JP2008183516A - Dry air supply device and substrate treating apparatus equipped therewith - Google Patents
Dry air supply device and substrate treating apparatus equipped therewith Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008183516A JP2008183516A JP2007019161A JP2007019161A JP2008183516A JP 2008183516 A JP2008183516 A JP 2008183516A JP 2007019161 A JP2007019161 A JP 2007019161A JP 2007019161 A JP2007019161 A JP 2007019161A JP 2008183516 A JP2008183516 A JP 2008183516A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dry air
- rotating body
- air
- substrate
- heat exchange
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Abandoned
Links
Images
Landscapes
- Drying Of Gases (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
本発明は、乾燥空気を供給する乾燥空気供給装置およびこれを備えた基板処理装置に関する。 The present invention relates to a dry air supply device that supplies dry air and a substrate processing apparatus including the dry air supply device.
従来から、半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板等の基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。 Conventionally, in order to perform various processes on substrates such as semiconductor wafers, glass substrates for photomasks, glass substrates for liquid crystal display devices, glass substrates for plasma displays, optical disk substrates, magnetic disk substrates, magneto-optical disk substrates, etc. A substrate processing apparatus is used.
例えば、基板を洗浄する基板処理装置では、基板を洗浄処理した後、洗浄処理後の基板を乾燥させるために乾燥空気(ドライエア)が用いられる。この場合、乾燥空気を供給する乾燥空気供給装置が用いられる(例えば、特許文献1参照)。 For example, in a substrate processing apparatus that cleans a substrate, dry air is used to dry the substrate after the cleaning process after the substrate is cleaned. In this case, a dry air supply device that supplies dry air is used (see, for example, Patent Document 1).
特許文献1に記載の乾燥空気供給装置においては、ファンにより吸引された空気が吸着剤を有するロータを通過することにより除湿され、乾燥空気として基板処理装置に供給される。また、乾燥空気の一部がクーラーにより所定温度に冷却された後、再度ロータを通過する。ロータを通過した乾燥空気は、ヒータにより所定温度に加熱され、ロータ内の吸着剤に吸着された水分を脱離させるために当該ロータ内に供給された後、乾燥空気供給装置の外部へ排出される。
従来から、基板処理装置において、基板の乾燥処理を含めた基板処理のスループットをさらに向上することが課題となっている。乾燥処理の時間を短縮化するために、基板処理装置内に供給する乾燥空気を予めヒータにより加熱する方法がある。これにより、高温の乾燥空気を供給することが可能となり、乾燥処理の時間を短縮することができる。しかしながら、ヒータを設けることにより乾燥空気供給装置の製造コストが上昇する。また、ヒータに電力を供給する必要があるので、乾燥空気供給装置の運転コストが上昇する。 Conventionally, in a substrate processing apparatus, it has been a problem to further improve the throughput of substrate processing including substrate drying processing. In order to shorten the drying process time, there is a method in which dry air supplied into the substrate processing apparatus is heated in advance by a heater. Thereby, it becomes possible to supply high-temperature dry air, and the time of the drying process can be shortened. However, providing the heater increases the manufacturing cost of the dry air supply device. Moreover, since it is necessary to supply electric power to a heater, the operating cost of a dry air supply apparatus rises.
一方、乾燥空気供給装置にヒータを設けずに乾燥空気を基板処理装置内に供給する場合、乾燥処理の時間の短縮化を実現することができない。 On the other hand, when dry air is supplied into the substrate processing apparatus without providing a heater in the dry air supply apparatus, it is impossible to reduce the time for the drying process.
本発明の目的は、コストを上昇させずに高温の乾燥空気を供給することが可能な乾燥空気供給装置およびこれを備えた基板処理装置を提供することである。 An object of the present invention is to provide a dry air supply device capable of supplying high-temperature dry air without increasing costs, and a substrate processing apparatus including the dry air supply device.
(1)第1の発明に係る乾燥空気供給装置は、乾燥空気を供給する乾燥空気供給装置であって、吸着剤を内蔵し、回転可能に支持された回転体と、回転体を回転駆動する回転駆動手段と、回転体内の第1の部分を通過するように空気を回転体に供給する第1の供給系と、回転体内の第2の部分を通過するように空気を回転体に供給する第2の供給系と、回転体内の第2の部分を通過した空気を加熱する加熱手段と、回転体内の第3の部分を通過するように加熱手段により加熱された空気を再生用空気として回転体内に供給する第3の供給系と、回転体内の第3の部分を通過し回転体から排出された再生用空気の熱量を回転体内の第1の部分を通過し回転体から排出された空気に与えることにより昇温された乾燥空気を生成する熱交換手段とを備えたものである。 (1) A dry air supply device according to a first aspect of the present invention is a dry air supply device that supplies dry air, has a built-in adsorbent, is rotatably supported, and rotationally drives the rotary body. Rotation drive means, a first supply system for supplying air to the rotating body so as to pass through the first part in the rotating body, and air to be supplied to the rotating body so as to pass through the second part in the rotating body. The second supply system, heating means for heating the air that has passed through the second part in the rotating body, and air heated by the heating means so as to pass through the third part in the rotating body are rotated as regeneration air. The third supply system that supplies the body and the amount of heat of the regeneration air that has passed through the third part in the rotating body and is discharged from the rotating body passes through the first part in the rotating body and is discharged from the rotating body Heat exchange means for generating dry air heated to Those were example.
第1の発明に係る乾燥空気供給装置においては、吸着剤が内蔵された回転体は回転駆動手段により回転駆動される。回転体内の第1の部分を通過するように第1の供給系により空気が回転体に供給される。また、回転体内の第2の部分を通過するように第2の供給系により空気が回転体に供給される。回転体内の第2の部分を通過した上記空気は加熱手段により加熱される。 In the dry air supply apparatus according to the first aspect of the invention, the rotating body in which the adsorbent is built is rotationally driven by the rotational driving means. Air is supplied to the rotating body by the first supply system so as to pass through the first portion in the rotating body. Further, air is supplied to the rotating body by the second supply system so as to pass through the second portion in the rotating body. The air that has passed through the second part in the rotating body is heated by the heating means.
加熱手段により加熱された空気は、再生用空気として、回転体内の第3の部分を通過するように第3の供給系により回転体内に供給される。そして、回転体内の第3の部分を通過し回転体から排出された再生用空気の熱量が、熱交換手段により回転体内の第1の部分を通過し回転体から排出された空気に与えられる。これにより、熱交換手段によって昇温された乾燥空気が生成される。 The air heated by the heating means is supplied as regenerating air to the rotating body by the third supply system so as to pass through the third portion in the rotating body. The amount of heat of the regeneration air passing through the third portion in the rotating body and discharged from the rotating body is given to the air discharged from the rotating body after passing through the first portion in the rotating body by the heat exchange means. Thereby, the dry air heated by the heat exchange means is generated.
このような構成により、回転体内から流出した空気を加熱するヒータを設けることなく、昇温された乾燥空気を熱交換手段により生成することができる。これにより、乾燥空気供給装置の製造コストおよび運転コストを上昇させることなく昇温された乾燥空気を基板処理装置に供給することが可能となる。それにより、基板の乾燥速度を向上できる。したがって、コストを上昇させることなく基板処理のスループットを向上できる。 With such a configuration, the heated dry air can be generated by the heat exchange means without providing a heater for heating the air flowing out of the rotating body. Thereby, it is possible to supply the substrate processing apparatus with the dry air whose temperature has been increased without increasing the manufacturing cost and the operating cost of the dry air supply apparatus. Thereby, the drying speed of the substrate can be improved. Therefore, the throughput of substrate processing can be improved without increasing costs.
(2)乾燥空気供給装置は、回転体内の第3の部分を通過し回転体から排出された再生用空気を熱交換手段に供給する第4の供給系と、第4の供給系により熱交換手段に供給される再生用空気の量を調整する空気量調整手段とをさらに備えてもよい。 (2) The dry air supply device exchanges heat with a fourth supply system that supplies the regeneration air that has passed through the third portion of the rotating body and discharged from the rotating body to the heat exchanging means, and the fourth supply system. An air amount adjusting means for adjusting the amount of regeneration air supplied to the means may be further provided.
この場合、回転体内の第3の部分を通過し回転体から排出された再生用空気が第4の供給系により熱交換手段に供給される。そして、第4の供給系により熱交換手段に供給される再生用空気の量は空気量調整手段により調整される。 In this case, the regeneration air that has passed through the third portion in the rotating body and is discharged from the rotating body is supplied to the heat exchanging means by the fourth supply system. Then, the amount of regeneration air supplied to the heat exchange means by the fourth supply system is adjusted by the air quantity adjusting means.
このような構成により、所望の量の再生用空気が熱交換手段内に供給されるよう上記空気量調整手段により当該再生用空気の量が調整される。これにより、所望の温度を有する乾燥空気を生成することができる。 With such a configuration, the amount of regeneration air is adjusted by the air amount adjusting means so that a desired amount of regeneration air is supplied into the heat exchange means. Thereby, dry air having a desired temperature can be generated.
(3)乾燥空気供給装置は、熱交換手段により昇温される乾燥空気の温度を検出する温度検出手段をさらに備え、空気量調整手段は、温度検出手段により検出された温度に基づいて第4の供給系により熱交換手段に供給される再生用空気の量を調整してもよい。 (3) The dry air supply device further includes temperature detecting means for detecting the temperature of the dry air heated by the heat exchanging means, and the air amount adjusting means is based on the temperature detected by the temperature detecting means. The amount of regeneration air supplied to the heat exchange means by the supply system may be adjusted.
この場合、温度検出手段により検出された乾燥空気の温度に基づいて、第4の供給系により熱交換手段に供給される再生用空気の量が空気量調整手段によって調整される。これにより、乾燥空気の温度を正確に調整することができる。 In this case, the amount of regeneration air supplied to the heat exchanging means by the fourth supply system is adjusted by the air amount adjusting means based on the temperature of the dry air detected by the temperature detecting means. Thereby, the temperature of dry air can be adjusted correctly.
(4)回転体は、共通の回転軸を有する第1および第2の回転体を含み、回転駆動手段は、第1の回転体を第2の回転体よりも高い回転数で回転駆動してもよい。 (4) The rotating body includes a first rotating body and a second rotating body having a common rotating shaft, and the rotation driving means rotates the first rotating body at a higher rotational speed than the second rotating body. Also good.
このように、回転駆動手段により第1の回転体が第2の回転体よりも高い回転数で回転駆動されることによって、空気または乾燥空気内に残留する水分、有機成分およびイオン成分等を十分に除去できる。 As described above, when the first rotating body is rotationally driven by the rotational driving means at a higher rotational speed than the second rotating body, moisture, organic components, ion components, etc. remaining in the air or dry air are sufficiently obtained. Can be removed.
(5)熱交換手段により昇温された乾燥空気の温度は60℃以上70℃以下であってもよい。このような高い温度を有する乾燥空気を基板処理装置に供給することにより、基板の乾燥速度を向上できる。したがって、基板処理のスループットを向上できる。 (5) The temperature of the dry air heated by the heat exchange means may be 60 ° C. or higher and 70 ° C. or lower. By supplying dry air having such a high temperature to the substrate processing apparatus, the drying speed of the substrate can be improved. Therefore, the throughput of substrate processing can be improved.
(6)第2の発明に係る基板処理装置は、基板に処理を施す基板処理装置であって、基板に処理液を用いた処理を行う処理部と、処理部により処理された基板に乾燥空気を供給する上記第1の発明に係る乾燥空気供給装置とを備えたものである。 (6) A substrate processing apparatus according to a second aspect of the present invention is a substrate processing apparatus that performs processing on a substrate, a processing unit that performs processing using a processing liquid on the substrate, and a dry air that is applied to the substrate processed by the processing unit. The dry air supply device according to the first aspect of the present invention is provided.
第2の発明に係る基板処理装置においては、処理部により基板に処理液を用いた処理が行われる。そして、上記乾燥空気供給装置によって処理部により処理された基板に乾燥空気が供給される。 In the substrate processing apparatus according to the second aspect of the invention, the processing unit performs processing using the processing liquid on the substrate. Then, dry air is supplied to the substrate processed by the processing unit by the dry air supply device.
このように、乾燥空気供給装置により生成された高い温度を有する乾燥空気が処理後の基板に供給されることによって、基板の乾燥速度を向上できる。それにより、基板処理のスループットを向上できる。 Thus, the drying speed of a board | substrate can be improved by supplying the dry air which has the high temperature produced | generated by the dry air supply apparatus to the board | substrate after a process. Thereby, the throughput of substrate processing can be improved.
本発明によれば、コストを上昇させずに高温の乾燥空気を供給することが可能となる。 According to the present invention, high-temperature dry air can be supplied without increasing costs.
本発明の一実施の形態に係る乾燥空気供給装置およびこれを備えた基板処理装置について図面を参照しながら説明する。 A dry air supply apparatus according to an embodiment of the present invention and a substrate processing apparatus including the same will be described with reference to the drawings.
以下の説明において、基板とは、半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板等をいう。 In the following description, the substrate refers to a semiconductor wafer, a glass substrate for a photomask, a glass substrate for a liquid crystal display device, a glass substrate for a plasma display, an optical disk substrate, a magnetic disk substrate, a magneto-optical disk substrate, and the like.
(1)基板処理装置の構成
図1は、本実施の形態に係る基板処理装置の構成を示す模式的断面図である。図1に示すように、本実施の形態に係る基板処理装置100は、処理槽4、ダウンフローダクト20、基板移動機構30、処理液ミキシング装置50、ドライエア発生装置60、制御部70およびファンフィルタユニットFFUを備える。
(1) Configuration of Substrate Processing Apparatus FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing the configuration of a substrate processing apparatus according to the present embodiment. As shown in FIG. 1, the
ダウンフローダクト20の上方にファンフィルタユニットFFUが配置されている。ファンフィルタユニットFFUは、ファンおよびフィルタを備える。ファンフィルタユニットFFUのファンが動作することにより、ダウンフローダクト20内に清浄な下降気流(ダウンフロー)が発生する。
A fan filter unit FFU is disposed above the
ダウンフローダクト20内の下部に処理槽4が設けられている。処理槽4は複数の基板Wを収納可能な内槽40および内槽40の上部外周を取囲むように設けられた外槽43により形成されている。内槽40は略直方体形状を有する。
A
内槽40の底部には、内槽40内に処理液を供給するための処理液供給管41および内槽40内の処理液を排出するための処理液排出管42が接続されている。本実施の形態において、内槽40内では基板Wの洗浄処理が行われる。洗浄処理時に内槽40内に供給される処理液は、洗浄液またはリンス液である。
Connected to the bottom of the
すなわち、内槽40内に洗浄液を供給し、洗浄液の貯留された内槽40内に基板Wを浸漬することにより、基板Wの表面を洗浄する。その後、内槽40内の洗浄液をリンス液に置換する。
That is, the surface of the substrate W is cleaned by supplying the cleaning liquid into the
洗浄液としては、BHF(バッファードフッ酸)、DHF(希フッ酸)、フッ酸、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸、酢酸、シュウ酸またはアンモニア等の薬液が用いられる。リンス液としては、純水、炭酸水、水素水、電解イオン水等が用いられる。 A chemical solution such as BHF (buffered hydrofluoric acid), DHF (dilute hydrofluoric acid), hydrofluoric acid, hydrochloric acid, sulfuric acid, nitric acid, phosphoric acid, acetic acid, oxalic acid or ammonia is used as the cleaning liquid. As the rinsing liquid, pure water, carbonated water, hydrogen water, electrolytic ion water or the like is used.
本実施の形態では、処理液供給管41が処理液ミキシング装置50に接続されている。処理液ミキシング装置50には、例えば薬液および純水が供給されている。処理液ミキシング装置50は、供給される薬液および純水を所定の割合で混合することができる。したがって、処理液ミキシング装置50は、薬液、純水またはそれらの混合液を洗浄液またはリンス液として処理液供給管41を介して内槽40内に供給する。
In the present embodiment, the processing
外槽43の底部には、内槽40の上部から溢れ出し(オーバーフロー)、外槽43内に流れ込む処理液を排出するための処理液排出管44が接続されている。
A processing
内槽40の上方位置に基板移動機構30が設けられている。基板移動機構30は複数の基板Wを保持する保持部33を上下方向に移動させる。
A
ダウンフローダクト20の上部には、搬送エリアTEが設けられている。搬送エリアTEは、基板Wを保持する保持部33と図示しない搬送機構との間で基板Wの受け渡しを行う際に用いられる。
A transport area TE is provided in the upper part of the
搬送エリアTEを取囲むダウンフローダクト20の部分において、対向する2つの側面にはそれぞれ開口20hが形成されている。2つの開口20hの近傍には、それぞれ開口20hを上下方向に開閉可能なシャッタSHおよびシャッタ駆動部SDが設けられている。シャッタ駆動部SDは、シャッタSHを駆動することによりダウンフローダクト20の開口20hの開閉を行う。
In the portion of the
例えば、シャッタSHが開くことにより、洗浄処理前の基板Wを保持する搬送機構(図示せず)が開口20hを介してダウンフローダクト20内の搬送エリアTEに搬入され、保持部33に基板Wを渡す。また、洗浄処理後の基板Wを保持部33から受け取った搬送機構(図示せず)が開口20hを介してダウンフローダクト20外に搬出される。
For example, when the shutter SH is opened, a transport mechanism (not shown) that holds the substrate W before the cleaning process is carried into the transport area TE in the
処理槽4の上部近傍に位置するダウンフローダクト20の部分において、対向する2つの側面にはそれぞれドライエア供給ダクト62およびドライエア排気ダクト63が取り付けられている。ドライエア供給ダクト62は配管61を介してドライエア発生装置60と接続されている。なお、ドライエア発生装置60の詳細な構成については後述する。
In the portion of the
ドライエア発生装置60により発生されたドライエア(乾燥空気)DFが、配管61を通じてドライエア供給ダクト62に送られる。それにより、内槽40から引き上げられる基板WにドライエアDFが吹き付けられ、基板Wの乾燥処理が行われる。基板Wに吹き付けられたドライエアDFはドライエア排気ダクト63から排気される。
Dry air (dry air) DF generated by the
図1に示すように、制御部70は基板移動機構30、処理液ミキシング装置50、ドライエア発生装置60、シャッタ駆動部SDおよびファンフィルタユニットFFUと接続されている。制御部70がこれら構成部の動作を制御することにより、ダウンフローダクト20内のダウンフロー、基板処理装置100に対する基板Wの搬入搬出動作、基板Wの洗浄処理および基板Wの乾燥処理が制御される。
As shown in FIG. 1, the
例えば、制御部70はファンフィルタユニットFFUを制御することにより、ダウンフローダクト20内にダウンフローを発生させる。
For example, the
制御部70は基板移動機構30を制御することにより、洗浄処理の開始時に基板Wを保持する保持部33を内槽40内に移動させる。この状態で、制御部70は処理液ミキシング装置50を制御することにより、薬液または薬液と純水との混合液を洗浄液として内槽40内に供給する。これにより、基板Wが内槽40内で洗浄液に浸漬され、基板Wの表面が洗浄される。
The
その後、制御部70は処理液ミキシング装置50を制御することにより、リンス液として純水を内槽40内に供給し、内槽40内の洗浄液を純水に置換する。これにより、基板Wが内槽40内で純水に浸漬される。それにより、基板Wの洗浄処理が完了する。
Thereafter, the
制御部70は基板移動機構30を制御することにより、洗浄処理が完了した基板Wを内槽40の上方へ引き上げる。そこで、制御部70はドライエア発生装置60を制御することにより、引き上げられた基板WにドライエアDFを供給する。これにより、基板Wに付着した純水がドライエアDFにより置換され、基板Wの表面が乾燥される(乾燥処理)。
The
基板Wの内槽40からの引き上げ時において、制御部70は、処理液ミキシング装置50を制御することにより少量の純水を継続して内槽40内に供給している。したがって、基板Wの内槽40からの引き上げ時には、内槽40の上部開口から純水が溢れ出している。内槽40から溢れ出した純水は外槽43へ流れ込み、外槽43に接続された処理液排出管44から排出される。
When pulling up the substrate W from the
処理液供給管41および処理液排出管42,44には、それぞれ図示しないバルブが設けられている。制御部70はこれらのバルブの開閉動作も制御する。これにより、処理槽4内の処理液の供給系および排出系の開閉動作が、制御部70により制御される。
The processing
なお、本実施の形態に係る基板処理装置100内の雰囲気の温度および湿度は、それぞれ例えば23℃±0.5℃および45%±5%になるように管理されている。
Note that the temperature and humidity of the atmosphere in the
(2)ドライエア発生装置の詳細
(2−1)ドライエア発生装置の構成
図2は、図1のドライエア発生装置60の構成を示すブロック図である。
(2) Details of Dry Air Generator (2-1) Configuration of Dry Air Generator FIG. 2 is a block diagram showing the configuration of the
図2に示すように、ドライエア発生装置60は、主として、給気ファン601、円筒形の一次ロータ603、円筒形の二次ロータ606、再生用エアヒータ608、電動三方バルブ611、および熱交換ユニット613を備える。
As shown in FIG. 2, the
一次ロータ603および二次ロータ606は、互いに直列に配置されており、それぞれハニカム構造体からなり、ハニカム構造体にはセラミックの吸着剤(吸着物質)が充填されている。
The
エア(空気)が一次ロータ603および二次ロータ606内を通過することによって、エア中に含まれる水分、有機成分(例えばNOX )およびイオン成分(例えばSO2−)等が吸着剤に吸着されて除去される。以下、水分、有機成分およびイオン成分等を単に水分等と呼ぶ。このように、一次ロータ603および二次ロータ606を設けることにより、水分等の除去効果をより高めることができる。
As air (air) passes through the
一次ロータ603および二次ロータ606は、中心軸の周りで回転可能に支持されている。一次ロータ603はモータ631により回転駆動され、二次ロータ606はモータ632により回転駆動される。なお、本実施の形態においては、一次ロータ603の回転数は、例えば10回転/時間であり、二次ロータ606の回転数は、例えば3回転/時間に設定される。
The
一次ロータ603の一方の端面と二次ロータ606の一方の端面との間には、環状の閉塞部材642がそれぞれに近接して配置されている。また、一次ロータ603の他方の端面に近接するように円形の閉塞部材641が配置されており、二次ロータ606の他方の端面に近接するように円形の閉塞部材643が配置されている。
Between one end face of the
閉塞部材641は、円形の端面部および環状の周壁部を有し、内側の空間が複数の仕切片により3つの領域X1,Y1,Z1に区画されている。閉塞部材642の内側の空間は3つの領域X2,Y2,Z2に区画されている。閉塞部材643は、円形の端面部および環状の周壁部を有し、内側の空間が複数の仕切片により3つの領域X3,Y3,Z3に区画されている。
The closing
領域X1,X2,X3は、ほぼ同じ面積を有し、互いに対向するように配置されている。また、領域Y1,Y2,Y3は、ほぼ同じ面積を有し、互いに対向するように配置されている。さらに、領域Z1,Z2,Z3は、ほぼ同じ面積を有し、互いに対向するように配置されている。 The regions X1, X2, and X3 have substantially the same area and are arranged so as to face each other. The regions Y1, Y2, and Y3 have substantially the same area and are disposed so as to face each other. Further, the regions Z1, Z2, and Z3 have substantially the same area and are arranged so as to face each other.
閉塞部材641,642,643は固定されている。したがって、一次ロータ603および二次ロータ606が回転しつつエアが領域Z1,Z2,Z3を通過すると、一次ロータ603および二次ロータ606内でエアが通過する領域が変化する。同様に、一次ロータ603および二次ロータ606が回転しつつエアが領域Y1,Y2,Y3を通過すると、一次ロータ603および二次ロータ606内でエアが通過する領域が変化する。また、一次ロータ603および二次ロータ606が回転しつつエアが領域X3,X2,X1を通過すると、一次ロータ603および二次ロータ606内でエアが通過する領域が変化する。
The closing
給気ファン601は、配管602により閉塞部材641の領域Z1に接続されている。また、閉塞部材643の領域Z3は、配管614により熱交換ユニット613の一方の入口に接続されている。なお、熱交換ユニット613は、熱交換ユニット613内のエアの温度を検出する熱電対615を備える。
The
配管602から配管604が分岐するように設けられている。配管604の端部は、閉塞部材641の領域Y1に接続されている。配管604には、再生用エア量調整ダンパ605が介挿されている。
A
閉塞部材643の領域Y3は、配管607により再生用エアヒータ608の入口に接続されている。この再生用エアヒータ608の出口は、配管609により閉塞部材643の領域X3に接続されている。
A region Y3 of the closing
また、閉塞部材641の領域X1は、配管610により電動三方バルブ611の入口に接続されている。この電動三方バルブ611の一方の出口は、配管612により熱交換ユニット613の他方の入口に接続されている。電動三方バルブ611の他方の出口は、ドライエア発生装置60の外部に延びる排気のための配管617に接続されている。
Further, the region X1 of the closing
熱交換ユニット613の一方の出口には、本実施の形態に係る基板処理装置100の上記配管61が接続されている。この配管61には、パーティクル(微小粉末)等を除去するULPA(Ultra Low Penetration Air)フィルタ616が介挿されている。
The
一方、熱交換ユニット613の他方の出口には、配管618が接続されている。この配管618は、配管617に接続されている。なお、熱交換ユニット613の一方の入口から流入するエアは一方の出口から排出され、他方の入口から流入するエアは他方の出口から排出される。
On the other hand, a
本実施の形態において、制御部70(図1)は、給気ファン601、再生用エア量調整ダンパ605、再生用エアヒータ608、モータ631,632、および電動三方バルブ611の各動作を制御する。
In the present embodiment, the control unit 70 (FIG. 1) controls the operations of the
(2−2)ドライエア発生装置の動作
以下、ドライエア発生装置60の各構成部の動作(作用)について説明する。
(2-2) Operation of Dry Air Generator The operation (action) of each component of the
最初に、給気ファン601により空気(例えば、17m3 /分)が吸引される。
First, air (for example, 17 m 3 / min) is sucked by the
給気ファン601により吸引されたエア(以下、未乾燥エアと呼ぶ)は、配管602、閉塞部材641の領域Z1、一次ロータ603、閉塞部材642の領域Z2、二次ロータ606、閉塞部材643の領域Z3、および配管614を通過した後、熱交換ユニット613の一方の入口を介して熱交換ユニット613内に供給される。
Air sucked by the air supply fan 601 (hereinafter referred to as “undried air”) is supplied to the
これにより、水分等が一次ロータ603および二次ロータ606によって除去されたエア(以下、ドライエアと呼ぶ)が熱交換ユニット613内に供給される。本実施の形態では、配管614により熱交換ユニット613内に供給されるドライエアの温度は、例えば40〜50℃である。
As a result, air from which moisture or the like has been removed by the
また、給気ファン601により吸引されたエアは、配管604、再生用エア量調整ダンパ605、閉塞部材641の領域Y1、一次ロータ603、閉塞部材642の領域Y2、二次ロータ606、および閉塞部材643の領域Y3を通過した後、配管607により再生用エアヒータ608内に供給される。配管604内のエアの流量は、再生用エア量調整ダンパ605により調整される。
The air sucked by the
以下の説明において、給気ファン601により吸引された後、配管604に流入するエアを再生用エアと呼ぶ。
In the following description, the air that is sucked by the
再生用エアヒータ608においては、再生用エアが所定温度(例えば、約200℃)に加熱される。このように、再生用エアヒータ608により約200℃に加熱された再生用エアは、配管609、閉塞部材643の領域X3、二次ロータ606、閉塞部材642の領域X2、一次ロータ603、および閉塞部材641の領域X1を通過した後、配管610により電動三方バルブ611に供給される。
In the
これにより、二次ロータ606および一次ロータ603内に吸着された水分等が、加熱された再生用エアによって除去される。
Thereby, moisture adsorbed in the
ここで、本実施の形態では、一次ロータ603内を通過した後の再生用エアの温度は、例えば約80℃である。
Here, in the present embodiment, the temperature of the regeneration air after passing through the
電動三方バルブ611に供給された再生用エアは、電動三方バルブ611の一方の出口から配管612により熱交換ユニット613の他方の入口を介して熱交換ユニット613内に供給される。
The regeneration air supplied to the electric three-
上述したように、配管614により熱交換ユニット613内に、例えば40〜50℃のドライエアが供給され、配管612により当該熱交換ユニット613内に、例えば約80℃の再生用エア(例えば、7m3 /分)が供給される。
As described above, for example, dry air at 40 to 50 ° C. is supplied into the
これにより、熱交換ユニット613内でドライエアが再生用エアの熱量により加熱される。加熱されたドライエアDF(例えば、10m3 /分)は、配管61により図1の基板処理装置100内に供給される。この場合、ドライエアDFの温度を、例えば60〜70℃にすることが可能となる。
Thereby, the dry air is heated in the
ここで、制御部70(図1)は、熱交換ユニット613内のドライエアの温度を熱電対615によりモニタ(監視)している。すなわち、モニタされたドライエアの温度に基づいて、配管612内を流入する再生用エアの量を、電動三方バルブ611の他方の出口の開度により制御している。
Here, the control unit 70 (FIG. 1) monitors (monitors) the temperature of the dry air in the
例えば、熱交換ユニット613内のドライエアの温度が所定の温度よりも低い場合には、他方の出口の開度を小さくする。これにより、配管612により熱交換ユニット613内に供給される再生用エアの流量を増加させることができる。
For example, when the temperature of the dry air in the
逆に、熱交換ユニット613内のドライエアの温度が所定の温度よりも高い場合には、他方の出口の開度を大きくする。これにより、配管612により熱交換ユニット613内に供給される再生用エアの流量を減少させることができる。
On the contrary, when the temperature of the dry air in the
電動三方バルブ611の他方の出口から流出する一部の再生用エアは、配管617により外部へ排出される。同様に、熱交換ユニット613内に供給された再生用エアは、熱交換ユニット613の他方の出口から流出した後、配管618および配管617により外部へ排出される。
Part of the regeneration air that flows out from the other outlet of the electric three-
(3)本実施の形態における効果
(3−1)
このように、本実施の形態に係るドライエア発生装置60の構成においては、二次ロータ606から流出したドライエアを加熱するヒータを設けることなく、熱交換ユニット613内でドライエアを再生用エアにより約60〜70℃の温度に加熱することができる。これにより、ドライエア発生装置60の製造コストおよび運転コストを上昇させることなく高温のドライエアDFを基板処理装置100に供給することが可能となる。それにより、基板Wの乾燥速度を向上できる。したがって、コストを上昇させることなく基板処理のスループットを向上できる。
(3) Effects in the present embodiment (3-1)
As described above, in the configuration of the dry
(3−2)
一般に、湿度の高い未乾燥エアを一次ロータ603および二次ロータ606に流入させた場合、当該一次ロータ603および二次ロータ606による除湿が十分に行われない。このような理由で、通常、プレ冷凍機を設け、このプレ冷凍機により一次ロータ603に流入させるエアの温度を約7〜10℃まで冷却し、未乾燥エアに含まれる水分を除去する。これにより、低露点のエアを得ている。
(3-2)
In general, when high-humidity undried air flows into the
また、一次ロータ603および二次ロータ606により未乾燥エアに含まれる水分が除去される際に、蒸発による潜熱により未乾燥エアの温度が上昇するので、通常、アフター冷凍機を設け、このアフター冷凍機により上昇したドライエアの温度を低下させる。
In addition, when the moisture contained in the undried air is removed by the
これに対して、本実施の形態に係る基板処理装置100においては、上述したように、雰囲気の温度および湿度が一定範囲に管理されているので、プレ冷凍機を設けずとも、低露点(例えば、−95℃)の未乾燥エアが一次ロータ603に供給される。
On the other hand, in the
また、本実施の形態に係るドライエア発生装置60においては、アフター冷凍機を設けないことにより、高温のドライエアDFがドライエア供給ダクト62に供給される。
Further, in the dry
(3−3)
通常、本実施の形態のように、ドライエア発生装置60とドライエア供給ダクト62とは配管61により接続されるので、ドライエアDFが配管61内を流れる間に、ドライエアDFの温度が低下する。例えば、ステンレス鋼(SUS304、SUS316等)からなる配管61の長さが約10mであり、配管61内を流れるドライエアDFの温度が約60℃である場合には、ドライエアDFの温度は20℃前後低下することがある。
(3-3)
Normally, as in the present embodiment, the
本実施の形態では、熱交換ユニット613により約60〜70℃の温度を有するドライエアDFを生成することができる。これにより、配管61の途中でドライエアDFの温度が低下したとしても、ドライエア供給ダクト62の直前の部分で少なくとも約50〜60℃の温度を有する高温のドライエアDFを供給することができる。それにより、基板Wの乾燥速度を向上できる。
In the present embodiment, the dry air DF having a temperature of about 60 to 70 ° C. can be generated by the
(4)他の実施の形態
上述したように、本実施の形態では、基板処理装置100内の雰囲気の温度および湿度が一定範囲に管理されているが、温度および湿度が管理されていない場合には、水分が除去された低露点の未乾燥エアを得るために、上述のプレ冷凍機を設けてもよい。
(4) Other Embodiments As described above, in this embodiment, the temperature and humidity of the atmosphere in the
また、上記実施の形態では、制御部70は、基板処理装置100の構成部およびドライエア発生装置60の構成部をそれぞれ制御することとしたが、これに限定されるものではなく、各構成部を独立に制御するよう2つの制御部を設けてもよい。
Moreover, in the said embodiment, although the
(5)請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
(5) Correspondence between each constituent element of claim and each element of the embodiment Hereinafter, an example of correspondence between each constituent element of the claim and each element of the embodiment will be described. It is not limited to.
上記実施の形態においては、一次ロータ603および二次ロータ606が回転体の例であり、モータ631,632が回転駆動手段の例であり、領域Z1,Z2,Z3が回転体内の第1の部分の例であり、給気ファン601および配管602が第1の供給系の例であり、領域Y1,Y2,Y3が回転体内の第2の部分の例であり、配管604および再生用エア量調整ダンパ605が第2の供給系の例であり、再生用エアヒータ608が加熱手段の例である。
In the above embodiment, the
また、上記実施の形態においては、領域X1,X2,X3が回転体内の第3の部分の例であり、配管609が第3の供給系の例であり、熱交換ユニット613が熱交換手段の例であり、配管610,612および電動三方バルブ611が第4の供給系の例であり、電動三方バルブ611および配管617,618が空気量調整手段の例である。
Moreover, in the said embodiment, area | region X1, X2, X3 is an example of the 3rd part in a rotary body, the piping 609 is an example of a 3rd supply system, and the
さらに、上記実施の形態においては、熱電対615が温度検出手段の例であり、一次ロータ603が第1の回転体の例であり、二次ロータ606が第2の回転体の例であり、処理槽4が処理部の例であり、基板移動機構30が基板昇降手段の例であり、配管61、ドライエア供給ダクト62およびドライエア排気ダクト63が供給部の例であり、ドライエアDFが乾燥空気の例である。
Further, in the above embodiment, the
なお、請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることも可能である。 In addition, as each component of a claim, it is also possible to use the other various elements which have the structure or function described in the claim.
本発明は、半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板等の基板の製造に有効に利用できる。 INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention can be effectively used for manufacturing substrates such as semiconductor wafers, glass substrates for photomasks, glass substrates for liquid crystal display devices, glass substrates for plasma displays, optical disk substrates, magnetic disk substrates, and magneto-optical disk substrates. .
4 処理槽
30 基板移動機構
60 ドライエア発生装置
61 配管
62 ドライエア供給ダクト
63 ドライエア排気ダクト
70 制御部
100 基板処理装置
601 給気ファン
603 一次ロータ
605 再生用エア量調整ダンパ
606 二次ロータ
608 再生用エアヒータ
611 電動三方バルブ
613 熱交換ユニット
615 熱電対
631,632 モータ
641,642,643 閉塞部材
DF ドライエア
W 基板
X1,X2,X3,Y1,Y2,Y3 領域
Z1,Z2,Z3 領域
DESCRIPTION OF
Claims (6)
吸着剤を内蔵し、回転可能に支持された回転体と、
前記回転体を回転駆動する回転駆動手段と、
前記回転体内の第1の部分を通過するように空気を前記回転体に供給する第1の供給系と、
前記回転体内の第2の部分を通過するように空気を前記回転体に供給する第2の供給系と、
前記回転体内の前記第2の部分を通過し前記回転体から排出された空気を加熱する加熱手段と、
前記回転体内の第3の部分を通過するように前記加熱手段により加熱された空気を再生用空気として前記回転体内に供給する第3の供給系と、
前記回転体内の前記第3の部分を通過し前記回転体から排出された再生用空気の熱量を前記回転体内の前記第1の部分を通過し前記回転体から排出された空気に与えることにより昇温された乾燥空気を生成する熱交換手段とを備えたことを特徴とする乾燥空気供給装置。 A dry air supply device for supplying dry air,
A rotating body that contains an adsorbent and is rotatably supported;
A rotation driving means for rotating the rotating body;
A first supply system for supplying air to the rotating body so as to pass through a first portion in the rotating body;
A second supply system for supplying air to the rotating body so as to pass through a second portion in the rotating body;
Heating means for heating the air passing through the second part of the rotating body and exhausted from the rotating body;
A third supply system for supplying air heated by the heating means so as to pass through a third portion in the rotating body as regeneration air into the rotating body;
The amount of heat of the regeneration air passing through the third part in the rotating body and exhausted from the rotating body is increased by giving to the air passing through the first part in the rotating body and exhausted from the rotating body. A dry air supply device comprising: heat exchange means for generating warm dry air.
前記第4の供給系により前記熱交換手段に供給される再生用空気の量を調整する空気量調整手段とをさらに備えたことを特徴とする請求項1記載の乾燥空気供給装置。 A fourth supply system for supplying regeneration air that has passed through the third portion in the rotating body and discharged from the rotating body to the heat exchanging means;
2. The dry air supply device according to claim 1, further comprising an air amount adjusting means for adjusting an amount of regeneration air supplied to the heat exchange means by the fourth supply system.
前記空気量調整手段は、前記温度検出手段により検出された温度に基づいて前記第4の供給系により前記熱交換手段に供給される再生用空気の量を調整することを特徴とする請求項2記載の乾燥空気供給装置。 Further comprising temperature detection means for detecting the temperature of the dry air heated by the heat exchange means,
3. The air amount adjusting means adjusts the amount of regeneration air supplied to the heat exchange means by the fourth supply system based on the temperature detected by the temperature detecting means. The dry air supply apparatus as described.
前記回転駆動手段は、前記第1の回転体を前記第2の回転体よりも高い回転数で回転駆動することを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の乾燥空気供給装置。 The rotating body includes first and second rotating bodies having a common rotation axis,
The dry air supply device according to any one of claims 1 to 3, wherein the rotation driving unit rotationally drives the first rotating body at a higher rotational speed than the second rotating body.
基板に処理液を用いた処理を行う処理部と、
前記処理部により処理された基板に乾燥空気を供給する請求項1〜5のいずれかに記載の乾燥空気供給装置とを備えたことを特徴とする基板処理装置。 A substrate processing apparatus for processing a substrate,
A processing unit that performs processing using a processing liquid on the substrate;
6. A substrate processing apparatus, comprising: a dry air supply device according to claim 1 that supplies dry air to a substrate processed by the processing unit.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007019161A JP2008183516A (en) | 2007-01-30 | 2007-01-30 | Dry air supply device and substrate treating apparatus equipped therewith |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007019161A JP2008183516A (en) | 2007-01-30 | 2007-01-30 | Dry air supply device and substrate treating apparatus equipped therewith |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008183516A true JP2008183516A (en) | 2008-08-14 |
Family
ID=39726896
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007019161A Abandoned JP2008183516A (en) | 2007-01-30 | 2007-01-30 | Dry air supply device and substrate treating apparatus equipped therewith |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008183516A (en) |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58118799A (en) * | 1982-01-11 | 1983-07-14 | 株式会社日立製作所 | Dehumidifying type hot air drying method and apparatus |
JP2000126498A (en) * | 1999-12-10 | 2000-05-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Dehumidifier |
JP2002119823A (en) * | 2000-10-16 | 2002-04-23 | Sharp Corp | Humidity controller |
JP2004321964A (en) * | 2003-04-25 | 2004-11-18 | Tokyo Electron Ltd | Apparatus for supplying dry air |
JP2005026478A (en) * | 2003-07-02 | 2005-01-27 | Ses Co Ltd | Method and device for substrate processing |
JP2005189148A (en) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Seibu Giken Co Ltd | Environment-testing system |
JP2006255590A (en) * | 2005-03-17 | 2006-09-28 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate treatment apparatus |
JP2006326504A (en) * | 2005-05-26 | 2006-12-07 | Taikisha Ltd | Dehumidifier |
-
2007
- 2007-01-30 JP JP2007019161A patent/JP2008183516A/en not_active Abandoned
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58118799A (en) * | 1982-01-11 | 1983-07-14 | 株式会社日立製作所 | Dehumidifying type hot air drying method and apparatus |
JP2000126498A (en) * | 1999-12-10 | 2000-05-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Dehumidifier |
JP2002119823A (en) * | 2000-10-16 | 2002-04-23 | Sharp Corp | Humidity controller |
JP2004321964A (en) * | 2003-04-25 | 2004-11-18 | Tokyo Electron Ltd | Apparatus for supplying dry air |
JP2005026478A (en) * | 2003-07-02 | 2005-01-27 | Ses Co Ltd | Method and device for substrate processing |
JP2005189148A (en) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Seibu Giken Co Ltd | Environment-testing system |
JP2006255590A (en) * | 2005-03-17 | 2006-09-28 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate treatment apparatus |
JP2006326504A (en) * | 2005-05-26 | 2006-12-07 | Taikisha Ltd | Dehumidifier |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW202013554A (en) | Substrate manufacturing apparatus and methods with factory interface chamber heating | |
JP5898549B2 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
JP4397646B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP5123122B2 (en) | Substrate processing apparatus and processing method | |
CN102610514A (en) | Susbtrate treatment method and substrate treatment apparatus | |
TW200807521A (en) | Substrate treatment method, recording medium and substrate treatment device | |
US11318504B2 (en) | Substrate processing device and substrate processing method | |
JP6196498B2 (en) | Substrate drying apparatus and substrate drying method | |
JP2006344907A (en) | Method and apparatus for processing substrate | |
JP2009212301A (en) | Substrate processing method and apparatus | |
TW202125678A (en) | Substrate processing device and substrate processing method | |
JP2009267167A (en) | Substrate-treating device | |
JP2010067636A (en) | Substrate treatment apparatus | |
JP6986397B2 (en) | Substrate processing equipment, substrate processing method and storage medium | |
JP2005317637A (en) | Substrate processing method and device thereof | |
JP6811675B2 (en) | Substrate processing method and substrate processing equipment | |
JP5963075B2 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
JP7241594B2 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
JP4908879B2 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
JP2008183516A (en) | Dry air supply device and substrate treating apparatus equipped therewith | |
JP3811602B2 (en) | Substrate surface treatment method and substrate surface treatment apparatus | |
JP2007234812A (en) | Substrate processing method and substrate processing device | |
JP6726430B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP5597602B2 (en) | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium storing program for executing the substrate processing method | |
JP2011066322A (en) | Substrate processing apparatus and method for processing substrate |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20091216 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101026 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111129 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111213 |
|
A762 | Written abandonment of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762 Effective date: 20120105 |