JP2008147586A - 有機ｅｌ表示装置 - Google Patents

有機ｅｌ表示装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2008147586A
JP2008147586A JP2006336114A JP2006336114A JP2008147586A JP 2008147586 A JP2008147586 A JP 2008147586A JP 2006336114 A JP2006336114 A JP 2006336114A JP 2006336114 A JP2006336114 A JP 2006336114A JP 2008147586 A JP2008147586 A JP 2008147586A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
organic
electrode
display device
tft
tfts
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2006336114A
Other languages
English (en)
Inventor
Shinichi Kimura
伸一 木村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Display Co Ltd
Original Assignee
LG Philips LCD Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Philips LCD Co Ltd filed Critical LG Philips LCD Co Ltd
Priority to JP2006336114A priority Critical patent/JP2008147586A/ja
Priority to KR1020070069905A priority patent/KR20080055596A/ko
Publication of JP2008147586A publication Critical patent/JP2008147586A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/417—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions carrying the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/41725—Source or drain electrodes for field effect devices
    • H01L29/41733—Source or drain electrodes for field effect devices for thin film transistors with insulated gate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals

Landscapes

  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Control Of El Displays (AREA)

Abstract

【課題】ＴＦＴの劣化を改善してアモルファスＳｉで駆動する安価な有機ＥＬ表示装置を得る。
【解決手段】有機ＥＬの画素駆動回路として、画素選択スイッチング用の第１のＴＦＴと、有機ＥＬを駆動するためのドライブ用第２のＴＦＴとを備える有機ＥＬ表示装置であって、前記第１と第２のＴＦＴは、１つのゲート電極１０上に、アモルファスＳｉでなる半導体層２０が形成され、当該半導体層２０の上に、ドレイン電極の終端のない円形でなる電極先端部３０ａ，３０ｂ，・・・とソース電極４０の終端のない円形でなる電極先端部４０ａ，４０ｂ，・・・とが複数配列されてそれぞれ形成された。
【選択図】図２

Description

この発明は、有機ＥＬ液晶表示装置に関し、特にＴＦＴ劣化を改善する有機ＥＬ液晶表示装置に関するものである。
従来から、有機ＥＬをＴＦＴで駆動するためには、最低限２個のトランジスタを使うことが知られている（例えば、特許文献１参照）。すなわち、前段の画素選択スイッチング用ＴＦＴと後段のドライブ用ＴＦＴとが用いられる。特に、有機ＥＬは、ダイオード特性を持ち、電流に比例した輝度を出すことから、後段に電流駆動をするドライブ用ＴＦＴが必要であるとされている。ここで、ＴＦＴ、特にアモルファスＳｉ ＴＦＴが液晶ディスプレイでは主流であり、これを使うことはコスト的に大きなメリットがある。
特開２００２−１７６０６３号公報
しかしながら、アモルファスＳｉ ＴＦＴはバイアス条件によってＶｔｈシフトを起こすので、この改善は大きな課題となっている。すなわち、ソース電極及びソース電極と対向するドレイン電極にはチャネル幅方向の終端部が存在し、１フレーム期間の間、画素に電流を流し続けるので、電流ストレスによって劣化が生じ、Ｖｔｈシフトが起こる。このような劣化は、ソースまたはドレイン電極に終端部がない断面構造が円状のＴＦＴの場合にも、円形の中に島を作るので終端部はわずかに残り、ソースドレインの端起因による劣化を起こすことが知られている。
この発明は上述した点に鑑みてなされたもので、ＴＦＴの劣化を改善してアモルファスＳｉで駆動する安価な有機ＥＬ表示装置を得ることを目的とする。
この発明に係る有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬの画素駆動回路として、画素選択スイッチング用の第１のＴＦＴと、有機ＥＬを駆動するためのドライブ用第２のＴＦＴとを備える有機ＥＬ表示装置であって、前記第１と第２のＴＦＴは、１つのゲート電極上に、アモルファスＳｉでなる半導体層が形成され、当該半導体層の上に、ドレイン電極の円形でなる電極先端部とソース電極の円形でなる電極先端部とが複数配列されてそれぞれ形成されたことを特徴とする。
この発明によれば、ドレイン電極及びソース電極に終端部画存在しないことから終端部の存在に起因する劣化を防止でき、ＴＦＴの劣化を改善してアモルファスＳｉで駆動する安価な有機ＥＬ表示装置を得ることができる。
図１は、一般的な有機ＥＬ表示装置の画素駆動回路の等価回路図である。有機ＥＬ表示装置の画素駆動回路の等価回路図としては、図１に示すように、二つのＴＦＴ、すなわち、１フレーム期間の間、画素に電流を流し続けるための画素選択スイッチング用のＴＦＴ１と、有機ＥＬ３を駆動するためのドライブ用ＴＦＴ２とを備えている。
図２と図３は、この発明の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置における前記ＴＦＴ１及び２として用いられるＴＦＴの１つのゲート電極上に形成されるソース電極とドレイン電極の配置構成を示す平面図と等価回路図である。図２に示すように、１つのゲート電極１０上に、アモルファスＳｉでなる半導体層２０が形成され、半導体層２０の上に、ドレイン電極３０の終端のない構造の円形でなる電極先端部３０ａ，３０ｂ，・・・とソース電極４０の終端のない円形でなる電極先端部４０ａ，４０ｂ，・・・とが複数配列されてなり、後述する図３に示す如く、ソース電極の電極先端部が次のＴＦＴのドレイン電極にもなるように構成されており、複数のＴＦＴ、例えばＴ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４が直列接続される。また、左右隣接するＴＦＴは並列接続される。
すなわち、等価回路図としては、図２に示すドレイン電極３０とソース電極４０の円形でなる電極先端部の間に形成される半導体層２０によってＴＦＴの機能を持ち、図３に示すように、チャネルドレイン電極３０とソース電極４０との間に、ソースとドレインが共通接続された複数のＴＦＴ、例えばＴ１，Ｔ２，Ｔ３及びＴ４が直列接続され、左右隣接するＴＦＴ、例えばＴ１，Ｔ５，Ｔ９が並列接続されている。
従って、図２及び図３に示す実施の形態によれば、画素選択スイッチング用の第１のＴＦＴと、有機ＥＬを駆動するためのドライブ用第２のＴＦＴとを、１つのゲート電極上に形成された、アモルファスＳｉでなる半導体層上に、ドレイン電極の円形でなる電極先端部とソース電極の円形でなる電極先端部とを複数配列してそれぞれ形成し、前記ドレイン電極とソース電極との間に、ソースとドレインが共通接続された複数のＴＦＴを直列接続し、かつ左右隣接するＴＦＴ同士を並列接続して構成したので、終端部の存在に起因する劣化を防止でき、また、ドレインからソースに流れる電流を複数のＴＦＴで分散させることで面積当たりの電流密度を小さくして劣化が生じてもその影響を少なくすることができ、ＴＦＴの劣化を改善してアモルファスＳｉで駆動する安価な有機ＥＬ表示装置を得ることができる。
一般的な有機ＥＬ表示装置の画素駆動回路の等価回路図である。 この発明の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置におけるＴＦＴ１及び２として用いられるＴＦＴの１つのゲート電極上に形成されるソース電極とドレイン電極の配置構成を示す平面図である。 図２の等価回路図である。
符号の説明
１ 画素選択スイッチング用のＴＦＴ、２ ドライブ用ＴＦＴ、３ 有機ＥＬ、１０ ゲート電極、２０ 半導体層、３０ ドレイン電極、３０ａ，３０ｂ，・・・ 電極先端部、４０ ソース電極、４０ａ，４０ｂ，・・・ 電極先端部、Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３及びＴ４ 直列接続されたＴＦＴ、Ｔ１，Ｔ５，Ｔ９ 並列接続された隣接するＴＦＴ。

Claims (2)

  1. 有機ＥＬの画素駆動回路として、画素選択スイッチング用の第１のＴＦＴと、有機ＥＬを駆動するためのドライブ用第２のＴＦＴとを備える有機ＥＬ表示装置であって、
    前記第１と第２のＴＦＴは、１つのゲート電極上に、アモルファスＳｉでなる半導体層が形成され、当該半導体層の上に、ドレイン電極の円形でなる電極先端部とソース電極の円形でなる電極先端部とが複数配列されてそれぞれ形成された
    ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
  2. 請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置において、
    前記ドレイン電極とソース電極との間に、ソースとドレインが共通接続された複数のＴＦＴが直列接続され、かつ左右隣接するＴＦＴ同士が並列接続されてなる
    ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
JP2006336114A 2006-12-13 2006-12-13 有機ｅｌ表示装置 Pending JP2008147586A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006336114A JP2008147586A (ja) 2006-12-13 2006-12-13 有機ｅｌ表示装置
KR1020070069905A KR20080055596A (ko) 2006-12-13 2007-07-12 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과, 그를 이용한 표시장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006336114A JP2008147586A (ja) 2006-12-13 2006-12-13 有機ｅｌ表示装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2008147586A true JP2008147586A (ja) 2008-06-26

Family

ID=39607391

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006336114A Pending JP2008147586A (ja) 2006-12-13 2006-12-13 有機ｅｌ表示装置

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP2008147586A (ja)
KR (1) KR20080055596A (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101030026B1 (ko) 2009-09-14 2011-04-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 동작 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20080055596A (ko) 2008-06-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6753491B2 (ja) 表示装置および電子機器
JP6115274B2 (ja) 表示装置および電子機器
JP5157467B2 (ja) 自発光型表示装置およびその駆動方法
JP2007103368A5 (ja)
EP2876684A3 (en) Organic electroluminescent device and repairing method thereof
JP2007011322A (ja) 表示装置及びその駆動方法
JP2007300060A (ja) マルチチャネル薄膜トランジスタ構造
TWI512699B (zh) 畫素電路及使用該畫素電路之顯示裝置與驅動顯示裝置的方法
JP2005302388A5 (ja)
KR102120075B1 (ko) 유기발광표시장치
KR20200060588A (ko) 표시 장치
KR101559055B1 (ko) 유기발광 표시패널 및 그 제조방법
JP2008233502A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法
JP2010060648A (ja) 画像表示装置
WO2010089919A1 (ja) 画像表示装置および短絡事故の修復方法
JP2009294278A (ja) 表示装置、表示装置における配線のレイアウト方法および電子機器
JP2004126106A (ja) エレクトロルミネッセンス表示装置
KR101391100B1 (ko) 유기발광 다이오드 구동 화소회로
JP2008147586A (ja) 有機ｅｌ表示装置
JP5789585B2 (ja) 表示装置および電子機器
KR102261994B1 (ko) 표시장치
JP2010049056A (ja) 有機ｅｌディスプレイ
JP2009115840A (ja) アクティブマトリクス型表示装置及びアクティブマトリクス型表示装置の駆動方法
JP2009115839A (ja) アクティブマトリクス型表示装置及びアクティブマトリクス型表示装置の駆動方法
JP2007206515A (ja) 発光ダイオード駆動回路およびそれを用いたディスプレイ装置