JP2008203674A - Liquid crystal display - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、液晶表示装置に係り、特に画素電極と共通電極とが絶縁膜を介して積層された構成を有する液晶表示装置に関する。 The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly to a liquid crystal display device having a configuration in which a pixel electrode and a common electrode are stacked via an insulating film.
FFS(Fringe Field Switching)方式の液晶表示装置では、液晶の配向を制御する画素電極と共通電極との両方が同じ基板に設けられており、この2つの電極は絶縁膜を介して積層されている。当該電極のうちで上側の電極すなわち液晶層側の電極にはスリットが設けられている。スリットの長手方向(長辺方向)と略平行にラビング処理がなされ、上記電極間の電圧がオフ電圧の場合、液晶分子はスリットの長手方向と略平行に配向する(初期配向状態)。オフ電圧よりも高い電圧を上記電極間に印加した場合、当該電極間にはスリットを通って電界が生じる。この電界はスリットの長辺に対して垂直な方向に発生し、液晶分子は当該電界方向に沿うように基板に平行な面内で回転する。液晶分子の回転角を制御することによって、透過光量が制御される。 In an FFS (Fringe Field Switching) type liquid crystal display device, both a pixel electrode for controlling the alignment of liquid crystal and a common electrode are provided on the same substrate, and these two electrodes are laminated via an insulating film. . Among the electrodes, the upper electrode, that is, the electrode on the liquid crystal layer side is provided with a slit. When the rubbing process is performed substantially parallel to the longitudinal direction (long side direction) of the slit and the voltage between the electrodes is an off voltage, the liquid crystal molecules are aligned substantially parallel to the longitudinal direction of the slit (initial alignment state). When a voltage higher than the off voltage is applied between the electrodes, an electric field is generated between the electrodes through a slit. This electric field is generated in a direction perpendicular to the long side of the slit, and the liquid crystal molecules rotate in a plane parallel to the substrate along the electric field direction. The amount of transmitted light is controlled by controlling the rotation angle of the liquid crystal molecules.
画素電極が上電極の場合、スリットを通る上記電界の他に、隣接する画素電極間にわたる電界が発生しうる。隣接画素電極間の電界がラビング方向と交差する領域では、液晶分子が初期配向状態からずれるので、当該領域の透過率が高くなり、光漏れが発生してしまう。 When the pixel electrode is an upper electrode, in addition to the electric field passing through the slit, an electric field extending between adjacent pixel electrodes can be generated. In the region where the electric field between adjacent pixel electrodes intersects the rubbing direction, the liquid crystal molecules deviate from the initial alignment state, so that the transmittance of the region becomes high and light leakage occurs.
図6に上記光漏れの様子を説明する図を示す。図6は、画素電極のスリット部663とスリット部663を挟んで並ぶ枝部662とを横切る断面、すなわちラビング方向を横切る断面について、透過率をシミュレーションした図である。なお、画素電極は不図示の絶縁膜を介して共通電極640と積層されている。図6には、隣接画素電極間領域540と当該領域540を挟んで並ぶ2つの画素電極領域530とを図示し、画素電極領域530の階調レベルが約20%の場合を例示している。
FIG. 6 is a diagram for explaining the state of light leakage. FIG. 6 is a diagram in which transmittance is simulated for a cross section that crosses the
図6によれば、画素電極領域530での透過率に比べて、隣接画素電極間領域540での透過率が高くなる場合があることが分かる。この場合、画素電極領域530よりも隣接画素電極間領域540の方が輝度が高くなり、表示品位が低下するという問題がある。
As can be seen from FIG. 6, the transmittance in the
一般に、隣接画素電極間の距離が短いほど、隣接画素電極間の電界は強くなる。このため、高精細化が進むほど、隣接画素電極間領域540での光漏れが発生しやすい。
Generally, the shorter the distance between adjacent pixel electrodes, the stronger the electric field between adjacent pixel electrodes. For this reason, as the definition becomes higher, light leakage in the adjacent
また、隣接画素電極間領域540の液晶分子は、両側の画素電極の電位変動の影響を受けるので、配向状態が不安定である。このため、隣接画素電極間領域540での光漏れは、フリッカーのようにちらつき、強調されて見える傾向にある。この点においても、表示品位が低下するという問題がある。
In addition, the liquid crystal molecules in the
ここで、上記光漏れを防止する対策として、隣接画素電極間領域540を遮光膜によって遮光することが考えられる。しかし、上記ちらつきを抑制するためには、隣接画素電極間領域540から斜め方向へ出射する光を含めて遮光する必要がある。このため、遮光膜の拡大を招くことになる。一般に、FFS方式の構造では画素電極と共通電極との積層構造によって保持容量が形成されるので、保持容量が別個に設けられた構造に比べて開口率が高いという特長がある。上記の遮光膜の拡大はFFSの特長を低減する可能性がある。
Here, as a measure for preventing the light leakage, it is conceivable that the inter-adjacent
また、一般に、電位差が大きい箇所およびその付近では部分的な焼付きが生じやすい。このため、例えばライン反転駆動や高精細化によって隣接画素電極間領域540に大きな電位差が印加されると、当該領域540に焼付きが生じやすくなり、表示品位が低下するという問題がある。
In general, partial seizure is likely to occur at a location where the potential difference is large and in the vicinity thereof. For this reason, for example, when a large potential difference is applied to the adjacent
本発明の目的は、画素電極と共通電極とが絶縁膜を介して積層された構成を有する液晶表示装置であって良好な表示品位を得ることが可能な液晶表示装置を提供することである。 An object of the present invention is to provide a liquid crystal display device having a configuration in which a pixel electrode and a common electrode are stacked with an insulating film interposed therebetween and capable of obtaining good display quality.
本発明に係る液晶表示装置は、一対の基板に液晶層を挟持した液晶表示装置において、前記一対の基板の一方の基板に設けられた絶縁膜を介して積層された画素電極と共通電極と、前記画素電極および前記共通電極よりも液晶層側に配置された配向膜と、をそれぞれ含む複数の画素を備え、前記画素電極と前記共通電極とのうちで前記液晶層側の電極は、前記配向膜のラビング方向と略平行なスリット部を有し、前記画素電極と前記スリット部とよりなる画素電極領域は、前記画素電極と前記共通電極との間の電圧に依存する透過率特性を有し、前記ラビング方向に交差する方向に配列され互いに隣接する前記画素電極の間の領域は、当該隣接する画素電極間の電圧に依存する透過率特性を有し、前記隣接する画素電極間の距離は、前記隣接する画素電極の間の領域の透過率特性が少なくとも一部において前記画素電極領域の透過率特性と同等以下になる距離であることを特徴とする。上記構成によれば、隣接する画素電極の間の領域での光漏れ等が抑制される。したがって、良好な表示品位が得られる。 The liquid crystal display device according to the present invention is a liquid crystal display device in which a liquid crystal layer is sandwiched between a pair of substrates, a pixel electrode and a common electrode stacked via an insulating film provided on one of the pair of substrates, A plurality of pixels each including an alignment film disposed closer to the liquid crystal layer than the pixel electrode and the common electrode, and the electrode on the liquid crystal layer side of the pixel electrode and the common electrode is the alignment The pixel electrode region having a slit portion substantially parallel to the rubbing direction of the film and having the pixel electrode and the slit portion has a transmittance characteristic depending on a voltage between the pixel electrode and the common electrode. The region between the adjacent pixel electrodes arranged in a direction crossing the rubbing direction has a transmittance characteristic depending on the voltage between the adjacent pixel electrodes, and the distance between the adjacent pixel electrodes is The adjoining Wherein the transmission characteristics of the region between that pixel electrode is transmittance characteristic and the distance to be equal to or less than the pixel electrode region at least in part. According to the above configuration, light leakage or the like in a region between adjacent pixel electrodes is suppressed. Therefore, good display quality can be obtained.
なお、前記隣接する画素電極に前記共通電極を基準にした互いに逆極性の電位が印加されることが好ましい。一般に、隣接する画素電極に互いに逆極性の電位が印加された場合、同極性の電位が印加された場合に比べて、当該隣接する画素電極間の電圧が高くなる。しかし、上記構成によれば、良好な表示品位を得ることができる。 In addition, it is preferable that potentials having opposite polarities based on the common electrode are applied to the adjacent pixel electrodes. Generally, when potentials having opposite polarities are applied to adjacent pixel electrodes, the voltage between the adjacent pixel electrodes is higher than when potentials having the same polarity are applied. However, according to the above configuration, good display quality can be obtained.
本発明に係る液晶表示装置は、一対の基板に液晶層を挟持した液晶表示装置において、前記一対の基板の一方の基板に設けられた絶縁膜を介して積層された画素電極と共通電極と、前記画素電極および前記共通電極よりも液晶層側に配置された配向膜と、をそれぞれ含む複数の画素を備え、前記画素電極と前記共通電極とのうちで前記液晶層側の電極は、前記配向膜のラビング方向と略平行なスリット部を有し、隣接する前記画素電極の間の距離は、少なくとも60%以下の範囲の電圧において、前記隣接する画素電極の間の電界強度が前記画素電極と前記スリット部とよりなる画素電極領域の電界強度と同等以下になる距離であることを特徴とする。上記構成によれば、隣接する画素電極の間の領域での光漏れ等が抑制される。したがって、良好な表示品位が得られる。 The liquid crystal display device according to the present invention is a liquid crystal display device in which a liquid crystal layer is sandwiched between a pair of substrates, a pixel electrode and a common electrode stacked via an insulating film provided on one of the pair of substrates, A plurality of pixels each including an alignment film disposed closer to the liquid crystal layer than the pixel electrode and the common electrode, and the electrode on the liquid crystal layer side of the pixel electrode and the common electrode is the alignment A slit portion that is substantially parallel to the rubbing direction of the film, and the distance between the adjacent pixel electrodes is at least 60% or less of the voltage, and the electric field strength between the adjacent pixel electrodes is The distance is equal to or less than the electric field strength of the pixel electrode region formed by the slit portion. According to the above configuration, light leakage or the like in a region between adjacent pixel electrodes is suppressed. Therefore, good display quality can be obtained.
図1および図2に本発明の実施の形態に係る液晶表示装置10の表示領域の一部について断面図および平面図を示す。図1は、図2中の1−1線における断面図に相当する。図2には、2行3列にマトリクス配列された画素20を例示しており、図面の煩雑化を避けるため2個の画素20についてのみ太い破線で例示している。なお、図2では図1中に図示した要素の一部を省略している。
1 and 2 are a cross-sectional view and a plan view of a part of the display area of the liquid
液晶表示装置10は、対向配置された2枚の支持基板110,210と、当該2枚の支持基板110,210間に挟持された液晶層300とを含んでいる。支持基板110,210は、例えばガラス板等の透光性基板で構成可能である。液晶層300の厚さはセルギャップに対応し、例えば2〜4μmである。
The liquid
液晶表示装置10は、支持基板110の液晶層300側に、配線120と、絶縁膜130と、共通電極140と、絶縁膜150と、画素電極160と、配向膜170とを含んでいる。
The liquid
配線120は、例えばゲート線、表示信号線等であり、図1では支持基板110上に配置されている場合を例示している。絶縁膜130は、配線120を覆って配置されており、図1では支持基板110上に配置されている場合を例示している。
The
共通電極140は、絶縁膜130上に配置されている。共通電極140は、例えばITO(Indium Tin Oxide)等の透光性導電膜で構成可能である。共通電極140によって各画素20に共通の電位が供給される。ここでは、共通電極140が、全ての画素20にわたって配置された導電膜で構成される場合を例示するが、例えば、共通電極140を画素20ごとに分割し、これら複数の分割電極を配線で接続してもよい。また、例えば、全画素20を複数のグループに分け、当該グループごとに共通電極140を分割配置することも可能である。
The
画素電極160は、絶縁膜150を介して共通電極140上に積層されている。画素電極160は、例えばITO等の透光性導電膜で構成可能である。画素電極160は、各画素20にそれぞれ設けられている。画素電極160は不図示のスイッチング素子、例えばトランジスタを介して表示信号線に接続されている。これにより、画素電極160には、表示信号線からスイッチング素子を介して、その画素20の表示に応じた電位が供給される。
The
画素電極160は、1本の幹部(または背部)161と、複数の枝部(または歯部)162とを含んでいる。枝部162は、スリット部(または溝部)163を挟んで配列されており、スリット部163とともにライン・アンド・スペースのパターンを構成している。なお、枝部162とスリット部163の数は図示の例示に限られるものではない。複数の枝部162は、一端において、幹部161で繋がれている。すなわち、画素電極160は、くし歯形状をしている。なお、枝部162の幅は例えば2.5〜3.5μmであり、枝部162間の間隔すなわちスリット部163の幅は例えば4.0〜5.0μmである。なお、画素電極160の輪郭線の角部(コーナー部)は、角張っていてもよいし、丸まった形状でもよい。
The
ここでは、枝部162およびスリット部163が図2中における図示の横方向(換言すれば図示の左右方向)に延伸する場合を例示し、この形態を「横スリット型」と呼ぶことにする。また、ここでは、図示の縦方向(換言すれば図示の上下方向)に並ぶ画素電極160は、くし歯形状の開放端の向き、換言すればくし歯形状の幹部161の位置を交互にして配列されている場合を例示する。
Here, the case where the
共通電極140は画素電極160のスリット部163だけでなく幹部161および枝部162にも対向しており、両電極140,160は絶縁膜150を介して保持容量を構成している。
The
配向膜170は、画素電極160を覆って積層されている。配向膜170の液晶層300に接する表面は、枝部162およびスリット部163の長手方向に略平行に、例えば当該長手方向に対して約5°〜10°傾いた方向にラビングされている。図2にはラビング方向Rの一例を矢印によって模式的に図示している。
The
液晶表示装置10は、支持基板110の液晶層300とは反対側に不図示の偏光板を含んでいる。
The liquid
液晶表示装置10は、支持基板210の液晶層300側に、遮光膜220と、カラーフィルタ230とを含んでいる。遮光膜220は、例えば樹脂で構成可能である。遮光膜220には画素20ごとに、画素電極160に対向して開口部が形成されている。各開口部には、その画素20の表示色に応じた色相のカラーフィルタ230が配置されている。図1では遮光膜220およびカラーフィルタ230が支持基板210上に配置されている場合を例示している。
The liquid
液晶表示装置10は、カラーフィルタ230を覆って順次、積層された不図示のオーバーコート層と配向膜240とを含んでいる。配向膜240の液晶層300に接する表面は所定方向にラビングされている。また、液晶表示装置10は、支持基板210の液晶層300とは反対側に不図示の偏光板を含んでいる。
The liquid
共通電極140と画素電極160との間の電圧がオフ電圧の場合、電極140,160付近の液晶分子は、ラビング方向Rに配向している(初期配向状態)。オフ電圧よりも高い電圧を電極140,160間に印加すると、電極140,160間にスリット部163を通って電界E3が発生する。液晶分子は支持基板110に平行な平面内で回転する。すなわち、液晶(分子)が駆動される。液晶分子の回転角を制御することによって、透過光量が制御される。共通電極140と画素電極160とは、各画素20において電極対を構成し、上記電界E3を各画素20において発生する。
When the voltage between the
なお、例えば上記2つの配向膜170,240のラビング方向と上記2つの偏光板の偏光軸方向との関係によって、液晶表示装置10をノーマリ・ブラック(Normaly Black)型とノーマリ・ホワイト(Normaly White)型とのいずれにも設計可能である。ここでは、液晶表示装置10がノーマリ・ブラック型の場合を例示する。
For example, depending on the relationship between the rubbing direction of the two
上記では画素20がマトリクス配列されている場合を例示したが(図2参照)、画素20をデルタ配列等の他配列にすることも可能である。また、ここでは、画素20の境界が、隣接する画素電極160の間の領域40を二分する位置である場合を例示するが(図1および図2参照)、例えば、画素電極160とスリット部163とからなる領域30(図1および図2参照)を画素20と規定することも可能である。
Although the case where the
なお、上記の隣接する画素電極160の間の領域40を「隣接画素電極間領域40」と呼び、上記領域30を「画素電極領域30」と呼ぶことにする。図2では図面の煩雑化を避けるため、1つの画素電極領域30についてのみ太い破線で例示している。
The
図3に、液晶表示装置10の特性を説明する電圧−透過率特性図(V−T特性図)を例示する。当該特性図において、横軸は電圧を示し、左側縦軸は透過率を示している。なお、透過率は任意単位で図示している。以下に説明する特性線A〜Dは例えばシミュレーションによって得ることが可能である。
FIG. 3 illustrates a voltage-transmittance characteristic diagram (VT characteristic diagram) for explaining the characteristics of the liquid
特性線Aは、画素電極領域30における透過率特性を示している。なお、画素電極領域30の透過率特性は画素20の透過率特性に対応する。特性線Aについては、横軸は、その画素電極領域30に配置された画素電極160と共通電極140との間の電圧を示している。例示の特性線Aでは、画素電極領域30の透過率は、電圧が0V〜約1.3Vの範囲ではほぼ0(ゼロ)であり、電圧が約1.3V〜約4.0Vの範囲では当該電圧の増加に伴って0から約0.75まで増加し、電圧が約4.0V〜約4.5Vの範囲では約07.5で飽和する。このとき、特性線Aの接線の傾き、換言すれば透過率の変化率は、電圧が約1.3V〜約2.0Vの範囲では電圧増加に伴って増大し、電圧が約2.0V〜約3.3Vの範囲ではほぼ一定であり、電圧が約3.3V〜約4.0Vの範囲では電圧増加に伴って減少する。なお、画素電極領域30の最大透過率(0.75)を100%として規格化した場合の透過率を、階調レベルとして、V−T特性図の右側横軸に示している。
A characteristic line A indicates a transmittance characteristic in the
特性線B〜Dは、ラビング方向Rに交差する方向(ここでは略直交する方向であり図2の縦方向)に配列され互いに隣接する画素電極160の間の領域40における透過率特性を示している。当該領域40の幅、すなわち領域40を挟んで隣接する画素電極160の間の距離をd(図1および図2参照)とした場合、d=4μm、7μm、10μmの各場合が各特性線B,C,Dに対応する。特性線B〜Dについては、横軸は、隣接する画素電極160間の電圧を示している。
Characteristic lines B to D indicate transmittance characteristics in the
例示の特性線Bでは、隣接画素電極間領域40の透過率は、電圧が0V〜約1.0Vの範囲ではほぼ0(ゼロ)であり、電圧が約1.0V〜約2.2Vの範囲では0から約0.85まで増加し、電圧が約2.2Vにおいてピークとなり、電圧が約2.2V〜約4.5Vの範囲では約0.85から約0.2まで減少する。このとき、特性線Bの接線の傾き、換言すれば透過率の変化率は、電圧が約1.0V〜約1.5Vの範囲では増大し、電圧が約1.5V〜約2.0Vの範囲ではほぼ一定であり、電圧が約2.0V〜約2.2Vの範囲では減少し、電圧が約2.2V〜約3.2Vの範囲ではほぼ一定であり、電圧が約3.2V〜約4.5Vの範囲では減少する。
In the exemplary characteristic line B, the transmittance of the inter-adjacent
例示の特性線Cでは、隣接画素電極間領域40の透過率は、電圧が0V〜約1.8Vの範囲ではほぼ0(ゼロ)であり、電圧が約1.8V〜約3.5Vの範囲では0から約0.92まで増加し、電圧が約3.5Vにおいてピークとなり、電圧が約3.5V〜約4.5Vの範囲では約0.92から約0.8まで減少する。このとき、特性線Cの接線の傾き、換言すれば透過率の変化率は、電圧が約1.8V〜約2.5Vの範囲では増大し、電圧が約2.5V〜約3.0Vの範囲ではほぼ一定であり、電圧が約3.0V〜約3.5Vの範囲では減少し、電圧が約3.5V〜約4.5Vの範囲では増大する。
In the exemplary characteristic line C, the transmittance of the inter-adjacent
例示の特性線Dでは、隣接画素電極間領域40の透過率は、電圧が0V〜約2.4Vの範囲ではほぼ0(ゼロ)であり、電圧が約2.4V〜約4.5Vの範囲では0から約0.55まで増加する。このとき、特性線Dの接線の傾き、換言すれば透過率の変化率は、電圧が約2.4V〜約3.5Vの範囲では増大し、電圧が約3.5V〜約4.5Vの範囲ではほぼ一定である。
In the exemplary characteristic line D, the transmittance of the inter-adjacent
特性線B〜Dを比較すると、特性線B〜D中で透過率が増加する部分の傾きは、隣接する画素電極160の間の距離dの増大に伴って、小さくなる(緩やかになる)傾向があることが分かる。
When the characteristic lines B to D are compared, the inclination of the portion where the transmittance increases in the characteristic lines B to D tends to decrease (become gentle) as the distance d between the
ここで、特性線B,Cでは上記のピークを境にして透過率が低下する。これは、以下の理由によると考えられる。すなわち、隣接する画素電極160間の電位差が大きい場合、当該電極160間の電界E4(図1参照)では支持基板110に垂直な方向の成分が強くなる。この垂直方向成分によって液晶分子が支持基板110に対して傾いて配向するので、透過率が低下するものと考えられる。また、特性線Dの場合、隣接する画素電極160の間の距離dが長いので、上記の電圧範囲内では電界E4の垂直方向成分が弱いものと考えられる。
Here, in the characteristic lines B and C, the transmittance decreases with the above peak as a boundary. This is considered to be due to the following reason. That is, when the potential difference between the
図3のV−T特性図によれば、液晶駆動電圧範囲(ここでは0V〜約4.5Vの範囲とする)内の全域において、特性線Dは特性線Aよりも下側に位置している。つまり、隣接画素電極間領域40の透過率は、液晶駆動電圧範囲の全域において、画素電極領域30の透過率よりも低い。このため、隣接画素電極間領域40が特性線Dの透過率特性を有する場合、当該領域40での光漏れを抑制可能である。また、光漏れの輝度は画素電極領域30の輝度よりも低いので、光漏れがちらついた場合であっても、認識されにくい。したがって、d=10μmの場合、良好な表示品位が得られる。このとき、遮光膜の拡張によって光漏れ等を遮光する構成とは異なり、開口率の低下を招くことがない。
According to the VT characteristic diagram of FIG. 3, the characteristic line D is located below the characteristic line A in the entire range within the liquid crystal driving voltage range (here, the range of 0 V to about 4.5 V). Yes. That is, the transmittance of the
ここで、上記した液晶分子の配向制御の態様に鑑みれば、特性線A,Dの関係の場合、隣接する画素電極160が領域40に形成する電界E4の強度は、画素電極領域30において画素電極160と共通電極140との間に形成される電界E3の強度よりも低い。このため、隣接画素電極間領域40での焼付きを抑制可能である。したがって、当該焼付きが画素電極領域30での表示に及ぼす影響を抑制することができ、良好な表示品位が得られる。
Here, in view of the above-described aspect of controlling the alignment of liquid crystal molecules, in the case of the relationship between the characteristic lines A and D, the intensity of the electric field E4 formed in the
また、特性線Cは、液晶駆動電圧範囲の一部(ここでは電圧が0V〜約2.8Vの範囲)において、特性線Aよりも下側に位置している。つまり、隣接画素電極間領域40の透過率および電界E4は、当該一部範囲において、画素電極領域30の透過率および電界E3よりも低い。このため、当該一部範囲においては、隣接画素電極間領域40での光漏れ等を抑制可能である。ここで、隣接画素電極間領域40での光漏れ等は画素電極領域30の階調レベルが例えば約60%以下の場合に認識されやすい。この点に鑑みれば、d=7μmの場合にも、良好な表示品位が得られる。
The characteristic line C is positioned below the characteristic line A in a part of the liquid crystal driving voltage range (here, the voltage is in the range of 0 V to about 2.8 V). That is, the transmittance and electric field E4 of the adjacent
これに対して、特性線Bは、液晶駆動電圧範囲の一部(ここでは電圧が約3V〜約4.5Vの範囲)では特性線Aよりも下側に位置しているが、階調レベルが約60%以下の範囲で特性線Aを大きく上回っている。このため、d=4μmの場合は、隣接画素電極間領域40での光漏れ等は抑制しがたいと思われる。
On the other hand, the characteristic line B is located below the characteristic line A in a part of the liquid crystal driving voltage range (here, the voltage is in a range of about 3 V to about 4.5 V). Greatly exceeds the characteristic line A in the range of about 60% or less. For this reason, when d = 4 μm, it seems difficult to suppress light leakage or the like in the
上記考察から以下のことが分かる。すなわち、隣接画素電極間領域40のV−T特性の少なくとも一部が、画素電極領域30のV−T特性と同等またはそれ以下になることによって、隣接画素電極間領域40での光漏れ等を抑制することができる。このとき、上記少なくとも一部は、画素電極領域30の階調レベルが約0%以上60%以下になる範囲を含むことが好ましい。または、画素電極領域30の階調レベルが約0%以上60%以下の範囲を少なくとも含む階調範囲に対応した電圧範囲において、隣接画素電極間領域40の電界E4の強度が画素電極領域30の電界E3の強度と同等またはそれ以下になることによって、上記光漏れ等が認識されるのを抑制することができる。つまり、隣接する画素電極160の間の距離dが、少なくとも60%以下の範囲の電圧において、隣接画素電極間領域40の電界強度が画素電極領域30の電界強度と同等以下になる距離であることによって、上記光漏れ等を抑制することができる。
From the above consideration, the following can be understood. That is, at least a part of the VT characteristic of the inter-adjacent
上記のV−T特性または電界強度についての条件は、隣接する画素電極160間の距離dを制御することによって、満たすことが可能である。図3に例示したV−T特性の場合、距離dを7μm以上、より好ましくは8μm以上に設定することによって、上記条件を満足させることが可能である。
The above-described conditions regarding the VT characteristic or the electric field strength can be satisfied by controlling the distance d between the
ここで、例えばライン反転駆動やドット反転駆動によって、隣接する画素電極160には共通電極140の電位を基準にして互いに逆極性の電位が印加される場合がある。この場合、当該隣接画素電極160間の電圧は、同極性の電位が印加された場合に比べて高くなる。しかし、この場合であっても、ラビング方向Rに交差する方向に配列され互いに隣接する画素電極160の間の距離dを上記条件を満たすように設定することによって、光漏れ等を抑制して良好な表示品位を得ることができる。
Here, for example, potentials having opposite polarities may be applied to
なお、ラビング方向Rと略平行に配列され互いに隣接する画素電極160の間の領域40では、画素電極160間の電界E4がラビング方向Rと略平行に形成される。このため、当該領域40における透過率の変化量は小さく、表示に対する影響は小さいと考えられる。
In the
上記では画素電極160が横スリット型の場合を例示した。これに対して、枝部162およびスリット部163を縦方向に延伸させることも可能である。なお、この形態を「縦スリット型」と呼ぶことにする。縦スリット型においても、画素電極160を覆う配向膜は、枝部162およびスリット部163の長手方向に略平行にラビング処理される。また、枝部162およびスリット部163を上記の縦方向または横方向に対して傾いた方向に延伸させることも可能である。なお、その傾斜角が小さい場合、例えば10°以下の場合は、実質的に縦スリット型または横スリット型と同一視することも可能である。
The case where the
また、上記では縦方向に並ぶ画素電極160が、くし歯形状の開放端の向きを交互にして配列されている場合を例示したが、当該開放端を同じ側に向けて配列することも可能である。また、図4の平面図に示す画素電極160Bを適用することも可能である。画素電極160Bは、上記の画素電極160において枝部162の開放端をもう一つの幹部161で繋いだ形状をしている。この場合、各スリット部163は画素電極160Bの外縁まで到達していないが、画素電極160Bも枝部162とスリット部163とによるライン・アンド・スペースのパターンを含んでいる。
In the above description, the
また、上記では画素電極160が共通電極140よりも液晶層300側に配置された場合すなわち画素電極160が上電極となる場合を例示した。これに対して、図5の断面図に示す液晶表示装置10Bのように、共通電極140を上電極にすることも可能である。この場合、共通電極140にスリット部143が設けられるが、当該スリット部143を通って、隣接する画素電極160間に電界E4が生じる可能性がある。しかし、上記と同様に距離dを設定することによって、液晶表示装置10Bおいても良好な表示品位を得ることができる。
Further, the case where the
10,10B 液晶表示装置、20 画素、30 画素電極領域、40 隣接画素電極間領域、110,210 基板、140 共通電極、150 絶縁膜、160,160B 画素電極、163,143 スリット部、170 配向膜、300 液晶層、A〜D 特性線、E3,E4 電界、R ラビング方向、d 距離。 10, 10B liquid crystal display device, 20 pixels, 30 pixel electrode area, 40 adjacent pixel electrode area, 110, 210 substrate, 140 common electrode, 150 insulating film, 160, 160B pixel electrode, 163, 143 slit, 170 alignment film , 300 liquid crystal layer, A to D characteristic lines, E3, E4 electric field, R rubbing direction, d distance.
Claims (3)
前記一対の基板の一方の基板に設けられた絶縁膜を介して積層された画素電極と共通電極と、前記画素電極および前記共通電極よりも液晶層側に配置された配向膜と、をそれぞれ含む複数の画素を備え、
前記画素電極と前記共通電極とのうちで前記液晶層側の電極は、前記配向膜のラビング方向と略平行なスリット部を有し、
前記画素電極と前記スリット部とよりなる画素電極領域は、前記画素電極と前記共通電極との間の電圧に依存する透過率特性を有し、
前記ラビング方向に交差する方向に配列され互いに隣接する前記画素電極の間の領域は、当該隣接する画素電極間の電圧に依存する透過率特性を有し、
前記隣接する画素電極間の距離は、前記隣接する画素電極の間の領域の透過率特性が少なくとも一部において前記画素電極領域の透過率特性と同等以下になる距離であることを特徴とする液晶表示装置。 In a liquid crystal display device in which a liquid crystal layer is sandwiched between a pair of substrates,
A pixel electrode and a common electrode laminated via an insulating film provided on one of the pair of substrates, and an alignment film disposed on the liquid crystal layer side of the pixel electrode and the common electrode, respectively. With multiple pixels,
Of the pixel electrode and the common electrode, the electrode on the liquid crystal layer side has a slit portion substantially parallel to the rubbing direction of the alignment film,
A pixel electrode region composed of the pixel electrode and the slit portion has a transmittance characteristic that depends on a voltage between the pixel electrode and the common electrode,
A region between the pixel electrodes arranged adjacent to each other in a direction crossing the rubbing direction has a transmittance characteristic that depends on a voltage between the adjacent pixel electrodes,
The distance between the adjacent pixel electrodes is a distance in which a transmittance characteristic of a region between the adjacent pixel electrodes is at least partially equal to or less than a transmittance characteristic of the pixel electrode region. Display device.
前記隣接する画素電極に前記共通電極を基準にした互いに逆極性の電位が印加されることを特徴とする液晶表示装置。 The liquid crystal display device according to claim 1,
A liquid crystal display device, wherein potentials having opposite polarities with respect to the common electrode are applied to the adjacent pixel electrodes.
前記一対の基板の一方の基板に設けられた絶縁膜を介して積層された画素電極と共通電極と、前記画素電極および前記共通電極よりも液晶層側に配置された配向膜と、をそれぞれ含む複数の画素を備え、
前記画素電極と前記共通電極とのうちで前記液晶層側の電極は、前記配向膜のラビング方向と略平行なスリット部を有し、
隣接する前記画素電極の間の距離は、少なくとも60%以下の範囲の電圧において、前記隣接する画素電極の間の電界強度が前記画素電極と前記スリット部とよりなる画素電極領域の電界強度と同等以下になる距離であることを特徴とする液晶表示装置。 In a liquid crystal display device in which a liquid crystal layer is sandwiched between a pair of substrates,
A pixel electrode and a common electrode laminated via an insulating film provided on one of the pair of substrates, and an alignment film disposed on the liquid crystal layer side of the pixel electrode and the common electrode, respectively. With multiple pixels,
Of the pixel electrode and the common electrode, the electrode on the liquid crystal layer side has a slit portion substantially parallel to the rubbing direction of the alignment film,
The distance between the adjacent pixel electrodes is equal to or higher than the electric field strength of the pixel electrode region formed by the pixel electrode and the slit portion, in a voltage range of at least 60% or less. A liquid crystal display device characterized in that the distance is as follows.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2011164471A (en) * | 2010-02-12 | 2011-08-25 | Sony Corp | Liquid crystal display device and electronic apparatus |
CN103383502A (en) * | 2012-09-24 | 2013-11-06 | 友达光电股份有限公司 | Marginal field switching type liquid crystal display panel |
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US9223180B2 (en) | 2012-09-24 | 2015-12-29 | Au Optronics Corporation | Fringe field switching mode liquid crystal display panel |
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