JP2008211079A - Barrier film and forming method thereof, and multilayer interconnection structure and manufacturing method thereof - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、バリア膜の形成方法及びバリア膜、並びに多層配線構造の作製方法及び多層配線構造に関する。 The present invention relates to a barrier film forming method, a barrier film, a multilayer wiring structure manufacturing method, and a multilayer wiring structure.
近年、半導体分野の薄膜製造技術において微細加工の要求が加速しており、それに伴い様々な問題が生じている。 In recent years, demands for microfabrication have been accelerated in thin film manufacturing technology in the semiconductor field, and various problems have arisen accordingly.
例えば、配線材料としては、抵抗率が小さく、エレクトロマイグレーションが発生しにくい等の理由から、銅が使用されることが多い。しかし、銅は、エッチングが困難であり、下地層(シリコン酸化膜)中に拡散しやすいという性質があるため、デバイスの信頼性が低下するという問題が生じている。 For example, copper is often used as the wiring material because of its low resistivity and the difficulty of electromigration. However, since copper is difficult to etch and has the property of easily diffusing into the underlying layer (silicon oxide film), there is a problem that the reliability of the device is lowered.
この問題を解決するために、多層配線構造における多層間接続孔の内壁表面にCVD法等でバリア膜を形成し、その上に銅薄膜を形成して配線層とすることにより、銅薄膜と下地層(シリコン酸化膜)とが直接接触しないようにして、銅の拡散を防いでいる。このようなバリア膜としては、Ta膜が知られている(例えば、特許文献1参照)。
ところで、Ta膜をバリア膜として用いる場合の多層配線構造を形成する工程の一例を図5(a)〜(e)に示す。図5(a)〜(e)は、多層配線構造の作製工程を示すための基板の断面図である。 An example of a process for forming a multilayer wiring structure when a Ta film is used as a barrier film is shown in FIGS. FIGS. 5A to 5E are cross-sectional views of a substrate for illustrating a manufacturing process of a multilayer wiring structure.
図5(a)の成膜対象である基板Sには、トランジスタ等の素子が形成されており、第1の配線Cu膜51、10〜30nm程度の膜厚で形成されたキャップ層52、層間絶縁膜として300〜1000nm程度の膜厚で形成された第1シリコン酸化膜53、配線溝エッチングの際にエッチングストップ膜として機能する30〜200nm程度の膜厚で形成された窒化タンタル膜54、第2の層間絶縁膜として300〜1000nm程度の膜厚で形成された第2シリコン酸化膜55が順次積層されている。
An element such as a transistor is formed on the substrate S to be formed in FIG. 5A. The first
これらの各膜は、公知の方法によって形成されており、例えば、電気メッキ法等によりCu膜51が形成されており、また、CVD法により、キャップ層52、第1シリコン酸化膜53及び第2シリコン酸化膜55が形成されている。
Each of these films is formed by a known method. For example, the
これらの積層膜には、通常の露光法によりフォトレジストパターンを形成し、異方性エッチングにより形成されたホール56、及び配線溝57が設けられている。このホール56及び配線溝57を含めた第2の酸化シリコン膜55上に、図5(b)に示すように、スパッタリング法により、バリア膜としてのTa膜58を形成する。
In these laminated films, a photoresist pattern is formed by a normal exposure method, and
次いで、図5(c)に示すように、Ta膜58が形成されたホール56及び配線溝57を含む表面全体に第2のCu膜59を形成してホール56及び配線溝57を埋め込み、続いて図5(d)に示すように、第2の酸化シリコン膜55の平坦部551上のTa膜58上に形成されていたCu膜59を化学機械研磨(CMP)法により研磨して除去する。さらに、図5(e)に示すように、Cu膜59が除去されて露出したTa層58をCMP法により研磨して除去し、配線溝に銅膜のみが埋め込まれた構造を形成できる。
Next, as shown in FIG. 5C, a
以上のような工程に従って、銅配線の形成とビアの形成を繰り返すことにより多層配線構造が得られることになる。 A multilayer wiring structure can be obtained by repeating the formation of the copper wiring and the via in accordance with the above-described steps.
しかしながら、上記のようにバリア膜としてTa膜を用いると、平坦部551上に形成されたTa膜58を除去する場合(図5(e)参照)に、Taが第2の酸化シリコン膜上に残って特性不良の原因となってしまうという問題がある。
However, when the Ta film is used as the barrier film as described above, Ta is formed on the second silicon oxide film when the
そこで、本発明の課題は、上記従来技術の問題点を解決することにあり、Ta膜以外のバリア膜の形成方法及びその方法によりえられたバリア膜を提供することにある。また、本発明の課題は、このバリア膜を含む多層配線構造及び多層配線構造の作製方法を提供することにある。 Accordingly, an object of the present invention is to solve the above-mentioned problems of the prior art, and to provide a method for forming a barrier film other than the Ta film and a barrier film obtained by the method. Another object of the present invention is to provide a multilayer wiring structure including the barrier film and a method for manufacturing the multilayer wiring structure.
本発明のバリア膜の形成方法は、ホール及び配線溝が形成されている絶縁膜を有する成膜対象物の表面上で、CVD法により、Zr(BH4)4ガスからなる原料ガスと、N2ガスからなる反応ガスを励起手段によって励起せしめて得られたガスとを反応させ、バリア膜としてのZrBN膜を形成することを特徴とする。 According to the method for forming a barrier film of the present invention, a source gas composed of a Zr (BH 4 ) 4 gas is formed on a surface of a film formation target having an insulating film in which holes and wiring grooves are formed by a CVD method, and N A ZrBN film as a barrier film is formed by reacting a reaction gas composed of two gases with a gas obtained by exciting the reaction gas with an excitation means.
また、本発明の別のバリア膜の形成方法は、Zr(BH4)4ガスからなる原料ガスのみ供給する吸着工程と、N2ガスからなる反応ガスを励起手段によって励起せしめて得られたガスのみ供給する反応工程とを繰り返し、吸着工程でホール及び配線溝が形成されている絶縁膜を有する成膜対象物の表面に原料ガスを吸着させ、反応工程で吸着した原料ガスと励起された反応ガスとを反応させ、ALD法により、バリア膜としてのZrBN膜を形成することを特徴とする。 In addition, another barrier film forming method of the present invention includes an adsorption step in which only a source gas composed of Zr (BH 4 ) 4 gas is supplied, and a gas obtained by exciting a reaction gas composed of N 2 gas by an excitation means. And the reaction process of supplying only the gas, the source gas is adsorbed on the surface of the film formation target having the insulating film in which holes and wiring grooves are formed in the adsorption process, and the excited reaction with the source gas adsorbed in the reaction process A ZrBN film as a barrier film is formed by reacting with a gas and using an ALD method.
本発明のバリア膜は、ZrBNからなる膜であり、Taを含まず、かつ、CVD法又はALD法によって簡易に作製できるものである。ホール及び配線溝が形成されている絶縁膜を有する成膜対象物の表面に、バリア膜として上記方法によりZrBN膜を作製することで、絶縁膜上のZrBN膜は絶縁性をしめすので、従来のTaのバリア膜とは異なって、除去する必要がない。 The barrier film of the present invention is a film made of ZrBN, does not contain Ta, and can be easily produced by a CVD method or an ALD method. Since the ZrBN film on the surface of the object to be formed having an insulating film in which holes and wiring grooves are formed is formed as a barrier film by the above method, the ZrBN film on the insulating film exhibits an insulating property. Unlike the Ta barrier film, there is no need to remove it.
この場合に、前記成膜対象物である基板を載置している載置台の設定温度を260℃未満として、基板を加熱しながらZrBN膜を形成することが好ましい。かかる温度範囲で形成されたZrBN膜は、絶縁膜上に形成されると絶縁性の性質を示す。 In this case, it is preferable that the ZrBN film is formed while heating the substrate, with the set temperature of the mounting table on which the substrate, which is the film formation target, being placed, being less than 260 ° C. A ZrBN film formed in such a temperature range exhibits insulating properties when formed on an insulating film.
本発明のバリア膜は、上記いずれかのバリア膜の形成方法により形成されたことを特徴とする。かかるバリア膜は、上記いずれかのバリア膜の形成方法により形成されたことで、従来のTaのバリア膜とは異なって、絶縁膜上に形成されると絶縁性の性質を示すことから、除去する必要がない。 The barrier film of the present invention is formed by any one of the above barrier film forming methods. Since such a barrier film is formed by any one of the above-described barrier film forming methods, it has an insulating property when formed on an insulating film, unlike a conventional Ta barrier film. There is no need to do.
本発明の多層配線構造の作製方法は、基板上に、少なくとも、配線膜、キャップ層、第1の絶縁膜及び第2の絶縁膜がこの順で積層され、これらの積層膜に、配線膜と接続するホール及び配線溝が形成されている多層配線構造のホール及び配線溝を含んだ表面上で、CVD法により、Zr(BH4)4ガスからなる原料ガスと、N2ガスからなる反応ガスを励起手段によって励起せしめて得られたガスとを反応させ、バリア膜としてのZrBN膜を形成し、次いで、ZrBN膜が形成されたホール及び配線溝に銅配線を埋め込むことを特徴とする。 In the method for manufacturing a multilayer wiring structure of the present invention, at least a wiring film, a cap layer, a first insulating film, and a second insulating film are laminated in this order on a substrate. A source gas composed of Zr (BH 4 ) 4 gas and a reactive gas composed of N 2 gas are formed by CVD on the surface including the holes and wiring grooves of the multilayer wiring structure in which holes and wiring grooves to be connected are formed. A ZrBN film as a barrier film is formed by reacting with a gas obtained by exciting the substrate with excitation means, and then a copper wiring is buried in the hole and the wiring groove in which the ZrBN film is formed.
また、本発明の別の多層配線構造の作製方法は、基板上に、少なくとも、配線膜、キャップ層、第1の絶縁膜及び第2の絶縁膜がこの順で積層され、これらの積層膜に、配線膜と接続するホール及び配線溝が形成されている多層配線構造のホール及び配線溝を含んだ表面上で、CVD法により、Zr(BH4)4ガスからなる原料ガスと、N2ガスからなる反応ガスを励起手段によって励起せしめて得られたガスとを反応させ、バリア膜としてのZrBN膜を形成し、次いで、ZrBN膜が形成されたホール及び配線溝に銅配線を埋め込むことを特徴とする。 In another multilayer wiring structure manufacturing method of the present invention, at least a wiring film, a cap layer, a first insulating film, and a second insulating film are stacked in this order on a substrate, and these stacked films are formed on the stacked films. A source gas composed of Zr (BH 4 ) 4 gas and N 2 gas are formed by CVD on the surface including the holes and wiring grooves of the multilayer wiring structure in which holes and wiring grooves connected to the wiring film are formed. A reaction gas comprising a reaction gas is reacted with a gas obtained by exciting the reaction gas to form a ZrBN film as a barrier film, and then a copper wiring is embedded in the hole and the wiring groove in which the ZrBN film is formed. And
ホール及び配線溝が形成されている絶縁膜を有する多層配線構造の表面に、バリア膜としてZrBN膜を作製すると、ZrBN膜が、その下にある層が導電性か、又は絶縁性かによって、異なる性質、即ち、下にある層が導電性であれば、ZrBN膜は導電性の性質を示し、下にある層が絶縁性であれば、ZrBN膜は絶縁性をしめす。かかるZrBN膜をバリア膜として利用すれば、ホールの底部のCu膜上に形成されたZrBN膜は、導電性の性質となり、絶縁膜上に形成されたZrBN膜は、絶縁性の性質を有するものであるので、Cu膜でホール及び配線溝を埋め込んだ後に除去する必要がない。 When a ZrBN film is formed as a barrier film on the surface of a multilayer wiring structure having an insulating film in which holes and wiring grooves are formed, the ZrBN film differs depending on whether the underlying layer is conductive or insulating. If the property, ie, the underlying layer is conductive, the ZrBN film exhibits electrical conductivity, and if the underlying layer is insulative, the ZrBN film exhibits insulation. If such a ZrBN film is used as a barrier film, the ZrBN film formed on the Cu film at the bottom of the hole has a conductive property, and the ZrBN film formed on the insulating film has an insulating property. Therefore, it is not necessary to remove the hole and the wiring groove after filling them with the Cu film.
前記多層配線構造の作製方法において、バリア膜の形成に関し、成膜対象物である基板を載置している載置台の設定温度を260℃未満として、基板を加熱しながらZrBN膜を形成することが好ましい。かかる温度範囲であれば、ZrBN膜の上記導電性及び絶縁性の選択性が得られるからである。 In the manufacturing method of the multilayer wiring structure, with respect to the formation of the barrier film, the ZrBN film is formed while heating the substrate with the set temperature of the mounting table on which the substrate, which is the film formation target, being mounted being less than 260 ° C. Is preferred. This is because the conductivity and insulation selectivity of the ZrBN film can be obtained within such a temperature range.
本発明の多層配線構造は、基板上に、少なくとも、配線膜、キャップ層、第1の絶縁膜及び第2の絶縁膜がこの順で積層され、これらの積層膜に配線膜と接続するホール及び配線溝が形成されている多層配線構造に、ホール及び配線溝を含んだ表面上にバリア膜としてZrBN膜が形成され、ZrBN膜が形成されたホール及び配線溝に銅配線が埋め込まれてなることを特徴とする。かかる多層配線構造は、絶縁層上にバリア膜が残存しないので、性能が劣化しない。 In the multilayer wiring structure of the present invention, at least a wiring film, a cap layer, a first insulating film, and a second insulating film are stacked in this order on a substrate, and a hole connected to the wiring film on these stacked films and In the multilayer wiring structure in which the wiring trench is formed, a ZrBN film is formed as a barrier film on the surface including the hole and the wiring trench, and the copper wiring is embedded in the hole and the wiring trench in which the ZrBN film is formed. It is characterized by. Such a multilayer wiring structure does not deteriorate the performance because no barrier film remains on the insulating layer.
前記多層配線構造が、上記いずれかの多層配線構造の作製方法により作製されたことが好ましい。これらの作製方法により、選択性を有する多層配線構造を簡易に得ることが可能である。 It is preferable that the multilayer wiring structure is manufactured by any one of the multilayer wiring structure manufacturing methods described above. By these manufacturing methods, it is possible to easily obtain a multilayer wiring structure having selectivity.
本発明のバリア膜の形成方法によれば、Ta膜とは異なり、絶縁膜上に形成されたZrBN膜は、絶縁性の性質を示すという優れた効果を奏する。本発明の多層配線構造及び多層配線構造の作製方法によれば、Ta膜とは異なり、ホール及び配線溝をCu膜で埋め込んだ後に除去する必要がないため、作製工程全体が短く、バリア膜が絶縁膜上に残存して性能劣化をもたらすことがないという優れた効果を奏する。 According to the barrier film forming method of the present invention, unlike the Ta film, the ZrBN film formed on the insulating film has an excellent effect of exhibiting insulating properties. According to the multilayer wiring structure and the fabrication method of the multilayer wiring structure of the present invention, unlike the Ta film, it is not necessary to remove the holes and the wiring trenches after they are filled with the Cu film. There is an excellent effect of remaining on the insulating film and causing no deterioration in performance.
本発明のバリア膜の形成方法は、ホール、トレンチが形成されている絶縁膜を有する成膜対象物の表面上で、Zr(BH4)4ガスからなる原料ガスと、N2ガスからなる反応ガスを励起手段によって励起せしめて得られたガスとを反応させ、ZrBN膜を形成するものである。 In the method for forming a barrier film of the present invention, a reaction consisting of a source gas composed of Zr (BH 4 ) 4 gas and an N 2 gas is performed on the surface of a film formation target having an insulating film in which holes and trenches are formed. A ZrBN film is formed by reacting a gas obtained by exciting the gas with an excitation means.
成膜対象物は、図5の(a)に示したホール、配線溝が形成された基板である。 The film formation target is a substrate on which holes and wiring grooves shown in FIG. 5A are formed.
本発明のバリア膜の形成方法は、CVD法(Chemical vapor deposition)によってもよいし、ALD(Atomic layer deposition)法によってもよい。 The barrier film forming method of the present invention may be a CVD (Chemical Vapor Deposition) method or an ALD (Atomic Layer Deposition) method.
CVD法の場合、原料ガスは、粉体状のZr(BH4)4200gに対して、バブリングガス(例えばArガス)を10〜2000sccmを供給して得られるガスである。また、反応ガスの流量は、10〜2000sccmが好ましい。反応ガスが2000sccmより多いと、反応ガスを励起手段により励起せしめた場合に反応ガスが失活しやすく、10sccmより少ないと、反応が進まず、成膜できないからである。 In the case of the CVD method, the raw material gas is a gas obtained by supplying 10 to 2000 sccm of bubbling gas (for example, Ar gas) to 200 g of powdery Zr (BH 4 ) 4 . The flow rate of the reaction gas is preferably 10 to 2000 sccm. This is because if the reaction gas is more than 2000 sccm, the reaction gas is easily deactivated when the reaction gas is excited by the excitation means, and if it is less than 10 sccm, the reaction does not proceed and film formation cannot be performed.
また、吸着工程と反応工程とを数回〜数百回繰り返して膜を形成するALD法の場合には、例えば、吸着工程における原料ガスは、粉体状のZr(BH4)4200gに対して、バブリングガス(例えばArガス)を10〜2000sccmを供給して得られるものである。また、反応工程における反応ガスの流量は、10〜2000sccmが好ましい。反応ガスが2000sccmより多いと、反応ガスを励起手段により励起せしめた場合に反応ガスが失活しやすく、10sccmより少ないと、反応が進まず、成膜できないからである。 Further, in the case of the ALD method in which the film is formed by repeating the adsorption process and the reaction process several times to several hundred times, for example, the raw material gas in the adsorption process is based on 200 g of powdery Zr (BH 4 ) 4 Thus, bubbling gas (for example, Ar gas) is supplied at 10 to 2000 sccm. The flow rate of the reaction gas in the reaction step is preferably 10 to 2000 sccm. This is because if the reaction gas is more than 2000 sccm, the reaction gas is easily deactivated when the reaction gas is excited by the excitation means, and if it is less than 10 sccm, the reaction does not proceed and film formation cannot be performed.
励起手段としては、反応ガスを励起できる手段であればどのようなものであってもよいが、例えば、プラズマ励起手段により、プラズマを生成し、このプラズマに反応ガスを接触せしめて反応ガスを励起せしめてもよい。 The excitation means may be any means as long as it can excite the reaction gas. For example, the plasma is generated by the plasma excitation means, and the reaction gas is brought into contact with the plasma to excite the reaction gas. You may squeeze it.
上記いずれかの方法でZrBN膜を成膜すると、導電性膜上に形成されたZrBN膜は導電性の性質をしめし、絶縁膜上に形成されたZrBN膜は絶縁性の性質を示す。この場合、成膜時の基板温度は260℃未満であることが好ましい。かかる温度範囲であれば、Zr(BH4)4ガスからなる原料ガスと、N2ガスからなる反応ガスを励起手段によって励起せしめて得られたガスとが反応して得られたZrBN膜は、上記のように下にある層の影響を受けてその物性が変化するという選択性を有するものとなる。このようなZrBN膜をバリア膜とすれば、多層配線構造を作製する場合に、バリア膜を図5(e)に示すように除去する必要がない。 When the ZrBN film is formed by any one of the above methods, the ZrBN film formed on the conductive film exhibits conductive properties, and the ZrBN film formed on the insulating film exhibits insulating properties. In this case, the substrate temperature during film formation is preferably less than 260 ° C. In such a temperature range, the ZrBN film obtained by reacting the raw material gas composed of Zr (BH 4 ) 4 gas and the gas obtained by exciting the reaction gas composed of N 2 gas by the excitation means, As described above, it has the selectivity that its physical properties change under the influence of the underlying layer. If such a ZrBN film is used as a barrier film, it is not necessary to remove the barrier film as shown in FIG.
このような本発明のZrBN膜の成膜方法を実施するための成膜装置の一例を図1を用いて以下説明する。 An example of a film forming apparatus for carrying out such a ZrBN film forming method of the present invention will be described below with reference to FIG.
成膜装置は、シャワーヘッド構造1が天井部に設けられた成膜チャンバー2からなる。成膜装置には、反応ガスの励起手段が設けられていることが好ましい。反応ガスの励起手段としては、プラズマによるプラズマ励起手段、触媒金属による触媒励起手段等があげられる。図1に示す成膜装置は、例としてマイクロ波を供給してプラズマを形成する励起手段がシャワーヘッド構造1に設けられているものであり、シャワーヘッド構造1は、上部の同軸型共振キャビティ11と、同軸型共振キャビティ11の底部に接続して設けられた反応ガス導入室12と、反応ガス導入室12に接続して設けられたシャワーヘッド部13と、マイクロ波供給手段14とを備える。また、シャワーヘッド構造1には、各ガスの導入手段として、反応ガス導入手段15と、原料ガス導入手段16とが、設けられている。
The film forming apparatus includes a
同軸型共振キャビティ11は、例えば銅製やアルミ製で、この同軸型共振キャビティ11には、キャビティの天井壁と底壁とを貫通して非金属パイプ111が設けられている。この非金属パイプ111の上端部には、反応ガス導入手段15のガス管151が接続され、ガス管151は、流量制御手段152を介して図示しないガス源に接続している。なお、ガス導入手段15は、N2ガスを導入するだけでなく、プロセスに応じて2以上のガスを導入できるようにするために、ガス管151が途中で分岐して、各分岐したガス管に流量制御手段152を設けて、それぞれ図示しないガス源に接続して2以上のガスを導入できるように構成される。この非金属パイプ111としては、石英管、サファイア管又はアルミナ管を用いることができるが、パーティクルをより低減すべく、サファイア管かアルミナ管を用いることが好ましい。
The
この非金属パイプ111の上部には、その周囲を覆うように、同心円状の可動自在の上部導体112が設けられ、また、この上部導体112の下方では、同軸型共振キャビティ11の底壁が下部導体113として機能している。二つの導体間では、非金属パイプ111は露出しており、この露出部111aにマイクロ波が照射される。なお、図1中では、同軸型共振キャビティ11の底壁が下部導体113として機能しているが、下部導体113を、別の部材として同軸型共振キャビティ11の底部に設けてもよい。
A concentric movable
非金属パイプ111の露出部111aの領域においてプラズマを生成するために、マイクロ波供給手段14が、同軸型共振キャビティ11の側壁面の露出部111aに対応する位置に設けられている。このマイクロ波供給手段14は、マイクロ波を発振するマグネトロン141と、このマグネトロン141を作動させるためのマイクロ波電源142と、マグネトロン141に接続され、マグネトロン141から発振された共振周波数(例えば、2.45GHz)のマイクロ波を同軸型共振キャビティ11に供給するアンテナ143と、アンテナ143とマグネトロン141とをつなぐ同軸ケーブル144とからなる。マイクロ波電源142を作動せしめると、マグネトロン141からマイクロ波が発振され、このマイクロ波が同軸ケーブル144を通って、壁面に設けられたアンテナ143に到達する。そして、アンテナ143からマイクロ波が同軸型共振キャビティ11内に供給されると、非金属パイプ111上部から導入されている反応ガスが露出部111aの領域においてプラズマ状態に変化し、ガスの流路である非金属パイプ111の下部から、プラズマ化したガスとして反応ガス導入室12へ供給される。このように、本装置では、マイクロ波を伝播するための導波管を設けていないので、マイクロ波を発振すると、すぐにプラズマを生成できる。なお、図1中、アンテナ143を一つだけ設ける例を説明したが、2以上設けてもよい。また、上記したように上部導体112は可動であるので、その位置を変えて上部導体112と下部導体113との間の電界の発生状態を変えることで、プラズマの生成状態を変えることが可能である。
In order to generate plasma in the region of the exposed
ところで、一般に、プラズマ生成空間においてプラズマが生成されると、プラズマ生成空間の電界分布が変化して共振周波数が変化し、プラズマの生成効率が悪くなってしまう。この場合に、マイクロ波供給手段を調整すると、マイクロ波発振と、プラズマ生成との間でタイムラグが生じる。 By the way, in general, when plasma is generated in the plasma generation space, the electric field distribution in the plasma generation space changes, the resonance frequency changes, and the plasma generation efficiency deteriorates. In this case, adjusting the microwave supply means causes a time lag between the microwave oscillation and the plasma generation.
そこで、図1の成膜装置では、プラズマ生成の前後で共振周波数が変化しないように、同軸型共振キャビティ11内の高さLが、励振波長の1/2の整数倍となるように構成している。これは、同軸型共振キャビティ11の電界分布がプラズマ生成前にはTMモードになっているが、プラズマ生成後にはTEMモードになることに鑑みて、各モードにおける電気的等価回路からプラズマ生成前後の各共振周波数を求め、これらの共振周波数を等しくなるように計算することにより、得られたものである。上記構成により、プラズマ生成前後で、共振周波数の変化を抑えることが可能である。
Therefore, the film forming apparatus of FIG. 1 is configured such that the height L in the
このように同軸型共振キャビティ11内の高さLを設定してもなお、プラズマ生成後にキャビティ内の周波数がわずかながら変動する場合もあるので、第1のシャワーヘッド構造1のマイクロ波供給手段14に、励磁電流制御回路を設けることが好ましい。この制御回路は、同軸型共振キャビティ11内でのプラズマ発生前後の周波数をモニターして、この周波数が変化した場合に、変化分に対応する信号を受け取り、この信号に相当する電流を励磁電流としてマグネトロン141内の図示しない励磁コイルに送ることで供給するマイクロ波の波長が一定になるように、構成される。
Even if the height L in the coaxial
また、同軸型共振キャビティ11内の周波数が変化した状態でマイクロ波を発振すると、プラズマ生成室内部で反射波が生じる場合には、この反射波を検出し、この検出した反射波と、発振したマイクロ波の進行波との位相差に相当する電圧を、マグネトロン内の陽極電極に重畳して印加して、共振周波数に近づくように動作する陽極電圧制御回路を設けてもよい。この場合、反射波はマイクロ波供給手段において熱に変換されるので、陽極電圧制御回路を設けた場合に反射波に起因する熱によって回路がダメージを受けないように注意する必要がある。さらに、下部導体113の中に、発振波長の4分の1の長さに相当するチョーク構造を設けて、露出部111aから漏洩されるマイクロ波を抑制するように構成しても良い。
Further, when a microwave is oscillated with the frequency in the
このようにシャワーヘッド構造1は、同軸型共振キャビティ11内の高さLを励振波長の1/2の整数倍になるように構成し、一定の共振周波数を発振できるとともに、励磁電流制御回路及び陽極電圧制御回路を設けることで、プラズマ生成前後で仮に共振周波数がずれたとしても周波数を自動的にマッチングするように構成されている。さらに、図1の成膜装置は、マイクロ波発振とプラズマ生成にタイムラグが発生しないので、プラズマの生成を極めて短い間隔、例えば0.5秒くらいから制御できる。
As described above, the shower head structure 1 is configured such that the height L in the
この同軸型共振キャビティ11の非金属パイプ111内でプラズマにより励起された反応ガスは、反応ガス導入室12を経て、シャワーヘッド部13へ導入される。反応ガス導入室12は、例えばアルミ製であり、その内壁には、パーティクル発生防止のために石英製インナーを設けることが好ましい。この場合、図1中に示したように、ガス導入室12の内壁の下方領域(シャワーヘッド部13側)に石英製インナーを設けてもよいが、好ましくは、内壁全面に石英製インナーを設けることである。また、ラジカル状態のガスを死活し難くするように、反応ガス導入室12の内壁表面をアルマイト加工してもよい。
The reaction gas excited by plasma in the
また、反応ガス導入室12は、図示しない冷却手段によって、冷却されてもよい。反応ガス導入室12とシャワーヘッド部13との間には、セラミックフランジ122(例えば、厚さ10mm)を設けてあり、固定具123及び124で固定されている。このセラミックフランジ122は、シャワーヘッド部13の熱により反応ガス導入室12が加熱されないように熱を遮断するために設けられたものであり、真空シール性、耐熱性、熱遮断性からアルミナセラミックであることが好ましい。
Further, the reaction
シャワーヘッド部13は、円盤状部材13aと、リング状部材13bと、第1のシャワー板13cと、第2のシャワー板13dとからなり、適宜、固定具123で固定されている。円盤状部材13aには、好ましくは、図示しないヒーター及び熱電対が設けられ、ヒーターにより、シャワーヘッド部13を所定の温度(例えば150℃くらい)になるように加熱し、この加熱された温度を熱電対で測定し、モニターできるように構成される。また、円盤状部材13aには、反応ガス導入室12と連通する開口部が形成されており、この開口部と、リング状部材13bの開口部とから、反応ガスが導入され、拡散される反応ガス拡散室131が構成されている。反応ガス拡散室131は、石英製のインナーが内壁全体に設けられ、その底面には、複数の反応ガス噴出孔132が形成されている。この反応ガス噴出孔132は、第1のシャワー板13c及び第2のシャワー板13dを貫通しシャワーヘッド部13の底面まで達している。
The
さらに、円盤状部材13aには、原料ガス導入手段16に接続する原料ガス導入管133が設けられてる。ここで、原料ガス導入手段16は、冷却ジャケット161に覆われた原料タンク162内へ原料を入れ、これを低差圧マスフローコントローラーのようなマスフローコントローラー163を用いて、バブリングガスとしてのAr、N2等の不活性ガスの流量を直接制御しながらバブリングして原料を昇華せしめ原料ガスを得て、この原料ガスを原料ガス導入管133へ導入するように構成されている。原料タンク162を冷却ジャケット161によって0℃に冷却保温している場合、原料ガスの蒸気圧は3.7mmHgであるので、チャンバー圧力を3.7mmHgよりも低くする。
Further, the disk-shaped
原料ガス導入管133は、ガス通路134、即ちリング状部材13bの外周部に設けられたガス通路134a及び第1のシャワー板13cの外周部に設けられたガス通路134bを介して第2のシャワー板13dに形成された原料ガス拡散室135に接続されている。このガス通路134は、1以上の多段に構成され、各段は、2n−1(nは段数)で表される数のガス通路134a及び134bを有している。そして、ガス通路134は、前記原料ガス導入管133と1段目のガス通路134aとの接続位置から最終段のガス通路134bと原料ガス拡散室135との各接続位置までの距離が全て等しいように構成されている。このガス通路134について図2及び図3を用いて詳細に説明する。図2は、(a)リング状部材13b、(b)第1のシャワー板13c及び(c)第2のシャワー板13dの横断面図であり、図3は、原料ガス導入管133、ガス通路134及び原料ガス拡散室135の配置関係を説明するための説明図である。
The source
ガス通路134は、リング状部材13bに設けられた円弧状の1つのガス通路134aと、第1のシャワー板13cの反応ガス噴出孔132が形成されている領域の周辺部に設けられた円弧状の2つのガス通路134bとからなる。ガス通路134aの中央上部には、原料ガス導入管133が接続されている。そして、ガス通路134aの両端の底部にはそれぞれ接続孔134cが形成され、この各接続孔134cは、第1のシャワー板13cに設けられたガス通路134bのそれぞれの中央上部に接続され、ガス通路134aとガス通路134bとは連通している。
The
また、ガス通路134bのそれぞれの両端の底部には、接続孔134dが形成され、この接続孔134dは、第2のシャワー板13dに設けられた原料ガス拡散室135の四隅の上部に接続され、原料ガス拡散室135に原料ガスが接続孔134dを介して均一に吐出されるように構成されている。
Further, a
このように、前記原料ガス拡散室135と原料ガス導入管133とを接続するガス通路134は、2段構成であり、1段目のガス通路134aは、その中央に前記原料ガス導入管133が接続され、2段目のガス通路134bは、その中央に前段のガス通路134aの両端の底部に設けられた接続孔134cが接続されて前段のガス通路134aと連通し、かつ、その各ガス通路134bの両端の底部に形成された接続孔134dにより、原料ガス拡散室135に接続されて、1つのガス流路として構成されている。そして、このガス通路134では、原料ガス導入管133から各接続孔134dまでの距離はどれも等しくなるように構成されているので、原料ガスが同時に原料ガス拡散室に同量到達し、均一に原料ガス拡散室135に拡散できる。なお、図中では、ガス通路を2段構成として接続孔134dを4つ設けているが、ガス通路を3段以上に構成して接続孔134dの数を増やしてもよい。例えば、第1のシャワー板の底部に、第1のシャワー板と同様の反応ガス噴出孔を形成し、かつ、ガス通路を4つ形成した第3のシャワー板を設け、この第3のシャワー板の4つのガス通路の各中央上部に第1のシャワー板の接続孔が接続するようにし、この第3のシャワー板の各ガス通路の両端部に第2のシャワー板の原料ガス拡散室への接続孔をそれぞれ形成し、即ち、接続孔を8つ設け、それに併せて原料ガス拡散室の形状を設計して、より均等にガスが原料ガス拡散室内に拡散されるように構成してもよい。また、図中では原料ガス拡散室は四角形としたが、円形や他の多角形でもよい。
Thus, the
この原料ガス拡散室135には、原料ガス噴出孔136が設けられており、この原料ガス噴出孔136もシャワーヘッド部13の底面まで貫通している。この場合、均一に原料ガスが真空チャンバー内へ噴き出すように、噴出孔のコンダクタンスを小さくすることが好ましい。例えば、図1及び2に示す装置では、原料ガス噴出孔136を、孔径Φ0.7〜1mm程度、孔深さ10mm程度として、原料ガスを均一に真空チャンバー内へ供給できるように構成している。
The source
反応ガス噴出孔132はシャワーヘッド部13の底面まで貫通しているので、このシャワーヘッド部13の底面には、反応ガス噴出孔132と、原料ガス噴出孔136とがそれぞれ一定の距離をあけてマトリクス状に並んでおり、これによって、基板上にかたよりなく原料ガス及び反応ガスが照射されるように構成されている。各原料ガス噴出孔136の中心間距離と各反応ガス噴出孔132の中心間距離とは、同じ距離(例えば、14mm)に設定されている。この場合、原料ガス噴出孔136の直径より反応ガス噴出孔132の直径の方が大きく、例えば、原料ガス噴出孔136の直径を1mmとすると、反応ガス噴出孔132の直径は5mmである。
Since the reactive
このように構成されたシャワーヘッド部13では、反応ガス導入手段15から、非金属パイプ111、反応ガス導入室12を経てシャワーヘッド部13へ導入された反応ガスは、反応ガス拡散室131全体に広がり、各反応ガス噴出孔132を経て成膜チャンバー2内に供給される。また、原料ガス導入管133から導入された原料ガスは、ガス通路134にガス通路134aの中心部から導入され、ガス通路134aの左右に均等に分かれて接続孔134cを介して下段に形成された各ガス通路134bへ拡散する。そして、ガス通路134bを左右に均等に分かれて進み、接続孔134dから、原料ガス拡散室135へ均一に拡散し、その後、原料ガス拡散室135の底面の各原料ガス噴出孔136から成膜チャンバー2内に均一に供給される。
In the
成膜チャンバー2のシャワーヘッド構造1に対向する位置には、基板Sを載置する基板載置台21が設けられており、基板載置台21は、昇降自在に構成されている。この基板載置台21には、加熱手段が設けられ、基板載置台21上に載置された基板Sを所定の温度に加熱することが可能である。成膜チャンバー2の側壁部には、壁面に原料ガスが付着してパーティクルが発生することを防止するためのシールド22が設けられている。また、側壁部には、成膜時に成膜チャンバー2内の圧力を測定するための圧力計23が設けられている。さらに、成膜チャンバー2の底部には、ターボ分子ポンプ24が設けられ、成膜チャンバー内のガスを底部から排気可能に構成している。
A substrate mounting table 21 on which the substrate S is mounted is provided at a position facing the shower head structure 1 of the
ところで、図1に示した成膜装置を用いて極めて多量に基板を処理して成膜を行うと、非金属パイプ111の内側がエッチングされる場合がある。そこで、エッチングを抑制するために、同軸型共振キャビティ内を冷却する冷却ガス導入手段を有していることが好ましく、また、非金属パイプ111を、冷却用流体を流せる流路を形成した非金属(例えば、アルミナや石英)製の2重パイプに変更していることが好ましい。
By the way, when a very large amount of substrate is processed using the film forming apparatus shown in FIG. 1, the inside of the
この場合、冷却用流体は、マイクロ波の発振周波数に共振しない流体媒体であることが必要であり、例えば、発振周波数が2.45GHzの場合、3M社製・商品名フロリナートの、FC−87、FC−72、FC−84、FC−77、FC−75、FC−3283、FC−40、FC−43、FC−70、FC−5312や、アウジモント ソシエタ ペル アチオニ製・商品名ガルデン(登録商標)を用いることができる。また、エチレングリコールもしくはエチレングリコール主体とした液体媒体を用いることもできる。さらに、ドライN2ガス、ドライArガス、ドライHeガス、ドライO2ガスなどの気体を用いることもできる。 In this case, the cooling fluid needs to be a fluid medium that does not resonate with the oscillation frequency of the microwave. For example, when the oscillation frequency is 2.45 GHz, FC-87, manufactured by 3M Corporation, trade name Fluorinert, FC-72, FC-84, FC-77, FC-75, FC-3283, FC-40, FC-43, FC-70, FC-5212, made by Augmont Societa per Atoni Can be used. Also, a liquid medium mainly composed of ethylene glycol or ethylene glycol can be used. Furthermore, gases such as dry N 2 gas, dry Ar gas, dry He gas, and dry O 2 gas can also be used.
また、上記ではプラズマ生成手段を用いた装置について説明したが、反応ガスの流路に、加熱手段を備えた触媒金属からなるワイヤーを設けて、反応ガスを加熱したワイヤーに接触させ、励起されるように構成してもよい。また、上記ではプラズマ生成手段がシャワーヘッド構造に設けられていたが、例えば、成膜チャンバー2内にプラズマを生成し、成膜チャンバー2内で反応ガスをプラズマ化するように構成してもよい。
Moreover, although the apparatus using a plasma production | generation means was demonstrated above, the wire which consists of a catalyst metal provided with the heating means was provided in the flow path of the reaction gas, and the reaction gas was contacted with the heated wire and excited. You may comprise as follows. In the above description, the plasma generating means is provided in the shower head structure. However, for example, plasma may be generated in the
図1に示した成膜装置を用いたCVD法について、以下説明する。 A CVD method using the film forming apparatus shown in FIG. 1 will be described below.
基板Sを基板載置台21に載置し、基板載置台21に設けられた図示しない加熱手段により、基板載置台21の設定温度を260℃未満に設定し、基板Sを加温する。次いで、反応ガス導入手段15から、水素ガスを例えば200sccm導入しながら、ターボ分子ポンプ24の圧力バルブを調製して成膜チャンバー2内の圧力を400Paに昇圧し、数分間保持する。この昇圧保持の間に、基板を十分に加熱せしめて基板温度を200℃以上になるようにすれば、第1のCu膜の表面を還元できるという効果もある。この場合、特に250℃以上となっていることが好ましい。
The substrate S is mounted on the substrate mounting table 21, the set temperature of the substrate mounting table 21 is set to less than 260 ° C. by heating means (not shown) provided on the substrate mounting table 21, and the substrate S is heated. Next, while introducing 200 sccm of hydrogen gas from the reaction gas introduction means 15, the pressure valve of the turbo
設定温度が260℃未満、好ましくは200〜250℃となるように加熱した後、水素ガスの供給を停止して、成膜チャンバー2内を引き切り状態にする。なお、この場合基板温度は設定温度より数℃〜十数℃低い。次いで、成膜チャンバー2内の圧力が700Paになるようにようにし、反応ガス導入手段15から反応ガスとしてのN2ガスを10〜2000sccm条件で非金属パイプ111(又は2重パイプ)へ導入する。同時に、マイクロ波供給手段14により投入パワーを0.1〜5kW(好ましくは0.5kW)としてマグネトロン141からマイクロ波が発振され、このマイクロ波が、同軸ケーブル144を通ってアンテナ143に到達し、同軸型共振キャビティ11内に供給され、N2ガスが露出部111aの領域においてプラズマ状態に変化し、プラズマ化したN2ガスとして反応ガス導入室12へ供給される。
After heating so that the set temperature is less than 260 ° C., preferably 200 to 250 ° C., the supply of hydrogen gas is stopped, and the inside of the
続いて、例えば原料タンク162内の原料Zr(BH4)4200gに対しArのバブリングガス100sccmを導入し、バブリングして得たZr(BH4)4ガスからなる原料ガスを、原料ガス導入管133から導入する。所定の成膜時間後(例えば2分)成膜を行った後、原料ガスの供給を停止する。マイクロ波の供給を停止し、N2ガスの供給も停止し、その後、成膜チャンバー2を引き切り状態にする。
Subsequently, for example, 100 sccm of Ar bubbling gas is introduced into 200 g of the raw material Zr (BH 4 ) 4 in the
ALD法の場合、反応ガスと原料ガスとの供給のタイミングをずらすものであり、CVD法の場合とガス導入までは同一である。成膜チャンバー2内の圧力が700Paになるようにようにした後に、吸着工程を行う。まず、例えば原料タンク162内の原料Zr(BH4)4200gに対しArのバブリングガス100sccmを導入し、バブリングして得たZr(BH4)4ガスからなる原料ガスを、原料ガス導入管133から導入する。所定の時間、成膜対象物に対して吸着せしめた後、原料ガスの供給を停止する。次いで、反応工程を行う。反応ガス導入手段15から反応ガスとしてのN2ガスを10〜2000sccm条件で非金属パイプ111(又は2重パイプ)へ導入する。同時に、マイクロ波供給手段14により投入パワーを0.1〜5kW(好ましくは0.5kW)としてマグネトロン141からマイクロ波が発振され、このマイクロ波が、同軸ケーブル144を通ってアンテナ143に到達し、同軸型共振キャビティ11内に供給され、N2ガスが露出部111aの領域においてプラズマ状態に変化し、プラズマ化したN2ガスとして反応ガス導入室12へ供給される。続いて、マイクロ波の供給を停止し、N2ガスの供給も停止し、その後、吸着工程を再度行い、所望の厚さになるまで工程を繰り返す。なお、上記ではマイクロ波の供給を反応工程ごとに停止したが、吸着工程及び反応工程を通してマイクロ波を供給し続けてもよい。この場合も、上記のように、導電性材料上に成膜された部分では、ZrBN膜は導電性の性質を示し、絶縁性材料上に成膜された部分では、ZrBN膜は絶縁性の性質を示す。
In the case of the ALD method, the supply timing of the reaction gas and the raw material gas is shifted, and the process up to the gas introduction is the same as in the case of the CVD method. After the pressure in the
かかるZrBN膜をバリア膜として用いる多層配線構造について、図4を用いて以下説明する。図4(a)〜(d)は、多層配線構造の作製工程を説明するための多層配線構造の断面図である。図5(a)〜(e)に示された構成要素と同一の構成要素については、同一の符号を示す。 A multilayer wiring structure using such a ZrBN film as a barrier film will be described below with reference to FIG. FIGS. 4A to 4D are cross-sectional views of the multilayer wiring structure for explaining the manufacturing process of the multilayer wiring structure. The same components as those shown in FIGS. 5A to 5E are denoted by the same reference numerals.
まず、図5(a)に示された成膜対象物(図4(a)と同一のものである)に対して、上記のCVD法及びALD法に基づいてZrBN膜41をバリア膜として3〜20nm成膜する。
First, for the film formation target shown in FIG. 5A (the same as that shown in FIG. 4A), the
続いて、電気メッキ法等によりZrBN膜が形成されたホール56、配線溝57を埋設するように、かつ、第2の酸化シリコン膜55の平坦部551上にCu配線層59を形成する。このCu膜59表面に対してCMPにより表面平坦化処理を行い、配線溝57に埋め込まれずに配線溝から平坦部551の余分なCu配線材料を研磨する。ZrBN膜41は除去する必要がないので、これによって、従来のTa膜をバリア膜として用いた場合よりも簡易に、本発明の多層配線構造は作製することが可能である。また、得られた多層配線構造は、バリア膜が絶縁膜上に残ることがないので、性能が劣化しにくい。
以下、実験例により、本発明のバリア膜の物性について説明する。
Subsequently, a
Hereinafter, physical properties of the barrier film of the present invention will be described with reference to experimental examples.
(実験例1)
例えば原料タンク162内の原料Zr(BH4)4200gに対しArのバブリングガス100sccmを導入しバブリングして、Zr(BH4)4ガスからなる原料ガスを得て、マイクロ波パワー500W、成膜圧力700Paとし、その他の条件を以下に示すC1〜C5条件としてSiO2膜上にZrBN膜を形成し、SEMによって膜厚を確認し、また、シート抵抗値及び比抵抗を測定した。
C1条件:反応ガスとしてH2ガス100sccm、成膜時間2分、載置台温度240℃
C2条件:反応ガスとしてN2ガス100sccm、成膜時間2分、載置台温度260℃
C3条件:反応ガスとしてNH3ガス100sccm、成膜時間2分、載置台温度240℃
C4条件:反応ガスとしてN2ガス100sccm、成膜時間8分、載置台温度240℃
C5条件:反応ガスとしてN2ガス100sccm、成膜時間2分、載置台温度240℃
C6条件:反応ガスとしてN2ガス100sccm、成膜時間8分、載置台温度210℃
C7条件:反応ガスとしてN2ガス100sccm、成膜時間8分、載置台温度230℃
結果を、表1に示す。なお、各単位は、膜厚がnm、シート抵抗値がΩ/□、比抵抗がμΩcmである。
(表1)
(実験例2)
Cu膜上に、実験例1における条件C4及びC7と同一の条件でZrBN膜を形成し、それぞれ条件C8及びC9とした。得られたZrBN膜の膜厚をSEMによって確認し、また、得られたZrBN膜のシート抵抗値及び比抵抗を測定した。結果を表2に示す。
(表2)
以上の各実験例の条件C4及びC7とC8及びC9とを比較すると、ZrBN膜の物性が下地層により変化すること、即ち、下層膜が絶縁物であるSiO2膜である場合には、絶縁膜として機能し、他方で下層膜が導電性であるCu膜である場合には、導電膜として機能することが分かった。このことは、条件C6から、膜厚依存性がないことも明らかとなった。また、条件C2から温度が260℃となるとこのような選択性は現れず、また、条件C1及びC3からは、N2ガス以外のガスではかかる選択性は現れないことがわかった。
(Experimental example 1)
For example, 100 g of Ar bubbling gas is introduced into 200 g of the raw material Zr (BH 4 ) 4 in the
C1 conditions: H 2 gas 100 sccm as reaction gas,
C2 condition: N 2 gas 100 sccm as reaction gas,
C3 conditions: NH 3 gas 100 sccm as reaction gas,
C4 condition: N 2 gas 100 sccm as reaction gas, film formation time 8 minutes, mounting table temperature 240 ° C.
C5 conditions: N 2 gas 100 sccm as reaction gas,
C6 conditions: N 2 gas 100 sccm as reaction gas, film formation time 8 minutes, mounting table temperature 210 ° C.
C7 conditions: N 2 gas 100 sccm as reaction gas, film formation time 8 minutes, mounting table temperature 230 ° C.
The results are shown in Table 1. Each unit has a film thickness of nm, a sheet resistance value of Ω / □, and a specific resistance of μΩcm.
(Table 1)
(Experimental example 2)
On the Cu film, a ZrBN film was formed under the same conditions as the conditions C4 and C7 in Experimental Example 1, and the conditions were C8 and C9, respectively. The film thickness of the obtained ZrBN film was confirmed by SEM, and the sheet resistance value and specific resistance of the obtained ZrBN film were measured. The results are shown in Table 2.
(Table 2)
Comparing the conditions C4 and C7 with C8 and C9 in each of the above experimental examples, the physical properties of the ZrBN film change depending on the underlayer, that is, if the lower layer film is a SiO 2 film as an insulator, the insulation It has been found that when it is a Cu film that functions as a film and the lower layer film is conductive, it functions as a conductive film. This also became clear from the condition C6 that there was no film thickness dependency. Further, it has been found that such a selectivity does not appear when the temperature is 260 ° C. from the condition C2, and such a selectivity does not appear in the gas other than the N 2 gas from the conditions C1 and C3.
(実験例3)
実験例1のC4及び実験例2のC8により形成されたZrBN膜の組成をオージェ分析により確認した。結果を表3に示す。
(Experimental example 3)
The composition of the ZrBN film formed by C4 of Experimental Example 1 and C8 of Experimental Example 2 was confirmed by Auger analysis. The results are shown in Table 3.
(表3)
表3により得られた膜の組成は、同一であり、下層膜によって組成が変わらないことが確認された。
(Table 3)
The compositions of the films obtained from Table 3 were the same, and it was confirmed that the composition did not change depending on the lower layer film.
本発明によれば、CVD法又はALD法を実施して、ZrBNからなるバリア膜を形成できる。したがって、本発明は、半導体技術において利用可能である。 According to the present invention, a barrier film made of ZrBN can be formed by performing a CVD method or an ALD method. Therefore, the present invention can be used in semiconductor technology.
1 シャワーヘッド構造
2 成膜チャンバー
11 同軸型共振キャビティ
12 ガス導入室
13 シャワーヘッド部
13a 円盤状部材
13b リング状部材
13c シャワー板
13d シャワー板
14 マイクロ波供給手段
15 反応ガス導入手段
16 原料ガス導入手段
21 基板載置台
22 シールド
23 圧力計
24 ターボ分子ポンプ
41 ZrBN膜
51 Cu膜
52 キャップ層
53 第1シリコン酸化膜
54 窒化タンタル膜
55 第2シリコン酸化膜
56 ホール
57 配線溝
58 Ta膜
59 銅膜
111 非金属パイプ
111a 露出部
112 上部導体
113 下部導体
122 セラミックフランジ
123 固定具
123,124 固定具
131 反応ガス拡散室
132 反応ガス噴出孔
132 各反応ガス噴出孔
133 前記原料ガス導入管
133 原料ガス導入管
134 ガス通路
134a、134b ガス通路
134c、134d 接続孔
135 原料ガス拡散室
136 原料ガス噴出孔
141 マグネトロン
142 マイクロ波電源
143 アンテナ
144 同軸ケーブル
151 ガス管
152 流量制御手段
161 冷却ジャケット
162 原料タンク
163 マスフローコントローラー
551 平坦部
S 基板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1
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A multilayer wiring structure produced by the method for producing a multilayer wiring structure according to claim 5.
Priority Applications (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007047944A JP2008211079A (en) | 2007-02-27 | 2007-02-27 | Barrier film and forming method thereof, and multilayer interconnection structure and manufacturing method thereof |
CN2008800062867A CN101627459B (en) | 2007-02-27 | 2008-02-25 | Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus |
US12/528,811 US8043963B2 (en) | 2007-02-27 | 2008-02-25 | Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus |
CN2011102702679A CN102290372A (en) | 2007-02-27 | 2008-02-25 | Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus |
KR1020097020079A KR101181389B1 (en) | 2007-02-27 | 2008-02-25 | Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus |
PCT/JP2008/053163 WO2008105360A1 (en) | 2007-02-27 | 2008-02-25 | Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus |
KR1020117019031A KR20110099064A (en) | 2007-02-27 | 2008-02-25 | Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus |
TW097106539A TWI392025B (en) | 2007-02-27 | 2008-02-26 | Method and apparatus for manufacturing semiconductor device |
US13/273,612 US8367542B2 (en) | 2007-02-27 | 2011-10-14 | Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007047944A JP2008211079A (en) | 2007-02-27 | 2007-02-27 | Barrier film and forming method thereof, and multilayer interconnection structure and manufacturing method thereof |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008211079A true JP2008211079A (en) | 2008-09-11 |
Family
ID=39787111
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007047944A Pending JP2008211079A (en) | 2007-02-27 | 2007-02-27 | Barrier film and forming method thereof, and multilayer interconnection structure and manufacturing method thereof |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008211079A (en) |
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