JP2008138099A - Squarylium compound-metal complex and optical recording medium using the same - Google Patents

Squarylium compound-metal complex and optical recording medium using the same Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a squarylium compound/metal complex which is highly able to absorb light in the wavelength region of 300-530 nm, therefore enables recording and reproduction with a blue semiconductor laser, is excellent in thermal decomposition behaviors and solvent solubility, and is also excellent in light resistance and durability and to provide an optical recording medium using the complex. <P>SOLUTION: Disclosed are a squarylium compound/metal complex composed of a squarylium compound represented by formula (A) and a metal ion and an optical recording medium using the same. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明はスクアリリウム化合物金属錯体及びそれを用いた光学記録媒体に関するものであり、より詳しくは300nm〜530nmの範囲にある波長のレーザー光を用いて情報を記録、及び/または再生する追記型の光学記録媒体用途に適した、スクアリリウム化合物金属錯体およびそれを用いた光学記録媒体に関する。   BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a squarylium compound metal complex and an optical recording medium using the same, and more specifically, a write-once optical for recording and / or reproducing information using a laser beam having a wavelength in the range of 300 nm to 530 nm. The present invention relates to a squarylium compound metal complex suitable for recording medium applications and an optical recording medium using the same.

従来、光学的に情報の記録・再生を行う記録媒体としては、光磁気記録媒体、相変化記録媒体、カルコゲン酸化物などが提案されているが、これらの中でもレーザーにより一回限りの情報の記録が可能な追記型の光学記録媒体としてCD−Rがコスト的に安価でかつ製造プロセスも容易であることから量産化され広く普及している。記録容量は0.65GB程度であるが、情報量の飛躍的増加に伴って、より高密度で大容量の光学記録媒体への要求が高まっている。
前記要求に応えるべく、記録媒体の高密度化を行う目的で、記録再生に用いるレーザー波長の短波長化や対物レンズの開口数を大きくすることによりビームスポットを小さくするなどの手段が用いられている。CD−Rの記録再生には、近赤外域レーザーの波長(通常は780nm)が用いられているが、近年、短波長(630nm〜680nm)の赤色半導体レーザーを用いる高密度の大容量記録を実現した有機色素系光学記録媒体(DVD−R)が実用化され、片面4.7GBのDVD−R媒体が市場に供給されている。この様なDVD−Rに適した、スクアリリウム化合物金属錯体を用いた光学記録媒体が提案されている(特許文献1)。
さらに将来はより高密度な記録が求められ、その記録情報量は1枚あたり15〜30GBに達すると予想される。
このため、短波長(300〜530nm)の青色半導体レーザーを用いた高密度の記録再生が可能な光学記録媒体が要望され、既に405nmの青色半導体レーザーを用いたBlu−ray方式と称する光記録媒体が上市された。
Conventionally, magneto-optical recording media, phase-change recording media, chalcogen oxides, and the like have been proposed as recording media for optically recording / reproducing information. Among these, information recording is performed only once by laser. As a write-once type optical recording medium capable of recording, a CD-R is inexpensive and easy to manufacture, and is mass-produced and widely used. Although the recording capacity is about 0.65 GB, the demand for higher-density and large-capacity optical recording media is increasing with the dramatic increase in the amount of information.
In order to meet the above-mentioned demand, for the purpose of increasing the density of the recording medium, means such as shortening the laser wavelength used for recording / reproducing and reducing the beam spot by increasing the numerical aperture of the objective lens are used. Yes. Near-infrared laser wavelengths (usually 780 nm) are used for CD-R recording and reproduction, but in recent years, high-density, large-capacity recording has been realized using red semiconductor lasers with short wavelengths (630 nm to 680 nm). The organic dye-based optical recording medium (DVD-R) has been put into practical use, and a single-sided 4.7 GB DVD-R medium has been supplied to the market. An optical recording medium using a squarylium compound metal complex suitable for such a DVD-R has been proposed (Patent Document 1).
In the future, higher density recording is required, and the amount of recorded information is expected to reach 15 to 30 GB per sheet.
For this reason, an optical recording medium capable of high-density recording / reproduction using a blue semiconductor laser with a short wavelength (300 to 530 nm) is desired, and an optical recording medium called a Blu-ray system using a blue semiconductor laser with a wavelength of 405 nm is already required. Was launched.

ところで、一般的な追記型光学記録媒体は、透明な円盤状基板上に、順次、有機色素等からなる記録層、金や銀などの金属等からなる光反射層および樹脂製の保護層等を積層させて構成される。情報の書き込み(記録)時は、記録層にレーザー光を照射して行われ、記録層がその光を吸収して局所的に温度上昇し、物理的あるいは化学的変化(例えば、ピットの生成)が生じ、その光学的な特性変化を利用して情報が記録される。
一方、情報の読み取り(再生)もまた記録用のレーザーと同じ波長のレーザーを照射することにより行われ、記録層の光学的特性が変化した部位(記録部分)と変化しない部位(未記録部分)との反射率の違いを検出することにより情報が再生される。
従って、青色半導体レーザーを用い高密度の記録再生が可能な光学記録媒体に使用される色素としては、前記基板上に良好なピットを形成・検出するために、使用する青色レーザー光の波長に対する光学的性質や分解挙動が良好であるものが求められ、特に極大吸収波長が300〜530nmの範囲にある色素が望まれている。
また、記録層形成に簡便なスピンコート法等の塗布法による媒体製造する際には、色素を塗布溶剤に溶解するために高溶解性が要求されており、この点についても配慮する必要がある。
この点に関連し、有機色素を含む記録層を有する光学記録媒体において、前記有機色素として特許文献1に開示されたものに加え、特許文献2および3にスクアリリウム系色素が提案されているが、その吸収波長が530〜600nmの範囲にあり、特許文献1に記載されたものと同様、青色レーザー光の波長領域ではないため不適切であった。
また、特許文献4にスクアリリウム系色素を提案したが、青色レーザー光と同じ波長に吸収ピークをもっているため、青色レーザー光で壊れやすくなり耐光性が不十分であるという問題がある。すなわち、レーザー光照射による該色素の吸収変化を利用し、反射層の反射率を低い状態から高い状態に変化させることによって記録を行う、Low to High型といわれる記録方式においては、該特許文献4に記載された構造の色素は、青色レーザー光と同じ405nmに吸収ピークが重なるため青色レーザー光に対する感度が高く、耐光性が低下する。従って、さらに耐光性が向上し、該記録方式に好適な有機色素及び光学記録媒体が求められている。
By the way, a general write-once optical recording medium has a recording layer made of an organic dye, a light reflecting layer made of a metal such as gold or silver, a protective layer made of a resin, etc. on a transparent disk-shaped substrate in order. It is configured by stacking. Information is written (recorded) by irradiating the recording layer with laser light, the recording layer absorbs the light, and the temperature rises locally, causing a physical or chemical change (for example, generation of pits). Information is recorded using the change in optical characteristics.
On the other hand, reading (reproduction) of information is also performed by irradiating a laser having the same wavelength as the recording laser, and the portion where the optical characteristics of the recording layer have changed (recorded portion) and the portion that has not changed (unrecorded portion) Information is reproduced by detecting the difference in reflectance from the.
Therefore, as a dye used in an optical recording medium capable of high-density recording / reproduction using a blue semiconductor laser, an optical device for the wavelength of the blue laser light used to form and detect good pits on the substrate is used. In particular, there is a demand for a dye having a good absorption property and good decomposition behavior, and particularly a dye having a maximum absorption wavelength in the range of 300 to 530 nm.
In addition, when a medium is produced by a coating method such as a spin coating method that is simple for forming a recording layer, high solubility is required to dissolve the dye in the coating solvent, and this point needs to be taken into consideration. .
In this regard, in an optical recording medium having a recording layer containing an organic dye, in addition to those disclosed in Patent Document 1 as the organic dye, Patent Documents 2 and 3 propose squarylium dyes. The absorption wavelength is in the range of 530 to 600 nm, and it is inappropriate because it is not in the wavelength region of blue laser light, similar to that described in Patent Document 1.
Further, although a squarylium dye is proposed in Patent Document 4, it has an absorption peak at the same wavelength as that of the blue laser light, so that there is a problem that the blue laser light is easily broken and the light resistance is insufficient. That is, in a recording method called Low to High type, in which recording is performed by changing the reflectance of the reflective layer from a low state to a high state using the absorption change of the dye due to laser light irradiation, the Patent Document 4 discloses. The dye having the structure described in (1) has high absorption sensitivity at 405 nm, which is the same as that of the blue laser light, and thus has high sensitivity to the blue laser light and lowers light resistance. Accordingly, there is a need for an organic dye and an optical recording medium that have further improved light resistance and are suitable for the recording method.

国際公開番号第W02002/050190号公報International Publication No. W02002 / 050190 特開2004−264805号公報JP 2004-264805 A 特開2004−258514号公報JP 2004-258514 A 特開2006−249209号公報JP 2006-249209 A

前述のように、記録層に用いられる有機色素としては、青色レーザー波長に対する光学的性質や分解挙動の適切な色素を選択する必要があり、特に、有機色素が分解し大きな屈折率変化が生じるようにするために、記録再生波長は極大吸収波長の長波長側の裾、もしくは吸収変化が生じるようにするために、記録再生波長は極大吸収波長の短波長側に位置するよう選択される。   As described above, it is necessary to select an organic dye that is suitable for the optical properties and the decomposition behavior with respect to the blue laser wavelength as the organic dye used in the recording layer. In particular, the organic dye is decomposed to cause a large refractive index change. Therefore, the recording / reproducing wavelength is selected so as to be located on the long wavelength side of the maximum absorption wavelength or on the short wavelength side of the maximum absorption wavelength in order to cause an absorption change.

有機色素において、青色レーザー波長近傍に極大吸収波長を持たせるには、一般に、分子骨格を小さくするか、共役系を短くすることが考えられるが、そのような場合同時に、吸光係数の低下、即ち屈折率の低下も起こり、記録層に用いられる有機色素として好ましくないものとなる。   In organic dyes, in order to have a maximum absorption wavelength in the vicinity of the blue laser wavelength, it is generally considered that the molecular skeleton is reduced or the conjugated system is shortened. A decrease in refractive index also occurs, making this an undesirable organic dye for use in the recording layer.

また、極大吸収波長が300〜530nmにある有機色素も存在するが、これらの有機色素として有機キレート錯体等を適用した場合には溶媒に対する溶解性が低い、成膜時に結晶が析出する現象が見られるため適切な記録層を形成できない等の問題があり、これらの有機キレート錯体等を使用した場合には記録再生ができない等の問題があった。   There are also organic dyes having a maximum absorption wavelength of 300 to 530 nm. However, when an organic chelate complex or the like is applied as these organic dyes, the solubility in a solvent is low, and a phenomenon in which crystals precipitate during film formation is observed. Therefore, there is a problem that an appropriate recording layer cannot be formed. When these organic chelate complexes are used, there is a problem that recording and reproduction cannot be performed.

本発明の目的は、青色半導体レーザーにより記録再生可能な300〜530nmの波長領域に高い光吸収特性と高屈折率性を有し、かつ溶媒に対する溶解性に優れ、耐光性と耐久性に優れたスクアリリウム化合物金属錯体および前記スクアリリウム化合物金属錯体を用いた光学記録媒体を提供することにある。   The object of the present invention is to have high light absorption characteristics and high refractive index in a wavelength range of 300 to 530 nm that can be recorded and reproduced by a blue semiconductor laser, and has excellent solubility in a solvent, and excellent light resistance and durability. An object of the present invention is to provide a squarylium compound metal complex and an optical recording medium using the squarylium compound metal complex.

本発明者らは上記問題を解決すべく鋭意検討を行った結果、特定のスクアリリウム化合物金属錯体が300〜530nmの領域に高い光吸収特性と高屈折率性を有し、かつ溶媒に対する溶解性に加え、耐光性と耐久性に優れることから光学記録媒体の記録層として有用であることを見出し、本発明を完成するに至った。   As a result of intensive studies to solve the above problems, the present inventors have found that a specific squarylium compound metal complex has high light absorption characteristics and high refractive index in the region of 300 to 530 nm, and is soluble in a solvent. In addition, since it was excellent in light resistance and durability, it was found useful as a recording layer of an optical recording medium, and the present invention was completed.

すなわち、本発明は、
[1]下記一般式(A)
That is, the present invention
[1] The following general formula (A)

Figure 2008138099
(式中、R、Rは、水素原子、ハロゲン原子、置換基を有していてもよい炭素数1〜20の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜12の直鎖又は分岐鎖のハロゲン化アルキル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜20の直鎖又は分岐鎖のシアノアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜18の直鎖又は分岐鎖のアルコキシ基、置換基を有していてもよいアルキル基の炭素数が1〜8の直鎖又は分岐のアルキルフェニル基、又は置換基を有していてもよいアルキル基の炭素数が1〜6の直鎖又は分岐のアルキルスルホン酸基を示し、
〜Rはそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、置換基を有していてもよい炭素数1〜20の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜12の直鎖又は分岐鎖のハロゲン化アルキル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜20の直鎖又は分岐鎖のシアノアルキル基、置換基を有していてもよいヒドロキシ基、置換基を有していてもよいシアノ基、置換基を有していてもよいニトロ基、置換基を有していてもよいアミノ基、置換基を有していてもよいスルホ基、置換基を有していてもよい炭素数2〜20の直鎖又は分岐鎖のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜20の直鎖又は分岐鎖のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数6〜18のアリール基、
置換基を有していてもよい炭素数3〜20のヘテロ環、置換基を有していてもよい炭素数2〜18の直鎖又は分岐鎖のアシル基、又は置換基を有していてもよい炭素数2〜18の直鎖又は分岐鎖のアルコキシカルボニル基を示す。尚、RとR、RとR及びRとRは連結して環を形成してもよい。)
で示されるスクアリリウム化合物と、
金属イオンと、
からなるスクアリリウム化合物金属錯体を提供するものであり、
Figure 2008138099
(In formula, R < 1 >, R < 2 > may have a C1-C20 linear or branched alkyl group which may have a hydrogen atom, a halogen atom, and a substituent, and a substituent. A linear or branched halogenated alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, which may have a substituent, a linear or branched cyanoalkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or a substituent. A linear or branched alkoxy group having 1 to 18 carbon atoms, a linear or branched alkylphenyl group having 1 to 8 carbon atoms which may have a substituent, or a substituent. A linear or branched alkyl sulfonic acid group having 1 to 6 carbon atoms of the alkyl group that may be present;
R 3 to R 8 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, an optionally substituted linear or branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or an optionally substituted carbon number. 1-12 linear or branched alkyl halide groups, optionally substituted linear or branched C1-C20 cyanoalkyl groups, optionally substituted hydroxy A group, a cyano group optionally having a substituent, a nitro group optionally having a substituent, an amino group optionally having a substituent, a sulfo group optionally having a substituent, A linear or branched alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms which may have a substituent, a linear or branched alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms which may have a substituent, a substituent An aryl group having 6 to 18 carbon atoms, which may have
An optionally substituted heterocyclic ring having 3 to 20 carbon atoms, an optionally substituted straight chain or branched chain acyl group having 2 to 18 carbon atoms, or a substituent; Or a C2-C18 linear or branched alkoxycarbonyl group. R 1 and R 2 , R 2 and R 3, and R 3 and R 4 may be linked to form a ring. )
A squarylium compound represented by
Metal ions,
A squarylium compound metal complex comprising:

[2]前記金属イオンが、Niイオン、Coイオン、Znイオン、Cuイオン、Ptイオン、Tiイオン、Alイオン、Vイオン、Mnイオン、Feイオン、Moイオン、Wイオン、Inイオン、Snイオン、Ruイオン、Crイオン、Pbイオン及びEuイオンから成る群から選択された少なくとも1つであることを特徴とする、上記[1]に記載のスクアリリウム化合物金属錯体を提供するものであり、 [2] The metal ions are Ni ions, Co ions, Zn ions, Cu ions, Pt ions, Ti ions, Al ions, V ions, Mn ions, Fe ions, Mo ions, W ions, In ions, Sn ions, The squarylium compound metal complex according to the above [1], characterized in that it is at least one selected from the group consisting of Ru ions, Cr ions, Pb ions and Eu ions,

[3]上記[1]又は[2]に記載のスクアリリウム化合物金属錯体を含有する記録層を有する光学記録媒体を提供するものであり、 [3] An optical recording medium having a recording layer containing the squarylium compound metal complex according to the above [1] or [2] is provided.

[4]前記記録層が、光安定化剤を含有することを特徴とする上記[3]に記載の光学記録媒体を提供するものであり、 [4] The optical recording medium according to [3] above, wherein the recording layer contains a light stabilizer,

[5]前記光安定化剤が、下記一般式(B) [5] The light stabilizer is represented by the following general formula (B)

Figure 2008138099
(式中、Rはそれぞれ独立に水素原子、置換基を有していてもよい炭素数1〜20の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜12の直鎖又は分岐鎖のハロゲン化アルキル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜20の直鎖又は分岐鎖のシアノアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜20の直鎖又は分岐鎖のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数6〜20のアリール基、置換基を有していてもよい炭素数7〜20のアラルキル基または置換基を有していてもよい炭素数3〜20のヘテロ環等を示す。)、
一般式(D)
Figure 2008138099
(In the formula, each R 9 independently represents a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms which may have a substituent, or a carbon atom having 1 to 1 carbon atoms which may have a substituent. 12 straight-chain or branched alkyl halide groups, optionally having 1 to 20 carbon atoms straight or branched cyanoalkyl groups, and optionally having 1 substituent -20 linear or branched alkoxy group, optionally substituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms, optionally substituted aralkyl group having 7 to 20 carbon atoms or substituent A C3-C20 heterocyclic ring etc. that may have
Formula (D)

Figure 2008138099
(式中、R11はそれぞれ独立に水素原子、置換基を有していてもよい炭素数1〜20の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜12の直鎖又は分岐鎖のハロゲン化アルキル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜20の直鎖又は分岐鎖のシアノアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜20の直鎖又は分岐鎖のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数6〜20のアリール基、置換基を有していてもよい炭素数7〜20のアラルキル基または置換基を有していてもよい炭素数3〜20のヘテロ環等を示す。)、
および一般式(F)
Figure 2008138099
(In the formula, each R 11 independently represents a hydrogen atom, a C 1-20 linear or branched alkyl group which may have a substituent, or a C 1 which may have a substituent. 12 straight-chain or branched alkyl halide groups, optionally having 1 to 20 carbon atoms straight or branched cyanoalkyl groups, and optionally having 1 substituent -20 linear or branched alkoxy group, optionally substituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms, optionally substituted aralkyl group having 7 to 20 carbon atoms or substituent A C3-C20 heterocyclic ring etc. that may have
And general formula (F)

Figure 2008138099
(式中、R13はそれぞれ独立に水素原子、置換基を有していてもよい炭素数1〜20の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜12の直鎖又は分岐鎖のハロゲン化アルキル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜20の直鎖又は分岐鎖のシアノアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜20の直鎖又は分岐鎖のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数6〜20のアリール基、置換基を有していてもよい炭素数7〜20のアラルキル基または置換基を有していてもよい炭素数3〜20のヘテロ環を示す。またXはSbFイオン、ClOイオン、PFイオン、CFSOイオン、(CFSONイオン等の異なっていても良いアニオン成分を示す。)
からなる群より選ばれる少なくとも一つであることを特徴とする、上記[4]に記載の光学記録媒体を提供するものであり、
Figure 2008138099
(In the formula, each R 13 is independently a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms which may have a substituent, or a carbon number 1 to 1 which may have a substituent. 12 straight-chain or branched alkyl halide groups, optionally having 1 to 20 carbon atoms straight or branched cyanoalkyl groups, and optionally having 1 substituent -20 linear or branched alkoxy group, optionally substituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms, optionally substituted aralkyl group having 7 to 20 carbon atoms or substituent X represents a heterocycle having 3 to 20 carbon atoms, which may have an X. X represents SbF 6 ion, ClO 4 ion, PF 6 ion, CF 3 SO 3 ion, (CF 3 SO 2 ) 2 N ion, etc. Indicates anion components that may be different.)
The optical recording medium according to the above [4], characterized in that it is at least one selected from the group consisting of:

[6]前記記録層はレーザー光による情報の書き込み、及び/または読みとりが可能であることを特徴とする、上記[3]〜[5]のいずれかに記載の光学記録媒体を提供するものであり、 [6] The optical recording medium according to any one of the above [3] to [5], wherein the recording layer is capable of writing and / or reading information with a laser beam. Yes,

[7]前記レーザー光による情報の書き込み、及び/または読みとりが、300nm〜530nmの範囲にある波長のレーザー光により実施されることを特徴とする上記[6]に記載の光学記録媒体を提供するものである。 [7] The optical recording medium according to the above [6], wherein writing and / or reading of information by the laser beam is performed by a laser beam having a wavelength in the range of 300 nm to 530 nm. Is.

本発明によれば、青色半導体レーザーにより記録再生可能な300〜530nmの波長領域に高い光吸収特性と高屈折率性を有し、かつ溶媒に対する溶解性に優れ、耐光性と耐久性に優れたスクアリリウム化合物金属錯体及び前記スクアリリウム化合物金属錯体を用いた光学記録媒体を提供することができる。
また、本発明のスクアリリウム化合物金属錯体にもちいるスクアリリウム化合物を上記一般式(A)に示す構造とすることにより、吸収ピークがより長波長側にシフトし、青色レーザー光の波長405nmにおける吸収を小さくでき、その結果、青色レーザー光に対する感度を低下でき、優れた耐光性を維持できるという効果が現われる。従って、特にLow to High型の記録方式に用いる光学記録媒体として極めて有用である。
According to the present invention, it has a high light absorption property and a high refractive index property in a wavelength region of 300 to 530 nm that can be recorded and reproduced by a blue semiconductor laser, and is excellent in solubility in a solvent, and excellent in light resistance and durability. A squarylium compound metal complex and an optical recording medium using the squarylium compound metal complex can be provided.
Moreover, by making the squarylium compound used in the squarylium compound metal complex of the present invention into the structure shown in the above general formula (A), the absorption peak is shifted to the longer wavelength side, and the absorption of blue laser light at a wavelength of 405 nm is reduced. As a result, the sensitivity to blue laser light can be lowered, and the effect that excellent light resistance can be maintained appears. Therefore, it is extremely useful as an optical recording medium used for a Low to High recording method.

以下、本発明のスクアリリウム化合物金属錯体について詳細に説明する。   Hereinafter, the squarylium compound metal complex of the present invention will be described in detail.

本発明のスクアリリウム化合物金属錯体は一般式(A)で示されるスクアリリウム化合物と金属イオンとからなるものである。   The squarylium compound metal complex of the present invention comprises a squarylium compound represented by the general formula (A) and a metal ion.

一般式(A)におけるR、Rは、水素原子、ハロゲン原子、置換基を有していてもよい直鎖又は分岐鎖のアルキル基、置換基を有していてもよい直鎖又は分岐鎖のハロゲン化アルキル基、置換基を有していてもよい直鎖又は分岐鎖のシアノアルキル基、置換基を有していてもよい直鎖又は分岐鎖のアルコキシ基、置換基を有していてもよい直鎖又は分岐鎖のアルキルフェニル基、又は置換基を有していてもよい直鎖又は分岐鎖のアルキルスルホン酸基を示す。 R 1 and R 2 in the general formula (A) are a hydrogen atom, a halogen atom, a linear or branched alkyl group which may have a substituent, or a linear or branched which may have a substituent. A chain halogenated alkyl group, a linear or branched cyanoalkyl group which may have a substituent, a linear or branched alkoxy group which may have a substituent, or a substituent. A linear or branched alkylphenyl group which may be substituted, or a linear or branched alkylsulfonic acid group which may have a substituent is shown.

前記ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子があげられ、好ましくはフッ素原子である。   Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom, preferably a fluorine atom.

置換基を有していてもよい直鎖又は分岐鎖のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、tert−ブチル基、sec−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、n−デシル基、n−ドデシル基、n−オクタデシル基等の炭素数1〜20の直鎖または分岐鎖のアルキル基があげられ、好ましくは炭素数1〜10の直鎖または分岐鎖のアルキル基である。   Examples of the linear or branched alkyl group which may have a substituent include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, tert-butyl group, sec-butyl group, n A linear or branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms such as a pentyl group, n-hexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, n-decyl group, n-dodecyl group, n-octadecyl group, etc. Preferably, it is a C1-C10 linear or branched alkyl group.

置換基を有していてもよい直鎖又は分岐鎖のハロゲン化アルキル基は下記一般式(G)で表される。   The linear or branched alkyl halide group which may have a substituent is represented by the following general formula (G).

一般式(G)   General formula (G)

Figure 2008138099
(式中、Xはハロゲン原子を示し、nは1〜12の自然数、mは1〜25の自然数を示す。)
上記ハロゲン化アルキル基の炭素数は1〜12の範囲が好ましい。炭素数が12個を越えると、スクアリリウム化合物の質量吸光係数が低下してしまう場合がある。ハロゲン化アルキル基のハロゲン原子としては特に限定はないが、スクアリリウム化合物の耐熱性、耐光性を向上させる効果に優れる点から、特にフッ素原子、すなわちフッ化アルキル基が好ましい。
Figure 2008138099
(In the formula, X represents a halogen atom, n represents a natural number of 1 to 12, and m represents a natural number of 1 to 25.)
The halogenated alkyl group preferably has 1 to 12 carbon atoms. If the number of carbon atoms exceeds 12, the mass extinction coefficient of the squarylium compound may decrease. The halogen atom of the halogenated alkyl group is not particularly limited, but a fluorine atom, that is, a fluorinated alkyl group is particularly preferable from the viewpoint of excellent effects of improving the heat resistance and light resistance of the squarylium compound.

上記フッ化アルキル基としては、例えば、トリフルオロメチル基、2,2,2−トリフルオロエチル基、3,3,3−トリフルオロプロピル基、4,4,4−トリフルオロブチル基、5,5,5−トリフルオロペンチル基、6,6,6−トリフルオロヘキシル基、8,8,8−トリフルオロオクチル基、2−メチル−3,3,3−トリフルオロプロピル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロヘキシル基、ペルフルオロオクチル基、2−トリフルオロメチル−ペルフルオロプロピル基等があげられる。   Examples of the fluorinated alkyl group include trifluoromethyl group, 2,2,2-trifluoroethyl group, 3,3,3-trifluoropropyl group, 4,4,4-trifluorobutyl group, 5, 5,5-trifluoropentyl group, 6,6,6-trifluorohexyl group, 8,8,8-trifluorooctyl group, 2-methyl-3,3,3-trifluoropropyl group, perfluoroethyl group, Examples thereof include a perfluoropropyl group, a perfluorobutyl group, a perfluorohexyl group, a perfluorooctyl group, and a 2-trifluoromethyl-perfluoropropyl group.

上記置換基を有していてもよい直鎖又は分岐鎖のシアノアルキル基としては特に限定はないが、例えばプロピオニトリル基、ブチロニトリル基、ペンチルニトリル基、1−メチルプロピオニトリル基、1−メチルブチロニトリル基等があげられる。好ましくは炭素数1〜20の直鎖または分岐鎖のシアノアルキル基であり、置換されているシアノ基の数は、1〜3個が好ましい。   The linear or branched cyanoalkyl group which may have the above substituent is not particularly limited. For example, a propionitrile group, a butyronitrile group, a pentylnitrile group, a 1-methylpropionitrile group, 1- Examples thereof include a methylbutyronitrile group. A linear or branched cyanoalkyl group having 1 to 20 carbon atoms is preferred, and the number of substituted cyano groups is preferably 1 to 3.

上記置換基を有していてもよい直鎖又は分岐鎖のアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、2−メトキシエトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、デシルオキシ基、メトキシメチル基、メトキシエチル基、メトキシプロピル基、メトキシブチル基、メトキシヘキシル基、メトキシオクチル基、エトキシエチル基、エトキシエチル基、エトキシプロピル基、エトキシブチル基、エトキシヘキシル基、エトキシオクチル基、プロポキシメチル基、プロポキシプロピル基、プロポキシヘキシル基、ブトキシエチル基が挙げられ、好ましくは炭素数1〜18の直鎖又は分岐鎖のアルコキシ基があげられ、より好ましくは炭素数3〜9の直鎖又は分岐鎖のアルコキシ基である。   Examples of the linear or branched alkoxy group which may have a substituent include a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, an isopropoxy group, a butoxy group, a 2-methoxyethoxy group, a pentyloxy group, and a hexyl group. Oxy group, octyloxy group, decyloxy group, methoxymethyl group, methoxyethyl group, methoxypropyl group, methoxybutyl group, methoxyhexyl group, methoxyoctyl group, ethoxyethyl group, ethoxyethyl group, ethoxypropyl group, ethoxybutyl group, An ethoxyhexyl group, an ethoxyoctyl group, a propoxymethyl group, a propoxypropyl group, a propoxyhexyl group, and a butoxyethyl group are mentioned, Preferably a C1-C18 linear or branched alkoxy group is mentioned, More preferably C3-C9 linear or branched It is an alkoxy group.

置換基を有していてもよい直鎖又は分岐鎖のアルキルフェニル基としては、ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基、フェニル−α−メチルプロピル基、フェニル−β−メチルプロピル基、フェニルブチル基、フェニルペンチル基等があげられる。炭素数が1〜8の直鎖又は分岐鎖のアルキル基を有するものが好ましく、また、フェニル基にアルキル基、水酸基、スルホン酸基、アルキルスルホン酸基、ニトロ基、アミノ基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基及びハロゲンからなる群から選ばれる少なくとも1種の置換基を有していてもよい。   Examples of the linear or branched alkylphenyl group which may have a substituent include a benzyl group, a phenethyl group, a phenylpropyl group, a phenyl-α-methylpropyl group, a phenyl-β-methylpropyl group, and a phenylbutyl group. And phenylpentyl group. Those having a linear or branched alkyl group having 1 to 8 carbon atoms are preferred. In addition, an alkyl group, a hydroxyl group, a sulfonic acid group, an alkylsulfonic acid group, a nitro group, an amino group, an alkoxy group, a halogen atom on the phenyl group. It may have at least one substituent selected from the group consisting of an alkyl group and a halogen.

置換基を有していてもよい直鎖又は分岐鎖のアルキルスルホン酸基としては、メチルスルホン酸基、エチルスルホン酸基、プロピルスルホン酸基が挙げられる。炭素数1〜6の直鎖又は分岐鎖のアルキル基を有するアルキルスルホン酸基が好ましい。   Examples of the linear or branched alkylsulfonic acid group that may have a substituent include a methylsulfonic acid group, an ethylsulfonic acid group, and a propylsulfonic acid group. Alkylsulfonic acid groups having a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms are preferred.

一般式(A)において、R〜Rはそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、置換基を有していてもよい直鎖又は分岐鎖のアルキル基、置換基を有していてもよい直鎖又は分岐鎖のハロゲン化アルキル基、置換基を有していてもよい直鎖又は分岐鎖のシアノアルキル基、置換基を有していてもよいヒドロキシ基、置換基を有していてもよいシアノ基、置換基を有していてもよいニトロ基、置換基を有していてもよいアミノ基、置換基を有していてもよいスルホ基、置換基を有していてもよい直鎖又は分岐鎖のアルケニル基、置換基を有していてもよい直鎖又は分岐鎖のアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいヘテロ環、置換基を有していてもよい直鎖又は分岐鎖のアシル基、又は置換基を有していてもよい直鎖又は分岐鎖のアルコキシカルボニル基を示す。 In the general formula (A), R 3 to R 8 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a linear or branched alkyl group which may have a substituent, or a substituent which may have a substituent. A chain- or branched-chain halogenated alkyl group, a linear or branched cyanoalkyl group that may have a substituent, a hydroxy group that may have a substituent, or a substituent. Cyano group, optionally substituted nitro group, optionally substituted amino group, optionally substituted sulfo group, optionally substituted linear Or a branched alkenyl group, a linear or branched alkoxy group which may have a substituent, an aryl group which may have a substituent, a heterocyclic ring which may have a substituent, a substituent A linear or branched acyl group which may have a group, or a substituent And it represents an straight or branched chain alkoxycarbonyl group.

前記ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子があげられ、好ましくはフッ素原子である。   Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom, preferably a fluorine atom.

前記置換基を有していてもよい直鎖又は分岐鎖のアルキル基としては、前述のR、Rで挙げた直鎖又は分岐鎖のアルキル基と同様である。また、前記置換基を有していてもよい直鎖又は分岐鎖のハロゲン化アルキル基及び前記置換基を有していてもよい直鎖又は分岐鎖のシアノアルキル基、についても前述と同様である。 Examples of the linear or branched alkyl group that may have the substituent are the same as the linear or branched alkyl group described above for R 1 and R 2 . The same applies to the linear or branched alkyl halide group which may have the substituent and the linear or branched cyanoalkyl group which may have the substituent. .

前記置換基を有していてもよいヒドロキシ基としては、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基、3−ヒドロキシプロピル基、2−ヒドロキシプロピル基、4−ヒドロキシブチル基、3−ヒドロキシブチル基、ヒドロキシエトキシメチル基、2−ヒドロキシエトキシエチル基、3−ヒドロキシエトキシプロピル基、2−ヒドロキシエトキシプロピル基、4−ヒドロキシエトキシブチル基、3−ヒドロキシエトキシブチル基、2−ヒドロキシエトキシブチル基等が挙げられる。   Examples of the hydroxy group which may have a substituent include hydroxymethyl group, hydroxyethyl group, 3-hydroxypropyl group, 2-hydroxypropyl group, 4-hydroxybutyl group, 3-hydroxybutyl group, hydroxyethoxymethyl. Group, 2-hydroxyethoxyethyl group, 3-hydroxyethoxypropyl group, 2-hydroxyethoxypropyl group, 4-hydroxyethoxybutyl group, 3-hydroxyethoxybutyl group, 2-hydroxyethoxybutyl group and the like.

前記置換基を有していてもよいシアノ基としては、シアノメチル基、シアノエチル基、シアノプロピル基、シアノブチル基、シアノイソプロピル基等が挙げられる。   Examples of the cyano group that may have a substituent include a cyanomethyl group, a cyanoethyl group, a cyanopropyl group, a cyanobutyl group, and a cyanoisopropyl group.

前記置換基を有していてもよいニトロ基としては、ニトロメチル基、ニトロエチル基、ニトロブチル基、ニトロプロピル基等が挙げられる。   Examples of the nitro group which may have a substituent include a nitromethyl group, a nitroethyl group, a nitrobutyl group, and a nitropropyl group.

前記置換基を有していてもよいアミノ基としては、メチルアミノ基、エチルアミノ基、n−プロピルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジ−n−プロピルアミノ基等のアルキル置換アミノ基、アシルアミノ基、スルホアミノ基等が挙げられる。   Examples of the amino group which may have a substituent include alkyl-substituted amino groups such as a methylamino group, an ethylamino group, an n-propylamino group, a dimethylamino group, a diethylamino group, and a di-n-propylamino group, An acylamino group, a sulfoamino group, etc. are mentioned.

前記置換基を有していてもよいスルホ基としては、メチルスルホ基、ブチルスルホ基、アリールスルホ基等が挙げられる。   Examples of the sulfo group that may have a substituent include a methylsulfo group, a butylsulfo group, and an arylsulfo group.

前記置換基を有していてもよいアルケニル基としては、ビニル基、アリール基、1−プロペニル基、2−ペンテニル基、1,3−ブタジエニル基、2−オクテニル基、3−ドデセニル基等が挙げられる。好ましくは炭素数2〜20の直鎖又は分岐鎖のアルケニル基があげられ、より好ましくは炭素数3〜6の直鎖または分岐鎖のアルケニル基である。   Examples of the alkenyl group which may have a substituent include a vinyl group, an aryl group, a 1-propenyl group, a 2-pentenyl group, a 1,3-butadienyl group, a 2-octenyl group, and a 3-dodecenyl group. It is done. Preferred are linear or branched alkenyl groups having 2 to 20 carbon atoms, and more preferred are linear or branched alkenyl groups having 3 to 6 carbon atoms.

前記置換基を有していてもよいアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、2−メトキシエトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、デシルオキシ基、メトキシメチル基、メトキシエチル基、メトキシプロピル基、メトキシブチル基、メトキシヘキシル基、メトキシオクチル基、エトキシエチル基、エトキシエチル基、エトキシプロピル基、エトキシブチル基、エトキシヘキシル基、エトキシオクチル基、プロポキシメチル基、プロポキシプロピル基、プロポキシヘキシル基、ブトキシエチル基等の炭素数1〜20の直鎖又は分岐鎖のアルコキシ基があげられ、好ましくは炭素数1〜6の直鎖または分岐鎖のアルコキシ基である。   Examples of the alkoxy group which may have a substituent include a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, an isopropoxy group, a butoxy group, a 2-methoxyethoxy group, a pentyloxy group, a hexyloxy group, an octyloxy group, and a decyloxy group. Group, methoxymethyl group, methoxyethyl group, methoxypropyl group, methoxybutyl group, methoxyhexyl group, methoxyoctyl group, ethoxyethyl group, ethoxyethyl group, ethoxypropyl group, ethoxybutyl group, ethoxyhexyl group, ethoxyoctyl group, Examples thereof include linear or branched alkoxy groups having 1 to 20 carbon atoms such as propoxymethyl group, propoxypropyl group, propoxyhexyl group and butoxyethyl group, preferably linear or branched alkoxy having 1 to 6 carbon atoms. It is a group.

前記置換基を有していてもよいアリール基としては、フェニル基、トリル基、キシリル基、メシチル基、クメニル基、ナフチル基などの炭素数6〜18のアリール基があげられ、好ましくは炭素数6〜12の置換または未置換のアリール基である。   Examples of the aryl group which may have a substituent include aryl groups having 6 to 18 carbon atoms such as phenyl group, tolyl group, xylyl group, mesityl group, cumenyl group and naphthyl group, preferably carbon number 6 to 12 substituted or unsubstituted aryl groups.

前記置換基を有していてもよいヘテロ環としては、例えば、フラン環、ピロール環、チオフェン環、カルバゾール環、ピリジン環、キノリン環、イソキノリン環、アクリジン環、ピリミジン環、ピラジン環、フェナジン環、イミダゾール環、トリアゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、チアジアゾール環、オキサジアゾール環等があげられる。   Examples of the hetero ring optionally having a substituent include a furan ring, a pyrrole ring, a thiophene ring, a carbazole ring, a pyridine ring, a quinoline ring, an isoquinoline ring, an acridine ring, a pyrimidine ring, a pyrazine ring, and a phenazine ring. Examples include an imidazole ring, a triazole ring, an oxazole ring, a thiazole ring, a thiadiazole ring, and an oxadiazole ring.

前記置換基を有していてもよいアシル基としては、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、バレリル基、イソバレリル基等の炭素数2〜18の直鎖又は分岐鎖のアシル基があげられ、好ましくは炭素数3〜9の直鎖または分岐鎖のアシル基である。   Examples of the acyl group which may have a substituent include linear or branched acyl groups having 2 to 18 carbon atoms such as acetyl group, propionyl group, butyryl group, isobutyryl group, valeryl group and isovaleryl group. Preferably, it is a C3-C9 linear or branched acyl group.

前記置換基を有していてもよいアルコキシカルボニル基としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、2−メトキシエトキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘキシルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ウンデシルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基、ヘキサデシルオキシカルボニル基、オクタデシルオキシカルボニル基等の炭素数2〜18の直鎖又は分岐鎖のアルコキシカルボニル基があげられ、好ましくは炭素数2〜8の直鎖または分岐鎖のアルコキシカルボニル基である。   Examples of the alkoxycarbonyl group which may have a substituent include a methoxycarbonyl group, an ethoxycarbonyl group, a propoxycarbonyl group, an isopropoxycarbonyl group, a butoxycarbonyl group, a 2-methoxyethoxycarbonyl group, a pentyloxycarbonyl group, and hexyl. Examples thereof include linear or branched alkoxycarbonyl groups having 2 to 18 carbon atoms such as oxycarbonyl group, octyloxycarbonyl group, undecyloxycarbonyl group, dodecyloxycarbonyl group, hexadecyloxycarbonyl group, octadecyloxycarbonyl group and the like. , Preferably it is a C2-C8 linear or branched alkoxycarbonyl group.

本発明のスクアリリウム化合物金属錯体に含まれる前記スクアリリウム化合物は、例えば一般式(A)の場合であれば、下記一般式(H)のジクロロスクアリン酸を公知の方法により合成し、例えば下記一般式(I)で示されるナフトール誘導体化合物と反応させることにより得ることができる。   For example, in the case of the general formula (A), the squarylium compound included in the metal complex of the squarylium compound of the present invention synthesizes dichlorosquaric acid of the following general formula (H) by a known method. It can be obtained by reacting with a naphthol derivative compound represented by (I).

一般式(H)   General formula (H)

Figure 2008138099
Figure 2008138099

一般式(I)   Formula (I)

Figure 2008138099
上記式中、R〜Rは一般式(A)の場合と同様である。
Figure 2008138099
In said formula, R < 1 > -R < 8 > is the same as that of the case of general formula (A).

以下に、本発明におけるスクアリリウム化合物金属錯体におけるスクアリリウム化合物の具体例(化合物(1)〜(12))を挙げるが、前記スクアリリウム化合物はこれらに限定されるものではない。   Although the specific example (compound (1)-(12)) of the squarylium compound in the squarylium compound metal complex in this invention is given to the following, the said squarylium compound is not limited to these.

Figure 2008138099
Figure 2008138099

本発明において、前記スクアリリウム化合物との錯体を生成させる金属イオンとしては、前記スクアリリウム化合物と錯体を形成するものであれば特に限定はないが、例えば、Niイオン、Coイオン、Znイオン、Cuイオン、Ptイオン、Tiイオン、Alイオン、Vイオン、Mnイオン、Feイオン、Moイオン、Wイオン、Snイオン、Ruイオン、Crイオン、Pbイオン、Euイオン及びIrイオン等の各種イオンが好ましく、各種溶媒への溶解度や耐光性、耐久性の点から特にNiイオン、Cuイオン、Znイオン、Coイオン、Tiイオン、Feイオンが好ましい。   In the present invention, the metal ion that forms a complex with the squarylium compound is not particularly limited as long as it forms a complex with the squarylium compound. For example, Ni ions, Co ions, Zn ions, Cu ions, Various ions such as Pt ion, Ti ion, Al ion, V ion, Mn ion, Fe ion, Mo ion, W ion, Sn ion, Ru ion, Cr ion, Pb ion, Eu ion and Ir ion are preferable, and various solvents Ni ions, Cu ions, Zn ions, Co ions, Ti ions, and Fe ions are particularly preferable in terms of solubility in light, light resistance, and durability.

前記金属イオンは一種又は二種以上を使用することができる。   The said metal ion can use 1 type, or 2 or more types.

本発明のスクアリリウム化合物金属錯体では、金属は金属イオンとして1又は2以上のスクアリリウム分子と結合して錯体として存在していても、金属塩として1又は2以上のスクアリリウム分子と相互作用を互いに及ぼして弱い結合を形成していても良い。
錯体の場合の配位数は、金属の種類やスクアリリウム化合物の置換基などによって変化する。
In the squarylium compound metal complex of the present invention, the metal interacts with one or more squarylium molecules as a metal salt even if the metal is present as a complex by binding to one or more squarylium molecules as a metal ion. A weak bond may be formed.
The coordination number in the case of a complex varies depending on the type of metal and the substituent of the squarylium compound.

本発明の光学記録媒体は、一般式(A)の少なくとも一種のスクアリリウム化合物と、金属イオンとからなるスクアリリウム化合物金属錯体を含有する記録層を有するものである。   The optical recording medium of the present invention has a recording layer containing a squarylium compound metal complex composed of at least one squarylium compound of the general formula (A) and a metal ion.

ここで、本発明のスクアリリウム化合物金属錯体は、J型会合体またはH型会合体の一種もしくは二種を形成していてもよい。   Here, the squarylium compound metal complex of the present invention may form one or two of J-type aggregates or H-type aggregates.

前記スクアリリウム化合物金属錯体は、300nm〜530nmという短い波長領域に、レーザー光による記録再生に適した光学定数を有しているため、短波長レーザーによる記録再生用光学記録媒体に使用する化合物として極めて有用である。   Since the squarylium compound metal complex has an optical constant suitable for recording and reproduction with laser light in a short wavelength region of 300 nm to 530 nm, it is extremely useful as a compound for use in an optical recording medium for recording and reproduction with a short wavelength laser. It is.

本発明の光学記録媒体の好ましい構成としては、一定のトラックピッチのプレグルーブが形成された円盤状基板上に、順次、記録層、光反射層および保護層を形成させた構成、該基板上に、順次、光反射層、記録層および保護層を形成させた構成、または、一定のトラックピッチのプレグルーブが形成された透明な円盤状基板上に、順次、記録層および光反射層が形成されてなる二枚の積層体を、記録層が各々内向するように接合された構成などがあげられる。以下に、光学記録媒体について詳細に説明する。   As a preferable configuration of the optical recording medium of the present invention, a recording layer, a light reflection layer, and a protective layer are sequentially formed on a disc-like substrate on which pregrooves having a constant track pitch are formed. The recording layer and the light reflection layer are sequentially formed on the transparent disk-shaped substrate on which the light reflection layer, the recording layer, and the protective layer are sequentially formed, or the pre-groove having a constant track pitch is formed. A configuration in which the two laminated bodies are joined such that the recording layers are inwardly directed. Hereinafter, the optical recording medium will be described in detail.

本発明の光学記録媒体における基板の材質は、従来の光学記録媒体の基板として用いられている各種の材料から任意に選択することができる。基板材料としては、例えばガラス、ポリカーボネート樹脂、ポリメチルメタクリレート等のアクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、塩化ビニル共重合体等の塩化ビニル系樹脂、エポキシ樹脂、アモルファスポリオレフィン樹脂およびポリエステル樹脂などを挙げることができ、前記材料の中では、耐湿性、寸法安定性および価格などの点から射出成型ポリカーボネートが好ましい。記録層に接して樹脂基板または樹脂層を設け、その樹脂基板または樹脂層上に記録再生光の案内溝やピットを有していてもよい。案内溝がスパイラル状の場合、この溝ピッチが0.5〜1.2μm程度であることが好ましい。   The material of the substrate in the optical recording medium of the present invention can be arbitrarily selected from various materials used as a substrate of a conventional optical recording medium. Examples of the substrate material include glass, polycarbonate resin, acrylic resin such as polymethyl methacrylate, polyvinyl chloride resin such as polyvinyl chloride resin and vinyl chloride copolymer, epoxy resin, amorphous polyolefin resin, and polyester resin. Among these materials, injection-molded polycarbonate is preferable from the viewpoint of moisture resistance, dimensional stability, and price. A resin substrate or a resin layer may be provided in contact with the recording layer, and guide grooves or pits for recording / reproducing light may be provided on the resin substrate or resin layer. When the guide groove has a spiral shape, the groove pitch is preferably about 0.5 to 1.2 μm.

前記記録層の形成は、真空蒸着法、スパッタリング法、CVD法等の気相法やドクターブレード法、キャスト法、スピンコート法、浸漬法等の液相法など一般に行われている薄膜形成方法によって行うことができるが、量産性、コスト面からスピンコート法が好ましい。   The recording layer is formed by a generally used thin film formation method such as a vapor phase method such as a vacuum deposition method, a sputtering method, a CVD method, a liquid phase method such as a doctor blade method, a cast method, a spin coating method, or an immersion method. Although it can be performed, the spin coating method is preferable from the viewpoint of mass productivity and cost.

液相法の溶媒としては、基板を侵さない溶媒であればよく、特に限定されない。例えば、酢酸ブチル、乳酸エチル、セロソルブアセテートなどのエステルケトン系溶媒;メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトンなどのケトン系溶媒;ジクロルメタン、1,2−ジクロルエタン、クロロホルムなどの塩素化炭化水素系溶媒;ジメチルホルムアミドなどのアミド系溶媒;メチルシクロヘキサンなどの炭化水素系溶媒;ジブチルエーテル、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどのエーテル系溶媒;エタノール、n−プロパノール、イソプロパノール、n−ブタノール、ジアセトンアルコールなどのアルコール系溶媒;2,2,3,3−テトラフルオロプロパノールなどのフッ素系溶剤;エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルなどのグリコールエーテル類などを挙げることができる。上記溶媒は使用する化合物の溶解性を考慮して単独で、あるいは二種以上を組み合わせて使用することができる。   The solvent for the liquid phase method is not particularly limited as long as it does not attack the substrate. For example, ester ketone solvents such as butyl acetate, ethyl lactate and cellosolve acetate; ketone solvents such as methyl ethyl ketone, cyclohexanone and methyl isobutyl ketone; chlorinated hydrocarbon solvents such as dichloromethane, 1,2-dichloroethane and chloroform; dimethylformamide Amide solvents such as: Hydrocarbon solvents such as methylcyclohexane; Ether solvents such as dibutyl ether, diethyl ether, tetrahydrofuran, and dioxane; Alcohol solvents such as ethanol, n-propanol, isopropanol, n-butanol, and diacetone alcohol Fluorine solvents such as 2,2,3,3-tetrafluoropropanol; ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, propylene And the like glycol ethers, such as recall monomethyl ether. The above solvents can be used alone or in combination of two or more in consideration of the solubility of the compound used.

前記記録層の層厚は一般に20〜500nmの範囲であり、好ましくは30〜300nmの範囲であり、より好ましくは50〜150nmの範囲である。   The thickness of the recording layer is generally in the range of 20 to 500 nm, preferably in the range of 30 to 300 nm, and more preferably in the range of 50 to 150 nm.

前記記録層に、前記記録層の耐光性を向上させるために、光安定化剤を用いてもよい。光安定化剤として、アセチルアセトナートキレート、ビスフェニルジチオール、サリチルアルデヒドオキシム、ビスジチオ−α−ジケトン等の遷移金属キレート錯体や、芳香族ニトロソ化合物、アミニウム化合物、イミニウム化合物、ジイモニウム化合物、ビスイミニウム化合物等が挙げられる。   A light stabilizer may be used for the recording layer in order to improve the light resistance of the recording layer. As light stabilizers, transition metal chelate complexes such as acetylacetonate chelate, bisphenyldithiol, salicylaldehyde oxime, bisdithio-α-diketone, aromatic nitroso compounds, aminium compounds, iminium compounds, diimonium compounds, bisiminium compounds, etc. Can be mentioned.

前記光安定化剤としては、例えば、下記一般式(B)〜(F)、(J)〜(K)等の一種もしくは二種以上を挙げることができる。   Examples of the light stabilizer include one or more of the following general formulas (B) to (F) and (J) to (K).

一般式(B)   General formula (B)

Figure 2008138099
ここでRはそれぞれ独立に水素原子、置換基を有していてもよい炭素数1〜20の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜12の直鎖又は分岐鎖のハロゲン化アルキル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜20の直鎖又は分岐鎖のシアノアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜20の直鎖又は分岐鎖のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数6〜20のアリール基、置換基を有していてもよい炭素数7〜20のアラルキル基または置換基を有していてもよい炭素数3〜20のヘテロ環等を示す。
Figure 2008138099
Here, each R 9 is independently a hydrogen atom, an optionally substituted linear or branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or an optionally substituted substituent having 1 to 12 carbon atoms. A linear or branched alkyl halide group, an optionally substituted linear or branched cyanoalkyl group having 1 to 20 carbon atoms, and an optionally substituted carbon atom having 1 to 20 carbon atoms A linear or branched alkoxy group, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms which may have a substituent, an aralkyl group having 7 to 20 carbon atoms which may have a substituent or a substituent. An optionally substituted heterocycle having 3 to 20 carbon atoms is shown.

一般式(C)   General formula (C)

Figure 2008138099
ここでR10はそれぞれ独立に水素原子、置換基を有していてもよい炭素数1〜20の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜12の直鎖又は分岐鎖のハロゲン化アルキル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜20の直鎖又は分岐鎖のシアノアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜20の直鎖又は分岐鎖のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数6〜20のアリール基、置換基を有していてもよい炭素数7〜20のアラルキル基または置換基を有していてもよい炭素数3〜20のヘテロ環等を示す。またXはアニオン成分を示す。
Figure 2008138099
Here, each R 10 is independently a hydrogen atom, a C1-C20 linear or branched alkyl group which may have a substituent, or a C1-C12 which may have a substituent. A linear or branched alkyl halide group, an optionally substituted linear or branched cyanoalkyl group having 1 to 20 carbon atoms, and an optionally substituted carbon atom having 1 to 20 carbon atoms A linear or branched alkoxy group, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms which may have a substituent, an aralkyl group having 7 to 20 carbon atoms which may have a substituent or a substituent. An optionally substituted heterocycle having 3 to 20 carbon atoms is shown. X represents an anionic component.

前記Xのアニオン成分として、SbFイオン、ClOイオン、PFイオン、CFSOイオン、(CFSONイオン等が挙げられる。 Examples of the anion component of X include SbF 6 ions, ClO 4 ions, PF 6 ions, CF 3 SO 3 ions, (CF 3 SO 2 ) 2 N ions, and the like.

一般式(D)   Formula (D)

Figure 2008138099
ここでR11はそれぞれ独立に水素原子、置換基を有していてもよい炭素数1〜20の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜12の直鎖又は分岐鎖のハロゲン化アルキル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜20の直鎖又は分岐鎖のシアノアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜20の直鎖又は分岐鎖のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数6〜20のアリール基、置換基を有していてもよい炭素数7〜20のアラルキル基または置換基を有していてもよい炭素数3〜20のヘテロ環等を示す。
Figure 2008138099
Here, each R 11 is independently a hydrogen atom, a C1-C20 linear or branched alkyl group which may have a substituent, or a C1-C12 which may have a substituent. A linear or branched alkyl halide group, an optionally substituted linear or branched cyanoalkyl group having 1 to 20 carbon atoms, and an optionally substituted carbon atom having 1 to 20 carbon atoms A linear or branched alkoxy group, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms which may have a substituent, an aralkyl group having 7 to 20 carbon atoms which may have a substituent or a substituent. An optionally substituted heterocycle having 3 to 20 carbon atoms is shown.

一般式(E)   General formula (E)

Figure 2008138099
ここでR12はそれぞれ独立に水素原子、置換基を有していてもよい炭素数1〜20の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜12の直鎖又は分岐鎖のハロゲン化アルキル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜20の直鎖又は分岐鎖のシアノアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜20の直鎖又は分岐鎖のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数6〜20のアリール基、置換基を有していてもよい炭素数7〜20のアラルキル基または置換基を有していてもよい炭素数3〜20のヘテロ環等を示す。またXはアニオン成分を示す。
Figure 2008138099
Here, each R 12 is independently a hydrogen atom, an optionally substituted linear or branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or an optionally substituted substituent having 1 to 12 carbon atoms. A linear or branched alkyl halide group, an optionally substituted linear or branched cyanoalkyl group having 1 to 20 carbon atoms, and an optionally substituted carbon atom having 1 to 20 carbon atoms A linear or branched alkoxy group, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms which may have a substituent, an aralkyl group having 7 to 20 carbon atoms which may have a substituent or a substituent. An optionally substituted heterocycle having 3 to 20 carbon atoms is shown. X represents an anionic component.

前記Xのアニオン成分として、SbFイオン、ClOイオン、PFイオン、CFSOイオン、(CFSONイオン等が挙げられる。 Examples of the anion component of X include SbF 6 ions, ClO 4 ions, PF 6 ions, CF 3 SO 3 ions, (CF 3 SO 2 ) 2 N ions, and the like.

一般式(F)   Formula (F)

Figure 2008138099
ここでR13はそれぞれ独立に水素原子、置換基を有していてもよい炭素数1〜20の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜12の直鎖又は分岐鎖のハロゲン化アルキル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜20の直鎖又は分岐鎖のシアノアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜20の直鎖又は分岐鎖のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数6〜20のアリール基、置換基を有していてもよい炭素数7〜20のアラルキル基または置換基を有していてもよい炭素数3〜20のヘテロ環等を示す。またXは、アニオン成分を示す。
Figure 2008138099
Here, each R 13 is independently a hydrogen atom, a C1-C20 linear or branched alkyl group which may have a substituent, or a C1-C12 which may have a substituent. A linear or branched alkyl halide group, an optionally substituted linear or branched cyanoalkyl group having 1 to 20 carbon atoms, and an optionally substituted carbon atom having 1 to 20 carbon atoms A linear or branched alkoxy group, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms which may have a substituent, an aralkyl group having 7 to 20 carbon atoms which may have a substituent or a substituent. An optionally substituted heterocycle having 3 to 20 carbon atoms is shown. X represents an anionic component.

前記Xのアニオン成分として、SbFイオン、ClOイオン、PFイオン、CFSOイオン、(CFSONイオン等が挙げられる。 Examples of the anion component of X include SbF 6 ions, ClO 4 ions, PF 6 ions, CF 3 SO 3 ions, (CF 3 SO 2 ) 2 N ions, and the like.

一般式(J)   General formula (J)

Figure 2008138099
ここでR14はそれぞれ独立に水素原子、置換基を有していてもよい炭素数1〜20の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜12の直鎖又は分岐鎖のハロゲン化アルキル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜20の直鎖又は分岐鎖のシアノアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜20の直鎖又は分岐鎖のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数6〜20のアリール基、置換基を有していてもよい炭素数7〜20のアラルキル基または置換基を有していてもよい炭素数3〜20のヘテロ環等を示す。またXはアニオン成分を示す。
Figure 2008138099
Here, each R 14 is independently a hydrogen atom, a C1-C20 linear or branched alkyl group which may have a substituent, or a C1-C12 which may have a substituent. A linear or branched alkyl halide group, an optionally substituted linear or branched cyanoalkyl group having 1 to 20 carbon atoms, and an optionally substituted carbon atom having 1 to 20 carbon atoms A linear or branched alkoxy group, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms which may have a substituent, an aralkyl group having 7 to 20 carbon atoms which may have a substituent or a substituent. An optionally substituted heterocycle having 3 to 20 carbon atoms is shown. X represents an anionic component.

前記Xのアニオン成分として、テトラエチルアンモニウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオン、テトラヘキシルホスホニウムイオン等を示す。   Examples of the anion component of X include tetraethylammonium ion, tetrabutylammonium ion, and tetrahexylphosphonium ion.

一般式(K)   General formula (K)

Figure 2008138099
ここでNiイオンに替えて、Feイオン、Pdイオン等であってもよい。
またXはP(OCH等を示す。
Figure 2008138099
Here, instead of Ni ions, Fe ions, Pd ions, or the like may be used.
X represents P (OCH 3 ) 3 or the like.

一般式(L)   General formula (L)

Figure 2008138099
ここでR15はそれぞれ独立に水素原子、置換基を有していてもよい炭素数1〜20の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜12の直鎖又は分岐鎖のハロゲン化アルキル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜20の直鎖又は分岐鎖のシアノアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜20の直鎖又は分岐鎖のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数6〜20のアリール基、置換基を有していてもよい炭素数7〜20のアラルキル基または置換基を有していてもよい炭素数3〜20のヘテロ環等を示す。またXはSO基等、MはNiイオン、Coイオン等の遷移金属を示す。
Figure 2008138099
Here, each R 15 is independently a hydrogen atom, a C1-C20 linear or branched alkyl group which may have a substituent, or a C1-C12 which may have a substituent. A linear or branched alkyl halide group, an optionally substituted linear or branched cyanoalkyl group having 1 to 20 carbon atoms, and an optionally substituted carbon atom having 1 to 20 carbon atoms A linear or branched alkoxy group, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms which may have a substituent, an aralkyl group having 7 to 20 carbon atoms which may have a substituent or a substituent. An optionally substituted heterocycle having 3 to 20 carbon atoms is shown. X represents a SO 3 group or the like, and M represents a transition metal such as Ni ion or Co ion.

前記光安定化剤の中でも、一般式(B)、(D)および(F)が、前記スクアリリウム化合物金属錯体と有機溶媒中で混合した場合でも沈殿物が生じないことから好ましい。
前記一般式(B)のRは、それぞれ独立にイソブチル基またはシアノブチル基であればさらに好ましい。
Among the light stabilizers, the general formulas (B), (D), and (F) are preferable because no precipitate is generated even when they are mixed with the squarylium compound metal complex in an organic solvent.
More preferably, R 9 in the general formula (B) is independently an isobutyl group or a cyanobutyl group.

また前記一般式(D)のR11は、それぞれ独立にイソブチル基またはシアノブチル基N,N−ジイソブチルアミノ基またはN,N−ジシアノブチル基であればさらに好ましい。
また前記一般式(F)のR13は、それぞれ独立にイソブチル基またはシアノブチル基N,N−ジイソブチルアミノ基またはN,N−ジシアノブチル基であればさらに好ましい。
More preferably, R 11 in the general formula (D) is independently an isobutyl group, a cyanobutyl group, an N, N-diisobutylamino group or an N, N-dicyanobutyl group.
It is more preferable that R 13 in the general formula (F) is independently an isobutyl group, a cyanobutyl group, an N, N-diisobutylamino group, or an N, N-dicyanobutyl group.

前記光安定化剤の使用量は、通常は前記スクアリリウム化合物金属錯体100質量部に対し、0.01〜100質量部の範囲であるが、1〜80質量部の範囲であれば好ましい。これ以上使用量を増やすと吸光係数が減少し、少なくすると十分な安定化効果が得られない場合がある。   Although the usage-amount of the said light stabilizer is 0.01-100 mass parts normally with respect to 100 mass parts of said squarylium compound metal complexes, if it is the range of 1-80 mass parts, it is preferable. If the amount used is increased further, the extinction coefficient decreases, and if it is decreased, a sufficient stabilizing effect may not be obtained.

前記記録層の上には、光反射層を形成してもよく、その膜厚は好ましくは、厚さ50〜300nmである。光反射層の材料としては、再生光の波長で反射率の十分高いもの、例えば、Au、Al、Ag、Cu、Ti、Cr、Ni、Pt、Ta、及びPdの金属を単独あるいは合金にして用いることが可能である。この中でもAu、Al、Agは反射率が高く反射層の材料として適している。反射層は、例えば、上記光反射性物質を蒸着、スパッタリングまたはイオンプレーティングすることにより基板若しくは記録層の上に形成することができる。光反射層の層厚は、一般的には10〜300nmの範囲であり、好ましくは50〜200nmの範囲である。   A light reflecting layer may be formed on the recording layer, and the thickness thereof is preferably 50 to 300 nm. As a material of the light reflecting layer, a material having a sufficiently high reflectance at the wavelength of the reproduction light, for example, Au, Al, Ag, Cu, Ti, Cr, Ni, Pt, Ta, and Pd metal alone or in an alloy is used. It is possible to use. Among these, Au, Al, and Ag have high reflectivity and are suitable as the material for the reflective layer. The reflective layer can be formed on the substrate or the recording layer, for example, by vapor deposition, sputtering or ion plating of the light reflective material. The thickness of the light reflection layer is generally in the range of 10 to 300 nm, preferably in the range of 50 to 200 nm.

前記反射層の上に形成する保護層の材料としては、反射層を外力から保護するものであれば特に限定されない。具体的には、有機系材料としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂、UV硬化性樹脂等を挙げることができる。また、無機系材料としては、SiO、Si、MgF、SnO等が挙げられる。 The material of the protective layer formed on the reflective layer is not particularly limited as long as it protects the reflective layer from external force. Specifically, examples of the organic material include a thermoplastic resin, a thermosetting resin, an electron beam curable resin, and a UV curable resin. Examples of the inorganic material include SiO 2 , Si 3 N 4 , MgF 2 , SnO 2 and the like.

熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂を用いた保護層は、該樹脂を適当な溶剤に溶解した塗布液を、記録層または光反射層を形成した基板表面に塗布し、乾燥することによって形成することができる。   A protective layer using a thermoplastic resin or a thermosetting resin is formed by applying a coating solution obtained by dissolving the resin in a suitable solvent to the surface of the substrate on which the recording layer or the light reflecting layer is formed, and drying. Can do.

UV硬化性樹脂を用いた保護層は、該樹脂単独もしくは適当な溶剤に溶解した塗布液を記録層または光反射層を形成させた基板表面に塗布し、UV光を照射して硬化させることによって形成することができる。UV硬化性樹脂としては、例えば、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレートなどのアクリレート系樹脂を用いることができる。これらの材料は単独ないしは混合して用いてもよいし、1層または多層膜を形成させてもよい。   A protective layer using a UV curable resin is obtained by applying a coating solution dissolved in the resin alone or in an appropriate solvent to the surface of a substrate on which a recording layer or a light reflecting layer is formed, and then irradiating and curing the UV light. Can be formed. As the UV curable resin, for example, acrylate resins such as urethane acrylate, epoxy acrylate, and polyester acrylate can be used. These materials may be used alone or in combination, and a single layer or a multilayer film may be formed.

保護層の形成方法としては、前記記録層と同様にスピンコート法やキャスト法等の塗布法やスパッタ法や化学蒸着法等の方法が用いられるが、この中でもスピンコート法が好ましい。保護層の膜厚は、一般に0.1〜100μmの範囲であるが、本発明においては、3〜30μmが好ましい。   As a method for forming the protective layer, a coating method such as a spin coating method and a casting method, a sputtering method, a chemical vapor deposition method, and the like are used as in the recording layer. Among these, a spin coating method is preferable. The thickness of the protective layer is generally in the range of 0.1 to 100 μm, but is preferably 3 to 30 μm in the present invention.

本発明の光学記録媒体について使用されるレーザー光は、高密度記録が可能な短い波長領域が選ばれるが、好ましくは350〜430nmの発振波長を有する青紫色半導体レーザー光が、より好ましくは390〜420nmの発振波長を有する青紫色半導体レーザー光が用いられる。   The laser beam used for the optical recording medium of the present invention is selected to have a short wavelength region capable of high-density recording, preferably a blue-violet semiconductor laser beam having an oscillation wavelength of 350 to 430 nm, more preferably 390 to 390 nm. Blue-violet semiconductor laser light having an oscillation wavelength of 420 nm is used.

本発明の光学記録媒体への記録は、基板の両面または片面に設けられた記録層に0.4〜0.6μm程度に集束させたレーザー光を照射することにより行われる。レーザー光の照射された部分には、レーザー光エネルギーの吸収による、分解、発熱、溶解等の記録層の熱的変形が起こり、光学特性が変化し、記録ピットが形成される。記録された情報は、再生用レーザー光を照射させて、記録層の光学的特性が変化した部位(記録部分)と変化しない部位(未記録部分)との反射率の違いを検出することにより再生される。これにより本発明の光学記録媒体はレーザー光による情報の書き込み、及び/又は読みとりが可能となる。   Recording on the optical recording medium of the present invention is performed by irradiating a recording layer provided on both sides or one side of the substrate with laser light focused to about 0.4 to 0.6 μm. In the portion irradiated with laser light, thermal deformation of the recording layer, such as decomposition, heat generation, and dissolution, due to absorption of laser light energy occurs, optical characteristics change, and recording pits are formed. The recorded information is reproduced by irradiating the playback laser beam and detecting the difference in reflectance between the part where the optical characteristics of the recording layer have changed (recorded part) and the part that has not changed (unrecorded part). Is done. As a result, the optical recording medium of the present invention can write and / or read information by laser light.

以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれら実施例によって限定されるものではない。なお、実施例中、「部」は「質量部」を表す。   EXAMPLES The present invention will be specifically described below with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples. In the examples, “part” represents “part by mass”.

(実施例1)
(1)冷却管を付けた三ツ口フラスコに3,4−ジクロロ−3−シクロブテン−1,2−ジオン23.0部、N、N―ジメチル−1−ナフチルアミン25.0部を入れ、そこにトルエン300部を加え、10時間室温にて撹拌した。反応終了後、析出した固体を減圧ろ過にて濾取した。アセトンにて再結晶後、減圧乾燥してスクアリリウム中間体38.0部を得た。次に冷却管を付けた三ツ口フラスコに、得られたスクアリリウム中間体38.0部、酢酸50.0部を入れ、そこに水100部を入れ、100℃にて24時間加熱撹拌した。反応後、冷却し析出した固体を減圧ろ過にて濾取した。水で洗浄後、減圧乾燥してスクアリリウム化合物(1)29.0部を得た。
(Example 1)
(1) In a three-necked flask equipped with a condenser, 23.0 parts of 3,4-dichloro-3-cyclobutene-1,2-dione and 25.0 parts of N, N-dimethyl-1-naphthylamine are added, and toluene is added thereto. 300 parts were added and stirred at room temperature for 10 hours. After completion of the reaction, the precipitated solid was collected by filtration under reduced pressure. After recrystallization from acetone, the residue was dried under reduced pressure to obtain 38.0 parts of a squarylium intermediate. Next, 38.0 parts of the obtained squarylium intermediate and 50.0 parts of acetic acid were placed in a three-necked flask equipped with a condenser, and 100 parts of water was placed therein, followed by heating and stirring at 100 ° C. for 24 hours. After the reaction, the precipitated solid was cooled and collected by filtration under reduced pressure. After washing with water, it was dried under reduced pressure to obtain 29.0 parts of squarylium compound (1).

(2)冷却管を付けた三ツ口フラスコに、スクアリリウム化合物(1)4.0部、酢酸ニッケル・4水和物2.0部を入れ、そこにTHF50部を入れ、60℃にて4時間加熱撹拌した。反応後、室温まで冷却し、析出した固体を減圧ろ過にて濾取した。水で洗浄後、減圧乾燥してスクアリリウム化合物(1)−ニッケル錯体4.5部を得た。   (2) In a three-necked flask equipped with a condenser tube, 4.0 parts of squarylium compound (1) and 2.0 parts of nickel acetate tetrahydrate are added, and 50 parts of THF is added thereto, and heated at 60 ° C. for 4 hours. Stir. After the reaction, the reaction mixture was cooled to room temperature, and the precipitated solid was collected by filtration under reduced pressure. After washing with water, drying under reduced pressure yielded 4.5 parts of a squarylium compound (1) -nickel complex.

実施例1により得られたスクアリリウム化合物金属錯体(1)−ニッケル錯体   The squarylium compound metal complex (1) -nickel complex obtained in Example 1

Figure 2008138099
Figure 2008138099

(実施例2)
酢酸ニッケル・4水和物に変え、コバルトの酢酸塩を用いた以外は、実施例1と同様にしてスクアリリウム化合物金属錯体を得た。その化学構造を以下に記す。
(Example 2)
A squarylium compound metal complex was obtained in the same manner as in Example 1 except that cobalt acetate was used instead of nickel acetate tetrahydrate. The chemical structure is described below.

実施例2により得られたスクアリリウム化合物金属錯体(1)−コバルト錯体   The squarylium compound metal complex (1) -cobalt complex obtained in Example 2

Figure 2008138099
Figure 2008138099

(実施例3)
(1)冷却管を付けた三ツ口フラスコに3,4−ジクロロ−3−シクロブテン−1,2−ジオン23.0部、4−ナフタレン−1−モルホリン30.0部を入れ、そこにトルエン300部を加え、10時間室温にて撹拌した。反応終了後、析出した固体を減圧ろ過にて濾取した。アセトンにて再結晶後、減圧乾燥してスクアリリウム中間体39.0部を得た。次に冷却管を付けた三ツ口フラスコに、得られたスクアリリウム中間体39.0部、酢酸50.0部を入れ、水100部、DMF100部を入れ、100℃にて24時間加熱撹拌した。反応後、冷却し析出した固体を減圧ろ過にて濾取した。水で洗浄後、減圧乾燥してスクアリリウム化合物(8)28.0部を得た。
(Example 3)
(1) 33.0 parts of 3,4-dichloro-3-cyclobutene-1,2-dione and 30.0 parts of 4-naphthalene-1-morpholine are placed in a three-necked flask equipped with a condenser, and 300 parts of toluene is added thereto. And stirred at room temperature for 10 hours. After completion of the reaction, the precipitated solid was collected by filtration under reduced pressure. After recrystallization from acetone, drying was performed under reduced pressure to obtain 39.0 parts of a squarylium intermediate. Next, 39.0 parts of the obtained squarylium intermediate and 50.0 parts of acetic acid were added to a three-necked flask equipped with a cooling tube, 100 parts of water and 100 parts of DMF were added, and the mixture was heated and stirred at 100 ° C. for 24 hours. After the reaction, the precipitated solid was cooled and collected by filtration under reduced pressure. After washing with water, it was dried under reduced pressure to obtain 28.0 parts of squarylium compound (8).

(2)冷却管を付けた三ツ口フラスコに、スクアリリウム化合物(8)4.0部、酢酸亜鉛・2水和物2.0部を入れ、そこにTHF50部を入れ、60℃にて4時間加熱撹拌した。反応後、室温まで冷却し、析出した固体を減圧ろ過にて濾取した。水で洗浄後、減圧乾燥してスクアリリウム化合物(8)−亜鉛錯体4.5部を得た。   (2) In a three-necked flask equipped with a condenser tube, 4.0 parts of squarylium compound (8) and 2.0 parts of zinc acetate dihydrate are placed, and 50 parts of THF is placed therein, and heated at 60 ° C. for 4 hours. Stir. After the reaction, the reaction mixture was cooled to room temperature, and the precipitated solid was collected by filtration under reduced pressure. After washing with water, drying under reduced pressure yielded 4.5 parts of a squarylium compound (8) -zinc complex.

実施例3により得られたスクアリリウム化合物金属錯体(8)−亜鉛錯体   The squarylium compound metal complex (8) -zinc complex obtained in Example 3

Figure 2008138099
Figure 2008138099

(実施例2)
酢酸亜鉛・2水和物に変え、塩化鉄を用いた以外は、実施例3と同様にしてスクアリリウム化合物金属錯体を得た。その化学構造を以下に記す。
(Example 2)
A squarylium compound metal complex was obtained in the same manner as in Example 3 except that iron chloride was used instead of zinc acetate dihydrate. The chemical structure is described below.

実施例4により得られたスクアリリウム化合物金属錯体(8)−鉄錯体   The squarylium compound metal complex (8) -iron complex obtained in Example 4

Figure 2008138099
Figure 2008138099

(比較例1、2、3)
比較例として、特開2006−249209号公報に記載された以下に示すスクアリリウム化合物金属錯体の特性を実施例と同様にして測定し、結果を表1に示した。
(Comparative Examples 1, 2, 3)
As a comparative example, the characteristics of the following squarylium compound metal complexes described in JP-A-2006-249209 were measured in the same manner as in Examples, and the results are shown in Table 1.

(比較例1)   (Comparative Example 1)

Figure 2008138099
Figure 2008138099

(比較例2)   (Comparative Example 2)

Figure 2008138099
Figure 2008138099

(比較例3)   (Comparative Example 3)

Figure 2008138099
Figure 2008138099

結果を表1に示す。   The results are shown in Table 1.

Figure 2008138099
Figure 2008138099

本発明の実施例1〜4のスクアリリウム化合物金属錯体は430〜450nmに光吸収を持ち、かつ高いモル吸光係数を有している。比較例1〜3のスクアリリウム化合物金属錯体では370〜410nmであり、実施例1〜4の方が30〜50nmほど長波長シフトする結果となった。   The squarylium compound metal complexes of Examples 1 to 4 of the present invention have light absorption at 430 to 450 nm and a high molar extinction coefficient. In the squarylium compound metal complexes of Comparative Examples 1 to 3, the wavelength was 370 to 410 nm, and Examples 1 to 4 resulted in a longer wavelength shift of about 30 to 50 nm.

(塗布膜の耐光性試験)
それぞれ、フッ素アルコールとエタノールとの1:1混合溶媒を用いてスピンコート法により2000rpm、10秒の条件でガラス基板に成膜した。このときの膜厚は100nmであった。
(Light resistance test of coating film)
Each was formed on a glass substrate by spin coating using a 1: 1 mixed solvent of fluoroalcohol and ethanol under the conditions of 2000 rpm and 10 seconds. The film thickness at this time was 100 nm.

前述の実施例1〜2のスクアリリウム化合物金属錯体に光安定化剤を加えたものをそれぞれ実施例5〜6とし、実施例3〜4のスクアリリウム化合物金属錯体に光安定化剤を加えたものをそれぞれ実施例7〜8とし、比較例1〜3のスクアリリウム化合物金属錯体に光安定化剤を加えたものをそれぞれ比較例4〜6とする。光安定化剤の使用量は、前記金属錯体の量に対して25質量%とした。
前記光安定化剤は下記に示したものを使用した。
What added the light stabilizer to the squarylium compound metal complex of the above-mentioned Examples 1-2 was made into Examples 5-6, respectively, and what added the light stabilizer to the squarylium compound metal complex of Examples 3-4 Examples 7 to 8 are respectively used, and those obtained by adding a light stabilizer to the squarylium compound metal complexes of Comparative Examples 1 to 3 are referred to as Comparative Examples 4 to 6, respectively. The amount of the light stabilizer used was 25% by mass with respect to the amount of the metal complex.
The light stabilizers shown below were used.

Figure 2008138099
実施例1〜8、比較例1〜6の塗布膜を320Wキセノンランプ、63℃雰囲気下で所定時間照射した。λmaxにおける初期の吸光度を100%とし、所定時間後の吸光度の百分率を色素残存率として算出した。これらの結果を表2に示す。
表2に示すように、本発明の実施例1〜4の塗布膜は照射24時間経過後では色素残存率が80%程度の耐光性を有し、安定化剤を加えた実施例5〜8は照射24時間経過後で色素残存率が93%程度と優れた耐光性を示した。
一方、比較例1〜3では24時間後の色素残存率が0%とスクアリリウム化合物が変化し、比較例4〜6においても24時間後の色素残存率が30%程度と低く、良好な耐光性を維持することができなかった。
吸収ピークを長波長側にシフトさせることにより405nmにおける吸光係数を小さくし、また耐光性が向上する結果となった。
Figure 2008138099
The coating films of Examples 1 to 8 and Comparative Examples 1 to 6 were irradiated with a 320 W xenon lamp at 63 ° C. for a predetermined time. The initial absorbance at λmax was taken as 100%, and the percentage of absorbance after a predetermined time was calculated as the dye residual ratio. These results are shown in Table 2.
As shown in Table 2, the coating films of Examples 1 to 4 of the present invention have light resistance with a dye residual ratio of about 80% after 24 hours of irradiation, and Examples 5 to 8 to which a stabilizer is added. Exhibited excellent light resistance with a dye residual ratio of about 93% after 24 hours of irradiation.
On the other hand, in Comparative Examples 1 to 3, the dye residual rate after 24 hours changed to 0% and the squarylium compound changed. In Comparative Examples 4 to 6 as well, the dye residual rate after 24 hours was as low as about 30% and good light resistance. Could not be maintained.
By shifting the absorption peak to the long wavelength side, the extinction coefficient at 405 nm was reduced, and the light resistance was improved.

Figure 2008138099
Figure 2008138099

実施例1の溶液のUV−Vis吸収スペクトルUV-Vis absorption spectrum of the solution of Example 1 実施例1の塗布膜のUV−Vis吸収スペクトルUV-Vis absorption spectrum of the coating film of Example 1

Claims (7)

下記一般式(A)
Figure 2008138099
(式中、R、Rは、水素原子、ハロゲン原子、置換基を有していてもよい炭素数1〜20の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜12の直鎖又は分岐鎖のハロゲン化アルキル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜20の直鎖又は分岐鎖のシアノアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜18の直鎖又は分岐鎖のアルコキシ基、置換基を有していてもよいアルキル基の炭素数が1〜8の直鎖又は分岐鎖のアルキルフェニル基、又は置換基を有していてもよいアルキル基の炭素数が1〜6の直鎖又は分岐鎖のアルキルスルホン酸基を示し、
〜Rはそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、置換基を有していてもよい炭素数1〜20の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜12の直鎖又は分岐鎖のハロゲン化アルキル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜20の直鎖又は分岐鎖のシアノアルキル基、置換基を有していてもよいヒドロキシ基、置換基を有していてもよいシアノ基、置換基を有していてもよいニトロ基、置換基を有していてもよいアミノ基、置換基を有していてもよいスルホ基、置換基を有していてもよい炭素数2〜20の直鎖又は分岐鎖のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜20の直鎖又は分岐鎖のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数6〜18のアリール基、
置換基を有していてもよい炭素数3〜20のヘテロ環、置換基を有していてもよい炭素数2〜18の直鎖又は分岐鎖のアシル基、又は置換基を有していてもよい炭素数2〜18の直鎖又は分岐鎖のアルコキシカルボニル基を示す。尚、RとR、RとR及びRとRは連結して環を形成してもよい。)
で示されるスクアリリウム化合物と、
金属イオンと、
からなるスクアリリウム化合物金属錯体。
The following general formula (A)
Figure 2008138099
(In formula, R < 1 >, R < 2 > may have a C1-C20 linear or branched alkyl group which may have a hydrogen atom, a halogen atom, and a substituent, and a substituent. A linear or branched halogenated alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, which may have a substituent, a linear or branched cyanoalkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or a substituent. A linear or branched alkoxy group having 1 to 18 carbon atoms, a linear or branched alkylphenyl group having 1 to 8 carbon atoms which may have a substituent, or a substituent. A linear or branched alkylsulfonic acid group having 1 to 6 carbon atoms in the alkyl group which may be
R 3 to R 8 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, an optionally substituted linear or branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or an optionally substituted carbon number. 1-12 linear or branched alkyl halide groups, optionally substituted linear or branched C1-C20 cyanoalkyl groups, optionally substituted hydroxy A group, a cyano group optionally having a substituent, a nitro group optionally having a substituent, an amino group optionally having a substituent, a sulfo group optionally having a substituent, A linear or branched alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms which may have a substituent, a linear or branched alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms which may have a substituent, a substituent An aryl group having 6 to 18 carbon atoms, which may have
An optionally substituted heterocyclic ring having 3 to 20 carbon atoms, an optionally substituted straight chain or branched chain acyl group having 2 to 18 carbon atoms, or a substituent; Or a C2-C18 linear or branched alkoxycarbonyl group. R 1 and R 2 , R 2 and R 3, and R 3 and R 4 may be linked to form a ring. )
A squarylium compound represented by
Metal ions,
A squarylium compound metal complex comprising
前記金属イオンが、Niイオン、Coイオン、Znイオン、Cuイオン、Ptイオン、Tiイオン、Alイオン、Vイオン、Mnイオン、Feイオン、Moイオン、Wイオン、Inイオン、Snイオン、Ruイオン、Crイオン、Pbイオン及びEuイオンから成る群から選択された少なくとも1つであることを特徴とする、請求項1に記載のスクアリリウム化合物金属錯体。   The metal ions are Ni ions, Co ions, Zn ions, Cu ions, Pt ions, Ti ions, Al ions, V ions, Mn ions, Fe ions, Mo ions, W ions, In ions, Sn ions, Ru ions, The squarylium compound metal complex according to claim 1, wherein the metal complex is at least one selected from the group consisting of Cr ions, Pb ions, and Eu ions. 請求項1又は2に記載のスクアリリウム化合物金属錯体を含有する記録層を有する光学記録媒体。   The optical recording medium which has a recording layer containing the squarylium compound metal complex of Claim 1 or 2. 前記記録層が、光安定化剤を含有することを特徴とする請求項3に記載の光学記録媒体。   The optical recording medium according to claim 3, wherein the recording layer contains a light stabilizer. 前記光安定化剤が、下記一般式(B)
Figure 2008138099
(式中、Rはそれぞれ独立に水素原子、置換基を有していてもよい炭素数1〜20の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜12の直鎖又は分岐鎖のハロゲン化アルキル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜20の直鎖又は分岐鎖のシアノアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜20の直鎖又は分岐鎖のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数6〜20のアリール基、置換基を有していてもよい炭素数7〜20のアラルキル基または置換基を有していてもよい炭素数3〜20のヘテロ環等を示す。)、
一般式(D)
Figure 2008138099
(式中、R11はそれぞれ独立に水素原子、置換基を有していてもよい炭素数1〜20の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜12の直鎖又は分岐鎖のハロゲン化アルキル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜20の直鎖又は分岐鎖のシアノアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜20の直鎖又は分岐鎖のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数6〜20のアリール基、置換基を有していてもよい炭素数7〜20のアラルキル基または置換基を有していてもよい炭素数3〜20のヘテロ環等を示す。)、
および一般式(F)
Figure 2008138099
(式中、R13はそれぞれ独立に水素原子、置換基を有していてもよい炭素数1〜20の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜12の直鎖又は分岐鎖のハロゲン化アルキル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜20の直鎖又は分岐鎖のシアノアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜20の直鎖又は分岐鎖のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数6〜20のアリール基、置換基を有していてもよい炭素数7〜20のアラルキル基または置換基を有していてもよい炭素数3〜20のヘテロ環を示す。また、XはSbFイオン、ClOイオン、PFイオン、CFSOイオン、(CFSONイオン等の異なっていても良いアニオン成分を示す。)
からなる群より選ばれる少なくとも一つであることを特徴とする、請求項4に記載の光学記録媒体。
The light stabilizer is represented by the following general formula (B)
Figure 2008138099
(In the formula, each R 9 independently represents a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms which may have a substituent, or a carbon atom having 1 to 1 carbon atoms which may have a substituent. 12 straight-chain or branched alkyl halide groups, optionally having 1 to 20 carbon atoms straight or branched cyanoalkyl groups, and optionally having 1 substituent -20 linear or branched alkoxy group, optionally substituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms, optionally substituted aralkyl group having 7 to 20 carbon atoms or substituent A C3-C20 heterocyclic ring etc. that may have
Formula (D)
Figure 2008138099
(In formula, R <11> is respectively independently a hydrogen atom, the C1-C20 linear or branched alkyl group which may have a substituent, and C1-C1 which may have a substituent. 12 straight-chain or branched alkyl halide groups, optionally having 1 to 20 carbon atoms straight or branched cyanoalkyl groups, and optionally having 1 substituent -20 linear or branched alkoxy group, optionally substituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms, optionally substituted aralkyl group having 7 to 20 carbon atoms or substituent A C3-C20 heterocyclic ring etc. that may have
And general formula (F)
Figure 2008138099
(In the formula, each R 13 is independently a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms which may have a substituent, or a carbon number 1 to 1 which may have a substituent. 12 straight-chain or branched alkyl halide groups, optionally having 1 to 20 carbon atoms straight or branched cyanoalkyl groups, and optionally having 1 substituent -20 linear or branched alkoxy group, optionally substituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms, optionally substituted aralkyl group having 7 to 20 carbon atoms or substituent And a heterocycle having 3 to 20 carbon atoms, which may have X. X represents SbF 6 ion, ClO 4 ion, PF 6 ion, CF 3 SO 3 ion, (CF 3 SO 2 ) 2 N ion, etc. The anion component which may be different is shown.)
The optical recording medium according to claim 4, wherein the optical recording medium is at least one selected from the group consisting of:
前記記録層はレーザー光による情報の書き込み、及び/または読みとりが可能であることを特徴とする、請求項3〜5のいずれかに記載の光学記録媒体。   The optical recording medium according to claim 3, wherein the recording layer is capable of writing and / or reading information with a laser beam. 前記レーザー光による情報の書き込み、及び/または読みとりが、300nm〜530nmの範囲にある波長のレーザー光により実施されることを特徴とする請求項6に記載の光学記録媒体。   The optical recording medium according to claim 6, wherein the writing and / or reading of information by the laser beam is performed by a laser beam having a wavelength in a range of 300 nm to 530 nm.
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