JP2008214548A - Liquid epoxy resin composition and semiconductor device using it - Google Patents

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JP2008214548A JP2007056064A JP2007056064A JP2008214548A JP 2008214548 A JP2008214548 A JP 2008214548A JP 2007056064 A JP2007056064 A JP 2007056064A JP 2007056064 A JP2007056064 A JP 2007056064A JP 2008214548 A JP2008214548 A JP 2008214548A
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Toshimitsu Fukase
利光 深瀬
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a liquid epoxy resin composition excellent in flowability and thermal shock resistance, and capable of reducing warpage after curing, and to provide a semiconductor device using it. <P>SOLUTION: This liquid epoxy resin composition comprises a normally liquid epoxy resin (A), a curing agent (B) and a polyether compound (C) as essential components, wherein the polyether compound (C) has at least one vinyl ether group at its terminal group. The liquid epoxy resin composition comprises a phenolic compound (D) and a filler (E), etc. Furthermore, the liquid epoxy resin composition can be used as a resin composition for underfill materials. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、液状エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置に関する。   The present invention relates to a liquid epoxy resin composition and a semiconductor device using the same.

情報技術化の進展に伴って、電気・電子機器、通信機器及びコンピューターなどの機器における小型化および情報伝達の高速化が急速に進み、これらに用いる集積回路(IC)パッケージも、小型化や高集積化が進展していて、近年はバンプ接合によるフリップチップ実装技術が著しい成長を見せている。その応用分野はモバイル関連に用いられるチップスケールパッケージ(CSP)やCPUのような大型パッケージなどの種々なアプリケーションに応用されている。しかしながら、これらのパッケージは、一般に、ICチップと基板(インターポーザー)を半田バンプで電気的に接合した接続方式のため外的強度に弱く、アンダーフィル材と呼ばれる液状樹脂組成物によって、ICチップと基板の隙間に充填接着することにより保護とパッケージの強化をしている。
その中で、特に大型パッケージ用途に関しては、アンダーフィル材用液状樹脂組成物(以下、U/F材と称する)の硬化収縮による影響でICチップの反りが起こり、その為に半田バンプへのストレスが掛かり、バンプクラック等の不良が起こる可能性があった。これを解決する為には、U/F材に低応力化が求められることになった。
Along with the advancement of information technology, miniaturization and speeding up of information transmission in electrical and electronic equipment, communication equipment and computers are rapidly progressing, and integrated circuit (IC) packages used for these are also becoming smaller and more expensive. Integration has progressed, and in recent years, flip chip mounting technology by bump bonding has shown remarkable growth. The application field is applied to various applications such as a chip scale package (CSP) used for mobile and a large package such as a CPU. However, these packages are generally weak in external strength due to a connection method in which an IC chip and a substrate (interposer) are electrically joined by solder bumps, and the liquid crystal composition called an underfill material is used to connect the IC chip and the substrate. Protection and package reinforcement are achieved by filling and bonding the gaps between the substrates.
Among them, particularly for large package applications, IC chip warpage occurs due to the effect of curing shrinkage of the liquid resin composition for underfill material (hereinafter referred to as U / F material), which causes stress on the solder bumps. As a result, defects such as bump cracks may occur. In order to solve this, the U / F material is required to have low stress.

一般に反りは、U/F材自身の弾性率と実装用基板との線膨張係数の違いから発生する内部応力に由来する。従って、反りの改善には、弾性率を下げることや線膨張係数を整合することなどが有効である。この中で、線膨張係数の整合手法として、樹脂組成物中に無機フィラーの高充填がある。しかし、液状樹脂組成物の場合は、作業性の観点から無機フィラーの充填率には限界がある。そこで、樹脂組成物の弾性率を下げて、靭性を付与する低応力化が重要になる。従来のエポキシ樹脂組成物の低応力化の要求においては、エポキシ樹脂硬化物の強靭化として可撓性を有する組成物でエポキシ樹脂を変性する方法や添加する方法などが数多く報告されている。例えば、エポキシ樹脂硬化物を強靭化する目的で、横浜国大の垣内らは反応基を有するゴム系エラストマーでエポキシ樹脂を変性する手法を報告している(例えば、非特許文献1参照。)。しかし、ゴム系エラストマー変性エポキシ樹脂は靭性向上には効果が有るものの樹脂粘度が高くなり過ぎて、半田バンプ接続の隙間に注入できない欠点を起こし、注型用には不適となる。また、低粘度化と柔軟強靭性を具備したエポキシ樹脂としては、ジビニルエーテル系化合物から誘導された手法が報告されている(例えば、非特許文献2参照。)。該手法では、樹脂による粘度低減化と柔軟靭性付与では効果が認められるものの、ジビニルエーテル系化合物の骨格が耐熱性に劣る構造のため、硬化物のガラス転移温度(Tg)の低下が著しくなり、U/F材用には不適となる。   In general, warpage is caused by internal stress generated from the difference in elastic modulus of the U / F material itself and the coefficient of linear expansion between the mounting substrate. Therefore, to improve the warp, it is effective to lower the elastic modulus or match the linear expansion coefficient. Among them, as a method for matching the linear expansion coefficient, there is a high filling of the inorganic filler in the resin composition. However, in the case of a liquid resin composition, the filling rate of the inorganic filler is limited from the viewpoint of workability. Therefore, it is important to lower the stress to lower the elastic modulus of the resin composition and impart toughness. In the request | requirement of the low stress of the conventional epoxy resin composition, the method of modifying | denaturing an epoxy resin with the composition which has flexibility as a toughening of epoxy resin hardened | cured material, the method of adding, etc. are reported. For example, for the purpose of toughening a cured epoxy resin, Kakiuchi et al. Of Yokohama National University have reported a method of modifying an epoxy resin with a rubber-based elastomer having a reactive group (see, for example, Non-Patent Document 1). However, although the rubber-based elastomer-modified epoxy resin is effective in improving toughness, the resin viscosity becomes too high, causing a defect that it cannot be injected into the gap between the solder bumps, and is not suitable for casting. Moreover, the method induced | guided | derived from the divinyl ether type compound is reported as an epoxy resin provided with low viscosity and flexible toughness (for example, refer nonpatent literature 2). In this method, although an effect is recognized in reducing viscosity and imparting flexible toughness with a resin, the glass transition temperature (Tg) of the cured product is significantly reduced due to the structure in which the skeleton of the divinyl ether compound is inferior in heat resistance, It is not suitable for U / F materials.

一方、特許文献1においては、分子末端に水酸基を有するポリエーテルポリオールを添加することにより低応力化が図れることが示されている。しかしながら、分子末端に水酸基を有するポリウレタンポリオールでは、分子量が小さく、エポキシ樹脂と相溶する場合には、硬化物のガラス転移温度(Tg)の低下を招き、所望のTgを得る為にポリエーテル骨格の分子量を大きくするとエポキシ樹脂との相溶性が低下して、硬化した樹脂表面からポリウレタンポリオールが滲み出す、所謂ブリードの発生が顕著になって信頼性を損なうために制約があり、更なる低応力化改善には問題があった。このため、半田バンプ接続の隙間に注入可能な流動性に優れ、硬化物のTg低下がなく低弾性率化が図れ、更にブリードの発生がなく、その結果、半田接続の信頼性の要求を満足する液状エポキシ樹脂組成物の開発が望まれていた。   On the other hand, Patent Document 1 shows that the stress can be reduced by adding a polyether polyol having a hydroxyl group at the molecular end. However, a polyurethane polyol having a hydroxyl group at the molecular terminal has a low molecular weight and, when it is compatible with an epoxy resin, causes a decrease in the glass transition temperature (Tg) of the cured product, so as to obtain a desired Tg. If the molecular weight of the resin is increased, the compatibility with the epoxy resin will decrease, and polyurethane polyol will ooze out from the cured resin surface. There was a problem in the improvement. For this reason, it is excellent in fluidity that can be injected into the gap between the solder bump connections, the Tg of the cured product is not lowered, the elastic modulus is reduced, and further, no bleed occurs, and as a result, the reliability of the solder connection is satisfied. It has been desired to develop a liquid epoxy resin composition.

垣内等、熱硬化性樹脂 1987年.Vol.8.No.3P26〜44Kakiuchi et al., Thermosetting resin 1987. Vol. 8). No. 3P26-44 中村、プラスチックエージ 2004年.Vol.50.No.5P218〜228Nakamura, Plastic Age 2004. Vol. 50. No. 5P218-228 特開昭63−33416号公報JP-A-63-33416

本発明は、この様な事情に鑑み、流動性に優れ、硬化後の反りの低減化とブリードの発生が抑制できる液状エポキシ樹脂組成物、および半田接続信頼性に優れる半導体装置を提供することにある。   In view of such circumstances, the present invention provides a liquid epoxy resin composition that is excellent in fluidity, capable of reducing warpage after curing and suppressing the occurrence of bleeding, and a semiconductor device excellent in solder connection reliability. is there.

本発明者は、常温で液状であるエポキシ樹脂とポリエーテル系化合物を含むエポキシ樹脂組成物において、前記ポリエーテル系化合物に、末端基に少なくとも1個以上のビニルエーテル基を有するものを用いることにより、上記課題を解決することを見出し、本発明を完成するに至った。
即ち、本発明は、下記(1)項から(6)項の液状エポキシ樹脂組成物および(7)項の半導体装置により達成される。
(1) 常温で液状であるエポキシ樹脂(A)と、硬化剤(B)及びポリエーテル系化合物(C)を必須成分とするエポキシ樹脂組成物であって、前記ポリエーテル系化合物(C)が末端基に少なくとも1個以上のビニルエーテル基を有するものである液状エポキシ樹脂組成物。
(2) 前記ポリエーテル系化合物(C)は、数平均分子量が700以上10,000以下のポリエーテル構造を有するものである、(1)項に記載の液状エポキシ樹脂組成物。
(3) 前記硬化剤(B)が、一分子内に少なくとも2個のアミノ基を有する化合物である、(1)項または(2)項に記載の液状エポキシ樹脂組成物。
(4) 前記液状エポキシ樹脂組成物は、フェノール系化合物(D)を含むものである(1)項乃至(3)のいずれか1項に記載の液状エポキシ樹脂組成物。
(5) 前記液状エポキシ樹脂組成物は、充填剤(E)を含むものである(1)項乃至(4)項のいずれか1項に記載の液状エポキシ樹脂組成物。
(6) 前記液状エポキシ樹脂組成物は、アンダーフィル材用樹脂組成物である(1)項乃至(5)項のいずれか1項に記載の液状エポキシ樹脂組成物。
(7) 電子部品と電子部品搭載用基板とを含んで構成され、前記電子部品と前記電子部品搭載用基板との間に間隙を有する半導体装置であって、前記電子部品と前記電子部品搭載用基板との隙間が、(6)項に記載の液状エポキシ樹脂組成物の硬化物によって、充填接着してなることを特徴とする半導体装置。
The inventor of the present invention uses an epoxy resin composition containing an epoxy resin and a polyether compound that is liquid at room temperature, wherein the polyether compound has a terminal group having at least one vinyl ether group. The present inventors have found that the above problems can be solved and have completed the present invention.
That is, the present invention is achieved by the liquid epoxy resin composition of the following items (1) to (6) and the semiconductor device of the item (7).
(1) An epoxy resin composition comprising an epoxy resin (A) that is liquid at normal temperature, a curing agent (B), and a polyether compound (C) as essential components, wherein the polyether compound (C) is A liquid epoxy resin composition having at least one vinyl ether group at a terminal group.
(2) The liquid epoxy resin composition according to item (1), wherein the polyether compound (C) has a polyether structure having a number average molecular weight of 700 or more and 10,000 or less.
(3) The liquid epoxy resin composition according to (1) or (2), wherein the curing agent (B) is a compound having at least two amino groups in one molecule.
(4) The liquid epoxy resin composition according to any one of (1) to (3), wherein the liquid epoxy resin composition contains a phenol compound (D).
(5) The liquid epoxy resin composition according to any one of (1) to (4), wherein the liquid epoxy resin composition includes a filler (E).
(6) The liquid epoxy resin composition according to any one of (1) to (5), wherein the liquid epoxy resin composition is a resin composition for an underfill material.
(7) A semiconductor device including an electronic component and an electronic component mounting substrate, and having a gap between the electronic component and the electronic component mounting substrate, the electronic component and the electronic component mounting A semiconductor device, wherein the gap between the substrate and the substrate is filled and bonded with a cured product of the liquid epoxy resin composition according to item (6).

本発明によれば、流動性に優れ、硬化物として反りの低減化とブリードの発生が抑制できる液状エポキシ樹脂組成物が得られる。流動性に優れることにより、特に流動性が要求される用途、例えば、前記液状エポキシ樹脂組成物を、電子部品と電子部品搭載用基板との隙間の充填接着剤として用いる場合、充填接着作業が容易になる。また、硬化物とした場合、反りが少なく、ブリードの発生も抑制できるものとなる。
本発明の半導体装置は、前記液状エポキシ樹脂組成物の硬化物を用いることにより、半田接続信頼性に優れたものとなる。
ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the liquid epoxy resin composition which is excellent in fluidity | liquidity and can suppress the reduction | decrease of curvature and generation | occurrence | production of a bleed as a hardened | cured material is obtained. Excellent fluidity, especially in applications where fluidity is required, such as when the liquid epoxy resin composition is used as a filling adhesive in the gap between an electronic component and an electronic component mounting substrate become. Moreover, when it is set as a cured product, warpage is small and the occurrence of bleeding can be suppressed.
The semiconductor device of the present invention has excellent solder connection reliability by using a cured product of the liquid epoxy resin composition.

本発明に用いる常温で液状のエポキシ樹脂(A)としては、例えば、ビスフェノールAジグリシジルエーテル型エポキシ樹脂及びそれらの水添物、ビスフェノールFジグリシジルエーテル型エポキシ樹脂及びそれらの水添物、ビスフェノールSジグリシジルエーテル型エポキシ樹脂、3,3’,5,5’−テトラメチル−4,4’−ジヒドロキシビフェニルジグリシジルエーテル型エポキシ樹脂、4,4’−ジヒドロキシビフェニルジグリシジルエーテル型エポキシ樹脂、アミノフェノール類のトリグリシジルエーテル型エポキシ樹脂、1,6−ジヒドロキシビフェニルジグリシジルエーテル型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、臭素系フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ジアリルビスフェノールAジグリシジル型エポキシ樹脂などが挙げられ、こららの1種又は2種以上を用いても良い。   Examples of the epoxy resin (A) which is liquid at room temperature used in the present invention include, for example, bisphenol A diglycidyl ether type epoxy resins and hydrogenated products thereof, bisphenol F diglycidyl ether type epoxy resins and hydrogenated products thereof, and bisphenol S. Diglycidyl ether type epoxy resin, 3,3 ′, 5,5′-tetramethyl-4,4′-dihydroxybiphenyl diglycidyl ether type epoxy resin, 4,4′-dihydroxybiphenyl diglycidyl ether type epoxy resin, aminophenol Triglycidyl ether type epoxy resin, 1,6-dihydroxybiphenyl diglycidyl ether type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, bromine type phenol novolac type epoxy resin, diallyl bisphenol A diglycidyl type epoxy resin Carboxymethyl and the like resins may be used one or more Korara.

本発明に用いる硬化剤(B)としては、前記常温で液状のエポキシ樹脂(A)の硬化剤として用いられるものであれば制限はない。その中でも、特にアンダーフィル材用樹脂組成物に用いる場合、電子部品と電子部品搭載用基板との隙間の充填接着と接続信頼性の観点から、液状であることが好ましく、更に好ましくは、ポリアミン系化合物や酸無水物系化合物である。   The curing agent (B) used in the present invention is not limited as long as it is used as a curing agent for the epoxy resin (A) that is liquid at room temperature. Among them, particularly when used in a resin composition for an underfill material, it is preferably a liquid, more preferably a polyamine type, from the viewpoint of filling adhesion and connection reliability of a gap between an electronic component and a substrate for mounting an electronic component. Compounds and acid anhydride compounds.

前記ポリアミン系化合物としては、一分子内に少なくとも2個のアミノ基を有する化合物であれば用いることができるが、これらにおいて液状のポリアミン系化合物としては、具体的にはイソフォロンジアミン、ノルボルネンジアミンおよび1,2−ジアミノシクロヘキサンなどの脂環式ポリアミン、m−キシリレンジアミン、3,3’−ジメチル−4,4’−ジアミノジフェニルメタンおよび3,3’−ジエチル−4,4’−ジアミノジフェニルメタンなどの芳香族ポリアミン化合物などが例示される。一分子内にアミノ基が一個の場合は、加熱硬化時の三次元架橋が進まず、結果として所望の耐熱性が得られない。
また、常温で固体のポリアミン化合物としては、芳香族ポリアミン化合物として、4,4’−ジアミノジフェニルメタン、4,4’−ジアミノジフェニルスルホンおよびメタフェニレンジアミンなどが挙げられる。本発明においては、常温で固体のポリアミン化合物を用いることができるが、液状エポキシ樹脂組成物の粘度が高くなることがあり、注型作業などにおいて、より低粘度であることが要求される場合、このような固体のポリアミン化合物の使用は制限されることがある。
As the polyamine compound, any compound having at least two amino groups in one molecule can be used. Specific examples of the liquid polyamine compound include isophorone diamine, norbornene diamine, and Such as cycloaliphatic polyamines such as 1,2-diaminocyclohexane, m-xylylenediamine, 3,3′-dimethyl-4,4′-diaminodiphenylmethane and 3,3′-diethyl-4,4′-diaminodiphenylmethane Examples include aromatic polyamine compounds. When there is one amino group in one molecule, three-dimensional crosslinking during heat curing does not proceed, and as a result, desired heat resistance cannot be obtained.
Examples of the polyamine compound that is solid at room temperature include 4,4′-diaminodiphenylmethane, 4,4′-diaminodiphenylsulfone, and metaphenylenediamine as aromatic polyamine compounds. In the present invention, a polyamine compound that is solid at room temperature can be used, but the viscosity of the liquid epoxy resin composition may increase, and in casting operations and the like, when a lower viscosity is required, The use of such solid polyamine compounds may be limited.

また、前記酸無水物系化合物としては、液状の酸無水物化合物として、メチルテトラヒドロ無水フタル酸およびメチルヘキサヒドロ無水フタル酸などの無水フタル酸化合物、メチルナジック酸無水物およびドデセニル無水コハク酸などが挙げられる。また常温で固体の酸無水物として、テトラヒドロ無水フタル酸およびヘキサヒドロ無水フタルなどが挙げられる。
本発明においては、常温で固体の酸無水物化合物を用いることができるが、前述と同様に、より低粘度が要求される場合、このような固体の酸無水物化合物の使用は制限されることがある。前記硬化剤は、単独で用いても良く、2種以上を組み合わせて使用しても良い。
Examples of the acid anhydride compounds include phthalic anhydride compounds such as methyltetrahydrophthalic anhydride and methylhexahydrophthalic anhydride, methylnadic acid anhydride, and dodecenyl succinic anhydride as liquid acid anhydride compounds. Can be mentioned. Examples of acid anhydrides that are solid at room temperature include tetrahydrophthalic anhydride and hexahydrophthalic anhydride.
In the present invention, an acid anhydride compound that is solid at room temperature can be used, but as described above, when lower viscosity is required, the use of such a solid acid anhydride compound is limited. There is. The said hardening | curing agent may be used independently and may be used in combination of 2 or more type.

前記硬化剤(B)の含有量としては、ポリアミン系化合物の場合は、前記液状エポキシ樹脂(A)のエポキシ当量1.0に対してポリアミン系化合物の活性水素当量の比が0.8〜1.2になるのが好ましく、同様にして酸無水物系化合物の場合は、エポキシ樹脂(A)のエポキシ当量1.0に対して酸無水物当量の比が0.5〜1.0になるのが好適である。   As content of the said hardening | curing agent (B), in the case of a polyamine type compound, ratio of the active hydrogen equivalent of a polyamine type compound with respect to epoxy equivalent 1.0 of the said liquid epoxy resin (A) is 0.8-1. In the case of an acid anhydride compound, the ratio of the acid anhydride equivalent to the epoxy equivalent 1.0 of the epoxy resin (A) is 0.5 to 1.0. Is preferred.

本発明に用いるポリエーテル系化合物(C)としては、ポリエーテル構造と、その末端基として少なくとも1個以上のビニルエーテル基とを有するものであり、一般式(1)で表される構造を有するものである。
X−(−Y)n (1)
(式(1)中、Xはポリエーテルユニットを示す。Yは末端基を示し、複数有する場合には互いに同一であっても、異なってもよい。nは1以上の整数である。)
The polyether compound (C) used in the present invention has a polyether structure and at least one vinyl ether group as a terminal group, and has a structure represented by the general formula (1). It is.
X-(-Y) n (1)
(In formula (1), X represents a polyether unit. Y represents a terminal group, and when there are a plurality of units, they may be the same or different. N is an integer of 1 or more.)

本発明に用いるポリエーテル系化合物(C)を構成するポリエーテルユニット(X)としては、構造中に複数のエーテル結合を有するものであれば特に限定されないが、液状エポキシ樹脂組成物の硬化物として、ガラス転移温度(Tg)を低下させることなく、低弾性率化が図れることにより、反りの低減が可能になり、半導体装置としての半田接続信頼性に優れたものを得る上で、前記液状エポキシ樹脂(A)と適度な非相溶性を示すことが好ましい。
ここで、前記ポリエーテルユニット(X)が、前記液状エポキシ樹脂(A)と非相溶性を示すとは、液状エポキシ樹脂組成物を硬化物とした場合に、前記ポリエーテルユニット(X)が相分離し、硬化物の外観が不透明になり、この硬化物の断面を電子顕微鏡等で観察すると、非相溶性部分が球状でマトリックス中に点在して所謂海島構造が確認できる。また、ポリエーテルユニット(X)の非相溶性が過度になり過ぎると、硬化した時にブリードの発生現象が観察されることがある。
The polyether unit (X) constituting the polyether compound (C) used in the present invention is not particularly limited as long as it has a plurality of ether bonds in the structure, but as a cured product of a liquid epoxy resin composition In addition, the reduction of the elastic modulus without lowering the glass transition temperature (Tg) makes it possible to reduce the warpage, and in obtaining a solder connection reliability excellent as a semiconductor device, the liquid epoxy It is preferable to show moderate incompatibility with the resin (A).
Here, the polyether unit (X) is incompatible with the liquid epoxy resin (A) when the polyether unit (X) is in a phase when the liquid epoxy resin composition is a cured product. When separated, the appearance of the cured product becomes opaque, and when the cross section of the cured product is observed with an electron microscope or the like, the so-called sea-island structure can be confirmed because the incompatible portions are spherical and scattered in the matrix. Moreover, when the incompatibility of the polyether unit (X) becomes excessive, a phenomenon of occurrence of bleeding may be observed when cured.

本発明に用いるポリエーテル系化合物(C)を構成するポリエーテルユニット(X)の数平均分子量は、700以上が好ましく、更には1,000以上がより好ましい。また、ポリエーテルユニット(X)の数平均分子量は、10,000以下が好ましく、より好ましくは5,000以下である。ポリエーテルユニットの数平均分子量が前記範囲外でも使用できるが、前記下限値を下回る場合には、ポリエーテルユニット(X)がエポキシ樹脂組成物に相溶して硬化物のガラス転移温度を低下させる場合がある。一方ポリエーテルユニットの数平均分子量が、前記上限値を上回る場合には、エポキシ樹脂組成物との非相溶性が著しくなってブリードが発生することにより、硬化した時に接続信頼性を損ねる場合がある。
上記数平均分子量は、ゲル浸透クロマトグラフィー(GPC)を用いて測定し、ポリスチレン換算により得ることができる。
The number average molecular weight of the polyether unit (X) constituting the polyether compound (C) used in the present invention is preferably 700 or more, and more preferably 1,000 or more. Further, the number average molecular weight of the polyether unit (X) is preferably 10,000 or less, more preferably 5,000 or less. The number average molecular weight of the polyether unit can be used even outside the above range, but when it is below the lower limit, the polyether unit (X) is compatible with the epoxy resin composition and lowers the glass transition temperature of the cured product. There is a case. On the other hand, if the number average molecular weight of the polyether unit exceeds the upper limit, the incompatibility with the epoxy resin composition becomes remarkable and bleeding may occur, thereby impairing connection reliability when cured. .
The number average molecular weight can be measured by gel permeation chromatography (GPC) and obtained by polystyrene conversion.

本発明に用いるポリエーテル系化合物(C)を構成するポリエーテルユニット(X)の構造としては、構造中にエーテル結合を複数有する種々のものが適用でき、具体的にはエチレングリコールを繰り返し単位として有するもの、プロピレングリコールを繰り返し単位として有するもの、テトラメチレングリコールを繰り返し単位として有するものなどが挙げられる。中でも、液状エポキシ樹脂組成物における、他の成分との相溶性や硬化物の低弾性率化の効果からプロピレングリコールを繰り返し単位として有するものが好ましい。これらポリエーテルユニット(X)は、エチレングリコール、プロピレングリコール、テトラメチレングリコール、グリセリン、トリメチロールプロパン及びペンタエリスリトールなどのアルコール類に、アルカリ触媒のもとエチレンオキサイドやプロピレンオキサイドなどを開環重合させることによって合成できる。   As the structure of the polyether unit (X) constituting the polyether compound (C) used in the present invention, various structures having a plurality of ether bonds can be applied. Specifically, ethylene glycol is a repeating unit. Those having propylene glycol as a repeating unit, those having tetramethylene glycol as a repeating unit, and the like. Especially, what has propylene glycol as a repeating unit in the compatibility with another component in a liquid epoxy resin composition or the effect of the low elastic modulus of hardened | cured material is preferable. These polyether units (X) are used for ring-opening polymerization of ethylene oxide, propylene oxide, etc. under an alkali catalyst to alcohols such as ethylene glycol, propylene glycol, tetramethylene glycol, glycerin, trimethylolpropane and pentaerythritol. Can be synthesized.

本発明に用いるビニルエーテル基末端型ポリエーテル系化合物(C)は、例えば、前記ポリエーテルユニット(X)の末端基が水酸基であるポリエーテル系化合物と反応触媒としてアルカリ金属類またはアルカリ土類金属類とを耐圧反応容器に入れて、100℃から150℃に加温し、窒素雰囲気中の加圧下でアセチレン圧入しながら逐次反応させて得られる。具体的には、ポリエチレングリコールモノビニルエーテル、ポリエチレングリコールジビニルエーテル、ジオール型ポリプロピレングリコールルモノビニルエーテル、ジオール型ポリプロピレングリコールジビニルエーテルおよびグリセリン型ポリプロピレングリコールトリビニルエーテルなどが例示される。   The vinyl ether group-terminated polyether compound (C) used in the present invention is, for example, a polyether compound in which the end group of the polyether unit (X) is a hydroxyl group and an alkali metal or alkaline earth metal as a reaction catalyst. In a pressure resistant reaction vessel, heated to 100 ° C. to 150 ° C., and sequentially reacted while being pressed with acetylene under pressure in a nitrogen atmosphere. Specific examples include polyethylene glycol monovinyl ether, polyethylene glycol divinyl ether, diol type polypropylene glycol monovinyl ether, diol type polypropylene glycol divinyl ether, and glycerin type polypropylene glycol trivinyl ether.

本発明に用いるビニルエーテル基末端型ポリエーテル系化合物(C)の添加量は、エポキシ樹脂(A)と硬化剤(B)との合計100重量部に対して、5重量%〜40重量%が好ましく、前記範囲外でも用いることができるが、5重量%未満の場合では、本発明のエポキシ樹脂組成物の硬化物における低弾性率化が不充分となり、熱衝撃試験で所望の結果が得られない場合がある。また40重量%を超える場合は、本発明のエポキシ樹脂組成物の流動性の低下を生じる場合があり、この場合、任意に用いる充填剤(E)等の添加量も制約を受けて材料設計的に好ましくないことがある。   The addition amount of the vinyl ether group-terminated polyether compound (C) used in the present invention is preferably 5 to 40% by weight with respect to 100 parts by weight of the total of the epoxy resin (A) and the curing agent (B). However, if it is less than 5% by weight, it is not sufficient to lower the elastic modulus in the cured product of the epoxy resin composition of the present invention, and a desired result cannot be obtained in the thermal shock test. There is a case. On the other hand, if it exceeds 40% by weight, the fluidity of the epoxy resin composition of the present invention may be lowered. May not be preferable.

本発明の液状エポキシ樹脂組成物には、上記成分以外に必要に応じてフェノール系化合物(D)を添加することができる。フェノール系化合物(D)は、ビニルエーテル基とエポキシ基との何れかにまたは双方ともに反応することから、エポキシ樹脂(A)とビニルエーテル基末端型ポリエーテル系化合物(C)との結合剤として作用し、ブリードの発生を制御することができる。前記フェノール系化合物(D)の中で、反応基が水酸基の場合には、フェノール、クレゾール類、キシレノール類、t−ブチルフェノール、カテコール、ハイドノキノン、ビスフェノールA、ビスフェノールF、ナフトール類やビフェノール類などが例示される。異種の反応基を有する場合として、アミノフェノール、サリチル酸、チオヒドロキノンなどが例示される。   A phenolic compound (D) can be added to the liquid epoxy resin composition of the present invention, if necessary, in addition to the above components. Since the phenolic compound (D) reacts with either or both of the vinyl ether group and the epoxy group, it acts as a binder between the epoxy resin (A) and the vinyl ether group-terminated polyether compound (C). The generation of bleed can be controlled. Among the phenolic compounds (D), when the reactive group is a hydroxyl group, examples thereof include phenol, cresols, xylenols, t-butylphenol, catechol, hydronoquinone, bisphenol A, bisphenol F, naphthols and biphenols. Is done. Examples of cases having different reactive groups include aminophenol, salicylic acid, thiohydroquinone and the like.

本発明の液状エポキシ樹脂組成物においてフェノール系化合物(D)の添加量は、前記ポリエーテル系化合物(C)におけるビニルエーテル基との当量を損なわない程度である。具体的には、例えば、数平均分子量が2,200のポリエーテル系ジビニルエーテルと数平均分子量が110のカテコールである場合には、当量を添加すると、前者の100重量部に対して後者は5重量部となるが、前記ポリエーテル系ジビニルエーテルとしての好ましい添加量は、エポキシ樹脂(A)と硬化剤(B)との合計100重量部に対して、5重量%〜40重量%であるので、この場合、フェノール系化合物(D)の添加量は0.3重量%〜2重量%となる。   In the liquid epoxy resin composition of the present invention, the amount of the phenolic compound (D) added is such that the equivalent to the vinyl ether group in the polyether compound (C) is not impaired. Specifically, for example, in the case of polyether divinyl ether having a number average molecular weight of 2,200 and catechol having a number average molecular weight of 110, when the equivalent is added, the latter is 5 with respect to 100 parts by weight of the former. The preferred addition amount as the polyether divinyl ether is 5 to 40% by weight with respect to 100 parts by weight of the total of the epoxy resin (A) and the curing agent (B). In this case, the amount of the phenolic compound (D) added is 0.3% by weight to 2% by weight.

本発明の液状エポキシ樹脂組成物には、更に、充填剤(E)を含むことができ、その具体例としては、シリカ粉末、アルミナ、タルク、炭酸カルシウム、クレーおよびマイカなどが挙げられ、特にシリカ粉末は、溶融シリカが好ましい。これらの充填剤(E)は、単独で用いても良く、2種以上を組み合わせて使用しても良い。
また、前記充填剤(E)の含有量としては、液状エポキシ樹脂組成物としての特性(耐湿性、作業性等)を保持する範囲であれば、特に制限はないが、アンダーフィル材用樹脂組成物として用いる場合、液状エポキシ樹脂組成物に対し50重量%〜80重量%が好ましい。充填剤の含有量が前記範囲外でも用いることができるが、50重量%未満の場合は、所望の特性が得られなくなることがあり、また80重量%を超える場合は、樹脂粘度が高くなり過ぎて、電子部品と電子部品搭載用基板との隙間に注入が困難になることがあり、この場合、注型用には不適となることがある。
The liquid epoxy resin composition of the present invention may further contain a filler (E), and specific examples thereof include silica powder, alumina, talc, calcium carbonate, clay and mica, and particularly silica. The powder is preferably fused silica. These fillers (E) may be used alone or in combination of two or more.
Further, the content of the filler (E) is not particularly limited as long as the characteristics (moisture resistance, workability, etc.) as the liquid epoxy resin composition are maintained, but the resin composition for underfill material When used as a product, it is preferably 50% by weight to 80% by weight with respect to the liquid epoxy resin composition. The filler can be used outside the above range, but if it is less than 50% by weight, the desired properties may not be obtained. If it exceeds 80% by weight, the resin viscosity becomes too high. As a result, injection may be difficult in the gap between the electronic component and the electronic component mounting substrate, and in this case, it may be unsuitable for casting.

本発明の液状エポキシ樹脂組成物には、上記成分以外に必要に応じて、硬化促進剤、低応力化剤、反応性希釈剤、顔料、カップリング剤、難燃剤、レベリング剤、消泡剤など、当業者において液状エポキシ樹脂組成物としてもちいることができる公知の添加剤を配合できる。   In addition to the above components, the liquid epoxy resin composition of the present invention includes a curing accelerator, a stress reducing agent, a reactive diluent, a pigment, a coupling agent, a flame retardant, a leveling agent, an antifoaming agent, etc. Those skilled in the art can blend known additives that can be used as liquid epoxy resin compositions.

本発明の液状エポキシ樹脂組成物の製造方法としては、前記液状エポキシ樹脂(A)、前記硬化剤(B)前記ポリエーテル系化合物(C)、及び任意に前記充填剤(E)と、更に必要に応じてフェノール系化合物(D)や他の添加剤成分とを、所定の組成比にて混合し、これを三本ロールにより均一に混練を行い、脱泡後液状エポキシ樹脂組成物を得る方法などが例示される。このようにして得られた液状エポキシ樹脂組成物をアンダーフィル材として用いる為の粘度は、25℃で30Pa・S以下で、更に好ましくは20Pa・S以下が充填用には好適である。   The method for producing the liquid epoxy resin composition of the present invention further requires the liquid epoxy resin (A), the curing agent (B), the polyether compound (C), and optionally the filler (E). Depending on the method, the phenolic compound (D) and other additive components are mixed at a predetermined composition ratio, and the mixture is uniformly kneaded with three rolls to obtain a liquid epoxy resin composition after defoaming Etc. are exemplified. The viscosity for using the liquid epoxy resin composition thus obtained as an underfill material is preferably 30 Pa · S or less, more preferably 20 Pa · S or less at 25 ° C., for filling.

本発明の液状エポキシ樹脂組成物をアンダーフィル材として用いた半導体装置の製造方法は、最初に、表面実装用ICチップなどの半導体部品と半導体部品搭載用基板との半田バンプ接合を遠赤外線を使用したリフロー装置で行こなう。但し、ICチップと基板との半田バンプ接合方式は、ICチップと基板とに出来た間隙のために外的強度に弱いのが欠点である。その間隙を充填接合して接続信頼性を向上させるものがアンダーフィル材で、本発明の液状エポキシ樹脂組成物の場合は、予め、シリンジ容器詰をしたもので、前記間隙に押し出ししながら充填する。充填終了後は、熱風循環乾燥機またはトンネル炉などにより加熱硬化させて接着して、半田接続信頼性を向上させた半導体装置の製造方法を提供するものである。   The manufacturing method of a semiconductor device using the liquid epoxy resin composition of the present invention as an underfill material first uses far infrared rays for solder bump bonding between a semiconductor component such as a surface mount IC chip and a substrate for mounting the semiconductor component. Go with the reflow equipment. However, the solder bump bonding method between the IC chip and the substrate is disadvantageous in that it is weak in external strength due to the gap formed between the IC chip and the substrate. An underfill material that improves the connection reliability by filling the gap is an underfill material. In the case of the liquid epoxy resin composition of the present invention, it is filled with a syringe container in advance and filled while being pushed out into the gap. . After the completion of filling, a method of manufacturing a semiconductor device is provided in which solder connection reliability is improved by heat curing and bonding with a hot air circulating dryer or tunnel furnace.

以下、本発明実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例によって何ら制約されるものではない。
特性評価のため、実施例で得られた液状エポキシ樹脂組成物を用いて、パッケージの反り量と熱衝撃試験等を測定したが、パッケージ評価として、BT(ベンゾトリアジン樹脂)基板に接続されたフリップチップを用いた。フリップチップの仕様と測定方法はそれぞれ下記の通りとし、測定結果は、まとめて表1(ブリード、反り量、熱衝撃試験)に示した。
Hereinafter, the present invention will be specifically described by way of examples. However, the present invention is not limited by these examples.
For the characteristic evaluation, the liquid epoxy resin composition obtained in the example was used to measure the amount of warpage of the package and the thermal shock test. As a package evaluation, the flip connected to the BT (benzotriazine resin) substrate was used. A chip was used. The specifications and measurement methods of the flip chip are as follows, and the measurement results are collectively shown in Table 1 (bleed, warpage, thermal shock test).

[ビニルエーテル基末端型ポリエチレングリコールの合成例]
ステンレス鋼(SUS)製の耐圧反応容器中に、数平均分子量が1,000のポリエチレングリコール(和光純薬工業(株)製)を入れて加熱溶融後、反応触媒として、水酸化カリ
ウムを前記ポリエチレングリコール1モルに対して100ミリモル添加し、反応容器を密封して、窒素ガスにより該反応容器内を置換した。続いて温度を140℃にして、5kg/cm2の圧力条件下でアセチレンを圧入しながら逐次反応させて、数平均分子量が1,050のポリエチレングリコールジビニルエーテルを得た。
[Synthesis example of vinyl ether group-terminated polyethylene glycol]
In a pressure resistant reaction vessel made of stainless steel (SUS), polyethylene glycol having a number average molecular weight of 1,000 (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) is placed, heated and melted, and potassium hydroxide is used as the reaction catalyst. 100 mmol was added to 1 mol of glycol, the reaction vessel was sealed, and the inside of the reaction vessel was replaced with nitrogen gas. Subsequently, the temperature was set to 140 ° C., and the reaction was successively carried out while injecting acetylene under a pressure of 5 kg / cm 2 to obtain polyethylene glycol divinyl ether having a number average molecular weight of 1,050.

[ビニルエーテル基末端トリオール型ポリプロピレングリコールの合成例]
数平均分子量が1,000のポリエチレングリコール(和光純薬工業(株)製)に代えて、
数平均分子量が4,000のトリオール型ポリプロピレングリコール(和光純薬工業(株)製
)にした以外は上記合成例と同様の条件で反応させて、数平均分子量が4,100のトリオール型ポリプロピレングリコールジビニルエーテルを得た。
[Synthesis example of vinyl ether group-terminated triol type polypropylene glycol]
Instead of polyethylene glycol having a number average molecular weight of 1,000 (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.)
A triol type polypropylene glycol having a number average molecular weight of 4,000 is reacted under the same conditions as in the above synthesis example except that it is a triol type polypropylene glycol having a number average molecular weight of 4,000 (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.). Divinyl ether was obtained.

(1)フリップチップの仕様
チップサイズ:20mm角。
パッシベーション膜:ポリイミド樹脂。
バンプ高さ:80μm。
バンプピッチ:250μm。
バンプ配置:フルアレイ
バンプ:共晶半田。
ディジーチェーンによる接続試験可能。
(2)ブリード試験
40mmΦのアルミ皿に、液状エポキシ樹脂組成物を約6g注入後、熱風循環乾燥機で、硬化温度150℃、硬化時間90分の条件で硬化する。次に得られた硬化物の外観を目視で樹脂の滲み出しの有無を判定した。
(3)反り量
封止は、パッケージを100℃の熱盤に載置し、液状エポキシ樹脂をチップの一辺に塗布し封止を行った後に、熱風循環乾燥機で、硬化温度150℃、硬化時間90分の条件で硬化した。次に、パッケージの接触式表面粗さ計を用いて対角線方向に変位を調べ、その最大変位を反り量とした。
(4)熱衝撃試験
熱衝撃試験は、前記で得られたパッケージを熱衝撃試験(温度条件;−55℃/30分〜125℃/30分、500、1000、1500サイクル)に曝した後、ディジーチェーンによる接続性を調べた(試験片数:10個)。
判定基準は、チップクラックの数、1パッケージにおいて一箇所でも接続不良がでたものをカウントした。
(1) Specification of flip chip Chip size: 20 mm square.
Passivation film: Polyimide resin.
Bump height: 80 μm.
Bump pitch: 250 μm.
Bump arrangement: Full array Bump: Eutectic solder.
Connection test by daisy chain is possible.
(2) Bleed test About 6 g of the liquid epoxy resin composition is poured into a 40 mmφ aluminum dish, and then cured with a hot air circulating dryer under conditions of a curing temperature of 150 ° C. and a curing time of 90 minutes. Next, the appearance of the obtained cured product was visually checked for the presence or absence of resin oozing.
(3) Warpage amount For sealing, the package is placed on a 100 ° C hot platen, liquid epoxy resin is applied to one side of the chip and sealed, and then the hot air circulation dryer is used to cure at a curing temperature of 150 ° C. Curing was performed for 90 minutes. Next, the displacement was examined in the diagonal direction using a contact surface roughness meter of the package, and the maximum displacement was taken as the amount of warpage.
(4) Thermal shock test The thermal shock test was conducted by exposing the package obtained above to a thermal shock test (temperature condition: -55 ° C / 30 minutes to 125 ° C / 30 minutes, 500, 1000, 1500 cycles). The connectivity by daisy chain was examined (number of test pieces: 10).
As a judgment criterion, the number of chip cracks and one in which connection failure occurred at one place in one package were counted.

(実施例1)
ビスフェノールAジグリシジルエーテル型エポキシ樹脂とビスフェノールFジグリシジル型エポキシ樹脂との混合エポキシ樹脂(エポキシ当量=160、大日本インキ工業社製、商品名EXA−830LVP)50.0重量部とアミノフェノール型エポキシ樹脂(エポキシ当量=83、住友化学工業社製、商品名ELM−100)50.0重量部と、3,3’−ジエチル−4,4’−ジアミノジフェニルメタン(活性水素当量=63.5、日本化薬社製、商品名カヤハードA−A)48.0重量部と、数平均分子量が1,100のジオール型ポリプロピレングリコール系ジビニルエーテル(日本カーバイド工業社製、PPGVE−1,000)13.0重量部と、カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン3.0重量部、無機充填剤として最大粒径10μm、平均粒径2μmの球状シリカを154重量部とを混合し、これを三本ロールにて混練後、脱泡して液状エポキシ樹脂組成物を得た。得られた液状エポキシ樹脂組成物を上記の方法で評価し、その結果を表1に示す。
(Example 1)
50.0 parts by weight of a mixed epoxy resin of bisphenol A diglycidyl ether type epoxy resin and bisphenol F diglycidyl type epoxy resin (epoxy equivalent = 160, manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, trade name EXA-830LVP) and aminophenol type epoxy resin (Epoxy equivalent = 83, manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd., trade name ELM-100) 50.0 parts by weight and 3,3′-diethyl-4,4′-diaminodiphenylmethane (active hydrogen equivalent = 63.5, Nippon Kayaku) 48.0 parts by weight, manufactured by Yakuhin Co., Ltd., trade name Kayahard AA), and 13.0 weights of diol type polypropylene glycol divinyl ether having a number average molecular weight of 1,100 (manufactured by Nippon Carbide Industries, PPGVE-1,000) Parts, and 3.0 parts by weight of γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane as a coupling agent, Maximum particle size 10μm as a filler, were mixed with 154 parts by weight of spherical silica having an average particle diameter of 2 [mu] m, after kneading them in a three-roll mill to obtain a liquid epoxy resin composition was defoamed. The obtained liquid epoxy resin composition was evaluated by the above method, and the results are shown in Table 1.

(実施例2)
実施例1において、数平均分子量が1,100のジオール型ポリプロピレングリコール系ジビニルエーテル(日本カーバイド工業社製、PPGVE−1,000)に代えて、上記合成例で得た数平均分子量が1,050のポリエチレングリコール系ジビニルエーテル13.0重量部に代えた以外はすべて実施例1と同様にして液状エポキシ樹脂組成物を得た。得られた液状エポキシ樹脂組成物を上記の方法で評価し、その結果を表1に示す。
(Example 2)
In Example 1, instead of diol type polypropylene glycol divinyl ether having a number average molecular weight of 1,100 (manufactured by Nippon Carbide Industries Co., Ltd., PPGVE-1,000), the number average molecular weight obtained in the above synthesis example was 1,050. A liquid epoxy resin composition was obtained in the same manner as in Example 1 except that 13.0 parts by weight of polyethylene glycol divinyl ether was used. The obtained liquid epoxy resin composition was evaluated by the above method, and the results are shown in Table 1.

(実施例3)
実施例1において、数平均分子量が1,100のジオール型ポリプロピレングリコール系ジビニルエーテル(日本カーバイド工業社製、PPGVE−1,000)に代えて、分子量が3,000のジオール型ポリプロピレングリコール系ジビニルエーテル(日本カーバイド工業社製、PPGVE−3,000)13.0重量部とm−アミノフェノール(和光純薬工業社製)1.0重量部に代えた以外はすべて実施例1と同様にして液状エポキシ樹脂組成物を得た。得られた液状エポキシ樹脂組成物を上記の方法で評価し、その結果を表1に示す。
(Example 3)
In Example 1, a diol type polypropylene glycol divinyl ether having a molecular weight of 3,000 was used instead of the diol type polypropylene glycol divinyl ether having a number average molecular weight of 1,100 (manufactured by Nippon Carbide Industries Co., Ltd., PPGVE-1,000). (Liquid made by Nippon Carbide Industries, PPGVE-3,000) 13.0 parts by weight and m-aminophenol (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) 1.0 parts by weight An epoxy resin composition was obtained. The obtained liquid epoxy resin composition was evaluated by the above method, and the results are shown in Table 1.

(実施例4)
実施例1において、数平均分子量が1,100のジオール型ポリプロピレングリコール系ジビニルエーテル(日本カーバイド工業社製、PPGVE−1,000)に代えて、上記合成例で得た数平均分子量が4,100のトリオール型ポリプロピレングリコール系ジビニルエーテル13.0重量部とビスフェノールA(和光純薬工業社製)0.8重量部に代えた以外はすべて実施例1と同様にして液状エポキシ樹脂組成物を得た。得られた液状エポキシ樹脂組成物を上記の方法で評価し、その結果を表1に示す。
Example 4
In Example 1, instead of diol type polypropylene glycol divinyl ether having a number average molecular weight of 1,100 (manufactured by Nippon Carbide Industries, PPGVE-1,000), the number average molecular weight obtained in the above synthesis example was 4,100. A liquid epoxy resin composition was obtained in the same manner as in Example 1 except that 13.0 parts by weight of triol type polypropylene glycol divinyl ether and 0.8 part by weight of bisphenol A (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) were used. . The obtained liquid epoxy resin composition was evaluated by the above method, and the results are shown in Table 1.

(実施例5)
実施例1において、硬化剤を3,3’−ジエチル−4,4’−ジアミノジフェニルメタン(日本化薬社製、商品名カヤハードA−A)に代えて、4−メチルヘキサヒドロ無水フタル酸(新日本理化社製、MH−700)100.0重量部と、球状シリカを214.0重量部に変えた以外はすべて実施例1と同様にして、液状エポキシ樹脂組成物を作成し、特性評価に供した。
(Example 5)
In Example 1, instead of 3,3′-diethyl-4,4′-diaminodiphenylmethane (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., trade name Kayahard AA) as the curing agent, 4-methylhexahydrophthalic anhydride (new) A liquid epoxy resin composition was prepared in the same manner as in Example 1 except that 100.0 parts by weight of Nippon Rika Co., Ltd. (MH-700) and spherical silica were changed to 214.0 parts by weight were used for property evaluation. Provided.

(比較例1)
実施例1において、数平均分子量が1,100のジオール型ポリプロピレングリコール系ジビニルエーテル(日本カーバイド工業社製、PPGVE−1,000)13.0重量部を除き、球状シリカを144.0重量部に変えた以外は、すべて実施例1と同様にして、液状エポキシ樹脂組成物を作成し、特性評価に供した。
(Comparative Example 1)
In Example 1, except for 13.0 parts by weight of a diol type polypropylene glycol divinyl ether having a number average molecular weight of 1,100 (manufactured by Nippon Carbide Industries Co., Ltd., PPGVE-1,000), 144.0 parts by weight of spherical silica Except for the change, a liquid epoxy resin composition was prepared in the same manner as in Example 1 and subjected to characteristic evaluation.

(比較例2)
実施例1において、数平均分子量が1,100のジオール型ポリプロピレングリコール系ビニルエーテル(日本カーバイド工業社製、PPGVE−1,000)13.0重量部を、末端基が水酸基の数平均分子量3,000のジオール型ポリプロピレングリコール(PPG−3,000)13.0重量部に変えた以外は、すべて実施例1と同様にして、液状エポキシ樹脂組成物を作成し、特性評価に供した。
(Comparative Example 2)
In Example 1, 13.0 parts by weight of a diol-type polypropylene glycol vinyl ether having a number average molecular weight of 1,100 (manufactured by Nippon Carbide Industries Co., Ltd., PPGVE-1,000) and a terminal group having a hydroxyl group number average molecular weight of 3,000 A liquid epoxy resin composition was prepared in the same manner as in Example 1 except that it was changed to 13.0 parts by weight of diol type polypropylene glycol (PPG-3,000).

Figure 2008214548
*1:樹脂の滲み出しがない場合 ○
少しでも滲み出しが有った場合 ×
*2:良品数/試験実施個数
Figure 2008214548
* 1: When no resin oozes out ○
If there is even a slight exudation ×
* 2: Number of non-defective products / number of tests

本発明の液状エポキシ樹脂組成物は、流動性に優れ、その硬化物はブリードの発生がなく反りの低減化に伴う熱衝撃性が良好であることから、これを用いた半導体装置を搭載する、電気・電子機器分野、通信機器分野、コンピューター分野等の多くの産業分野での利用の可能性が考えられる。   Since the liquid epoxy resin composition of the present invention is excellent in fluidity, and the cured product has good thermal shock resistance due to reduction of warpage without occurrence of bleeding, a semiconductor device using this is mounted. The possibility of use in many industrial fields such as the electric / electronic equipment field, the communication equipment field, and the computer field is conceivable.

Claims (7)

常温で液状であるエポキシ樹脂(A)と、硬化剤(B)及びポリエーテル系化合物(C)を必須成分とするエポキシ樹脂組成物であって、前記ポリエーテル系化合物(C)が末端基に少なくとも1個以上のビニルエーテル基を有するものである液状エポキシ樹脂組成物。 An epoxy resin composition having an epoxy resin (A) that is liquid at room temperature, a curing agent (B), and a polyether compound (C) as essential components, wherein the polyether compound (C) is an end group A liquid epoxy resin composition having at least one vinyl ether group. 前記ポリエーテル系化合物(C)は、数平均分子量が700以上10,000以下のポリエーテル構造を有するものである、請求項1に記載の液状エポキシ樹脂組成物。 The liquid epoxy resin composition according to claim 1, wherein the polyether compound (C) has a polyether structure having a number average molecular weight of 700 or more and 10,000 or less. 前記硬化剤(B)が、一分子内に少なくとも2個のアミノ基を有する化合物である、請求項1または2に記載の液状エポキシ樹脂組成物。 The liquid epoxy resin composition according to claim 1 or 2, wherein the curing agent (B) is a compound having at least two amino groups in one molecule. 前記液状エポキシ樹脂組成物は、フェノール系化合物(D)を含むものである請求項1乃至3のいずれか1項に記載の液状エポキシ樹脂組成物。 The liquid epoxy resin composition according to any one of claims 1 to 3, wherein the liquid epoxy resin composition contains a phenol compound (D). 前記液状エポキシ樹脂組成物は、充填剤(E)を含むものである請求項1乃至4のいずれか1項に記載の液状エポキシ樹脂組成物。 The liquid epoxy resin composition according to any one of claims 1 to 4, wherein the liquid epoxy resin composition contains a filler (E). 前記液状エポキシ樹脂組成物は、アンダーフィル材用樹脂組成物である請求項1乃至5のいずれか1項に記載の液状エポキシ樹脂組成物。 The liquid epoxy resin composition according to any one of claims 1 to 5, wherein the liquid epoxy resin composition is a resin composition for an underfill material. 電子部品と電子部品搭載用基板とを含んで構成され、前記電子部品と前記電子部品搭載用基板との間に間隙を有する半導体装置であって、前記電子部品と前記電子部品搭載用基板との隙間が、請求項6に記載の液状エポキシ樹脂組成物の硬化物によって、充填接着してなることを特徴とする半導体装置。 A semiconductor device comprising an electronic component and an electronic component mounting substrate, and having a gap between the electronic component and the electronic component mounting substrate, wherein the electronic component and the electronic component mounting substrate A semiconductor device, wherein the gap is filled and bonded with a cured product of the liquid epoxy resin composition according to claim 6.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010143949A (en) * 2008-12-16 2010-07-01 Shin-Etsu Chemical Co Ltd Underfill material and semiconductor device using the same
JP2014237837A (en) * 2011-04-28 2014-12-18 日立化成株式会社 Resin composition for electronic part and electronic part device
JP2021185242A (en) * 2016-12-07 2021-12-09 昭和電工マテリアルズ株式会社 Sealing resin composition, cured product, electronic component device, and method for manufacturing electronic component device

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010143949A (en) * 2008-12-16 2010-07-01 Shin-Etsu Chemical Co Ltd Underfill material and semiconductor device using the same
JP2014237837A (en) * 2011-04-28 2014-12-18 日立化成株式会社 Resin composition for electronic part and electronic part device
JP2021185242A (en) * 2016-12-07 2021-12-09 昭和電工マテリアルズ株式会社 Sealing resin composition, cured product, electronic component device, and method for manufacturing electronic component device
JP7251583B2 (en) 2016-12-07 2023-04-04 株式会社レゾナック Sealing resin composition, cured product, electronic component device, and method for manufacturing electronic component device

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