JP2008210908A - Method for mounting electronic component - Google Patents

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恭弘 林
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    • H01L2224/83191Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for mounting an electronic component easy to display the anisotropic conductive performance of an anisotropic conductive film by using the anisotropic conductive film having a two-layer structure. <P>SOLUTION: When the electronic component is mounted by using the anisotropic conductive film with a first adhesive layer having a large number of conductive particles and a second adhesive layer laminated on one surface of the first adhesive layer, a heating is conducted from the first adhesive-layer side when at least the anisotropic conductive film is contact-bonded temporarily. It is preferable that the heating is conducted from the first adhesive-layer side when the electronic component is contact-bonded mainly after a temporary contact-bonding. It is preferable that a large number of the conductive particles are held to the first adhesive layer under the state mutually separating and regularly arraying the conductive particles. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、電子部品の実装方法に関するものである。   The present invention relates to an electronic component mounting method.

近年、ICチップやTABなどの電子部品を配線基板上に実装する方法として、異方性導電膜を用いる方法が知られている。   In recent years, a method using an anisotropic conductive film is known as a method for mounting an electronic component such as an IC chip or TAB on a wiring board.

上記実装方法では、一般に、基台上に載置した配線基板上に、圧着ヘッドで異方性導電膜を仮圧着した後、圧着ヘッドで電子部品を本圧着することにより、電子部品の実装を行うことが多い。この際、圧着時の加熱は、圧着ヘッドを通じて行われるのが通常である。   In the above mounting method, in general, an anisotropic conductive film is temporarily pressure-bonded onto a wiring board placed on a base with a pressure-bonding head, and then the electronic component is finally pressure-bonded with the pressure-bonding head, thereby mounting the electronic component. Often done. At this time, heating at the time of pressure bonding is usually performed through a pressure bonding head.

上記異方性導電膜としては、例えば、膜状に形成した接着樹脂中に多数の導電性粒子を分散させたものが広く普及している。   As the anisotropic conductive film, for example, a material in which a large number of conductive particles are dispersed in an adhesive resin formed in a film shape is widely used.

また、例えば、本件出願人による特許文献1には、孔部内に導電性粒子を充填した多孔質膜の両面に接着層を被覆した3層構造の異方性導電膜が提案されている。   For example, Patent Document 1 by the present applicant proposes an anisotropic conductive film having a three-layer structure in which an adhesive layer is coated on both sides of a porous film in which pores are filled with conductive particles.

また、本件出願人は、上記以外にも、多数の導電性粒子を有する接着層の片面に、導電性粒子を有していない接着層を積層した2層構造の異方性導電膜を開発し、既に特許出願も行っている。   In addition to the above, the applicant has developed an anisotropic conductive film having a two-layer structure in which an adhesive layer having no conductive particles is laminated on one side of an adhesive layer having a large number of conductive particles. Patent applications have already been filed.

国際公開第WO2005/096442号パンフレットInternational Publication No. WO2005 / 096442 Pamphlet

しかしながら、従来の実装方法では、2層構造の異方性導電膜が有する異方導電性能を十分に発揮させ難い場合があることが判明した。これは以下の理由によるものと考えられる。   However, it has been found that in the conventional mounting method, it may be difficult to sufficiently exhibit the anisotropic conductive performance of the anisotropic conductive film having a two-layer structure. This is thought to be due to the following reasons.

すなわち、異方導電性能の安定性を高める観点から、導電性粒子は、圧着前後でほとんど流動しないことが好ましい。これを実現するためには、2層構造の異方性導電膜では、導電性粒子を含む接着層材料に、高い溶融粘度を有する材料を用いることになる。   That is, from the viewpoint of improving the stability of anisotropic conductive performance, it is preferable that the conductive particles hardly flow before and after pressure bonding. In order to realize this, in the anisotropic conductive film having a two-layer structure, a material having a high melt viscosity is used as an adhesive layer material containing conductive particles.

ところが、このような設計とした場合、導電性粒子を有する接着層側を配線基板側として従来の実装方法を行うと、仮圧着時に、異方性導電膜を配線基板に十分に密着させることが困難になってしまう。この原因の一つとしては、圧着ヘッドにより加えた熱が、基台に吸収されてしまうことなどが考えられる。   However, in the case of such a design, when the conventional mounting method is performed with the adhesive layer side having conductive particles as the wiring board side, the anisotropic conductive film can be sufficiently adhered to the wiring board during temporary pressure bonding. It becomes difficult. One possible cause is that the heat applied by the crimping head is absorbed by the base.

また、これを防止しようとして、圧着ヘッドによる加熱温度を過度に高くすると、今度は導電性粒子を有さない側の接着層が流れてしまい、本圧着時にICチップのバンプ間などを埋めるのに必要な量の接着層を確保し難くなる。そのため、これによってICチップとの密着性の低下が生じ得る。   In order to prevent this, if the heating temperature by the crimping head is excessively high, the adhesive layer on the side that does not have conductive particles will flow and this will fill the gaps between the bumps of the IC chip during the final crimping. It becomes difficult to secure a necessary amount of the adhesive layer. Therefore, this may cause a decrease in adhesion with the IC chip.

このように、従来の実装方法では、密着性の低下に起因して、2層構造の異方性導電膜が有する異方導電性能を十分に発揮させ難かった。   As described above, in the conventional mounting method, it is difficult to sufficiently exhibit the anisotropic conductive performance of the two-layered anisotropic conductive film due to a decrease in adhesion.

本発明は、上記問題点を鑑みてなされたもので、2層構造の異方性導電膜を用いて、その異方導電性能を発揮させやすい電子部品の実装方法を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a mounting method for an electronic component that uses an anisotropic conductive film having a two-layer structure and easily exhibits its anisotropic conductive performance.

上記課題を解決するため、本発明に係る電子部品の実装方法は、多数の導電性粒子を有する第1の接着層と、上記第1の接着層の片面に積層された第2の接着層とを有する異方性導電膜を用いた方法であって、少なくとも上記異方性導電膜の仮圧着時に、上記第1の接着層側から加熱を行うことを要旨とする。   In order to solve the above problems, an electronic component mounting method according to the present invention includes a first adhesive layer having a large number of conductive particles, and a second adhesive layer laminated on one surface of the first adhesive layer. The method uses an anisotropic conductive film having heat treatment, and the gist is that heating is performed from the first adhesive layer side at least during temporary pressure bonding of the anisotropic conductive film.

ここで、上記実装方法では、上記仮圧着後に行われる上記電子部品の本圧着時に、上記第1の接着層側から加熱を行うと良い。   Here, in the mounting method, it is preferable that heating is performed from the first adhesive layer side at the time of the final pressure bonding of the electronic component performed after the temporary pressure bonding.

また、上記第2の接着層表面には、離型性を有する基材が積層されており、上記仮圧着後に、上記基材を剥離すると良い。   Moreover, the base material which has mold release property is laminated | stacked on the said 2nd contact bonding layer surface, and it is good to peel the said base material after the said temporary crimping | compression-bonding.

また、上記多数の導電性粒子は、互いに離間され、規則的に配列された状態で、上記第1の接着層に保持されていると良い。   The plurality of conductive particles may be held by the first adhesive layer in a state of being regularly spaced from each other.

また、上記多数の導電性粒子は、ほぼ同一平面内に存在すると良い。   Moreover, it is preferable that the plurality of conductive particles exist in substantially the same plane.

また、上記以外にも、上記多数の導電性粒子は、上記第1の接着層中に分散されていても良い。   In addition to the above, the plurality of conductive particles may be dispersed in the first adhesive layer.

また、上記第1の接着層は、第2の接着層よりもその仮圧着時の加熱温度における溶融粘度が高いことが好ましい。   Further, the first adhesive layer preferably has a higher melt viscosity at the heating temperature at the time of provisional pressure bonding than the second adhesive layer.

本発明に係る電子部品の実装方法では、多数の導電性粒子を有する第1の接着層と、第1の接着層の片面に積層された第2の接着層とを有する異方性導電膜を用いて電子部品を実装するにあたり、異方性導電膜の仮圧着時に、第1の接着層側から加熱を行う。   In the electronic component mounting method according to the present invention, an anisotropic conductive film having a first adhesive layer having a large number of conductive particles and a second adhesive layer laminated on one side of the first adhesive layer is provided. In mounting an electronic component by using, heating is performed from the first adhesive layer side during temporary pressure bonding of the anisotropic conductive film.

そのため、圧着前後で導電性粒子がほとんど流れない程度にまで、第1の接着層の溶融粘度が高く設定されている場合であっても、仮圧着時における異方性導電膜と配線基板と間の密着性が高くなる。   Therefore, even when the melt viscosity of the first adhesive layer is set high to such an extent that the conductive particles hardly flow before and after the crimping, the gap between the anisotropic conductive film and the wiring board during the temporary crimping is set. The adhesion of is increased.

また、仮圧着時に、第2の接着層が過度に加熱されることがないため、第2の接着層の流れを抑制できる。そのため、電子部品の本圧着時に必要な量の第2の接着層を確保しやすく、本圧着時における異方性導電膜と電子部品との間の密着性が高くなる。   Moreover, since the 2nd contact bonding layer is not heated too much at the time of temporary crimping | compression-bonding, the flow of a 2nd contact bonding layer can be suppressed. Therefore, it is easy to secure the amount of the second adhesive layer necessary for the main pressure bonding of the electronic component, and the adhesion between the anisotropic conductive film and the electronic component at the time of the main pressure bonding is increased.

したがって、上記電子部品の実装方法によれば、2層構造の異方性導電膜が有する異方導電性能を十分に発揮させやすくなる。   Therefore, according to the mounting method of the electronic component, the anisotropic conductive performance of the anisotropic conductive film having a two-layer structure can be sufficiently exhibited.

ここで、さらに、仮圧着後に行われる電子部品の本圧着時に、第1の接着層側から加熱を行った場合には、十分な密着性を確保しやすくなるため、接続信頼性の向上に寄与しやすくなる。   Here, when heating is performed from the first adhesive layer side during the final press-bonding of the electronic component performed after the temporary press-bonding, it becomes easy to ensure sufficient adhesion, contributing to the improvement of connection reliability. It becomes easy to do.

また、仮圧着時における異方性導電膜と配線基板との密着性に優れることから、第2の接着層表面に、離型性を有する基材が積層されており、上記仮圧着後に当該基材を剥離する場合に、当該基材だけを剥離しやすい。   In addition, since the adhesion between the anisotropic conductive film and the wiring board at the time of temporary pressure bonding is excellent, a base material having releasability is laminated on the surface of the second adhesive layer. When peeling a material, it is easy to peel only the said base material.

また、多数の導電性粒子が、互いに離間され、規則的に配列された状態で、第1の接着層に保持されている場合には、上記実装方法による効果と相まって、接続信頼性を向上させることができる。   In addition, when a large number of conductive particles are held in the first adhesive layer in a state of being regularly spaced from each other, the connection reliability is improved in combination with the effect of the mounting method. be able to.

一方、多数の導電性粒子が、第1の接着層中に分散されている場合には、上記ほどではないが、接続信頼性を向上させることができる。   On the other hand, when a large number of conductive particles are dispersed in the first adhesive layer, the connection reliability can be improved, although not as described above.

また、仮圧着時の加熱温度において、第1の接着層の溶融粘度が、第2の接着層の溶融粘度よりも高い場合には、上記実装方法による効果を得やすくなる。   In addition, when the melt viscosity of the first adhesive layer is higher than the melt viscosity of the second adhesive layer at the heating temperature at the time of temporary pressure bonding, the effect of the mounting method is easily obtained.

以下、本実施形態に係る電子部品の実装方法(以下、「本実装方法」ということがある。)について詳細に説明する。   Hereinafter, an electronic component mounting method according to the present embodiment (hereinafter also referred to as “the present mounting method”) will be described in detail.

本実装方法は、異方性導電膜を用いて電子部品を実装する方法である。本製造方法は、具体的には、例えば、回路パターンが形成された配線基板上に、異方性導電膜を介して、ICチップやTABなどの電子部品を実装する場合などに好適に適用することができる。   This mounting method is a method of mounting an electronic component using an anisotropic conductive film. Specifically, the present manufacturing method is suitably applied, for example, when an electronic component such as an IC chip or TAB is mounted on a wiring board on which a circuit pattern is formed via an anisotropic conductive film. be able to.

本実装方法では、2層構造の異方性導電膜を用いる。この異方性導電膜は、多数の導電性粒子を有する第1の接着層と、第1の接着層の片面に積層された第2の接着層とを備えている。なお、実装時には、第2の接着層側が電子部品側となるように配置される。   In this mounting method, an anisotropic conductive film having a two-layer structure is used. The anisotropic conductive film includes a first adhesive layer having a large number of conductive particles, and a second adhesive layer laminated on one surface of the first adhesive layer. At the time of mounting, the second adhesive layer side is disposed on the electronic component side.

第1の接着層および第2の接着層を構成する接着層材料としては、具体的には、例えば、各種の熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂やゴムなどを用いることができる。   Specific examples of the adhesive layer material constituting the first adhesive layer and the second adhesive layer include various thermosetting resins, thermoplastic resins, and rubbers.

両接着層材料としては、より具体的には、例えば、エポキシ系樹脂、メラミン系樹脂、フェノール系樹脂、ジアリルフタレート系樹脂、ビスマレイミドトリアジン系樹脂、不飽和ポリエステル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、フェノキシ系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、シアネート系樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリフェニレンオキシド系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリアセタール系樹脂、ポリビニルアセタール系樹脂、ポリエチレン系樹脂、ポリプロピレン系樹脂、ポリビニル系樹脂などの熱可塑性樹脂、ヒドロキシル基、カルボキシル基、ビニル基、アミノ基、エポキシ基などの官能基を1種または2種以上含むゴムやエラストマーなどを例示することができる。これらは1種または2種以上含まれていても良い。   More specifically, as both adhesive layer materials, for example, epoxy resins, melamine resins, phenol resins, diallyl phthalate resins, bismaleimide triazine resins, unsaturated polyester resins, polyurethane resins, phenoxy resins Thermosetting resins such as resins, polyamide resins, polyimide resins, cyanate resins, polyamide resins, polyester resins, polycarbonate resins, polyphenylene oxide resins, polyurethane resins, polyacetal resins, polyvinyl acetal resins, Examples include thermoplastic resins such as polyethylene resins, polypropylene resins, and polyvinyl resins, rubbers and elastomers containing one or more functional groups such as hydroxyl groups, carboxyl groups, vinyl groups, amino groups, and epoxy groups. Can Kill. These may be contained alone or in combination of two or more.

両接着層材料は、同一であっても良いし、異なっていても良い。好ましくは、両接着層の溶融粘度、弾性率などを調整しやすいなどの観点から、両接着層材料は、異なっていると良い。   Both adhesive layer materials may be the same or different. Preferably, the adhesive layer materials are different from the viewpoint of easy adjustment of the melt viscosity, elastic modulus and the like of both adhesive layers.

また、仮圧着時の加熱温度において、第1の接着層材料の溶融粘度は、第2の接着層材料の溶融粘度より大きいことが好ましい。仮圧着時の熱により、第1の接着層を流れ難くする、または、ほんど流れないようにして、導電性粒子の捕捉性を向上させやすくすることができるなどの利点があるからである。   Moreover, it is preferable that the melt viscosity of 1st contact bonding layer material is larger than the melt viscosity of 2nd contact bonding layer material in the heating temperature at the time of temporary crimping | compression-bonding. This is because there is an advantage that it is difficult to flow through the first adhesive layer due to heat at the time of temporary pressure bonding, or it is possible to easily improve the trapping property of the conductive particles by preventing the flow of the first adhesive layer.

なお、上記溶融粘度は、材料が硬化するものは硬化する前の状態における粘度である。   In addition, the said melt viscosity is a viscosity in the state before hardening for what hardens | cures material.

また、上記溶融粘度は、その接着層材料による試料(直径20mm、厚み400μm)を作製し、応力制御型レオメータ(例えば、ティー・エイ・インスツルメント・ジャパン(株)製、「AR500」などが上市されている。)を使用して、昇温速度5℃/分、周波数1Hz、歪み0.1%の測定条件にて、各温度毎の溶融粘度を測定することにより求めることができる。   In addition, the melt viscosity is obtained by preparing a sample (diameter 20 mm, thickness 400 μm) using the adhesive layer material, stress control rheometer (for example, “AR500” manufactured by T.A. Instruments Japan Co., Ltd.) Can be obtained by measuring the melt viscosity at each temperature under the measurement conditions of a temperature rising rate of 5 ° C./min, a frequency of 1 Hz, and a strain of 0.1%.

上記第1の接着層の厚みは、用いる導電性粒子の粒径、強度、製造性などを考慮して決定することができる。   The thickness of the first adhesive layer can be determined in consideration of the particle size, strength, manufacturability, and the like of the conductive particles used.

後述するように、第1の接着層の導電性粒子が規則的に配列されている場合には、具体的には、例えば、上記第1の接着層の厚みの上限は、好ましくは、上記導電性粒子の粒径の3/2倍以下、より好ましくは、上記導電性粒子の粒径の1倍以下、さらにより好ましくは、上記導電性粒子の粒径の2/3倍以下であると良い。   As will be described later, when the conductive particles of the first adhesive layer are regularly arranged, specifically, for example, the upper limit of the thickness of the first adhesive layer is preferably the conductive layer. 3/2 or less of the particle size of the conductive particles, more preferably 1 or less of the particle size of the conductive particles, and even more preferably 2/3 or less of the particle size of the conductive particles. .

一方、上記第1の接着層の厚みの下限は、好ましくは、上記導電性粒子の粒径の1/10倍以上、より好ましくは、上記導電性粒子の粒径の1/5倍以上、さらにより好ましくは、上記導電性粒子の粒径の1/3倍以上であると良い。   On the other hand, the lower limit of the thickness of the first adhesive layer is preferably 1/10 or more times the particle size of the conductive particles, more preferably 1/5 or more times the particle size of the conductive particles, More preferably, it is 1/3 times or more the particle diameter of the conductive particles.

第1の接着層の厚みが上記範囲内にある場合には、電子部品が有する導体(ICチップのバンプなど)が導電性粒子を押し潰す際に、第1の接着層がそれを阻害し難い。そのため、実装時に導電性粒子が捕捉されやすくなり、膜厚方向の導通性能を向上させやすくなる。   When the thickness of the first adhesive layer is within the above range, when the conductor (such as an IC chip bump) included in the electronic component crushes the conductive particles, the first adhesive layer is unlikely to hinder it. . Therefore, the conductive particles are easily captured during mounting, and the conduction performance in the film thickness direction is easily improved.

また、第2の接着層の厚みは、ICチップのバンプなど、電子部品が有する導体の高さや、圧着後における接着層材料による充填性などを考慮して決定することができる。   Further, the thickness of the second adhesive layer can be determined in consideration of the height of the conductor of the electronic component such as the bump of the IC chip, the filling property with the adhesive layer material after pressure bonding, and the like.

上記第2の接着層の厚みの上限は、好ましくは、実装する電子部品が有する導体の高さの3倍以下、より好ましくは、2倍以下、さらにより好ましくは、1.75倍以下であると良い。   The upper limit of the thickness of the second adhesive layer is preferably not more than 3 times the height of the conductor of the electronic component to be mounted, more preferably not more than 2 times, and even more preferably not more than 1.75 times. And good.

上記接着層の厚みの下限は、好ましくは、実装する電子部品が有する導体の高さの1倍以上、より好ましくは、1.2倍以上、さらにより好ましくは、1.3倍以上であると良い。   The lower limit of the thickness of the adhesive layer is preferably 1 or more times the conductor height of the electronic component to be mounted, more preferably 1.2 times or more, and even more preferably 1.3 times or more. good.

本実装方法に適用される異方性導電膜は、第1の接着層が、多数の導電性粒子を有している。   In the anisotropic conductive film applied to this mounting method, the first adhesive layer has a large number of conductive particles.

図1に例示した異方性導電膜10のように、多数の導電性粒子12は、互いに離間され、規則的に配列された状態で、第1の接着層14に保持されていても良い。また、図2に例示した異方性導電膜20のように、第1の接着層22中に、多数の導電性粒子24が、ランダムに分散されていても良い。なお、何れの異方性導電膜10、20の場合も、第2の接着層16は、導電性粒子を有していない。   As in the anisotropic conductive film 10 illustrated in FIG. 1, a large number of conductive particles 12 may be held by the first adhesive layer 14 in a state of being regularly spaced from each other. Further, as in the anisotropic conductive film 20 illustrated in FIG. 2, a large number of conductive particles 24 may be randomly dispersed in the first adhesive layer 22. In any of the anisotropic conductive films 10 and 20, the second adhesive layer 16 does not have conductive particles.

本実装方法に用いる異方性導電膜としては、本実装方法による効果と相まって、接続信頼性を向上させることができるなどの観点から、図1に例示した異方性導電膜が好適である。以下、この図1に例示した異方性導電膜について主に説明する。   As the anisotropic conductive film used in this mounting method, the anisotropic conductive film illustrated in FIG. 1 is preferable from the viewpoint that the connection reliability can be improved in combination with the effect of this mounting method. Hereinafter, the anisotropic conductive film illustrated in FIG. 1 will be mainly described.

上記規則的な配列としては、具体的には、例えば、格子状、千鳥状、ハニカム状などの配列、これら配列を傾斜させたものなどを例示することができる。好ましくは、千鳥状配列、傾斜をつけた千鳥状配列などである。   Specific examples of the regular array include, for example, an array such as a lattice, a staggered pattern, and a honeycomb, and an inclination of these arrays. Preferably, a staggered arrangement, an inclined staggered arrangement, or the like is used.

また、多数の導電性粒子は、ほぼ同一平面(第1の接着層面とほぼ平行な面)内に存在すると良い。この場合には、厚み方向に複数の導電性粒子が積み重ならない。そのため、厚み方向の導通に、導電性粒子同士の接触抵抗が関与せず、導通性能を向上させやすくなるからである。また、圧着時に積み重なった導電性粒子が、電子部品の導体と配線基板の配線パターンとの間から弾き出され、膜面方向の絶縁性を悪化させる心配も無くなるからである。   In addition, a large number of conductive particles are preferably present in substantially the same plane (a plane substantially parallel to the first adhesive layer surface). In this case, a plurality of conductive particles are not stacked in the thickness direction. Therefore, the contact resistance between the conductive particles is not involved in the conduction in the thickness direction, and the conduction performance is easily improved. In addition, the conductive particles stacked at the time of crimping are ejected from between the conductor of the electronic component and the wiring pattern of the wiring board, and there is no fear of deteriorating the insulation in the film surface direction.

また、導電性粒子の粒径の上限は、膜面方向の絶縁信頼性を向上させるなどの観点から、電子部品や配線基板が有する複数の導体の間隔のうち、最も狭いものよりも小さいことが好ましい。より好ましくは、最も狭いものの1/2以下であると良い。   In addition, the upper limit of the particle size of the conductive particles may be smaller than the narrowest of the intervals between the plurality of conductors of the electronic component or the wiring board from the viewpoint of improving the insulation reliability in the film surface direction. preferable. More preferably, it should be 1/2 or less of the narrowest.

上記導電性粒子の粒径の上限は、好ましくは、10μm以下、より好ましくは、7μm以下、さらにより好ましくは、5μm以下などである。   The upper limit of the particle size of the conductive particles is preferably 10 μm or less, more preferably 7 μm or less, and even more preferably 5 μm or less.

一方、上記導電性粒子の粒径の下限は、異方性導電膜の製造時に導電性粒子が凝集し難く、取扱い性が良好であるなどの観点から、好ましくは、1μm以上、より好ましくは、2μm以上、さらにより好ましくは、3μm以上などである。   On the other hand, the lower limit of the particle size of the conductive particles is preferably 1 μm or more, more preferably, from the viewpoint that the conductive particles are less likely to aggregate during the production of the anisotropic conductive film and the handleability is good. It is 2 μm or more, and more preferably 3 μm or more.

なお、上記導電性粒子の粒径は、粒度分布測定装置(セイシン企業製、「PITA−1」)にて測定した平均粒径である。   In addition, the particle diameter of the said electroconductive particle is an average particle diameter measured with the particle size distribution measuring apparatus (The Seishin company make, "PITA-1").

また、導電性粒子同士の間隔の上限は、膜厚方向の導通信頼性を向上させるなどの観点から、電子部品や配線基板が有する複数の導体の幅のうち、最も狭いものよりも小さいことが好ましい。より好ましくは、最も狭いものの1/2以下であると良い。   In addition, the upper limit of the interval between the conductive particles may be smaller than the narrowest width among the plurality of conductors of the electronic component or the wiring board from the viewpoint of improving the conduction reliability in the film thickness direction. preferable. More preferably, it should be 1/2 or less of the narrowest.

導電性粒子同士の間隔の上限は、好ましくは、30μm以下、より好ましくは、20μm以下、さらにより好ましくは、10μm以下などである。   The upper limit of the interval between the conductive particles is preferably 30 μm or less, more preferably 20 μm or less, and even more preferably 10 μm or less.

一方、導電性粒子同士の間隔の下限は、膜面方向の絶縁信頼性を向上させるなどの観点から、好ましくは、1μm以上、より好ましくは、2μm以上、さらにより好ましくは、3μm以上などである。   On the other hand, the lower limit of the interval between the conductive particles is preferably 1 μm or more, more preferably 2 μm or more, and even more preferably 3 μm or more, from the viewpoint of improving the insulation reliability in the film surface direction. .

図1および図2に示す導電性粒子の形態としては、具体的には、例えば、略球状(断面が略楕円形状のものも含む)、略柱状、紡錘状、針状などを例示することができる。好ましくは、規則的に配列させやすい、膜面方向の絶縁信頼性に優れる、均等に圧縮されやすいなどの観点から、導電性粒子の形態は、略球状であると良い。   Specific examples of the conductive particles shown in FIGS. 1 and 2 include, for example, a substantially spherical shape (including a substantially elliptical cross section), a substantially columnar shape, a spindle shape, and a needle shape. it can. Preferably, the form of the conductive particles is preferably substantially spherical from the viewpoints of easy regular arrangement, excellent insulation reliability in the film surface direction, and easy compression.

上記導電性粒子は、本圧着後に、膜厚方向を電気的に接続可能な導電性を備えておれば良い。   The conductive particles only need to have conductivity that allows the film thickness direction to be electrically connected after the main pressure bonding.

上記導電性粒子としては、具体的には、例えば、その表面から中心部まで導電性物質で満たされている粒子、高分子粒子の表面に1層または2層以上の導電性層が被覆されている粒子などを例示することができる。   Specific examples of the conductive particles include, for example, particles that are filled with a conductive substance from the surface to the center thereof, and the surface of the polymer particles that are coated with one or more conductive layers. The particle | grains etc. which can be illustrated can be illustrated.

好ましくは、後者の粒子を用いると良い。加圧により粒子が弾性変形しやすいため、本圧着後に、導体との接触面積が大きくなり、膜厚方向の導通性を確保しやすくなるからである。   The latter particles are preferably used. This is because the particles are easily elastically deformed by the pressurization, so that the contact area with the conductor is increased after the main pressure bonding, and the conductivity in the film thickness direction is easily secured.

より具体的には、例えば、前者の粒子の例として、金属粒子、カーボン粒子などを、後者の粒子の例として、樹脂粒子の表面に1層または2層以上の金属めっき層(電解めっき、無電解めっきなど)やスパッタ層などを有する粒子などを例示することができる。   More specifically, for example, as an example of the former particles, metal particles, carbon particles and the like are used, and as an example of the latter particles, one or two or more metal plating layers (electrolytic plating, Electrolytic plating etc.) and particles having a sputtered layer can be exemplified.

上記導電性物質、導電性層に適用可能な金属としては、具体的には、例えば、金、銀、白金属(白金、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、オスミニウム、イリジウム)、ニッケル、銅、亜鉛、鉄、鉛、錫、アルミニウム、コバルト、インジウム、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、ゲルマニウム、カドミウムなどの金属、錫−鉛合金、錫−銅合金、錫−銀合金、錫−鉛−銀合金などの2種以上の金属で構成される合金などを例示することができる。これらは1種または2種以上含まれていても良い。   Specific examples of metals that can be used in the conductive material and conductive layer include gold, silver, white metals (platinum, palladium, ruthenium, rhodium, osmium, iridium), nickel, copper, zinc, and iron. 2 such as lead, tin, aluminum, cobalt, indium, chromium, titanium, antimony, bismuth, germanium, cadmium, etc., tin-lead alloy, tin-copper alloy, tin-silver alloy, tin-lead-silver alloy, etc. Examples include alloys composed of more than one kind of metal. These may be contained alone or in combination of two or more.

上記高分子粒子に適用可能な高分子としては、具体的には、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリイソブチレン、ポリブタジエン、ポリアルキレンテレフタレート、ポリスルホン、ポリカーボネート、ポリアミド、フェノールホルムアルデヒド樹脂、メラミンホルムアルデヒド樹脂、ベンゾグアナミンホルムアルデヒド樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂、(メタ)アクリル酸エステル重合体、ジビニルベンゼン重合体、ジビニルベンゼン−スチレン共重合体やジビニルベンゼン−(メタ)アクリル酸エステル共重合体等のジビニルベンゼン系重合体などを例示することができる。これらは1種または2種以上含まれていても良い。なお、上記(メタ)アクリル酸エステルは、必要に応じて架橋されていても良い。   Specific examples of the polymer applicable to the polymer particles include polyethylene, polypropylene, polystyrene, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polytetrafluoroethylene, polyisobutylene, polybutadiene, polyalkylene terephthalate, polysulfone, Polycarbonate, polyamide, phenol formaldehyde resin, melamine formaldehyde resin, benzoguanamine formaldehyde resin, urea formaldehyde resin, (meth) acrylic acid ester polymer, divinylbenzene polymer, divinylbenzene-styrene copolymer and divinylbenzene- (meth) acrylic acid Examples thereof include divinylbenzene polymers such as ester copolymers. These may be contained alone or in combination of two or more. In addition, the said (meth) acrylic acid ester may be bridge | crosslinked as needed.

好ましくは、(メタ)アクリル酸エステル重合体、ジビニルベンゼン重合体、ジビニルベンゼン−スチレン共重合体やジビニルベンゼン−(メタ)アクリル酸エステル共重合体等のジビニルベンゼン系重合体などである。   Preferred are dimethybenzene-based polymers such as (meth) acrylic acid ester polymers, divinylbenzene polymers, divinylbenzene-styrene copolymers and divinylbenzene- (meth) acrylic acid ester copolymers.

さらに、上記導電性粒子の表面に、TiOなどの絶縁性の酸化物や上記高分子などによる絶縁層が1層または2層以上被覆された粒子などを用いても良い。もっとも、上記絶縁層は、本圧着後に、少なくとも導体に接した部分が破壊されて導通可能になる厚さとされている必要がある。このような粒子を用いた場合には、導体に接しない部分は絶縁層が破壊し難いため、膜面方向の絶縁性を向上させやすい。 Furthermore, particles in which one or two or more insulating layers made of an insulating oxide such as TiO 2 or the above polymer are coated on the surface of the conductive particles may be used. However, it is necessary that the insulating layer has a thickness at which at least a portion in contact with the conductor is broken and becomes conductive after the main pressure bonding. In the case where such particles are used, the insulating layer is difficult to break in the portion not in contact with the conductor, so that it is easy to improve the insulation in the film surface direction.

なお、図1および図2に示す異方性導電性膜は、上記した導電性粒子を1種または2種以上含んでいても良い。   Note that the anisotropic conductive film shown in FIGS. 1 and 2 may include one or more of the above-described conductive particles.

図1に示した異方性導電膜は、例えば、次のようにして得ることができる。   The anisotropic conductive film shown in FIG. 1 can be obtained, for example, as follows.

すなわち、規則的に配列された孔部を有する型に保持させた多数の導電性粒子を、第1の接着層材料より形成した平膜表面に転写する。   That is, a large number of conductive particles held in a mold having regularly arranged holes are transferred to a flat membrane surface formed from the first adhesive layer material.

次いで、転写した導電性粒子を平膜内に埋め込んで保持させ、互いに離間されて、規則的に配列された多数の導電性粒子を保持した第1の接着層を形成する。   Next, the transferred conductive particles are embedded and held in a flat film, and are separated from each other to form a first adhesive layer holding a large number of regularly arranged conductive particles.

次いで、この第1の接着層の何れか一方面に、第2の接着層を形成する。この際、第2の接着層の形成方法としては、具体的には、例えば、第2の接着層材料を適当な固形分量、粘度となるように調製した塗液を、コーターなどの公知の塗工手段を用いて第1の接着層表面に塗工し、必要に応じて乾燥させる方法、上記方法などにより予め作製しておいた膜状の第2の接着層を、第1の接着層表面に貼り合わせる方法などを例示することができる。   Next, a second adhesive layer is formed on any one surface of the first adhesive layer. At this time, as a method for forming the second adhesive layer, specifically, for example, a coating solution prepared by adjusting the second adhesive layer material so as to have an appropriate solid content and viscosity is applied to a known coating material such as a coater. The first adhesive layer surface is prepared by coating the surface of the first adhesive layer using a construction means, and drying the film as necessary. Examples of the method of attaching to the substrate can be given.

また、第1の接着層は、規則的に配列された多数の孔部を有する多孔質膜の孔部内に、導電性粒子を充填することにより形成することもできる。   The first adhesive layer can also be formed by filling conductive particles in the pores of a porous membrane having a number of regularly arranged pores.

この場合、上記多孔質膜は、規則的に配列された凸部を有する型を、第1の接着層材料より形成した平膜表面に押しつけるなどして形成することができる。また、他にも、疎水性および揮発性を有する有機溶媒と、この有機溶媒に可溶な第1の接着層材料と、界面活性剤とを含む溶液をキャストした支持体を高湿度雰囲気下に存在させることにより、溶液表面に結露した水滴を鋳型として孔部が形成された多孔質膜などであっても良い。   In this case, the porous film can be formed by pressing a mold having regularly arranged convex portions against the surface of the flat film formed from the first adhesive layer material. In addition, a support obtained by casting a solution containing a hydrophobic and volatile organic solvent, a first adhesive layer material soluble in the organic solvent, and a surfactant is placed in a high-humidity atmosphere. It may be a porous film in which pores are formed using water droplets condensed on the solution surface as a template.

上記孔部に導電性粒子を保持させる方法としては、具体的には、例えば、(1)導電性粒子自体またはその分散液を孔部形成面上に散布した後、刷毛、ブラシ、ブレードなどの擦り切り手段により擦り切り、孔部内に導電性粒子を入れる方法、(2)導電性粒子自体またはその分散液を孔部形成面上に散布した後、外部から磁力や振動を加え、孔部内に導電性粒子を入れる方法、(3)上記分散液中に上記型を浸漬する方法、(4)孔部形成面と一定距離離間させて板状部材を配置し、形成された隙間に、上記分散液を導入し、型・多孔質膜および/または板状部材をスライド移動させる方法、これらの組み合わせなどを例示することができる。   As a method for holding the conductive particles in the hole, specifically, for example, (1) after spraying the conductive particles themselves or a dispersion thereof on the hole forming surface, a brush, a brush, a blade, etc. A method of scrubbing with a scraping means and putting conductive particles in the hole, (2) After spraying the conductive particles themselves or a dispersion thereof on the hole forming surface, magnetic force or vibration is applied from the outside, and the hole is made conductive. A method of putting particles, (3) a method of immersing the mold in the dispersion, (4) placing a plate-like member spaced apart from the hole forming surface by a certain distance, and placing the dispersion in the gap formed Examples thereof include a method of introducing and slidingly moving the mold / porous membrane and / or the plate-like member, and a combination thereof.

導電性粒子を孔部内に物理的に押し込むので、導電性粒子をより確実に保持させやすい、保持させるのに要する時間が比較的短いなどの観点から、好ましくは、(1)の方法を用いるのが良い。より好ましくは、乾式で行うことができるなどの観点から、(1)の方法において粉末状の導電性粒子自体を用いるのが良い。さらに好ましくは、導電性粒子が孔部内に導入されやすくなるなどの観点から、(1)の方法において、孔部形成面と反対側から磁力により導電性粒子を孔部形成面に引きつけつつ、擦り切り手段により擦り切ると良い。   Since the conductive particles are physically pushed into the pores, the method (1) is preferably used from the viewpoint of easily holding the conductive particles more reliably and relatively short time required for holding. Is good. More preferably, from the viewpoint of being able to carry out by a dry method, it is preferable to use powdered conductive particles themselves in the method (1). More preferably, in the method (1), the conductive particles are attracted to the hole forming surface by a magnetic force from the side opposite to the hole forming surface from the viewpoint that the conductive particles are easily introduced into the hole. It is good to wear by means.

ここで、本実装方法は、少なくとも上記異方性導電膜の仮圧着時に、第1の接着層側から加熱を行う。   Here, in this mounting method, heating is performed from the first adhesive layer side at least when the anisotropic conductive film is temporarily pressed.

通常、実装装置は、図3、図4に示すように、配線パターン30が形成された配線基板32を載置する基台34と、バンプなどの導体36を有する電子部品38を圧着する圧着ヘッド40と備えている。   Usually, as shown in FIGS. 3 and 4, the mounting apparatus is a crimping head that crimps an electronic component 38 having a base 34 on which a wiring board 32 on which a wiring pattern 30 is formed and a conductor 36 such as a bump is mounted. 40.

このような実装装置を用いて仮圧着するには、図3に示すように、基台34上に載置された配線基板32上に、上記異方性導電膜10を配置(第1の接着層14が配線基板32側)し、圧着ヘッド40で異方性導電膜10を加圧することになる。なお、仮圧着時に、圧着ヘッド40を汚染しにくいなどの観点から、第2の接着層16表面には、離型性を有する基材42が積層されていると良い。   In order to perform temporary pressure bonding using such a mounting apparatus, as shown in FIG. 3, the anisotropic conductive film 10 is disposed on the wiring substrate 32 placed on the base 34 (first adhesion). Then, the anisotropic conductive film 10 is pressed by the pressure bonding head 40. In addition, it is preferable that a base material 42 having a releasability is laminated on the surface of the second adhesive layer 16 from the viewpoint of preventing contamination of the pressure-bonding head 40 during temporary pressure bonding.

この場合、第1の接着層側を加熱する方法としては、例えば、基台に設けられたヒータなどにより、基台を加熱する方法などを例示することができる。   In this case, as a method of heating the first adhesive layer side, for example, a method of heating the base with a heater or the like provided on the base can be exemplified.

従来は、仮圧着に必要な熱は、圧着ヘッドから供給していた。これに対し、本実装方法では、仮圧着に必要な熱を基台などから供給し、第1の接着層側を加熱することで、異方性導電膜と配線基板との密着性を高めることができる。また、第2の接着層も流れ難くなり、本圧着時に異方性導電膜と電子部品との密着性も高めることができる。   Conventionally, the heat required for temporary crimping has been supplied from the crimping head. On the other hand, in this mounting method, heat necessary for temporary pressure bonding is supplied from a base or the like, and the first adhesive layer side is heated to improve the adhesion between the anisotropic conductive film and the wiring board. Can do. In addition, the second adhesive layer is difficult to flow, and the adhesion between the anisotropic conductive film and the electronic component can be improved during the main press bonding.

この仮圧着時に、圧着ヘッドは、加熱されていないことが好ましい。第1の接着層から第2の接着層へ伝わる熱を、圧着ヘッドが吸収しやすくなるので、第2の接着層が流れ難くなり、本圧着時に有利だからである。とりわけ、第2の接着層の溶融粘度が、第1の接着層の溶融粘度よりも小さい場合に、その効果が大きくなる。   It is preferable that the crimping head is not heated during the temporary crimping. This is because the heat transferred from the first adhesive layer to the second adhesive layer is easily absorbed by the pressure-bonding head, so that the second adhesive layer is difficult to flow and is advantageous during the main pressure bonding. In particular, the effect is increased when the melt viscosity of the second adhesive layer is smaller than the melt viscosity of the first adhesive layer.

もっとも、本発明による効果を損なわない範囲内であれば、上記仮圧着時に、圧着ヘッドに熱がついていても良い。上記熱は、自然についたものであっても良いし、加熱されてついたものであっても良い。この場合には、第1の接着層側の温度よりも第2の接着層側の温度が低くなる。   However, as long as the effects of the present invention are not impaired, the pressure-bonding head may be heated during the temporary pressure bonding. The heat may be naturally attached or heated. In this case, the temperature on the second adhesive layer side is lower than the temperature on the first adhesive layer side.

上記仮圧着時における、第1の接着層側の加熱温度は、第1の接着層材料などによって異なる。基本的には、第1の接着層材料が、配線基板と密着を発現する温度であれば良い。好ましくは、上記密着を発現する最低温度近傍の温度であると良い。第1の接着層側の加熱温度を過度に高くすれば、仮圧着時に第2の接着層が流れやすくなってしまうからである。   The heating temperature on the first adhesive layer side at the time of the temporary pressure bonding varies depending on the first adhesive layer material and the like. Basically, the first adhesive layer material may be at a temperature at which adhesion with the wiring substrate is exhibited. Preferably, the temperature is in the vicinity of the lowest temperature at which the adhesion is exhibited. This is because if the heating temperature on the first adhesive layer side is excessively increased, the second adhesive layer tends to flow during temporary pressure bonding.

本実装方法では、上記加熱温度としては、好ましくは、80℃〜120℃、より好ましくは、100℃〜110℃の範囲内などを挙げることができる。   In the mounting method, the heating temperature is preferably in the range of 80 ° C. to 120 ° C., more preferably in the range of 100 ° C. to 110 ° C.

また、仮圧着時の加圧力は、特に限定されることはなく、通常の仮圧着時に用いられる加圧力とすれば良い。   Moreover, the applied pressure at the time of temporary pressure bonding is not particularly limited, and may be a pressure applied at the time of normal temporary pressure bonding.

通常、仮圧着時の加圧力は、0.1〜1.0MPa程度の範囲内である。   Usually, the applied pressure at the time of temporary pressure bonding is in the range of about 0.1 to 1.0 MPa.

本実装方法では、上記仮圧着後に、本圧着が行われる。   In the present mounting method, the final pressure bonding is performed after the temporary pressure bonding.

上記本圧着では、例えば、図4に示すように、配線基板32上に仮圧着された異方性導電膜10の第2の接着層16表面に、ICチップなどの電子部品38を配置する。その後、電子部品38を、圧着ヘッド40で加圧することになる。   In the main compression bonding, for example, as shown in FIG. 4, an electronic component 38 such as an IC chip is disposed on the surface of the second adhesive layer 16 of the anisotropic conductive film 10 temporarily bonded onto the wiring substrate 32. Thereafter, the electronic component 38 is pressurized by the crimping head 40.

なお、離型性を有する基材42が第2の接着層16表面に積層されている場合には、上記仮圧着後、本圧着に入る前に剥離すれば良い。この際、本実装方法では、仮圧着時における異方性導電膜と配線基板との密着性に優れることから、当該基材だけを剥離することができる。   In addition, when the base material 42 having releasability is laminated on the surface of the second adhesive layer 16, it may be peeled off after the provisional pressure bonding and before entering the main pressure bonding. At this time, in this mounting method, since the adhesiveness between the anisotropic conductive film and the wiring board at the time of temporary pressure bonding is excellent, only the base material can be peeled off.

この本圧着時に必要な熱は、第1の接着層側から供給しても良いし、第2の接着層側から供給しても良い。また、両側から供給しても良い。   The heat necessary for the main pressure bonding may be supplied from the first adhesive layer side or from the second adhesive layer side. Moreover, you may supply from both sides.

この場合、第1の接着層側を加熱する方法としては、例えば、基台に設けられたヒータなどにより、基台を加熱する方法などを例示することができる。第2の接着層側を加熱する方法としては、例えば、圧着ヘッドに設けられたヒータなどにより加熱する方法などを例示することができる。   In this case, as a method of heating the first adhesive layer side, for example, a method of heating the base with a heater or the like provided on the base can be exemplified. As a method of heating the second adhesive layer side, for example, a method of heating with a heater or the like provided in the crimping head can be exemplified.

本圧着後に、十分な密着性を確保しやすく、接続信頼性の向上に寄与しやすいなどの観点から、好ましくは、少なくとも第1の接着層側から加熱を行うのが良い。この場合には、第1の接着層側の温度よりも第2の接着層側の温度が低くなる。   From the viewpoint of easily securing sufficient adhesion after the main pressure bonding and contributing to improvement of connection reliability, it is preferable to heat at least from the first adhesive layer side. In this case, the temperature on the second adhesive layer side is lower than the temperature on the first adhesive layer side.

上記本圧着時における、第1の接着層側の加熱温度は、第1の接着層材料などによって異なる。   The heating temperature on the first adhesive layer side during the main press-bonding varies depending on the first adhesive layer material and the like.

上記本圧着時の加熱温度は、特に限定されることはなく、通常の本圧着時に用いられる温度とすれば良い。   The heating temperature at the time of the main pressure bonding is not particularly limited, and may be a temperature used at the time of normal main pressure bonding.

上記本圧着時の加熱温度としては、好ましくは、160〜210℃、より好ましくは、160〜180℃の範囲内などを挙げることができる。   The heating temperature at the time of the main press-bonding is preferably 160 to 210 ° C, more preferably 160 to 180 ° C.

また、本圧着時の加圧力は、特に限定されることはなく、通常の本圧着時に用いられる加圧力とすれば良い。   Further, the pressure applied during the main pressure bonding is not particularly limited, and may be a pressure used during normal main pressure bonding.

通常、本圧着時の加圧力は、50〜150MPa程度の範囲内である。   Usually, the applied pressure at the time of main press-bonding is in the range of about 50 to 150 MPa.

以下、実施例を用いて本発明を詳細に説明する。   Hereinafter, the present invention will be described in detail using examples.

1.異方性導電膜の準備
初めに、本実装方法に適用するための異方性導電膜を、以下の手順により準備した。
1. Preparation of Anisotropic Conductive Film First, an anisotropic conductive film to be applied to this mounting method was prepared by the following procedure.

すなわち、アルコール可溶ポリアミド系樹脂23.39重量部と、フェノキシ系樹脂(東都化成(株)製、「EFR−0010M30」)25.16重量部と、エポキシ系樹脂(東都化成(株)製、「FX289EK75」)4.9重量部と、エポキシ系樹脂(東都化成(株)製、「FX305EK70」)2.67重量部と、メラミン系樹脂(三和ケミカル(株)製、「ニカラックMX−750」)1.37重量部と、硬化剤(四国化成(株)製、「C11Z」)0.38重量部と、硬化剤(三菱ガス化学(株)製、「F−TMA」)0.57重量部と、メタノール24.26重量部と、トルエン48.05重量部と、メチルセロソルブ69.2重量部とを混合し、第1の接着層形成溶液を調製した。   That is, 23.39 parts by weight of an alcohol-soluble polyamide resin, 25.16 parts by weight of a phenoxy resin (manufactured by Toto Kasei Co., Ltd., “EFR-0010M30”), and an epoxy resin (manufactured by Toto Kasei Co., Ltd.) 4.9 parts by weight of “FX289EK75”), 2.67 parts by weight of epoxy resin (manufactured by Tohto Kasei Co., Ltd., “FX305EK70”), and melamine resin (manufactured by Sanwa Chemical Co., Ltd., “Nicarac MX-750”). ] 1.37 parts by weight, 0.38 parts by weight of a curing agent (“C11Z” manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd.) and 0.57 of a curing agent (“F-TMA” manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc.) 1 part by weight, 24.26 parts by weight of methanol, 48.05 parts by weight of toluene, and 69.2 parts by weight of methyl cellosolve were mixed to prepare a first adhesive layer forming solution.

次いで、コンマコーターを用い、連続的に供給される基材(ポリエチレンテレフタレート、厚み38μm、リンテック(株)製「PET38X」)の離型面に、上記第1の接着層形成溶液を塗工した。   Next, using a comma coater, the first adhesive layer forming solution was applied to the release surface of a continuously supplied base material (polyethylene terephthalate, thickness 38 μm, “PET38X” manufactured by Lintec Corporation).

次いで、この塗工層を160℃で90秒間乾燥させ、ポリアミド系樹脂とフェノキシ系樹脂とを主成分とする樹脂よりなる平膜(厚み2μm)を形成した。その後、この平膜の表面に、基材(ポリエチレンテレフタレート、厚み75μm、リンテック(株)製、「PET75C」)の離型面を合わせて巻き取った。   Next, this coating layer was dried at 160 ° C. for 90 seconds to form a flat film (thickness 2 μm) made of a resin mainly composed of a polyamide-based resin and a phenoxy-based resin. Then, the release surface of the base material (polyethylene terephthalate, thickness 75 μm, manufactured by Lintec Co., Ltd., “PET75C”) was put on the surface of the flat film and wound up.

これにより、離型性を有する基材間に挟持された、ポリアミド系樹脂とフェノキシ系樹脂とを主成分とする樹脂製の平膜を用意した。   As a result, a resin-made flat film composed mainly of a polyamide-based resin and a phenoxy-based resin sandwiched between base materials having releasability was prepared.

次に、千鳥状に配列された多数の凹部(開口径5μm、凹深さ3.5μmの略円柱状、ピッチ=隣接する開口部の中心間の距離10μm)を有するNi電鋳型を用意した。   Next, a Ni electroforming mold having a large number of recesses arranged in a staggered pattern (a substantially cylindrical shape with an opening diameter of 5 μm and a recess depth of 3.5 μm, pitch = a distance between the centers of adjacent openings) of 10 μm was prepared.

次いで、ジビニルベンゼン系架橋樹脂よりなる粒子の表面に、Niめっき層、Auめっき層が順に被覆された、平均粒径4μmの樹脂めっき粒子(積水化学工業(株)、「ミクロパールAU−204」)を、上記Ni電鋳型の凹面上に広げた。   Next, resin plating particles having an average particle diameter of 4 μm (Sekisui Chemical Co., Ltd., “Micropearl AU-204”), in which the surfaces of particles made of a divinylbenzene-based crosslinked resin were coated with a Ni plating layer and an Au plating layer in order. ) Was spread on the concave surface of the Ni electroforming mold.

次いで、凹面と反対側に設置した永久磁石((株)西興産業製、フェライト磁石、1000ガウス)にて、樹脂めっき粒子を型に引きつけつつ、刷毛にて表面を擦り切り、凹部内に樹脂めっき粒子を導入した。   Next, with a permanent magnet installed on the opposite side of the concave surface (manufactured by Seiko Sangyo Co., Ltd., ferrite magnet, 1000 gauss), the resin plating particles are attracted to the mold, and the surface is scraped off with a brush to resin plating in the concave portion. Particles were introduced.

なお、凹部が形成されていない型表面に付着していた樹脂めっき粒子や、凹部に導入された樹脂めっき粒子に静電気力などで付着していた樹脂めっき粒子は、表面の擦り切りや、微粘着テープ((株)きもと製、「ビエーフルEP50」)を用いることで除去した。   Resin plating particles adhering to the mold surface where no recesses are formed or resin plating particles adhering to resin plating particles introduced into the recesses due to electrostatic force, etc. ("Bieful EP50" manufactured by Kimoto Co., Ltd.) was used for removal.

これにより、凹部一つにつき一つずつ樹脂めっき粒子を保持させたNi電鋳型を用意した。   Thus, a Ni electroforming mold was prepared in which resin plating particles were held one by one for each recess.

そして、一方の基材を剥離して露出させた平膜の表面と、Ni電鋳型の樹脂めっき粒子の保持面とを重ね合わせ、これを、温度120℃、加圧力0.1MPa、加熱加圧時間60秒の条件で、熱ラミネートし、室温まで冷却した後、当該型を取り除いた。   Then, the surface of the flat film exposed by peeling off one of the substrates and the holding surface of the resin plating particles of the Ni electromold are overlapped, and this is heated at a temperature of 120 ° C., a pressing force of 0.1 MPa, and heating and pressing. The laminate was heat laminated under the condition of 60 seconds, cooled to room temperature, and then the mold was removed.

これにより、Ni電鋳型の凹部に保持させた多数の樹脂めっき粒子を、上記平膜表面に転写した。なお、転写後の平膜表面上には、多数の樹脂めっき粒子が、互いに離間された状態で、約8°傾けられた千鳥状に規則的に配列されていた。   As a result, a large number of resin plating particles held in the recesses of the Ni electroforming mold were transferred to the flat film surface. In addition, on the surface of the flat film after the transfer, a large number of resin plating particles were regularly arranged in a zigzag manner inclined at about 8 ° while being separated from each other.

次に、上記転写後の平膜表面に基材(ポリエチレンテレフタレート、厚み38μm、リンテック(株)製「PET38C」)の離型面を重ね、これを、温度140℃、加圧力0.1MPa、加熱加圧時間60秒の条件で、熱ラミネートした。   Next, a release surface of a base material (polyethylene terephthalate, thickness 38 μm, “PET38C” manufactured by Lintec Corporation) is overlaid on the surface of the flat film after the transfer, and this is heated at a temperature of 140 ° C. and a pressure of 0.1 MPa. Thermal lamination was performed under the condition of a pressing time of 60 seconds.

これにより、転写された樹脂めっき粒子を、その規則的な配列を維持したまま平膜内に埋め込んで当該膜に保持させた。なお、樹脂めっき粒子は、転写面からその一部が僅かに突出しており、かつ、転写面と反対側の面にはその一部が露出されていない状態で膜に保持されていた。   As a result, the transferred resin plating particles were embedded in the flat film while maintaining the regular arrangement, and held on the film. The resin plating particles were held in the film in a state in which a part thereof slightly protruded from the transfer surface and a part thereof was not exposed on the surface opposite to the transfer surface.

以上により、互いに離間されて規則的に配列された多数の樹脂めっき粒子を保持する第1の接着層を形成した。なお、この第1の接着層は、離型性を有する基材間に挟持されている。   As described above, the first adhesive layer that holds a large number of resin plating particles regularly spaced apart from each other was formed. In addition, this 1st contact bonding layer is pinched | interposed between the base materials which have mold release property.

次に、ジシクロペンタジエン型エポキシ系樹脂(大日本インキ(株)製、「エピクロンHP7200HH」)90重量部と、ニトリルゴム(NBR)(日本ゼオン(株)製、「ニポール1072J」)10重量部と、硬化剤(旭化成ケミカルズ(株)製、「ノバキュアHXA3932HP」)187重量部とを、固形分量が42%となるようにトルエンにて希釈し、第2の接着層形成用溶液を調製した。   Next, 90 parts by weight of dicyclopentadiene type epoxy resin (Dainippon Ink Co., Ltd., “Epiclon HP7200HH”) and nitrile rubber (NBR) (Nippon Zeon Co., Ltd., “Nipol 1072J”) 10 parts by weight Then, 187 parts by weight of a curing agent (manufactured by Asahi Kasei Chemicals Co., Ltd., “Novacure HXA3932HP”) was diluted with toluene so that the solid content was 42%, to prepare a second adhesive layer forming solution.

次いで、コンマコーターを用い、連続的に供給される基材(ポリエチレンテレフタレート、厚み38μm、リンテック(株)製「PET38C」)の離型面に、上記第2の接着層形成用溶液を塗工した。   Next, using a comma coater, the second adhesive layer forming solution was applied to the release surface of a continuously supplied base material (polyethylene terephthalate, thickness 38 μm, “PET38C” manufactured by Lintec Corporation). .

次いで、この塗工層を110℃で90秒間乾燥させ、第2の接着層(厚み20μm)を形成した。その後、この第2の接着層の表面に、基材(ポリエチレンテレフタレート、厚み38μm、リンテック(株)製、「PET38B」)の離型面を合わせて巻き取った。   Subsequently, this coating layer was dried at 110 ° C. for 90 seconds to form a second adhesive layer (thickness 20 μm). Then, the release surface of the base material (polyethylene terephthalate, thickness 38 μm, manufactured by Lintec Corporation, “PET38B”) was put on the surface of the second adhesive layer and wound up.

以上により、離型性を有する基材間に挟持された第2の接着層を用意した。   As described above, the second adhesive layer sandwiched between the substrates having releasability was prepared.

次に、片側の基材を剥離して露出させた第1の接着層表面(樹脂めっき粒子の転写面側)と、同じく片側の基材を剥離して露出させた第2の接着層表面とを重ね合わせ、これを貼り合わせた。   Next, the first adhesive layer surface (transfer surface side of the resin plating particles) exposed by peeling off the substrate on one side, and the second adhesive layer surface exposed by peeling off the substrate on one side, Were stacked and pasted together.

上記の通りにして、互いに離間されて規則的に配列された多数の樹脂めっき粒子を保持する第1の接着層と、この第1の接着層の片面に積層された第2の接着層とを有する2層構造の異方性導電膜(厚み22μm)を準備した。なお、この異方性導電膜は、離型性を有する基材間に挟持されている。また、後述する実装では、上記異方性導電膜を3mm×17mmの大きさにカットして使用した。   As described above, the first adhesive layer that holds a large number of resin plating particles regularly spaced apart from each other, and the second adhesive layer laminated on one side of the first adhesive layer An anisotropic conductive film (thickness 22 μm) having a two-layer structure was prepared. The anisotropic conductive film is sandwiched between base materials having releasability. In the mounting described later, the anisotropic conductive film was cut into a size of 3 mm × 17 mm.

2.配線基板および電子部品の準備
厚み0.7mmのガラス基板表面に回路パターン(材質ITO、パターンピッチ30μm、パターン幅20μm)が形成された配線基板を準備した。
2. Preparation of Wiring Board and Electronic Component A wiring board having a circuit pattern (material ITO, pattern pitch 30 μm, pattern width 20 μm) formed on the surface of a 0.7 mm thick glass substrate was prepared.

また、電子部品として、Auバンプを有するICチップ(バンプ面積20μm×100μm、ピッチ30μm、バンプ高さ15μm)を準備した。   Also, an IC chip (bump area 20 μm × 100 μm, pitch 30 μm, bump height 15 μm) having Au bumps was prepared as an electronic component.

3.実施例および比較例に係る実装方法
(実施例1)
110℃に加熱した基台上に上記配線基板を載置した。次いで、第1の接着層(樹脂めっき粒子を含む)側の基材を剥離した上記異方性導電膜を、上記配線基板の回路パターン上に、第1の接着層側を配線基板側にして配置した。
3. Mounting Method According to Example and Comparative Example (Example 1)
The wiring board was placed on a base heated to 110 ° C. Next, the anisotropic conductive film from which the substrate on the first adhesive layer (including resin plating particles) side has been peeled is placed on the circuit pattern of the wiring board, with the first adhesive layer side being the wiring board side. Arranged.

なお、加熱温度を110℃としたのは、準備した異方性導電膜の第1の接着層がガラスと密着力を発現しうる最低温度近傍の温度であり、かつ、この温度であれば、準備した異方性導電膜の第2の接着層が流動可能であるからである。また、110℃における第1の接着層材料の溶融粘度は、2.0×10Pa・sであり、第2の接着層材料の溶融粘度は、3.0×10Pa・sである。 Note that the heating temperature was set to 110 ° C., which is a temperature in the vicinity of the lowest temperature at which the first adhesive layer of the prepared anisotropic conductive film can exhibit adhesion with glass, and at this temperature, This is because the prepared second adhesive layer of the anisotropic conductive film can flow. The melt viscosity of the first adhesive layer material at 110 ° C. is 2.0 × 10 4 Pa · s, and the melt viscosity of the second adhesive layer material is 3.0 × 10 2 Pa · s. .

次いで、圧着ヘッド(温度30℃)を用い、第2の接着層上の基材を介して、異方性導電膜を加圧(加圧力0.2MPa、加圧時間5秒)し、配線基板上に異方性導電膜を仮圧着した。なお、この際、圧着ヘッドは加熱を行っていない。   Next, a pressure bonding head (temperature: 30 ° C.) is used to pressurize the anisotropic conductive film through the base material on the second adhesive layer (pressurizing pressure: 0.2 MPa, pressing time: 5 seconds). An anisotropic conductive film was temporarily pressure-bonded thereon. At this time, the pressure-bonding head is not heated.

次いで、第2の接着層上の基材を剥離した。この際、仮圧着された異方性導電膜は、基材と一緒にとれてしまうことはなく、配線基板に十分に密着されていた。   Next, the base material on the second adhesive layer was peeled off. At this time, the temporarily pressure-bonded anisotropic conductive film was not taken together with the base material and was sufficiently adhered to the wiring board.

次いで、基台の加熱温度を110℃から80℃とし、仮圧着された異方性導電膜上に、配線基板の回路パターンとICチップのAuバンプとが相対峙するように載置した。   Next, the heating temperature of the base was set to 110 ° C. to 80 ° C., and the circuit pattern of the wiring board and the Au bumps of the IC chip were placed on the preliminarily pressure-bonded anisotropic conductive film so as to face each other.

次いで、210℃に加熱した圧着ヘッドを用いて、上記ICチップの上部を加圧(加圧力80MPa、加圧時間10秒)して本圧着した。   Next, the upper part of the IC chip was pressed (pressurizing pressure 80 MPa, pressurizing time 10 seconds) using a pressure-bonding head heated to 210 ° C., and then pressure-bonded.

以上により、ICチップを配線基板上に実装した。   As described above, the IC chip was mounted on the wiring board.

(比較例1)
仮圧着までの間、基台を加熱しなかった点(基台温度は30℃)、仮圧着時に110℃に加熱された圧着ヘッドを用いた点以外は、上記実施例1に係る実装方法と同様にして、ICチップを配線基板上に実装した。
(Comparative Example 1)
The mounting method according to Example 1 above, except that the base was not heated until the temporary crimping (base temperature was 30 ° C.) and the crimping head heated to 110 ° C. was used during the temporary crimping. Similarly, the IC chip was mounted on the wiring board.

なお、この比較例1では、仮圧着後、第2の接着層上の基材を剥離時に、基材とともに異方性導電膜も一緒にとれてしまい、異方性導電膜を配線基板に十分に密着させることができなかった。そのため、異方性導電膜を押さえつけて第2の接着層上の基材を剥離し、本圧着動作に移行した。   In this comparative example 1, after temporary bonding, when the base material on the second adhesive layer is peeled off, the anisotropic conductive film is also removed together with the base material, and the anisotropic conductive film is sufficient for the wiring board. Could not be adhered to. Therefore, the anisotropic conductive film was pressed down, the base material on the second adhesive layer was peeled off, and the main pressing operation was performed.

4.評価
4.1 仮圧着後の第2の接着層の流れ量
実施例および比較例に係る実装方法において、上記仮圧着時に、第2の接着層上にある基材端部から流れ出た第2の接着層の縁部までの距離をマイクロスコープにて測定し、これを第2の接着層の流れ量(μm)とした。
4). Evaluation 4.1 Flow Rate of Second Adhesive Layer After Temporary Pressure Bonding In the mounting methods according to the example and the comparative example, the second flowing out from the end of the base material on the second adhesive layer at the time of the temporary pressure bonding. The distance to the edge of the adhesive layer was measured with a microscope, and this was defined as the flow rate (μm) of the second adhesive layer.

4.2 本圧着後の第2の接着層の充填状態
実施例および比較例に係る実装方法において、上記本圧着後、ガラス基板側から、マイクロスコープにて接着層の充填状態(ICチップ・ガラス基板間)を確認した。
4.2 Filling state of second adhesive layer after main press-bonding In the mounting method according to the example and the comparative example, after the main press-bonding, the filling state of the adhesive layer (IC chip / glass by a microscope from the glass substrate side) (Between substrates) was confirmed.

4.3 異方導電性能の評価
(異方導電性膜の膜厚方向における電気抵抗の測定)
上記実装方法により得られた各圧着体について、相対峙する回路パターン−Auバンプ間の電気抵抗を、抵抗率計(ダイアインスツルメンツ製、「ロレスタGP」)を用い、4端子4探針法により測定した。なお、試料数は、それぞれN=10[個]であり、算術平均による平均値を算出し、これを膜厚方向の電気抵抗とした。
4.3 Evaluation of anisotropic conductive performance (measurement of electrical resistance in the film thickness direction of anisotropic conductive film)
For each crimped body obtained by the above mounting method, the electrical resistance between the opposing circuit pattern and Au bump is measured by a four-terminal four-probe method using a resistivity meter ("Loresta GP" manufactured by Dia Instruments). did. In addition, the number of samples was N = 10 [pieces], respectively, an average value was calculated by arithmetic average, and this was set as the electric resistance in the film thickness direction.

(異方導電性膜の膜面方向における電気抵抗の測定)
上記実装方法により得られた各圧着体について、隣接する回路パターン間の電気抵抗を、テスターT2(AND社製、「AD5522」)を用いて測定した。なお、試料数は、それぞれN=10[個]であり、算術平均による平均値を算出し、これを膜面方向の電気抵抗とした。
(Measurement of electric resistance in the film surface direction of anisotropic conductive film)
About each crimping | compression-bonding body obtained by the said mounting method, the electrical resistance between adjacent circuit patterns was measured using tester T2 (the product made by AND, "AD5522"). The number of samples was N = 10 [pieces], and an average value was calculated by arithmetic average, and this was used as the electric resistance in the film surface direction.

5.結果
表1に、上記評価結果をまとめて示す。
5. Results Table 1 summarizes the evaluation results.

Figure 2008210908
Figure 2008210908

表1を相対比較すると次のことが分かる。すなわち、比較例1では、ICチップを実装するにあたり、2層構造を有する異方性導電膜の仮圧着時に、第2の接着層側から加熱を行っている。   A relative comparison of Table 1 shows the following. That is, in Comparative Example 1, when mounting an IC chip, heating is performed from the second adhesive layer side during temporary pressure bonding of an anisotropic conductive film having a two-layer structure.

そのため、異方性導電膜と配線基板とを十分に密着させることができなかった。この原因としては、基台により熱が吸収されて、第2の接着層に加わる熱が吸収されるなどしたためであると考えられる。   Therefore, the anisotropic conductive film and the wiring board cannot be sufficiently adhered. This is considered to be because heat is absorbed by the base and heat applied to the second adhesive layer is absorbed.

また、仮圧着時に、圧着ヘッドによる高熱によって第2の接着層が流れやすかった。そのため、本圧着後、ICチップのAuバンプ間に、第2の接着層を十分に充填させることができず、異方性導電膜とICチップとの密着性が低下した。   In addition, the second adhesive layer was likely to flow due to the high heat generated by the pressure bonding head during temporary pressure bonding. Therefore, the second adhesive layer could not be sufficiently filled between the Au bumps of the IC chip after the main pressure bonding, and the adhesion between the anisotropic conductive film and the IC chip was lowered.

それ故、2層構造の異方性導電膜が有する異方導電性能を十分に発揮させ難い結果となった。   Therefore, the anisotropic conductive performance of the anisotropic conductive film having a two-layer structure is hardly exhibited.

これに対し、実施例1では、ICチップを実装するにあたり、2層構造を有する異方性導電膜の仮圧着時に、第1の接着層側から加熱を行っている。   On the other hand, in Example 1, when mounting the IC chip, heating is performed from the first adhesive layer side during temporary pressure bonding of the anisotropic conductive film having a two-layer structure.

そのため、第1の接着層の溶融粘度が、第2の接着層の溶融粘度より高くても、異方性導電膜と配線基板とを十分に密着させることができた。   Therefore, even when the melt viscosity of the first adhesive layer is higher than the melt viscosity of the second adhesive layer, the anisotropic conductive film and the wiring board can be sufficiently adhered.

また、仮圧着による第2の接着層の流れを抑制することができた。そのため、本圧着後、ICチップのAuバンプ間に、第2の接着層を十分に充填させることができ、異方性導電膜とICチップとの密着性を向上させることができた。   Moreover, the flow of the 2nd contact bonding layer by temporary crimping was able to be suppressed. Therefore, after the main pressure bonding, the second adhesive layer can be sufficiently filled between the Au bumps of the IC chip, and the adhesion between the anisotropic conductive film and the IC chip can be improved.

それ故、2層構造の異方性導電膜が有する異方導電性能を十分に発揮させることができ、接続信頼性を向上させることができた。   Therefore, the anisotropic conductive performance of the anisotropic conductive film having a two-layer structure can be sufficiently exhibited, and the connection reliability can be improved.

以上、本発明の一実施形態、一実施例について説明したが、本発明は上記実施形態、実施例に何ら限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の改変が可能である。   Although one embodiment and one example of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above embodiment and example, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention. is there.

例えば、上記実施例では、互いに離間されて規則的に配列された多数の樹脂めっき粒子を保持する第1の接着層を有する異方性導電性膜を用いたが、これ以外にも、多数の細かな導電性粒子が分散された第1の接着層を有する異方性導電性膜を用いても、同様の効果を得ることができる。   For example, in the above embodiment, the anisotropic conductive film having the first adhesive layer that holds a large number of resin plating particles regularly spaced apart from each other is used. The same effect can be obtained even when an anisotropic conductive film having a first adhesive layer in which fine conductive particles are dispersed is used.

本実装方法に好適に適用可能な異方性導電膜の模式的な断面図の一例である。It is an example of typical sectional drawing of the anisotropic conductive film suitably applicable to this mounting method. 本実装方法に適用可能な異方性導電膜の模式的な断面図の一例である。It is an example of the typical sectional view of the anisotropic conductive film applicable to this mounting method. 仮圧着時の状態を模式的に示した図である。It is the figure which showed the state at the time of temporary press-bonding typically. 本圧着時の状態を模式的に示した図である。It is the figure which showed the state at the time of this press-bonding typically.

符号の説明Explanation of symbols

10 異方性導電膜
12 導電性粒子
14 第1の接着層
16 第2の接着層
20 異方性導電膜
22 第1の接着層
24 導電性粒子
30 配線パターン
32 配線基板
34 基台
36 導体
38 電子部品
40 圧着ヘッド
42 離型性を有する基材
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Anisotropic conductive film 12 Conductive particle 14 1st contact bonding layer 16 2nd contact bonding layer 20 Anisotropic conductive film 22 1st contact bonding layer 24 Conductive particle 30 Wiring pattern 32 Wiring board 34 Base 36 Conductor 38 Electronic component 40 Crimp head 42 Base material having releasability

Claims (7)

多数の導電性粒子を有する第1の接着層と、前記第1の接着層の片面に積層された第2の接着層とを有する異方性導電膜を用いた電子部品の実装方法であって、
少なくとも前記異方性導電膜の仮圧着時に、前記第1の接着層側から加熱を行うことを特徴とする電子部品の実装方法。
A method for mounting an electronic component using an anisotropic conductive film having a first adhesive layer having a large number of conductive particles and a second adhesive layer laminated on one side of the first adhesive layer. ,
A method of mounting an electronic component, wherein heating is performed from the first adhesive layer side at least when the anisotropic conductive film is temporarily crimped.
前記仮圧着後に行われる前記電子部品の本圧着時に、前記第1の接着層側から加熱を行うことを特徴とする請求項1に記載の電子部品の実装方法。   The method for mounting an electronic component according to claim 1, wherein heating is performed from the first adhesive layer side during the final pressure bonding of the electronic component performed after the temporary pressure bonding. 前記第2の接着層表面には、離型性を有する基材が積層されており、前記仮圧着後に、前記基材を剥離することを特徴とする請求項1または2に記載の電子部品の実装方法。   3. The electronic component according to claim 1, wherein a base material having releasability is laminated on the surface of the second adhesive layer, and the base material is peeled off after the temporary pressure bonding. 4. Implementation method. 前記多数の導電性粒子は、互いに離間され、規則的に配列された状態で、前記第1の接着層に保持されていることを特徴とする請求項1から3の何れかに記載の電子部品の実装方法。   4. The electronic component according to claim 1, wherein the plurality of conductive particles are held in the first adhesive layer in a state of being regularly spaced from each other. 5. How to implement 前記多数の導電性粒子は、ほぼ同一平面内に存在することを特徴とする請求項4に記載の電子部品の実装方法。   The electronic component mounting method according to claim 4, wherein the plurality of conductive particles exist in substantially the same plane. 前記多数の導電性粒子は、前記第1の接着層中に分散されていることを特徴とする請求項1から3の何れかに記載の電子部品の実装方法。   4. The electronic component mounting method according to claim 1, wherein the plurality of conductive particles are dispersed in the first adhesive layer. 前記第1の接着層は、前記第2の接着層よりもその仮圧着時の加熱温度における溶融粘度が高いことを特徴とする請求項1から6の何れかに記載の電子部品の実装方法。   The electronic component mounting method according to claim 1, wherein the first adhesive layer has a higher melt viscosity at a heating temperature at the time of provisional pressure bonding than the second adhesive layer.
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