JP2008198648A - X-ray imaging apparatus - Google Patents

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Masaki Atsuta
Takeshi Hioki
Kentaro Miura
健太郎 三浦
毅 日置
昌己 熱田
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Toshiba Corp
株式会社東芝
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an X-ray imaging apparatus which can obtain a high definition X-ray image by preventing the occurrence of strain on the boundary of layers of different materials.
SOLUTION: The X-ray imaging apparatus comprises a phosphor film 102, a photoelectric conversion part 103 provided on the phosphor film 102, an insulating film 301 provided on the surface of the photoelectric conversion part 103 opposing the surface on which the phosphor film 102 is provided, a plurality of switching elements 402 provided through the insulating film 301 in correspondence with a plurality of pixels arranged in array on the photoelectric conversion part 103, and a pixel electrode 502 for connecting the switching element 402 and the photoelectric conversion part 103 electrically through a contact hole 304 provided in the insulating film 301.
COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、医用X線診断装置等に用いられるX線撮像装置に関する。 The present invention relates to an X-ray imaging device used in medical X-ray diagnostic apparatus or the like.

近年、医療分野においては、治療を迅速的確に行う目的で患者の医療データをデータベース化する方向に進んでおり、X線撮影においてもその画像データのデジタル化が要求されている。 Recently, in the medical field, therapeutic and moving towards a database of medical data for patients with rapidly accurately performed purpose, digitalization of the image data have been required even in X-ray imaging. そこで最近、薄膜トランジスタアレイを用いたX線撮像装置が開発されている。 Therefore recently, X-rays imaging apparatus using the thin film transistor array has been developed.

従来、このようなX線撮像装置には、X線電荷変換部として、X線電荷変換膜を用いて、X線を直接的に電気信号(電荷)に変換する直接変換型と、X線を蛍光体で一旦可視光に変換し、この可視光を光電変換膜で電荷に変換する間接変換型の2種類が知られている。 Traditionally, such X-ray imaging apparatus, an X-ray charge conversion unit, using the X-ray charge conversion film, and a direct conversion type that converts X-rays directly into an electric signal (charge), the X-ray once the phosphor and converted into visible light, the two types of indirect conversion type that converts the visible light into electric charges through photoelectric conversion film has been known. この2方式は、基本的に、どちらも電気信号の読み出し部は同じ構造が用いられている。 The two methods are basically reading of both electrical signals have the same structure is used. すなわち、X線撮像装置は、薄膜トランジスタ(以下、TFTという)からなる単位画素をアレイ状に配置し、X線により直接的に、または、間接的に発生した電荷を画素電極により収集し、TFTを逐次駆動させることにより、この電荷を読み出して画像を得る装置である。 That, X-ray imaging apparatus, a thin film transistor (hereinafter, referred to as TFT) a unit pixel consisting arranged in an array, either directly by X-ray, or, indirectly the generated charges are collected by the pixel electrode, the TFT by sequentially driven, a device for obtaining an image by reading out the charges.

このようなX線撮像装置は、従来、TFTアレイ基板を先に製造し、このTFTアレイ基板の上に、化学的気相成長(CVD)法や物理的気相成長(PVD)法を用いてX線電荷変換膜を成長していたが、TFTアレイ基板にはTFTや配線部の凹凸があるため、このような段差のある箇所にX線電変換膜を成膜した場合には、その段差の影響によりその部分で特性が劣化するという問題があった。 Such X-ray imaging apparatus, conventionally, to produce a TFT array substrate before, on the TFT array substrate, by chemical vapor deposition (CVD) or physical vapor deposition (PVD) method It had grown X-ray charge conversion film, since the TFT array substrate has unevenness of the TFT and the wiring section, when depositing the X-ray photoelectric conversion film into place with such a step, the step characteristics at that portion is deteriorated by the influence.

このような問題を解決する方法として、ガラス基板上に共通電極、CdTe膜からなるX線電荷変換膜を形成し、このCdTe膜上にTFT、画素容量、保護膜を形成するという従来とは逆の順序でそれぞれを形成する直接変換型の2次元X線センサの製造方法が開示されている(例えば、特許文献1)。 As a method for solving such a problem, a common electrode on a glass substrate, to form a X-ray charge conversion film made of CdTe films, TFT on the CdTe film, the pixel capacity, contrary to the prior art of forming a protective film method for manufacturing a direct conversion type two-dimensional X-ray sensor for in order form, respectively, are disclosed (e.g., Patent Document 1).
特開2001−291854号公報 JP 2001-291854 JP

このように、上記特許文献1記載の技術では、X線電荷変換膜を平坦で均一な面上に成膜できるという効果を奏する。 Thus, in the technology described in Patent Document 1, an effect that the X-ray charge conversion film can be formed on a flat, uniform surface.

しかしながら、直接変換型に用いられるX線電荷変換膜には、変換された電荷を検出する画素電極が直接X線電荷変換膜にコンタクトされている必要がある。 However, the X-ray charge conversion film to be used in the direct conversion type, it is necessary to have the pixel electrodes for detecting a converted charge is contact to the X-ray charge conversion film directly. この場合、画素電極は、X線電荷変換膜の表面全面に均一に形成されるわけではなく、例えば、特許文献1に図示されているように基板や絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して電気的に接続される構造となる。 In this case, the pixel electrode is not necessarily formed uniformly on the entire surface of the X-ray charge conversion film, for example, via a contact hole provided in a substrate or an insulating film as illustrated in Patent Document 1 a structure that is electrically connected. そのため、構造上どうしても、X線電荷変換膜は、材質が異なる2つ以上の層とその表面上で接触することになる。 Therefore, structurally inevitably, X-rays charge conversion film would material is in contact on two or more different layers and the surface. このため、X線電荷変換膜は、材質が異なる層間の境界上に位置する部分で軽微な歪みを生じる。 Therefore, X-rays charge conversion film results in minor distortions in the portion located on the boundary of layers made of different materials. この歪みの存在はX線電荷変換膜の特性が劣化につながるため、高画質なX線画像を得るためには限界があった。 The presence of this distortion because the characteristics of the X-ray charge conversion film leads to deterioration, in order to obtain a high-quality X-ray image is limited.

そこで、本発明は、材質が異なる層の境界上の歪みの発生を防止し、高画質なX線画像を得ることができるX線撮像装置を提供することを目的とする。 Accordingly, the present invention prevents the occurrence of distortion on the boundary of the material is different layers, and an object thereof is to provide an X-ray imaging apparatus capable of obtaining a high-quality X-ray image.

本発明に係るX線撮像装置は、入射したX線を光に変換する蛍光体膜と、前記蛍光体膜上に設けられ、前記蛍光体膜で変換した光を電荷に変換する光電変換部と、前記光電変換部上に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜上にアレイ状に配列された複数の画素の各々に対応して設けられた複数のスイッチング素子と、前記絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して、前記スイッチング素子と前記光電変換部とを電気的に接続する画素電極と、を備えたことを特徴とする。 X-ray imaging apparatus according to the present invention, a phosphor film for converting incident X-rays into light, and the provided on the phosphor layer, a photoelectric conversion unit for converting the light converted by the phosphor layer to the charge an insulating film provided on the photoelectric conversion unit, and a plurality of switching elements provided corresponding to each of a plurality of pixels arranged in an array on the insulation film, provided on the insulating film via a contact hole, characterized by comprising a pixel electrode for electrically connecting the switching element and the photoelectric conversion unit.

本発明によれば、材質が異なる層の境界上の歪みの発生を防止し、高画質なX線画像を得ることができるX線撮像装置が提供される。 According to the present invention, to prevent the occurrence of distortion on the boundary of the material is different layers, X-ray imaging apparatus is provided which can obtain a high-quality X-ray image.

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。 It will be described in detail with reference to the drawings, embodiments of the present invention. 以下の図面の記載において、同一の部分には同一の符号を付し、重複する記載は省略する。 In the drawings, the same parts are identified by the same reference numerals, repetitive description will be omitted. また、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものと異なる。 The drawings are schematic, and the relation between thickness and planar dimensions, ratios of thicknesses of respective layers are different from actual ones. 更に、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている。 Moreover, dimensional relationships and ratios are different are included also in mutually drawings.

(第1の実施形態) (First Embodiment)
図1は第1の実施形態に係るX線撮像装置の平面回路図である。 Figure 1 is a plan circuit diagram of an X-ray imaging apparatus according to the first embodiment.

本実施形態に係るX線撮像装置は、図1に示すように、マトリクス状に配置された複数の画素ei. X-ray imaging apparatus according to the present embodiment, as shown in FIG. 1, a plurality of pixels arranged in a matrix ei. j(i,j=1、2・・・)を備えている。 It has a j (i, j = 1,2 ···). 各画素ei. Each pixel ei. jは、X線電荷変換部210と、スイッチングTFT(以下、単に、TFTという)402と、を備えている。 j is an X-ray charge conversion unit 210, a switching TFT (hereinafter, simply, TFT hereinafter) includes a 402, a.

X線電荷変換部210には、電源109によって負のバイアス電圧が印加される。 The X-ray charge conversion unit 210, a negative bias voltage is applied by the power supply 109. TFT402は、信号線408と走査線606に接続されており、走査線駆動回路607によってオン/オフが制御される。 TFT402 is connected to the signal line 408 to the scanning line 606, the on / off controlled by the scanning line driving circuit 607. 信号線408の終端は増幅器310を介してシフトレジスタ608に接続されている。 End of the signal line 408 is connected to the shift register 608 through the amplifier 310.

図2は第1の実施形態に係る1画素におけるX線撮像装置の平面図であり、図3は図2におけるA−A方向に係る断面図である。 Figure 2 is a plan view of the X-ray imaging apparatus in one pixel according to the first embodiment, FIG. 3 is a sectional view according to A-A direction in FIG. 2.

本実施形態に係るX線撮像装置は、図2、図3に示すように、金属反射膜101と、金属反射膜101上に設けられ、入射したX線を光に変換する蛍光体膜102と、蛍光体膜102の金属反射膜101が設けられた面に対向する面に設けられた透明電極204と、透明電極204の蛍光体膜102が設けられた面に対向する面に設けられ、蛍光体膜102で変換した光を電荷に変換する光電変換部103と、光電変換部103上に設けられ、光電変換部103で発生した電荷を信号線408に逐次出力するTFT402と、TFT402上に設けられたパッシベーション層306と、パッシベーション層306上に設けられた接着層307と、接着層307上に設けられた支持基板308とを備える。 X-ray imaging apparatus according to the present embodiment, as shown in FIG. 2, FIG. 3, a metal reflective film 101 is provided on the metal reflecting film 101, and the phosphor film 102 which converts the X-rays incident on the light , a transparent electrode 204 provided on a surface facing the surface on which the metal reflective layer 101 of the phosphor film 102 is provided, the phosphor film 102 of the transparent electrode 204 is provided on a surface opposed to the surface provided, fluorescent a photoelectric conversion unit 103 for converting the light converted by the body layer 102 in the charge, and is provided on the photoelectric conversion unit 103, sequentially outputs a charge generated in the photoelectric conversion unit 103 to the signal line 408 TFT 402, provided on TFT 402 It includes a passivation layer 306 that is, the adhesive layer 307 provided on the passivation layer 306, and a supporting substrate 308 which is provided on the adhesive layer 307.

金属反射膜101は、例えば、Al等が好適に用いられる。 Metal reflective film 101 is, for example, Al or the like is preferably used.

蛍光体膜102は、例えば、Gd S:Tb、CsI、ZnS、Y Gd 2−x 、CdWO 等が好適に用いられる。 Phosphor film 102 is, for example, Gd 2 o 2 S: Tb , CsI, ZnS, Y x Gd 2-x O 3, CdWO 4 or the like is preferably used.

透明電極204は、例えば、ITO等が好適に用いられる。 The transparent electrode 204 is, for example, ITO or the like is preferably used.

光電変換部103は、透明電極204の蛍光体膜102が設けられた面に対向する面に設けられたp型の導電性を有するアモルファスシリコン層(以下、p型a−Si層という)205と、p型a−Si層205の透明電極204が設けられた面に対向する面に設けられたi型の導電性を有するアモルファスシリコン層(以下、i型a−Si層という)206と、i型a−Si層206のp型a−Si層205が設けられた面に対向する面の表面近傍領域に設けられたn型の導電性を有するアモルファスシリコン層(以下、n型a−Si層という)207とを備える。 The photoelectric conversion unit 103, a phosphor film amorphous silicon layer 102 having a p-type conductivity provided on a surface facing the surface provided with the transparent electrode 204 (hereinafter, referred to as p-type a-Si layer) 205 and , amorphous silicon layer having conductivity of the i-type transparent electrode 204 of the p-type a-Si layer 205 is provided on a surface facing the surface that is provided (hereinafter, the i-type a-Si layer hereinafter) and 206, i type a-Si layer 206 p-type a-Si layer 205 of amorphous silicon layer having n-type conductivity provided in the surface region near the surface opposite to the surface provided with the (hereinafter, n-type a-Si layer that) and a 207.

光電変換部103のn型a−Si層207が設けられた表面近傍領域上には、絶縁膜301が形成されている。 n-type a-Si layer 207 of the photoelectric conversion unit 103 on a surface near region provided, an insulating film 301 is formed. 絶縁膜301は、例えば、酸化シリコン(SiOx)又は窒化シリコン(SiNx)、あるいは、酸化シリコン(SiOx)と窒化シリコン(SiNx)の積層体で構成されている。 Insulating film 301 is, for example, silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiNx), or, and a stack of silicon oxide (SiOx) and silicon nitride (SiNx).

更に、絶縁膜301上には、TFT402のゲート電極11、走査線606が形成されている。 Further, on the insulating film 301, the gate electrode 11 of the TFT 402, the scanning lines 606 are formed. ゲート電極11及び走査線606は、例えば、モリブデン−タンタル(MoTa)、タンタル(Ta)、窒化タンタル(TaNx)、アルミニウム(Al)、Al合金、銅(Cu)、モリブデン−タングステン(MoW)から選ばれる1層、又はタンタル(Ta)と窒化タンタル(TaNx)との2層で構成されている。 Gate electrode 11 and the scanning line 606, for example, molybdenum - selected from tungsten (MoW) - Tantalum (MoTa), tantalum (Ta), tantalum nitride (TaNx), aluminum (Al), Al alloys, copper (Cu), molybdenum one layer, or a tantalum (Ta) is composed of two layers of tantalum nitride (TaNx) to be. このゲート電極11、走査線606は、図中、紙面上方向に上に凸状の形状を備えている。 The gate electrode 11, the scanning line 606, in the figure, has a convex shape on in the upward direction of the paper surface.

TFT402のゲート電極11及び走査線606上には絶縁膜302が形成されている。 On the gate electrode 11 and the scanning line 606 of the TFT402 is formed an insulating film 302.

絶縁膜302は、例えば、酸化シリコン(SiOx)又は窒化シリコン(SiNx)、あるいは、酸化シリコン(SiOx)と窒化シリコン(SiNx)の積層体で構成されている。 Insulating film 302 is, for example, silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiNx), or, and a stack of silicon oxide (SiOx) and silicon nitride (SiNx).

絶縁膜302を介してゲート電極11上には、TFT402のバックゲート領域となるi型a−Si層14が形成されている。 On the gate electrode 11 via the insulating film 302, i-type a-Si layer 14 serving as a back gate region of the TFT402 it is formed. このi型a−Si層14はゲート電極11の形状を反映して上に凸状の形状を備えている。 The i-type a-Si layer 14 has a convex shape upward to reflect the shape of the gate electrode 11. このi型a−Si層14とゲート電極11との間に設けられた絶縁膜302がいわゆるゲート絶縁膜として作用する。 Insulating film 302 provided between the i-type a-Si layer 14 and the gate electrode 11 acts as a so-called gate insulating film.

絶縁膜302及びi型a−Si層14を介してゲート電極11上、すなわち、i型a−Si層14の凸状形状の凸部上には、TFT402のソース/ドレイン領域を区画する、例えば、窒化シリコンからなるストッパ16が形成されている。 On the gate electrode 11 via the insulating film 302 and the i-type a-Si layer 14, i.e., on the convex portion of the convex shape of the i-type a-Si layer 14, partitions the source / drain regions of the TFT 402, for example, a stopper 16 made of silicon nitride is formed. 更に、i型a−Si層14上にはTFT402のソース/ドレイン領域となる高濃度のn型の不純物がドープされているアモルファスシリコン層(以下、n a−Si層という)18が形成されている。 Moreover, i-type a-Si layer serving as the source / drain regions of the TFT402 is on 14 high density amorphous silicon layer n-type impurity is doped (hereinafter referred to as n + a-Si layer) 18 is formed ing. このn a−Si層18は、ストッパ16及びその直上に形成された開口部により、ソース/ドレイン領域を構成している。 The n + a-Si layer 18, the opening formed in the stopper 16 and immediately above constitute a source / drain region.

a−Si層18及び絶縁膜301上には補助電極(画素電極)502、信号線408が形成されている。 n + a-Si layer 18 and the insulating film 301 is formed on the auxiliary electrode (pixel electrode) 502, the signal line 408 is formed. TFT402のソース領域では、信号線408、補助電極502及びn a−Si層18はそれぞれ電気的に接続されている。 The source region of the TFT 402, the signal lines 408, the auxiliary electrode 502 and the n + a-Si layer 18 are electrically connected. この補助電極502はその構造上、信号線408、TFT402のソース/ドレインと同一層となっている。 The auxiliary electrode 502 is on its structure, and has a source / drain and the same layer of the signal line 408, TFT 402. また、TFT402のドレイン領域を構成する補助電極502は、絶縁膜301に設けられたコンタクトホール304を介して、光電変換部103のn型a−Si層207と電気的に接続されている。 The auxiliary electrode 502 constituting the drain region of the TFT402 via a contact hole 304 provided in the insulating film 301, are n-type a-Si layer 207 of the photoelectric conversion unit 103 and electrically connected. 補助電極502、信号線408は、例えば、Mo、Alの積層体で構成されている。 Auxiliary electrode 502, signal line 408, for example, Mo, is composed of a laminate of Al.

補助電極502上にはパッシベーション層306が形成されており、TFT402、補助電極502及び信号線408を保護している。 On the auxiliary electrode 502 is passivation layer 306 is formed, TFT 402, to protect the auxiliary electrode 502 and the signal line 408. パッシベーション層306は、例えば、酸化シリコン(SiOx)又は窒化シリコン(SiNx)、あるいは、酸化シリコン(SiOx)と窒化シリコン(SiNx)の積層体で構成されている。 The passivation layer 306 is, for example, silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiNx), or, and a stack of silicon oxide (SiOx) and silicon nitride (SiNx).

パッシベーション層306上には接着層307が形成されており、更に、接着層307を介して支持基板308が設けられている。 On the passivation layer 306 is formed with a bonding layer 307, further, the supporting substrate 308 is provided via the adhesive layer 307. 接着層307は、例えば、窒化シリコンとアクリル系有機樹脂膜の積層体で構成されている。 Adhesive layer 307, for example, is composed of a laminate of silicon nitride and acrylic organic resin film. なお、アクリル系樹脂の変わりにBCB、PI(ポリイミド)等の有機膜を用いてもよい。 Incidentally, BCB instead of the acrylic resin may be used organic film such as PI (polyimide). これらの有機膜は、200℃以上の耐熱温度を有することが好ましい。 These organic film preferably has a heat resistant temperature of more than 200 ° C.. 耐熱温度とは熱分解が発生する温度のことを言う。 The heat resistant temperature means the temperature at which thermal decomposition occurs. 支持基板308は、例えば、ガラス等で構成されている。 Supporting substrate 308, for example, it is composed of glass or the like. なお、支持基板308は、樹脂で構成されていることが更に好ましい。 The support substrate 308 is more preferably made of a resin. 支持基板308が樹脂で構成されている場合は、ガラスよりも軽量化することができるため好ましい。 If the supporting substrate 308 is made of a resin is preferable because it can be lighter than glass.

TFT402のドレイン領域を構成する補助電極502と、透明電極204との間には、図示しない電源が接続されており、この電源に電圧を印加することで、補助電極502と透明電極204間で電界を生じさせる。 An auxiliary electrode 502 which constitutes the drain region of the TFT 402, between the transparent electrode 204 is connected power supply (not shown), by applying a voltage to the power source, the electric field between the transparent and the auxiliary electrode 502 electrode 204 cause.

以上の構成のX線撮像装置に、金属反射膜101側からX線が入射すると、金属反射膜101を透過し、蛍光体膜102でX線が光(例えば、可視光)に変換される。 The X-ray imaging apparatus having the above arrangement, when the X-rays are incident from the metal reflective layer 101, passes through the metal reflective layer 101, the X-ray phosphor film 102 is converted into light (e.g., visible light). 変換された光は、透明電極204を透過し、又は、金属反射膜101で反射して透明電極204を透過し、光電変換部103に入射する。 Converted light passes through the transparent electrode 204, or reflected by the metal reflective film 101 is transmitted through the transparent electrode 204, enters the photoelectric conversion unit 103. 光電変換部103に光が入射すると、光電変換部103の中で正孔と電子が発生する。 When light is incident on the photoelectric conversion unit 103, holes and electrons in the photoelectric conversion unit 103 is generated. この時、電子は、p型a−Si層205と、n型a−Si層207との間に設けられたi型a−Si層206に一時的に蓄えられる。 At this time, the electrons, the p-type a-Si layer 205, is temporarily stored in the i-type a-Si layer 206 provided between the n-type a-Si layer 207. その後、走査線駆動回路607で走査線606を駆動し、一つの走査線606に接続されている1列のTFT402をオンにすると、i型a−Si層206に蓄積された信号電荷は信号線408を通って増幅器310に送られ、増幅される。 Then, by driving the scanning lines 606 in the scanning line drive circuit 607, turning on TFT402 one column connected to one scanning line 606, the signal charges accumulated in the i-type a-Si layer 206 is a signal line through 408 it is sent to an amplifier 310 and amplified. この増幅された信号電荷はシフトレジスタ608によって順次読み出されて外部に出力される。 The amplified signal charges are outputted sequentially read by the shift register 608 to the outside. なお、画素に入力するX線の量によって電荷量が異なり、増幅器310の出力振幅は変化し、これが輝度に相当する。 Note that different charge amount by the amount of X-rays input to the pixel, the output amplitude of the amplifier 310 changes, which corresponds to the brightness. なお、本実施形態の構成として、蛍光体膜102、光電荷変換部103を、入射したX線が間接的に電荷に変換するという点を総称して、この部分をX線電荷変換部210と定義する。 Incidentally, as a configuration of the present embodiment, the phosphor film 102, the light charge conversion unit 103, incident X-rays are generically that they convert indirectly charge, this part and the X-ray charge conversion unit 210 Define.

このように、本実施形態に係るX線撮像装置は、従来、TFT上に設けていたX線電荷変換部を、平坦な絶縁膜を介して、TFTの積層されている方向の反対の方向の面(以下、裏面という)に配置させているため、TFTや配線部の凹凸などの段差の影響による特性の劣化を受けることがない。 Thus, X-ray imaging apparatus according to the present embodiment, conventionally, an X-ray charge conversion unit which has been provided on the TFT, through the flat insulating film, the opposite direction of the direction are stacked in TFT surface (hereinafter, referred to as rear surface) because they were placed on, is not subject to deterioration in characteristics due to influence of the steps, such as unevenness of the TFT and the wiring portion. 更に、TFTの裏面に、a−Siで構成された光電変換部を設け、光電変換部と補助電極が電気的にコンタクトする部分は、埋め込み型の不純物拡散層で構成されているため、このコンタクト部分において、絶縁膜と補助電極との素材が異なる部分の影響が軽減され、X線電荷変換部として劣化が防止される。 Further, on the back surface of the TFT, it is provided a photoelectric conversion section comprising a-Si, a portion where the auxiliary electrode photoelectric conversion portion electrically contacts because it is composed of the impurity diffusion layers of embedded, the contact in part, the influence of the material different portions of the insulating film and the auxiliary electrode is reduced, degradation is prevented as the X-ray charge conversion unit. 更に、光電変換部上に設けられた蛍光体膜においても平坦な光電変換部上に配置するため、より影響が軽減される。 Further, for placement in a flat photoelectric conversion unit on the phosphor film provided on the photoelectric conversion unit, and more impact is reduced. そのため、X線電荷変換部において材質が異なる層の境界付近での歪みの発生を防止することができ、より高画質なX線画像を得ることが可能となる。 Therefore, it is possible to prevent the occurrence of distortion of the material is near the boundary of the different layers in the X-ray charge conversion unit, it is possible to obtain a higher quality X-ray image.

以上、説明した第1の実施形態に係るX線撮像装置には、蓄積容量として特別、電極、配線等は設けていない。 Above, the X-ray imaging apparatus according to the first embodiment described, specially as a storage capacitor electrode, is not provided wire or the like. すなわち、本実施形態に係るX線撮像装置は、光電変換部103が光電変換の機能を有し、更に、光電変換部103のp型a−Si層205と、n型a−Si層207と、それらの間に設けられたi型a−Si層206の部分Aで、蓄積容量としての機能を備えている。 That, X-rays imaging apparatus according to the present embodiment includes a photoelectric conversion unit 103 is the function of photoelectric conversion, further, the p-type a-Si layer 205 of the photoelectric conversion unit 103, an n-type a-Si layer 207 in part a of the i-type a-Si layer 206 provided therebetween, and a function as a storage capacitor.

以下、図4から図7を参照して、本実施形態に係るX線撮像装置の製造方法について説明する。 Hereinafter, with reference to FIGS. 4-7, a method for manufacturing the X-ray imaging apparatus according to the present embodiment.

最初にガラス基板309を準備し(図4(a))、ガラス基板309上に、CVD法によりp型a−Si層205を形成する(図4(b))。 First prepare a glass substrate 309 (FIG. 4 (a)), on a glass substrate 309, to form a p-type a-Si layer 205 by a CVD method (Figure 4 (b)). 次に、p型a−Si層205上に、CVD法によりi型a−Si層206を形成する(図4(c))。 Next, on the p-type a-Si layer 205, to form the i-type a-Si layer 206 by a CVD method (FIG. 4 (c)). 次に、フォトレジストのパターンをマスクとしてi型a−Si層206の表面にリン(P)を選択的にイオン注入して、n型a−Si層207を形成する(図4(d))。 Next, selectively ion-implanting phosphorus (P) on the surface of the i-type a-Si layer 206 a patterned photoresist as a mask to form an n-type a-Si layer 207 (FIG. 4 (d)) .

次に、n型a−Si層207を含むi型a−Si層206上に、CVD法によりSiOx膜301を成膜し、更に、SiOx膜301上に、モリブデン−タンタル(MoTa)、タンタル(Ta)、窒化タンタル(TaNx)、アルミニウム(Al)、Al合金、銅(Cu)、モリブデン−タングステン(MoW)から選ばれる1層、又はタンタル(Ta)と窒化タンタル(TaNx)との2層を堆積し、エッチングによりパターンニングして、TFT402のゲート電極11を形成する(図5(a))。 Next, on the i-type a-Si layer 206 containing n-type a-Si layer 207, an SiOx film 301 is deposited by a CVD method, further, on the SiOx film 301, a molybdenum - Tantalum (MoTa), tantalum ( Ta), tantalum nitride (TaNx), aluminum (Al), Al alloys, copper (Cu), molybdenum - one layer selected from tungsten (MoW), or tantalum (Ta) and two layers of a tantalum nitride (TaNx) deposited and patterned by etching to form a gate electrode 11 of the TFT 402 (Figure 5 (a)). この際、ゲート電極11の断面は順テーパ形状にエッチングする。 In this case, the cross section of the gate electrode 11 is etched in a forward tapered shape. 次に、PEP(Photo-Engraving Process)によりSiOx膜301の一部を除去し、n型a−Si層207の表面を露出させたコンタクトホール304を形成する(図5(b))。 Then, PEP removing a portion of the SiOx film 301 by (Photo-Engraving Process), to form a contact hole 304 to expose the surface of n-type a-Si layer 207 (Figure 5 (b)).

次に、ゲート電極11上に、プラズマCVD法により、酸化シリコン(SiOx)を、例えば、300nm、窒化シリコン(SiNx)を、例えば、50nm積層して絶縁膜を形成し、更に、プラズマCVD法により、i型の導電性を有するアモルファスSiを、例えば、100nm形成し、更に、アモルファスSi上に、窒化シリコン(SiNx)を、例えば、200nm形成する。 Next, on the gate electrode 11, by plasma CVD, a silicon oxide (SiOx), for example, 300 nm, a silicon nitride (SiNx), for example, by 50nm laminated to form an insulating film, further, by a plasma CVD method , amorphous Si having i-type conductivity, for example, 100nm is formed, further, on the amorphous Si, a silicon nitride (SiNx), for example, 200nm is formed. その後、これらを裏面露光法によりゲート電極11にあわせてパターニングし、島状のゲート絶縁膜302、i型a−Si層14及びストッパ層16をそれぞれ形成する(図5(c))。 Thereafter, it is patterned in accordance with the gate electrode 11 by a back exposure method to form an island-like gate insulating film 302, i-type a-Si layer 14 and the stopper layer 16, respectively (FIG. 5 (c)).

次に、i型a−Si層14上に、CVD法により、高濃度のn型の不純物がドープされているアモルファスシリコンを、例えば、50nm堆積させた後、トランジスタの形状に合わせるようにエッチングし、島状のn+a−Si層18を形成する。 Next, on the i-type a-Si layer 14 by CVD, the amorphous silicon high concentration n-type impurity is doped, for example, after 50nm deposited, etched so as to match the shape of the transistor to form an island-shaped n + a-Si layer 18. その後、n+a−Si層18を含むSiOx膜301及びコンタクトホール304内に、Moを、例えば、50nm、Alを、例えば、350nm、そして更にMoを、例えば、20nm〜50nm程度の厚さにそれぞれスパッタ法により積層し、パターニングすることで、補助電極502、信号線408、ソース、ドレインその他の配線(図示せず)を形成することで、TFT402が形成される。 Then, in the SiOx film 301 and the contact hole 304 including the n + a-Si layer 18, the Mo, for example, 50 nm, the Al, for example, 350 nm and further Mo, for example, each sputtering in a thickness of about 20 nm to 50 nm, laminated by law, is patterned, the auxiliary electrode 502, signal line 408, by forming the source, drain and other wiring (not shown), TFT 402 is formed. 次に、CVD法により例えば、SiNxで構成されたパッシベーション層306を、例えば、200nmの厚さで堆積させた(図6(a))後、接着剤を塗布して接着層307を形成する。 Then, for example, a CVD method, a passivation layer 306 made of a SiNx, for example, after deposited at a thickness of 200 nm (FIG. 6 (a)), to form an adhesive layer 307 by applying an adhesive. (図6(b))。 (Figure 6 (b)).

次に、接着層307上に、例えば、ガラス、金属、プラスチック等で構成された支持基板308を接着させる(図7(a))。 Next, on the adhesive layer 307, for example, adhering a glass, a metal, a support substrate 308 made of a plastic or the like (FIG. 7 (a)). 次に、ガラス基板309をフッ化水素酸水溶液でエッチング除去する(図7(b))。 Next, the glass substrate 309 is removed by etching with hydrofluoric acid solution (Fig. 7 (b)). この際、接着層307上に接着させた支持基板308がエッチングされないように、フォトレジスト等で被膜、保護する。 At this time, the support substrate 308 is bonded on the adhesive layer 307 so as not to be etched, coated with a photoresist or the like, to protect.

最後に、ガラス基板309を除去した表面(p型a−Si層205上)に、ITO(Indium Tin Oxide)ターゲットを用いたスパッタ法により、ITO膜を、約100nm成膜し、ITO電極204を形成する。 Finally, the surface removal of the glass substrate 309 (upper p-type a-Si layer 205), by a sputtering method using an ITO (Indium Tin Oxide) target, an ITO film was about 100nm deposition, the ITO electrode 204 Form. 更に、ITO電極204上に蛍光体膜102を、蛍光体膜102上に、金属反射膜101をそれぞれ形成することで、図3に記載のX線撮像装置が製造される。 Furthermore, a phosphor film 102 on the ITO electrode 204, on the fluorescent film 102, the formation of the metal reflective layer 101, respectively, X-rays imaging apparatus according to FIG. 3 is manufactured.

(第2の実施形態) (Second Embodiment)
図8は第2の実施形態に係るX線撮像装置の平面回路図である。 Figure 8 is a plan circuit diagram of an X-ray imaging apparatus according to the second embodiment.

本実施形態に係るX線撮像装置は、図8に示すように、蓄積容量404が設けられている点が第1の実施形態と異なる。 X-ray imaging apparatus according to the present embodiment, as shown in FIG. 8, that is the storage capacitor 404 is provided is different from the first embodiment. その他の構成は第1の実施形態と同様なため説明を省略する。 The description of other structures is omitted because it is similar to the first embodiment.

図9は第2の実施形態に係る1画素におけるX線撮像装置の平面図であり、図10は図9におけるB−B方向に係る断面図である。 Figure 9 is a plan view of the X-ray imaging apparatus in one pixel according to the second embodiment, FIG. 10 is a sectional view according to direction B-B in FIG.

本実施形態に係るX線撮像装置は、図9、図10に示すように、前述した第1の実施形態のX線撮像装置の構成に、新たに、コンタクトホール304のTFT402が設けられた位置に対向する位置の絶縁膜301上に設けられた電極31、及び蓄積容量線35が設けられ、電極31と、n型a−Si層207と、それらの間に設けられた絶縁膜301とで蓄積容量404を構成している。 X-ray imaging apparatus according to this embodiment, FIG. 9, as shown in FIG. 10, the configuration of the X-ray imaging apparatus of the first embodiment described above, a new, TFT 402 of the contact holes 304 are provided position in the electrode 31 provided over the insulating film 301 at a position opposing, and a storage capacitor line 35 is provided, an electrode 31, an n-type a-Si layer 207, the insulating film 301 provided between them constitute a storage capacitor 404.

この蓄積容量404の電極31及び蓄積容量線35の形成は、第1の実施形態の図5(a)で説明した工程において、ゲート電極11を形成する際に、同時にパターニングにより形成することができる(図11)。 Forming electrode 31 and the storage capacitor line 35 of the storage capacitor 404, in the step described in FIGS. 5 (a) of the first embodiment, in forming the gate electrode 11 can be formed by patterning at the same time (Figure 11).

このように、本実施形態に係るX線撮像装置は、第1の実施形態の構成に加え、新たに、蓄積容量404が設けられている。 Thus, X-rays imaging apparatus according to this embodiment, in addition to the configuration of the first embodiment, is newly, is provided the storage capacitor 404. 従って、蓄積容量として機能する部分が、前述した図3の部分Aと、蓄積容量404の部分の2箇所を備えることになる。 Therefore, the portion that functions as a storage capacitor, thereby comprising a portion A of FIG. 3 described above, the two portions of the portion of the storage capacitor 404. このような構成を備えているため、本実施形態に係るX線撮像装置は、より多くの電荷を蓄積することが可能となり、X線撮像画像の高画像化が図れると共に、過剰なX線の入射により信号電荷が多く発生した場合でも、光電変換部103内の層間の破損、発熱等の影響を軽減することができる耐久性に優れたX線撮像装置を提供することができる。 Due to the provision of such a configuration, the X-ray imaging apparatus according to this embodiment, it is possible to accumulate more charge, high imaged with attained the X-ray imaging image, excessive X-ray can be provided even when the signal charge is more generated by the incidence, breakage of the layers of the photoelectric the conversion unit 103, the X-ray imaging apparatus with excellent durability capable of reducing the influence of heat generation.

(第3の実施形態) (Third Embodiment)
図12は第3の実施形態に係るX線撮像装置の断面図である。 Figure 12 is a cross-sectional view of the X-ray imaging apparatus according to the third embodiment. X線撮像装置の平面図としては図2が採用される。 The plan view of the X-ray imaging apparatus 2 is employed. 従って、本実施形態におけるX線撮像装置の平面図は省略している。 Accordingly, a plan view of the X-ray imaging apparatus of this embodiment is omitted.

本実施形態に係るX線撮像装置は、図12に示すように、i型a−Si層206と、n型a−Si層207の隣接する画素間(図12中では紙面横方向の両端部)の一部分がエッチング除去されており、この部分には絶縁膜301が埋め込まれている。 X-ray imaging apparatus according to the present embodiment, as shown in FIG. 12, the i-type a-Si layer 206, between adjacent pixels of the n-type a-Si layer 207 (both ends of the paper transverse in FIG. 12 portion has been etched away), which is buried insulating film 301 in this portion. すなわち、光電変換部103において、各画素間を分離する分離層301Aが設けられている点が第1の実施形態と異なる。 That is, in the photoelectric conversion unit 103, that the separation layer 301A which isolates each pixel is provided is different from the first embodiment. その他の構成は第1の実施形態と同様なため説明を省略する。 The description of other structures is omitted because it is similar to the first embodiment.

この分離層301Aの形成は、第1の実施形態の図4(d)で説明した工程後、i型a−Si層206と、n型a−Si層207の隣接する画素間(図12中では紙面横方向の両端部)の一部分をエッチング除去し(図13(a))、その後、n型a−Si層207を含むi型a−Si層206上に、CVD法により分離層301A及び絶縁膜301を成膜し、第1の実施形態の図5(a)で説明した工程(ゲート電極11の形成)に進めばよい。 The formation of the isolation layer 301A after the step explained in the diagram of a first embodiment 4 (d), and i-type a-Si layer 206, between adjacent pixels of the n-type a-Si layer 207 (FIG. 12 in in a portion of the paper lateral end portions) is removed by etching (FIG. 13 (a)), then, on the i-type a-Si layer 206 containing n-type a-Si layer 207, the separation layer 301A and a CVD method the insulating film 301 is deposited, it proceeds to step described with reference to FIG. 5 of the first embodiment (a) (formation of the gate electrode 11).

このように、本実施形態に係るX線撮像装置は、第1の実施形態の構成に加え、新たに、光電変換部103の各画素間に、分離層301Aが設けられているため、各画素間の横方向のリーク電流を防止することができる高画質のX線撮像装置を提供することができる。 Thus, X-rays imaging apparatus according to this embodiment, in addition to the configuration of the first embodiment, new, between each pixel of the photoelectric conversion unit 103, since the isolation layer 301A is provided, each pixel it is possible to provide an X-ray imaging apparatus of high image quality capable of preventing lateral leakage current between.

(第4の実施形態) (Fourth Embodiment)
図14は第4の実施形態に係るX線撮像装置の断面図である。 Figure 14 is a cross-sectional view of the X-ray imaging apparatus according to a fourth embodiment. X線撮像装置の平面図としては図2が採用される。 The plan view of the X-ray imaging apparatus 2 is employed. 従って、本実施形態におけるX線撮像装置の平面図は省略している。 Accordingly, a plan view of the X-ray imaging apparatus of this embodiment is omitted.

本実施形態に係るX線撮像装置は、図14に示すように、p型a−Si層205と、i型a−Si層206と、n型a−Si層207の隣接する画素間(図14中では紙面横方向の両端部)の一部分がエッチング除去されており、この部分には絶縁膜301が埋め込まれている。 X-ray imaging apparatus according to the present embodiment, as shown in FIG. 14, a p-type a-Si layer 205, an i-type a-Si layer 206, between adjacent pixels of the n-type a-Si layer 207 (Fig. the among 14 and a portion of the paper lateral end portions) is etched away, it is buried insulating film 301 in this portion. すなわち、本実施形態では、光電変換部103が、各画素間を完全に分離する分離層301Bが設けられている点が第1の実施形態と異なる。 That is, in this embodiment, the photoelectric conversion unit 103, that the separation layer 301B is provided to completely separate the pixels is different from the first embodiment. その他の構成は第1の実施形態と同様なため説明を省略する。 The description of other structures is omitted because it is similar to the first embodiment.

この分離層301Bの形成は、第1の実施形態の図4(d)で説明した工程後、p型a−Si層205、i型a−Si層206及びn型a−Si層207の隣接する画素間(図14中では紙面横方向の両端部)の一部分をエッチング除去し(図15(a))、その後、ガラス基板309を含むn型a−Si層207上に、CVD法により分離層301B及び絶縁膜301を成膜し、第1の実施形態の図5(a)で説明した工程(ゲート電極11の形成)に進めばよい。 The formation of the isolation layer 301B after step described in FIG first embodiment 4 (d), the adjacent p-type a-Si layer 205, i-type a-Si layer 206 and the n-type a-Si layer 207 between pixels a portion of (both end portions of the paper transverse in FIG. 14) is removed by etching (FIG. 15 (a)), then, on the n-type a-Si layer 207 containing a glass substrate 309, separated by a CVD method the layers 301B and the insulating film 301 is deposited, it proceeds to step described with reference to FIG. 5 of the first embodiment (a) (formation of the gate electrode 11).

このように、本実施形態に係るX線撮像装置は、第1の実施形態の構成に加え、第3の実施形態と同様に、光電変換部103の各画素間に、分離層301Bが設けられ、光電変換部103が各画素間で完全に分離されているため、各画素間の横方向のリーク電流を防止することができる高画質のX線撮像装置を提供することができる。 Thus, X-rays imaging apparatus according to this embodiment, in addition to the configuration of the first embodiment, as in the third embodiment, between each pixel of the photoelectric conversion unit 103, the separation layer 301B is provided since the photoelectric conversion unit 103 is completely separated between the pixels, it is possible to provide an X-ray imaging apparatus of high image quality that the lateral leakage current can be prevented between the pixels.

(その他の実施形態) (Other embodiments)
本発明は上述した各実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することができる。 The present invention is not limited to the above-described embodiments, without departing from the scope of the present invention can be modified in various ways. 例えば、光電変換部103は、上記各実施形態では、p型a−Si層205と、i型a−Si層206と、n型a−Si層207のp−i−n構造で説明したが、n−i−p構造で構成されていてもよい。 For example, the photoelectric conversion unit 103, the above embodiments, the p-type a-Si layer 205, an i-type a-Si layer 206 has been described in p-i-n structure of the n-type a-Si layer 207 , it may be constituted by n-i-p structure. また、TFT402はa−Siで構成された例で説明したが、ポリSiで形成してよく、単結晶Siで形成してもよい。 Further, TFT 402 has been described in the example constituted by a-Si, may be formed of poly-Si, it may be formed of a single-crystal Si. また、パッシベーション層、ストッパ層、絶縁膜としては、SiOx、SiNx等の他に、ポリイミド類、ベンゾシクロブテン(BCB)、黒レジスト等を用いても良い。 Further, a passivation layer, a stopper layer, the insulating film, SiOx, in addition to SiNx or the like, polyimides, benzocyclobutene (BCB), may be used Black resist or the like.

また、上述した第2の実施形態で説明した蓄積容量404を、第3、第4の実施形態の構成に組み合わせても良い。 Also, the storage capacitor 404 described in the second embodiment described above, the third, may be combined in the construction of the fourth embodiment.

第1の実施形態に係るX線撮像装置の平面回路図 Planar circuit diagram of an X-ray imaging apparatus according to a first embodiment 第1の実施形態に係る1画素におけるX線撮像装置の平面図 Plan view of the X-ray imaging apparatus in one pixel according to a first embodiment 図2におけるA−A方向に係る断面図 Sectional view according to A-A direction in FIG. 2 第1の実施形態に係るX線撮像装置の製造方法を説明するための断面図 Sectional view for explaining a manufacturing method of the X-ray imaging apparatus according to a first embodiment 第1の実施形態に係るX線撮像装置の製造方法を説明するための断面図 Sectional view for explaining a manufacturing method of the X-ray imaging apparatus according to a first embodiment 第1の実施形態に係るX線撮像装置の製造方法を説明するための断面図 Sectional view for explaining a manufacturing method of the X-ray imaging apparatus according to a first embodiment 第1の実施形態に係るX線撮像装置の製造方法を説明するための断面図 Sectional view for explaining a manufacturing method of the X-ray imaging apparatus according to a first embodiment 第2の実施形態に係るX線撮像装置の平面回路図 Planar circuit diagram of an X-ray imaging apparatus according to the second embodiment 第2の実施形態に係る1画素におけるX線撮像装置の平面図 Plan view of the X-ray imaging apparatus in one pixel according to the second embodiment 図9におけるB−B方向に係る断面図 Sectional view according to direction B-B in FIG. 9 第2の実施形態に係るX線撮像装置の製造方法を説明するための断面図 Sectional view for explaining a manufacturing method of the X-ray imaging apparatus according to the second embodiment 第3の実施形態に係るX線撮像装置の断面図 Sectional view of the X-ray imaging apparatus according to the third embodiment 第3の実施形態に係るX線撮像装置の製造方法を説明するための断面図 Sectional view for explaining a manufacturing method of the X-ray imaging apparatus according to the third embodiment 第4の実施形態に係るX線撮像装置の断面図 Sectional view of the X-ray imaging apparatus according to the fourth embodiment 第4の実施形態に係るX線撮像装置の製造方法を説明するための断面図 Sectional view for explaining a manufacturing method of the X-ray imaging apparatus according to the fourth embodiment

符号の説明 DESCRIPTION OF SYMBOLS

11 ゲート電極13 光電変換部14 i型a−Si層16 ストッパ18 n a−Si層31 電極35 蓄積容量線101 金属反射膜102 蛍光体膜103 光電変換部109 電源204 透明電極205 p型a−Si層206 i型a−Si層207 n型a−Si層210 X線電荷変換部301 絶縁膜301A 分離層301B 分離層302 絶縁膜(ゲート絶縁膜) 11 gate electrode 13 photoelectric conversion unit 14 i-type a-Si layer 16 a stopper 18 n + a-Si layer 31 electrode 35 the storage capacitor line 101 metal reflective layer 102 phosphor film 103 photoelectric conversion unit 109 power 204 transparent electrode 205 p-type a -Si layer 206 i-type a-Si layer 207 n-type a-Si layer 210 X-ray charge conversion unit 301 insulating film 301A isolation layer 301B isolation layer 302 (gate insulating film)
304 コンタクトホール306 パッシベーション層307 接着層308 支持基板309 ガラス基板310 増幅器402 スイッチングTFT 304 contact hole 306 The passivation layer 307 adhesive layer 308 supporting the substrate 309 glass substrate 310 amplifier 402 switching TFT
404 蓄積容量408 信号線502 補助電極606 走査線607 走査線駆動回路608 シフトレジスタ 404 storage capacitor 408 signal line 502 auxiliary electrode 606 scanning lines 607 scanning-line driving circuit 608 a shift register

Claims (10)

  1. 入射したX線を光に変換する蛍光体膜と、前記蛍光体膜上に設けられ、前記蛍光体膜で変換した光を電荷に変換する光電変換部と、前記光電変換部上に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜上にアレイ状に配列された複数の画素の各々に対応して設けられた複数のスイッチング素子と、前記絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して、前記スイッチング素子と前記光電変換部とを電気的に接続する画素電極と、を備えたことを特徴とするX線撮像装置。 A phosphor film for converting incident X-rays into light, provided on the phosphor layer, a photoelectric conversion unit for converting the light converted by the phosphor layer to the charge, provided on the photoelectric conversion portion an insulating film, a plurality of switching elements provided corresponding to each of a plurality of pixels arranged in an array on the insulation film, through a contact hole formed in the insulating film, and the switching element X-ray imaging apparatus characterized by comprising a pixel electrode electrically connecting the photoelectric conversion unit.
  2. 前記スイッチング素子の各々に接続された信号線と、前記スイッチング素子の各々に接続された走査線と、前記走査線に接続され、前記スイッチング素子を駆動する走査線駆動回路と、を更に備えたことを特徴とする請求項1に記載のX線撮像装置。 And a signal line connected to each of said switching elements, a scanning line connected to each of the switching elements are connected to the scanning lines, further, further comprising a scanning line drive circuit for driving the switching element X-ray imaging apparatus according to claim 1, wherein the.
  3. 前記光電変換部は、前記蛍光体膜上に設けられた第1導電型の第1半導体層と、前記第1半導体層上に設けられた第2導電型の第2半導体層と、前記第2半導体層上に設けられた第3導電型の第3半導体層と、で構成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載のX線撮像装置。 The photoelectric conversion portion includes a first semiconductor layer of a first conductivity type provided on the phosphor layer, a second semiconductor layer of a second conductivity type provided on the first semiconductor layer, the second X-ray imaging apparatus according to claim 1 or 2, characterized in that the third and the third semiconductor layer conductivity type, in being configured provided on the semiconductor layer.
  4. 前記第2半導体層及び前記第3半導体層の前記画素間の各々には分離層が更に設けられていることを特徴とする請求項3に記載のX線撮像装置。 X-ray imaging apparatus according to claim 3, characterized in that each of between the pixels of the second semiconductor layer and said third semiconductor layer is provided separating layer further.
  5. 前記第1半導体層、前記第2半導体層及び前記第3半導体層の前記画素間の各々には分離層が更に設けられていることを特徴とする請求項3に記載のX線撮像装置。 It said first semiconductor layer, X-rays imaging apparatus according to claim 3, wherein the each of between the pixels of the second semiconductor layer and said third semiconductor layer, characterized in that the separation layer is further provided.
  6. 前記第3半導体層は、前記第2半導体層内の表面に埋め込まれた埋め込み半導体層であることを特徴とする請求項3乃至5いずれか1項に記載のX線撮像装置。 Said third semiconductor layer, X-rays imaging apparatus according to any one of claims 3 to 5, characterized in that a semiconductor layer buried embedded in the surface of the second semiconductor layer.
  7. 前記絶縁膜を介して、前記スイッチング素子とは異なる前記光電変換部上に、蓄積容量用電極が更に設けられていることを特徴とする請求項1乃至6いずれか1項に記載のX線撮像装置。 Via said insulating film, said on different said photoelectric conversion unit which includes a switching element, X-rays imaging according to any one of claims 1 to 6, characterized in that is provided with the storage capacitor electrode further apparatus.
  8. 前記光電変換部はアモルファスシリコンで構成されていることを特徴とする請求項1乃至7いずれか1項に記載のX線撮像装置。 X-ray imaging apparatus according to any one of claims 1 to 7 wherein the photoelectric conversion unit is characterized by being composed of amorphous silicon.
  9. 前記スイッチング素子が薄膜トランジスタであり、前記薄膜トランジスタのゲート電極の断面形状は、前記光電変換部側の辺が、対抗する辺よりも長い事を特徴とする請求項1乃至8いずれか1項に記載のX線撮像装置。 Wherein a switching element is a thin film transistor, the cross-sectional shape of the gate electrode of the thin film transistor, the side of the photoelectric conversion portion side, according to claims 1 to 8 any one characterized longer than opposing sides X-ray imaging apparatus.
  10. 前記基板が樹脂である事を特徴とする請求項1乃至9いずれか1項に記載のX線撮像装置。 X-ray imaging apparatus according to any one of claims 1 to 9, characterized in that said substrate is a resin.
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