JP2008215890A - 検査方法および検査装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】ウェハの良否を的確に判断するための検査方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る検査方法は、加工工程の途中でウェハに対して行う検査方法であって、ウェハの周縁部近傍で異物の材質を分析する分析工程(ステップS101)と、分析工程における分析の結果に基づいて、異物が分析工程以降の加工工程に影響を与えるか否かを判断する判断工程(ステップS102)とを有している。
【選択図】図4
【解決手段】本発明に係る検査方法は、加工工程の途中でウェハに対して行う検査方法であって、ウェハの周縁部近傍で異物の材質を分析する分析工程(ステップS101)と、分析工程における分析の結果に基づいて、異物が分析工程以降の加工工程に影響を与えるか否かを判断する判断工程(ステップS102)とを有している。
【選択図】図4
Description
本発明は、半導体ウェハや液晶ガラス基板等の周縁部近傍において、レジストの残渣等の異物が付着した部分を検査する検査方法および検査装置に関する。
ウェハの表面に半導体チップの回路パターンを形成するリソグラフィ工程には、レジスト塗布工程、露光工程、洗浄工程、エッチング工程、レジスト除去工程等があり、通常、これらの工程毎にウェハの欠陥検査を行っている。ウェハの欠陥検査には、ウェハの周縁部に生じた各種の欠陥、例えば、レジストの残渣や、残ったままの洗浄液、エッチング液等といった異物の検出を行う検査がある(例えば、特許文献1を参照)。ウェハの周縁部における欠陥検査は、欠陥がその周辺にあるチップ領域に及ぶと、半導体チップの歩留まりに大きく影響するので、重要である。
国際公開第03/028089号パンフレット
ところで、ウェハの周縁部に付着する異物は、露光工程の後、洗浄工程、エッチング工程等が行われる毎に、その材質がそれぞれ異なる。これに対し、全ての工程で検査を実施していれば、どの工程で異物が付着したのかを識別することができ、ウェハの周縁部に生じた欠陥の原因を断定できるが、検査コストおよび検査時間の兼ね合いから現実に実施できていない。一方、途中の工程で検査を省くようにすると、検査した段階でウェハの周縁部に付着している異物が後の加工工程に影響を与える欠陥であるかどうかを識別することが難しく、ウェハの良否を的確に判断するための検査方法が確立していなかった。
本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであり、被加工物の良否を的確に判断するための検査方法および検査装置を提供することを目的とする。
このような目的達成のため、本発明に係る検査方法は、加工工程の途中で被加工物に対して行う検査方法であって、前記被加工物の周縁部近傍で異物の材質を分析する分析工程と、前記分析工程における前記分析の結果に基づいて、前記異物が前記分析工程以降の前記加工工程に影響を与えるか否かを判断する判断工程とを有している。
なお、前記分析工程において、前記被加工物を支持して回転させ、回転する前記被加工物の周縁部近傍に照明光を照射し、前記被加工物の周縁部近傍に前記照明光を照射したときに発光する蛍光を検出し、検出した前記蛍光を解析することにより前記異物の材質を分析することが好ましい。
また、前記判断工程において、前記異物が前記分析工程以降の前記加工工程に影響を与えると判断した場合に、前記被加工物を支持して回転させ、回転する前記被加工物の周縁部近傍に偏光を照射し、前記被加工物の周縁部近傍に照射した前記偏光の反射光を検出し、検出した前記反射光を解析することにより前記分析を行った前記異物の膜厚を測定し、測定した前記異物の膜厚に基づいて前記被加工物の良否を判断することが好ましい。
また、上述の検査方法において、前記被加工物はウェハであり、前記ウェハの表面における周縁部近傍より内側に回路パターンが形成されることが好ましい。
さらに、上述の検査方法において、前記分析工程以降の前記加工工程は、前記ウェハの表面に前記回路パターンを形成するリソグラフィ工程より後の加工工程であることが好ましい。
また、本発明に係る検査装置は、加工工程の途中で被加工物に対して検査を行う検査装置であって、前記被加工物の周縁部近傍で異物の材質を分析する分析部と、前記分析部による前記分析の結果に基づいて、前記異物が前記分析部による前記分析以降の前記加工工程に影響を与えるか否かを判断する判断部とを備えて構成される。
なお、上述の検査装置において、前記被加工物を支持して回転させる回転支持部と、前記回転支持部に支持されて回転する前記被加工物の周縁部近傍に照明光を照射する蛍光照明部と、前記蛍光照明部が前記被加工物の周縁部近傍に前記照明光を照射したときに発光する蛍光を検出する蛍光検出部とを備え、前記分析部は、前記蛍光検出部により検出された前記蛍光を解析することにより前記異物の材質を分析することが好ましい。
また、上述の検査装置において、前記被加工物はウェハであり、前記ウェハの表面における周縁部近傍より内側に回路パターンが形成されることが好ましい。
さらに、上述の検査装置において、前記分析部による前記分析以降の前記加工工程は、前記ウェハの表面に前記回路パターンを形成するリソグラフィ工程より後の加工工程であることが好ましい。
本発明によれば、被加工物の周縁部に付着した異物の材質を正しく認識することができるため、被加工物の良否を的確に判断することが可能になる。
以下、図面を参照して本発明の好ましい実施形態について説明する。本発明に係る検査方法が用いられる検査装置を図1に示している。図1に示す検査装置1は、ウェハ10を支持して回転させるステージ20と、ウェハ10の周縁部近傍に照明光を照射する蛍光照明部30と、蛍光照明部30からの照明光がウェハ10の周縁部近傍に照射されたときに発光する蛍光を検出する蛍光検出部35と、演算処理部40とを主体に構成される。この検査装置1は、ウェハ10に対する加工工程の途中で、具体的には、ウェハ10の表面に回路パターンを形成するリソグラフィ工程の後に、ウェハ10に対して検査を行う装置であり、検査対象となるウェハ10は、リソグラフィ工程の後、不図示の搬送系によりステージ20上に搬送される。
ウェハ10は薄い円盤状に形成されており、ウェハ10の表面に、ウェハ10から取り出される複数の半導体チップ(チップ領域)に対応した回路パターン(図示せず)が形成される。ウェハ10の表面における外周部内側には、回路パターンが形成されない第1周縁部11がリング状に形成され、この第1周縁部11の内側に回路パターンが形成されることになる。また、図2に示すように、ウェハ10の裏面における外周部内側には、第2周縁部12がウェハ10を基準に第1周縁部11と表裏対称に形成される。なお、第1周縁部11と第2周縁部12とを繋ぐ面が、ウェハ端面13となる。
ステージ20は、ウェハ10より若干径が小さい円盤状に形成され、上面でウェハ10を支持する。なお、図2に示すように、ステージ20上にウェハ10が支持された状態で、ウェハ10の周縁部近傍がステージ20からはみ出るようになっている。また、ステージ20は、図示しない回転駆動装置を用いて回転可能に構成されており、ウェハ10を支持して回転させることができるようになっている。
蛍光照明部30は、図1に示すように、光源31と、集光レンズ32と、励起フィルタ33と、ダイクロイックミラー34とを有して構成される。光源31から発光された光は、集光レンズ32で集光されて励起フィルタ33を透過した後、ダイクロイックミラー34で反射してウェハ10の周縁部近傍に照射される。励起フィルタ33は、特定の波長を有する光、具体的には、例えばウェハ10の第1周縁部11に付着した異物B(図2を参照)に照射したとき蛍光が発光するような波長(励起波長)を有する光だけを透過させる。これにより、特定の波長を有する光が照明光としてウェハ10の周縁部近傍に照射される。また、励起フィルタ33は交換可能に構成され、ウェハ10の周縁部近傍に付着する可能性のある異物の材質に応じて、励起フィルタ33を交換し照明光の波長(励起波長)を変更できるようになっている。
なお、ウェハ10の周縁部近傍に付着する異物には、レジストの残渣や、残ったままの洗浄液、エッチング液等があり、特に、レジストの材質は使用光源(ArF(波長:193nm)、KrF(波長:248nm)、i(波長:365nm)等)により異なる。さらに、使用光源が同じでも、ウェハ10の表面に配線パターンを露光するときのレジストと、ホールパターンを露光するときのレジストでは、その材質が異なっている。そのため、これらの異物の材質に応じた分だけ、異なる種類(励起波長)の励起フィルタ33が用意されることになる。なお、第1段階として広帯域な励起フィルタ33を用いて異物の有無を検査し、第2段階で狭帯域な励起フィルタ33を用いて異物の材質を検査してもよい。
蛍光検出部35は、吸収フィルタ36と、撮像装置37とを有して構成される。ダイクロイックミラー34を透過した光は、吸収フィルタ36を透過した後、撮像装置37で検出され、撮像装置37の検出信号が演算処理部40に出力される。吸収フィルタ36は、蛍光照明部30がウェハ10の周縁部近傍に照明光を照射したとき発光する蛍光だけを透過させる(すなわち、蛍光波長以外の波長領域の光を吸収する)。これにより、ウェハ10の周縁部近傍で発光した蛍光だけを検出することができる。また、吸収フィルタ36は交換可能に構成され、ウェハ10の周縁部近傍に付着する可能性のある異物の材質に応じて、すなわち、蛍光照明部30で用いられる励起フィルタ33の種類(励起波長)に応じて、吸収フィルタ36を交換し検出可能な蛍光の波長(蛍光波長)を変更できるようになっている。
なお、蛍光照明部30および蛍光検出部35は、図2に示すように、ウェハ10の第1周縁部11、第2周縁部12、およびウェハ端面13に対向するように3つ設けられており、これにより、ウェハ10の表面に位置する第1周縁部11だけでなく、裏面側の第2周縁部12およびウェハ端面13に付着した異物の材質を分析することが可能になる。また、上述に限らず、ウェハ10の第1周縁部11、第2周縁部12、およびウェハ端面13に対向するように蛍光照明部30および蛍光検出部35を移動させる移動装置を設けるようにしてもよい。
以上のように構成される検査装置1を用いたウェハ10の検査方法について、図4に示すフローチャートを参照しながら説明する。なお、リソグラフィ工程の後、散乱光を利用して異物を検出する表面検査装置等により、予め、ウェハ10の第1周縁部11に付着した異物Bが検出されているものとする。
まず、ステップS101において、ウェハ10の第1周縁部11で異物Bの材質を分析する分析工程が実施される。分析工程においては、まず、ステージ20によりウェハ10を支持して回転させる。次に、蛍光照明部30を用いて回転するウェハ10の第1周縁部11に照明光を照射するとともに、ウェハ10の第1周縁部11に照明光を照射したとき発光する蛍光を蛍光検出部35で検出する。このとき、励起フィルタ33を交換して照明光の波長を変更しながら照明光が照射され、ある波長の照明光が異物Bに照射されると蛍光が発光され、このときの蛍光が蛍光検出部35で検出されて検出信号が演算処理部40に出力される。そして、演算処理部40は、蛍光検出部35により検出された蛍光を解析することにより異物Bの材質を分析する。なお、蛍光の波長は材質ごとに異なるので、蛍光の波長を解析することにより異物Bの材質を特定することが可能である。
次に、ステップS102において、分析工程における分析の結果に基づいて、異物Bが分析工程以降の加工工程、すなわち、リソグラフィ工程より後の加工工程に影響を与えるか否かを判断する判断工程が実施される。判断工程において、演算処理部40は、分析工程で特定した異物Bの材質から、異物Bが後の加工工程に影響を与えるか否かを判断する。異物Bが後の加工工程に影響を与えないと判断した場合、検査は終了し、検査が行われたウェハ10は後の加工工程に移される。
一方、異物Bが後の加工工程に影響を与えると判断した場合、エリプソメータ50(図3を参照)を用いて異物Bの膜厚を測定し、測定した異物Bの膜厚に基づいてウェハ10の良否判断を行い検査を終了する。異物Bの膜厚が規定値より薄くウェハ10が良品であると判断した場合には、検査が行われたウェハ10は後の加工工程に移される。一方、異物Bの膜厚が規定値より厚くウェハ10が不良品であると判断した場合には、ウェハ10に対する回路パターンの形成がやり直される。
なお、エリプソメータ50は、例えば図3に示すように、ウェハ10を支持して回転させるステージ51と、ウェハ10の周縁部近傍に偏光を照射する偏光照明部60と、ウェハ10の周縁部近傍に照射した偏光の反射光を検出する偏光検出部65と、演算処理部70とを主体に構成される。ステージ51は、ウェハ10より若干径が小さい円盤状に形成され、上面でウェハ10を支持する。なお、検査装置1のステージ20と同様に、ステージ51上にウェハ10が支持された状態で、ウェハ10の周縁部近傍がステージ51からはみ出るようになっている。また、ステージ51は、図示しない回転駆動装置を用いて回転可能に構成されており、ウェハ10を支持して回転させることができるようになっている。
偏光照明部60は、光源61と、コリメートレンズ62と、偏光子63と、これらを駆動する照明側駆動部(図示せず)とを有して構成される。光源61から発光された光は、コリメートレンズ62で平行光にされて偏光子63を透過し、偏光子63を透過して得られた偏光がウェハ10の周縁部近傍に照射される。光源61は、発光する光の波長を変更可能に構成されており、偏光の波長を変えることができる。これにより、偏光の波長を変えて異物の膜厚を複数回測定することで、膜厚の測定精度を向上させることができる。偏光子63は、偏光照明部60の光軸を中心に回転可能に構成され、偏光の光軸回りの角度を変えることができるようになっている。
照明側駆動部(図示せず)は、光源61、コリメートレンズ62、および偏光子63を一体的にチルト駆動することができ、偏光の入射角度を変えることができるようになっている。これにより、偏光の入射角度を変えて異物の膜厚を複数回測定することで、膜厚の測定精度を向上させることができる。
偏光検出部65は、検光子66と、レンズ67と、受光部68と、これらを駆動する受光側駆動部(図示せず)とを有して構成される。ウェハ10の周縁部近傍で反射した偏光は、検光子66を透過した後、レンズ67を介して受光部68で検出され、受光部68の検出信号が演算処理部70に出力される。検光子66は、偏光検出部65の光軸を中心に回転可能に構成され、偏光子63の回転角に応じて検光子66の回転角を変えることができるようになっている。受光側駆動部(図示せず)は、検光子66、レンズ67、および受光部68を一体的にチルト駆動することができ、偏光照明部60により照射される偏光の入射角度に応じて、偏光の検出角度を変えることができるようになっている。
以上のように構成されるエリプソメータ50用いて、異物の膜厚を測定するには、まず、ステージ51によりウェハ10を支持して回転させる。次に、偏光照明部60を用いて回転するウェハ10の周縁部近傍(第1周縁部11)に偏光を照射するとともに、ウェハ10の周縁部近傍に照射した偏光の反射光を偏光検出部65で検出する。このとき、ウェハ10の周縁部近傍で反射した偏光は、検光子66を透過した後、レンズ67を介して受光部68で検出され、受光部68の検出信号が演算処理部70に出力される。
そして、演算処理部70は、偏光検出部65により検出された反射光を解析することにより、異物の膜厚を算出する。具体的には、反射前後における偏光状態(回転角等)の変化から、いわゆるエリプソパラメータを算出し、これを基に異物の膜厚を推定算出する。
この結果、本実施形態の検査装置1および検査方法によれば、異物の材質を分析した結果に基づいて、異物が後の加工工程に影響を与えるか否かを判断するため、ウェハ10の周縁部に付着した異物の材質を正しく認識することができ、ウェハ10の良否を的確に判断することが可能になる。
また、異物で発光した蛍光を解析することにより異物の材質を分析することで、異物の材質をより正しく認識することができ、ウェハ10の良否をより的確に判断することが可能になる。
また、ウェハ10に対して本実施形態の検査を行うことで、ウェハ10の良否を的確に判断することが可能になり、ウェハ10の歩留まりを向上させることができる。
特に、リソグラフィ工程の後に本実施形態の検査を行うことで、ウェハ10が不良品であったとしても、ウェハ10の表面に回路パターンを形成し直すことが可能であるため、ウェハ10の歩留まりをより向上させることができる。
また、エリプソメータ50(すなわち、偏光)を利用して異物の膜厚を測定し、測定した異物の膜厚に基づいてウェハ10の良否を判断することで、異物の膜厚を正確に測定することができるため、ウェハ10の良否をより的確に判断することが可能になる。
なお、上述の実施形態において、ウェハ10に対して検査を行っているが、これに限られるものではなく、液晶ガラス基板等であってもよい。
1 検査装置
10 ウェハ(被加工物) 11 第1周縁部
12 第2周縁部 13 ウェハ端面
20 ステージ(回転支持部)
30 蛍光照明部 35 蛍光検出部
40 演算処理部(分析部、判断部)
50 エリプソメータ
51 ステージ 60 偏光照明部
65 偏光検出部 70 演算処理部
B 異物
10 ウェハ(被加工物) 11 第1周縁部
12 第2周縁部 13 ウェハ端面
20 ステージ(回転支持部)
30 蛍光照明部 35 蛍光検出部
40 演算処理部(分析部、判断部)
50 エリプソメータ
51 ステージ 60 偏光照明部
65 偏光検出部 70 演算処理部
B 異物
Claims (9)
- 加工工程の途中で被加工物に対して行う検査方法であって、
前記被加工物の周縁部近傍で異物の材質を分析する分析工程と、
前記分析工程における前記分析の結果に基づいて、前記異物が前記分析工程以降の前記加工工程に影響を与えるか否かを判断する判断工程とを有することを特徴とする検査方法。 - 前記分析工程において、
前記被加工物を支持して回転させ、
回転する前記被加工物の周縁部近傍に照明光を照射し、
前記被加工物の周縁部近傍に前記照明光を照射したときに発光する蛍光を検出し、
検出した前記蛍光を解析することにより前記異物の材質を分析することを特徴とする請求項1に記載の検査方法。 - 前記判断工程において、
前記異物が前記分析工程以降の前記加工工程に影響を与えると判断した場合に、
前記被加工物を支持して回転させ、
回転する前記被加工物の周縁部近傍に偏光を照射し、
前記被加工物の周縁部近傍に照射した前記偏光の反射光を検出し、
検出した前記反射光を解析することにより前記分析を行った前記異物の膜厚を測定し、
測定した前記異物の膜厚に基づいて前記被加工物の良否を判断することを特徴とする請求項1もしくは請求項2に記載の検査方法。 - 前記被加工物はウェハであり、前記ウェハの表面における周縁部近傍より内側に回路パターンが形成されることを特徴とする請求項1から請求項3のうちいずれか一項に記載の検査方法。
- 前記分析工程以降の前記加工工程は、前記ウェハの表面に前記回路パターンを形成するリソグラフィ工程より後の加工工程であることを特徴とする請求項4に記載の検査方法。
- 加工工程の途中で被加工物に対して検査を行う検査装置であって、
前記被加工物の周縁部近傍で異物の材質を分析する分析部と、
前記分析部による前記分析の結果に基づいて、前記異物が前記分析部による前記分析以降の前記加工工程に影響を与えるか否かを判断する判断部とを備えて構成されることを特徴とする検査装置。 - 前記被加工物を支持して回転させる回転支持部と、
前記回転支持部に支持されて回転する前記被加工物の周縁部近傍に照明光を照射する蛍光照明部と、
前記蛍光照明部が前記被加工物の周縁部近傍に前記照明光を照射したときに発光する蛍光を検出する蛍光検出部とを備え、
前記分析部は、前記蛍光検出部により検出された前記蛍光を解析することにより前記異物の材質を分析することを特徴とする請求項6に記載の検査装置。 - 前記被加工物はウェハであり、前記ウェハの表面における周縁部近傍より内側に回路パターンが形成されることを特徴とする請求項6もしくは請求項7に記載の検査装置。
- 前記分析部による前記分析以降の前記加工工程は、前記ウェハの表面に前記回路パターンを形成するリソグラフィ工程より後の加工工程であることを特徴とする請求項8に記載の検査装置。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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- 2007-02-28 JP JP2007050729A patent/JP2008215890A/ja active Pending
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