JP2008164457A - 圧力トランスデューサ - Google Patents
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Abstract
【課題】外部から加えられる圧力を検出してディジタル計測値を得る圧力トランスデューサにおいて、ブリッジ回路や差動増幅回路等を用いずに、簡単な回路構成で十分な検出感度を得る。
【解決手段】この圧力トランスデューサは、外部から加えられる圧力によって抵抗値を変化させる直列接続された複数のピエゾ抵抗素子を含む検出回路と、基準抵抗及びコンデンサを含み、基準抵抗を介してコンデンサを充放電することによりクロック信号を生成し、該クロック信号に含まれているパルスの数をカウントすることにより第1のカウント値を求めると共に、複数のピエゾ抵抗素子を介してコンデンサを充放電することによりクロック信号を生成し、該クロック信号に含まれているパルスの数をカウントすることにより第2のカウント値を求める変換回路と、第1及び第2のカウント値に基づいて圧力に関する値を算出する制御部とを具備する。
【選択図】図1
【解決手段】この圧力トランスデューサは、外部から加えられる圧力によって抵抗値を変化させる直列接続された複数のピエゾ抵抗素子を含む検出回路と、基準抵抗及びコンデンサを含み、基準抵抗を介してコンデンサを充放電することによりクロック信号を生成し、該クロック信号に含まれているパルスの数をカウントすることにより第1のカウント値を求めると共に、複数のピエゾ抵抗素子を介してコンデンサを充放電することによりクロック信号を生成し、該クロック信号に含まれているパルスの数をカウントすることにより第2のカウント値を求める変換回路と、第1及び第2のカウント値に基づいて圧力に関する値を算出する制御部とを具備する。
【選択図】図1
Description
本発明は、圧力センサと電子回路とによって構成され、気体や液体等により外部から加えられる圧力を検出して、マイコンで処理可能なディジタル計測値に変換する圧力トランスデューサに関する。
外部から加えられる圧力を電気信号に変換する圧力センサは、ピエゾ抵抗効果や磁歪効果の方式を利用することにより歪みゲージやコイルを用いて実現され、工業計測機器や医療機器の分野において広く用いられている。特に、近年においては、そのような圧力センサに対し、回路規模の低減の要求が高まっている。
ピエゾ抵抗効果を利用する圧力センサとしては、シリコンウエハの表面に複数のピエゾ抵抗素子が形成され、裏面はエッチング処理によってダイヤフラムとされたピエゾ抵抗型圧力センサが広く知られている。ピエゾ抵抗型圧力センサは、気体や液体等により外部から圧力が加えられるとダイヤフラムが撓んでピエゾ抵抗素子の抵抗値が変化するという原理を利用しており、例えば、自動車エンジンの燃焼圧を測定するために用いられている。
一般に、ピエゾ抵抗型圧力センサにおいては、互いに接続された複数のピエゾ抵抗素子がブリッジ回路を構成しており、ブリッジ回路の2つの出力電位の差(出力電圧)を取り出すことによって、外部から加えられる圧力の変化を検出することができる。ピエゾ抵抗型圧力センサから取り出される出力電圧は微小なアナログ信号であるので、マイコンにおいて信号処理を行うためには、アナログ信号を増幅し、ディジタル信号に変換することが必要となる。
しかしながら、ブリッジ回路の出力電圧を差動増幅するためにオペアンプ等の差動増幅回路を用い、また、A/D(アナログ/ディジタル)変換のために一般的なA/D変換回路を用いると、回路規模や消費電流が大きくなってしまう。そこで、圧力を検出してディジタル計測値に変換する圧力トランスデューサにおいて、差動増幅回路や一般的なA/D変換回路を用いない構成とすることが望ましい。
関連する技術として、下記の特許文献1には、負荷荷重の大きさに応じて所定の値を変化させる荷重検出器と、荷重検出器に接続され、所定の値の変化に応じて発振周波数を変化させる発振回路と、発振周波数の変化数値をカウントして負荷荷重の大きさを計測する計測回路とを有する荷重測定装置が開示されている。
この荷重測定装置によると、負荷荷重の大きさに応じて所定の値を変化させ、所定の値の変化に応じて発振周波数を変化させ、この発振周波数の変化数値をカウントして負荷荷重の大きさを計測するので、荷重検出のための駆動電源、検出信号を増幅する増幅器、及び、アナログ信号をディジタル信号に変換するアナログ/ディジタル変換器等が不要になると記載されている。しかしながら、特許文献1の図1に示されているように、ブリッジ回路において、1つのセンサS1しか用いられておらず、他の3つはダミー抵抗D1〜D3であるので、センサ出力が小さく検出感度が低くなってしまう。
一方、電極が形成されたダイヤフラムと、その電極に他の電極を一定の空隙を介して対向させた静電容量型の圧力センサも知られている。空隙を介して対向する2つの電極がコンデンサを構成していて、気体や液体等により外部から圧力が加えられるとダイヤフラムが撓んで空隙距離が変化し、その結果、コンデンサの静電容量が変化する。そのような静電容量の変化に基づいて、外部から加えられる圧力の変化を検出することができる。
関連する技術として、下記の特許文献2には、コンデンサの静電容量により発振周波数を変化させる発振回路と、所定時間幅のゲート信号を発生するゲート信号発生回路と、ゲート信号発生回路から出力されるゲート信号が所定の論理値の間に発振回路より出力される入力パルスの立上がり又は立下がりを2つずつ計数するカウンタと、カウンタの計数開始及び計数終了の時点での入力パルスの論理値によってゲート期間内の入力パルスの立上がり及び立下がり数に等しくなるようにカウンタの計数値を補正する補正手段とを有する静電容量型センサが開示されている。
この静電容量型センサによると、測定時間や発振周波数を2倍にすることなく、周波数やゲート時間を2倍にした場合と同一の精度で計数値を得ることができると記載されている。しかしながら、特許文献2の図2に示されているように、ゲート信号の立上がり時点において発振パルスのレベルを保持するラッチ回路21と、ゲート信号の立下がり時点において発振パルスのレベルを保持するラッチ回路22と、これらのラッチ回路の出力の論理レベルによってカウンタの計数値を補正するための補正値を出力する組合せ回路24と、カウンタの計数値から補正値を加算又は減算する加減算回路25とが必要となるので、回路が複雑となってしまう。
特開2000−199723号公報(第3、5頁、図1)
特開平11−298317号公報(第2、5頁、図1、図2)
そこで、上記の点に鑑み、本発明は、外部から加えられる圧力を検出してディジタル計測値を得る圧力トランスデューサにおいて、ブリッジ回路や差動増幅回路等を用いずに、簡単な回路構成で十分な検出感度を得ることを目的とする。
上記課題を解決するため、本発明の第1の観点に係る圧力トランスデューサは、外部から加えられる圧力によって抵抗値を変化させる直列接続された複数のピエゾ抵抗素子を含む検出回路と、基準抵抗及びコンデンサを含み、基準抵抗を介してコンデンサを充放電することによりクロック信号を生成し、該クロック信号に含まれているパルスの数をカウントすることにより第1のカウント値を求めると共に、複数のピエゾ抵抗素子を介してコンデンサを充放電することによりクロック信号を生成し、該クロック信号に含まれているパルスの数をカウントすることにより第2のカウント値を求める変換回路と、第1及び第2のカウント値に基づいて圧力に関する値を算出する制御部とを具備する。
ここで、変換回路が、制御部から供給される第1の制御信号に従って、基準抵抗を介してコンデンサが充電されるようにする第1のスイッチ回路と、制御部から供給される第2の制御信号に従って、複数のピエゾ抵抗素子を介してコンデンサが充電されるようにする第2のスイッチ回路と、制御部から供給される第3の制御信号に従って、コンデンサに充電された電荷が放電されるようにする第3のスイッチ回路と、コンデンサの両端の電圧に基づいてクロック信号を生成する論理回路と、第1の期間及び第2の期間において、論理回路から出力されるクロック信号に含まれているパルスの数をカウントすることにより、第1のカウント値及び第2のカウント値をそれぞれ求めるカウンタとをさらに含むようにしても良い。
また、本発明の第2の観点に係る圧力トランスデューサは、外部から加えられる圧力によって静電容量値を変化させる検出用コンデンサを含む検出回路と、抵抗及び基準コンデンサを含み、抵抗を介して基準コンデンサを充放電することによりクロック信号を生成し、該クロック信号に含まれているパルスの数をカウントすることにより第1のカウント値を求めると共に、抵抗を介して検出用コンデンサを充放電することによりクロック信号を生成し、該クロック信号に含まれているパルスの数をカウントすることにより第2のカウント値を求める変換回路と、第1及び第2のカウント値に基づいて圧力に関する値を算出する制御部とを具備する。
ここで、変換回路が、制御部から供給される第1の制御信号に従って、抵抗の第1の端子に電圧を供給する第1のスイッチ回路と、制御部から供給される第2の制御信号に従って、抵抗の第2の端子に基準コンデンサを接続する第2のスイッチ回路と、制御部から供給される第3の制御信号に従って、抵抗の第2の端子に検出用コンデンサを接続する第3のスイッチ回路と、制御部から供給される第4の制御信号に従って、基準コンデンサ又は検出用コンデンサに充電された電荷が放電されるようにする第4のスイッチ回路と、基準コンデンサ又は検出用コンデンサの両端の電圧に基づいてクロック信号を生成する論理回路と、第1の期間及び第2の期間において、論理回路から出力されるクロック信号に含まれているパルスの数をカウントすることにより、第1のカウント値及び第2のカウント値をそれぞれ求めるカウンタとをさらに含むようにしても良い。
本発明によれば、外部から加えられる圧力によって抵抗値を変化させる直列接続された複数のピエゾ抵抗素子及びコンデンサ、又は、外部から加えられる圧力によって静電容量値を変化させる検出用コンデンサを用いて、コンデンサを充放電することにより生成したクロックパルスをカウントすることにより、ブリッジ回路や差動増幅回路等を用いずに、簡単な回路構成で十分な検出感度を得ることができる。
以下に、本発明を実施するための最良の形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。なお、同一の構成要素には同一の参照番号を付して、説明を省略する。
図1は、本発明の第1の実施形態に係る圧力トランスデューサの構成を示す回路図である。図1に示すように、圧力トランスデューサ1は、検出回路10と、変換回路20と、制御部30と、分周回路40とを含んでいる。
図1は、本発明の第1の実施形態に係る圧力トランスデューサの構成を示す回路図である。図1に示すように、圧力トランスデューサ1は、検出回路10と、変換回路20と、制御部30と、分周回路40とを含んでいる。
検出回路10は、気圧や液体等によって外部から加えられる圧力を電気信号に変換する回路であって、数100Ω〜数kΩ程度の所定の抵抗値を有する4つのピエゾ抵抗素子11〜14を有している。本実施形態における検出回路10は、一般にピエゾ抵抗型圧力センサにおいて広く用いられているホイートストンブリッジ回路における一部の接続を変更することによって構成される。
図1に示す検出回路10において、ホイートストンブリッジ回路として用いられる場合には、ノードAからノードBに向けて流れる定電流が供給され、ノードDとノードEとの間に補正回路等が接続される。一方、本実施形態の場合には、ノードAとノードCとが短絡され、ノードB及びノードDが後述する変換回路20に接続され、ノードEが開放端とされる。
検出回路10は、シリコンチップの表面に拡散型のピエゾ抵抗素子11〜14を形成すると共に、シリコンチップの裏面をエッチング処理等により中央の部分を選択的に薄くしてダイヤフラムを形成し、このシリコンチップを直径10mm程度の円筒ケースに格納することにより作成される。
ダイヤフラムに外部から圧力が加わると、ダイヤフラムが撓み、シリコンチップの表面に形成されているピエゾ抵抗素子11〜14の抵抗値が僅かに変化する。例えば、同じ抵抗値R(Ω)を有するピエゾ抵抗素子11〜14がダイヤフラム上の所定の位置に配置されており、外部から圧力が加わるとダイヤフラムが撓む。その結果、ピエゾ抵抗素子11及び12においては、抵抗値が微少量ΔRだけ増加して(R+ΔR)となり、ピエゾ抵抗素子13及び14においては、抵抗値が微少量ΔRだけ減少して(R−ΔR)となる。この抵抗変化の極性は、ダイヤフラムに対して正圧あるいは負圧を加えることにより、符号が変化する。
従って、検出回路10におけるノードBからノードDまでの合成抵抗値(以下、単に「合成抵抗値」という)は、ピエゾ抵抗素子13及び14の抵抗値の和(2R±2ΔR)となり、特に、外部から圧力が加えられていない状態における合成抵抗値は2Rとなる。このように、本実施形態によれば、所定の抵抗値を有する1つのピエゾ抵抗素子を用いる場合と比較して、検出回路における検出感度を2倍にすることができる。
変換回路20は、充放電用のコンデンサ24と、コンデンサ24を充電するための第1の充電経路を形成するPチャネルMOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor:MOS型電界効果トランジスタ)21及び抵抗(基準抵抗:一般には温度計数の小さい金属皮膜抵抗等が用いられる)22と、検出回路10と共にコンデンサ24を充電するための第2の充電経路を形成するPチャネルMOSトランジスタ23と、コンデンサ24に充電された電荷を放電するための放電経路を形成するNチャネルMOSトランジスタ25と、ノードFの電圧VFを論理レベルに変換するシュミットトリガバッファ26と、シュミットトリガバッファ26の出力信号VST及び制御信号(カウントイネーブル信号)CTL4に基づいて論理演算を行うことによりクロック信号VCEを生成するAND回路27と、クロック信号VCEのパルスをカウントするカウンタ28とを含んでいる。なお、抵抗22の抵抗値は、外部から圧力が加わらない状態における検出回路10の合成抵抗値2Rと等しくされている。
トランジスタ21は、ソースに電源電圧VDDが供給され、ゲートに入力される制御信号CTL1に従って、電源電圧VDDを抵抗22に供給する。トランジスタ21のドレインは、抵抗22を介してコンデンサ24の一端(ノードF)に接続されている。一方、トランジスタ23は、ソースに電源電圧VDDが供給され、ゲートに入力される制御信号CTL2に従って、電源電圧VDDを検出回路10に供給する。トランジスタ23のドレインは、検出回路10のノードBに接続され、検出回路10のノードDは、コンデンサ24の一端(ノードF)に接続されている。
トランジスタ25は、ドレインがコンデンサ24の一端(ノードF)に接続され、ソースが電源電圧VSSに接続されており、ゲートに入力される制御信号CTL3に従ってスイッチング動作を行う。なお、第1及び第2の実施形態においては、電源電圧VSSを接地電圧(0V)としている。また、コンデンサ24の他端は、接地電圧VSSに接続される。
制御部30は、ディジタル回路、又は、CPUとソフトウェアによって構成され、システムクロック信号及びカウントイネーブル信号CTL4に基づいて、制御信号CTL1〜CTL3、及び、カウンタ28のリセット信号を生成する。制御部30から出力される制御信号CTL1〜CTL3に従って、トランジスタ21又は23により、電源電圧VDDが抵抗22又は検出回路10に供給され、トランジスタ25がスイッチングを行うことにより、第1の充電経路を介してコンデンサ24が充電された後に、放電経路を介してコンデンサ24の電荷が放電され、また、第2の充電経路を介してコンデンサ24が充電された後に、放電経路を介してコンデンサ24の電荷が放電される。これにより、ノードFの電圧VFが変化する。
シュミットトリガバッファ26は、ノードFの電圧VFを入力し、2つの閾値に従ってハイレベル又はローレベルの論理値を出力する。AND回路27は、シュミットトリガバッファ26の出力信号がハイレベルでカウントイネーブル信号CTL4がハイレベルである期間において、クロック信号VCEをハイレベルに活性化する。ここで、コンデンサ24の充放電における時定数が大きくなれば、それに対応してクロック信号VCEの活性期間(パルス幅)が長くなる。
分周回路40は、例えば、制御部30に供給されるシステムクロック信号を分周することにより、カウントイネーブル信号CTL4を生成する。カウンタ28は、カウントイネーブル信号CTL4が活性化されている期間に、クロック信号VCEをカウントしてカウント値を求め、これを制御部30に出力する。ここで、カウントイネーブル信号CTL4の活性化期間Tは、予め所定の期間に設定されている。この活性化期間Tにおいて、第1の充電経路による充電動作に基づくクロック信号VCEのパルスのカウント数を基準値(基準発振)として、第2の充電経路による充電動作に基づくクロック信号VCEのパルスのカウント数(センサ発振)が計測され、基準値との差が求められる。従って、圧力トランスデューサ1は、外部から検出回路10に加えられる圧力の変化を、ディジタル計測値であるカウント値に変換することができる。
以上において、変換回路20(抵抗22及びコンデンサ24を除く)及び分周回路40の少なくとも一部が、CPUと共にマイコンの内部に組み込まれるようにしても良い。一般に、抵抗値/周波数変換回路(「R/Fコンバータ」とも呼ばれている)を内蔵し、温度係数の小さい基準抵抗(例えば、金属被膜抵抗等)とサーミスタとコンデンサとを外付けすることによって温度センサを構成できるマイコンが開発されている。そのようなマイコンを利用すれば、温度補償の行われた圧力トランスデューサ1を簡単に構成することができる。
従来、ピエゾ抵抗素子から構成されるブリッジ回路をA/D変換回路に接続して圧力トランスデューサを構成する場合には、ブリッジ回路から出力される差動電圧を増幅する差動増幅回路や、ブリッジ回路を駆動する駆動回路等が必要となっていた。しかしながら、本実施形態によれば、ブリッジ回路における接続を変更することによって、差動増幅回路や駆動回路等を設けることなく、高い検出感度を得ることができる。
次に、本実施形態に係る圧力トランスデューサの動作について、図2を参照しながら説明する。
図2は、図1に示す圧力トランスデューサの各部における信号の変化を示す波形図である。圧力トランスデューサ1を搭載する装置又はシステムの電源が投入されると、電源電圧VDD及びシステムクロック信号が圧力トランスデューサ1に供給される。
図2は、図1に示す圧力トランスデューサの各部における信号の変化を示す波形図である。圧力トランスデューサ1を搭載する装置又はシステムの電源が投入されると、電源電圧VDD及びシステムクロック信号が圧力トランスデューサ1に供給される。
圧力の計測を行わない場合(休止モード)においては、制御部30が、制御信号CTL1〜CTL3をハイレベルとしているので、トランジスタ21及び23がオフ状態になると共に、トランジスタ25がオン状態となり、シュミットトリガバッファ26の出力信号VSTがローレベルに非活性化されている。その結果、クロック信号VCEが、ローレベルに非活性化されている。
制御部30は、例えば、外部から供給される命令に従って、圧力トランスデューサ1を休止モードから計測モードに移行させる。計測モードにおいては、制御部30が、リセット信号によりカウンタ28におけるカウント値をリセットし、制御信号CTL1及びCTL3をローレベルにしてトランジスタ21をオンさせることにより、第1の充電経路によってコンデンサ24を充電する。ノードFの電圧VFがシュミットトリガバッファ26の閾値VTH1に達すると、制御部30は、制御信号CTL1及びCTL3をハイレベルにしてトランジスタ25をオンさせることにより、放電経路によってコンデンサ24を放電する。活性化期間Tにおいて、このようなスイッチング動作が繰り返される。
第1の充電経路によってコンデンサ24が充電される際に、図2に示すように、ノードFの電圧VFは、期間τ1が経過すると、シュミットトリガバッファ26の閾値VTH1(例えば、VDD×2/3)に達し、シュミットトリガバッファ26の出力信号VSTがハイレベルとなる。これにより、AND回路27から出力されるクロック信号VCEが、ハイレベルに活性化される。
シュミットトリガバッファ26の出力信号VSTがハイレベルになると、制御部30は、制御信号CTL1及びCTL3をハイレベルにする。これにより、トランジスタ21がオフ状態となるので、第1の充電経路が電気的に遮断され、トランジスタ25がオン状態となるので、コンデンサ24の電荷が放電経路を介して放電される。
従って、ノードFの電圧VFは、図2に示すように、シュミットトリガバッファ26の閾値VTH2(例えば、VDD/3)を超えて低下し、シュミットトリガバッファ26の出力信号VSTがローレベルとなる。これにより、AND回路27から出力されるクロック信号VCEが、ローレベルに非活性化される。シュミットトリガバッファ26の出力信号VSTがローレベルになると、制御部30は、制御信号CTL1及びCTL3を再びローレベルにし、活性化期間Tにおいて、このようなスイッチング動作を繰り返す。
AND回路27から出力されるクロック信号VCEは、カウンタ28に供給される。カウンタ28は、カウントイネーブル信号CTL4がハイレベルに活性化されている活性化期間Tにおいて、クロック信号VCEに含まれているパルスの数をカウントする。カウンタ28のカウント値は、基準パルス数(基準発振)として、マイコン内部のメモリ等に格納される。
基準発振の後に、制御部30が、リセット信号によりカウンタ28におけるカウント値をリセットし、制御信号CTL1〜CTL3をハイレベルとし、トランジスタ25をオン状態として、コンデンサ24を十分に放電させる。その後、制御部30が、制御信号CTL2及びCTL3をローレベルとし、トランジスタ23をオン状態として検出回路10に電源電圧VDDを供給することにより、第2の充電経路を介してコンデンサ24が充電される。
従って、ノードFの電圧VFは、期間τ2において、シュミットトリガバッファ26の閾値VTH1に達し、シュミットトリガバッファ26の出力信号VSTがハイレベルとなる。これにより、AND回路27から出力されるクロック信号VCEが、ハイレベルに活性化される。ここで、ノードFの電圧VFは、検出回路10の合成抵抗値とコンデンサの静電容量値とによって定まる時定数によって電圧上昇時間が異なり、検出回路10の合成抵抗値が小さくなる程、期間τ2は短くなる。
シュミットトリガバッファ26の出力信号VSTがハイレベルになると、制御部30は、制御信号CTL2及びCTL3をハイレベルとする。これにより、トランジスタ23がオフ状態となるので、第2の充電経路が電気的に遮断され、トランジスタ25がオン状態となるので、コンデンサ24の電荷が放電経路を介して放電される。
従って、ノードFの電圧VFは、図2に示すように、シュミットトリガバッファ26の閾値VTH2を超えて低下し、シュミットトリガバッファ26の出力信号VSTがローレベルとなる。これにより、AND回路27から出力されるクロック信号VCEが、ローレベルに非活性化される。シュミットトリガバッファ26の出力信号VSTがローレベルになると、制御部30は、制御信号CTL2及びCTL3を再びローレベルにし、活性化期間Tにおいて、このようなスイッチング動作を繰り返す。
AND回路27から出力されるクロック信号VCEは、カウンタ28に供給される。カウンタ28は、カウントイネーブル信号CTL4がハイレベルに活性化されている活性化期間Tにおいて、クロック信号に含まれているパルスの数をカウントする。カウンタ28のカウント値は、検出パルス数(センサ発振)として、マイコン内部のメモリ等に格納される。
制御部30は、検出パルス数と基準パルス数との差を求め、その差に応じて圧力を算出する。コンデンサ24は、第1の充電経路を介する充電と第2の充電経路を介する充電とにおいて共通に使用されるので、検出回路10における合成抵抗値の微小変化量(2ΔR)が、検出パルス数と基準パルス数との差に対応する。従って、外部から圧力が加えられ、ピエゾ抵抗素子の抵抗値の変化が大きくなる程、その圧力の方向による微小変化量(2ΔR)の極性に応じて、検出パルス数と基準パルス数との差が変化する。
ここで、ピエゾ抵抗素子13及び14等のゼロ点調整や感度調整は、ディジタル化されたパルス数(カウント値)に基づいて、制御部30のハードウェア又はソフトウェアによって処理することができるので、トリミング回路等を外付け回路として構成する必要がなく、回路規模の拡大を防ぐことができる。
次に、本発明の第1の実施形態に係る圧力トランスデューサの他の構成例について説明する。
図3は、本発明の第1の実施形態に係る圧力トランスデューサの他の構成例を示す回路図である。図3に示す圧力トランスデューサ2の構成は、検出回路10の替わりに検出回路50が用いられる点を除き、図1に示す圧力トランスデューサ1の構成と同じである。
図3は、本発明の第1の実施形態に係る圧力トランスデューサの他の構成例を示す回路図である。図3に示す圧力トランスデューサ2の構成は、検出回路10の替わりに検出回路50が用いられる点を除き、図1に示す圧力トランスデューサ1の構成と同じである。
検出回路50は、検出回路50a〜50cを含んでいる。検出回路50aにおけるピエゾ抵抗素子11a〜14aと、検出回路50bにおけるピエゾ抵抗素子11b〜14bと、検出回路50cにおけるピエゾ抵抗素子11c〜14cとは、図1に示すピエゾ抵抗素子11〜14と同じである。
変換回路20におけるトランジスタ23のドレインは検出回路50aのノードBに接続され、検出回路50aのノードDは検出回路50bのノードBに接続されている。さらに、検出回路50bのノードDは検出回路50cのノードBに接続され、検出回路50cのノードDはコンデンサ24の一端(ノードF)に接続されている。従って、検出回路50aのノードBから検出回路50cのノードDまでの合成抵抗値は(6R±6ΔR)となる。また、変換回路20における抵抗22の抵抗値は6Rとされる。従って、合成抵抗値の微小変化量(6ΔR)によって検出パルス数と基準パルス数との差が求められるので、図1に示す圧力トランスデューサ1に比べると、検出感度をさらに向上させることができる。
次に、本発明の第2の実施形態について説明する。
図4は、本発明の第2の実施形態に係る圧力トランスデューサの構成を示す回路図である。図4に示すように、圧力トランスデューサ3は、検出回路70と、変換回路60と、制御部30と、分周回路40とを含んでいる。
図4は、本発明の第2の実施形態に係る圧力トランスデューサの構成を示す回路図である。図4に示すように、圧力トランスデューサ3は、検出回路70と、変換回路60と、制御部30と、分周回路40とを含んでいる。
検出回路70における検出用コンデンサ71としては、外部から圧力が加わると静電容量値が変化する容量変化型のセンサ素子又はデバイスが用いられる。例えば、検出用コンデンサ71は、ダイヤフラム上に第1の電極を形成し、空隙を介して第1の電極に対向するように片持ち梁状の第2の電極を形成することにより作成される。これらの電極の内、第1の電極が接地電圧VSSに接続され、第2の電極が変換回路60におけるトランジスタ62のソースに接続される。
変換回路60は、図1に示す第1の実施形態におけるのと同様のトランジスタ21及び25と、一端がトランジスタ21のドレインに接続された基準抵抗22と、コンデンサ(基準コンデンサ)24と、シュミットトリガバッファ26と、AND回路27と、カウンタ28とに加えて、スイッチ回路としてのNチャネルMOSトランジスタ61及び62を含んでいる。
基準抵抗22としては、例えば、金属皮膜抵抗のように、温度による抵抗値変化の小さい抵抗を用いることが望ましい。また、トランジスタ61及び62は、PチャネルMOSトランジスタで構成されても良い。その場合には、制御信号CTL2A及びCTL2Bの極性を反転することによって、NチャネルMOSトランジスタで構成された場合と同じ動作を実現することができる。
本実施形態において、コンデンサ24の静電容量値は、外部から圧力が加わっていない状態における検出用コンデンサ71の静電容量値と等しくされている。また、外部から検出用コンデンサ71に正圧が印加されると、電極間の距離が狭まり、検出用コンデンサ71の静電容量値は増大する。一方、外部から検出用コンデンサ71に負圧が印加されると、電極間の距離が広がり、検出用コンデンサ71の静電容量値は減少する。
トランジスタ61は、ドレインが抵抗22の他端(ノードF)に接続され、ソースがコンデンサ24の一端に接続され、ゲートに入力される制御信号CTL2Aに従ってスイッチング動作を行う。トランジスタ62は、ドレインがノードFに接続され、ソースが検出回路70における検出用コンデンサ71の一端に接続され、ゲートに入力される制御信号CTL2Bに従ってスイッチング動作を行う。また、トランジスタ21は、ゲートに入力される制御信号CTL1に従ってスイッチング動作を行い、トランジスタ25は、ゲートに入力される制御信号CTL3に従ってスイッチング動作を行う。
図4に示すような圧力トランスデューサにおいても、変換回路60(抵抗22及びコンデンサ24を除く)及び分周回路40の少なくとも一部が、CPUと共にマイコンの内部に組み込まれるようにしても良い。そのようなマイコンを利用すれば、温度補償の行われた圧力トランスデューサ3を簡単に構成することができる。
次に、本実施形態に係る圧力トランスデューサの動作について、図5を参照しながら説明する。
図5は、図4に示す圧力トランスデューサの各部における信号の変化を示す波形図である。圧力トランスデューサ3を搭載する装置又はシステムの電源が投入されると、電源電圧VDD及びシステムクロック信号が圧力トランスデューサ3に供給される。
図5は、図4に示す圧力トランスデューサの各部における信号の変化を示す波形図である。圧力トランスデューサ3を搭載する装置又はシステムの電源が投入されると、電源電圧VDD及びシステムクロック信号が圧力トランスデューサ3に供給される。
圧力の計測を行わない場合(休止モード)においては、制御部30が、制御信号CTL1〜CTL3をハイレベルとしているので、トランジスタ21がオフ状態になると共に、トランジスタ25、61、62がオン状態となり、AND回路27から出力されるクロック信号VCEがローレベルに非活性化されている。
制御部30は、例えば、外部から供給される命令に従って、圧力トランスデューサ3を休止モードから計測モードに移行させる。計測モードにおいては、制御部30が、リセット信号によりカウンタ28におけるカウント値をリセットし、制御信号CTL2Aをハイレベルに維持したまま、制御信号CTL2Bをローレベルとする。これにより、トランジスタ61がオン状態となり、トランジスタ62がオフ状態となる。さらに、制御部30は、制御信号CTL1及びCTL3を所定の期間Tにおいてローレベルとする。これにより、トランジスタ21がオン状態となり、トランジスタ25がオフ状態となるので、充電経路を介してコンデンサ24が充電される。
充電経路によってコンデンサ24が充電される際に、図5に示すように、ノードFの電圧VFは、期間τ1が経過すると、シュミットトリガバッファ26の閾値VTH1に達し、シュミットトリガバッファ26の出力信号VSTがハイレベルとなる。これにより、AND回路27から出力されるクロック信号VCEが、ハイレベルに活性化される。
シュミットトリガバッファ26の出力信号VSTがハイレベルになると、制御部30は、制御信号CTL1及びCTL3をハイレベルとする。これにより、トランジスタ21がオフ状態となるので、充電経路が電気的に遮断され、トランジスタ25がオン状態となるので、コンデンサ24の電荷が放電経路を介して放電される。従って、ノードFの電圧VFは、図5に示すように、シュミットトリガバッファ26の閾値VTH2を超えて低下する。このときのノードFの電圧VFとクロック信号VCEの変化は、図2を参照しながら説明したものと同じである。
AND回路27から出力されるクロック信号VCEは、カウンタ28に供給される。カウンタ28は、カウントイネーブル信号CTL4がハイレベルに活性化されている活性化期間Tにおいて、クロック信号VCEに含まれているパルスの数をカウントする。カウンタ28のカウント値は、基準パルス数(基準発振)として、マイコン内部のメモリ等に格納される。
基準発振の後に、制御部30が、リセット信号によりカウンタ28におけるカウント値をリセットし、制御信号CTL1〜CTL3をハイレベルとし、トランジスタ25をオン状態として、コンデンサ24及び検出用コンデンサ71を十分に放電させる。その後、制御部30が、制御信号CTL1及びCTL2A及びCTL3をローレベルとし、制御信号CTL2Bをハイレベルのままとする。これにより、トランジスタ21がオン状態となり、トランジスタ61がオフ状態となり、トランジスタ62がオン状態となると共に、トランジスタ25がオフ状態となり、充電経路を介して検出用コンデンサ71が充電される。
従って、ノードFの電圧VFは、期間τ2において、シュミットトリガバッファ26の閾値VTH1に達し、シュミットトリガバッファ26の出力信号VSTがハイレベルとなる。これにより、AND回路27から出力されるクロック信号VCEが、ハイレベルに活性化される。ここで、ノードFの電圧VFは、抵抗22の抵抗値と検出用コンデンサ71の静電容量値によって定まる時定数によって電圧上昇時間が異なり、検出用コンデンサ71の静電容量値が小さくなる程、期間τ2は短くなる。
シュミットトリガバッファ26の出力信号VSTがハイレベルになると、制御部30は、制御信号CTL1及びCTL3をハイレベルとし、制御信号CTL2Aをローレベルのままとし、制御信号CTL2Bをハイレベルのままとする。これにより、トランジスタ21がオフ状態となるので、充電経路が電気的に遮断され、トランジスタ25がオン状態となるので、検出用コンデンサ71の電荷が放電経路を介して放電される。従って、ノードFの電圧VFは、図5に示すように、シュミットトリガバッファ26の閾値VTH2を超えて低下する。このときのノードFの電圧VFとクロック信号VCEの変化は、図2を参照しながら説明したものと同じである。
AND回路27から出力されるクロック信号VCEは、カウンタ28に供給される。カウンタ28は、カウントイネーブル信号CTL4がハイレベルに活性化されている活性化期間Tにおいて、クロック信号に含まれているパルスの数をカウントする。カウンタ28のカウント値は、検出パルス数として、マイコン内部のメモリ等に格納される。
制御部30は、第1の実施形態におけるのと同様に、検出パルス数と基準パルス数との差を求め、その差に応じて圧力を算出する。抵抗22は、コンデンサ24の放電と検出用コンデンサ71の放電とにおいて共通に用いられるので、検出用コンデンサ71の静電容量値の微小変化量が、検出パルス数と基準パルス数との差に対応する。従って、外部から加えられる圧力に応じて、検出用コンデンサ71の静電容量値が変化し、検出パルス数と基準パルス数との差が変化する。
本実施形態においても、検出用コンデンサ71等のゼロ点調整や感度調整は、ディジタル化されたパルス数(カウント値)に基づいて、制御部30のハードウェア又はソフトウェアによって処理することができる。
1〜3 圧力トランスデューサ、 10、50、70 検出回路、 11〜14、11a〜14a、11b〜14b、11c〜14c ピエゾ抵抗素子、 20、60 変換回路、 21、23、25、61、62 トランジスタ、 22 抵抗、 24 コンデンサ、 26 シュミットトリガバッファ、 27 AND回路、 28 カウンタ、 30 制御部、 40 分周回路、 71 検出用コンデンサ
Claims (4)
- 外部から加えられる圧力によって抵抗値を変化させる直列接続された複数のピエゾ抵抗素子を含む検出回路と、
基準抵抗及びコンデンサを含み、前記基準抵抗を介して前記コンデンサを充放電することによりクロック信号を生成し、該クロック信号に含まれているパルスの数をカウントすることにより第1のカウント値を求めると共に、前記複数のピエゾ抵抗素子を介して前記コンデンサを充放電することによりクロック信号を生成し、該クロック信号に含まれているパルスの数をカウントすることにより第2のカウント値を求める変換回路と、
第1及び第2のカウント値に基づいて圧力に関する値を算出する制御部と、
を具備する圧力トランスデューサ。 - 前記変換回路が、
前記制御部から供給される第1の制御信号に従って、前記基準抵抗を介して前記コンデンサが充電されるようにする第1のスイッチ回路と、
前記制御部から供給される第2の制御信号に従って、前記複数のピエゾ抵抗素子を介して前記コンデンサが充電されるようにする第2のスイッチ回路と、
前記制御部から供給される第3の制御信号に従って、前記コンデンサに充電された電荷が放電されるようにする第3のスイッチ回路と、
前記コンデンサの両端の電圧に基づいてクロック信号を生成する論理回路と、
第1の期間及び第2の期間において、前記論理回路から出力されるクロック信号に含まれているパルスの数をカウントすることにより、第1のカウント値及び第2のカウント値をそれぞれ求めるカウンタと、
をさらに含む、請求項1記載の圧力トランスデューサ。 - 外部から加えられる圧力によって静電容量値を変化させる検出用コンデンサを含む検出回路と、
抵抗及び基準コンデンサを含み、前記抵抗を介して前記基準コンデンサを充放電することによりクロック信号を生成し、該クロック信号に含まれているパルスの数をカウントすることにより第1のカウント値を求めると共に、前記抵抗を介して前記検出用コンデンサを充放電することによりクロック信号を生成し、該クロック信号に含まれているパルスの数をカウントすることにより第2のカウント値を求める変換回路と、
第1及び第2のカウント値に基づいて圧力に関する値を算出する制御部と、
を具備する圧力トランスデューサ。 - 前記変換回路が、
前記制御部から供給される第1の制御信号に従って、前記抵抗の第1の端子に電圧を供給する第1のスイッチ回路と、
前記制御部から供給される第2の制御信号に従って、前記抵抗の第2の端子に前記基準コンデンサを接続する第2のスイッチ回路と、
前記制御部から供給される第3の制御信号に従って、前記抵抗の第2の端子に前記検出用コンデンサを接続する第3のスイッチ回路と、
前記制御部から供給される第4の制御信号に従って、前記基準コンデンサ又は前記検出用コンデンサに充電された電荷が放電されるようにする第4のスイッチ回路と、
前記基準コンデンサ又は前記検出用コンデンサの両端の電圧に基づいてクロック信号を生成する論理回路と、
第1の期間及び第2の期間において、前記論理回路から出力されるクロック信号に含まれているパルスの数をカウントすることにより、第1のカウント値及び第2のカウント値をそれぞれ求めるカウンタと、
をさらに含む、請求項3記載の圧力トランスデューサ。
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JP2006354684A JP2008164457A (ja) | 2006-12-28 | 2006-12-28 | 圧力トランスデューサ |
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2006
- 2006-12-28 JP JP2006354684A patent/JP2008164457A/ja not_active Withdrawn
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