JP2008205985A - Led display device and projection display device - Google Patents
Led display device and projection display device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008205985A JP2008205985A JP2007041644A JP2007041644A JP2008205985A JP 2008205985 A JP2008205985 A JP 2008205985A JP 2007041644 A JP2007041644 A JP 2007041644A JP 2007041644 A JP2007041644 A JP 2007041644A JP 2008205985 A JP2008205985 A JP 2008205985A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- led
- display device
- substrate
- light
- led display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 76
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 58
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 20
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims abstract description 17
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims abstract description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 35
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 19
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 7
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 12
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N aluminum gallium Chemical compound [Al].[Ga] RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 aluminum arsenic (arsenic) Chemical compound 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Transforming Electric Information Into Light Information (AREA)
- Projection Apparatus (AREA)
Abstract
Description
本発明は、LED表示装置及び投射表示装置に関するものである。 The present invention relates to an LED display device and a projection display device.
従来、投射表示装置においては、液晶パネルやデジタルマイクロミラーデバイスのような光変調素子が使用されている。そして、光源装置と、該光源装置から出射された光を画像信号に基づき変調する光変調素子と、変調された光を投射する投射レンズとを有する投射表示装置が提案されている(例えば、特許文献1参照。)。 Conventionally, light modulation elements such as liquid crystal panels and digital micromirror devices have been used in projection display devices. A projection display device has been proposed that includes a light source device, a light modulation element that modulates light emitted from the light source device based on an image signal, and a projection lens that projects the modulated light (for example, a patent). Reference 1).
前記投射表示装置は、撮像装置としての機能と投射装置としての機能を備え、可動ミラーによって2つの機能の切り換えを行う。また、光源装置としては、赤、緑及び青の各原色成分を含む高出力LED(Light Emitting Diode)光源を使用し、該光源から出射された光を光学変調素子としてのマイクロディスプレイに照射し、該マイクロディスプレイからの反射光を撮像カメラの光学系を使用して投射するようになっている。
しかしながら、前記従来の投射表示装置においては、光源装置と光変調素子とがそれぞれ個別に配設されているので、携帯性が悪化し、コストも高くなってしまう。もっとも、複数のLEDチップを面上に配置し、光源装置と光変調素子とを一体化した2次元自発光デバイスを採用することも考えられる。しかし、この場合、LEDチップを機械的に2次元的にダイボンドし、金線等を使用して電気的な接続を取る必要があるので、高密度に集積することができず、表示装置として大型となってしまう。また、コストも非常に高くなってしまう。 However, in the conventional projection display device, since the light source device and the light modulation element are individually provided, the portability is deteriorated and the cost is increased. However, it is also conceivable to employ a two-dimensional self-luminous device in which a plurality of LED chips are arranged on the surface and the light source device and the light modulation element are integrated. In this case, however, the LED chip must be mechanically two-dimensionally die-bonded and electrically connected using a gold wire or the like, so that it cannot be integrated at a high density and is large as a display device. End up. In addition, the cost becomes very high.
本発明は前記従来の投射表示装置の問題点を解決して、光源と光変調素子とを一体化したLED表示装置と、該LED表示装置を備える小型で低コストな投射表示装置、及び、投射機能と撮像カメラ機能とを一体にした小型で低コストな投射表示装置を提供することを目的とする。 The present invention solves the problems of the conventional projection display device, an LED display device in which a light source and a light modulation element are integrated, a small and low-cost projection display device including the LED display device, and a projection It is an object of the present invention to provide a small and low-cost projection display device in which a function and an imaging camera function are integrated.
そのために、本発明のLED表示装置においては、第1の基板と、エピタキシャル成長法によって無機材料がpn接合デバイスとして積層形成され、前記第1の基板の表面に分子間力によって行列方向に等間隔となるように固着された複数のLED積層薄膜と、該LED積層薄膜に形成されたアノード電極及びカソード電極と、前記LED積層薄膜を駆動して発光させるアノードドライバIC及びカソードドライバICと、前記第1の基板の表面に形成され、前記アノードドライバICと各LED積層薄膜のアノード電極とを接続するアノード配線、及び、前記カソードドライバICと各LED積層薄膜のカソード電極とを接続するカソード配線と、前記第1の基板のLED積層薄膜が形成された表面に対向するように配設された透光性を備える第2の基板と、該第2の基板の前記第1の基板と対向する表面の前記LED積層薄膜と対向する位置に形成された蛍光体とを有する。 Therefore, in the LED display device of the present invention, an inorganic material is laminated as a pn junction device by an epitaxial growth method with the first substrate, and the surface of the first substrate is evenly spaced in the matrix direction by intermolecular force. A plurality of LED laminated thin films fixed in such a manner, an anode electrode and a cathode electrode formed on the LED laminated thin film, an anode driver IC and a cathode driver IC for driving the LED laminated thin film to emit light, and the first An anode wiring connecting the anode driver IC and the anode electrode of each LED multilayer thin film, a cathode wiring connecting the cathode driver IC and the cathode electrode of each LED multilayer thin film, Translucent disposed to face the surface of the first substrate on which the LED thin film is formed That has a second substrate, and a phosphor formed in said LED thin-film layered structure and a position opposed to said first substrate opposite to the surface of the second substrate.
本発明によれば、LED表示装置においては、光源と光変調素子とが一体化されている。そのため、小型化することができ、また、コストを低くすることができる。 According to the present invention, in the LED display device, the light source and the light modulation element are integrated. Therefore, the size can be reduced and the cost can be reduced.
以下本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
図1は本発明の第1の実施の形態におけるLED表示装置の側断面図、図2は本発明の第1の実施の形態における2次元LED素子の斜視図、図3は本発明の第1の実施の形態における蛍光体シートの斜視図である。 FIG. 1 is a sectional side view of an LED display device according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a perspective view of a two-dimensional LED element according to the first embodiment of the present invention, and FIG. It is a perspective view of the phosphor sheet in the embodiment.
図において、100は本実施の形態におけるLED表示装置であり、2次元LED素子110と、該2次元LED素子110に対向して配設された蛍光体シート120とを有する。
In the figure,
そして、前記2次元LED素子110は、第1の基板としての平板状の基板10と、該基板10上に固着されたLED積層薄膜としての複数のLED11とを有する。該LED11は、すべて、近紫外又は紫外発光するものである。なお、該LED11の数は、任意に設定することができ、通常は多数であるが、ここでは、図示の都合上、36であるものとして説明する。また、LED11の配列の仕方も任意に設定することができるが、ここでは、格子状に配列されたアレイとなっているものとして説明する。すなわち、図に示される例において、基板10上のLEDアレイは、6列6行の正方格子状に等間隔に配列されたLED11から構成されている。
The two-
また、前記基板10上には、各LED11を駆動するためのアノードドライバIC12及びカソードドライバIC13が配設されている。そして、アノードドライバIC12には、各LED11のアノード電極16に接続されるアノード配線14−1〜14−6の一端が接続され、カソードドライバIC13には、各LED11のカソード電極17に接続されるカソード配線15−1〜15−6の一端が接続されている。ここで、前記アノード配線14−1〜14−6は、それぞれ、LEDアレイにおける列方向に延在して第1列〜第6列のLED11のアノード電極16に接続され、前記カソード配線15−1〜15−6は、それぞれ、LEDアレイにおける行方向に延在して第1行〜第6行のLED11のカソード電極17に接続されている。なお、アノード配線14−1〜14−6及びカソード配線15−1〜15−6を統合的に説明する場合には、アノード配線14及びカソード配線15として説明する。
An anode driver IC 12 and a cathode driver IC 13 for driving each
ここで、前記基板10は、好ましくは、シリコン基板若しくは石英基板、又は、ガラス基板若しくはセラミック基板である。そして、基板10の表面は、ポリイミド膜等の有機絶縁膜又は無機絶縁膜が形成され、表面精度が数十ナノメートル以下となるように平坦(たん)化されている。そして、LEDアレイ11は、後述する工程によって別の基板から剥(はく)離され、前記基板10上に水素結合等の分子間力によって固着され、一体化されている。
Here, the
また、前記LED11は、近紫外又は紫外発光する薄膜LEDであって、窒化ガリウム若しくは窒化インジュウムガリウム、又は、窒化アルミガリウム若しくは窒化アルミ等の無機材料をエピタキシャル成長させて形成した、ヘテロ構造又はダブルヘテロ構造を備える積層薄膜である。なお、前記LED11の材質は、近紫外又は紫外光の帯域、好ましくは、波長300〜450ナノメートルに発光域を有するものであれば、いかなる種類のものであってもよく、前記材質に限定されるものではない。
The
さらに、アノード電極16及びカソード電極17は、金若しくはアルミニウム、又は、金若しくはアルミニウムとニッケル、チタン等の金属材料とを薄膜積層して形成された金属電極であり、各LED11のアノード及びカソードにそれぞれ接続されている。
Further, the
そして、アノード配線14及びカソード配線15は、金若しくはアルミニウム、又は、金若しくはアルミニウムとニッケル、チタン等の金属材料とを薄膜積層して形成された金属配線であり、各LED11のアノード電極16及びカソード電極17にそれぞれ接続されている。なお、アノード配線14は一端がアノードドライバIC12に接続され、カソード配線15は一端がカソードドライバIC13に接続されているので、これにより、各LED11のアノード電極16及びカソード電極17は、アノード配線14及びカソード配線15を介して、アノードドライバIC12及びカソードドライバIC13に接続される。
The anode wiring 14 and the cathode wiring 15 are metal wiring formed by thin film stacking of gold or aluminum, or a metal material such as gold or aluminum and nickel, titanium, and the like. Each is connected to the
また、蛍光体シート120は、第2の基板としての平板状の透明基板20と、該透明基板20上に形成された複数の蛍光体21R、21G、21Bとを有する。ここで、蛍光体21Rは、近紫外又は紫外線を照射することによって赤色光を発光する蛍光体であり、蛍光体21Gは、近紫外又は紫外線を照射することによって緑色光を発光する蛍光体であり、蛍光体21Bは、近紫外又は紫外線を照射することによって青色光を発光する蛍光体である。なお、蛍光体21R、21G、21Bを統合的に説明する場合には、蛍光体21として説明する。
The
そして、該蛍光体21の数は、任意に設定することができ、通常は多数であるが、ここでは、図示の都合上、LED11と同様に、36である場合について説明する。また、蛍光体21の配列の仕方も任意に設定することができるが、ここでは、各々が各LED11に対向するように、格子状に配列されたアレイとなっているものとして説明する。すなわち、図に示される例において、透明基板20上の蛍光体アレイは、6列6行の正方格子状に等間隔に配列された蛍光体21から構成されている。なお、各蛍光体21の形状は、長方形、菱(ひし)形等、いかなる形状であってもよいが、図に示される例においては、正方形となっている。
The number of the phosphors 21 can be arbitrarily set and is usually a large number, but here, for convenience of illustration, a case where the number is 21 as in the
また、図に示される例においては、蛍光体21R、21G、21Bが各々列を成すように配列され、蛍光体アレイの色配置がストライプ状となっているが、蛍光体アレイの色配置は、いかなる配置であってもよい。
Further, in the example shown in the figure, the
なお、隣接する蛍光体21同士の隙(すき)間には、コントラスト比を向上させるためのブラックマスク22が形成されている。また、前記透明基板20は、例えば、透明なプラスチックから成るものであるが、蛍光体21が発生する光を透過するものであれば、いかなる材質から成るものであってもよい。
A
そして、赤色に発光する蛍光体21Rは、Y2 O3 :Eu又は(Y、Gd)BO3 :Euを塗布形成したものであるが、波長300〜450ナノメートルの近紫外又は紫外光を照射することによって波長620〜710ナノメートルの帯域の光を発光するものであれば、いかなる種類のものであってもよく、前記材質に限定されるものではない。
The
また、緑色に発光する蛍光体21Gは、LaPO4 :Ce、Tb又はZn2 SiO:Mnを塗布形成したものであるが、波長300〜450ナノメートルの近紫外又は紫外光を照射することによって波長500〜580ナノメートルの帯域の光を発光するものであれば、いかなる種類のものであってもよく、前記材質に限定されるものではない。
The
さらに、青色に発光する蛍光体21Bは、(Sr、Ca、Ba、Mg)5 (PO4 )3 Cl:Eu又はBaMgAl10O17:Euを塗布形成したものであるが、波長300〜450ナノメートルの近紫外又は紫外光を照射することによって波長450〜500ナノメートルの帯域の光を発光するものであれば、いかなる種類のものであってもよく、前記材質に限定されるものではない。
Furthermore, the
そして、前記2次元LED素子110と蛍光体シート120とを、図1に示されるように、対向して配設することによって、LED表示装置100を得ることができる。この場合、基板10のLED11を形成した面と、透明基板20の蛍光体21を形成した面とを対向させる。そして、基板10上のLED11の各々と、透明基板20上の蛍光体21の各々とが対外に対向するように、基板10と透明基板20とを位置合わせして固定する。
And the
これにより、各LED11が、矢印19で示されるように、波長300〜450ナノメートルの近紫外又は紫外光を発光すると、前記LED11に対応する蛍光体21R、21G、21Bの各々は、矢印29R、29G、29Bで示されるように、赤、緑、青の光を発光する。
Thus, when each
前記アノードドライバIC12は、表示データ信号に応じて各LED11に電流を供給する機能を有し、例えば、シフトレジスタ回路、ラッチ回路、定電流回路、増幅回路等の回路が集積されている。そして、LED11のアノード電極16に接続されたアノード配線14は、アノードドライバIC12の各駆動素子に接続されている。図に示される例においては、アノードドライバIC12が基板10上に実装されているが、アノードドライバIC12は、必ずしも基板10上に実装される必要はなく、図示されない他の配線基板等の上に配設されていてもよい。
The
また、前記カソードドライバIC13は、各LED11を走査する機能を有し、セレクト回路等の回路が集積されている。そして、LED11のカソード電極17に接続されたカソード配線15がカソードドライバIC13の各駆動素子に接続されている。図に示される例においては、カソードドライバIC13が基板10上に実装されているが、カソードドライバIC13は、必ずしも基板10上に実装される必要はなく、図示されない他の配線基板等の上に配設されていてもよい。
The
次に基板10上のLED11を形成する工程について説明する。
Next, a process for forming the
図4は本発明の第1の実施の形態におけるLEDの積層薄膜を剥離する工程を示す図、図5は本発明の第1の実施の形態における基板にLEDの積層薄膜を一体化する工程を示す図である。 FIG. 4 is a diagram showing a process of peeling the laminated thin film of the LED in the first embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a process of integrating the laminated thin film of the LED on the substrate in the first embodiment of the present invention. FIG.
図において、31はLED積層薄膜であり、細長い帯状又は短冊状の形状を備え、後述されるように、基板10上に一体的に付着された後、複数に分割されてLED11となる。そして、前記LED積層薄膜31は、近紫外又は紫外発光する薄膜であり、窒化ガリウム若しくは窒化インジュウムガリウム、又は、窒化アルミガリウム若しくは窒化アルミ等の複数層から成り、ヘテロ構造又はダブルヘテロ構造を備える積層薄膜である。
In the figure,
また、32は犠牲層であり、前記LED積層薄膜31を母材33から剥離させるため、後述する剥離エッチング液にエッチングされやすい膜、例えば、アルミ砒(ひ)素層の膜であり、母材33とLED積層簿膜31との間に形成される。
さらに、母材33は、例えば、ガリウム砒素若しくは窒化ガリウム、又は、サファイヤ等の材質から成り、前記母材33上に、MOCVD法等の気相成長法によって、LED積層薄膜31を構成する材質をエピタキシャル成長させる。
Furthermore, the
次に、エピタキシャル成長させたLED積層薄膜31を母材33から剥離する工程について説明する。
Next, a process of peeling the epitaxially grown LED laminated
例えば、各LED11の形状が一辺の長さが20マイクロメータの正方形であるとすると、20マイクロメータ以上の幅を備え、かつ、LEDアレイの1列分の長さ、すなわち、6個のLED11から成る1列の長さ以上の長さを備える短冊状のLED積層簿膜31を形成する。この場合、半導体プロセスで広く用いられているホトリソエッチング技術を用い、エッチング液としては燐(りん)酸過水等を用いて、母材33上のLED積層簿膜31を短冊形に形成する。
For example, if the shape of each
その後、弗(ふっ)化水素液、塩酸液等の剥離エッチング液に、前記LED積層薄膜31が形成された母材33を浸漬させる。これにより、犠牲層32がエッチングされ、LED積層薄膜31が母材33から剥離する。
Thereafter, the
そして、剥離されたLED積層薄膜31を表面が平坦化された基板10上に押し付け、水素結合等の分子間力によって、基板10とLED積層薄膜31とを固着して一体化する。
Then, the peeled LED laminated
ここで、前記基板10の最表面は、ポリイミド膜等の有機絶縁膜又は酸化シリコン膜等の無機絶縁膜が形成され、好ましくは、表面精度が数十ナノメートル以下の凹凸のない平坦化された表面となっている。このように、基板10の最表面を凹凸のない平坦化された面とすることによって、前記LED積層薄膜31との水素結合等の分子間力による結合が容易となる。
Here, the outermost surface of the
このような工程を、各色に対応するLED積層薄膜31に対して、繰り返し行う。これにより、図5に示されるように、複数列、例えば、6列のLED積層薄膜31が基板10上に固着されて一体化される。
Such a process is repeated with respect to the LED laminated
続いて、基板10上に一体化された各LED積層薄膜31を、例えば、エッチング液として燐酸過水を用いたホトリソエッチング法によって複数に分割し、LED素子11を形成する。本実施の形態においては、各LED積層薄膜31を6ずつのLED素子11に分割するものとする。
Subsequently, each of the LED laminated
続いて、各LED11のアノード及びカソードに接続されるアノード電極16及びカソード電極17、並びに、各アノード電極16及びカソード電極17に接続されるアノード配線14及びカソード配線15を、蒸着、ホトリソエッチング法又はリフトオフ法によって形成する。さらに、基板10上にアノードドライバIC12及びカソードドライバIC13を実装し、アノード配線14及びカソード配線15をアノードドライバIC12及びカソードドライバIC13に接続する。
Subsequently, the
なお、ここでは、短冊状の形状のLED積層薄膜31を分割して正方形のLED11を形成する場合について説明したが、各LED11の形状は、長方形、菱形等、いかなる形状であってもよい。また、平面状に各LED11を配置したが、LED積層薄膜31を基板10に接合し、アノード配線14及びカソード配線15を形成した後に、ポリイミド樹脂等で平坦化し、異なる色のLED積層薄膜31を、基板10に水素結合等の分子間力によって接合されたLED積層薄膜31の上面の平坦化された面に接合一体化して提供してもよい。
In addition, although the case where the strip-shaped LED laminated
次に、前記構成のLED表示装置100の動作について説明する。
Next, the operation of the
まず、図示されないパーソナルコンピュータ等の上位装置から送信された表示データ信号がアノードドライバIC12に入力されると、第1番目のカソードライン、すなわち、図2における上から1番目に配設された第1行のLED11の各々について、発光する又は発光しないを示す発光データが、アノードドライバIC12のシフトレジスタ回路に順次格納される。
First, when a display data signal transmitted from a host device (not shown) such as a personal computer is input to the
なお、前記発光データは、シフトレジスタ回路に格納された後、ラッチ回路に格納される。そして、該ラッチ回路に格納された発光データによって増幅回路から定電流が供給される。前記増幅回路から供給された定電流は、各行に対応するアノード配線14−1〜14−6を通って第1行の各LED11のアノード電極16に供給される。
The light emission data is stored in the latch circuit after being stored in the shift register circuit. Then, a constant current is supplied from the amplifier circuit by the light emission data stored in the latch circuit. The constant current supplied from the amplifier circuit is supplied to the
一方、カソードドライバIC13にはフレーム信号が入力される。なお、LED表示装置100のライン選択周期は、LED表示装置100の画素数に応じて設定され、例えば、画素数が640ドット×480ドットのVGAディスプレイの場合、ライン選択周期は50〔KHz〕である。
On the other hand, a frame signal is input to the
そして、設定されたライン選択周期で第1番目のカソードライン、すなわち、第1行が選択されると、カソードドライバIC13から第1行に対応するカソード配線15−1を通って第1行の各LED11のカソード電極17に供給される。すると、第1行の各LED11は、発光データによって増幅回路からの定電流がアノード電極16に供給されているので、前記発光データに応じて発光する。そして、第1行の各LED11が、図1における矢印19で示されるように、波長300〜450ナノメートルの近紫外又は紫外光を発光すると、各LED11に対応する第1行の蛍光体21R、21G、21Bの各々は、前記近紫外又は紫外光によって励起され、図1における矢印29R、29G、29Bで示されるように、赤、緑、青の光を放射する。
When the first cathode line, that is, the first row is selected in the set line selection cycle, each of the first row passes from the
以上のような動作を繰り返すことで、1画面分の表示が行われる。 By repeating the above operation, display for one screen is performed.
このように、本実施の形態において、LED表示装置100は、光源と光変調素子とを一体化したものとして機能する2次元LED素子110を使用する。そして、該2次元LED素子110が備えるLED11、アノード配線14、カソード配線15、アノード電極16、カソード電極17等を半導体プロセスによって形成することができ、非常に高密度にLED11を集積することができる。
Thus, in this Embodiment, the
また、該LED11は周知のものであり、このように、実績のある高輝度なLED11をそのままディスプレイとして用いることができるので、従来の有機ELのような発光デバイスでは達成することができない明るさを期待することができる。
Further, the
さらに、前記LED表示装置100は、カソードライン毎に発光動作を行うので、ディスプレイとしての消費電流が小さくて済む。また、各LED11及び蛍光体21の配置及び形状を適宜選択することができるので、LED表示装置100の用途に応じてLED11及び蛍光体21の配置及び形状を容易に変更することができる。
Furthermore, since the
次に、本発明の第2の実施の形態について説明する。なお、第1の実施の形態と同じ構造を有するものについては、同じ符号を付与することによってその説明を省略する。また、前記第1の実施の形態と同じ動作及び同じ効果についても、その説明を省略する。 Next, a second embodiment of the present invention will be described. In addition, about the thing which has the same structure as 1st Embodiment, the description is abbreviate | omitted by providing the same code | symbol. The description of the same operation and the same effect as those of the first embodiment is also omitted.
図6は本発明の第2の実施の形態における投射表示装置の構成を示す第1の例を示す図、図7は本発明の第2の実施の形態における投射表示装置の構成を示す第2の例を示す図、図8は本発明の第2の実施の形態におけるLED表示装置と光学系の配置の例を示す図である。 FIG. 6 is a diagram illustrating a first example of the configuration of the projection display device according to the second embodiment of the present invention, and FIG. 7 is a second diagram illustrating the configuration of the projection display device according to the second embodiment of the present invention. FIG. 8 is a diagram showing an example of the arrangement of the LED display device and the optical system in the second embodiment of the present invention.
本実施の形態において、LED表示装置100は、図6に示されるような投射表示装置200に使用される。該投射表示装置200は、箱状の筐(きょう)体201を有し、該筐体201の一方の面は開放され、該面にスクリーン45が取り付けられている。また、前記筐体201内におけるスクリーン45と対向する壁面にはLED表示装置100が配設されている。
In the present embodiment, the
さらに、投射表示装置200は、制御部202を有する。該制御部202は、図示されないDVDプレーヤ等の動画再生装置のような外部装置から受信した画像信号を受信すると、該画像信号に対応した表示データ信号をLED表示装置100に送信する。これにより、該LED表示装置100は、前記表示データ信号に応じて赤、緑、青の光を放射し、前記画像信号に対応した表示を行う。
Further, the
また、前記筐体201内のLED表示装置100とスクリーン45との間には、光学系としての投射レンズ43が配設されている。なお、該投射レンズ43は、単数のレンズから成るものであってもよいし、複数のレンズが組み合わされたものであってもよい。
A
そして、LED表示装置100から放射された赤、緑、青の光は、投射レンズ43を通してスクリーン45に投射される。これにより、ユーザは、LED表示装置100の外側から、すなわち、図6において、スクリーン45の右側から、該スクリーン45に投射された表示を視認することができる。
Then, red, green, and blue light emitted from the
なお、前記投射表示装置200は、外部スクリーンに投射するものであってもよい。この場合、図7に示されるように、スクリーン45に代えて、光学系としてのズームレンズ44が配設されている。なお、該ズームレンズ44は、単数のレンズから成るものであってもよいし、複数のレンズが組み合わされたものであってもよい。
The
そして、LED表示装置100から放射された赤、緑、青の光は、投射レンズ43及びズームレンズ44を通して投射表示装置200の外側(図7に示される例においては、投射表示装置200の右側)に配設される図示されない外部スクリーンに投射される。これにより、ユーザは、外部スクリーンに投射された表示を視認することができる。
Then, the red, green, and blue light emitted from the
また、LED表示装置100の背面には、図8に示されるように、ヒートシンク42が取り付けられている。該ヒートシンク42は、LED表示装置100を効果的に冷却することができるものであれば、いかなる構造のものであってもよい。
Further, as shown in FIG. 8, a
次に、本実施の形態における投射表示装置200の動作について説明する。
Next, the operation of the
前記第1の実施の形態と同様に、表示データ信号がアノードドライバIC12に入力されると、図2における上から1番目に配設された第1行のLED11の各々について、発光する又は発光しないを示す発光データが、アノードドライバIC12のシフトレジスタ回路に順次格納される。前記発光データは、シフトレジスタ回路に格納された後、ラッチ回路に格納される。そして、該ラッチ回路に格納された発光データによって増幅回路から定電流が供給される。該増幅回路から供給された定電流は、各行に対応するアノード配線14−1〜14−6を通って第1行の各LED11のアノード電極16に供給される。
As in the first embodiment, when the display data signal is input to the
一方、カソードドライバIC13にはフレーム信号が入力される。なお、LED表示装置100のライン選択周期は、LED表示装置100の画素数に応じて設定され、例えば、画素数が640ドット×480ドットのVGAディスプレイの場合、ライン選択周期は50〔KHz〕である。
On the other hand, a frame signal is input to the
そして、設定されたライン選択周期で第1行が選択されると、カソードドライバIC13から第1行に対応するカソード配線15−1を通って第1行の各LED11のカソード電極17に供給されると、第1行の各LED11は、前記発光データに応じて発光する。そして、第1行の各LED11が波長300〜450ナノメートルの近紫外又は紫外光を発光すると、各LED11に対応する第1行の蛍光体21R、21G、21Bの各々は、前記近紫外又は紫外光によって励起され、赤、緑、青の光を放射する。
When the first row is selected with the set line selection cycle, the
以上のような動作を繰り返すことで、LED表示装置100による1画面分の赤、緑、青の光の放射が行われる。
By repeating the operation as described above, the
そして、投射表示装置200が図6に示されるような構造のものである場合、LED表示装置100から放射された光は、投射レンズ43を通してスクリーン45に投射される。また、投射表示装置200が図7に示されるような構造のものである場合、LED表示装置100から放射された光は、投射レンズ43及びズームレンズ44を通して図示されない外部スクリーンに投射される。この場合、ズームレンズ44によって、画像の一部を適宜拡大することもできる。
When the
また、前記筐体201内は密封された空間となるので、LED表示装置100が発生した熱をヒートシンク42によって奪うことにより、LED表示装置100を冷却することが望ましい。
In addition, since the inside of the
このように、本実施の形態において、投射表示装置200は、光源と光変調素子とを一体化したLED表示装置100を使用するので、小型化することでき、コストを低くすることができる。また、非常に高密度にLED11を集積したLED表示装置100からの光を投射するので、非常に高精細な投射表示が可能となる。
Thus, in this Embodiment, since the
次に、本発明の第3の実施の形態について説明する。なお、第1及び第2の実施の形態と同じ構造を有するものについては、同じ符号を付与することによってその説明を省略する。また、前記第1及び第2の実施の形態と同じ動作及び同じ効果についても、その説明を省略する。 Next, a third embodiment of the present invention will be described. In addition, about the thing which has the same structure as 1st and 2nd embodiment, the description is abbreviate | omitted by providing the same code | symbol. Also, the description of the same operations and effects as those of the first and second embodiments is omitted.
図9は本発明の第3の実施の形態におけるLED表示装置と光学系の配置の例を示す図である。 FIG. 9 is a diagram showing an example of the arrangement of the LED display device and the optical system in the third embodiment of the present invention.
本実施の形態において、投射表示装置200は、光源と光変調素子とを一体化したLED表示装置100として、赤色の光を放射するLED表示装置100R、緑色の光を放射するLED表示装置100G、及び、青色の光を放射するLED表示装置100Bを使用する。なお、前記LED表示装置100R、LED表示装置100G及びLED表示装置100Bの背面には、ヒートシンク42が取り付けられている。また、投射表示装置200の筐体201内には、前記LED表示装置100Rから放射された赤色の光、LED表示装置100Gから放射された緑色の光及びLED表示装置100Bから放射された青色の光を合成して、表示画像を得るために、ハーフミラーで構成されたプリズム46が配設されている。
In the present embodiment, the
ここで、LED表示装置100Rは、前記第1の実施の形態で説明したLED表示装置100と同様の構成を有するものであるが、透明基板20上の蛍光体21がすべて、近紫外又は紫外線を照射することによって赤色に発光する蛍光体となっている。また、LED表示装置100Gは、前記第1の実施の形態で説明したLED表示装置100と同様の構成を有するものであるが、透明基板20上の蛍光体21がすべて、近紫外又は紫外線を照射することによって緑色に発光する蛍光体となっている。さらに、LED表示装置100Bは、前記第1の実施の形態で説明したLED表示装置100と同様の構成を有するものであるが、透明基板20上の蛍光体21がすべて、近紫外又は紫外線を照射することによって青色に発光する蛍光体となっている。
Here, the
なお、その他の点の構成については、前記第2の実施の形態と同様なので、説明を省略する。 The configuration of other points is the same as that of the second embodiment, and a description thereof will be omitted.
次に、本実施の形態における投射表示装置200の動作について説明する。
Next, the operation of the
本実施の形態においては、LED表示装置100RのアノードドライバIC12に赤色の表示データ信号が入力され、LED表示装置100GのアノードドライバIC12に緑色の表示データ信号が入力され、LED表示装置100BのアノードドライバIC12に青色の表示データ信号が入力されるようになっている。そして、LED表示装置100Rは、赤色の表示データ信号に応じて発光し、赤の光を放射する。また、LED表示装置100Gは、緑色の表示データ信号に応じて発光し、緑の光を放射する。さらに、LED表示装置100Bは、青色の表示データ信号に応じて発光し、青の光を放射する。
In the present embodiment, a red display data signal is input to the anode driver IC12 of the
そして、前記LED表示装置100R、LED表示装置100G及びLED表示装置100Bから放射された光は、プリズム46を通過することによって合成され、投射レンズ43及びズームレンズ44を通して投射される。
The light emitted from the
このように、本実施の形態において、投射表示装置200は、それぞれ単色の光を放射するLED表示装置100R、LED表示装置100G及びLED表示装置100Bを使用するので、LED表示装置100R、LED表示装置100G及びLED表示装置100Bの各々を、前記第2の実施の形態におけるLED表示装置100よりも小型化することができる。そのため、投射表示装置200を前記第2の実施の形態よりも小型化することができる。
Thus, in this Embodiment, since the
また、LED表示装置100R、LED表示装置100G及びLED表示装置100Bの各々を、前記第2の実施の形態におけるLED表示装置100と同様の大きさとした場合には、総計して3倍のLED表示装置100を使用したのと同等となるので、より明るい投射画像を得ることができる。
Further, when each of the
次に、本発明の第4の実施の形態について説明する。なお、第1〜第3の実施の形態と同じ構造を有するものについては、同じ符号を付与することによってその説明を省略する。また、前記第1〜第3の実施の形態と同じ動作及び同じ効果についても、その説明を省略する。 Next, a fourth embodiment of the present invention will be described. In addition, about the thing which has the same structure as the 1st-3rd embodiment, the description is abbreviate | omitted by providing the same code | symbol. Explanation of the same operations and effects as those of the first to third embodiments is also omitted.
図10は本発明の第4の実施の形態におけるLED表示装置と光学系の配置の例を示す図である。 FIG. 10 is a diagram showing an example of the arrangement of the LED display device and the optical system in the fourth embodiment of the present invention.
本実施の形態において、投射表示装置200は、光源と光変調素子とを一体化したLED表示装置100に加えて、撮像装置48を有する。これにより、投射表示装置200は、投射機能とともに撮像機能を発揮することができる。また、投射表示装置200の筐体201内には、前記LED表示装置100から放射された光を、投射レンズ43及びズームレンズ44に導いて投射するとともに、投射表示装置200の外部からズームレンズ44及び投射レンズ43を通して入射された光を撮像装置48に導くために、ハーフミラーで構成されたプリズム47が配設されている。
In the present embodiment, the
ここで、前記LED表示装置100は、前記第1及び第2の実施の形態におけるLED表示装置100と同様の構造を備える。
Here, the
また、前記撮像装置48は、CCD(Charge−Coupled Device:電荷結合素子)、CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)等の受像素子デバイスを備えるとともに、図示されない記憶手段に接続され、受像素子デバイスによって撮像した画像を前記記憶手段に記憶させる。
The
なお、その他の点の構成については、前記第2の実施の形態と同様なので、説明を省略する。 The configuration of other points is the same as that of the second embodiment, and a description thereof will be omitted.
次に、本実施の形態における投射表示装置200の動作について説明する。
Next, the operation of the
まず、投射機能を発揮する場合、撮像機能を発揮することによって撮像され、前記記憶手段に記憶された画像の表示信号が前記記憶手段からアノードドライバIC12に入力される。そして、前記第1の実施の形態と同様に、表示データ信号がアノードドライバIC12に入力されると、図2における上から1番目に配設された第1行のLED11の各々について、発光する又は発光しないを示す発光データが、アノードドライバIC12のシフトレジスタ回路に順次格納される。前記発光データは、シフトレジスタ回路に格納された後、ラッチ回路に格納される。そして、該ラッチ回路に格納された発光データによって増幅回路から定電流が供給される。該増幅回路から供給された定電流は、各行に対応するアノード配線14−1〜14−6を通って第1行の各LED11のアノード電極16に供給される。
First, when the projection function is exhibited, an image display signal that is imaged by exhibiting the imaging function and stored in the storage unit is input from the storage unit to the
一方、カソードドライバIC13にはフレーム信号が入力される。なお、LED表示装置100のライン選択周期は、LED表示装置100の画素数に応じて設定され、例えば、画素数が640ドット×480ドットのVGAディスプレイの場合、ライン選択周期は50〔KHz〕である。
On the other hand, a frame signal is input to the
そして、設定されたライン選択周期で第1行が選択されると、カソードドライバIC13から第1行に対応するカソード配線15−1を通って第1行の各LED11のカソード電極17に供給されると、第1行の各LED11は、前記発光データに応じて発光する。そして、第1行の各LED11が近紫外又は紫外光を発光すると、各LED11に対応する第1行の蛍光体21R、21G、21Bの各々は、前記近紫外又は紫外光によって励起され、赤、緑、青の光を放射する。
When the first row is selected with the set line selection cycle, the
以上のような動作を繰り返すことで、LED表示装置100による1画面分の赤、緑、青の光の放射が行われる。なお、ここでは、記憶手段に記憶された画像の表示信号がアノードドライバIC12に入力される例について説明したが、DVDプレーヤ等の動画再生装置のような外部装置から受信した画像信号に対応する表示データ信号をアノードドライバIC12に入力することもできる。
By repeating the operation as described above, the
そして、プリズム47は、LED表示装置100から放射された光を光学系に一致させる。これにより、LED表示装置100から放射された光は、光学系としての投射レンズ43及びズームレンズ44を通して図示されない外部スクリーンに投射される。
The
また、撮像機能を発揮する場合、LED表示装置100の作動を停止させる。そして、投射表示装置200の外部からズームレンズ44及び投射レンズ43を通して入射された光は、プリズム47を介して、撮像装置48に導かれる。該撮像装置48の受像素子デバイスによって撮像された画像は、前記記憶手段に記憶される。なお、受像素子デバイスによって画像を撮像する技術は周知であるので、その詳細な説明は省略する。
Further, when the imaging function is exhibited, the operation of the
このように、本実施の形態において、投射表示装置200は、LED表示装置100及び撮像装置48を有し、投射機能とともに撮像機能を発揮することができるようになっている。これにより、小型でコストの低い、投射機能と撮像機能とを兼ね備えた装置を提供することができる。
Thus, in this Embodiment, the
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々変形させることが可能であり、それらを本発明の範囲から排除するものではない。 In addition, this invention is not limited to the said embodiment, It can change variously based on the meaning of this invention, and does not exclude them from the scope of the present invention.
10 基板
11 LED
12 アノードドライバIC
13 カソードドライバIC
14−1、14−2、14−3、14−4、14−5、14−6 アノード配線
15−1、15−2、15−3、15−4、15−5、15−6 カソード配線
16 アノード電極
17 カソード電極
20 透明基板
21B、21G、21R 蛍光体
31 LED積層薄膜
32 犠牲層
33 母材
42 ヒートシンク
43 投射レンズ
46、47 プリズム
48 撮像装置
100 LED表示装置
200 投射表示装置
10
12 Anode driver IC
13 Cathode driver IC
14-1, 14-2, 14-3, 14-4, 14-5, 14-6 Anode wiring 15-1, 15-2, 15-3, 15-4, 15-5, 15-6
Claims (10)
(b)エピタキシャル成長法によって無機材料がpn接合デバイスとして積層形成され、前記第1の基板の表面に分子間力によって行列方向に等間隔となるように固着された複数のLED積層薄膜と、
(c)該LED積層薄膜に形成されたアノード電極及びカソード電極と、
(d)前記LED積層薄膜を駆動して発光させるアノードドライバIC及びカソードドライバICと、
(e)前記第1の基板の表面に形成され、前記アノードドライバICと各LED積層薄膜のアノード電極とを接続するアノード配線、及び、前記カソードドライバICと各LED積層薄膜のカソード電極とを接続するカソード配線と、
(f)前記第1の基板のLED積層薄膜が形成された表面に対向するように配設された透光性を備える第2の基板と、
(g)該第2の基板の前記第1の基板と対向する表面の前記LED積層薄膜と対向する位置に形成された蛍光体とを有することを特徴とするLED表示装置。 (A) a first substrate;
(B) a plurality of laminated LED thin films in which an inorganic material is laminated and formed as an pn junction device by an epitaxial growth method, and is fixed to the surface of the first substrate at equal intervals in a matrix direction by an intermolecular force;
(C) an anode electrode and a cathode electrode formed on the LED laminated thin film;
(D) an anode driver IC and a cathode driver IC that drive the LED laminated thin film to emit light;
(E) An anode wiring formed on the surface of the first substrate and connecting the anode driver IC and the anode electrode of each LED multilayer thin film; and connecting the cathode driver IC and the cathode electrode of each LED multilayer thin film Cathode wiring to
(F) a second substrate having translucency disposed so as to face the surface of the first substrate on which the LED laminated thin film is formed;
(G) An LED display device comprising: a phosphor formed at a position facing the LED laminated thin film on a surface of the second substrate facing the first substrate.
(b)エピタキシャル成長法によって無機材料がpn接合デバイスとして積層形成され、前記第1の基板の表面に分子間力によって行列方向に等間隔となるように固着された複数のLED積層薄膜と、
(c)該LED積層薄膜に形成されたアノード電極及びカソード電極と、
(d)前記LED積層薄膜を駆動して発光させるアノードドライバIC及びカソードドライバICと、
(e)前記第1の基板の表面に形成され、前記アノードドライバICと各LED積層薄膜のアノード電極とを接続するアノード配線、及び、前記カソードドライバICと各LED積層薄膜のカソード電極とを接続するカソード配線と、
(f)前記第1の基板のLED積層薄膜が形成された表面に対向するように配設された透光性を備える第2の基板と、
(g)該第2の基板の前記第1の基板と対向する表面の前記LED積層薄膜と対向する位置に形成された蛍光体とを有し、
(h)すべての蛍光体は、波長300〜450ナノメートルである近紫外光又は紫外光が照射されると、同色光を発光することを特徴とするLED表示装置。 (A) a first substrate;
(B) a plurality of laminated LED thin films in which an inorganic material is laminated and formed as an pn junction device by an epitaxial growth method, and is fixed to the surface of the first substrate at equal intervals in a matrix direction by an intermolecular force;
(C) an anode electrode and a cathode electrode formed on the LED laminated thin film;
(D) an anode driver IC and a cathode driver IC that drive the LED laminated thin film to emit light;
(E) An anode wiring formed on the surface of the first substrate and connecting the anode driver IC and the anode electrode of each LED multilayer thin film; and connecting the cathode driver IC and the cathode electrode of each LED multilayer thin film Cathode wiring to
(F) a second substrate having translucency disposed so as to face the surface of the first substrate on which the LED laminated thin film is formed;
(G) having a phosphor formed at a position facing the LED laminated thin film on the surface of the second substrate facing the first substrate;
(H) An LED display device characterized in that all phosphors emit light of the same color when irradiated with near-ultraviolet light or ultraviolet light having a wavelength of 300 to 450 nanometers.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007041644A JP2008205985A (en) | 2007-02-22 | 2007-02-22 | Led display device and projection display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007041644A JP2008205985A (en) | 2007-02-22 | 2007-02-22 | Led display device and projection display device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008205985A true JP2008205985A (en) | 2008-09-04 |
Family
ID=39782953
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007041644A Pending JP2008205985A (en) | 2007-02-22 | 2007-02-22 | Led display device and projection display device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008205985A (en) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018180505A (en) * | 2017-04-21 | 2018-11-15 | ルーメンス カンパニー リミテッド | Projection devices using micro led panel and method for manufacturing third micro led display device among projection devices |
JP6431969B1 (en) * | 2017-11-10 | 2018-11-28 | ルーメンス カンパニー リミテッド | LED display device |
EP2211386B1 (en) * | 2009-01-27 | 2019-10-16 | Oki Data Corporation | Light source apparatus and head-up display apparatus incorporating the light source apparatus |
US11042079B2 (en) | 2018-12-28 | 2021-06-22 | Seiko Epson Corporation | Projector |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000106454A (en) * | 1998-07-28 | 2000-04-11 | Interuniv Micro Electronica Centrum Vzw | Device for emitting radiation with high efficiency and fabrication thereof |
JP2002232020A (en) * | 2001-01-31 | 2002-08-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Led, and display, illuminator, liquid display back light device using the led, and light source device for projector |
JP2003045206A (en) * | 2001-05-24 | 2003-02-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Illuminating light source |
JP2003058110A (en) * | 2001-08-09 | 2003-02-28 | Hitachi Ltd | Led display device and message display device |
JP2005275326A (en) * | 2004-02-27 | 2005-10-06 | Fuji Electric Systems Co Ltd | Projection display device and projection display system |
JP2006054352A (en) * | 2004-08-13 | 2006-02-23 | Seiko Epson Corp | Light source device, projector and electronic apparatus |
JP2006156187A (en) * | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Mitsubishi Electric Corp | Led light source device and led electric bulb |
JP2006308858A (en) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Mitsubishi Chemicals Corp | Display device |
-
2007
- 2007-02-22 JP JP2007041644A patent/JP2008205985A/en active Pending
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000106454A (en) * | 1998-07-28 | 2000-04-11 | Interuniv Micro Electronica Centrum Vzw | Device for emitting radiation with high efficiency and fabrication thereof |
JP2002232020A (en) * | 2001-01-31 | 2002-08-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Led, and display, illuminator, liquid display back light device using the led, and light source device for projector |
JP2003045206A (en) * | 2001-05-24 | 2003-02-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Illuminating light source |
JP2003058110A (en) * | 2001-08-09 | 2003-02-28 | Hitachi Ltd | Led display device and message display device |
JP2005275326A (en) * | 2004-02-27 | 2005-10-06 | Fuji Electric Systems Co Ltd | Projection display device and projection display system |
JP2006054352A (en) * | 2004-08-13 | 2006-02-23 | Seiko Epson Corp | Light source device, projector and electronic apparatus |
JP2006156187A (en) * | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Mitsubishi Electric Corp | Led light source device and led electric bulb |
JP2006308858A (en) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Mitsubishi Chemicals Corp | Display device |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2211386B1 (en) * | 2009-01-27 | 2019-10-16 | Oki Data Corporation | Light source apparatus and head-up display apparatus incorporating the light source apparatus |
JP2018180505A (en) * | 2017-04-21 | 2018-11-15 | ルーメンス カンパニー リミテッド | Projection devices using micro led panel and method for manufacturing third micro led display device among projection devices |
US10281812B2 (en) | 2017-04-21 | 2019-05-07 | Lumens Co., Ltd. | Projection device using micro LED panel and method of fabricating the same |
JP6431969B1 (en) * | 2017-11-10 | 2018-11-28 | ルーメンス カンパニー リミテッド | LED display device |
JP2019091000A (en) * | 2017-11-10 | 2019-06-13 | ルーメンス カンパニー リミテッド | LED display device |
JP2019091032A (en) * | 2017-11-10 | 2019-06-13 | ルーメンス カンパニー リミテッド | LED display device |
US10847548B2 (en) | 2017-11-10 | 2020-11-24 | Lumens Co., Ltd. | Led display device having TFT substrate provided with LED driver units |
US11042079B2 (en) | 2018-12-28 | 2021-06-22 | Seiko Epson Corporation | Projector |
US11619870B2 (en) | 2018-12-28 | 2023-04-04 | Seiko Epson Corporation | Projector |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4381439B2 (en) | LED backlight device and liquid crystal display device | |
US9831387B2 (en) | Light engine array | |
EP3648164B1 (en) | Display device using semiconductor light emitting element | |
JP6640872B2 (en) | Image forming element | |
KR102473326B1 (en) | A colour iled display on silicon | |
EP1895772B1 (en) | Projection display apparatus and image forming apparatus | |
EP3680932A1 (en) | Display device and method for manufacturing same | |
JP5236805B2 (en) | Tiled electronic display | |
KR100926963B1 (en) | Image display device and manufacturing method thereof | |
TWI401634B (en) | Image display apparatus and driving method thereof, and image display apparatus assembly and driving method thereof | |
US10991845B2 (en) | Method for producing an optoelectronic semiconductor component and optoelectronic semiconductor component | |
JP2008218691A (en) | Led backlight device and liquid crystal display device | |
JP2006093074A (en) | Light-generating device, backlight assembly having the same, and display device having the backlight assembly | |
JP4536077B2 (en) | LED backlight device and liquid crystal display device | |
JP2009267164A (en) | Light emitting device and method of manufacturing the light emitting device | |
KR20130137985A (en) | Display device using semiconductor light emitting device | |
JP2006054470A (en) | Mixed color light emission diode device, and its manufacturing method | |
JP2011139026A (en) | Light-emitting device and display device including the same | |
JP2012060133A (en) | Light-emitting device, illumination apparatus, and backlight | |
US20190333898A1 (en) | Method of producing an optoelectronic semiconductor component, and optoelectronic semiconductor component | |
JP2012060133A5 (en) | ||
JP2008205985A (en) | Led display device and projection display device | |
JP2008211146A (en) | Information display device | |
KR20110074841A (en) | Led projector | |
KR101707970B1 (en) | Display device using semiconductor light emitting device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090306 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111018 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111028 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120306 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120626 |