JP2008135426A - Laser trimming method for resistor, and laser trimming apparatus used for the same - Google Patents

Laser trimming method for resistor, and laser trimming apparatus used for the same Download PDF

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JP2008135426A JP2006318242A JP2006318242A JP2008135426A JP 2008135426 A JP2008135426 A JP 2008135426A JP 2006318242 A JP2006318242 A JP 2006318242A JP 2006318242 A JP2006318242 A JP 2006318242A JP 2008135426 A JP2008135426 A JP 2008135426A
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Takeshi Shinohara
剛 篠原
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To improve precision in laser trimming, by determining the presence or the absence of microcracks generated in a laser pulse application section, in a laser trimming method of resistors. <P>SOLUTION: In the laser trimming method for adjusting the electrical resistance value of a resistor 10 by intermittently irradiating laser pulses 3, while measuring the electrical resistance value of the resistor 10, the electrical resistance value of the resistor 10, after applying the laser pulsees 3, is measured with DC and is compared with the target resistance value; the electrical resistance value is measured with AC at a prescribed frequency band; and frequency characteristics measured with AC are compared with those of the electrical resistance values that are registered in advance, to determine the irradiation of next laser pulses 3. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、0603サイズや0402サイズの微小抵抗チップのレーザトリミング方法とそれに用いるレーザトリミング装置に関するものである。   The present invention relates to a laser trimming method of a micro resistance chip having a size of 0603 or 0402 and a laser trimming apparatus used therefor.

従来のレーザトリミング方法では、休止時間Tとしてレーザパルスを間欠的に抵抗体に照射し、ビームスキャナーにてレーザパルスの照射位置を抵抗体上において一定速で走査していた。したがって、加工速度と休止時間Tにより決定される連続するレーザパルスの照射位置(いわゆるバイトサイズ)は一定となり、そして、電気抵抗値等の測定値が予め設定された最終目標値Rfを超えた時点で、レーザパルス照射を停止してレーザトリミングを終了していた。   In the conventional laser trimming method, a laser pulse is intermittently irradiated to the resistor as the rest time T, and the irradiation position of the laser pulse is scanned on the resistor at a constant speed by a beam scanner. Therefore, the irradiation position (so-called byte size) of the continuous laser pulse determined by the processing speed and the pause time T is constant, and when the measured value such as the electrical resistance value exceeds the preset final target value Rf Then, the laser pulse irradiation was stopped and the laser trimming was finished.

なお、この出願の発明に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献1が知られている。
特開2001−326112号公報
As prior art document information relating to the invention of this application, for example, Patent Document 1 is known.
JP 2001-326112 A

上記従来例では、1回のレーザパルス照射により変化する電気抵抗測定値の変化量をΔRtとすると、バイトサイズは一定であるため、レーザトリミング終了後の電気抵抗値はRfからRf+ΔRtの範囲でばらつくので、精度が低かった。   In the above conventional example, if the amount of change in the measured electrical resistance value that changes due to one laser pulse irradiation is ΔRt, the byte size is constant, and thus the electrical resistance value after the end of laser trimming varies in the range of Rf to Rf + ΔRt. So the accuracy was low.

そこで、トリミング中の電気抵抗値が最終目標値に近づいたときに、休止時間Tを変更することでバイトサイズを変更し、レーザトリミングの精度を高くする方法が開発された。すなわち、電気抵抗の最終目標値と、レーザトリミング直後の測定値との差ΔRfmを、ΔRtと関連付けて休止時間Tを決定することでレーザトリミングの精度を高めていた。   In view of this, a method has been developed in which the byte size is changed by changing the pause time T when the electric resistance value during trimming approaches the final target value, and the accuracy of laser trimming is increased. That is, the accuracy of laser trimming is improved by determining the rest time T by associating the difference ΔRfm between the final target value of electrical resistance and the measured value immediately after laser trimming with ΔRt.

しかしながら上記方法では、レーザパルス照射の休止時間Tのみを短くするため、レーザパルス照射部が加熱されやすくなり、マイクロクラックが発生しやすくなる。したがって、レーザパルス照射後の電気抵抗値の変化量が大きくなるので、特に抵抗体の面積が小さい0603サイズや0402サイズのチップ抵抗では、レーザトリミングの精度が低くなる。   However, in the above method, since only the laser pulse irradiation pause time T is shortened, the laser pulse irradiation part is easily heated, and microcracks are easily generated. Therefore, since the amount of change in the electrical resistance value after laser pulse irradiation is large, the accuracy of laser trimming is low particularly in the case of a chip resistor having a small resistor area of 0603 size or 0402 size.

そこで本発明は、0603サイズや0402サイズの微小抵抗のレーザトリミングの精度を高めることを目的とする。   Accordingly, an object of the present invention is to improve the accuracy of laser trimming of a micro resistance of 0603 size or 0402 size.

上記目的を達成するために本発明は、抵抗体の電気抵抗値を測定しながらレーザパルスを間欠的に照射することにより抵抗体の電気抵抗値の調整を行うレーザトリミング方法であって、レーザパルス照射後の前記抵抗体の電気抵抗値を、直流で測定して目標抵抗値と照合するとともに、前記電気抵抗値を所定の周波数帯の交流で測定し、前記交流で測定した周波数特性と、予め登録しておいた電気抵抗値の周波数特性と照合することにより次のレーザパルスの照射を決定する抵抗体のレーザトリミング方法であるため、交流測定による周波数特性を目標周波数特性と照合することで、レーザトリミング部に大きなマイクロクラックが生じているか否かを判断し、次のレーザパルス照射を決定することができるので、その結果レーザトリミングの精度を高めることができる。   In order to achieve the above object, the present invention provides a laser trimming method for adjusting an electrical resistance value of a resistor by intermittently irradiating a laser pulse while measuring the electrical resistance value of the resistor. The electrical resistance value of the resistor after irradiation is measured with a direct current and collated with a target resistance value, the electrical resistance value is measured with an alternating current in a predetermined frequency band, and the frequency characteristic measured with the alternating current Because it is a laser trimming method of a resistor that determines the irradiation of the next laser pulse by collating with the frequency characteristic of the registered electrical resistance value, by comparing the frequency characteristic by AC measurement with the target frequency characteristic, It is possible to determine whether a large microcrack has occurred in the laser trimming part and to determine the next laser pulse irradiation. It is possible to enhance the accuracy.

本発明のレーザトリミング方法は、レーザトリミング途中の抵抗体の電気抵抗値を直流で行うとともに、所定の周波数帯の交流で測定し、その周波数特性と予め登録しておいた目標周波数特性と照合することで、レーザパルス照射部に大きなマイクロクラックが生じているか否かを判断し、次のレーザパルスの照射を決定するので、0603サイズや0402サイズなどの抵抗体の面積が小さく、特にマイクロクラックの発生しやすいチップ抵抗のレーザトリミングの精度を高める効果を奏する。   In the laser trimming method of the present invention, the electrical resistance value of the resistor in the middle of laser trimming is measured with a direct current, measured with an alternating current in a predetermined frequency band, and the frequency characteristic is compared with a pre-registered target frequency characteristic. Thus, since it is determined whether or not a large microcrack is generated in the laser pulse irradiation portion and the next laser pulse irradiation is determined, the area of the resistor such as the 0603 size or 0402 size is small. There is an effect of increasing the precision of laser trimming of the chip resistance that is likely to occur.

以下、図を用いて本発明のレーザトリミング方法とそれに用いるレーザトリミング装置について説明する。   The laser trimming method of the present invention and the laser trimming apparatus used therefor will be described below with reference to the drawings.

図1は本発明の一実施の形態におけるレーザトリミング装置の構成図である。レーザトリミング装置には、レーザパルスを発振するレーザ光源1が設けられており、レーザ発振制御回路2でその出力は制御されている。また、レーザ光源1の出力側には、レーザ光源1から発振されたレーザパルス3の光路を制御するガルバノメータ型レーザビームスキャナー4が設けられている。   FIG. 1 is a configuration diagram of a laser trimming apparatus according to an embodiment of the present invention. The laser trimming apparatus is provided with a laser light source 1 that oscillates a laser pulse, and its output is controlled by a laser oscillation control circuit 2. On the output side of the laser light source 1, a galvanometer type laser beam scanner 4 that controls the optical path of the laser pulse 3 oscillated from the laser light source 1 is provided.

ガルバノメータ型レーザビームスキャナー4の内部では、レーザ光源1から発振されたレーザパルス3はビームエキスパンダ5で広げられた後、ガルバノメータ6で角度を制御されたスキャナミラー7で所定の方向に反射される。スキャナミラー7で反射されたレーザパルス3はf−θレンズ8で収束してミラー9で反射されてレーザトリミングを行う抵抗体10の所定の位置に照射される。   Inside the galvanometer type laser beam scanner 4, the laser pulse 3 oscillated from the laser light source 1 is expanded by a beam expander 5 and then reflected in a predetermined direction by a scanner mirror 7 whose angle is controlled by a galvanometer 6. . The laser pulse 3 reflected by the scanner mirror 7 is converged by the f-θ lens 8 and reflected by the mirror 9 to irradiate a predetermined position of the resistor 10 for laser trimming.

上下駆動機構11の先端には抵抗体10の抵抗値を測定するための複数のプローブ12が設けられており、上下駆動機構11により高さを調整することで、抵抗体10への接離を行う。プローブ12は直流抵抗測定器13と交流抵抗測定器14に電気的に接続されており、レーザトリミング中の抵抗体10の電気抵抗値の直流成分と交流成分を、プローブ12を抵抗体10に接触させることで測定することができる。   A plurality of probes 12 for measuring the resistance value of the resistor 10 are provided at the tip of the vertical drive mechanism 11, and the height of the resistor 10 is adjusted by the vertical drive mechanism 11, so that the resistor 10 can be contacted and separated. Do. The probe 12 is electrically connected to the DC resistance measuring device 13 and the AC resistance measuring device 14, and the probe 12 is brought into contact with the resistor 10 for the DC component and the AC component of the electrical resistance value of the resistor 10 during laser trimming. Can be measured.

直流抵抗測定器13および交流抵抗測定器14で測定された抵抗体10の電気抵抗値は、電気信号に変換後に出力され、演算器15に入力される。演算器15から出力した電気信号は動作制御装置16に入力されてビームスキャナー制御回路17に制御信号が出力される。演算器15の演算結果をもとに、ビームスキャナー制御回路17でレーザパルス3の抵抗体10への照射条件を制御し、トリミング量の制御を行う。   The electrical resistance value of the resistor 10 measured by the DC resistance measuring device 13 and the AC resistance measuring device 14 is output after being converted into an electrical signal and input to the calculator 15. The electrical signal output from the calculator 15 is input to the operation control device 16 and a control signal is output to the beam scanner control circuit 17. Based on the calculation result of the calculator 15, the beam scanner control circuit 17 controls the irradiation condition of the laser pulse 3 to the resistor 10 to control the trimming amount.

次に図2を用いて本発明のレーザトリミング方法について説明する。   Next, the laser trimming method of the present invention will be described with reference to FIG.

本実施の形態では、酸化ルテニウムに微量ビスマスなどを添加し、バインダーとしてガラス材料を添加して焼成したいわゆる厚膜抵抗体のレーザトリミング方法を説明する。   In this embodiment, a laser trimming method of a so-called thick film resistor, in which a trace amount of bismuth or the like is added to ruthenium oxide and a glass material is added as a binder and fired, will be described.

図2は本発明のレーザトリミング方法の処理フローを示している。まず初めにレーザトリミングを開始し(20)、X−Yステージにより抵抗体10を所定の位置に搬入する(21)。次に抵抗体10の所定の位置にレーザパルス3の照射位置を決定し(22)、上下駆動機構11により測定用プローブ12を下降させ抵抗体10の外部電極に接触させる(23)。そしてレーザパルス3を抵抗体10に照射し(24)、測定用プローブ12を介して直流抵抗測定器13および交流抵抗測定器14で抵抗体10の直流での電気抵抗値と、交流での電気抵抗値を測定する(25)、(26)。   FIG. 2 shows a processing flow of the laser trimming method of the present invention. First, laser trimming is started (20), and the resistor 10 is carried into a predetermined position by an XY stage (21). Next, the irradiation position of the laser pulse 3 is determined at a predetermined position of the resistor 10 (22), and the measurement probe 12 is lowered by the vertical drive mechanism 11 and brought into contact with the external electrode of the resistor 10 (23). Then, the laser pulse 3 is irradiated to the resistor 10 (24), and the DC resistance measuring device 13 and the AC resistance measuring device 14 through the measurement probe 12 are used to measure the electrical resistance value of the resistor 10 at the direct current and the electrical current at the alternating current. The resistance value is measured (25), (26).

測定された交流での電気抵抗値は、演算器15で演算され、周波数特性ΔRFnとして出力される(27)。 The measured electric resistance value at alternating current is calculated by the calculator 15 and output as the frequency characteristic ΔRF n (27).

次に、直流抵抗測定器13で測定された抵抗体10の直流での電気抵抗値Rmと、最終の調整目標抵抗値Rzとの差分を求める(28)。ここで差分Rz−Rmが所定の抵抗値R1を超えている場合、再度レーザパルス3を照射するのであるが、その前に、目標とする予め登録されている周波数特性と、(27)で出力された抵抗体10の周波数特性と比較、照合を行う。そしてその照合結果を基に、再度レーザパルス3を照射するか否かを決定する(29)。また、差分Rz−Rmが所定の抵抗値R1以下となれば、レーザパルス3の照射を停止してレーザトリミングを終了する(30)。   Next, a difference between the direct current electric resistance value Rm of the resistor 10 measured by the direct current resistance measuring device 13 and the final adjustment target resistance value Rz is obtained (28). Here, when the difference Rz−Rm exceeds the predetermined resistance value R1, the laser pulse 3 is irradiated again. Before that, the target frequency characteristics registered in advance and the output by (27) are performed. The frequency characteristics of the resistor 10 thus compared are compared and verified. Then, based on the collation result, it is determined whether to irradiate the laser pulse 3 again (29). If the difference Rz−Rm is equal to or less than the predetermined resistance value R1, the irradiation of the laser pulse 3 is stopped and the laser trimming is finished (30).

次に周波数特性の照合について説明する。レーザパルス3を照射毎に直流での電気抵抗値を測定するとともに、交流での電気抵抗値の測定を行い(26)、演算器15にて図3に示す周波特性ΔRfnを演算して求める。ΔRfnはn回のレーザパルスを照射した後の周波数特性である。 Next, verification of frequency characteristics will be described. Each time the laser pulse 3 is irradiated, the electrical resistance value at DC is measured and the electrical resistance value is measured at AC (26), and the computing unit 15 calculates and obtains the frequency characteristic ΔRf n shown in FIG. . ΔRf n is a frequency characteristic after irradiation with n laser pulses.

ここで、測定周波数は数ヘルツから最大数1000KHz程度とし、具体的には測定した周波数帯域での電気抵抗の揺らぎで定義してもよいし、周波数成分の微分値dR/dfとして定義してもよい。図3の例では、2つの抵抗体10における高周波特性ΔRf1とΔRf2の一例であり、測定周波数帯域における電気抵抗値のP−Vとしたものである。 Here, the measurement frequency is from several hertz to a maximum of several thousand kHz, and may be specifically defined by fluctuations in electrical resistance in the measured frequency band, or may be defined as a differential value dR / df of the frequency component. Good. In the example of FIG. 3, it is an example of the high-frequency characteristics ΔRf 1 and ΔRf 2 of the two resistors 10 and has an electric resistance value PV in the measurement frequency band.

照合する周波数特性は、予め目標仕様ΔRfとして演算器15に登録しておく。演算器15内では、目標仕様ΔRfと、抵抗体15の周波数特性ΔRfnとを比較し、所定の範囲に入っているかどうかを判断する(29)。所定の範囲に入っている場合、レーザパルス3によるマイクロクラックの発生は少ないと判断し、調整目標抵抗値Rzとなるように再度レーザパルス3を照射してトリミングを継続する。一方、抵抗体10の周波数特性ΔRfnが目標仕様ΔRfに対し所定の範囲を超えている場合は、マイクロクラックが発生していると判断し、以降のレーザトリミングを中止する。 The frequency characteristic to be verified is registered in advance in the calculator 15 as the target specification ΔRf. In the computing unit 15, the target specification ΔRf and the frequency characteristic ΔRf n of the resistor 15 are compared to determine whether they are within a predetermined range (29). If it is within the predetermined range, it is determined that the generation of microcracks due to the laser pulse 3 is small, and the laser pulse 3 is irradiated again so that the adjustment target resistance value Rz is reached, and trimming is continued. On the other hand, if the frequency characteristic ΔRf n of the resistor 10 exceeds the predetermined range with respect to the target specification ΔRf, it is determined that a microcrack has occurred, and the subsequent laser trimming is stopped.

また、抵抗体10の周波数特性ΔRfnが目標仕様ΔRfに対し所定の範囲を超えている場合においても、n回めのレーザパルス照射後の抵抗体10の周波数特性ΔRfnと、(n+1)回目のレーザパルス照射後の抵抗体10の周波数特性ΔRfn-1とを比較して、一定の関係がある場合、調整目標抵抗値Rzに補正をかけることでレーザトリミングを継続してもよい。 Even when the frequency characteristic ΔRf n of the resistor 10 exceeds a predetermined range with respect to the target specification ΔRf, the frequency characteristic ΔRf n of the resistor 10 after the nth laser pulse irradiation and the (n + 1) th time If the frequency characteristic ΔRf n−1 of the resistor 10 after the laser pulse irradiation is compared and there is a certain relationship, the trimming may be continued by correcting the adjustment target resistance value Rz.

上記のように、直流での電気抵抗値とともに交流での電気抵抗値を測定することにより求めた周波数特性ΔRfnから、レーザパルス3の照射による抵抗体10に生じるマイクロクラックの有無を判断できるため、マイクロクラックによるレーザトリミング終了後の抵抗ドリフトを防止することができるので、その結果レーザトリミングの精度を高めることができる。 As described above, since it is possible to determine the presence / absence of microcracks generated in the resistor 10 due to the irradiation of the laser pulse 3 from the frequency characteristic ΔRf n obtained by measuring the electrical resistance value at the direct current as well as the electrical resistance value at the direct current. Since resistance drift after the end of laser trimming due to microcracks can be prevented, the accuracy of laser trimming can be improved as a result.

上記の例は、目標とする周波数特性ΔRfを予め登録する一例であるが、抵抗体10のレーザトリミング前に、周波数特性ΔRfを測定し、各々の抵抗体10毎の目標とする周波数特性ΔRfとして登録しておいてもよい。上記のように個別の目標値を設定することで、抵抗体10のロットなどが変わったときのばらつきを解消することができる。   The above example is an example in which the target frequency characteristic ΔRf is registered in advance, but the frequency characteristic ΔRf is measured before laser trimming of the resistor 10, and the target frequency characteristic ΔRf for each resistor 10 is measured. You may register. By setting individual target values as described above, it is possible to eliminate variations when the lot of the resistor 10 is changed.

上記のようにレーザパルス照射後の電気抵抗値の周波数特性から抵抗体10のマイクロクラックの有無を判断できるのは、レーザパルス照射後の電気抵抗値の変化量が抵抗体10の内部構造に影響を受けるからである。図4にレーザパルス照射後の抵抗体10の模式図を示す。図4(a)は抵抗体10のレーザパルス照射部の模式図、図4(b)、(c)はレーザパルス照射部直下の抵抗体10の断面の模式図をそれぞれ示している。   As described above, the presence or absence of microcracks in the resistor 10 can be determined from the frequency characteristics of the electrical resistance value after laser pulse irradiation. The amount of change in the electrical resistance value after laser pulse irradiation affects the internal structure of the resistor 10. Because it receives. FIG. 4 shows a schematic diagram of the resistor 10 after laser pulse irradiation. 4A is a schematic diagram of a laser pulse irradiation part of the resistor 10, and FIGS. 4B and 4C are schematic views of a cross section of the resistor 10 immediately below the laser pulse irradiation part.

レーザパルスを照射することにより、レーザパルス照射部31はレーザパルス照射時間とその間の休止時間Tとで間欠的に抵抗体10に照射され、スキャナミラー7で走査されることから図4(a)に示す外観を呈す。レーザパルス照射部31の周辺には熱影響部32とマイクロクラック33が生じることになる。そのレーザパルス照射部31の直下は、レーザパルス3の照射条件により、図4(b)や図4(c)に示すような模式図の断面構造となる。   By irradiating the laser pulse, the laser pulse irradiating unit 31 is intermittently irradiated on the resistor 10 during the laser pulse irradiation time and the pause time T between them, and is scanned by the scanner mirror 7. Appears as shown in. A heat affected zone 32 and a microcrack 33 are generated around the laser pulse irradiation unit 31. The cross-sectional structure shown in FIG. 4B or FIG. 4C has a schematic structure immediately below the laser pulse irradiation unit 31 depending on the irradiation condition of the laser pulse 3.

図4(c)はレーザパルス3の照射により抵抗体10の内部構造が大きく変化している場合の一例を示している。すなわち、主材料である酸化ルテニウム36に、ガラスや微量添加物であるビスマスなどの偏析37が増加し、さらに、表面からのマイクロクラック38が発生している。したがって、通電したとき抵抗体10を流れる電流Iの経路は乱れ、その結果レーザパルス3照射後の抵抗変化量は大きくなる。   FIG. 4C shows an example in which the internal structure of the resistor 10 is greatly changed by the irradiation of the laser pulse 3. That is, segregation 37 such as bismuth, which is glass or a trace additive, is increased on ruthenium oxide 36, which is the main material, and microcracks 38 are generated from the surface. Accordingly, the path of the current I flowing through the resistor 10 is disturbed when energized, and as a result, the resistance change amount after the laser pulse 3 irradiation is increased.

上記に対し、図4(b)は、レーザパルス3の照射により抵抗体10の内部構造がほとんど変化していない一例を示している。主材料である酸化ルテニウム34に分散して微量添加物のビスマスやガラスなどのバインダー35が偏析しており、通電したとき電流Iの経路が乱れない。したがって、レーザパルス3照射後の抵抗変化は小さく安定することとなる。   On the other hand, FIG. 4B shows an example in which the internal structure of the resistor 10 is hardly changed by the irradiation of the laser pulse 3. A binder 35 such as bismuth or glass as a trace additive is segregated by being dispersed in ruthenium oxide 34 which is a main material, and the path of current I is not disturbed when energized. Therefore, the resistance change after the laser pulse 3 irradiation is small and stable.

上述したように、レーザパルス3照射後に抵抗体10の周波数特性から、レーザパルス3照射による抵抗体10への影響を推定することができるため、レーザトリミングの精度を高めることが可能となる。   As described above, since the influence on the resistor 10 due to the laser pulse 3 irradiation can be estimated from the frequency characteristics of the resistor 10 after the laser pulse 3 irradiation, the accuracy of laser trimming can be improved.

本発明に係るレーザトリミング方法は、レーザトリミング途中の抵抗体の電気抵抗値を直流で行うとともに、所定の周波数帯の交流で測定し、その周波数特性と予め登録しておいた目標周波数特性と照合することで、レーザパルス照射部に大きなマイクロクラックが生じているか否かを判断し、次のレーザパルスの照射を決定するので、特に抵抗体の面積が小さく、マイクロクラックの発生しやすい0603サイズや0402サイズなどのチップ抵抗のトリミング方法に有用である。   In the laser trimming method according to the present invention, the electrical resistance value of the resistor in the middle of laser trimming is measured with a direct current and measured with an alternating current in a predetermined frequency band, and the frequency characteristic is compared with a target frequency characteristic registered in advance. Thus, it is determined whether or not a large microcrack is generated in the laser pulse irradiation portion, and the next laser pulse irradiation is determined. Therefore, the area of the resistor is small, and the 0603 size in which microcracks are easily generated This is useful for a trimming method of chip resistance such as 0402 size.

本発明の一実施の形態におけるレーザトリミング装置の構成図1 is a configuration diagram of a laser trimming apparatus according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施の形態におけるレーザトリミング方法を示す処理フロー図Processing flow diagram showing a laser trimming method according to an embodiment of the present invention 上記処理フロー図による抵抗体の周波数特性の一例を示す図The figure which shows an example of the frequency characteristic of the resistor by the said processing flow figure レーザパルス照射部の外観と内部を示す模式図、(a)レーザパルス照射部の模式図、(b)レーザパルス照射部直下の抵抗体の断面の模式図、(c)レーザパルス照射部直下の抵抗体の断面の模式図Schematic diagram showing the exterior and interior of the laser pulse irradiation part, (a) Schematic diagram of the laser pulse irradiation part, (b) Schematic diagram of the cross section of the resistor directly under the laser pulse irradiation part, (c) Directly under the laser pulse irradiation part Schematic diagram of cross section of resistor

符号の説明Explanation of symbols

1 レーザ光源
2 レーザ発振制御回路
3 レーザパルス
9 ミラー
10 抵抗体
11 上下駆動機構
12 測定用プローブ
13 直流抵抗測定器
14 交流抵抗測定器
15 演算器
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Laser light source 2 Laser oscillation control circuit 3 Laser pulse 9 Mirror 10 Resistor 11 Vertical drive mechanism 12 Measurement probe 13 DC resistance measuring instrument 14 AC resistance measuring instrument 15 Calculator

Claims (2)

抵抗体の電気抵抗値を測定しながらレーザパルスを間欠的に照射することにより抵抗体の電気抵抗値の調整を行うレーザトリミング方法であって、レーザパルス照射後の前記抵抗体の電気抵抗値を、直流で測定して目標抵抗値と照合するとともに、前記電気抵抗値を所定の周波数帯の交流で測定し、前記交流で測定した周波数特性と、予め登録しておいた電気抵抗値の周波数特性と照合することにより次のレーザパルスの照射を決定する抵抗体のレーザトリミング方法。 A laser trimming method for adjusting an electric resistance value of a resistor by intermittently irradiating a laser pulse while measuring an electric resistance value of the resistor, wherein the electric resistance value of the resistor after the laser pulse irradiation is adjusted. In addition to measuring with DC and collating with the target resistance value, the electrical resistance value is measured with alternating current of a predetermined frequency band, the frequency characteristic measured with the alternating current, and the frequency characteristic of the electrical resistance value registered in advance A laser trimming method of a resistor that determines irradiation of the next laser pulse by comparing with 抵抗体の電気抵抗値を測定しながらレーザパルスを間欠的に照射することにより抵抗体の電気抵抗値の調整を行うレーザトリミング装置であって、レーザパルスを間欠的に発振するレーザ発振手段と、前記レーザパルスの経路を制御する光学系制御手段と、抵抗体を搭載しその位置を制御する搬送手段と、前記抵抗体の電気抵抗値を測定する測定手段と、前記測定手段の測定データからトリミング加工条件を演算する演算器と、前記レーザ発振手段、前記光学系制御手段、前記搬送手段、前記測定手段、前記演算器に接続されこれらを制御することにより前記抵抗体に任意のトリミング加工を行いその電気抵抗値を調整する動作制御手段とを備え、前記測定手段が直流抵抗測定器と、所定の周波数帯の周波数特性を測定する交流抵抗測定器とを備えてなり、前記演算器で前記直流抵抗測定器による抵抗値と目標抵抗値とを照合するとともに、前記交流抵抗測定器による周波数特性と、予め登録しておいた目標周波数特性とを照合することにより次のレーザパルスの照射を決定する抵抗体のレーザトリミング装置。 A laser trimming device for adjusting an electrical resistance value of a resistor by intermittently irradiating a laser pulse while measuring an electrical resistance value of the resistor, laser oscillation means for intermittently oscillating the laser pulse; Optical system control means for controlling the path of the laser pulse, transport means for mounting a resistor and controlling its position, measurement means for measuring the electrical resistance value of the resistor, and trimming from the measurement data of the measurement means An arithmetic unit that calculates processing conditions, and the laser oscillation unit, the optical system control unit, the transport unit, the measurement unit, and the arithmetic unit are connected to the arithmetic unit to perform arbitrary trimming processing. Operation control means for adjusting the electrical resistance value, wherein the measuring means is a DC resistance measuring instrument, and an AC resistance measuring instrument that measures frequency characteristics in a predetermined frequency band, And checking the resistance value by the DC resistance measuring device and the target resistance value by the computing unit, and checking the frequency characteristic by the AC resistance measuring device and the target frequency characteristic registered in advance. A laser trimming device for a resistor that determines the irradiation of the next laser pulse.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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