JP2008165218A - Chemically amplified resist composition - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a chemically amplified resist composition showing excellent resolution and giving excellent line edge roughness. <P>SOLUTION: The chemically amplified resist composition comprises: an acid generator comprising an onium salt represented by formula (I) and a sulfonium salt represented by formula (II); and a resin which contains a polymerized unit having an acid-labile group and which itself is insoluble or poorly soluble in an aqueous alkali solution but becomes soluble in an aqueous alkali solution by the action of an acid. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体の微細加工に用いられる化学増幅型レジスト組成物に関する。   The present invention relates to a chemically amplified resist composition used for semiconductor microfabrication.

リソグラフィ技術を用いた半導体の微細加工に用いられる化学増幅型レジスト組成物は、酸に不安定な基を持つ重合単位を有し、それ自身はアルカリに不溶又は難溶であるが、酸の作用によりアルカリに可溶となる樹脂と露光により酸を発生する化合物からなる酸発生剤を含有してなる。
半導体の微細加工における化学増幅型レジスト組成物としては、より優れた解像度と優れたラインエッジラフネスを示すものが求められている。
A chemically amplified resist composition used for microfabrication of a semiconductor using a lithography technique has a polymerized unit having an acid labile group, and is itself insoluble or hardly soluble in an alkali. And an acid generator comprising a resin that is soluble in alkali and a compound that generates an acid upon exposure.
As a chemically amplified resist composition in microfabrication of semiconductors, there is a demand for a composition that exhibits superior resolution and excellent line edge roughness.

最近、酸に不安定な基を持つ重合単位を有し、それ自身はアルカリに不溶又は難溶であるが、酸の作用でアルカリに可溶となる樹脂と、酸発生剤としてトリフェニルスルホニウム 4−オキソ−1−アダマンチルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホナートのみを用い、さらにクエンチャーと溶剤とからなる化学増幅型ポジ型レジスト組成物が提案されている(特許文献1)。   Recently, it has a polymer unit having an acid labile group and itself is insoluble or hardly soluble in alkali, but becomes soluble in alkali by the action of acid, and triphenylsulfonium 4 as an acid generator. A chemically amplified positive resist composition using only -oxo-1-adamantyloxycarbonyldifluoromethanesulfonate and further comprising a quencher and a solvent has been proposed (Patent Document 1).

Figure 2008165218
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特開2006−257078 請求項1および15JP-A-2006-257078 Claims 1 and 15

しかしながら、特許文献1記載のレジスト組成物の解像度やラインエッジラフネス等の性能は、露光時の条件や現像時の条件など、種々の条件によっては、必ずしも十分に対応できない場合もあった。   However, the performance of the resist composition described in Patent Document 1, such as resolution and line edge roughness, may not always be adequately met depending on various conditions such as the conditions during exposure and the conditions during development.

そこで本発明者らは、上記課題を解決するために、化学増幅型レジスト組成物に含有される酸発生剤について鋭意検討した結果、酸発生剤として特定の化合物を2種以上含有してなる酸発生剤を用いることによって、優れた解像度を示し、かつ、優れたラインエッジラフネスを与える化学増幅型レジスト組成物が得られることを見出し、本発明に至った。   In order to solve the above problems, the present inventors have intensively studied the acid generator contained in the chemically amplified resist composition. As a result, the present inventors have developed an acid containing two or more specific compounds as the acid generator. By using the generator, it was found that a chemically amplified resist composition showing excellent resolution and excellent line edge roughness was obtained, and the present invention was achieved.

すなわち本発明は、下式(I)で表されるオニウム塩と、式(II)で表されるスルホニウム塩とを含有する酸発生剤、並びに、酸に不安定な基を持つ重合単位を有し、それ自身はアルカリに不溶又は難溶であるが、酸の作用によりアルカリに可溶となる樹脂を含有することを特徴とする化学増幅型レジスト組成物を提供する。   That is, the present invention has an acid generator containing an onium salt represented by the following formula (I) and a sulfonium salt represented by the formula (II), and a polymer unit having an acid-labile group. In addition, the present invention provides a chemically amplified resist composition characterized by containing a resin that is insoluble or hardly soluble in alkali but becomes soluble in alkali by the action of an acid.

Figure 2008165218
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[式(I)中、R21は、直鎖状又は分枝状の炭素数1〜20の置換されていてもよい炭化水素基、あるいは炭素数3〜30の置換されていてもよい環状炭化水素基を表す。ただし、該炭化水素基及び該環状炭化水素基に含まれる炭素原子は、任意に、カルボニル基、酸素原子に置換されていてもよい。
及びQは、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基を表す。
は、式(Ia)、式(Ib)及び式(Ic)で表されるカチオンからなる群から選ばれる少なくとも1種のカチオンを表す。]
[In the formula (I), R 21 represents a linear or branched hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms which may be substituted, or a cyclic carbon atom having 3 to 30 carbon atoms which may be substituted. Represents a hydrogen group. However, the carbon atom contained in the hydrocarbon group and the cyclic hydrocarbon group may be optionally substituted with a carbonyl group or an oxygen atom.
Q 1 and Q 2 each independently represents a fluorine atom or a C 1-6 perfluoroalkyl group.
A + represents at least one cation selected from the group consisting of cations represented by formula (Ia), formula (Ib) and formula (Ic). ]

Figure 2008165218
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[式(Ia)中、P〜Pは、それぞれ独立に、直鎖状、分岐状又は環状の炭素数1〜30の炭化水素基を表す。P〜Pが直鎖状又は分岐状の炭化水素基である場合には、水酸基、炭素数1〜12のアルコキシ基又は炭素数3〜12の環式炭化水素基の一つ以上を置換基として含んでいてもよく、P〜Pが環状炭化水素基である場合には、水酸基、炭素数1〜12の炭化水素基又は炭素数1〜12のアルコキシ基の一つ以上を置換基として含んでいてもよい。該炭化水素基及び該アルコキシ基は、直鎖状でも分岐状であってもよい。
式(Ib)中、P及びPは、それぞれ独立に、水素原子、水酸基、炭素数1〜12の炭化水素基又は炭素数1〜12のアルコキシ基を表し、該炭化水素基及び該アルコキシ基は、直鎖状でも分岐状であってもよい。
式(Ic)中、P10〜P21は、それぞれ独立に、水素原子、水酸基、炭素数1〜12の炭化水素基又は炭素数1〜12のアルコキシ基を表し、該炭化水素基及び該アルコキシ基は、直鎖状でも分岐状であってもよい。
Bは、硫黄原子又は酸素原子を表す。
mは、0又は1を表す。]
[In Formula (Ia), P 1 to P 3 each independently represents a linear, branched or cyclic hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms. When P 1 to P 3 are linear or branched hydrocarbon groups, one or more of a hydroxyl group, an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, or a cyclic hydrocarbon group having 3 to 12 carbon atoms is substituted. When P 1 to P 3 are cyclic hydrocarbon groups, one or more of a hydroxyl group, a hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, or an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms may be substituted. It may be included as a group. The hydrocarbon group and the alkoxy group may be linear or branched.
In formula (Ib), P 4 and P 5 each independently represent a hydrogen atom, a hydroxyl group, a hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, or an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, and the hydrocarbon group and the alkoxy group The group may be linear or branched.
In formula (Ic), P 10 to P 21 each independently represent a hydrogen atom, a hydroxyl group, a hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, or an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, and the hydrocarbon group and the alkoxy group The group may be linear or branched.
B represents a sulfur atom or an oxygen atom.
m represents 0 or 1. ]

Figure 2008165218
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[式(II)中、R22は、直鎖状又は分枝状の炭素数1〜20の置換されていてもよい炭化水素基、あるいは炭素数3〜30の置換されていてもよい環状炭化水素基を表す。ただし、該炭化水素基及び該環状炭化水素基に含まれる炭素原子は、任意に、カルボニル基、酸素原子に置換されていてもよい。
及びQは、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基を表す。
は、式(II’)で表されるカチオンを表す。]
[In the formula (II), R 22 represents a linear or branched hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms which may be substituted, or a cyclic carbon atom having 3 to 30 carbon atoms which may be substituted. Represents a hydrogen group. However, the carbon atom contained in the hydrocarbon group and the cyclic hydrocarbon group may be optionally substituted with a carbonyl group or an oxygen atom.
Q 3 and Q 4 each independently represent a fluorine atom or a C 1-6 perfluoroalkyl group.
B + represents a cation represented by the formula (II ′). ]

Figure 2008165218
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[式(II’)中、P及びPは、それぞれ独立に、直鎖状、分岐状又は環状の炭素数1〜12の炭化水素基を表す。又はPとPとが結合して炭素数3〜12の2価の炭化水素基を表す。
は、水素原子を表す。
は、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数3〜12のシクロアルキル基もしくは置換されていてもよい芳香環基を表すか、又はPとPが結合して炭素数3〜12の2価の炭化水素基を表す。ここで、2価の炭化水素基に含まれる炭素原子は、任意に、カルボニル基、酸素原子、硫黄原子に置換されていてもよい。]
[In Formula (II ′), P 6 and P 7 each independently represent a linear, branched or cyclic hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms. Or P 6 and P 7 are bonded represent a divalent hydrocarbon group having 3 to 12 carbon atoms.
P 8 represents a hydrogen atom.
P 9 represents an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 12 carbon atoms, or an optionally substituted aromatic ring group, or P 8 and P 9 are bonded to form 3 to 3 carbon atoms. 12 divalent hydrocarbon groups are represented. Here, the carbon atom contained in the divalent hydrocarbon group may be optionally substituted with a carbonyl group, an oxygen atom, or a sulfur atom. ]

本発明の化学増幅型レジスト組成物によれば、優れた解像度と優れたラインエッジラフネスを有するパターンを製造することができるので、本発明は工業的に極めて有用である。   According to the chemically amplified resist composition of the present invention, a pattern having excellent resolution and excellent line edge roughness can be produced. Therefore, the present invention is extremely useful industrially.

本発明における化学増幅型レジスト組成物は、式(I)で表されるオニウム塩と、式(II)で表されるスルホニウム塩とを酸発生剤として併用する。   The chemically amplified resist composition of the present invention uses an onium salt represented by the formula (I) and a sulfonium salt represented by the formula (II) as an acid generator.

Figure 2008165218
Figure 2008165218

[式(I)中、R21は、直鎖状又は分枝状の炭素数1〜20の置換されていてもよい炭化水素基、あるいは炭素数3〜30の置換されていてもよい環状炭化水素基を表す。ただし、該炭化水素基及び該環状炭化水素基に含まれる炭素原子は、任意に、カルボニル基、酸素原子に置換されていてもよい。
及びQは、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基を表す。
は、式(Ia)、式(Ib)及び式(Ic)で表されるカチオンからなる群から選ばれる少なくとも1種のカチオンを表す。]
[In the formula (I), R 21 represents a linear or branched hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms which may be substituted, or a cyclic carbon atom having 3 to 30 carbon atoms which may be substituted. Represents a hydrogen group. However, the carbon atom contained in the hydrocarbon group and the cyclic hydrocarbon group may be optionally substituted with a carbonyl group or an oxygen atom.
Q 1 and Q 2 each independently represents a fluorine atom or a C 1-6 perfluoroalkyl group.
A + represents at least one cation selected from the group consisting of cations represented by formula (Ia), formula (Ib) and formula (Ic). ]

Figure 2008165218
Figure 2008165218

[式(Ia)中、P〜Pは、それぞれ独立に、直鎖状、分岐状又は環状の炭素数1〜30の炭化水素基を表す。P〜Pが直鎖状又は分岐状の炭化水素基である場合には、水酸基、炭素数1〜12のアルコキシ基又は炭素数3〜12の環式炭化水素基の一つ以上を置換基として含んでいてもよく、P〜Pが環状炭化水素基である場合には、水酸基、炭素数1〜12の炭化水素基又は炭素数1〜12のアルコキシ基の一つ以上を置換基として含んでいてもよい。該炭化水素基及び該アルコキシ基は、直鎖状でも分岐状であってもよい。
式(Ib)中、P及びPは、それぞれ独立に、水素原子、水酸基、炭素数1〜12の炭化水素基又は炭素数1〜12のアルコキシ基を表し、該炭化水素基及び該アルコキシ基は、直鎖状でも分岐状であってもよい。
式(Ic)中、P10〜P21は、それぞれ独立に、水素原子、水酸基、炭素数1〜12の炭化水素基又は炭素数1〜12のアルコキシ基を表し、該炭化水素基及び該アルコキシ基は、直鎖状でも分岐状であってもよい。
Bは、硫黄原子又は酸素原子を表す。
mは、0又は1を表す。]
[In Formula (Ia), P 1 to P 3 each independently represents a linear, branched or cyclic hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms. When P 1 to P 3 are linear or branched hydrocarbon groups, one or more of a hydroxyl group, an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, or a cyclic hydrocarbon group having 3 to 12 carbon atoms is substituted. When P 1 to P 3 are cyclic hydrocarbon groups, one or more of a hydroxyl group, a hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, or an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms may be substituted. It may be included as a group. The hydrocarbon group and the alkoxy group may be linear or branched.
In formula (Ib), P 4 and P 5 each independently represent a hydrogen atom, a hydroxyl group, a hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, or an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, and the hydrocarbon group and the alkoxy group The group may be linear or branched.
In formula (Ic), P 10 to P 21 each independently represent a hydrogen atom, a hydroxyl group, a hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, or an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, and the hydrocarbon group and the alkoxy group The group may be linear or branched.
B represents a sulfur atom or an oxygen atom.
m represents 0 or 1. ]

Figure 2008165218
Figure 2008165218

[式(II)中、R22は、直鎖状又は分枝状の炭素数1〜20の置換されていてもよい炭化水素基、あるいは炭素数3〜30の置換されていてもよい環状炭化水素基を表す。ただし、該炭化水素基及び該環状炭化水素基に含まれる炭素原子は、任意に、カルボニル基、酸素原子に置換されていてもよい。
及びQは、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基を表す。
は、式(II’)で表されるカチオンを表す。]
[In the formula (II), R 22 represents a linear or branched hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms which may be substituted, or a cyclic carbon atom having 3 to 30 carbon atoms which may be substituted. Represents a hydrogen group. However, the carbon atom contained in the hydrocarbon group and the cyclic hydrocarbon group may be optionally substituted with a carbonyl group or an oxygen atom.
Q 3 and Q 4 each independently represent a fluorine atom or a C 1-6 perfluoroalkyl group.
D + represents a cation represented by the formula (II ′). ]

Figure 2008165218
Figure 2008165218

[式(II’)中、P及びPは、それぞれ独立に、直鎖状、分岐状又は環状の炭素数1〜12の炭化水素基を表す。又はPとPとが結合して炭素数3〜12の2価の炭化水素基を表す。
は、水素原子を表す。
は、直鎖状、分岐状又は環状の炭素数1〜12の炭化水素基もしくは置換されていてもよい芳香環基を表すか、又はPとPが結合して炭素数3〜12の2価の炭化水素基を表す。ここで、2価の炭化水素基に含まれる炭素原子は、任意に、カルボニル基、酸素原子、硫黄原子に置換されていてもよい。]
[In Formula (II ′), P 6 and P 7 each independently represent a linear, branched or cyclic hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms. Or P 6 and P 7 are bonded represent a divalent hydrocarbon group having 3 to 12 carbon atoms.
P 8 represents a hydrogen atom.
P 9 represents a linear, branched or cyclic hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms or an optionally substituted aromatic ring group, or P 8 and P 9 are bonded to form 3 to 3 carbon atoms. 12 divalent hydrocarbon groups are represented. Here, the carbon atom contained in the divalent hydrocarbon group may be optionally substituted with a carbonyl group, an oxygen atom, or a sulfur atom. ]

直鎖状、分岐状又は環状の炭素数1〜30の炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデカニル基、テトラデカニル基、ペンタデカニル基、ヘキサデカニル基、ヘプタデカニル基、オクタデカニル基、ノナデカニル基、イコサニル基、ヘニコサニル基、ドコサニル基、ヘニコサニル基、ドサニル基、トリコサニル基、テトラコサニル基、ペンタコサニル基、ヘキサコサニル基、ヘプタコサニル基、オクタコサニル基、ノナコサニル基、トリアコンタニル基および前記各基の構造異性体;
シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基などが挙げられる。
直鎖状又は分枝状の炭素数1〜20の置換されていてもよい炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデカニル基、テトラデカニル基、ペンタデカニル基、ヘキサデカニル基、ヘプタデカニル基、オクタデカニル基、ノナデカニル基、イコサニル基、ヘニコサニル基、ドコサニル基および前記各基の構造異性体;
ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基、ヒドロキシブチル基、ヒドロキシペンチル基、ヒドロキシヘキシル基、ヒドロキシヘプチル基、ヒドロキシオクチル基、ヒドロキシノニル基、ヒドロキシデシル基、ヒドロキシウンデシル基、ヒドロキシドデシル基、ヒドロキシトリデカニル基、ヒドロキシテトラデカニル基、ヒドロキシペンタデカニル基、ヒドロキシヘキサデカニル基、ヒドロキシヘプタデカニル基、ヒドロキシオクタデカニル基、ヒドロキシノナデカニル基、ヒドロキシイコサニル基および前記各基の構造異性体;
ジヒドロキシメチル基、ジヒドロキシエチル基、ジヒドロキシプロピル基、ジヒドロキシブチル基、ジヒドロキシペンチル基、ジヒドロキシヘキシル基、ジヒドロキシヘプチル基、ジヒドロキシオクチル基、ジヒドロキシノニル基、ジヒドロキシデシル基、ジヒドロキシウンデシル基、ジヒドロキシドデシル基、ジヒドロキシトリデカニル基、ジヒドロキシテトラデカニル基、ジヒドロキシペンタデカニル基、ジヒドロキシヘキサデカニル基、ジヒドロキシヘプタデカニル基、ジヒドロキシオクタデカニル基、ジヒドロキシノナデカニル基、ジヒドロキシイコサニル基および前記各基の構造異性体などが挙げられる。
Examples of the linear, branched or cyclic hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a pentyl group, a hexyl group, a heptyl group, an octyl group, a nonyl group, Decyl group, undecyl group, dodecyl group, tridecanyl group, tetradecanyl group, pentadecanyl group, hexadecanyl group, heptadecanyl group, octadecanyl group, nonadecanyl group, icosanyl group, henicosanyl group, docosanyl group, henicosanyl group, dosanyl group, tricosanyl group, tetracosanyl group , Pentacosanyl group, hexacosanyl group, heptacosanyl group, octacosanyl group, nonacosanyl group, triacontanyl group and structural isomers of each of the above groups;
Examples include a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group, and a cyclononyl group.
Examples of the linear or branched hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms which may be substituted include, for example, methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group, hexyl group, heptyl group, octyl Group, nonyl group, decyl group, undecyl group, dodecyl group, tridecanyl group, tetradecanyl group, pentadecanyl group, hexadecanyl group, heptadecanyl group, octadecanyl group, nonadecanyl group, icosanyl group, henicosanyl group, docosanyl group and the structural isomerism of each of the above groups body;
Hydroxymethyl, hydroxyethyl, hydroxypropyl, hydroxybutyl, hydroxypentyl, hydroxyhexyl, hydroxyheptyl, hydroxyoctyl, hydroxynonyl, hydroxydecyl, hydroxyundecyl, hydroxydodecyl, hydroxy Tridecanyl group, hydroxytetradecanyl group, hydroxypentadecanyl group, hydroxyhexadecanyl group, hydroxyheptadecanyl group, hydroxyoctadecanyl group, hydroxynonadecanyl group, hydroxyicosanyl group and each of the above groups Structural isomers of
Dihydroxymethyl, dihydroxyethyl, dihydroxypropyl, dihydroxybutyl, dihydroxypentyl, dihydroxyhexyl, dihydroxyheptyl, dihydroxyoctyl, dihydroxynonyl, dihydroxydecyl, dihydroxyundecyl, dihydroxydodecyl, dihydroxy Tridecanyl group, dihydroxytetradecanyl group, dihydroxypentadecanyl group, dihydroxyhexadecanyl group, dihydroxyheptadecanyl group, dihydroxyoctadecanyl group, dihydroxynonadecanyl group, dihydroxyicosanyl group and each of the above groups And the structural isomers.

式(I)で表される塩のアニオン部としては、下記式で表されるアニオンなどが挙げられる。   Examples of the anion moiety of the salt represented by the formula (I) include anions represented by the following formula.

Figure 2008165218
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また、式(I)において、A+は、式(Ia)、式(Ib)又は式(Ic)のいずれかで表されるカチオンからなる群から選ばれる少なくとも1種のカチオンであることが好ましい。 In Formula (I), A + is preferably at least one cation selected from the group consisting of cations represented by any one of Formula (Ia), Formula (Ib), or Formula (Ic). .

Figure 2008165218
Figure 2008165218

[式(Ia)中、P〜Pは、それぞれ独立に、直鎖状、分岐状又は環状の炭素数1〜30の炭化水素基を表す。P〜Pが直鎖状又は分岐状の炭化水素基である場合には、水酸基、炭素数1〜12のアルコキシ基又は炭素数3〜12の環状炭化水素基の一つ以上を置換基として含んでいてもよく、P〜Pが環状炭化水素基である場合には、水酸基、炭素数1〜12の炭化水素基又は炭素数1〜12のアルコキシ基の一つ以上を置換基として含んでいてもよい。該炭化水素基及び該アルコキシ基は、直鎖状でも分岐状であってもよい。
式(Ib)中、P及びPは、それぞれ独立に、水素原子、水酸基、炭素数1〜12の炭化水素基又は炭素数1〜12のアルコキシ基を表し、該炭化水素基及び該アルコキシ基は、直鎖状でも分岐状であってもよい。
式(Ic)中、P10〜P21は、それぞれ独立に、水素原子、水酸基、炭素数1〜12の炭化水素基又は炭素数1〜12のアルコキシ基を表し、該炭化水素基及び該アルコキシ基は、直鎖状でも分岐状であってもよい。
Bは、硫黄原子又は酸素原子を表す。
mは、0又は1を表す。]
[In Formula (Ia), P 1 to P 3 each independently represents a linear, branched or cyclic hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms. P 1 if to P 3 is a linear or branched hydrocarbon group, a hydroxyl group, one or more of the substituents of the cyclic hydrocarbon group having 3 to 12 alkoxy group or a carbon number of 1 to 12 carbon atoms In the case where P 1 to P 3 are cyclic hydrocarbon groups, one or more of a hydroxyl group, a hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, or an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms may be substituted. May be included. The hydrocarbon group and the alkoxy group may be linear or branched.
In formula (Ib), P 4 and P 5 each independently represent a hydrogen atom, a hydroxyl group, a hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, or an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, and the hydrocarbon group and the alkoxy group The group may be linear or branched.
In formula (Ic), P 10 to P 21 each independently represent a hydrogen atom, a hydroxyl group, a hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, or an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, and the hydrocarbon group and the alkoxy group The group may be linear or branched.
B represents a sulfur atom or an oxygen atom.
m represents 0 or 1. ]

前記の直鎖状、分岐状又は環状の炭素数1〜30の炭化水素基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、2−エチルヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、ビシクロヘキシル基、フェニル基、ナフチル基、フルオレニル基、ビフェニル基などが挙げられる。
前記の炭素数1〜12の炭化水素基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、n−ノニル基、n−デシル基、n−ドデシル基、2−エチルヘキシル基などが挙げられる。
前記の炭素数1〜12のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、2−エチルヘキシルオキシ基などが挙げられる。
前記の炭素数3〜12の環状炭化水素基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、ビシクロヘキシル基、フェニル基、ナフチル基、フルオレニル基、ビフェニル基などが挙げられる。前記の環状炭化水素基は、直鎖状または分岐状の炭化水素基、アルコキシ基、水酸基及びアミノ基等により置換されていてもよい。
Examples of the linear, branched or cyclic hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, and tert-butyl. Group, pentyl group, hexyl group, octyl group, 2-ethylhexyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, adamantyl group, bicyclohexyl group, phenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, biphenyl group and the like.
Examples of the hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, n-hexyl group, n- A heptyl group, n-octyl group, n-nonyl group, n-decyl group, n-dodecyl group, 2-ethylhexyl group, etc. are mentioned.
Examples of the alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms include methoxy group, ethoxy group, propoxy group, butoxy group, hexyloxy group, octyloxy group, 2-ethylhexyloxy group and the like.
Examples of the cyclic hydrocarbon group having 3 to 12 carbon atoms include a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, an adamantyl group, a bicyclohexyl group, a phenyl group, a naphthyl group, a fluorenyl group, and a biphenyl group. The cyclic hydrocarbon group may be substituted with a linear or branched hydrocarbon group, an alkoxy group, a hydroxyl group, an amino group, or the like.

式(Ia)で表されるカチオンとしては、下記式で表されるカチオンが挙げられる。   Examples of the cation represented by the formula (Ia) include a cation represented by the following formula.

Figure 2008165218
Figure 2008165218

Figure 2008165218
Figure 2008165218

Figure 2008165218
Figure 2008165218

式(Ib)で表されるカチオンとしては、下記式で表されるカチオンが挙げられる。   Examples of the cation represented by the formula (Ib) include a cation represented by the following formula.

Figure 2008165218
Figure 2008165218

式(Ic)で表されるカチオンとしては、下記式で表されるカチオンが挙げられる。   Examples of the cation represented by the formula (Ic) include a cation represented by the following formula.

Figure 2008165218
Figure 2008165218

Figure 2008165218
Figure 2008165218

Figure 2008165218
Figure 2008165218

さらに、Aで表されるカチオンとしては、式(Id)、式(Ie)又は式(If)のいずれかで示されるカチオンからなる群から選ばれる少なくとも1種のカチオンである場合が好ましい。 Further, the cation represented by A + is preferably at least one cation selected from the group consisting of cations represented by any one of formula (Id), formula (Ie) and formula (If).

Figure 2008165218
Figure 2008165218

[式(Id)〜式(If)中、P28〜P30は、それぞれ独立に、直鎖状又は分岐状の炭素数1〜20の炭化水素基を表すか又はフェニル基以外の炭素数3〜30の環状炭化水素基を表す。P28〜P30が炭化水素基である場合には、水酸基、炭素数1〜12のアルコキシ基又は炭素数3〜12の環状炭化水素基の一つ以上を置換基として含んでいてもよく、P28〜P30が環状炭化水素基の場合には、水酸基、炭素数1〜12の炭化水素基又は炭素数1〜12のアルコキシ基の一つ以上を置換基として含んでいてもよい。
31〜P36は、それぞれ独立に、水酸基、直鎖状、分岐状又は環状の炭素数1〜12の炭化水素基、炭素数1〜12のアルコキシ基を表す。
g、h、i、j、kおよびlは、それぞれ独立に、0〜5の整数を表す。]
[In Formula (Id) to Formula (If), P 28 to P 30 each independently represents a linear or branched hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, or 3 carbon atoms other than a phenyl group. Represents 30 cyclic hydrocarbon groups. If P 28 to P 30 is a hydrocarbon group, a hydroxyl group may comprise as one or more substituents of the cyclic hydrocarbon group having 3 to 12 alkoxy group or a carbon number of 1 to 12 carbon atoms, If P 28 to P 30 is a cyclic hydrocarbon group, a hydroxyl group, it may be included as one or more of the substituents of the hydrocarbon group or an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms having 1 to 12 carbon atoms.
P 31 to P 36 each independently represent a hydroxyl group, a linear, branched or cyclic hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms or an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms.
g, h, i, j, k and l each independently represent an integer of 0 to 5. ]

g、h、i、j、kおよびlは、それぞれ独立に、好ましくは0〜2の整数を表し、より好ましくは0〜1の整数を表す。   g, h, i, j, k and l each independently preferably represent an integer of 0 to 2, more preferably an integer of 0 to 1.

さらに、式(Ia)で表されるカチオンとしては、式(Ig)で表されるカチオンが、その製造が容易であることから、より好ましい。   Furthermore, as the cation represented by the formula (Ia), the cation represented by the formula (Ig) is more preferable because the production thereof is easy.

Figure 2008165218
Figure 2008165218

[式(Ig)中、P41〜P43は、それぞれ独立に、水素原子、水酸基、直鎖状又は分岐状の炭素数1〜12の炭化水素基又は直鎖状又は分岐状の炭素数1〜12のアルコキシ基を表す。] [In Formula (Ig), P 41 to P 43 each independently represents a hydrogen atom, a hydroxyl group, a linear or branched hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, or a linear or branched carbon number of 1; Represents an alkoxy group of ˜12. ]

直鎖状又は分岐状の炭素数1〜12の炭化水素基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、2−エチルヘキシル基などが挙げられる。
直鎖状又は分岐状の炭素数1〜12のアルコキシ基しては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、2−エチルヘキシルオキシ基などが挙げられる。
Examples of the linear or branched hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, and pentyl group. Hexyl group, octyl group, 2-ethylhexyl group and the like.
Examples of the linear or branched alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms include a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, a butoxy group, a hexyloxy group, an octyloxy group, and a 2-ethylhexyloxy group.

さらに、式(Ig)で表されるカチオンとしては、式(Ih)で表されるカチオンが、さらに製造が容易であることから、さらに好ましい。   Furthermore, as the cation represented by the formula (Ig), the cation represented by the formula (Ih) is more preferable because it is easier to produce.

Figure 2008165218
Figure 2008165218

[式(Ih)中、P22〜P24は、それぞれ独立に、水素原子、直鎖状又は分岐状の炭素数1〜4の炭化水素基を表す。] [In Formula (Ih), P 22 to P 24 each independently represents a hydrogen atom or a linear or branched hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms. ]

そして、本発明の式(I)で表されるオニウム塩としては、中でも式(Ii)、式(Ij)又は式(Ik)で表されるオニウム塩が、好ましい。   And as an onium salt represented by the formula (I) of this invention, the onium salt represented by a formula (Ii), a formula (Ij), or a formula (Ik) is especially preferable.

Figure 2008165218
Figure 2008165218

[式(Ii)、式(Ij)及び式(Ik)中、Q1及びQ2は、式(I)におけるのと同じ意味を表す。
22〜P24は、式(Ih)におけるのと同じ意味を表す。
環Xは、単環式又は多環式の炭素数3〜30の炭化水素基を表す。ただし、前記の炭化水素基の炭素原子は、カルボニル基で置換されていてもよい。
また、環Xは、炭素数1〜6の炭化水素基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数1〜4のペルフルオロアルキル基、炭素数1〜6のヒドロキシアルキル基、水酸基又はシアノ基を置換基として含んでいてもよい。
は、単結合又は−[CHk−を表す。
kは、1〜4の整数を表す。]
[In formula (Ii), formula (Ij) and formula (Ik), Q 1 and Q 2 represent the same meaning as in formula (I).
P 22 to P 24 represent the same meaning as in formula (Ih).
Ring X represents a monocyclic or polycyclic hydrocarbon group having 3 to 30 carbon atoms. However, the carbon atom of the hydrocarbon group may be substituted with a carbonyl group.
Ring X is a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, a perfluoroalkyl group having 1 to 4 carbon atoms, a hydroxyalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a hydroxyl group, or a cyano group. It may be included as a substituent.
Z 1 represents a single bond or — [CH 2 ] k —.
k represents an integer of 1 to 4. ]

さらに、環Xがアダマンタン骨格を有する、式(Il)、式(Im)又は式(In)で表されるオニウム塩が好ましい。   Furthermore, an onium salt represented by the formula (Il), the formula (Im) or the formula (In) in which the ring X has an adamantane skeleton is preferable.

Figure 2008165218
Figure 2008165218

[式(Il)、式(Im)及び式(In)中、Q1及びQ2は式(I)におけるのと同じ意味を表す。
22〜P24は、式(Ih)におけるのと同じ意味を表す。]
[In formula (Il), formula (Im) and formula (In), Q 1 and Q 2 represent the same meaning as in formula (I).
P 22 to P 24 represent the same meaning as in formula (Ih). ]

本発明の化学増幅型レジスト組成物は、さらに酸発生剤として式(II)で表されるスルホニウム塩を含有する。   The chemically amplified resist composition of the present invention further contains a sulfonium salt represented by the formula (II) as an acid generator.

Figure 2008165218
Figure 2008165218

[式(II)中、R22は、直鎖状又は分枝状の炭素数1〜20の置換されていてもよい炭化水素基、あるいは炭素数3〜30の置換されていてもよい環状炭化水素基を表す。ただし、該炭化水素基及び該環状炭化水素基に含まれる炭素原子は、任意に、カルボニル基、酸素原子に置換されていてもよい。
及びQは、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基を表す。
は、式(II’)で表されるカチオンを表す。]
[In the formula (II), R 22 represents a linear or branched hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms which may be substituted, or a cyclic carbon atom having 3 to 30 carbon atoms which may be substituted. Represents a hydrogen group. However, the carbon atom contained in the hydrocarbon group and the cyclic hydrocarbon group may be optionally substituted with a carbonyl group or an oxygen atom.
Q 3 and Q 4 each independently represent a fluorine atom or a C 1-6 perfluoroalkyl group.
D + represents a cation represented by the formula (II ′). ]

Figure 2008165218
Figure 2008165218

[式(II’)中、P及びPは、それぞれ独立に、直鎖状、分岐状又は環状の炭素数1〜12の炭化水素基を表すか、PとPとが結合して炭素数3〜12の2価の炭化水素基を表す。
は、水素原子を表す。
は、直鎖状、分岐状又は環状の炭素数1〜12の炭化水素基、炭素数3〜12のシクロアルキル基もしくは置換されていてもよい芳香環基を表すか、又はPとPが結合して炭素数3〜12の2価の炭化水素基を表す。ここで、2価の炭化水素基に含まれる炭素原子は、任意に、カルボニル基、酸素原子、硫黄原子に置換されていてもよい。]
[In Formula (II ′), P 6 and P 7 each independently represent a linear, branched or cyclic hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, or P 6 and P 7 are bonded to each other. Represents a divalent hydrocarbon group having 3 to 12 carbon atoms.
P 8 represents a hydrogen atom.
P 9 represents a linear, branched or cyclic hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 12 carbon atoms or an optionally substituted aromatic ring group, or P 8 P 9 is bonded to represent a C 3-12 divalent hydrocarbon group. Here, the carbon atom contained in the divalent hydrocarbon group may be optionally substituted with a carbonyl group, an oxygen atom, or a sulfur atom. ]

式(II)における直鎖状又は分枝状の炭素数1〜20の置換されていてもよい炭化水素基としては、前記と同じものが挙げられる。
炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基としては、前記と同じものが挙げられる。
及びQとしては、それぞれ独立にフッ素原子又はトリフロオロメチル基である場合が好ましい。中でも、Q〜Qのすべてがフッ素原子である場合がより好ましい。
Examples of the linear or branched hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms which may be substituted include the same ones as described above.
Examples of the C 1-6 perfluoroalkyl group are the same as those described above.
Q 3 and Q 4 are preferably each independently a fluorine atom or a trifluoromethyl group. Above all, when all Q 1 to Q 4 is a fluorine atom is more preferable.

式(II)で表されるスルホニウム塩のアニオン部としては、式(I)で表されるオニウム塩のアニオン部と同様のアニオンが挙げられる。   Examples of the anion moiety of the sulfonium salt represented by the formula (II) include the same anions as the anion moiety of the onium salt represented by the formula (I).

及びPにおける炭素数1〜12の炭化水素基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、2−エチルヘキシル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロデシル基などが挙げられる。
また、P6とP7とが結合して、アルキレン基などの炭素数3〜12の2価の炭化水素基であってもよい。
8は水素原子を表す。P9は炭素数1〜12のアルキル基、炭素数3〜12のシクロアルキル基、またはフェニル基、ベンジル基などの置換されていてもよい芳香環基をあらわすか、P8とP9とが結合して、アルキレン基などの炭素数3〜12の2価の炭化水素基を表す。P9がアルキル基の場合、該アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、2−エチルヘキシル基などが挙げられる。P9がシクロアルキル基の場合、該シクロアルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロデシル基などが挙げられる。ここで、式(II’)における前記2価の炭化水素基に含まれる炭素原子は、任意に、カルボニル基、酸素原子、硫黄原子に置換されていてもよい。
Examples of the hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms in P 6 and P 7 include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, pentyl group, Examples include hexyl group, octyl group, 2-ethylhexyl group, cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, and cyclodecyl group.
Further, by bonding P 6 and P 7, it may be a divalent hydrocarbon group having 3 to 12 carbon atoms such as an alkylene group.
P 8 represents a hydrogen atom. P 9 represents an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 12 carbon atoms, or an aromatic ring group which may be substituted such as a phenyl group or a benzyl group, or P 8 and P 9 are A divalent hydrocarbon group having 3 to 12 carbon atoms such as an alkylene group is bonded. When P 9 is an alkyl group, specific examples of the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, a sec-butyl group, a tert-butyl group, a pentyl group, and a hexyl group. Group, octyl group, 2-ethylhexyl group and the like. When P 9 is a cycloalkyl group, examples of the cycloalkyl group include a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, and a cyclodecyl group. Here, the carbon atom contained in the divalent hydrocarbon group in the formula (II ′) may be optionally substituted with a carbonyl group, an oxygen atom, or a sulfur atom.

式(II’)で表されるカチオンA+としては、下記式で表されるカチオンが挙げられる。 Examples of the cation A + represented by the formula (II ′) include a cation represented by the following formula.

Figure 2008165218
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Figure 2008165218
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Figure 2008165218
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そして、式(II)で表されるスルホニウム塩としては、中でも(IIa)、(IIb)または(IIc)で表されるスルホニウム塩が、好ましい。   And as a sulfonium salt represented by Formula (II), the sulfonium salt represented by (IIa), (IIb) or (IIc) is especially preferable.

Figure 2008165218
Figure 2008165218

[式(IIa)、(IIb)及び(IIc)中、P〜P、Q3及びQ4は、それぞれ独立に、式(II)におけるのと同じ意味を表す。
環Xは、炭素数1〜6の炭化水素基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数1〜4のペルフルオロアルキル基、炭素数1〜6のヒドロキシアルキル基、水酸基又はシアノ基を置換基として含んでいてもよい。
Zは、単結合または−[CHk−基を表す。
kは、1〜4の整数を表す。]
[In formulas (IIa), (IIb) and (IIc), P 6 to P 9 , Q 3 and Q 4 each independently represent the same meaning as in formula (II).
Ring X is a substituent of a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, a perfluoroalkyl group having 1 to 4 carbon atoms, a hydroxyalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a hydroxyl group, or a cyano group. May be included.
Z represents a single bond or a — [CH 2 ] k — group.
k represents an integer of 1 to 4. ]

中でも、環Xがアダマンタン骨格を有する、式(IId)、式(IIf)または式(IIg)で表されるスルホニウム塩が好ましい。   Among these, a sulfonium salt represented by the formula (IId), the formula (IIf) or the formula (IIg) in which the ring X has an adamantane skeleton is preferable.

Figure 2008165218
Figure 2008165218

[式(IId)、式(IIe)及び式(IIf)中、Q及びQは、それぞれ独立に、式(II)におけるのと同じ意味を表す。
〜Pは、それぞれ独立に、式(II)におけるのと同じ意味を表す。]
[In formula (IId), formula (IIe) and formula (IIf), Q 3 and Q 4 each independently represent the same meaning as in formula (II).
P 6 to P 9 each independently represent the same meaning as in formula (II). ]

本発明の化学増幅型レジスト組成物において、式(I)で表されるオニウム塩と、式(II)で表されるスルホニウム塩との使用割合は、質量比で、好ましくは9:1〜1:9、より好ましくは3:7〜6:4、さらに好ましくは4:6〜6:4、さらにより好ましくは4:6〜5:5である。
この場合、式(I)で表されるオニウム塩及び式(II)で表されるスルホニウム塩は、それぞれ単独で用いても複数種を使用してもよい。
In the chemically amplified resist composition of the present invention, the use ratio of the onium salt represented by the formula (I) and the sulfonium salt represented by the formula (II) is a mass ratio, preferably 9: 1 to 1. : 9, more preferably 3: 7 to 6: 4, still more preferably 4: 6 to 6: 4, and even more preferably 4: 6 to 5: 5.
In this case, the onium salt represented by the formula (I) and the sulfonium salt represented by the formula (II) may be used alone or in combination.

本発明の化学増幅型レジスト組成物は、前記酸発生剤とともに樹脂を含有してなり、該樹脂は酸に不安定な基を有し、アルカリ水溶液に不溶又は難溶な樹脂であり、酸の作用により該樹脂はアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂である。ここで、酸に不安定な基とは、酸の作用により、アルカリ水溶液に溶解し得る効果を示す基を表す。   The chemically amplified resist composition of the present invention comprises a resin together with the acid generator, and the resin has an acid labile group and is an insoluble or hardly soluble resin in an alkaline aqueous solution. The resin is a resin that can be dissolved in an aqueous alkaline solution by the action. Here, an acid labile group represents a group that exhibits an effect that can be dissolved in an aqueous alkaline solution by the action of an acid.

本発明の化学増幅型レジスト組成物において、式(I)で表されるオニウム塩と式(II)で表されるスルホニウム塩とは、酸発生剤として用いられ、露光により生じた酸は、樹脂中の基であって酸に不安定な基に対して触媒的に作用して開裂し、樹脂はアルカリ水溶液に可溶なものとなる。   In the chemically amplified resist composition of the present invention, the onium salt represented by the formula (I) and the sulfonium salt represented by the formula (II) are used as an acid generator, and the acid generated by exposure is a resin. The resin is cleaved by catalytically acting on an acid-labile group therein, and the resin becomes soluble in an alkaline aqueous solution.

酸に不安定な基としては、エーテル結合のα位が4級炭素原子であるアルキルエステルを有する基、脂環式エステルなどのカルボン酸エステルを有する基、エーテル結合のα位が4級炭素原子であるラクトン環を有する基などが挙げられる。
ここで、4級炭素原子とは、水素原子以外の置換基と結合していて水素とは結合していない炭素原子を意味し、酸に不安定な基としては、エーテル結合のα位の炭素原子が3つの炭素原子と結合した4級炭素原子であることが好ましい。
Examples of the acid labile group include a group having an alkyl ester in which the α position of the ether bond is a quaternary carbon atom, a group having a carboxylic acid ester such as an alicyclic ester, and the α position of the ether bond in a quaternary carbon atom. And a group having a lactone ring.
Here, the quaternary carbon atom means a carbon atom bonded to a substituent other than a hydrogen atom and not bonded to hydrogen, and an acid labile group is a carbon at the α-position of an ether bond. It is preferred that the atom is a quaternary carbon atom bonded to three carbon atoms.

酸に不安定な基の1種であるカルボン酸エステルを有する基を−COORのRエステル基として例示すると、(−COO−C(CH を、tert−ブチルエステル基という形式で称する。)、tert−ブチルエステル基に代表されるエーテル結合のα位が4級炭素原子であるアルキルエステル基;メトキシメチルエステル基、エトキシメチルエステル基、1−エトキシエチルエステル基、1−イソブトキシエチルエステル基、1−イソプロポキシエチルエステル基、1−エトキシプロピルエステル基、1−(2−メトキシエトキシ)エチルエステル基、1−(2−アセトキシエトキシ)エチルエステル基、1−〔2−(1−アダマンチルオキシ)エトキシ〕エチルエステル基、1−〔2−(1−アダマンタンカルボニルオキシ)エトキシ〕エチルエステル基、テトラヒドロ−2−フリルエステル基及びテトラヒドロ−2−ピラニルエステル基などのアセタール型エステル基;イソボルニルエステル基及び1−アルキルシクロアルキルエステル基、2−アルキル−2−アダマンチルエステル基、1−(1−アダマンチル)−1−アルキルアルキルエステル基などのエーテル結合のα位が4級炭素原子である脂環式エステル基などが挙げられる。 When a group having a carboxylic acid ester which is one of acid labile groups is exemplified as an R ester group of —COOR, (—COO—C (CH 3 ) 3 is referred to as a tert-butyl ester group. ), An alkyl ester group in which the α-position of the ether bond represented by the tert-butyl ester group is a quaternary carbon atom; a methoxymethyl ester group, an ethoxymethyl ester group, a 1-ethoxyethyl ester group, a 1-isobutoxyethyl ester Group, 1-isopropoxyethyl ester group, 1-ethoxypropyl ester group, 1- (2-methoxyethoxy) ethyl ester group, 1- (2-acetoxyethoxy) ethyl ester group, 1- [2- (1-adamantyl) Oxy) ethoxy] ethyl ester group, 1- [2- (1-adamantanecarbonyloxy) ethoxy] ethyl Acetal-type ester groups such as a ruester group, a tetrahydro-2-furyl ester group and a tetrahydro-2-pyranyl ester group; an isobornyl ester group and a 1-alkylcycloalkyl ester group, a 2-alkyl-2-adamantyl ester group, 1 And an alicyclic ester group in which the α-position of the ether bond such as a-(1-adamantyl) -1-alkylalkyl ester group is a quaternary carbon atom.

このようなカルボン酸エステルを有する基としては、(メタ)アクリル酸エステル、ノルボルネンカルボン酸エステル、トリシクロデセンカルボン酸エステル、テトラシクロデセンカルボン酸エステルを有する基が挙げられる。   Examples of the group having a carboxylic acid ester include a group having a (meth) acrylic acid ester, a norbornene carboxylic acid ester, a tricyclodecene carboxylic acid ester, and a tetracyclodecene carboxylic acid ester.

本発明の樹脂組成物の樹脂は、酸に不安定な基とオレフィン性二重結合とを有するモノマーを付加重合して製造することができる。
かかるモノマーとしては、酸に不安定な基として、2−アルキル−2−アダマンチル基、1−(1−アダマンチル)−1−アルキルアルキル基などのような脂環式構造などの嵩高い基を含むモノマーが、得られるレジストの解像度が優れる傾向があることから好ましい。
嵩高い基を含むモノマーとしては、例えば、(メタ)アクリル酸2−アルキル−2−アダマンチル、(メタ)アクリル酸1−(1−アダマンチル)−1−アルキルアルキル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸2−アルキル−2−アダマンチル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸1−(1−アダマンチル)−1−アルキルアルキル、α−クロロアクリル酸2−アルキル−2−アダマンチル、α−クロロアクリル酸1−(1−アダマンチル)−1−アルキルアルキルなどが挙げられる。
The resin of the resin composition of the present invention can be produced by addition polymerization of a monomer having an acid labile group and an olefinic double bond.
Such monomers include bulky groups such as alicyclic structures such as 2-alkyl-2-adamantyl groups and 1- (1-adamantyl) -1-alkylalkyl groups as acid labile groups. Monomers are preferred because the resolution of the resulting resist tends to be excellent.
Examples of the monomer containing a bulky group include 2-alkyl-2-adamantyl (meth) acrylate, 1- (1-adamantyl) -1-alkylalkyl (meth) acrylate, and 5-norbornene-2-carboxylic acid. 2-alkyl-2-adamantyl, 5-norbornene-2-carboxylic acid 1- (1-adamantyl) -1-alkylalkyl, α-chloroacrylic acid 2-alkyl-2-adamantyl, α-chloroacrylic acid 1- ( 1-adamantyl) -1-alkylalkyl and the like.

中でも、(メタ)アクリル酸2−アルキル−2−アダマンチルやα−クロロアクリル酸2−アルキル−2−アダマンチルをモノマーとして用いた場合は、得られる化学増幅型レジスト組成物の解像度が優れる傾向があることから好ましい。   Among them, when 2-alkyl-2-adamantyl (meth) acrylate or 2-alkyl-2-adamantyl α-chloroacrylate is used as a monomer, the resolution of the chemically amplified resist composition obtained tends to be excellent. This is preferable.

(メタ)アクリル酸2−アルキル−2−アダマンチルとしては、例えば、アクリル酸2−メチル−2−アダマンチル、メタクリル酸2−メチル−2−アダマンチル、アクリル酸2−エチル−2−アダマンチル、メタクリル酸2−エチル−2−アダマンチル、アクリル酸2−n−ブチル−2−アダマンチルなどが挙げられ、α−クロロアクリル酸2−アルキル−2−アダマンチルとしては、例えば、α−クロロアクリル酸2−メチル−2−アダマンチル、α−クロロアクリル酸2−エチル−2−アダマンチルなどが挙げられる。   Examples of (meth) acrylic acid 2-alkyl-2-adamantyl include 2-methyl-2-adamantyl acrylate, 2-methyl-2-adamantyl methacrylate, 2-ethyl-2-adamantyl acrylate, and methacrylic acid 2 -Ethyl-2-adamantyl, 2-n-butyl-2-adamantyl acrylate, and the like. Examples of α-chloroacrylate 2-alkyl-2-adamantyl include α-chloroacrylate 2-methyl-2 -Adamantyl, 2-ethyl-2-adamantyl α-chloroacrylate and the like.

これらの中でも(メタ)アクリル酸2−エチル−2−アダマンチル又は(メタ)アクリル酸2−イソプロピル−2−アダマンチルを用いた場合、得られる化学増幅型レジスト組成物の感度が優れ耐熱性にも優れる傾向があることから好ましい。   Among these, when 2-ethyl-2-adamantyl (meth) acrylate or 2-isopropyl-2-adamantyl (meth) acrylate is used, the sensitivity of the resulting chemically amplified resist composition is excellent and the heat resistance is also excellent. It is preferable because of its tendency.

(メタ)アクリル酸2−アルキル−2−アダマンチルは、通常、2−アルキル−2−アダマンタノール又はその金属塩とアクリル酸ハライド又はメタクリル酸ハライドとの反応により製造できる。   (Meth) acrylic acid 2-alkyl-2-adamantyl can be usually produced by a reaction of 2-alkyl-2-adamantanol or a metal salt thereof with acrylic acid halide or methacrylic acid halide.

本発明に用いられる樹脂は、酸に不安定な基を有するモノマーに由来する構造単位に加えて、酸の作用に対して安定なモノマーに由来する構造単位を含んでいてもよい。ここで、酸の作用に対して安定なモノマーに由来する構造とは、本発明のオニウム塩(I)によって開裂しない構造を意味する。
具体的には、アクリル酸やメタクリル酸のような遊離のカルボン酸基を有するモノマーに由来する構造単位、無水マレイン酸や無水イタコン酸のような脂肪族不飽和ジカルボン酸無水物に由来する構造単位、2−ノルボルネンに由来する構造単位、(メタ)アクリロニトリルに由来する構造単位、エーテル結合のα位が2級炭素原子または3級炭素原子のアルキルエステルや1−アダマンチルエステルである(メタ)アクリル酸エステル類に由来する構造単位、p−又はm−ヒドロキシスチレンなどのスチレン系モノマーに由来する構造単位、ラクトン環がアルキル基で置換されていてもよい(メタ)アクリロイロキシ−γ−ブチロラクトンに由来する構造単位などを挙げることができる。なお、1−アダマンチルエステルは、エーテル結合のα位が4級炭素原子であるが、酸に不安定な基であり、1−アダマンチルエステルには水酸基などが結合していてもよい。
The resin used in the present invention may contain a structural unit derived from a monomer that is stable against the action of an acid, in addition to a structural unit derived from a monomer having an acid labile group. Here, the structure derived from a monomer that is stable against the action of an acid means a structure that is not cleaved by the onium salt (I) of the present invention.
Specifically, a structural unit derived from a monomer having a free carboxylic acid group such as acrylic acid or methacrylic acid, or a structural unit derived from an aliphatic unsaturated dicarboxylic anhydride such as maleic anhydride or itaconic anhydride , Structural units derived from 2-norbornene, structural units derived from (meth) acrylonitrile, (meth) acrylic acid wherein the α-position of the ether bond is a secondary or tertiary carbon atom alkyl ester or 1-adamantyl ester Structural units derived from esters, structural units derived from styrenic monomers such as p- or m-hydroxystyrene, and structures derived from (meth) acryloyloxy-γ-butyrolactone in which the lactone ring may be substituted with an alkyl group Examples include units. The 1-adamantyl ester is a quaternary carbon atom at the α-position of the ether bond, but is an acid-labile group, and a hydroxyl group or the like may be bonded to the 1-adamantyl ester.

具体的な酸の作用に対して安定なモノマーとしては、(メタ)アクリル酸3−ヒドロキシ−1−アダマンチル、(メタ)アクリル酸3,5−ジヒドロキシ−1−アダマンチル、α−(メタ)アクリロイロキシ−γ−ブチロラクトン、β−(メタ)アクリロイロキシ−γ−ブチロラクトン、式(a)、(b)、ヒドロキシスチレン、ノルボルネン(c)などの分子内にオレフィン性二重結合を有する脂環式化合物、無水マレイン酸(d)などの脂肪族不飽和ジカルボン酸無水物、無水イタコン酸(e)などが例示される。   Specific monomers that are stable against the action of acid include 3-hydroxy-1-adamantyl (meth) acrylate, 3,5-dihydroxy-1-adamantyl (meth) acrylate, and α- (meth) acryloyloxy- alicyclic compound having an olefinic double bond in the molecule such as γ-butyrolactone, β- (meth) acryloyloxy-γ-butyrolactone, formula (a), (b), hydroxystyrene, norbornene (c), anhydrous male Examples thereof include aliphatic unsaturated dicarboxylic acid anhydrides such as acid (d) and itaconic anhydride (e).

これらの中でも、p−又はm−ヒドロキシスチレンなどのスチレン系モノマーに由来する構造単位、(メタ)アクリル酸3−ヒドロキシ−1−アダマンチルに由来する構造単位、(メタ)アクリル酸3,5−ジヒドロキシ−1−アダマンチルに由来する構造単位、式(a)で表される構造単位、及び式(b)で表される構造単位を含む樹脂から得られるレジストは、基板への接着性及びレジストの解像性が向上する傾向にあることから好ましい。   Among these, structural units derived from styrene monomers such as p- or m-hydroxystyrene, structural units derived from 3-hydroxy-1-adamantyl (meth) acrylate, 3,5-dihydroxy (meth) acrylate A resist obtained from a resin containing a structural unit derived from -1-adamantyl, a structural unit represented by the formula (a), and a structural unit represented by the formula (b) has the following advantages: This is preferable because the image quality tends to improve.

Figure 2008165218
Figure 2008165218

[式(a)及び式(b)中、R1及びR2は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。
及びRは、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を表す。
p及びqは、それぞれ独立に、1〜3の整数を表す。pが2又は3のときには、Rは互いに異なる基であってもよく、qが2又は3のときには、Rは互いに異なる基であってもよい。]
[In Formula (a) and Formula (b), R 1 and R 2 each independently represents a hydrogen atom or a methyl group.
R 3 and R 4 each independently represents a hydrogen atom, a halogen atom, a methyl group or a trifluoromethyl group.
p and q each independently represent an integer of 1 to 3. When p is 2 or 3, R 3 may be a different group, and when q is 2 or 3, R 4 may be a different group. ]

(メタ)アクリル酸3−ヒドロキシ−1−アダマンチル、(メタ)アクリル酸3,5−ジヒドロキシ−1−アダマンチルなどのモノマーは、市販されているが、例えば、対応するヒドロキシアダマンタンを(メタ)アクリル酸又はそのハライドと反応させることにより、製造することもできる。   Monomers such as 3-hydroxy-1-adamantyl (meth) acrylate and 3,5-dihydroxy-1-adamantyl (meth) acrylate are commercially available. For example, the corresponding hydroxyadamantane is converted to (meth) acrylic acid. Or it can also manufacture by making it react with the halide.

また、(メタ)アクリロイロキシ−γ−ブチロラクトンなどのモノマーは、ラクトン環がアルキル基で置換されていてもよいα−もしくはβ−ブロモ−γ−ブチロラクトンにアクリル酸もしくはメタクリル酸を反応させるか、又はラクトン環がアルキル基で置換されていてもよいα−もしくはβ−ヒドロキシ−γ−ブチロラクトンにアクリル酸ハライドもしくはメタクリル酸ハライドを反応させることにより製造できる。   In addition, a monomer such as (meth) acryloyloxy-γ-butyrolactone is obtained by reacting α- or β-bromo-γ-butyrolactone whose lactone ring may be substituted with an alkyl group with acrylic acid or methacrylic acid, or lactone. It can be produced by reacting an α- or β-hydroxy-γ-butyrolactone whose ring may be substituted with an alkyl group with an acrylic acid halide or a methacrylic acid halide.

式(a)及び式(b)で表される構造単位を与えるモノマーとしては、例えば、次のような水酸基を有する脂環式ラクトンの(メタ)アクリル酸エステル、それらの混合物等が挙げられる。これらのエステルは、例えば、対応する水酸基を有する脂環式ラクトンと(メタ)アクリル酸類との反応により製造し得る(例えば特開2000−26446号公報)。   As a monomer which gives the structural unit represented by Formula (a) and Formula (b), the (meth) acrylic acid ester of the alicyclic lactone which has the following hydroxyl groups, mixtures thereof, etc. are mentioned, for example. These esters can be produced, for example, by a reaction between a corresponding alicyclic lactone having a hydroxyl group and (meth) acrylic acid (for example, JP-A No. 2000-26446).

Figure 2008165218
Figure 2008165218

ここで、(メタ)アクリロイロキシ−γ−ブチロラクトンとしては、例えば、α−アクリロイロキシ−γ−ブチロラクトン、α−メタクリロイロキシ−γ−ブチロラクトン、α−アクリロイロキシ−β,β−ジメチル−γ−ブチロラクトン、α−メタクリロイロキシ−β,β−ジメチル−γ−ブチロラクトン、α−アクリロイロキシ−α−メチル−γ−ブチロラクトン、α−メタクリロイロキシ−α−メチル−γ−ブチロラクトン、β−アクリロイロキシ−γ−ブチロラクトン、β−メタクリロイロキシ−γ−ブチロラクトン、β−メタクリロイロキシ−α−メチル−γ−ブチロラクトンなどが挙げられる。   Here, as (meth) acryloyloxy-γ-butyrolactone, for example, α-acryloyloxy-γ-butyrolactone, α-methacryloyloxy-γ-butyrolactone, α-acryloyloxy-β, β-dimethyl-γ-butyrolactone, α- Methacryloyloxy-β, β-dimethyl-γ-butyrolactone, α-acryloyloxy-α-methyl-γ-butyrolactone, α-methacryloyloxy-α-methyl-γ-butyrolactone, β-acryloyloxy-γ-butyrolactone, β- Examples include methacryloyloxy-γ-butyrolactone, β-methacryloyloxy-α-methyl-γ-butyrolactone, and the like.

KrFエキシマレーザー露光の場合は、樹脂の構造単位として、p−又はm−ヒドロキシスチレンなどのスチレン系モノマーに由来する構造単位を用いても充分な透過率を得ることができる。このような共重合樹脂を得る場合は、該当する(メタ)アクリル酸エステルモノマーとアセトキシスチレン、及びスチレンをラジカル重合した後、酸の作用によって脱アセチルすることによって得ることができる。   In the case of KrF excimer laser exposure, sufficient transmittance can be obtained even if a structural unit derived from a styrene monomer such as p- or m-hydroxystyrene is used as the structural unit of the resin. Such a copolymer resin can be obtained by radical polymerization of the corresponding (meth) acrylic acid ester monomer, acetoxystyrene, and styrene, followed by deacetylation by the action of an acid.

また、2−ノルボルネンに由来する構造単位を含む樹脂は、その主鎖にノルボルナン骨格を有するために頑丈な構造となり、ドライエッチング耐性に優れるという特性を示す。2−ノルボルネンに由来する構造単位は、例えば、対応する2−ノルボルネンの他に無水マレイン酸や無水イタコン酸のような脂肪族不飽和ジカルボン酸無水物を併用したラジカル重合により主鎖へ導入し得る。したがって、ノルボルネン構造の二重結合が開いて形成されるものは、例えば、式(c)で表すことができ、無水マレイン酸無水物及び無水イタコン酸無水物の二重結合が開いて形成されるものは、それぞれ式(d)及び式(e)で表すことができる。   In addition, a resin containing a structural unit derived from 2-norbornene has a norbornane skeleton in its main chain, so that it has a sturdy structure and excellent dry etching resistance. The structural unit derived from 2-norbornene can be introduced into the main chain by radical polymerization using, in addition to the corresponding 2-norbornene, an aliphatic unsaturated dicarboxylic anhydride such as maleic anhydride or itaconic anhydride. . Therefore, what is formed by opening the double bond of the norbornene structure can be represented by, for example, the formula (c), and formed by opening the double bond of maleic anhydride and itaconic anhydride. Things can be represented by formula (d) and formula (e), respectively.

Figure 2008165218
Figure 2008165218

[式(c)中、R及びRは、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1〜3のアルキル基、カルボキシル基、シアノ基もしくは基−COOU(Uはアルコール残基である)を表すか、あるいは、R及びRが結合して、−C(=O)OC(=O)−で表されるカルボン酸無水物残基を表す。
及びRが基−COOUである場合は、カルボキシル基がエステル結合したものであり、Uに相当するアルコール残基としては、例えば、置換されていてもよい炭素数1〜8程度の炭化水素基、2−オキソオキソラン−3−イル基又は2−オキソオキソラン−4−イル基などを挙げることができる。ここで、該炭化水素基は、水酸基や脂環式炭化水素残基などが置換基として結合していてもよい。]
[In formula (c), R 5 and R 6 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, a carboxyl group, a cyano group or a group —COOU (U is an alcohol residue). Alternatively, R 5 and R 6 are bonded to each other to represent a carboxylic acid anhydride residue represented by —C (═O) OC (═O) —.
When R 5 and R 6 are a group —COOU, a carboxyl group is an ester bond, and examples of the alcohol residue corresponding to U include carbon atoms having about 1 to 8 carbon atoms which may be substituted. Examples thereof include a hydrogen group, a 2-oxooxolan-3-yl group, and a 2-oxooxolan-4-yl group. Here, in the hydrocarbon group, a hydroxyl group, an alicyclic hydrocarbon residue, or the like may be bonded as a substituent. ]

及びRが炭化水素基である場合の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基などが挙げられ、水酸基が結合したアルキル基の具体例としては、ヒドロキシメチル基、2−ヒドロキシエチル基などが挙げられる。 Specific examples when R 5 and R 6 are hydrocarbon groups include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, and the like. Specific examples of the alkyl group to which a hydroxyl group is bonded include a hydroxymethyl group, 2-hydroxy group. An ethyl group etc. are mentioned.

このように、酸に不安定な構造単位を与えるモノマーである、式(c)で表されるノルボネン構造の具体例としては、次のような化合物を挙げることができる。
2−ノルボルネン、
2−ヒドロキシ−5−ノルボルネン、
5−ノルボルネン−2−カルボン酸、
5−ノルボルネン−2−カルボン酸メチル、
5−ノルボルネン−2−カルボン酸2−ヒドロキシ−1−エチル、
5−ノルボルネン−2−メタノール、
5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸無水物。
Thus, specific examples of the norbornene structure represented by the formula (c), which is a monomer that gives an acid-labile structural unit, include the following compounds.
2-norbornene,
2-hydroxy-5-norbornene,
5-norbornene-2-carboxylic acid,
Methyl 5-norbornene-2-carboxylate,
2-hydroxy-1-ethyl 5-norbornene-2-carboxylate,
5-norbornene-2-methanol,
5-norbornene-2,3-dicarboxylic anhydride.

なお、式(c)中のR及びRの−COOUのUが、エーテル結合のα位が4級炭素原子である脂環式エステルなどの酸に不安定な基であれば、ノルボルネン構造を有するといえども、酸に不安定な基を有する構造単位である。ノルボルネン構造と酸に不安定な基を含むモノマーとしては、例えば、5−ノルボルネン−2−カルボン酸−tert−ブチル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸1−シクロヘキシル−1−メチルエチル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸1−メチルシクロヘキシル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸2−メチル−2−アダマンチル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸2−エチル−2−アダマンチル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸1−(4−メチルシクロヘキシル)−1−メチルエチル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸1−(4−ヒドロキシシクロヘキシル)−1−メチルエチル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸1−メチル−1−(4−オキソシクロヘキシル)エチル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸1−(1−アダマンチル)−1−メチルエチルなどが例示される。 In addition, when U of —COOU of R 5 and R 6 in formula (c) is an acid-labile group such as an alicyclic ester in which the α position of the ether bond is a quaternary carbon atom, a norbornene structure Is a structural unit having an acid labile group. Examples of the monomer containing a norbornene structure and an acid labile group include, for example, 5-norbornene-2-carboxylic acid-tert-butyl, 5-norbornene-2-carboxylic acid 1-cyclohexyl-1-methylethyl, 5-norbornene 2-carboxylate 1-methylcyclohexyl, 5-norbornene-2-carboxylic acid 2-methyl-2-adamantyl, 5-norbornene-2-carboxylic acid 2-ethyl-2-adamantyl, 5-norbornene-2-carboxylic acid 1- (4-methylcyclohexyl) -1-methylethyl, 5-norbornene-2-carboxylic acid 1- (4-hydroxycyclohexyl) -1-methylethyl, 5-norbornene-2-carboxylic acid 1-methyl-1- (4-Oxocyclohexyl) ethyl, 5-norbornene-2-carboxylic acid 1- (1-adama) Nthyl) -1-methylethyl and the like.

本発明の化学増幅型レジスト組成物で用いられる樹脂は、パターニング露光用の放射線の種類や酸に不安定な基の種類などによっても変動するが、通常、樹脂における酸に不安定な基を有するモノマーに由来する構造単位の含有量を10〜80モル%の範囲に調整する。   The resin used in the chemically amplified resist composition of the present invention varies depending on the type of radiation for patterning exposure and the type of acid labile group, but usually has an acid labile group in the resin. The content of the structural unit derived from the monomer is adjusted to a range of 10 to 80 mol%.

そして、中でも、酸に不安定な基を有するモノマーに由来する構造単位として、(メタ)アクリル酸2−アルキル−2−アダマンチル、(メタ)アクリル酸1−(1−アダマンチル)−1−アルキルアルキルに由来する構造単位を含む樹脂は、該構造単位が樹脂を構成する全構造単位のうち15モル%以上となると、樹脂が脂環基を有するために頑丈な構造となり、該樹脂を含有するレジストのドライエッチング耐性の面で有利である。   Among them, as structural units derived from monomers having an acid labile group, 2-alkyl-2-adamantyl (meth) acrylate, 1- (1-adamantyl) -1-alkylalkyl (meth) acrylate The resin containing the structural unit derived from the above has a sturdy structure because the resin has an alicyclic group when the structural unit is 15 mol% or more of all the structural units constituting the resin, and the resist containing the resin This is advantageous in terms of dry etching resistance.

なお、分子内にオレフィン性二重結合を有する脂環式化合物及び脂肪族不飽和ジカルボン酸無水物をモノマーとして用いる場合には、これらのモノマーは付加重合しにくい傾向があるので、この点を考慮し、これらは過剰に使用することが好ましい。   In addition, when using an alicyclic compound having an olefinic double bond in the molecule and an aliphatic unsaturated dicarboxylic anhydride as monomers, these monomers tend to be difficult to undergo addition polymerization. These are preferably used in excess.

さらに、用いられるモノマーとしてはオレフィン性二重結合が同じでも酸に不安定な基が異なるモノマーを併用してもよいし、酸に不安定な基が同じでもオレフィン性二重結合が異なるモノマーを併用してもよいし、酸に不安定な基とオレフィン性二重結合との組合せが異なるモノマーを併用してもよい。   Further, as the monomer used, monomers having the same olefinic double bond but different acid labile groups may be used in combination, or monomers having the same acid labile group but different olefinic double bonds may be used. You may use together, and you may use together the monomer from which the combination of an acid labile group and an olefinic double bond differs.

また、前記の樹脂を化学増幅型レジスト組成物として用いる場合、塩基性化合物、好ましくは、塩基性含窒素有機化合物、とりわけ好ましくはアミン又はアンモニウム塩を含有させる。塩基性化合物をクエンチャーとして添加することにより、露光後の引き置きに伴う酸の失活による性能劣化を改良することができる。クエンチャーに用いられる塩基性化合物の具体的な例としては、以下の各式で表されるようなものが挙げられる。   When the above resin is used as a chemically amplified resist composition, a basic compound, preferably a basic nitrogen-containing organic compound, particularly preferably an amine or ammonium salt is contained. By adding a basic compound as a quencher, it is possible to improve the performance degradation due to the deactivation of the acid accompanying the holding after exposure. Specific examples of the basic compound used for the quencher include those represented by the following formulas.

Figure 2008165218
Figure 2008165218

[式中、R11、R12及びR17は、それぞれ独立に、水素原子、直鎖状、分岐状又は環状の炭素数1〜10程度の炭化水素基又は炭素数6〜10程度のアリール基を表す。更に、前記の炭化水素基上又はアリール基上の水素原子の少なくとも1個は、それぞれ独立に、ヒドロキシル基、アミノ基、又は1〜6個の炭素数を有するアルコキシ基で置換されていてもよい。該アミノ基上の水素原子の少なくとも1個は、それぞれ独立に、1〜4個の炭素数を有するアルキル基で置換されていてもよい。
13〜R15は、それぞれ独立に、水素原子、直鎖状、分岐状又は環状の炭素数1〜10程度の炭化水素基、炭素数6〜10程度のアリール基又は炭素数1〜6程度のアルコキシ基を表す。
更に、前記の炭化水素基上、アリール基上、又はアルコキシ基上の水素原子の少なくとも1個は、それぞれ独立に、ヒドロキシル基、アミノ基、又は1〜6個程度の炭素原子を有するアルコキシ基で置換されていてもよい。該アミノ基上の水素原子の少なくとも1個は、1〜4個の炭素原子を有するアルキル基で置換されていてもよい。
16は、直鎖状、分岐状又は環状の炭素数1〜10程度の炭化水素基を表す。更に該炭化水素基上の水素原子の少なくとも1個は、それぞれ独立に、ヒドロキシル基、アミノ基、1〜6個の炭素原子を有するアルコキシ基で置換されていてもよい。該アミノ基上の水素原子の少なくとも1個は、炭素数1〜4の炭化水素基で置換されていてもよい。
17〜R20は、それぞれ独立に、直鎖状、分岐状又は環状の炭素数1〜10程度の炭化水素基又は炭素数6〜10程度のアリール基を表す。更に、該炭化水素基上又はアリール基上の水素原子の少なくとも1個は、それぞれ独立に、ヒドロキシル基、アミノ基、炭素数1〜6のを有するアルコキシ基で置換されていてもよい。該アミノ基上の水素原子の少なくとも1個は、炭素数1〜4の炭化水素基で置換されていてもよい。
Wは、炭素数1〜10のアルキレン基、カルボニル基、イミノ基、スルフィド基又はジスルフィド基を表す。該アルキレン基は、好ましくは2〜6程度の炭素原子を有する。]
[Wherein R 11 , R 12 and R 17 are each independently a hydrogen atom, a linear, branched or cyclic hydrocarbon group having about 1 to 10 carbon atoms or an aryl group having about 6 to 10 carbon atoms. Represents. Furthermore, at least one hydrogen atom on the hydrocarbon group or aryl group may be independently substituted with a hydroxyl group, an amino group, or an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms. . At least one hydrogen atom on the amino group may be independently substituted with an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
R 13 to R 15 are each independently a hydrogen atom, a linear, branched or cyclic hydrocarbon group having about 1 to 10 carbon atoms, an aryl group having about 6 to 10 carbon atoms, or about 1 to 6 carbon atoms. Represents an alkoxy group.
Furthermore, at least one hydrogen atom on the hydrocarbon group, aryl group, or alkoxy group is independently a hydroxyl group, an amino group, or an alkoxy group having about 1 to 6 carbon atoms. May be substituted. At least one of the hydrogen atoms on the amino group may be substituted with an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
R 16 represents a linear, branched or cyclic hydrocarbon group having about 1 to 10 carbon atoms. Furthermore, at least one hydrogen atom on the hydrocarbon group may be independently substituted with a hydroxyl group, an amino group, or an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms. At least one hydrogen atom on the amino group may be substituted with a hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms.
R 17 to R 20 each independently represent a linear, branched or cyclic hydrocarbon group having about 1 to 10 carbon atoms or an aryl group having about 6 to 10 carbon atoms. Furthermore, at least one hydrogen atom on the hydrocarbon group or aryl group may be independently substituted with a hydroxyl group, an amino group, or an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms. At least one hydrogen atom on the amino group may be substituted with a hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms.
W represents an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, a carbonyl group, an imino group, a sulfide group or a disulfide group. The alkylene group preferably has about 2 to 6 carbon atoms. ]

このような化合物として、具体的には、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、アニリン、2−,3−又は4−メチルアニリン、4−ニトロアニリン、1−又は2−ナフチルアミン、エチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4’−ジアミノ−1,2−ジフェニルエタン、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジメチルジフェニルメタン、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジエチルジフェニルメタン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、N−メチルアニリン、ピペリジン、ジフェニルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、メチルジブチルアミン、メチルジペンチルアミン、メチルジヘキシルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、メチルジヘプチルアミン、メチルジオクチルアミン、メチルジノニルアミン、メチルジデシルアミン、エチルジブチルアミン、エチルジペンチルアミン、エチルジヘキシルアミン、エチルジヘプチルアミン、エチルジオクチルアミン、エチルジノニルアミン、エチルジデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリス〔2−(2−メトキシエトキシ)エチル〕アミン、トリイソプロパノールアミン、N,N−ジメチルアニリン、2,6−イソプロピルアニリン、イミダゾール、ピリジン、4−メチルピリジン、4−メチルイミダゾール、ビピリジン、2,2’−ジピリジルアミン、ジ−2−ピリジルケトン、1,2−ジ(2−ピリジル)エタン、1,2−ジ(4−ピリジル)エタン、1,3−ジ(4−ピリジル)プロパン、1,2−ビス(2−ピリジル)エチレン、1,2−ビス(4−ピリジル)エチレン、1,2−ビス(4−ピリジルオキシ)エタン、4,4’−ジピリジルスルフィド、4,4’−ジピリジルジスルフィド、1,2−ビス(4−ピリジル)エチレン、2,2’−ジピコリルアミン、3,3’−ジピコリルアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトライソプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−n−ヘキシルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−n−オクチルアンモニウムヒドロキシド、フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、3−トリフルオロメチルフェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、(2−ヒドロキシエチル)トリメチルアンモニウムヒドロキシド(通称:コリン)などを挙げることができる。   Specific examples of such compounds include hexylamine, heptylamine, octylamine, nonylamine, decylamine, aniline, 2-, 3- or 4-methylaniline, 4-nitroaniline, 1- or 2-naphthylamine, and ethylenediamine. , Tetramethylenediamine, hexamethylenediamine, 4,4′-diamino-1,2-diphenylethane, 4,4′-diamino-3,3′-dimethyldiphenylmethane, 4,4′-diamino-3,3′- Diethyldiphenylmethane, dibutylamine, dipentylamine, dihexylamine, diheptylamine, dioctylamine, dinonylamine, didecylamine, N-methylaniline, piperidine, diphenylamine, triethylamine, trimethylamine, tripropylamine, tributylamine , Tripentylamine, trihexylamine, triheptylamine, trioctylamine, trinonylamine, tridecylamine, methyldibutylamine, methyldipentylamine, methyldihexylamine, methyldicyclohexylamine, methyldiheptylamine, methyldioctylamine Methyldinonylamine, methyldidecylamine, ethyldibutylamine, ethyldipentylamine, ethyldihexylamine, ethyldiheptylamine, ethyldioctylamine, ethyldinonylamine, ethyldidecylamine, dicyclohexylmethylamine, tris [2- (2-methoxyethoxy) ethyl] amine, triisopropanolamine, N, N-dimethylaniline, 2,6-isopropylaniline, imidazole, pyridine, -Methylpyridine, 4-methylimidazole, bipyridine, 2,2'-dipyridylamine, di-2-pyridyl ketone, 1,2-di (2-pyridyl) ethane, 1,2-di (4-pyridyl) ethane, 1,3-di (4-pyridyl) propane, 1,2-bis (2-pyridyl) ethylene, 1,2-bis (4-pyridyl) ethylene, 1,2-bis (4-pyridyloxy) ethane, 4 , 4′-dipyridyl sulfide, 4,4′-dipyridyl disulfide, 1,2-bis (4-pyridyl) ethylene, 2,2′-dipicolylamine, 3,3′-dipicolylamine, tetramethylammonium hydroxide Tetraisopropylammonium hydroxide, tetrabutylammonium hydroxide, tetra-n-hexylammonium hydroxide, tetra-n- Examples include octylammonium hydroxide, phenyltrimethylammonium hydroxide, 3-trifluoromethylphenyltrimethylammonium hydroxide, (2-hydroxyethyl) trimethylammonium hydroxide (common name: choline), and the like.

さらには、特開平11−52575号公報に開示されているような、ピペリジン骨格を有するヒンダードアミン化合物をクエンチャーとすることもできる。   Furthermore, a hindered amine compound having a piperidine skeleton as disclosed in JP-A-11-52575 can be used as a quencher.

本発明の化学増幅型レジスト組成物は、その全固形分量を基準に、樹脂を80〜99.9重量%程度、そして酸発生剤を0.1〜20重量%程度の範囲で含有することが好ましい。
ここで、固形分とは、化学増幅型レジスト組成物から溶剤を除いた成分の合計量をいう。
また、化学増幅型レジスト組成物に、クエンチャーである塩基性化合物を用いる場合は、レジスト組成物の全固形分量を基準に、0.01〜1重量%程度の範囲で含有するのが好ましい。
化学増幅型レジスト組成物としては、さらに、必要に応じて、増感剤、溶解抑止剤、他の樹脂、界面活性剤、安定剤、染料など、各種の添加物を少量含有することもできる。
The chemically amplified resist composition of the present invention may contain about 80 to 99.9% by weight of resin and about 0.1 to 20% by weight of acid generator based on the total solid content. preferable.
Here, solid content means the total amount of the component remove | excluding the solvent from the chemically amplified resist composition.
Moreover, when using the basic compound which is a quencher for a chemically amplified resist composition, it is preferable to contain it in the range of about 0.01 to 1 weight% on the basis of the total solid content of the resist composition.
The chemically amplified resist composition may further contain small amounts of various additives such as sensitizers, dissolution inhibitors, other resins, surfactants, stabilizers, and dyes as necessary.

本発明の化学増幅型レジスト組成物は、通常、上記の各成分が溶剤に溶解された状態でレジスト液組成物とされ、シリコンウェハーなどの基体上に、スピンコーティングなどの、通常、工業的に用いられている方法に従って塗布される。
ここで用いられる溶剤は、各レジスト成分を溶解し、適当な乾燥速度を有し、溶剤が蒸発した後に均一で平滑な塗膜を与えるものであればよく、この分野で通常工業的に用いられている溶剤が使用しうる。
The chemically amplified resist composition of the present invention is usually a resist solution composition in a state where each of the above components is dissolved in a solvent, and is usually industrially applied to a substrate such as a silicon wafer such as spin coating. It is applied according to the method used.
The solvent used here may be any solvent that dissolves each resist component, has an appropriate drying speed, and gives a uniform and smooth coating film after the solvent evaporates, and is usually used industrially in this field. Can be used.

前記の溶剤としては、例えば、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートのようなグリコールエーテルエステル類、プロピレングリコールモノメチルエーテルのようなグリコールエーテル類、乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル及びピルビン酸エチルのようなエステル類、アセトン、メチルイソブチルケトン、2−ヘプタノン及びシクロヘキサノンのようなケトン類、γ−ブチロラクトンのような環状エステル類などを挙げることができる。これらの溶剤は、それぞれ単独で、又は2種以上組み合わせて用いることができる。   Examples of the solvent include glycol ether esters such as ethyl cellosolve acetate, methyl cellosolve acetate and propylene glycol monomethyl ether acetate, glycol ethers such as propylene glycol monomethyl ether, ethyl lactate, butyl acetate, amyl acetate and pyruvin. Examples thereof include esters such as ethyl acid, ketones such as acetone, methyl isobutyl ketone, 2-heptanone and cyclohexanone, and cyclic esters such as γ-butyrolactone. These solvents can be used alone or in combination of two or more.

基体上に塗布され、乾燥されたレジスト膜には、パターニングのための露光処理が施され、次いで脱保護基反応を促進するための加熱処理を行った後、アルカリ現像液で現像される。ここで用いるアルカリ現像液は、この分野で用いられる各種のアルカリ性水溶液であることができるが、一般には、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドや(2−ヒドロキシエチル)トリメチルアンモニウムヒドロキシド(通称コリン)の水溶液が用いられることが多い。   The resist film coated and dried on the substrate is subjected to an exposure process for patterning, followed by a heat treatment for promoting a deprotecting group reaction, and then developed with an alkali developer. The alkaline developer used here may be various alkaline aqueous solutions used in this field, but generally an aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide or (2-hydroxyethyl) trimethylammonium hydroxide (commonly called choline) is used. Often used.

以下、本発明を実施例によって詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
実施例及び比較例中、含有量ないし使用量を表す%及び部は、特記ないかぎり重量基準である。また重量平均分子量は、ポリスチレンを標準品として、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィー(東ソー株式会社製HLC−8120GPC型、カラムはTSKgel Multipore HXL−M3本、溶媒はテトラヒドロフラン)により求めた値である。
また、化合物の構造はNMR(日本電子製GX−270型またはEX−270型)、質量分析(LCはAgilent製1100型、MASSはAgilent製LC/MSD型またはLC/MSD TOF型)で確認した。
EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention in detail, this invention is not limited to these.
In Examples and Comparative Examples, “%” and “part” representing content or use amount are based on weight unless otherwise specified. The weight average molecular weight is a value determined by gel permeation chromatography (HLC-8120GPC type manufactured by Tosoh Corporation, column is TSKgel Multipore HXL-M3, solvent is tetrahydrofuran) using polystyrene as a standard product.
The structure of the compound was confirmed by NMR (JEOL GX-270 type or EX-270 type) and mass spectrometry (LC: Agilent 1100 type, MASS: Agilent LC / MSD type or LC / MSD TOF type). .

酸発生剤合成例1:トリフェニルスルホニウム 4−オキソ−1−アダマンチルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホナート(酸発生剤B1)の合成
(1)ジフルオロ(フルオロスルホニル)酢酸メチルエステル100部、イオン交換水250部に、氷浴下、30%水酸化ナトリウム水溶液230部を滴下した。100℃で3時間還流し、冷却後、濃塩酸88部で中和した。得られた溶液を濃縮することによりジフルオロスルホ酢酸 ナトリウム塩を164.8部得た(無機塩含有、純度62.8%)。
(2)ジフルオロスルホ酢酸 ナトリウム塩5.0部(純度62.8%)、4−オキソ−1−アダマンタノール2.6部、エチルベンゼン100部を仕込み、濃硫酸0.8部を加え、30時間加熱還流した。冷却後、濾過、tert−ブチルメチルエーテルで洗浄し、ジフルオロスルホ酢酸−4−オキソ−1−アダマンチルエステル ナトリウム塩を5.5部得た。1H−NMRによる純度分析の結果、純度35.6%であった。
Synthesis example of acid generator 1: Synthesis of triphenylsulfonium 4-oxo-1-adamantyloxycarbonyldifluoromethanesulfonate (acid generator B1) (1) 100 parts of difluoro (fluorosulfonyl) acetic acid methyl ester, 250 parts of ion-exchanged water In an ice bath, 230 parts of a 30% aqueous sodium hydroxide solution was added dropwise. The mixture was refluxed at 100 ° C. for 3 hours, cooled, and neutralized with 88 parts of concentrated hydrochloric acid. The obtained solution was concentrated to obtain 164.8 parts of sodium difluorosulfoacetate (containing inorganic salt, purity 62.8%).
(2) Difluorosulfoacetate sodium salt 5.0 parts (purity 62.8%), 4-oxo-1-adamantanol 2.6 parts, ethylbenzene 100 parts, 0.8 part of concentrated sulfuric acid was added, and 30 hours Heated to reflux. After cooling, the mixture was filtered and washed with tert-butyl methyl ether to obtain 5.5 parts of difluorosulfoacetic acid-4-oxo-1-adamantyl ester sodium salt. As a result of purity analysis by 1 H-NMR, the purity was 35.6%.

Figure 2008165218
Figure 2008165218

1H−NMR(ジメチルスルホキシド−d6、内部標準物質テトラメチルシラン):δ(ppm)1.84(d,2H,J=13.0Hz);2.00(d,2H,J=11.9Hz);2.29−2.32(m,7H);2.54(s,2H) 1 H-NMR (dimethylsulfoxide-d 6 , internal standard substance tetramethylsilane): δ (ppm) 1.84 (d, 2H, J = 13.0 Hz); 2.00 (d, 2H, J = 1.11. 9Hz); 2.29-2.32 (m, 7H); 2.54 (s, 2H)

(3)ジフルオロスルホ酢酸−4−オキソ−1−アダマンチルエステル ナトリウム塩5.4部(純度35.6%)を仕込み、アセトニトリル16部、イオン交換水16部の混合溶媒を加えた。これに、トリフェニルスルホニウム クロライド1.7部、アセトニトリル5部、イオン交換水5部の溶液を添加した。15時間撹拌後、濃縮し、クロロホルム142部で抽出した。有機層をイオン交換水で洗浄し、得られた有機層を濃縮した。濃縮液をtert−ブチルメチルエーテル24部でリパルプすることにより白色固体としてトリフェニルスルホニウム 4−オキソ−1−アダマンチルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホナート(B1)を1.7部得た。 (3) Difluorosulfoacetic acid-4-oxo-1-adamantyl ester 5.4 parts (purity 35.6%) of sodium salt was charged, and a mixed solvent of 16 parts acetonitrile and 16 parts ion-exchanged water was added. To this was added a solution of 1.7 parts triphenylsulfonium chloride, 5 parts acetonitrile, and 5 parts ion-exchanged water. After stirring for 15 hours, the mixture was concentrated and extracted with 142 parts of chloroform. The organic layer was washed with ion exchange water, and the obtained organic layer was concentrated. The concentrated solution was repulped with 24 parts of tert-butyl methyl ether to obtain 1.7 parts of triphenylsulfonium 4-oxo-1-adamantyloxycarbonyldifluoromethanesulfonate (B1) as a white solid.

Figure 2008165218
Figure 2008165218

1H−NMR(ジメチルスルホキシド−d6、内部標準物質テトラメチルシラン):δ(ppm)1.83(d,2H,J=12.7Hz);2.00(d,2H,J=12.0Hz);2.29−2.32(m,7H);2.53(s,2H);7.75−7.91(m,15H)
MS(ESI(+)Spectrum):M+ 263.2(C1815+=263.09)
MS(ESI(−)Spectrum):M− 323.0(C121326-=323.04)
1 H-NMR (dimethyl sulfoxide-d 6 , internal standard substance tetramethylsilane): δ (ppm) 1.83 (d, 2H, J = 12.7 Hz); 2.00 (d, 2H, J = 12. 0Hz); 2.29-2.32 (m, 7H); 2.53 (s, 2H); 7.75-7.91 (m, 15H)
MS (ESI (+) Spectrum): M + 263.2 (C 18 H 15 S + = 263.09)
MS (ESI (−) Spectrum): M− 323.0 (C 12 H 13 F 2 O 6 S = 323.04)

酸発生剤合成例2:トリフェニルスルホニウム 1−((3−ヒドロキシアダマンチル)メトキシカルボニル)ジフルオロメタンスルホナート(酸発生剤B2)の合成
(1)ジフルオロ(フルオロスルホニル)酢酸メチルエステル100部、イオン交換水150部に、氷浴下、30%水酸化ナトリウム水溶液230部を滴下した。100℃で3時間還流し、冷却後、濃塩酸88部で中和した。得られた溶液を濃縮することによりジフルオロスルホ酢酸 ナトリウム塩を164.4部得た(無機塩含有、純度62.7%)。
(2)ジフルオロスルホ酢酸 ナトリウム塩1.9部(純度62.7%)、N,N−ジメチルホルムアミド9.5部に、1,1’−カルボニルジイミダゾール1.0部を添加し2時間撹拌した。この溶液を、3−ヒドロキシアダマンチルメタノール1.1部、N,N−ジメチルホルムアミド5.5部に、水素化ナトリウム0.2部を添加し、2時間撹拌した溶液に添加した。15時間撹拌後、生成したジフルオロスルホ酢酸−3−ヒドロキシ−1−アダマンチルメチルエステル ナトリウム塩をそのまま次の反応に用いた。
Synthesis example of acid generator 2: Synthesis of triphenylsulfonium 1-((3-hydroxyadamantyl) methoxycarbonyl) difluoromethanesulfonate (acid generator B2) (1) 100 parts of difluoro (fluorosulfonyl) acetic acid methyl ester, ion exchange To 150 parts of water, 230 parts of a 30% aqueous sodium hydroxide solution was added dropwise in an ice bath. The mixture was refluxed at 100 ° C. for 3 hours, cooled, and neutralized with 88 parts of concentrated hydrochloric acid. The obtained solution was concentrated to obtain 164.4 parts of sodium difluorosulfoacetate (containing inorganic salt, purity 62.7%).
(2) 1.0 part of 1,1′-carbonyldiimidazole was added to 1.9 parts of difluorosulfoacetate sodium salt (purity 62.7%) and 9.5 parts of N, N-dimethylformamide and stirred for 2 hours. did. To this solution, 0.2 parts of sodium hydride was added to 1.1 parts of 3-hydroxyadamantylmethanol and 5.5 parts of N, N-dimethylformamide and added to the solution stirred for 2 hours. After stirring for 15 hours, the produced difluorosulfoacetate-3-hydroxy-1-adamantyl methyl ester sodium salt was used as it was in the next reaction.

Figure 2008165218
Figure 2008165218

(3)上記(2)で得られたジフルオロスルホ酢酸−3−ヒドロキシ−1−アダマンチルメチルエステル ナトリウム塩の溶液に、クロロホルム17.2部、14.8%トリフェニルスルホニウム クロライド水溶液2.9部添加した。15時間撹拌後、分液し、水層をクロロホルム6.5部で抽出した。有機層を合わせてイオン交換水で洗浄し、得られた有機層を濃縮した。濃縮液にtert−ブチルメチルエーテル5.0部を添加し、撹拌後濾過することにより白色固体としてトリフェニルスルホニウム 1−((3−ヒドロキシアダマンチル)メトキシカルボニル)ジフルオロメタンスルホナート(B2)を0.2部得た。 (3) To the solution of difluorosulfoacetic acid-3-hydroxy-1-adamantylmethyl ester sodium salt obtained in (2) above, 17.2 parts of chloroform and 2.9 parts of a 14.8% aqueous solution of triphenylsulfonium chloride were added. did. After stirring for 15 hours, the mixture was separated, and the aqueous layer was extracted with 6.5 parts of chloroform. The organic layers were combined and washed with ion exchange water, and the resulting organic layer was concentrated. To the concentrate was added 5.0 parts of tert-butyl methyl ether, and the mixture was stirred and filtered to give triphenylsulfonium 1-((3-hydroxyadamantyl) methoxycarbonyl) difluoromethanesulfonate (B2) as a white solid in an amount of 0. Two parts were obtained.

Figure 2008165218
Figure 2008165218

1H−NMR(ジメチルスルホキシド−d6、内部標準物質テトラメチルシラン):δ(ppm)1.38−1.51(m,12H);2.07(S,2H);3.85(s,2H);4.41(s,1H);7.75−7.89(m,15H)
B2のMS(ESI(+)Spectrum):M+ 263.07(C1815+=263.09)
MS(ESI(−)Spectrum):M− 339.10(C131726-=339.07)
1 H-NMR (dimethyl sulfoxide-d 6 , internal standard substance tetramethylsilane): δ (ppm) 1.38-1.51 (m, 12H); 2.07 (S, 2H); 3.85 (s , 2H); 4.41 (s, 1H); 7.75-7.89 (m, 15H)
MS of B2 (ESI (+) Spectrum): M + 263.07 (C 18 H 15 S + = 263.09)
MS (ESI (−) Spectrum): M− 339.10 (C 13 H 17 F 2 O 6 S = 339.07)

酸発生剤合成例3:トリフェニルスルホニウム 1−(ヘキサヒドロ−2−オキソ−3,5−メタノ−2H−シクロペンタ〔b〕フラン−6−イルオキシカルボニル)ジフルオロメタンスルホナート(酸発生剤B3)の合成
(1)ジフルオロ(フルオロスルホニル)酢酸メチルエステル100部、イオン交換水250部に、氷浴下、30%水酸化ナトリウム水溶液230部を滴下した。100℃で3時間還流し、冷却後、濃塩酸88部で中和した。得られた溶液を濃縮することによりジフルオロスルホ酢酸 ナトリウム塩を164.8部得た(無機塩含有、純度62.8%)。
(2)ジフルオロスルホ酢酸 ナトリウム塩30.0部(純度62.8%)、ヘキサヒドロ−6−ヒドロキシ−3,5−メタノ−2H−シクロペンタ〔b〕フラン−2−オン14.7部、トルエン300部を仕込み、p−トルエンスルホン酸(p−TsOH)18.1部を加え、12時間加熱還流した。その後、濾過した後、残渣にアセトニトリル100部添加撹拌後濾過し、濃縮することによりジフルオロスルホ酢酸ヘキサヒドロ−2−オキソ−3,5−メタノ−2H−シクロペンタ〔b〕フラン−6−イルエステル ナトリウム塩を26.7部得た。
Acid generator synthesis example 3: triphenylsulfonium 1- (hexahydro-2-oxo-3,5-methano-2H-cyclopenta [b] furan-6-yloxycarbonyl) difluoromethanesulfonate (acid generator B3) Synthesis (1) To 100 parts of difluoro (fluorosulfonyl) acetic acid methyl ester and 250 parts of ion-exchanged water, 230 parts of a 30% aqueous sodium hydroxide solution was added dropwise in an ice bath. The mixture was refluxed at 100 ° C. for 3 hours, cooled, and neutralized with 88 parts of concentrated hydrochloric acid. The obtained solution was concentrated to obtain 164.8 parts of sodium difluorosulfoacetate (containing inorganic salt, purity 62.8%).
(2) Difluorosulfoacetic acid sodium salt 30.0 parts (purity 62.8%), hexahydro-6-hydroxy-3,5-methano-2H-cyclopenta [b] furan-2-one 14.7 parts, toluene 300 Then, 18.1 parts of p-toluenesulfonic acid (p-TsOH) was added and heated to reflux for 12 hours. Then, after filtration, 100 parts of acetonitrile was added to the residue, and the mixture was stirred and filtered, and concentrated to difluorosulfoacetate hexahydro-2-oxo-3,5-methano-2H-cyclopenta [b] furan-6-yl ester sodium salt. Of 26.7 parts.

Figure 2008165218
Figure 2008165218

1H−NMR(ジメチルスルホキシド−d6、内部標準物質テトラメチルシラン):δ(ppm)1.57−1.67(m,2H);1.91−2.06(m,2H);2.53(dd,1H);3.21(td,1H);4.51(d,1H);4.62(s,1H) 1 H-NMR (dimethylsulfoxide-d 6 , internal standard substance tetramethylsilane): δ (ppm) 1.57-1.67 (m, 2H); 1.91-2.06 (m, 2H); 2 .53 (dd, 1H); 3.21 (td, 1H); 4.51 (d, 1H); 4.62 (s, 1H)

(3)上記(2)で得られたジフルオロスルホ酢酸ヘキサヒドロ−2−オキソ−3,5−メタノ−2H−シクロペンタ〔b〕フラン−6−イルエステル ナトリウム塩26.7部を仕込み、アセトニトリル267部に溶解させた。この溶液に、トリフェニルスルホニウム クロライド23.9部、イオン交換水239部溶液を添加した。15時間撹拌後、濃縮し、クロロホルム200部で2回抽出した。有機層を合わせてイオン交換水で洗浄し、得られた有機層を濃縮した。濃縮液をtert−ブチルメチルエーテル200部でリパルプすることにより淡黄色油状物としてトリフェニルスルホニウム 1−(ヘキサヒドロ−2−オキソ−3,5−メタノ−2H−シクロペンタ〔b〕フラン−6−イルオキシカルボニル)ジフルオロメタンスルホナート(B3)を37.7部得た。 (3) 26.7 parts of difluorosulfoacetic acid hexahydro-2-oxo-3,5-methano-2H-cyclopenta [b] furan-6-yl ester sodium salt obtained in (2) above was charged and 267 parts of acetonitrile. Dissolved in. To this solution, 23.9 parts of triphenylsulfonium chloride and 239 parts of ion-exchanged water were added. After stirring for 15 hours, the mixture was concentrated and extracted twice with 200 parts of chloroform. The organic layers were combined and washed with ion exchange water, and the resulting organic layer was concentrated. By repulping the concentrate with 200 parts of tert-butyl methyl ether, triphenylsulfonium 1- (hexahydro-2-oxo-3,5-methano-2H-cyclopenta [b] furan-6-yloxy was obtained as a pale yellow oil. 37.7 parts of carbonyl) difluoromethanesulfonate (B3) were obtained.

Figure 2008165218
Figure 2008165218

1H−NMR(ジメチルスルホキシド−d6、内部標準物質テトラメチルシラン):δ(ppm)1.57−1.67(m,2H);1.91−2.06(m,2H);2.53(dd,1H);3.21(td,1H);4.51(d,1H);4.62(s,1H);7.91−7.76(m,15H)
MS(ESI(+)Spectrum):M+ 263.2(C1815+=263.09)
MS(ESI(−)Spectrum):M− 311.0(C10927-=311.00)
1 H-NMR (dimethylsulfoxide-d 6 , internal standard substance tetramethylsilane): δ (ppm) 1.57-1.67 (m, 2H); 1.91-2.06 (m, 2H); 2 .53 (dd, 1H); 3.21 (td, 1H); 4.51 (d, 1H); 4.62 (s, 1H); 7.91-7.76 (m, 15H)
MS (ESI (+) Spectrum): M + 263.2 (C 18 H 15 S + = 263.09)
MS (ESI (−) Spectrum): M− 311.0 (C 10 H 9 F 2 O 7 S = 311.00)

酸発生剤合成例4:メチルジフェニルスルホニウム 4−オキソ−1−アダマンチルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホナート(酸発生剤B4)の合成
(1)ジフルオロ(フルオロスルホニル)酢酸メチルエステル200部、イオン交換水300部に、氷浴下、30%水酸化ナトリウム水溶液460部を滴下した。100℃で2.5時間還流し、冷却後、濃塩酸175部で中和した。得られた溶液を濃縮することによりジフルオロスルホ酢酸 ナトリウム塩を328.19部得た(無機塩を除去していないため、含有量62.8%)。
(2)(1)で得られたジフルオロスルホ酢酸 ナトリウム塩5.0部(含有量62.8%)、4−オキソ−1−アダマンタノール2.6部、エチルベンゼン100部を仕込み、濃硫酸0.8部を加え、30時間加熱還流した。冷却後濾過し、濾過残渣をtert−ブチルメチルエーテルで洗浄することによりジフルオロスルホ酢酸−4−オキソ−1−アダマンチルエステル ナトリウム塩を5.5部得た。1H−NMRによる分析の結果、無機塩を除去していないため含有量は49.1%であった。
Acid generator synthesis example 4: Synthesis of methyldiphenylsulfonium 4-oxo-1-adamantyloxycarbonyldifluoromethanesulfonate (acid generator B4) (1) 200 parts of difluoro (fluorosulfonyl) acetic acid methyl ester, 300 parts of ion-exchanged water Then, 460 parts of a 30% aqueous sodium hydroxide solution was added dropwise in an ice bath. The mixture was refluxed at 100 ° C. for 2.5 hours, cooled, and neutralized with 175 parts of concentrated hydrochloric acid. The obtained solution was concentrated to obtain 328.19 parts of difluorosulfoacetic acid sodium salt (the content was 62.8% because the inorganic salt was not removed).
(2) Difluorosulfoacetate sodium salt obtained in (1) 5.0 parts (content 62.8%), 4-oxo-1-adamantanol 2.6 parts, ethylbenzene 100 parts, charged with concentrated sulfuric acid 0 .8 parts was added and heated to reflux for 30 hours. After cooling, the mixture was filtered, and the filtration residue was washed with tert-butyl methyl ether to obtain 5.5 parts of difluorosulfoacetic acid-4-oxo-1-adamantyl ester sodium salt. As a result of analysis by 1 H-NMR, since the inorganic salt was not removed, the content was 49.1%.

Figure 2008165218
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1H−NMR(ジメチルスルホキシド−d6、内部標準物質テトラメチルシラン):δ(ppm)1.84(d,2H);2.00(d,2H);2.29−2.32(m,7H);2.54(s,2H) 1 H-NMR (dimethyl sulfoxide-d 6 , internal standard substance tetramethylsilane): δ (ppm) 1.84 (d, 2H); 2.00 (d, 2H); 2.29-2.32 (m , 7H); 2.54 (s, 2H)

(3)ジフルオロスルホ酢酸−4−オキソ−1−アダマンチルエステル ナトリウム塩5.0部(含有量49.1%)を仕込みクロロホルム50.0部を添加した。この懸濁溶液に、メチルジフェニルスルホニウム クロライド水溶液42.0部(濃度5.0%)を添加した。15時間撹拌後分液し、水層をクロロホルム25.0部で抽出した。有機層を合わせてイオン交換水で中性になるまで洗浄を繰り返し、得られた有機層を濃縮した。濃縮液にtert−ブチルメチルエーテル29.6部添加撹拌後デカンテーションした。残渣に酢酸エチル16.6部添加撹拌後デカンテーションすることにより、淡黄色液体としてメチルジフェニルスルホニウム 4−オキソ−1−アダマンチルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホナート(B4)を1.6部得た。 (3) Difluorosulfoacetic acid-4-oxo-1-adamantyl ester sodium salt (5.0 parts, content: 49.1%) was added and chloroform (50.0 parts) was added. To this suspension, 42.0 parts (concentration 5.0%) of an aqueous methyldiphenylsulfonium chloride solution was added. After stirring for 15 hours, the mixture was separated, and the aqueous layer was extracted with 25.0 parts of chloroform. The organic layers were combined and washed repeatedly with ion-exchanged water until neutral, and the resulting organic layer was concentrated. The concentrated solution was decanted after adding 29.6 parts of tert-butyl methyl ether and stirring. 16.6 parts of ethyl acetate was added to the residue and stirred, followed by decantation to obtain 1.6 parts of methyldiphenylsulfonium 4-oxo-1-adamantyloxycarbonyldifluoromethanesulfonate (B4) as a pale yellow liquid.

Figure 2008165218
Figure 2008165218

1H−NMR(ジメチルスルホキシド−d6):δ(ppm)1.82(d,2H);1.99(d,2H);2.21−2.35(m,7H);2.52(s,2H);3.81(s,3H);7.67−7.79(m,6H);8.01−8.06(m,4H) 1 H-NMR (dimethylsulfoxide-d 6 ): δ (ppm) 1.82 (d, 2H); 1.99 (d, 2H); 2.21-2.35 (m, 7H); 2.52 (S, 2H); 3.81 (s, 3H); 7.67-7.79 (m, 6H); 8.01-8.06 (m, 4H)

酸発生剤合成例5:酸発生剤B5の合成
(1)ジフルオロ(フルオロスルホニル)酢酸メチルエステル200部、イオン交換水300部に、氷浴下、30%水酸化ナトリウム水溶液460部を滴下した。100℃で2.5時間還流し、冷却後、濃塩酸175部で中和した。得られた溶液を濃縮することによりジフルオロスルホ酢酸 ナトリウム塩を328.19部得た(無機塩を除去していないため、含有量62.8%)。
(2)(1)で得られたジフルオロスルホ酢酸 ナトリウム塩5.0部(含有量62.8%)、4−オキソ−1−アダマンタノール2.6部、エチルベンゼン100部を仕込み、濃硫酸0.8部を加え、30時間加熱還流した。冷却後濾過し、濾過残渣をtert−ブチルメチルエーテルで洗浄することによりジフルオロスルホ酢酸−4−オキソ−1−アダマンチルエステル ナトリウム塩を5.5部得た。1H−NMRによる分析の結果、無機塩を除去していないため含有量は57.6%であった。
Acid generator synthesis example 5: Synthesis of acid generator B5 (1) 460 parts of a 30% aqueous sodium hydroxide solution was added dropwise to 200 parts of difluoro (fluorosulfonyl) acetic acid methyl ester and 300 parts of ion-exchanged water in an ice bath. The mixture was refluxed at 100 ° C. for 2.5 hours, cooled, and neutralized with 175 parts of concentrated hydrochloric acid. The obtained solution was concentrated to obtain 328.19 parts of difluorosulfoacetic acid sodium salt (the content was 62.8% because the inorganic salt was not removed).
(2) Difluorosulfoacetate sodium salt obtained in (1) 5.0 parts (content 62.8%), 4-oxo-1-adamantanol 2.6 parts, ethylbenzene 100 parts, charged with concentrated sulfuric acid 0 .8 parts was added and heated to reflux for 30 hours. After cooling, the mixture was filtered, and the filtration residue was washed with tert-butyl methyl ether to obtain 5.5 parts of difluorosulfoacetic acid-4-oxo-1-adamantyl ester sodium salt. As a result of analysis by 1 H-NMR, the content was 57.6% because the inorganic salt was not removed.

Figure 2008165218
Figure 2008165218

1H−NMR(ジメチルスルホキシド−d6、内部標準物質テトラメチルシラン):δ(ppm)1.84(d,2H);2.00(d,2H);2.29−2.32(m,7H);2.54(s,2H) 1 H-NMR (dimethyl sulfoxide-d 6 , internal standard substance tetramethylsilane): δ (ppm) 1.84 (d, 2H); 2.00 (d, 2H); 2.29-2.32 (m , 7H); 2.54 (s, 2H)

(3)ジフルオロスルホ酢酸−4−オキソ−1−アダマンチルエステル ナトリウム塩4.3部(含有量57.6%)を仕込みクロロホルム43.0部を添加した。この懸濁溶液に、スルホニウム塩(G1)2.2部、イオン交換水11.7部を添加した。15時間撹拌後分液し、有機層をイオン交換水で中性になるまで洗浄を繰り返し、得られた有機層を濃縮した。濃縮液にtert−ブチルメチルエーテル15.0部添加撹拌後デカンテーションした。残渣を乾燥することにより、白色固体として化合物B5を2.3部得た。 (3) 4.3 parts of difluorosulfoacetic acid-4-oxo-1-adamantyl ester sodium salt (content 57.6%) was added and 43.0 parts of chloroform were added. To this suspension solution, 2.2 parts of a sulfonium salt (G1) and 11.7 parts of ion-exchanged water were added. Liquid separation was carried out after stirring for 15 hours, washing was repeated until the organic layer became neutral with ion-exchanged water, and the obtained organic layer was concentrated. The concentrated solution was decanted after adding 15.0 parts of tert-butyl methyl ether and stirring. The residue was dried to obtain 2.3 parts of Compound B5 as a white solid.

Figure 2008165218
Figure 2008165218

1H−NMR(ジメチルスルホキシド−d6):δ(ppm)1.82(d,2H);1.98(d,2H);2.27−2.35(m,7H);2.51(s,2H);7.52(d,4H);7.74−7.89(m,20H);7.91(d,4H) 1 H-NMR (dimethyl sulfoxide-d 6 ): δ (ppm) 1.82 (d, 2H); 1.98 (d, 2H); 2.27-2.35 (m, 7H); 2.51 (S, 2H); 7.52 (d, 4H); 7.74-7.89 (m, 20H); 7.91 (d, 4H)

酸発生剤合成例6:ジフェニルヨードニウム 4−オキソ−1−アダマンチルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホナート(酸発生剤B6)の合成
化合物(G2)4.0部、化合物(G3)9.6部(純度50.1%)、クロロホルム96部、イオン交換水48部を混合し、一晩攪拌した。反応後、静置後、水層を分離した。有機層をイオン交換水48部で水層が中性になるまで水洗を繰り返した。有機層に活性炭1.4部を加えて攪拌し、ろ別した。ろ液を濃縮し、tert−ブチルメチルエーテル26部を加えて攪拌し、析出した白色固体をろ別、乾燥して(B6)を4.3部得た。
Acid generator synthesis example 6: Diphenyliodonium 4-oxo-1-adamantyloxycarbonyldifluoromethanesulfonate (acid generator B6) synthesis compound (G2) 4.0 parts, compound (G3) 9.6 parts (purity 50 0.1%), 96 parts of chloroform and 48 parts of ion-exchanged water were mixed and stirred overnight. After the reaction, the aqueous layer was separated after standing. The organic layer was repeatedly washed with 48 parts of ion-exchanged water until the aqueous layer became neutral. 1.4 parts of activated carbon was added to the organic layer, stirred and filtered. The filtrate was concentrated, 26 parts of tert-butyl methyl ether was added and stirred, and the precipitated white solid was filtered off and dried to obtain 4.3 parts of (B6).

Figure 2008165218
Figure 2008165218

1H−NMR(ジメチルスルホキシド−d6、内部標準物質テトラメチルシラン):δ(ppm)1.82(d,2H,J=12.7Hz);1.99(d,2H,J=12.4Hz);2.28−2.36(m,7H);2.52(s,2H);7.52(t,4H,J=7.4);7.66(dd,2H,J=1.2Hz,7.4Hz);8.24(dd,4H,J=1.3,8.4) 1 H-NMR (dimethyl sulfoxide-d 6 , internal standard substance tetramethylsilane): δ (ppm) 1.82 (d, 2H, J = 12.7 Hz); 1.99 (d, 2H, J = 12. 2.28-2.36 (m, 7H); 2.52 (s, 2H); 7.52 (t, 4H, J = 7.4); 7.66 (dd, 2H, J = 1.2 Hz, 7.4 Hz); 8.24 (dd, 4H, J = 1.3, 8.4)

酸発生剤合成例7:ジメチルフェニルスルホニウム 1−アダマンチルメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホナート(酸発生剤B7)の合成
(1)ジフルオロ(フルオロスルホニル)酢酸メチルエステル200部、イオン交換水300部に、氷浴下、30%水酸化ナトリウム水溶液460部を滴下した。100℃で2.5時間還流し、冷却後、濃塩酸175部で中和した。得られた溶液を濃縮することによりジフルオロスルホ酢酸 ナトリウム塩を328.19部得た(無機塩を除去していないため、含有量62.8%)。
(2)ジフルオロスルホ酢酸 ナトリウム塩123.3部(含有量62.8%)、1−アダマンタンメタノール65.7部、ジクロロエタン600部を仕込み、p−トルエンスルホン酸75.1部を加え、12時間加熱還流した。その後、濃縮してジクロロエタンを留去し、tert−ブチルメチルエーテル400部添加し、リパルプ後、濾過した。残渣にアセトニトリル400部添加撹拌後ろ過を2回繰り返し、濾液を濃縮することにより、ジフルオロスルホ酢酸−1−アダマンチルメチルエステル ナトリウム塩を99.5部得た。
Acid generator synthesis example 7: Synthesis of dimethylphenylsulfonium 1-adamantylmethoxycarbonyldifluoromethanesulfonate (acid generator B7) (1) 200 parts of difluoro (fluorosulfonyl) acetic acid methyl ester, 300 parts of ion-exchanged water, and ice bath Then, 460 parts of a 30% aqueous sodium hydroxide solution was added dropwise. The mixture was refluxed at 100 ° C. for 2.5 hours, cooled, and neutralized with 175 parts of concentrated hydrochloric acid. The obtained solution was concentrated to obtain 328.19 parts of difluorosulfoacetic acid sodium salt (the content was 62.8% because the inorganic salt was not removed).
(2) 123.3 parts of difluorosulfoacetic acid sodium salt (content 62.8%), 65.7 parts of 1-adamantane methanol and 600 parts of dichloroethane were added, 75.1 parts of p-toluenesulfonic acid was added, and 12 hours Heated to reflux. Thereafter, the mixture was concentrated to distill off dichloroethane, 400 parts of tert-butyl methyl ether was added, and after repulping, filtration was performed. After adding 400 parts of acetonitrile to the residue and stirring, filtration was repeated twice, and the filtrate was concentrated to obtain 99.5 parts of difluorosulfoacetic acid-1-adamantylmethyl ester sodium salt.

Figure 2008165218
Figure 2008165218

1H−NMR(ジメチルスルホキシド−d6、内部標準物質テトラメチルシラン):δ(ppm)1.51(d,6H);1.62(dd,6H);1.92(s,3H);3.80(s,2H) 1 H-NMR (dimethyl sulfoxide-d 6 , internal standard substance tetramethylsilane): δ (ppm) 1.51 (d, 6H); 1.62 (dd, 6H); 1.92 (s, 3H); 3.80 (s, 2H)

(3)チオアニソール5.0部をアセトニトリル15.0部に溶解し、過塩素酸銀(I)8.35部を添加し、ヨウ化メチル5.71部のアセトニトリル11.4部溶液を添加し、24時間撹拌した。析出した固体を濾過で除去した後、濾液を濃縮してアセトニトリルを留去した。濃縮液にtert−ブチルメチルエーテル36.8部を添加撹拌し、濾過することにより白色結晶としてジメチルフェニルスルホニウム パークロレートを8.22部得た。 (3) Dissolve 5.0 parts of thioanisole in 15.0 parts of acetonitrile, add 8.35 parts of silver (I) perchlorate, and add 11.4 parts of acetonitrile of 5.71 parts of methyl iodide. And stirred for 24 hours. After the precipitated solid was removed by filtration, the filtrate was concentrated to remove acetonitrile. To the concentrated liquid, 36.8 parts of tert-butyl methyl ether was added and stirred, followed by filtration to obtain 8.22 parts of dimethylphenylsulfonium perchlorate as white crystals.

Figure 2008165218
Figure 2008165218

1H−NMR(ジメチルスルホキシド−d6、内部標準物質テトラメチルシラン):δ(ppm)3.25(s,6H);7.67−7.80(m,3H);8.03−8.08(m,2H) 1 H-NMR (dimethyl sulfoxide-d 6 , internal standard substance tetramethylsilane): δ (ppm) 3.25 (s, 6H); 7.67-7.80 (m, 3H); 8.03-8 .08 (m, 2H)

(4)上記(2)で得られたジフルオロスルホ酢酸−1−アダマンチルメチルエステル ナトリウム塩5.98部を仕込み、クロロホルム35.9部を添加した。この懸濁溶液に、上記(3)で得られたジメチルフェニルスルホニウム パークロレート4.23部、イオン交換水12.7部溶液を添加した。4時間撹拌後、分液し、水層をクロロホルム23.9部で抽出した。有機層を合わせてイオン交換水で中性になるまで洗浄を繰り返し、得られた有機層を濃縮した。濃縮液にtert−ブチルメチルエーテル31.8部添加、撹拌後、濾過することにより、白色固体としてジメチルフェニルスルホニウム 1−アダマンチルメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホナート(B7)を5.38部得た。 (4) 5.98 parts of difluorosulfoacetic acid-1-adamantyl methyl ester sodium salt obtained in (2) above was charged, and 35.9 parts of chloroform was added. To this suspension solution, 4.23 parts of dimethylphenylsulfonium perchlorate obtained in (3) above and 12.7 parts of ion-exchanged water were added. After stirring for 4 hours, the mixture was separated, and the aqueous layer was extracted with 23.9 parts of chloroform. The organic layers were combined and washed repeatedly with ion-exchanged water until neutral, and the resulting organic layer was concentrated. The concentrated solution was added with 31.8 parts of tert-butyl methyl ether, stirred and then filtered to obtain 5.38 parts of dimethylphenylsulfonium 1-adamantylmethoxycarbonyldifluoromethanesulfonate (B7) as a white solid.

Figure 2008165218
Figure 2008165218

1H−NMR(ジメチルスルホキシド−d6、内部標準物質テトラメチルシラン):δ(ppm)1.51(d,6H);1.62(dd,6H);1.92(s,3H);3.26(s,6H);3.80(s,2H);7.68−7.80(m,3H);8.03−8.06(m,2H)
MS(ESI(+)Spectrum):M+ 139.0(C811+=139.06)
MS(ESI(−)Spectrum):M− 323.0(C131725-=323.08)
1 H-NMR (dimethyl sulfoxide-d 6 , internal standard substance tetramethylsilane): δ (ppm) 1.51 (d, 6H); 1.62 (dd, 6H); 1.92 (s, 3H); 3.26 (s, 6H); 3.80 (s, 2H); 7.68-7.80 (m, 3H); 8.03-8.06 (m, 2H)
MS (ESI (+) Spectrum): M + 139.0 (C 8 H 11 S + = 139.06)
MS (ESI (−) Spectrum): M− 323.0 (C 13 H 17 F 2 O 5 S = 323.08)

酸発生剤合成例8:トリフェニルスルホニウム 1−アダマンチルメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホナート(酸発生剤B8)の合成
(1)酸発生剤合成例7(2)と同様の方法で得られたジフルオロスルホ酢酸−1−アダマンチルメチルエステル ナトリウム塩32.8部を仕込み、イオン交換水100部に溶解させた。この溶液に、トリフェニルスルホニウム クロライド28.3部、メタノール140部溶液を添加した。15時間撹拌後、濃縮し、クロロホルム200部で2回抽出した。有機層を合わせてイオン交換水で中性になるまで洗浄を繰り返し、得られた有機層を濃縮した。濃縮液をtert−ブチルメチルエーテル300部添加撹拌後得られた白色析出物をろ過し、減圧乾燥することにより白色結晶としてトリフェニルスルホニウム 1−アダマンチルメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホナート(B8)を39.7部得た。
Acid Generator Synthesis Example 8: Synthesis of triphenylsulfonium 1-adamantylmethoxycarbonyldifluoromethanesulfonate (acid generator B8) (1) Difluorosulfoacetic acid obtained by the same method as in Acid generator synthesis example 7 (2) -1-Adamantyl methyl ester 32.8 parts of sodium salt was charged and dissolved in 100 parts of ion-exchanged water. To this solution, 28.3 parts of triphenylsulfonium chloride and 140 parts of methanol were added. After stirring for 15 hours, the mixture was concentrated and extracted twice with 200 parts of chloroform. The organic layers were combined and washed repeatedly with ion-exchanged water until neutral, and the resulting organic layer was concentrated. The white precipitate obtained after adding and stirring 300 parts of tert-butyl methyl ether to the concentrated solution was filtered and dried under reduced pressure to obtain 39.7 of triphenylsulfonium 1-adamantylmethoxycarbonyldifluoromethanesulfonate (B8) as white crystals. I got a part.

Figure 2008165218
Figure 2008165218

1H−NMR(ジメチルスルホキシド−d6、内部標準物質テトラメチルシラン):δ(ppm)1.52(d,6H);1.63(dd,6H);1.93(s,3H);3.81(s,2H);7.76−7.90(m,15H)
MS(ESI(+)Spectrum):M+ 263.2(C1815+=263.09)
MS(ESI(−)Spectrum):M− 323.0(C131725-=323.08)
1 H-NMR (dimethyl sulfoxide-d 6 , internal standard substance tetramethylsilane): δ (ppm) 1.52 (d, 6H); 1.63 (dd, 6H); 1.93 (s, 3H); 3.81 (s, 2H); 7.76-7.90 (m, 15H)
MS (ESI (+) Spectrum): M + 263.2 (C 18 H 15 S + = 263.09)
MS (ESI (−) Spectrum): M− 323.0 (C 13 H 17 F 2 O 5 S = 323.08)

酸発生剤合成例9:1−(2−オキソ−2−フェニルエチル)テトラヒドロチオフェニウム 1−アダマンチルメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホナート(酸発生剤C1)の合成
(1)ジフルオロ(フルオロスルホニル)酢酸メチルエステル200部、イオン交換水300部に、氷浴下、30%水酸化ナトリウム水溶液460部を滴下した。100℃で2.5時間還流し、冷却後、濃塩酸175部で中和した。得られた溶液を濃縮することによりジフルオロスルホ酢酸 ナトリウム塩を328.19部得た(無機塩含有、純度62.8%)。
(2)ジフルオロスルホ酢酸 ナトリウム塩123.3部(純度62.8%)、1−アダマンタンメタノール65.7部、ジクロロエタン600部を仕込み、p−トルエンスルホン酸(p−TsOH)75.1部を加え、12時間加熱還流した。その後、濃縮してジクロロエタンを留去し、tert−ブチルメチルエーテル400部を添加し、リパルプ後、濾過した。残渣にアセトニトリル400部添加撹拌後ろ過を2回繰り返し、濃縮することにより、ジフルオロスルホ酢酸−1−アダマンチルメチルエステル ナトリウム塩を99.5部得た。
Synthesis Example 9 of Acid Generator: Synthesis of 1- (2-oxo-2-phenylethyl) tetrahydrothiophenium 1-adamantylmethoxycarbonyldifluoromethanesulfonate (acid generator C1) (1) Methyl difluoro (fluorosulfonyl) acetate To 200 parts of ester and 300 parts of ion-exchanged water, 460 parts of a 30% aqueous sodium hydroxide solution was added dropwise in an ice bath. The mixture was refluxed at 100 ° C. for 2.5 hours, cooled, and neutralized with 175 parts of concentrated hydrochloric acid. The obtained solution was concentrated to obtain 328.19 parts of sodium difluorosulfoacetate (containing inorganic salt, purity 62.8%).
(2) 123.3 parts of difluorosulfoacetic acid sodium salt (purity 62.8%), 65.7 parts of 1-adamantane methanol and 600 parts of dichloroethane were charged, and 75.1 parts of p-toluenesulfonic acid (p-TsOH) was added. In addition, the mixture was heated to reflux for 12 hours. Then, it concentrated, the dichloroethane was distilled off, 400 parts of tert-butyl methyl ether was added, it filtered after repulping. After adding and stirring 400 parts of acetonitrile to the residue, filtration was repeated twice and concentrated to obtain 99.5 parts of difluorosulfoacetic acid-1-adamantylmethyl ester sodium salt.

Figure 2008165218
Figure 2008165218

1H−NMR(ジメチルスルホキシド−d6、内部標準物質テトラメチルシラン):δ(ppm)1.51(d,6H);1.62(dd,6H);1.92(s,3H);3.80(s,2H) 1 H-NMR (dimethyl sulfoxide-d 6 , internal standard substance tetramethylsilane): δ (ppm) 1.51 (d, 6H); 1.62 (dd, 6H); 1.92 (s, 3H); 3.80 (s, 2H)

(3)2−ブロモアセトフェノン150部をアセトン375部に溶解し、テトラヒドロチオフェン66.5部を滴下した。室温で24時間攪拌した後、得られた白色析出物をろ過、アセトン洗浄、乾燥することにより白色結晶として1−(2−オキソ−2−フェニルエチル)テトラヒドロチオフェニウム ブロマイドを207.9部得た。 (3) 150 parts of 2-bromoacetophenone was dissolved in 375 parts of acetone, and 66.5 parts of tetrahydrothiophene was added dropwise. After stirring at room temperature for 24 hours, the obtained white precipitate was filtered, washed with acetone, and dried to obtain 207.9 parts of 1- (2-oxo-2-phenylethyl) tetrahydrothiophenium bromide as white crystals. It was.

Figure 2008165218
Figure 2008165218

1H−NMR(ジメチルスルホキシド−d6、内部標準物質テトラメチルシラン):δ(ppm)2.13−2.36(m,4H);3.50−3.67(m,4H);5.41(s,2H);7.63(t,2H);7.78(t,1H);8.02(d,2H) 1 H-NMR (dimethylsulfoxide-d 6 , internal standard substance tetramethylsilane): δ (ppm) 2.13-2.36 (m, 4H); 3.50-3.67 (m, 4H); 5 .41 (s, 2H); 7.63 (t, 2H); 7.78 (t, 1H); 8.02 (d, 2H)

(4)(2)で得られたジフルオロスルホ酢酸−1−アダマンチルメチルエステル ナトリウム塩99.5部を仕込み、アセトニトリル298部に溶解させた。この溶液に、上記(3)で得られた1−(2−オキソ−2−フェニルエチル)テトラヒドロチオフェニウム ブロマイド79.5部、イオン交換水159部溶液を添加した。15時間撹拌後、濃縮し、クロロホルム500部で2回抽出した。有機層を合わせてイオン交換水で洗浄し、得られた有機層を濃縮した。濃縮液をtert−ブチルメチルエーテル250部添加撹拌後ろ過し、減圧乾燥することにより白色結晶として1−(2−オキソ−2−フェニルエチル)テトラヒドロチオフェニウム 1−アダマンチルメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホナート(C1)を116.9部得た。 (4) 99.5 parts of difluorosulfoacetic acid-1-adamantylmethyl ester sodium salt obtained in (2) was charged and dissolved in 298 parts of acetonitrile. To this solution, 79.5 parts of 1- (2-oxo-2-phenylethyl) tetrahydrothiophenium bromide obtained in (3) above and 159 parts of ion-exchanged water were added. After stirring for 15 hours, the mixture was concentrated and extracted twice with 500 parts of chloroform. The organic layers were combined and washed with ion exchange water, and the resulting organic layer was concentrated. The concentrated solution was added with 250 parts of tert-butyl methyl ether, stirred, filtered, and dried under reduced pressure to give 1- (2-oxo-2-phenylethyl) tetrahydrothiophenium 1-adamantylmethoxycarbonyldifluoromethanesulfonate as white crystals ( 116.9 parts of C1) were obtained.

Figure 2008165218
Figure 2008165218

1H−NMR(ジメチルスルホキシド−d6、内部標準物質テトラメチルシラン):δ(ppm)1.50(d,6H);1.62(dd,6H);1.92(s,3H);2.13−2.32(m,4H);3.45−3.63(m,4H);3.80(s,2H);5.30(s,2H);7.62(t,2H);7.76(t,1H);8.00(d,2H)
MS(ESI(+)Spectrum):M+ 207.0(C1215OS+=207.08)
MS(ESI(−)Spectrum):M− 323.0(C131725-=323.08)
1 H-NMR (dimethyl sulfoxide-d 6 , internal standard substance tetramethylsilane): δ (ppm) 1.50 (d, 6H); 1.62 (dd, 6H); 1.92 (s, 3H); 2.13-2.32 (m, 4H); 3.45-3.63 (m, 4H); 3.80 (s, 2H); 5.30 (s, 2H); 7.62 (t, 2H); 7.76 (t, 1H); 8.00 (d, 2H)
MS (ESI (+) Spectrum): M + 207.0 (C 12 H 15 OS + = 207.08)
MS (ESI (−) Spectrum): M− 323.0 (C 13 H 17 F 2 O 5 S = 323.08)

酸発生剤合成例10:1−(2−オキソ−2−フェニルエチル)テトラヒドロチオフェニウム 4−ヒドロキシ−1−アダマンチルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホナート(酸発生剤C2)の合成
(1)ジフルオロスルホ酢酸−4−オキソ−1−アダマンチルエステル ナトリウム塩10.0部(純度55.2%)を仕込み、アセトニトリル30部、イオン交換水20部の混合溶媒を加えた。これに、1−(2−オキソ−2−フェニルエチル)テトラヒドロチオフェニウム ブロミド5.0部、アセトニトリル10部、イオン交換水5部の溶液を添加した。15時間撹拌後、濃縮し、クロロホルム98部で抽出した。有機層をイオン交換水で洗浄し、得られた有機層を濃縮した。濃縮液を酢酸エチル70部でリパルプすることにより白色固体として1−(2−オキソ−2−フェニルエチル)テトラヒドロチオフェニウム 4−オキソ−1−アダマンチルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホナート(C2)を5.2部得た。
Synthesis Example 10 of Acid Generator: Synthesis of 1- (2-oxo-2-phenylethyl) tetrahydrothiophenium 4-hydroxy-1-adamantyloxycarbonyldifluoromethanesulfonate (acid generator C2) (1) Difluorosulfoacetic acid 10.0 parts of -4-oxo-1-adamantyl ester sodium salt (purity 55.2%) was charged, and a mixed solvent of 30 parts of acetonitrile and 20 parts of ion-exchanged water was added. To this was added a solution of 5.0 parts 1- (2-oxo-2-phenylethyl) tetrahydrothiophenium bromide, 10 parts acetonitrile, and 5 parts ion-exchanged water. After stirring for 15 hours, the mixture was concentrated and extracted with 98 parts of chloroform. The organic layer was washed with ion exchange water, and the obtained organic layer was concentrated. 4. Repulp the concentrate with 70 parts of ethyl acetate to give 1- (2-oxo-2-phenylethyl) tetrahydrothiophenium 4-oxo-1-adamantyloxycarbonyldifluoromethanesulfonate (C2) as a white solid. Two parts were obtained.

Figure 2008165218
Figure 2008165218

1H−NMR(ジメチルスルホキシド−d6、内部標準物質テトラメチルシラン):δ(ppm)1.83(d,2H,J=12.5Hz);2.00(d,2H,J=12.0Hz);2.21−2.37(m,11H);2.53(s,2H);3.47−3.62(m,4H);5.31(s,2H);7.63(t,2H,J=7.3Hz);7.78(t,1H,J=7.6Hz);8.01(dd,2H,J=1.5Hz,7.3Hz)
MS(ESI(+)Spectrum):M+ 207.1(C1215OS+=207.08)
MS(ESI(−)Spectrum):M− 323.0(C121326-=323.04)
1 H-NMR (dimethyl sulfoxide-d 6 , internal standard substance tetramethylsilane): δ (ppm) 1.83 (d, 2H, J = 12.5 Hz); 2.00 (d, 2H, J = 12. 0Hz); 2.21-2.37 (m, 11H); 2.53 (s, 2H); 3.47-3.62 (m, 4H); 5.31 (s, 2H); 7.63 (T, 2H, J = 7.3 Hz); 7.78 (t, 1H, J = 7.6 Hz); 8.01 (dd, 2H, J = 1.5 Hz, 7.3 Hz)
MS (ESI (+) Spectrum): M + 207.1 (C 12 H 15 OS + = 207.08)
MS (ESI (−) Spectrum): M− 323.0 (C 12 H 13 F 2 O 6 S = 323.04)

酸発生剤合成例11:1−(2−オキソ−2−フェニルエチル)テトラヒドロチオフェニウム 1−((3−ヒドロキシアダマンチル)メトキシカルボニル)ジフルオロメタンスルホナート(酸発生剤C3)の合成
(1)ジフルオロ(フルオロスルホニル)酢酸メチルエステル10000部、イオン交換水15000部に、氷浴下、30%水酸化ナトリウム水溶液25000部を滴下した。100℃で3時間還流し、冷却後、濃塩酸7754部で中和した。得られた溶液を濃縮し、得られた残渣にアセトニトリル6000部を加えて攪拌、ろ過した。ろ液を濃縮し、得られた固体をろ過した。ろ液を濃縮してアセトニトリル200部を加えて攪拌、ろ過した。得られた残渣にアセトニトリル200部を加えて攪拌、ろ過、乾燥し、ジフルオロスルホ酢酸 ナトリウム塩化合物(B8)を605部得た(無機塩を除去していないため純度97.6%)。
(2)ジフルオロスルホ酢酸 ナトリウム塩5.6部(純度97.6%)、N,N−ジメチルホルムアミド16.7部に、1,1’−カルボニルジイミダゾール4.45部を添加し50℃で2時間撹拌した。この溶液を、3−ヒドロキシアダマンチルメタノール5.0部、N,N−ジメチルホルムアミド15.0部に、水素化ナトリウム1.2部を添加し、50℃で2時間撹拌した溶液に氷浴下添加した。室温で15時間撹拌後、生成したジフルオロスルホ酢酸−3−ヒドロキシ−1−アダマンチルメチルエステル ナトリウム塩をそのまま次の反応に用いた。
Acid Generator Synthesis Example 11: Synthesis of 1- (2-oxo-2-phenylethyl) tetrahydrothiophenium 1-((3-hydroxyadamantyl) methoxycarbonyl) difluoromethanesulfonate (acid generator C3) (1) In an ice bath, 25,000 parts of a 30% aqueous sodium hydroxide solution was added dropwise to 10000 parts of difluoro (fluorosulfonyl) acetic acid methyl ester and 15,000 parts of ion-exchanged water. The mixture was refluxed at 100 ° C. for 3 hours, cooled, and neutralized with 7754 parts of concentrated hydrochloric acid. The obtained solution was concentrated, 6000 parts of acetonitrile was added to the obtained residue, and the mixture was stirred and filtered. The filtrate was concentrated and the resulting solid was filtered. The filtrate was concentrated, 200 parts of acetonitrile was added, and the mixture was stirred and filtered. To the obtained residue, 200 parts of acetonitrile was added, stirred, filtered and dried to obtain 605 parts of sodium difluorosulfoacetate salt compound (B8) (purity of 97.6% because inorganic salts were not removed).
(2) Difluorosulfoacetate sodium salt 5.6 parts (purity 97.6%) and N, N-dimethylformamide 16.7 parts were added with 1.45 parts of 1,1'-carbonyldiimidazole at 50 ° C. Stir for 2 hours. To this solution, 1.2 parts of sodium hydride was added to 5.0 parts of 3-hydroxyadamantyl methanol and 15.0 parts of N, N-dimethylformamide, and the mixture was stirred at 50 ° C. for 2 hours. did. After stirring at room temperature for 15 hours, the produced difluorosulfoacetic acid-3-hydroxy-1-adamantylmethyl ester sodium salt was directly used in the next reaction.

Figure 2008165218
Figure 2008165218

(3)上記(2)で得られたジフルオロスルホ酢酸−3−ヒドロキシ−1−アダマンチルメチルエステル ナトリウム塩の溶液に、クロロホルム43.8部、1−(2−オキソ−2−フェニルエチル)テトラヒドロチオフェニウム ブロマイド2.6部、イオン交換水13.0部添加した。15時間撹拌後、分液し、水層をクロロホルム11.0部で抽出した。有機層を合わせてイオン交換水で中性になるまで洗浄を繰り返し、得られた有機層を濃縮した。濃縮液にtert−ブチルメチルエーテル23.4部を添加撹拌後濾過し、濾過残渣にイオン交換水8.3部を添加撹拌後濾過することにより白色固体として1−(2−オキソ−2−フェニルエチル)テトラヒドロチオフェニウム 1−((3−ヒドロキシアダマンチル)メトキシカルボニル)ジフルオロメタンスルホナート(C3)を1.3部得た。 (3) To a solution of difluorosulfoacetic acid-3-hydroxy-1-adamantylmethyl ester sodium salt obtained in (2) above, 43.8 parts of chloroform, 1- (2-oxo-2-phenylethyl) tetrahydrothio 2.6 parts of fenium bromide and 13.0 parts of ion-exchanged water were added. After stirring for 15 hours, the mixture was separated, and the aqueous layer was extracted with 11.0 parts of chloroform. The organic layers were combined and washed repeatedly with ion-exchanged water until neutral, and the resulting organic layer was concentrated. To the concentrated solution, 23.4 parts of tert-butyl methyl ether was added and stirred, followed by filtration. To the filtration residue, 8.3 parts of ion-exchanged water was added, stirred and filtered to give 1- (2-oxo-2-phenyl) as a white solid 1.3 parts of ethyl) tetrahydrothiophenium 1-((3-hydroxyadamantyl) methoxycarbonyl) difluoromethanesulfonate (C3) were obtained.

Figure 2008165218
Figure 2008165218

C3の1H−NMR(ジメチルスルホキシド−d6、内部標準物質テトラメチルシラン):δ(ppm)1.38−1.51(m,12H);2.08(S,2H);2.17−2.26(m,4H);3.45−3.63(m,4H);3.85(s,2H);4.42(s,1H);5.30(s,2H);7.62(t,2H);7.77(t,1H);8.00(d,2H)
MS(ESI(+)Spectrum):M+ 207.0(C1215OS+=207.08)
MS(ESI(−)Spectrum):M− 339.0(C131726-=339.07)
1 H-NMR of C3 (dimethylsulfoxide-d 6 , internal standard substance tetramethylsilane): δ (ppm) 1.38-1.51 (m, 12H); 2.08 (S, 2H); 2.17 -2.26 (m, 4H); 3.45-3.63 (m, 4H); 3.85 (s, 2H); 4.42 (s, 1H); 5.30 (s, 2H); 7.62 (t, 2H); 7.77 (t, 1H); 8.00 (d, 2H)
MS (ESI (+) Spectrum): M + 207.0 (C 12 H 15 OS + = 207.08)
MS (ESI (−) Spectrum): M− 339.0 (C 13 H 17 F 2 O 6 S = 339.07)

酸発生剤合成例12:1−(2−オキソ−2−(4’−メトキシフェニルエチル))テトラヒドロチオフェニウム 1−アダマンチルメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホナート(酸発生剤C4)の合成
(1)2−ブロモ−4’−メトキシアセトフェノン50部をアセトン150部に溶解し、テトラヒドロチオフェン19部を滴下した。室温で24時間攪拌した後、得られた白色析出物をろ過、アセトン洗浄、乾燥することにより白色結晶として1−(2−オキソ−2−(4’−メトキシフェニルエチル))テトラヒドロチオフェニウム ブロマイドを63部得た。
Synthesis Example of Acid Generator 12: Synthesis of 1- (2-oxo-2- (4′-methoxyphenylethyl)) tetrahydrothiophenium 1-adamantylmethoxycarbonyldifluoromethanesulfonate (acid generator C4) (1) 2 -50 parts of bromo-4'-methoxyacetophenone was dissolved in 150 parts of acetone, and 19 parts of tetrahydrothiophene was added dropwise. After stirring at room temperature for 24 hours, the resulting white precipitate was filtered, washed with acetone, and dried to give 1- (2-oxo-2- (4′-methoxyphenylethyl)) tetrahydrothiophenium bromide as white crystals. 63 parts were obtained.

Figure 2008165218
Figure 2008165218

1H−NMR(ジメチルスルホキシド−d6、内部標準物質テトラメチルシラン):δ(ppm)2.14−2.34(m,4H);3.48−3.65(m,4H);3.89(s,3H);5.39(s,2H);7.15(d,2H,J=8.9Hz);8.00(d,2H,J=8.9Hz) 1 H-NMR (dimethylsulfoxide-d 6 , internal standard substance tetramethylsilane): δ (ppm) 2.14-2.34 (m, 4H); 3.48-3.65 (m, 4H); 3 .89 (s, 3H); 5.39 (s, 2H); 7.15 (d, 2H, J = 8.9 Hz); 8.00 (d, 2H, J = 8.9 Hz)

(2)酸発生剤C1の酸発生剤合成例(酸発生剤合成例9)の(2)と同様の方法で得られたジフルオロスルホ酢酸−1−アダマンチルメチルエステル ナトリウム塩3.05部を仕込み、アセトニトリル15.3部に溶解させた。この溶液に、上記(1)で得られた1−(2−オキソ−2−(4’−メトキシフェニルエチル))テトラヒドロチオフェニウム ブロマイド2.61部、イオン交換水13.1部溶液を添加した。15時間撹拌後、濃縮し、クロロホルム50部で2回抽出した。有機層を合わせてイオン交換水で洗浄し、得られた有機層を濃縮した。濃縮液をtert−ブチルメチルエーテル30部添加撹拌後ろ過し、減圧乾燥することにより白色結晶として1−(2−オキソ−2−(4’−メトキシフェニルエチル))テトラヒドロチオフェニウム 1−アダマンチルメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホナート(C4)を3.44部得た。 (2) Preparation of acid generator C1 acid generator synthesis example (acid generator synthesis example 9) (2) of difluorosulfoacetic acid-1-adamantyl methyl ester sodium salt 3.05 parts obtained in the same manner And dissolved in 15.3 parts of acetonitrile. To this solution, 2.61 parts of 1- (2-oxo-2- (4′-methoxyphenylethyl)) tetrahydrothiophenium bromide obtained in (1) above and 13.1 parts of ion-exchanged water were added. did. After stirring for 15 hours, the mixture was concentrated and extracted twice with 50 parts of chloroform. The organic layers were combined and washed with ion exchange water, and the resulting organic layer was concentrated. The concentrated solution was added with 30 parts of tert-butyl methyl ether, stirred, filtered, and dried under reduced pressure to give 1- (2-oxo-2- (4′-methoxyphenylethyl)) tetrahydrothiophenium 1-adamantylmethoxy as white crystals. 3.44 parts of carbonyldifluoromethanesulfonate (C4) were obtained.

Figure 2008165218
Figure 2008165218

1H−NMR(ジメチルスルホキシド−d6、内部標準物質テトラメチルシラン):δ(ppm)1.52(d,6H);1.63(dd,6H);1.93(s,3H);2.12−2.30(m,4H);3.43−3.60(m,4H);3.81(s,2H);3.88(s,3H);5.26(s,2H);7.15(d,2H);7.98(d,2H)
MS(ESI(+)Spectrum):M+ 237.2(C13172+=237.09)
MS(ESI(−)Spectrum):M− 323.0(C131725-=323.08)
1 H-NMR (dimethyl sulfoxide-d 6 , internal standard substance tetramethylsilane): δ (ppm) 1.52 (d, 6H); 1.63 (dd, 6H); 1.93 (s, 3H); 2.12-2.30 (m, 4H); 3.43-3.60 (m, 4H); 3.81 (s, 2H); 3.88 (s, 3H); 5.26 (s, 2H); 7.15 (d, 2H); 7.98 (d, 2H)
MS (ESI (+) Spectrum) : M + 237.2 (C 13 H 17 O 2 S + = 237.09)
MS (ESI (−) Spectrum): M− 323.0 (C 13 H 17 F 2 O 5 S = 323.08)

酸発生剤合成例13:1−(3,3−ジメチル−2−オキソブチル)テトラヒドロチオフェニウム 1−アダマンチルメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホナート(酸発生剤C5)の合成
(1)テトラヒドロチオフェン70.2部をアセトン750部に溶解し、1−ブロモ−3,3−ジメチル−2−ブタノン150部を滴下した。室温で24時間攪拌した後、得られた白色析出物をろ過、アセトン洗浄、乾燥することにより白色結晶として1−(3,3−ジメチル−2−オキソブチル)テトラヒドロチオフェニウム ブロマイドを161.3部を得た。
Synthesis Example of Acid Generator 13: 1- (3,3-Dimethyl-2-oxobutyl) tetrahydrothiophenium Synthesis of 1-adamantylmethoxycarbonyldifluoromethanesulfonate (acid generator C5) (1) 70.2 parts of tetrahydrothiophene Was dissolved in 750 parts of acetone, and 150 parts of 1-bromo-3,3-dimethyl-2-butanone was added dropwise. After stirring at room temperature for 24 hours, the obtained white precipitate was filtered, washed with acetone, and dried to obtain 161.3 parts of 1- (3,3-dimethyl-2-oxobutyl) tetrahydrothiophenium bromide as white crystals. Got.

Figure 2008165218
Figure 2008165218

1H−NMR(ジメチルスルホキシド−d6、内部標準物質テトラメチルシラン):δ(ppm)1.14(s,9H);2.08−2.30(m,4H);3.37−3.58(m,4H);5.03(s,2H) 1 H-NMR (dimethyl sulfoxide-d 6 , internal standard substance tetramethylsilane): δ (ppm) 1.14 (s, 9H); 2.08-2.30 (m, 4H); 3.37-3 .58 (m, 4H); 5.03 (s, 2H)

(2)酸発生剤C1の酸発生剤合成例(酸発生剤合成例9)の(2)で得られたジフルオロスルホ酢酸−1−アダマンチルメチルエステル ナトリウム塩5.0部を仕込み、イオン交換水50部に溶解させた。この溶液に、上記(1)で得られた1−(3,3−ジメチル−2−オキソブチル)テトラヒドロチオフェニウム ブロマイド3.86部、イオン交換水19.3部溶液を添加し、アセトニトリル50部を添加して完溶系とした。15時間撹拌後、濃縮し、クロロホルム100部で2回抽出した。有機層を合わせてイオン交換水で洗浄し、得られた有機層を濃縮した。濃縮液をtert−ブチルメチルエーテル100部添加撹拌後ろ過し、減圧乾燥することにより白色結晶として1−(3,3−ジメチル−2−オキソブチル)テトラヒドロチオフェニウム 1−アダマンチルメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホナート(C5)を4.93部得た。 (2) Acid generator C1 acid generator synthesis example (acid generator synthesis example 9) (2) of difluorosulfoacetate-1-adamantylmethyl ester sodium salt obtained in 5.0 parts was charged with ion-exchanged water. Dissolved in 50 parts. To this solution, 3.86 parts of 1- (3,3-dimethyl-2-oxobutyl) tetrahydrothiophenium bromide obtained in (1) above and 19.3 parts of ion-exchanged water were added, and 50 parts of acetonitrile were added. Was added to obtain a completely dissolved system. After stirring for 15 hours, the mixture was concentrated and extracted twice with 100 parts of chloroform. The organic layers were combined and washed with ion exchange water, and the resulting organic layer was concentrated. 1- (3,3-Dimethyl-2-oxobutyl) tetrahydrothiophenium 1-adamantylmethoxycarbonyldifluoromethanesulfonate as white crystals is obtained by adding 100 parts of tert-butyl methyl ether, stirring, filtering and drying under reduced pressure. 4.93 parts of (C5) were obtained.

Figure 2008165218
Figure 2008165218

1H−NMR(ジメチルスルホキシド−d6、内部標準物質テトラメチルシラン):δ(ppm)1.15(s,9H)1.52(d,6H);1.63(dd,6H);1.93(s,3H);2.01−2.30(m,4H);3.28−3.56(m,4H);3.82(s,2H);4.85(s,2H)
MS(ESI(+)Spectrum):M+ 187.2(C1019OS+=187.12)
MS(ESI(−)Spectrum):M− 323.0(C131725-=323.08)
1 H-NMR (dimethylsulfoxide-d 6 , internal standard substance tetramethylsilane): δ (ppm) 1.15 (s, 9H) 1.52 (d, 6H); 1.63 (dd, 6H); 1 .93 (s, 3H); 2.01-2.30 (m, 4H); 3.28-3.56 (m, 4H); 3.82 (s, 2H); 4.85 (s, 2H) )
MS (ESI (+) Spectrum): M + 187.2 (C 10 H 19 OS + = 187.12)
MS (ESI (−) Spectrum): M− 323.0 (C 13 H 17 F 2 O 5 S = 323.08)

樹脂合成例1:樹脂A1の合成
メタクリル酸2−エチル−2−アダマンチル、メタクリル酸3−ヒドロキシ−1−アダマンチル、及びα−メタクリロイロキシ−γ−ブチロラクトンを、5:2.5:2.5のモル比で仕込み、全モノマーに対して2重量倍のメチルイソブチルケトンを加えて、溶液とした。そこに、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルを全モノマー量に対して2モル%添加し、80℃で約8時間加熱した。その後、反応液を大量のヘプタンに注いで沈殿させる操作を3回行い、精製した。その結果、重量平均分子量が約9200の共重合体を得た。この共重合体は、次式で表される各単位を有するものであり、これを樹脂A1とする。
Resin Synthesis Example 1: Synthesis of Resin A1 2-ethyl-2-adamantyl methacrylate, 3-hydroxy-1-adamantyl methacrylate, and α-methacryloyloxy-γ-butyrolactone were mixed with 5: 2.5: 2.5. The methyl isobutyl ketone was added 2 times by weight with respect to the total monomer to prepare a solution. Thereto, 2 mol% of azobisisobutyronitrile as an initiator was added with respect to the total amount of monomers and heated at 80 ° C. for about 8 hours. Thereafter, the operation of pouring the reaction solution into a large amount of heptane and precipitating was performed three times for purification. As a result, a copolymer having a weight average molecular weight of about 9200 was obtained. This copolymer has each unit represented by the following formula, and this is designated as resin A1.

Figure 2008165218
Figure 2008165218

樹脂合成例2:樹脂A2の合成
メタクリル酸2−エチル−2−アダマンチル、メタクリル酸3−ヒドロキシ−1−アダマンチル、5−メタクリロイルオキシ−2,6−ノルボルネンラクトンをモル比50:25:25(3.41g:6.38g:6.00g)で仕込み、そこに1,4−ジオキサンを全モノマーの1.28重量倍(32.86g)加え、溶液とした。更に開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルを全モノマーの3モル%(0.532g)加え、溶液とした。別途、1,4−ジオキサンを全モノマーの0.72重量倍(18.72g)を仕込み、その後、88℃に昇温し、そこに、上記モノマー溶液を88℃、2時間で仕込み、同温度で5時間攪拌した。反応マスを冷却後、これを大量のメタノールと水の混合溶媒へ注ぎ、得られた沈殿物を大量のメタノールで洗浄する作業を3回行い精製し、乾燥したところ、平均分子量約8500の下記の共重合体16.3g(収率63.0%)を得た。これを樹脂A2とする。
Resin Synthesis Example 2: Synthesis of Resin A2 A molar ratio of 2-ethyl-2-adamantyl methacrylate, 3-hydroxy-1-adamantyl methacrylate and 5-methacryloyloxy-2,6-norbornenelactone was 50:25:25 (3 .41 g: 6.38 g: 6.00 g), and 1,4-dioxane was added to the solution in an amount of 1.28 times the total monomers (32.86 g) to obtain a solution. Further, 3 mol% (0.532 g) of azobisisobutyronitrile as an initiator was added to make a solution. Separately, 1,2-dioxane was added in an amount of 0.72 times (18.72 g) of the total monomers, and then the temperature was raised to 88 ° C., and the monomer solution was charged therein at 88 ° C. for 2 hours. For 5 hours. After cooling the reaction mass, it was poured into a mixed solvent of a large amount of methanol and water, and the resulting precipitate was washed three times with a large amount of methanol, purified and dried. 16.3 g (yield 63.0%) of copolymer was obtained. This is called Resin A2.

Figure 2008165218
Figure 2008165218

樹脂合成例3:樹脂A3の合成
メタクリル酸2−エチル−2−アダマンチル、メタクリル酸1−エチルシクロヘキシル、メタクリル酸3−ヒドロキシ−1−アダマンチル、5−メタクリロイルオキシ−2,6−ノルボルネンラクトン、α−メタクリロイロキシ−γ−ブチロラクトンをモル比25:20:5:20:30(23.00g:14.54g:4.38g:16.46g:18.91g)で仕込み、そこに1,4−ジオキサンを全モノマーの1.3重量倍(100.47g)加え、溶液とした。更に開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルを全モノマーの2.5モル%(1.52g)加え、溶液とした。別途、1,4−ジオキサンを全モノマーの1.3重量倍(100.47g)を仕込み、その後、87℃に昇温し、そこに、上記モノマー溶液を87℃、2時間で仕込み、同温度で6時間攪拌した。反応マスを冷却後、大量のメタノールで沈澱させる作業を3回行い精製し、乾燥したところ、平均分子量約9100の下記の共重合体55.5g(収率71.8%)を得た。これを樹脂A3とする。
Resin Synthesis Example 3: Synthesis of Resin A3 2-ethyl-2-adamantyl methacrylate, 1-ethylcyclohexyl methacrylate, 3-hydroxy-1-adamantyl methacrylate, 5-methacryloyloxy-2,6-norbornenelactone, α- Methacryloyloxy-γ-butyrolactone was charged at a molar ratio of 25: 20: 5: 20: 30 (23.00 g: 14.54 g: 4.38 g: 16.46 g: 18.91 g), and 1,4-dioxane was added thereto. Was added 1.3 weight times (100.47 g) of the total monomer to prepare a solution. Furthermore, 2.5 mol% (1.52 g) of azobisisobutyronitrile as an initiator was added to make a solution. Separately, 1.3 weight times (100.47 g) of 1,4-dioxane is added to the total monomers, and then the temperature is raised to 87 ° C., and the monomer solution is added thereto at 87 ° C. for 2 hours at the same temperature. For 6 hours. After the reaction mass was cooled, the reaction was precipitated three times with a large amount of methanol, purified and dried to obtain 55.5 g (yield 71.8%) of the following copolymer having an average molecular weight of about 9100. This is designated as resin A3.

Figure 2008165218
Figure 2008165218

実施例1〜14、比較例1〜7
以下の各成分を混合して溶解し、さらに孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルターで濾過して、レジスト液を調製した。
Examples 1-14, Comparative Examples 1-7
The following components were mixed and dissolved, and further filtered through a fluororesin filter having a pore size of 0.2 μm to prepare a resist solution.

<酸発生剤>
B1:トリフェニルスルホニウム 4−オキソ−1−アダマンチルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホナート
<Acid generator>
B1: Triphenylsulfonium 4-oxo-1-adamantyloxycarbonyldifluoromethanesulfonate

Figure 2008165218
Figure 2008165218

B2:トリフェニルスルホニウム 1−((3−ヒドロキシアダマンチル)メトキシカルボニル)ジフルオロメタンスルホナート B2: Triphenylsulfonium 1-((3-hydroxyadamantyl) methoxycarbonyl) difluoromethanesulfonate

Figure 2008165218
Figure 2008165218

B3:トリフェニルスルホニウム 1−(ヘキサヒドロ−2−オキソ−3,5−メタノ−2H−シクロペンタ〔b〕フラン−6−イルオキシカルボニル)ジフルオロメタンスルホナート B3: Triphenylsulfonium 1- (hexahydro-2-oxo-3,5-methano-2H-cyclopenta [b] furan-6-yloxycarbonyl) difluoromethanesulfonate

Figure 2008165218
Figure 2008165218

B4:メチルジフェニルスルホニウム 4−オキソ−1−アダマンチルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホナート B4: Methyldiphenylsulfonium 4-oxo-1-adamantyloxycarbonyldifluoromethanesulfonate

Figure 2008165218
Figure 2008165218

B5:(オキシジ−4,1−フェニレン)ビスジフェニルスルホニウム ビス(4−オキソ−1−アダマンチルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホナート) B5: (Oxydi-4,1-phenylene) bisdiphenylsulfonium bis (4-oxo-1-adamantyloxycarbonyldifluoromethanesulfonate)

Figure 2008165218
Figure 2008165218

B6:ジフェニルヨードニウム 4−オキソ−1−アダマンチルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホナート B6: Diphenyliodonium 4-oxo-1-adamantyloxycarbonyldifluoromethanesulfonate

Figure 2008165218
Figure 2008165218

B7:ジメチルフェニルスルホニウム 1−アダマンチルメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホナート B7: Dimethylphenylsulfonium 1-adamantylmethoxycarbonyldifluoromethanesulfonate

Figure 2008165218
Figure 2008165218

B8:トリフェニルスルホニウム 1−アダマンチルメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホナート B8: Triphenylsulfonium 1-adamantylmethoxycarbonyldifluoromethanesulfonate

Figure 2008165218
Figure 2008165218

C1:1−(2−オキソ−2−フェニルエチル)テトラヒドロチオフェニウム 1−アダマンチルメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホナート C1: 1- (2-oxo-2-phenylethyl) tetrahydrothiophenium 1-adamantylmethoxycarbonyldifluoromethanesulfonate

Figure 2008165218
Figure 2008165218

C2:1−(2−オキソ−2−フェニルエチル)テトラヒドロチオフェニウム 4−オキソ−1−アダマンチルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホナート C2: 1- (2-oxo-2-phenylethyl) tetrahydrothiophenium 4-oxo-1-adamantyloxycarbonyldifluoromethanesulfonate

Figure 2008165218
Figure 2008165218

C3:1−(2−オキソ−2−フェニルエチル)テトラヒドロチオフェニウム 1−((3−ヒドロキシアダマンチル)メトキシカルボニル)ジフルオロメタンスルホナート C3: 1- (2-oxo-2-phenylethyl) tetrahydrothiophenium 1-((3-hydroxyadamantyl) methoxycarbonyl) difluoromethanesulfonate

Figure 2008165218
Figure 2008165218

C4:1−(2−オキソ−2−(4’−メトキシフェニルエチル))テトラヒドロチオフェニウム 1−アダマンチルメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホナート C4: 1- (2-oxo-2- (4'-methoxyphenylethyl)) tetrahydrothiophenium 1-adamantylmethoxycarbonyldifluoromethanesulfonate

Figure 2008165218
Figure 2008165218

C5:1−(3,3−ジメチル−2−オキソブチル)テトラヒドロチオフェニウム 1−アダマンチルメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホナート C5: 1- (3,3-dimethyl-2-oxobutyl) tetrahydrothiophenium 1-adamantylmethoxycarbonyldifluoromethanesulfonate

Figure 2008165218
Figure 2008165218

<樹脂>
種類は、表1に記載:計10部
<クエンチャー>
Q1:2、6−ジイソプロピルアニリン
<溶剤組成>
Y1:
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート 145部
2−ヘプタノン 20.0部
プロピレングリコールモノメチルエーテル 20.0部
γ−ブチロラクトン 3.5部
<Resin>
Types are listed in Table 1: 10 copies in total <quencher>
Q1: 2,6-diisopropylaniline <solvent composition>
Y1:
Propylene glycol monomethyl ether acetate 145 parts 2-heptanone 20.0 parts Propylene glycol monomethyl ether 20.0 parts γ-butyrolactone 3.5 parts

シリコンウェハーに有機反射防止膜用組成物(ARC−29A;日産化学工業(株)製)を塗布して205℃、60秒の条件でベークすることによって、厚さ780Åの有機反射防止膜を形成させた。次いでこの上に、表1に記載のレジスト液を乾燥後の膜厚が0.15μmとなるようにスピンコートした。レジスト液塗布後は、ダイレクトホットプレート上にて、表1の「PB」の欄に示す温度で60秒間プリベークした。こうしてレジスト膜を形成したそれぞれのウェハーに、ArFエキシマステッパー〔FPA5000-AS3;(株)キヤノン製;NA=0.75 2/3Annular〕を用いて、露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターンを露光した。
露光後は、ホットプレート上にて、表1の「PEB」の欄に示す温度で60秒間ポストエキスポジャーベークを行った。続いて、2.38重量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で現像を行った。
有機反射防止膜基板上のもので、現像後のダークフィールドパターンを走査型電子顕微鏡で観察し、その結果を表2に示した。なお、ここでいうダークフィールドパターンとは、外側にクロム層(遮光層)をベースとしてライン状にガラス面(透光部)が形成されたレチクルを介した露光及び現像によって得られ、したがって露光現像後は、ラインアンドスペースパターンの周囲のレジスト層が残されるパターンである。
An organic antireflection film having a thickness of 780 mm is formed by applying a composition for organic antireflection film (ARC-29A; manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.) to a silicon wafer and baking it at 205 ° C. for 60 seconds. I let you. Next, the resist solution described in Table 1 was spin-coated thereon so that the film thickness after drying was 0.15 μm. After applying the resist solution, pre-baking was performed on a direct hot plate at a temperature indicated in the column “PB” in Table 1 for 60 seconds. Using each ArF excimer stepper (FPA5000-AS3; manufactured by Canon Inc .; NA = 0.75 2 / 3Annular), the amount of exposure is changed stepwise on each wafer on which a resist film has been formed. Exposed.
After the exposure, post-exposure baking was performed for 60 seconds on the hot plate at the temperature shown in the column of “PEB” in Table 1. Subsequently, development was performed with a 2.38 wt% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution.
The dark field pattern after development was observed with a scanning electron microscope on the organic antireflection film substrate, and the results are shown in Table 2. The dark field pattern referred to here is obtained by exposure and development through a reticle having a glass surface (translucent portion) formed in a line form on the outside with a chromium layer (light-shielding layer) as a base, and thus exposure development. The rest is a pattern in which the resist layer around the line and space pattern is left.

実効感度:100nmのラインアンドスペースパターンが1:1となる露光量で表示した。
ラインエッジラフネス評価:リソグラフィプロセス後のレジストパターンの壁面を走査型電子顕微鏡で観察し、比較例1を基準(△で表記)とし、これよりも滑らかになっているものを○、変化の無いものを△、悪化しているものを×として判断した。
Effective sensitivity: The exposure was such that a 100 nm line and space pattern was 1: 1.
Line edge roughness evaluation: The surface of the resist pattern after the lithography process was observed with a scanning electron microscope, and Comparative Example 1 was used as a reference (indicated by Δ). Was judged as Δ, and the worsening was judged as ×.

〔表1〕
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例 No. 樹脂 酸発生剤 クエンチャー PB/PEB
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実施例1 A1/10部 B1/0.30部 C1/0.60部 Q1/0.060部 115℃/115℃
実施例2 A1/10部 B1/0.40部 C1/0.30部 Q1/0.060部 115℃/115℃
実施例3 A1/10部 B1/0.40部 C2/0.30部 Q1/0.060部 115℃/115℃
実施例4 A2/10部 B1/0.40部 C1/0.30部 Q1/0.060部 130℃/125℃
実施例5 A1/10部 B8/0.40部 C1/0.30部 Q1/0.070部 115℃/115℃
実施例6 A1/10部 B3/0.40部 C1/0.30部 Q1/0.070部 115℃/115℃
実施例7 A1/10部 B5/0.60部 C1/0.30部 Q1/0.050部 115℃/115℃
実施例8 A1/10部 B7/0.40部 C1/0.30部 Q1/0.050部 115℃/115℃
実施例9 A1/10部 B1/0.40部 C4/0.30部 Q1/0.060部 115℃/115℃
実施例10 A3/10部 B1/0.40部 C1/0.30部 Q1/0.060部 115℃/105℃
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
比較例1 A1/10部 B1/0.50部 Q1/0.060部 115℃/115℃
比較例2 A1/10部 C1/1.50部 Q1/0.060部 115℃/115℃
比較例3 A2/10部 B1/0.50部 Q1/0.055部 130℃/125℃
比較例4 A2/10部 C1/1.20部 Q1/0.055部 130℃/125℃
比較例5 A1/10部 C4/1.50部 Q1/0.060部 115℃/115℃
比較例6 A3/10部 B1/0.50部 Q1/0.060部 115℃/105℃
比較例7 A2/10部 C2/0.50部 Q1/0.060部 120℃/120℃
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
[Table 1]
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
Example No. Resin Acid generator Quencher PB / PEB
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
Example 1 A1 / 10 part B1 / 0.30 part C1 / 0.60 part Q1 / 0.060 part 115 ° C / 115 ° C
Example 2 A1 / 10 part B1 / 0.40 part C1 / 0.30 part Q1 / 0.060 part 115 ° C / 115 ° C
Example 3 A1 / 10 part B1 / 0.40 part C2 / 0.30 part Q1 / 0.060 part 115 ° C / 115 ° C
Example 4 A2 / 10 part B1 / 0.40 part C1 / 0.30 part Q1 / 0.060 part 130 ° C / 125 ° C
Example 5 A1 / 10 part B8 / 0.40 part C1 / 0.30 part Q1 / 0.070 part 115 ° C / 115 ° C
Example 6 A1 / 10 part B3 / 0.40 part C1 / 0.30 part Q1 / 0.070 part 115 ° C / 115 ° C
Example 7 A1 / 10 part B5 / 0.60 part C1 / 0.30 part Q1 / 0.050 part 115 ° C / 115 ° C
Example 8 A1 / 10 part B7 / 0.40 part C1 / 0.30 part Q1 / 0.050 part 115 ° C / 115 ° C
Example 9 A1 / 10 part B1 / 0.40 part C4 / 0.30 part Q1 / 0.060 part 115 ° C / 115 ° C
Example 10 A3 / 10 part B1 / 0.40 part C1 / 0.30 part Q1 / 0.060 part 115 ° C / 105 ° C
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
Comparative Example 1 A1 / 10 part B1 / 0.50 part Q1 / 0.060 part 115 ℃ / 115 ℃
Comparative Example 2 A1 / 10 part C1 / 1.50 part Q1 / 0.060 part 115 ° C / 115 ° C
Comparative Example 3 A2 / 10 part B1 / 0.50 part Q1 / 0.055 part 130 ° C / 125 ° C
Comparative Example 4 A2 / 10 part C1 / 1.20 part Q1 / 0.055 part 130 ° C / 125 ° C
Comparative Example 5 A1 / 10 part C4 / 1.50 part Q1 / 0.060 part 115 ° C / 115 ° C
Comparative Example 6 A3 / 10 part B1 / 0.50 part Q1 / 0.060 part 115 ° C / 105 ° C
Comparative Example 7 A2 / 10 part C2 / 0.50 part Q1 / 0.060 part 120 ° C / 120 ° C
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━

〔表2〕
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
例 No. 実効感度 解像度 パターン壁面の
(mJ/cm2) (nm) 平滑性
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
実施例1 29 90 ○
実施例2 29 90 ○
実施例3 31 90 ○
実施例4 24 90 ○
実施例5 33 90 ○
実施例6 37 90 ○
実施例7 33 90 ○
実施例8 28 90 ○
実施例9 33 90 ○
実施例10 30 90 ○
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
比較例1 30 90 △
比較例2 34 95 ○
比較例3 24 90 ×
比較例4 29 95 △
比較例5 40 95 ○
比較例6 32 90 ×
比較例7 38 95 ×
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
[Table 2]
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
Example No. Effective sensitivity Resolution Pattern wall surface
(mJ / cm 2 ) (nm) Smoothness ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
Example 1 29 90 ○
Example 2 29 90 ○
Example 3 31 90 ○
Example 4 24 90 ○
Example 5 33 90 ○
Example 6 37 90 ○
Example 7 33 90 ○
Example 8 28 90 ○
Example 9 33 90 ○
Example 10 30 90 ○
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
Comparative Example 1 30 90 △
Comparative Example 2 34 95 ○
Comparative Example 3 24 90 ×
Comparative Example 4 29 95 △
Comparative Example 5 40 95 ○
Comparative Example 6 32 90 ×
Comparative Example 7 38 95 ×
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━

本発明の化学増幅型レジスト組成物は、優れた解像度、かつ優れたラインエッジラフネスを与えるため、ArFやKrFなどのエキシマレーザーリソグラフィならびにArF液浸露光リソグラフィに好適な化学増幅型レジスト組成として用いることができ、特にポジ型の化学増幅型レジスト組成物として好適である。   Since the chemically amplified resist composition of the present invention gives excellent resolution and excellent line edge roughness, it should be used as a chemically amplified resist composition suitable for excimer laser lithography such as ArF and KrF and ArF immersion exposure lithography. In particular, it is suitable as a positive chemically amplified resist composition.

Claims (13)

式(I)で表されるオニウム塩と、式(II)で表されるスルホニウム塩とを含有する酸発生剤、並びに、酸に不安定な基を持つ重合単位を有し、それ自身はアルカリに不溶又は難溶であるが、酸の作用でアルカリに可溶となる樹脂を含有することを特徴とする化学増幅型レジスト組成物。
Figure 2008165218
[式(I)中、R21は、直鎖状又は分枝状の炭素数1〜20の置換されていてもよい炭化水素基、あるいは炭素数3〜30の置換されていてもよい環状炭化水素基を表す。ただし、該炭化水素基及び該環状炭化水素基に含まれる炭素原子は、任意に、カルボニル基、酸素原子に置換されていてもよい。
及びQは、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基を表す。
は、式(Ia)、式(Ib)及び式(Ic)で表されるカチオンからなる群から選ばれる少なくとも1種のカチオンを表す。
Figure 2008165218
[式(Ia)中、P〜Pは、それぞれ独立に、直鎖状、分岐状又は環状の炭素数1〜30の炭化水素基を表す。P〜Pが直鎖状又は分岐状の炭化水素基である場合には、水酸基、炭素数1〜12のアルコキシ基又は炭素数3〜12の環状炭化水素基の一つ以上を置換基として含んでいてもよく、P〜Pが環状炭化水素基である場合には、水酸基、炭素数1〜12の炭化水素基又は炭素数1〜12のアルコキシ基の一つ以上を置換基として含んでいてもよい。該炭化水素基及び該アルコキシ基は、直鎖状でも分岐状であってもよい。
式(Ib)中、P及びPは、それぞれ独立に、水素原子、水酸基、炭素数1〜12の炭化水素基又は炭素数1〜12のアルコキシ基を表し、該炭化水素基及び該アルコキシ基は、直鎖状でも分岐状であってもよい。
式(Ic)中、P10〜P21は、それぞれ独立に、水素原子、水酸基、炭素数1〜12の炭化水素基又は炭素数1〜12のアルコキシ基を表し、該炭化水素基及び該アルコキシ基は、直鎖状でも分岐状であってもよい。
Bは、硫黄原子又は酸素原子を表す。
mは、0又は1を表す。]
Figure 2008165218
[式(II)中、R22は、直鎖状又は分枝状の炭素数1〜20の置換されていてもよい炭化水素基、あるいは炭素数3〜30の置換されていてもよい環状炭化水素基を表す。ただし、該炭化水素基及び該環状炭化水素基に含まれる炭素原子は、任意に、カルボニル基、酸素原子に置換されていてもよい。
及びQは、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基を表す。
は、式(II’)で示されるカチオンを表す。
Figure 2008165218
[式(II’)中、P及びPは、それぞれ独立に、直鎖状、分岐状又は環状の炭素数1〜12の炭化水素基を表す。又はPとPとが結合して炭素数3〜12の2価の炭化水素基を表す。
は、水素原子を表す。
は、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数3〜12のシクロアルキル基もしくは置換されていてもよい芳香環基を表すか、又はPとPが結合して炭素数3〜12の2価の炭化水素基を表す。ここで、2価の炭化水素基に含まれる炭素原子は、任意に、カルボニル基、酸素原子、硫黄原子に置換されていてもよい。]
An acid generator containing an onium salt represented by the formula (I) and a sulfonium salt represented by the formula (II), and a polymerized unit having an acid labile group, A chemically amplified resist composition comprising a resin that is insoluble or hardly soluble in water but becomes soluble in alkali by the action of an acid.
Figure 2008165218
[In the formula (I), R 21 represents a linear or branched hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms which may be substituted, or a cyclic carbon atom having 3 to 30 carbon atoms which may be substituted. Represents a hydrogen group. However, the carbon atom contained in the hydrocarbon group and the cyclic hydrocarbon group may be optionally substituted with a carbonyl group or an oxygen atom.
Q 1 and Q 2 each independently represents a fluorine atom or a C 1-6 perfluoroalkyl group.
A + represents at least one cation selected from the group consisting of cations represented by formula (Ia), formula (Ib) and formula (Ic).
Figure 2008165218
[In Formula (Ia), P 1 to P 3 each independently represents a linear, branched or cyclic hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms. P 1 if to P 3 is a linear or branched hydrocarbon group, a hydroxyl group, one or more of the substituents of the cyclic hydrocarbon group having 3 to 12 alkoxy group or a carbon number of 1 to 12 carbon atoms In the case where P 1 to P 3 are cyclic hydrocarbon groups, one or more of a hydroxyl group, a hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, or an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms may be substituted. May be included. The hydrocarbon group and the alkoxy group may be linear or branched.
In formula (Ib), P 4 and P 5 each independently represent a hydrogen atom, a hydroxyl group, a hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, or an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, and the hydrocarbon group and the alkoxy group The group may be linear or branched.
In formula (Ic), P 10 to P 21 each independently represent a hydrogen atom, a hydroxyl group, a hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, or an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, and the hydrocarbon group and the alkoxy group The group may be linear or branched.
B represents a sulfur atom or an oxygen atom.
m represents 0 or 1. ]
Figure 2008165218
[In the formula (II), R 22 represents a linear or branched hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms which may be substituted, or a cyclic carbon atom having 3 to 30 carbon atoms which may be substituted. Represents a hydrogen group. However, the carbon atom contained in the hydrocarbon group and the cyclic hydrocarbon group may be optionally substituted with a carbonyl group or an oxygen atom.
Q 3 and Q 4 each independently represent a fluorine atom or a C 1-6 perfluoroalkyl group.
D + represents a cation represented by the formula (II ′).
Figure 2008165218
[In Formula (II ′), P 6 and P 7 each independently represent a linear, branched or cyclic hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms. Or P 6 and P 7 are bonded represent a divalent hydrocarbon group having 3 to 12 carbon atoms.
P 8 represents a hydrogen atom.
P 9 represents an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 12 carbon atoms, or an optionally substituted aromatic ring group, or P 8 and P 9 are bonded to form 3 to 3 carbon atoms. 12 divalent hydrocarbon groups are represented. Here, the carbon atom contained in the divalent hydrocarbon group may be optionally substituted with a carbonyl group, an oxygen atom, or a sulfur atom. ]
〜Qが、それぞれ独立に、フッ素原子又はトリフルオロメチル基である請求項1記載の化学増幅型レジスト組成物。 2. The chemically amplified resist composition according to claim 1, wherein Q 1 to Q 4 are each independently a fluorine atom or a trifluoromethyl group. 〜Qが、フッ素原子である請求項1又は2記載の化学増幅型レジスト組成物。 The chemically amplified resist composition according to claim 1, wherein Q 1 to Q 4 are fluorine atoms. 式(I)におけるAが、式(Id)、式(Ie)又は式(If)のいずれかで表されるカチオンである請求項1〜3のいずれか記載の化学増幅型レジスト組成物。
Figure 2008165218
[式(Id)〜(If)中、P28〜P30は、それぞれ独立に、直鎖状又は分岐状の炭素数1〜20の炭化水素基を表すか、直鎖状又は分岐状の炭素数1〜12のアルコキシ基を表すか又はフェニル基以外の炭素数3〜30の環式炭化水素基を表す。
28〜P30が炭化水素基である場合には、水酸基、炭素数1〜12のアルコキシ基又は炭素数3〜12の環状炭化水素基の一つ以上を置換基として含んでいてもよく、P28〜P30が環状炭化水素基の場合には、水酸基、炭素数1〜12の炭化水素基又は炭素数1〜12のアルコキシ基の一つ以上を置換基として含んでいてもよい。
31〜P36は、それぞれ独立に、水酸基、炭素数1〜12の炭化水素基、炭素数1〜12のアルコキシ基又は炭素数3〜12の環状炭化水素基を表す。
l、k、j、i、h及びgは、それぞれ独立に、0〜5の整数を表す。]
The chemically amplified resist composition according to any one of claims 1 to 3, wherein A + in formula (I) is a cation represented by any of formula (Id), formula (Ie), or formula (If).
Figure 2008165218
[In formulas (Id) to (If), P 28 to P 30 each independently represents a linear or branched hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, or a linear or branched carbon group. A C1-C12 cyclic hydrocarbon group other than a phenyl group is represented.
If P 28 to P 30 is a hydrocarbon group, a hydroxyl group may comprise as one or more substituents of the cyclic hydrocarbon group having 3 to 12 alkoxy group or a carbon number of 1 to 12 carbon atoms, If P 28 to P 30 is a cyclic hydrocarbon group, a hydroxyl group, it may be included as one or more of the substituents of the hydrocarbon group or an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms having 1 to 12 carbon atoms.
P 31 to P 36 each independently represent a hydroxyl group, a hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, or a cyclic hydrocarbon group having 3 to 12 carbon atoms.
l, k, j, i, h and g each independently represent an integer of 0 to 5; ]
式(I)におけるAが、式(Ig)で表されるカチオンである請求項1〜4のいずれか記載の化学増幅型レジスト組成物。
Figure 2008165218
[式(Ig)中、P41〜P43は、それぞれ独立に、水素原子、水酸基、炭素数1〜12の炭化水素基又は炭素数1〜12のアルコキシ基を表し、該炭化水素基及び該アルコキシ基は、直鎖でも分岐していてもよい。]
The chemically amplified resist composition according to claim 1, wherein A + in formula (I) is a cation represented by formula (Ig).
Figure 2008165218
[In the formula (Ig), P 41 to P 43 each independently represents a hydrogen atom, a hydroxyl group, a hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, or an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, The alkoxy group may be linear or branched. ]
式(I)におけるAが、式(Ih)で表されるカチオンである請求項1〜5のいずれか記載の化学増幅型レジスト組成物。
Figure 2008165218
[式(Ih)中、P22〜P24は、互いに独立に、水素原子、直鎖状又は分岐状の炭素数1〜4の炭化水素基を表す。]
The chemically amplified resist composition according to claim 1, wherein A + in formula (I) is a cation represented by formula (Ih).
Figure 2008165218
[In Formula (Ih), P 22 to P 24 each independently represent a hydrogen atom or a linear or branched hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms. ]
式(I)で表されるオニウム塩が、式(Ii)、式(Ij)又は式(Ik)で表されるオニウム塩である請求項1〜6のいずれか記載の化学増幅型レジスト組成物。
Figure 2008165218
[式(Ii)、式(Ij)及び式(Ik)中、Q及びQは、式(I)と同じ意味を表す。
22〜P24は、式(Ih)と同じ意味を表す。
環Xは、単環式又は多環式の炭素数3〜30の炭化水素基を表す。ただし、前記の炭化水素基の炭素原子は、カルボニル基で置換されていてもよい。
また、環Xは、炭素数1〜6の炭化水素基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数1〜4のペルフルオロアルキル基、炭素数1〜6のヒドロキシアルキル基、水酸基又はシアノ基を置換基として含んでいてもよい。
は、単結合又は[CHk−を表す。
kは、1〜4の整数を表す。]
The chemically amplified resist composition according to any one of claims 1 to 6, wherein the onium salt represented by the formula (I) is an onium salt represented by the formula (Ii), the formula (Ij) or the formula (Ik). .
Figure 2008165218
[In formula (Ii), formula (Ij) and formula (Ik), Q 1 and Q 2 represent the same meaning as in formula (I).
P 22 to P 24 represent the same meaning as in formula (Ih).
Ring X represents a monocyclic or polycyclic hydrocarbon group having 3 to 30 carbon atoms. However, the carbon atom of the hydrocarbon group may be substituted with a carbonyl group.
Ring X is a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, a perfluoroalkyl group having 1 to 4 carbon atoms, a hydroxyalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a hydroxyl group, or a cyano group. It may be included as a substituent.
Z 1 represents a single bond or [CH 2 ] k —.
k represents an integer of 1 to 4. ]
式(I)で表されるオニウム塩が、式(Il)、式(Im)又は式(In)で表されるオニウム塩である請求項1〜7のいずれか記載の化学増幅型レジスト組成物。
Figure 2008165218
[式(Il)、式(Im)及び式(In)中、Q及びQは、式(I)におけるものと同じ意味を表す。
22〜P24は、式(Ih)と同じ意味を表す。]
The chemically amplified resist composition according to claim 1, wherein the onium salt represented by formula (I) is an onium salt represented by formula (Il), formula (Im), or formula (In). .
Figure 2008165218
[In Formula (Il), Formula (Im), and Formula (In), Q 1 and Q 2 represent the same meaning as in Formula (I).
P 22 to P 24 represent the same meaning as in formula (Ih). ]
式(II)で表されるスルホニウム塩が、式(IIa)、(IIb)又は(IIc)で表されるスルホニウム塩である請求項1〜8のいずれか記載の化学増幅型レジスト組成物。
Figure 2008165218
[式(IIa)、(IIb)及び(IIc)中、P〜P、Q及びQは、式(II)及び式(II’)におけるものと同じ意味を表す。
環Xは、炭素数1〜6の炭化水素基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数1〜4のペルフルオロアルキル基、炭素数1〜6のヒドロキシアルキル基、水酸基又はシアノ基を置換基として含んでいてもよい。
は、単結合又は[CHk−基を表す。
kは、1〜4の整数を表す。]
The chemically amplified resist composition according to any one of claims 1 to 8, wherein the sulfonium salt represented by the formula (II) is a sulfonium salt represented by the formula (IIa), (IIb) or (IIc).
Figure 2008165218
[In formulas (IIa), (IIb) and (IIc), P 6 to P 9 , Q 3 and Q 4 represent the same meanings as in formulas (II) and (II ′).
Ring X is a substituent of a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, a perfluoroalkyl group having 1 to 4 carbon atoms, a hydroxyalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a hydroxyl group, or a cyano group. May be included.
Z 2 represents a single bond or a [CH 2 ] k -group.
k represents an integer of 1 to 4. ]
式(II)で表されるスルホニウム塩が、式(IId)、式(IIe)又は式(IIf)で表されるスルホニウム塩である請求項1〜9のいずれか記載の化学増幅型レジスト組成物。
Figure 2008165218
[式(IId)、(IIe)及び(IIf)中、P〜P、Q及びQは、式(II)及び式(II’)におけるものと同じ意味を表す。]
The chemically amplified resist composition according to any one of claims 1 to 9, wherein the sulfonium salt represented by the formula (II) is a sulfonium salt represented by the formula (IId), the formula (IIe) or the formula (IIf). .
Figure 2008165218
[In formulas (IId), (IIe) and (IIf), P 6 to P 9 , Q 3 and Q 4 represent the same meanings as in formulas (II) and (II ′). ]
酸発生剤が、式(I)で表されるオニウム塩と、式(II)で表されるスルホニウム塩とを、9:1〜1:9の重量割合で含有する酸発生剤である請求項1〜10のいずれか記載の化学増幅型レジスト組成物。   The acid generator is an acid generator containing an onium salt represented by the formula (I) and a sulfonium salt represented by the formula (II) in a weight ratio of 9: 1 to 1: 9. The chemically amplified resist composition according to any one of 1 to 10. 樹脂が嵩高い基及び酸に不安定な基を有するモノマーに由来する構造単位を含む樹脂である請求項1〜11のいずれか記載の化学増幅型レジスト組成物。   The chemically amplified resist composition according to claim 1, wherein the resin is a resin containing a structural unit derived from a monomer having a bulky group and an acid-labile group. さらに塩基性化合物を含有する請求項1〜12のいずれか記載の化学増幅型レジスト組成物。   The chemically amplified resist composition according to any one of claims 1 to 12, further comprising a basic compound.
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Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009244352A (en) * 2008-03-28 2009-10-22 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Resist composition and resist pattern forming method
JP2010256874A (en) * 2009-03-31 2010-11-11 Sumitomo Chemical Co Ltd Chemically amplified photoresist composition
JP2010286831A (en) * 2009-05-15 2010-12-24 Fujifilm Corp Negative pattern formation method, composition used in the same and resist film
JP2011026300A (en) * 2009-06-23 2011-02-10 Sumitomo Chemical Co Ltd Salt for acid generator of resist composition
JP2011028231A (en) * 2009-06-24 2011-02-10 Sumitomo Chemical Co Ltd Chemically amplified photoresist composition and method of manufacturing resist pattern
JP2011037839A (en) * 2009-07-17 2011-02-24 Sumitomo Chemical Co Ltd Salt and resist composition
KR20110025105A (en) * 2009-09-01 2011-03-09 후지필름 가부시키가이샤 Active ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition and pattern forming method using the same
JP2011126872A (en) * 2009-11-18 2011-06-30 Sumitomo Chemical Co Ltd Salt for acid generator and resist composition
JP2011126871A (en) * 2009-11-18 2011-06-30 Sumitomo Chemical Co Ltd Salt for acid generator and resist composition
JP2011138060A (en) * 2009-12-29 2011-07-14 Sumitomo Chemical Co Ltd Resist composition and pattern forming method
WO2011118490A1 (en) * 2010-03-25 2011-09-29 Jsr株式会社 Radiation-sensitive resin composition
JP2011246444A (en) * 2010-04-28 2011-12-08 Sumitomo Chemical Co Ltd Salt and resist composition
US8318404B2 (en) 2009-06-12 2012-11-27 Sumitomo Chemical Company, Limited Salt and photoresist composition containing the same
JP2015521160A (en) * 2012-04-19 2015-07-27 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se Sulfonium compounds, their production and use
US9221785B2 (en) 2009-06-12 2015-12-29 Sumitomo Chemical Company, Limited Salt and photoresist composition containing the same
KR101771390B1 (en) * 2009-11-18 2017-08-25 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 Salt and photoresist composition containing the same

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI394004B (en) * 2005-03-30 2013-04-21 Sumitomo Chemical Co Asaltsuitable for an acid generator and a chemically amplified resist composition containing the same
JP5223260B2 (en) * 2006-08-02 2013-06-26 住友化学株式会社 Salt for acid generator of chemically amplified resist composition
TWI399617B (en) * 2006-08-02 2013-06-21 Sumitomo Chemical Co A salt suitable for an acid generator and a chemically amplified positive resist composition containing the same
GB2441032B (en) * 2006-08-18 2008-11-12 Sumitomo Chemical Co Salts of perfluorinated sulfoacetic acids
JP5399639B2 (en) * 2008-02-18 2014-01-29 東京応化工業株式会社 Resist composition and resist pattern forming method
JP5502401B2 (en) * 2008-09-02 2014-05-28 住友化学株式会社 COMPOUND, PROCESS FOR PRODUCING THE SAME AND RESIST COMPOSITION CONTAINING THE COMPOUND
JP5523854B2 (en) * 2009-02-06 2014-06-18 住友化学株式会社 Chemically amplified photoresist composition and pattern forming method
JP5307171B2 (en) * 2011-02-28 2013-10-02 富士フイルム株式会社 Resist composition, and resist film and negative pattern forming method using the same
CN114380722B (en) * 2021-12-30 2023-06-30 宁波南大光电材料有限公司 Rapid hydrolysis method of sulfonyl fluoroalkane ester

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002214774A (en) * 2000-11-20 2002-07-31 Fuji Photo Film Co Ltd Positive photosensitive composition
JP2004002252A (en) * 2001-06-29 2004-01-08 Jsr Corp Acid-producing agent, sulfonic acid, sulfonic acid derivative and radiation-sensitive resin composition
JP2006257078A (en) * 2005-02-16 2006-09-28 Sumitomo Chemical Co Ltd Salt for acid generator of chemically amplified type resist composition
JP2006306856A (en) * 2005-03-30 2006-11-09 Sumitomo Chemical Co Ltd Salt for use as acid generating agent of chemical amplification type resist composition

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000039401A (en) * 1998-03-24 2000-02-08 Dainippon Printing Co Ltd Measurement cell for surface plasmon resonance biosensor and its manufacture
US6303266B1 (en) 1998-09-24 2001-10-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Resin useful for resist, resist composition and pattern forming process using the same
TWI263866B (en) 1999-01-18 2006-10-11 Sumitomo Chemical Co Chemical amplification type positive resist composition
DE60015220T2 (en) 1999-03-31 2006-02-02 Sumitomo Chemical Co. Ltd. Positive chemical-resist type resist
KR100538501B1 (en) 1999-08-16 2005-12-23 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 Novel Onium Salts, Photoacid Generators for Resist Compositions, Resist Compositions and Patterning Process
TWI286664B (en) 2000-06-23 2007-09-11 Sumitomo Chemical Co Chemical amplification type positive resist composition and sulfonium salt
JP2002202607A (en) 2000-12-28 2002-07-19 Fuji Photo Film Co Ltd Positive type photoresist composition for exposure with far ultraviolet ray
JP2002265436A (en) 2001-03-08 2002-09-18 Fuji Photo Film Co Ltd Positive resist composition
SG120873A1 (en) 2001-06-29 2006-04-26 Jsr Corp Acid generator, sulfonic acid, sulfonic acid derivatives and radiation-sensitive resin composition
JP2003122012A (en) 2001-10-18 2003-04-25 Fuji Photo Film Co Ltd Positive resist composition
JP2003131383A (en) 2001-10-29 2003-05-09 Fuji Photo Film Co Ltd Positive photosensitive composition
JP2004004561A (en) 2002-02-19 2004-01-08 Sumitomo Chem Co Ltd Positive resist composition
US6893792B2 (en) 2002-02-19 2005-05-17 Sumitomo Chemical Company, Limited Positive resist composition
JP4103523B2 (en) 2002-09-27 2008-06-18 Jsr株式会社 Resist composition
JP2006027163A (en) 2004-07-20 2006-02-02 Konica Minolta Photo Imaging Inc Method for manufacturing inkjet recording medium
US7301047B2 (en) 2005-10-28 2007-11-27 Sumitomo Chemical Company, Limited Salt suitable for an acid generator and a chemically amplified resist composition containing the same
TWI395064B (en) 2005-10-28 2013-05-01 Sumitomo Chemical Co A salt suitable for an acid generator and a chemically amplified resist composition containing the same
TWI411881B (en) 2005-10-28 2013-10-11 Sumitomo Chemical Co A salt suitable for an acid generator and a chemically amplified resist composition containing the same
CN1971421B (en) * 2005-11-21 2012-05-30 住友化学株式会社 Salt for acid generating agent and chemically amplifiable anticorrosion composition containing the salt
TWI381246B (en) * 2005-12-27 2013-01-01 Sumitomo Chemical Co Salt suitable for an acid generator and a chemically amplified resist composition containing the same
GB2441032B (en) * 2006-08-18 2008-11-12 Sumitomo Chemical Co Salts of perfluorinated sulfoacetic acids
CN101236357B (en) 2007-01-30 2012-07-04 住友化学株式会社 Chemically amplified corrosion-resisitng agent composition

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002214774A (en) * 2000-11-20 2002-07-31 Fuji Photo Film Co Ltd Positive photosensitive composition
JP2004002252A (en) * 2001-06-29 2004-01-08 Jsr Corp Acid-producing agent, sulfonic acid, sulfonic acid derivative and radiation-sensitive resin composition
JP2006257078A (en) * 2005-02-16 2006-09-28 Sumitomo Chemical Co Ltd Salt for acid generator of chemically amplified type resist composition
JP2006306856A (en) * 2005-03-30 2006-11-09 Sumitomo Chemical Co Ltd Salt for use as acid generating agent of chemical amplification type resist composition

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009244352A (en) * 2008-03-28 2009-10-22 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Resist composition and resist pattern forming method
JP2010256874A (en) * 2009-03-31 2010-11-11 Sumitomo Chemical Co Ltd Chemically amplified photoresist composition
JP2010286831A (en) * 2009-05-15 2010-12-24 Fujifilm Corp Negative pattern formation method, composition used in the same and resist film
US8318404B2 (en) 2009-06-12 2012-11-27 Sumitomo Chemical Company, Limited Salt and photoresist composition containing the same
US9221785B2 (en) 2009-06-12 2015-12-29 Sumitomo Chemical Company, Limited Salt and photoresist composition containing the same
JP2011026300A (en) * 2009-06-23 2011-02-10 Sumitomo Chemical Co Ltd Salt for acid generator of resist composition
JP2011028231A (en) * 2009-06-24 2011-02-10 Sumitomo Chemical Co Ltd Chemically amplified photoresist composition and method of manufacturing resist pattern
JP2011037839A (en) * 2009-07-17 2011-02-24 Sumitomo Chemical Co Ltd Salt and resist composition
KR20110025105A (en) * 2009-09-01 2011-03-09 후지필름 가부시키가이샤 Active ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition and pattern forming method using the same
JP2011053430A (en) * 2009-09-01 2011-03-17 Fujifilm Corp Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition and pattern forming method using the same
KR101727105B1 (en) * 2009-09-01 2017-04-14 후지필름 가부시키가이샤 Active ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition and pattern forming method using the same
JP2011126872A (en) * 2009-11-18 2011-06-30 Sumitomo Chemical Co Ltd Salt for acid generator and resist composition
JP2011126871A (en) * 2009-11-18 2011-06-30 Sumitomo Chemical Co Ltd Salt for acid generator and resist composition
KR101771390B1 (en) * 2009-11-18 2017-08-25 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 Salt and photoresist composition containing the same
JP2011138060A (en) * 2009-12-29 2011-07-14 Sumitomo Chemical Co Ltd Resist composition and pattern forming method
WO2011118490A1 (en) * 2010-03-25 2011-09-29 Jsr株式会社 Radiation-sensitive resin composition
JPWO2011118490A1 (en) * 2010-03-25 2013-07-04 Jsr株式会社 Radiation sensitive resin composition
JP2011246444A (en) * 2010-04-28 2011-12-08 Sumitomo Chemical Co Ltd Salt and resist composition
JP2015521160A (en) * 2012-04-19 2015-07-27 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se Sulfonium compounds, their production and use

Also Published As

Publication number Publication date
BE1019085A3 (en) 2012-03-06
GB2444823B (en) 2009-08-26
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JP5109649B2 (en) Chemically amplified resist composition
JP4844436B2 (en) Chemically amplified resist composition

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