JP2008135795A - Semiconductor device, and method for producing the same - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for producing a semiconductor device which is capable of preventing contamination to chips because of remaining of dicing scraps of a protective sheet and release of the protective sheet, when a semiconductor wafer covered with the protective sheet is cut into the chips by dicing. <P>SOLUTION: The method includes steps of: fixing a protective sheet 1 to a jig 4 at the surface opposite to a surface covering a semiconductor wafer 11; removing regions of the protective sheet corresponding to regions where dicing-cut is to be performed, while fixing the protective sheet 1 to the jig 4; then, bonding the protective sheet 1 and one surface of the semiconductor wafer 11 together while fixing the protective sheet 1 to the jig 4, and removing the jig 4 from the protective sheet 1; and subsequently cutting into chips the semiconductor wafer 11 to which the protective sheet 1 is bonded by dicing along the grooves 6 that are the removed regions of the protective sheet 1. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、保護シートで覆った半導体ウェハをスクライブラインに沿ってダイシングカットしてチップ化する半導体装置およびその製造方法に関する。   The present invention relates to a semiconductor device in which a semiconductor wafer covered with a protective sheet is diced and cut into chips along a scribe line, and a manufacturing method thereof.

従来、この種の半導体装置の製造方法としては、例えば特開平１０−２４２２５３号公報、特開平７−９９１７２号公報、米国特許第５，８２４，１７７号明細書、米国特許第５，３６２，６８１号明細書等に示されるように、可動部を有する半導体ウェハをチップに分割するとき、可動部を保護するための保護シート（保護部材）を貼った状態で、保護シート及び半導体ウェハをダイシングしていた。   Conventionally, as a method for manufacturing this type of semiconductor device, for example, JP-A-10-242253, JP-A-7-99172, US Pat. No. 5,824,177, US Pat. No. 5,362,681. As shown in the specification, etc., when a semiconductor wafer having a movable part is divided into chips, the protective sheet and the semiconductor wafer are diced with a protective sheet (protective member) for protecting the movable part pasted. It was.

しかしながら、上記従来の製造方法においては、半導体ウェハとともに保護シートもダイシングカットするために、保護シートの切り屑（例えばある程度の粘着力を持った有機物の粉等）が切断後のチップ上に付着残留し、その後、チップ表面に形成された外部取り出し電極部に付着し、電気的、機械的接続に悪影響を与える等、チップが汚染されるという問題がある。   However, in the above conventional manufacturing method, since the protective sheet is diced together with the semiconductor wafer, the chips of the protective sheet (for example, organic powder having a certain degree of adhesive force) remain on the chip after cutting. Then, there is a problem that the chip is contaminated, for example, it adheres to the external extraction electrode portion formed on the chip surface and adversely affects electrical and mechanical connection.

さらに、従来は、ダイシングカット後、この保護シートを半導体チップから取り去る必要があり、保護シートを半導体ウェハに強固に接着すると、後の除去において剥がれにくかったり、剥がす際の応力によりチップに損傷を与える等の問題が発生することがあったので、比較的弱く接着していた。そのため、保護シートをダイシングする際に、ダイシングの刃が接触して保護シートが剥がれる等、その役割を十分に利用出来ないことがあった。   Further, conventionally, after the dicing cut, it is necessary to remove this protective sheet from the semiconductor chip. If the protective sheet is firmly bonded to the semiconductor wafer, it is difficult to peel off after the removal or damage is caused by the stress at the time of peeling. Since the problems such as the above occurred, they were relatively weakly bonded. Therefore, when dicing the protective sheet, the dicing blade may come into contact with the protective sheet and the role may not be fully utilized.

本発明は上記問題に鑑み、保護シートで覆った半導体ウェハをダイシングカットしてチップ化する半導体装置において、保護シートの切り屑の残留によるチップの汚染を防止するとともに、保護シートの剥離を抑制可能な半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。   In view of the above problems, the present invention can prevent chip contamination due to residual chips of a protective sheet and suppress peeling of the protective sheet in a semiconductor device in which a semiconductor wafer covered with a protective sheet is diced and cut into chips. An object of the present invention is to provide a semiconductor device and a manufacturing method thereof.

上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、半導体ウェハ（１１）をダイシングカットして形成される半導体チップ（５００）を有する半導体装置において、半導体チップの一面は、ダイシングカットの際に半導体チップを保護するための保護部材（７３）により被覆されており、半導体チップの一面には、半導体チップを外部に電気接続するためのバンプ（７０）が設けられていることを特徴とする。   In order to achieve the above object, according to the first aspect of the present invention, in the semiconductor device having the semiconductor chip (500) formed by dicing and cutting the semiconductor wafer (11), one surface of the semiconductor chip is subjected to dicing cutting. The semiconductor chip is covered with a protective member (73) for protecting the semiconductor chip, and bumps (70) for electrically connecting the semiconductor chip to the outside are provided on one surface of the semiconductor chip. .

本発明によれば、半導体チップは保護部材により被覆されたままだから、保護部材を半導体チップに強固に接着でき、上記の切り屑による汚染の防止及び保護部材の剥離の抑制が可能となる。また、バンプによって、保護部材を付けたまま、該半導体装置を外部基板等と電気的に接続することが可能である。   According to the present invention, since the semiconductor chip remains covered with the protective member, the protective member can be firmly bonded to the semiconductor chip, and contamination by the above-described chips can be prevented and peeling of the protective member can be suppressed. In addition, the semiconductor device can be electrically connected to an external substrate or the like with the protective member attached thereto by the bump.

請求項２に記載の発明では、一面側に配置された導体層（８１）と、該導体層を被覆するとともに一部に開口部が設けられた該導体層を露出させる絶縁層（８２）とを有する基板（８０）を備え、開口部から露出した導体層と、バンプ（７０）とが電気的に接続されていることを特徴とする。   In the invention according to claim 2, the conductor layer (81) disposed on the one surface side, the insulating layer (82) covering the conductor layer and exposing the conductor layer partially provided with an opening, The conductor layer exposed from the opening and the bump (70) are electrically connected to each other.

これにより、フェースダウンのボンディング、即ち、フリップチップ実装等を行うことができる。   Thereby, face-down bonding, that is, flip-chip mounting or the like can be performed.

請求項３に記載の発明では、保護部材の周縁部は、半導体チップの周縁部よりも内側にあることを特徴とする。   The invention according to claim 3 is characterized in that the peripheral portion of the protective member is located inside the peripheral portion of the semiconductor chip.

これにより、チップをつかむ際に保護部材に触ることがないから、保護部材の剥がれを防止できる。   Thereby, since it does not touch a protection member when grabbing a chip | tip, peeling of a protection member can be prevented.

また、請求項４記載の発明では、請求項１記載の半導体装置を適切に製造することができ、請求項５記載の発明では、請求項１記載の半導体装置を外部基板としての基板（８０）に適切に実装することができる。   In the invention according to claim 4, the semiconductor device according to claim 1 can be appropriately manufactured. According to the invention according to claim 5, the semiconductor device according to claim 1 is a substrate (80) as an external substrate. Can be implemented appropriately.

なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。   In addition, the code | symbol in the bracket | parenthesis of each said means is an example which shows a corresponding relationship with the specific means as described in embodiment mentioned later.

以下、本発明を図に示す実施形態について説明する。なお、以下の実施形態においては、半導体ウェハは、ダイシングカットにより切断されたものでも、ウェハ外形をとどめている場合には、半導体ウェハということとする。   DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments shown in the drawings will be described below. In the following embodiments, even if the semiconductor wafer is cut by dicing cut, the semiconductor wafer is referred to as a semiconductor wafer when the outer shape of the wafer remains.

（第１実施形態）
本実施形態は、本発明による半導体装置の製造方法を、表面マイクロ加工型の加速度センサ、回転角度センサ、ＤＭＤ（反射投影ディジタルマイクロ鏡プロジェクタ装置）等の半導体にて構成された可動部を有する半導体装置に適用したものとして説明する。図１及び図２は、本実施形態に係る製造工程を示す概略断面図であり、以下、本実施形態をこの製造工程順に説明していく。 (First embodiment)
In this embodiment, a semiconductor device manufacturing method according to the present invention is a semiconductor having a movable portion made of a semiconductor such as a surface micro-processing type acceleration sensor, rotation angle sensor, DMD (reflective projection digital micro mirror projector device). The description will be made assuming that this is applied to the apparatus. 1 and 2 are schematic cross-sectional views showing the manufacturing process according to the present embodiment. Hereinafter, the present embodiment will be described in the order of the manufacturing process.

まず、図１（ａ）に示す様に、保護シート１として、例えばポリオレフィン等を基材とするＵＶ硬化性の粘着シートを用意する。ここで、保護シート１の粘着面１ａが半導体ウェハ１１を覆う面である。また、図１（ｂ）に示す凹部２と真空吸着用の穴部３を有する治具４を、ヒータブロック上（図示せず）に設置する。このヒータブロックは真空吸着用の穴部３を持った治具４の該穴部３と対応し、真空吸着できるように加工されている。   First, as shown in FIG. 1 (a), as the protective sheet 1, for example, a UV curable pressure-sensitive adhesive sheet based on polyolefin or the like is prepared. Here, the adhesive surface 1 a of the protective sheet 1 is a surface that covers the semiconductor wafer 11. Also, the jig 4 having the recess 2 and the vacuum suction hole 3 shown in FIG. 1B is installed on the heater block (not shown). This heater block corresponds to the hole portion 3 of the jig 4 having the hole portion 3 for vacuum suction, and is processed so as to be vacuum-sucked.

次に、図１（ｃ）に示す治具固定工程では、保護シート１の粘着面１ａを上にして、粘着面１ａとは反対側の面１ｂを治具４上に置き、真空吸着用の穴部３により保護シート１を治具４の凹部２に吸引してへこませる。上記ヒータブロックにより治具４は４０〜２００℃に加熱されているので、保護シート１には、凹部２の形状に対応するキャップ部（保護キャップ部）５が形成される。そして、穴部３からの吸引力により保護シート１は治具４に固定される。   Next, in the jig fixing step shown in FIG. 1 (c), the adhesive surface 1a of the protective sheet 1 is placed on the surface 1b opposite to the adhesive surface 1a on the jig 4 for vacuum suction. The protective sheet 1 is sucked into the recess 2 of the jig 4 by the hole 3 and dented. Since the jig 4 is heated to 40 to 200 ° C. by the heater block, a cap portion (protective cap portion) 5 corresponding to the shape of the recess 2 is formed on the protective sheet 1. The protective sheet 1 is fixed to the jig 4 by the suction force from the hole 3.

続いて、図１（ｄ）に示す除去工程では、保護シート１を固定したままの治具４を上記ヒータブロックから取り除き、上記ヒータブロックと同様に真空吸着可能な台（図示せず）の上に設置する。   Subsequently, in the removing step shown in FIG. 1 (d), the jig 4 with the protective sheet 1 fixed is removed from the heater block, and a table (not shown) that can be vacuum-sucked similarly to the heater block. Install in.

そして、切断治具を用いたプレスまたはカッターまたはエキシマレーザ等により、保護シート１のうち後述のダイシングカット工程にてダイシングカットする領域（スクライブ領域）に対応する領域を切断して除去し、除去された部分に形成された溝部６により、保護シート１を半導体チップのサイズに相当する大きさに分割する。このとき、保護シート１は分割されても真空吸着され治具４に固定されているので、ばらばらになって剥離することはない。   And the area | region corresponding to the area | region (scribe area | region) which carries out the dicing cut in the below-mentioned dicing cut process among the protection sheets 1 with a press using a cutting jig, a cutter, or an excimer laser is removed and removed. The protective sheet 1 is divided into a size corresponding to the size of the semiconductor chip by the groove 6 formed in the part. At this time, even if the protective sheet 1 is divided, the protective sheet 1 is vacuum-sucked and fixed to the jig 4 so that it does not fall apart and peel off.

次に、貼り合わせ工程では、可動部１０を持つ半導体ウェハ（シリコン基板等）１１を、可動部１０がキャップ部５と対向する状態で、治具４に固定されている保護シート１に接着剤等により接着する。ここで、保護シート１として感圧性の粘着シートを用いて接着することも可能である。保護シート１と半導体ウェハ１１との位置合わせは、保護シート１と半導体ウェハ１１とに各々アライメントキーを形成し、両者のアライメントキーが合うように貼り合わせたり、ＣＣＤカメラを用いて位置合わせを行う等により可能である。   Next, in the bonding step, the semiconductor wafer (silicon substrate or the like) 11 having the movable part 10 is bonded to the protective sheet 1 fixed to the jig 4 with the movable part 10 facing the cap part 5. Glue by etc. Here, the protective sheet 1 may be bonded using a pressure-sensitive adhesive sheet. The alignment of the protective sheet 1 and the semiconductor wafer 11 is performed by forming alignment keys on the protective sheet 1 and the semiconductor wafer 11 and bonding them so that the alignment keys of the two align with each other or by using a CCD camera. Etc. are possible.

また、この貼り合わせにおいては、接着時に発生し易いボイドの低減や接着剤の粘着力を向上させるために、半導体ウェハ１１を加熱してローラを転がすようにしてもよい。   In this bonding, the roller may be rolled by heating the semiconductor wafer 11 in order to reduce voids that are likely to occur during bonding and to improve the adhesive strength of the adhesive.

続いて、半導体ウェハ１１の他の面（可動部側の面とは反対の面）にダイシング用シート１２を接着する。なお、このダイシング用シート１２は、予め半導体ウェハ１１に接着しておいてもよい。   Subsequently, the dicing sheet 12 is bonded to the other surface of the semiconductor wafer 11 (the surface opposite to the surface on the movable part side). The dicing sheet 12 may be bonded to the semiconductor wafer 11 in advance.

この貼り合わせ工程により、図１（ｅ）に示す様に、半導体ウェハ１１の一方の面に、キャップ部５を有するとともに半導体チップのサイズに相当する大きさに分割された保護シート１としての保護部材（保護キャップ）１４が、治具４に固定されたまま接着され、半導体ウェハ１１の他方の面にダイシング用シート１２が接着されている状態となる。なお、図１（ｅ）中、１個のチップ領域につき、可動部１０は１個しか図示されていないが、複数個あるのが普通である。   By this bonding step, as shown in FIG. 1 (e), the protective sheet 1 having a cap portion 5 on one surface of the semiconductor wafer 11 and divided into a size corresponding to the size of the semiconductor chip is provided. The member (protective cap) 14 is bonded while being fixed to the jig 4, and the dicing sheet 12 is bonded to the other surface of the semiconductor wafer 11. In FIG. 1E, only one movable portion 10 is shown for one chip region, but there are usually a plurality of movable portions 10.

続いて、図２（ａ）に示すダイシングカット工程では、治具４を保護シート１（保護部材１４）から取り外した後、ダイシング台１３に真空吸着（吸着構造図示せず）により半導体ウェハ１１を吸着し、保護シート１における除去された領域である溝部６に沿ってダイシングを行い、チップに分割する。このときダイシング用シート１２はハーフカットする。こうして、半導体ウェハ１１がチップ化され、各チップは保護部材（保護キャップ）１４により保護された状態となる。   2A, after the jig 4 is removed from the protective sheet 1 (protective member 14), the semiconductor wafer 11 is attached to the dicing table 13 by vacuum suction (adsorption structure not shown). Dicing is performed along the groove 6 which is the adsorbed and removed region of the protective sheet 1 and divided into chips. At this time, the dicing sheet 12 is half-cut. Thus, the semiconductor wafer 11 is made into chips, and each chip is protected by the protection member (protection cap) 14.

このようにダイシングカットを行うことにより、保護シートとして使用した部材を切断することがないので、半導体ウェハ１１上に切り屑が多量に残留することがなくチップの汚染を防止でき、ダイシングの刃（ダイシングブレード）が保護部材１４に接触し難いので、ダイシングの刃による保護部材１４の剥がれも防止することができる。   By performing the dicing cut in this way, the member used as the protective sheet is not cut, so that a large amount of chips do not remain on the semiconductor wafer 11 and chip contamination can be prevented. Since the dicing blade is difficult to contact the protective member 14, it is possible to prevent the protective member 14 from being peeled off by the dicing blade.

その結果、強固に保護シート１を接着しなくてもよいので、後の保護部材１４の除去を簡単に出来る。保護部材１４の除去工程は、図２（ｂ）に示す様に、上記の治具４と同様な真空吸着可能な構造の石英ガラス治具１５を、このウェハの保護部材１４上にかぶせ、石英ガラスを通して紫外線（ＵＶ）照射を行い、粘着剤を硬化し粘着力を低下させ真空吸着により除去する。こうして、図２（ｃ）に示す様に、保護部材１４が除去された状態となる。   As a result, it is not necessary to adhere the protective sheet 1 firmly, so that the subsequent removal of the protective member 14 can be easily performed. As shown in FIG. 2B, the protective member 14 is removed by placing a quartz glass jig 15 having a structure capable of being vacuum-sucked on the protective member 14 of the wafer, as shown in FIG. Ultraviolet (UV) irradiation is performed through glass, the adhesive is cured, the adhesive force is reduced, and the adhesive is removed by vacuum adsorption. Thus, as shown in FIG. 2C, the protection member 14 is removed.

なお、この石英ガラス治具１５は上記治具４のように凹部を形成してもよいが、単に平らな面において各保護部材１４に対応する位置に真空吸着用の穴があいているだけでも可能である。この各保護部材１４を除去した後の半導体チップ（半導体装置）１００は、通常のＩＣチップと同様に取り扱うことが可能になる。さらに、本実施形態では、保護部材１４の除去用の治具１５として石英ガラスを使用したが、紫外線を通すものならどのような材料でも可能である。また紫外線をウェハ全面に照射できるのなら鏡や光ファイバ等で紫外線を導入してもよい。   The quartz glass jig 15 may be formed with a recess as in the jig 4 described above. However, a vacuum suction hole may be formed at a position corresponding to each protective member 14 on a flat surface. Is possible. The semiconductor chip (semiconductor device) 100 after removing each protection member 14 can be handled in the same manner as a normal IC chip. Furthermore, in this embodiment, quartz glass is used as the jig 15 for removing the protective member 14, but any material that allows ultraviolet light to pass through can be used. If the entire surface of the wafer can be irradiated with ultraviolet rays, the ultraviolet rays may be introduced with a mirror or an optical fiber.

また、この保護シート１に熱収縮性プラスチックフィルムを用いれば、ダイシングカット後、保護シート１の熱収縮により溝部６が広がるため、除去領域が少なくてすみ、また、溝部６に沿ってダイシングカットする際に、ダイシングの刃が保護シート１に接触しにくくなるためダイシングカットがしやすくなる。そのような熱収縮性プラスチックフィルムとしては、例えばポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル、ポリエステル等の延伸加工したフィルムが好ましい。   Further, if a heat-shrinkable plastic film is used for the protective sheet 1, after the dicing cut, the groove portion 6 is expanded due to the heat shrinkage of the protective sheet 1, so that the removal area can be reduced, and the dicing cut is performed along the groove portion 6. At this time, since the dicing blade is less likely to come into contact with the protective sheet 1, dicing cutting is facilitated. As such a heat-shrinkable plastic film, for example, a polyolefin film such as polyethylene or polypropylene, or a stretched film such as polyvinyl chloride or polyester is preferable.

また、本実施形態では、保護シート１を固定する治具４として、真空吸着により保護シート１を固定するものを用いているため、保護シート１の治具４に対する固定及び取り外しが、保護シート１を損傷することなく容易に行うことができる。また、本実施形態によれば、ダイシングカットの際に、保護シート１を切断する必要がないので、ダイシングの刃（ダイシングブレード）の寿命を向上させることができる。   Moreover, in this embodiment, since the jig | tool 4 which fixes the protection sheet 1 by vacuum suction is used as the jig | tool 4 which fixes the protection sheet 1, fixation and removal with respect to the jig | tool 4 of the protection sheet 1 are the protection sheet 1 Can be done easily without damage. Moreover, according to this embodiment, since it is not necessary to cut | disconnect the protection sheet 1 in the case of a dicing cut, the lifetime of a dicing blade (dicing blade) can be improved.

このように、本実施形態によれば、保護シート１の切り屑の残留によるチップの汚染を防止するとともに、保護シート１の剥離を抑制可能な半導体装置の製造方法を提供することができる。   As described above, according to this embodiment, it is possible to provide a method for manufacturing a semiconductor device that can prevent chip contamination due to residual chips of the protective sheet 1 and can suppress the peeling of the protective sheet 1.

（第２実施形態）
本実施形態では、上記第１実施形態と同様に保護部材（保護キャップ）１４を形成するが、第１実施形態との違いは、半導体ウェハ１１として、一面に外部と電気接続するためのワイヤボンディング用のパッド部２１（図３（ｅ）参照）が形成されたものを用い、保護部材１４を除去することなく最後まで使用する（製品として残す）ことである。そのためにパッド部２１に対応する部分の保護部材１４も除去する必要がある。以下、主として第１実施形態と相違するところについて述べる。 (Second Embodiment)
In the present embodiment, the protective member (protective cap) 14 is formed in the same manner as in the first embodiment. However, the difference from the first embodiment is that the semiconductor wafer 11 is wire bonded for electrical connection to the outside on one side. The pad portion 21 (see FIG. 3E) for use is used, and the protective member 14 is used to the end without being removed (leaved as a product). Therefore, it is necessary to also remove the protective member 14 corresponding to the pad portion 21. The following mainly describes the differences from the first embodiment.

図３及び図４は本実施形態に係る製造工程を示す概略断面図である。図３（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）に示す工程は、それぞれ上記図１（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）と同様である。次に、図３（ｄ）に示す除去工程では、上記図１（ｄ）の除去工程と同様に、保護シート１のうちダイシングカットする領域に対応する領域（上記溝６に対応する部分）及びパッド部２１に対応する領域を除去して開口部２３を形成する。なお、パッド部２１となる領域は、シート状態において別途プレス等で除去しておいても良い。   3 and 4 are schematic cross-sectional views showing the manufacturing process according to this embodiment. The steps shown in FIGS. 3A, 3B, and 3C are the same as those in FIGS. 1A, 1B, and 1C, respectively. Next, in the removing step shown in FIG. 3D, similarly to the removing step in FIG. 1D, the protective sheet 1 has a region corresponding to the region to be diced (a portion corresponding to the groove 6) and An opening 23 is formed by removing a region corresponding to the pad portion 21. The region to be the pad portion 21 may be removed by a separate press or the like in the sheet state.

次に、図３（ｅ）に示す貼り合わせ工程では、パッド部２１に対応する領域を除去することによって形成された開口部２３からパッド部２１を露出させるように、保護シート１を半導体ウェハ１１の一面に貼り合わせる。これによって、開口部２３から半導体ウェハ１１におけるパッド部２１とダイシング部２２とを露出させる。その他の貼り合わせの要領は上記第１実施形態と同様である。   Next, in the bonding step shown in FIG. 3E, the protective sheet 1 is attached to the semiconductor wafer 11 so that the pad portion 21 is exposed from the opening 23 formed by removing the region corresponding to the pad portion 21. Affix to one side. As a result, the pad portion 21 and the dicing portion 22 in the semiconductor wafer 11 are exposed from the opening 23. Other points of bonding are the same as those in the first embodiment.

ここで、本実施形態では最後まで保護部材１４を残すので、保護シート１を強固に接着することができる。保護シート１の剥離抑制のためには強固に接着することが好ましい。なお、ワイヤボンディングパッド部２１のみを窓状にあけてもよい（パッド部２１は部分的に露出されればよい）。   Here, in this embodiment, since the protection member 14 remains until the end, the protection sheet 1 can be firmly bonded. In order to suppress the peeling of the protective sheet 1, it is preferable to adhere firmly. Only the wire bonding pad portion 21 may be opened in a window shape (the pad portion 21 only needs to be partially exposed).

次に、図４（ａ）に示す様に、上記第１実施形態と同様の要領にてダイシングカット工程を行い、半導体ウェハ１１をカットするのであるが、本実施形態では、カット終了後における半導体チップ（半導体装置）２００は、図４（ｂ）に示す様に、保護部材１４を付けたままの状態とする。   Next, as shown in FIG. 4A, a dicing cut process is performed in the same manner as in the first embodiment to cut the semiconductor wafer 11. In this embodiment, the semiconductor after the cut is completed. As shown in FIG. 4B, the chip (semiconductor device) 200 is in a state where the protection member 14 is still attached.

このダイシングカット工程の後、得られた半導体チップ２００をダイシング用シート１２から取り外し、半導体チップ２００のうち保護部材１４の開口部２３によって露出されているパッド部２１を、ワイヤにてボンディングするワイヤボンディング工程を行う。ここで、ワイヤボンディング工程の前にパッド部２１をクリーニングしておくと良い。   After this dicing cut process, the obtained semiconductor chip 200 is removed from the dicing sheet 12, and the pad portion 21 exposed by the opening 23 of the protective member 14 in the semiconductor chip 200 is bonded with a wire. Perform the process. Here, the pad portion 21 may be cleaned before the wire bonding step.

図５は、このワイヤボンディング工程終了後における半導体装置の一例を示すものである。基板（例えば、セラミック基板、プリント基板、及びリードフレーム等）３０に接着剤（接着シート）３２または銀ペースト等を介し、上記半導体チップ（半導体装置）２００の一例としての半導体加速度センサ３１を、ロボットのアームなどによるハンドリング等を用いて設置する。次に、金線、アルミ線等からなるワイヤ３３により基板３０上の外部取り出し端子３４にワイヤボンディングする。こうして、ワイヤボンディング工程が完了する。   FIG. 5 shows an example of the semiconductor device after the wire bonding process is completed. A semiconductor acceleration sensor 31 as an example of the semiconductor chip (semiconductor device) 200 is attached to a substrate (for example, a ceramic substrate, a printed circuit board, and a lead frame) 30 via an adhesive (adhesive sheet) 32 or silver paste. It is installed using the handling by arm etc. Next, wire bonding is performed to the external lead-out terminal 34 on the substrate 30 with a wire 33 made of a gold wire, an aluminum wire or the like. Thus, the wire bonding process is completed.

ここで、半導体加速度センサ３１（半導体チップ２００）を保護部材１４側から見た構成例を図６に示す。図６に示す例では、ダイシング部２２に沿った領域及びパッド部２１に対応した領域において、これら両領域が連続した形で保護部材１４の除去がなされている。この場合、開口部２３は保護部材１４が無い部分に相当する。   Here, the structural example which looked at the semiconductor acceleration sensor 31 (semiconductor chip 200) from the protection member 14 side is shown in FIG. In the example shown in FIG. 6, the protective member 14 is removed in a region along the dicing portion 22 and a region corresponding to the pad portion 21 so that these two regions are continuous. In this case, the opening 23 corresponds to a portion where the protective member 14 is not provided.

また、図７において、（ａ）はセンサ３１（半導体チップ２００）の概略断面図、（ｂ）はセンサ３１を保護部材１４側から見た図である。図７に示す例では、ダイシング部２２に沿った領域及びパッド部２１の窓部のみの領域において、保護部材１４が除去されている。この除去部分が開口部２３に相当する。   7A is a schematic cross-sectional view of the sensor 31 (semiconductor chip 200), and FIG. 7B is a view of the sensor 31 viewed from the protective member 14 side. In the example shown in FIG. 7, the protective member 14 is removed in the region along the dicing portion 22 and the region of the pad portion 21 only. This removed portion corresponds to the opening 23.

このように、本実施形態によれば、上記第１実施形態と同様の作用効果を奏することができることに加え、ダイシングカットされた保護シート１（保護部材１４）をつけたままワイヤボンディングでき、ダイシングカット後における保護部材１４の取り外しが不要であるため、保護シート１の貼り合わせは強固でよく、保護シート１の剥離をより高レベルにて抑制できる。   Thus, according to the present embodiment, in addition to being able to achieve the same operational effects as the first embodiment, wire bonding can be performed with the dicing cut protective sheet 1 (protective member 14) attached, and dicing is performed. Since it is not necessary to remove the protective member 14 after cutting, the protective sheet 1 can be firmly bonded, and the peeling of the protective sheet 1 can be suppressed at a higher level.

（第３実施形態）
図８は、本実施形態に係る製造工程を示す概略断面図である。上記各実施形態においては、半導体ウェハ１１として表面からの加工により作製した例を示したが、本実施形態は、半導体ウェハ１１を表面および裏面からの加工により作成したものに関する。即ち、表裏両面に加工を施した半導体ウェハにおいては、図８（ａ）に示す様に、裏面がエッチング等により加工された開口部としての裏面加工部４１を有し、表裏両面から可動部１０が露出する構造となる。 (Third embodiment)
FIG. 8 is a schematic cross-sectional view showing the manufacturing process according to the present embodiment. In each said embodiment, although the example produced by the process from the surface as the semiconductor wafer 11 was shown, this embodiment is related with what produced the semiconductor wafer 11 by the process from the surface and the back surface. That is, the semiconductor wafer processed on both front and back surfaces has a back surface processing portion 41 as an opening whose back surface is processed by etching or the like as shown in FIG. Is exposed.

この半導体ウェハ１１に対し、裏面側を保護するための接着フィルム（本発明でいう他面側保護用シート）４２をウェハ１１の裏面側に接着する（他面側保護用シートを貼り付ける工程）。また、上記第１実施形態と同様に処理され溝部６が形成された保護シート１を、治具４に固定したまま半導体ウェハ１１の表面側に貼り合わせる（貼り合わせ工程）。このときの状態を図８（ｂ）に示す。   An adhesive film (an other surface side protection sheet in the present invention) 42 for protecting the rear surface side is bonded to the rear surface side of the wafer 11 (step of attaching the other surface side protection sheet) to the semiconductor wafer 11. . Further, the protective sheet 1 processed in the same manner as in the first embodiment and formed with the groove 6 is bonded to the surface side of the semiconductor wafer 11 while being fixed to the jig 4 (bonding step). The state at this time is shown in FIG.

そして、図８（ｃ）に示す様に、治具４を保護シート１から取り外した後、図８（ｄ）に示す様に、半導体ウェハ１１の接着フィルム４２側を、ダイシングテープ１２ａを介してダイシング台１３（図８（ｄ）では図示せず）に真空吸着し、上記第１実施形態と同様に、ダイシングカット工程を行う。なお、ダイシングテープ１２ａは、上記ダイシング用シート１２と同様の役割をするもので、ハーフカットされる。   Then, after removing the jig 4 from the protective sheet 1 as shown in FIG. 8C, the adhesive film 42 side of the semiconductor wafer 11 is placed through the dicing tape 12a as shown in FIG. 8D. Vacuum suction is performed on the dicing table 13 (not shown in FIG. 8D), and a dicing cut process is performed as in the first embodiment. The dicing tape 12a plays the same role as the dicing sheet 12 and is half-cut.

こうして、半導体ウェハ１１がチップ化され、図８（ｅ）に示す様に、各チップは、保護部材（保護キャップ）１４により表面側を保護され、接着フィルム４２により他面側を保護された状態となる。そして、上記第１実施形態と同様に、保護部材１４を除去し、図８（ｆ）に示す様な半導体チップ（半導体装置）３００を得る。この後は、通常のＩＣチップと同様に取り扱うことが可能になる。   In this way, the semiconductor wafer 11 is made into chips, and as shown in FIG. 8E, each chip is protected on the front side by the protective member (protective cap) 14 and on the other side by the adhesive film 42. It becomes. Then, similarly to the first embodiment, the protective member 14 is removed, and a semiconductor chip (semiconductor device) 300 as shown in FIG. 8F is obtained. Thereafter, it can be handled in the same manner as a normal IC chip.

また、本実施形態は、保護部材１４の形成において、上記第２実施形態と組み合わせたものとすることもできる。図９はその一例を示すもので、接着フィルム４２により裏面側が保護された半導体チップ３００において、表面側を保護する保護部材１４は、パッド部２１とダイシング部２２とが露出するように除去されている。この半導体チップ２００は、上記図５に示す半導体加速度センサ３１と同様に、基板にワイヤボンド実装することができる。   Moreover, this embodiment can also be combined with the said 2nd Embodiment in formation of the protection member 14. FIG. FIG. 9 shows an example. In the semiconductor chip 300 whose back side is protected by the adhesive film 42, the protective member 14 that protects the front side is removed so that the pad portion 21 and the dicing portion 22 are exposed. Yes. Similar to the semiconductor acceleration sensor 31 shown in FIG. 5, the semiconductor chip 200 can be wire-bonded to the substrate.

このように、本実施形態によれば、上記第１及び第２実施形態と同様の作用効果を奏することに加え、表裏両面から可動部１０が露出する構造の半導体ウェハ１１に用いた場合に、可動部１０の適切な保護がなされる。   Thus, according to the present embodiment, in addition to the same effects as the first and second embodiments, when used for the semiconductor wafer 11 having a structure in which the movable portion 10 is exposed from both the front and back surfaces, Appropriate protection of the movable part 10 is made.

なお、接着フィルム４２の特性によっては、ダイシングブレードの寿命を向上させるために、第１のブレードによって半導体ウェハ１１をある程度までカット（ハーフカット）してから（図８（ｄ）中の領域Ｃ１）、第１のブレードよりも薄い、または材質の異なった第２のブレードを用いて、接着フィルム４２及びダイシングテープ１２ａをカットする（図８（ｄ）中の領域Ｃ２）という、２段階のカットを行っても良い。また、上記図８（ｂ）の状態において、保護シート１（保護部材１４）の厚さを厚くすれば（例えば５０μｍ）、半導体ウェハ１１の裏面側からダイシングカットを行うことも可能である。   Depending on the characteristics of the adhesive film 42, the semiconductor wafer 11 is cut (half-cut) to some extent by the first blade in order to improve the life of the dicing blade (region C1 in FIG. 8D). Using a second blade that is thinner than the first blade or made of a different material, the adhesive film 42 and the dicing tape 12a are cut (region C2 in FIG. 8D). You can go. Further, in the state shown in FIG. 8B, if the thickness of the protective sheet 1 (protective member 14) is increased (for example, 50 μm), dicing cut can be performed from the back side of the semiconductor wafer 11.

また、上記各実施形態における保護部材１４は、可動部１０に接触しないようにするため、凹部２を有する治具４により形成されたキャップ部５を有するものであったが、図１０に示す様に、平らな保護部材５１において半導体ウェハ１１の可動部１０に対応する部位以外の部位に接着剤５２を形成することで、保護部材５１が可動部１０に接触するのを防止してもよい。また、この接着剤は接着フィルムを接着することも可能であるこのような保護部材５１の構成は、保護シート１を平らなままの状態で、上記接着剤５２を配するとともに、溝部６（または開口部２３）を形成することによって、作ることができる。それによって、例えば、治具４を凹部２の無いものとでき、該凹部２を形成する手間等が不要となるという利点がある。   Further, the protective member 14 in each of the above embodiments has the cap portion 5 formed by the jig 4 having the concave portion 2 so as not to contact the movable portion 10, but as shown in FIG. Furthermore, the protective member 51 may be prevented from coming into contact with the movable part 10 by forming the adhesive 52 in a part other than the part corresponding to the movable part 10 of the semiconductor wafer 11 in the flat protective member 51. Moreover, this adhesive can also adhere an adhesive film. The structure of the protective member 51 is such that the adhesive 52 is disposed while the protective sheet 1 is kept flat, and the groove 6 (or It can be made by forming an opening 23). Thereby, for example, there is an advantage that the jig 4 can be made without the concave portion 2 and the trouble of forming the concave portion 2 becomes unnecessary.

（第４実施形態）
本実施形態に係る半導体装置の製造工程を図１１に示す。本実施形態では、図１１（ａ）に示す様に、可動部６１がウェハの表面６０から０．５〜１００μｍ程度ウェハ内に入ったところに形成された半導体ウェハ１１を適用したものである。 (Fourth embodiment)
FIG. 11 shows a manufacturing process of the semiconductor device according to this embodiment. In the present embodiment, as shown in FIG. 11A, the semiconductor wafer 11 formed when the movable portion 61 enters about 0.5 to 100 μm from the surface 60 of the wafer is applied.

本例では、表面６０と可動部６１とにより形成される凹部６２の深さを約３ミクロンとした。この場合、保護部材（保護キャップ）６３は、凹凸のない平らなものを使用可能である。従って、本実施形態では、保護シート１が上記キャップ部５を形成しない平坦な状態のまま、上記同様に、治具固定工程、除去工程、貼り合わせ工程、および他面側保護用シートを貼り付ける工程を行い、図１１（ｂ）に示す状態とできる。   In this example, the depth of the concave portion 62 formed by the surface 60 and the movable portion 61 is about 3 microns. In this case, the protective member (protective cap) 63 can be a flat member having no irregularities. Therefore, in the present embodiment, the protective sheet 1 is in a flat state where the cap portion 5 is not formed, and the jig fixing step, the removing step, the bonding step, and the other surface side protective sheet are pasted in the same manner as described above. By performing the process, the state shown in FIG.

次に、図１１（ｃ）及び（ｄ）に示す様に、上記第３実施形態と同様に、ダイシングカット工程、及び保護部材６３の除去を行い、図１１（ｅ）に示す半導体チップ（半導体装置）４００を得る。   Next, as shown in FIGS. 11C and 11D, as in the third embodiment, the dicing cut process and the protection member 63 are removed, and the semiconductor chip (semiconductor shown in FIG. Device) 400.

なお、図１２は、本実施形態の保護部材６３の形成において、上記第２実施形態を採用したもので、パッド部２１を露出させる保護部材（保護キャップ）６３を最終製品で接着してあるものを示す。図１３に示す半導体チップ４００は、上記第２実施形態と同様、ワイヤボンディングを行うことができる。   Note that FIG. 12 employs the second embodiment in the formation of the protective member 63 of the present embodiment, in which the protective member (protective cap) 63 that exposes the pad portion 21 is bonded to the final product. Indicates. The semiconductor chip 400 shown in FIG. 13 can perform wire bonding as in the second embodiment.

また、本実施形態の図示例では、表裏両面から可動部が露出する半導体ウェハに適用されているが、上記第１及び第２実施形態のような表面に露出する半導体ウェハであっても、可動部がウェハの表面から０．５〜１００μｍ程度ウェハ内に入ったところに形成されたものであれば、適用可能である。   In the illustrated example of the present embodiment, the movable portion is applied to both the front and back surfaces of the semiconductor wafer. However, even in the semiconductor wafer exposed on the surface as in the first and second embodiments, the movable portion is movable. Any portion can be applied as long as the portion is formed in the wafer about 0.5 to 100 μm from the surface of the wafer.

このように、本実施形態においては、半導体ウェハ１１の構成によって保護シート１（保護部材６３）を平坦なものとでき、また、上記第１〜第３実施形態と同様の作用効果を得ることも可能である。   Thus, in this embodiment, the protective sheet 1 (protective member 63) can be made flat according to the configuration of the semiconductor wafer 11, and the same effects as those in the first to third embodiments can be obtained. Is possible.

（第５実施形態）
上記各実施形態において、本実施形態は、半導体ウェハをダイシングカットして形成される半導体チップとして構成される半導体装置であって、該半導体チップの一面が、該一面を露出させる開口部を有し且つダイシングカットの際に該半導体チップを保護するための保護部材により被覆されており、更に、該半導体チップの該一面に、該半導体チップを外部に電気接続するためのバンプが、該開口部から露出するように設けられたものに関する。 (Fifth embodiment)
In each of the above embodiments, the present embodiment is a semiconductor device configured as a semiconductor chip formed by dicing and cutting a semiconductor wafer, and one surface of the semiconductor chip has an opening that exposes the one surface. The semiconductor chip is covered with a protective member for protecting the semiconductor chip at the time of dicing cut, and further, a bump for electrically connecting the semiconductor chip to the outside is provided on the one surface of the semiconductor chip from the opening. It relates to what is provided to be exposed.

図１３に本実施形態に係る半導体装置の製造工程を示す。図示例では、上記第４実施形態にて述べた、表裏両面から露出する可動部がウェハの表面からウェハ内に入ったところに形成された半導体ウェハ１１について、適用している。   FIG. 13 shows a manufacturing process of the semiconductor device according to this embodiment. In the example of illustration, it applies to the semiconductor wafer 11 formed in the place which the movable part exposed from the front and back both surfaces described in the said 4th Embodiment entered in the wafer from the surface of the wafer.

まず、図１３（ａ）に示すバンプ形成工程では、半導体ウェハ１１の一面（表面）に、外部と電気接続するためのバンプ７０を、パッド部２１と電気的に接続するように形成する。ここで、バンプ７０は、例えば、通常のバンプとして用いられる共晶はんだ、あるいは、Ｉｎ系のはんだ等を採用することができる。さらには、金線等のワイヤボンディングにより形成される金ボール等を形成したいわゆるスタッドバンプ（ワイヤバンプ）を採用しても良い。   First, in the bump forming step shown in FIG. 13A, bumps 70 for electrical connection to the outside are formed on one surface (front surface) of the semiconductor wafer 11 so as to be electrically connected to the pad portion 21. Here, as the bump 70, for example, eutectic solder used as a normal bump, In-based solder, or the like can be adopted. Furthermore, a so-called stud bump (wire bump) in which a gold ball or the like formed by wire bonding such as a gold wire may be employed.

また、保護シート１を治具４に真空吸着により固定し（治具固定工程）、保護シート１の面をエキシマレーザ等で削ることにより可動部に対応する部分に凹部７１を形成する。この凹部７１は上記キャップ部と同様の機能を有するものである。なお、上記第４実施形態の如く、可動部６１がウェハの表面６０から０．５〜１００μｍ程度ウェハ内に入ったところに形成されていれば、凹部７１は必ずしも必要ない。   Further, the protective sheet 1 is fixed to the jig 4 by vacuum suction (a jig fixing step), and the surface of the protective sheet 1 is shaved with an excimer laser or the like to form a recess 71 in a portion corresponding to the movable part. The concave portion 71 has the same function as the cap portion. Note that the recessed portion 71 is not necessarily required as long as the movable portion 61 is formed in the wafer about 0.5 to 100 μm from the wafer surface 60 as in the fourth embodiment.

また、この治具４に固定された保護シート１に対して、切断治具を用いたプレスまたはカッターにより、保護シート１のうちダイシングカットする領域（スクライブ領域）に対応する領域を切断除去して溝部６を形成し、保護シート１を半導体チップのサイズに相当する大きさに分割する。このとき、保護シート１のうち上記バンプ７０に対応する部位も併せて除去し、開口部７２を形成する（除去工程）。   Moreover, the area | region corresponding to the area | region (scribe area | region) which carries out dicing cut among the protection sheet 1 is cut and removed with respect to the protection sheet 1 fixed to this jig | tool 4 with the press or cutter which used the cutting jig. The groove 6 is formed, and the protective sheet 1 is divided into a size corresponding to the size of the semiconductor chip. At this time, the part corresponding to the bump 70 in the protective sheet 1 is also removed to form the opening 72 (removal step).

次に、上記の他面側保護用シートを貼り付ける工程と同様にして、半導体ウェハ１１の他面（裏面）に接着フィルム４２を貼り合わせる。そして、本実施形態の貼り合わせ工程では、分割された保護シート１としての保護部材７３を、治具４に固定させた状態にて、開口部７２からバンプ７０を露出させるように、半導体ウェハ１１の一面（表面）に貼り合わせる。こうして、図１３（ｂ）に示す状態となる。   Next, the adhesive film 42 is bonded to the other surface (back surface) of the semiconductor wafer 11 in the same manner as in the step of applying the other surface side protection sheet. In the bonding process of the present embodiment, the semiconductor wafer 11 is so exposed that the bumps 70 are exposed from the openings 72 in a state in which the protective member 73 as the divided protective sheet 1 is fixed to the jig 4. Affix to one side (surface). Thus, the state shown in FIG.

次に、保護シート１から治具４を取り外した後、上記ダイシングカット工程を行い、溝部６に沿って半導体ウェハ１１をチップ化し（図１３（ｃ）参照）、図１３（ｄ）に示す半導体チップ（半導体装置）５００を得る。この半導体チップ５００は、その一面が、その表面を露出させる開口部７２を有する保護部材７３により被覆されており、更に、半導体チップ５００の一面において、バンプ７０が開口部７２から露出するように設けられた構成を有する。   Next, after removing the jig 4 from the protective sheet 1, the dicing cut process is performed to chip the semiconductor wafer 11 along the groove 6 (see FIG. 13C), and the semiconductor shown in FIG. A chip (semiconductor device) 500 is obtained. One surface of the semiconductor chip 500 is covered with a protective member 73 having an opening 72 that exposes the surface of the semiconductor chip 500, and the bump 70 is provided on the one surface of the semiconductor chip 500 so as to be exposed from the opening 72. It has the structure which was made.

次に、一面側に導電性材料よりなる導体層（導体部）８１を有するセラミックまたはプリント板またはガラスまたはガラス−セラミックまたはシリコン等よりなる基板８０を用意する。この基板８０の一面側の導体層８１は、その上に形成されたガラスなどの絶縁材料よりなる絶縁層８２により被覆されており、導体層８１の一部は絶縁層８２の開口部から露出している。   Next, a substrate 80 made of ceramic, printed board, glass, glass-ceramic, silicon, or the like having a conductor layer (conductor portion) 81 made of a conductive material on one side is prepared. The conductor layer 81 on the one surface side of the substrate 80 is covered with an insulating layer 82 made of an insulating material such as glass formed thereon, and a part of the conductor layer 81 is exposed from the opening of the insulating layer 82. ing.

そして、得られた半導体チップ５００を、バンプ７０側が基板８０の導体層８１側の面と対向するように配置し、バンプ７０をリフローまたは熱圧着する等によって、絶縁層８２の開口部から露出する導体層８１とバンプ７０とを電気的に接続する（図１３（ｅ）参照）。このようにして、フェースダウンのボンディング、即ち、フリップチップ実装等を行うことができる。   Then, the obtained semiconductor chip 500 is disposed so that the bump 70 side faces the surface of the substrate 80 on the conductor layer 81 side, and the bump 70 is exposed from the opening of the insulating layer 82 by reflow or thermocompression bonding. The conductor layer 81 and the bump 70 are electrically connected (see FIG. 13E). In this way, face-down bonding, that is, flip-chip mounting or the like can be performed.

ここで、バンプ７０として、通常のバンプとして用いられる共晶はんだを用いた場合、その共晶はんだの融点は約１８０℃であるが、保護部材７３を構成する基材としてポリイミド等の耐熱性樹脂を用い、接着剤としてシリコーン粘着剤を用いれば問題はない。また、融点の更に低いＩｎ系のはんだを用いても良く、バンプ７０と導体層８１とを熱圧着により固相接続を行えば、更に低い温度で接続可能である。さらに、別の接続方法としては、一般にチップの基板への固定に用いられる銀ペーストを用いて、バンプ７０を接続しても良い。   Here, when eutectic solder used as a normal bump is used as the bump 70, the melting point of the eutectic solder is about 180 ° C., but a heat resistant resin such as polyimide is used as a base material constituting the protective member 73. There is no problem if a silicone adhesive is used as an adhesive. Further, an In-based solder having a lower melting point may be used, and if the bump 70 and the conductor layer 81 are solid-phase connected by thermocompression bonding, they can be connected at a lower temperature. Furthermore, as another connection method, the bumps 70 may be connected using a silver paste generally used for fixing the chip to the substrate.

このように、本実施形態によれば、溝部６に沿ったダイシングカットを行うため保護部材７３の切り屑が発生し難く、該切り屑による汚染を防止できる。また、半導体チップ５００は保護部材７３により被覆されたままであるため、保護部材７３を半導体チップ５００に強固に接着できるから、保護部材７３の剥離の抑制が可能となる。また、開口部７２から露出するバンプ７０によって、保護部材７３を付けたまま、半導体チップ５００を外部の基板８０と電気的に接続することが可能である。   Thus, according to this embodiment, since the dicing cut along the groove part 6 is performed, chips of the protection member 73 are hardly generated, and contamination by the chips can be prevented. Further, since the semiconductor chip 500 is still covered with the protective member 73, the protective member 73 can be firmly bonded to the semiconductor chip 500, and therefore, the peeling of the protective member 73 can be suppressed. Further, the semiconductor chip 500 can be electrically connected to the external substrate 80 with the protective member 73 attached by the bump 70 exposed from the opening 72.

なお、本実施形態における除去工程では、少なくともバンプ７０に対応する部位を除去した開口部７２を形成すれば良く、溝部６は無いものとしても良い。その場合には、ダイシングカット工程において、ウェハ１１と共に保護シート１もカットする。この場合でも、半導体チップは保護部材により被覆されたままだから、保護シート１を半導体ウェハ１１に強固に接着でき、保護シート１の切り屑による汚染の防止及び保護部材の剥離の抑制が可能となる。   In the removal process in the present embodiment, it is sufficient to form the opening 72 from which at least the portion corresponding to the bump 70 is removed, and the groove 6 may not be provided. In that case, the protective sheet 1 is also cut together with the wafer 11 in the dicing cut process. Even in this case, since the semiconductor chip is still covered with the protective member, the protective sheet 1 can be firmly bonded to the semiconductor wafer 11, and contamination by chips of the protective sheet 1 can be prevented and peeling of the protective member can be suppressed. .

また、本実施形態の保護シート１は、図１に示す様なキャップ部５を有するもの、図１０及び図１１に示す様な平坦なものでも構わない。また、本実施形態では、両面から可動部が露出する半導体装置以外にも、上記第１実施形態等に示したような片面のみ可動部が露出する半導体装置にも適用可能なことは勿論である。   Further, the protective sheet 1 of the present embodiment may have a cap portion 5 as shown in FIG. 1 or a flat one as shown in FIGS. 10 and 11. In addition to the semiconductor device in which the movable part is exposed from both sides, the present embodiment is of course applicable to a semiconductor device in which the movable part is exposed only on one side as shown in the first embodiment. .

ところで、上記各実施形態において、図５ないし図７、図９、図１２及び図１３（ｄ）に示す様に、保護部材１４、５１、６３、７３が被覆されたままチップ化された半導体チップ（センサチップ）２００、３００、４００、５００は、各保護部材の周縁部Ｓ１が各半導体チップの周縁部Ｓ２よりも内側にあるものとなっている。このような配置関係になるのは、除去工程において、予め保護シート１におけるダイシングカットする領域に対応する領域を除去し、溝部６または開口部２３を形成するようにしているためである。   By the way, in each said embodiment, as shown in FIG. 5 thru | or FIG. 7, FIG.9, FIG.12 and FIG.13 (d), the semiconductor chip formed into a chip with the protection members 14, 51, 63, 73 covered (Sensor chip) 200, 300, 400, 500 is such that the peripheral edge S1 of each protective member is inside the peripheral edge S2 of each semiconductor chip. The reason why such a positional relationship is established is that, in the removing step, the region corresponding to the region to be diced in the protective sheet 1 is previously removed, and the groove 6 or the opening 23 is formed.

そして、ダイシングカットの際に半導体チップを保護するための保護部材１４、５１、６３、７３の周縁部Ｓ１が半導体チップ２００〜５００の周縁部Ｓ２よりも内側にあるため、ダイシングカットの際にダイシングの刃が保護部材に接触し難く、切り屑が発生せずチップの汚染を防止でき、また、保護部材の剥離が抑制される。   And since the peripheral part S1 of the protection members 14, 51, 63, 73 for protecting the semiconductor chip in the dicing cut is inside the peripheral part S2 of the semiconductor chips 200 to 500, the dicing is performed in the dicing cut. This prevents the blade from coming into contact with the protective member, prevents generation of chips, prevents contamination of the chip, and suppresses peeling of the protective member.

また、斯様な半導体チップ２００〜５００によれば、ダイシングカット後の半導体チップは保護部材により被覆されたままであるから、ダイシングカット用の保護シート１の接着も強固にでき、保護部材の剥離の抑制が高レベルで可能となる。   Further, according to such semiconductor chips 200 to 500, the semiconductor chip after dicing cut remains covered with the protective member, so that the adhesion of the protective sheet 1 for dicing cut can be strengthened, and the protective member can be peeled off. Suppression is possible at a high level.

また、もし、保護部材と半導体チップの周縁部が同じ位置にあると、チップの取り扱いにおいてチップの側面またはチップの上面角部（チップの周縁部）をつかむ等により、保護部材が剥がれやすく、信頼性の面で問題となることがあるが、本半導体チップ２００〜５００によれば、保護部材の周縁部Ｓ１が半導体チップの周縁部Ｓ２よりも内側にあるため、チップをつかむ際に保護部材に触ることがないから、保護部材の剥がれを防止できる。   Also, if the protective member and the peripheral edge of the semiconductor chip are in the same position, the protective member is easily peeled off by grasping the side surface of the chip or the upper corner of the chip (peripheral edge of the chip) in handling the chip. However, according to the present semiconductor chips 200 to 500, since the peripheral portion S1 of the protective member is inside the peripheral portion S2 of the semiconductor chip, the protective member is used when grasping the chip. Since it does not touch, peeling of a protection member can be prevented.

従って、本半導体チップ２００〜５００によれば、保護シートの切り屑の残留によるチップの汚染を防止するとともに、保護シートの剥離を抑制可能な半導体装置を提供することができる。   Therefore, according to the present semiconductor chips 200 to 500, it is possible to provide a semiconductor device capable of preventing chip contamination due to residual chips of the protective sheet and suppressing peeling of the protective sheet.

（第６実施形態）
図１４〜図１６は、本第６実施形態に係る半導体装置の製造工程を示す概略断面図である。なお、本実施形態において、上記各実施形態と同一部分については、図中、同一符号を付してある。図１４（ａ）に、本実施形態に用いる半導体ウェハ１１を示す。 (Sixth embodiment)
14 to 16 are schematic cross-sectional views illustrating the manufacturing steps of the semiconductor device according to the sixth embodiment. In addition, in this embodiment, the same code | symbol is attached | subjected in the figure about the same part as said each embodiment. FIG. 14A shows a semiconductor wafer 11 used in this embodiment.

この半導体ウェハ（センサウェハ）１１は、上記第３実施形態と同様に、表裏両面に加工を施したもので、本実施形態では、半導体装置としての容量検出型加速度センサに用いられるものである。半導体ウェハ１１は、上記した開口部としての裏面加工部４１を有し、表裏両面からセンシング部１０ａが露出する構造を有する。センシング部１０ａは可動電極と固定電極とからなる。そして、図１４（ａ）に示す様に、半導体ウェハ１１の裏面に、接着フィルム（接着シート）４２を貼り付ける（他面側保護用シートを貼り付ける工程）。   This semiconductor wafer (sensor wafer) 11 is processed on both the front and back surfaces as in the third embodiment. In this embodiment, the semiconductor wafer (sensor wafer) 11 is used for a capacitance detection type acceleration sensor as a semiconductor device. The semiconductor wafer 11 has a back surface processing portion 41 as the above-described opening, and has a structure in which the sensing portion 10a is exposed from both the front and back surfaces. The sensing unit 10a includes a movable electrode and a fixed electrode. And as shown to Fig.14 (a), the adhesive film (adhesive sheet) 42 is affixed on the back surface of the semiconductor wafer 11 (process which affixes the other surface side protection sheet).

また、図１４（ｂ）に、キャップ部（保護キャップ部）５を成形するための治具４を示す。治具４は円盤形状であり、上述したように、治具４の一面側には図１４（ｄ）に示す様なキャップ部５を成形するための凹部２が面状に複数個形成され、他面側には各凹部２と連通する真空吸引用の穴部（本発明でいう貫通孔）３が複数個形成されている。   FIG. 14B shows a jig 4 for forming the cap part (protective cap part) 5. The jig 4 has a disk shape, and as described above, a plurality of concave portions 2 for forming the cap portion 5 as shown in FIG. On the other surface side, a plurality of vacuum suction holes (through holes in the present invention) 3 communicating with the respective recesses 2 are formed.

そして、図１４（ｃ）に示す様に、この治具４に対して、凹部２の形成面とは反対側に、図１４（ｄ）に示す様な粘着シートである保護シート１を真空吸引するための真空チャックステージ６００を設ける。この真空チャックステージ６００は、内部に圧力導入孔６０１が形成され、圧力導入孔６０１の一端側は各穴部３に連通し、他端側は図示しない真空ポンプに（減圧ポンプ）接続されている。なお、治具４と真空チャックステージ６００とはＯリング６０２により、シールされる。そして、この圧力導入孔６０１を介して図示矢印Ｐ方向への真空吸引が行われるようになっている。   Then, as shown in FIG. 14 (c), the protective sheet 1 which is an adhesive sheet as shown in FIG. A vacuum chuck stage 600 is provided. The vacuum chuck stage 600 has a pressure introduction hole 601 formed therein, one end side of the pressure introduction hole 601 communicates with each hole 3, and the other end side is connected to a vacuum pump (decompression pump) (not shown). . The jig 4 and the vacuum chuck stage 600 are sealed by an O-ring 602. Then, vacuum suction in the direction of the arrow P shown in the figure is performed through the pressure introduction hole 601.

次に、図１４（ｄ）に示す様に、治具４と真空チャックステージ６００とを、保護シート１が変形可能な温度（例えば７０℃程度）まで加熱した後、上記真空ポンプを作動させて真空吸引しながら、治具４の一面上に保護シート１をその面１ｂ側に載せて固定する（治具固定工程）。これにより、上記第１実施形態で述べたように、穴部３からの吸引力により保護シート１は治具４の一面に固定されるとともに、保護シート１は、その粘着面１ａ側から面１ｂに向かって治具４の凹部２に沿うように凹み、キャップ部５が形成される。なお、保護シート１の外縁部には、該シート１の平坦性を維持するためのダイシングフレーム６０３が設けられている。   Next, as shown in FIG. 14 (d), after heating the jig 4 and the vacuum chuck stage 600 to a temperature at which the protective sheet 1 can be deformed (for example, about 70 ° C.), the vacuum pump is operated. The protective sheet 1 is placed and fixed on one surface of the jig 4 while being vacuumed (jig fixing process). As a result, as described in the first embodiment, the protective sheet 1 is fixed to one surface of the jig 4 by the suction force from the hole 3, and the protective sheet 1 is formed from the adhesive surface 1a side to the surface 1b. The cap part 5 is formed so as to be recessed along the concave part 2 of the jig 4. A dicing frame 603 for maintaining the flatness of the sheet 1 is provided at the outer edge of the protective sheet 1.

次に、図１５（ａ）に示す様に、センシング部１０ａがキャップ部５に一致するように、半導体ウェハ１１と保護シート１とを上記第１実施形態と同様な方法を用いて位置あわせし、半導体ウェハ１１の表面と保護シート１の粘着面１ａとを接着させる。そして、このまま、室温まで冷却する（貼り合わせ工程）。   Next, as shown in FIG. 15A, the semiconductor wafer 11 and the protective sheet 1 are aligned using the same method as in the first embodiment so that the sensing unit 10a coincides with the cap unit 5. The surface of the semiconductor wafer 11 and the adhesive surface 1a of the protective sheet 1 are bonded. And it cools to room temperature as it is (bonding process).

冷却後、上記真空ポンプの作動を止めて真空チャックステージ６００の真空吸引を止め、図１５（ｂ）に示す様に、接着フィルム４２の裏面に半導体ウェハ１１よりも大口径の補強用ウェハ（本発明でいう補強板、第２のウェハ）６０４を載せる。そして、保護シート１の粘着面１ａのうち外縁部を補強用ウェハ６０４に貼り付け、保護シート１及び半導体ウェハ１１を補強用ウェハ６０４に固定する。こうして、補強用ウェハ６０４は治具４の一面（凹部２の形成面）と対向して配置される（補強板設置工程）。   After cooling, the operation of the vacuum pump is stopped and the vacuum suction of the vacuum chuck stage 600 is stopped. As shown in FIG. 15B, a reinforcing wafer having a larger diameter than that of the semiconductor wafer 11 is formed on the back surface of the adhesive film 42. (Reinforcing plate in the invention, second wafer) 604 is placed. Then, the outer edge portion of the adhesive surface 1 a of the protective sheet 1 is attached to the reinforcing wafer 604, and the protective sheet 1 and the semiconductor wafer 11 are fixed to the reinforcing wafer 604. Thus, the reinforcing wafer 604 is disposed so as to face one surface of the jig 4 (the surface on which the recess 2 is formed) (reinforcing plate installation step).

次に、保護シート１から治具４を剥離させて取り外すのであるが、本実施形態では、取り外す際に、保護シート１に対して治具４から離れる方向へ図示矢印の如く圧力Ｐを加える（加圧剥離工程）。具体的には、真空チャックステージ６００の圧力導入孔６０１の他端側を、上記真空ポンプから図示しない圧力供給装置（例えば、コンプレッサ等）へ切り替えて接続する。この接続の切替えは、上記真空ポンプの配管系統（ホース等）と圧力供給装置の配管系統とを切替えバルブ等により切り替えること等により可能である。   Next, the jig 4 is peeled off from the protective sheet 1 and removed. In this embodiment, when removing, the pressure P is applied to the protective sheet 1 in the direction away from the jig 4 as shown by the arrow in FIG. Pressure peeling step). Specifically, the other end side of the pressure introduction hole 601 of the vacuum chuck stage 600 is switched from the vacuum pump to a pressure supply device (not shown) (for example, a compressor) and connected. The connection can be switched by switching the piping system (such as a hose) of the vacuum pump and the piping system of the pressure supply device with a switching valve or the like.

そして、上記圧力供給装置により、圧力導入孔６０１を介して穴部３から圧縮空気あるいは窒素（Ｎ２）等の気体を導入し、加圧する。なお、加圧力は０．０３ＭＰａ程度とできる。この程度の圧力ではキャップ部５は変形しない。この加圧状態において、治具４から補強用ウェハ６０４を剥がし取るように、補強用ウェハ６０４、半導体ウェハ１１及び保護シート１を一体に治具４から剥がす。この剥離の際には、補強用ウェハ６０４が半導体ウェハ１１の裏面側を支持しているために、半導体ウェハ１１は変形（反り）せず、割れ等の破損を発生することはない。図１５（ｃ）に剥離後の状態を示す。 Then, a gas such as compressed air or nitrogen (N 2 ) is introduced from the hole 3 through the pressure introducing hole 601 and pressurized by the pressure supply device. The applied pressure can be about 0.03 MPa. The cap portion 5 is not deformed by such a pressure. In this pressurized state, the reinforcing wafer 604, the semiconductor wafer 11, and the protective sheet 1 are integrally peeled from the jig 4 so that the reinforcing wafer 604 is peeled off from the jig 4. At the time of peeling, since the reinforcing wafer 604 supports the back side of the semiconductor wafer 11, the semiconductor wafer 11 does not deform (warp) and does not break or break. FIG. 15C shows a state after peeling.

次に、図１６（ａ）に示す様に、保護シート１の外縁部をカットし、半導体ウェハ１１から補強用ウェハ６０４を除去する（補強板除去工程）。なお、補強用ウェハ６０４と接着フィルム４２との間は接しているだけなので、両者は容易に分離する。次に、図１６（ｂ）に示す様に、接着フィルム４２の裏面にダイシング用シート１２を貼り付け、ダイシングブレード６０５によりダイシングカットを行い、その後、図１６（ｃ）に示す様に、保護シート１を除去することで半導体ウェハ１１をチップに分割できる。   Next, as shown in FIG. 16A, the outer edge portion of the protective sheet 1 is cut, and the reinforcing wafer 604 is removed from the semiconductor wafer 11 (reinforcing plate removing step). Since the reinforcing wafer 604 and the adhesive film 42 are only in contact with each other, they are easily separated. Next, as shown in FIG. 16 (b), the dicing sheet 12 is attached to the back surface of the adhesive film 42, and the dicing blade 605 is used for dicing cutting, and then, as shown in FIG. 16 (c), the protective sheet. By removing 1, the semiconductor wafer 11 can be divided into chips.

以上、本実施形態に係る製造方法について述べてきたが、本実施形態においては、上記治具４が保護シート１の一面側が固定される治具に相当し、上記圧力導入孔６０１、穴部２及び上記圧力供給装置（図示せず）が、保護シート１に対し治具４から離れる方向へ加圧を行う加圧手段に相当し、これら治具４及び加圧手段によって、本発明でいうウェハ剥離装置が構成されている。   As described above, the manufacturing method according to the present embodiment has been described. In the present embodiment, the jig 4 corresponds to a jig to which one surface side of the protective sheet 1 is fixed, and the pressure introduction hole 601, the hole portion 2. The pressure supply device (not shown) corresponds to a pressurizing unit that pressurizes the protective sheet 1 in a direction away from the jig 4, and the wafer referred to in the present invention by the jig 4 and the pressurizing unit. A peeling apparatus is configured.

ところで、本実施形態の製造方法は、一面１ｂ側が治具４に密着された保護シート１の粘着面（他面）１ａ側に半導体ウェハ１１を貼り合わせた後、半導体ウェハ１１と一体に保護シート１を、治具４より剥離させる工程を備え、治具４を保護シート１から取り外す際に、保護シート１に対して治具４から離れる方向へ圧力を加えるようにしたことを主たる特徴としている。それにより、保護シート１が貼り合わされた半導体ウェハ１１を加圧により容易に取り外すことができ、ウェハの破損も防止できる。よって、本実施形態によれば、作業性がよく、高スループット化可能なウェハ剥離を実現可能な半導体装置の製造方法を提供できる。   By the way, in the manufacturing method of the present embodiment, the semiconductor wafer 11 is bonded to the adhesive surface (other surface) 1a side of the protective sheet 1 whose one surface 1b is in close contact with the jig 4, and then the protective sheet is integrated with the semiconductor wafer 11. 1 is provided with a step of peeling from the jig 4, and when removing the jig 4 from the protective sheet 1, the main feature is that pressure is applied to the protective sheet 1 in a direction away from the jig 4. . Thereby, the semiconductor wafer 11 to which the protective sheet 1 is bonded can be easily removed by pressurization, and damage to the wafer can be prevented. Therefore, according to the present embodiment, it is possible to provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of realizing wafer peeling with high workability and high throughput.

また、本実施形態のウェハ剥離装置は上記加圧手段を備えているため、本実施形態の製造方法を行うにあたって好適なウェハ剥離装置を提供することができる。更に、本実施形態のウェハ剥離装置は、補強板としての補強用ウェハ６０４を備えている。この補強用ウェハ６０４が無いものであっても良いが、剥離した半導体ウェハ１１の破損防止をより確実なものとするには、補強用ウェハ６０４が備えられていた方が好ましい。   Moreover, since the wafer peeling apparatus of this embodiment is equipped with the said pressurizing means, a suitable wafer peeling apparatus can be provided when performing the manufacturing method of this embodiment. Furthermore, the wafer peeling apparatus of this embodiment includes a reinforcing wafer 604 as a reinforcing plate. The reinforcing wafer 604 may be omitted, but it is preferable that the reinforcing wafer 604 is provided in order to more reliably prevent the peeled semiconductor wafer 11 from being damaged.

また、本実施形態のウェハ剥離装置における治具４は、複数個の凹部２及び穴部（貫通孔）３とを備え、保護シート１を穴部３を介して凹部２に沿って変形させるものとしている。手段の欄にて述べたように、多数（例えば２０００〜３０００個あるいはそれ以上）の凹部を治具表面に形成すると、ドーム状に形成されたキャップ部が凹部に食い込み、半導体ウェハの治具からの剥離が一層難しくなるのであるが、本実施形態によれば、そのような問題を回避できる。   Further, the jig 4 in the wafer peeling apparatus of the present embodiment includes a plurality of recesses 2 and holes (through holes) 3, and deforms the protective sheet 1 along the recesses 2 through the holes 3. It is said. As described in the section of means, when a large number (for example, 2000 to 3000 or more) of concave portions are formed on the jig surface, the cap portion formed in the dome shape bites into the concave portion, and the semiconductor wafer is removed from the jig. However, according to this embodiment, such a problem can be avoided.

なお、治具４が、保護シート１を固定する面に凹部２が無い平坦形状であって、穴部３のみが形成されているものであっても良い。この場合、保護シート１にキャップ部５を形成しないものとなるが、治具４からの加圧による保護シート１の剥離の容易化という本実施形態特有の効果を発揮することに何ら影響するものではない。また、穴部３が真空吸引と加圧の際の圧力導入とを兼用しているが、別途、治具４に対し加圧専用の孔を設けても良い。   Note that the jig 4 may have a flat shape without the recess 2 on the surface to which the protective sheet 1 is fixed, and only the hole 3 may be formed. In this case, the cap portion 5 is not formed on the protective sheet 1, but it has no influence on the effect of the present embodiment, that is, easy removal of the protective sheet 1 by pressurization from the jig 4. is not. In addition, although the hole 3 serves both as vacuum suction and pressure introduction during pressurization, a hole dedicated to pressurization may be provided in the jig 4 separately.

また、本実施形態では、上記第１〜第５実施形態にて述べた除去工程を行わない例を示してあるが、これらの除去工程を行う製造方法において、本実施形態のように保護シート剥離の際に加圧を行った場合でも、上記の加圧による剥離の容易化を実現できることは勿論である。例えば、上記図１４（ｄ）に示す状態と図１５（ａ）に示す状態との間で、保護シート１のうちスクライブ領域に対応する領域を除去するようにしてもよい。この場合も、保護シート１は分割されても真空吸着され治具４に固定されているので、ばらばらになって剥離することはない。   Moreover, in this embodiment, although the example which does not perform the removal process described in the said 1st-5th embodiment is shown, in the manufacturing method which performs these removal processes, protective sheet peeling is carried out like this embodiment. Of course, even when pressure is applied at the time, the above-described peeling can be facilitated by pressurization. For example, you may make it remove the area | region corresponding to a scribe area | region among the protection sheets 1 between the state shown to the said FIG.14 (d), and the state shown to Fig.15 (a). Also in this case, even if the protective sheet 1 is divided, it is vacuum-adsorbed and fixed to the jig 4 so that it does not come apart and peel off.

ところで、ウェハ剥離装置における補強板としては、補強用ウェハ（シリコンウェハ等）でなくとも、図１７に示す押さえ板６０６でもよい。図１７に示す変形例においては、押さえ板６０６は、アルミニウム（Ａｌ）製であり、治具４と対向配置され半導体ウェハ１１よりも大きな面積を有する面部６０７と、この面部６０７の外周において治具４に向かって突出する突出部６０８とを備えている。   By the way, the reinforcing plate in the wafer peeling apparatus may be a pressing plate 606 shown in FIG. 17 instead of a reinforcing wafer (silicon wafer or the like). In the modified example shown in FIG. 17, the pressing plate 606 is made of aluminum (Al), is disposed opposite to the jig 4 and has a surface portion 607 having a larger area than the semiconductor wafer 11, and a jig on the outer periphery of the surface portion 607. 4 and a projecting portion 608 projecting toward the position 4.

本例の押さえ板６０６を用いた補強板設置工程においては、真空吸引を止めた後、図１７（ａ）に示す様に、押さえ板６０６及び治具４に設けられたネジ穴及び固定用ネジ６０９により、押さえ板６０６を治具４に締結する。ここで、面部６０７が、半導体ウェハ１１の裏面の接着フィルム４２と隙間を持ち、突出部６０８の先端が、保護シート１の外縁部を介して治具４の一面に支持されるように、押さえ板６０６の配置を行う。   In the reinforcing plate installation process using the holding plate 606 of this example, after stopping the vacuum suction, as shown in FIG. 17A, screw holes and fixing screws provided in the holding plate 606 and the jig 4 The holding plate 606 is fastened to the jig 4 by 609. Here, the pressing is performed so that the surface portion 607 has a gap with the adhesive film 42 on the back surface of the semiconductor wafer 11 and the tip of the protruding portion 608 is supported on one surface of the jig 4 via the outer edge portion of the protective sheet 1. The plate 606 is arranged.

次に、押さえ板６０６を用いた加圧剥離工程では、上述したように、保護シート１に対して治具４から離れる方向へ圧力を加え、保護シート１から治具４を剥離させる。この剥離後の状態を図１７（ｂ）に示す。図に示す様に、上記加圧手段からの加圧によって、保護シート１及び半導体ウェハ１１は治具４から若干離れる。そして、半導体ウェハ１１の裏面は、接着フィルム４２を介して押さえ板６０６の面部６０７に当たり、この面部６０７にて支持されるため、半導体ウェハ１１の破損防止がより確実になる。この後、固定用ネジ６０９から押さえ板６０６を外して半導体ウェハ１１をピックアップする。   Next, in the pressure peeling process using the pressing plate 606, as described above, pressure is applied to the protective sheet 1 in a direction away from the jig 4 to peel the jig 4 from the protective sheet 1. The state after peeling is shown in FIG. As shown in the figure, the protective sheet 1 and the semiconductor wafer 11 are slightly separated from the jig 4 by the pressurization from the pressurizing means. The back surface of the semiconductor wafer 11 hits the surface portion 607 of the pressing plate 606 via the adhesive film 42 and is supported by the surface portion 607, so that the semiconductor wafer 11 can be more reliably prevented from being damaged. Thereafter, the holding plate 606 is removed from the fixing screw 609 to pick up the semiconductor wafer 11.

また、上記の補強用ウェハ６０４の場合、保護シート１及び半導体ウェハ１１の補強用ウェハ６０４への固定を、保護シート１の粘着面１ａを補強用ウェハ６０４の外縁部に接着させることで行っている。この補強用ウェハ６０４を再度補強板として用いる場合、補強用ウェハ６０４に存在する粘着剤残りが半導体ウェハ１１を汚さないようにする必要がある。しかし、補強用ウェハ６０４と半導体ウェハ１１との位置合わせは容易ではないため、補強用ウェハ６０４を再度使用する場合、仕掛ける前に洗浄する必要がある。   In the case of the reinforcing wafer 604, the protection sheet 1 and the semiconductor wafer 11 are fixed to the reinforcing wafer 604 by bonding the adhesive surface 1a of the protective sheet 1 to the outer edge portion of the reinforcing wafer 604. Yes. When the reinforcing wafer 604 is used again as a reinforcing plate, it is necessary to prevent the adhesive residue remaining on the reinforcing wafer 604 from contaminating the semiconductor wafer 11. However, since the alignment of the reinforcing wafer 604 and the semiconductor wafer 11 is not easy, when the reinforcing wafer 604 is used again, it needs to be cleaned before setting.

これに対し、本例の押さえ板６０６では、半導体ウェハ１１を支持する面部６０７の外周に突出部６０８を有するため、この突出部６０８を基準として、半導体ウェハ１１と押さえ板６０６との位置合わせが容易にできる。よって、本例では、粘着剤残りにより半導体ウェハ１１が汚れることがないため、補強用ウェハ６０４のように、使用するたびに洗浄する必要がなくなり、製造工程が簡略化できる。   On the other hand, since the holding plate 606 of this example has a protruding portion 608 on the outer periphery of the surface portion 607 that supports the semiconductor wafer 11, the alignment of the semiconductor wafer 11 and the holding plate 606 is based on the protruding portion 608. Easy to do. Therefore, in this example, the semiconductor wafer 11 is not contaminated by the adhesive remaining, so that it is not necessary to wash each time it is used like the reinforcing wafer 604, and the manufacturing process can be simplified.

（他の実施形態）
なお、本発明の半導体装置としては、上記各実施形態におけるチップ化された半導体チップを、更に樹脂でモールドしたものであってもよい。また、保護部材の形状は、上述のように、半導体ウェハの可動部への接触を防止するために、キャップ部を有するもの、接着剤を介した隙間を有するもの、エキシマレーザ等で削ることにより可動部に対応する部分に凹部を形成したものとし、また、可動部の構成によっては全体形状が平坦なものとしたが、いずれにせよ本発明の保護部材は、可動部の保護部分の形状に限定されない。 (Other embodiments)
In addition, as a semiconductor device of this invention, the thing which molded the semiconductor chip formed into the chip in each said embodiment further with resin may be used. In addition, as described above, the shape of the protective member can be reduced by using a cap part, a part having a gap through an adhesive, an excimer laser, or the like in order to prevent the semiconductor wafer from contacting the movable part. It is assumed that the concave portion is formed in the portion corresponding to the movable portion, and the overall shape is flat depending on the configuration of the movable portion, but in any case, the protective member of the present invention has the shape of the protective portion of the movable portion. It is not limited.

また、上記各実施形態は可能ならば、上述した以外にも適宜組み合わせて行っても良い。また、上記実施例において説明した以外に、保護部材は別途個別に形成しておいたものを治具上に配列（整列）させる事によりウェハと接着しても良い。   Further, if possible, the above embodiments may be combined as appropriate in addition to the above. In addition to those described in the above embodiments, the protective members may be bonded to the wafer by arranging (aligning) separately formed protective members on a jig.

また、本発明の適用は、可動部を有する半導体装置に限定されるものではなく、一面側を保護シートで覆った半導体ウェハをダイシングカットしてチップ化する半導体装置及びその製造方法に適用可能である。   The application of the present invention is not limited to a semiconductor device having a movable part, but can be applied to a semiconductor device in which a semiconductor wafer whose one side is covered with a protective sheet is cut into chips by dicing and a method for manufacturing the same. is there.

本発明の第１実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す工程図である。It is process drawing which shows the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on 1st Embodiment of this invention. 図１に続く製造方法を示す工程図である。It is process drawing which shows the manufacturing method following FIG. 本発明の第２実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す工程図である。It is process drawing which shows the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on 2nd Embodiment of this invention. 図３に続く製造方法を示す工程図である。It is process drawing which shows the manufacturing method following FIG. 上記第２実施形態に係る半導体装置の一例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows an example of the semiconductor device which concerns on the said 2nd Embodiment. 上記第２実施形態における保護部材の形状の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the shape of the protection member in the said 2nd Embodiment. 上記第２実施形態における保護部材の形状の他の例を示す図である。It is a figure which shows the other example of the shape of the protection member in the said 2nd Embodiment. 本発明の第３実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す工程図である。It is process drawing which shows the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on 3rd Embodiment of this invention. 上記第３実施形態に係る半導体装置の他の例を示す図である。It is a figure which shows the other example of the semiconductor device which concerns on the said 3rd Embodiment. 平らな保護部材とした例を示す図である。It is a figure which shows the example used as the flat protection member. 本発明の第４実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す工程図である。It is process drawing which shows the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on 4th Embodiment of this invention. 上記第４実施形態に係る半導体装置の他の例を示す図である。It is a figure which shows the other example of the semiconductor device which concerns on the said 4th Embodiment. 本発明の第５実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す工程図である。It is process drawing which shows the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on 5th Embodiment of this invention. 本発明の第６実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す工程図である。It is process drawing which shows the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on 6th Embodiment of this invention. 図１４に続く製造方法を示す工程図である。It is process drawing which shows the manufacturing method following FIG. 図１５に続く製造方法を示す工程図である。FIG. 16 is a process diagram illustrating the manufacturing method following FIG. 15. 上記第６実施形態における補強板の変形例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the modification of the reinforcement board in the said 6th Embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

１ 保護シート
２ 穴部
３ 貫通孔
４ 治具
６ 溝部
１１ 半導体ウェハ
１４、５１、６３、７３ 保護部材（保護キャップ）
２１ パッド部
２３ 開口部
３３ ワイヤ
４２ 接着フィルム
７０ バンプ
７２ 開口部
８０ 基板
８１ 導体層
２００、３００、４００、５００ 半導体チップ
６０４ 補強用ウェハ
６０６ 押さえ板
６０７ 面部
６０８ 突出部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Protective sheet 2 Hole part 3 Through-hole 4 Jig 6 Groove part 11 Semiconductor wafer 14, 51, 63, 73 Protective member (protective cap)
21 Pad part 23 Opening part 33 Wire 42 Adhesive film 70 Bump 72 Opening part 80 Substrate 81 Conductive layer 200, 300, 400, 500 Semiconductor chip 604 Reinforcing wafer 606 Holding plate 607 Surface part 608 Protruding part

Claims (5)

半導体ウェハ（１１）をダイシングカットして形成される半導体チップ（５００）を有する半導体装置において、
前記半導体チップの一面は、前記ダイシングカットの際に前記半導体チップを保護するための保護部材（７３）により被覆されており、
前記半導体チップの前記一面には、前記半導体チップを外部に電気接続するためのバンプ（７０）が設けられていることを特徴とする半導体装置。 In a semiconductor device having a semiconductor chip (500) formed by dicing and cutting a semiconductor wafer (11),
One surface of the semiconductor chip is covered with a protective member (73) for protecting the semiconductor chip during the dicing cut,
The semiconductor device according to claim 1, wherein bumps (70) for electrically connecting the semiconductor chip to the outside are provided on the one surface of the semiconductor chip. 前記一面側に配置された導体層（８１）と、該導体層を被覆するとともに一部に開口部が設けられた該導体層を露出させる絶縁層（８２）とを有する基板（８０）を備え、
前記開口部から露出した前記導体層と、前記バンプ（７０）とが電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。 A substrate (80) having a conductor layer (81) disposed on the one surface side and an insulating layer (82) covering the conductor layer and exposing the conductor layer partially provided with an opening. ,
The semiconductor device according to claim 1, wherein the conductor layer exposed from the opening and the bump are electrically connected. 前記保護部材の周縁部は、前記半導体チップの周縁部よりも内側にあることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。   The semiconductor device according to claim 1, wherein a peripheral edge portion of the protection member is located inside a peripheral edge portion of the semiconductor chip. 一面側を保護シート（１）で覆った半導体ウェハ（１１）をダイシングカットしてチップ化する半導体装置の製造方法において、
前記半導体ウェハの前記一面側に、外部と電気接続するためのバンプ（７０）を形成するバンプ形成工程と、
前記保護シートを、前記半導体ウェハの前記一面側に貼り合わせる貼り合わせ工程と、
この工程の後、前記半導体ウェハをダイシングカットすることによりチップ化するダイシングカット工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 In a method for manufacturing a semiconductor device in which a semiconductor wafer (11) whose one side is covered with a protective sheet (1) is diced and cut into chips,
Forming a bump (70) for electrical connection to the outside on the one surface side of the semiconductor wafer;
A bonding step of bonding the protective sheet to the one surface side of the semiconductor wafer;
A dicing cut process for dicing the semiconductor wafer into chips by dicing the semiconductor wafer after this process. 一面側に導体部（８１）を有する基板（８０）を用意し、
前記ダイシングカット工程により得られた半導体チップ（５００）を前記基板の一面上に配し、前記バンプ（７０）と前記導体部とを電気的に接続することを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。 A substrate (80) having a conductor portion (81) on one side is prepared,
The semiconductor chip (500) obtained by the dicing cut process is disposed on one surface of the substrate, and the bump (70) and the conductor portion are electrically connected to each other. A method for manufacturing a semiconductor device.
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