JP3811602B2 - Substrate surface treatment method and substrate surface treatment apparatus - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、塩酸、硝酸、硫酸、ふっ酸(HFおよび無水HFを含む)、酢酸などのような酸を含む蒸気を基板の表面に導き、いわゆる気相エッチング処理によって基板の表面の膜を除去するための基板表面処理方法および基板表面処理装置に関する。処理対象の基板には、半導体ウエハ、液晶表示装置およびプラズマディスプレイ用ガラス基板、ならびに光、磁気および光磁気ディスク用基板などの各種の基板が含まれる。また、基板の材質としては、シリコン、ガラス、樹脂およびセラミックなどの材質が含まれる。なお、基板表面の膜の除去は、所定の膜の一部または全部の選択的除去を目的としていてもよく、また、基板表面の洗浄を目的としていてもよい。
【0002】
【従来の技術】
半導体メモリの製造工程においては、半導体ウエハ(以下「ウエハ」という。)上にメモリキャパシタ膜を作製する際に、BSG(Boron-Silicate Glass)、PSG(Phospho-Silicate Glass)、BPSG(Boron-doped Phospho-Silicate Glass)などの不純物を多く含んだ酸化膜が犠牲酸化膜として用いられる。これらの犠牲酸化膜は、ふっ酸蒸気を用いたエッチングにおける熱酸化膜またはCVD(化学的気相成長)酸化膜に対する選択比を大きくとることができ、熱酸化膜またはCVD酸化膜をエッチングストッパ膜として用いて選択的に除去することができる。
【0003】
ふっ酸蒸気を用いたエッチング処理におけるエッチング選択比は温度に依存する。たとえば、熱酸化膜は、温度上昇に伴ってエッチングレートが急激に減少するのに対して、BPSG膜は温度変化によらずに比較的高いエッチングレートを維持する。そこで、ウエハの表面に形成された熱酸化膜上のBPSG膜を選択除去するときには、ウエハの温度を50℃〜80℃に維持してふっ酸蒸気による気相エッチング処理が行われる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
ふっ酸蒸気による酸化膜(酸化シリコン膜)のエッチングプロセスは、次の反応式で表される。
6F++6H3O++SiO2→H2SiF6+8H2O
H2SiF6→2HF+SiF4
すなわち、ふっ酸の蒸気および水蒸気がウエハ表面(酸化膜上)に吸着してイオン化し、これが酸化シリコンと反応して、反応生成物H2SiF6が生成され、それがさらにふっ酸(HF)およびフッ化シリコン(SiF4)に分解してウエハ外に蒸発する。これにより、酸化膜中のSiO2が失われ、エッチング処理が進行する。したがって、この反応過程では、エッチング反応の結果として、エッチング媒体であるふっ酸および大量の水が発生する。
【0005】
そのため、エッチング終了時にチャンバ内へのふっ酸蒸気の供給を停止しても、ウエハの温度が50℃〜80℃に維持されている限り、エッチング処理を直ちに停止させることができない。すなわち、ふっ酸蒸気の供給停止から実際のエッチング停止までには、タイムラグが生じている。したがって、所望の時点でエッチング処理を停止することが困難である。
しかも、上記のタイムラグは、ウエハ面内の各部で等しい保証はなく、ウエハ面内でのエッチング処理の均一性の点でも問題がある。
【0006】
また、BSG膜、PSG膜またはBPSG膜のエッチング時には、ホウ素(B)または燐(P)を含む生成物(たとえば、PH3OH)が生成される。これらの生成物は、飽和水蒸気圧が低い(揮発性が低い)ため、ウエハWの近傍の加熱された雰囲気中において揮発する一方、ウエハWの近傍の雰囲気よりも温度の低い処理室内壁に一旦吸着されると、容易には蒸発せず、結露を生じる。これにより、処理室が汚染されるとともに、結露した液滴がウエハWの表面に落下すれば、ウエハWを汚染することになる。
【0007】
そこで、この発明の第1の目的は、酸を含む蒸気によって基板上の膜を除去する処理の停止を確実に行うことができる基板表面処理方法および基板表面処理装置を提供することである。
また、この発明の第2の目的は、酸を含む蒸気によって基板上の膜を除去する処理が行われる処理室の汚染を防止することができ、これにより、基板の汚染を防止することができる基板表面処理方法および基板表面処理装置を提供することである。
【0008】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
上記の目的を達成するための請求項1記載の発明は、処理室(85)内で、基板(W)を所定の温度(たとえば、40℃ないし80℃)で加熱しつつ、この基板の表面に酸を含む蒸気を酸蒸気吐出口(36a)から供給することにより、基板表面の膜を除去する膜除去工程(34,36,43,45,54)と、この膜除去工程後に、上記処理室内で、基板の表面に室温よりも高い温度の不活性ガスを上記酸蒸気吐出口とは別の不活性ガス吐出口(64a)から供給する不活性ガス供給工程(63,64,65)とを含み、上記不活性ガスは、上記膜除去工程の進行を停止させるための膜除去処理停止用不活性ガスであることを特徴とする基板表面処理方法である。なお、括弧内の英数字は後述の実施形態における対応構成要素または当該工程を実行する構成要素の参照符号を表す。以下、この項において同じ。
【0009】
上記膜除去工程は、上記酸を含む蒸気および水蒸気と除去対象の膜の構成材料との反応により、水および酸を生じさせる気相エッチング処理工程であってもよい。
この発明によれば、酸を含む蒸気によって基板表面の膜を除去する膜除去工程の後(好ましくは直後)に、基板の表面に室温よりも高温の不活性ガスが供給される。これにより、基板の表面付近に存在している反応生成物(たとえば水および酸)の蒸気をすみやかに基板表面付近から排除して、膜除去工程の進行を停止させることができる。したがって、膜除去工程を所望のタイミングで確実に停止させることができる。この膜除去工程の停止は基板面内の各部でほぼ同時に起こさせることができるので、基板面内での膜除去処理のばらつきが生じることもない。また、複数枚の基板に対する処理のばらつきも低減できる。
【0010】
基板表面付近に存在している反応生成物を効果的に除去するためには、不活性ガスを基板表面に供給するとともに、膜除去処理が行われる処理室内の雰囲気を排気する排気工程(49,55)が行われることが好ましい。
【0011】
また、この発明では、膜除去工程と不活性ガス供給工程とが1つの処理室内で行われるので、膜除去工程が終了した直後に不活性ガスを基板表面に導いて、膜除去工程をすみやかに停止させることができる。
さらに、酸蒸気吐出口と不活性ガス吐出口とが別個に設けられているので、酸蒸気供給経路の温度上昇を防止でき、酸を含む蒸気による膜除去処理に悪影響(たとえば、エッチングレートの変動)を与えることがない。なお、不活性ガス供給工程は、酸を含む蒸気を基板表面に導く酸蒸気供給経路(36)とは独立した不活性ガス供給経路(64)から基板表面に不活性ガスを導く工程であることがより好ましい。
【0012】
同様の理由から、上記不活性ガス供給経路の不活性ガス吐出口(64a)は、酸蒸気供給経路の酸蒸気吐出口(36a)から可能な限り離隔して配置されることが好ましい。たとえば、不活性ガス吐出口と酸蒸気吐出口とは、基板の中心(重心)に対してほぼ点対称な位置に配置されるとよい。
請求項2記載の発明は、処理室(85)内で、基板(W)を所定の温度で加熱しつつ、この基板の表面に酸を含む蒸気を供給することにより、基板表面の膜を除去する膜除去工程(34,36,43,45,54)と、この膜除去工程後に、上記処理室内で、基板の表面に室温よりも高い温度の不活性ガスを供給し、この不活性ガスの供給を当該不活性ガスが上記処理室の内壁に達するように定めた一定時間継続する不活性ガス供給工程(63,64,65)とを含み、上記不活性ガスは、上記膜除去工程の進行を停止させるための膜除去処理停止用不活性ガスであることを特徴とする基板表面処理方法である。
この発明により、高温の不活性ガスによって膜除去工程を停止させることができるとともに、この高温の不活性ガスを処理室の内壁にまで到達させて、処理室内の結露対策を同時に行うことができる。
請求項3記載の発明は、処理室(85)内に基板を配置し、この基板を所定の温度で加熱しつつ、この基板の表面に酸を含む蒸気を酸蒸気吐出口(36a)から供給することにより、基板表面の膜を除去する膜除去工程(34,36,43,45,54)と、上記処理室内に室温よりも高い温度の不活性ガスを上記酸蒸気吐出口とは別の不活性ガス吐出口(64a)から供給する不活性ガス供給工程(63,64,65)とを含み、上記不活性ガスは、上記膜除去工程において生成される反応生成物が上記処理室の内壁に結露することを防止するための結露防止用不活性ガスであることを特徴とする基板表面処理方法である。
【0013】
この発明によれば、膜除去工程が行われる処理室に、室温よりも高温の不活性ガスが供給(好ましくは、膜除去工程が行われていないときに供給)されることにより、膜除去工程において生成される反応生成物が処理室の内壁に結露することを防止できる。すなわち、膜除去工程において生成された反応生成物は、蒸気状態で処理室の内壁から運び去られる。これにより、処理室の汚染を防止でき、ひいては、基板の汚染を防止できる。これにより、良好な基板表面処理が可能になる。
また、酸蒸気吐出口と不活性ガス吐出口とが別個に設けられているので、酸蒸気供給経路の温度上昇を防止でき、酸を含む蒸気による膜除去処理に悪影響(たとえば、エッチングレートの変動)を与えることがない。
【0014】
膜除去工程において生成された反応生成物を処理室外に効果的に排除するためには、不活性ガス供給工程とともに、処理室内を排気する排気工程(49,55)が行われることが好ましい。
請求項4記載の発明は、処理室(85)内に基板(W)を配置し、この基板を所定の温度で加熱しつつ、この基板の表面に酸を含む蒸気を酸蒸気吐出口から供給することにより、基板表面の膜を除去する膜除去工程(34,36,43,45,54)と、上記処理室内に室温よりも高い温度の不活性ガスを上記基板よりも下方において上記処理室の内壁の近傍に設けられ、上記酸蒸気吐出口とは別の供給口から供給する不活性ガス供給工程(63,64,65)とを含み、上記不活性ガスは、上記膜除去工程において生成される反応生成物が上記処理室の内壁に結露することを防止するための結露防止用不活性ガスであることを特徴とする基板表面処理方法である。この発明により、処理室の内壁における反応生成物の結露を防止できる。
たとえば、請求項5に記載のように、上記不活性ガス供給工程が、1ロットの基板を処理するたびに行われることとしてもよい。
また、請求項6に記載のように、上記不活性ガス供給工程が、1枚の基板を処理するたびに行われることとしてもよい。
【0016】
請求項7記載の発明は、上記不活性ガス供給工程では、上記膜除去工程における上記所定の温度よりも高い温度の不活性ガスが供給されることを特徴とする請求項1ないし6のいずれかに記載の基板表面処理方法である。
これにより、膜除去工程の停止または処理室の内壁への反応生成物の結露の防止を効果的に行える。
より具体的には、請求項8に記載のように、上記不活性ガス供給工程では、100℃以上の不活性ガスが供給されることとすることが好ましい。
【0017】
さらに、不活性ガスの温度は、100℃〜300℃の範囲とすることが好ましく、100℃〜200℃の範囲とすることがさらに好ましく、約160℃とすることが最も好ましい。
請求項9記載の発明は、処理室(85)と、この処理室内に配置され、基板(W)を所定の温度で加熱する基板加熱手段(45)と、この基板加熱手段によって加熱されている基板の表面の膜を除去する膜除去処理のために、この基板の表面に酸を含む蒸気を酸蒸気吐出口(36a)から供給する酸蒸気供給手段(34,36,43,54)と、上記処理室内で、上記膜除去処理の後に、上記酸蒸気吐出口とは別の不活性ガス吐出口(64a)から、上記基板の表面に室温よりも高い温度の不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段(63,64,65)とを含み、上記不活性ガスは、上記膜除去処理の進行を停止させるための膜除去処理停止用不活性ガスであることを特徴とする基板表面処理装置である。
【0018】
この構成により、請求項1の発明と同様の効果を達成できる。
請求項10記載の発明は、処理室(85)と、この処理室内に配置され、基板(W)を所定の温度で加熱する基板加熱手段(45)と、この基板加熱手段によって加熱されている基板の表面の膜を除去する膜除去処理のために、この基板の表面に酸を含む蒸気を供給する酸蒸気供給手段(34,36,43,54)と、上記処理室内で、上記膜除去処理の後に、上記基板の表面に室温よりも高い温度の不活性ガスを供給し、この不活性ガスの供給を当該不活性ガスが上記処理室の内壁に達するように定められた一定時間継続する不活性ガス供給手段(63,64,65)とを含み、上記不活性ガスは、上記膜除去処理の進行を停止させるための膜除去処理停止用不活性ガスであることを特徴とする基板表面処理装置である。この発明により、請求項2の発明と同様な効果が得られる。
請求項11記載の発明は、処理室(85)と、この処理室内に配置され、基板(W)を所定の温度で加熱する基板加熱手段(45)と、この基板加熱手段によって加熱されている基板の表面の膜を除去する膜除去処理のために、この基板の表面に酸を含む蒸気を酸蒸気吐出口(36a)から供給する酸蒸気供給手段(34,36,43,54)と、上記処理室内に室温よりも高い温度の不活性ガスを上記酸蒸気吐出口とは別の不活性ガス吐出口(64a)から供給する不活性ガス供給手段(63,64,65)とを含み、上記不活性ガスは、上記膜除去処理において生成される反応生成物が上記処理室の内壁に結露することを防止するための結露防止用不活性ガスであることを特徴とする基板表面処理装置である。
【0019】
この構成により、請求項3の発明と同様の効果を達成できる。
請求項12に記載されているように、上記酸蒸気吐出口と上記不活性ガス吐出口とが、上記処理室内で処理されるときの基板の位置を挟んで離隔して配置されていることが好ましい。より具体的には、請求項13に記載されているように、上記酸蒸気吐出口と上記不活性ガス吐出口とが、上記処理室内で処理されるときの基板の中心位置に対してほぼ点対称な位置に配置されていてもよい。
請求項14記載の発明は、処理室(85)と、この処理室内に配置され、基板(W)を所定の温度で加熱する基板加熱手段(45)と、この基板加熱手段によって加熱されている基板の表面の膜を除去する膜除去処理のために、この基板の表面に酸を含む蒸気を供給する酸蒸気供給手段(34,36,43,54)と、上記処理室内に、上記基板よりも下方において当該処理室の内壁の近傍に設けられ、上記酸蒸気吐出口とは別の供給口から、室温よりも高い温度の不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段(63,63,65)とを含み、上記不活性ガスは、上記膜除去処理において生成される反応生成物が上記処理室の内壁に結露することを防止するための結露防止用不活性ガスであることを特徴とする基板表面処理装置である。この発明により、請求項4の発明と同様な効果が得られる。
なお、これらの基板表面処理装置の発明に関しても、基板表面処理方法の発明に関して上述したとおりの変形と同様の変形を行うことができる。
【0020】
【発明の実施の形態】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図1は、この発明の第1の実施形態に係る基板表面処理装置の構成を説明するための図解的な平面図である。この装置は、半導体ウエハ(以下、単に「ウエハ」という。)Wの表面に形成された酸化膜を除去するための装置である。より具体的には、たとえば、ウエハW上に形成された熱酸化膜上にメモリキャパシタ形成のために使用される犠牲酸化膜(BPSG膜など)が形成されている場合に、この犠牲酸化膜を選択的に除去するための装置である。この処理のために、この基板表面処理装置では、ふっ酸の蒸気をウエハWの表面に供給することにより、ふっ酸の気相エッチング処理によって膜除去工程が行われる。
【0021】
装置の構成について説明すると、この装置は、処理前のウエハWを収容したカセットCLが置かれるローダ部10と、ウエハWの表面に対して、ふっ酸蒸気による気相エッチング処理を行う気相エッチング処理部40と、この気相エッチング処理後のウエハWを水洗し、その後、水切り乾燥を行う水洗・乾燥処理部50と、水洗・乾燥処理部50によって処理された後のウエハWを収容するためのカセットCUが載置されるアンローダ部60とを備えている。
【0022】
ローダ部10およびアンローダ部60は、この基板表面処理装置の前面パネル77の背後に配置されている。ローダ部10、気相エッチング処理部40、水洗・乾燥処理部50、およびアンローダ部60は、平面視においてほぼU字形状のウエハ搬送経路78に沿って、この順に配列されている。
ローダ部10と気相エッチング処理部40との間には、ローダ部10に置かれたカセットCLから処理前のウエハWを1枚ずつ取り出して、気相エッチング処理部40に搬入するローダ搬送ロボット71が配置されている。また、気相エッチング処理部40と水洗・乾燥処理部50の間には、気相エッチング処理後のウエハWを気相エッチング処理部40から取り出して、水洗・乾燥処理部50に搬入する中間搬送ロボット81が配置されている。そして、水洗・乾燥処理部50とアンローダ部60の間には、水洗・乾燥処理後のウエハWを水洗・乾燥処理部50から取り出してアンローダ部60に置かれたカセットCUに収容するためのアンローダ搬送ロボット72が配置されている。
【0023】
ローダ搬送ロボット71、中間搬送ロボット81およびアンローダ搬送ロボット72は、それぞれ、下アームLAと上アームUAとを有する屈伸式のロボットの形態を有している。下アームLAは、図示しない回転駆動機構によって水平面に沿って回動されるようになっている。この下アームLAの先端に、上アームUAが水平面に沿う回動が自在であるように設けられている。下アームLAが回動すると、上アームUAは、下アームLAの回動方向とは反対方向に、下アームLAの回動角度の2倍の角度だけ回動する。これによって、下アームLAと上アームUAとは、両アームが上下に重なり合った収縮状態と、両アームが経路78に沿って一方側または他方側に向かって展開された伸長状態とをとることができる。
【0024】
このようにして、ローダ搬送ロボット71、中間搬送ロボット81およびアンローダ搬送ロボット72は、処理部間またはカセット−処理部間で、経路78に沿ってウエハWの受け渡し行うことができる。
気相エッチング処理後のウエハWを水洗および乾燥させる水洗・乾燥処理部50は、たとえば、ウエハWを水平に保持して回転させるスピンチャックと、このスピンチャックに保持されたウエハWに対して純水を供給する純水供給ノズルを備えている。この構成によって、ウエハWの表面および/または裏面に純水を供給してウエハWの表面を水洗する。水洗終了後は、純水の供給を停止し、スピンチャックを高速回転させることによって、ウエハWの表面の水分を振り切って乾燥する。
【0025】
図2は、気相エッチング処理部40の構成を説明するための図解的な断面図である。気相エッチング処理部40は、ハウジング41内に、酸を含む水溶液の一例であるふっ酸水溶液42を密閉状態で貯留するふっ酸蒸気発生容器43を備えている。このふっ酸蒸気発生容器43の下方には、ふっ酸蒸気を下方に向かって放出するための貫通孔が多数形成されたパンチングプレート44が設けられている。
【0026】
パンチングプレート44の下方に、処理対象のウエハWをパンチングプレート44に対向させた状態で水平に保持するホットプレート45が配置されている。このホットプレート45は、モータ等を含む回転駆動機構46によって鉛直軸線まわりに回転される回転軸47の上端に固定されている。
ホットプレート45の平面視における外方側には、ハウジング41の底面41aに対して上下に伸長/収縮するベローズ48が設けられている。このベローズ48は、上端縁をパンチングプレート44の周囲に当接させて、ホットプレート45の周縁の空間を密閉して処理室85を形成する密閉位置(図において実線で示す位置)と、その上端縁がホットプレート45の上面45aによりも下方に退避した退避位置(図2において破線で示す位置)との間で、図示しない駆動機構によって伸長/収縮駆動されるようになっている。
【0027】
ベローズ48の内部空間は、ハウジング41の底面41aに接続された排気配管49を介して、排気手段55により排気されるようになっている。この排気手段55は、排気ブロワまたはエジェクタなどの強制排気機構であってもよいし、当該基板表面処理装置が設置されるクリーンルームに備えられた排気設備であってもよい。
ホットプレート45の側方には、ウエハWを搬入するための搬入用開口21、およびウエハWを排出するための搬出用開口22が、ハウジング41の側壁に形成されている。これらの開口21,22には、それぞれシャッタ38,39が配置されている。ウエハWの搬入時には、ベローズ48が退避位置(図2の破線の位置)に下降させられるとともに、シャッタ38が開成され、ローダ搬送ロボット71(図1参照)によって、ホットプレート45にウエハWが受け渡される。また、ウエハWの搬出時には、ベローズ48が退避位置とされるとともに、シャッタ39が開成されて、ホットプレート45上のウエハWが中間搬送ロボット81に受け渡されて搬出される。なお、開口21およびシャッタ38と、開口22およびシャッタ39との配置関係は、実際には、平面視でこれらとウエハWの中心とを結ぶ2本の線分が直交するようになっているが、この図2および後述の図3においては、図示の簡略化のため、これらの配置関係が、平面視でこれらとウエハWの中心とを結ぶ2本の線分が一直線上に重なるように(ウエハWの中心に対してほぼ点対称の位置関係に)描かれている。
【0028】
ふっ酸蒸気発生容器43には、ふっ酸水溶液42の液面の上方の空間35に、キャリアガスとしての窒素ガスを供給する窒素ガス供給配管54が接続されている。また、この空間35は、バルブ37を介して、パンチングプレート44へとふっ酸蒸気を導くためのふっ酸蒸気供給路36に接続することができるようになっている。ふっ酸蒸気供給路36には、窒素ガス供給源31からの窒素ガスが、流量コントローラ(MFC)32、バルブ33および窒素ガス供給配管34を介して供給されるようになっている。
【0029】
また、窒素ガス供給源31からの窒素ガスは、流量コントローラ52およびバルブ53を介して、窒素ガス供給配管54に与えられるようになっている。
ふっ酸蒸気発生容器43内に貯留されるふっ酸水溶液42は、いわゆる擬似共弗組成となる濃度(たとえば、1気圧、室温(20℃)のもとで、約39.6%)に調製されている。この擬似共弗組成のふっ酸水溶液42は、水とフッ化水素との蒸発速度が等しく、そのため、バルブ37からふっ酸蒸気供給路36を介してパンチングプレート44にふっ酸蒸気が導かれることによってふっ酸蒸気発生容器43内のふっ酸水溶液42が減少したとしても、ふっ酸蒸気供給路36に導かれるふっ酸蒸気の濃度は不変に保持される。
【0030】
一方、パンチングプレート44には、窒素ガス供給源31からの窒素ガス(不活性ガス)が、流量コントローラ62およびバルブ63を介して、窒素ガス供給配管34とは別系統の窒素ガス供給配管64から供給されるようになっている。窒素ガス供給配管64の途中部には、加熱機構としてのヒータ65が配置されている。このヒータ65は、窒素ガス供給配管64を流通する窒素ガスを室温よりも高い温度(好ましくは、ホットプレート45によって加熱されるウエハWの温度(40℃〜80℃)よりも高い温度。たとえば、約160℃)に加熱する。この加熱された窒素ガスがパンチングプレート44を介してウエハWへと導かれる。窒素ガス供給配管64を介して供給される窒素ガスの流量は、10リットル/分〜50リットル/分の範囲とすることが好ましく、約20リットル/分とすることが最も好ましい。
【0031】
窒素ガスの供給/停止を切り換えるバルブ33,53,63は、コントローラ80によって制御される。
図3は、パンチングプレート44の近傍の構成を拡大して示す図解的な断面図である。パンチングプレート44の上方には、ふっ酸蒸気供給路36からのふっ酸蒸気およびキャリアガスとしての窒素ガス、ならびに窒素ガス供給配管64からの窒素ガスが導かれる空間91が形成されている。この空間91に対して、ふっ酸蒸気供給路36の吐出口36aおよび窒素ガス供給配管64の吐出口64aが開口している。
【0032】
吐出口36a,64aは、ホットプレート45上に載置されたウエハWを見下す平面視において、ウエハWの中心に対してほぼ点対称な位置、つまり、ウエハWを挟んで離隔した位置に配置されている。すなわち、吐出口36a,64aは、可能な限り離隔して配置されており、これによって、窒素ガス供給配管64から供給される高温の窒素ガスによって、ふっ酸蒸気供給路36が加熱されることを防止している。
なお、図3中、符号90は、ふっ酸蒸気発生容器43内のふっ酸水溶液42を一定の温度に保持するための温調水が流通する配管を示している。
【0033】
ウエハWの表面の膜を除去する膜除去工程を行う時には、ベローズ48はパンチングプレート44の周縁に密着した密着位置(図2の実線の位置)まで上昇させられて、ホットプレート45を取り囲む密閉した処理室85が形成される。この状態で、コントローラ80は、バルブ33,37,53を開き、バルブ63は閉成状態に保持する。これにより、ふっ酸蒸気発生容器43内の空間35において生成されたふっ酸蒸気は、窒素ガス供給配管54からの窒素ガスによって、バルブ37を介し、ふっ酸蒸気供給路36へと押し出される。このふっ酸蒸気は、さらに、窒素ガス供給配管34からの窒素ガスによって、パンチングプレート44へと運ばれる。そして、このパンチングプレート44に形成された貫通孔を介して、ウエハWの表面へと供給される。
【0034】
ウエハWの表面では、ウエハWの近傍の水分子の関与の下に、ふっ酸蒸気とウエハWの表面の酸化膜(酸化シリコン)とが反応し、これにより、酸化膜の除去が達成される。
上述のとおり、BPSG膜と熱酸化膜とでは、一定の温度(たとえば、40℃〜80℃の範囲内の所定温度)でのふっ酸蒸気によるエッチングレートが大きく異なるから、これを利用して、ウエハWの表面のBPSGを選択的に取り除くことができる。そこで、ホットプレート45は、ウエハWを上記一定の温度に保持するように、内部のヒータへの通電が行われる。
【0035】
ウエハWの面内での処理を均一に行うために、ホットプレート45は、回転軸47を介して、回転駆動機構46によって、一定速度で鉛直軸線まわりに回転される。
このようにして膜除去工程を予め定めた一定の時間だけ行った後に、コントローラ80は、バルブ33,37,53を閉じて、膜除去工程を停止させる。それとともに、コントローラ80は、バルブ63を開き、ヒータ65によって加熱された高温の窒素ガスをパンチングプレート44の貫通孔を介して、ウエハWの表面に供給する。これによって、ウエハWの表面付近に存在している水分子およびふっ酸分子が除去され、排気配管49を介する処理室85の排気によって、処理室85外へと運び去られる。
【0036】
こうして膜除去工程の直後に、ウエハWの表面には高温の不活性ガスとしての窒素ガスが供給されることによって、ウエハWの表面付近の水およびふっ酸の分子がすみやかに除去されるから、気相エッチング処理がすみやかに停止する。この気相エッチング処理の停止は、ウエハWの表面の全域でほぼ同時に起こるから、ウエハWの表面の各部に対して均一な膜除去処理を施すことができる。また、複数枚のウエハWに対する処理のばらつきも低減できる。
【0037】
膜除去工程後の高温窒素ガスの供給は、一定時間(たとえば10秒以上。20秒程度が好ましい。)に渡って継続される。これにより、高温の窒素ガスは処理室85の内壁(ベローズ48の内面など)にまで達するから、BPSG膜などの気相エッチング処理時における反応生成物の蒸気が処理室85の内壁において結露することを防止でき、この反応生成物の蒸気は、排気配管49を介する排気によって、処理室85外へと除去することができる。上記の一定時間の経過後には、コントローラ80は、バルブ63を閉じて窒素ガスの供給を停止する。
【0038】
以上、この発明の一実施形態について説明したが、この発明は他の形態で実施することも可能である。
【0039】
たとえば、上述の実施形態では、膜除去工程の直後のウエハWの表面に高温の窒素ガスを供給する窒素ガス供給配管64等が、処理室85の内壁の結露防止のために兼用されているが、処理室85の内壁の結露防止のための不活性ガス(窒素ガスなど)供給配管を別途設けてもよい。たとえば、この結露防止のための不活性ガス供給配管のガス供給口が、結露の生じ易い比較的低温の箇所(とくに、ベローズ48で囲まれた処理室85の下部(ウエハWの下方))の近傍に位置するように、この結露防止のための不活性ガス供給配管を別途設けてもよい。この場合には、この結露防止用の不活性ガス供給配管からの高温の不活性ガスの供給は、個々のウエハWの処理が完了するたびに行われてもよいし、1ロットの複数枚のウエハWに対する処理が完了するたびに行われてもよい。この場合の高温の不活性ガスの供給は、たとえば、50リットル/分の流量で約10分間行うことが好ましい。
【0040】
なお、上述の実施形態では、基板表面をエッチングするための蒸気として、ふっ酸の蒸気を用いているが、塩酸、硝酸、硫酸、ふっ酸(HFおよび無水HFを含む)、酢酸などのような酸を含む蒸気であれば何でもよい。たとえば、上記酸を含む水溶液の蒸気であってもよく、上記酸を含むガス(気相状態のもの)を水蒸気中に混合したものであってもよい。
さらに上述の実施形態では、不活性ガスとして窒素ガスを用いる例について説明したが、アルゴンなどの他の不活性ガスを用いてもよい。
【0041】
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施形態に係る基板表面処理装置の構成を説明するための図解的な平面図である。
【図2】気相エッチング処理部の構成を説明するための図解的な断面図である。
【図3】パンチングプレートの近傍の構成を拡大して示す図解的な断面図である。
【符号の説明】
40 気相エッチング処理部
50 水洗・乾燥処理部
31 窒素ガス供給源
33 バルブ
34 窒素ガス供給配管
36 ふっ酸蒸気供給路
36a 吐出口
37 バルブ
42 ふっ酸水溶液
43 ふっ酸蒸気発生容器
44 パンチングプレート
45 ホットプレート
46 回転駆動機構
47 回転軸
48 ベローズ
49 排気配管
52 流量コントローラ
53 バルブ
54 窒素ガス供給配管
55 排気手段
60 アンローダ部
62 流量コントローラ
63 バルブ
64 窒素ガス供給配管
64a 吐出口
65 ヒータ
80 コントローラ
85 処理室
W ウエハ[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
In this invention, a vapor containing an acid such as hydrochloric acid, nitric acid, sulfuric acid, hydrofluoric acid (including HF and anhydrous HF), acetic acid, etc. is guided to the surface of the substrate, and the film on the surface of the substrate is removed by so-called vapor phase etching treatment. The present invention relates to a substrate surface processing method and a substrate surface processing apparatus. Substrates to be processed include various substrates such as semiconductor wafers, glass substrates for liquid crystal display devices and plasma displays, and substrates for optical, magnetic and magneto-optical disks. Further, the material of the substrate includes materials such as silicon, glass, resin and ceramic. The removal of the film on the substrate surface may be for selective removal of a part or all of the predetermined film, or may be for the purpose of cleaning the substrate surface.
[0002]
[Prior art]
In the manufacturing process of a semiconductor memory, when a memory capacitor film is formed on a semiconductor wafer (hereinafter referred to as “wafer”), BSG (Boron-Silicate Glass), PSG (Phospho-Silicate Glass), BPSG (Boron-doped). An oxide film containing a large amount of impurities such as Phospho-Silicate Glass is used as a sacrificial oxide film. These sacrificial oxide films can have a large selectivity with respect to a thermal oxide film or a CVD (chemical vapor deposition) oxide film in etching using hydrofluoric acid vapor, and the thermal oxide film or the CVD oxide film is used as an etching stopper film. Can be selectively removed.
[0003]
The etching selectivity in the etching process using hydrofluoric acid vapor depends on the temperature. For example, the thermal oxide film rapidly decreases in etching rate as the temperature rises, whereas the BPSG film maintains a relatively high etching rate regardless of temperature changes. Therefore, when the BPSG film on the thermal oxide film formed on the surface of the wafer is selectively removed, the wafer temperature is maintained at 50 ° C. to 80 ° C., and vapor phase etching processing using hydrofluoric acid vapor is performed.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
The etching process of the oxide film (silicon oxide film) by hydrofluoric acid vapor is expressed by the following reaction formula.
6F++ 6HThreeO++ SiO2→ H2SiF6+ 8H2O
H2SiF6→ 2HF + SiFFour
That is, hydrofluoric acid vapor and water vapor are adsorbed and ionized on the wafer surface (on the oxide film), which reacts with silicon oxide to produce a reaction product H2SiF6Is produced, which is further added with hydrofluoric acid (HF) and silicon fluoride (SiF).FourTo evaporate out of the wafer. As a result, SiO in the oxide film2Is lost and the etching process proceeds. Therefore, in this reaction process, as a result of the etching reaction, hydrofluoric acid, which is an etching medium, and a large amount of water are generated.
[0005]
Therefore, even if the supply of hydrofluoric acid vapor to the chamber is stopped at the end of etching, the etching process cannot be stopped immediately as long as the wafer temperature is maintained at 50 ° C. to 80 ° C. That is, there is a time lag from the stop of the supply of hydrofluoric acid vapor to the actual stop of etching. Therefore, it is difficult to stop the etching process at a desired time.
Moreover, the above time lag is not guaranteed to be equal in each part in the wafer surface, and there is a problem in the uniformity of the etching process in the wafer surface.
[0006]
When the BSG film, PSG film, or BPSG film is etched, a product containing boron (B) or phosphorus (P) (for example, PHThreeOH) is produced. Since these products have a low saturated water vapor pressure (low volatility), they volatilize in the heated atmosphere near the wafer W, and once enter the processing chamber wall having a lower temperature than the atmosphere near the wafer W. When adsorbed, it does not evaporate easily and causes condensation. As a result, the processing chamber is contaminated, and if the condensed droplets fall on the surface of the wafer W, the wafer W is contaminated.
[0007]
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, a first object of the present invention is to provide a substrate surface processing method and a substrate surface processing apparatus capable of reliably stopping the process of removing a film on a substrate with an acid-containing vapor.
In addition, a second object of the present invention is to prevent contamination of a processing chamber in which a process of removing a film on a substrate with an acid-containing vapor is performed, thereby preventing contamination of the substrate. A substrate surface treatment method and a substrate surface treatment apparatus are provided.
[0008]
[Means for Solving the Problems and Effects of the Invention]
In order to achieve the above object, according to the first aspect of the present invention, the surface of the substrate is heated while heating the substrate (W) at a predetermined temperature (for example, 40 ° C. to 80 ° C.) in the processing chamber (85). A film removing step (34, 36, 43, 45, 54) for removing the film on the substrate surface by supplying vapor containing acid to the acid vapor discharge port (36a), and after the film removing step, the above treatment An inert gas supply step (63, 64, 65) for supplying an inert gas having a temperature higher than room temperature to the surface of the substrate indoors from an inert gas discharge port (64a) different from the acid vapor discharge port; IncludingThus, the inert gas is an inert gas for stopping the film removal process for stopping the progress of the film removal process.The substrate surface treatment method is characterized by the above. In addition, the alphanumeric characters in parentheses represent reference numerals of corresponding components in the embodiments described later or components that execute the process. The same applies hereinafter.
[0009]
The film removal step may be a gas phase etching treatment step in which water and acid are generated by a reaction between the acid-containing vapor and water vapor and the constituent material of the film to be removed.
According to the present invention, the inert gas having a temperature higher than room temperature is supplied to the surface of the substrate after the film removal step (preferably immediately after) of removing the film on the substrate surface with the vapor containing acid. Thereby, the vapor | steam of the reaction product (for example, water and an acid) which exists in the surface vicinity of a board | substrate can be quickly excluded from the board | substrate surface vicinity, and progress of a film | membrane removal process can be stopped. Therefore, the film removal process can be reliably stopped at a desired timing. Since the film removal process can be stopped almost simultaneously in each part of the substrate surface, the film removal process does not vary within the substrate surface. In addition, variations in processing for a plurality of substrates can be reduced.
[0010]
In order to effectively remove reaction products existing near the substrate surface, an inert gas is supplied to the substrate surface and an exhaust process (49, 49) for exhausting the atmosphere in the processing chamber in which the film removal process is performed. 55) is preferably performed.
[0011]
Also,In this invention, since the film removal process and the inert gas supply process are performed in one processing chamber, immediately after the film removal process is completed, the inert gas is introduced to the substrate surface and the film removal process is immediately stopped. be able to.
Furthermore, since the acid vapor discharge port and the inert gas discharge port are provided separately, the temperature increase of the acid vapor supply path can be prevented, and the film removal process due to the vapor containing acid is adversely affected (for example, variation in etching rate). ) Will not give.The inert gas supply step is a step of introducing an inert gas to the substrate surface from an inert gas supply path (64) independent of the acid vapor supply path (36) for guiding the vapor containing acid to the substrate surface. ButThanpreferable.
[0012]
For the same reason, the inert gas discharge port (64a) of the inert gas supply path is preferably arranged as far as possible from the acid vapor discharge port (36a) of the acid vapor supply path. For example, the inert gas discharge port and the acid vapor discharge port may be arranged at positions that are substantially point-symmetric with respect to the center (center of gravity) of the substrate.
The invention according to claim 2 removes the film on the surface of the substrate by supplying vapor containing acid to the surface of the substrate while heating the substrate (W) at a predetermined temperature in the processing chamber (85). After the film removal step (34, 36, 43, 45, 54), and after the film removal step, an inert gas having a temperature higher than room temperature is supplied to the surface of the substrate in the processing chamber. An inert gas supply step (63, 64, 65) for continuing the supply for a predetermined time so that the inert gas reaches the inner wall of the processing chamber.Thus, the inert gas is an inert gas for stopping the film removal process for stopping the progress of the film removal process.The substrate surface treatment method is characterized by the above.
According to the present invention, the film removal process can be stopped by the high-temperature inert gas, and the high-temperature inert gas can reach the inner wall of the processing chamber to simultaneously take measures against condensation in the processing chamber.
According to a third aspect of the present invention, a substrate is disposed in the processing chamber (85), and the substrate is heated at a predetermined temperature, and vapor containing acid is supplied to the surface of the substrate from the acid vapor discharge port (36a). By doing so, a film removal step (34, 36, 43, 45, 54) for removing the film on the substrate surface, and an inert gas having a temperature higher than room temperature in the processing chamber are separated from the acid vapor discharge port. And an inert gas supply step (63, 64, 65) that is supplied from an inert gas discharge port (64a). The reaction product generated in the film removal step is the inner wall of the processing chamber. A substrate surface treatment method characterized in that it is an inert gas for preventing condensation to prevent condensation.
[0013]
According to the present invention, the inert gas having a temperature higher than room temperature is supplied to the processing chamber in which the film removal process is performed (preferably, supplied when the film removal process is not performed), whereby the film removal process is performed. It can prevent that the reaction product produced | generated in dew condensation on the inner wall of a process chamber. That is, the reaction product generated in the film removal step is carried away from the inner wall of the processing chamber in a vapor state. Thereby, contamination of the processing chamber can be prevented, and consequently, contamination of the substrate can be prevented. Thereby, a favorable substrate surface treatment becomes possible.
In addition, since the acid vapor discharge port and the inert gas discharge port are provided separately, the temperature increase of the acid vapor supply path can be prevented, and the film removal process by the vapor containing acid is adversely affected (for example, fluctuation in etching rate). ) Will not give.
[0014]
In order to effectively exclude the reaction product generated in the film removal step outside the processing chamber, it is preferable to perform an exhaust step (49, 55) for exhausting the processing chamber together with the inert gas supply step.
According to a fourth aspect of the present invention, a substrate (W) is disposed in the processing chamber (85), and the substrate is heated at a predetermined temperature, and a vapor containing acid is applied to the surface of the substrate.From the acid vapor outletBy supplying the film, a film removal step (34, 36, 43, 45, 54) for removing the film on the surface of the substrate, and an inert gas having a temperature higher than room temperature in the processing chamberBelow the substrateProvided near the inner wall of the processing chamberDifferent from the above acid vapor outletIncluding an inert gas supply step (63, 64, 65) to be supplied from the supply port.Thus, the inert gas is an inert gas for preventing condensation to prevent the reaction product generated in the film removal step from condensing on the inner wall of the processing chamber.The substrate surface treatment method is characterized by the above. According to the present invention, condensation of the reaction product on the inner wall of the processing chamber can be prevented.
For example, as described in claim 5, the inert gas supply step may be performed every time one lot of substrates is processed.
In addition, as described in claim 6, the inert gas supply step may be performed every time one substrate is processed.
[0016]
Claim7According to the described invention, in the inert gas supplying step, an inert gas having a temperature higher than the predetermined temperature in the film removing step is supplied.6The substrate surface treatment method according to any one of the above.
Accordingly, it is possible to effectively stop the film removal process or prevent condensation of the reaction product on the inner wall of the processing chamber.
More specifically, the claims8As described above, in the inert gas supply step, an inert gas of 100 ° C. or higher is preferably supplied.
[0017]
Furthermore, the temperature of the inert gas is preferably in the range of 100 ° C to 300 ° C, more preferably in the range of 100 ° C to 200 ° C, and most preferably about 160 ° C.
The invention according to claim 9 is heated by the processing chamber (85), the substrate heating means (45) disposed in the processing chamber and heating the substrate (W) at a predetermined temperature, and the substrate heating means. An acid vapor supply means (34, 36, 43, 54) for supplying a vapor containing an acid to the surface of the substrate from the acid vapor discharge port (36a) for film removal processing for removing the film on the surface of the substrate; In the process chamber, after the film removal process, an inert gas having a temperature higher than room temperature is supplied to the surface of the substrate from an inert gas discharge port (64a) different from the acid vapor discharge port. Gas supply means (63, 64, 65)Thus, the inert gas is an inert gas for stopping the film removal process for stopping the progress of the film removal process.This is a substrate surface processing apparatus.
[0018]
With this configuration, the same effect as that of the first aspect of the invention can be achieved.
The invention described in
According to the eleventh aspect of the present invention, the processing chamber (85), the substrate heating means (45) disposed in the processing chamber for heating the substrate (W) at a predetermined temperature, and the substrate heating means are heated. An acid vapor supply means (34, 36, 43, 54) for supplying a vapor containing an acid to the surface of the substrate from the acid vapor discharge port (36a) for film removal processing for removing the film on the surface of the substrate; An inert gas supply means (63, 64, 65) for supplying an inert gas having a temperature higher than room temperature from the inert gas discharge port (64a) different from the acid vapor discharge port into the processing chamber; In the substrate surface processing apparatus, the inert gas is an inert gas for preventing condensation to prevent a reaction product generated in the film removal process from condensing on the inner wall of the processing chamber. is there.
[0019]
With this configuration, the same effect as that of the third aspect of the invention can be achieved.
According to a twelfth aspect of the present invention, the acid vapor outlet and the inert gas outlet are spaced apart from each other with the position of the substrate when processing is performed in the processing chamber. preferable. More specifically, as described in claim 13, the acid vapor discharge port and the inert gas discharge port are substantially pointed with respect to the center position of the substrate when processed in the processing chamber. You may arrange | position in the symmetrical position.
According to the fourteenth aspect of the present invention, the processing chamber (85), the substrate heating means (45) disposed in the processing chamber for heating the substrate (W) at a predetermined temperature, and the substrate heating means are heated. In order to remove the film on the surface of the substrate, an acid vapor supply means (34, 36, 43, 54) for supplying a vapor containing an acid to the surface of the substrate;Below the substrateProvided near the inner wall of the processing chamberDifferent from the above acid vapor outletAnd inert gas supply means (63, 63, 65) for supplying an inert gas having a temperature higher than room temperature from the supply port.Thus, the inert gas is an inert gas for preventing condensation to prevent the reaction product generated in the film removal process from condensing on the inner wall of the processing chamber.This is a substrate surface processing apparatus. According to the present invention, the same effect as that attained by the 4th aspect can be attained.
In addition, regarding the inventions of these substrate surface treatment apparatuses, the same modifications as those described above regarding the invention of the substrate surface treatment method can be performed.
[0020]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is an illustrative plan view for explaining the configuration of a substrate surface treating apparatus according to the first embodiment of the present invention. This apparatus is an apparatus for removing an oxide film formed on the surface of a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as “wafer”) W. More specifically, for example, when a sacrificial oxide film (such as a BPSG film) used for forming a memory capacitor is formed on a thermal oxide film formed on the wafer W, this sacrificial oxide film is used. An apparatus for selective removal. For this processing, in this substrate surface processing apparatus, a film removal step is performed by vapor-phase etching processing of hydrofluoric acid by supplying hydrofluoric acid vapor to the surface of the wafer W.
[0021]
The structure of the apparatus will be described. This apparatus is a gas-phase etching that performs a gas-phase etching process using hydrofluoric acid vapor on the
[0022]
The
Between the
[0023]
Each of the
[0024]
In this manner, the
The water washing /
[0025]
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view for explaining the configuration of the vapor-phase
[0026]
A
On the outer side in the plan view of the
[0027]
The internal space of the
On the side of the
[0028]
A nitrogen
[0029]
The nitrogen gas from the nitrogen
The hydrofluoric acid
[0030]
On the other hand, nitrogen gas (inert gas) from the nitrogen
[0031]
FIG. 3 is an illustrative sectional view showing an enlarged configuration in the vicinity of the punching
[0032]
The
In FIG. 3,
[0033]
When performing a film removal process for removing the film on the surface of the wafer W, the
[0034]
On the surface of the wafer W, hydrofluoric acid vapor reacts with an oxide film (silicon oxide) on the surface of the wafer W under the involvement of water molecules in the vicinity of the wafer W, thereby achieving removal of the oxide film. .
As described above, the BPSG film and the thermal oxide film differ greatly in the etching rate by hydrofluoric acid vapor at a constant temperature (for example, a predetermined temperature within a range of 40 ° C. to 80 ° C.). The BPSG on the surface of the wafer W can be selectively removed. Therefore, the
[0035]
In order to perform uniform processing in the plane of the wafer W, the
After the film removal process is performed for a predetermined time in this way, the
[0036]
In this way, immediately after the film removal step, the surface of the wafer W is supplied with nitrogen gas as a high-temperature inert gas, so that water and hydrofluoric acid molecules near the surface of the wafer W are quickly removed. The vapor phase etching process stops immediately. Since the stop of the vapor phase etching process occurs almost simultaneously on the entire surface of the wafer W, a uniform film removal process can be performed on each part of the surface of the wafer W. In addition, processing variations for a plurality of wafers W can be reduced.
[0037]
The supply of the high-temperature nitrogen gas after the film removal step is continued for a certain time (for example, 10 seconds or more, preferably about 20 seconds). As a result, since the high-temperature nitrogen gas reaches the inner wall of the processing chamber 85 (such as the inner surface of the bellows 48), the vapor of the reaction product during the vapor phase etching process such as the BPSG film is condensed on the inner wall of the
[0038]
Although one embodiment of the present invention has been described above, the present invention can be implemented in other forms..
[0039]
For example, in the above-described embodiment, the nitrogen
[0040]
In the above embodiment, hydrofluoric acid vapor is used as the vapor for etching the substrate surface. However, hydrochloric acid, nitric acid, sulfuric acid, hydrofluoric acid (including HF and anhydrous HF), acetic acid, and the like are used. Any vapor containing acid may be used. For example, the vapor of the aqueous solution containing the acid may be used, or the gas containing the acid (gas phase state) may be mixed with water vapor.
Furthermore, although the above-mentioned embodiment demonstrated the example which uses nitrogen gas as an inert gas, you may use other inert gas, such as argon.
[0041]
In addition, various design changes can be made within the scope of the matters described in the claims.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is an illustrative plan view for explaining a configuration of a substrate surface treatment apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view for explaining a configuration of a vapor-phase etching processing unit.
FIG. 3 is an illustrative sectional view showing an enlarged configuration in the vicinity of a punching plate.
[Explanation of symbols]
40 Vapor phase etching process
50 Washing and drying section
31 Nitrogen gas supply source
33 Valve
34 Nitrogen gas supply piping
36 Hydrofluoric acid vapor supply path
36a Discharge port
37 Valve
42 Hydrofluoric acid aqueous solution
43 Hydrofluoric acid vapor generation container
44 punching plate
45 Hot plate
46 Rotation drive mechanism
47 Rotating shaft
48 Bellows
49 Exhaust piping
52 Flow controller
53 Valve
54 Nitrogen gas supply piping
55 Exhaust means
60 Unloader section
62 Flow controller
63 Valve
64 Nitrogen gas supply piping
64a Discharge port
65 Heater
80 controller
85 treatment room
W wafer
Claims (14)
この膜除去工程後に、上記処理室内で、基板の表面に室温よりも高い温度の不活性ガスを上記酸蒸気吐出口とは別の不活性ガス吐出口から供給する不活性ガス供給工程とを含み、
上記不活性ガスは、上記膜除去工程の進行を停止させるための膜除去処理停止用不活性ガスであることを特徴とする基板表面処理方法。A film removal step of removing the film on the surface of the substrate by supplying a vapor containing acid to the surface of the substrate from the acid vapor discharge port while heating the substrate at a predetermined temperature in the processing chamber;
After the film removal step, an inert gas supply step of supplying an inert gas having a temperature higher than room temperature to the surface of the substrate from the inert gas discharge port different from the acid vapor discharge port in the processing chamber. ,
The substrate surface treatment method according to claim 1, wherein the inert gas is an inert gas for stopping a film removal process for stopping the progress of the film removal process.
この膜除去工程後に、上記処理室内で、基板の表面に室温よりも高い温度の不活性ガスを供給し、この不活性ガスの供給を当該不活性ガスが上記処理室の内壁に達するように定めた一定時間継続する不活性ガス供給工程とを含み、
上記不活性ガスは、上記膜除去工程の進行を停止させるための膜除去処理停止用不活性ガスであることを特徴とする基板表面処理方法。A film removal step of removing the film on the surface of the substrate by supplying a vapor containing acid to the surface of the substrate while heating the substrate at a predetermined temperature in the processing chamber;
After the film removal step, an inert gas having a temperature higher than room temperature is supplied to the surface of the substrate in the processing chamber, and the supply of the inert gas is determined so that the inert gas reaches the inner wall of the processing chamber. look including the inert gas supply step continues for a predetermined time,
The substrate surface treatment method according to claim 1, wherein the inert gas is an inert gas for stopping a film removal process for stopping the progress of the film removal process .
上記処理室内に室温よりも高い温度の不活性ガスを上記酸蒸気吐出口とは別の不活性ガス吐出口から供給する不活性ガス供給工程とを含み、
上記不活性ガスは、上記膜除去工程において生成される反応生成物が上記処理室の内壁に結露することを防止するための結露防止用不活性ガスであることを特徴とする基板表面処理方法。A film removing step of removing a film on the surface of the substrate by disposing the substrate in the processing chamber and supplying the acid-containing vapor to the surface of the substrate from the acid vapor discharge port while heating the substrate at a predetermined temperature; ,
An inert gas supply step of supplying an inert gas having a temperature higher than room temperature into the processing chamber from an inert gas discharge port different from the acid vapor discharge port,
The substrate surface treatment method according to claim 1, wherein the inert gas is an inert gas for preventing condensation to prevent a reaction product produced in the film removal step from condensing on the inner wall of the treatment chamber.
上記処理室内に室温よりも高い温度の不活性ガスを上記基板よりも下方において上記処理室の内壁の近傍に設けられ、上記酸蒸気吐出口とは別の供給口から供給する不活性ガス供給工程とを含み、
上記不活性ガスは、上記膜除去工程において生成される反応生成物が上記処理室の内壁に結露することを防止するための結露防止用不活性ガスであることを特徴とする基板表面処理方法。A film removing step of removing a film on the surface of the substrate by disposing the substrate in the processing chamber and supplying the acid-containing vapor to the surface of the substrate from the acid vapor discharge port while heating the substrate at a predetermined temperature; ,
An inert gas supply step in which an inert gas having a temperature higher than room temperature is provided in the vicinity of the inner wall of the processing chamber below the substrate and supplied from a supply port different from the acid vapor discharge port in the processing chamber. Including
The substrate surface treatment method according to claim 1, wherein the inert gas is an inert gas for preventing condensation to prevent a reaction product produced in the film removal step from condensing on the inner wall of the treatment chamber.
この処理室内に配置され、基板を所定の温度で加熱する基板加熱手段と、
この基板加熱手段によって加熱されている基板の表面の膜を除去する膜除去処理のために、この基板の表面に酸を含む蒸気を酸蒸気吐出口から供給する酸蒸気供給手段と、
上記処理室内で、上記膜除去処理の後に、上記酸蒸気吐出口とは別の不活性ガス吐出口から、上記基板の表面に室温よりも高い温度の不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段とを含み、
上記不活性ガスは、上記膜除去処理の進行を停止させるための膜除去処理停止用不活性ガスであることを特徴とする基板表面処理装置。A processing chamber;
A substrate heating means disposed in the processing chamber for heating the substrate at a predetermined temperature;
An acid vapor supply means for supplying a vapor containing an acid to the surface of the substrate from an acid vapor outlet for film removal processing for removing the film on the surface of the substrate heated by the substrate heating means,
An inert gas supply means for supplying an inert gas having a temperature higher than room temperature to the surface of the substrate from an inert gas discharge port different from the acid vapor discharge port after the film removal process in the processing chamber. Including
The substrate surface processing apparatus, wherein the inert gas is an inert gas for stopping a film removal process for stopping the progress of the film removal process.
この処理室内に配置され、基板を所定の温度で加熱する基板加熱手段と、
この基板加熱手段によって加熱されている基板の表面の膜を除去する膜除去処理のために、この基板の表面に酸を含む蒸気を供給する酸蒸気供給手段と、
上記処理室内で、上記膜除去処理の後に、上記基板の表面に室温よりも高い温度の不活性ガスを供給し、この不活性ガスの供給を当該不活性ガスが上記処理室の内壁に達するように定められた一定時間継続する不活性ガス供給手段とを含み、
上記不活性ガスは、上記膜除去処理の進行を停止させるための膜除去処理停止用不活性ガスであることを特徴とする基板表面処理装置。A processing chamber;
A substrate heating means disposed in the processing chamber for heating the substrate at a predetermined temperature;
An acid vapor supply means for supplying an acid-containing vapor to the surface of the substrate for film removal processing to remove the film on the surface of the substrate heated by the substrate heating means;
In the process chamber, after the film removal process, an inert gas having a temperature higher than room temperature is supplied to the surface of the substrate, and the inert gas is supplied so that the inert gas reaches the inner wall of the process chamber. and an inert gas supply means continues for a predetermined time determined in observed including,
The substrate surface processing apparatus, wherein the inert gas is an inert gas for stopping a film removal process for stopping the progress of the film removal process .
この処理室内に配置され、基板を所定の温度で加熱する基板加熱手段と、
この基板加熱手段によって加熱されている基板の表面の膜を除去する膜除去処理のために、この基板の表面に酸を含む蒸気を酸蒸気吐出口から供給する酸蒸気供給手段と、
上記処理室内に室温よりも高い温度の不活性ガスを上記酸蒸気吐出口とは別の不活性ガス吐出口から供給する不活性ガス供給手段とを含み、
上記不活性ガスは、上記膜除去処理において生成される反応生成物が上記処理室の内壁に結露することを防止するための結露防止用不活性ガスであることを特徴とする基板表面処理装置。A processing chamber;
A substrate heating means disposed in the processing chamber for heating the substrate at a predetermined temperature;
An acid vapor supply means for supplying a vapor containing an acid to the surface of the substrate from an acid vapor outlet for film removal processing for removing the film on the surface of the substrate heated by the substrate heating means,
An inert gas supply means for supplying an inert gas having a temperature higher than room temperature into the processing chamber from an inert gas outlet different from the acid vapor outlet;
The substrate surface treatment apparatus, wherein the inert gas is an inert gas for preventing condensation to prevent a reaction product produced in the film removal treatment from condensing on the inner wall of the treatment chamber.
この処理室内に配置され、基板を所定の温度で加熱する基板加熱手段と、
この基板加熱手段によって加熱されている基板の表面の膜を除去する膜除去処理のために、この基板の表面に酸を含む蒸気を酸蒸気吐出口から供給する酸蒸気供給手段と、
上記処理室内に、上記基板よりも下方において当該処理室の内壁の近傍に設けられ、上記酸蒸気吐出口とは別の供給口から、室温よりも高い温度の不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段とを含み、
上記不活性ガスは、上記膜除去処理において生成される反応生成物が上記処理室の内壁に結露することを防止するための結露防止用不活性ガスであることを特徴とする基板表面処理装置。A processing chamber;
A substrate heating means disposed in the processing chamber for heating the substrate at a predetermined temperature;
An acid vapor supply means for supplying a vapor containing an acid to the surface of the substrate from an acid vapor outlet for film removal processing for removing the film on the surface of the substrate heated by the substrate heating means,
An inert gas that is provided near the inner wall of the processing chamber below the substrate and supplies an inert gas having a temperature higher than room temperature from a supply port different from the acid vapor discharge port in the processing chamber. Supply means,
The substrate surface treatment apparatus, wherein the inert gas is an inert gas for preventing condensation to prevent a reaction product produced in the film removal treatment from condensing on the inner wall of the treatment chamber.
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