JP2008207520A - Organic thin film, method for producing the same, electronic device, organic luminescence element, display device and lightening equipment - Google Patents

Organic thin film, method for producing the same, electronic device, organic luminescence element, display device and lightening equipment Download PDF

Info

Publication number
JP2008207520A
JP2008207520A JP2007048777A JP2007048777A JP2008207520A JP 2008207520 A JP2008207520 A JP 2008207520A JP 2007048777 A JP2007048777 A JP 2007048777A JP 2007048777 A JP2007048777 A JP 2007048777A JP 2008207520 A JP2008207520 A JP 2008207520A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
method
layer
thin film
organic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2007048777A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
秀雄 ▲高▼
Rie Katakura
Hiroshi Kita
Hideo Ko
Tatsuo Tanaka
弘志 北
利恵 片倉
達夫 田中
Original Assignee
Konica Minolta Holdings Inc
コニカミノルタホールディングス株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Konica Minolta Holdings Inc, コニカミノルタホールディングス株式会社 filed Critical Konica Minolta Holdings Inc
Priority to JP2007048777A priority Critical patent/JP2008207520A/en
Publication of JP2008207520A publication Critical patent/JP2008207520A/en
Application status is Pending legal-status Critical

Links

Images

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for producing an organic thin film comprising a process step of forming a film using a reaction solution containing a polymer of a polymerizable monomer, to provide an organic EL element having a long luminescence life and high efficacy of taking out quantum using the method, and to provide an electronic device and an organic EL element containing the organic thin film, and further to provide a display device and a lightning equipment comprising the organic EL element. <P>SOLUTION: The method for an organic thin film comprises a process step of giving energy to a reactive monomer to give a reaction solution containing a polymer of the reactive monomer and then forming a film using the reaction solution. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、有機薄膜、有機薄膜の製造方法、電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置に関する。 The present invention relates to an organic thin film, a method of manufacturing an organic thin film, electronic devices, organic electroluminescent element, a display device and a lighting device.

従来、発光型の電子ディスプレイデバイスとして、エレクトロルミネッセンスディスプレイ(以下、ELDともいう)がある。 Conventionally, an emission type electronic display device, an electroluminescence display (hereinafter, also referred to as ELD) is. ELDの構成要素としては、無機エレクトロルミネッセンス素子や有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、有機EL素子ともいう)が挙げられる。 The components of the ELD, an inorganic electroluminescent element and an organic electroluminescent device (hereinafter, also referred to as organic EL element). 無機エレクトロルミネッセンス素子は平面型光源として使用されてきたが、発光素子を駆動させるためには交流の高電圧が必要である。 Inorganic electroluminescent element has been used as a flat light source, but in order to drive the element requires a high voltage of alternating current.

一方、有機EL素子は、発光する化合物を含有する発光層を陰極と陽極で挟んだ構成を有し、発光層に電子及び正孔を注入して、再結合させることにより励起子(エキシトン)を生成させ、この励起子(エキシトン)が失活する際の光の放出(蛍光・燐光)を利用して発光する素子であり、数V〜数十V程度の電圧で発光が可能であり、更に自己発光型であるために視野角に富み、視認性が高く、薄膜型の完全固体素子であるために省スペース、携帯性等の観点から注目されている。 On the other hand, the organic EL element has a sandwich a light emitting layer containing a light emitting compound at the cathode and the anode structure, by injecting electrons and holes into the emitting layer, the exciton by recombination is generated, the exciton is an element that emits light by utilizing emission (fluorescence or phosphorescence) of light when a deactivated, is capable of emitting in several V~ several tens V voltage of about, further rich in viewing angle in order to be self-luminous, high visibility, space saving because a complete solid element of the thin film type, has attracted attention in view of portability or the like.

今後の実用化に向けた有機EL素子の開発としては、更に低消費電力で、効率よく高輝度に発光する有機EL素子が望まれている。 The development of an organic EL element for future practical use, yet low power consumption, the organic EL element which emits light efficiently high brightness is desired.

例えば、特許第3093796号公報には、スチルベン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体またはトリススチリルアリーレン誘導体に、微量の蛍光体をドープし、発光輝度の向上、素子の長寿命化を達成する技術が開示され、特開昭63−264692号公報には、8−ヒドロキシキノリンアルミニウム錯体をホスト化合物として、これに微量の蛍光体をドープした有機発光層を有する素子が開示されており、特開平3−255190号公報には、8−ヒドロキシキノリンアルミニウム錯体をホスト化合物として、これにキナクリドン系色素をドープした有機発光層を有する素子等が知られている。 For example, Japanese Patent No. 3093796 discloses, stilbene derivatives, the distyryl arylene derivatives or tris styrylarylene derivative, phosphor traces were doped, improving luminous brightness, a technique for achieving a long life of the devices disclosed, the JP-a 63-264692, 8-hydroxyquinoline aluminum complex as a host compound, this is a phosphor traces a are elements disclosed having a doped organic light-emitting layer, JP-a-3-255190 JP the, 8-hydroxyquinoline aluminum complex as a host compound, element or the like including an organic light-emitting layer doped with quinacridone type dye is known to this.

上記特許文献に開示されている技術では、励起一重項からの発光を用いる場合、一重項励起子と三重項励起子の生成比が1:3であるため発光性励起種の生成確率が25%であることと、光の取り出し効率が約20%であるため、外部取り出し量子効率(ηext)の限界は5%とされている。 In the technique disclosed in the above patent documents, when using the light emission from the singlet excited, generating ratio of singlet excitons and triplet excitons is 1: generation probability of an emitting exciton species is 3 25% and it is, because the light extraction efficiency is about 20%, the limit of external extraction quantum efficiency (ηext) is 5%.

ところが、M. However, M. A. A. Baldo et al. Baldo et al. ,nature、395巻、151〜154ページ(1998年)により、プリンストン大より、励起三重項からのリン光発光を用いる有機EL素子の報告がされて以来、M. , Nature, 395, pp. By 151 to 154 pages (1998), since from Princeton University, is reported organic EL element, employing phosphorescence through the excited triplet, M. A. A. Baldo et al. Baldo et al. ,nature、403巻、17号、750〜753ページ(2000年)、米国特許第6,097,147号明細書により、室温で燐光を示す材料の研究が活発になってきている。 , Nature, 403 Vol., No. 17, 750-753 pages (2000), by US Pat. No. 6,097,147, have come to be active research on materials exhibiting phosphorescence at room temperature.

更に、最近発見されたリン光発光を利用する有機EL素子では、以前の蛍光発光を利用する素子に比べ原理的に約4倍の発光効率が実現可能であることから、その材料開発を初めとし、発光素子の層構成や電極の研究開発が世界中で行われている。 Furthermore, in the organic EL device utilizing phosphorescence it discovered lately, since it is theoretically about four times luminous efficiency than the device utilizing the previous fluorescence can be realized, and the material developed, beginning research and development of the layer structure and the electrode of the light emitting element is made all over the world.

例えば、S. For example, S. Lamansky et al. Lamansky et al. ,J. , J. Am. Am. Chem. Chem. Soc. Soc. ,123巻、4304ページ(2001年)には、多くの化合物がイリジウム錯体系等重金属錯体を中心に合成検討がなされている。 , 123, pp. The 4304 pages (2001), many compounds synthesized and studied about the heavy metal complexes such as iridium complexes have been made.

また、有機EL素子は、電極と電極の間を厚さわずか0.1μm程度の有機材料の膜で構成するオールソリッド素子であり、なおかつその発光が2V〜20V程度の比較的低い電圧で達成できることから、次世代の平面ディスプレイや照明として期待されている技術である。 Further, the organic EL element is an all-solid element constituting a film of organic material only about the thickness 0.1μm between the electrode and the electrode, yet that the light emission can be achieved at a relatively low voltage of approximately 2V~20V from a technology which is expected as a planar display or illumination of the next generation.

更に、最近発見されたリン光発光を利用する有機ELでは、以前の蛍光発光を利用するそれに比べ原理的に約4倍の発光効率が実現可能であることから、その材料開発を初めとし、発光素子の層構成や電極の研究開発が世界中で行われている。 Further, in the organic EL utilize recently discovered phosphorescent, since it compared theoretically about four times the luminous efficiency of utilizing previous fluorescence is feasible, and the material development, beginning, emission research and development of the layer structure and the electrodes of the device have been made all over the world.

また、有機EL素子の構成は、透明電極と対抗電極に有機層が挟まれただけの単純なものであり、平面ディスプレイの代表である液晶ディスプレイに比べ、部品点数が圧倒的に少ないため、製造コストも低く抑えられるはずであるが、現状では必ずしもそうではなく、性能的にもコスト的にも液晶ディスプレイに大きく水をあけられている。 Further, since the structure of the organic EL device is as simple in which the organic layer is sandwiched between the transparent electrode and the counter electrode, compared with a liquid crystal display which is representative of the flat display, is overwhelmingly small number of parts, manufacturing Although it should cost can be kept low, not necessarily the case at present, are opened largely water on the liquid crystal display on the performance and cost manner also.

特にコストに対しては、生産性の悪さがその要因と考えられる。 Especially for cost, poor productivity is considered that factor.

現在商品化されている有機ELの殆どが、低分子材料を蒸着して成膜する、いわゆる蒸着法で製造されている。 Most organic EL that are currently commercialized, is deposited by depositing a low-molecular material, it is manufactured by a so-called vapor deposition method. この蒸着法は精製が容易な低分子化合物を有機EL材料を用いることができる(高純度材料が得やすい)こと、更に積層構造を作るのが容易なことから、効率、寿命という面で非常に優れている。 That this deposition method that can be used organic EL material easy low-molecular compound is purified (likely high purity material obtained), since the more easy to make laminated structures, efficient, highly in terms life Are better.

しかし、反面、10 -4 Pa以下という高真空条件下で蒸着を行うため、成膜する装置に制約が加わり、実際には小さい面積の基板にしか適用できず、さらに複数層積層するとなると成膜に時間がかかりスループットが低いことが欠点である。 However, other hand, in order to perform evaporation under high vacuum conditions of 10 -4 Pa or less, joined by constraints apparatus for forming, in practice can only be applied to the substrate in a small area, further comprising the plural layers laminated to form a film it is a disadvantage is low time-consuming throughput.

特に、照明用途や大面積の電子ディスプレイに適用する場合は問題となり、有機ELがそのようなアプリケーションに実用されていないひとつの原因となっている。 In particular, when applied to electronic display lighting applications and large area becomes a problem, causing the one organic EL is not practical in such applications.

一方、有機化合物層をスピンコート、インクジェット、印刷、スプレーといったプロセスで製造する塗布法は、常圧で薄膜を作製することできさらに大面積に均一な膜を作製するのに適しており、連続生産を可能とする手段のひとつとして、有機EL材料を含む溶液を用いた方法が提案されている。 On the other hand, spin coating an organic compound layer, ink jet, printing, coating method for producing a process such as spray is suitable for making uniform film further large area can be a thin film at normal pressure, continuous production as a means to enable a method using a solution containing an organic EL material has been proposed.

しかしながら、高い発光効率、長寿命を同時に達成するためには、複数の機能層を積層することが望ましい。 However, high luminous efficiency, in order to achieve a long life at the same time, it is desirable to laminate a plurality of functional layers. 塗布法を用いて複数の層を積層するためには下層が上層の塗布液に溶解しないことが条件だが、数十nmオーダーという非常に薄い膜に対しては、わずかに溶解性を示す溶剤であっても下層の膜の一部が溶け出し、または溶媒によって界面が乱れてしまうという問題が生じる。 To laminate a plurality of layers by a coating method but condition that lower layer does not dissolve in the upper layer of the coating solution for very thin film of several tens nm order, a solvent showing a slightly soluble even melted part of the underlying layer, or a problem that the interface is disturbed by the solvent occurs.

このような下層材料の上層へのコンタミや界面の乱れは、素子の発光効率の低下や素子寿命の劣化を引き起こすため、改善の必要があり、これらの問題を解決するため、例えば高分子材料を用いることが提案されている。 Upper contamination and interfacial disturbance to such underlying materials, to cause the deterioration of the decrease and device life of the light-emitting efficiency of the device, there is a need for improvement, in order to solve these problems, for example, a polymer material it has been proposed to be used.

しかし、一般的に高分子材料は精製が難しく、特に有機エレクトロルミネッセンス素子はごくわずかな不純物が素子の発光寿命を大きく低下させる原因になるため、適用が難しい。 In general, however, the polymeric materials are difficult to purify, since in particular organic electroluminescent device cause the negligible impurities greatly reduce the emission lifetime of the element, it is difficult to apply.

また、例えば、有機エレクトロルミネッセンス素子の構成層を製膜した後に、高分子量化するという技術があり、2つ以上のビニル基を有する材料を複数の層に添加する技術が開示され、重合反応は、陰極を積層する前の有機層製膜時点で紫外線や熱の照射で行う方法(例えば、特許文献1参照。)、同一層内の2分子間でディールスアルダー反応を起こさせて架橋させる製造方法(例えば、特許文献2参照。)等が挙げられる。 Further, for example, after it is deposited constituent layers of the organic electroluminescence element, there is technique of molecular weight, is a technique for adding material to a plurality of layers disclosed having two or more vinyl groups, the polymerization reaction the method of performing irradiation with ultraviolet rays or heat in the organic layer formation time before laminating the cathode (e.g., see Patent Document 1.) the production method of crosslinking by causing a Diels-Alder reaction between two molecules of the same layer (e.g., see Patent Document 2.), and the like.

上記の技術は、いずれも製膜時または製膜直後(陰極を付ける前)に重合反応を完結させる方法であるが、有機EL素子の耐久性向上という実用上の観点からは、まだ、不十分であり、更なる素子の耐久性向上技術が求められている。 The above technique is a method to complete the polymerization reaction (before attaching a cathode) both during film or immediately after film formation, from the viewpoint of practical use that durability of the organic EL element, yet, insufficient , and the durability technology further elements are required.
特開2001−297882号公報 JP 2001-297882 JP 特開2003−86371号公報 JP 2003-86371 JP

本発明の目的は、反応性モノマーの重合体を含有する反応溶液を用いて成膜する工程を有する有機薄膜の製造方法、該製造方法を用いて、外部取り出し量子効率が高く、且つ、発光寿命の長い有機EL素子を提供し、該有機薄膜を含む電子デバイス、有機EL素子、該有機EL素子を備えた表示装置、照明装置を提供することである。 An object of the present invention, a method of manufacturing an organic thin film comprising the step of depositing using a reaction solution containing the polymer of the reactive monomer, by using the manufacturing method, high external extraction quantum efficiency and light emission lifetime It provides long organic EL device having a display device including an electronic device, an organic EL element, an organic EL element including an organic thin film is to provide an illumination device.

本発明の上記目的は下記の構成1〜13により達成された。 The above object of the present invention have been achieved by the arrangement 1 to 13 below.

1. 1. 反応性モノマーにエネルギー付与して、該反応性モノマーの重合体を含有する反応溶液を調製し、該反応溶液を用いて成膜する工程を有することを特徴とする有機薄膜の製造方法。 And energy applied to the reactive monomer, the reaction solution containing the polymer of the reactive monomer were prepared and the method of manufacturing the organic thin film and a step of forming a film using the reaction solution.

2. 2. 前記エネルギー付与が光照射により行われることを特徴とする前記1に記載の有機薄膜の製造方法。 Method of manufacturing an organic thin film according to the 1, characterized in that said energy application is conducted by light irradiation.

3. 3. 前記エネルギー付与が加熱処理により行われることを特徴とする前記1に記載の有機薄膜の製造方法。 Method of manufacturing an organic thin film according to the 1, characterized in that said energy application is effected by heat treatment.

4. 4. 前記反応溶液に重合開始剤が含まれていないことを特徴とする前記1〜3のいずれか1項に記載の有機薄膜の製造方法。 The method of manufacturing an organic thin film according to any one of the 1 to 3, characterized in that the does not contain a polymerization initiator to the reaction solution.

5. 5. 前記反応溶液の含水量が100ppm以下であることを特徴とする前記1〜4のいずれか1項に記載の有機薄膜の製造方法。 The method of manufacturing an organic thin film according to any one of the 1 to 4, wherein the water content of the reaction solution is 100ppm or less.

6. 6. 前記反応溶液の溶存酸素量が100ppm以下であることを特徴とする前記1〜5のいずれか1項に記載の有機薄膜の製造方法。 The method of manufacturing an organic thin film according to any one of the 1 to 5, wherein the amount of dissolved oxygen in the reaction solution is 100ppm or less.

7. 7. 前記1〜6のいずれか1項に記載の有機薄膜の製造方法により製造されたことを特徴とする有機薄膜。 The organic thin film characterized by being manufactured by the manufacturing method of an organic thin film according to any one of the 1-6.

8. 8. 前記7に記載の有機薄膜を用いて形成されたことを特徴とする電子デバイス。 Electronic device characterized by being formed using an organic thin film according to the 7.

9. 9. 前記7に記載の有機薄膜を用いて形成されたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 The organic electroluminescent device characterized by being formed using an organic thin film according to the 7.

10. 10. リン光発光性化合物を含有することを特徴とする前記9に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 The organic electroluminescent device according to the 9, characterized in that it contains phosphorescent compound.

11. 11. 白色に発光することを特徴とする前記9または10に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 The organic electroluminescent device according to the 9 or 10, characterized in that emits white light.

12. 12. 前記9〜11のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたことを特徴とする表示装置。 Display apparatus comprising the organic electroluminescent element of any one of the above 9-11.

13. 13. 前記9〜11のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたことを特徴とする照明装置。 Lighting apparatus comprising the organic electroluminescent element of any one of the above 9-11.

本発明により、反応性モノマーの重合体を含有する反応溶液を用いて成膜する工程を有する有機薄膜の製造方法、該製造方法を用いて、外部取り出し量子効率が高く、且つ、発光寿命の長い有機EL素子を提供し、該有機薄膜を含む電子デバイス、有機EL素子、該有機EL素子を備えた表示装置、照明装置を提供することができた。 The present invention, a method of manufacturing an organic thin film comprising the step of depositing using a reaction solution containing the polymer of the reactive monomer, by using the manufacturing method, high external extraction quantum efficiency, and a long emission lifetime providing an organic EL device, a display device including an electronic device including the organic thin film, organic EL element, an organic EL element, it is possible to provide a lighting device.

本発明の有機薄膜の製造方法においては、請求項1〜6のいずれか1項に記載の構成を有することにより、反応性モノマーの重合体を含有する反応溶液を用いて成膜する工程を有する有機薄膜の製造方法を提供することができた。 In the method for producing an organic thin film of the present invention, by having the configuration according to any one of claims 1 to 6, comprising the step of depositing using a reaction solution containing the polymer of the reactive monomer it is possible to provide a method for producing an organic thin film.

該製造方法を用いて、有機薄膜を含む電子デバイス、有機EL素子、該有機EL素子を備えた表示装置、照明装置を提供することができた。 By using the manufacturing method, an electronic device including an organic thin film, a display device including organic EL elements, the organic EL element, it is possible to provide a lighting device.

以下、本発明に係る各構成要素の詳細について、順次説明する。 Hereinafter, details of each component according to the present invention will be sequentially described.

《有機薄膜の製造方法》 "A method of manufacturing an organic thin film"
本発明の有機薄膜の製造方法について説明する。 A method for producing an organic thin film of the present invention.

本発明者等は、上記の問題を種々検討した結果、有機EL素子の構成層の成膜過程に注目して検討を行った。 The present inventors, as a result of various studies of the aforementioned problems were investigated by focusing on the film formation process of the constituting layers of the organic EL element.

従来公知の有機EL素子の製造方法としては、真空蒸着法にて有機薄膜を製造する方法が一般的に用いられているが、従来の真空蒸着法では高真空が必要であり、製造可能な部材の大きさが限定されると同時に、部材の出し入れ工程が必要であり連続生産には不向きである。 As a method for producing conventional organic EL devices, a method for producing an organic thin film by a vacuum deposition method is generally used, in the conventional vacuum deposition method requires a high vacuum, manufacturable member at the same time the size of is limited, it is not suitable for loading and unloading process is required continuous production of members.

一方、連続生産を可能とする手段として、EL材料の溶液を用いた方法が提案されており、EL(エレクトロルミネッセンス)材料としては低分子材料、高分子材料を用いることが可能であるとされている。 On the other hand, as a means to enable continuous production, have been proposed methods using a solution of an EL material, the EL (electroluminescence) material is that it is possible to use low-molecular material, a polymeric material there.

しかしながら、背景技術でも述べたように、低分子材料を用いた塗布では、積層膜形成時に下層と上層の混合が押さえられず、高性能のEL素子を得ることは困難である。 However, as mentioned in the background art, in the coating using a low molecular material, the laminated film formed not pressed mixing of the lower layer and the upper layer at the time, it is difficult to obtain a high-performance EL element. また、高分子材料の場合には、積層膜の形成は可能になるものの、高分子製造時の触媒等を除去が難しく、これらがEL素子寿命を劣化させる一つの要因といわれている。 In the case of polymeric materials, although the formation of the multilayer film is made possible, it is difficult to remove the catalyst and the like at the time of polymer production, they are said to cause the one degrading the EL element life.

(反応溶液:反応性モノマーの重合体を含む溶液) (Reaction solution: a solution containing a polymer of a reactive monomer)
そこで、本発明者等は、有機EL素子材料(単に、EL材料ともいう)を合成する工程で反応性モノマーを用い、成膜前(成膜直前が好ましい)にエネルギー付与(により、前記反応性モノマーの重合体(重合物ともいう、また、単独重合体でも、共重合体でもよい))を形成することで、高純度の重合体が得られることを見出した。 Accordingly, the present inventors have organic EL device material (also simply referred to as EL material) with a reactive monomer in the process of synthesizing, energy deposition (by prior deposition (deposition immediately before is preferred), the reactive polymer of a monomer (also referred to as a polymer, also a homopolymer, which may be a copolymer) by forming a), we found that highly pure polymer is obtained.

(エネルギー付与手段) (Energy application means)
本発明に係るエネルギー付与手段としては、光照射(紫外線、赤外線、可視光線、電子線照射、中性子線照射、α線照射、X線照射等)、加熱処理等の付与手段を挙げることができるが、中でも、紫外線照射や加熱処理が好ましく用いられる。 The energy application device according to the present invention, light irradiation (UV, IR, visible light, electron beam radiation, neutron beam irradiation, alpha ray irradiation, X-ray irradiation, etc.), there may be mentioned application means such as heat treatment Among them, ultraviolet radiation or heat treatment is preferably used.

加熱処理としては、50℃〜200℃の範囲が好ましく、また、加熱時間は製造効率アップの観点から、1秒〜30分の範囲が好ましい。 As the heat treatment is preferably from 50 ° C. to 200 DEG ° C., heating time from the viewpoint of production efficiency up, the range of 1 second to 30 minutes are preferred.

また、紫外線処理に用いる光源としては、例えば、スポット光源 LIGHTNINGCURE LC8(浜松ホトニクス製)が挙げられる。 As the light source used for the ultraviolet treatment, for example, spot light source LIGHTNINGCURE LC8 (manufactured by Hamamatsu Photonics) can be mentioned.

(高純度の重合体) (High purity of the polymer)
本発明において、『高純度』とは、例えば、重合反応に用いる、従来公知の重合開始剤、連鎖移動剤、重合促進剤、重合反応停止剤、重合遅延剤等の重合体合成に用いられる、種々の添加剤を反応溶液が含まないことを意味する。 In the present invention, the term "high purity", for example, used in the polymerization reaction, conventionally known polymerization initiator, chain transfer agent, polymerization accelerator, a polymerization reaction terminator is used in polymer synthesis, such as polymerization retardant, various additives which means that it does not contain the reaction solution.

ここで、『種々の添加剤を含まない』とは、反応溶液において、前記添加剤の含有量が0.01質量%以下であることを意味し、好ましくは、0.01質量%以下である。 Here, "free of various additives", in the reaction solution, means that the content of said additive is not more than 0.01 wt%, preferably is 0.01 wt% or less .

反応溶液中の添加剤の含有量は、市販のLC−MS(液体クロマトグラフ−質量分析計)を用いて測定可能である。 Content of the additive in the reaction solution, a commercially available LC-MS - can be measured using a (liquid chromatograph mass spectrometer).

(反応溶液中の含水量) (Water content in the reaction solution)
本発明に係る反応溶液の含水量としては、100ppm以下であることが好ましく、更に好ましくは、50ppm以下である。 The water content of the reaction solution according to the present invention, preferably at 100ppm or less, more preferably is 50ppm or less.

ここで、反応溶液の含水量は、市販のカールフィッシャー水分計により分析することができる。 Here, the water content of the reaction solution can be analyzed by a commercially available Karl Fischer moisture meter.

(反応溶液中の溶存酸素量) (Amount of dissolved oxygen in the reaction solution)
本発明に係る反応溶液の溶存酸素量としては、100ppm以下であることが好ましく、更に好ましくは、50ppm以下である。 The dissolved oxygen content of the reaction solution according to the present invention, preferably at 100ppm or less, more preferably is 50ppm or less.

ここで、反応溶液の溶存酸素量は、市販の溶存酸素計により分析することができる。 Here, the dissolved oxygen content of the reaction solution can be analyzed by a commercially available dissolved oxygen meter.

(反応性モノマー) (Reactive monomer)
本発明に係る反応性モノマーについて説明する。 It described reactive monomer according to the present invention.

本発明に係る反応性モノマーは、重合反応性基を有する有機EL素子材料であり、後述する有機EL素子の構成層を形成する材料に重合反応性基を導入した化合物を用いることができる。 Reactive monomer according to the present invention is an organic EL element material having a polymerizable reactive group, it is possible to use a compound obtained by introducing a polymerizable reactive groups on the material forming the layers constituting the organic EL device to be mentioned.

ここで、重合反応性基とは、ラジカル重合反応、イオン重合反応、縮重合反応等を起こすことが可能な基であればよく、例えば、ビニル基、ビニルオキシ基、アクリロイル基、メタクリロイル基、メルカプト基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、シアネート基、イソシアネート基、チオシアネート基、イソチオシアネート基、オキシラン(エチレンオキシド)から導出される基(エポキシ基)、トリメチレンオキシド(オキセタン)から導出される基等を挙げることができる。 Here, the polymerizable group, a radical polymerization reaction, an ionic polymerization reaction, may be any capable of producing condensation polymerization reaction or the like group, e.g., vinyl group, vinyloxy group, an acryloyl group, a methacryloyl group, a mercapto group , hydroxy group, a carboxy group, a cyanate group, isocyanate group, thiocyanate group, isothiocyanate group, oxirane group derived from (ethylene oxide) (epoxy group), and the groups and the like derived from trimethylene oxide (oxetane) it can.

以下、反応性モノマーの具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。 Hereinafter, specific examples of the reactive monomer, the present invention is not limited thereto.

尚、上記の反応性モノマーの具体例の中で、化合物1−1〜1−26は、重合性反応基を有するホスト化合物として好ましく用いられ、化合物2−1〜2−33は、重合性反応基を有する発光ドーパント(単に、ドーパントともいう)として好ましく用いられる。 Incidentally, in the above-mentioned specific examples of the reactive monomer, compounds 1-1~1-26 preferably used as a host compound having a polymerizable reactive group, compounds 2-1~2-33, the polymerization reaction emitting dopant (also simply referred to as dopant) having a group is preferably used as a.

また、化合物3−1〜3−21は、重合性反応基を有する電子輸送材料として好ましく用いられ、化合物4−1〜4−20は、重合性反応基を有する正孔輸送材料として好ましく用いられる。 The compounds 3-1~3-21 preferably used as the electron-transporting material having a polymerizable reactive group, compounds 4-1~4-20 is preferably used as a hole-transporting material having a polymerizable reactive group .

上記の反応性モノマーは更に置換基を有していてもよく、該置換基としては、アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等)、シクロアルキル基(例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等)、アルケニル基(例えば、ビニル基、アリル基等)、アルキニル基(例えば、エチニル基、プロパルギル基等)、アリール基(例えば、フェニル基、ナフチル基等)、芳香族複素環基(例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、キナゾリニル基、カルバゾリル基、 The above reactive monomer may have a substituent, examples of the substituent include an alkyl group (e.g., methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, tert- butyl group, a pentyl group, a hexyl group , octyl group, dodecyl group, tridecyl group, tetradecyl group, etc. pentadecyl group), a cycloalkyl group (e.g., cyclopentyl, cyclohexyl), an alkenyl group (e.g., vinyl group, allyl group, etc.), an alkynyl group (e.g., ethynyl group, propargyl group), an aryl group (e.g., phenyl group, naphthyl group, etc.), aromatic Hajime Tamaki (e.g., furyl group, a thienyl group, a pyridyl group, pyridazinyl group, pyrimidinyl group, pyrazinyl group, triazinyl group, imidazolyl group, a pyrazolyl group, a thiazolyl group, a quinazolinyl group, a carbazolyl group, ルボリニル基、ジアザカルバゾリル基(前記カルボリニル基のカルボリン環を構成する任意の炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す)、フタラジニル基等)、複素環基(例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基、オキサゾリジル基等)、アルコキシ基(例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等)、シクロアルコキシ基(例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等)、アリールオキシ基(例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等)、アルキルチオ基(例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等)、シク Ruboriniru group, (indicating that one of any of the carbon atoms constituting the carboline ring of the carbolinyl group is replaced with a nitrogen atom) diazacarbazole carbazolyl group, a phthalazinyl group), a Hajime Tamaki (e.g., a pyrrolidyl group, imidazolidyl group, morpholyl group, oxazolidyl group), an alkoxy group (e.g., methoxy group, ethoxy group, propyloxy group, a pentyloxy group, hexyloxy group, octyloxy group, dodecyloxy group, etc.), cycloalkoxy group (e.g., cyclopentyloxy group, cyclohexyloxy group, etc.), an aryloxy group (e.g., phenoxy group, naphthyloxy group, etc.), an alkylthio group (e.g., methylthio group, ethylthio group, propylthio group, pentylthio group, hexylthio group, octylthio group, dodecylthio group etc.), Sik アルキルチオ基(例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等)、アリールチオ基(例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等)、アルコキシカルボニル基(例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等)、アリールオキシカルボニル基(例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等)、スルファモイル基(例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル An alkylthio group (e.g., cyclopentylthio group, cyclohexylthio group, etc.), an arylthio group (e.g., phenylthio group, naphthylthio group, etc.), an alkoxycarbonyl group (e.g., methyl group, an ethyloxycarbonyl group, butyloxycarbonyl group, octyl oxycarbonyl group, a dodecyl group), an aryloxycarbonyl group (e.g., phenyloxycarbonyl group, naphthyloxycarbonyl group, etc.), a sulfamoyl group (e.g., aminosulfonyl group, methylaminosulfonyl group, dimethylaminosulfonyl group, butyl aminosulfonyl group, hexyl aminosulfonyl group, cyclohexylaminosulfonyl group, octyl aminosulfonyl group, dodecyl aminosulfonyl group, phenylaminosulfonyl 基、ナフチルアミノスルホニル基、2−ピリジルアミノスルホニル基等)、アシル基(例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、2−エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等)、アシルオキシ基(例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等)、アミド基(例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミ Group, naphthyl aminosulfonyl group, 2-pyridyl aminosulfonyl group), an acyl group (e.g., acetyl group, ethylcarbonyl group, propyl group, pentyl group, a cyclohexyl group, octyl group, 2-ethylhexyl group, dodecyl carbonyl group, a phenyl group, naphthyl group, pyridyl group, etc.), an acyloxy group (e.g., acetyl group, ethylcarbonyl group, butyl carbonyl group, octyl carbonyloxy group, a dodecyl carbonyl group, phenylcarbonyl group etc.), an amido group (e.g., methyl group, an ethylcarbonylamino group, dimethylamino carbonyl amino group, a propyl carbonyl group, pentyl carbonyl amino 基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、2−エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカルボニルアミノ基等)、カルバモイル基(例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、2−エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、2−ピリジルアミノカルボニル基等)、ウレイド基(例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド Group, cyclohexylcarbonyl group, 2-ethylhexyl carbonylamino group, an octyl carbonylamino group, a dodecyl carbonylamino group, a phenylcarbonyl group, naphthyl carbonyl amino group, etc.), a carbamoyl group (e.g., aminocarbonyl group, methylaminocarbonyl group, dimethylaminocarbonyl group, propylamino group, pentyl amino group, cyclohexylamino group, octylaminocarbonyl group, 2-ethylhexyl amino group, a dodecyl aminocarbonyl group, a phenylaminocarbonyl group, naphthyl aminocarbonyl group, 2-pyridylamino carbonyl group), a ureido group (e.g., methylureido group, an ethylureido group, pentylureido group, cyclohexyl ureido 、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基ナフチルウレイド基、2−ピリジルアミノウレイド基等)、スルフィニル基(例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、2−エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、2−ピリジルスルフィニル基等)、アルキルスルホニル基(例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、2−エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基等)、アリールスルホニル基またはヘテロアリールスルホニル基(例えば、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、2−ピリジル , Octyl ureido group, a dodecyl ureido group, a phenyl ureido group Nafuchiruureido group, 2-pyridyl-amino ureido group), a sulfinyl group (e.g., methylsulfinyl group, ethylsulfinyl group, butyl sulfinyl group, cyclohexyl sulfinyl group, 2-ethylhexyl sulfinyl group , dodecyl sulfinyl group, phenylsulfinyl group, naphthylsulfinyl group, 2-pyridyl-sulfinyl group, etc.), an alkylsulfonyl group (e.g., methylsulfonyl group, ethylsulfonyl group, butylsulfonyl group, a cyclohexyl-sulfonyl group, 2-ethylhexyl-sulfonyl group, dodecyl sulfonyl group, etc.), an arylsulfonyl group or heteroarylsulfonyl group (e.g., phenylsulfonyl group, naphthylsulfonyl group, 2-pyridyl スルホニル基等)、アミノ基(例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、2−エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、2−ピリジルアミノ基等)、ハロゲン原子(例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等)、フッ化炭化水素基(例えば、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ペンタフルオロフェニル基等)、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基(例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジエチルシリル基等)等が挙げられる。 Sulfonyl group, etc.), an amino group (e.g., amino group, ethylamino group, dimethylamino group, butylamino group, cyclopentylamino group, a 2-ethylhexyl group, dodecyl group, an anilino group, naphthylamino group, 2-pyridylamino group etc.), a halogen atom (e.g., fluorine atom, chlorine atom, bromine atom), fluorinated hydrocarbon radicals (e.g., fluoromethyl group, trifluoromethyl group, pentafluoroethyl group, a pentafluorophenyl group), a cyano group , nitro group, hydroxy group, a mercapto group, a silyl group (e.g., trimethylsilyl group, triisopropylsilyl group, triphenylsilyl group, a phenyl diethyl silyl group and the like) and the like. 尚、これらの置換基は、上記の置換基によってさらに置換されていてもよい。 Incidentally, these substituents may be further substituted with the substituents described above. また、これらの置換基は複数が互いに結合して環を形成していてもよい。 Further, these substituents may be bonded to each other to form a ring.

《有機薄膜》 "Organic thin film"
得られた高純度の、反応性モノマーの重合体を含む反応溶液を成膜工程にそのまま利用することで、従来の重合反応に用いられる種々の添加剤(重合反応に用いる、従来公知の重合開始剤、連鎖移動剤、重合促進剤、重合反応停止剤、重合遅延剤等)を含まない、高純度の重合体を用いた有機薄膜を形成することができる。 The resulting high purity, the reaction solution containing the polymer of the reactive monomer is directly be used for film formation step and used for various additives (polymerization reaction used in the conventional polymerization reaction, conventionally known polymerization initiator agents, chain transfer agents, polymerization accelerators, polymerization terminator, no polymerized delaying agents, and the like), it is possible to form the organic thin film using a high purity polymer.

このようにして得られた本発明の有機薄膜は、本発明の有機EL素子や本発明の電子デバイス等に好適に用いることができる。 The organic thin film of the way the present invention thus obtained can be suitably used for electronic devices such as organic EL elements and the invention of the present invention.

《電子デバイス》 "Electronic device"
本発明の電子デバイスについて説明する。 It will be described an electronic device of the present invention.

本発明の電子デバイスは、本発明の有機薄膜を用いて種々の電子デバイスが形成可能であるが、中でも、光が関与する素子が好ましく用いられる。 Electronic devices of the present invention, various electronic devices using organic thin film of the present invention is susceptible formed, among others, devices where the light is involved are preferably used.

光が関与する素子としては、例えば、液晶表示素子、有機感光体薄膜を用いた電子写真、有機光電池、光化学ホールバーニング(PHB)記録素子、有機エレクトロルミネッセンス素子(有機EL素子)、ラングミュア・ブロジェット(LB)膜を用いた各種光機能素子等が挙げられるが、特に好ましくは、有機EL素子が挙げられる。 The element light is involved, for example, a liquid crystal display device, an electrophotographic using an organic photoconductor film, organic photovoltaic cells, photochemical hole burning (PHB) recording element, an organic electroluminescence element (organic EL element), Langmuir-Blodgett Although such various optical functional device using the (LB) films and the like, particularly preferable example is an organic EL device.

以下、本発明の電子デバイスの中で、好ましい態様である、有機EL素子について更に詳しく説明する。 Hereinafter, in the electronic device of the present invention, a preferred embodiment will be described in more detail organic EL element.

《有機EL素子》 "Organic EL element"
本発明の有機薄膜の製造方法により得られた有機薄膜を有する、本発明の有機EL素子について説明する。 An organic thin film obtained by the production method of the organic thin film of the present invention will be described organic EL device of the present invention.

本発明の有機薄膜の製造方法により、高純度の低分子を出発物質とする有機薄膜(単層膜でも、積層膜でもよい)の形成が可能となり、この方法で製造した有機EL素子は、不純物等の含有を抑制することができるので、有機EL素子の発光効率の向上、素子寿命の改善などが可能となる。 The method for producing an organic thin film of the present invention, (either a single layer film, which may be a multilayer film) organic thin film of the low-molecular high purity as a starting material enables formation of an organic EL device manufactured by this method, impurities since the content etc. can be suppressed, improving the luminous efficiency of the organic EL element, it is possible to and improved device life.

《有機EL素子の構成層》 "Constituent layers of the organic EL element"
本発明の有機EL素子の構成層について説明する。 It described layers constituting the organic EL device of the present invention. 本発明において、有機EL素子の層構成の好ましい具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されない。 In the present invention, while indicating preferred embodiments of the layer structure of the organic EL element hereinafter, the present invention is not limited thereto.

(i)陽極/発光層/電子輸送層/陰極 (ii)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極 (iii)陽極/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極 (iv)陽極/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極 (v)陽極/陽極バッファー層/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極 本発明の有機EL素子においては、青色発光層の発光極大波長は430nm〜480nmにあるものが好ましく、緑色発光層は発光極大波長が510nm〜550nm、赤色発光層は発光極大波長が600nm〜640nmの範囲にある単色発光層であることが好ましく、これらを用いた表示装置であることが好ましい。 (I) anode / light emitting layer / electron transporting layer / cathode (ii) anode / hole transporting layer / light emitting layer / electron transporting layer / cathode (iii) anode / hole transport layer / luminescent layer / hole blocking layer / electron transporting layer / cathode (iv) anode / hole transport layer / luminescent layer / hole blocking layer / electron transport layer / cathode buffer layer / cathode (v) anode / anode buffer layer / hole transport layer / light emitting layer / hole in blocking layer / electron transport layer / cathode buffer layer / cathode the organic EL device of the present invention, light emission maximum wavelength of the blue light emitting layer is preferably one in 430 nm to 480 nm, a green emitting layer emitting maximum wavelength 510Nm~550nm, preferably red light emitting layer is a single color light emitting layer emitting maximum wavelength is in the range of 600Nm~640nm, it is preferable that a display device using the same. また、これらの少なくとも3層の発光層を積層して白色発光層としたものであってもよい。 Further, it may be laminated to the light emitting layer of these at least three layers that a white light-emitting layer. 更に、発光層間には非発光性の中間層を有していてもよい。 Further, the light-emitting layers may have a non-light emitting interlayer. 本発明の有機EL素子としては白色発光層であることが好ましく、これらを用いた照明装置であることが好ましい。 Preferably the organic EL device of the present invention is a white light emitting layer is preferably a lighting apparatus using the same.

本発明の有機EL素子を構成する各層について説明する。 It will be described layers constituting the organic EL device of the present invention.

《発光層》 "Light-emitting layer"
本発明に係る発光層は、電極または電子輸送層、正孔輸送層から注入されてくる電子及び正孔が再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても発光層と隣接層との界面であってもよい。 Emitting layer according to the present invention, the electrode or the electron transport layer, electrons and holes, injected from the hole transporting layer is a layer that emits light by recombination, part of the light emitting is a the layer of light-emitting layer it may also be a surface of an adjacent layer and the light emitting layer.

発光層の膜厚の総和は特に制限はないが、膜の均質性や、発光時に不必要な高電圧を印加するのを防止し、かつ、駆動電流に対する発光色の安定性向上の観点から、2nm〜5μmの範囲に調整することが好ましく、さらに好ましくは2nm〜200nmの範囲に調整され、特に好ましくは、10nm〜20nmの範囲である。 Is not particularly limited film thickness sum of the light-emitting layer, homogeneity and the film, to prevent the application of the unwanted high voltage during light emission, and, from the viewpoint of improving stability of the emission color with respect to the driving current, is preferably adjusted to a range of 2Nm~5myuemu, more preferably adjusted to a range of 2 nm to 200 nm, particularly preferably in the range of 10 nm to 20 nm.

発光層の作製には、後述する発光ドーパントやホスト化合物を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、LB法、インクジェット法等の公知の薄膜化法により製膜して形成することができる。 The fabrication of a light emitting layer, a light-emitting dopant and a host compound to be described later, for example, vacuum deposition, spin coating, casting, LB method, be formed by a film by a known thin method such as an inkjet method it can.

本発明の有機EL素子の発光層には、発光ホスト化合物と、発光ドーパント(リン光ドーパント(リン光発光性ドーパントともいう)や蛍光ドーパント等)の少なくとも1種類とを含有することが好ましい。 The light-emitting layer of the organic EL device of the present invention includes a light-emitting host compound, the light emitting dopant (also referred to as a phosphorescent dopant (phosphorescent dopant) and a fluorescent dopant, etc.) preferably contains at least one.

(ホスト化合物(発光ホスト等ともいう)) (Host compound (also referred to as a light-emitting host, etc.))
本発明に用いられるホスト化合物について説明する。 It will be described host compound used in the present invention.

ここで、本発明においてホスト化合物とは、発光層に含有される化合物の内でその層中での質量比が20%以上であり、且つ室温(25℃)においてリン光発光のリン光量子収率が、0.1未満の化合物と定義される。 Here, the host compound in the present invention, the mass ratio in the layer in among the compounds contained in the light emitting layer is not less than 20%, and phosphorescence quantum yield of the phosphorescence emission at room temperature (25 ° C.) but it is defined as a compound of less than 0.1. 好ましくはリン光量子収率が0.01未満である。 Preferably phosphorescent quantum yield of less than 0.01. また、発光層に含有される化合物の中で、その層中での質量比が20%以上であることが好ましい。 Further, among the compounds contained in the light-emitting layer, it is preferable mass ratio in that the layer is not higher than 20%.

ホスト化合物としては、公知のホスト化合物を単独で用いてもよく、または複数種併用して用いてもよい。 The host compound may be also used frequently, or in combination with plural kinds by using a known host compounds alone. ホスト化合物を複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機EL素子を高効率化することができる。 By using a plurality of host compounds, it is possible to control the transfer of charges can be highly efficient organic EL element. また、後述する発光ドーパントを複数種用いることで、異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることができる。 Further, it is possible that the use of a plurality of light emitting dopant to be described later, it is possible to mix different emission, thereby obtaining the arbitrary emission color.

また、本発明に用いられる発光ホストとしては、従来公知の低分子化合物でも、繰り返し単位をもつ高分子化合物でもよく、ビニル基やエポキシ基のような重合性基を有する低分子化合物(蒸着重合性発光ホスト)でも良い。 Further, as the light-emitting host used in the present invention, even a conventionally known low-molecular compound may be a polymer compound having a repeating unit, a low molecular compound having a polymerizable group such as a vinyl group and an epoxy group (deposition polymerizable light-emitting host) may be used.

併用してもよい公知のホスト化合物としては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、且つ発光の長波長化を防ぎ、なお且つ高Tg(ガラス転移温度)である化合物が好ましい。 The combination good known host compounds also having a positive hole transporting ability and an electron transporting ability, and prevents the longer wavelength of emission, noted and having a high Tg (glass transition temperature).

公知のホスト化合物の具体例としては、以下の文献に記載されている化合物が挙げられる。 Examples of known host compounds, compounds that are described in the following documents.

特開2001−257076号公報、同2002−308855号公報、同2001−313179号公報、同2002−319491号公報、同2001−357977号公報、同2002−334786号公報、同2002−8860号公報、同2002−334787号公報、同2002−15871号公報、同2002−334788号公報、同2002−43056号公報、同2002−334789号公報、同2002−75645号公報、同2002−338579号公報、同2002−105445号公報、同2002−343568号公報、同2002−141173号公報、同2002−352957号公報、同2002−203683号公報、同2002−363227号公報、同2002−231453号公報、同 JP 2001-257076, JP same 2002-308855, JP same 2001-313179, JP same 2002-319491, JP same 2001-357977, JP same 2002-334786, JP same 2002-8860 JP, same 2002-334787, JP same 2002-15871, JP same 2002-334788, JP same 2002-43056, JP same 2002-334789, JP same 2002-75645, JP same 2002-338579, JP-same 2002-105445, JP same 2002-343568, JP same 2002-141173, JP same 2002-352957, JP same 2002-203683, JP same 2002-363227, JP same 2002-231453, JP-same 003−3165号公報、同2002−234888号公報、同2003−27048号公報、同2002−255934号公報、同2002−260861号公報、同2002−280183号公報、同2002−299060号公報、同2002−302516号公報、同2002−305083号公報、同2002−305084号公報、同2002−308837号公報等。 003-3165, JP same 2002-234888 JP, same 2003-27048 JP, same 2002-255934 JP, same 2002-260861 JP, same 2002-280183 JP, same 2002-299060 JP, the same 2002 -302516, JP same 2002-305083, JP same 2002-305084 and JP Laid Nos. 2002-308837.

(発光ドーパント) (Light-emitting dopant)
本発明に係る発光ドーパントについて説明する。 It illustrates a light-emitting dopant according to the present invention.

本発明に係る発光ドーパントとしては、蛍光ドーパント(蛍光性化合物ともいう)、リン光ドーパント(リン光発光体、リン光性化合物、リン光発光性化合物等ともいう)を用いることができるが、より発光効率の高い有機EL素子を得る観点からは、本発明の有機EL素子の発光層や発光ユニットに使用される発光ドーパント(単に、発光材料ということもある)としては、上記のホスト化合物を含有すると同時に、リン光ドーパントを含有することが好ましい。 As the light emitting dopant according to the present invention, (also referred to as a fluorescent compound) fluorescent dopant, phosphorescent dopant (phosphorescent emitter, phosphorescent compounds, also referred to as a phosphorescent compound) can be used, more from the viewpoint of obtaining a high luminous efficiency organic EL device, the light emitting dopant to be used in the light emitting layer or the light-emitting unit of the organic EL device of the present invention (simply sometimes referred luminescent material), containing the above-described host compound Then at the same time, preferably contains a phosphorescent dopant.

(リン光ドーパント) (Phosphorescent dopant)
本発明に係るリン光ドーパントについて説明する。 It described phosphorescent dopant according to the present invention.

本発明に係るリン光ドーパントは、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、具体的には、室温(25℃)にてリン光発光する化合物であり、リン光量子収率が、25℃において0.01以上の化合物であると定義されるが、好ましいリン光量子収率は0.1以上である。 Phosphorescent dopant according to the present invention is a compound which light is emitted from the excited triplet, specifically, a compound of phosphorescence at room temperature (25 ° C.), phosphorescence quantum yield, 25 While being defined as at least 0.01 at ° C., phosphorescence quantum yield is preferably at least 0.1.

上記リン光量子収率は、第4版実験化学講座7の分光IIの398頁(1992年版、丸善)に記載の方法により測定できる。 The phosphorescent quantum yield, Bunko II, page 398 in 4th Ed. 7 (1992) published by Maruzen may be measured by the method described in. 溶液中でのリン光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できるが、本発明に係るリン光ドーパントは、任意の溶媒のいずれかにおいて上記リン光量子収率(0.01以上)が達成されればよい。 Although phosphorescence quantum yield in a solution can be measured using a variety of solvents, phosphorescent dopant according to the present invention, it the phosphorescence quantum yield (0.01 or more) is achieved using any of the appropriate solvent Bayoi.

リン光ドーパントの発光は原理としては2種挙げられ、一つはキャリアが輸送されるホスト化合物上でキャリアの再結合が起こってホスト化合物の励起状態が生成し、このエネルギーをリン光ドーパントに移動させることでリン光ドーパントからの発光を得るというエネルギー移動型、もう一つはリン光ドーパントがキャリアトラップとなり、リン光ドーパント上でキャリアの再結合が起こりリン光ドーパントからの発光が得られるというキャリアトラップ型であるが、いずれの場合においても、リン光ドーパントの励起状態のエネルギーはホスト化合物の励起状態のエネルギーよりも低いことが条件である。 Emission of phosphorescent dopants are two types in principle, one which recombination of a carrier occurs to produce an excited state of the host compound on the host to which the carrier is transported, moved this energy to the phosphorescent dopant is to be energy transfer type of obtaining light emission from the phosphorescent dopant, the carrier of the other one becomes phosphorescent dopant and carrier trap, emission from a phosphorescent dopant recombine carriers on phosphorescent dopant is obtained it is a trap type, in any case, the excited state energy of the phosphorescent dopant is a condition that is lower than the energy of the excited state of the host compound.

リン光ドーパントは、有機EL素子の発光層に使用される公知のものの中から適宜選択して用いることができる。 Phosphorescent dopant can be appropriately selected from known to be used in the light emitting layer of the organic EL element.

本発明に係るリン光ドーパントとしては、好ましくは元素の周期表で8〜10族の金属を含有する錯体系化合物であり、さらに好ましくはイリジウム化合物、オスミウム化合物、または白金化合物(白金錯体系化合物)、希土類錯体であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。 The phosphorescent dopant according to the present invention, preferably a complex compound containing a Group 8-10 metal in the periodic table of elements, more preferably an iridium compound, an osmium compound, a platinum compound (a platinum complex compound) , a rare earth complex, it is among the most preferred are iridium compound.

以下に、リン光ドーパントとして用いられる化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。 Hereinafter, specific examples of compounds used as phosphorescent dopants, the present invention is not limited thereto. これらの化合物は、例えば、Inorg. These compounds are, for example, Inorg. Chem. Chem. 40巻、1704〜1711に記載の方法等により合成できる。 Vol. 40, it can be synthesized by the method described in 1704-1711.

(蛍光ドーパント(蛍光性化合物ともいう)) (Fluorescent dopant (also referred to as a fluorescent compound))
蛍光ドーパント(蛍光性化合物)としては、クマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素、または希土類錯体系蛍光体等が挙げられる。 The fluorescent dopant (fluorescent compound), coumarin dyes, pyran based dyes, cyanine dyes, croconium dyes, squarylium dyes, oxobenzanthracene based dyes, fluorescein based dyes, rhodamine based dyes, pyrylium based dyes, perylene dyes, stilbene dyes, polythiophene dyes or rare earth complex based fluorescent material or the like, can be mentioned.

次に、本発明の有機EL素子の構成層として用いられる、注入層、阻止層、電子輸送層等について説明する。 Then used as a constituent layer of the organic EL device of the present invention, injection layers, blocking layers, an electron-transporting layer and the like will be described.

《注入層:電子注入層、正孔注入層》 "Injection layer: electron injection layer, a hole injection layer"
注入層は必要に応じて設け、電子注入層と正孔注入層があり、上記の如く陽極と発光層または正孔輸送層の間、及び陰極と発光層または電子輸送層との間に存在させてもよい。 Injection layer is provided if necessary, there is an electron injection layer and the hole injection layer, is present between the as an anode between the light-emitting layer or a hole transport layer, and a cathode and a light emitting layer or an electron transport layer it may be.

注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日エヌ・ティー・エス社発行)」の第2編第2章「電極材料」(123〜166頁)に詳細に記載されており、正孔注入層(陽極バッファー層)と電子注入層(陰極バッファー層)とがある。 An injection layer is a layer provided between an electrode and an organic layer to decrease an operating voltage and emission brightness enhancement, "Organic EL element and its Industrialization Front (Nov. 30, 1998 issued from NTS Inc. ) "2 Chapter 2 of are described in detail" electrode material "(page 123 to 166), there is a hole injection layer (anode buffer layer) and an electron injection layer (cathode buffer layer).

陽極バッファー層(正孔注入層)は、特開平9−45479号公報、同9−260062号公報、同8−288069号公報等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニンバッファー層、酸化バナジウムに代表される酸化物バッファー層、アモルファスカーボンバッファー層、ポリアニリン(エメラルディン)やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子バッファー層等が挙げられる。 Anode buffer layer (hole injection layer), JP-A-9-45479, JP same 9-260062 and JP have also been described in detail in the 8-288069, etc., as a specific example, a copper phthalocyanine a phthalocyanine buffer layer represented, an oxide buffer layer represented by a vanadium oxide, an amorphous carbon buffer layer, polyaniline (emeraldine) and a polymer buffer layer employing an electroconductive polymer such as polythiophene.

陰極バッファー層(電子注入層)は、特開平6−325871号公報、同9−17574号公報、同10−74586号公報等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属バッファー層、フッ化リチウムに代表されるアルカリ金属化合物バッファー層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物バッファー層、酸化アルミニウムに代表される酸化物バッファー層等が挙げられる。 Cathode buffer layer (electron injection layer), JP-A-6-325871, JP same 9-17574, JP-are described also in detail in the 10-74586 Patent Publication, specifically strontium or aluminum a metal buffer layer represented by an alkali metal compound buffer layer represented by lithium fluoride, an alkaline earth metal compound buffer layer represented by magnesium fluoride, and oxide buffer layer represented by an aluminum oxide . 上記バッファー層(注入層)はごく薄い膜であることが望ましく、素材にもよるがその膜厚は0.1nm〜5μmの範囲が好ましい。 The buffer layer (injecting layer) is preferably a very thin film, although it depends on the material thickness thereof in the range of 0.1nm~5μm is preferred.

《阻止層:正孔阻止層、電子阻止層》 "Blocking layer: a hole blocking layer, an electron blocking layer"
阻止層は、上記の如く有機化合物薄膜の基本構成層の他に必要に応じて設けられるものである。 Blocking layer and is provided if necessary in addition to the basic structure layer of an organic compound thin film as described above. 例えば、特開平11−204258号公報、同11−204359号公報、及び「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日エヌ・ティー・エス社発行)」の237頁等に記載されている正孔阻止(ホールブロック)層がある。 For example, JP-A-11-204258, JP-is described in page 237 and the like in the same 11-204359 and JP "Organic EL element and its Industrialization Front (Nov. 30, 1998 issued from NTS Inc.)" and there is a hole-blocking (hole blocking) layer has.

正孔阻止層とは広い意味では電子輸送層の機能を有し、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい正孔阻止材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。 Has the function of the electron transporting layer in a broad sense, a hole blocking layer, the ability of transporting holes while having a function of transporting electrons but a very small hole blocking material while transporting electrons holes it is possible to improve the probability of recombination of electrons and holes by blocking. また、後述する電子輸送層の構成を必要に応じて、本発明に係わる正孔阻止層として用いることができる。 It can also be used as a hole blocking layer as required configuration of an electron transport layer described later, according to the present invention.

本発明の有機EL素子の正孔阻止層は、発光層に隣接して設けられていることが好ましい。 Hole blocking layer of the organic EL device of the present invention is preferably arranged adjacent to the light emitting layer.

正孔阻止層には、前述のホスト化合物として挙げたアザカルバゾール誘導体を含有することが好ましい。 The hole blocking layer preferably contains a azacarbazole derivative exemplified as the aforementioned host compound.

また、本発明においては、複数の発光色の異なる複数の発光層を有する場合、その発光極大波長が最も短波にある発光層が、全発光層中、最も陽極に近いことが好ましいが、このような場合、該最短波層と該層の次に陽極に近い発光層との間に正孔阻止層を追加して設けることが好ましい。 In the present invention, when having a plurality of light emitting layers having different plurality of emission colors, light emitting layer whose emission maximum wavelength in the shortest wavelength is, the total light-emitting layer, it is preferable closest to the anode, thus case, it is preferable to provide by adding a hole blocking layer between the light emitting layer near the anode to the next outermost short layer and said layer. 更には、該位置に設けられる正孔阻止層に含有される化合物の50質量%以上が、前記最短波発光層のホスト化合物に対しそのイオン化ポテンシャルが0.3eV以上大きいことが好ましい。 Furthermore, more than 50% by weight of the compound contained in the hole blocking layer provided on the position, its ionization potential to host compound of the shortest wavelength light-emitting layer is preferably greater than 0.3 eV.

イオン化ポテンシャルは化合物のHOMO(最高被占分子軌道)レベルにある電子を真空準位に放出するのに必要なエネルギーで定義され、例えば下記に示すような方法により求めることができる。 The ionization potential can be obtained by a method as shown the electron in the HOMO (highest occupied molecular orbital) level of the compounds defined in the energy required to release the vacuum level, for example below.

(1)米国Gaussian社製の分子軌道計算用ソフトウェアであるGaussian98(Gaussian98、Revision A.11.4,M.J.Frisch,et al,Gaussian,Inc.,Pittsburgh PA,2002.)を用い、キーワードとしてB3LYP/6−31G*を用いて構造最適化を行うことにより算出した値(eV単位換算値)の小数点第2位を四捨五入した値としてイオン化ポテンシャルを求めることができる。 (1) is a US Gaussian Inc. of molecular orbital calculation software Gaussian98 using (Gaussian98, Revision A.11.4, M.J.Frisch, et al, Gaussian, Inc., Pittsburgh PA, 2002.), And keyword ionization potential as a B3LYP / 6-31G * values ​​obtained by rounding off to one decimal place of the calculated value (eV unit conversion value) by performing structural optimization with can be obtained. この計算値が有効な背景には、この手法で求めた計算値と実験値の相関が高いためである。 The calculated value is valid background, there is a high correlation of calculated and experimental values ​​obtained in this manner.

(2)イオン化ポテンシャルは光電子分光法で直接測定する方法により求めることもできる。 (2) The ionization potential can be determined by a method of direct measurement by photoelectron spectroscopy. 例えば、理研計器社製の低エネルギー電子分光装置「Model AC−1」を用いて、あるいは紫外光電子分光として知られている方法を好適に用いることができる。 For example, can be suitably used, or a method known as ultraviolet photoelectron spectroscopy using a Riken Keiki Co., Ltd. of the low-energy electron spectrometer "Model AC-1".

一方、電子阻止層とは広い意味では正孔輸送層の機能を有し、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。 On the other hand, has the functions of hole transport layer in a broad sense, the electron blocking layer, the ability to transport electrons while having a function of transporting holes but a very small material, an electron while transporting holes it is possible to improve the probability of recombination of electrons and holes by inhibiting. また、後述する正孔輸送層の構成を必要に応じて電子阻止層として用いることができる。 Furthermore, it can be used as the electron blocking layer optionally the structure of a positive hole transport layer described later. 本発明に係る正孔阻止層、電子輸送層の膜厚としては、好ましくは3nm〜100nmであり、更に好ましくは5nm〜30nmである。 Hole blocking layer according to the present invention, the thickness of the electron transporting layer, preferably 3 nm to 100 nm, more preferably from 5 nm to 30 nm.

《正孔輸送層》 "Hole transport layer"
正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。 The hole-transporting layer made of a hole transport material having a function of transporting holes, a hole injection layer in a broad sense, an electron blocking layer are included in the hole transport layer. 正孔輸送層は単層または複数層設けることができる。 The hole transport layer may be a single layer or plural layers.

正孔輸送材料としては、正孔の注入または輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。 As the hole transporting material, a hole injection or transport, which has any of the electron barrier property, organic matter may be any of inorganic substance. 例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられる。 For example, triazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives and pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, oxazole derivatives, styryl anthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, silazane derivatives, aniline copolymer, and an electroconductive oligomer, particularly a thiophene oligomer.

正孔輸送材料としては上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第3級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第3級アミン化合物を用いることが好ましい。 As a positive hole-transporting materials can be used those described above, porphyrin compounds, aromatic tertiary amine compounds and styrylamine compounds, it is particularly preferable to use an aromatic tertiary amine compound.

芳香族第3級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、N,N,N′,N′−テトラフェニル−4,4′−ジアミノフェニル;N,N′−ジフェニル−N,N′−ビス(3−メチルフェニル)−〔1,1′−ビフェニル〕−4,4′−ジアミン(TPD);2,2−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)プロパン;1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)シクロヘキサン;N,N,N′,N′−テトラ−p−トリル−4,4′−ジアミノビフェニル;1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)−4−フェニルシクロヘキサン;ビス(4−ジメチルアミノ−2−メチルフェニル)フェニルメタン;ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)フェニルメタン;N,N′−ジフェニル−N,N′− Aromatic Representative examples of the tertiary amine compound and styrylamine compound, N, N, N ', N'- tetraphenyl-4,4'-diaminophenyl; N, N'-diphenyl -N, N' bis (3-methylphenyl) - [1,1'-biphenyl] -4,4'-diamine (TPD); 2,2-bis (4-di -p- tolyl-aminophenyl) propane; 1,1-bis (4-di -p- tolyl-aminophenyl) cyclohexane; N, N, N ', N'- tetra -p- tolyl-4,4'-diaminobiphenyl; 1,1-bis (4-di -p- tolyl aminophenyl) -4-phenyl cyclohexane; bis (4-dimethylamino-2-methylphenyl) phenyl methane, bis (4-di -p- tolyl-aminophenyl) phenyl methane; N, N'-diphenyl -N, N ' - (4−メトキシフェニル)−4,4′−ジアミノビフェニル;N,N,N′,N′−テトラフェニル−4,4′−ジアミノジフェニルエーテル;4,4′−ビス(ジフェニルアミノ)クオードリフェニル;N,N,N−トリ(p−トリル)アミン;4−(ジ−p−トリルアミノ)−4′−〔4−(ジ−p−トリルアミノ)スチリル〕スチルベン;4−N,N−ジフェニルアミノ−(2−ジフェニルビニル)ベンゼン;3−メトキシ−4′−N,N−ジフェニルアミノスチルベンゼン;N−フェニルカルバゾール、更には米国特許第5,061,569号明細書に記載されている2個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば、4,4′−ビス〔N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ〕ビフェニル(NPD)、特開平4−3086 (4-methoxyphenyl) -4,4'-diaminobiphenyl; N, N, N ', N'- tetraphenyl-4,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-bis (diphenylamino) click Audrey phenyl; N, N, N-tri (p- tolyl) amine; 4- (di -p- tolylamino) -4 '- [4- (di -p- tolylamino) styryl] stilbene; 4-N, N-diphenylamino - (2-diphenylvinyl) benzene; 3-methoxy--4'N, N-diphenylamino stilbene; N- phenyl carbazole, even the two that are described in U.S. Patent No. 5,061,569 those having a condensed aromatic ring in the molecule, for example, 4,4'-bis [N-(1-naphthyl) -N- phenylamino] biphenyl (NPD), JP-a-4-3086 8号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが3つスターバースト型に連結された4,4′,4″−トリス〔N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン(MTDATA)等が挙げられる。 Triphenylamine units disclosed in 8 JP is coupled to three starburst 4,4 ', 4 "- tris [N- (3- methylphenyl) -N- phenylamino] triphenylamine ( MTDATA), and the like.

更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。 Furthermore it is also possible to use these materials are introduced in a polymer chain or a polymer having the material as the polymer main chain. また、p型−Si、p型−SiC等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。 Further, it is possible to p-type -Si, inorganic compounds such as p-type -SiC used hole injection material, a hole transport material.

また、特開平11−251067号公報、J. Further, JP-A-11-251067 discloses, J. Huang et. Huang et. al. al. 著文献(Applied Physics Letters 80(2002),p.139)に記載されているような、所謂p型正孔輸送材料を用いることもできる。 Markedly literature (Applied Physics Letters 80 (2002), p.139) as described can also be used a so-called p-type hole transport material. 本発明においては、より高効率の発光素子が得られることからこれらの材料を用いることが好ましい。 In the present invention, it is preferable to use these materials from the higher efficiency of the light emitting device can be obtained.

正孔輸送層は上記正孔輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、LB法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。 The hole transport layer is the hole transport material, for example, vacuum deposition, spin coating, casting, printing method including inkjet method, by a known method LB method, be formed by a thin film it can. 正孔輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は5nm〜5μm程度、好ましくは5nm〜200nmである。 There is no particular limitation on the thickness of the hole transporting layer is usually about 5 nm to 5 [mu] m, preferably 5 nm to 200 nm. この正孔輸送層は上記材料の1種または2種以上からなる一層構造であってもよい。 The hole transport layer may have a single layer structure comprising one kind or two or more kinds of the above materials.

また、不純物をドープしたp性の高い正孔輸送層を用いることもできる。 It is also possible to use a high p property doped with impurity hole transport layer. その例としては、特開平4−297076号公報、特開2000−196140号公報、同2001−102175号公報の各公報、J. Examples thereof include JP 4-297076, JP 2000-196140, JP-same 2001-102175 Patent each publication of JP, J. Appl. Appl. Phys. Phys. ,95,5773(2004)等に記載されたものが挙げられる。 Include those described in 95,5773 (2004) or the like.

本発明においては、このようなp性の高い正孔輸送層を用いることが、より低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。 In the present invention, the use of such a high p-type property hole transport layer is preferable because it is possible to produce a lower power consumption of the device.

《電子輸送層》 "Electron transport layer"
電子輸送層とは電子を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。 Made of a material having a function of transporting electrons from the electron transporting layer, an electron injection layer in a broad sense, a hole blocking layer are included in an electron transport layer. 電子輸送層は単層または複数層設けることができる。 Electron-transporting layer may be a single layer or plural layers.

従来、単層の電子輸送層、及び複数層とする場合は発光層に対して陰極側に隣接する電子輸送層に用いられる電子輸送材料(正孔阻止材料を兼ねる)としては、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができ、例えば、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体等が挙げられる。 Conventionally, an electron-transporting layer of a single layer, and if a plurality of layers as an electron transporting material for the electron transport layer adjacent to the cathode side of the light-emitting layer (also serving as a hole blocking material) is injected from the cathode electrons and may have a function of transmitting the light emitting layer, can be used optionally selected from the examples of materials conventionally known compounds, for example, nitro-substituted fluorene derivatives, diphenyl quinone derivative , thiopyran dioxide derivatives, carbodiimide, deflection distyrylpyrazine derivatives, anthraquinodimethane and anthrone derivatives, oxadiazole derivatives, and the like. 更に上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用いることができる。 Furthermore, in the above oxadiazole derivatives, thiadiazole derivatives oxygen atom is replaced with a sulfur atom in the oxadiazole ring, also quinoxaline derivative having a quinoxaline ring known as an electron withdrawing group are usable as the electron transporting material. 更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。 Furthermore it is also possible to use these materials are introduced in a polymer chain or a polymer having the material as the polymer main chain.

また8−キノリノール誘導体の金属錯体、例えば、トリス(8−キノリノール)アルミニウム(Alq)、トリス(5,7−ジクロロ−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(5,7−ジブロモ−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(2−メチル−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(5−メチル−8−キノリノール)アルミニウム、ビス(8−キノリノール)亜鉛(Znq)等、及びこれらの金属錯体の中心金属がIn、Mg、Cu、Ca、Sn、GaまたはPbに置き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いることができる。 The metal complexes of 8-quinolinol derivatives, such as tris (8-quinolinol) aluminum (Alq), tris (5,7-dichloro-8-quinolinol) aluminum, tris (5,7-dibromo-8-quinolinol) aluminum, tris (2-methyl-8-quinolinol) aluminum, tris (5-methyl-8-quinolinol) aluminum, bis (8-quinolinol) zinc (Znq), etc., and the central metal of these metal complexes is an in, Mg, Cu , Ca, Sn, even Ga or Pb, can be used as the electron transporting material.

その他、メタルフリーもしくはメタルフタロシアニン、またはそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも、電子輸送材料として好ましく用いることができる。 Other, even those metal-free or metal phthalocyanine, or their ends are substituted by an alkyl group and a sulfonic acid group, it can be preferably used as the electron transporting material. また、発光層の材料として例示したジスチリルピラジン誘導体も、電子輸送材料として用いることができるし、正孔注入層、正孔輸送層と同様にn型−Si、n型−SiC等の無機半導体も電子輸送材料として用いることができる。 Further, distyryl pyrazine derivative exemplified as a material for the light emitting layer may preferably be used as the electron transporting material, a hole injection layer, n-type -Si like the hole transport layer, an inorganic semiconductor such as n-type -SiC it can be used as the electron transporting material.

電子輸送層は上記電子輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、LB法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。 The electron transport layer is the electron transport material, for example, vacuum deposition, spin coating, casting, printing method including inkjet method, by a known method LB method, can be formed by thinning. 電子輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は5nm〜5μm程度、好ましくは5nm〜200nmである。 There is no particular limitation on the thickness of the electron transporting layer is usually about 5 nm to 5 [mu] m, preferably 5 nm to 200 nm. 電子輸送層は上記材料の1種または2種以上からなる一層構造であってもよい。 Electron-transporting layer may have a single layer structure comprising one kind or two or more kinds of the above materials.

また、不純物をドープしたn性の高い電子輸送層を用いることもできる。 It is also possible to use a high electron-transport layer n property doped with impurities. その例としては、特開平4−297076号公報、同10−270172号公報、特開2000−196140号公報、同2001−102175号公報、J. Examples thereof include JP 4-297076, JP same 10-270172, JP 2000-196140, JP-same 2001-102175, JP-J. Appl. Appl. Phys. Phys. ,95,5773(2004)等に記載されたものが挙げられる。 Include those described in 95,5773 (2004) or the like.

本発明においては、このようなn性の高い電子輸送層を用いることがより低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。 In the present invention, it preferred because it can be used such a high n property electron transport layer to produce a lower power consumption of the device.

《陽極》 "anode"
有機EL素子における陽極としては、仕事関数の大きい(4eV以上)金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。 The anode in the organic EL device, a large work function (4 eV or more) metals, an alloy, is preferably used a conductive compound and a mixture thereof as an electrode material. このような電極物質の具体例としては、Au等の金属、CuI、インジウムチンオキシド(ITO)、SnO 2 、ZnO等の導電性透明材料が挙げられる。 Specific examples of such an electrode material, metals such as Au, CuI, indium tin oxide (ITO), a conductive transparent material SnO 2, ZnO and the like. また、IDIXO(In 23 −ZnO)等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。 It may also be used IDIXO (In 2 O 3 -ZnO) spruce amorphous in can prepare a transparent conductive film material.

陽極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合は(100μm以上程度)、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。 Anode to form a thin film by a method such as vapor deposition or sputtering of the electrode material, if not desired shape pattern may be formed of, or pattern accuracy requires less by photolithography (degree or 100 [mu] m) , a pattern may be formed through a mask of a desired form at the time of depositing or spattering of the electrode material.

あるいは、有機導電性化合物のように塗布可能な物質を用いる場合には、印刷方式、コーティング方式等湿式成膜法を用いることもできる。 Alternatively, in the case of using coatable materials such as organic conductive compounds can also be used a printing method, a coating method and a wet film formation method. この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を10%より大きくすることが望ましく、また陽極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましい。 When light is emitted through the anode, the transmittance is preferably set to not greater than 10%, the sheet resistance as an anode is preferably several hundreds Omega / □ or less. 更に膜厚は材料にもよるが、通常10nm〜1000nm、好ましくは10nm〜200nmの範囲で選ばれる。 Further, although the layer thickness depends on the material, usually 10 nm to 1000 nm, preferably chosen in the range of 10 nm to 200 nm.

《陰極》 "cathode"
一方、陰極としては仕事関数の小さい(4eV以下)金属(電子注入性金属と称する)、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。 On the other hand, (also referred to as an electron injecting metal) small work function (4 eV or less) metal as a cathode, an alloy, and an electroconductive compound, or a mixture thereof is used as the electrode material. このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al 23 )混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。 Specific examples of the electrode substance include sodium, sodium - potassium alloy, magnesium, lithium, magnesium / copper mixture, a magnesium / silver mixture, a magnesium / aluminum mixture, magnesium / indium mixture, aluminum / aluminum oxide (Al 2 O 3) mixture, indium, a lithium / aluminum mixture, and rare earth metals. これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al 23 )混合物、リチウム/アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。 Among these, from the viewpoint of electron injection property and durability against oxidation or the like, a mixture of a second metal values ​​of the electron injection metal and a work function than this is the large stable metal, such as magnesium / silver mixture, magnesium / aluminum mixture, magnesium / indium mixture, aluminum / aluminum oxide (Al 2 O 3) mixture, lithium / aluminum mixture, and aluminum.

陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。 Cathode by forming a thin film by a method such as evaporation or spattering of the electrode material can be manufactured.

また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましく、膜厚は通常10nm〜5μm、好ましくは50nm〜200nmの範囲で選ばれる。 The sheet resistance is preferably several hundreds Omega / □ or less of the cathode, the thickness is usually 10 nm to 5 [mu] m, it is preferably selected in the range of 50 nm to 200 nm. 尚、発光した光を透過させるため、有機EL素子の陽極または陰極のいずれか一方が透明または半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。 Incidentally, in order to transmit emission, it is advantageous to emission luminance enhancing either one of an anode or a cathode of the organic EL element is transparent or translucent.

また、陰極に上記金属を1nm〜20nmの膜厚で作製した後に、陽極の説明で挙げた導電性透明材料をその上に作製することで、透明または半透明の陰極を作製することができ、これを応用することで陽極と陰極の両方が透過性を有する素子を作製することができる。 Further, the metal on the cathode after forming a thickness of 1 nm to 20 nm, the conductive transparent material exemplified in the description of the anode by manufacturing thereon, it is possible to produce a cathode transparent or semi-transparent, both the anode and cathode by the application of this can be manufactured element having transparency.

《支持基板》 "Support substrate"
本発明の有機EL素子に用いることのできる支持基板(以下、基体、基板、基材、支持体等とも言う)としては、ガラス、プラスチック等の種類には特に限定はなく、また透明であっても不透明であってもよい。 Supporting substrate which can be used in the organic EL device of the present invention as is (hereinafter, the substrate, the substrate, the substrate, also referred to as a support or the like), glass, not limited in any particular type of plastic, also be transparent it may also be opaque. 支持基板側から光を取り出す場合には、支持基板は透明であることが好ましい。 When light is taken out from the supporting substrate side is preferably the supporting substrate is transparent. 好ましく用いられる透明な支持基板としては、ガラス、石英、透明樹脂フィルムを挙げることができる。 The preferred transparent support substrate used, mention may be made of glass, quartz, a transparent resin film. 特に好ましい支持基板は、有機EL素子にフレキシブル性を与えることが可能な樹脂フィルムである。 Particularly preferred supporting substrate is a resin film capable of providing flexibility to the organic EL element.

樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート(CAP)、セルロースアセテートフタレート(TAC)、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類またはそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類 As the resin film, for example, polyethylene terephthalate (PET), polyesters such as polyethylene naphthalate (PEN), polyethylene, polypropylene, cellophane, cellulose diacetate, cellulose triacetate, cellulose acetate butyrate, cellulose acetate propionate (CAP), cellulose esters or their derivatives such as cellulose acetate phthalate (TAC), cellulose nitrate, polyvinylidene chloride, polyvinyl alcohol, polyethylene vinyl alcohol, syndiotactic polystyrene, polycarbonate, norbornene resin, polymethylpentene, polyether ketone, polyimide , polyether sulfone (PES), polyphenylene sulfide, polysulfones ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリルあるいはポリアリレート類、アートン(商品名JSR社製)あるいはアペル(商品名三井化学社製)といったシクロオレフィン系樹脂等を挙げられる。 Polyetherimide, polyether ketone imide, polyamide, fluorine resin, nylon, polymethyl methacrylate, acrylic or polyarylates, ARTON (trade name manufactured by JSR Corporation) or APEL (trade name manufactured by Mitsui Chemicals, Inc.) such cycloolefin resin like the.

樹脂フィルムの表面には、無機物、有機物の被膜またはその両者のハイブリッド被膜が形成されていてもよく、JIS K 7129−1992に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度(25±0.5℃、相対湿度(90±2)%RH)が0.01g/(m 2・24h)以下のバリア性フィルムであることが好ましく、更には、JIS K 7126−1987に準拠した方法で測定された酸素透過度が、10 -3 ml/(m 2・24h・MPa)以下、水蒸気透過度が、10 -5 g/(m 2・24h)以下の高バリア性フィルムであることが好ましい。 On the surface of the resin film, an inorganic material may be a hybrid coating of an organic substance of the coating or both has not been formed, it was measured by the method based on JIS K 7129-1992, the water vapor transmission rate (25 ± 0.5 ° C. oxygen relative humidity (90 ± 2)% RH) is preferably a barrier film of 0.01g / (m 2 · 24h) or less, and still more, as measured by the method based on JIS K 7126-1987 the permeability, 10 -3 ml / (m 2 · 24h · MPa) or less, the water vapor permeability is preferably 10 -5 g / (m 2 · 24h) or less of the high barrier film.

バリア膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。 As a material for forming a barrier film may be a material having a function to retard penetration of those that result in the deterioration of moisture, oxygen and the like elements, e.g., silicon oxide, silicon dioxide, may be a silicon nitride or the like. 更に該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることがより好ましい。 Further, in order to improve the brittleness of the aforesaid film, it is more preferable to achieve a laminated structure of a layer made of the inorganic layer and an organic material. 無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。 No particular limitation is imposed on the lamination order of an inorganic layer and an organic layer, it is preferable that both are alternatively laminated a plurality of times.

バリア膜の形成方法については特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスタ−イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、コーティング法等を用いることができるが、特開2004−68143号公報に記載されているような大気圧プラズマ重合法によるものが特に好ましい。 There is no particular limitation on the formation method of the barrier film, e.g., vacuum deposition, sputtering, reactive sputtering, molecular beam epitaxy, cluster - ion beam method, an ion plating method, plasma polymerization method, an atmospheric pressure plasma polymerization legal, plasma CVD method, a laser CVD method, thermal CVD method, a coating method or the like, particularly preferably by atmospheric pressure plasma polymerization method as described in JP-a-2004-68143.

不透明な支持基板としては、例えば、アルミ、ステンレス等の金属板、フィルムや不透明樹脂基板、セラミック製の基板等が挙げられる。 The opaque supporting substrate, for example, aluminum, metal plate such as stainless steel, films, opaque resin substrates, and ceramic substrates can be cited.

本発明の有機EL素子の発光の室温における外部取り出し効率は、1%以上であることが好ましく、より好ましくは5%以上である。 Organic EL external extraction efficiency of light emission at room temperature of the element of the present invention is preferably 1% or more, more preferably 5% or more.

ここに、外部取り出し量子効率(%)=有機EL素子外部に発光した光子数/有機EL素子に流した電子数×100である。 Here, the external extraction quantum efficiency (%) = number of electrons × 100 was flowed to the number of photons / organic EL device emitting organic EL device the outside.

また、カラーフィルター等の色相改良フィルター等を併用しても、有機EL素子からの発光色を蛍光体を用いて多色へ変換する色変換フィルターを併用してもよい。 Further, even in combination with hue improving filter such as a color filter, it may be used in combination a color conversion filter for converting the multi-color emission color from an organic EL device using the phosphor. 色変換フィルターを用いる場合においては、有機EL素子の発光のλmaxは480nm以下が好ましい。 In the case of using a color conversion filter, .lambda.max of emission of the organic EL element is preferably 480nm or less.

《封止》 "Sealing"
本発明に用いられる封止手段としては、例えば、封止部材と電極、支持基板とを接着剤で接着する方法を挙げることができる。 The sealing means used in the present invention, for example, a method in which sealing members, electrodes, and a supporting substrate with an adhesive.

封止部材としては、有機EL素子の表示領域を覆うように配置されておればよく、凹板状でも平板状でもよい。 The sealing members may be arranged to cover the display region of the organic EL element, it may be an engraved plate or a flat plate. また透明性、電気絶縁性は特に問わない。 The transparent, electrically insulating is not particularly limited.

具体的には、ガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等が挙げられる。 Specifically, a glass plate, a polymer plate-films, metal plates, and films. ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を挙げることができる。 The glass plate may be mentioned in particular soda-lime glass, glass containing barium and strontium, lead glass, aluminosilicate glass, borosilicate glass, barium borosilicate glass, and quartz. また、ポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を挙げることができる。 As the polymer plate include polycarbonate, acrylic, polyethylene terephthalate, polyether sulfide, and polysulfone. 金属板としては、ステンレス、鉄、銅、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、クロム、チタン、モリブテン、シリコン、ゲルマニウム及びタンタルからなる群から選ばれる一種以上の金属または合金からなるものが挙げられる。 As the metal plate, stainless steel, iron, copper, aluminum, magnesium, nickel, zinc, chromium, titanium, molybdenum, silicon, include those composed of one or more metals or alloys selected from the group consisting of germanium and tantalum.

本発明においては、素子を薄膜化できるということからポリマーフィルム、金属フィルムを好ましく使用することができる。 In the present invention, it is possible to use a polymer film, a metal film preferably from the fact that the element can thin. 更には、ポリマーフィルムは、JIS K 7126−1987に準拠した方法で測定された酸素透過度が1×10 -3 ml/(m 2・24h・MPa)以下、JIS K 7129−1992に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度(25±0.5℃、相対湿度(90±2)%RH)が、1×10 -3 g/(m 2・24h)以下のものであることが好ましい。 Further methods, the polymer film, the measured oxygen permeability by the method based on JIS K 7126-1987 is 1 × 10 -3 ml / (m 2 · 24h · MPa) or less, in conformity with JIS K 7129-1992 in the measured water vapor transmission rate (25 ± 0.5 ° C., relative humidity (90 ± 2)% RH) is preferably that of 1 × 10 -3 g / (m 2 · 24h) or less.

封止部材を凹状に加工するのは、サンドブラスト加工、化学エッチング加工等が使われる。 Of the sealing member into concave, sand blasting, chemical etching and the like are used.

接着剤として具体的には、アクリル酸系オリゴマー、メタクリル酸系オリゴマーの反応性ビニル基を有する光硬化及び熱硬化型接着剤、2−シアノアクリル酸エステル等の湿気硬化型等の接着剤を挙げることができる。 Specifically as adhesives, acryl acid-based oligomer, a photocurable and thermosetting adhesive having a reactive vinyl group of the methacrylic acid-based oligomer, a moisture curing types such as 2-cyanoacrylic acid ester be able to. また、エポキシ系等の熱及び化学硬化型(二液混合)を挙げることができる。 Further, mention may be made of thermally and chemically curable epoxy such as (mixtures of two liquids). また、ホットメルト型のポリアミド、ポリエステル、ポリオレフィンを挙げることができる。 Further, mention may be made of hot-melt polyamides, polyesters, polyolefins. また、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤を挙げることができる。 Further, mention may be made of a cation curing type ultraviolet curing epoxy resin adhesive.

なお、有機EL素子が熱処理により劣化する場合があるので、室温から80℃までに接着硬化できるものが好ましい。 In addition, since an organic EL element is degraded by heat treatment, preferably one capable of adhering cured to 80 ° C. from room temperature. また、前記接着剤中に乾燥剤を分散させておいてもよい。 Further, a drying agent may be dispersed in the adhesive. 封止部分への接着剤の塗布は市販のディスペンサーを使ってもよいし、スクリーン印刷のように印刷してもよい。 It application of the adhesive to the sealing portion may be used a commercially available dispenser may be printed as screen printing.

また、有機層を挟み支持基板と対向する側の電極の外側に該電極と有機層を被覆し、支持基板と接する形で無機物、有機物の層を形成し封止膜とすることも好適にできる。 Further, the electrode and the organic layer on the outer side of the side electrode supporting substrate and the opposing sandwiching the organic layer was coated, may also suitably be inorganic matter in the form of contact with the support substrate, forming a layer of an organic substance sealing film . この場合、該膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。 In this case, as the material for forming the membrane may be a material having a function to retard penetration of those that result in the deterioration of moisture, oxygen and the like elements, e.g., silicon oxide, silicon dioxide, the use of silicon nitride or the like it can. 更に該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることが好ましい。 Further, in order to improve the brittleness of the aforesaid film, it is preferable that a laminated layer structure of a layer made of the inorganic layer and an organic material. これらの膜の形成方法については、特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスタ−イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、コーティング法等を用いることができる。 The method for forming these films is not particularly limited, for example, a vacuum deposition method, a sputtering method, reactive sputtering method, molecular beam epitaxy, cluster - ion beam method, an ion plating method, plasma polymerization method, atmospheric pressure plasma polymerization method, a plasma CVD method, a laser CVD method, thermal CVD method, a coating method or the like.

封止部材と有機EL素子の表示領域との間隙には、気相及び液相では、窒素、アルゴン等の不活性気体やフッ化炭化水素、シリコンオイルのような不活性液体を注入することが好ましい。 The gap between the display region of the sealing member and the organic EL element, in the gas phase and liquid phase, nitrogen, inert gases and fluorinated hydrocarbons such as argon, to inject an inert liquid such as silicone oil preferable. また真空とすることも可能である。 Further, it is possible to form a vacuum. また、内部に吸湿性化合物を封入することもできる。 It is also possible to encapsulate the internal hygroscopic compounds.

吸湿性化合物としては、例えば、金属酸化物(例えば、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム等)、硫酸塩(例えば、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、硫酸コバルト等)、金属ハロゲン化物(例えば、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、フッ化セシウム、フッ化タンタル、臭化セリウム、臭化マグネシウム、沃化バリウム、沃化マグネシウム等)、過塩素酸類(例えば、過塩素酸バリウム、過塩素酸マグネシウム等)等が挙げられ、硫酸塩、金属ハロゲン化物及び過塩素酸類においては無水塩が好適に用いられる。 The hygroscopic compounds, e.g., metal oxides (e.g., sodium oxide, potassium oxide, calcium oxide, barium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide, etc.), sulfates (e.g., sodium sulfate, calcium sulfate, magnesium sulfate, cobalt sulfate etc.), metal halides (e.g., calcium chloride, magnesium chloride, cesium fluoride, tantalum fluoride, cerium bromide, magnesium bromide, barium iodide, magnesium iodide, etc.), perchloric acid (e.g., perchloric acid barium, include magnesium perchlorate, etc.) and the like, sulfates, anhydrous salt is suitably used in metal halide and perchlorates.

《保護膜、保護板》 "Protective film, protective plate"
有機層を挟み支持基板と対向する側の前記封止膜、あるいは前記封止用フィルムの外側に、素子の機械的強度を高めるために保護膜、あるいは保護板を設けてもよい。 The organic layer was sandwiched supporting substrate opposite to the side of the sealing film or the outer side of the sealing film, it may be provided with a protective film or protective plate in order to increase the mechanical strength of the element. 特に封止が前記封止膜により行われている場合には、その機械的強度は必ずしも高くないため、このような保護膜、保護板を設けることが好ましい。 Particularly when sealing is performed by the sealing film, the mechanical strength thereof is not necessarily high, such a protective film, it is preferable to provide a protective plate. これに使用することができる材料としては、前記封止に用いたのと同様なガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等を用いることができるが、軽量且つ薄膜化ということからポリマーフィルムを用いることが好ましい。 The material can be used for this, the sealing similar to that used in the glass plate, a polymer plate or film, can be used a metal plate, and films, the polymer from the fact that lightweight and thin film it is preferably used.

《光取り出し》 "Light extraction"
有機EL素子は空気よりも屈折率の高い(屈折率が1.7〜2.1程度)層の内部で発光し、発光層で発生した光のうち15%から20%程度の光しか取り出せないことが一般的に言われている。 The organic EL element emits light in the interior of a higher refractive index than air (refractive index of about 1.7 to 2.1) layers, not be taken out only the light from 15% of about 20% of the light generated in the light-emitting layer it has been generally said. これは、臨界角以上の角度θで界面(透明基板と空気との界面)に入射する光は、全反射を起こし素子外部に取り出すことができないことや、透明電極ないし発光層と透明基板との間で光が全反射を起こし、光が透明電極ないし発光層を導波し、結果として光が素子側面方向に逃げるためである。 This (the transparent substrate and the air interface) interface at the critical angle or more angle θ light incident on the or can not be extracted outside the device undergoes total reflection, the transparent electrode or the light emitting layer and the transparent substrate light is totally reflected between the light is guided through the transparent electrode or the light emitting layer, whereby light is to escape in the direction of the element side surface.

この光の取り出しの効率を向上させる手法としては、例えば、透明基板表面に凹凸を形成し、透明基板と空気界面での全反射を防ぐ方法(米国特許第4,774,435号明細書)、基板に集光性を持たせることにより効率を向上させる方法(特開昭63−314795号公報)、素子の側面等に反射面を形成する方法(特開平1−220394号公報)、基板と発光体の間に中間の屈折率を持つ平坦層を導入し、反射防止膜を形成する方法(特開昭62−172691号公報)、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法(特開2001−202827号公報)、基板、透明電極層や発光層のいずれかの層間(含む、基板と外界間)に回折格子を形成する方法(特開平11−283751号公報)等がある。 As a method for improving the efficiency of extraction of light, for example, by forming a concave-convex surface of a transparent substrate to prevent total reflection at the transparent substrate and the air interface methods (U.S. Pat. No. 4,774,435), how to improve the efficiency by providing a light collecting the substrate (JP 63-314795 JP), a method of forming a reflective surface on the side surface or the like of the element (JP-a-1-220394), the substrate and the light emitting flat, between the body by introducing a flat layer having a refractive index of the intermediate, a method of forming an antireflection film (JP 62-172691 JP), with a lower refractive index than the substrate between the substrate and the light emitting element a method of introducing a layer (JP 2001-202827), a substrate, any of the layers such as the transparent electrode layer or the light emitting layer (including the substrate and the outside inter) method in which a diffraction grating is formed (JP-a-11-283751 there is a publication), and the like.

本発明においては、これらの方法を本発明の有機EL素子と組み合わせて用いることができるが、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法、あるいは基板、透明電極層や発光層のいずれかの層間(含む、基板と外界間)に回折格子を形成する方法を好適に用いることができる。 In the present invention, it is possible to use a combination of these methods with the organic EL device of the present invention, a method for introducing a flat layer having a lower refractive index than the substrate between the substrate and the light emitting element or the substrate, a transparent electrode layers and any layers of the light emitting layer (including, between the substrate and the outside world) a method of forming a diffraction grating can be suitably used.

本発明はこれらの手段を組み合わせることにより、更に高輝度あるいは耐久性に優れた素子を得ることができる。 The present invention is by combining these means, it is possible to obtain an excellent device further high luminance or durability.

透明電極と透明基板の間に低屈折率の媒質を光の波長よりも長い厚みで形成すると、透明電極から出てきた光は、媒質の屈折率が低いほど外部への取り出し効率が高くなる。 When a transparent electrode and a longer thickness than the wavelength of light to medium low refractive index between the transparent substrate, the light emerging from the transparent electrode, the extraction efficiency to the outside, the higher the refractive index of the medium is low.

低屈折率層としては、例えば、エアロゲル、多孔質シリカ、フッ化マグネシウム、フッ素系ポリマー等が挙げられる。 The low refractive index layer, for example, airgel, porous silica, magnesium fluoride, and fluorine based polymers. 透明基板の屈折率は一般に1.5〜1.7程度であるので、低屈折率層は屈折率がおよそ1.5以下であることが好ましい。 Since the refractive index of the transparent substrate is commonly about 1.5 to 1.7, the low refractive index layer is preferably a refractive index of about 1.5 or less. また、更に1.35以下であることが好ましい。 Further, it is preferable that the further 1.35.

また、低屈折率媒質の厚みは媒質中の波長の2倍以上となるのが望ましい。 Further, thickness of the low refractive index medium is at least two times the wavelength in the medium is desirable. これは低屈折率媒質の厚みが、光の波長程度になってエバネッセントで染み出した電磁波が基板内に入り込む膜厚になると、低屈折率層の効果が薄れるからである。 This thickness of the low refractive index medium is that electromagnetic waves oozed via evanescent turned about the wavelength of light becomes a film thickness enter into the substrate, effects of the low refractive index layer fades.

全反射を起こす界面もしくはいずれかの媒質中に回折格子を導入する方法は、光取り出し効率の向上効果が高いという特徴がある。 A method of introducing a diffraction grating on the interface or in one of the medium causes total reflection is characterized in that light extraction efficiency is significantly enhanced. この方法は回折格子が1次の回折や2次の回折といった所謂ブラッグ回折により、光の向きを屈折とは異なる特定の向きに変えることができる性質を利用して、発光層から発生した光のうち層間での全反射等により外に出ることができない光を、いずれかの層間もしくは、媒質中(透明基板内や透明電極内)に回折格子を導入することで光を回折させ、光を外に取り出そうとするものである。 This method is the so-called Bragg diffraction such diffraction grating first order diffraction and second order diffraction, utilizing a property that can be converted into the specific direction different from the refractive directing of light, of the light emitted from the luminescence layer the light can not be emitted to the exterior due to total reflection on the inner layers, one of the interlayer or diffracts light by introducing the diffraction grating in the medium (in the transparent substrate and the transparent electrode), an outer light it is intended to be taken out to.

導入する回折格子は、二次元的な周期屈折率を持っていることが望ましい。 Diffraction grating to be introduced, it is desirable that a two-dimensional periodic refractive index. これは発光層で発光する光はあらゆる方向にランダムに発生するので、ある方向にのみ周期的な屈折率分布を持っている一般的な1次元回折格子では、特定の方向に進む光しか回折されず、光の取り出し効率がさほど上がらない。 Since this occurs at random in all directions light emitted in the light emitting layer, in a typical one-dimensional diffraction grating having a periodic refractive index distribution only in a certain direction, the light only diffracted to proceed in a particular direction not, extraction efficiency of light is not so much rise. しかしながら、屈折率分布を二次元的な分布にすることにより、あらゆる方向に進む光が回折され、光の取り出し効率が上がる。 However, by changing the refractive index distribution to a two-dimensional, the light diffraction proceeds in all directions, the light extraction efficiency is enhanced.

回折格子を導入する位置としては前述の通り、いずれかの層間もしくは媒質中(透明基板内や透明電極内)でもよいが、光が発生する場所である有機発光層の近傍が望ましい。 Described above as a position for introducing the diffraction grating, any layers or in a medium (in a transparent substrate or a transparent electrode) may be used, but near the organic light emitting layer is where light is generated is preferable.

このとき、回折格子の周期は媒質中の光の波長の約1/2〜3倍程度が好ましい。 At this time, the period of the diffraction grating is about 1 / 2-3 times the wavelength of light in the medium.

回折格子の配列は正方形のラチス状、三角形のラチス状、ハニカムラチス状等、2次元的に配列が繰り返されることが好ましい。 Diffraction grating array square lattice shape, a triangular lattice, or a honeycomb lattice shape or the like, two-dimensional array is preferably repeated.

《集光シート》 "Condensing sheet"
本発明の有機EL素子は基板の光取り出し側に、例えば、マイクロレンズアレイ状の構造を設けるように加工したり、あるいは所謂集光シートと組み合わせることにより、特定方向、例えば、素子発光面に対し正面方向に集光することにより、特定方向上の輝度を高めることができる。 The organic EL element light extraction side of the substrate of the present invention, for example, by combining the processing or or so-called condensing sheet, to provide a structure of shaped microlens array, a specific direction, for example, to element emitting surface by condensing in the front direction, it is possible to enhance luminance in the specific direction.

マイクロレンズアレイの例としては、基板の光取り出し側に一辺が30μmでその頂角が90度となるような四角錐を2次元に配列する。 Examples of the microlens array, one side to the light extraction side of the substrate and an apex angle 30μm are two-dimensionally arranged on pyramids be 90 degrees. 一辺は10μm〜100μmが好ましい。 One side is 10μm~100μm is preferable. これより小さくなると回折の効果が発生して色付く、大きすぎると厚みが厚くなり好ましくない。 Turns red and yellow and the effect of the diffraction becomes smaller than that this occurs, undesired thickness increases too.

集光シートとしては、例えば、液晶表示装置のLEDバックライトで実用化されているものを用いることが可能である。 The light-condensing sheet, for example, it is possible to use those which have been put to practical use in LED backlight of a liquid crystal display device. このようなシートとして、例えば、住友スリーエム社製輝度上昇フィルム(BEF)等を用いることができる。 As such a sheet, for example, it can be used by Sumitomo 3M Limited luminance enhancing film (BEF),. プリズムシートの形状としては、例えば、基材に頂角90度、ピッチ50μmの△状のストライプが形成されたものであってもよいし、頂角が丸みを帯びた形状、ピッチをランダムに変化させた形状、その他の形状であってもよい。 The shape of the prism sheet, for example, changing an apex angle of 90 degrees to the substrate may be those △ stripe pitch 50μm was formed, a shape in which the apex angle is rounded, randomly pitch shape is, or may be other shapes.

また、発光素子からの光放射角を制御するために、光拡散板・フィルムを集光シートと併用してもよい。 Further, in order to control the emission angle of the light from the light emitting element, a light diffusing plate or film may be used in combination with the light-condensing sheet. 例えば、(株)きもと製拡散フィルム(ライトアップ)等を用いることができる。 For example, it is possible to use such Corporation Kimoto Ltd. diffusion film (light-up).

《有機EL素子の作製方法》 "Method for manufacturing the organic EL element"
本発明の有機EL素子の作製方法の一例として、陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極からなる有機EL素子の作製法を説明する。 As an example of a method for manufacturing an organic EL device of the present invention, illustrating a fabrication method of an anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / consisting cathode organic EL element.

まず適当な基体上に所望の電極物質、例えば、陽極用物質からなる薄膜を1μm以下、好ましくは10nm〜200nmの膜厚になるように、蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ陽極を作製する。 Desired electrode material on a first suitable substrate, e.g., below 1μm, a thin film made of an anode substance, preferably to have a thickness of 10 nm to 200 nm, to prepare an anode is formed by vapor deposition, sputtering or some other method.

次に、この上に有機EL素子材料である正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、正孔阻止層の有機化合物薄膜を形成させる。 Next, a hole injection layer is an organic EL element material on the hole transporting layer, light emitting layer, electron transporting layer, an electron injection layer to form an organic compound thin film of the hole blocking layer.

これら各層の形成方法としては、前記の如く蒸着法、ウェットプロセス(スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、印刷法)等があるが、均質な膜が得られやすく、且つピンホールが生成しにくい等の点から、本発明においてはスピンコート法、インクジェット法、印刷法等の塗布法による成膜が好ましい。 As a method for forming these layers, a vapor deposition method as described above, a wet process (spin coating method, a casting method, an inkjet method, a printing method), homogeneous film is liable to be obtained, and pinholes are not easily generated in terms of equal, spin coating in the present invention, an ink jet method, the deposition is preferably by a coating method of the printing method.

本発明に係る有機EL材料を溶解または分散する液媒体としては、例えば、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル等の脂肪酸エステル類、ジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類、トルエン、キシレン、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素類、シクロヘキサン、デカリン、ドデカン等の脂肪族炭化水素類、DMF、DMSO等の有機溶媒を用いることができる。 As the liquid medium dissolving or dispersing the organic EL material according to the present invention, for example, methyl ethyl ketone, ketones such as cyclohexanone, fatty acid esters such as ethyl acetate, halogenated hydrocarbons such as dichlorobenzene, toluene, xylene, mesitylene it can be used aromatic hydrocarbons such as cyclohexylbenzene, cyclohexane, decalin, aliphatic hydrocarbons such as dodecane, DMF, an organic solvent such as DMSO. また分散方法としては、超音波、高剪断力分散やメディア分散等の分散方法により分散することができる。 As the dispersion method, can be dispersed by ultrasonic, dispersing methods such as high shear dispersion or media dispersion.

これらの層を形成後、その上に陰極用物質からなる薄膜を1μm以下、好ましくは、50nm〜200nmの範囲の膜厚になるように、例えば、蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ、陰極を設けることにより所望の有機EL素子が得られる。 After forming these layers, the upper 1μm below the thin film comprising a cathode material, preferably, so that the thickness in the range of 50 nm to 200 nm, for example, is formed by a method such as vapor deposition or sputtering, the cathode desired organic EL device can be obtained by providing.

また作製順序を逆にして、陰極、電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、陽極の順に作製することも可能である。 Further, reversing the preparation order, a cathode, an electron injection layer, an electron transport layer, light emitting layer, a hole transport layer, a hole injection layer, it is also possible to prepare the order of the anode. このようにして得られた多色の表示装置に、直流電圧を印加する場合には陽極を+、陰極を−の極性として電圧2〜40V程度を印加すると発光が観測できる。 Such multi-color display device obtained by, in the case of applying a DC voltage to an anode +, cathode - polarity voltage of approximately 2~40V the emission can be observed applied as the. また交流電圧を印加してもよい。 The alternating current voltage may be applied. なお、印加する交流の波形は任意でよい。 The waveform of the alternating current may be arbitrary.

《用途》 "Applications"
本発明の有機EL素子は、表示デバイス、ディスプレイ、各種発光光源として用いることができる。 The organic EL device of the present invention can be used as a display device, a display, or various light emission sources. 発光光源として、例えば、照明装置(家庭用照明、車内照明)、時計や液晶用バックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるがこれに限定するものではないが、特に液晶表示装置のバックライト、照明用光源としての用途に有効に用いることができる。 As a light emitting source, for example, the lighting device (home lighting, interior lighting), a watch or a liquid crystal backlight, billboards, traffic lights, light sources of optical storage medium, the electrophotographic copying machine the light source, an optical communication processor light source, Although the sensor of the light source and the like are not limited to this, but can be used in particular backlight of a liquid crystal display device, effective for use as a light source for illumination.

本発明の有機EL素子においては、必要に応じ成膜時にメタルマスクやインクジェットプリンティング法等でパターニングを施してもよい。 In the organic EL device of the present invention, it may be subjected to patterning a metal mask or an ink-jet printing method at the time of film formation needed. パターニングする場合は、電極のみをパターニングしてもよいし、電極と発光層をパターニングしてもよいし、素子全層をパターニングしてもよく、素子の作製においては、従来公知の方法を用いることができる。 When the patterning is carried out, only may be patterned electrodes may be patterned electrode and the light emitting layer may be patterned all element layers, in the fabrication of the device, the use of a known method can.

本発明の有機EL素子や本発明に係る化合物の発光する色は、「新編色彩科学ハンドブック」(日本色彩学会編、東京大学出版会、1985)の108頁の図4.16において、分光放射輝度計CS−1000(コニカミノルタセンシング社製)で測定した結果をCIE色度座標に当てはめたときの色で決定される。 Color of light emitted compounds according to the organic EL device and the invention of the present invention, "Shinpen Color Science Handbook" (Color Science Association of Japan, ed., University of Tokyo Press, 1985) in Figure 4.16 of page 108 of the spectral radiance It determined the results of measurement by the meter CS-1000 (produced by Konica Minolta sensing, Inc.) in color when fitted to CIE chromaticity coordinates.

また、本発明の有機EL素子が白色素子の場合には、白色とは、2度視野角正面輝度を上記方法により測定した際に、1000Cd/m 2でのCIE1931表色系における色度がX=0.33±0.07、Y=0.33±0.1の領域内にあることを言う。 Further, when the organic EL element of the present invention is white elements, white and has a two-degree field angle front luminance as measured by the above method, the chromaticity in the CIE1931 color system at 1000 Cd / m 2 is X = 0.33 ± 0.07, means that in the region of Y = 0.33 ± 0.1.

以下、実施例により本発明を説明するが、本発明はこれらに限定されない。 The present invention will be described below by way of examples, the present invention is not limited thereto. 尚、実施例に用いられる化合物を下記に示す。 Incidentally, it shows the compounds used in the examples below.

実施例1 Example 1
有機EL素子の作製は、下記の塗布溶液1−1〜1−5を各々調製した後、該塗布用液を用いて、各有機EL素子を作製した。 Preparation of Organic EL elements, after each prepare a coating solution 1-1 to 1-5 below, using the coating liquid for to prepare each organic EL element.

《塗布溶液1−1〜1−5の調製》:光照射により重合体形成 窒素雰囲気下、CBP(600mg)及びIr−1(30mg)を脱水ジクロロエタン60mlに溶解し、撹拌下高圧水銀灯にて紫外光を120秒間照射し、塗布溶液1−1を調製した。 "Preparation of coating solution 1-1 to 1-5": under polymer forming a nitrogen atmosphere by light irradiation, was dissolved CBP (600 mg) and Ir-1 a (30 mg) in anhydrous dichloroethane 60 ml, ultraviolet under agitation a high pressure mercury lamp the light was irradiated for 120 seconds, and the coating solution 1-1 was prepared.

次いで、塗布溶液1−1の調製において、発光層に用いる化合物を表1に記載のように変更した以外は同様にして、塗布溶液1−2〜1−5を各々調製した。 Then, in the preparation of the coating solution 1-1, except that the compound used for the light-emitting layer was changed as shown in Table 1 were similarly each to prepare a coating solution 1-2~1-5.

得られた、塗布溶液1−2〜1−5の一部を、市販のLC−MS(液体クロマトグラフ−質量分析計)にて分析したところ、含有モノマーの重合体の生成を確認することができたが、塗布溶液1−1は紫外光の照射前後で組成に変化は認められなかった。 The resulting, a portion of the coating solution 1-2~1-5 commercial LC-MS - was analyzed by (liquid chromatography mass spectrometry), can see the formation of polymer-containing monomer It can have, but the coating solution 1-1 changes the composition before and after irradiation of ultraviolet light was observed.

また、これらの塗布溶液の含水量及び溶存酸素量を測定したところ、それぞれ10ppm以下であった。 The measured moisture content and the dissolved oxygen content of these coating solutions was 10ppm or less, respectively.

《有機EL素子1−1の作製》 "Fabrication of organic EL element 1-1"
陽極として100mm×100mm×1.1mmのガラス基板上にITO(インジウムチンオキシド)を100nm製膜した基板(NHテクノグラス社製NA45)にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行なった。 After patterning the ITO substrate with 100nm film forming the (indium tin oxide) (NH Techno Glass NA45) to 100 mm × 100 mm × 1.1 mm glass substrate as an anode, a transparent support having the ITO transparent electrode the substrate was ultrasonically washed with isopropyl alcohol, dried with dry nitrogen gas and subjected to UV-ozone cleaning for 5 minutes.

この基板を市販のスピンコータに取り付け、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)−ポリスチレンスルホネート(PEDOT/PSS、Bayer社製、Baytron P Al 4083)を純水で70%に希釈した溶液を3000rpm、30秒でスピンコート法により成膜した後、200℃にて1時間乾燥し、膜厚30nmの正孔輸送層を設けた。 Mounting the substrate in a commercially available spin coater, poly (3,4-ethylenedioxythiophene) - polystyrene sulfonate (PEDOT / PSS, Bayer Co., Baytron P Al 4083) a solution obtained by diluting 70% with pure water 3000 rpm, after forming by spin coating in 30 seconds, then dried 1 hour at 200 ° C., form a hole transport layer having a thickness of 30 nm.

乾燥処理終了後、再び基板をスピンコータに取り付け、塗布溶液1−1を用い、1000rpm、30秒の条件下、スピンコートして有機薄膜(膜厚40nm)を形成し、60℃で1時間真空乾燥し、発光層とした。 After drying processing is completed, reattached the substrate to spin coater, a coating solution 1-1, under the conditions of 1000 rpm, 30 seconds, and spin-coated to form an organic thin film (film thickness 40 nm), 1 hour and vacuum dried at 60 ° C. then, it was a light-emitting layer.

次に、この基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、モリブデン製抵抗加熱ボートにバソキュプロイン(BCP)を200mg入れ、また、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにAlq 3を200mg入れ、真空蒸着装置に取り付けた。 Then, the substrate was fixed to a substrate holder of a vacuum deposition apparatus, the bathocuproine (BCP) to molybdenum resistance heating boat charged 200mg, also the Alq 3 was placed 200mg in a third resistive heating molybdenum boat, to a vacuum deposition apparatus It was attached.

真空槽を4×10 -4 Paまで減圧した後、BCPの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒で前記発光層に蒸着して、更に膜厚10nmの正孔阻止層を設けた。 After pressure in the vacuum tank was reduced to 4 × 10 -4 Pa, and heated by supplying an electric current to the boat containing BCP, it was deposited on the light emitting layer at a deposition rate of 0.1 nm / sec, more positive thickness 10nm provided hole inhibition layer.

続いて、Alq 3の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒で正孔阻止層上に蒸着して、膜厚40nmの電子輸送層を設けた。 Subsequently, heated by supplying an electric current to the boat containing Alq 3, at a deposition rate of 0.1 nm / sec by evaporating on the hole blocking layer, an electron transporting layer having a thickness of 40 nm. 尚、蒸着時の基板温度は室温であった。 The substrate temperature during the deposition was room temperature.

引き続き、フッ化リチウム0.5nm及びアルミニウム110nmを蒸着して陰極を形成し、有機EL素子1−1を作製した。 Subsequently, to form a cathode by depositing lithium fluoride 0.5nm and aluminum 110 nm, to manufacture an organic EL element 1-1.

《有機EL素子1−2〜1−5の作製》 "Fabrication of organic EL element 1-2~1-5"
有機EL素子1−1の作製において、塗布溶液1−1を塗布溶液1−2〜1−5に置き換えて有機薄膜を形成した以外は同様にして、有機EL素子1−2〜1−5を各々作製した。 In the preparation of the organic EL element 1-1, except that the formation of the organic thin film by replacing the coating solution 1-1 in the coating solution 1-2~1-5 Similarly, the organic EL element 1-2~1-5 each was prepared.

《有機EL素子1−1〜1−5の評価》 "Evaluation of Organic EL element 1-1 to 1-5"
以下のようにして有機EL素子1−1〜1−5の評価を行った。 It was evaluated in the organic EL element 1-1 to 1-5 in the following manner.

得られた有機EL素子1−1〜1−15を評価するに際しては、作製後の各有機EL素子の非発光面をガラスケースで覆い、厚み300μmのガラス基板を封止用基板として用いて、周囲にシール材として、エポキシ系光硬化型接着剤(東亞合成社製ラックストラックLC0629B)を適用し、これを上記陰極上に重ねて前記透明支持基板と密着させ、ガラス基板側からUV光を照射して、硬化させて、封止して、図1、図2に示すような照明装置を形成して評価した。 In assessing the organic EL device 1-1 to 1-15 obtained are non-light emitting surface of the organic EL element after fabricated covered with a glass casing, using a glass substrate having a thickness of 300μm as a substrate for sealing, as a sealing material around, epoxy photocuring adhesive (manufactured by Toagosei Co., Ltd. LUX track LC0629B) was applied, which was in close contact with the transparent supporting substrate superimposed on said cathode, irradiated with UV light from the glass substrate side to, cured, seals, Figure 1, was evaluated by forming the lighting device shown in FIG.

図1は照明装置の概略図を示し、有機EL素子101はガラスカバー102で覆われている(なお、ガラスカバーでの封止作業は、有機EL素子101を大気に接触させることなく窒素雰囲気下のグローブボックス(純度99.999%以上の高純度窒素ガスの雰囲気下)で行った)。 Figure 1 shows a schematic view of a lighting device, the organic EL element 101 is covered with glass cover 102 (the sealing operation of the glass cover, under a nitrogen atmosphere without the organic EL element 101 into contact with the atmosphere of the glove box was carried out (under an atmosphere of purity of 99.999% or more of the high-purity nitrogen gas)).

図2は照明装置の断面図を示し、図2において、105は陰極、106は有機EL層、107は透明電極付きガラス基板を示す。 Figure 2 shows a cross-sectional view of a lighting device, in FIG. 2, 105 cathode 106 organic EL layer, 107 denotes a glass substrate with a transparent electrode. なお、ガラスカバー102内には窒素ガス108が充填され、捕水剤109が設けられている。 Note that the glass cover 102 in a nitrogen gas 108 is filled, Tomizuzai 109 is provided.

《外部取りだし量子効率》 "External extraction quantum efficiency"
有機EL素子1−1〜1−5の各々について、23℃、乾燥窒素ガス雰囲気下で2.5mA/cm 2の定電流を印加した時の外部取り出し量子効率(%)を測定し、下記の表1に示す。 For each of the organic EL element 1-1 to 1-5, 23 ° C., a dry nitrogen gas atmosphere at 2.5 mA / cm 2 constant current external extraction quantum efficiency upon application of a (%) was measured, the following It is shown in Table 1. 測定には、分光放射輝度計CS−1000(コニカミノルタセンシング製)を用いた。 It was used for the measurement spectroradiometer CS-1000 (manufactured by Konica Minolta Sensing).

尚、表1の外部取りだし量子効率の測定結果は、有機EL素子1−1の測定値を100とした時の相対値で表した。 The external extraction measurements of the quantum efficiency in Table 1 are expressed as relative values ​​when the measured value of the organic EL element 1-1 and 100.

《発光寿命》 "Emission lifetime"
2.5mA/cm 2の一定電流で駆動したときに、輝度が発光開始直後の輝度(初期輝度)の半分に低下するのに要した時間を測定し、半減寿命時間(τ 05 )として寿命の指標とした。 When driven at a constant current of 2.5 mA / cm 2, the luminance is to measure the time required to drop to half of the emission immediately after the start of the luminance (initial luminance), as the half-life time (tau 0. 5) It was used as an indicator of life. 測定には分光放射輝度計CS−1000(コニカミノルタセンシング製)を用いた。 Using a spectral radiance meter CS-1000 (produced by Konica Minolta Sensing) for the measurement.

尚、表1に示す発光寿命の測定結果は、有機EL素子1−1の測定値を100とした時の相対値で表した。 The measurement results of the light emission life shown in Table 1 are expressed as relative values ​​when the measured value of the organic EL element 1-1 and 100.

得られた結果を表1に示す。 The results obtained are shown in Table 1.

表1から、比較の有機EL素子に比べて、本発明の有機EL素子は、長寿命化が達成されていることが明らかである。 From Table 1, as compared with the organic EL element of comparison, an organic EL device of the present invention, it is clear that the long life is achieved.

実施例2 Example 2
《塗布溶液2−1〜2−3の調製》:加熱処理により重合体形成 窒素雰囲気下、例示化合物4−1(600mg)を脱水キシレン60mlに溶解し、130℃で30分加熱し、塗布溶液2−1を調製した。 "Preparation of coating solution 2-1-2-3": under polymer forming a nitrogen atmosphere by heat treatment, exemplified compound 4-1 (600 mg) was dissolved in dehydrated xylene 60 ml, was heated for 30 minutes at 130 ° C., the coating solution 2-1 was prepared.

続いて、窒素雰囲気下、例示化合物1−21(600mg)及び例示化合物2−25(30mg)を脱水キシレン60mlに溶解し、130℃で30分加熱し、塗布溶液2−2を調製した。 Subsequently, under a nitrogen atmosphere, dissolved exemplified compound 1-21 (600 mg) and exemplified compound 2-25 a (30 mg) in dehydrated xylene 60 ml was heated for 30 minutes at 130 ° C., to prepare a coating solution 2-2.

更に、窒素雰囲気下、例示化合物3−14(600mg)を脱水キシレン60mlに溶解し、130℃で30分加熱し、塗布溶液2−3を調製した。 Furthermore, under a nitrogen atmosphere, dissolved exemplified compound 3-14 (600 mg) in dehydrated xylene 60 ml was heated for 30 minutes at 130 ° C., and the coating solution 2-3 was prepared.

調製した塗布溶液2−1〜2−3の各々一部を、実施例1に記載と同様にして、市販のLC−MS(液体クロマトグラフ−質量分析計)にて分析し、含有モノマーの重合体の生成を確認することができた。 Some Each coating solution 2-1 to 2-3 were prepared, in the same manner as described in Example 1, a commercially available LC-MS - analyzed by (liquid chromatography mass spectrometry), containing monomers heavy We were able to confirm the formation of the union. また、これらの塗布溶液の含水量及び溶存酸素量を測定したところ、それぞれ10ppm以下であった。 The measured moisture content and the dissolved oxygen content of these coating solutions was 10ppm or less, respectively.

《有機EL素子2−1の作製》:青色発光素子 陽極として100mm×100mm×1.1mmのガラス基板上にITO(インジウムチンオキシド)を100nm製膜した基板(NHテクノグラス社製NA45)にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行なった。 "Preparation of Organic EL element 2-1": patterning the ITO substrate with 100nm film forming the (indium tin oxide) (NH Techno Glass NA45) blue light emitting element 100 mm × 100 mm × 1.1 mm glass substrate as an anode after the transparent substrate having the ITO transparent electrode was subjected to ultrasonic cleaning with isopropyl alcohol, dried with dry nitrogen gas and subjected to UV-ozone cleaning for 5 minutes.

この基板を市販のスピンコータに取り付け、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)−ポリスチレンスルホネート(PEDOT/PSS、Bayer社製、Baytron P Al 4083)を純水で70%に希釈した溶液を3000rpm、30秒でスピンコート法により成膜した後、200℃にて1時間乾燥し、膜厚30nmの正孔注入層を設けた。 Mounting the substrate in a commercially available spin coater, poly (3,4-ethylenedioxythiophene) - polystyrene sulfonate (PEDOT / PSS, Bayer Co., Baytron P Al 4083) a solution obtained by diluting 70% with pure water 3000 rpm, after forming by spin coating in 30 seconds, then dried 1 hour at 200 ° C., a hole injection layer having a thickness of 30 nm.

乾燥処理終了後、再び基板をスピンコータに取り付け、塗布溶液2−1を用いて、1000rpm、30秒の条件下、スピンコートにより、有機薄膜として正孔輸送層を設け、続いて、塗布溶液2−2を用いて、1000rpm、30秒の条件下、スピンコートにより、有機薄膜として発光層を設け、更に、塗布溶液2−3を用いて、1000rpm、30秒の条件下、スピンコートにて正孔阻止層を設けた。 After drying processing is completed, reinstall the substrate in a spin coater, with a coating solution 2-1, under the conditions of 1000 rpm, 30 seconds, by spin coating, the hole transport layer provided as an organic thin film, followed by coating the solution 2 2 using, under the conditions of 1000 rpm, 30 seconds, by spin coating, a light-emitting layer provided as an organic thin film, further, by using a coating solution 2-3, under the conditions of 1000 rpm, 30 seconds, a hole by spin coating a blocking layer is provided.

続いて、この基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、モリブデン製抵抗加熱ボートにAlq 3を200mg入れ、真空蒸着装置に取り付けた。 Subsequently, the substrate was fixed to a substrate holder of a vacuum deposition apparatus, the Alq 3 was placed 200mg to molybdenum resistance heating boat was attached to a vacuum deposition apparatus.

真空槽を4×10 -4 Paまで減圧した後、Alq 3の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒で前記正孔阻止層上に蒸着して、更に膜厚40nmの電子輸送層を設けた。 After pressure in the vacuum tank was reduced to 4 × 10 -4 Pa, and heated by supplying an electric current to the boat containing Alq 3, it was deposited on the hole blocking layer at a deposition rate of 0.1 nm / sec, further film an electron transporting layer having a thickness 40 nm. なお、蒸着時の基板温度は室温であった。 The substrate temperature during the deposition was room temperature.

引き続き、フッ化リチウム0.5nm及びアルミニウム110nmを蒸着して陰極を形成し、有機EL素子2−1を作製した。 Subsequently, to form a cathode by depositing lithium fluoride 0.5nm and aluminum 110 nm, to manufacture an organic EL element 2-1.

この素子に通電したところ青色の発光が得られ、有機EL表示装置として使用出来ることが判った。 Blue light was obtained was energized to the device, it was found that can be used as the organic EL display device.

実施例3 Example 3
《有機EL素子3−1の作製》:白色照明装置の作製 実施例1の有機EL素子1−4の作製において、例示化合物2−19(30mg)をIr−1(9mg)、Ir−9(9mg)、Ir−14(12mg)に置き換えた以外は同様にして有機薄膜(発光層)を形成し、有機EL素子3−1を作製した。 "Preparation of Organic EL element 3-1": In the preparation of the organic EL element 1-4 of Preparation Example 1 of a white illumination device, exemplified compound 2-19 (30 mg) with Ir-1 (9mg), Ir-9 ( 9 mg), was replaced in Ir-14 (12 mg) to form an organic thin film (light emitting layer) in a similar manner, to produce an organic EL element 3-1.

この素子に通電したところほぼ白色の光が得られ、照明装置として使用出来ることが判った。 This device substantially white light is obtained was energized, it has been found that can be used as a lighting device.

照明装置の概略図である。 It is a schematic view of a lighting device. 照明装置の断面図である。 It is a cross-sectional view of the lighting device.

符号の説明 DESCRIPTION OF SYMBOLS

101 有機EL素子 102 ガラスカバー 105 陰極 106 有機EL層 107 透明電極付きガラス基板 108 窒素ガス 109 捕水剤 101 organic EL device 102 glass cover 105 cathode 106 organic EL layer 107 transparent electrode-coated glass substrate 108 Nitrogen gas 109 Tomizuzai

Claims (13)

  1. 反応性モノマーにエネルギー付与して、該反応性モノマーの重合体を含有する反応溶液を調製し、該反応溶液を用いて成膜する工程を有することを特徴とする有機薄膜の製造方法。 And energy applied to the reactive monomer, the reaction solution containing the polymer of the reactive monomer were prepared and the method of manufacturing the organic thin film and a step of forming a film using the reaction solution.
  2. 前記エネルギー付与が光照射により行われることを特徴とする請求項1に記載の有機薄膜の製造方法。 The method of manufacturing an organic thin film according to claim 1, characterized in that said energy application is conducted by light irradiation.
  3. 前記エネルギー付与が加熱処理により行われることを特徴とする請求項1に記載の有機薄膜の製造方法。 The method of manufacturing an organic thin film according to claim 1, characterized in that said energy application is effected by heat treatment.
  4. 前記反応溶液に重合開始剤が含まれていないことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の有機薄膜の製造方法。 The method of manufacturing an organic thin film according to claim 1, wherein the do not contain a polymerization initiator to the reaction solution.
  5. 前記反応溶液の含水量が100ppm以下であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の有機薄膜の製造方法。 The method of manufacturing an organic thin film according to any one of claims 1 to 4, wherein the water content of the reaction solution is 100ppm or less.
  6. 前記反応溶液の溶存酸素量が100ppm以下であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の有機薄膜の製造方法。 The method of manufacturing an organic thin film according to any one of claims 1 to 5, wherein the amount of dissolved oxygen in the reaction solution is 100ppm or less.
  7. 請求項1〜6のいずれか1項に記載の有機薄膜の製造方法により製造されたことを特徴とする有機薄膜。 The organic thin film characterized by being manufactured by the manufacturing method of an organic thin film according to any one of claims 1 to 6.
  8. 請求項7に記載の有機薄膜を用いて形成されたことを特徴とする電子デバイス。 Electronic device characterized by being formed using an organic thin film according to claim 7.
  9. 請求項7に記載の有機薄膜を用いて形成されたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 The organic electroluminescent device characterized by being formed using an organic thin film according to claim 7.
  10. リン光発光性化合物を含有することを特徴とする請求項9に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 The organic electroluminescent device according to claim 9, characterized in that it contains phosphorescent compound.
  11. 白色に発光することを特徴とする請求項9または10に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 The organic electroluminescent device according to claim 9 or 10, characterized in that emits white light.
  12. 請求項9〜11のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたことを特徴とする表示装置。 Display apparatus comprising the organic electroluminescent element of any one of claims 9-11.
  13. 請求項9〜11のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたことを特徴とする照明装置。 Lighting apparatus comprising the organic electroluminescent element of any one of claims 9-11.
JP2007048777A 2007-02-28 2007-02-28 Organic thin film, method for producing the same, electronic device, organic luminescence element, display device and lightening equipment Pending JP2008207520A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007048777A JP2008207520A (en) 2007-02-28 2007-02-28 Organic thin film, method for producing the same, electronic device, organic luminescence element, display device and lightening equipment

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007048777A JP2008207520A (en) 2007-02-28 2007-02-28 Organic thin film, method for producing the same, electronic device, organic luminescence element, display device and lightening equipment

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2008207520A true JP2008207520A (en) 2008-09-11

Family

ID=39784233

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007048777A Pending JP2008207520A (en) 2007-02-28 2007-02-28 Organic thin film, method for producing the same, electronic device, organic luminescence element, display device and lightening equipment

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2008207520A (en)

Cited By (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011051404A1 (en) 2009-10-28 2011-05-05 Basf Se Heteroleptic carbene complexes and use thereof in organic electronics
WO2011073149A1 (en) 2009-12-14 2011-06-23 Basf Se Metal complexes comprising diazabenzimidazol carbene-ligands and the use thereof in oleds
WO2011093309A1 (en) * 2010-01-28 2011-08-04 コニカミノルタホールディングス株式会社 Organic photoelectric conversion element
JP2013060368A (en) * 2011-09-12 2013-04-04 Yamagata Univ Carbazole derivative and organic electroluminescent element using the same
WO2014012972A1 (en) 2012-07-19 2014-01-23 Basf Se Dinuclear metal complexes comprising carbene ligands and the use thereof in oleds
US8691401B2 (en) 2010-04-16 2014-04-08 Basf Se Bridged benzimidazole-carbene complexes and use thereof in OLEDS
KR20140072021A (en) * 2011-07-11 2014-06-12 메르크 파텐트 게엠베하 Compositions for organic electroluminescent devices
WO2014147134A1 (en) 2013-03-20 2014-09-25 Basf Se Azabenzimidazole carbene complexes as efficiency booster in oleds
WO2014177518A1 (en) 2013-04-29 2014-11-06 Basf Se Transition metal complexes with carbene ligands and the use thereof in oleds
WO2015000955A1 (en) 2013-07-02 2015-01-08 Basf Se Monosubstituted diazabenzimidazole carbene metal complexes for use in organic light emitting diodes
US9142792B2 (en) 2010-06-18 2015-09-22 Basf Se Organic electronic devices comprising a layer comprising at least one metal organic compound and at least one metal oxide
WO2016016791A1 (en) 2014-07-28 2016-02-04 Idemitsu Kosan Co., Ltd (Ikc) 2,9-functionalized benzimidazolo[1,2-a]benzimidazoles as hosts for organic light emitting diodes (oleds)
EP2982676A1 (en) 2014-08-07 2016-02-10 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Benzimidazo[2,1-B]benzoxazoles for electronic applications
EP2993215A1 (en) 2014-09-04 2016-03-09 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Azabenzimidazo[2,1-a]benzimidazoles for electronic applications
US9315724B2 (en) 2011-06-14 2016-04-19 Basf Se Metal complexes comprising azabenzimidazole carbene ligands and the use thereof in OLEDs
EP3015469A1 (en) 2014-10-30 2016-05-04 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 5-((benz)imidazol-2-yl)benzimidazo[1,2-a]benzimidazoles for electronic applications
WO2016079667A1 (en) 2014-11-17 2016-05-26 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Indole derivatives for electronic applications
WO2016079169A1 (en) 2014-11-18 2016-05-26 Basf Se Pt- or pd-carbene complexes for use in organic light emitting diodes
EP3034506A1 (en) 2014-12-15 2016-06-22 Idemitsu Kosan Co., Ltd 4-functionalized carbazole derivatives for electronic applications
EP3034507A1 (en) 2014-12-15 2016-06-22 Idemitsu Kosan Co., Ltd 1-functionalized dibenzofurans and dibenzothiophenes for organic light emitting diodes (OLEDs)
EP3054498A1 (en) 2015-02-06 2016-08-10 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Bisimidazodiazocines
EP3053918A1 (en) 2015-02-06 2016-08-10 Idemitsu Kosan Co., Ltd 2-carbazole substituted benzimidazoles for electronic applications
EP3061759A1 (en) 2015-02-24 2016-08-31 Idemitsu Kosan Co., Ltd Nitrile substituted dibenzofurans
EP3070144A1 (en) 2015-03-17 2016-09-21 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Seven-membered ring compounds
EP3072943A1 (en) 2015-03-26 2016-09-28 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Dibenzofuran/carbazole-substituted benzonitriles
EP3075737A1 (en) 2015-03-31 2016-10-05 Idemitsu Kosan Co., Ltd Benzimidazolo[1,2-a]benzimidazole carrying aryl- or heteroarylnitril groups for organic light emitting diodes
WO2016193243A1 (en) 2015-06-03 2016-12-08 Udc Ireland Limited Highly efficient oled devices with very short decay times
EP3150604A1 (en) 2015-10-01 2017-04-05 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Benzimidazolo[1,2-a]benzimidazole carrying benzimidazolo[1,2-a]benzimidazolyl groups, carbazolyl groups, benzofurane groups or benzothiophene groups for organic light emitting diodes
EP3150606A1 (en) 2015-10-01 2017-04-05 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Benzimidazolo[1,2-a]benzimidazoles carrying benzofurane or benzothiophene groups for organic light emitting diodes
WO2017056053A1 (en) 2015-10-01 2017-04-06 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Benzimidazolo[1,2-a]benzimidazole carrying benzimidazolo[1,2-a]benzimidazolyl groups, carbazolyl groups, benzofurane groups or benzothiophene groups for organic light emitting diodes
WO2017056055A1 (en) 2015-10-01 2017-04-06 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Benzimidazolo[1,2-a]benzimidazole carrying triazine groups for organic light emitting diodes
WO2017078182A1 (en) 2015-11-04 2017-05-11 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Benzimidazole fused heteroaryls
WO2017093958A1 (en) 2015-12-04 2017-06-08 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Benzimidazolo[1,2-a]benzimidazole derivatives for organic light emitting diodes
WO2017109722A1 (en) 2015-12-21 2017-06-29 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Nitrogen-containing heterocyclic compounds and organic electroluminescence devices containing them
WO2017178864A1 (en) 2016-04-12 2017-10-19 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Seven-membered ring compounds
EP3239161A1 (en) 2013-07-31 2017-11-01 UDC Ireland Limited Luminescent diazabenzimidazole carbene metal complexes
US9862739B2 (en) 2014-03-31 2018-01-09 Udc Ireland Limited Metal complexes, comprising carbene ligands having an O-substituted non-cyclometalated aryl group and their use in organic light emitting diodes
EP3415521A1 (en) 2011-06-14 2018-12-19 UDC Ireland Limited Metal complexes comprising azabenzimidazole carbene ligands and the use thereof in oleds

Cited By (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011051404A1 (en) 2009-10-28 2011-05-05 Basf Se Heteroleptic carbene complexes and use thereof in organic electronics
WO2011073149A1 (en) 2009-12-14 2011-06-23 Basf Se Metal complexes comprising diazabenzimidazol carbene-ligands and the use thereof in oleds
US9487548B2 (en) 2009-12-14 2016-11-08 Udc Ireland Limited Metal complexes comprising diazabenzimidazolocarbene ligands and the use thereof in OLEDs
US10090476B2 (en) 2009-12-14 2018-10-02 Udc Ireland Limited Metal complexes comprising diazabenzmidazolocarbene ligands and the use thereof in OLEDs
WO2011093309A1 (en) * 2010-01-28 2011-08-04 コニカミノルタホールディングス株式会社 Organic photoelectric conversion element
JP5648641B2 (en) * 2010-01-28 2015-01-07 コニカミノルタ株式会社 The organic photoelectric conversion element
US8691401B2 (en) 2010-04-16 2014-04-08 Basf Se Bridged benzimidazole-carbene complexes and use thereof in OLEDS
US9142792B2 (en) 2010-06-18 2015-09-22 Basf Se Organic electronic devices comprising a layer comprising at least one metal organic compound and at least one metal oxide
US9315724B2 (en) 2011-06-14 2016-04-19 Basf Se Metal complexes comprising azabenzimidazole carbene ligands and the use thereof in OLEDs
EP3415521A1 (en) 2011-06-14 2018-12-19 UDC Ireland Limited Metal complexes comprising azabenzimidazole carbene ligands and the use thereof in oleds
JP2014527037A (en) * 2011-07-11 2014-10-09 メルク パテント ゲーエムベーハー Compound for organic electroluminescence Rumi Tsu sensing element
KR20140072021A (en) * 2011-07-11 2014-06-12 메르크 파텐트 게엠베하 Compositions for organic electroluminescent devices
US9583717B2 (en) 2011-07-11 2017-02-28 Merck Patent Gmbh Compounds for organic electroluminescent devices
JP2013060368A (en) * 2011-09-12 2013-04-04 Yamagata Univ Carbazole derivative and organic electroluminescent element using the same
US9590196B2 (en) 2012-07-19 2017-03-07 Udc Ireland Limited Dinuclear metal complexes comprising carbene ligands and the use thereof in OLEDs
WO2014012972A1 (en) 2012-07-19 2014-01-23 Basf Se Dinuclear metal complexes comprising carbene ligands and the use thereof in oleds
EP3133079A1 (en) 2012-07-19 2017-02-22 UDC Ireland Limited Dinuclear metal complexes comprising carbene ligands and the use thereof in oleds
WO2014147134A1 (en) 2013-03-20 2014-09-25 Basf Se Azabenzimidazole carbene complexes as efficiency booster in oleds
WO2014177518A1 (en) 2013-04-29 2014-11-06 Basf Se Transition metal complexes with carbene ligands and the use thereof in oleds
WO2015000955A1 (en) 2013-07-02 2015-01-08 Basf Se Monosubstituted diazabenzimidazole carbene metal complexes for use in organic light emitting diodes
EP3266789A1 (en) 2013-07-02 2018-01-10 UDC Ireland Limited Monosubstituted diazabenzimidazole carbene metal complexes for use in organic light emitting diodes
EP3239161A1 (en) 2013-07-31 2017-11-01 UDC Ireland Limited Luminescent diazabenzimidazole carbene metal complexes
US10118939B2 (en) 2014-03-31 2018-11-06 Udc Ireland Limited Metal complexes, comprising carbene ligands having an o-substituted non-cyclometalated aryl group and their use in organic light emitting diodes
US9862739B2 (en) 2014-03-31 2018-01-09 Udc Ireland Limited Metal complexes, comprising carbene ligands having an O-substituted non-cyclometalated aryl group and their use in organic light emitting diodes
WO2016016791A1 (en) 2014-07-28 2016-02-04 Idemitsu Kosan Co., Ltd (Ikc) 2,9-functionalized benzimidazolo[1,2-a]benzimidazoles as hosts for organic light emitting diodes (oleds)
EP2982676A1 (en) 2014-08-07 2016-02-10 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Benzimidazo[2,1-B]benzoxazoles for electronic applications
EP2993215A1 (en) 2014-09-04 2016-03-09 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Azabenzimidazo[2,1-a]benzimidazoles for electronic applications
WO2016067261A1 (en) 2014-10-30 2016-05-06 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 5-((benz)imidazol-2-yl)benzimidazo[1,2-a]benzimidazoles for electronic applications
EP3015469A1 (en) 2014-10-30 2016-05-04 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 5-((benz)imidazol-2-yl)benzimidazo[1,2-a]benzimidazoles for electronic applications
WO2016079667A1 (en) 2014-11-17 2016-05-26 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Indole derivatives for electronic applications
WO2016079169A1 (en) 2014-11-18 2016-05-26 Basf Se Pt- or pd-carbene complexes for use in organic light emitting diodes
WO2016097983A1 (en) 2014-12-15 2016-06-23 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 1-functionalized dibenzofurans and dibenzothiophenes for organic light emitting diodes (oleds)
EP3034507A1 (en) 2014-12-15 2016-06-22 Idemitsu Kosan Co., Ltd 1-functionalized dibenzofurans and dibenzothiophenes for organic light emitting diodes (OLEDs)
EP3034506A1 (en) 2014-12-15 2016-06-22 Idemitsu Kosan Co., Ltd 4-functionalized carbazole derivatives for electronic applications
EP3053918A1 (en) 2015-02-06 2016-08-10 Idemitsu Kosan Co., Ltd 2-carbazole substituted benzimidazoles for electronic applications
WO2016125110A1 (en) 2015-02-06 2016-08-11 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Bisimidazolodiazocines
EP3054498A1 (en) 2015-02-06 2016-08-10 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Bisimidazodiazocines
EP3061759A1 (en) 2015-02-24 2016-08-31 Idemitsu Kosan Co., Ltd Nitrile substituted dibenzofurans
EP3070144A1 (en) 2015-03-17 2016-09-21 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Seven-membered ring compounds
EP3072943A1 (en) 2015-03-26 2016-09-28 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Dibenzofuran/carbazole-substituted benzonitriles
EP3075737A1 (en) 2015-03-31 2016-10-05 Idemitsu Kosan Co., Ltd Benzimidazolo[1,2-a]benzimidazole carrying aryl- or heteroarylnitril groups for organic light emitting diodes
WO2016157113A1 (en) 2015-03-31 2016-10-06 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Benzimidazolo[1,2-a]benzimidazole carrying aryl- or heteroarylnitril groups for organic light emitting diodes
WO2016193243A1 (en) 2015-06-03 2016-12-08 Udc Ireland Limited Highly efficient oled devices with very short decay times
WO2017056052A1 (en) 2015-10-01 2017-04-06 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Benzimidazolo[1,2-a]benzimidazole carrying benzimidazolo[1,2-a]benzimidazolyl groups, carbazolyl groups, benzofurane groups or benzothiophene groups for organic light emitting diodes
EP3150606A1 (en) 2015-10-01 2017-04-05 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Benzimidazolo[1,2-a]benzimidazoles carrying benzofurane or benzothiophene groups for organic light emitting diodes
EP3150604A1 (en) 2015-10-01 2017-04-05 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Benzimidazolo[1,2-a]benzimidazole carrying benzimidazolo[1,2-a]benzimidazolyl groups, carbazolyl groups, benzofurane groups or benzothiophene groups for organic light emitting diodes
WO2017056053A1 (en) 2015-10-01 2017-04-06 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Benzimidazolo[1,2-a]benzimidazole carrying benzimidazolo[1,2-a]benzimidazolyl groups, carbazolyl groups, benzofurane groups or benzothiophene groups for organic light emitting diodes
WO2017056055A1 (en) 2015-10-01 2017-04-06 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Benzimidazolo[1,2-a]benzimidazole carrying triazine groups for organic light emitting diodes
WO2017078182A1 (en) 2015-11-04 2017-05-11 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Benzimidazole fused heteroaryls
WO2017093958A1 (en) 2015-12-04 2017-06-08 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Benzimidazolo[1,2-a]benzimidazole derivatives for organic light emitting diodes
WO2017109727A1 (en) 2015-12-21 2017-06-29 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Hetero-condensed phenylquinazolines and their use in electronic devices
WO2017109722A1 (en) 2015-12-21 2017-06-29 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Nitrogen-containing heterocyclic compounds and organic electroluminescence devices containing them
WO2017178864A1 (en) 2016-04-12 2017-10-19 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Seven-membered ring compounds

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5533652B2 (en) White light emitting organic electroluminescent device, an illumination device and a display device
JP5610038B2 (en) The organic electroluminescent element, a display device and a lighting device
JP5556014B2 (en) The organic electroluminescence element
JP5338184B2 (en) The organic electroluminescent element, a display device, the lighting device
JP5839027B2 (en) The organic electroluminescence device, a method of manufacturing the same, the lighting device and a display device
JP5810529B2 (en) The organic electroluminescent element, a display device and a lighting device
JP5564942B2 (en) The organic electroluminescent element, a display device and a lighting device
JP5381103B2 (en) The method of manufacturing an organic electroluminescence device, an organic electroluminescent element obtained by the production method, a display device and a lighting device
JP5549053B2 (en) The organic electroluminescence device material, an organic electroluminescence device, a method of manufacturing an organic electroluminescent element, a display device and a lighting device
JP5609641B2 (en) The organic electroluminescent element, a display device and a lighting device
JP5332614B2 (en) The organic electroluminescence element, an illumination device and a display device
JP5765223B2 (en) The method of manufacturing an organic electroluminescent device, and an illumination device and a display device including an organic electroluminescence element
JP5482201B2 (en) The organic electroluminescent element, a display device and a lighting device
JP5055818B2 (en) The organic electroluminescence device material, an organic electroluminescence device, a display device and a lighting device
JP5593696B2 (en) Method of manufacturing an organic electroluminescence element
JP5691170B2 (en) Method of manufacturing an organic electroluminescence element
JP5708781B2 (en) The organic electroluminescence element
JP5493333B2 (en) The organic electroluminescent device, the white organic electroluminescence device, a display device and a lighting device
JP5463668B2 (en) The organic electroluminescence element, an illumination device and a display device
JP5381719B2 (en) White light emitting organic electroluminescent device
JP5967057B2 (en) Method and manufacturing organic electroluminescence element, an illumination device and a display device
JP5493357B2 (en) The organic electroluminescent element, a display device and a lighting device
JP5181676B2 (en) The organic electroluminescent element, a display device and a lighting device
JP5018891B2 (en) The organic electroluminescence device material, an organic electroluminescence device, a display device and a lighting device
JP4972938B2 (en) The organic electroluminescence device material, an organic electroluminescence device, a display device and a lighting device