JP2008156733A - Electroless copper plating film-formed ceramics, and method for producing electroless plating film-formed ceramics - Google Patents
Electroless copper plating film-formed ceramics, and method for producing electroless plating film-formed ceramics Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008156733A JP2008156733A JP2006349413A JP2006349413A JP2008156733A JP 2008156733 A JP2008156733 A JP 2008156733A JP 2006349413 A JP2006349413 A JP 2006349413A JP 2006349413 A JP2006349413 A JP 2006349413A JP 2008156733 A JP2008156733 A JP 2008156733A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic
- electroless
- hydrogen peroxide
- copper plating
- sulfuric acid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Abstract
Description
本発明は、セラミックスの表面に無電解銅めっき膜を形成した無電解銅めっき膜形成セラミックスに関する。また、本発明は、セラミックスの表面に無電解めっき膜を形成する無電解めっき膜形成セラミックスの製造方法に関する。 The present invention relates to an electroless copper plating film-forming ceramic in which an electroless copper plating film is formed on the surface of the ceramic. Moreover, this invention relates to the manufacturing method of the electroless-plating film formation ceramics which forms an electroless-plating film on the surface of ceramics.
ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛：Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３）は、圧電セラミックスの一種であり、発振子などに使用されている。従来、電極や回路を形成する目的でＰＺＴ表面に無電解めっき膜を形成する場合、ＰＺＴと無電解めっき膜との密着性を向上させるために、塩酸やフッ酸を用いてＰＺＴ表面のエッチングを行うことが提案されている（例えば、特許文献１参照）。また、ＰＺＴに無電解めっきをおこなう場合、エッチングを行わなくても比較的高いめっき膜の密着強度が得られる無電解ニッケルめっきが使用されることが多い。さらに、特定の工程でＰＺＴ表面に無電解銅めっきを行うことも提案されている（例えば、非特許文献１参照）。 PZT (lead zirconate titanate: Pb (Zr, Ti) O 3 ) is a kind of piezoelectric ceramic and is used for an oscillator and the like. Conventionally, when an electroless plating film is formed on the surface of a PZT for the purpose of forming an electrode or a circuit, the PZT surface is etched using hydrochloric acid or hydrofluoric acid in order to improve the adhesion between the PZT and the electroless plating film. It has been proposed to do so (see, for example, Patent Document 1). In addition, when performing electroless plating on PZT, electroless nickel plating that can provide a relatively high plating film adhesion strength without etching is often used. Furthermore, it has also been proposed to perform electroless copper plating on the PZT surface in a specific process (see, for example, Non-Patent Document 1).
従来、セラミックスの表面に無電解めっきを行う場合、セラミックスと無電解めっき膜との密着性を向上させるために、セラミックス表面をエッチングするのが一般的であるが、圧電セラミックスであるＰＺＴの場合は、エッチングによって圧電特性が劣化するため、エッチングレスで無電解めっきを行うことが好ましい。また、前記のようにセラミックスにエッチングレスで無電解ニッケルめっきが行われることがあるが、無電解ニッケルめっきでは、めっき液中に還元剤として含まれるリンがめっき膜中に共析するため、膜が硬くなるとともに、膜の比抵抗が高くなるという問題がある。 Conventionally, when performing electroless plating on a ceramic surface, the surface of the ceramic is generally etched to improve the adhesion between the ceramic and the electroless plating film. In the case of PZT, which is a piezoelectric ceramic, Since the piezoelectric characteristics are deteriorated by etching, it is preferable to perform electroless plating without etching. In addition, as described above, electroless nickel plating may be performed on ceramics without etching. However, in electroless nickel plating, phosphorus contained as a reducing agent in the plating solution is co-deposited in the plating film. There are problems that the film becomes hard and the specific resistance of the film increases.
そのため、圧電セラミックスであるＰＺＴの表面に電極や回路を形成する目的で無電解めっき膜を形成する場合、無電解ニッケルめっき膜より軟らかく、比抵抗が低い無電解銅めっき膜を形成することが望まれる。しかし、ＰＺＴの表面にエッチングレスで無電解銅めっきを行うと、ＰＺＴと無電解銅めっき膜との密着性が低下するという問題があった。 Therefore, when forming an electroless plating film for the purpose of forming electrodes and circuits on the surface of PZT, which is a piezoelectric ceramic, it is desirable to form an electroless copper plating film that is softer and has a lower specific resistance than the electroless nickel plating film. It is. However, when electroless copper plating is performed on the surface of PZT without etching, there is a problem in that the adhesion between PZT and the electroless copper plating film is reduced.
本発明は、前述した事情に鑑みてなされたもので、セラミックスの表面に無電解銅めっき膜を形成した無電解銅めっき膜形成セラミックスであって、セラミックス表面にエッチングを行うことなく、セラミックスと無電解銅めっき膜との密着性を向上させた無電解銅めっき膜形成セラミックスを提供することを目的とする。また、本発明は、セラミックスの表面に無電解めっき膜を形成する無電解めっき膜形成セラミックスの製造方法であって、セラミックス表面にエッチングを行うことなく、セラミックスと無電解めっき膜との密着性を向上させることができる無電解めっき膜形成セラミックスの製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above-mentioned circumstances, and is an electroless copper plating film-forming ceramic in which an electroless copper plating film is formed on the surface of the ceramic. An object of the present invention is to provide an electroless copper plating film-forming ceramic having improved adhesion to an electrolytic copper plating film. The present invention also relates to a method for producing an electroless plating film-forming ceramic that forms an electroless plating film on the surface of the ceramic, wherein the adhesion between the ceramic and the electroless plating film is achieved without etching the ceramic surface. It aims at providing the manufacturing method of the electroless-plating film formation ceramics which can be improved.
本発明者らは、前記目的を達成するために種々検討を行った結果、セラミックスの表面に無電解銅めっきを行う場合、セラミックス表面に存在するＰｂ原子に起因してセラミックス表面に銅めっきが析出しない部分が生じ、セラミックスと無電解銅めっき膜との密着性が低下すること、したがって表面のＰｂ量が少ないセラミックスの表面に無電解銅めっきを行うことにより、セラミックス表面にエッチングを行うことなく、セラミックスと無電解銅めっき膜との密着性を向上させることができることを見出した。上記のようにセラミックス表面に存在するＰｂ原子に起因してセラミックス表面に銅めっきが析出しない部分が生じ、セラミックスと無電解銅めっき膜との密着性が低下する理由は必ずしも明らかではないが、セラミックスの表面に存在するＰｂ原子がセラミックス表面の無電解銅めっきにおける触媒毒として作用するからであると推測される。また、本発明者らは、セラミックスの表面を硫酸と過酸化水素水とを所定の割合で混合した混合液である硫酸過酸化水素水で洗浄することにより、セラミックス表面のＰｂ量を減少させることができることを見出した。なお、前述した非特許文献１には、セラミックス表面に無電解銅めっきを行う場合におけるセラミックス表面のＰｂの関与については記載されていない。
As a result of various studies to achieve the above object, the present inventors have found that when electroless copper plating is performed on a ceramic surface, copper plating is deposited on the ceramic surface due to Pb atoms existing on the ceramic surface. Part does not occur, the adhesion between the ceramic and the electroless copper plating film is reduced, and therefore by performing electroless copper plating on the surface of the ceramic with a small amount of Pb on the surface, without etching the ceramic surface, It has been found that the adhesion between the ceramic and the electroless copper plating film can be improved. The reason why the copper plating does not precipitate on the ceramic surface due to the Pb atoms present on the ceramic surface as described above, and the reason why the adhesion between the ceramic and the electroless copper plating film is lowered is not necessarily clear. This is presumably because Pb atoms existing on the surface of the metal act as a catalyst poison in the electroless copper plating on the ceramic surface. In addition, the present inventors reduce the amount of Pb on the ceramic surface by washing the surface of the ceramic with sulfuric acid / hydrogen peroxide, which is a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide mixed at a predetermined ratio. I found out that I can. Note that
本発明は、前述した知見に基づいてなされたもので、バルクの組成中にＰｂを含有し、表面のＰｂ量が０〜２０ａｔｏｍ％であるセラミックスの前記表面に無電解銅めっき膜を形成したことを特徴とする無電解銅めっき膜形成セラミックスを提供する。 The present invention has been made on the basis of the above-mentioned knowledge, and formed an electroless copper plating film on the surface of the ceramic containing Pb in the bulk composition and having a surface Pb content of 0 to 20 atom%. An electroless copper plating film-forming ceramic is provided.
また、本発明は、無電解めっきを施したセラミックスの製造方法において、前記セラミックスの組成中に含まれる無電解めっき反応における触媒毒となる成分を溶解除去する工程を含むことを特徴とする無電解めっき膜形成セラミックスの製造方法を提供する。 The present invention also relates to a method for producing a ceramic subjected to electroless plating, the method comprising dissolving and removing a component that becomes a catalyst poison in the electroless plating reaction contained in the composition of the ceramic. A method for producing a plated film-forming ceramic is provided.
さらに、本発明は、セラミックスの表面を硫酸過酸化水素水により洗浄する硫酸過酸化水素水処理工程と、前記硫酸過酸化水素水処理工程を終了したセラミックスの表面をアルカリ溶液により洗浄するアルカリ処理工程と、前記アルカリ処理工程を終了したセラミックスの表面に触媒を付与する触媒化工程と、前記触媒化工程を終了したセラミックスの表面に無電解銅めっき膜を形成する無電解銅めっき工程と、前記無電解銅めっき工程を終了したセラミックスを加熱する加熱処理工程とを具備することを特徴とする無電解めっき膜形成セラミックスの製造方法を提供する。 Furthermore, the present invention provides a sulfuric acid / hydrogen peroxide solution treatment step for washing the surface of the ceramic with sulfuric acid / hydrogen peroxide solution, and an alkali treatment step for washing the ceramic surface after the sulfuric acid / hydrogen peroxide solution treatment step with an alkaline solution. A catalyzing step of imparting a catalyst to the surface of the ceramic after the alkali treatment step, an electroless copper plating step of forming an electroless copper plating film on the surface of the ceramic after the catalyzing step, There is provided a method for producing an electroless plating film-forming ceramic comprising a heat treatment step of heating the ceramic after the electrolytic copper plating step.
本発明によれば、セラミックス表面にエッチングを行うことなく、セラミックスと無電解めっき膜との密着性を向上させることができる。 According to the present invention, the adhesion between the ceramic and the electroless plating film can be improved without etching the ceramic surface.
以下、本発明につきさらに詳しく説明する。本発明に係る無電解銅めっき膜形成セラミックスは、バルクの組成中にＰｂを含有し、表面のＰｂ量が０〜２０ａｔｏｍ％の範囲のセラミックスの表面に無電解銅めっき膜を形成したものである。この場合、セラミックス表面のＰｂ量とは、セラミックス表面から０〜１０ｎｍの深さ範囲におけるＰｂ量をいう。このような深さ範囲におけるＰｂ量は、オージェ電子分光分析法（ＡＥＳ）により良好に測定することができる。したがって、本発明における上記セラミックス表面のＰｂ量は、オージェ電子分光分析法により測定したものであることが好ましい。なお、セラミックス表面のＰｂ量のより好適な範囲は０〜１０ａｔｏｍ％である。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail. The electroless copper plating film-forming ceramic according to the present invention is one in which Pb is contained in the bulk composition and the electroless copper plating film is formed on the surface of the ceramic in which the amount of Pb on the surface is in the range of 0 to 20 atom%. . In this case, the amount of Pb on the ceramic surface refers to the amount of Pb in the depth range of 0 to 10 nm from the ceramic surface. The amount of Pb in such a depth range can be favorably measured by Auger electron spectroscopy (AES). Therefore, the amount of Pb on the ceramic surface in the present invention is preferably measured by Auger electron spectroscopy. A more preferable range of the Pb amount on the ceramic surface is 0 to 10 atom%.
また、本発明に用いるセラミックスとしては、鉛、ジルコニウムおよびチタンを主成分とするものが好ましく、特にＰＺＴが好ましい。 Moreover, as a ceramic used for this invention, what has lead, a zirconium, and titanium as a main component is preferable, and PZT is especially preferable.
次に、本発明に係る無電解めっき膜形成セラミックスの製造方法の一実施形態を図１に示す。本例の実施形態では、下記工程によってセラミックスの無電解銅めっきを行う。ただし、本発明は下記実施形態に限定されるものではない。 Next, FIG. 1 shows an embodiment of a method for producing an electroless plated film-forming ceramic according to the present invention. In the embodiment of this example, the electroless copper plating of ceramics is performed by the following steps. However, the present invention is not limited to the following embodiment.
（１）セラミックスの表面に乾燥雰囲気下で紫外線を照射することにより、セラミックス表面の主に有機物を分解除去する（紫外線照射工程）。紫外線としては、波長２５４ｎｍのものを好適に用いることができる。なお、本工程は必要に応じて行えばよい。 (1) The surface of the ceramic is irradiated with ultraviolet rays in a dry atmosphere to decompose and remove mainly organic substances on the ceramic surface (ultraviolet irradiation step). As the ultraviolet rays, those having a wavelength of 254 nm can be suitably used. Note that this step may be performed as necessary.
（２）紫外線照射工程を終了したセラミックスの表面を硫酸過酸化水素水により洗浄することにより、セラミックス表面の主にＰｂを除去する（硫酸過酸化水素水処理工程）。ただし、硫酸過酸化水素水による洗浄によって、セラミックス表面の有機物も除去される。硫酸過酸化水素水処理工程においては、例えば硫酸過酸化水素水にセラミックスを所定時間浸漬すればよい。また、硫酸過酸化水素水としては、硫酸と過酸化水素濃度３０〜３６容量％の過酸化水素水とからなり、硫酸濃度は６５〜９５容量％、過酸化水素水濃度は３５〜５容量％であるものを好適に用いることができる。 (2) The surface of the ceramic that has been subjected to the ultraviolet irradiation process is washed with sulfuric acid / hydrogen peroxide to remove mainly Pb from the ceramic surface (sulfuric acid / hydrogen peroxide treatment process). However, organic substances on the ceramic surface are also removed by washing with sulfuric acid and hydrogen peroxide. In the sulfuric acid hydrogen peroxide treatment process, for example, ceramics may be immersed in sulfuric acid hydrogen peroxide for a predetermined time. The sulfuric acid hydrogen peroxide solution is composed of sulfuric acid and hydrogen peroxide solution having a hydrogen peroxide concentration of 30 to 36% by volume. The sulfuric acid concentration is 65 to 95% by volume, and the hydrogen peroxide solution concentration is 35 to 5% by volume. It can be used suitably.
（３）硫酸過酸化水素水処理工程を終了したセラミックスの表面をアルカリ溶液で洗浄する（アルカリ処理工程）。アルカリ処理工程を行うことにより、セラミックスと無電解銅めっき膜との密着性がさらに向上する。アルカリ処理工程においては、例えばアルカリ溶液にセラミックスを所定時間浸漬すればよい。アルカリ溶液としては、例えば水酸化ナトリウム水溶液を用いることができる。 (3) The surface of the ceramic after the sulfuric acid / hydrogen peroxide treatment process is washed with an alkaline solution (alkali treatment process). By performing the alkali treatment step, the adhesion between the ceramic and the electroless copper plating film is further improved. In the alkali treatment step, for example, ceramics may be immersed in an alkaline solution for a predetermined time. As the alkaline solution, for example, an aqueous sodium hydroxide solution can be used.
（４）アルカリ処理工程を終了したセラミックスの表面に触媒を付与する（触媒化工程）。触媒化工程における触媒化の方法は適宜選択することができる。例えば、セラミックス表面に塩化錫溶液を接触させる感受性化処理を行った後、セラミックス表面に塩化パラジウム溶液を接触させる活性化処理を行うことにより、セラミックス表面の触媒化を行うことができる。また、シランカップリング剤を用いる方法や、錫・パラジウムコロイド溶液を用いる方法によっても、セラミックス表面の触媒化を行うことができる。 (4) A catalyst is imparted to the surface of the ceramic after the alkali treatment step (catalyzing step). The method of catalyzing in the catalyzing step can be appropriately selected. For example, the ceramic surface can be catalyzed by performing a sensitization treatment in which a tin chloride solution is brought into contact with the ceramic surface and then performing an activation treatment in which a palladium chloride solution is brought into contact with the ceramic surface. The ceramic surface can also be catalyzed by a method using a silane coupling agent or a method using a tin / palladium colloidal solution.
（５）触媒化工程を終了したセラミックスの表面に無電解銅めっき膜を形成する（無電解銅めっき工程）。この場合、本工程で用いる銅めっき液としては、微量のニッケル化合物を含有する銅めっき液を用いることが好ましく、これにより低応力の無電解銅めっき膜を得ることができる。上記銅めっき液として、より具体的には、１００モルのＣｕに対し０．１〜１５モルのＮｉを含有するものを好適に用いることができる。また、上記銅めっき液には、錯化剤、還元剤、ｐＨ調整剤等の他の成分を適宜配合することができる。 (5) An electroless copper plating film is formed on the surface of the ceramic that has been subjected to the catalytic step (electroless copper plating step). In this case, as the copper plating solution used in this step, it is preferable to use a copper plating solution containing a very small amount of a nickel compound, whereby a low stress electroless copper plating film can be obtained. More specifically, as the copper plating solution, a solution containing 0.1 to 15 mol of Ni with respect to 100 mol of Cu can be suitably used. Moreover, other components, such as a complexing agent, a reducing agent, and a pH adjuster, can be appropriately mixed in the copper plating solution.
（６）無電解銅めっき工程を終了したセラミックスを加熱する（加熱処理工程）。本工程を行うことにより、セラミックスと無電解銅めっき膜との密着性をさらに向上させることができる。加熱処理工程は、例えば、セラミックスを不活性ガス中または真空中で加熱することにより行うことができる。この場合、加熱温度は２５０〜４５０℃、加熱時間は３０分〜２時間とすることが適当である。 (6) Heat the ceramic after the electroless copper plating step (heat treatment step). By performing this step, the adhesion between the ceramic and the electroless copper plating film can be further improved. The heat treatment step can be performed, for example, by heating the ceramic in an inert gas or in a vacuum. In this case, it is appropriate that the heating temperature is 250 to 450 ° C. and the heating time is 30 minutes to 2 hours.
ここで、硫酸過酸化水素水処理工程を行わずに無電解銅めっきを行ったＰＺＴの表面を図２（ａ）に模式的に示し、硫酸過酸化水素水処理工程を行ってから無電解銅めっきを行ったＰＺＴの表面を図２（ｂ）に模式的に示す。図２（ａ）に示すように、硫酸過酸化水素水処理工程を行わず、ＰＺＴ表面にＰｂが存在する場合は、触媒毒であるＰｂの周辺で銅めっきが析出しない部分１０が生じ、ＰＺＴと銅めっき膜との密着性が悪くなると考えられる。これに対し、硫酸過酸化水素水処理工程を行い、ＰＺＴ表面にＰｂが存在しない場合は、図２（ｂ）に示すように、ＰＺＴ表面に銅めっきが析出しない部分が生じず、ＰＺＴと銅めっき膜との密着性が向上すると考えられる。
Here, the surface of PZT subjected to electroless copper plating without performing the sulfuric acid / hydrogen peroxide treatment process is schematically shown in FIG. 2 (a). FIG. 2B schematically shows the surface of the plated PZT. As shown in FIG. 2 (a), when Pb is present on the surface of PZT without performing the sulfuric acid hydrogen peroxide treatment process, a
また、硫酸過酸化水素水処理工程を行う前および行った後のＰＺＴの表面をオージェ電子分光分析法により測定した結果の一例を図３に示す。図３（ａ）が硫酸過酸化水素水処理工程を行う前の結果、図３（ｂ）が硫酸過酸化水素水処理工程を行った後の結果である。本例において、硫酸過酸化水素水としては、硫酸が９５容量％、過酸化水素濃度３５容量％の過酸化水素水が５容量％のものを用いた。図３より、ＰＺＴの表面を硫酸過酸化水素水で洗浄することにより、ＰＺＴ表面のＰｂ量を減少させることができることがわかる。具体的には、本例では、硫酸過酸化水素水処理によりＰＺＴ表面のＰｂ量が４５ａｔｏｍ％程度から２０ａｔｏｍ％程度に減少した。また、図３より、ＰＺＴの表面を硫酸過酸化水素水で洗浄することにより、ＰＺＴ表面のＣ量も減少させることができることがわかる。具体的には、本例では、硫酸過酸化水素水処理によりＰＺＴ表面のＣ量が６０ａｔｏｍ％程度から２０ａｔｏｍ％程度に減少した。このように炭素（有機物）量が減少することによっても、ＰＺＴと銅めっき膜との密着性が向上すると考えられる。 Moreover, an example of the result of having measured the surface of PZT before and after performing a sulfuric acid hydrogen peroxide treatment process by Auger electron spectroscopy is shown in FIG. FIG. 3A shows the result before the sulfuric acid hydrogen peroxide treatment process, and FIG. 3B shows the result after the sulfuric acid hydrogen peroxide treatment process. In this example, the sulfuric acid hydrogen peroxide solution used was 95% by volume sulfuric acid and 5% by volume hydrogen peroxide solution having a hydrogen peroxide concentration of 35% by volume. FIG. 3 shows that the amount of Pb on the surface of PZT can be reduced by washing the surface of PZT with sulfuric acid hydrogen peroxide. Specifically, in this example, the amount of Pb on the PZT surface decreased from about 45 atom% to about 20 atom% by the sulfuric acid hydrogen peroxide treatment. FIG. 3 also shows that the amount of C on the PZT surface can be reduced by washing the surface of the PZT with sulfuric acid hydrogen peroxide. Specifically, in this example, the amount of C on the PZT surface decreased from about 60 atom% to about 20 atom% by the sulfuric acid hydrogen peroxide treatment. Thus, it is considered that the adhesion between PZT and the copper plating film is also improved by reducing the amount of carbon (organic matter).
以下に、実施例により本発明を具体的に示す。ただし、本発明は下記実施例に限定されるものではない。本実施例では、下記工程によってＰＺＴ基材の表面に無電解銅めっきを行った。
（１）ＰＺＴ基材の表面に乾燥雰囲気下で紫外線ランプにより波長２５４ｎｍの紫外線を５分照射した（紫外線照射工程）。
（２）紫外線照射工程を終了したＰＺＴ基材を硫酸過酸化水素水に後記表１に示す所定時間浸漬した（硫酸過酸化水素水処理工程）。硫酸過酸化水素水としては、硫酸が９５容量％、過酸化水素濃度３５容量％の過酸化水素水が５容量％で、液温が２５℃のものを用いた。硫酸過酸化水素水処理工程終了後は、ＰＺＴ基材の表面を超純水により洗浄した。
（３）硫酸過酸化水素水処理工程を終了したＰＺＴ基材を水酸化ナトリウム水溶液に３分浸漬した（アルカリ処理工程）。水酸化ナトリウム水溶液としては、水酸化ナトリウム濃度が６．５重量％、液温が５０℃のものを用いた。アルカリ処理工程終了後は、ＰＺＴ基材の表面を超純水により洗浄した。
（４）アルカリ処理工程を終了したＰＺＴ基材の表面に触媒を付与した（触媒化工程）。本工程では、ＰＺＴ基材を、塩化第１錫の濃度が１．３％の塩化錫水溶液に３分間浸漬させてから、超純水で洗浄した後、パラジウムイオンの濃度が０．０１５％の塩化パラジウム水溶液に２分間浸漬させてから、超純水で洗浄した。この両工程を２回繰り返して、ＰＺＴ基材の表面に触媒を付与した。
（５）触媒化工程を終了したＰＺＴ基材の表面に無電解銅めっき膜を形成した（無電解銅めっき工程）。使用した銅めっき液は、銅が約２．５ｇ／Ｌ（０．０３９ｍｏｌ／Ｌ）、ニッケルが０．２３ｇ／Ｌ（０．００３９ｍｏｌ／Ｌ）添加され、錯化剤として酒石酸ナトリウムカリウム４水和物（ロッシェル塩）、還元剤として約０．２％のホルムアルヒド、ｐＨ調整剤として約１．５ｇ／ＬのＮａＯＨ、その他の成分として約０．１％のキレート剤を含むものであった。また、この銅めっき液のｐＨは約１２．６であった。無電解銅めっきにおける銅めっき液の温度は３３℃とし、銅めっき膜は膜厚約２μｍに形成した。
（６）無電解銅めっき工程を終了したＰＺＴ基材の表面を加熱した（加熱処理工程）。本工程では、窒素ガス雰囲気中において、４００℃で１時間の加熱処理を行った。
The present invention will be specifically described below with reference to examples. However, the present invention is not limited to the following examples. In this example, electroless copper plating was performed on the surface of the PZT substrate by the following steps.
(1) The surface of the PZT substrate was irradiated with ultraviolet rays having a wavelength of 254 nm by an ultraviolet lamp in a dry atmosphere for 5 minutes (ultraviolet irradiation step).
(2) The PZT base material which completed the ultraviolet irradiation process was immersed in sulfuric acid hydrogen peroxide solution for a predetermined time shown in Table 1 below (sulfuric acid hydrogen peroxide treatment process). As the sulfuric acid hydrogen peroxide solution, 95% by volume sulfuric acid, 5% by volume hydrogen peroxide solution having a hydrogen peroxide concentration of 35% by volume, and a liquid temperature of 25 ° C. were used. After completion of the sulfuric acid / hydrogen peroxide treatment process, the surface of the PZT substrate was washed with ultrapure water.
(3) The PZT base material which finished the sulfuric acid hydrogen peroxide water treatment step was immersed in an aqueous sodium hydroxide solution for 3 minutes (alkali treatment step). As the sodium hydroxide aqueous solution, one having a sodium hydroxide concentration of 6.5% by weight and a liquid temperature of 50 ° C. was used. After the alkali treatment step, the surface of the PZT substrate was washed with ultrapure water.
(4) A catalyst was applied to the surface of the PZT base material after the alkali treatment step (catalyzing step). In this step, the PZT substrate was immersed in a tin chloride aqueous solution having a stannous chloride concentration of 1.3% for 3 minutes and then washed with ultrapure water, and then the concentration of palladium ions was 0.015%. After being immersed in an aqueous palladium chloride solution for 2 minutes, it was washed with ultrapure water. Both these steps were repeated twice to give the catalyst to the surface of the PZT substrate.
(5) An electroless copper plating film was formed on the surface of the PZT substrate after the catalyzing step (electroless copper plating step). The copper plating solution used was added with about 2.5 g / L (0.039 mol / L) of copper and 0.23 g / L (0.0039 mol / L) of nickel, and sodium potassium tartrate tetrahydrate as a complexing agent. Product (Rochelle salt), about 0.2% formaldehyde as a reducing agent, about 1.5 g / L NaOH as a pH adjusting agent, and about 0.1% chelating agent as other components. The pH of this copper plating solution was about 12.6. The temperature of the copper plating solution in electroless copper plating was 33 ° C., and the copper plating film was formed to a thickness of about 2 μm.
(6) The surface of the PZT substrate after the electroless copper plating step was heated (heat treatment step). In this step, heat treatment was performed at 400 ° C. for 1 hour in a nitrogen gas atmosphere.
上述した工程により得られた無電解銅めっき膜形成ＰＺＴにおけるＰＺＴと銅めっき膜との密着性をセバスチャン強度試験により調べた。この場合、評価基準は下記のとおりとした。結果を表１に示す。
○：ＰＺＴ基材が破壊した。
×：銅めっき膜がはがれた。
The adhesion between PZT and the copper plating film in the electroless copper plating film formation PZT obtained by the above-described process was examined by a Sebastian strength test. In this case, the evaluation criteria were as follows. The results are shown in Table 1.
○: The PZT substrate was broken.
X: The copper plating film was peeled off.
表１より、硫酸過酸化水素水処理工程を行い、表面のＰｂ量が２０ａｔｏｍ％以下のＰＺＴは、無電解銅めっき膜との密着性が高いことがわかる。なお、セバスチャン強度試験によるＰＺＴ基材破壊時の引っ張り強度は平均９２Ｋｇｆ／ｃｍ２であった。これに対し、硫酸過酸化水素水処理工程を行わず（洗浄時間０秒）、表面にＰｂが多く存在するＰＺＴは、無電解銅めっき膜との密着性が劣るものであった。したがって、本実験により、本発明によれば、セバスチャン強度試験でＰＺＴ基材が破壊する、ＰＺＴ基材に対する密着性に優れた銅めっき膜が得られることが確認された。
From Table 1, it can be seen that PZT having a surface hydrogen peroxide treatment process and having a surface Pb content of 20 atom% or less has high adhesion to the electroless copper plating film. In addition, the tensile strength at the time of PZT base material destruction by the Sebastian strength test was 92 kgf / cm < 2 > on average. On the other hand, PZT which does not perform the sulfuric acid hydrogen peroxide treatment process (
１０ 銅めっきが析出しない部分 10 Parts where copper plating does not deposit
Claims (9)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006349413A JP2008156733A (en) | 2006-12-26 | 2006-12-26 | Electroless copper plating film-formed ceramics, and method for producing electroless plating film-formed ceramics |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006349413A JP2008156733A (en) | 2006-12-26 | 2006-12-26 | Electroless copper plating film-formed ceramics, and method for producing electroless plating film-formed ceramics |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2008156733A true JP2008156733A (en) | 2008-07-10 |
Family
ID=39657969
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006349413A Withdrawn JP2008156733A (en) | 2006-12-26 | 2006-12-26 | Electroless copper plating film-formed ceramics, and method for producing electroless plating film-formed ceramics |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2008156733A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI633203B (en) * | 2016-07-29 | 2018-08-21 | 羅門哈斯電子材料有限公司 | Method for plating on surface of non-conductive substrate |
-
2006
- 2006-12-26 JP JP2006349413A patent/JP2008156733A/en not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI633203B (en) * | 2016-07-29 | 2018-08-21 | 羅門哈斯電子材料有限公司 | Method for plating on surface of non-conductive substrate |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI289327B (en) | Electroless deposition methods | |
| JP4659882B2 (en) | Electroless NiWP adhesion and capping layer for TFT copper gate process | |
| JP2009158906A (en) | Baking system with heater plate, and method of manufacturing heater plate | |
| KR100759452B1 (en) | A method for preparing aluminum nitride board having nickel pattern | |
| JP2004019003A (en) | Printed circuit board and plating method thereon | |
| TW200901293A (en) | Improved method for producing a copper layer on a substrate in a flat panel display manufacturing process | |
| JP2008156733A (en) | Electroless copper plating film-formed ceramics, and method for producing electroless plating film-formed ceramics | |
| WO2014123104A1 (en) | Electroless plating method and ceramic substrate | |
| JP5135617B2 (en) | Electroless plating method | |
| JP2003293143A (en) | Cleaning agent for palladium catalyst, method for cleaning palladium catalyst, method for plating electronic parts using the agent, and electronic parts | |
| JP6521553B1 (en) | Substitution gold plating solution and substitution gold plating method | |
| JP3925724B2 (en) | Surface treatment method for non-conductive materials | |
| KR101179118B1 (en) | Heating plate with AlN-hBN composite substrate and manufacturing method of the same | |
| JP2768451B2 (en) | Method of forming electrodes for ceramic electronic components | |
| US7147896B2 (en) | Electroless nickel plating method for the preparation of zirconia ceramic | |
| JP5360527B2 (en) | Pretreatment method for electroless plating on magnetic materials | |
| US20080199627A1 (en) | Catalytic treatment method, electroless plating method, and method for forming circuit using electroless plating | |
| JP2003313672A (en) | Method for plating electronic parts, and electronic parts | |
| JP2015017296A (en) | Electroless plating method | |
| EP4137606A1 (en) | Laminated film structure and method for manufacturing laminated film structure | |
| JP2004332036A (en) | Electroless plating method | |
| JPH05160551A (en) | Method of manufacturing electronic part mounting aluminum nitride board | |
| JP4471089B2 (en) | Plating method | |
| TW201432089A (en) | A method for plating a substrate with a metal | |
| JP2007305660A (en) | Plating wiring board, and method for manufacturing plating wiring board |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20100302 |