JP2008047428A - Organic electroluminescence element, manufacturing method therefor, lighting device, and display device - Google Patents

Organic electroluminescence element, manufacturing method therefor, lighting device, and display device Download PDF

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JP2008047428A JP2006222251A JP2006222251A JP2008047428A JP 2008047428 A JP2008047428 A JP 2008047428A JP 2006222251 A JP2006222251 A JP 2006222251A JP 2006222251 A JP2006222251 A JP 2006222251A JP 2008047428 A JP2008047428 A JP 2008047428A
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method for inexpensively manufacturing an organic EL element that has a high luminous efficiency and a longer service lifetime, to provide the organic EL element manufactured by the manufacturing method, to provide a lighting device, and to provide a display device. <P>SOLUTION: The manufacturing method is used for manufacturing the organic EL element that has at least a positive electrode and a negative electrode on a support substrate, and also, has organic layers including at least one luminous layer between the positive electrode and the negative electrode. A film thickness T(EM) (nm) of the luminous layer satisfies a relational expression (1): 40 nm<T(EM)≤100 nm. At least one luminous layer includes a phosphorescence emission material. The manufacturing method has a step for forming at least one layer of the organic layers by laminating a layer A and a layer B. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及びディスプレイ装置に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing an organic electroluminescence element, an organic electroluminescence element, a lighting device, and a display device.

有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、有機EL素子ともいう)は、電極と電極の間を厚さわずか0.1μm程度の有機材料の膜で構成する全固体素子であり、なおかつその発光が2V〜20V程度の比較的低い電圧で達成できることから、次世代の平面ディスプレイや照明として期待されている技術である。   An organic electroluminescence element (hereinafter also referred to as an organic EL element) is an all-solid-state element composed of an organic material film having a thickness of only about 0.1 μm between electrodes, and its light emission is about 2V to 20V. Therefore, this technology is expected as a next-generation flat display and illumination.

更に、最近発見されたリン光発光を利用する有機EL素子では、以前の蛍光発光を利用する素子に比べ原理的に約4倍の発光効率が実現可能であることから、その材料開発を初めとし、発光素子の層構成や電極の研究開発が世界中で行われている。   In addition, recently discovered organic EL devices that use phosphorescence can realize a luminous efficiency that is approximately four times that of previous devices that use fluorescence. Research and development of light-emitting element layer configurations and electrodes are performed all over the world.

また、有機EL素子の構成は、透明電極と対抗電極に有機層が挟まれただけの単純なものであり、平面ディスプレイの代表である液晶ディスプレイに比べ、部品点数が圧倒的に少ないため、製造コストも低く抑えられるはずであるが、現状では必ずしもそうではなく、性能的にもコスト的にも液晶ディスプレイに大きく水をあけられている。特にコストに対しては、生産性の悪さがその要因と考えられる。   In addition, the structure of the organic EL element is a simple one in which an organic layer is sandwiched between a transparent electrode and a counter electrode, and the number of parts is overwhelmingly smaller than that of a liquid crystal display, which is a typical flat display. Although the cost should be kept low, this is not always the case at present, and a large amount of water is drained from the liquid crystal display in terms of performance and cost. In particular, in terms of cost, poor productivity is considered as a factor.

現在商品化されている有機EL素子の殆どが、低分子材料を蒸着して成膜する、いわゆる蒸着法で製造されている。この蒸着法は精製が容易な低分子化合物を有機EL材料を用いることができる(高純度材料が得やすい)こと、更に、積層構造を作るのが容易なことから、効率、寿命という面で非常に優れているが、反面、10-4Pa以下という高真空条件下で蒸着を行うため、成膜する装置に制約が加わり、実際には小さい面積の基板にしか適用できず、さらに複数層積層するとなると成膜に時間がかかりスループットが低いという問題点がある。特に照明用途や大面積の電子ディスプレイに適用する場合は問題となり、有機EL素子がそのようなアプリケーションに実用されていないひとつの原因となっている。 Most of the organic EL devices that are currently commercialized are manufactured by a so-called vapor deposition method in which a low molecular material is deposited to form a film. In this vapor deposition method, an organic EL material can be used as a low-molecular compound that can be easily purified (it is easy to obtain a high-purity material), and it is easy to make a laminated structure. However, since deposition is performed under a high vacuum condition of 10 −4 Pa or less, restrictions are imposed on the film forming apparatus, and in fact, it can be applied only to a substrate with a small area. Then, there is a problem that the film formation takes time and the throughput is low. In particular, it becomes a problem when applied to lighting applications and large-area electronic displays, and organic EL elements are one of the causes that are not practically used in such applications.

それに対し高分子系は有機EL素子の有機化合物層をスピンコート、インクジェット、印刷、スプレーといった塗布プロセスにより製造することができる。   On the other hand, in the polymer system, the organic compound layer of the organic EL element can be produced by a coating process such as spin coating, inkjet, printing, spraying.

これは、大気圧下で製造することができるため低コスト化が可能であると同時に、有機EL素子の有機層を成膜する際には、必要な材料(高分子材料および/または低分子材料)を溶液調製して薄膜塗布するため、複数の有機材料を精密に混合できる(例えば、発光ホスト材料に対するドーパント等の調整がしやすい等)ことから、素子を大面積化しても発光ムラができにくいという特徴がり、製造コストの面でも非常に有利であるが、一般的な製造工程において有機層を成膜した後に形成される対抗電極は、蒸着またはスパッタリングなどの真空プロセスでの生産になるため、結局その工程がボトルネックとなり、革新的な生産プロセスにはなり得ていない。   Since this can be manufactured under atmospheric pressure, the cost can be reduced. At the same time, when forming an organic layer of an organic EL element, a necessary material (a high molecular material and / or a low molecular material) is used. ) Is prepared and applied in a thin film, so multiple organic materials can be mixed precisely (for example, it is easy to adjust dopants for the light-emitting host material, etc.), and uneven light emission can be achieved even if the device is enlarged. Although it is difficult, and it is very advantageous in terms of manufacturing cost, the counter electrode formed after forming an organic layer in a general manufacturing process is produced by a vacuum process such as vapor deposition or sputtering. After all, that process has become a bottleneck and cannot be an innovative production process.

また、前記蒸着系とは対照的に、高分子材料の純度が上げられないこと、積層が難しいことなど、発光性能上は蒸着系に及ばないのが実状であり、殆ど実用には供されていないという問題点もある。   In contrast to the vapor deposition system, the purity of the polymer material cannot be increased and it is difficult to stack the layers, so that the light emission performance is not as good as the vapor deposition system, and it is practically used. There is also a problem of not.

上記は、主に材料に帰因する製造方式の違いであるが、素子を形成する方法自体に着目してみると、
(a)電極基板上に薄膜を逐次形成して行く方法(逐次成膜法)と、
(b)電極基板上と対抗電極基板の2つに適宜薄膜を形成した後に貼合する方法(貼合法)とがある。
The above is the difference in the manufacturing method mainly attributed to the material, but when focusing on the method of forming the element itself,
(A) a method of sequentially forming a thin film on an electrode substrate (sequential film forming method);
(B) There is a method (bonding method) in which a thin film is appropriately formed on an electrode substrate and a counter electrode substrate and then bonded.

貼合法の利点は、
(1)逐次成膜法では最後に成膜する対抗電極を予め準備しておけること、
(2)基板にフィルムを用いることでロールtoロール方式での連続生産が可能になること、
(3)接合面を有機層同士にすれば有機層の積層が容易にできること、
等が挙げられる。
The advantage of the bonding method is
(1) In the sequential film formation method, the counter electrode to be finally formed can be prepared in advance.
(2) Use of a film for the substrate enables continuous production in a roll-to-roll system,
(3) The organic layer can be easily stacked if the bonding surfaces are organic layers,
Etc.

特に(1)や(2)は生産性を飛躍的に改善する原動力になり、もし技術が完成すれば有機ELの最大の問題点であった製造コストを大幅に低減することも可能になると思われる。一方、ロールtoロール方式は貼合方式以外でもその技術が開示されている。   In particular, (1) and (2) will be a driving force for dramatically improving productivity, and if the technology is completed, it will be possible to greatly reduce the manufacturing cost, which was the biggest problem of organic EL. It is. On the other hand, the roll-to-roll method is disclosed in a technique other than the bonding method.

例えば、正孔輸送材料をリボン状にリールに巻かれた電極基板上にインクジェット法により連続で成膜する方法が記載(例えば、特許文献1参照。)されているが、この場合も前記高分子塗布方式で記載したように対抗電極の形成が、結局真空プロセスになってしまうために、ロールtoロール方式のメリットが大幅に目減りしてしまい実質それほど生産性が向上しないという問題点がある。   For example, a method is described in which a hole transport material is continuously formed on an electrode substrate wound in a ribbon shape on a reel by an ink jet method (see, for example, Patent Document 1). As described in the coating method, since the formation of the counter electrode eventually becomes a vacuum process, the merit of the roll-to-roll method is greatly reduced, and there is a problem that the productivity is not substantially improved.

このように、貼合方式は生産性を革新的に改善する有効な技術手段ではあるが、現在のところ、この方式で作製された有機EL素子は、性能上の問題を抱え、また、的確なブレークスルーが見つかっておらず、発展途上にあるといった状態である。   As described above, the bonding method is an effective technical means for innovatively improving the productivity, but at present, the organic EL device manufactured by this method has a problem in performance and is accurate. The breakthrough has not been found and is in the process of development.

その理由はいくつかあるが、原理的に考えてみると貼合した時の接合面が必ずしも分子レベルで密着しておらず結果としてキャリア移動がスムーズでない、さらに、接合面が剥離しやすく、発光素子として機能しなくなる場合がある等の問題点あると予想される。   There are several reasons for this, but considering the principle, the bonding surface when bonded is not necessarily in close contact at the molecular level, and as a result, the carrier movement is not smooth, and the bonding surface is easy to peel off and emit light. It is expected that there may be a problem such as a case where the device does not function as an element.

特に接合面の剥離は、ロールtoロール方式では変わらず巻き取り工程が存在するために、その時に剥離がおきやすく、製造上大きな問題となるし、基板をフィルムやプラスチック基材などの可撓性基材にした際には使用時に素子が破壊されてしまうという致命的な欠陥になってしまうという問題点が挙げられる。   In particular, since the roll-to-roll method has the same winding process as the roll-to-roll method, peeling is likely to occur at that time, which is a major problem in manufacturing, and the substrate is flexible such as a film or plastic substrate. When used as a base material, there is a problem that it becomes a fatal defect that the element is destroyed at the time of use.

このような観点から貼合時の接合不良を改善する技術がいくつか開示されている。   From such a viewpoint, several techniques for improving the bonding failure at the time of bonding are disclosed.

例えば、両方の接合層を同じ材料で構成されたものにすることで、層間の密着性を向上させる技術(例えば、特許文献2参照。)や、2つの接合面を湿式法で作製した完全に乾燥していない状態の膜を貼合する技術(例えば、特許文献3参照。)が紹介されているが、両方とも接合面での密着性は不十分であり根本的な解決とはなっていない。   For example, by making both bonding layers made of the same material, a technique for improving the adhesion between the layers (see, for example, Patent Document 2), or a method in which two bonding surfaces are completely manufactured by a wet method. Although the technique (for example, refer patent document 3) which bonds the film | membrane of the state which is not dried is introduced, the adhesiveness in a joint surface is inadequate and is not a fundamental solution. .

その他にも、接合面には高分子バインダーを存在させ、かつ、素子周囲を接着または融着することで接合面の密着性を向上させる技術(例えば、特許文献4参照。)が、同様の技術思想を発光層を転写法で作る技術と組合せ、リン光発光にも適用できることが記載(例えば、特許文献5参照。)されている。   In addition, a technique for improving the adhesion of the bonding surface by allowing a polymer binder to exist on the bonding surface and bonding or fusing the periphery of the element (for example, see Patent Document 4) is a similar technique. It is described that the idea can be applied to phosphorescence emission in combination with a technique for forming a light emitting layer by a transfer method (see, for example, Patent Document 5).

周囲を接着することは、素子駆動中の水分や酸素の悪影響を低減し発光寿命を向上させることには寄与するが、前記接合面剥離を根本的に解決できる技術手段とはなりえていないという問題点がある。   Adhering the surroundings contributes to reducing the adverse effects of moisture and oxygen during device operation and improving the light emission lifetime, but it cannot be a technical means that can fundamentally solve the peeling of the joint surface. There is a point.

また、薄膜界面の剥離は、貼合法だけの問題ではない。   Moreover, peeling of the thin film interface is not a problem only by the bonding method.

現在商品化されている有機EL素子は、全てガラスが基板になっている可撓性のない発光素子であるが、前記の如く、全固体素子である有機EL素子はフィルムなどの可撓性のある基板への適用が可能(いわゆる、フレキシブルディスプレイの実現)であることが、大きな特徴である。   The organic EL elements that are currently commercialized are all non-flexible light-emitting elements in which glass is used as a substrate. As described above, organic EL elements that are all solid elements are flexible films such as films. A major feature is that it can be applied to a certain substrate (so-called flexible display).

現状では、可撓性基材のガスバリア性が不十分なことが、その実用化を遅らせていると言われているが、それ以外の課題として、有機層と対抗電極層との剥離も大きな課題である。   At present, it is said that the inadequate gas barrier property of the flexible base material delays its practical application, but as another issue, peeling between the organic layer and the counter electrode layer is also a major issue It is.

この課題は現状が可撓性のない素子であるため、顕在化した課題としてあまり取り上げられていないが、原理上有機物と対抗電極を形成する金属との接着性は低く、根本的な問題である。   Although this issue is an inflexible element at present, it has not been taken up as an obvious issue. However, in principle, the adhesion between the organic substance and the metal forming the counter electrode is low, which is a fundamental issue. .

また、通常適用されている逐次成膜法では、発光層やキャリア輸送・注入層などの有機層を成膜した後に、対抗電極(通常は陰極、具体的にはAlやCa、Baなどの仕事関数の小さい金属)を成膜することになるが、その時、すでに成膜されている有機層にダメージを与えてしまうと有機EL素子の発光特性や発光寿命などが大きく劣化してしまうという問題点がある。   Further, in a sequential film forming method that is usually applied, after forming an organic layer such as a light emitting layer or a carrier transport / injection layer, a counter electrode (usually a cathode, specifically, a work such as Al, Ca, Ba, etc.). However, if the organic layer that has already been formed is damaged, the emission characteristics and lifetime of the organic EL element will be greatly degraded. There is.

つまり、対抗電極と有機層界面の密着性を上げるために対抗電極を強いエネルギー状態で成膜することは不可能であり、実質上、真空蒸着や、穏和な条件下でのスパッタリングで成膜するしかすべがない状況である。   In other words, it is impossible to form the counter electrode in a strong energy state in order to increase the adhesion between the counter electrode and the organic layer interface. In practice, the film is formed by vacuum deposition or sputtering under mild conditions. There is nothing but a situation.

この問題点を解決する手段として、最も対抗電極に近い有機層の上に、半導体材料や金属からなる緩衝層を設ける技術(例えば、特許文献6及び特許文献7参照。)が開示されている。   As means for solving this problem, a technique of providing a buffer layer made of a semiconductor material or a metal on an organic layer closest to the counter electrode is disclosed (for example, see Patent Document 6 and Patent Document 7).

確かにこのような緩衝層を間に入れることで、対抗電極成膜時のダメージを低減することは可能ではあるが、製造プロセス的には負荷が増えることになり、生産性の面から決して好ましいものではない。   Although it is possible to reduce the damage at the time of film formation of the counter electrode by interposing such a buffer layer, it is absolutely preferable from the viewpoint of productivity because the load increases in the manufacturing process. It is not a thing.

一方で、リン光発光を用いた有機EL素子の発光の高効率化、長寿命化の対策として、素子構造の多層化があげられるが、塗布法では、有機層の上層の塗布液溶媒により下層の膜表面の溶解が生じてしまい下層の膜に乱れが生じることがあるため、複数の有機層を積層して形成するのが極めて困難であった。   On the other hand, as a countermeasure for improving the light emission efficiency and extending the life of organic EL elements using phosphorescence, the element structure can be multilayered. In the coating method, the lower layer is formed by a coating solution solvent on the upper layer of the organic layer. It is extremely difficult to form a plurality of organic layers by laminating the surface of the film and disturbing the underlying film.

これに対し、下層の主材料の溶解度パラメータの可溶範囲外の溶媒に上層の材料を溶解させ、下層薄膜表面を乱れさせること無く、積層する技術が開示されている(例えば、特許文献8参照。)。   On the other hand, a technique is disclosed in which the upper layer material is dissolved in a solvent outside the solubility range of the solubility parameter of the lower layer main material, and the lower layer thin film surface is not disturbed (see, for example, Patent Document 8). .)

また、下層の主材料の溶解度パラメータの可溶範囲外の溶媒(貧溶媒)を上層の材料を溶解度パラメータの可溶範囲内の溶媒(良溶媒)と貧溶媒の混合溶媒に溶解させ、溶解度を落として積層する技術が開示されている(例えば、特許文献9参照)。   Also, the solvent (poor solvent) outside the solubility range of the solubility parameter of the lower layer main material is dissolved in the mixed solvent of the solvent (good solvent) and the poor solvent within the solubility range of the solubility parameter, and the solubility is increased. A technique for dropping and stacking is disclosed (for example, see Patent Document 9).

しかしながら、燐光発光を用いた有機EL素子に最適な発光層の前後に、正孔輸送層や電子輸送層などの機能層を持つ、有機層を3層以上有する素子においては、前述の方法により製造しようとすると、有機EL素子材料の制約が飛躍的に増大し、任意の有機EL材料に対して適用が困難であり、本来の多層化のメリットが失われてしまうという課題がある。
特開2005−327667号公報 特開2002−203675号公報 特開平9−306667号公報 特開平9−7736号公報 特開2004−79300号公報 特開2005−243411号公報 特開2005−183013号公報 特開2002−299061号公報 特開2005−259523号公報
However, an element having three or more organic layers having a functional layer such as a hole transport layer or an electron transport layer before and after a light emitting layer optimum for an organic EL element using phosphorescence is manufactured by the above-described method. If it tries to do it, the restrictions of organic EL element material will increase drastically, it will be difficult to apply to arbitrary organic EL materials, and there will be a problem that the merit of original multilayering will be lost.
JP 2005-327667 A JP 2002-203675 A JP-A-9-306667 JP-A-9-7736 JP 2004-79300 A Japanese Patent Laying-Open No. 2005-243411 JP 2005-183013 A JP 2002-299061 A JP 2005-259523 A

本発明の目的は、発光効率が高く長寿命である有機エレクトロルミネッセンス素子を低コストで製造する製造方法を提供し、且つ、該製造方法により作製された、有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及びディスプレイ装置を提供することである。   An object of the present invention is to provide a production method for producing an organic electroluminescence element having a high luminous efficiency and a long lifetime at a low cost, and an organic electroluminescence element, an illumination device and a display device produced by the production method Is to provide.

本発明の上記目的は下記の構成1〜9により達成された。   The above object of the present invention has been achieved by the following configurations 1 to 9.

1.支持基板上に少なくとも陽極、陰極を有し、該陽極と該陰極間に少なくとも一層の発光層を含む有機層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、
該発光層の総膜厚T(EM)(nm)が下記関係式(1)を満たし、前記発光層の少なくとも一層がリン光発光材料を有し、且つ、該有機層の少なくとも1層が、層Aと層Bとの貼合により形成する工程を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
1. In a method for producing an organic electroluminescent device having at least an anode and a cathode on a support substrate, and having an organic layer including at least one light emitting layer between the anode and the cathode,
The total film thickness T (EM) (nm) of the light emitting layer satisfies the following relational expression (1), at least one of the light emitting layers has a phosphorescent material, and at least one of the organic layers is: The manufacturing method of the organic electroluminescent element characterized by having the process formed by bonding of the layer A and the layer B.

関係式(1)
40nm<T(EM)≦100nm
2.前記有機層が三層以上であることを特徴とする前記1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
Relational expression (1)
40 nm <T (EM) ≦ 100 nm
2. 2. The method for producing an organic electroluminescent element according to 1 above, wherein the organic layer has three or more layers.

3.前記層A、前記層Bが、各々主成分として同一構造の化合物を含有していることを特徴とする前記1または2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。   3. 3. The method for producing an organic electroluminescent element according to 1 or 2, wherein the layer A and the layer B each contain a compound having the same structure as a main component.

4.前記層Aまたは前記層Bのいずれかがリン光発光材料を含むことを特徴とする前記1〜3のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。   4). Either of the said layer A or the said layer B contains a phosphorescence-emitting material, The manufacturing method of the organic electroluminescent element of any one of said 1-3 characterized by the above-mentioned.

5.前記層A及び前記層Bが各々リン光発光材料を含むことを特徴とする前記1〜3のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。   5. 4. The method for producing an organic electroluminescent element according to any one of 1 to 3, wherein the layer A and the layer B each contain a phosphorescent material.

6.前記リン光発光材料が、イリジウム錯体または白金錯体であることを特徴とする前記1〜5のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。   6). The method for producing an organic electroluminescent element according to any one of 1 to 5, wherein the phosphorescent material is an iridium complex or a platinum complex.

7.前記1〜6のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法により作製されたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。   7). 7. An organic electroluminescence device produced by the method for producing an organic electroluminescence device according to any one of 1 to 6 above.

8.前記7に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を具備することを特徴とする照明装置。   8). 8. An illuminating device comprising the organic electroluminescence element as described in 7 above.

9.前記7に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を具備することを特徴とするディスプレイ装置。   9. 8. A display device comprising the organic electroluminescence element as described in 7 above.

本発明により、発光効率が高く長寿命である有機エレクトロルミネッセンス素子を低コストで製造する製造方法を提供し、且つ、該製造方法により作製された、有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及びディスプレイ装置を提供することができた。   According to the present invention, there is provided a manufacturing method for manufacturing an organic electroluminescence element having high luminous efficiency and a long lifetime at low cost, and an organic electroluminescence element, an illumination device, and a display device manufactured by the manufacturing method are provided. We were able to.

本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法においては、請求項1〜6のいずれか1項に記載の構成を有することにより、発光効率が高く長寿命である有機エレクトロルミネッセンス素子を低コストで製造する製造方法を提供し、且つ、該製造方法により作製された、有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及びディスプレイ装置を提供することができた。   In the manufacturing method of the organic electroluminescent element of this invention, by having the structure of any one of Claims 1-6, the organic electroluminescent element with high luminous efficiency and long life is manufactured at low cost. A manufacturing method was provided, and an organic electroluminescence element, a lighting device, and a display device produced by the manufacturing method could be provided.

以下、本発明に係る各構成要素の詳細について、順次説明する。   Hereinafter, details of each component according to the present invention will be sequentially described.

《有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法》
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法について説明する。
<< Method for Manufacturing Organic Electroluminescent Element >>
The manufacturing method of the organic electroluminescent element of this invention is demonstrated.

本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法は、請求項1に記載のように、支持基板上に少なくとも陽極、陰極を有し、該陽極と該陰極間に少なくとも一層の発光層を含む有機層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、該発光層の膜厚T(EM)(nm)が下記関係式(1)を満たし、前記発光層の少なくとも一層がリン光発光材料を有し、且つ、該有機層の少なくとも1層が、層Aと層Bとの貼合により形成されることが特徴である。   According to the method for producing an organic electroluminescent element of the present invention, an organic layer having at least an anode and a cathode on a support substrate and including at least one light emitting layer between the anode and the cathode is provided. In the manufacturing method of the organic electroluminescence element having, the film thickness T (EM) (nm) of the light emitting layer satisfies the following relational expression (1), at least one of the light emitting layers has a phosphorescent light emitting material, and It is characterized in that at least one layer of the organic layer is formed by laminating layer A and layer B.

《発光層の膜厚T(EM)》
本発明に係る発光層の膜厚T(EM)は、下記関係式(1)を示す。
<< Light emitting layer thickness T (EM) >>
The film thickness T (EM) of the light emitting layer according to the present invention represents the following relational expression (1).

本発明に記載の効果を得る為には、本発明の有機EL素子の構成層の少なくともひとつの発光層の膜厚T(EM)が関係式(1)を満たさなければならないが、更に、本発明の有機EL素子の発光開始電圧の低減、省電力効果アップ、また、発光層の非発光点の低減、発光ムラ等の発生削減効果を充分に得る観点からは、下記の関係式(2)で表される関係式を満たすことが好ましい。   In order to obtain the effects described in the present invention, the film thickness T (EM) of at least one light emitting layer of the constituent layers of the organic EL element of the present invention must satisfy the relational expression (1). From the viewpoint of reducing the light emission starting voltage of the organic EL device of the invention, increasing the power saving effect, reducing the non-light emitting point of the light emitting layer, and reducing the occurrence of uneven light emission, the following relational expression (2) It is preferable to satisfy | fill the relational expression represented by these.

関係式(1)
40nm<T(EM)≦100nm
関係式(2)
45nm<T(EM)≦100nm
《有機層の構成》
本発明に係る有機層は、三層以上であることが好ましく、また、該有機層の少なくとも1層は、前記層A、前記層Bとの貼合により形成されるが、層A、層Bは、各々主成分として同一構造の化合物を含有していることが好ましい。
Relational expression (1)
40 nm <T (EM) ≦ 100 nm
Relational expression (2)
45 nm <T (EM) ≦ 100 nm
<Structure of organic layer>
The organic layer according to the present invention is preferably three or more layers, and at least one of the organic layers is formed by bonding with the layer A and the layer B. Each preferably contains a compound having the same structure as the main component.

また、前記層Aまたは前記層Bのいずれかがリン光発光材料を含むことが、本発明の有機EL素子の素子特性向上の観点から好ましい。尚、前記リン光発光材料についても後述する有機EL素子の構成層のところで詳細に説明する。   Moreover, it is preferable from a viewpoint of the element characteristic improvement of the organic EL element of this invention that either the said layer A or the said layer B contains a phosphorescence-emitting material. The phosphorescent material is also described in detail in the constituent layers of the organic EL element described later.

《有機層の構成と総発光層の膜厚T(EM)》
特に、層Aが発光膜であり、層Bが発光膜であり、該層Aと該層Bとの貼合により、少なくともひとつの発光層が形成される場合、例えば、後述するITO等の陽極側基板(陽極側部材ともいう)上に層A、Al等の陰極側基板(陰極側部材ともいう)上に、層Bが設けられるような場合(尚、層Aは、陰極側基板上に設けられても良く、層Bは、陽極側基板上に設けられてもよい)、
陽極側基板上の層Aの膜厚、陰極側基板上の層Bの膜厚が共に、20nmを超え、
且つ、総発光層の膜厚T(EM)が40nm<T(EM)≦100nmの関係式を満たすことが好ましい。
<< Structure of organic layer and film thickness T (EM) of total light emitting layer >>
In particular, when layer A is a light-emitting film, layer B is a light-emitting film, and at least one light-emitting layer is formed by bonding of layer A and layer B, for example, an anode such as ITO described later When layer B is provided on a cathode-side substrate (also referred to as cathode-side member) such as layer A and Al on the side substrate (also referred to as anode-side member) (note that layer A is provided on the cathode-side substrate) Layer B may be provided on the anode side substrate),
Both the film thickness of layer A on the anode side substrate and the film thickness of layer B on the cathode side substrate exceed 20 nm,
Moreover, it is preferable that the total light emitting layer thickness T (EM) satisfies the relational expression of 40 nm <T (EM) ≦ 100 nm.

また、発光ムラの観点から、有機層(有機化合物層ともいう)の膜厚をT(org)、総発光層の膜厚をT(EM)とした時には、発光ムラを抑制する観点から、
0.3≦T(EM)/T(org)≦0.8の関係式を満たすことが好ましい。
From the viewpoint of uneven light emission, when the thickness of the organic layer (also referred to as organic compound layer) is T (org) and the total light emitting layer is T (EM), from the viewpoint of suppressing uneven light emission,
It is preferable that the relational expression of 0.3 ≦ T (EM) / T (org) ≦ 0.8 is satisfied.

《貼合法(単に貼合ともいう)による有機EL素子の構成層形成》
本発明に係る貼合による有機EL素子の構成層の形成プロセスについて説明する。
<< Formation of organic EL element component layer by bonding method (also simply referred to as bonding) >>
The formation process of the structural layer of the organic EL element by the bonding which concerns on this invention is demonstrated.

貼合は、有機EL素子の構成に必要な層を、予め全部成膜(例えば、陽極側基板、陰極側基板等である)した後に行われるため、透明電極(ITO等の陽極側基板)や対抗電極(Al等の陰極側基板)の成膜は一番最初に行われることになる。   Since the bonding is performed after all the layers necessary for the configuration of the organic EL element are formed in advance (for example, an anode side substrate, a cathode side substrate, etc.), a transparent electrode (an anode side substrate such as ITO) The counter electrode (a cathode-side substrate such as Al) is formed first.

金属や金属酸化物を成膜する際は、性能のよい膜とするために堆積させる時または成膜後に高いエネルギーを印加することが望まれるが、貼合法はそれを可能にするひとつの手段であると考えることもできる。   When depositing a metal or metal oxide, it is desirable to apply high energy during deposition or after deposition to make a film with good performance, but the bonding method is one means that makes it possible. You can think of it.

つまり、貼合する際の接合面を有機層同士にするとすれば、透明電極と対抗電極はそれぞれ性能や生産性の面で最も相応しい方法で予め成膜しておくことができる。   In other words, if the bonding surfaces for bonding are organic layers, the transparent electrode and the counter electrode can be formed in advance by a method most suitable in terms of performance and productivity, respectively.

その上に、適宜有機層を積層して貼合すれば、前記接合面での不具合さえ改善してやれば、性能的にも製造プロセス的にも良好な革新的な方法である。   On top of that, if an organic layer is appropriately laminated and bonded, it is an innovative method that is good in terms of performance and manufacturing process as long as the defect on the joint surface is improved.

《リン光方式の適合性》
貼合法の問題点として、先に接合面での不具合を挙げた。この問題に対し鋭意検討した結果、例えば有機層同士を接合する際には、その接合界面でのキャリア移動が面全体に均一ではなく局所的にキャリアが流れやすい部分と流れにくい部分ができやすいことがわかってきた。
<Adaptability of phosphorescence method>
As a problem of the bonding method, the problem on the joint surface was mentioned earlier. As a result of diligent investigation on this problem, for example, when organic layers are bonded together, the carrier movement at the bonding interface is not uniform over the entire surface, and it is easy to create a portion where carriers can flow locally and a portion where flow is difficult I understand.

特に、有機層界面で発光する蛍光方式はその挙動が顕著であり、発光ムラが起こりやすいことがわかった。   In particular, it has been found that the fluorescence method of emitting light at the interface of the organic layer has a remarkable behavior, and uneven light emission is likely to occur.

一方、リン光方式は、蛍光方式とは異なり、発光層内部に発光領域を持つためか、比較的このような現象がおきづらく、特に、発光層の有機層全体における相対的な膜厚比率を上げた時や、発光層の膜厚を厚くした時、また、発光層同士を接合する発光層2層とした時などは、顕微鏡観察でもわからないくらい発光ムラを抑えることが可能であることがわかった。   On the other hand, the phosphorescence method, unlike the fluorescence method, has a light emitting region inside the light emitting layer, so this phenomenon is relatively difficult to occur.In particular, the relative film thickness ratio of the entire organic layer of the light emitting layer is set. When increasing the thickness, increasing the thickness of the light-emitting layer, or when using two light-emitting layers that join the light-emitting layers together, it is understood that light emission unevenness can be suppressed to the extent that even microscopic observation does not reveal it. It was.

これは、貼合法の最大の難点である、接合界面でのキャリア移動が遅くなるという現象を、逆に有効活用した技術であり、今までに類を見ない画期的な発見であると言える。   This is a technology that effectively utilizes the phenomenon of slow carrier movement at the bonding interface, which is the biggest difficulty of the bonding method, and can be said to be an epoch-making discovery that has never been seen before. .

貼合法を用いる有機EL素子の構成層(特に有機層(有機化合物層)の形成)は、このような問題を解決する大変有効な手段となる。   A constituent layer of an organic EL element using a bonding method (particularly, formation of an organic layer (organic compound layer)) is a very effective means for solving such a problem.

検討した結果、我々は発光効率が高く長寿命である有機EL素子を与える要因として、前述の「りん光発光の使用、素子の多層化(機能を分離するため複数の有機層を有すること)」と同時に、該素子の発光層の膜厚が重要な因子であることを見出した。   As a result of the examination, as a factor giving an organic EL element with high luminous efficiency and long life, the above-mentioned “use of phosphorescence emission, multilayering of elements (having a plurality of organic layers for separating functions)” At the same time, it has been found that the thickness of the light emitting layer of the device is an important factor.

特に、発光層の有機層全体における相対的な膜厚比率を上げた時や、発光層の膜厚を厚くした時、また、発光層同士を接合する、即ち、2層の発光層を1層の発光層にした時などは、顕微鏡観察でもわからないくらい発光ムラを抑え、発行効率の高い有機EL素子を製造することが可能であることがわかった。   In particular, when the relative film thickness ratio of the entire organic layer of the light emitting layer is increased, or when the film thickness of the light emitting layer is increased, the light emitting layers are joined together, that is, two light emitting layers are combined into one layer. When the light emitting layer was used, it was found that it was possible to produce an organic EL device with high emission efficiency by suppressing unevenness of light emission so that it could not be seen by microscopic observation.

《貼合以外の有機層の形成方法》
本発明の有機EL素子の製造方法は、構成層である有機層の少なくとも1層を陽極基板側に設けられた層Aと陰極基板側に設けられた層Bとを貼合する工程を経て有機EL素子が製造されることが特徴である。
<< Formation method of organic layers other than bonding >>
The method for producing an organic EL device of the present invention is a method in which at least one organic layer as a constituent layer is bonded to a layer A provided on the anode substrate side and a layer B provided on the cathode substrate side. It is characterized in that an EL element is manufactured.

有機EL素子の構成層としては、後述する有機EL素子の構成層のところで、詳細に説明するが、例えば、有機EL素子の構成例として、陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極からなる有機EL素子を例にとって説明すると、層Aと層Bとの貼合により形成される層は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層のいずれでもよい。   The constituent layer of the organic EL element will be described in detail in the constituent layer of the organic EL element to be described later. For example, as a constituent example of the organic EL element, an anode / hole injection layer / hole transporting layer / light emitting layer For example, an organic EL element composed of / electron transport layer / electron injection layer / cathode will be described. The layer formed by bonding layer A and layer B includes a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, Either an electron transport layer or an electron injection layer may be used.

また、貼合により形成される有機層以外は、従来公知の塗布方法や蒸着、スパッタリング等の方法を適宜用いることができ、もちろん、適宜、貼合法を併用することも可能である。   Moreover, conventionally well-known coating methods, methods, such as vapor deposition, sputtering, etc. can be used suitably except the organic layer formed by bonding, Of course, it is also possible to use together the bonding method suitably.

貼合方法以外の有機層各層の形成方法としては、前記の如く蒸着法、ウェットプロセス(スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、印刷法)等があるが、均質な膜が得られやすく、且つ、ピンホールが生成しにくい等の点から、本発明においてはスピンコート法、インクジェット法、印刷法等の塗布法による成膜が好ましい。   As a method for forming each layer of the organic layer other than the bonding method, there are a vapor deposition method, a wet process (spin coating method, casting method, ink jet method, printing method) as described above, and it is easy to obtain a homogeneous film, and In the present invention, film formation by a coating method such as a spin coating method, an ink jet method, or a printing method is preferable from the viewpoint that pinholes are hardly generated.

有機層の形成に用いられる有機EL材料を溶解または分散する液媒体としては、例えば、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル等の脂肪酸エステル類、ジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類、トルエン、キシレン、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素類、シクロヘキサン、デカリン、ドデカン等の脂肪族炭化水素類、DMF、DMSO等の有機溶媒を用いることができる。また分散方法としては、超音波、高剪断力分散やメディア分散等の分散方法により分散することができる。   Examples of the liquid medium for dissolving or dispersing the organic EL material used for forming the organic layer include ketones such as methyl ethyl ketone and cyclohexanone, fatty acid esters such as ethyl acetate, halogenated hydrocarbons such as dichlorobenzene, toluene, Aromatic hydrocarbons such as xylene, mesitylene and cyclohexylbenzene, aliphatic hydrocarbons such as cyclohexane, decalin and dodecane, and organic solvents such as DMF and DMSO can be used. Moreover, as a dispersion method, it can disperse | distribute by dispersion methods, such as an ultrasonic wave, high shear force dispersion | distribution, and media dispersion | distribution.

《有機EL素子の構成層》
本発明の有機EL素子の構成層について説明する。本発明において、有機EL素子の層構成の好ましい具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されない。
(i)陽極/発光層/電子輸送層/陰極
(ii)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
(iii)陽極/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極
(iv)陽極/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極
(v)陽極/陽極バッファー層/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極
本発明の有機EL素子においては、青色発光層の発光極大波長は430nm〜480nmにあるものが好ましく、緑色発光層は発光極大波長が510nm〜550nm、赤色発光層は発光極大波長が600nm〜640nmの範囲にある単色発光層であることが好ましく、これらを用いた表示装置であることが好ましい。また、これらの少なくとも3層の発光層を積層して白色発光層としたものであってもよい。更に、発光層間には非発光性の中間層を有していてもよい。本発明の有機EL素子としては白色発光層であることが好ましく、これらを用いた照明装置であることが好ましい。
<< Constituent layers of organic EL elements >>
The constituent layers of the organic EL element of the present invention will be described. In this invention, although the preferable specific example of the layer structure of an organic EL element is shown below, this invention is not limited to these.
(I) Anode / light emitting layer / electron transport layer / cathode (ii) Anode / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode (iii) Anode / hole transport layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron Transport layer / cathode (iv) anode / hole transport layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron transport layer / cathode buffer layer / cathode (v) anode / anode buffer layer / hole transport layer / light emitting layer / hole Blocking layer / electron transport layer / cathode buffer layer / cathode In the organic EL device of the present invention, the blue light emitting layer preferably has a light emission maximum wavelength of 430 nm to 480 nm, and the green light emitting layer has a light emission maximum wavelength of 510 nm to 550 nm, The red light emitting layer is preferably a monochromatic light emitting layer having a light emission maximum wavelength in the range of 600 nm to 640 nm, and is preferably a display device using these. Alternatively, a white light emitting layer may be formed by laminating at least three light emitting layers. Further, a non-light emitting intermediate layer may be provided between the light emitting layers. The organic EL element of the present invention is preferably a white light emitting layer, and is preferably a lighting device using these.

本発明の有機EL素子を構成する各層について説明する。   Each layer which comprises the organic EL element of this invention is demonstrated.

《発光層》
本発明に係る発光層は、電極または電子輸送層、正孔輸送層から注入されてくる電子及び正孔が再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても発光層と隣接層との界面であってもよい。
<Light emitting layer>
The light emitting layer according to the present invention is a layer that emits light by recombination of electrons and holes injected from the electrode, the electron transport layer, or the hole transport layer, and the light emitting portion is in the layer of the light emitting layer. May be the interface between the light emitting layer and the adjacent layer.

発光層の膜厚の総和は特に制限はないが、膜の均質性や、発光時に不必要な高電圧を印加するのを防止し、かつ、駆動電流に対する発光色の安定性向上の観点から、2nm〜5μmの範囲に調整することが好ましく、さらに好ましくは2nm〜200nmの範囲に調整され、特に好ましくは、10nm〜20nmの範囲である。   The total film thickness of the light emitting layer is not particularly limited, but from the viewpoint of improving the uniformity of the film, preventing unnecessary application of high voltage during light emission, and improving the stability of the emission color with respect to the drive current. It is preferable to adjust in the range of 2 nm to 5 μm, more preferably in the range of 2 nm to 200 nm, and particularly preferably in the range of 10 nm to 20 nm.

発光層の作製には、後述する発光ドーパントやホスト化合物を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、LB法、インクジェット法等の公知の薄膜化法により製膜して形成することができる。   For the production of the light-emitting layer, a light-emitting dopant or a host compound, which will be described later, is formed and formed by a known thinning method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, an LB method, or an ink-jet method. it can.

本発明の有機EL素子の発光層には、発光ホスト化合物と、発光ドーパント(リン光ドーパント(リン光発光性ドーパントともいう)や蛍光ドーパント等)の少なくとも1種類とを含有することが好ましい。   The light emitting layer of the organic EL device of the present invention preferably contains a light emitting host compound and at least one kind of light emitting dopant (such as a phosphorescent dopant (also referred to as a phosphorescent dopant) or a fluorescent dopant).

(ホスト化合物(発光ホスト等ともいう))
本発明に用いられるホスト化合物について説明する。
(Host compound (also called luminescent host))
The host compound used in the present invention will be described.

ここで、本発明においてホスト化合物とは、発光層に含有される化合物の内でその層中での質量比が20%以上であり、且つ室温(25℃)においてリン光発光のリン光量子収率が、0.1未満の化合物と定義される。好ましくはリン光量子収率が0.01未満である。また、発光層に含有される化合物の中で、その層中での質量比が20%以上であることが好ましい。   Here, the host compound in the present invention is a phosphorescent quantum yield of phosphorescence emission at a room temperature (25 ° C.) having a mass ratio of 20% or more in the compound contained in the light emitting layer. Is defined as a compound of less than 0.1. The phosphorescence quantum yield is preferably less than 0.01. Moreover, it is preferable that the mass ratio in the layer is 20% or more among the compounds contained in a light emitting layer.

ホスト化合物としては、公知のホスト化合物を単独で用いてもよく、または複数種併用して用いてもよい。ホスト化合物を複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機EL素子を高効率化することができる。また、後述する発光ドーパントを複数種用いることで、異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることができる。   As the host compound, known host compounds may be used alone or in combination of two or more. By using a plurality of types of host compounds, it is possible to adjust the movement of charges, and the organic EL element can be made highly efficient. Moreover, it becomes possible to mix different light emission by using multiple types of light emission dopants mentioned later, and can thereby obtain arbitrary luminescent colors.

また、本発明に用いられる発光ホストとしては、従来公知の低分子化合物でも、繰り返し単位をもつ高分子化合物でもよく、ビニル基やエポキシ基のような重合性基を有する低分子化合物(蒸着重合性発光ホスト)でも良い。   The light emitting host used in the present invention may be a conventionally known low molecular compound or a high molecular compound having a repeating unit, and a low molecular compound having a polymerizable group such as a vinyl group or an epoxy group (deposition polymerization property). Light emitting host).

併用してもよい公知のホスト化合物としては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、且つ発光の長波長化を防ぎ、なお且つ高Tg(ガラス転移温度)である化合物が好ましい。   As a known host compound that may be used in combination, a compound that has a hole transporting ability and an electron transporting ability, prevents the emission of light from being increased in wavelength, and has a high Tg (glass transition temperature) is preferable.

公知のホスト化合物の具体例としては、以下の文献に記載されている化合物が挙げられる。   Specific examples of known host compounds include compounds described in the following documents.

特開2001−257076号公報、同2002−308855号公報、同2001−313179号公報、同2002−319491号公報、同2001−357977号公報、同2002−334786号公報、同2002−8860号公報、同2002−334787号公報、同2002−15871号公報、同2002−334788号公報、同2002−43056号公報、同2002−334789号公報、同2002−75645号公報、同2002−338579号公報、同2002−105445号公報、同2002−343568号公報、同2002−141173号公報、同2002−352957号公報、同2002−203683号公報、同2002−363227号公報、同2002−231453号公報、同2003−3165号公報、同2002−234888号公報、同2003−27048号公報、同2002−255934号公報、同2002−260861号公報、同2002−280183号公報、同2002−299060号公報、同2002−302516号公報、同2002−305083号公報、同2002−305084号公報、同2002−308837号公報等。   JP-A-2001-257076, 2002-308855, 2001-313179, 2002-319491, 2001-357777, 2002-334786, 2002-8860, 2002-334787, 2002-15871, 2002-334788, 2002-43056, 2002-334789, 2002-75645, 2002-338579, 2002-105445 gazette, 2002-343568 gazette, 2002-141173 gazette, 2002-352957 gazette, 2002-203683 gazette, 2002-363227 gazette, 2002-231453 gazette, No. 003-3165, No. 2002-234888, No. 2003-27048, No. 2002-255934, No. 2002-286061, No. 2002-280183, No. 2002-299060, No. 2002. -302516, 2002-305083, 2002-305084, 2002-308837, and the like.

以下、本発明の有機EL素子の発光層のホスト化合物として好ましく用いられる化合物の具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されない。   Hereinafter, although the specific example of the compound preferably used as a host compound of the light emitting layer of the organic EL element of this invention is given, this invention is not limited to these.

Figure 2008047428
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Figure 2008047428
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また、発光層の形成には、下記に示す反応性ホスト化合物が好ましく用いられるが、本発明はこれらに限定されない。   Moreover, although the reactive host compound shown below is preferably used for formation of a light emitting layer, this invention is not limited to these.

Figure 2008047428
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Figure 2008047428
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Figure 2008047428
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また、反応性ホスト化合物としては、従来公知のホスト化合物に下記に示す反応性基を有する化合物も好ましく用いられる。   Moreover, as a reactive host compound, the compound which has the reactive group shown below to a conventionally well-known host compound is also used preferably.

Figure 2008047428
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(発光ドーパント)
本発明に係る発光ドーパントについて説明する。
(Luminescent dopant)
The light emitting dopant according to the present invention will be described.

本発明に係る発光ドーパントとしては、蛍光ドーパント(蛍光性化合物ともいう)、リン光ドーパント(リン光発光体、リン光性化合物、リン光発光性化合物等ともいう)を用いることができるが、より発光効率の高い有機EL素子を得る観点からは、本発明の有機EL素子の発光層や発光ユニットに使用される発光ドーパント(単に、発光材料ということもある)としては、上記のホスト化合物を含有すると同時に、リン光ドーパントを含有することが好ましい。   As the light-emitting dopant according to the present invention, a fluorescent dopant (also referred to as a fluorescent compound) or a phosphorescent dopant (also referred to as a phosphorescent emitter, a phosphorescent compound, a phosphorescent compound, or the like) can be used. From the viewpoint of obtaining an organic EL device with high luminous efficiency, the light emitting dopant used in the light emitting layer or the light emitting unit of the organic EL device of the present invention (sometimes simply referred to as a light emitting material) contains the above host compound. At the same time, it is preferable to contain a phosphorescent dopant.

(リン光ドーパント)
本発明に係るリン光ドーパントについて説明する。
(Phosphorescent dopant)
The phosphorescent dopant according to the present invention will be described.

本発明に係るリン光ドーパントは、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、具体的には、室温(25℃)にてリン光発光する化合物であり、リン光量子収率が、25℃において0.01以上の化合物であると定義されるが、好ましいリン光量子収率は0.1以上である。   The phosphorescent dopant according to the present invention is a compound in which light emission from an excited triplet is observed. Specifically, the phosphorescent dopant is a compound that emits phosphorescence at room temperature (25 ° C.) and has a phosphorescence quantum yield of 25. Although it is defined as a compound of 0.01 or more at ° C., a preferable phosphorescence quantum yield is 0.1 or more.

上記リン光量子収率は、第4版実験化学講座7の分光IIの398頁(1992年版、丸善)に記載の方法により測定できる。溶液中でのリン光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できるが、本発明に係るリン光ドーパントは、任意の溶媒のいずれかにおいて上記リン光量子収率(0.01以上)が達成されればよい。   The phosphorescence quantum yield can be measured by the method described in Spectroscopic II, page 398 (1992 edition, Maruzen) of Experimental Chemistry Course 4 of the 4th edition. Although the phosphorescence quantum yield in a solution can be measured using various solvents, the phosphorescence dopant according to the present invention achieves the phosphorescence quantum yield (0.01 or more) in any solvent. That's fine.

リン光ドーパントの発光は原理としては2種挙げられ、一つはキャリアが輸送されるホスト化合物上でキャリアの再結合が起こってホスト化合物の励起状態が生成し、このエネルギーをリン光ドーパントに移動させることでリン光ドーパントからの発光を得るというエネルギー移動型、もう一つはリン光ドーパントがキャリアトラップとなり、リン光ドーパント上でキャリアの再結合が起こりリン光ドーパントからの発光が得られるというキャリアトラップ型であるが、いずれの場合においても、リン光ドーパントの励起状態のエネルギーはホスト化合物の励起状態のエネルギーよりも低いことが条件である。   There are two types of light emission of phosphorescent dopants in principle. One is the recombination of carriers on the host compound to which carriers are transported to generate an excited state of the host compound, and this energy is transferred to the phosphorescent dopant. The energy transfer type that obtains light emission from the phosphorescent dopant, and the other is that the phosphorescent dopant becomes a carrier trap, carrier recombination occurs on the phosphorescent dopant, and light emission from the phosphorescent dopant is obtained. Although it is a trap type, in any case, the excited state energy of the phosphorescent dopant is required to be lower than the excited state energy of the host compound.

リン光ドーパントは、有機EL素子の発光層に使用される公知のものの中から適宜選択して用いることができる。   The phosphorescent dopant can be appropriately selected from known materials used for the light emitting layer of the organic EL device.

本発明に係るリン光ドーパントとしては、好ましくは元素周期表で8族〜10族の金属を含有する錯体系化合物であり、さらに好ましくはイリジウム化合物、オスミウム化合物、または白金化合物(白金錯体系化合物)、希土類錯体であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。   The phosphorescent dopant according to the present invention is preferably a complex compound containing a group 8-10 metal in the periodic table, more preferably an iridium compound, an osmium compound, or a platinum compound (platinum complex compound). Rare earth complexes, most preferably iridium compounds.

以下に、リン光ドーパントとして用いられる化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。これらの化合物は、例えば、Inorg.Chem.40巻、1704〜1711に記載の方法等により合成できる。   Although the specific example of the compound used as a phosphorescence dopant below is shown, this invention is not limited to these. These compounds are described, for example, in Inorg. Chem. 40, 1704-1711, and the like.

Figure 2008047428
Figure 2008047428

Figure 2008047428
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また、発光層の形成には、下記に示す反応性リン光ドーパントが好ましく用いられるが、本発明はこれらに限定されない。   Moreover, although the reactive phosphorescent dopant shown below is preferably used for formation of a light emitting layer, this invention is not limited to these.

Figure 2008047428
Figure 2008047428

Figure 2008047428
Figure 2008047428

また、反応性リン光ドーパントとしては、従来公知のリン光性化合物に、上記の反応性ホスト化合物が有してもよい反応性基が置換した化合物も好ましく用いられる。   Moreover, as a reactive phosphorescent dopant, the compound which substituted the reactive group which said reactive host compound may have into the conventionally well-known phosphorescent compound is also used preferably.

本発明に係るリン光ドーパント(りん光性化合物、リン光発光性化合物等ともいう)としては、励起三重項からの発光が青色である、いわゆる、青色発光ドーパントとして下記のような青色発光性オルトメタル錯体が好ましく用いられる。   As the phosphorescent dopant (also referred to as phosphorescent compound, phosphorescent compound, etc.) according to the present invention, the blue light-emitting ortho as described below is used as a so-called blue light-emitting dopant in which the emission from the excited triplet is blue. Metal complexes are preferably used.

《デンドリマー型リン光発光性有機金属錯体》
また、本発明に係るリン光ドーパントとしては、下記一般式(D1)で表されるデンドリマー型リン光発光性有機金属錯体を用いることができる。
《Dendrimer type phosphorescent organometallic complex》
Moreover, as a phosphorescence dopant which concerns on this invention, the dendrimer type phosphorescence-emitting organometallic complex represented by the following general formula (D1) can be used.

一般式(D1)
P−[(デンドロン)m]n
一般式(D1)において、デンドロンは、下記一般式(E)で表される樹木状分子を表し、nは、0を超える整数を表し、mは、0を超え、且つ、n未満の整数を表す。Pは、コア(核)となる、リン光発光性有機金属錯体を表す。
General formula (D1)
P-[(Dendron) m] n
In the general formula (D1), dendron represents a dendritic molecule represented by the following general formula (E), n represents an integer greater than 0, m represents an integer greater than 0 and less than n. To express. P represents a phosphorescent organometallic complex that serves as a core.

一般式(E)   General formula (E)

Figure 2008047428
Figure 2008047428

一般式(E)においてArは、芳香族炭化水素環または芳香族複素環から導出される三価の基を表す。芳香族複素環を表し、Xは、前記コア(核)となる、リン光発光性有機金属錯体Pと結合する単結合または二価の連結基を表す。nは、分岐回数(世代数ともいう)を表す。   In the general formula (E), Ar represents a trivalent group derived from an aromatic hydrocarbon ring or an aromatic heterocyclic ring. Represents an aromatic heterocycle, and X represents a single bond or a divalent linking group that binds to the phosphorescent organometallic complex P, which serves as the core. n represents the number of branches (also referred to as the number of generations).

一般式(E)において、Arで表される芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環、ビフェニル環、ナフタレン環、アズレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環、トリフェニレン環、o−テルフェニル環、m−テルフェニル環、p−テルフェニル環、アセナフテン環、コロネン環、フルオレン環、フルオラントレン環、ナフタセン環、ペンタセン環、ペリレン環、ペンタフェン環、ピセン環、ピレン環、ピラントレン環、アンスラアントレン環等が挙げられる。尚、これらの環は、更に、上記一般式(A)において、Rで表される置換基を有していてもよい。   In the general formula (E), the aromatic hydrocarbon ring represented by Ar includes a benzene ring, a biphenyl ring, a naphthalene ring, an azulene ring, an anthracene ring, a phenanthrene ring, a pyrene ring, a chrysene ring, a naphthacene ring, a triphenylene ring, o-terphenyl ring, m-terphenyl ring, p-terphenyl ring, acenaphthene ring, coronene ring, fluorene ring, fluoranthrene ring, naphthacene ring, pentacene ring, perylene ring, pentaphen ring, picene ring, pyrene ring, Examples include a pyranthrene ring and anthraanthrene ring. In addition, these rings may further have a substituent represented by R in the general formula (A).

一般式(E)において、Arで表される芳香族複素環としては、例えば、フラン環、チオフェン環、オキサゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、インダゾール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、シンノリン環、キノリン環、イソキノリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、カルバゾール環、カルボリン環、ジアザカルバゾール環(カルボリン環を構成する炭化水素環の炭素原子の一つが更に窒素原子で置換されている環を示す)等が挙げられる。   In the general formula (E), examples of the aromatic heterocycle represented by Ar include a furan ring, a thiophene ring, an oxazole ring, a pyrrole ring, a pyridine ring, a pyridazine ring, a pyrimidine ring, a pyrazine ring, a triazine ring, and a benzimidazole. Ring, oxadiazole ring, triazole ring, imidazole ring, pyrazole ring, thiazole ring, indazole ring, indazole ring, benzimidazole ring, benzothiazole ring, benzoxazole ring, quinoxaline ring, quinazoline ring, cinnoline ring, quinoline ring, isoquinoline Ring, phthalazine ring, naphthyridine ring, carbazole ring, carboline ring, diazacarbazole ring (showing a ring in which one of the carbon atoms of the hydrocarbon ring constituting the carboline ring is further substituted with a nitrogen atom).

尚、これらの環は、更に、置換基を有していてもよく、置換基としては、アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等)、シクロアルキル基(例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等)、アルケニル基(例えば、ビニル基、アリル基等)、アルキニル基(例えば、エチニル基、プロパルギル基等)、アリール基(例えば、フェニル基、ナフチル基等)、芳香族複素環基(例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、キナゾリニル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基(前記カルボリニル基のカルボリン環を構成する任意の炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す)、フタラジニル基等)、複素環基(例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基、オキサゾリジル基等)、アルコキシ基(例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等)、シクロアルコキシ基(例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等)、アリールオキシ基(例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等)、アルキルチオ基(例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等)、シクロアルキルチオ基(例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等)、アリールチオ基(例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等)、アルコキシカルボニル基(例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等)、アリールオキシカルボニル基(例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等)、スルファモイル基(例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、2−ピリジルアミノスルホニル基等)、アシル基(例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、2−エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等)、アシルオキシ基(例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等)、アミド基(例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、2−エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカルボニルアミノ基等)、カルバモイル基(例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、2−エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、2−ピリジルアミノカルボニル基等)、ウレイド基(例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基ナフチルウレイド基、2−ピリジルアミノウレイド基等)、スルフィニル基(例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、2−エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、2−ピリジルスルフィニル基等)、アルキルスルホニル基(例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、2−エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基等)、アリールスルホニル基またはヘテロアリールスルホニル基(例えば、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、2−ピリジルスルホニル基等)、アミノ基(例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、2−エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、2−ピリジルアミノ基等)、ハロゲン原子(例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等)、フッ化炭化水素基(例えば、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ペンタフルオロフェニル基等)、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基(例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジエチルシリル基等)等が挙げられる。尚、これらの置換基は、上記の置換基によってさらに置換されていてもよい。また、これらの置換基は複数が互いに結合して環を形成していてもよい。   These rings may further have a substituent. Examples of the substituent include alkyl groups (for example, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, tert-butyl group, pentyl group, hexyl group). Group, octyl group, dodecyl group, tridecyl group, tetradecyl group, pentadecyl group etc.), cycloalkyl group (eg cyclopentyl group, cyclohexyl group etc.), alkenyl group (eg vinyl group, allyl group etc.), alkynyl group (eg , Ethynyl group, propargyl group, etc.), aryl group (eg, phenyl group, naphthyl group, etc.), aromatic heterocyclic group (eg, furyl group, thienyl group, pyridyl group, pyridazinyl group, pyrimidinyl group, pyrazinyl group, triazinyl group) Imidazolyl group, pyrazolyl group, thiazolyl group, quinazolinyl group, carbazolyl group, cal A linyl group, a diazacarbazolyl group (in which one of carbon atoms constituting the carboline ring of the carbolinyl group is replaced with a nitrogen atom), a phthalazinyl group, etc.), a heterocyclic group (for example, a pyrrolidyl group, Imidazolidyl group, morpholyl group, oxazolidyl group, etc.), alkoxy group (for example, methoxy group, ethoxy group, propyloxy group, pentyloxy group, hexyloxy group, octyloxy group, dodecyloxy group, etc.), cycloalkoxy group (for example, Cyclopentyloxy group, cyclohexyloxy group, etc.), aryloxy group (eg, phenoxy group, naphthyloxy group, etc.), alkylthio group (eg, methylthio group, ethylthio group, propylthio group, pentylthio group, hexylthio group, octylthio group, dodecylthio group) Etc.), Cycloa Kirthio group (eg, cyclopentylthio group, cyclohexylthio group, etc.), arylthio group (eg, phenylthio group, naphthylthio group, etc.), alkoxycarbonyl group (eg, methyloxycarbonyl group, ethyloxycarbonyl group, butyloxycarbonyl group, octyl) Oxycarbonyl group, dodecyloxycarbonyl group, etc.), aryloxycarbonyl group (eg, phenyloxycarbonyl group, naphthyloxycarbonyl group, etc.), sulfamoyl group (eg, aminosulfonyl group, methylaminosulfonyl group, dimethylaminosulfonyl group, butyl) Aminosulfonyl group, hexylaminosulfonyl group, cyclohexylaminosulfonyl group, octylaminosulfonyl group, dodecylaminosulfonyl group, phenylaminosulfonyl group, Naphthylaminosulfonyl group, 2-pyridylaminosulfonyl group, etc.), acyl group (for example, acetyl group, ethylcarbonyl group, propylcarbonyl group, pentylcarbonyl group, cyclohexylcarbonyl group, octylcarbonyl group, 2-ethylhexylcarbonyl group, dodecylcarbonyl group) , Phenylcarbonyl group, naphthylcarbonyl group, pyridylcarbonyl group, etc.), acyloxy group (for example, acetyloxy group, ethylcarbonyloxy group, butylcarbonyloxy group, octylcarbonyloxy group, dodecylcarbonyloxy group, phenylcarbonyloxy group, etc.) Amide group (for example, methylcarbonylamino group, ethylcarbonylamino group, dimethylcarbonylamino group, propylcarbonylamino group, pentylcarbonylamino group) Cyclohexylcarbonylamino group, 2-ethylhexylcarbonylamino group, octylcarbonylamino group, dodecylcarbonylamino group, phenylcarbonylamino group, naphthylcarbonylamino group, etc.), carbamoyl group (for example, aminocarbonyl group, methylaminocarbonyl group, dimethylamino) Carbonyl group, propylaminocarbonyl group, pentylaminocarbonyl group, cyclohexylaminocarbonyl group, octylaminocarbonyl group, 2-ethylhexylaminocarbonyl group, dodecylaminocarbonyl group, phenylaminocarbonyl group, naphthylaminocarbonyl group, 2-pyridylaminocarbonyl group Etc.), ureido group (for example, methylureido group, ethylureido group, pentylureido group, cyclohexylureido group, Cutylureido group, dodecylureido group, phenylureido group naphthylureido group, 2-pyridylaminoureido group, etc.), sulfinyl group (for example, methylsulfinyl group, ethylsulfinyl group, butylsulfinyl group, cyclohexylsulfinyl group, 2-ethylhexylsulfinyl group, dodecyl) Sulfinyl group, phenylsulfinyl group, naphthylsulfinyl group, 2-pyridylsulfinyl group, etc.), alkylsulfonyl group (for example, methylsulfonyl group, ethylsulfonyl group, butylsulfonyl group, cyclohexylsulfonyl group, 2-ethylhexylsulfonyl group, dodecylsulfonyl group) Etc.), arylsulfonyl group or heteroarylsulfonyl group (for example, phenylsulfonyl group, naphthylsulfonyl group, 2-pyridylsulfur group) Phonyl group, etc.), amino group (for example, amino group, ethylamino group, dimethylamino group, butylamino group, cyclopentylamino group, 2-ethylhexylamino group, dodecylamino group, anilino group, naphthylamino group, 2-pyridylamino group) Etc.), halogen atoms (eg fluorine atom, chlorine atom, bromine atom etc.), fluorinated hydrocarbon groups (eg fluoromethyl group, trifluoromethyl group, pentafluoroethyl group, pentafluorophenyl group etc.), cyano group Nitro group, hydroxy group, mercapto group, silyl group (for example, trimethylsilyl group, triisopropylsilyl group, triphenylsilyl group, phenyldiethylsilyl group, etc.). These substituents may be further substituted with the above substituents. In addition, a plurality of these substituents may be bonded to each other to form a ring.

一般式(E)において、Xで表される二価の連結基としては、アルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、アリーレン基などの炭化水素基のほか、前記アルキレン基、前記アルケニレン基、前記アルキニレン基、前記アリーレン基中、各々ヘテロ原子(例えば、窒素原子、硫黄原子、珪素原子等)を含むものであってもよく、また、チオフェン−2,5−ジイル基や、ピラジン−2,3−ジイル基のような、芳香族複素環を有する化合物(ヘテロ芳香族化合物ともいう)に由来する二価の連結基であってもよいし、酸素や硫黄などのカルコゲン原子であってもよい。また、アルキルイミノ基、ジアルキルシランジイル基やジアリールゲルマンジイル基のような、ヘテロ原子を会して連結する基でもよい。   In the general formula (E), examples of the divalent linking group represented by X include hydrocarbon groups such as alkylene groups, alkenylene groups, alkynylene groups, and arylene groups, as well as the alkylene groups, the alkenylene groups, and the alkynylene groups. In the arylene group, each of them may contain a hetero atom (for example, a nitrogen atom, a sulfur atom, a silicon atom, etc.), or a thiophene-2,5-diyl group or pyrazine-2,3-diyl. It may be a divalent linking group derived from a compound having an aromatic heterocycle such as a group (also referred to as a heteroaromatic compound), or a chalcogen atom such as oxygen or sulfur. Further, it may be a group such as an alkylimino group, a dialkylsilanediyl group, or a diarylgermandiyl group that connects and connects heteroatoms.

以下、一般式(D1)で表されるデンドリマの具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。   Hereinafter, although the specific example of a dendrimer represented by general formula (D1) is shown, this invention is not limited to these.

Figure 2008047428
Figure 2008047428

《シクロデキストリン誘導体》
本発明に係るリン光ドーパントとしては、下記一般式(D)で表されるシクロデキストリン誘導体を用いることができる。ここで、シクロデキストリン誘導体とは、複数のD−グルコピラノース基がα−1、4グリコシド結合によって環化した構造を有する化合物の総称。分子内に存在する1級と2級の水酸基は置換基で置換されていて構わない。
<Cyclodextrin derivative>
As the phosphorescent dopant according to the present invention, a cyclodextrin derivative represented by the following general formula (D) can be used. Here, the cyclodextrin derivative is a general term for compounds having a structure in which a plurality of D-glucopyranose groups are cyclized by α-1,4 glycosidic bonds. The primary and secondary hydroxyl groups present in the molecule may be substituted with a substituent.

Figure 2008047428
Figure 2008047428

一般式(D)において、Rは置換基を表し、Zはリン光性化合物の残基を表す。   In the general formula (D), R represents a substituent, and Z represents a residue of the phosphorescent compound.

一般式(D)において、Rで表される置換基は、上記一般式(E)において、Arで表される芳香族炭化水素環が有してもよい置換基と同義である。   In the general formula (D), the substituent represented by R has the same meaning as the substituent that the aromatic hydrocarbon ring represented by Ar in the general formula (E) may have.

一般式(D)において、Zで表されるリン光性化合物の残基として用いられるリン光性化合物としては、リン光性化合物(リン光ドーパントともいう)を用いることができる。   In the general formula (D), as the phosphorescent compound used as a residue of the phosphorescent compound represented by Z, a phosphorescent compound (also referred to as a phosphorescent dopant) can be used.

以下、本発明に用いられるシクロデキストリン誘導体の好ましい具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。   Hereinafter, although the preferable specific example of the cyclodextrin derivative used for this invention is shown, this invention is not limited to these.

Figure 2008047428
Figure 2008047428

尚、CD−1、2において、Acは、各々アセチル基を表す。   In CD-1 and 2, Ac represents an acetyl group.

《カリックスアレーン誘導体》
本発明に係るリン光ドーパントの一種として用いられるカリックスアレーン誘導体について説明する。
《Calixarene derivative》
The calixarene derivative used as a kind of phosphorescent dopant according to the present invention will be described.

本発明に用いられるカリックスアレーン誘導体とは、下記一般式(A)で表されるように、フェノール誘導体をアルキレン基またはオキシアルキレン基で結合した環状構造を有する化合物の総称を表し、また、分子内のフェノール性水酸基は置換基で置換されていて構わない。   The calixarene derivative used in the present invention is a general term for compounds having a cyclic structure in which a phenol derivative is bonded with an alkylene group or an oxyalkylene group, as represented by the following general formula (A). The phenolic hydroxyl group may be substituted with a substituent.

Figure 2008047428
Figure 2008047428

一般式(A)において、A、Lで、各々表される二価の連結基としては、一般式(E)において、Xで表される二価の連結基と同義である。   In the general formula (A), the divalent linking group represented by A and L has the same meaning as the divalent linking group represented by X in the general formula (E).

更に、A、Lで各々表される二価の連結基としては、例えば、カルバゾール環、カルボリン環、ジアザカルバゾール環(モノアザカルボリン環ともいい、カルボリン環を構成する炭素原子のひとつが窒素原子で置き換わった構成の環構成を示す)、トリアゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピラジン環、キノキサリン環、チオフェン環、オキサジアゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、インドール環等のような芳香族複素環群から選択される芳香族複素環から導出される二価の基等を用いることが出来る。   Furthermore, examples of the divalent linking group represented by A and L include, for example, a carbazole ring, a carboline ring, a diazacarbazole ring (also referred to as a monoazacarboline ring, and one of the carbon atoms constituting the carboline ring is a nitrogen atom) The aromatic structure such as triazole ring, pyrrole ring, pyridine ring, pyrazine ring, quinoxaline ring, thiophene ring, oxadiazole ring, dibenzofuran ring, dibenzothiophene ring, indole ring, etc. A divalent group derived from an aromatic heterocyclic ring selected from a ring group can be used.

また、更に、一般式(E)において、Arで表される芳香族炭化水素環が有してもよい置換基を有してもよい。   Furthermore, in the general formula (E), the aromatic hydrocarbon ring represented by Ar may have a substituent.

以下に、本発明に用いられるカリックスアレーン誘導体の具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されない。   Specific examples of the calixarene derivative used in the present invention are listed below, but the present invention is not limited to these.

Figure 2008047428
Figure 2008047428

CA−1において、Aは、CHまたはNを表し、Rは、水素原子、メチル基またはアセチル基を表し、nは、1〜6の整数を表す。   In CA-1, A represents CH or N, R represents a hydrogen atom, a methyl group, or an acetyl group, and n represents an integer of 1 to 6.

《クラウンエーテル誘導体》
本発明に係るリン光ドーパントの一種として用いられるクラウンエーテル誘導体について説明する。
<Crown ether derivative>
The crown ether derivative used as a kind of phosphorescent dopant according to the present invention will be described.

本発明に用いられるクラウンエーテル誘導体とは、下記一般式(B)または一般式(C)で各々表されるように、環状ポリエーテルであって、環全体が多座配位子となり、金属イオンや有機イオンと包接する機能を持つ化合物の総称を表し、且つ、酸素原子の代わりにその一部、または全てが窒素、硫黄で置換されても良い。   The crown ether derivative used in the present invention is a cyclic polyether as represented by the following general formula (B) or general formula (C), in which the entire ring becomes a polydentate ligand, and metal ions And a general term for compounds having a function of clathrating with organic ions, and some or all of them may be substituted with nitrogen or sulfur instead of oxygen atoms.

Figure 2008047428
Figure 2008047428

一般式(B)、一般式(C)の各々において、Lは、単結合または二価の連結基を表し、Chは、酸素原子または硫黄原子を表す。mは、1〜9の整数、nは、1〜3の整数を表し、Zは、蛍光性化合物の残基またはリン光性化合物の残基を表す。   In each of the general formula (B) and general formula (C), L represents a single bond or a divalent linking group, and Ch represents an oxygen atom or a sulfur atom. m represents an integer of 1 to 9, n represents an integer of 1 to 3, and Z represents a residue of a fluorescent compound or a residue of a phosphorescent compound.

一般式(B)、一般式(C)の各々において、Lで表される二価の連結基は、上記一般式(A)のA、Lで各々表される二価の連結基と同義である。   In each of the general formula (B) and general formula (C), the divalent linking group represented by L has the same meaning as the divalent linking group represented by A and L in the general formula (A). is there.

一般式(B)、一般式(C)の各々において、Zで表されるリン光性化合物の残基として用いられるリン光性化合物としては、後述するリン光性化合物(リン光ドーパントともいう)に記載の化合物等が挙げられる。   In each of the general formula (B) and general formula (C), the phosphorescent compound used as the residue of the phosphorescent compound represented by Z is a phosphorescent compound (also referred to as a phosphorescent dopant) described later. And the like.

また、上記一般式(B)、(C)で各々表されるクラウンエーテル誘導体は、上記一般式(A)で表されるカリックスアレーン誘導体が有する置換基Rを有していてもよい。   Moreover, the crown ether derivative represented by each of the general formulas (B) and (C) may have a substituent R included in the calixarene derivative represented by the general formula (A).

以下、本発明に用いられるクラウンエーテル誘導体の具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されない。   Specific examples of the crown ether derivative used in the present invention are listed below, but the present invention is not limited to these.

Figure 2008047428
Figure 2008047428

上記の具体例である、CE−1、CE−2の各々において、Aは、CHまたはNを表し、nは、1〜9の整数を表す。   In each of CE-1 and CE-2, which are the specific examples described above, A represents CH or N, and n represents an integer of 1 to 9.

本発明に用いられるリン光性化合物は、例えばOrganic Letter誌、vol3、No.16、p2579〜2581(2001)、Inorganic Chemistry,第30巻、第8号、1685〜1687ページ(1991年)、J.Am.Chem.Soc.,123巻、4304ページ(2001年)、Inorganic Chemistry,第40巻、第7号、1704〜1711ページ(2001年)、Inorganic Chemistry,第41巻、第12号、3055〜3066ページ(2002年)、New Journal of Chemistry.,第26巻、1171ページ(2002年)、更に、これらの文献中に記載の参考文献等の方法を適用することにより合成できる。   The phosphorescent compounds used in the present invention are described in, for example, Organic Letter, vol. 16, p 2579-2581 (2001), Inorganic Chemistry, Vol. 30, No. 8, 1685-1687 (1991), J. MoI. Am. Chem. Soc. , 123, 4304 (2001), Inorganic Chemistry, Vol. 40, No. 7, pages 1704-1711 (2001), Inorganic Chemistry, Vol. 41, No. 12, pages 3055-3066 (2002) , New Journal of Chemistry. 26, page 1171 (2002), and further by applying a method such as a reference described in these documents.

このほかにも、例えば、J.Am.Chem.Soc.123巻4304〜4312頁(2001年)、国際公開第00/70655号パンフレット、同第02/15645号パンフレット、特開2001−247859号公報、同2001−345183号公報、同2002−117978号公報、同2002−170684号公報、同2002−203678号公報、同2002−235076号公報、同2002−302671号公報、同2002−324679号公報、同2002−332291号公報、同2002−332292号公報、同2002−338588号公報等に記載の一般式であげられるイリジウム錯体、あるいは、具体的例として挙げられるイリジウム錯体、特開2002−8860号公報記載の式(IV)で表されるイリジウム錯体等が挙げられる。   In addition, for example, J. et al. Am. Chem. Soc. 123, 4304-4312 (2001), International Publication No. 00/70655 pamphlet, No. 02/15645 pamphlet, JP-A No. 2001-247859, No. 2001-345183, No. 2002-117978, 2002-170684, 2002-203678, 2002-235076, 2002-302671, 2002-324679, 2002-332291, 2002-332292, Examples include iridium complexes represented by the general formula described in JP 2002-338588 A, etc., iridium complexes exemplified as specific examples, iridium complexes represented by formula (IV) described in JP 2002-8860 A, and the like. It is done.

(蛍光ドーパント(蛍光性化合物ともいう))
蛍光ドーパント(蛍光性化合物)としては、クマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素、または希土類錯体系蛍光体等が挙げられる。
(Fluorescent dopant (also called fluorescent compound))
Fluorescent dopants (fluorescent compounds) include coumarin dyes, pyran dyes, cyanine dyes, croconium dyes, squalium dyes, oxobenzanthracene dyes, fluorescein dyes, rhodamine dyes, pyrylium dyes, perylene dyes Examples thereof include dyes, stilbene dyes, polythiophene dyes, and rare earth complex phosphors.

本発明に用いることのできる蛍光ドーパントとしては、上記一般式(D)で表されるシクロデキストリン誘導体において、Zで表されるリン光性化合物の残基の代わりに、蛍光性化合物残基を有するものが挙げられる。   As a fluorescent dopant that can be used in the present invention, the cyclodextrin derivative represented by the above general formula (D) has a fluorescent compound residue instead of the phosphorescent compound residue represented by Z. Things.

また、本発明に用いることのできる蛍光ドーパントの例としては、上記一般式(B)、上記一般式(C)の各々で表されるクラウンエーテル誘導体において、Zで表されるリン光発光性化合物残基の代わりに、蛍光性化合物の残基を用いて化合物が挙げられる。   Examples of fluorescent dopants that can be used in the present invention include phosphorescent compounds represented by Z in the crown ether derivatives represented by the general formula (B) and the general formula (C). Instead of the residue, the compound is exemplified using the residue of the fluorescent compound.

ここで、蛍光性化合物としては、上記の蛍光ドーパント(蛍光性化合物ともいう)に記載の色素、蛍光性化合物または蛍光性ドーパントの具体例等が挙げられる。   Here, as a fluorescent compound, the specific example etc. of the pigment | dye, fluorescent compound, or fluorescent dopant as described in said fluorescent dopant (it is also mentioned fluorescent compound) are mentioned.

次に、本発明の有機EL素子の構成層として用いられる、注入層、阻止層、電子輸送層等について説明する。   Next, an injection layer, a blocking layer, an electron transport layer and the like used as the constituent layers of the organic EL element of the present invention will be described.

《注入層:電子注入層、正孔注入層》
注入層は必要に応じて設け、電子注入層と正孔注入層があり、上記の如く陽極と発光層または正孔輸送層の間、及び陰極と発光層または電子輸送層との間に存在させてもよい。
<< Injection layer: electron injection layer, hole injection layer >>
The injection layer is provided as necessary, and there are an electron injection layer and a hole injection layer, and as described above, it exists between the anode and the light emitting layer or the hole transport layer and between the cathode and the light emitting layer or the electron transport layer. May be.

注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日エヌ・ティー・エス社発行)」の第2編第2章「電極材料」(123〜166頁)に詳細に記載されており、正孔注入層(陽極バッファー層)と電子注入層(陰極バッファー層)とがある。   An injection layer is a layer provided between an electrode and an organic layer in order to reduce drive voltage and improve light emission luminance. “Organic EL element and its forefront of industrialization (issued by NTT Corporation on November 30, 1998) 2), Chapter 2, “Electrode Materials” (pages 123 to 166) in detail, and includes a hole injection layer (anode buffer layer) and an electron injection layer (cathode buffer layer).

陽極バッファー層(正孔注入層)は、特開平9−45479号公報、同9−260062号公報、同8−288069号公報等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニンバッファー層、酸化バナジウムに代表される酸化物バッファー層、アモルファスカーボンバッファー層、ポリアニリン(エメラルディン)やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子バッファー層等が挙げられる。   The details of the anode buffer layer (hole injection layer) are described in JP-A-9-45479, JP-A-9-260062, JP-A-8-288069 and the like. As a specific example, copper phthalocyanine is used. Examples thereof include a phthalocyanine buffer layer represented by an oxide, an oxide buffer layer represented by vanadium oxide, an amorphous carbon buffer layer, and a polymer buffer layer using a conductive polymer such as polyaniline (emeraldine) or polythiophene.

陰極バッファー層(電子注入層)は、特開平6−325871号公報、同9−17574号公報、同10−74586号公報等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属バッファー層、フッ化リチウムに代表されるアルカリ金属化合物バッファー層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物バッファー層、酸化アルミニウムに代表される酸化物バッファー層等が挙げられる。上記バッファー層(注入層)はごく薄い膜であることが望ましく、素材にもよるがその膜厚は0.1nm〜5μmの範囲が好ましい。   The details of the cathode buffer layer (electron injection layer) are described in JP-A-6-325871, JP-A-9-17574, JP-A-10-74586, and the like. Specifically, strontium, aluminum, etc. Metal buffer layer typified by lithium, alkali metal compound buffer layer typified by lithium fluoride, alkaline earth metal compound buffer layer typified by magnesium fluoride, oxide buffer layer typified by aluminum oxide, etc. . The buffer layer (injection layer) is preferably a very thin film, and the film thickness is preferably in the range of 0.1 nm to 5 μm although it depends on the material.

《阻止層:正孔阻止層、電子阻止層》
阻止層は、上記の如く有機化合物薄膜の基本構成層の他に必要に応じて設けられるものである。例えば、特開平11−204258号公報、同11−204359号公報、及び「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日エヌ・ティー・エス社発行)」の237頁等に記載されている正孔阻止(ホールブロック)層がある。
<Blocking layer: hole blocking layer, electron blocking layer>
The blocking layer is provided as necessary in addition to the basic constituent layer of the organic compound thin film as described above. For example, it is described in JP-A Nos. 11-204258, 11-204359, and “Organic EL elements and their forefront of industrialization” (issued by NTT, Inc. on November 30, 1998). There is a hole blocking (hole blocking) layer.

正孔阻止層とは広い意味では電子輸送層の機能を有し、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい正孔阻止材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、後述する電子輸送層の構成を必要に応じて、本発明に係わる正孔阻止層として用いることができる。   The hole blocking layer has a function of an electron transport layer in a broad sense, and is made of a hole blocking material that has a function of transporting electrons and has a remarkably small ability to transport holes. The probability of recombination of electrons and holes can be improved by blocking. Moreover, the structure of the electron carrying layer mentioned later can be used as a hole-blocking layer concerning this invention as needed.

本発明の有機EL素子の正孔阻止層は、発光層に隣接して設けられていることが好ましい。   The hole blocking layer of the organic EL device of the present invention is preferably provided adjacent to the light emitting layer.

正孔阻止層には、前述のホスト化合物として挙げたアザカルバゾール誘導体を含有することが好ましい。   The hole blocking layer preferably contains the azacarbazole derivative mentioned as the host compound.

また、本発明においては、複数の発光色の異なる複数の発光層を有する場合、その発光極大波長が最も短波にある発光層が、全発光層中、最も陽極に近いことが好ましいが、このような場合、該最短波層と該層の次に陽極に近い発光層との間に正孔阻止層を追加して設けることが好ましい。更には、該位置に設けられる正孔阻止層に含有される化合物の50質量%以上が、前記最短波発光層のホスト化合物に対しそのイオン化ポテンシャルが0.3eV以上大きいことが好ましい。   In the present invention, when a plurality of light emitting layers having different light emission colors are provided, the light emitting layer having the shortest wavelength of light emission is preferably closest to the anode among all the light emitting layers. In this case, it is preferable to additionally provide a hole blocking layer between the shortest wave layer and the light emitting layer next to the anode next to the anode. Furthermore, it is preferable that 50% by mass or more of the compound contained in the hole blocking layer provided at the position has an ionization potential of 0.3 eV or more larger than the host compound of the shortest wave emitting layer.

イオン化ポテンシャルは化合物のHOMO(最高被占分子軌道)レベルにある電子を真空準位に放出するのに必要なエネルギーで定義され、例えば下記に示すような方法により求めることができる。   The ionization potential is defined by the energy required to emit an electron at the HOMO (highest occupied molecular orbital) level of the compound to the vacuum level, and can be obtained by the following method, for example.

(1)米国Gaussian社製の分子軌道計算用ソフトウェアであるGaussian98(Gaussian98、Revision A.11.4,M.J.Frisch,et al,Gaussian,Inc.,Pittsburgh PA,2002.)を用い、キーワードとしてB3LYP/6−31G*を用いて構造最適化を行うことにより算出した値(eV単位換算値)の小数点第2位を四捨五入した値としてイオン化ポテンシャルを求めることができる。この計算値が有効な背景には、この手法で求めた計算値と実験値の相関が高いためである。   (1) Keywords using Gaussian 98 (Gaussian 98, Revision A.11.4, MJ Frisch, et al, Gaussian, Inc., Pittsburgh PA, 2002.), which is molecular orbital calculation software manufactured by Gaussian, USA. The ionization potential can be obtained as a value obtained by rounding off the second decimal place of the value (eV unit converted value) calculated by performing structural optimization using B3LYP / 6-31G *. This calculation value is effective because the correlation between the calculation value obtained by this method and the experimental value is high.

(2)イオン化ポテンシャルは光電子分光法で直接測定する方法により求めることもできる。例えば、理研計器社製の低エネルギー電子分光装置「Model AC−1」を用いて、あるいは紫外光電子分光として知られている方法を好適に用いることができる。   (2) The ionization potential can also be obtained by a method of directly measuring by photoelectron spectroscopy. For example, a method known as ultraviolet photoelectron spectroscopy can be suitably used by using a low energy electron spectrometer “Model AC-1” manufactured by Riken Keiki Co., Ltd.

一方、電子阻止層とは広い意味では正孔輸送層の機能を有し、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、後述する正孔輸送層の構成を必要に応じて電子阻止層として用いることができる。本発明に係る正孔阻止層、電子輸送層の膜厚としては、好ましくは3nm〜100nmであり、更に好ましくは5nm〜30nmである。   On the other hand, the electron blocking layer has a function of a hole transport layer in a broad sense, and is made of a material that has a function of transporting holes and has an extremely small ability to transport electrons, and transports electrons while transporting holes. By blocking, the recombination probability of electrons and holes can be improved. Moreover, the structure of the positive hole transport layer mentioned later can be used as an electron blocking layer as needed. The film thickness of the hole blocking layer and the electron transport layer according to the present invention is preferably 3 nm to 100 nm, and more preferably 5 nm to 30 nm.

《正孔輸送層》
正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は単層または複数層設けることができる。
《Hole transport layer》
The hole transport layer is made of a hole transport material having a function of transporting holes, and in a broad sense, a hole injection layer and an electron blocking layer are also included in the hole transport layer. The hole transport layer can be provided as a single layer or a plurality of layers.

正孔輸送材料としては、正孔の注入または輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられる。   The hole transport material has any one of hole injection or transport and electron barrier properties, and may be either organic or inorganic. For example, triazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives and pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, oxazole derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, Examples thereof include stilbene derivatives, silazane derivatives, aniline copolymers, and conductive polymer oligomers, particularly thiophene oligomers.

正孔輸送材料としては上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第3級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第3級アミン化合物を用いることが好ましい。   The above-mentioned materials can be used as the hole transport material, but it is preferable to use a porphyrin compound, an aromatic tertiary amine compound and a styrylamine compound, particularly an aromatic tertiary amine compound.

芳香族第3級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、N,N,N′,N′−テトラフェニル−4,4′−ジアミノフェニル;N,N′−ジフェニル−N,N′−ビス(3−メチルフェニル)−〔1,1′−ビフェニル〕−4,4′−ジアミン(TPD);2,2−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)プロパン;1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)シクロヘキサン;N,N,N′,N′−テトラ−p−トリル−4,4′−ジアミノビフェニル;1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)−4−フェニルシクロヘキサン;ビス(4−ジメチルアミノ−2−メチルフェニル)フェニルメタン;ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)フェニルメタン;N,N′−ジフェニル−N,N′−ジ(4−メトキシフェニル)−4,4′−ジアミノビフェニル;N,N,N′,N′−テトラフェニル−4,4′−ジアミノジフェニルエーテル;4,4′−ビス(ジフェニルアミノ)クオードリフェニル;N,N,N−トリ(p−トリル)アミン;4−(ジ−p−トリルアミノ)−4′−〔4−(ジ−p−トリルアミノ)スチリル〕スチルベン;4−N,N−ジフェニルアミノ−(2−ジフェニルビニル)ベンゼン;3−メトキシ−4′−N,N−ジフェニルアミノスチルベンゼン;N−フェニルカルバゾール、更には米国特許第5,061,569号明細書に記載されている2個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば、4,4′−ビス〔N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ〕ビフェニル(NPD)、特開平4−308688号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが3つスターバースト型に連結された4,4′,4″−トリス〔N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン(MTDATA)等が挙げられる。   Representative examples of aromatic tertiary amine compounds and styrylamine compounds include N, N, N ', N'-tetraphenyl-4,4'-diaminophenyl; N, N'-diphenyl-N, N'- Bis (3-methylphenyl)-[1,1′-biphenyl] -4,4′-diamine (TPD); 2,2-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) propane; 1,1-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) cyclohexane; N, N, N ′, N′-tetra-p-tolyl-4,4′-diaminobiphenyl; 1,1-bis (4-di-p-tolyl) Aminophenyl) -4-phenylcyclohexane; bis (4-dimethylamino-2-methylphenyl) phenylmethane; bis (4-di-p-tolylaminophenyl) phenylmethane; N, N'-diphenyl-N, N ' − (4-methoxyphenyl) -4,4'-diaminobiphenyl; N, N, N ', N'-tetraphenyl-4,4'-diaminodiphenyl ether; 4,4'-bis (diphenylamino) quadriphenyl; N, N, N-tri (p-tolyl) amine; 4- (di-p-tolylamino) -4 '-[4- (di-p-tolylamino) styryl] stilbene; 4-N, N-diphenylamino- (2-diphenylvinyl) benzene; 3-methoxy-4′-N, N-diphenylaminostilbenzene; N-phenylcarbazole, and also two of those described in US Pat. No. 5,061,569. Having a condensed aromatic ring in the molecule, for example, 4,4'-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (NPD), JP-A-4-3086 4,4 ', 4 "-tris [N- (3-methylphenyl) -N-phenylamino] triphenylamine in which three triphenylamine units described in Japanese Patent No. 8 are linked in a starburst type ( MTDATA) and the like.

更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。また、p型−Si、p型−SiC等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。   Furthermore, a polymer material in which these materials are introduced into a polymer chain or these materials are used as a polymer main chain can also be used. In addition, inorganic compounds such as p-type-Si and p-type-SiC can also be used as the hole injection material and the hole transport material.

また、特開平11−251067号公報、J.Huang et.al.著文献(Applied Physics Letters 80(2002),p.139)に記載されているような、所謂p型正孔輸送材料を用いることもできる。本発明においては、より高効率の発光素子が得られることからこれらの材料を用いることが好ましい。   JP-A-11-251067, J. Org. Huang et. al. A so-called p-type hole transport material as described in a book (Applied Physics Letters 80 (2002), p. 139) can also be used. In the present invention, these materials are preferably used because a light-emitting element with higher efficiency can be obtained.

正孔輸送層は上記正孔輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、LB法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。正孔輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は5nm〜5μm程度、好ましくは5nm〜200nmである。この正孔輸送層は上記材料の1種または2種以上からなる一層構造であってもよい。   The hole transport layer can be formed by thinning the hole transport material by a known method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, a printing method including an ink jet method, or an LB method. it can. Although there is no restriction | limiting in particular about the film thickness of a positive hole transport layer, Usually, 5 nm-about 5 micrometers, Preferably it is 5 nm-200 nm. The hole transport layer may have a single layer structure composed of one or more of the above materials.

また、不純物をドープしたp性の高い正孔輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平4−297076号公報、特開2000−196140号公報、同2001−102175号公報の各公報、J.Appl.Phys.,95,5773(2004)等に記載されたものが挙げられる。   Alternatively, a hole transport layer having a high p property doped with impurities can be used. Examples thereof include JP-A-4-297076, JP-A-2000-196140, 2001-102175, J. Pat. Appl. Phys. 95, 5773 (2004), and the like.

本発明においては、このようなp性の高い正孔輸送層を用いることが、より低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。   In the present invention, it is preferable to use a hole transport layer having such a high p property because a device with lower power consumption can be produced.

以下、本発明の有機EL素子の正孔輸送層の形成に好ましく用いられる化合物の具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されない。   Hereinafter, although the specific example of the compound preferably used for formation of the positive hole transport layer of the organic EL element of this invention is given, this invention is not limited to these.

Figure 2008047428
Figure 2008047428

また、正孔輸送層の形成には、下記に示す反応性正孔輸送材料も好ましく用いられるが、本発明はこれらに限定されない。   Moreover, although the reactive hole transport material shown below is also preferably used for formation of a hole transport layer, this invention is not limited to these.

Figure 2008047428
Figure 2008047428

Figure 2008047428
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Figure 2008047428
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《電子輸送層》
電子輸送層とは電子を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は単層または複数層設けることができる。
《Electron transport layer》
The electron transport layer is made of a material having a function of transporting electrons, and in a broad sense, an electron injection layer and a hole blocking layer are also included in the electron transport layer. The electron transport layer can be provided as a single layer or a plurality of layers.

従来、単層の電子輸送層、及び複数層とする場合は発光層に対して陰極側に隣接する電子輸送層に用いられる電子輸送材料(正孔阻止材料を兼ねる)としては、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができ、例えば、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体等が挙げられる。更に上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用いることができる。更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。   Conventionally, in the case of a single electron transport layer and a plurality of layers, an electron transport material (also serving as a hole blocking material) used for an electron transport layer adjacent to the light emitting layer on the cathode side is injected from the cathode. As long as it has a function of transferring electrons to the light-emitting layer, any material can be selected and used from among conventionally known compounds. For example, nitro-substituted fluorene derivatives, diphenylquinone derivatives Thiopyrandioxide derivatives, carbodiimides, fluorenylidenemethane derivatives, anthraquinodimethane and anthrone derivatives, oxadiazole derivatives and the like. Furthermore, in the above oxadiazole derivative, a thiadiazole derivative in which the oxygen atom of the oxadiazole ring is substituted with a sulfur atom, and a quinoxaline derivative having a quinoxaline ring known as an electron withdrawing group can also be used as an electron transport material. Furthermore, a polymer material in which these materials are introduced into a polymer chain or these materials are used as a polymer main chain can also be used.

また8−キノリノール誘導体の金属錯体、例えば、トリス(8−キノリノール)アルミニウム(Alq)、トリス(5,7−ジクロロ−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(5,7−ジブロモ−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(2−メチル−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(5−メチル−8−キノリノール)アルミニウム、ビス(8−キノリノール)亜鉛(Znq)等、及びこれらの金属錯体の中心金属がIn、Mg、Cu、Ca、Sn、GaまたはPbに置き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いることができる。その他、メタルフリーもしくはメタルフタロシアニン、またはそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも、電子輸送材料として好ましく用いることができる。また、発光層の材料として例示したジスチリルピラジン誘導体も、電子輸送材料として用いることができるし、正孔注入層、正孔輸送層と同様にn型−Si、n型−SiC等の無機半導体も電子輸送材料として用いることができる。   Also, metal complexes of 8-quinolinol derivatives such as tris (8-quinolinol) aluminum (Alq), tris (5,7-dichloro-8-quinolinol) aluminum, tris (5,7-dibromo-8-quinolinol) aluminum, Tris (2-methyl-8-quinolinol) aluminum, tris (5-methyl-8-quinolinol) aluminum, bis (8-quinolinol) zinc (Znq), etc., and the central metals of these metal complexes are In, Mg, Cu , Ca, Sn, Ga, or Pb can also be used as an electron transport material. In addition, metal-free or metal phthalocyanine, or those having terminal ends substituted with an alkyl group or a sulfonic acid group can be preferably used as the electron transporting material. In addition, the distyrylpyrazine derivative exemplified as the material of the light emitting layer can also be used as an electron transport material, and an inorganic semiconductor such as n-type-Si, n-type-SiC, etc. as in the case of the hole injection layer and the hole transport layer. Can also be used as an electron transporting material.

電子輸送層は上記電子輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、LB法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。電子輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は5nm〜5μm程度、好ましくは5nm〜200nmである。電子輸送層は上記材料の1種または2種以上からなる一層構造であってもよい。   The electron transport layer can be formed by thinning the electron transport material by a known method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, a printing method including an ink jet method, or an LB method. Although there is no restriction | limiting in particular about the film thickness of an electron carrying layer, Usually, 5 nm-about 5 micrometers, Preferably it is 5 nm-200 nm. The electron transport layer may have a single layer structure composed of one or more of the above materials.

また、不純物をドープしたn性の高い電子輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平4−297076号公報、同10−270172号公報、特開2000−196140号公報、同2001−102175号公報、J.Appl.Phys.,95,5773(2004)等に記載されたものが挙げられる。   Further, an electron transport layer having a high n property doped with impurities can also be used. Examples thereof include JP-A-4-297076, JP-A-10-270172, JP-A-2000-196140, 2001-102175, J.A. Appl. Phys. 95, 5773 (2004), and the like.

本発明においては、このようなn性の高い電子輸送層を用いることがより低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。   In the present invention, it is preferable to use an electron transport layer having such a high n property because an element with lower power consumption can be manufactured.

以下、本発明の有機EL素子の電子輸送層の形成に好ましく用いられる化合物の具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されない。   Hereinafter, although the specific example of the compound preferably used for formation of the electron carrying layer of the organic EL element of this invention is given, this invention is not limited to these.

Figure 2008047428
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Figure 2008047428
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また、電子輸送層の形成には、下記に示す反応性電子輸送材料も好ましく用いられるが、本発明はこれらに限定されない。   Moreover, although the reactive electron transport material shown below is also preferably used for formation of an electron carrying layer, this invention is not limited to these.

Figure 2008047428
Figure 2008047428

Figure 2008047428
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また、反応性電子輸送材料としては、従来公知の電子輸送材料に、上記の反応性ホスト化合物が有してもよい反応性基が置換した化合物も好ましく用いられる。   In addition, as the reactive electron transport material, a compound in which a reactive group that the above-described reactive host compound may have is substituted for a conventionally known electron transport material is also preferably used.

《縮合ポリマー》
本発明の有機EL素子の製造方法においては、有機EL素子の有機層の構成材料の他にも、下記に示す縮合ポリマーを適宜用いることが出来る。
<Condensation polymer>
In the method for producing an organic EL element of the present invention, in addition to the constituent material of the organic layer of the organic EL element, the following condensation polymers can be used as appropriate.

以下、本発明に用いられる縮合ポリマーとしては、下記一般式(1)で表される化合物が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。   Hereinafter, examples of the condensation polymer used in the present invention include compounds represented by the following general formula (1), but the present invention is not limited thereto.

Figure 2008047428
Figure 2008047428

一般式(1)において、[Ar]nは、n個所の置換可能な部位を有する、芳香族炭化水素環または芳香族複素環を表す。Zは、蛍光性化合物残基またはリン光性化合物残基を表し、Arの置換可能な部位n個所のうちのm個所がKを介して連結している。Kは、二価の連結基または単結合を表す。nは、1〜3の数を表し、mは、1〜nの数を表す。ここで、Z、Kが複数の場合、各々は独立に、同一でもよく、異なっていてもよい。Lは、後述する連結基群1から選択される二価の連結基である。   In the general formula (1), [Ar] n represents an aromatic hydrocarbon ring or an aromatic heterocyclic ring having n substitutable sites. Z represents a fluorescent compound residue or a phosphorescent compound residue, and m of the n substitutable sites of Ar are linked via K. K represents a divalent linking group or a single bond. n represents a number from 1 to 3, and m represents a number from 1 to n. Here, when there are a plurality of Z and K, each may be independently the same or different. L is a divalent linking group selected from the linking group group 1 described below.

一般式(1)において、Arで表される芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環、ビフェニル環、ナフタレン環、アズレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環、トリフェニレン環、o−テルフェニル環、m−テルフェニル環、p−テルフェニル環、アセナフテン環、コロネン環、フルオレン環、フルオラントレン環、ナフタセン環、ペンタセン環、ペリレン環、ペンタフェン環、ピセン環、ピレン環、ピラントレン環、アンスラアントレン環等が挙げられる。尚、これらの環は、更に、上記一般式(A)において、Rで表される置換基を有していてもよい。   In the general formula (1), examples of the aromatic hydrocarbon ring represented by Ar include a benzene ring, a biphenyl ring, a naphthalene ring, an azulene ring, an anthracene ring, a phenanthrene ring, a pyrene ring, a chrysene ring, a naphthacene ring, a triphenylene ring, o-terphenyl ring, m-terphenyl ring, p-terphenyl ring, acenaphthene ring, coronene ring, fluorene ring, fluoranthrene ring, naphthacene ring, pentacene ring, perylene ring, pentaphen ring, picene ring, pyrene ring, Examples include a pyranthrene ring and anthraanthrene ring. In addition, these rings may further have a substituent represented by R in the general formula (A).

一般式(1)において、Arで表される芳香族複素環としては、例えば、フラン環、チオフェン環、オキサゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、インダゾール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、シンノリン環、キノリン環、イソキノリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、カルバゾール環、カルボリン環、ジアザカルバゾール環(カルボリン環を構成する炭化水素環の炭素原子の一つが更に窒素原子で置換されている環を示す)等が挙げられる。   In the general formula (1), examples of the aromatic heterocycle represented by Ar include a furan ring, a thiophene ring, an oxazole ring, a pyrrole ring, a pyridine ring, a pyridazine ring, a pyrimidine ring, a pyrazine ring, a triazine ring, and a benzimidazole. Ring, oxadiazole ring, triazole ring, imidazole ring, pyrazole ring, thiazole ring, indazole ring, indazole ring, benzimidazole ring, benzothiazole ring, benzoxazole ring, quinoxaline ring, quinazoline ring, cinnoline ring, quinoline ring, isoquinoline Ring, phthalazine ring, naphthyridine ring, carbazole ring, carboline ring, diazacarbazole ring (showing a ring in which one of the carbon atoms of the hydrocarbon ring constituting the carboline ring is further substituted with a nitrogen atom).

尚、これらの環は、更に、上記一般式(E)において、Arで表される芳香族炭化水素環が有しても良い置換基を有していてもよい。   In addition, these rings may further have a substituent which the aromatic hydrocarbon ring represented by Ar in the general formula (E) may have.

一般式(1)において、Kで表される二価の連結基は、一般式(1)において、Aで表される二価の連結基と同義である。   In the general formula (1), the divalent linking group represented by K has the same meaning as the divalent linking group represented by A in the general formula (1).

一般式(1)において、Zで表される蛍光性化合物の残基、リン光性化合物残基は、各々、一般式(1)において、Zで表される蛍光性化合物残基、リン光性化合物残基と各々同義である。   In the general formula (1), the fluorescent compound residue and phosphorescent compound residue represented by Z are the fluorescent compound residue and phosphorescent group represented by Z in the general formula (1), respectively. It is synonymous with each compound residue.

一般式(1)において、Lで表される二価の連結基は、下記の連結基群1から選択される。   In the general formula (1), the divalent linking group represented by L is selected from the following linking group group 1.

Figure 2008047428
Figure 2008047428

上記連結基群1において、R1〜R4は、各々アルキル基、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表す。 In the linking group group 1, R 1 to R 4 each represents an alkyl group, an aromatic hydrocarbon group, or an aromatic heterocyclic group.

上記連結基群1において、R1〜R4で各々表されるアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等が挙げられる。これらは、更に、上記一般式(A)において、Rで表される置換基を有していてもよい。 In the linking group group 1, examples of the alkyl group represented by R 1 to R 4 include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a tert-butyl group, a pentyl group, a hexyl group, an octyl group, A dodecyl group, a tridecyl group, a tetradecyl group, a pentadecyl group, etc. are mentioned. These may further have a substituent represented by R in the general formula (A).

上記連結基群1において、R1〜R4で表される芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、p−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等が挙げられる。 In the linking group group 1, examples of the aromatic hydrocarbon group represented by R 1 to R 4 include a phenyl group, a p-chlorophenyl group, a mesityl group, a tolyl group, a xylyl group, a naphthyl group, an anthryl group, and an azulenyl group. Group, acenaphthenyl group, fluorenyl group, phenanthryl group, indenyl group, pyrenyl group, biphenylyl group and the like.

これらの基は、更に、上記一般式(A)において、Rで表される置換基を有していてもよい。   These groups may further have a substituent represented by R in the general formula (A).

上記連結基群1において、R1〜R4で表される芳香族複素環基としては、例えば、ピリジル基、ピリミジニル基、フリル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ピラジニル基、トリアゾリル基(例えば、1,2,4−トリアゾール−1−イル基、1,2,3−トリアゾール−1−イル基等)、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、フラザニル基、チエニル基、キノリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基(カルボニル基のカルボリン環を構成する炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す)、キノキサリニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キナゾリニル基、フタラジニル基等が挙げられる。 In the linking group group 1, examples of the aromatic heterocyclic group represented by R 1 to R 4 include a pyridyl group, a pyrimidinyl group, a furyl group, a pyrrolyl group, an imidazolyl group, a benzoimidazolyl group, a pyrazolyl group, a pyrazinyl group, Triazolyl group (for example, 1,2,4-triazol-1-yl group, 1,2,3-triazol-1-yl group, etc.), oxazolyl group, benzoxazolyl group, thiazolyl group, isoxazolyl group, isothiazolyl group , Flazanyl group, thienyl group, quinolyl group, benzofuryl group, dibenzofuryl group, benzothienyl group, dibenzothienyl group, indolyl group, carbazolyl group, carbolinyl group, diazacarbazolyl group (carbon constituting the carboline ring of the carbonyl group) One of the atoms replaced by a nitrogen atom), quinoxalinyl , Pyridazinyl group, triazinyl group, quinazolinyl group, and phthalazinyl group.

これらの基は、更に、上記一般式(E)において、Arで表される芳香族炭化水素環が有しても良い置換基を有していてもよい。   These groups may further have a substituent which the aromatic hydrocarbon ring represented by Ar in the general formula (E) may have.

以下、一般式(1)で表される縮合ポリマーの具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。   Hereinafter, although the specific example of the condensation polymer represented by General formula (1) is shown, this invention is not limited to these.

Figure 2008047428
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Figure 2008047428
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《陽極》
有機EL素子における陽極としては、仕事関数の大きい(4eV以上)金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としては、Au等の金属、CuI、インジウムチンオキシド(ITO)、SnO2、ZnO等の導電性透明材料が挙げられる。また、IDIXO(In23−ZnO)等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。陽極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合は(100μm以上程度)、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。あるいは、有機導電性化合物のように塗布可能な物質を用いる場合には、印刷方式、コーティング方式等湿式製膜法を用いることもできる。この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を10%より大きくすることが望ましく、また陽極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましい。更に膜厚は材料にもよるが、通常は、10nm〜1000nmの範囲であり、好ましくは10nm〜200nmの範囲で選ばれる。
"anode"
As the anode in the organic EL element, an electrode material made of a metal, an alloy, an electrically conductive compound, or a mixture thereof having a high work function (4 eV or more) is preferably used. Specific examples of such electrode substances include metals such as Au, and conductive transparent materials such as CuI, indium tin oxide (ITO), SnO 2 , and ZnO. Alternatively, an amorphous material such as IDIXO (In 2 O 3 —ZnO) capable of forming a transparent conductive film may be used. For the anode, these electrode materials may be formed into a thin film by a method such as vapor deposition or sputtering, and a pattern having a desired shape may be formed by a photolithography method, or when pattern accuracy is not required (about 100 μm or more) A pattern may be formed through a mask having a desired shape at the time of vapor deposition or sputtering of the electrode material. Or when using the substance which can be apply | coated like an organic electroconductivity compound, wet film forming methods, such as a printing system and a coating system, can also be used. When light emission is extracted from the anode, it is desirable that the transmittance be greater than 10%, and the sheet resistance as the anode is preferably several hundred Ω / □ or less. Further, although the film thickness depends on the material, it is usually in the range of 10 nm to 1000 nm, preferably in the range of 10 nm to 200 nm.

《陰極》
一方、陰極としては仕事関数の小さい(4eV以下)金属(電子注入性金属と称する)、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al23)混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al23)混合物、リチウム/アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましく、膜厚は通常10nm〜5μm、好ましくは50nm〜200nmの範囲で選ばれる。尚、発光した光を透過させるため、有機EL素子の陽極または陰極のいずれか一方が透明または半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。
"cathode"
On the other hand, as the cathode, a material having a low work function (4 eV or less) metal (referred to as an electron injecting metal), an alloy, an electrically conductive compound, and a mixture thereof as an electrode material is used. Specific examples of such electrode materials include sodium, sodium-potassium alloy, magnesium, lithium, magnesium / copper mixture, magnesium / silver mixture, magnesium / aluminum mixture, magnesium / indium mixture, aluminum / aluminum oxide (Al 2 O 3 ) Mixtures, indium, lithium / aluminum mixtures, rare earth metals and the like. Among these, from the point of durability against electron injection and oxidation, etc., a mixture of an electron injecting metal and a second metal which is a stable metal having a larger work function than this, for example, a magnesium / silver mixture, Suitable are a magnesium / aluminum mixture, a magnesium / indium mixture, an aluminum / aluminum oxide (Al 2 O 3 ) mixture, a lithium / aluminum mixture, aluminum and the like. The cathode can be produced by forming a thin film of these electrode materials by a method such as vapor deposition or sputtering. The sheet resistance as a cathode is preferably several hundred Ω / □ or less, and the film thickness is usually selected in the range of 10 nm to 5 μm, preferably 50 nm to 200 nm. In order to transmit the emitted light, if either one of the anode or the cathode of the organic EL element is transparent or translucent, the light emission luminance is improved, which is convenient.

また、陰極に上記金属を1nm〜20nmの膜厚で作製した後に、陽極の説明で挙げた導電性透明材料をその上に作製することで、透明または半透明の陰極を作製することができ、これを応用することで陽極と陰極の両方が透過性を有する素子を作製することができる。   Moreover, after producing the said metal by the film thickness of 1 nm-20 nm to a cathode, the transparent or semi-transparent cathode can be produced by producing the electroconductive transparent material quoted by description of the anode on it, By applying this, an element in which both the anode and the cathode are transmissive can be manufactured.

《支持基板》
本発明の有機EL素子に用いることのできる支持基板(以下、基体、基板、基材、支持体等とも言う)としては、ガラス、プラスチック等の種類には特に限定はなく、また透明であっても不透明であってもよい。支持基板側から光を取り出す場合には、支持基板は透明であることが好ましい。好ましく用いられる透明な支持基板としては、ガラス、石英、透明樹脂フィルムを挙げることができる。特に好ましい支持基板は、有機EL素子にフレキシブル性を与えることが可能な樹脂フィルムである。
《Support substrate》
As a support substrate (hereinafter also referred to as a substrate, substrate, substrate, support, etc.) that can be used in the organic EL device of the present invention, there is no particular limitation on the type of glass, plastic, etc., and it is transparent. May be opaque. When extracting light from the support substrate side, the support substrate is preferably transparent. Examples of the transparent support substrate preferably used include glass, quartz, and a transparent resin film. A particularly preferable support substrate is a resin film capable of giving flexibility to the organic EL element.

樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート(CAP)、セルロースアセテートフタレート(TAC)、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類またはそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリルあるいはポリアリレート類、アートン(商品名JSR社製)あるいはアペル(商品名三井化学社製)といったシクロオレフィン系樹脂等を挙げられる。   Examples of the resin film include polyesters such as polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate (PEN), polyethylene, polypropylene, cellophane, cellulose diacetate, cellulose triacetate, cellulose acetate butyrate, cellulose acetate propionate (CAP), Cellulose esters such as cellulose acetate phthalate (TAC) and cellulose nitrate or derivatives thereof, polyvinylidene chloride, polyvinyl alcohol, polyethylene vinyl alcohol, syndiotactic polystyrene, polycarbonate, norbornene resin, polymethylpentene, polyether ketone, polyimide , Polyethersulfone (PES), polyphenylene sulfide, polysulfones Cycloolefin resins such as polyetherimide, polyetherketoneimide, polyamide, fluororesin, nylon, polymethylmethacrylate, acrylic or polyarylate, Arton (trade name, manufactured by JSR) or Appel (trade name, manufactured by Mitsui Chemicals) Can be mentioned.

樹脂フィルムの表面には、無機物、有機物の被膜またはその両者のハイブリッド被膜が形成されていてもよく、JIS K 7129−1992に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度(25±0.5℃、相対湿度(90±2)%RH)が0.01g/(m2・24h)以下のバリア性フィルムであることが好ましく、更には、JIS K 7126−1987に準拠した方法で測定された酸素透過度が、10-3ml/(m2・24hr・MPa)以下、水蒸気透過度が、10-5g/(m2・24h)以下の高バリア性フィルムであることが好ましい。 On the surface of the resin film, an inorganic film, an organic film, or a hybrid film of both may be formed. Water vapor permeability (25 ± 0.5 ° C.) measured by a method according to JIS K 7129-1992. , Relative humidity (90 ± 2)% RH) is preferably 0.01 g / (m 2 · 24 h) or less, and further, oxygen measured by a method according to JIS K 7126-1987. A high barrier film having a permeability of 10 −3 ml / (m 2 · 24 hr · MPa) or less and a water vapor permeability of 10 −5 g / (m 2 · 24 h) or less is preferable.

バリア膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。更に該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。   As a material for forming the barrier film, any material may be used as long as it has a function of suppressing entry of elements that cause deterioration of elements such as moisture and oxygen. For example, silicon oxide, silicon dioxide, silicon nitride, or the like can be used. Further, in order to improve the brittleness of the film, it is more preferable to have a laminated structure of these inorganic layers and organic material layers. Although there is no restriction | limiting in particular about the lamination | stacking order of an inorganic layer and an organic layer, It is preferable to laminate | stack both alternately several times.

バリア膜の形成方法については特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスタ−イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、コーティング法等を用いることができるが、特開2004−68143号公報に記載されているような大気圧プラズマ重合法によるものが特に好ましい。   The method for forming the barrier film is not particularly limited. For example, the vacuum deposition method, sputtering method, reactive sputtering method, molecular beam epitaxy method, cluster ion beam method, ion plating method, plasma polymerization method, atmospheric pressure plasma weight A combination method, a plasma CVD method, a laser CVD method, a thermal CVD method, a coating method, and the like can be used, but an atmospheric pressure plasma polymerization method as described in JP-A-2004-68143 is particularly preferable.

不透明な支持基板としては、例えば、アルミ、ステンレス等の金属板、フィルムや不透明樹脂基板、セラミック製の基板等が挙げられる。   Examples of the opaque support substrate include metal plates such as aluminum and stainless steel, films, opaque resin substrates, and ceramic substrates.

本発明の有機EL素子の発光の室温における外部取り出し効率は、1%以上であることが好ましく、より好ましくは5%以上である。ここに、外部取り出し量子効率(%)=有機EL素子外部に発光した光子数/有機EL素子に流した電子数×100である。   The external extraction efficiency at room temperature of light emission of the organic EL device of the present invention is preferably 1% or more, more preferably 5% or more. Here, the external extraction quantum efficiency (%) = the number of photons emitted to the outside of the organic EL element / the number of electrons sent to the organic EL element × 100.

また、カラーフィルター等の色相改良フィルター等を併用しても、有機EL素子からの発光色を蛍光体を用いて多色へ変換する色変換フィルターを併用してもよい。色変換フィルターを用いる場合においては、有機EL素子の発光のλmaxは480nm以下が好ましい。   In addition, a hue improvement filter such as a color filter may be used in combination, or a color conversion filter that converts the emission color from the organic EL element into multiple colors using a phosphor. In the case of using a color conversion filter, the λmax of light emission of the organic EL element is preferably 480 nm or less.

《封止》
本発明に用いられる封止手段としては、例えば、封止部材と電極、支持基板とを接着剤で接着する方法を挙げることができる。
<Sealing>
As a sealing means used for this invention, the method of adhere | attaching a sealing member, an electrode, and a support substrate with an adhesive agent can be mentioned, for example.

封止部材としては、有機EL素子の表示領域を覆うように配置されておればよく、凹板状でも平板状でもよい。また透明性、電気絶縁性は特に問わない。   As a sealing member, it should just be arrange | positioned so that the display area | region of an organic EL element may be covered, and concave plate shape or flat plate shape may be sufficient. Further, transparency and electrical insulation are not particularly limited.

具体的には、ガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等が挙げられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を挙げることができる。また、ポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を挙げることができる。金属板としては、ステンレス、鉄、銅、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、クロム、チタン、モリブテン、シリコン、ゲルマニウム及びタンタルからなる群から選ばれる一種以上の金属または合金からなるものが挙げられる。   Specific examples include a glass plate, a polymer plate / film, and a metal plate / film. Examples of the glass plate include soda-lime glass, barium / strontium-containing glass, lead glass, aluminosilicate glass, borosilicate glass, barium borosilicate glass, and quartz. Examples of the polymer plate include polycarbonate, acrylic, polyethylene terephthalate, polyether sulfide, and polysulfone. Examples of the metal plate include those made of one or more metals or alloys selected from the group consisting of stainless steel, iron, copper, aluminum, magnesium, nickel, zinc, chromium, titanium, molybdenum, silicon, germanium, and tantalum.

本発明においては、素子を薄膜化できるということからポリマーフィルム、金属フィルムを好ましく使用することができる。更には、ポリマーフィルムは、JIS K 7126−1987に準拠した方法で測定された酸素透過度が1×10-3ml/(m2・24hr・MPa)以下、JIS K 7129−1992に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度(25±0.5℃、相対湿度(90±2)%RH)が、1×10-3g/(m2・24h)以下以下のものであることが好ましい。 In the present invention, a polymer film and a metal film can be preferably used because the element can be thinned. Furthermore, the polymer film has an oxygen permeability measured by a method according to JIS K 7126-1987 of 1 × 10 −3 ml / (m 2 · 24 hr · MPa) or less, and a method according to JIS K 7129-1992. It is preferable that the water vapor permeability (25 ± 0.5 ° C., relative humidity (90 ± 2)% RH) measured in (1) is 1 × 10 −3 g / (m 2 · 24 h) or less. .

封止部材を凹状に加工するのは、サンドブラスト加工、化学エッチング加工等が使われる。   For processing the sealing member into a concave shape, sandblasting, chemical etching, or the like is used.

接着剤として具体的には、アクリル酸系オリゴマー、メタクリル酸系オリゴマーの反応性ビニル基を有する光硬化及び熱硬化型接着剤、2−シアノアクリル酸エステル等の湿気硬化型等の接着剤を挙げることができる。また、エポキシ系等の熱及び化学硬化型(二液混合)を挙げることができる。また、ホットメルト型のポリアミド、ポリエステル、ポリオレフィンを挙げることができる。また、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤を挙げることができる。   Specific examples of the adhesive include photocuring and thermosetting adhesives having reactive vinyl groups such as acrylic acid oligomers and methacrylic acid oligomers, and moisture curing adhesives such as 2-cyanoacrylates. be able to. Moreover, heat | fever and chemical curing types (two-component mixing), such as an epoxy type, can be mentioned. Moreover, hot-melt type polyamide, polyester, and polyolefin can be mentioned. Moreover, a cationic curing type ultraviolet curing epoxy resin adhesive can be mentioned.

なお、有機EL素子が熱処理により劣化する場合があるので、室温から80℃までに接着硬化できるものが好ましい。また、前記接着剤中に乾燥剤を分散させておいてもよい。封止部分への接着剤の塗布は市販のディスペンサーを使ってもよいし、スクリーン印刷のように印刷してもよい。   In addition, since an organic EL element may deteriorate by heat processing, what can be adhesive-hardened from room temperature to 80 degreeC is preferable. A desiccant may be dispersed in the adhesive. Application | coating of the adhesive agent to a sealing part may use commercially available dispenser, and may print like screen printing.

また、有機層を挟み支持基板と対向する側の電極の外側に該電極と有機層を被覆し、支持基板と接する形で無機物、有機物の層を形成し封止膜とすることも好適にできる。この場合、該膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。更に該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることが好ましい。これらの膜の形成方法については、特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスタ−イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、コーティング法等を用いることができる。   In addition, it is also preferable that the electrode and the organic layer are coated on the outside of the electrode facing the support substrate with the organic layer interposed therebetween, and an inorganic or organic layer is formed in contact with the support substrate to form a sealing film. . In this case, the material for forming the film may be any material that has a function of suppressing intrusion of elements that cause deterioration of elements such as moisture and oxygen. For example, silicon oxide, silicon dioxide, silicon nitride, or the like may be used. it can. Further, in order to improve the brittleness of the film, it is preferable to have a laminated structure of these inorganic layers and layers made of organic materials. The method for forming these films is not particularly limited. For example, vacuum deposition, sputtering, reactive sputtering, molecular beam epitaxy, cluster-ion beam method, ion plating method, plasma polymerization method, atmospheric pressure plasma A polymerization method, a plasma CVD method, a laser CVD method, a thermal CVD method, a coating method, or the like can be used.

封止部材と有機EL素子の表示領域との間隙には、気相及び液相では、窒素、アルゴン等の不活性気体やフッ化炭化水素、シリコンオイルのような不活性液体を注入することが好ましい。また真空とすることも可能である。また、内部に吸湿性化合物を封入することもできる。   In the gap between the sealing member and the display area of the organic EL element, an inert gas such as nitrogen or argon, or an inert liquid such as fluorinated hydrocarbon or silicon oil can be injected in the gas phase and liquid phase. preferable. A vacuum is also possible. Moreover, a hygroscopic compound can also be enclosed inside.

吸湿性化合物としては、例えば、金属酸化物(例えば、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム等)、硫酸塩(例えば、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、硫酸コバルト等)、金属ハロゲン化物(例えば、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、フッ化セシウム、フッ化タンタル、臭化セリウム、臭化マグネシウム、沃化バリウム、沃化マグネシウム等)、過塩素酸類(例えば、過塩素酸バリウム、過塩素酸マグネシウム等)等が挙げられ、硫酸塩、金属ハロゲン化物及び過塩素酸類においては無水塩が好適に用いられる。   Examples of the hygroscopic compound include metal oxides (for example, sodium oxide, potassium oxide, calcium oxide, barium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide) and sulfates (for example, sodium sulfate, calcium sulfate, magnesium sulfate, cobalt sulfate). Etc.), metal halides (eg calcium chloride, magnesium chloride, cesium fluoride, tantalum fluoride, cerium bromide, magnesium bromide, barium iodide, magnesium iodide etc.), perchloric acids (eg perchloric acid) Barium, magnesium perchlorate, and the like), and anhydrous salts are preferably used in sulfates, metal halides, and perchloric acids.

《保護膜、保護板》
有機層を挟み支持基板と対向する側の前記封止膜、あるいは前記封止用フィルムの外側に、素子の機械的強度を高めるために保護膜、あるいは保護板を設けてもよい。特に封止が前記封止膜により行われている場合には、その機械的強度は必ずしも高くないため、このような保護膜、保護板を設けることが好ましい。これに使用することができる材料としては、前記封止に用いたのと同様なガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等を用いることができるが、軽量且つ薄膜化ということからポリマーフィルムを用いることが好ましい。
《Protective film, protective plate》
In order to increase the mechanical strength of the element, a protective film or a protective plate may be provided on the outer side of the sealing film on the side facing the support substrate with the organic layer interposed therebetween or on the sealing film. In particular, when the sealing is performed by the sealing film, the mechanical strength is not necessarily high, and thus it is preferable to provide such a protective film and a protective plate. As a material that can be used for this, the same glass plate, polymer plate / film, metal plate / film, and the like used for the sealing can be used, but the polymer film is light and thin. Is preferably used.

《光取り出し》
有機EL素子は空気よりも屈折率の高い(屈折率が1.7〜2.1程度)層の内部で発光し、発光層で発生した光のうち15%から20%程度の光しか取り出せないことが一般的に言われている。これは、臨界角以上の角度θで界面(透明基板と空気との界面)に入射する光は、全反射を起こし素子外部に取り出すことができないことや、透明電極ないし発光層と透明基板との間で光が全反射を起こし、光が透明電極ないし発光層を導波し、結果として光が素子側面方向に逃げるためである。
《Light extraction》
The organic EL element emits light inside a layer having a refractive index higher than that of air (refractive index is about 1.7 to 2.1) and can extract only about 15% to 20% of the light generated in the light emitting layer. It is generally said. This is because light incident on the interface (interface between the transparent substrate and air) at an angle θ greater than the critical angle causes total reflection and cannot be taken out of the device, or between the transparent electrode or light emitting layer and the transparent substrate. This is because the light is totally reflected between the light and the light is guided through the transparent electrode or the light emitting layer, and as a result, the light escapes in the direction of the element side surface.

この光の取り出しの効率を向上させる手法としては、例えば、透明基板表面に凹凸を形成し、透明基板と空気界面での全反射を防ぐ方法(米国特許第4,774,435号明細書)、基板に集光性を持たせることにより効率を向上させる方法(特開昭63−314795号公報)、素子の側面等に反射面を形成する方法(特開平1−220394号公報)、基板と発光体の間に中間の屈折率を持つ平坦層を導入し、反射防止膜を形成する方法(特開昭62−172691号公報)、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法(特開2001−202827号公報)、基板、透明電極層や発光層のいずれかの層間(含む、基板と外界間)に回折格子を形成する方法(特開平11−283751号公報)等がある。   As a method of improving the light extraction efficiency, for example, a method of forming irregularities on the surface of the transparent substrate and preventing total reflection at the transparent substrate and the air interface (US Pat. No. 4,774,435), A method of improving efficiency by providing a light collecting property to a substrate (Japanese Patent Laid-Open No. 63-314795), a method of forming a reflective surface on a side surface of an element (Japanese Patent Laid-Open No. 1-220394), and light emission from a substrate A method of forming an antireflection film by introducing a flat layer having an intermediate refractive index between the bodies (Japanese Patent Laid-Open No. 62-172691), a flat having a lower refractive index between the substrate and the light emitter than the substrate A method of introducing a layer (Japanese Patent Laid-Open No. 2001-202827), a method of forming a diffraction grating between any one of a substrate, a transparent electrode layer and a light emitting layer (including between the substrate and the outside) (Japanese Patent Laid-Open No. 11-283951) Gazette).

本発明においては、これらの方法を本発明の有機EL素子と組み合わせて用いることができるが、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法、あるいは基板、透明電極層や発光層のいずれかの層間(含む、基板と外界間)に回折格子を形成する方法を好適に用いることができる。   In the present invention, these methods can be used in combination with the organic EL device of the present invention. However, a method of introducing a flat layer having a lower refractive index than the substrate between the substrate and the light emitter, or a substrate, transparent A method of forming a diffraction grating between any layers of the electrode layer and the light emitting layer (including between the substrate and the outside) can be suitably used.

本発明はこれらの手段を組み合わせることにより、更に高輝度あるいは耐久性に優れた素子を得ることができる。   In the present invention, by combining these means, it is possible to obtain an element having higher luminance or durability.

透明電極と透明基板の間に低屈折率の媒質を光の波長よりも長い厚みで形成すると、透明電極から出てきた光は、媒質の屈折率が低いほど外部への取り出し効率が高くなる。   When a medium having a low refractive index is formed between the transparent electrode and the transparent substrate with a thickness longer than the wavelength of light, the light extracted from the transparent electrode has a higher extraction efficiency to the outside as the refractive index of the medium is lower.

低屈折率層としては、例えば、エアロゲル、多孔質シリカ、フッ化マグネシウム、フッ素系ポリマー等が挙げられる。透明基板の屈折率は一般に1.5〜1.7程度であるので、低屈折率層は屈折率がおよそ1.5以下であることが好ましい。また、更に1.35以下であることが好ましい。   Examples of the low refractive index layer include aerogel, porous silica, magnesium fluoride, and a fluorine-based polymer. Since the refractive index of the transparent substrate is generally about 1.5 to 1.7, the low refractive index layer preferably has a refractive index of about 1.5 or less. Further, it is preferably 1.35 or less.

また、低屈折率媒質の厚みは媒質中の波長の2倍以上となるのが望ましい。これは低屈折率媒質の厚みが、光の波長程度になってエバネッセントで染み出した電磁波が基板内に入り込む膜厚になると、低屈折率層の効果が薄れるからである。   The thickness of the low refractive index medium is preferably at least twice the wavelength in the medium. This is because the effect of the low refractive index layer is diminished when the thickness of the low refractive index medium is about the wavelength of light and the electromagnetic wave that has exuded by evanescent enters the substrate.

全反射を起こす界面もしくはいずれかの媒質中に回折格子を導入する方法は、光取り出し効率の向上効果が高いという特徴がある。この方法は回折格子が1次の回折や2次の回折といった所謂ブラッグ回折により、光の向きを屈折とは異なる特定の向きに変えることができる性質を利用して、発光層から発生した光のうち層間での全反射等により外に出ることができない光を、いずれかの層間もしくは、媒質中(透明基板内や透明電極内)に回折格子を導入することで光を回折させ、光を外に取り出そうとするものである。   The method of introducing a diffraction grating into an interface or any medium that causes total reflection is characterized by a high effect of improving light extraction efficiency. This method uses the property that the diffraction grating can change the direction of light to a specific direction different from refraction by so-called Bragg diffraction such as first-order diffraction and second-order diffraction. Light that cannot be emitted due to total internal reflection between layers is diffracted by introducing a diffraction grating in any layer or medium (in a transparent substrate or transparent electrode), and the light is removed. I want to take it out.

導入する回折格子は、二次元的な周期屈折率を持っていることが望ましい。これは発光層で発光する光はあらゆる方向にランダムに発生するので、ある方向にのみ周期的な屈折率分布を持っている一般的な1次元回折格子では、特定の方向に進む光しか回折されず、光の取り出し効率がさほど上がらない。しかしながら、屈折率分布を二次元的な分布にすることにより、あらゆる方向に進む光が回折され、光の取り出し効率が上がる。   The introduced diffraction grating desirably has a two-dimensional periodic refractive index. This is because light emitted from the light-emitting layer is randomly generated in all directions, so in a general one-dimensional diffraction grating having a periodic refractive index distribution only in a certain direction, only light traveling in a specific direction is diffracted. Therefore, the light extraction efficiency does not increase so much. However, by making the refractive index distribution a two-dimensional distribution, light traveling in all directions is diffracted, and light extraction efficiency is increased.

回折格子を導入する位置としては前述の通り、いずれかの層間もしくは媒質中(透明基板内や透明電極内)でもよいが、光が発生する場所である有機発光層の近傍が望ましい。   As described above, the position where the diffraction grating is introduced may be in any of the layers or in the medium (in the transparent substrate or in the transparent electrode), but is preferably in the vicinity of the organic light emitting layer where light is generated.

このとき、回折格子の周期は媒質中の光の波長の約1/2〜3倍程度が好ましい。   At this time, the period of the diffraction grating is preferably about 1/2 to 3 times the wavelength of light in the medium.

回折格子の配列は正方形のラチス状、三角形のラチス状、ハニカムラチス状等、2次元的に配列が繰り返されることが好ましい。   The arrangement of the diffraction grating is preferably two-dimensionally repeated, such as a square lattice, a triangular lattice, or a honeycomb lattice.

《集光シート》
本発明の有機EL素子は基板の光取り出し側に、例えば、マイクロレンズアレイ状の構造を設けるように加工したり、あるいは所謂集光シートと組み合わせることにより、特定方向、例えば、素子発光面に対し正面方向に集光することにより、特定方向上の輝度を高めることができる。
<Condenser sheet>
The organic EL device of the present invention is processed on the light extraction side of the substrate so as to provide, for example, a microlens array structure, or combined with a so-called condensing sheet, for example, with respect to a specific direction, for example, the device light emitting surface. By condensing in the front direction, the luminance in a specific direction can be increased.

マイクロレンズアレイの例としては、基板の光取り出し側に一辺が30μmでその頂角が90度となるような四角錐を2次元に配列する。一辺は10μm〜100μmが好ましい。これより小さくなると回折の効果が発生して色付く、大きすぎると厚みが厚くなり好ましくない。   As an example of the microlens array, quadrangular pyramids having a side of 30 μm and an apex angle of 90 degrees are two-dimensionally arranged on the light extraction side of the substrate. One side is preferably 10 μm to 100 μm. If it becomes smaller than this, the effect of diffraction will generate | occur | produce and color, and if too large, thickness will become thick and is not preferable.

集光シートとしては、例えば、液晶表示装置のLEDバックライトで実用化されているものを用いることが可能である。このようなシートとして、例えば、住友スリーエム社製輝度上昇フィルム(BEF)等を用いることができる。プリズムシートの形状としては、例えば、基材に頂角90度、ピッチ50μmの△状のストライプが形成されたものであってもよいし、頂角が丸みを帯びた形状、ピッチをランダムに変化させた形状、その他の形状であってもよい。   As the condensing sheet, for example, a sheet that is put into practical use in an LED backlight of a liquid crystal display device can be used. As such a sheet, for example, a brightness enhancement film (BEF) manufactured by Sumitomo 3M Limited can be used. As the shape of the prism sheet, for example, the base material may be formed by forming a △ -shaped stripe having a vertex angle of 90 degrees and a pitch of 50 μm, or the vertex angle is rounded and the pitch is changed randomly. Other shapes may be used.

また、発光素子からの光放射角を制御するために、光拡散板・フィルムを集光シートと併用してもよい。例えば、(株)きもと製拡散フィルム(ライトアップ)等を用いることができる。   Moreover, in order to control the light emission angle from a light emitting element, you may use together a light diffusing plate and a film with a condensing sheet. For example, a diffusion film (light-up) manufactured by Kimoto Co., Ltd. can be used.

《有機EL素子の用途》
本発明の有機EL素子は、表示デバイス、ディスプレイ、各種発光光源として用いることができる。発光光源として、例えば、照明装置(家庭用照明、車内照明)、時計や液晶用バックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるがこれに限定するものではないが、特に液晶表示装置のバックライト、照明用光源としての用途に有効に用いることができる。
<< Applications of organic EL elements >>
The organic EL element of the present invention can be used as a display device, a display, and various light emission sources. For example, lighting devices (home lighting, interior lighting), clock and liquid crystal backlights, billboard advertisements, traffic lights, light sources of optical storage media, light sources of electrophotographic copying machines, light sources of optical communication processors, light Although the light source of a sensor etc. are mentioned, It is not limited to this, Especially, it can use effectively for the use as a backlight of a liquid crystal display device, and a light source for illumination.

本発明の有機EL素子においては、必要に応じ製膜時にメタルマスクやインクジェットプリンティング法等でパターニングを施してもよい。パターニングする場合は、電極のみをパターニングしてもよいし、電極と発光層をパターニングしてもよいし、素子全層をパターニングしてもよく、素子の作製においては、従来公知の方法を用いることができる。   In the organic EL device of the present invention, patterning may be performed by a metal mask, an ink jet printing method, or the like at the time of film formation, if necessary. In the case of patterning, only the electrode may be patterned, the electrode and the light emitting layer may be patterned, or the entire layer of the element may be patterned. In the fabrication of the element, a conventionally known method is used. Can do.

本発明の有機EL素子や本発明に係る化合物の発光する色は、「新編色彩科学ハンドブック」(日本色彩学会編、東京大学出版会、1985)の108頁の図4.16において、分光放射輝度計CS−1000(コニカミノルタセンシング社製)で測定した結果をCIE色度座標に当てはめたときの色で決定される。   The light emission color of the organic EL device of the present invention and the compound according to the present invention is shown in FIG. 4.16 on page 108 of “New Color Science Handbook” (edited by the Japan Color Society, University of Tokyo Press, 1985). It is determined by the color when the result measured with the total CS-1000 (manufactured by Konica Minolta Sensing) is applied to the CIE chromaticity coordinates.

また、本発明の有機EL素子が白色素子の場合には、白色とは、2度視野角正面輝度を上記方法により測定した際に、1000Cd/m2でのCIE1931表色系における色度がX=0.33±0.07、Y=0.33±0.1の領域内にあることを言う。 Further, when the organic EL element of the present invention is a white element, white means that the chromaticity in the CIE1931 color system at 1000 Cd / m 2 is X when the 2-degree viewing angle front luminance is measured by the above method. = 0.33 ± 0.07 and Y = 0.33 ± 0.1.

以下、実施例により本発明を説明するが、本発明はこれらに限定されない。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention, this invention is not limited to these.

また、以下に実施例で使用する化合物の構造を示す。   The structures of the compounds used in the examples are shown below.

Figure 2008047428
Figure 2008047428

実施例1
《有機エレクトロルミネッセンス素子1−1(1)の作製》:蒸着+貼合
以下のように、陽極側基板1−1−A、陰極側基板1−1−Bを各々作製し、次いで、該陽極側基板1−1−Aと該陰極側基板1−1−Bとを貼合することにより、有機エレクトロルミネッセンス素子1−1(1)を作製した。
Example 1
<< Preparation of Organic Electroluminescence Element 1-1 (1) >>: Vapor Deposition + Lamination As shown below, anode-side substrate 1-1-A and cathode-side substrate 1-1-B were respectively prepared, and then the anode The organic electroluminescent element 1-1 (1) was produced by bonding the side substrate 1-1-A and the cathode side substrate 1-1-B.

《陽極側基板1−1−Aの作製》
陽極として100mm×100mm×1.1mmのガラス基板上に、ITO(インジウムチンオキシド)を100nm成膜した基板(NHテクノグラス社製、NA45)にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行なった。
<< Preparation of Anode Side Substrate 1-1-A >>
This ITO transparent electrode was provided after patterning a substrate (NH Techno Glass, NA45) in which ITO (indium tin oxide) was deposited to a thickness of 100 nm on a glass substrate of 100 mm × 100 mm × 1.1 mm as an anode. The transparent support substrate was ultrasonically cleaned with isopropyl alcohol, dried with dry nitrogen gas, and subjected to UV ozone cleaning for 5 minutes.

この透明支持基板上に、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)−ポリスチレンスルホネート(PEDOT/PSS、Bayer社製、Baytron P Al 4083)を純水で70%に希釈した溶液を3000rpm、30秒でスピンコート法により成膜した後、200℃にて1時間乾燥し、膜厚30nmの第一正孔輸送層を設けた。   On this transparent support substrate, a solution obtained by diluting poly (3,4-ethylenedioxythiophene) -polystyrene sulfonate (PEDOT / PSS, Bayer, Baytron P Al 4083) to 70% with pure water at 3000 rpm for 30 seconds. Then, the film was formed by spin coating and then dried at 200 ° C. for 1 hour to provide a first hole transport layer having a thickness of 30 nm.

この第一正孔輸送層を設けた透明支持基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、一方、モリブデン製抵抗加熱ボートに第二正孔輸送層の形成材料として、4,4′−ビス〔N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ〕ビフェニル(OC−2:α−NPD)を200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにホスト化合物として4,4−ジ(n−カルバゾール)ビフェニル(OC−6)を200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにトリス(2−フェニルピリジン)イリジウム(PD−1)を50mg入れ、真空蒸着装置に取付けた。   The transparent support substrate provided with the first hole transport layer is fixed to a substrate holder of a commercially available vacuum deposition apparatus. On the other hand, as a material for forming the second hole transport layer on a resistance heating boat made of molybdenum, 4, 4′- 200 mg of bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (OC-2: α-NPD) is added, and 4,4-di (n-carbazole) is used as a host compound in another molybdenum resistance heating boat. 200 mg of biphenyl (OC-6) was put, 50 mg of tris (2-phenylpyridine) iridium (PD-1) was put in another resistance heating boat made of molybdenum, and attached to a vacuum deposition apparatus.

次いで、真空槽を4×10-4Paまで減圧した後、OC−2の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒で、第一正孔輸送層上に蒸着して、膜厚30nmの第二正孔輸送層を設けた。 Next, after reducing the pressure of the vacuum chamber to 4 × 10 −4 Pa, the heating boat containing OC-2 was heated by heating, and deposited on the first hole transport layer at a deposition rate of 0.1 nm / second. Thus, a second hole transport layer having a thickness of 30 nm was provided.

更に、OC−6とPD−1の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、それぞれ蒸着速度0.2nm/秒、0.012nm/秒で前記正孔輸送層上に共蒸着して膜厚25nmの発光層を設け、陽極側基板1−1−Aを作製した。なお、蒸着時の基板温度は室温であった。   Further, the heating boat containing OC-6 and PD-1 was energized and heated, and co-deposited on the hole transport layer at a deposition rate of 0.2 nm / second and 0.012 nm / second, respectively. A 25 nm light emitting layer was provided, and an anode side substrate 1-1-A was produced. In addition, the substrate temperature at the time of vapor deposition was room temperature.

《陰極側基板1−1−Bの作製》
100mm×100mm×1.1mmのガラス基板上をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行なった。これを市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定した。モリブデン製抵抗加熱ボートに電子輸送層の形成材料として、ビス(2−メチル−8−キノリノラート)−(p−フェニルフェノラート)アルミニウム(OC−28)を200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにホスト化合物としてOC−6を200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにPD−1を50mg入れ、真空蒸着装置に取付け、真空槽を4×10-4Paまで減圧した。
<< Preparation of Cathode Side Substrate 1-1-B >>
A 100 mm × 100 mm × 1.1 mm glass substrate was ultrasonically cleaned with isopropyl alcohol, dried with dry nitrogen gas, and subjected to UV ozone cleaning for 5 minutes. This was fixed to a substrate holder of a commercially available vacuum deposition apparatus. 200 mg of bis (2-methyl-8-quinolinolato)-(p-phenylphenolate) aluminum (OC-28) as a material for forming an electron transport layer is placed in a resistance heating boat made of molybdenum. As a host compound, 200 mg of OC-6 was put, 50 mg of PD-1 was put in another resistance heating boat made of molybdenum, attached to a vacuum deposition apparatus, and the vacuum chamber was depressurized to 4 × 10 −4 Pa.

基板上に、アルミニウム110nm、次いでフッ化リチウム0.5nmを蒸着して陰極を形成した後、OC−28の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒で蒸着して、膜厚50nmの電子輸送層を設けた。   After depositing 110 nm of aluminum and then 0.5 nm of lithium fluoride on the substrate to form a cathode, the heating boat containing OC-28 was energized and heated, and deposited at a deposition rate of 0.1 nm / second. Thus, an electron transport layer having a thickness of 50 nm was provided.

更に、OC−6とPD−1の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、各々蒸着速度0.2nm/秒、0.012nm/秒で前記電子輸送層上に共蒸着して膜厚25nmの発光層を設け、陰極側基板1−1−Bを作製した。なお、蒸着時の基板温度は室温であった。   Further, the heating boat containing OC-6 and PD-1 was energized and heated, and co-deposited on the electron transport layer at a deposition rate of 0.2 nm / second and 0.012 nm / second, respectively, to a film thickness of 25 nm. The cathode layer substrate 1-1-B was prepared. In addition, the substrate temperature at the time of vapor deposition was room temperature.

《貼合による有機EL素子1−1(1)の作製》
得られた、陽極側基板1−1−Aと陰極側基板1−1−Bとを大気に接触させることなく窒素雰囲気下のグローブボックス(純度99.999%以上の高純度窒素ガスの雰囲気下)で、1−1−Aと1−1−Bを重ね合わせ1×10-2Paの減圧環境下で押圧力0.1MPaで圧着し、密着、固定し、有機EL素子1−1を作製した。
<< Production of Organic EL Element 1-1 (1) by Bonding >>
The obtained glove box in a nitrogen atmosphere without contacting the anode-side substrate 1-1-A and the cathode-side substrate 1-1-B with the atmosphere (under an atmosphere of high purity nitrogen gas having a purity of 99.999% or more) ) 1-1-A and 1-1-B are superposed and pressure-bonded under a pressure of 0.1 MPa in a reduced pressure environment of 1 × 10 −2 Pa, and adhered and fixed to produce an organic EL element 1-1. did.

《有機EL素子1−1(2)〜(5)の作製》
有機EL素子1−1(1)の作製において、作製のバッチが異なる以外は全て同様にんして、有機EL素子1−1(2)〜1−1(5)を各々作製した。
<< Production of Organic EL Elements 1-1 (2) to (5) >>
Organic EL elements 1-1 (2) to 1-1 (5) were respectively manufactured in the same manner except that production batches were different in the production of the organic EL element 1-1 (1).

《有機EL素子1−2〜1−14の作製》
有機EL素子1−1の作製において、陽極側基板1−1−Aと、陰極側基板1−1−Bの各々の発光層の膜厚を表1に記載の膜厚に変更した以外は全く同様にして素子1−2〜1−14を作製した。
<< Production of Organic EL Elements 1-2 to 1-14 >>
In the production of the organic EL element 1-1, except that the film thickness of each light emitting layer of the anode side substrate 1-1-A and the cathode side substrate 1-1-B was changed to the film thickness shown in Table 1. Elements 1-2 to 1-14 were fabricated in the same manner.

尚、表1において、有機EL素子1−2(1)〜1−2(5)、1−5(1)及び1−5(2)、1−6(1)、1−6(2)、1−7(1)、1−7(2)の各々バッチの異なる試料を表している。   In Table 1, organic EL elements 1-2 (1) to 1-2 (5), 1-5 (1) and 1-5 (2), 1-6 (1), 1-6 (2) , 1-7 (1), 1-7 (2) represent different samples of each batch.

《有機EL素子1−1〜1−14の評価》
得られた有機EL素子1−1〜1−14の各々について、下記に記載の方法により、色ムラ、駆動電圧(単に電圧ともいう)を測定、評価した。
<< Evaluation of Organic EL Elements 1-1 to 1-14 >>
For each of the obtained organic EL elements 1-1 to 1-14, color unevenness and driving voltage (also simply referred to as voltage) were measured and evaluated by the methods described below.

また、得られた有機EL素子1−1〜1−14を評価するに際しては、作製後の各有機EL素子の非発光面をガラスケースで覆い、厚み300μmのガラス基板を封止用基板として用いて、周囲にシール材として、エポキシ系光硬化型接着剤(東亞合成社製ラックストラックLC0629B)を適用し、これを上記陰極上に重ねて前記透明支持基板と密着させ、ガラス基板側からUV光を照射して、硬化させて、封止して、図3、図4に示すような照明装置を形成して評価した。   Moreover, when evaluating the obtained organic EL elements 1-1 to 1-14, the non-light-emitting surface of each organic EL element after production was covered with a glass case, and a glass substrate having a thickness of 300 μm was used as a sealing substrate. Then, an epoxy-based photo-curing adhesive (Lux Track LC0629B manufactured by Toagosei Co., Ltd.) is applied as a sealant around the periphery, and this is placed on the cathode so as to be in close contact with the transparent support substrate. , Cured and sealed to form an illumination device as shown in FIGS. 3 and 4 for evaluation.

図3は、照明装置の概略図を示し、有機EL素子101は、ガラスカバー102で覆われている。尚、ガラスカバーでの封止作業は、有機EL素子101を大気に接触させることなく窒素雰囲気下のグローブボックス(純度99.999%以上の高純度窒素ガスの雰囲気下で行った)。図4は、照明装置の断面図を示し、図4において、105は陰極、106は有機EL層、107は透明電極付きガラス基板を示す。尚、ガラスカバー102内には窒素ガス108が充填され、捕水剤109が設けられている。   FIG. 3 is a schematic view of the lighting device, and the organic EL element 101 is covered with a glass cover 102. The sealing operation with the glass cover was a glove box in a nitrogen atmosphere without bringing the organic EL element 101 into contact with the atmosphere (performed in an atmosphere of high-purity nitrogen gas having a purity of 99.999% or more). 4 shows a cross-sectional view of the lighting device. In FIG. 4, reference numeral 105 denotes a cathode, 106 denotes an organic EL layer, and 107 denotes a glass substrate with a transparent electrode. The glass cover 102 is filled with nitrogen gas 108 and a water catching agent 109 is provided.

《駆動電圧の測定》
温度23℃、乾燥窒素ガス雰囲気下で発光開始の電圧を測定した。なお、発光開始の電圧は、輝度50cd/m2以上となったときの電圧値を測定した。輝度の測定には分光放射輝度計CS−1000(コニカミノルタセンシング社製)を用いた。
<Measurement of drive voltage>
The voltage at the start of light emission was measured at a temperature of 23 ° C. and in a dry nitrogen gas atmosphere. Note that the voltage at the start of light emission was measured when the luminance was 50 cd / m 2 or more. A spectral radiance meter CS-1000 (manufactured by Konica Minolta Sensing) was used for the measurement of luminance.

《非発光点および色ムラの測定》
作製した有機EL素子について、23℃、乾燥窒素ガス雰囲気下で、輝度300cd/m2以上となったときの発光面の非発光点、および色ムラを目視によって測定した。
<Measurement of non-light emission point and color unevenness>
About the produced organic EL element, the non-light-emission point and color nonuniformity of the light emission surface when the brightness | luminance was set to 300 cd / m < 2 > or more were measured by visual observation in 23 degreeC and dry nitrogen gas atmosphere.

得られた結果を表1に示す。   The obtained results are shown in Table 1.

また、評価については、下記のようのランク評価を行った。   Moreover, about the evaluation, the following rank evaluation was performed.

○:非発光点及び色ムラが観察されなかった、
×:非発光点及び色ムラが観察された、
また、駆動電圧は、有機EL素子1−1の値を100とした時の相対値で表した。
○: No non-light emitting point and color unevenness were observed,
X: Non-light emitting point and color unevenness were observed,
The drive voltage is expressed as a relative value when the value of the organic EL element 1-1 is 100.

Figure 2008047428
Figure 2008047428

表1から、本発明の有機EL素子が、非発光点、色むらのどちらの項目についても良好な特性を示していることがわかる。また、発光層の膜厚が、40nm以下となると非発光点や発光ムラが生じること、更に発光層の膜厚が100nm超になると、発光開始電圧が高くなり有機EL素子として十分な性能を発揮できないことが明らかである。   From Table 1, it can be seen that the organic EL element of the present invention exhibits good characteristics for both the non-light emitting point and the color unevenness. Further, when the thickness of the light emitting layer is 40 nm or less, non-light emitting points and light emission unevenness occur, and when the thickness of the light emitting layer exceeds 100 nm, the light emission starting voltage is increased and sufficient performance as an organic EL element is exhibited. Obviously you can't.

実施例2
《有機EL素子2−1の作製》:塗布+貼合により作製
以下のように、陽極側基板2−1−A、陰極側基板2−1−Bを各々作製し、次いで、該陽極側基板2−1−Aと該陰極側基板2−1−Bとを貼合することにより、有機エレクトロルミネッセンス素子2−1を作製した。
Example 2
<< Preparation of the organic EL element 2-1 >>: Preparation by coating and bonding As shown below, the anode side substrate 2-1-A and the cathode side substrate 2-1-B were respectively prepared, and then the anode side substrate. The organic electroluminescent element 2-1 was produced by bonding 2-1-A and this cathode side board | substrate 2-1-B.

《陽極側基板2−1−Aの作製》
陽極として100mm×100mm×1.1mmのガラス基板上に、ITO(インジウムチンオキシド)を100nm成膜した基板(NHテクノグラス社製 NA45)にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行なった。
<< Fabrication of anode side substrate 2-1-A >>
A transparent substrate provided with this ITO transparent electrode after patterning a substrate (NH45 manufactured by NH Techno Glass Co., Ltd.) on which a 100 nm ITO (indium tin oxide) film is formed on a glass substrate of 100 mm × 100 mm × 1.1 mm as an anode The support substrate was ultrasonically cleaned with isopropyl alcohol, dried with dry nitrogen gas, and UV ozone cleaned for 5 minutes.

この透明支持基板上にポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)−ポリスチレンスルホネート(PEDOT/PSS、Bayer社製、Baytron P Al 4083)を純水で70%に希釈した溶液を3000rpm、30秒でスピンコート法により成膜した後、200℃にて1時間乾燥し、膜厚30nmの第一正孔輸送層を設けた。   A solution obtained by diluting poly (3,4-ethylenedioxythiophene) -polystyrene sulfonate (PEDOT / PSS, Bayer, Baytron P Al 4083) to 70% with pure water on this transparent support substrate at 3000 rpm for 30 seconds. After film formation by a spin coating method, the film was dried at 200 ° C. for 1 hour to provide a first hole transport layer having a thickness of 30 nm.

第一正孔輸送層上に、30mgのMO−10をトルエン3mlに溶解した溶液を、1000rpm、30秒の条件下、スピンコート法により成膜し、窒素下、150℃にて1時間加熱し、MO−10分子内の反応性基を重合させることにより不溶化処理を行った。   A solution obtained by dissolving 30 mg of MO-10 in 3 ml of toluene was formed on the first hole transport layer by spin coating at 1000 rpm for 30 seconds, and heated at 150 ° C. for 1 hour under nitrogen. The insolubilization treatment was carried out by polymerizing reactive groups in the MO-10 molecule.

結果、加熱処理によりMO−10の重合膜から成る膜厚30nmの第二正孔輸送層を設けた。更に、第二正孔輸送層上に、30mgのOC−6と1.5mgのPD−1をトルエン3mlに溶解した溶液を、1500rpm、30秒の条件下、スピンコート法により成膜し、150℃にて1時間乾燥し、膜厚25nmの発光層を設け、陽極側基板2−1−Aを作製した。   As a result, a 30-nm-thick second hole transport layer made of a polymer film of MO-10 was provided by heat treatment. Further, a solution obtained by dissolving 30 mg of OC-6 and 1.5 mg of PD-1 in 3 ml of toluene was formed on the second hole transporting layer by spin coating under conditions of 1500 rpm and 30 seconds. The substrate was dried at 0 ° C. for 1 hour, a light emitting layer having a thickness of 25 nm was provided, and an anode side substrate 2-1-A was produced.

《陰極側基板2−1−Bの作製》
100mm×100mm×1.1mmのガラス基板上をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行なった。これを市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定した。真空蒸着装置に取付け、真空槽を4×10-4Paまで減圧した。基板上に、アルミニウム−マグネシウム合金110nmを蒸着して陰極を形成した。
<< Production of Cathode Side Substrate 2-1-B >>
A 100 mm × 100 mm × 1.1 mm glass substrate was ultrasonically cleaned with isopropyl alcohol, dried with dry nitrogen gas, and subjected to UV ozone cleaning for 5 minutes. This was fixed to a substrate holder of a commercially available vacuum deposition apparatus. The vacuum chamber was attached to a vacuum deposition apparatus, and the vacuum chamber was depressurized to 4 × 10 −4 Pa. An aluminum-magnesium alloy 110 nm was vapor-deposited on the substrate to form a cathode.

別途、過酸化ベンゾイルを開始剤としたMO−52のラジカル重合により調製した、MO−52ポリマー(数平均分子量71,000)30mgをジクロロベンゼン3mlに溶解した溶液を、上記の陰極上に、1000rpm、30秒の条件下、スピンコート法により成膜し、150℃にて1時間乾燥し、膜厚50nmの電子輸送層を設けた。   Separately, a solution prepared by radical polymerization of MO-52 using benzoyl peroxide as an initiator and dissolving 30 mg of MO-52 polymer (number average molecular weight 71,000) in 3 ml of dichlorobenzene was placed on the cathode at 1000 rpm. The film was formed by spin coating under conditions of 30 seconds and dried at 150 ° C. for 1 hour to provide an electron transport layer having a thickness of 50 nm.

更に、電子輸送層上に、30mgのOC−6と1.5mgのPD−1をトルエン3mlに溶解した溶液を、1500rpm、30秒の条件下、スピンコート法により成膜を行い、150℃にて1時間乾燥し、膜厚25nmの発光層を設け、陰極側基板2−1−Bを作製した。なお、蒸着時の基板温度は室温であった。   Further, a solution obtained by dissolving 30 mg of OC-6 and 1.5 mg of PD-1 in 3 ml of toluene was formed on the electron transport layer by spin coating at 1500 rpm for 30 seconds, and the temperature was increased to 150 ° C. The substrate was dried for 1 hour, a light emitting layer having a thickness of 25 nm was provided, and a cathode side substrate 2-1-B was manufactured. In addition, the substrate temperature at the time of vapor deposition was room temperature.

《貼合による有機EL素子2−1の作製》
実施例1の有機EL素子1−1の作製時と同様に、陽極側基板1−1−Aと陰極側基板1−1−Bとを貼合して、有機EL素子2−1を作製した。
<< Production of Organic EL Element 2-1 by Bonding >>
Similarly to the production of the organic EL element 1-1 of Example 1, the anode side substrate 1-1-A and the cathode side substrate 1-1-B were bonded to produce an organic EL element 2-1. .

《有機EL素子2−2の作製》:比較例(順次蒸着積層により作製)
陽極として100mm×100mm×1.1mmのガラス基板上に、ITO(インジウムチンオキシド)を100nm成膜した基板(NHテクノグラス社製 NA45)にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行なった。
<< Production of Organic EL Element 2-2 >>: Comparative Example (Production by Sequential Deposition Lamination)
A transparent substrate provided with this ITO transparent electrode after patterning a substrate (NH45 manufactured by NH Techno Glass Co., Ltd.) on which a 100 nm ITO (indium tin oxide) film is formed on a glass substrate of 100 mm × 100 mm × 1.1 mm as an anode The support substrate was ultrasonically cleaned with isopropyl alcohol, dried with dry nitrogen gas, and UV ozone cleaned for 5 minutes.

この透明支持基板上にポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)−ポリスチレンスルホネート(PEDOT/PSS、Bayer社製、Baytron P Al 4083)を純水で70%に希釈した溶液を3000rpm、30秒でスピンコート法により成膜した後、200℃にて1時間乾燥し、膜厚30nmの第一正孔輸送層を設けた。   A solution obtained by diluting poly (3,4-ethylenedioxythiophene) -polystyrene sulfonate (PEDOT / PSS, Bayer, Baytron P Al 4083) to 70% with pure water on this transparent support substrate at 3000 rpm for 30 seconds. After film formation by a spin coating method, the film was dried at 200 ° C. for 1 hour to provide a first hole transport layer having a thickness of 30 nm.

この第一正孔輸送層を設けた透明支持基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、一方、モリブデン製抵抗加熱ボートに第二正孔輸送層の形成材料として、OC−1を200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにホスト化合物としてOC−6を200mg、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにPD−1を50mg、OC−18を200mgを入れ、真空蒸着装置に取付けた。   The transparent support substrate provided with the first hole transport layer is fixed to a substrate holder of a commercially available vacuum vapor deposition apparatus. On the other hand, 200 mg of OC-1 is used as a material for forming a second hole transport layer in a resistance heating boat made of molybdenum. In another molybdenum resistance heating boat, 200 mg of OC-6 as a host compound, 50 mg of PD-1 and 200 mg of OC-18 were put in another molybdenum resistance heating boat and attached to a vacuum deposition apparatus.

次いで、真空槽を4×10-4Paまで減圧した後、OC−1の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒で、第一正孔輸送層上に蒸着して、膜厚30nmの第二正孔輸送層を設けた。 Next, after reducing the pressure of the vacuum chamber to 4 × 10 −4 Pa, the heating boat containing OC-1 was energized and heated, and deposited on the first hole transport layer at a deposition rate of 0.1 nm / second. Thus, a second hole transport layer having a thickness of 30 nm was provided.

更に、OC−6とPD−1の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、それぞれ蒸着速度0.2nm/秒、0.012nm/秒で、第二正孔輸送層上に共蒸着して膜厚50nmの発光層を設け、次いで、OC−18の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒で、発光層上に蒸着して、膜厚50nmの電子輸送層を設けた。最後にフッ化リチウム0.5nm、次いで、アルミニウム110nmを蒸着して陰極を形成し、有機EL素子2−2を作製した。   Further, the heating boat containing OC-6 and PD-1 was energized and heated, and co-deposited on the second hole transport layer at a deposition rate of 0.2 nm / second and 0.012 nm / second, respectively. A light emitting layer having a thickness of 50 nm is provided, and then the heating boat containing OC-18 is energized and heated, and vapor deposition is performed on the light emitting layer at a deposition rate of 0.1 nm / sec. A layer was provided. Finally, 0.5 nm of lithium fluoride and then 110 nm of aluminum were vapor-deposited to form a cathode, and an organic EL element 2-2 was produced.

《有機EL素子1−1(1)2、2−1、2−2の評価》
得られた有機EL素子1−1(1)、及び、2−1、2−2各々について、下記に記載の方法により、外部取りだし量子効率、発光寿命、駆動電圧(単に電圧ともいう)非発光点および色ムラを測定、評価した。駆動電圧、非発光点および色ムラの測定は実施例1と全く同様にして行った。
<< Evaluation of Organic EL Element 1-1 (1) 2, 2-1, 2-2 >>
For each of the obtained organic EL devices 1-1 (1), 2-1, and 2-2, the external extraction quantum efficiency, the light emission lifetime, and the driving voltage (also simply referred to as voltage) are not emitted by the methods described below. Spots and color unevenness were measured and evaluated. The measurement of driving voltage, non-light emitting point, and color unevenness was performed in the same manner as in Example 1.

尚、外部取りだし量子効率、発光寿命、駆動電圧は有機EL素子1−1(1)を100とした時の相対値で表した。   The external extraction quantum efficiency, light emission lifetime, and driving voltage are expressed as relative values when the organic EL element 1-1 (1) is 100.

《外部取りだし量子効率の測定》
作製した有機EL素子について、23℃、乾燥窒素ガス雰囲気下で2.5mA/cm2定電流を印加した時の外部取り出し量子効率(%)を測定した。尚、測定には分光放射輝度計CS−1000(コニカミノルタセンシング社製)を用いた。
<Measurement of external extraction quantum efficiency>
About the produced organic EL element, the external extraction quantum efficiency (%) when a 2.5 mA / cm 2 constant current was applied in a dry nitrogen gas atmosphere at 23 ° C. was measured. For the measurement, a spectral radiance meter CS-1000 (manufactured by Konica Minolta Sensing) was used.

《発光寿命の測定》
温度23℃、乾燥窒素ガス雰囲気下で2.5mA/cm2の一定電流で駆動したときに、輝度が発光開始直後の輝度(初期輝度)の半分に低下するのに要した時間を測定し、これを半減寿命時間(τ0.5)として寿命の指標とした。尚、測定には同様に、分光放射輝度計CS−1000(コニカミノルタセンシング社製)を用いた。
<Measurement of luminous lifetime>
When driving at a constant current of 2.5 mA / cm 2 at a temperature of 23 ° C. and a dry nitrogen gas atmosphere, the time required for the luminance to drop to half of the luminance immediately after the start of light emission (initial luminance) was measured, This was used as a lifetime index as a half-life time (τ 0.5). For the measurement, a spectral radiance meter CS-1000 (manufactured by Konica Minolta Sensing) was used in the same manner.

有機EL素子1−1(本発明)、2−2(本発明)及び2−3(比較例)の外部取り出し量子効率、発光寿命、駆動電圧、非発光点および色ムラの測定結果を、表2に示す。なお、各測定値は、有機EL素子1−5を100とした時の相対値で表した。   Measurement results of the external extraction quantum efficiency, light emission lifetime, drive voltage, non-light emission point, and color unevenness of the organic EL elements 1-1 (present invention), 2-2 (present invention), and 2-3 (comparative example) It is shown in 2. In addition, each measured value was represented with the relative value when the organic EL element 1-5 is set to 100.

Figure 2008047428
Figure 2008047428

表2から、外部取り出し量子効率、発光寿命、駆動電圧、非発光点および色ムラ等の有機EL素子の基本的性能は、これまでの蒸着積層プロセスを用いた場合と同等の性能を示している。特に、これまで蒸着系に比較して性能が劣ると言われている塗布法を用いた場合も、ほぼ同等の性能を示した。本発明の製造方法を用いることで、有機EL素子としての諸性能を低下させること無く、革新的な有機EL素子製造プロセスを提供できることがわかった。   From Table 2, the basic performance of the organic EL element such as external extraction quantum efficiency, light emission lifetime, drive voltage, non-light emission point, and color unevenness shows the same performance as when using the conventional vapor deposition lamination process. . In particular, even when a coating method that has been said to be inferior to the vapor deposition system so far was used, almost the same performance was exhibited. It has been found that by using the manufacturing method of the present invention, an innovative organic EL element manufacturing process can be provided without degrading various performances as an organic EL element.

実施例3
《フルカラー表示装置の作製》
(青色発光有機EL素子)
実施例2の有機EL素子2−1の作製において、PD−1をPD−12に変更した以外は同様にして、青色発光有機EL素子2−1B(青)を作製した。
Example 3
<Production of full-color display device>
(Blue light emitting organic EL device)
In the production of the organic EL element 2-1 of Example 2, a blue light-emitting organic EL element 2-1B (blue) was produced in the same manner except that PD-1 was changed to PD-12.

(緑色発光有機EL素子)
緑色発光有機EL素子として、実施例2で作製した有機EL素子2−1を用いた。
(Green light-emitting organic EL device)
The organic EL element 2-1 produced in Example 2 was used as the green light-emitting organic EL element.

(赤色発光有機EL素子)
実施例2の有機EL素子2−1において、PD−1をPD−6に変更した以外は同様にして、赤色発光有機EL素子2−1R(赤)を作製した。
(Red light emitting organic EL device)
A red light-emitting organic EL element 2-1R (red) was produced in the same manner as in the organic EL element 2-1 of Example 2, except that PD-1 was changed to PD-6.

上記の赤色、緑色及び青色発光有機EL素子を、同一基板上に並置し、図1に記載の形態を有するアクティブマトリクス方式フルカラー表示装置を作製し、図2には、作製した前記表示装置の表示部Aの模式図のみを示した。即ち、同一基板上に、複数の走査線5及びデータ線6を含む配線部と、並置した複数の画素3(発光の色が赤領域の画素、緑領域の画素、青領域の画素等)とを有し、配線部の走査線5及び複数のデータ線6はそれぞれ導電材料からなり、走査線5とデータ線6は格子状に直交して、直交する位置で画素3に接続している(詳細は図示せず)。前記複数の画素3は、それぞれの発光色に対応した有機EL素子、アクティブ素子であるスイッチングトランジスタと駆動トランジスタそれぞれが設けられたアクティブマトリクス方式で駆動されており、走査線5から走査信号が印加されると、データ線6から画像データ信号を受け取り、受け取った画像データに応じて発光する。この様に各赤、緑、青の画素を適宜、並置することによって、フルカラー表示装置を作製した。   The red, green and blue light-emitting organic EL elements are juxtaposed on the same substrate to produce an active matrix type full-color display device having the form shown in FIG. 1, and FIG. 2 shows the display of the produced display device. Only the schematic diagram of part A is shown. That is, a wiring portion including a plurality of scanning lines 5 and data lines 6 on the same substrate, and a plurality of juxtaposed pixels 3 (light emission color is a red region pixel, a green region pixel, a blue region pixel, etc.) The scanning lines 5 and the plurality of data lines 6 in the wiring portion are each made of a conductive material, and the scanning lines 5 and the data lines 6 are orthogonal to each other in a lattice shape and are connected to the pixels 3 at the orthogonal positions ( Details are not shown). The plurality of pixels 3 are driven by an active matrix system provided with an organic EL element corresponding to each emission color, a switching transistor as an active element, and a driving transistor, and a scanning signal is applied from a scanning line 5. Then, an image data signal is received from the data line 6 and light is emitted according to the received image data. In this way, a full color display device was produced by appropriately juxtaposing the red, green, and blue pixels.

前記フルカラー表示装置を駆動することにより、発光効率が高い発光寿命の長いフルカラー動画表示が得られることを確認することができた。   It was confirmed that by driving the full-color display device, a full-color moving image display having a high light emission efficiency and a long light emission lifetime was obtained.

実施例4
《白色の照明装置の作製》
(a)実施例3の有機EL素子2−1において、陽極側基板2−1−A及び陰極側基板2−1−Bに用いたPD−1をPD−1、PD−6、PD−12に変更した以外は同様にして、白色発光有機EL素子2−1W(白色)を作製した。
Example 4
<Production of white lighting device>
(A) In the organic EL element 2-1 of Example 3, PD-1 used for the anode side substrate 2-1-A and the cathode side substrate 2-1-B is PD-1, PD-6, PD-12. A white light-emitting organic EL device 2-1W (white) was produced in the same manner except that it was changed to.

(b)実施例3の有機EL素子2−1において、陽極側基板2−1−Aに用いたPD−1をPD−13とし、更に陰極側基板2−1−Bの作製に用いたPD−1をPD−10に変更した以外は同様にして、白色発光有機EL素子3−1W(白色)を作製した。   (B) In the organic EL element 2-1 of Example 3, PD-1 used for the anode side substrate 2-1-A was PD-13, and PD used for the production of the cathode side substrate 2-1-B was further used. A white light-emitting organic EL device 3-1W (white) was produced in the same manner except that -1 was changed to PD-10.

得られた有機EL素子2−1W、3−1Wを評価するに際しては、実施例1と同様に、非発光面をガラスケースで覆い、照明装置とした。照明装置は、発光効率が高く発光寿命の長い白色光を発する薄型の照明装置として使用することができた。   When evaluating the obtained organic EL elements 2-1W and 3-1W, the non-light emitting surface was covered with a glass case in the same manner as in Example 1 to obtain a lighting device. The illuminating device could be used as a thin illuminating device that emits white light with high luminous efficiency and long emission life.

有機EL素子から構成される表示装置の一例を示した模式図である。It is the schematic diagram which showed an example of the display apparatus comprised from an organic EL element. 表示部の模式図である。It is a schematic diagram of a display part. 照明装置の概略図である。It is the schematic of an illuminating device. 照明装置の断面図である。It is sectional drawing of an illuminating device.

符号の説明Explanation of symbols

1 ディスプレイ
3 画素
5 走査線
6 データ線
7 電源ライン
10 有機EL素子
11 スイッチングトランジスタ
12 駆動トランジスタ
13 コンデンサ
A 表示部
B 制御部
107 透明電極付きガラス基板
106 有機EL層
105 陰極
102 ガラスカバー
108 窒素ガス
109 捕水剤
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Display 3 Pixel 5 Scan line 6 Data line 7 Power supply line 10 Organic EL element 11 Switching transistor 12 Drive transistor 13 Capacitor A Display part B Control part 107 Glass substrate with a transparent electrode 106 Organic EL layer 105 Cathode 102 Glass cover 108 Nitrogen gas 109 Water catcher

Claims (9)

支持基板上に少なくとも陽極、陰極を有し、該陽極と該陰極間に少なくとも一層の発光層を含む有機層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、
該発光層の総膜厚T(EM)(nm)が下記関係式(1)を満たし、前記発光層の少なくとも一層がリン光発光材料を有し、且つ、該有機層の少なくとも1層が、層Aと層Bとの貼合により形成する工程を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
関係式(1)
40nm<T(EM)≦100nm
In a method for producing an organic electroluminescence device having at least an anode and a cathode on a support substrate, and having an organic layer including at least one light emitting layer between the anode and the cathode,
The total film thickness T (EM) (nm) of the light emitting layer satisfies the following relational expression (1), at least one of the light emitting layers has a phosphorescent material, and at least one of the organic layers is: The manufacturing method of the organic electroluminescent element characterized by having the process formed by bonding of the layer A and the layer B.
Relational expression (1)
40 nm <T (EM) ≦ 100 nm
前記有機層が三層以上であることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 The method for producing an organic electroluminescent element according to claim 1, wherein the organic layer has three or more layers. 前記層A、前記層Bが、各々主成分として同一構造の化合物を含有していることを特徴とする請求項1または2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 The method for producing an organic electroluminescent element according to claim 1, wherein the layer A and the layer B each contain a compound having the same structure as a main component. 前記層Aまたは前記層Bのいずれかがリン光発光材料を含むことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 Either of the said layer A or the said layer B contains a phosphorescence-emitting material, The manufacturing method of the organic electroluminescent element of any one of Claims 1-3 characterized by the above-mentioned. 前記層A及び前記層Bが各々リン光発光材料を含むことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 The said layer A and the said layer B each contain a phosphorescence-emitting material, The manufacturing method of the organic electroluminescent element of any one of Claims 1-3 characterized by the above-mentioned. 前記リン光発光材料が、イリジウム錯体または白金錯体であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 The method for producing an organic electroluminescent element according to any one of claims 1 to 5, wherein the phosphorescent material is an iridium complex or a platinum complex. 請求項1〜6のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法により作製されたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 An organic electroluminescence element produced by the method for producing an organic electroluminescence element according to claim 1. 請求項7に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を具備することを特徴とする照明装置。 An illuminating device comprising the organic electroluminescence element according to claim 7. 請求項7に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を具備することを特徴とするディスプレイ装置。 A display device comprising the organic electroluminescence element according to claim 7.
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