4について説明する。この第2導電パターン形成工程Q4では、図12(a)に示す
ように、基板要素40bをマザー基板42’の第2主面S2上であってパネル領域Tp内
に形成する。まず、図11の工程P38において、図15の配線49及び第1層49aが
形成される。具体的には、図12(a)のマザー基板42’の第2主面S2上に材料層を
、例えばCrを材料としてスパッタリングによって成膜する。この材料層は、図13(b
)の端子部45bの第1層49a及び配線49の材料層である。その後、材料層をフォト
エッチング処理によってパターニングすることにより、図15の配線49及び端子部45
bの第1層49a(図12(a)参照)が形成される。
Next, the second conductive pattern forming step Q4 of FIG. 11 for the mother
) Of the
The
次に、図11の工程P39において、図15に示す第2電極44及び端子部45bの第
2層50を形成する。具体的には、図12(a)に示すように、マザー基板42’の第2
主面S2上であってパネル領域Tp内に、第2電極44の材料であるa(アモルファス)
−ITO膜を、スパッタリングによって成膜する。その後、a−ITO膜をフォトエッチ
ング処理によってパターニングすることにより、図15の複数の第2電極44及び端子部
45bの第2層50が形成される。
Next, in the process P39 of FIG. 11, the
A (amorphous) which is the material of the
-An ITO film is deposited by sputtering. Thereafter, the a-ITO film is patterned by a photoetching process to form the plurality of
その後、第2電極44及び第2層50を所定の温度(例えば220℃)で焼成する。こ
の焼成工程により、a−ITOで形成された第2電極44及び第2層50がポリ化(すな
わち結晶化又は多結晶化)する。これにより、第2電極44及び第2層50の透光性を向
上させ、且つ抵抗値を低くすることができる。以上により、第2主面S2上に第2導電パ
ターンを形成するための第2導電パターン形成工程Q4が終了する。
Thereafter, the
なお、第2導電パターン形成工程Q4の後に、第2電極44、配線49及び端子部45
bを覆う保護膜を設けることもできる。この保護膜は、以下に説明する、第1主面S1上
に第1導電パターンを形成する工程において第2導電パターンが損傷することを防止する
ためのものである。
Note that, after the second conductive pattern formation step Q4, the
A protective film covering b can also be provided. This protective film is for preventing the second conductive pattern from being damaged in the step of forming the first conductive pattern on the first main surface S1 described below.
次に、図15に示すマザー透光性基板42’に対して行われる図11の第1導電パター
ン形成工程Q5について説明する。この第1導電パターン形成工程Q5では、図12(b
)に示すように、基板要素40aをマザー基板42’の第1主面S1上であってパネル領
域Tp内に形成する。まず、図11の工程P40において、第1導電パターンとしての図
15の第1電極43及び端子部45aを形成する。具体的には、図12(b)において、
基板42’の第1面S1上に、第1電極43の材料であるa(アモルファス)−ITO膜
を、スパッタリングによって成膜する。その後、a−ITO膜をフォトエッチング処理に
よってパターニングすることにより、図15の複数の第1電極43及び端子部45aが形
成される。
Next, the first conductive pattern forming step Q5 of FIG. 11 performed on the mother
), The
An a (amorphous) -ITO film, which is a material of the
その後、第1電極43及び端子部45aを所定の温度(例えば220℃)で焼成する。
この焼成工程により、a−ITOで形成された第1電極43及び端子部45aがポリ化(
すなわち結晶化又は多結晶化)する。これにより、第1電極43及び端子部45aの透光
性を向上させ、且つ抵抗値を低くすることができる。以上により、第1主面S1上に第1
導電パターンを形成するための第1導電パターン形成工程Q5が終了する。
Then, the
By this firing step, the
That is, crystallization or polycrystallization). Thereby, the translucency of the
The first conductive pattern forming step Q5 for forming the conductive pattern is completed.
その後、第2主面S2上に保護膜を形成している場合には、所定の有機溶剤を用いてそ
の保護膜を除去する。以上により、マザー基板42’の両面に導電パターンが形成された
図15のパネル構造体41’が完成する。
Thereafter, when a protective film is formed on the second main surface S2, the protective film is removed using a predetermined organic solvent. Thus, the
次に、図11において、外縁領域除去工程としての分割工程P41が実行される。具体
的には、図15及び図12(b)の鎖線X0に沿って、パネル構造体41’をレーザを用
いて切断して分割する。このとき、外縁領域Toとパネル領域Tpとの間には、それらの
厚みの違いに従って段差が形成されているのであるが、レーザを用いることにより段差部
分も確実に切断できる。こうして、図12(c)に示す外縁領域Toがパネル領域Tpか
ら切断される。すなわち、図15のパネル構造体41’が図13(a)に示す個々の基板
41に分割され、個々の基板41が形成される。その後、図13(a)の配線基板46a
,46bを接続することにより、タッチパネル41が完成する。
Next, in FIG. 11, a dividing step P41 as an outer edge region removing step is executed. Specifically, the
, 46b are connected to complete the
本実施形態においても、先の第1実施形態と同様に、ガラス基板であるマザー透光性基
板42’に加工を施すことにより、パネル形成作業に耐える十分な強度を確保することに
した。具体的には、図15において、第1主面S1上に形成される第1電極43や第2主
面S2上に形成される第2電極44等といった基板要素40a,40bを形成する領域で
あるパネル領域Tpを選択的に薄く形成し、それ以外の外縁領域Toの厚みを厚くしてお
くことにした。こうすれば、図11の工程P38以降のパネル形成作業において、厚さが
厚い外縁領域Toによってマザー透光性基板42’の曲げに対する強度を確保することが
できるので、厚さが薄いパネル領域Tpに基板要素40a,40bを形成する際に、基板
42’が損傷したり、反って曲がることを防止できる。
Also in the present embodiment, as in the first embodiment, by processing the mother
さらに本実施形態では、図11の工程P41において、図15のパネル構造体41’を
図12(c)においてレーザを用いた切断処理によりパネル領域Tpから外縁部分Toを
切断して除去することにした。こうして形成されたタッチパネル41は、図11のガラス
基板パターニング工程P34において薄く形成された部分である基板42を用いて構成さ
れている。従って、タッチパネル41全体の厚みを薄く形成できる。
Furthermore, in the present embodiment, in step P41 of FIG. 11, the
また、本実施形態では、図11の透光性基板形成工程Q3において、ガラス基板パター
ニング工程P34と第1導電パターン形成工程Q4の間に強化処理工程P36を行うこと
にした。工程P36において透光性基板42’に強化層を形成することにより、透光性基
板42’の耐衝撃性及び耐荷重性を向上させることができる。その結果、強化層が形成さ
れない従来の製造方法に比べて基板42’のパネル領域Tpの厚さをさらに薄く形成して
も、第1導電パターン形成工程Q4において基板42’が破損したり曲がったりすること
を防止できる。それ故、外縁部分を除去した後の基板42の厚さをより薄くできる。例え
ば、強化処理が施されない従来の基板は厚さが約0.4mmであったものが、強化処理を
施した本実施形態の基板42は約0.2mmの厚さに形成できる。また、基板に強化処理
が施されることにより、薄く形成した基板を用いてタッチパネルを形成したとしても、使
用に耐え得る十分な面押し強度を確保できる。
Further, in the present embodiment, in the translucent substrate forming step Q3 in FIG. 11, the strengthening process P36 is performed between the glass substrate patterning step P34 and the first conductive pattern forming step Q4. By forming the reinforcing layer on the
なお、本実施形態では、強化処理工程P36を、ガラス基板パターニング工程P34の
後であって第1導電パターン形成工程Q4より前に行うことにした。こうすれば、ガラス
基板パターニング工程P34におけるエッチング処理によって強化層が除去されることな
く、基板42’の強化処理を確実に行うことができる。
In the present embodiment, the strengthening process P36 is performed after the glass substrate patterning process P34 and before the first conductive pattern forming process Q4. In this way, the reinforcing process of the
(薄型基板の製造方法の第3実施形態)
図16は本発明に係る基板の製造方法の第3実施形態を示している。本第3実施形態に
おいても、薄型基板として静電容量方式のタッチパネルを製造するものとする。先の第2
実施形態では、図14に示すように、透光性基板42の両面に導電パターンを形成するこ
とにより静電容量方式のタッチパネル41を形成している。これに対し本実施形態では、
図18に示すように、透光性基板52の片面のみに導電パターンを形成している。
(Third embodiment of manufacturing method of thin substrate)
FIG. 16 shows a third embodiment of the method for manufacturing a substrate according to the present invention. Also in the third embodiment, a capacitive touch panel is manufactured as a thin substrate. The second above
In the embodiment, as shown in FIG. 14, the
As shown in FIG. 18, the conductive pattern is formed only on one side of the
まず、本実施形態の製造方法で製造する静電容量方式タッチパネルについて説明する。
タッチパネル51は、図18に示すように、透光性基板52と、透光性基板52の第1
主面(図18の上側面)S1上に設けられた複数の基板要素60とを有する。第1主面S
1上には、第2導電パターンとしての複数の第2電極44と、複数の端子部45bと、そ
れらの第2電極44と端子部45bとを電気的に接続する配線49が設けられている。端
子部45bを除き、第2電極44、及び配線49上には、それらを覆う樹脂膜56が設け
られている。当該樹脂膜56上には、第1導電パターンとしての複数の第1電極43が配
設されている。このタッチパネル51では、基板52の第1主面S1側が位置入力側であ
る。
First, the capacitive touch panel manufactured by the manufacturing method of this embodiment will be described.
As shown in FIG. 18, the
A plurality of
1 is provided with a plurality of
透光性基板52はアルカリガラスによって形成されており、図13(a)に示す透光性
基板42と同じく、平面視で長方形又は正方形に形成されている。図18において、第1
電極43、端子部45a、第2電極44及び端子部45bは、透光性の導電材料、本実施
形態ではITOを用いて形成されている。個々の第1電極43の端部に形成された端子部
45aは、端子部45bと電気的に絶縁された端子として、透光性基板52の第1主面S
1上で、且つ平面的に端子45bとはX方向に指定間隔を隔てて、並べて設けられている
。第2実施形態の図13(a)において、端子部45aと端子部45bが、平面的に重な
らない様に、X方向にずらしている点を除けば他の構成は同じである。また、図18の配
線49の平面的な構成は図13(a)の配線49と同じである。
The
The
1 and in plan view, the terminal 45b is arranged side by side at a specified interval in the X direction. In FIG. 13A of the second embodiment, the other configurations are the same except that the
また、タッチパネル51における位置検出の原理は、図14のタッチパネル41と同じ
であるが、図18のタッチパネル51では、第1電極43と第2電極44とは樹脂膜56
を挟んで設けられているので、第1電極43と第2電極44との間に形成される静電容量
C1及びC2は、樹脂膜56内に形成されることになる。
The principle of position detection in the
Therefore, the capacitances C1 and C2 formed between the
図18において、タッチパネル51の位置入力側であって図の左側端部には、配線基板
46a及び46bが接続されている。配線基板46aの一端は、各端子部45aに電気的
に接続されている。配線基板46aの他端は、外部の制御回路、例えば位置検出回路等(
図示せず)に接続され、その制御回路と端子部45aに接続された第1電極43との間で
信号の入力又は出力が行われる。一方、配線基板46bの一端は、各端子部45bに電気
的に接続されている。配線基板46bの他端は、外部の制御回路、例えば位置検出回路等
(図示せず)に接続され、その制御回路と端子部45bに接続された第2電極44との間
で信号の入力又は出力が行われる。
In FIG. 18,
A signal is input or output between the control circuit and the
以下、薄型基板としての上記のタッチパネル51の製造方法を図16、図2及び図17
を用いて説明する。本実施形態においても、図18に示すパネル51を1つずつ形成する
のではなく、複数個のパネル51を同時に形成する、いわゆる多数個取りの手法に基づい
て基板を作製するものとする。なお、タッチパネル51の平面構造は図13(a)のタッ
チパネル41と同じなので、複数のパネル51の要素を含んだパネル構造体51’の平面
構造は図15を用いて説明する。図17は図15のZL−ZL線に従った断面を示してい
る。
Hereinafter, the manufacturing method of the
Will be described. Also in this embodiment, instead of forming the
本実施形態において、図16の透光性基板形成工程Q6(工程P51〜工程P57)は
、先の第1実施形態における図1の第1透光性基板形成工程Q1(工程P1〜工程P7)
と同じである。すなわち、図16の工程P51において、図2(a)のマザー透光性基板
52’を所定の洗浄液によって洗浄し、図16の工程P52において、図2(b)のマザ
ー透光性基板52’の第2主面S2上に保護膜31を、例えばラミネートにより貼り付け
る。その後、図16の工程P53において、図2(c)のマザー透光性基板52’の第1
主面S1上にポジ型の感光性樹脂を用いてフォトエッチング処理によってパターニングす
ることにより、図3(e)のレジストパターン32を形成する。
In this embodiment, the translucent substrate forming process Q6 (process P51 to process P57) of FIG. 16 is the first translucent substrate forming process Q1 (process P1 to process P7) of FIG. 1 in the previous first embodiment.
Is the same. That is, in step P51 of FIG. 16, the mother
A resist
次に、図16のパネル領域形成工程としてのガラス基板パターニング工程P54におい
て、マザー基板52’に対してレジストパターン32をマスクとしてエッチング処理を行
うことにより、図3(f)に示すように、基板52’のマスク以外の領域、すなわちパネ
ル領域が所定厚さ除去されて薄く形成される。本実施形態では、厚さ0.4mmのガラス
基板においてパネル領域の厚さを、例えば0.2mmにすることができる。その後、図1
6の工程P55において、レジストパターン32を、例えば有機溶剤等によって剥離して
除去することにより、図3(g)に示すように、基板52’に厚みが薄いパネル領域Tp
と厚みが厚い外縁領域Toとが形成される。
Next, in the glass substrate patterning step P54 as the panel region forming step in FIG. 16, the
In step P55 of FIG. 6, the resist
And a thick outer edge region To.
次に、強化層形成工程としての図16の強化処理工程P56において、基板52’の第
1主面S1及び第2主面S2に強化層23(図6参照)を形成し、図16の工程P57に
おいて、第1主面S1上及び第2主面S2上にSiO2層24を形成する(図3(h))
ことにより、マザー透光性基板42’を形成する図11の工程Q3が終了する。
Next, in the reinforcing treatment step P56 of FIG. 16 as the reinforcing layer forming step, the reinforcing layer 23 (see FIG. 6) is formed on the first main surface S1 and the second main surface S2 of the
Thus, the process Q3 of FIG. 11 for forming the mother
次に、図16の第2導電パターン形成工程Q7において、図15の第2電極44、端子
部45b及び配線49を第1主面S1上であってパネル領域Tp内に形成する。まず、図
16の工程P58において、図15の配線49及び第1層49aを、例えばCrを材料と
して成膜し、フォトエッチング処理によってパターニングすることにより形成する。次に
、図16の工程P59において、図15に示す第2電極44及び第2層50を、a−IT
O膜を成膜し、フォトエッチング処理によってパターニングすることにより形成する。そ
の後、第2電極44及び第2層50を所定の温度(例えば220℃)で焼成してポリ化す
る。以上により、第2導電パターンを形成するための第2導電パターン形成工程Q7が終
了する。
Next, in the second conductive pattern formation step Q7 in FIG. 16, the
An O film is formed and patterned by photoetching. Thereafter, the
次に、工程P60において、第2電極44、端子部45b及び配線49を覆う樹脂膜5
6を、例えば感光性樹脂をスピンコートによって一様な厚さに塗布した後、フォトリソ法
で端子部45bと外縁領域Toのみを除去し、焼成する。
Next, in step P60, the resin film 5 covering the
6, for example, after a photosensitive resin is applied to a uniform thickness by spin coating, only the
次に、図16の第1導電パターン形成工程Q8において、図15の第1電極43及び端
子部45aを樹脂膜56上であってパネル領域Tp内に形成する。図16の工程P61に
おいて、図15の第2電極43及び端子部45aを、a−ITO膜を成膜し、フォトエッ
チング処理によってパターニングすることにより形成する。その後、第1電極43及び端
子部45aを所定の温度(例えば220℃)で焼成してポリ化する。以上により、第1導
電パターンを形成するための第1導電パターン形成工程Q8が終了する。更に、樹脂膜5
6で第2電極43を被覆する。以上により、マザー基板52’の第1主面S1側に導電パ
ターンが形成された図15及び図17(c)のパネル構造体51’が完成する。
Next, in the first conductive pattern forming step Q8 in FIG. 16, the
6 covers the
次に、図16において、外縁領域除去工程としての分割工程P62が実行される。具体
的には、図15及び図17(c)の鎖線X0に沿って、パネル構造体51’をレーザを用
いて切断する。このとき、外縁領域Toとパネル領域Tpとの間には、それらの厚みの違
いに従って段差が形成されているのであるが、レーザを用いることにより段差部分も確実
に切断できる。これにより、図17(c)に示す外縁領域Toがパネル領域Tpから切断
される。すなわち、図15のパネル構造体51’が図13(a)に示す個々の基板51に
分割され、個々の基板51が形成される。その後、図13(a)の配線基板46a,46
bを接続することにより、タッチパネル51が完成する。
Next, in FIG. 16, a dividing step P62 as an outer edge region removing step is executed. Specifically, the
By connecting b, the
本実施形態においても、マザー透光性基板52’においてパネル領域Tpを選択的に薄
く形成し、それ以外の外縁領域Toの厚みを厚くしておくことにした。こうすれば、図1
6の工程P58以降のパネル形成作業において、厚さが厚い外縁領域Toによってマザー
透光性基板52’の曲げに対する強度を確保することができるので、厚さが薄いパネル領
域Tpに基板要素60を形成する際に、基板52’が損傷したり、反って曲がることを防
止できる。
Also in this embodiment, the panel region Tp is selectively formed thin in the mother
In the panel forming operation after the process P58 of step 6, the strength of the mother
さらに、図16の工程P62において、図17(c)に示すようにパネル構造体51’
のパネル領域Tpから外縁部分Toをレーザを用いた切断処理により切断して除去するこ
とにしたので、基板52の薄い部分を用いてタッチパネル51を薄く形成できる。
Further, in the process P62 of FIG. 16, as shown in FIG. 17C, the
Since the outer edge portion To is removed from the panel region Tp by cutting using a laser, the
また、本実施形態では、図16の工程P56において透光性基板52’に強化層を形成
することにより、透光性基板52’の耐衝撃性及び耐荷重性を向上させることができる。
その結果、強化層が形成されない従来の製造方法に比べて基板52’のパネル領域Tpの
厚さをさらに薄く形成しても、後の工程において基板52’が破損したり曲がったりする
ことを防止できる。また、基板に強化処理が施されることにより、薄く形成した基板を用
いてタッチパネルを形成したとしても、使用に耐え得る十分な面押し強度を確保できる。
なお、本実施形態では、強化処理工程P56を、ガラス基板パターニング工程P54の後
に行うことにしたので、工程P54におけるエッチング処理によって強化層が除去される
ことなく、基板52’の強化処理を確実に行うことができる。
In the present embodiment, the impact resistance and the load resistance of the
As a result, even if the thickness of the panel region Tp of the
In this embodiment, since the strengthening process P56 is performed after the glass substrate patterning process P54, the strengthening process of the
(その他の実施形態)
以上、好ましい実施形態を挙げて本発明の薄型基板の製造方法を説明したが、本発明は
その実施形態に限定されるものでなく、請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々に改変
できる。
例えば、上記の実施形態では、図1の工程P4において、ガラス基板のパターニングは
図3(f)に示すように、透光性基板42’の片側面(第1主面S1)に対して行うこと
にした。しかしながら、このガラス基板のパターニングは、パターニング後の基板の厚み
を確保できれば、ガラス基板の両面(第1主面S1及び第2主面S2)に対して行うこと
もできる。
(Other embodiments)
As mentioned above, although the preferable embodiment was mentioned and the manufacturing method of the thin substrate of this invention was demonstrated, this invention is not limited to that embodiment, It can change variously within the range of the invention described in the claim. .
For example, in the above-described embodiment, in step P4 of FIG. 1, the glass substrate is patterned on one side surface (first main surface S1) of the
また、第1実施形態では、本発明の製造方法を薄型基板である単純マトリクス方式の液
晶パネルの製造方法に適用しているが、これに限られず、スイッチング素子を用いたアク
ティブマトリクス方式の液晶パネルの製造方法にも適用できる。
In the first embodiment, the manufacturing method of the present invention is applied to a manufacturing method of a simple matrix type liquid crystal panel which is a thin substrate. However, the present invention is not limited to this, and an active matrix type liquid crystal panel using switching elements is used. This method can also be applied.
1.液晶装置、 2.液晶パネル(薄型基板)、 3.駆動用IC、 4.照明装置、
6.LED、 7.導光体、 8.シール材、 9.液晶層、
11.第1基板、 11a.第1透光性基板、
12.第2基板、 12a.第2透光性基板、
13.張出し部、 15a.帯状電極(第1導電パターン)、
15b.帯状電極(第2導電パターン)、 16a,16b.配向膜、 17.偏光層、
18.着色膜、 19.遮光部材、 20.オーバーコート層、 21.スペーサ、
22.ガラス基材、 23.強化層、 24.SiO2層、 26.配線、
27.外部接続用端子、 31.保護膜、 32.レジストパターン、
32’.レジスト膜、 33.露光マスク、 34.ガラス基板、
35.遮光パターン、 41,51.タッチパネル(薄型基板)、
41’,51’.マザー基板、 42,52.透光性基板、
42’,52’.マザー透光性基板、 43.第1電極(第1導電パターン)、
44.第2電極(第2導電パターン)、 45a,45b.端子部、
46a,46b.配線基板、 47.樹脂膜、 48.入力手段、 49.配線、
49a.端子部の第1層、 49’.材料層、 50.端子部の第2層、
56.樹脂膜、 60.基板要素、 G.セルギャップ、 P.サブ画素、
V.表示領域、
1. 1.
6). LED, 7. Light guide, 8. Seal material, 9. Liquid crystal layer,
11. First substrate, 11a. A first translucent substrate,
12 A second substrate, 12a. A second translucent substrate,
13. Overhang, 15a. Strip electrode (first conductive pattern),
15b. Strip-shaped electrode (second conductive pattern), 16a, 16b. Alignment film, 17. Polarizing layer,
18. Colored film, 19. Light shielding member, 20. 20. overcoat layer; Spacer,
22. Glass substrate, 23. Reinforcement layer, 24. SiO 2 layer, 26. wiring,
27. Terminal for
32 '. Resist film, 33. Exposure mask, 34. Glass substrate,
35. Light-shielding pattern, 41, 51. Touch panel (thin substrate),
41 ', 51'.
42 ', 52'. Mother translucent substrate, 43. A first electrode (first conductive pattern),
44. Second electrode (second conductive pattern), 45a, 45b. Terminal part,
46a, 46b. Wiring board, 47. Resin film, 48. Input means, 49. wiring,
49a. First layer of terminal portion, 49 '. Material layer, 50. The second layer of the terminal part,
56. Resin film, 60. A substrate element; Cell gap, P.I. Sub-pixel,
V. Indicated Area,
Claims (12)
、
薄く形成された前記パネル領域内の少なくとも一方の表面に少なくとも1つの基板要素
を形成する基板要素形成工程と、
前記基板要素形成工程の後に、前記透光性基板のうちの前記パネル領域以外の領域であ
る外縁領域を除去する外縁領域除去工程と、
を有することを特徴とする薄型基板の製造方法。 A panel region forming step for selectively thinly forming a panel region which is a planar region of the translucent substrate;
A substrate element forming step of forming at least one substrate element on at least one surface in the panel region formed thinly;
After the substrate element forming step, an outer edge region removing step of removing an outer edge region that is a region other than the panel region of the translucent substrate;
A method for producing a thin substrate, comprising:
前記パネル領域形成工程は、
前記透光性基板の前記外縁領域にレジストを形成する工程と、
前記パネル領域をエッチング処理によって所定厚さ除去する工程と、
前記レジストを除去する工程と
を有することを特徴とする薄型基板の製造方法。 In the manufacturing method of the thin substrate of Claim 1,
The panel region forming step includes
Forming a resist in the outer edge region of the translucent substrate;
Removing the panel region by a predetermined thickness by etching;
And a step of removing the resist.
前記基板要素形成工程の間に、前記透光性基板の両面に強化層を形成する強化層形成工程
をさらに有することを特徴とする薄型基板の製造方法。 The method for manufacturing a thin substrate according to claim 1 or 2, further comprising a reinforcing layer forming step of forming a reinforcing layer on both surfaces of the translucent substrate between the panel region forming step and the substrate element forming step. A method for manufacturing a thin substrate, comprising:
て形成され、前記強化層形成工程では化学強化処理によって前記強化層が形成されること
を特徴とする薄型基板の製造方法。 4. The thin substrate manufacturing method according to claim 3, wherein the translucent substrate is formed using alkali glass, and the reinforcing layer is formed by a chemical strengthening process in the reinforcing layer forming step. Manufacturing method.
ル領域形成工程では、複数の前記パネル領域を前記透光性基板の平面内に並べて形成する
ことを特徴とする薄型基板の製造方法。 5. The method for manufacturing a thin substrate according to claim 1, wherein in the panel region forming step, the plurality of panel regions are formed side by side in a plane of the translucent substrate. A method for manufacturing a thin substrate.
領域除去工程では、前記パネル領域以外の領域を前記透光性基板から切断することを特徴
とする薄型基板の製造方法。 6. The thin substrate manufacturing method according to claim 1, wherein in the outer edge region removing step, a region other than the panel region is cut from the light-transmitting substrate. A method for manufacturing a substrate.
領域以外の領域をレーザを用いて切断することを特徴とする薄型基板の製造方法。 7. The method for manufacturing a thin substrate according to claim 6, wherein in the outer edge region removing step, a region other than the panel region is cut using a laser.
前記基板要素形成工程は、
前記透光性基板の一方の表面に少なくとも1つの第1導電パターンを形成する工程と、
前記透光性基板の他方の表面に少なくとも1つの第2導電パターンを形成する工程と
を有することを特徴とする薄型基板の製造方法。 In the manufacturing method of the thin substrate as described in any one of Claims 1-7,
The substrate element forming step includes
Forming at least one first conductive pattern on one surface of the translucent substrate;
And a step of forming at least one second conductive pattern on the other surface of the translucent substrate.
前記基板要素形成工程は、
前記透光性基板の一方の表面に少なくとも1つの第1導電パターンを形成する工程と、
前記第1導電パターンを覆う絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に複数の第2導電パターンを形成する工程と
を有することを特徴とする薄型基板の製造方法。 In the manufacturing method of the thin substrate as described in any one of Claims 1-7,
The substrate element forming step includes
Forming at least one first conductive pattern on one surface of the translucent substrate;
Forming an insulating film covering the first conductive pattern;
And a step of forming a plurality of second conductive patterns on the insulating film.
前記薄型基板は、互いに対向する2枚の基板から成る液晶パネルの第1基板であり、
前記基板要素形成工程は、
前記透光性基板の一方の表面に複数の第1導電パターンを形成する工程と、
前記第1導電パターン上に配向膜を形成する工程と
を有することを特徴とする薄型基板の製造方法。 In the manufacturing method of the thin substrate as described in any one of Claims 1-7,
The thin substrate is a first substrate of a liquid crystal panel composed of two substrates facing each other,
The substrate element forming step includes
Forming a plurality of first conductive patterns on one surface of the translucent substrate;
And a step of forming an alignment film on the first conductive pattern.
前記薄型基板は、互いに対向する2枚の基板から成る液晶パネルの第2基板であり、
前記基板要素形成工程は、
前記透光性基板の一方の表面に複数の着色膜を隣接して形成する工程と、
互いに隣接する前記着色膜同士の間に遮光膜を形成する工程と、
前記着色膜及び前記遮光膜を覆う樹脂膜を形成する工程と、
前記樹脂膜上に前記着色膜に平面的に重なる複数の第2導電パターンを形成する工程と
、
前記樹脂膜上の前記遮光膜と平面的に重なる位置にスペーサを形成する工程と、
前記第2導電パターン及び前記スペーサを覆う配向膜を形成する工程と
を有することを特徴とする薄型基板の製造方法。 In the manufacturing method of the thin substrate as described in any one of Claims 1-7,
The thin substrate is a second substrate of a liquid crystal panel composed of two substrates facing each other,
The substrate element forming step includes
Forming a plurality of colored films adjacent to one surface of the translucent substrate;
Forming a light shielding film between the colored films adjacent to each other;
Forming a resin film covering the colored film and the light shielding film;
Forming a plurality of second conductive patterns on the resin film so as to planarly overlap the colored film;
Forming a spacer at a position overlapping the light shielding film on the resin film in a plane;
And a step of forming an alignment film covering the second conductive pattern and the spacer.
前記薄型基板は、互いに対向する2枚の基板から成る液晶パネルの第1基板及び第2基
板であり、
前記第1基板の基板要素形成工程は、
前記透光性基板の一方の表面に複数の第1導電パターンを形成する工程と、
前記第1導電パターン上に配向膜を形成する工程と、を有し、
前記第2基板の基板要素形成工程は、
前記透光性基板の一方の表面に複数の着色膜を隣接して形成する工程と、
互いに隣接する前記着色膜同士の間に遮光膜を形成する工程と、
前記着色膜及び前記遮光膜を覆う樹脂膜を形成する工程と、
前記樹脂膜上に前記着色膜に平面的に重なる複数の帯状の電極を形成する工程と、
前記樹脂膜上の前記遮光膜と平面的に重なる位置にスペーサを形成する工程と、
前記帯状電極及び前記スペーサを覆う配向膜を形成する工程と、を有し、
前記第1基板の基板要素形成工程及び前記第2基板の基板要素形成工程の後には、
前記第1基板と前記第2基板とを、前記基板要素が形成された面を互いに対向させて貼
り合せる工程と、
互いに貼り合わせた前記第1基板と前記第2基板の間に液晶層を形成する工程と、
をさらに有することを特徴とする薄型基板の製造方法。 In the manufacturing method of the thin board | substrate of Claim 1-7,
The thin substrate is a first substrate and a second substrate of a liquid crystal panel composed of two substrates facing each other,
The substrate element forming step of the first substrate includes:
Forming a plurality of first conductive patterns on one surface of the translucent substrate;
Forming an alignment film on the first conductive pattern,
The substrate element forming step of the second substrate includes:
Forming a plurality of colored films adjacent to one surface of the translucent substrate;
Forming a light shielding film between the colored films adjacent to each other;
Forming a resin film covering the colored film and the light shielding film;
Forming a plurality of strip-like electrodes that planarly overlap the colored film on the resin film;
Forming a spacer at a position overlapping the light shielding film on the resin film in a plane;
Forming an alignment film covering the strip electrode and the spacer, and
After the substrate element forming step of the first substrate and the substrate element forming step of the second substrate,
Bonding the first substrate and the second substrate with the surfaces on which the substrate elements are formed facing each other;
Forming a liquid crystal layer between the first substrate and the second substrate bonded together;
A method for producing a thin substrate, further comprising:
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