JP2008177605A - 発光装置 - Google Patents
発光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008177605A JP2008177605A JP2008097817A JP2008097817A JP2008177605A JP 2008177605 A JP2008177605 A JP 2008177605A JP 2008097817 A JP2008097817 A JP 2008097817A JP 2008097817 A JP2008097817 A JP 2008097817A JP 2008177605 A JP2008177605 A JP 2008177605A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- bumps
- led element
- emitting device
- sealing member
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01057—Lanthanum [La]
Abstract
る発光素子のバンプの変形、移動、バンプ間短絡等を防止できるようにした発光装置を提
供する。
【解決手段】基板部11の配線層11c,11d上の所定位置には、バンプ12a,12
bが実装面に設けられたLED素子12が搭載され、その下面と基板部11の上面との間
には、バンプ12a,12bを埋める様にしてシリコーン材による絶縁層13が充填され
る。この絶縁層13、LED素子12の各露出部分、及び基板部11の発光素子搭載面の
周囲がガラス材による封止部材14で封止される。絶縁層13が固化すると、LED素子
12の下面及びバンプ12a,12bが絶縁層13によって固定され、封止部材14が加
圧プレスによって封止されても、その加圧力はバンプ12a,12bに及ばず、バンプ1
2a,12bに変形等が生じるのを防止できる。
【選択図】図1
Description
ことに起因して生じる発光素子のバンプの変形、バンプ間短絡等を防止できるようにした
発光装置に関する。
造として、LED素子及びリード部の所定範囲を透光性を有する封止材料で覆うものがあ
る。この封止材料には、エポキシやシリコン等の樹脂やガラスがあるが、成形性、量産性
、及びコストの面から、一般に樹脂が用いられている。
反面、LED素子から放射される光によって、封止樹脂の光学的特性及び化学的特性が劣
化し、その結果、発光装置の発光効率を低下させることが問題視されている。
ることによって次第に黄変し、樹脂材に着色を生じることが知られている。この様な着色
が生じると、LED素子から放射される光が吸収されて発光装置の光出力を低下させ、ま
た、出力光に着色の影響が現れるという問題がある。
の部分を樹脂で封止した発光装置がある(例えば、特許文献1参照。)。
1及び202と、配線導体202に形成されるカップ部203と、カップ部203内の底
部203Aに接着されるLED素子204と、LED素子204の電極部(図示せず)と
配線導体201及び202の所定部位とを電気的に接続するワイヤ205と、カップ部2
03内に設けられるLED素子204を封止するガラス層206と、ガラス層206に含
有される蛍光物質206Aと、砲弾形に成形されて全体を封止するとともに光透過性を有
する封止樹脂207とを有する。蛍光物質206Aは、波長変換を行うためにガラス層2
06に混入されており、LED素子204から放射された光が蛍光物質206Aによって
波長変換される。
06によって包囲されるので、黄変や着色による光の減衰を低減することができる。また
、水分の透過が防止されて蛍光体の劣化を防ぐことができる。
化されている。LEDは発熱の少ないことが特徴であるが、高出力(高輝度)タイプのL
ED素子は大電流が流れるため、無視できないレベルの発熱が生じる。このため、封止部
材を従来の樹脂材に代え、耐熱性に優れる封止材、例えばガラス材にする必要がある。
に比べて粘度が高いため、その封止には高温による加圧プレスを用いているが、これによ
り、封止加工時にはLED素子に加圧力や応力が付与され、LED素子がパンプにより接
続される構成では、パンプに変形(潰れ等)や移動を生じ、或いはパンプ間の短絡等を生
じ易くなる。
ことに起因して生じる発光素子のバンプの変形、移動、バンプ間短絡等を防止できるよう
にした発光装置を提供することにある。
フリップタイプの発光素子と、
前記発光素子が上面に搭載された給電部材と、
前記発光素子と前記給電部材との間に設けられて前記発光素子の正負の電極が前記封止
部材を封止加工する際に短絡することを防ぐ耐熱性絶縁体と、
前記耐熱性絶縁体の露出面、前記給電部材の前記上面及び前記発光素子を封止する透光
性ガラスからなる封止部材と、を有することを特徴とする発光装置を提供する。
、
前記封止部材は、前記給電部材の前記配線層を含む前記上面を封止されていても良い。
を含むものであることが好ましい。
と上面を覆うように設けられていても良い。
以上あるものであっても良い。
により、LED素子に封止時に付与される圧力が絶縁層によって阻止されるため、発光素
子のバンプの変形、移動、バンプ間の短絡等を防止できるようになる。
光装置10は、給電部材としての基板部11と、電源供給用の少なくとも一対のAuから
なるバンプ12a,12bを有すると共に基板部11の上面に搭載されるLED素子12
と、LED素子12の下面と基板部11の間に充填される絶縁層13と、LED素子12
及び基板部11の上面を覆うように形成された封止部材14とを備えて構成される。
ンで形成された配線層11b,11c,11d,11eと、セラミック基板11aの下面
に所定のパターンで形成された配線層11f,11gと、配線層11cの表面に被覆され
たAuメッキ膜11hと、配線層11dの表面に被覆されたAuメッキ膜11iと、配線
層11fの表面に被覆されたAuメッキ膜11jと、配線層11gの表面に被覆されたA
uメッキ膜11kと、配線層11bと配線層11fを接続するスルーホール11lと、配
線層11dと配線層11gを接続するスルーホール11mとを備えている。
-6/℃)が用いられる。配線層11c,11d,11f,11gは、電源を供給するため
の電極として機能する。また、Auメッキ膜11h,11i,11j,11kは、接続性
、導電性、及び耐腐食性を向上させるために設けられている。なお、基板部11は、LE
D素子12を搭載する前に、配線層11b〜11g、Auメッキ膜11h,11i,11
j,11k、及びスルーホール11l,11mは予めセラミック基板11aに形成される
。
り、そのチップサイズは、0.3×0.3mm(標準サイズ)、1×1mm(ラージサイ
ズ)等である。また、LED素子12は、下面に電源用の電極12a,12bを有し、こ
の電極12a,12bが基板部11の所定の配線層上に半田付けされる。
粉末を含む絶縁材で形成されている。シリコン系材料としてシリコン樹脂を用いた場合、
封止部材14の封止に伴う高温により、化学結合が切れることでSiO2になり、耐熱性
を有する絶縁体として機能する。また、シリコン樹脂によって形成されるSiO2に代え
てSi系やTi系等のアルコキシドによって形成されるセラミックを用いることもできる
。なお、ダイヤモンドは高い熱伝導性を有する。BN、SiC、AlNはダイヤモンドと
比べて熱伝導性は劣るが廉価である。また、ダイヤモンド、BN、SiCは透明あるいは
白色であり、光吸収が少ないという特徴を有している。
ば、住田光学ガラス株式会社製の「PSK100」(熱膨張率:11.4×10-6/℃)
を用いることができる。なお、発明者らの実験では、セラミックとガラスとの良好な接合
を得るためにはセラミック基板11aと封止部材14とを略同等の熱膨張率(熱膨張率差
の比が15%以内)とする必要があり、ここでは熱膨張率の比は0.86である。
11上にLED素子12を配設した後、滴下、充填等により絶縁層13を形成する。
封止部材14を封止する。封止部材14の封止には金型を用い、所定の温度雰囲気及び加
圧プレスにより図1のように半円型に成形する。この封止の際、絶縁層13としてのシリ
コン材がSiO2化され、LED素子12の下面、及びバンプ12a,12bが固定され
た状態になるため、バンプ12a,12bの変形やバンプ間短絡等が回避される。以上に
より、発光装置10が完成する。
すると、配線層11fに直流電源(図示せず)のプラス側が接続され、配線層11gには
マイナス側が接続される。LED素子12に対して、図示しないp型電極及びn型電極に
電気的に接続されたバンプ2を介して順方向の電圧を印加すると、LED素子12の活性
層においてホール及びエレクトロンのキャリア再結合が発生して発光し、出力光がLED
素子12の外部へ放射される。この光の殆どは封止部材14内を透過して封止部材14の
外へ出光し、一部は内面反射をして封止部材14の外へ出光する。
(1)ガラス材による封止部材14で全体を封止したことにより、樹脂封止で問題になっ
た黄変や着色による光の減衰を低減することができる。
(2)LED素子12の下側に耐熱性を有する絶縁層13を設けたことにより、封止部材
14の封止時に、バンプ12a,12bを封止部材14が高熱で押圧してLED素子12
にダメージを及ぼすことがなくなる。すなわち、封止部材14の高熱及び高圧力によりバ
ンプ12a,12bが変形したり、破損したりしてバンプ間で短絡を生じることを防止で
きる。
(3)ダイヤモンド、BN、SiC、あるいはAlNの粉末を含む絶縁材を用いた場合、
LED素子12の発する熱を放熱する効果を期待できるため、放熱性の向上を図ることが
できる。
0は、サブマウント22を用いてリードフレームに搭載される金属リードタイプであり、
実装面にバンプ21a,21bが設けられたLED素子21と、このLED素子21が搭
載されるサブマウント22と、このサブマウント22が搭載される給電部材としてのリー
ド部23a,23bと、リード部23a,23bの上面とLED素子21の下面との間に
充填される絶縁層24と、絶縁層24の端部及びLED素子21の表面を含むリード部2
3a,23bの先端部を封止するための透光性ガラスによる封止部材25とを有する。
ンプ21aの一方に接続される配線層22aが上面、側面、及び下面にかけてコの字形を
成すように形成されており、反対側にはバンプ21bに接続される配線層22bが上面、
側面、及び下面かけてコの字形を成すように形成されている。
路を内蔵させることもできる。また、配線層22a,22bに代えて、上下面に設けた電
極と、その上下の電極相互を連通させるスルーホールとによる組み合わせによる配線手段
を用いても良い。
一部として両側の帯状部分より内側に所定の間隙で向かい合うように形成されており、1
個のLED素子に対して一対が割り当てられている。リード部23a,23bの先端部の
一部は、段差が形成されるように薄厚に作られており、この段差部分にサブマウント22
が載置される。
ヤモンドやAlNの粉末を含む絶縁材を用いることができる。封止部材25の封止時に化
学結合が切れてシリコン材がSiO2になる生成過程、及びダイヤモンド、BN、SiC
、あるいはAlNの粉末を含む絶縁材を用いた場合の放熱効果等は絶縁層13の場合と同
様である。
ガラス材が用いられる。
ド部23aに供給された電流は、リード部23a、配線層22a、及びバンプ21aを経
てLED素子21のアノードに流れ、さらに、LED素子21のカソードを出た電流は、
バンプ21b、配線層22bを経てリード部23bに流れることにより、LED素子21
が発光する。
マウント22上の所定位置にバンプ21a,21bを形成し、そこへLED素子21を搭
載し、バンプ21aと配線層22a、及びバンプ21bと配線層22bを電気的に接続す
ると共に機械的に固定する。
部の窪み内に通電方向を合致させて配置する。なお、LED素子21をサブマウント22
に搭載した後、このサブマウント22をリード部23a,23bに搭載する順序であって
も良い。
上面との間に充填する(この充填は、サブマウント22をリード部23a,23bに搭載
する前に行っても良い。)。この状態のまま金型内に搬入し、封止部材25を形成するた
めのガラスシート(図示せず)をLED素子21の上方及び下方に配置し、所定の温度及
び加圧プレスにより半球状に成形する。この封止の際、シリコーン材がSiO2化されて
絶縁層24となり、LED素子21の下面及びバンプ12a,12bを固定するため、バ
ンプ12a,12bの変形やバンプ間短絡等が回避される。以上により、発光装置20が
完成する。最終的には、図示しないリードフレームからリード部23a,23bの他端を
分離することにより、個々の発光装置20に個別化される。
3bを用いるとともにLED素子21の下側に絶縁層24を設けたことにより、封止部材
25の封止時に、封止部材25がLED素子21にダメージを及ぼすことがなくなるので
、バンプ21a,21bに変形、移動、短絡等が生じるのを防止することができる。さら
に、ガラス材による封止部材25で全体を封止したことにより、封止部材が樹脂材のとき
のような黄変や着色による光の減衰が生じるのを防止することができる。
第2の実施の形態と同様に、サブマウントを用いてリードフレームに搭載される金属リー
ドタイプである。ここでは、図2と同様に、主要部の構成のみを図示し、更に、サブマウ
ント32は非断面の状態で図示している。本実施の形態が第2の実施の形態と異なるとこ
ろは、サブマウントの構造と、絶縁層の構成及び形成範囲にある。
このLED素子31が搭載されるサブマウント32と、このサブマウント32が先端部に
搭載される給電部材としてのリード部33a,33bと、蛍光体34aが混合されている
と共にLED素子31の全面を覆うように充填又は滴下される絶縁層34と、LED素子
31の上面を含むリード部33a,33bの先端部を封止する透光性ガラスによる封止部
材35とを有する。
プ31a,31bに接続される電極32a,32bがLED素子31の実装面側に形成さ
れており、反対側の面(リードフレーム側の面)には一対のリード部33a,33bに接
続するための電極32c,32dが形成されている。電極32aと電極32c、及び電極
32cと電極32dとを接続するために、サブマウント32内にはスルーホール32e,
32fが設けられている。
一部として両側の帯状部分より内側に所定の間隙で対向するように形成され、1個のLE
D素子に対して一対が割り当てられている。リード部33a,33bの先端部の一部は、
段差が生じるように薄厚に作られており、この段差部分にサブマウント32が載置される
。
、封止部材25の封止時にシリコーン材の化学結合が切れてSiO2になる生成過程、及
びダイヤモンドやAlNの粉末を含む絶縁材を用いた場合の放熱効果等は、絶縁層13の
場合と同様である。
励起されることにより黄色光を放射する特性を有するCe(セリウム):YAG(イット
リウム・アルミニウム・ガーネット)を用いる。
ス材が用いられる。
ド部33aに供給された電流は、リード部33a、電極32c、スルーホール32e、電
極32a、及びバンプ31aを経てLED素子31のアノードに流れ、さらに、LED素
子31のカソードを出た電流は、バンプ31b、電極32b、スルーホール32f、及び
電極32dを経てリード部33bに流れることにより、LED素子31が発光する。
ウント32を準備する。このサブマウント32上の所定位置に、バンプ31a,31bを
形成し、LED素子31を搭載する。これによってLED素子31をバンプ31a,31
bを介して電極32a,32bと電気的に接続し、同時に機械的に固定する。
部の窪み内に通電方向を合致させて配置する。或いは、サブマウント32をリード部33
a,33bに搭載した後、サブマウント32にLED素子31を実装する手順であっても
良い。
の絶縁層34を滴下又は充填する。
ED素子31の上方及び下方に配置し、所定の温度のもとで加圧プレスにより半球状に成
形すれば、発光装置30が完成する。この封止の際、シリコン材がSiO2化されて絶縁
層34となり、LED素子31の下面及びバンプ31a,31bが固定された状態になる
ため、バンプ12aの変形やバンプ間短絡等が回避される。最終的には、リードフレーム
からリード部33a,33bの他端が分離され、個々の発光装置に個別化される。
(1)絶縁層34を設けたことにより、封止部材35の封止時に、封止部材35がLED
素子31にダメージを及ぼすことがなくなるので、バンプ31a,31bに変形、移動、
短絡等が生じるのを防止することができる。
(2)絶縁層34に蛍光体34aが混入されているため、リード部上の電極(又は、サブ
マウント上の配線層)による光の吸収を低減することができる。通常、電極や配線層には
Auメッキが施されている。このAuメッキは、青又は紫の光の吸収率が高いが、蛍光体
入りの絶縁層34を設けることにより、LED素子側面から放射される光を波長変換する
ことができ、Auメッキ面における光吸収を防止することができる。
(3)LED素子31の上面から放射される光に対しても波長変換をすることができる。
また、ガラス材による封止部材35で全体を封止したことにより、封止部材が樹脂材のと
きのような黄変や着色による光の減衰を防止することができる。
2bを有するサブマウント22を用いても良い。逆に、図2のサブマウント22に代えて
、図3に示したサブマウント32を用いても良い。
31は、0.3mm角のLED素子であり、n電極に接続されたパンプ41を搭載する小
パターン42と、p電極に接続された大パターン43と、この大パターン43に搭載され
たパンプ44a,44bとが設けられている。LED素子31は高出力型になるほど大電
流が流れる。そこで、p電極側のパンプ数を複数にし、大きな電流容量に対応できるよう
にしている。
子31は、1mm角のLED素子であり、バンプ52a,52bを設けられる配線パター
ン54と、バンプ53a〜53pを設けられる配線パターン55とを有する。ラージサイ
ズのLED素子は標準サイズよりも発光面積が大になるため、更に大電流が流れる。そこ
で、発光面での均一発光を図るために配線パターン54、55の形状面積に応じて、電極
接点となるそれぞれのバンプを複数個にしている。
封止時の温度および圧力によってバンプが圧潰し易くなる。特に、図5に示すように、多
数のバンプ53a〜53pを有するものでは、各バンブ間の距離が接近するために、バン
ブに変形が生じるとより短絡が生じ易くなる。このようなLED素子31に対し、絶縁層
34は、バンプ形成面を覆ってバンプ間の絶縁を確保するとともに、ガラス封止時の圧力
に耐えることでバンプ53a〜53pの変形を抑制する。その結果、ガラス材による封止
部材35の形成が可能になる。
が、Auに限定されず、半田で形成されるバンプとしても良い。また、バンプに限らず、
電極に形成された半田めっきであっても良い。住田光学ガラス株式会社製の「PSK10
0」では400℃を超える温度での封止加工で、かつ、加工時のガラス粘度も高いために
Auバンプでも潰れが生じる。一方、無機有機混合をハイブリッド低融点ガラスでは、更
に低い温度での封止加工が可能であるが、はんだバンプのように融点が封止加工温度より
低ければ、小さな圧力でも電極間の短絡が生じる。これに対しても本発明は有効である。
2の上部に、波長変換のための蛍光体層を形成することもできる。
個数は1個であるとしたが、LED素子が2個以上のマルチ発光型の発光装置にすること
もできる。搭載する複数のLED素子は、異なる発光色のLED素子を複数設ける構成で
も、同一発光色のLED素子を複数設ける構成でも良い。更に、LED素子の駆動形態と
しては、複数のLED素子の全部を並列接続し又はグループ単位で並列接続しても、複数
単位に直列接続し又は全数を直列接続しても良い。
示した形状に限定されるものではなく、レンズ部を有しない形状、多角形、円柱形等、任
意の形状にすることができる。
による成形方法に限定されるものではなく、他の封止方法を用いても良い。
11 基板部
11a セラミック基板
12 LED素子
13 絶縁層
14 封止部材
20 発光装置
21 LED素子
22 サブマウント
24 絶縁層
25 封止部材
30 発光装置
31 LED素子
32 サブマウント
34 絶縁層
34a 蛍光体
35 封止部材
41 パンプ
42 小パターン
43 大パターン
54 配線パターン
55 配線パターン
Claims (5)
- フリップタイプの発光素子と、
前記発光素子が上面に搭載された給電部材と、
前記発光素子と前記給電部材との間に設けられて前記発光素子の正負の電極が前記封止
部材を封止加工する際に短絡することを防ぐ耐熱性絶縁体と、
前記耐熱性絶縁体の露出面、前記給電部材の前記上面及び前記発光素子を封止する透光
性ガラスからなる封止部材と、を有することを特徴とする発光装置。 - 前記給電部材は、前記上面に形成され前記発光素子と電気的に接続される配線層を有し
、
前記封止部材は、前記給電部材の前記配線層を含む前記上面を封止することを特徴とす
る請求項1記載の発光装置。 - 前記耐熱性絶縁体は、ダイヤモンド、BN、SiC、あるいはAlNの少なくとも1つ
を含むものであることを特徴とする請求項1または2に記載の発光装置。 - 前記耐熱性絶縁体は、蛍光体が混入されていると共に、前記発光素子の側面、又は側面
と上面を覆うように設けられていることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記
載の発光装置。 - 前記発光素子は、アノード電極とカソード電極の少なくとも一方の電極接点数が2箇所
以上あることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の発光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008097817A JP4737218B2 (ja) | 2008-04-04 | 2008-04-04 | 発光装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008097817A JP4737218B2 (ja) | 2008-04-04 | 2008-04-04 | 発光装置の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007006474A Division JP4147353B2 (ja) | 2007-01-15 | 2007-01-15 | 発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008177605A true JP2008177605A (ja) | 2008-07-31 |
JP4737218B2 JP4737218B2 (ja) | 2011-07-27 |
Family
ID=39704333
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008097817A Expired - Fee Related JP4737218B2 (ja) | 2008-04-04 | 2008-04-04 | 発光装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4737218B2 (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1140848A (ja) * | 1997-07-17 | 1999-02-12 | Matsushita Electron Corp | 発光装置 |
JPH11177129A (ja) * | 1997-12-16 | 1999-07-02 | Rohm Co Ltd | チップ型led、ledランプおよびledディスプレイ |
JPH11289098A (ja) * | 1998-01-30 | 1999-10-19 | Patent Treuhand Ges Elektr Gluehlamp Mbh | オプトエレクトロニクス半導体デバイス及び照明灯又はランプ |
JP2002094128A (ja) * | 2000-09-20 | 2002-03-29 | Stanley Electric Co Ltd | 発光ダイオード及びその製造方法 |
-
2008
- 2008-04-04 JP JP2008097817A patent/JP4737218B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1140848A (ja) * | 1997-07-17 | 1999-02-12 | Matsushita Electron Corp | 発光装置 |
JPH11177129A (ja) * | 1997-12-16 | 1999-07-02 | Rohm Co Ltd | チップ型led、ledランプおよびledディスプレイ |
JPH11289098A (ja) * | 1998-01-30 | 1999-10-19 | Patent Treuhand Ges Elektr Gluehlamp Mbh | オプトエレクトロニクス半導体デバイス及び照明灯又はランプ |
JP2002094128A (ja) * | 2000-09-20 | 2002-03-29 | Stanley Electric Co Ltd | 発光ダイオード及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4737218B2 (ja) | 2011-07-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4303550B2 (ja) | 発光装置 | |
JP4747726B2 (ja) | 発光装置 | |
JP5842813B2 (ja) | 発光装置および発光装置の製造方法 | |
KR101360732B1 (ko) | 발광 다이오드 패키지 | |
JP4254669B2 (ja) | 発光装置 | |
JP4142080B2 (ja) | 発光素子デバイス | |
EP1603170A1 (en) | Solid element device and method for manufacture thereof | |
JP2011238902A (ja) | 発光装置 | |
JP2005109282A (ja) | 発光装置 | |
JP5743412B2 (ja) | 発光素子パッケージ | |
JP4637160B2 (ja) | 固体素子デバイスの製造方法 | |
JP4923711B2 (ja) | 発光装置 | |
KR101186648B1 (ko) | Led 패키지 및 그의 제조 방법 | |
JP4147353B2 (ja) | 発光装置 | |
JP4016925B2 (ja) | 発光装置 | |
JP5126127B2 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
KR100849828B1 (ko) | 발광 다이오드 패키지 | |
JP4008943B2 (ja) | 固体素子デバイスの製造方法 | |
JP4775403B2 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
US20150053993A1 (en) | Semiconductor light emitting device | |
KR20150042954A (ko) | 측면발광 발광 장치 및 그 제조 방법 | |
JP4737218B2 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
KR20140110257A (ko) | 발광소자 패키지 | |
KR100675204B1 (ko) | 발광 다이오드 패키지 | |
KR20170037907A (ko) | 발광 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080428 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080428 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110111 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110307 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110405 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110418 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4737218 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140513 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |