JP2008174395A - Dividing method of substrate and manufacturing method of electro-optical device - Google Patents

Dividing method of substrate and manufacturing method of electro-optical device Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a dividing method of a substrate which can divide a substrate having optical elements at a given position, and a manufacturing method of an electro-optical device equipped with the substrate. <P>SOLUTION: The inventive dividing method of a substrate is provided with a measuring step for measuring the position of a micro-lens 3 that is positioned on a predetermined line for cutting on a mother substrate W2 as the substrate, a calculating step for finding the irradiation interval of laser light 113 to the micro-lens 3 on the basis of the measured result, an irradiating step for irradiating the laser light 113 on the mother substrate W2 on the basis of the calculated result, and a dividing step for dividing the mother substrate W2 irradiated with the laser light 113. In the irradiating step, the laser light 113 is irradiated at a given interval Lm so as to make a condensing point agree with the inside of the micro-lens 3, to generate a multiphoton absorption at the condensing point, and to form reformed areas 21. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、レーザ光を透過する基板の分割方法、当該基板を備えた電気光学装置の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for dividing a substrate that transmits laser light and a method for manufacturing an electro-optical device including the substrate.

レーザ光を透過する基板の分割方法として、加工対象物の表面に溶融や切断予定ラインから外れた割れが生じることなく、加工対象物を切断することができるレーザ加工方法が知られている(特許文献1)。   As a method for dividing a substrate that transmits laser light, there is known a laser processing method that can cut a workpiece without causing melting or cracks that are off the planned cutting line on the surface of the workpiece (patent) Reference 1).

上記レーザ加工方法では、加工対象物の内部に焦点を合わせてレーザ光を照射し、加工対象物の切断予定ラインに沿ってその内部に多光子吸収による改質領域を形成する。この改質領域を起点として切断予定ラインに沿って加工対象物を割る。   In the above laser processing method, a laser beam is irradiated while focusing on the inside of the processing object, and a modified region by multiphoton absorption is formed inside the processing object along a planned cutting line. The object to be processed is divided along the scheduled cutting line with this modified region as a starting point.

レーザ光を透過する基板を備えた電気光学装置としては、光源と、光源から入射した光を集光するマイクロレンズアレイ(MLA)とを備えた表示装置(液晶プロジェクタ)が知られている(特許文献2)。また、マイクロレンズを備えたデバイスとしての有機エレクトロルミネッセンス素子(有機EL素子)の製造方法が知られている(特許文献3)。   As an electro-optical device including a substrate that transmits laser light, a display device (liquid crystal projector) including a light source and a micro lens array (MLA) that collects light incident from the light source is known (patent). Reference 2). Moreover, the manufacturing method of the organic electroluminescent element (organic EL element) as a device provided with the micro lens is known (patent document 3).

特開2002−192370号公報JP 2002-192370 A 特開2000−75106号公報JP 2000-75106 A 特開2006−23683号公報JP 2006-23683 A

上記特許文献2あるいは特許文献3に記載のマイクロレンズを備えた基板の分割方法として、上記レーザ加工方法を適用することが考えられる。しかしながら、マイクロレンズが形成された基板にレーザ光を照射すると、マイクロレンズによってレーザ光が屈折して集光点の位置が基板内部において定まらず、切断予定ラインに沿って加工対象物としての基板を割ることができないという課題があった。   It is conceivable to apply the laser processing method as a method for dividing a substrate provided with the microlens described in Patent Document 2 or Patent Document 3. However, when the laser beam is irradiated onto the substrate on which the microlens is formed, the laser beam is refracted by the microlens, and the position of the condensing point is not determined inside the substrate, and the substrate as the processing object is cut along the planned cutting line. There was a problem that it was not possible to break.

本発明は、上記課題を改善するためになされたものであり、光学素子を有する基板を所定の位置で分割できる基板の分割方法、当該基板を備えた電気光学装置の製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made to improve the above problems, and provides a method for dividing a substrate that can divide a substrate having an optical element at a predetermined position, and a method for manufacturing an electro-optical device including the substrate. Objective.

本発明の基板の分割方法は、レーザ光を透過可能であると共に、切断予定ラインに沿った位置に少なくとも1つの光学素子を有する基板の分割方法であって、基板における光学素子の位置情報を基に切断予定ラインに沿った方向におけるレーザ光の照射間隔を求める演算工程と、レーザ光を切断予定ラインに沿って相対的に移動させる走査を基板の内部において集光点の位置を変えて複数回行うと共に、集光点において多光子吸収が発生するように照射する照射工程と、レーザ光が照射された基板を分割する分割工程と、を備え、照射工程では、光学素子の内部に集光点を位置させて上記照射間隔を置いてレーザ光を照射する少なくとも1回の上記走査を行うことを特徴とする。   The substrate dividing method of the present invention is a method for dividing a substrate that is capable of transmitting laser light and has at least one optical element at a position along a line to be cut, and is based on position information of the optical element on the substrate. The calculation step for obtaining the laser beam irradiation interval in the direction along the planned cutting line and the scanning for moving the laser beam relatively along the planned cutting line are performed a plurality of times while changing the position of the condensing point inside the substrate. And an irradiation step of irradiating so that multiphoton absorption occurs at the condensing point, and a dividing step of dividing the substrate irradiated with the laser beam. In the irradiation step, the condensing point is provided inside the optical element. And at least one scan is performed in which the laser beam is irradiated at the irradiation interval.

光学素子に対してレーザ光を照射する場合、照射位置によって入射時のレーザ光の光軸上に集光点が必ず位置するとは限らない。この方法によれば、演算工程で基板における光学素子の位置情報を基に切断予定ラインに沿った方向におけるレーザ光の照射間隔を求める。そして、照射工程では、光学素子の内部に集光点を位置させて、演算工程で求められた照射間隔を置いてレーザ光を照射する少なくとも1回の走査を行う。したがって、光学素子に対するレーザ光の照射位置が一定となり、集光点における多光子吸収を光学素子の内部において切断予定ラインに沿った一定の位置で発生させることができる。ゆえに、多光子吸収によってできる改質層を起点として基板を切断予定ラインに沿って精度よく分割することができる。   When irradiating an optical element with laser light, the focal point is not necessarily located on the optical axis of the laser light at the time of incidence depending on the irradiation position. According to this method, the irradiation interval of the laser light in the direction along the scheduled cutting line is obtained based on the position information of the optical element on the substrate in the calculation step. In the irradiation step, a condensing point is positioned inside the optical element, and at least one scan is performed to irradiate the laser beam with the irradiation interval obtained in the calculation step. Therefore, the irradiation position of the laser beam on the optical element becomes constant, and multiphoton absorption at the condensing point can be generated at a constant position along the planned cutting line inside the optical element. Therefore, the substrate can be accurately divided along the planned cutting line, starting from the modified layer formed by multiphoton absorption.

上記基板に参照光を照射して、光学素子の位置を計測する計測工程をさらに備え、演算工程では、計測工程で得られた光学素子の位置情報を基に照射間隔を求めるとしてもよい。これによれば、計測工程で基板における光学素子の位置を実測し、実測に基づいてレーザ光の照射間隔が求められる。したがって、切断予定ライン上に光学素子がどのように配置されていても正確にレーザ光の照射間隔を求めることができる。ゆえに、高い精度で基板を分割することができる。   A measurement step of measuring the position of the optical element by irradiating the substrate with reference light may be further provided, and the calculation step may determine the irradiation interval based on the position information of the optical element obtained in the measurement step. According to this, the position of the optical element on the substrate is actually measured in the measurement process, and the laser light irradiation interval is obtained based on the actual measurement. Therefore, the laser beam irradiation interval can be accurately obtained regardless of how the optical elements are arranged on the planned cutting line. Therefore, the substrate can be divided with high accuracy.

また、上記演算工程では、光学素子の位置情報を基に切断予定ラインに沿った方向における光学素子の光学軸の位置を求め、照射工程では、光学素子の内部において光学軸上に集光点を位置させてレーザ光を照射する走査を行うことが好ましい。これによれば、光学素子の光学軸とレーザ光の光軸とが合致することになる。したがって、光学素子の光学軸とレーザ光の光軸とがずれる場合に比べて、光学素子に対するレーザ光の入射角度が一定し、レーザ光の光軸上に多光子吸収による改質層を安定して形成することができる。ゆえに、より高い精度で基板を分割することができる。   Further, in the calculation step, the position of the optical axis of the optical element in the direction along the planned cutting line is obtained based on the position information of the optical element, and in the irradiation step, a condensing point is set on the optical axis inside the optical element. It is preferable to perform scanning that is positioned and irradiated with laser light. According to this, the optical axis of the optical element matches the optical axis of the laser beam. Therefore, compared with the case where the optical axis of the optical element and the optical axis of the laser beam are shifted, the incident angle of the laser beam to the optical element is constant, and the modified layer by multiphoton absorption is stabilized on the optical axis of the laser beam. Can be formed. Therefore, the substrate can be divided with higher accuracy.

また、上記光学素子が切断予定ラインに沿って周期的に設けられており、照射工程において、光学素子に対してレーザ光を照射する照射間隔が、光学素子の周期と同じ、または周期の整数倍であることを特徴とする。これによれば、光学素子の周期に同期あるいは整数倍の照射間隔でレーザ光が照射される。したがって、基板を分割可能な程度に、多光子吸収による改質層を光学素子の内部において切断予定ラインに沿った位置に形成することができる。   Further, the optical element is periodically provided along the line to be cut, and in the irradiation step, the irradiation interval for irradiating the optical element with the laser light is the same as the optical element period or an integral multiple of the period. It is characterized by being. According to this, the laser light is irradiated in synchronization with the period of the optical element or at an irradiation interval of an integral multiple. Therefore, the modified layer by multiphoton absorption can be formed at a position along the planned cutting line inside the optical element to such an extent that the substrate can be divided.

また、上記照射工程において、レーザ光と基板との相対移動速度を一定とし、レーザ光を遮るシャッターの開閉を制御して、上記照射間隔を設定するとしてもよい。これによれば、レーザ光の種類に寄らず、光学素子の配置に対応してシャッターの開閉を制御することにより、適正な照射間隔を設定することができる。   Further, in the irradiation step, the irradiation interval may be set by setting a relative moving speed between the laser beam and the substrate constant and controlling opening / closing of a shutter that blocks the laser beam. According to this, an appropriate irradiation interval can be set by controlling the opening and closing of the shutter in accordance with the arrangement of the optical elements regardless of the type of laser light.

上記レーザ光としてパルスレーザ光を用い、照射工程において、パルスレーザ光と基板との相対移動速度を一定とし、照射間隔が光学素子の周期と同じになるようにパルスレーザ光の繰り返し率を設定するとしてもよい。これによれば、光学素子の周期が微細となっても、レーザ光の照射間隔を精度よく対応させることができる。   Pulse laser light is used as the laser light, and the repetition rate of the pulse laser light is set so that the relative movement speed between the pulse laser light and the substrate is constant and the irradiation interval is the same as the period of the optical element in the irradiation process. It is good. According to this, even if the period of the optical element becomes fine, the irradiation interval of the laser light can be accurately handled.

これらの発明は、光学素子としてマイクロレンズまたはプリズムを備えた基板の分割方法に適用可能である。   These inventions can be applied to a method for dividing a substrate provided with a microlens or a prism as an optical element.

本発明の電気光学装置の製造方法は、レーザ光を透過可能であると共に、外形位置に少なくとも1つの光学素子を有する基板を備えた電気光学装置の製造方法であって、上記発明の基板の分割方法を用い、マザー基板の切断予定ラインに沿ってレーザ光を照射して、マザー基板から上記基板を分割することを特徴とする。   A method for manufacturing an electro-optical device according to the present invention is a method for manufacturing an electro-optical device that includes a substrate that is capable of transmitting laser light and has at least one optical element at an outer position. A method is used to divide the substrate from the mother substrate by irradiating laser light along a planned cutting line of the mother substrate.

この方法によれば、マザー基板から光学素子を有する基板を寸法精度よく分割し、且つ分割に伴う外形不良を低減して歩留まりよく電気光学装置を製造することができる。   According to this method, it is possible to divide a substrate having an optical element from a mother substrate with high dimensional accuracy, and to reduce an external defect caused by the division, thereby manufacturing an electro-optical device with a high yield.

本実施形態は、電子機器としての投射型表示装置に備えられた電気光学装置としての液晶表示装置の製造方法を例に説明する。   In the present embodiment, a method for manufacturing a liquid crystal display device as an electro-optical device provided in a projection display device as an electronic apparatus will be described as an example.

まず、投射型表示装置について簡単に説明する。図1は、投射型表示装置の構成を示す概略図である。   First, the projection display device will be briefly described. FIG. 1 is a schematic diagram illustrating a configuration of a projection display device.

図1に示すように、投射型表示装置200は、光源210と、2つのダイクロイックミラー213,214と、3つの反射ミラー215,216,217と、入射レンズ218と、リレーレンズ219と、出射レンズ220と、3つの液晶光変調装置222,223,224と、クロスダイクロイックプリズム225と、投射レンズ226とを備えている。光源210はメタルハライド等のランプ211と、ランプ211の光を反射するリフレクタ212とを有する。ダイクロイックミラー213は、光源210からの光束のうちの赤色光を透過させ、青色光と緑色光を反射する。透過した赤色光は反射ミラー217で反射されて、赤色光用の液晶光変調装置222に入射する。一方、ダイクロイックミラー213で反射された光のうち緑色光はダイクロイックミラー214によって反射され、緑色光用の液晶光変調装置223に入射する。ダイクロイックミラー213で反射された光のうち青色光はダイクロイックミラー214も透過する。青色光に対しては、長い光路による光損失を防ぐため、入射レンズ218、リレーレンズ219、出射レンズ220を含むリレーレンズ系からなる導光機構221が設けられ、これを介して青色光が青色光用の液晶光変調装置224に入射する。各液晶光変調装置222,223,224により変調された3つの色光はクロスダイクロイックプリズム225に入射する。このクロスダイクロイックプリズム225は、4つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって3つの色光が合成される。そして、合成された光からなるカラー画像が投射光学系である投射レンズ226によってスクリーン227上に投射され拡大して表示される。   As shown in FIG. 1, the projection display device 200 includes a light source 210, two dichroic mirrors 213 and 214, three reflection mirrors 215, 216, and 217, an incident lens 218, a relay lens 219, and an exit lens. 220, three liquid crystal light modulators 222, 223, and 224, a cross dichroic prism 225, and a projection lens 226. The light source 210 includes a lamp 211 such as a metal halide, and a reflector 212 that reflects light from the lamp 211. The dichroic mirror 213 transmits red light out of the light flux from the light source 210 and reflects blue light and green light. The transmitted red light is reflected by the reflection mirror 217 and enters the liquid crystal light modulator 222 for red light. On the other hand, of the light reflected by the dichroic mirror 213, the green light is reflected by the dichroic mirror 214 and enters the liquid crystal light modulator 223 for green light. Of the light reflected by the dichroic mirror 213, the blue light also passes through the dichroic mirror 214. For blue light, in order to prevent light loss due to a long optical path, a light guide mechanism 221 including a relay lens system including an incident lens 218, a relay lens 219, and an output lens 220 is provided. The light enters the liquid crystal light modulator 224 for light. The three color lights modulated by the liquid crystal light modulators 222, 223, and 224 are incident on the cross dichroic prism 225. In the cross dichroic prism 225, four right-angle prisms are bonded, and a dielectric multilayer film that reflects red light and a dielectric multilayer film that reflects blue light are formed in a cross shape on the inner surface thereof. Three color lights are synthesized by these dielectric multilayer films. Then, a color image composed of the combined light is projected onto the screen 227 by the projection lens 226 which is a projection optical system, and is enlarged and displayed.

各液晶光変調装置222,223,224はライトバルブと呼ばれ、後述する液晶表示装置と、液晶表示装置の光の入射側と出射側とにそれぞれ配設された偏光素子としての偏光板(図示省略)とを備えたものである。   Each of the liquid crystal light modulators 222, 223, and 224 is called a light valve, and is a liquid crystal display device to be described later, and a polarizing plate as a polarizing element (illustrated) respectively disposed on the light incident side and the light exit side of the liquid crystal display device. (Omitted).

次に、液晶表示装置について説明する。図2は、液晶表示装置の構造を示す概略断面図である。   Next, a liquid crystal display device will be described. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing the structure of the liquid crystal display device.

図2に示すように、液晶表示装置20は、一対の基板としての対向基板1および素子基板7と、対向基板1と素子基板7とによって挟持された液晶9とを備えている。   As shown in FIG. 2, the liquid crystal display device 20 includes a counter substrate 1 and an element substrate 7 as a pair of substrates, and a liquid crystal 9 sandwiched between the counter substrate 1 and the element substrate 7.

対向基板1は、透明な石英ガラスを用いたガラス基板2と、ガラス基板2上に複数形成された光学素子としての半球状のマイクロレンズ3と、複数のマイクロレンズ3を覆って積層された透明樹脂層4とを備えている。透明樹脂層4の表面には、対向電極5および配向膜6が液晶9に面する所定の範囲に形成されている。なお、ガラス基板2は光を透過する材料であれば石英ガラスに限らず、透明な樹脂基板でもよい。   The counter substrate 1 includes a glass substrate 2 made of transparent quartz glass, a hemispherical microlens 3 as an optical element formed on the glass substrate 2, and a transparent laminated layer covering the plurality of microlenses 3. And a resin layer 4. On the surface of the transparent resin layer 4, the counter electrode 5 and the alignment film 6 are formed in a predetermined range facing the liquid crystal 9. The glass substrate 2 is not limited to quartz glass as long as it is a material that transmits light, and may be a transparent resin substrate.

複数のマイクロレンズ3は、ガラス基板2の表面に所定の間隔で配置されている。また、配置されたマイクロレンズ3の間を埋めるように遮光膜13が形成されている。遮光膜13は、例えば、Crなどの金属薄膜や、遮光性の顔料などを含む樹脂膜でもよい。マイクロレンズ3の群をMLA(マイクロレンズアレイ)と呼ぶ。   The plurality of microlenses 3 are arranged on the surface of the glass substrate 2 at a predetermined interval. A light shielding film 13 is formed so as to fill the space between the arranged microlenses 3. The light shielding film 13 may be, for example, a metal thin film such as Cr or a resin film containing a light shielding pigment. A group of the microlenses 3 is referred to as an MLA (microlens array).

このようなMLAの形成方法は、例えば、特開2000−75106号公報に開示されているように、開口部を有する遮光膜13上にフォトポリマーを含む感光性樹脂をコーティングしてフォトリソグラフィにより画素部10を形成する。その後に、加熱工程を経ることにより、画素部10を溶融(軟化)して表面が凸状となったマイクロレンズ3とする。あるいは、遮光膜13の開口部に向けてフォトポリマーを含む紫外線硬化型樹脂を液滴として吐出する。そして、表面張力により盛り上がった状態で紫外線を照射して硬化させマイクロレンズ3とする方法が挙げられる。   For example, as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-75106, such an MLA formation method is performed by coating a photosensitive resin containing a photopolymer on a light-shielding film 13 having an opening, and performing photolithography to form a pixel. Part 10 is formed. After that, the pixel part 10 is melted (softened) by the heating process to obtain the microlens 3 having a convex surface. Alternatively, an ultraviolet curable resin containing a photopolymer is discharged as droplets toward the opening of the light shielding film 13. And the method of making it the micro lens 3 by irradiating and hardening | curing an ultraviolet-ray in the state which raised by surface tension is mentioned.

この場合、マイクロレンズ3は、マトリクス状に配置され画素部10を構成している。その大きさは、直径がおよそ100μm、高さがおよそ50μmである。   In this case, the microlenses 3 are arranged in a matrix and constitute the pixel unit 10. The size is about 100 μm in diameter and about 50 μm in height.

MLAを覆う透明樹脂層4は、例えば、紫外線硬化型のアクリル系樹脂を用いることができる。透明樹脂層4を形成する方法としては、スピンコート、ロールコートなどが挙げられる。厚みはおよそ50〜100μmである。   For the transparent resin layer 4 covering the MLA, for example, an ultraviolet curable acrylic resin can be used. Examples of the method for forming the transparent resin layer 4 include spin coating and roll coating. The thickness is approximately 50-100 μm.

対向電極5は、例えば、スパッタ等の方法で成膜されたITO(Indium Tin Oxide)からなる透明電極を用いることができる。   As the counter electrode 5, for example, a transparent electrode made of ITO (Indium Tin Oxide) formed by a method such as sputtering can be used.

素子基板7は、対向基板1と同様に石英ガラス基板を用い、その表面に対向基板1の画素部10に対向して設けられた画素電極11と、画素電極11ごとに設けられた薄膜トランジスタ12とを有している。また、これらの画素電極11および薄膜トランジスタ12を覆うように配向膜8が設けられている。素子基板7も光を透過する材料であれば石英ガラスに限らず、透明な樹脂基板でもよい。   The element substrate 7 uses a quartz glass substrate similarly to the counter substrate 1, and has a pixel electrode 11 provided on the surface thereof facing the pixel portion 10 of the counter substrate 1, and a thin film transistor 12 provided for each pixel electrode 11. have. An alignment film 8 is provided so as to cover the pixel electrode 11 and the thin film transistor 12. The element substrate 7 is not limited to quartz glass as long as it is a material that transmits light, and may be a transparent resin substrate.

図1の光源210から射出した光は、前述の光学系を介してガラス基板2側から入射し、マイクロレンズ3により集光され、対向する画素電極11を透過する。これにより入射光を効率よく利用して明るい画面を表示することができる液晶表示装置20を実現している。   The light emitted from the light source 210 in FIG. 1 enters from the glass substrate 2 side through the above-described optical system, is collected by the microlens 3, and passes through the opposing pixel electrode 11. As a result, the liquid crystal display device 20 capable of displaying a bright screen by efficiently using incident light is realized.

<液晶表示装置の製造方法>
次に本実施形態の電気光学装置としての液晶表示装置の製造方法について説明する。図3(a)および(b)は、マザー基板を示す概略図である。同図(a)は概略平面図、同図(b)は同図(a)のA−A線で切った概略断面図である。
<Method for manufacturing liquid crystal display device>
Next, a method for manufacturing a liquid crystal display device as an electro-optical device according to this embodiment will be described. 3A and 3B are schematic views showing a mother substrate. FIG. 4A is a schematic plan view, and FIG. 4B is a schematic cross-sectional view taken along line AA in FIG.

図3(a)および(b)に示すように、液晶表示装置20の製造方法は、まず1つの液晶表示装置20に対応する素子基板7の各構成がマトリクス状に複数形成されたマザー基板W1に、各液晶表示装置20に対応した所定の位置でシール材を塗布する。塗布方法としては印刷法、転写法、ディスペンス法などが挙げられる。シール材で囲われた内側に液晶9を充填して減圧下で、各液晶表示装置20に対応した位置に対向基板1を接着する。そして、X軸およびY軸方向の切断シロSx,Syをダイシングやスクライブ等の方法で切断して複数の液晶表示装置20を取り出している。   As shown in FIGS. 3A and 3B, in the method of manufacturing the liquid crystal display device 20, first, a mother substrate W1 in which a plurality of components of the element substrate 7 corresponding to one liquid crystal display device 20 are formed in a matrix. In addition, a sealing material is applied at a predetermined position corresponding to each liquid crystal display device 20. Examples of the application method include a printing method, a transfer method, and a dispensing method. The liquid crystal 9 is filled inside the sealing material, and the counter substrate 1 is bonded to a position corresponding to each liquid crystal display device 20 under reduced pressure. The plurality of liquid crystal display devices 20 are taken out by cutting the cutting marks Sx and Sy in the X-axis and Y-axis directions by a method such as dicing or scribing.

図4は、対向基板側のマザー基板を示す概略平面図である。図4に示すように、マザー基板W2には、対向基板1の各構成がマトリクス状に複数形成されている。マザー基板W2の切断予定ラインDx,Dyに沿ってレーザ光を照射することにより、個々の対向基板1を分割した。マイクロレンズ3は、マザー基板W2の表面のほぼ全面に渡って形成されている。したがって、切断予定ラインDx,Dy上には、マイクロレンズ3が周期的に存在する。   FIG. 4 is a schematic plan view showing the mother substrate on the counter substrate side. As shown in FIG. 4, the mother substrate W2 is formed with a plurality of components of the counter substrate 1 in a matrix. Each counter substrate 1 was divided by irradiating laser light along the planned cutting lines Dx and Dy of the mother substrate W2. The microlens 3 is formed over almost the entire surface of the mother substrate W2. Therefore, the microlenses 3 periodically exist on the scheduled cutting lines Dx and Dy.

<基板の分割方法>
次に本実施形態の基板としてのマザー基板W2の分割方法について図5〜図11に基づいて説明する。まず、本実施形態で用いたレーザ照射装置とそのレーザ加工の原理について説明する。
<Division method of substrate>
Next, a method for dividing the mother substrate W2 as the substrate of this embodiment will be described with reference to FIGS. First, the laser irradiation apparatus used in this embodiment and the principle of laser processing will be described.

図5は、レーザ照射装置の構成を示す概略図である。図5に示すように、レーザ照射装置100は、レーザ光を出射するレーザ光源101と、出射されたレーザ光を反射するダイクロイックミラー102と、反射したレーザ光を集光する集光手段としての集光レンズ103とを備えている。また、加工対象物としての基板Wを載置するステージ105と、集光レンズ103に対してステージ105をレーザ光の光軸101aとほぼ直交する平面内で相対的に移動可能な移動手段としてのX軸スライド部108およびY軸スライド部106とを備えている。また、ステージ105に載置された基板Wに対して集光レンズ103を相対的に移動させてレーザ光の集光点の位置を基板Wの厚み方向で可変可能な移動手段としてのZ軸スライド機構104を備えている。さらには、ダイクロイックミラー102を挟んで集光レンズ103と反対側に位置する撮像機構110を備えている。レーザ光源101とダイクロイックミラー102との間には、レーザ光を遮蔽するシャッター111が設けられている。シャッター111は、レーザ制御部121によってその開閉が制御されている。   FIG. 5 is a schematic diagram showing the configuration of the laser irradiation apparatus. As shown in FIG. 5, the laser irradiation apparatus 100 includes a laser light source 101 that emits laser light, a dichroic mirror 102 that reflects the emitted laser light, and a collection unit that collects the reflected laser light. And an optical lens 103. Further, the stage 105 on which the substrate W as a processing target is placed, and a moving means that can move the stage 105 relative to the condenser lens 103 in a plane substantially orthogonal to the optical axis 101a of the laser beam. An X-axis slide unit 108 and a Y-axis slide unit 106 are provided. Also, a Z-axis slide as a moving means that can move the condensing lens 103 relative to the substrate W placed on the stage 105 to change the position of the condensing point of the laser light in the thickness direction of the substrate W. A mechanism 104 is provided. Furthermore, an imaging mechanism 110 is provided that is located on the opposite side of the condenser lens 103 with the dichroic mirror 102 interposed therebetween. Between the laser light source 101 and the dichroic mirror 102, a shutter 111 that shields the laser light is provided. The opening and closing of the shutter 111 is controlled by the laser control unit 121.

レーザ照射装置100は、上記各構成を制御する制御部としてのメインコンピュータ120を備えている。メインコンピュータ120には、CPUや各種メモリーの他に撮像機構110が撮像した画像情報を処理する画像処理部124を有している。撮像機構110は、同軸落射型光源とCCD(固体撮像素子)が組み込まれたものである。同軸落射型光源から出射した参照光としての可視光は、集光レンズ103を透過して焦点を結ぶ。同軸落射型光源としては、レーザ光源101から射出されるレーザ光とほぼ同じ波長を有する例えば半導体レーザを用いることができる。これにより、実際のレーザ照射に近い条件で、照射位置を設定することが可能となる。   The laser irradiation apparatus 100 includes a main computer 120 as a control unit that controls each of the above components. In addition to the CPU and various memories, the main computer 120 includes an image processing unit 124 that processes image information captured by the imaging mechanism 110. The imaging mechanism 110 incorporates a coaxial incident light source and a CCD (solid-state imaging device). Visible light as reference light emitted from the coaxial incident light source passes through the condenser lens 103 and is focused. As the coaxial incident light source, for example, a semiconductor laser having substantially the same wavelength as the laser light emitted from the laser light source 101 can be used. This makes it possible to set the irradiation position under conditions close to actual laser irradiation.

また、メインコンピュータ120には、レーザ加工の際に用いられる各種加工条件のデータを入力する入力部125とレーザ加工時の各種情報を表示する表示部126が接続されている。そして、レーザ光源101の出力やレーザ光のパルス幅、パルス周期を制御するレーザ制御部121と、Z軸スライド機構104を駆動して集光レンズ103のZ軸方向の位置を制御するレンズ制御部122とが接続されている。さらに、X軸スライド部108とY軸スライド部106をそれぞれレール107,109に沿って移動させるサーボモータ(図示省略)を駆動するステージ制御部123が接続されている。   The main computer 120 is connected to an input unit 125 for inputting data of various processing conditions used during laser processing and a display unit 126 for displaying various information during laser processing. The laser control unit 121 controls the output of the laser light source 101, the pulse width and the pulse period of the laser beam, and the lens control unit controls the position of the condenser lens 103 in the Z-axis direction by driving the Z-axis slide mechanism 104. 122 is connected. Further, a stage control unit 123 is connected to drive a servo motor (not shown) that moves the X-axis slide unit 108 and the Y-axis slide unit 106 along the rails 107 and 109, respectively.

集光レンズ103をZ軸方向に移動させるZ軸スライド機構104には、移動距離を検出可能な位置センサが内蔵されており、レンズ制御部122は、この位置センサの出力を検出して集光レンズ103のZ軸方向の位置を制御可能となっている。したがって、撮像機構110の同軸落射型光源から出射した可視光の焦点が基板Wの表面と合うように集光レンズ103をZ軸方向に移動させれば、基板Wの厚みを計測することが可能である。言い換えれば、可視光の焦点をZ軸方向に移動させた場合の移動距離を検出することができる。   The Z-axis slide mechanism 104 that moves the condensing lens 103 in the Z-axis direction has a built-in position sensor capable of detecting the moving distance, and the lens control unit 122 detects the output of the position sensor and collects the light. The position of the lens 103 in the Z-axis direction can be controlled. Therefore, the thickness of the substrate W can be measured by moving the condenser lens 103 in the Z-axis direction so that the focus of the visible light emitted from the coaxial incident light source of the imaging mechanism 110 is aligned with the surface of the substrate W. It is. In other words, it is possible to detect the movement distance when the focus of visible light is moved in the Z-axis direction.

レーザ光源101は、例えばチタンサファイアを固体光源とするレーザ光をフェムト秒のパルス幅で出射するいわゆるフェムト秒レーザである。この場合、レーザ光は、波長分散特性を有しており、中心波長が800nmであり、その半値幅はおよそ10nmである。またパルス幅はおよそ300fs(フェムト秒)、出力はおよそ700mWであり、繰り返し率としてのパルス周期は1〜10kHzまで可変することができる。   The laser light source 101 is a so-called femtosecond laser that emits laser light having, for example, titanium sapphire as a solid light source with a femtosecond pulse width. In this case, the laser beam has wavelength dispersion characteristics, the center wavelength is 800 nm, and the half width is about 10 nm. The pulse width is about 300 fs (femtosecond), the output is about 700 mW, and the pulse period as a repetition rate can be varied from 1 to 10 kHz.

集光レンズ103は、この場合、倍率が100倍、開口数(NA)が0.8、WD(Working Distance)が3mmの対物レンズである。集光レンズ103はZ軸スライド機構104から延びたスライドアーム104aによって支持されている。   In this case, the condensing lens 103 is an objective lens having a magnification of 100 times, a numerical aperture (NA) of 0.8, and a WD (Working Distance) of 3 mm. The condenser lens 103 is supported by a slide arm 104 a extending from the Z-axis slide mechanism 104.

なお、本実施形態では、ステージ105は、Y軸スライド部106に支持されているが、X軸スライド部108とY軸スライド部106との位置関係を逆転させてX軸スライド部108に支持される形態としてもよい。また、ステージ105をθテーブルを介してY軸スライド部106に支持することが好ましい。これによれば、基板Wを光軸101aに対してより垂直な状態とすることが可能である。   In this embodiment, the stage 105 is supported by the Y-axis slide unit 106, but is supported by the X-axis slide unit 108 by reversing the positional relationship between the X-axis slide unit 108 and the Y-axis slide unit 106. It is good also as a form. Further, it is preferable to support the stage 105 on the Y-axis slide unit 106 via a θ table. According to this, it is possible to make the substrate W more perpendicular to the optical axis 101a.

図6(a)および(b)は、レーザ光の集光領域の位置を加工対象物の厚み方向で可変した状態を示す概略断面図である。同図(a)はレーザ光の集光領域の端部がレーザ光の入射面Waと反対側の表面Wbに掛かるように位置決めされた状態を示す概略断面図、同図(b)はレーザ光の集光領域が入射面Waに徐々に近づいた状態を示す概略断面図である。   6A and 6B are schematic cross-sectional views showing a state in which the position of the laser light condensing region is varied in the thickness direction of the workpiece. FIG. 6A is a schematic cross-sectional view showing a state in which the end of the laser light condensing region is positioned so as to be on the surface Wb opposite to the laser light incident surface Wa, and FIG. It is a schematic sectional drawing which shows the state from which the condensing area | region gradually approached the entrance plane Wa.

図6(a)に示すように、集光レンズ103により集光されたレーザ光113は、波長分散特性を有しているため、屈折率がおよそ1.46の基板W(石英ガラスの部分を指す)に入射すると、短波長側のレーザ光114から長波長側のレーザ光115までその集光点が光軸101a上でずれた集光領域116に集光される。集光領域116は、いわゆる軸上色収差を有している。この場合、集光領域116の長波長側のレーザ光115の集光点が表面Wbに近接しているので、短波長側のレーザ光114と長波長側のレーザ光115との光路差が最も大きくなっている。すなわち、基板Wの厚み方向における集光領域116の幅が最大となっている。   As shown in FIG. 6A, since the laser beam 113 collected by the condenser lens 103 has a wavelength dispersion characteristic, the substrate W (quartz glass portion) having a refractive index of about 1.46 is used. The condensing point from the short-wavelength laser beam 114 to the long-wavelength laser beam 115 is condensed on a condensing region 116 shifted on the optical axis 101a. The condensing region 116 has a so-called axial chromatic aberration. In this case, since the condensing point of the laser light 115 on the long wavelength side of the condensing region 116 is close to the surface Wb, the optical path difference between the laser light 114 on the short wavelength side and the laser light 115 on the long wavelength side is the largest. It is getting bigger. That is, the width of the light collection region 116 in the thickness direction of the substrate W is the maximum.

図6(b)に示すように、集光領域116の位置を入射面Wa側に近づくように、Z軸スライド機構104を駆動して集光レンズ103をZ軸方向に移動させてゆくと、短波長側のレーザ光114と長波長側のレーザ光115との光路差が次第に小さくなってゆく。したがって、基板Wの厚み方向における幅が徐々に小さくなった集光領域117から集光領域118へと変化する。当然ながら、集光領域が入射面Waの近傍から表面Wbに近づくようにZ軸スライド機構104を駆動して集光レンズ103をZ軸方向に移動させてゆくと、集光領域118から集光領域116へと基板Wの厚み方向における幅が徐々に大きくなる。   As shown in FIG. 6B, when the Z-axis slide mechanism 104 is driven to move the condensing lens 103 in the Z-axis direction so that the position of the condensing region 116 approaches the incident surface Wa side, The optical path difference between the laser light 114 on the short wavelength side and the laser light 115 on the long wavelength side is gradually reduced. Accordingly, the width of the substrate W in the thickness direction gradually changes from the condensing region 117 where the width is gradually reduced to the condensing region 118. Of course, when the Z-axis slide mechanism 104 is driven so that the condensing region approaches the surface Wb from the vicinity of the incident surface Wa and the condensing lens 103 is moved in the Z-axis direction, the condensing region 118 collects light. The width in the thickness direction of the substrate W gradually increases toward the region 116.

なお、レーザ光源101として波長分散特性が小さい、すなわち半値幅が非常に狭く、且つ集光レンズ103の色収差が小さいあるいは補正されたものを用いれば、基板Wの厚み方向における集光点の位置によって集光領域の幅が変化する変化量を抑えることは可能である。   If the laser light source 101 has a small wavelength dispersion characteristic, that is, a half-width is very narrow and the chromatic aberration of the condensing lens 103 is small or corrected, the laser light source 101 depends on the position of the condensing point in the thickness direction of the substrate W. It is possible to suppress the amount of change in which the width of the light collection region changes.

ここで多光子吸収による改質領域の形成について説明する。加工対象物が透明な材料であっても、材料の吸収のバンドギャップEgよりも光子のエネルギーhνが非常に大きいと吸収が生じる。これを多光子吸収と言い、レーザ光のパルス幅を極めて短くして、多光子吸収を加工対象物の内部に起こさせると、多光子吸収のエネルギーが熱エネルギーに転化せずに、イオン価数変化、結晶化または分極配向等の永続的な構造変化が誘起されて屈折率変化領域が形成される。本実施形態では、この屈折率変化領域を改質領域と呼ぶ。   Here, the formation of the modified region by multiphoton absorption will be described. Even if the object to be processed is a transparent material, absorption occurs when the photon energy hν is much larger than the absorption band gap Eg of the material. This is called multiphoton absorption. When the pulse width of the laser beam is made extremely short and multiphoton absorption is caused to occur inside the workpiece, the energy of the multiphoton absorption is not converted into thermal energy, and the ionic valence. Permanent structural changes such as change, crystallization or polarization orientation are induced to form a refractive index change region. In the present embodiment, this refractive index change region is called a modified region.

本実施形態の加工対象物であるマザー基板W2は、その表面のほぼ全面に渡って複数のマイクロレンズ3が形成されている。マザー基板W2の内部に集光点を位置させてレーザ光113を切断予定ラインDx,Dy(図4参照)に沿って走査すると、マイクロレンズ3の半球面に入射したレーザ光113は、入射位置によって必ずしも光軸101a上にその集光点が位置しない。したがって、上記改質領域をマイクロレンズ3の内部において一定の位置に形成することは困難である。それゆえ、本実施形態の基板の分割方法を用いた。   A mother substrate W2, which is a processing target of the present embodiment, has a plurality of microlenses 3 formed over almost the entire surface. When the laser beam 113 is scanned along the planned cutting lines Dx and Dy (see FIG. 4) with the condensing point positioned inside the mother substrate W2, the laser beam 113 incident on the hemispherical surface of the microlens 3 becomes the incident position. Therefore, the focal point is not necessarily located on the optical axis 101a. Therefore, it is difficult to form the modified region at a fixed position inside the microlens 3. Therefore, the substrate dividing method of this embodiment is used.

図7は、基板の分割方法を示すフローチャートである。図7に示すように、本実施形態のマザー基板W2の分割方法は、マザー基板W2の切断予定ラインDx,Dy上に位置するマイクロレンズ3の位置を計測する計測工程(ステップS1)と、計測結果に基づいてレーザ光113のマイクロレンズ3に対する照射間隔を求める演算工程(ステップS2)と、演算結果に基づいてマザー基板W2にレーザ光113を照射する照射工程(ステップS3)と、レーザ光113が照射されたマザー基板W2を分割する分割工程(ステップS4)とを備えている。以下、各工程について図8〜図11を参照して説明する。図8(a)〜(d)は基板の分割方法を示す概略断面図、図9(a)〜(c)は光学素子としてのマイクロレンズに対するレーザ光の照射方法を示す概略図、図10は改質領域の形成状態の一例を示す概略断面図、図11(a)および(b)は分割工程を示す概略断面図である。   FIG. 7 is a flowchart showing a substrate dividing method. As shown in FIG. 7, the method for dividing the mother substrate W2 according to the present embodiment includes a measurement process (step S1) for measuring the position of the microlens 3 positioned on the planned cutting lines Dx and Dy of the mother substrate W2. A calculation step (step S2) for obtaining an irradiation interval of the laser beam 113 on the microlens 3 based on the result, an irradiation step (step S3) for irradiating the mother substrate W2 with the laser beam 113 based on the calculation result, and the laser beam 113. And a dividing step (step S4) for dividing the mother substrate W2 irradiated with. Hereinafter, each step will be described with reference to FIGS. 8A to 8D are schematic cross-sectional views showing a method for dividing a substrate, FIGS. 9A to 9C are schematic views showing a method for irradiating a microlens as an optical element with a laser beam, and FIG. FIG. 11A and FIG. 11B are schematic cross-sectional views showing a dividing step, showing an example of the formation state of the modified region.

図7のステップS1は計測工程である。ステップS1では、図8(a)に示すように、ガラス基板2側を下方にしてマザー基板W2をステージ105に載置する。ステージ制御部123は、光軸101aとマザー基板W2の切断予定ラインDxとが合致するようにサーボモータを駆動してステージ105を移動させる。レンズ制御部122は、Z軸スライド機構104を駆動することにより撮像機構110から射出した可視光110aの焦点が遮光膜13の表面に位置するように集光レンズ103を位置決めする。そして、ステージ105を切断予定ラインDxに沿った矢印方向に移動させる走査を行う。メインコンピュータ120は、画像処理部124を介して撮像機構110から画像情報を入手する。この画像情報から切断予定ラインDxに沿った遮光膜13の形成位置情報を入手可能であり、ひいては切断予定ラインDxに沿ったマイクロレンズ3の位置情報(具体的には寸法m)を入手することができる。この場合、寸法mはおよそ120μmである。   Step S1 in FIG. 7 is a measurement process. In step S1, as shown in FIG. 8A, the mother substrate W2 is placed on the stage 105 with the glass substrate 2 side facing down. The stage control unit 123 moves the stage 105 by driving the servo motor so that the optical axis 101a and the planned cutting line Dx of the mother substrate W2 coincide. The lens control unit 122 positions the condenser lens 103 by driving the Z-axis slide mechanism 104 so that the focal point of the visible light 110 a emitted from the imaging mechanism 110 is located on the surface of the light shielding film 13. Then, scanning is performed to move the stage 105 in the direction of the arrow along the planned cutting line Dx. The main computer 120 obtains image information from the imaging mechanism 110 via the image processing unit 124. The formation position information of the light shielding film 13 along the planned cutting line Dx can be obtained from this image information, and the positional information (specifically, dimension m) of the microlens 3 along the planned cutting line Dx can be obtained. Can do. In this case, the dimension m is approximately 120 μm.

上記走査において、可視光110aの焦点がマイクロレンズ3の半球面に結ぶように集光レンズ103の位置を移動させて、撮像機構110からマイクロレンズ3の位置情報を入手してもよい。このようにすればマイクロレンズ3のZ軸方向における位置情報も入手できる。   In the above scanning, the position information of the microlens 3 may be obtained from the imaging mechanism 110 by moving the position of the condenser lens 103 so that the focal point of the visible light 110 a is focused on the hemispherical surface of the microlens 3. In this way, position information of the microlens 3 in the Z-axis direction can also be obtained.

このようなマイクロレンズ3の位置情報の入手は、当然ながら切断予定ラインDyに沿った方向においても実施される。なお、本実施形態では、マザー基板W2に複数の対向基板1がマトリクス状に形成されているため、切断予定ラインDx,Dyに沿ってそれぞれ1回ずつ可視光110aを走査すれば、すべての切断予定ラインDx,Dy上に位置するマイクロレンズ3の位置情報を入手可能である。そして、ステップS2へ進む。   Such acquisition of the position information of the microlens 3 is naturally performed also in the direction along the planned cutting line Dy. In the present embodiment, since the plurality of counter substrates 1 are formed in a matrix on the mother substrate W2, all the cutting is performed by scanning the visible light 110a once along each of the planned cutting lines Dx and Dy. Position information of the microlenses 3 located on the planned lines Dx and Dy can be obtained. Then, the process proceeds to step S2.

図7のステップS2は演算工程である。ステップS2では、計測工程で得られたマイクロレンズ3の位置情報に基づいて、マイクロレンズ3に対してレーザ光113を照射する照射間隔を演算する。より具体的には、この場合、図9(a)に示すように、切断予定ラインDx,Dyがマイクロレンズ3の光学軸3aと直交するように設定されている。よって、光学軸3aの間隔Lmを求める。マイクロレンズ3は周期的に配置されているので、間隔Lmはおよそ120μmである。   Step S2 in FIG. 7 is a calculation process. In step S2, an irradiation interval for irradiating the microlens 3 with the laser beam 113 is calculated based on the position information of the microlens 3 obtained in the measurement process. More specifically, in this case, as shown in FIG. 9A, the scheduled cutting lines Dx and Dy are set to be orthogonal to the optical axis 3 a of the microlens 3. Therefore, the distance Lm between the optical axes 3a is obtained. Since the microlenses 3 are periodically arranged, the interval Lm is approximately 120 μm.

図9(b)はZ軸方向からマイクロレンズを見た概略平面図、図9(c)は切断予定ラインに沿った方向から見たマイクロレンズの概略断面図である。図9(b)に示すように、切断予定ラインDx,Dyを光学軸3aと直交するように設定することが液晶表示装置20の設計上できない場合もある。言い換えれば、X軸方向またはY軸方向において複数のマイクロレンズ3の中心線と切断予定ラインDx,Dyとが合致しない場合である。その場合には、図9(c)に示すように、マイクロレンズ3の半球面に入射したレーザ光113が光軸101aからずれて集光するので、そのずれ量Δdを考慮してマイクロレンズ3の光学軸3aに沿った照射位置、言い換えればレーザ光113の光軸101aの位置を求める。このようにすればマイクロレンズ3の内部においてレーザ光113の集光点を切断予定ラインDx,Dy上に位置させることが可能である。そして、ステップS3へ進む。   FIG. 9B is a schematic plan view of the micro lens viewed from the Z-axis direction, and FIG. 9C is a schematic cross-sectional view of the micro lens viewed from the direction along the planned cutting line. As shown in FIG. 9B, the liquid crystal display device 20 may not be able to set the planned cutting lines Dx and Dy so as to be orthogonal to the optical axis 3a. In other words, it is a case where the center lines of the plurality of microlenses 3 and the scheduled cutting lines Dx and Dy do not match in the X-axis direction or the Y-axis direction. In this case, as shown in FIG. 9C, since the laser beam 113 incident on the hemispherical surface of the microlens 3 is deviated from the optical axis 101a and condensed, the microlens 3 is considered in consideration of the deviation amount Δd. The irradiation position along the optical axis 3a, in other words, the position of the optical axis 101a of the laser beam 113 is obtained. In this way, the condensing point of the laser beam 113 can be positioned on the planned cutting lines Dx and Dy inside the microlens 3. Then, the process proceeds to step S3.

図7のステップS3は、レーザ光113を照射する照射工程である。ステップS3では、まず、図8(b)に示すように、切断予定ラインDx上に位置するマイクロレンズ3の内部にレーザ光113の集光点が位置するように集光レンズ103とマザー基板W2とをX軸方向、Y軸方向、Z軸方向において位置決めする。その後、集光レンズ103に対してマザー基板W2をX軸方向に移動させながら、間隔Lmを置いてレーザ光113を照射する。前述したようにレーザ光113は、フェムト秒レーザすなわちパルスレーザである。よって、照射間隔として間隔Lmでレーザ光113をマイクロレンズ3に照射するには、レーザ光113のパルス間隔と、ステージ105の集光レンズ103に対する相対移動速度と、シャッター111の開閉タイミングとを考慮しなければならない。レーザ加工の生産性を確保するために相対移動速度を速くすると、照射間隔を決めるシャッター111の開閉が追いつかないことが考えられる。そこで、本実施形態では、シャッター111を開放したままでパルス周期を調整した。具体的には、相対移動速度を一定の120mm/秒とし、パルス間隔を1kHzとした。これにより、120μmの間隔Lmでレーザ光113をマイクロレンズ3に照射することが可能となる。仮に、間隔Lmが20μmならば、パルス周期は相対移動速度を間隔Lmで除することにより求められるので、6kHzとなる。すなわち、マイクロレンズ3が微細に形成されていても、相対移動速度に対してパルス周期を調整することにより所望の照射間隔を置いてレーザ光113を照射することが可能である。   Step S3 in FIG. 7 is an irradiation process of irradiating the laser beam 113. In step S3, first, as shown in FIG. 8B, the condensing lens 103 and the mother substrate W2 so that the condensing point of the laser beam 113 is located inside the microlens 3 located on the planned cutting line Dx. Are positioned in the X-axis direction, the Y-axis direction, and the Z-axis direction. Thereafter, the laser beam 113 is irradiated with an interval Lm while the mother substrate W2 is moved in the X-axis direction with respect to the condensing lens 103. As described above, the laser beam 113 is a femtosecond laser, that is, a pulse laser. Therefore, in order to irradiate the microlens 3 with the laser beam 113 at the interval Lm as the irradiation interval, the pulse interval of the laser beam 113, the relative movement speed of the stage 105 with respect to the condenser lens 103, and the opening / closing timing of the shutter 111 are taken into consideration. Must. If the relative movement speed is increased in order to ensure the productivity of laser processing, it is considered that the opening and closing of the shutter 111 that determines the irradiation interval cannot catch up. Therefore, in this embodiment, the pulse period is adjusted with the shutter 111 open. Specifically, the relative movement speed was a constant 120 mm / second, and the pulse interval was 1 kHz. Thereby, it becomes possible to irradiate the microlens 3 with the laser beam 113 at an interval Lm of 120 μm. If the interval Lm is 20 μm, the pulse period is obtained by dividing the relative movement speed by the interval Lm, and thus becomes 6 kHz. That is, even if the microlens 3 is finely formed, it is possible to irradiate the laser beam 113 with a desired irradiation interval by adjusting the pulse period with respect to the relative movement speed.

マイクロレンズ3の内部ではレーザ光113の集光領域において多光子吸収が発生する。多光子吸収により形成される改質領域の大きさは、レーザ光113の照射エネルギーを一定とした場合、マイクロレンズ3の材質、屈折率、軸上色収差などの条件により異なる。この場合、石英ガラスにレーザ光113を集光させた場合に比べて改質領域が小さくなる。そこで、マイクロレンズ3の内部で集光点の位置を光学軸3aに沿って移動させ、再び切断予定ラインDxに沿って上記照射間隔を置いてレーザ光113を照射する走査を行う。これにより、図8(c)に示すように、マイクロレンズ3の光学軸3aに沿ってその内部に改質領域21を形成する。   Multiphoton absorption occurs in the condensing region of the laser light 113 inside the microlens 3. The size of the modified region formed by multiphoton absorption varies depending on conditions such as the material of the microlens 3, the refractive index, and axial chromatic aberration when the irradiation energy of the laser beam 113 is constant. In this case, the modified region becomes smaller than when the laser beam 113 is focused on the quartz glass. Therefore, the position of the condensing point is moved along the optical axis 3a inside the microlens 3, and scanning is performed in which the laser beam 113 is irradiated again at the irradiation interval along the scheduled cutting line Dx. As a result, as shown in FIG. 8C, the modified region 21 is formed inside the microlens 3 along the optical axis 3a.

次に、透明樹脂層4の内部に集光点が位置するように集光レンズ103をZ軸方向において位置決めし、切断予定ラインDxに沿ってレーザ光113を連続的に照射する走査を行う。この場合、Z軸方向において集光点の位置をずらしてレーザ光113を照射する走査を2回行ったので、図8(d)に示すように透明樹脂層4には2つの改質領域22,23が形成される。このような走査は、他の切断予定ラインDxはもちろんのこと切断予定ラインDyに対しても実施する。   Next, the condensing lens 103 is positioned in the Z-axis direction so that the condensing point is located inside the transparent resin layer 4, and scanning is performed in which the laser beam 113 is continuously irradiated along the planned cutting line Dx. In this case, since the scanning of irradiating the laser beam 113 by shifting the position of the condensing point in the Z-axis direction was performed twice, the two modified regions 22 are formed in the transparent resin layer 4 as shown in FIG. , 23 are formed. Such scanning is performed not only on the other scheduled cutting lines Dx but also on the planned cutting lines Dy.

次に、図8(d)に示すように、マザー基板W2を表裏反転させてステージ105に載置する。そして、ガラス基板2の表面2aからレーザ光113を入射させ、ガラス基板2の内部に集光点を位置させて切断予定ラインDx,Dyに沿って連続的にレーザ光113を照射する走査を行う。この場合も、ガラス基板2の厚みに応じて集光点の位置をZ軸方向にずらしてレーザ光113を照射する走査を繰り返して行った。そして、ステップS4へ進む。   Next, as shown in FIG. 8D, the mother substrate W <b> 2 is reversed and placed on the stage 105. Then, the laser beam 113 is made incident from the surface 2a of the glass substrate 2, the condensing point is positioned inside the glass substrate 2, and scanning is performed to continuously irradiate the laser beam 113 along the scheduled cutting lines Dx and Dy. . Also in this case, the scanning of irradiating the laser beam 113 with the position of the condensing point shifted in the Z-axis direction according to the thickness of the glass substrate 2 was repeated. Then, the process proceeds to step S4.

図7のステップS4は、分割工程である。図10に示すように、前段の照射工程において、切断予定ラインDx,Dyに沿った対向基板1の内部では、各マイクロレンズ3の部分にZ軸方向に改質領域21が形成され、透明樹脂層4やガラス基板2の部分にはZ軸方向と切断予定ラインDx,Dyの方向とに連続した改質領域22,23,24,25が形成される。図11(a)に示すように、これらの改質領域21〜25を切断予定ラインDx,Dyに沿った方向(X軸またはY軸方向)から見ると、マザー基板W2の厚み方向(Z軸方向)に連続した改質層Rcが形成されている。ステップS4では、この改質層Rcを分断するようにマザー基板W2に矢印方向の力を加える。そうすると、図11(b)に示すように、改質層Rcを起点としてマザー基板W2を容易に分割することができる。このようにして各切断予定ラインDx,Dyに沿ってマザー基板W2を分割し、個々の対向基板1を取り出す。   Step S4 in FIG. 7 is a dividing step. As shown in FIG. 10, in the preceding irradiation process, inside the counter substrate 1 along the scheduled cutting lines Dx and Dy, a modified region 21 is formed in the Z-axis direction at each microlens 3 portion, and transparent resin In the layer 4 and the glass substrate 2, modified regions 22, 23, 24, and 25 that are continuous in the Z-axis direction and the direction of the cutting lines Dx and Dy are formed. As shown in FIG. 11A, when these modified regions 21 to 25 are viewed from the direction (X-axis or Y-axis direction) along the planned cutting lines Dx and Dy, the thickness direction (Z-axis) of the mother substrate W2 The modified layer Rc continuous in the direction) is formed. In step S4, a force in the direction of the arrow is applied to the mother substrate W2 so as to divide the modified layer Rc. Then, as shown in FIG. 11B, the mother substrate W2 can be easily divided starting from the modified layer Rc. In this way, the mother substrate W2 is divided along the scheduled cutting lines Dx and Dy, and the individual counter substrate 1 is taken out.

このようなマザー基板W2の分割方法によれば、マイクロレンズ3が周期的に形成されていても、マイクロレンズ3に対して上記照射間隔を置いてレーザ光113を照射するので、その内部において集光点の位置が安定し、所定の切断予定ラインDx,Dyに沿って改質層Rcが形成され精度よく分割することが可能である。   According to such a dividing method of the mother substrate W2, even if the microlenses 3 are formed periodically, the laser light 113 is irradiated to the microlenses 3 at the above-described irradiation interval, and therefore the laser light 113 is collected inside. The position of the light spot is stable, and the modified layer Rc is formed along the predetermined cutting scheduled lines Dx and Dy, and can be divided with high accuracy.

なお、マイクロレンズ3にレーザ光113を入射させる方向は、透明樹脂層4の表面4a(図8(c)参照)からでも、ガラス基板2の表面2a(図8(d)参照)からでもよい。好ましくは、屈折率がマイクロレンズ3に比べて低い材質の表面から入射させる。その方が、レーザ光113がマイクロレンズ3の内部で集光し易い。   The direction in which the laser beam 113 is incident on the microlens 3 may be from the surface 4a of the transparent resin layer 4 (see FIG. 8C) or from the surface 2a of the glass substrate 2 (see FIG. 8D). . Preferably, the light is incident from the surface having a lower refractive index than that of the microlens 3. In this case, the laser beam 113 is easily collected inside the microlens 3.

また、本実施形態では、図8(a)〜(d)に示すように、切断予定ラインDx,Dy上に対向電極5と配向膜6が掛からないように、それぞれを必要な領域においてマザー基板W2に形成している。この方がマザー基板W2の全面に渡って対向電極5および配向膜6を成膜する場合に比べて、レーザ光113が対向電極5と配向膜6によって吸収され、そのエネルギーが損失することを低減できる。   Further, in the present embodiment, as shown in FIGS. 8A to 8D, the mother substrate is provided in a necessary region so that the counter electrode 5 and the alignment film 6 do not cover the cutting lines Dx and Dy. W2 is formed. Compared with the case where the counter electrode 5 and the alignment film 6 are formed over the entire surface of the mother substrate W2, this can reduce the loss of energy by the laser light 113 being absorbed by the counter electrode 5 and the alignment film 6. .

本実施形態の効果は、以下の通りである。
(1)上記実施形態のマザー基板W2の分割方法によれば、石英ガラス基板上にマイクロレンズ3が周期的に形成されており、その形成周期(寸法m)に合わせた照射間隔(間隔Lm)でレーザ光113を照射する。また、マイクロレンズ3の光学軸3aとレーザ光113の光軸101aとが合致しているので、マイクロレンズ3に対して一定の入射角でレーザ光113が入射する。したがって、マイクロレンズ3の切断予定ラインDx,Dyに沿った内部に改質領域21を安定した位置で形成することができる。ゆえに、複数のマイクロレンズ3を有するマザー基板W2を所定の位置で精度よく分割することができる。
The effects of this embodiment are as follows.
(1) According to the method for dividing the mother substrate W2 of the above embodiment, the microlenses 3 are periodically formed on the quartz glass substrate, and the irradiation interval (interval Lm) according to the formation cycle (dimension m). Then, the laser beam 113 is irradiated. Further, since the optical axis 3 a of the microlens 3 and the optical axis 101 a of the laser beam 113 are matched, the laser beam 113 is incident on the microlens 3 at a constant incident angle. Therefore, the modified region 21 can be formed at a stable position inside the microlens 3 along the planned cutting lines Dx and Dy. Therefore, the mother substrate W2 having the plurality of microlenses 3 can be accurately divided at a predetermined position.

(2)上記実施形態のマザー基板W2の分割方法において、計測工程(ステップS1)では、レーザ光113の波長とほぼ同じ波長の可視光を照射して、マイクロレンズ3の形成位置を計測するので、実際にレーザ光113をマイクロレンズ3に照射する条件に近づけて計測ができる。したがって、より適正なマイクロレンズ3の位置情報を入手することができる。   (2) In the method for dividing the mother substrate W2 of the above embodiment, in the measurement step (step S1), visible light having substantially the same wavelength as the wavelength of the laser beam 113 is irradiated to measure the formation position of the microlens 3. Actually, the measurement can be performed close to the conditions for irradiating the microlens 3 with the laser beam 113. Therefore, more appropriate position information of the microlens 3 can be obtained.

(3)上記実施形態のマザー基板W2の分割方法において、照射工程(ステップS3)では、レーザ光113をマザー基板W2の内部に集光させ切断予定ラインDx,Dyに沿って相対的に移動させる走査を集光点の位置を変えて複数回行う。したがって、マザー基板W2の厚み方向に連続した改質層Rcが形成される。ゆえに、この改質層Rcを起点としてマザー基板W2を容易に分割することができる。   (3) In the method for dividing the mother substrate W2 of the above embodiment, in the irradiation step (step S3), the laser beam 113 is condensed inside the mother substrate W2 and relatively moved along the scheduled cutting lines Dx and Dy. Scanning is performed a plurality of times while changing the position of the condensing point. Therefore, the modified layer Rc continuous in the thickness direction of the mother substrate W2 is formed. Therefore, the mother substrate W2 can be easily divided starting from the modified layer Rc.

(4)上記実施形態の電気光学装置としての液晶表示装置20の製造方法は、上記マザー基板W2の分割方法を用いているので、対向基板1の外形不良の発生を低減し、歩留りよく液晶表示装置20を製造することができる。   (4) Since the manufacturing method of the liquid crystal display device 20 as the electro-optical device according to the above embodiment uses the dividing method of the mother substrate W2, the occurrence of defective outer shape of the counter substrate 1 is reduced, and the liquid crystal display with high yield is achieved. The device 20 can be manufactured.

以上、本発明の実施形態について説明したが、上記実施形態に対しては、本発明の趣旨から逸脱しない範囲で様々な変形を加えることができる。例えば上記実施形態以外の変形例は、以下の通りである。   As mentioned above, although embodiment of this invention was described, various deformation | transformation can be added with respect to the said embodiment in the range which does not deviate from the meaning of this invention. For example, modifications other than the above embodiment are as follows.

(変形例1)上記実施形態のマザー基板W2の分割方法において、計測工程(ステップS1)は必須ではない。演算工程(ステップS2)では、マザー基板W2におけるマイクロレンズ3の設計情報を基にして照射間隔を演算してもよい。   (Modification 1) In the method for dividing the mother substrate W2 of the above embodiment, the measurement step (step S1) is not essential. In the calculation step (step S2), the irradiation interval may be calculated based on the design information of the microlens 3 on the mother substrate W2.

(変形例2)上記実施形態のマザー基板W2の分割方法において、照射工程(ステップS3)におけるレーザ光113の照射方法はこれに限定されない。例えば、ガラス基板2の表面2aから先にレーザ光113を照射して、マイクロレンズ3とガラス基板2をレーザ加工(改質領域の形成)してから、マザー基板W2を表裏反転させて、透明樹脂層4のレーザ加工を行ってもよい。   (Modification 2) In the method for dividing the mother substrate W2 of the above embodiment, the irradiation method of the laser beam 113 in the irradiation step (step S3) is not limited to this. For example, the laser beam 113 is first irradiated from the surface 2a of the glass substrate 2, the microlens 3 and the glass substrate 2 are laser processed (formation of a modified region), and then the mother substrate W2 is turned upside down to be transparent. Laser processing of the resin layer 4 may be performed.

(変形例3)上記実施形態のマザー基板W2の分割方法において、マイクロレンズ3に対してレーザ光113を照射する照射間隔は、間隔Lmに限定されない。例えば、間隔Lmを一つ飛ばす、あるいは間隔Lmの整数倍など途中のレーザ光113の照射を間引いてもよい。マイクロレンズ3を挟んでガラス基板2と透明樹脂層4とに厚み方向で連続して改質領域が形成されているので、マザー基板W2の分割が可能である。ゆえに、レーザ光113の照射時間を短縮することができる。   (Modification 3) In the method for dividing the mother substrate W2 of the above embodiment, the irradiation interval for irradiating the microlens 3 with the laser beam 113 is not limited to the interval Lm. For example, one interval Lm may be skipped, or the irradiation of the laser beam 113 in the middle such as an integer multiple of the interval Lm may be thinned out. Since the modified region is continuously formed in the thickness direction on the glass substrate 2 and the transparent resin layer 4 with the microlens 3 interposed therebetween, the mother substrate W2 can be divided. Therefore, the irradiation time of the laser beam 113 can be shortened.

(変形例4)上記実施形態のマザー基板W2の分割方法において、マイクロレンズ3の配置は、これに限定されない。例えば、画素電極11に対向する画素部10において、複数のマイクロレンズ3を配置してもよい。   (Modification 4) In the method of dividing the mother substrate W2 of the above embodiment, the arrangement of the microlenses 3 is not limited to this. For example, a plurality of microlenses 3 may be arranged in the pixel portion 10 facing the pixel electrode 11.

(変形例5)上記実施形態のマザー基板W2の分割方法において、マイクロレンズ3は周期的に形成されていることに限定されない。例えば、液晶表示装置20に入射する入射光の輝度分布に応じて、面内の明るさを均一にするためにマイクロレンズ3を不等間隔で配置することが考えられる。その場合にも、マイクロレンズ3の位置情報に基づいて照射間隔を決めるので位置精度よく分割が可能である。   (Modification 5) In the method for dividing the mother substrate W2 of the above embodiment, the microlenses 3 are not limited to being formed periodically. For example, it is conceivable to arrange the microlenses 3 at unequal intervals in order to make the in-plane brightness uniform according to the luminance distribution of incident light incident on the liquid crystal display device 20. Even in that case, since the irradiation interval is determined based on the position information of the microlens 3, the division can be performed with high positional accuracy.

(変形例6)上記実施形態のマザー基板W2の分割方法において、レーザ光113は、フェムト秒レーザなどのパルスレーザに限定されない。例えば、YAGレーザやガスレーザなどの連続光(CW光)を用いることができる。その場合には、光学素子としてのマイクロレンズ3に対してその形成周期に同期するようにシャッター111の開閉を制御してレーザ光113を照射すればよい。   (Modification 6) In the method of dividing the mother substrate W2 of the above embodiment, the laser beam 113 is not limited to a pulse laser such as a femtosecond laser. For example, continuous light (CW light) such as a YAG laser or a gas laser can be used. In that case, the microlens 3 as an optical element may be irradiated with the laser beam 113 by controlling the opening and closing of the shutter 111 so as to synchronize with the formation cycle.

(変形例7)上記実施形態の液晶表示装置20の製造方法は、これに限定されない。例えば、マザー基板W1と同様にマザー基板W2をウェハ状として、二つのマザー基板W1,W2を接合した後に、上記基板の分割方法を用いてレーザ光113を照射し分割して、個々の液晶表示装置20を取り出すことも可能である。   (Modification 7) The method of manufacturing the liquid crystal display device 20 of the above embodiment is not limited to this. For example, like the mother substrate W1, the mother substrate W2 is formed into a wafer shape, and the two mother substrates W1 and W2 are joined, and then divided by irradiating the laser beam 113 using the above-described substrate dividing method. It is also possible to remove the device 20.

(変形例8)上記実施形態の液晶表示装置20の製造方法において、液晶表示装置20の構成は、これに限定されない。図12は変形例の液晶表示装置を示す概略断面図である。例えば、図12に示すように、液晶表示装置300は、一対の基板としての対向基板301および素子基板309と、両基板301,309により挟持されシール材313により密封された液晶312とを備えている。素子基板309は、マトリクス状に配置された画素電極310と、画素電極310に接続したスイッチング素子としての薄膜トランジスタ311とを有する。対向基板301は、ガラス基板302と、ガラス基板302の凹部306にフォトポリマーを含む樹脂を充填して形成されたマイクロレンズ303と、上記樹脂部分を覆ったカバーガラス304とを有する。カバーガラス304の液晶312に面する表面には、画素部305を区画する遮光膜307と、各遮光膜307を覆うように成膜された対向電極308が設けられている。このように、マイクロレンズ303が凹状に設けられていても、上記実施形態の基板の分割方法を適用することができる。   (Modification 8) In the method of manufacturing the liquid crystal display device 20 of the above embodiment, the configuration of the liquid crystal display device 20 is not limited to this. FIG. 12 is a schematic cross-sectional view showing a liquid crystal display device according to a modification. For example, as shown in FIG. 12, the liquid crystal display device 300 includes a counter substrate 301 and an element substrate 309 as a pair of substrates, and a liquid crystal 312 sandwiched between the substrates 301 and 309 and sealed with a sealant 313. Yes. The element substrate 309 includes pixel electrodes 310 arranged in a matrix and thin film transistors 311 as switching elements connected to the pixel electrodes 310. The counter substrate 301 includes a glass substrate 302, a microlens 303 formed by filling a concave portion 306 of the glass substrate 302 with a resin containing a photopolymer, and a cover glass 304 covering the resin portion. On the surface of the cover glass 304 facing the liquid crystal 312, a light shielding film 307 that partitions the pixel portion 305 and a counter electrode 308 formed so as to cover each light shielding film 307 are provided. Thus, even if the microlens 303 is provided in a concave shape, the substrate dividing method of the above embodiment can be applied.

(変形例9)上記実施形態において、電気光学装置および光学素子の形態は、これに限定されない。図13は、有機EL発光素子を備えた有機EL装置を示す概略断面図である。図13に示すように、有機EL装置400は、一方の基板としてガラス基板401上に有機発光層を含む機能層402と、各機能層402を覆うように形成されたプリズム層403とを少なくとも有する。プリズム層403には、二つの斜面からなるプリズム404が複数形成されている。機能層402の幅dに対してプリズム404の幅404dが狭くなっており、1つの機能層402に複数のプリズム404が対向している。したがって、機能層402に電流を印加して励起された発光は、プリズム404を介して所定の方向に射出する。すなわち、一定の方向から見たときに非常に明るい射出光が得られる。このような光学素子としてのプリズム404を有するガラス基板401であっても、上記基板の分割方法を適用することができる。すなわち、ガラス基板401を有する有機EL装置の製造方法に適用することができる。光学素子としては、マイクロレンズやプリズムの他にもフレネルレンズ、回折格子、偏光素子などが考えられる。   (Modification 9) In the above-described embodiment, the forms of the electro-optical device and the optical element are not limited thereto. FIG. 13 is a schematic cross-sectional view showing an organic EL device including an organic EL light emitting element. As shown in FIG. 13, the organic EL device 400 includes at least a functional layer 402 including an organic light emitting layer on a glass substrate 401 as one substrate, and a prism layer 403 formed so as to cover each functional layer 402. . In the prism layer 403, a plurality of prisms 404 having two inclined surfaces are formed. The width 404d of the prism 404 is narrower than the width d of the functional layer 402, and a plurality of prisms 404 are opposed to one functional layer 402. Therefore, light emitted by applying a current to the functional layer 402 is emitted through the prism 404 in a predetermined direction. That is, very bright emission light can be obtained when viewed from a certain direction. Even for a glass substrate 401 having such a prism 404 as an optical element, the above substrate dividing method can be applied. That is, it can be applied to a method for manufacturing an organic EL device having the glass substrate 401. As an optical element, in addition to a microlens and a prism, a Fresnel lens, a diffraction grating, a polarizing element, and the like can be considered.

投射型表示装置の構成を示す概略図。Schematic which shows the structure of a projection type display apparatus. 液晶表示装置の構造を示す概略断面図。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view illustrating a structure of a liquid crystal display device. (a)はマザー基板を示す概略平面図、(b)は(a)のA−A線で切った概略断面図。(A) is a schematic plan view which shows a mother board | substrate, (b) is a schematic sectional drawing cut | disconnected by the AA line of (a). 対向基板側のマザー基板を示す概略平面図。The schematic plan view which shows the mother substrate by the side of a counter substrate. レーザ照射装置の構成を示す概略図。Schematic which shows the structure of a laser irradiation apparatus. (a)および(b)はレーザ光の集光領域の位置を加工対象物の厚み方向で可変した状態を示す概略断面図。(A) And (b) is a schematic sectional drawing which shows the state which varied the position of the condensing area | region of the laser beam in the thickness direction of the workpiece. 基板の分割方法を示すフローチャート。The flowchart which shows the division | segmentation method of a board | substrate. (a)〜(d)は基板の分割方法を示す概略断面図。(A)-(d) is a schematic sectional drawing which shows the division | segmentation method of a board | substrate. (a)〜(c)は光学素子としてのマイクロレンズに対するレーザ光の照射方法を示す概略図。(A)-(c) is schematic which shows the irradiation method of the laser beam with respect to the micro lens as an optical element. 改質領域の形成状態の一例を示す概略断面図。The schematic sectional drawing which shows an example of the formation state of a modification area | region. (a)および(b)は分割工程を示す概略断面図。(A) And (b) is a schematic sectional drawing which shows a division | segmentation process. 変形例の液晶表示装置を示す概略断面図。The schematic sectional drawing which shows the liquid crystal display device of a modification. 有機EL発光素子を備えた有機EL装置を示す概略断面図。The schematic sectional drawing which shows the organic EL apparatus provided with the organic EL light emitting element.

符号の説明Explanation of symbols

1…基板としての対向基板、3…光学素子としてのマイクロレンズ、3a…光学軸、20…電気光学装置としての液晶表示装置、110a…参照光としての可視光、111…シャッター、113…レーザ光およびパルスレーザ光、300…電気光学装置としての変形例の液晶表示装置、301…基板としての対向基板、400…電気光学装置としての有機EL装置、401…基板としてのガラス基板、404…光学素子としてのプリズム、Dx,Dy…切断予定ライン、Lm…照射間隔としての間隔、m…光学素子の周期としての寸法、W2…マザー基板。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Counter substrate as a board | substrate, 3 ... Micro lens as an optical element, 3a ... Optical axis, 20 ... Liquid crystal display device as an electro-optical device, 110a ... Visible light as reference light, 111 ... Shutter, 113 ... Laser light And 300: a liquid crystal display device as a modified example as an electro-optical device, 301: a counter substrate as a substrate, 400: an organic EL device as an electro-optical device, 401: a glass substrate as a substrate, 404: an optical element Dx, Dy ... planned cutting line, Lm ... interval as irradiation interval, m ... dimension as period of optical element, W2 ... mother substrate.

Claims (8)

レーザ光を透過可能であると共に、切断予定ラインに沿った位置に少なくとも1つの光学素子を有する基板の分割方法であって、
前記基板における前記光学素子の位置情報を基に前記切断予定ラインに沿った方向における前記レーザ光の照射間隔を求める演算工程と、
前記レーザ光を前記切断予定ラインに沿って相対的に移動させる走査を前記基板の内部において前記レーザ光の集光点の位置を変えて複数回行うと共に、前記集光点において多光子吸収が発生するように照射する照射工程と、
前記レーザ光が照射された前記基板を分割する分割工程と、を備え、
前記照射工程では、前記光学素子の内部に前記集光点を位置させて前記照射間隔を置いて前記レーザ光を照射する少なくとも1回の前記走査を行うことを特徴とする基板の分割方法。
A method for dividing a substrate, which is capable of transmitting laser light and has at least one optical element at a position along a planned cutting line,
A calculation step for obtaining an irradiation interval of the laser light in a direction along the planned cutting line based on position information of the optical element on the substrate;
Scanning that relatively moves the laser light along the planned cutting line is performed a plurality of times within the substrate while changing the position of the condensing point of the laser light, and multiphoton absorption occurs at the condensing point. An irradiation step of irradiating to
A division step of dividing the substrate irradiated with the laser beam,
In the irradiation step, the substrate is divided at least once by performing the scanning at least once by irradiating the laser beam at the irradiation interval with the condensing point positioned inside the optical element.
前記基板に参照光を照射して、前記光学素子の位置を計測する計測工程をさらに備え、
前記演算工程では、前記計測工程で得られた前記光学素子の位置情報を基に前記照射間隔を求めることを特徴とする請求項1に記載の基板の分割方法。
Further comprising a measuring step of irradiating the substrate with reference light and measuring the position of the optical element;
The substrate dividing method according to claim 1, wherein in the calculation step, the irradiation interval is obtained based on position information of the optical element obtained in the measurement step.
前記演算工程では、前記光学素子の位置情報を基に前記切断予定ラインに沿った方向における前記光学素子の光学軸の位置を求め、
前記照射工程では、前記光学素子の内部において前記光学軸上に前記集光点を位置させて前記レーザ光を照射する前記走査を行うことを特徴とする請求項1または2に記載の基板の分割方法。
In the calculation step, the position of the optical axis of the optical element in the direction along the planned cutting line is determined based on the position information of the optical element,
3. The substrate division according to claim 1, wherein in the irradiating step, the scanning is performed by irradiating the laser beam with the condensing point positioned on the optical axis inside the optical element. 4. Method.
前記光学素子が前記切断予定ラインに沿って周期的に設けられており、
前記照射工程において、前記光学素子に対して前記レーザ光を照射する前記照射間隔が、前記光学素子の周期と同じ、または前記周期の整数倍であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の基板の分割方法。
The optical element is periodically provided along the planned cutting line,
4. The method according to claim 1, wherein, in the irradiation step, the irradiation interval for irradiating the optical element with the laser light is the same as the period of the optical element or an integral multiple of the period. The method for dividing a substrate according to claim 1.
前記照射工程において、前記レーザ光と前記基板との相対移動速度を一定とし、前記レーザ光を遮るシャッターの開閉を制御して、前記照射間隔を設定することを特徴とする請求項4に記載の基板の分割方法。   5. The irradiation interval is set in the irradiation step by setting a relative movement speed between the laser beam and the substrate to be constant, and controlling opening / closing of a shutter that blocks the laser beam. Substrate dividing method. 前記レーザ光としてパルスレーザ光を用い、
前記照射工程において、前記パルスレーザ光と前記基板との相対移動速度を一定とし、前記照射間隔が前記光学素子の周期と同じになるように前記パルスレーザ光の繰り返し率を設定することを特徴とする請求項4に記載の基板の分割方法。
Using pulsed laser light as the laser light,
In the irradiation step, the repetition rate of the pulse laser beam is set so that the relative movement speed between the pulse laser beam and the substrate is constant, and the irradiation interval is the same as the period of the optical element. The substrate dividing method according to claim 4.
前記光学素子がマイクロレンズまたはプリズムであることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の基板の分割方法。   The substrate dividing method according to claim 1, wherein the optical element is a microlens or a prism. レーザ光を透過可能であると共に、外形位置に少なくとも1つの光学素子を有する基板を備えた電気光学装置の製造方法であって、
請求項1乃至7のいずれか一項に記載の基板の分割方法を用い、マザー基板の切断予定ラインに沿って前記レーザ光を照射して、前記マザー基板から前記基板を分割することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
A method of manufacturing an electro-optical device including a substrate capable of transmitting laser light and having at least one optical element at an outer position,
A substrate dividing method according to any one of claims 1 to 7, wherein the substrate is divided from the mother substrate by irradiating the laser light along a planned cutting line of the mother substrate. A method for manufacturing an electro-optical device.
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