JP2008204495A - Semiconductor integrated circuit device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor integrated circuit device with built-in BIST circuit, which can test also an I/F section between a memory and a system logic. <P>SOLUTION: An FF 122 at a final stage of the IF with the memory 110 is shared by the system logic section 120 and a test logic section 130 to eliminate the need of arranging a selector just before the memory. Thus, the IF section between the memory and the system logic is also tested. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体メモリ部をチップ内部で自己検査する、いわゆるビルトインセルフテストを実施できる機能回路(以下、BIST回路という)を内蔵した半導体集積回路装置に関する。   The present invention relates to a semiconductor integrated circuit device having a built-in functional circuit (hereinafter referred to as a BIST circuit) capable of performing a so-called built-in self-test for self-inspecting a semiconductor memory part inside a chip.

今日のディープサブミクロン技術により、膨大な量のメモリを単一チップ上に実装することが可能となっている。上記チップ上に多数配置されたメモリついて、製造後のテストを行うために、上記チップ上に搭載したメモリBIST(Built In Self Test)回路が利用される。一般的に用いられるメモリBIST回路10の基本構造を図4に示す。
メモリBIST回路10においてメモリBISTを実行するときには、メモリ1へのアクセスは、メモリ1の前段に設けたセレクタ2をモード切替信号にて切り替えてコントローラ11からのテストアクセス信号がメモリ1をアクセスする。そして該アクセスに対するメモリ1のデータ出力値を、コントローラ11から得られる期待値とコンパレータ12にて比較し、その比較結果がテスト出力としてチップ外部へ出力される。メモリBIST回路10は、このような動作を行うシステムである。
Today's deep submicron technology makes it possible to mount enormous amounts of memory on a single chip. A memory BIST (Built In Self Test) circuit mounted on the chip is used to perform a post-manufacturing test on a large number of memories arranged on the chip. FIG. 4 shows a basic structure of a memory BIST circuit 10 that is generally used.
When the memory BIST is executed in the memory BIST circuit 10, the memory 1 is accessed by switching the selector 2 provided in the previous stage of the memory 1 with the mode switching signal and the test access signal from the controller 11 accessing the memory 1. The data output value of the memory 1 for the access is compared with the expected value obtained from the controller 11 by the comparator 12, and the comparison result is output to the outside of the chip as a test output. The memory BIST circuit 10 is a system that performs such an operation.

一方、通常、システムロジック部20がメモリ1にアクセスするときには、メモリアクセスコントロールロジック21が送出するシステム制御信号がフリップフロップ(FF)22に格納された後、上記セレクタ2を通過してメモリ1にアクセスする。   On the other hand, normally, when the system logic unit 20 accesses the memory 1, a system control signal sent from the memory access control logic 21 is stored in the flip-flop (FF) 22, and then passes through the selector 2 to the memory 1. to access.

このようなメモリBIST回路に関して、システム上での本来のメモリの動作速度(at−speed)にてメモリをテストする方法として、特許文献1及び特許文献2に開示される方法がある。
特表2004−512630号公報 特開2006−155682号公報
Regarding such a memory BIST circuit, there are methods disclosed in Patent Document 1 and Patent Document 2 as a method of testing a memory at an original memory operating speed (at-speed) on the system.
Japanese translation of PCT publication No. 2004-512630 JP 2006-155682 A

しかしながら、特許文献1及び特許文献2に開示されるテストシステムであっても、その基本構造は、図4に示す構造と同様に、通常時及びテスト時のメモリへのアクセスをセレクタで切り替える構造である。よって、メモリBIST回路10によりメモリ1が正常であると判断されたときであっても、システムロジック20とメモリ1とのI/F部分、つまりシステムロジック20の最終段であるFF22からセレクタ2までの間のパスについてはメモリBIST回路10ではテストを行うことができないという問題がある。   However, even in the test systems disclosed in Patent Document 1 and Patent Document 2, the basic structure is a structure in which the access to the memory at the normal time and at the time of the test is switched by the selector similarly to the structure shown in FIG. is there. Therefore, even when the memory BIST circuit 10 determines that the memory 1 is normal, the I / F portion between the system logic 20 and the memory 1, that is, the FF 22 which is the final stage of the system logic 20, to the selector 2 There is a problem that the memory BIST circuit 10 cannot perform a test on the path between the two.

さらに、図4に示す従来の構成では、テストのためだけのメモリBIST回路10をチップに組み込むことにより、システムロジック20に備わるFF22の後段にセレクタ2を設けざるを得ず、検査時以外の通常のメモリアクセスにおいてもメモリ1へのアクセス信号はセレクタ2を通過しなくてはならず、動作速度が劣化してしまう。   Further, in the conventional configuration shown in FIG. 4, by incorporating the memory BIST circuit 10 only for testing into the chip, the selector 2 must be provided after the FF 22 provided in the system logic 20, and the normal configuration other than the time of inspection Even in this memory access, the access signal to the memory 1 must pass through the selector 2 and the operation speed is deteriorated.

又、メモリは、通常、チップ中で占める面積が大きいため、内部ロジックのタイミング状況に応じて柔軟にその配置を変更することが困難である。場合によっては、システムロジックのセルとメモリとの配置位置が遠くなる場合もある。このような場合には、メモリの直前のセルの特性が著しく低下し、結果メモリに正しくアクセスできなくなることもある。そのため、メモリの直前のセルとメモリとの間をテストする手法が必要となる   Further, since the memory usually occupies a large area in the chip, it is difficult to flexibly change the arrangement according to the timing situation of the internal logic. In some cases, the arrangement positions of the system logic cell and the memory may be far from each other. In such a case, the characteristics of the cell immediately before the memory are remarkably deteriorated, and as a result, the memory cannot be accessed correctly. Therefore, a method for testing between the cell immediately before the memory and the memory is required.

本発明は、上述したような問題点を解決するためになされたもので、BIST回路を内蔵し、半導体メモリとシステムロジックとの間のI/F部分についてもテスト可能な半導体集積回路装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made to solve the above-described problems, and provides a semiconductor integrated circuit device that incorporates a BIST circuit and can also test an I / F portion between a semiconductor memory and system logic. The purpose is to do.

上記目的を達成するため、本発明は以下のように構成する。
即ち、本発明の第1態様における半導体集積回路装置は、半導体メモリ部と、通常動作モードにおいて上記半導体メモリ部にアクセスするシステムロジック部と、上記半導体メモリ部のテストモードにおいて上記半導体メモリ部にアクセスするテストロジック部とを内蔵した半導体集積回路装置において、
上記システムロジック部からのシステム制御信号と上記テストロジック部からのテスト制御信号とのいずれか一方をモード切替に従い選択して送出する制御信号セレクタと、
上記システムロジック部の最終段に配置され上記半導体メモリ部とのインターフェースとなり、上記制御信号セレクタから上記システム制御信号又は上記テスト制御信号のいずれか一方が供給され上記半導体メモリ部へアクセス信号として送出する、上記システムロジック部及び上記テストブロック部で共用されるフリップフロップと、
を備えたことを特徴とする。
In order to achieve the above object, the present invention is configured as follows.
That is, the semiconductor integrated circuit device according to the first aspect of the present invention includes a semiconductor memory unit, a system logic unit that accesses the semiconductor memory unit in a normal operation mode, and an access to the semiconductor memory unit in a test mode of the semiconductor memory unit. In a semiconductor integrated circuit device having a built-in test logic unit,
A control signal selector for selecting and sending either a system control signal from the system logic unit or a test control signal from the test logic unit according to mode switching;
It is arranged at the last stage of the system logic unit and serves as an interface with the semiconductor memory unit. Either the system control signal or the test control signal is supplied from the control signal selector and sent as an access signal to the semiconductor memory unit. A flip-flop shared by the system logic unit and the test block unit;
It is provided with.

又、上記テストロジック部は、上記アクセス信号による上記半導体メモリのデータ出力値と該データ出力値に対応する期待値との比較を、上記フリップフロップによる上記半導体メモリへのパイプライン化されたアクセスに対応したタイミングにて行うコンパレータを有することもできる。   Further, the test logic unit compares the data output value of the semiconductor memory according to the access signal with an expected value corresponding to the data output value, to the pipelined access to the semiconductor memory by the flip-flop. It is also possible to have a comparator that performs at a corresponding timing.

又、複数の上記半導体メモリ部を備え、これに対応してそれぞれ複数の上記制御信号セレクタ及び上記フリップフロップを備わるように構成してもよい。   Further, a plurality of the semiconductor memory units may be provided, and a plurality of the control signal selectors and the flip-flops may be provided correspondingly.

又、それぞれの上記フリップフロップから、対応するそれぞれの上記半導体メモリ部へ上記アクセス信号がアクセスするとき、複数の上記フリップフロップのいずれか一つは、上記アクセス信号を上記テストロジック部にフィードバックしてもよい。   When the access signal accesses the corresponding semiconductor memory unit from each of the flip-flops, any one of the plurality of flip-flops feeds back the access signal to the test logic unit. Also good.

又、互いに異なる複数のクロックが供給され、上記モード切替に応じて上記制御信号セレクタと同期して上記複数のクロックからいずれか一つを選択して上記フリップフロップ回路へ送出するクロックセレクタをさらに備えるように構成してもよい。   And a clock selector for supplying a plurality of different clocks, selecting one of the plurality of clocks in synchronization with the control signal selector according to the mode switching, and sending the selected clock to the flip-flop circuit. You may comprise as follows.

上記第1態様の半導体集積回路装置によれば、システムロジック部の最終段に設けられ半導体メモリ部とのインターフェースとなるフリップフロップを、通常動作モード及びテストモードにて共用するようにした。よって、半導体メモリ部の直前にはセレクタを設けておらず、通常動作モード及びテストモードのいずれの場合でも、半導体メモリ部のインタフェースとなっている上記フリップフロップを通して半導体メモリ部へのアクセスが行われる。したがって、半導体メモリとシステムロジックとの間のI/F部分についてもテストすることができる。   According to the semiconductor integrated circuit device of the first aspect, the flip-flop provided at the final stage of the system logic unit and serving as an interface with the semiconductor memory unit is shared in the normal operation mode and the test mode. Therefore, no selector is provided immediately before the semiconductor memory unit, and the semiconductor memory unit is accessed through the flip-flop serving as the interface of the semiconductor memory unit in both the normal operation mode and the test mode. . Therefore, the I / F portion between the semiconductor memory and the system logic can also be tested.

又、制御信号セレクタは、半導体メモリ部の直前ではなく上記フリップフロップの前段に設けたことで、システムロジック部をRTLから論理合成する際やRTL設計段階で所望のタイミング制約を満足させるように最適化することが比較的容易に実現できる。よって、半導体メモリ部へのアクセスのタイミングの劣化が防ぐことができる。   In addition, the control signal selector is provided not in front of the semiconductor memory unit but in the previous stage of the flip-flop, so that it is optimal for satisfying the desired timing constraints when synthesizing the system logic unit from the RTL or at the RTL design stage. It can be realized relatively easily. Therefore, it is possible to prevent deterioration in access timing to the semiconductor memory unit.

又、上述のようにフリップフロップを共用することで、テストロジック部におけるコントローラの最終段がフリップフロップではないようなコントローラ構成の場合でも半導体メモリ部へのアクセスをパイプライン化することになる。このような場合、テストロジック部は、半導体メモリのデータ出力値と期待値との比較を、半導体メモリへのパイプライン化されたアクセスに対応したタイミングにて行うコンパレータを有する構成を採る。よって、上記最終段がフリップフロップではない既存のコントローラをそのまま、チップに埋め込むことも可能となる。   In addition, by sharing the flip-flop as described above, access to the semiconductor memory unit is pipelined even in the case of a controller configuration in which the final stage of the controller in the test logic unit is not a flip-flop. In such a case, the test logic unit has a configuration including a comparator that compares the data output value of the semiconductor memory with the expected value at a timing corresponding to the pipelined access to the semiconductor memory. Therefore, an existing controller whose final stage is not a flip-flop can be embedded in a chip as it is.

又、上述の構成において、複数の上記半導体メモリ部を設けることもでき、同時に複数の半導体メモリ部のテストを実行することができる。   In the above-described configuration, a plurality of the semiconductor memory units can be provided, and a plurality of semiconductor memory units can be tested at the same time.

又、クロックセレクタを備え、複数のクロックから一つのクロックを選択可能とすることで、半導体メモリ部のBISTを種々のクロックにて実行することができる。よって、例えばシステムロジック部による実動作速度と同じ速度にてBISTを実行することもできる。   In addition, since the clock selector is provided and one clock can be selected from a plurality of clocks, the BIST of the semiconductor memory unit can be executed with various clocks. Thus, for example, BIST can be executed at the same speed as the actual operation speed by the system logic unit.

本発明の実施形態である半導体集積回路装置について、図を参照しながら以下に説明する。尚、各図において、同一又は同様の構成部分については同じ符号を付している。   A semiconductor integrated circuit device according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. In each figure, the same or similar components are denoted by the same reference numerals.

第1実施形態:
図1に、本実施形態の半導体集積回路装置101の構成を示す。半導体集積回路装置101は、半導体メモリ部110(以下、単にメモリ110と記す場合もある。)と、通常動作モードにおいて半導体メモリ部110にアクセスするシステムロジック部120と、半導体メモリ部110のテストモードにおいて半導体メモリ部110にアクセスするテストロジック部130と、制御信号セレクタ140とを一つのチップに備え内蔵した。又、半導体集積回路装置101では、1つのメモリ110に対してシステムロジック部120とテストロジック部130とが対応している。
First embodiment:
FIG. 1 shows the configuration of the semiconductor integrated circuit device 101 of this embodiment. The semiconductor integrated circuit device 101 includes a semiconductor memory unit 110 (hereinafter sometimes simply referred to as a memory 110), a system logic unit 120 that accesses the semiconductor memory unit 110 in a normal operation mode, and a test mode of the semiconductor memory unit 110. The test logic unit 130 for accessing the semiconductor memory unit 110 and the control signal selector 140 are built in one chip. In the semiconductor integrated circuit device 101, the system logic unit 120 and the test logic unit 130 correspond to one memory 110.

通常、メモリにアクセスするシステムロジックの最終段は、フリップフロップで構成されており、本実施形態においても、システムロジック部120は、メモリ110にアクセスする際のコントロールロジック121と、当該システムロジック部120の最終段に配置されメモリ110とのインターフェースとなるフリップフロップ122とを備え、さらに上記制御信号セレクタ140を備えている。制御信号セレクタ140は、フリップフロップ122に接続される。尚、上述の構成に限定されず、制御信号セレクタ140は、当該チップにおいてシステムロジック部120以外の構成部分内に、あるいは当該チップ内で独立して設けても良い。   Normally, the last stage of the system logic for accessing the memory is configured by a flip-flop. In this embodiment, the system logic unit 120 also includes the control logic 121 for accessing the memory 110 and the system logic unit 120. The flip-flop 122 arranged at the last stage and serving as an interface with the memory 110 is further provided, and the control signal selector 140 is further provided. The control signal selector 140 is connected to the flip-flop 122. Note that the control signal selector 140 is not limited to the above-described configuration, and may be provided in a component other than the system logic unit 120 in the chip or independently in the chip.

テストロジック部130は、メモリ110のBISTを実行するメモリBISTコントロールロジック131と、コンパレータ132とを有する、従来の構成である。   The test logic unit 130 has a conventional configuration including a memory BIST control logic 131 that executes a BIST of the memory 110 and a comparator 132.

制御信号セレクタ140には、通常動作モードにてコントロールロジック121が送出するシステム制御信号121aと、メモリ110のBIST実行時にメモリBISTコントロールロジック131が送出するテスト制御信号131aとが供給され、通常動作とテスト動作とのモードを切り替えるモード切替信号141に従い、システム制御信号121aとテスト制御信号131aとのいずれか一方を選択して、フリップフロップ122に送出する。このように、本実施形態においてフリップフロップ122は、システムロジック部120及びテストロジック部130にて共用されることになる。そしてフリップフロップ122は、システム制御信号121aとテスト制御信号131aとのいずれか一方をアクセス信号122aとしてメモリ110へ送出する。   The control signal selector 140 is supplied with a system control signal 121a sent out by the control logic 121 in the normal operation mode and a test control signal 131a sent out by the memory BIST control logic 131 when the memory 110 performs BIST. According to the mode switching signal 141 for switching the mode with the test operation, either the system control signal 121a or the test control signal 131a is selected and sent to the flip-flop 122. Thus, in the present embodiment, the flip-flop 122 is shared by the system logic unit 120 and the test logic unit 130. Then, the flip-flop 122 sends either the system control signal 121a or the test control signal 131a to the memory 110 as the access signal 122a.

このように構成される半導体集積回路装置101における動作を以下に説明する。
モード切替信号141により、通常動作モードではシステム制御信号121aが制御信号セレクタ140を通過し、フリップフロップ122に格納されて、アクセス信号122aとしてメモリ110にアクセスする。メモリBISTの実行時には、テスト制御信号131aがシステム制御信号121aに替わってフリップフロップ122に格納され、アクセス信号122aとしてメモリ110にアクセスする。又、いずれの場合においても、コントロールロジック121,131の動作のため、フリップフロップ122がメモリ110へ送出するアクセス信号122aのフィードバックが必要となる。
The operation of the semiconductor integrated circuit device 101 configured as described above will be described below.
By the mode switching signal 141, in the normal operation mode, the system control signal 121a passes through the control signal selector 140, is stored in the flip-flop 122, and accesses the memory 110 as the access signal 122a. When the memory BIST is executed, the test control signal 131a is stored in the flip-flop 122 instead of the system control signal 121a, and the memory 110 is accessed as the access signal 122a. In any case, feedback of the access signal 122 a sent from the flip-flop 122 to the memory 110 is necessary for the operation of the control logic 121 and 131.

又、メモリBISTの実行時には、モード切替信号141により、テスト制御信号131aが制御信号セレクタ140を通過し、フリップフロップ122に格納されて、アクセス信号122aとしてメモリ110にアクセスする。これによりメモリ110から読み出されたデータ出力値111は、テストロジック部130のコンパレータ132に供給される。一方、コンパレータ132には、メモリBISTコントロールロジック131からアクセス信号122aに対応した期待値131aが供給される。コンパレータ132は、データ出力値111と期待値131aとを比較して、メモリ110の良否を検査する。   When the memory BIST is executed, the test control signal 131a passes through the control signal selector 140 by the mode switching signal 141, is stored in the flip-flop 122, and accesses the memory 110 as the access signal 122a. As a result, the data output value 111 read from the memory 110 is supplied to the comparator 132 of the test logic unit 130. On the other hand, the expected value 131 a corresponding to the access signal 122 a is supplied from the memory BIST control logic 131 to the comparator 132. The comparator 132 compares the data output value 111 with the expected value 131a to check the quality of the memory 110.

このように、本実施形態の半導体集積回路装置101では、モード切替信号141によりシステム制御とテスト制御とは切り替わっているが、メモリ110にアクセスしているのはどちらの場合でもシステムロジック側のフリップフロップ122である。つまりメモリBIST実行時も、フリップフロップ122がメモリ110にアクセスすることから、フリップフロップ122とメモリ110との間のパスに何らかの故障が存在するとしても、メモリBISTにより上記故障を検出することが可能である。即ち、システムロジック120とメモリ110との間のインタフェースの故障を発見することができ、結果不良チップを見分けることができる。   As described above, in the semiconductor integrated circuit device 101 of this embodiment, the system control and the test control are switched by the mode switching signal 141, but the memory 110 is accessed in either case by the flip-flop on the system logic side. 122. That is, even when the memory BIST is executed, the flip-flop 122 accesses the memory 110, so that even if there is some failure in the path between the flip-flop 122 and the memory 110, the memory BIST can detect the failure. It is. That is, a failure of the interface between the system logic 120 and the memory 110 can be found, and a defective chip can be identified as a result.

尚、制御信号セレクタ140を設けているが、フリップフロップ122の前段に配置していることから、回路をフリップフロップ+組み合わせ論理回路で表現したレベルであるRTL(Register Transfer Level)からシステムロジック120を論理合成する際や、RTL設計段階で所望のタイミング制約を満足させるように、システムロジック120を最適化することが比較的容易に実現できる。よって、制御信号セレクタ140を設けることによる動作速度の劣化は防止することができる。   Although the control signal selector 140 is provided, since the control signal selector 140 is arranged at the preceding stage of the flip-flop 122, the system logic 120 is transferred from the RTL (Register Transfer Level), which is a level expressed by the flip-flop + combination logic circuit. It is relatively easy to optimize the system logic 120 so as to satisfy desired timing constraints at the time of logic synthesis or at the RTL design stage. Therefore, it is possible to prevent the deterioration of the operation speed due to the provision of the control signal selector 140.

又、上記半導体集積回路装置101によれば、メモリ110にアクセスするメモリBISTコントロールロジック131の最終段がフリップフロップではないようなコントローラ構成の場合であっても、メモリ110へのアクセスをパイプライン化することになる。よって、このような場合には、パイプライン化を考慮したタイミングで期待値131aとの比較をするように回路を工夫することで、例えばコンパレータ132の回路を工夫すれることで、容易に実現可能である。よって、既存のめもりBISTコントローラをそのままチップに埋め込むことも可能である。   Further, according to the semiconductor integrated circuit device 101, even when the final stage of the memory BIST control logic 131 that accesses the memory 110 is a controller configuration that is not a flip-flop, access to the memory 110 is pipelined. Will do. Therefore, in such a case, the circuit can be easily realized by devising the circuit of the comparator 132, for example, by devising the circuit so that the comparison with the expected value 131a is performed at a timing considering pipelining. It is. Therefore, the existing memory BIST controller can be embedded in the chip as it is.

第2実施形態:
上述した半導体集積回路装置101は、一つのメモリ部110を備える構成であったが、これに限定されず複数のメモリ部110を備えることもできる。当該第2実施形態は、そのような構成の一例に相当するもので、図2に示すように、半導体集積回路装置102は、2つのメモリ部110−1、110−2を備えている。又、それぞれのメモリ部110−1、110−2に対応して、上述のフリップフロップ122と同様に機能するフリップフロップ122−1、122−2、及び上述の制御信号セレクタ140と同様に機能する制御信号セレクタ140−1、140−2を備えている。その他の構成については、半導体集積回路装置101と変わる部分はなく、ここでの説明は省略する。
Second embodiment:
The semiconductor integrated circuit device 101 described above is configured to include one memory unit 110, but is not limited thereto, and may include a plurality of memory units 110. The second embodiment corresponds to an example of such a configuration, and as shown in FIG. 2, the semiconductor integrated circuit device 102 includes two memory units 110-1 and 110-2. Also, corresponding to the respective memory units 110-1 and 110-2, the flip-flops 122-1 and 122-2 functioning similarly to the above-described flip-flop 122 and the above-described control signal selector 140 function. Control signal selectors 140-1 and 140-2 are provided. Other configurations are the same as those of the semiconductor integrated circuit device 101, and a description thereof is omitted here.

このように構成される第2実施形態の半導体集積回路装置102においても、上述の半導体集積回路装置101の場合と同一の効果を奏することができ、さらに、複数のメモリ部を同時にテストすることができる。   The semiconductor integrated circuit device 102 of the second embodiment configured as described above can achieve the same effect as that of the semiconductor integrated circuit device 101 described above, and can test a plurality of memory units simultaneously. it can.

又、同時にテストされるそれぞれのメモリ110−1,110−2へのアクセスにおいて、各々のアドレス値、データ値が同一な場合には、メモリ110−1、110−2へのアクセス信号122aのメモリBISTコントロールロジック131へのフィードバックは、同時にテストされるメモリ110−1,110−2へ供給される複数のアクセス信号122aの内のいずれか一つをフィードバックさせるようにしてもよい。   In addition, when accessing each of the memories 110-1 and 110-2 to be tested at the same time, if the address value and the data value are the same, the memory of the access signal 122a to the memories 110-1 and 110-2. As the feedback to the BIST control logic 131, any one of the plurality of access signals 122a supplied to the memories 110-1 and 110-2 to be tested at the same time may be fed back.

第3実施形態:
図3には、本発明の第3実施形態における半導体集積回路装置103の構成が示されている。該半導体集積回路装置103は、上述の半導体集積回路装置101の構成に比べてさらにクロックセレクタ142を備えている。その他の構成については、半導体集積回路装置101と変わる部分はなく、ここでの説明は省略する。
クロックセレクタ142には、互いに異なる複数のクロックが供給される。本実施形態では、通常動作モードにおけるシステムクロックと、BISTモードにおけるテストクロックとの2つが供給されるが、2つに限定されず3以上のクロックが供給されてもよい。このようなクロックセレクタ142は、上述のモード切替に応じて上記制御信号セレクタ140と同期して上記複数のクロックからいずれか一つを選択して上記フリップフロップ122のクロック端子へ送出する。本実施形態では、上述のように、通常動作モードにおけるシステムクロック142aと、テストモードにおけるテストクロック142bとがクロックセレクタ142へ供給され、クロックセレクタ142は、モード切替信号141により、通常動作モードではシステムクロック142aを選択してフリップフロップ122へ送出し、テストモードではテストクロック142bを選択してフリップフロップ122へ送出する。
Third embodiment:
FIG. 3 shows the configuration of the semiconductor integrated circuit device 103 according to the third embodiment of the present invention. The semiconductor integrated circuit device 103 further includes a clock selector 142 as compared with the configuration of the semiconductor integrated circuit device 101 described above. Other configurations are the same as those of the semiconductor integrated circuit device 101, and a description thereof is omitted here.
The clock selector 142 is supplied with a plurality of different clocks. In this embodiment, two system clocks in the normal operation mode and a test clock in the BIST mode are supplied, but the number is not limited to two, and three or more clocks may be supplied. The clock selector 142 selects any one of the plurality of clocks in synchronization with the control signal selector 140 in accordance with the mode switching described above and sends the selected clock to the clock terminal of the flip-flop 122. In the present embodiment, as described above, the system clock 142a in the normal operation mode and the test clock 142b in the test mode are supplied to the clock selector 142, and the clock selector 142 receives the system switch in the normal operation mode by the mode switching signal 141. The clock 142a is selected and sent to the flip-flop 122. In the test mode, the test clock 142b is selected and sent to the flip-flop 122.

このようにクロックセレクタ142を備えることで、メモリBISTの動作速度を可変とすることができるため、システム要求に応じてシステムロジック120Bの実動作速度と同じ速度(at−speed)でのテストも可能となり、又、実動作速度よりも遅いテスト用のクロックにてテストすることにより解析に利用することも可能となる。   Since the operation speed of the memory BIST can be made variable by providing the clock selector 142 in this way, a test at the same speed (at-speed) as the actual operation speed of the system logic 120B is possible according to the system request. It is also possible to use for analysis by testing with a test clock slower than the actual operation speed.

本発明は、半導体メモリ部をチップ内部で自己検査するBIST回路を内蔵した半導体集積回路装置に適用可能である。   The present invention can be applied to a semiconductor integrated circuit device including a BIST circuit for self-inspecting a semiconductor memory portion inside a chip.

本発明の第1実施形態における半導体集積回路装置の構成を示すブロック図である。1 is a block diagram showing a configuration of a semiconductor integrated circuit device according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第2実施形態における半導体集積回路装置の構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of the semiconductor integrated circuit device in 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第3実施形態における半導体集積回路装置の構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of the semiconductor integrated circuit device in 3rd Embodiment of this invention. 従来のBIST回路を内蔵した半導体集積回路装置の構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of the semiconductor integrated circuit device incorporating the conventional BIST circuit.

符号の説明Explanation of symbols

101〜103…半導体集積回路装置、110…メモリ部、
120…システムロジック部、122…フリップフロップ、
130…テストロジック部、132…コンパレータ、140…制御信号セレクタ、
142…クロックセレクタ。
101-103 ... Semiconductor integrated circuit device, 110 ... Memory part,
120 ... System logic part, 122 ... Flip-flop,
130: Test logic unit, 132: Comparator, 140: Control signal selector,
142: Clock selector.

Claims (5)

半導体メモリ部と、通常動作モードにおいて上記半導体メモリ部にアクセスするシステムロジック部と、上記半導体メモリ部のテストモードにおいて上記半導体メモリ部にアクセスするテストロジック部とを内蔵した半導体集積回路装置において、
上記システムロジック部からのシステム制御信号と上記テストロジック部からのテスト制御信号とのいずれか一方をモード切替に従い選択して送出する制御信号セレクタと、
上記システムロジック部の最終段に配置され上記半導体メモリ部とのインターフェースとなり、上記制御信号セレクタから上記システム制御信号又は上記テスト制御信号のいずれか一方が供給され上記半導体メモリ部へアクセス信号として送出する、上記システムロジック部及び上記テストブロック部で共用されるフリップフロップと、
を備えたことを特徴とする半導体集積回路装置。
In a semiconductor integrated circuit device including a semiconductor memory unit, a system logic unit that accesses the semiconductor memory unit in a normal operation mode, and a test logic unit that accesses the semiconductor memory unit in a test mode of the semiconductor memory unit,
A control signal selector for selecting and sending either a system control signal from the system logic unit or a test control signal from the test logic unit according to mode switching;
It is arranged at the last stage of the system logic unit and serves as an interface with the semiconductor memory unit. Either the system control signal or the test control signal is supplied from the control signal selector and sent as an access signal to the semiconductor memory unit. A flip-flop shared by the system logic unit and the test block unit;
A semiconductor integrated circuit device comprising:
上記テストロジック部は、上記アクセス信号による上記半導体メモリのデータ出力値と該データ出力値に対応する期待値との比較を、上記フリップフロップによる上記半導体メモリへのパイプライン化されたアクセスに対応したタイミングにて行うコンパレータを有する、請求項1記載の半導体集積回路装置。   The test logic unit corresponds to a pipelined access to the semiconductor memory by the flip-flop, comparing the data output value of the semiconductor memory by the access signal and an expected value corresponding to the data output value. The semiconductor integrated circuit device according to claim 1, further comprising a comparator that performs timing. 複数の上記半導体メモリ部を備え、これに対応してそれぞれ複数の上記制御信号セレクタ及び上記フリップフロップを備える、請求項1又は2記載の半導体集積回路装置。   3. The semiconductor integrated circuit device according to claim 1, further comprising a plurality of the semiconductor memory units, and each of the plurality of the control signal selectors and the flip-flops correspondingly. それぞれの上記フリップフロップから、対応するそれぞれの上記半導体メモリ部へ上記アクセス信号がアクセスするとき、複数の上記フリップフロップのいずれか一つは、上記アクセス信号を上記テストロジック部にフィードバックする、請求項3記載の半導体集積回路装置。   The one of the plurality of flip-flops feeds back the access signal to the test logic unit when the access signal accesses the corresponding semiconductor memory unit from each of the flip-flops. 4. The semiconductor integrated circuit device according to 3. 互いに異なる複数のクロックが供給され、上記モード切替に応じて上記制御信号セレクタと同期して上記複数のクロックからいずれか一つを選択して上記フリップフロップ回路へ送出するクロックセレクタをさらに備えた、請求項1又は2記載の半導体集積回路装置。   A plurality of different clocks are supplied, and further includes a clock selector that selects one of the plurality of clocks in synchronization with the control signal selector according to the mode switching and sends the selected clock to the flip-flop circuit. The semiconductor integrated circuit device according to claim 1.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004206751A (en) * 2002-12-24 2004-07-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor device

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10275079A (en) * 1997-03-28 1998-10-13 Kazunori Asanaka Circuit quantity deleting method for parallel arithmetic circuit
JP2004206751A (en) * 2002-12-24 2004-07-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor device
JP2005243176A (en) * 2004-02-27 2005-09-08 Fujitsu Ltd Semiconductor device and voltage control method
JP2006155682A (en) * 2004-11-25 2006-06-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd Lsi test circuit
JP2007294015A (en) * 2006-04-25 2007-11-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor integrated circuit and bist circuit design method
JP2008084461A (en) * 2006-09-28 2008-04-10 Nec Electronics Corp Test control circuit

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10275079A (en) * 1997-03-28 1998-10-13 Kazunori Asanaka Circuit quantity deleting method for parallel arithmetic circuit
JP2004206751A (en) * 2002-12-24 2004-07-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor device
JP2005243176A (en) * 2004-02-27 2005-09-08 Fujitsu Ltd Semiconductor device and voltage control method
JP2006155682A (en) * 2004-11-25 2006-06-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd Lsi test circuit
JP2007294015A (en) * 2006-04-25 2007-11-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor integrated circuit and bist circuit design method
JP2008084461A (en) * 2006-09-28 2008-04-10 Nec Electronics Corp Test control circuit

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004206751A (en) * 2002-12-24 2004-07-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor device
JP4512314B2 (en) * 2002-12-24 2010-07-28 パナソニック株式会社 Semiconductor device

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