JP2008153467A - Light emitting module - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、発光モジュールに関する。 The present invention relates to a light emitting module.
発光モジュールのレーザダイオードに対する温度制御技術の一例が特許文献1及び特許文献2に開示されている。特許文献1に記載のレーザモジュール(発光モジュール)は、バタフライ型のパッケージと、このパッケージ内に収容されるレーザダイオードを含む複数の被冷却要素と、この被冷却要素を覆っておりパッケージと空間的に直接接触しない態様で設けられた熱遮蔽部材とを備える。また、特許文献2に記載のレーザモジュール(発光モジュール)は、エタロンと二つのピンダイオードとを用いて半導体レーザからのレーザ光の波長変動そのものを検出する。
特許文献1の技術は、バタフライ型のパッケージに好適であり、同軸型の狭いパッケージに適用するのは困難である。また、特許文献2の技術は、装置構成が複雑であり、コスト高である。そこで本発明の目的は、同軸型の光モジュールに対して、レーザダイオードにおける温度ドリフトを低コストで低減できるようにすることである。
The technique of
本発明は、ステムと、前記ステム上に設けられた熱電変換素子と、前記熱電変換素子上に設けられたベースと、前記ベース上に設けられたレーザダイオードと、前記ベースに設けられており前記レーザダイオードの温度をモニタするためのサーミスタと、前記ステム上に設けられており、前記レーザダイオード、前記熱電変換素子、前記ベース及び前記サーミスタを覆う上壁を有するキャップとを備え、前記ベースの側面には、前記熱電変換素子から前記上壁に向かう方向に延びる窪みが形成されており、前記サーミスタは、前記窪み内に配置され、該窪みの内壁によって前記上壁から熱的に遮蔽されていることを特徴としており、前記ベースは、前記窪みから前記側面の縁に至る溝が設けられており、前記サーミスタは、前記窪み及び前記溝の各内壁によって前記上壁から熱的に遮蔽されていてもよい。 The present invention provides a stem, a thermoelectric conversion element provided on the stem, a base provided on the thermoelectric conversion element, a laser diode provided on the base, and provided on the base. A thermistor for monitoring the temperature of the laser diode; and a cap provided on the stem and having an upper wall covering the laser diode, the thermoelectric conversion element, the base and the thermistor, and a side surface of the base Is formed with a recess extending in a direction from the thermoelectric conversion element toward the upper wall, and the thermistor is disposed in the recess and is thermally shielded from the upper wall by the inner wall of the recess. The base is provided with a groove extending from the recess to an edge of the side surface, and the thermistor includes the recess and the It may be thermally shielded from the upper wall by the inner wall of.
本発明によれば、サーミスタがベースの窪み内に配置され、キャップの上壁から熱的に遮蔽されるので、ステム及びキャップから成る同軸型発光モジュールの狭いパッケージ内であっても、サーミスタに対する上壁からの輻射熱の影響を低減できる。その結果、サーミスタは、レーザダイオードの周囲温度を比較的正確に測定できるので、レーザダイオードの温度制御の精度が向上され、レーザダイオードにおける温度ドリフトが低減できる。また、本発明によれば、窪みをベースに設けることは比較的容易となる。このため、サーミスタに対する上壁からの輻射熱の影響が容易に且つ低コストで低減できる。 According to the present invention, since the thermistor is disposed in the recess of the base and is thermally shielded from the upper wall of the cap, the upper side of the thermistor even in the narrow package of the coaxial light emitting module consisting of the stem and the cap. The influence of radiant heat from the wall can be reduced. As a result, since the thermistor can measure the ambient temperature of the laser diode relatively accurately, the temperature control accuracy of the laser diode is improved, and the temperature drift in the laser diode can be reduced. Further, according to the present invention, it is relatively easy to provide the recess in the base. For this reason, the influence of the radiant heat from the upper wall on the thermistor can be reduced easily and at low cost.
本発明によれば、同軸型の光モジュールに対して、レーザダイオードにおける温度ドリフトが低コストで低減できる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the temperature drift in a laser diode can be reduced at low cost with respect to a coaxial type optical module.
以下、図面を参照して、本発明に係る好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明において、可能な場合には、同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。図1は、実施形態に係る発光モジュール1の一部を破断して示す斜視図である。図2は、図1に示すII−II線に沿ってとられた発光モジュール1の断面図である。図3は、実施形態に係るベース23を分解して示す斜視図である。発光モジュール1は、CANケース10、下板20、複数の熱電変換素子21、上板22、ベース23、LDキャリア24、LD25(LD:Laser Diode)、サーミスタ26、PDキャリア27及びPD28(PD:Photo Diode)を備えた、いわゆる同軸型の発光モジュールである。
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the description of the drawings, if possible, the same elements are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted. FIG. 1 is a perspective view of a
CANケース10は、上記の下板20〜PD28を収容する。CANケース10は、ステム11及びキャップ12を有する。ステム11は、円板状であり、ステム11の主面11aは、CANケース10の軸Xに直交する。ステム11は、金属等の導電性の材料から成り、グランド電位を有する。ステム11の主面11a上には、上記の下板20〜PD28が設けられている。ステム11は、複数の棒状のリード端子13が取り付けられており、それぞれのリード端子13は軸Xと平行である。複数のリード端子13は、ステム11を貫通しているが、ステム11とは電気的に絶縁されている。
The
キャップ12は、有蓋の円筒状を成しており、キャップ12の上壁12aに設けられた開口12bと、この上壁12aに嵌め込まれたレンズ12cとを有する。キャップ12は、ステム11の主面11a上に固定されており、上記の下板20〜PD28を覆う。キャップ12の上壁12aは軸Xと垂直であり、ステム11の主面11aと平行である。レンズ12cは、レーザダイオード25から出射されるレーザ光を集光する。キャップ12、特にキャップ12の上壁12aは、上記の下板20〜PD28を覆う。
The
下板20は、板状を成しており、熱伝導性に優れた絶縁性のセラミックス(例えば、AlNのセラミックス)等の材料から成る。下板20は、ステム11の主面11a上に固定されている。下板20の面20a上に複数の熱電変換素子21が固定されている。下板20の面20aは、ステム11の主面11aと平行であり、軸Xと垂直である。
The
熱電変換素子21は、LD25の温度を制御するためのペルチェ素子等のTEC(Thermo Electric Cooler)である。熱電変換素子21は、ステム11上に設けられており下板20の面20a上に立設されている。熱電変換素子21は、下板20の面20a上に設けられた図示しない電流導入パターンを介して2本のリード端子13に電気的に接続されている。この電流導入パターンを介して熱電変換素子21に制御電流が供給されると、熱電変換素子21は、この制御電流の向きに応じて、熱電変換素子21上に設けられた上板22〜LD25を冷却し、又は上板22〜LD25を加熱する。下板20が熱電変換素子21から発っせられる熱を受けると、この熱は、下板20に接するステム11に伝わって外部に排熱される。
The
ベース23は、ステム11の主面11aとキャップ12の上壁12aとの間に設けられており、上板22の上面22b上に固定されている。上板22の下面22a上には、複数の熱電変換素子21が設けられている。ベース23は、上板22の上面22bに接合する下面23aと、下面23aの反対側にある上面23dとを有する。下面23a及び上面23dは、互いに平行であり、下板20の面20a、上板22の下面22a及びステム11の主面11aと平行である。ベース23は、熱電変換素子21からキャップ12の上壁12aに向かう方向に延びる側面23bと側面23cとを有する。側面23b上にはLDキャリア24が固定されており、この側面23bとLDキャリア24の側面24bとは接合されている。側面23cは、側面23bの反対側にある。
The
また、ベース23は、熱伝導性に優れた絶縁性のセラミックス(例えば、AlNのセラミックス)や導電性のCuW等の材料から成る柱状体であり、第1の領域231と第2の領域232とを有している。第1の領域231は、熱電変換素子21から上壁12aに向かう方向に延びる側面231aと側面231bとを有しており、この側面231bは、ベース23の側面23bでもある。第2の領域232は、熱電変換素子21から上壁12aに向かう方向に延びる側面232aと側面232bとを有しており、この側面232aは、ベース23の側面23cでもある。第1の領域231の側面231aと、第2の領域232の側面232bとは接合されている。
Further, the
第2の領域232の側面232aの中央寄りには、第2の領域232を貫通する孔部232cが設けられており、この第2の領域232の孔部232cによって第1の領域231の側面231aが露出している。この孔部232cによって窪み23eがベース23に形成される。サーミスタ26は、この窪み23e内であって、熱電変換素子21の側面231aのうちこの露出している露出領域231cの略中央に配置されている。この窪み23eの内壁によって、キャップ12の上壁12aからサーミスタ26が熱的に遮蔽されている(上壁12aからの輻射熱からサーミスタ26が遮蔽されている)。また、この側面231a上には、サーミスタ26と電気的に接続されている配線パターンが設けられている。
Near the center of the
なお、ベース23の窪み23eは、第1の領域231と、孔部232cが設けられた第2の領域232とを予め別々に設けておき、この別々に設けた第1の領域231と第2の領域232とを接合することによって形成されたものであってもよいし、第1の領域231と第2の領域232とを接合させることなく、予め一体となっているベース23の側面23cをエッチング等の技術を用いて抉ることにより形成されたものであってもよい。
The
LDキャリア24は、AlN等のセラミックから成り、ベース23の側面23b上に固定されている。ベース23の側面23bと、LDキャリア24の側面24bとは接合されている。LDキャリア24の側面24a上にはLD25が固定されており、LD25のアノード及びカソードの各電極と電気的に接続される配線パターンが設けられている。この配線パターンは、ボンディングワイヤを介して複数のリード端子13と電気的に接続されている。LDキャリア24の側面24aは、ベース23の反対側に露出している面である。LDキャリア24の側面24aは、側面24bと対向しており、この側面24bはベース23の側面23bに接合されている。
The
LD25は、ステム11上に設けられておりLDキャリア24の側面24a上に固定されている。そして、LDキャリア24は、ベース23の側面23b上に固定されている。LD25は、LD25の端面25a及び端面25bが軸Xと直交するように配置されている。これにより、LD25の端面25aから発光されるレーザ光が軸Xに沿ってレンズ12cに入射する。LD25の複数の電極は、LDキャリア24の側面24a上に設けられた配線パターンに接続されている。側面24a上の配線パターンを介してリード端子13からLD25に駆動電流を供給すると、LD25の端面25aからレーザ光が出射される。
The
サーミスタ26は、ベース23上に設けられており、LD25の温度をモニタする。サーミスタ26は、周囲温度に応じて電気抵抗値を変化させる。サーミスタ26は、ベース23の第1の領域231の側面231a上に固定されている。そして、サーミスタ26は、ベース23の窪み23e内に配置されており、この窪み23eの内壁によってキャップ12の上壁12aから熱的に遮蔽されている。また、サーミスタ26の有する二つの電極は、それぞれボンディングワイヤを介して各リード端子13と電気的に接続されている。
The
PD28は、LD25の発光強度をモニタする受光素子である。PD28は、PDキャリア27の面27a上に固定されている。PD28は、LD25の端面25bに対向する受光面28aを有する。PD28のアノード及びカソードのうち一方の電極は、ハンダ付け等によりPDキャリア27に直接接合されている。PDキャリア27は、金属等の導電性の材料から成る。PDキャリア27は、下板20の面20a上に固定されており、ボンディングワイヤを介してリード端子13の一つに接続されている。PD28の他方の電極は、ボンディングワイヤを介してリード端子13の一つに接続されている。PDキャリア27は、LD25の端面25bから漏れるレーザ光を受けると、このレーザ光の強度に応じた電流を、リード端子13を介して発光モジュール1の外部に出力する。
The
なお、ベース23(特に、第2の領域232)がAlNから成る場合、図4に示すように、パッド29及びビア30を第2の領域232に設けるのが望ましい。図4(a)は、パッド29及びビア30が設けられたベース23の構成を示す図であり、図4(b)は、図4(a)に示すIV−IV線に沿ってとられた第2の領域232の断面を示す図である。パッド29とビア30とは、金属等の導電性の材料から成る。第2の領域232は、第2の領域232の側面232aから側面232bに貫通する貫通孔232dが設けられており、ビア30は、この貫通孔232dに充填されている。パッド29は、貫通孔232d及びビア30を覆うように、ベース23の第2の領域232の側面232a上に設けられている。パッド29は、第2の領域232の側面232aに露出されたビア30の一端に接合されており、パッド29とビア30とは電気的に接続されている。
When the base 23 (particularly, the second region 232) is made of AlN, it is desirable to provide the
ビア30の他端は、ベース23の第2の領域232の側面232bに露出しており、第1の領域231の側面231a上に設けられた配線パターンと電気的に接続されている。この場合、パッド29は、ビア30と第1の領域231の側面231a上の配線パターンとを介して、サーミスタ26の端子と電気的に接続されている。このため、ワイヤをビア30に接合させることによって、このワイヤとサーミスタ26とを導通させることが容易となる。なお、第2の領域232等が導電性のCuWから成る場合には、パッド29及びビア30を用いなくても、第2の領域232にワイヤを直接接合させることによって、このワイヤとサーミスタ26とを導通させることができる。
The other end of the via 30 is exposed to the
次に、図5を参照して、発光モジュール1の効果を説明する。図5(a)は、キャップ12の温度とLD25の波長ドリフトとの相関を示すグラフであり、図5(b)は、本実施形態に係る発光モジュール1との比較のために用意した発光モジュール(以下、比較用発光モジュールという。)におけるキャップとLDの波長ドリフトとの相関を示すグラフである。この比較用発光モジュールは、発光モジュール1のうちベース23を除いて同様の構成を有する。ベース23に対応する比較用発光モジュールのベースは、ベース23の第1の領域231のみを有した構成となっている。このため、比較用発光モジュールのキャップの上壁からベースを見た場合、サーミスタが露出されている。すなわち、比較用発光モジュールのキャップの上壁とサーミスタとの間を熱的に遮る部材は比較用発光モジュールには設けられていない。
Next, the effect of the
これに対し、本実施形態に係る発光モジュール1においては、サーミスタ26は、ベース23の窪み23e内に配置されている。このため、発光モジュール1のキャップ12の上壁12aからベース23を見た場合、サーミスタ26は、窪み23eの内壁によって熱的に遮蔽されている。すなわち、窪み23eの内壁は、キャップ12の上壁12aとサーミスタ26との間を熱的に遮っている。なお、図5(a)及び図5(b)のグラフに示す結果は、LD25の駆動電流を40mAに制御し、LD25の温度を摂氏40度に制御することにより得られた結果である。
On the other hand, in the
図5(b)に示すように、比較用発光モジュールにおいて、キャップの温度が摂氏マイナス40度〜摂氏80度の範囲で変動する場合、波長ドリフト幅は、約200pmに達した。これに対し、図5(a)に示すように、本実施形態に係る発光モジュール1において、キャップ12の温度が摂氏マイナス10度〜摂氏80度の範囲で変動する場合、波長ドリフト幅Aは、20pm以下(A<20pm)となった。
As shown in FIG. 5B, in the comparative light emitting module, when the cap temperature fluctuated in the range of minus 40 degrees Celsius to 80 degrees Celsius, the wavelength drift width reached about 200 pm. On the other hand, as shown in FIG. 5A, in the
上述の図5(a)及び図5(b)に示す結果が得られた理由を以下に説明する。本実施形態に係る発光モジュール1のサーミスタ26は、ベース23の第2の領域232によってキャップ12の上壁12aから熱的に遮蔽されているので、上壁12aからの輻射熱は、ベース23によって遮断及び吸収される。吸収された輻射熱は、ベース23に熱的に接続された熱電変換素子21によって冷却される。これにより、上壁12aからの輻射熱がサーミスタ26に伝わることが抑制できるので、サーミスタ26を用いて、LD25の周囲温度が正確に測定可能となる。その結果、LD25の温度制御の精度が向上されるので、図5(b)に示すようにLD25の波長ドリフトを低減できる。
The reason why the results shown in FIGS. 5A and 5B are obtained will be described below. Since the
以上説明したように、本実施形態に係る発光モジュール1は、サーミスタ26がベース23の窪み23e内に配置され、キャップ12の上壁12aから熱的に遮蔽されるので、ステム11及びキャップ12から成る同軸型の狭いCANケース10(パッケージ)内であっても、サーミスタ26に対する上壁12aからの輻射熱の影響を低減できる。その結果、サーミスタ26は、LD25の周囲温度を比較的正確に測定できるので、LD25の温度制御の精度が向上され、LD25における温度ドリフトが低減できる。また、窪み23eをベース23に設けることは比較的容易である。このため、サーミスタ26に対する上壁12aからの輻射熱の影響が容易に且つ低コストで低減できる。従って、同軸型の発光モジュール1であっても、LD25における温度ドリフトを低コストで低減できる。
As described above, in the
以上、好適な実施の形態において本発明の原理を図示し説明してきたが、本発明は、そのような原理から逸脱することなく配置および詳細において変更され得ることは、当業者によって認識される。本発明は、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではない。したがって、特許請求の範囲およびその精神の範囲から来る全ての修正および変更に権利を請求する。 While the principles of the invention have been illustrated and described in the preferred embodiments, it will be appreciated by those skilled in the art that the invention can be modified in arrangement and detail without departing from such principles. The present invention is not limited to the specific configuration disclosed in the present embodiment. We therefore claim all modifications and changes that come within the scope and spirit of the following claims.
例えば、ベース23に替えて、図6(a)に示すベース40を用いてもよい。ベース40は、第1の領域231と第3の領域233とを有する。ベース40は、第3の領域233が第2の領域232に替えて用いられている、という点で、ベース23と異なる。第3の領域233の側面233a(ベース40の側面40aともいう。)は、第1の領域231の反対側に露出している面であり、熱電変換素子21からキャップ12の上壁12aに向かう方向に延びる。第3の領域233は、側面233aの縁233bから側面233aの中心寄りに延びる切り欠き233cが設けられている。この第3の領域233の切り欠き233cにより、窪み40bと溝40cとがベース40に形成される。
For example, instead of the
窪み40bは、側面233aの中心寄りに設けられており、ベース23の窪み23eに対応している。溝40cは、窪み40bから縁233bに向かって延びている。サーミスタ26は、窪み40b及び溝40cの各内壁によってキャップ12の上壁12aから熱的に遮蔽されている。なお、ベース40は、図6(a)に示すように、縁233bが上板22に接するように配置されていてもよいし、図6(b)に示すように、縁233bが上板22上に延びるように配置されていてもよく、サーミスタ26が、窪み40b及び溝40cの各内壁によってキャップ12の上壁12aから熱的に遮蔽されていればよい。なお、図6に示す溝40cの幅は、窪み40bの幅よりも小さく描かれているが、例えば窪み40bの幅と同一であってもよい。
The
1…発光モジュール、10…CANケース、11…ステム、11a…主面、12…キャップ、12a…上壁、12b…開口、12c…レンズ、13…リード端子、20…下板、20a,27a…面、21…熱電変換素子、22…上板、22a,23a…下面、22b…上面、23,40…ベース、23e,40b…窪み、23c,23b,231a,231b,232a,232b,233a,24a,24b,40a…側面、23d…上面、231…第1の領域、231c…露出領域、232…第2の領域、232c…孔部、232d…貫通孔、233…第3の領域、233c…切り欠き、233b…縁、24…LDキャリア、25…LD、25a,25b,30a,30b…端面、26…サーミスタ、27…PDキャリア、28…PD、28a…受光面、29…パッド、30…ビア、40c…溝。
DESCRIPTION OF
Claims (2)
前記ステム上に設けられた熱電変換素子と、
前記熱電変換素子上に設けられたベースと、
前記ベース上に設けられたレーザダイオードと、
前記ベースに設けられており前記レーザダイオードの温度をモニタするためのサーミスタと、
前記ステム上に設けられており、前記レーザダイオード、前記熱電変換素子、前記ベース及び前記サーミスタを覆う上壁を有するキャップと
を備え、
前記ベースの側面には、前記熱電変換素子から前記上壁に向かう方向に延びる窪みが形成されており、
前記サーミスタは、前記窪み内に配置され、該窪みの内壁によって前記上壁から熱的に遮蔽されている
ことを特徴とする発光モジュール。 Stem,
A thermoelectric conversion element provided on the stem;
A base provided on the thermoelectric conversion element;
A laser diode provided on the base;
A thermistor provided at the base for monitoring the temperature of the laser diode;
A cap that is provided on the stem and has an upper wall that covers the laser diode, the thermoelectric conversion element, the base, and the thermistor;
A depression extending in a direction from the thermoelectric conversion element toward the upper wall is formed on the side surface of the base,
The thermistor is disposed in the recess, and is thermally shielded from the upper wall by the inner wall of the recess.
前記サーミスタは、前記窪み及び前記溝の各内壁によって前記上壁から熱的に遮蔽されている、ことを特徴とする請求項1に記載の発光モジュール。
The base is provided with a groove extending from the recess to the edge of the side surface,
The light emitting module according to claim 1, wherein the thermistor is thermally shielded from the upper wall by the inner walls of the recess and the groove.
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