JP2008123085A - 質量流量制御装置及びガス供給ユニット - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 質量流量を制御する流量制御弁機構10と、前記流量制御弁機構に前記バルブ駆動信号を出力する流量制御弁制御手段18と、を設けてなる質量流量制御装置50において、前記流量制御弁機構10の上流側及び/又は下流側に、遮断弁機構52、54を介設し、遮断弁機構52、54の給排気口をソレノイド弁機構102と直接連通させるように、弁ブロック体80と一体として設け、且つ前記流量制御弁制御手段18は、前記ソレノイド弁機構102を動作させるソレノイド弁駆動信号S3、S4を出力するとともに、前記バルブ駆動信号S2と、前記ソレノイド弁駆動信号S3、S4とを同期させる。
【選択図】 図1
Description
例えば、図6に示すガス供給ユニット151は、上流側より手動遮断弁S、圧力制御弁R、圧力センサT、空圧駆動遮断弁A1、マスフローコントローラM、及び空圧駆動遮断弁A2を直列に並べ、各々の機器を(図示しない)V字の流路を有した流路ブロックV2からV6で連結し、上流及び下流端に継手ブロックV1及びV7を連結させたものである。そして、(図示しない)制御装置より、マスフローコントローラMへ流量設定信号が出力されるとともに、(図示しない)電磁弁へ動作信号を出力し、供給されたエアー圧で空圧駆動遮断弁(A1、A2)を動作させるように構成されている。
例えば、プロセスガスを導入するとき、動作開始タイミングにずれが生じると、空圧駆動遮断弁(A1、A2)が、開状態でないにもかかわらずマスフローコントローラMが流量制御を開始することとなる。マスフローコントローラMは、流量設定信号に相当するように制御バルブの開度を調整するが、実際にはプロセスガスが流動してこないために、必要以上に制御バルブを開方向へ制御してしまうこととなる。
しかして、空圧駆動遮断弁(A1、A2)が開状態になったときには、下流側へ流量設定信号で指示された流量以上のプロセスガスが流れること(所謂、オーバーシュート現象)となり、制御流量の精度が悪くなるという課題があった。
また、マスフローコントローラMの流量制御の精度を確保するために、マスフローコントローラMへ供給するガスの圧力を制御する圧力制御弁Rを必ずマスフローコントローラMの上流に配置せざるを得ず、ガス供給ユニット151が大型化してしまうという課題があった。
即ち、特許文献2に記載の遮断弁は、作動空気圧を直接金属製ダイアフラムに付勢して金属性ダイアフラムを弁座に押し当て流路を遮断するものである。しかしながら、金属製ダイアフラムには分布荷重を加えることとなるために、一般的に供給される空気圧(例えば、0.4から0.7MPa)では、十分な遮断性能を発揮できなかった。よって、遮断弁及び電磁弁を質量流量制御装置の下部に収納することができず、ガス供給ユニットをコンパクトに集積化する上での妨げとなっていた。
これらの構成によれば、質量流量制御装置の弁ブロック体に遮断弁機構とソレノイド弁機構とを内蔵させることが容易となる。
また、遮断弁装置52および54は、半導体製造装置側へ流すガスを完全に遮断する必要がある時にも用いられる。
このように構成された質量流量制御装置50は、例えば、上述のSEMI規格(全長99.5mm×幅38.15mm)を満足する寸法に収められる。
上記下流側の遮断弁装置54は、図2に示すように、内部に一時的に気体が溜る弁室36と、これに制御流体であるガスを流入させる流入路34と、この弁室36よりガスを流出させる流出路40とを有している。
上記流入路34の上端部は、上記流量制御弁20に直接的に連通されるか、または別の流路を形成するかいずれかで、結果的にこの流入路34の下端部である流入口は、この遮断弁装置54の弁口42となっている。この弁口42の端部(図中の下端)には、例えばフッ素樹脂(PTFE、PCTFEなど)よりなるリング状の弁座44が先端方向へ少し突出させて設けられている。尚、弁座44は弁口42部分を加工して金属製弁座としても良い。
また上記アクチュエータ板84の中央部と、上記ダイアフラム弁体38の中央部との間には、押圧突起部92が介設されている。図示例では、この押圧突起部92は、黄銅やステンレスからなり直径が10mm程度の円板状の突起としてボタン状に形成され、上記アクチュエータ板84側に取り付け固定されている。
また、この取り付け凹部74の内壁と上記ケーシング104との間には、例えばOリング等よりなるシール部材114が設けられて気密性を保持している。また、ケーシング104と、この内側に設けられる電磁弁102との間にもOリング等よりなるシール部材116が設けられており、気密性を保持している。更に、上記電磁弁102の3方弁弁体108を覆う蓋部材120にも上記電磁弁102との間でOリング等よりなるシール部材118が設けられており、この部分の気密性を保持するようになっている。
上記質量流量制御装置50の制御手段18は、これへ例えばホストコンピュータ等の外部より入力される流量設定信号S0で示される流量と上記流量信号S1で示される流量とが一致するように上記流量制御弁20の弁開度を例えばPID制御法で制御し続けることになる。これにより下流側の半導体製造装置等には、必要とする質量流量の処理ガスが供給されることになる。
具体的には、上述したようにこの遮断弁装置54の作動気体給排機構88の3方弁方式の電磁弁102を作動させることにより、これに0.4〜0.7MPaで供給されている工場側の作動気体(具体的には作動空気)を、流路108B、3方弁弁体108及び流路108Aを介して作動室86内へ導入する。この作動室86内へ上記作動気体が導入されると、この作動室86を区画するゴム製のアクチュエータ板86は図3中において上方向へ向かうように弾性的に屈曲変形し、これによりダイアフラム弁体38側に向かう力Fが発生する。
そして、前記圧力変化量と前記圧力変動閾値量とが比較され、前記圧力変化量が前記圧力変動閾値量よりも大きいとき、圧力変動が生じたと判断して、第1制御モードから第2制御モードへ切替える。
そして、第2制御モードの間も圧力変化量と圧力変動閾値量とを比較しつづけ、圧力変化量が、圧力変動閾値量よりも小さくなったとき、第2制御モードから第1制御モードへ切替える。
このように第1制御モードと第2制御モードとを、質量流量制御装置へ供給される処理ガスの圧力変動に応じて切替えられるように設けているので、処理ガスの圧力変動が生じた場合においても、処理ガスの流量制御の精度が維持される。
上記質量流量制御装置の流量測定値が正しいか否かを検定して校正する検定動作を行う場合には、下流側の遮断弁装置54は開状態とし、最上流値の遮断弁装置52を閉状態として行うことになる。この場合の開閉動作は先に下流側の遮断弁装置54の開閉動作で説明した場合と同じである。
まず、半導体製造装置側を継続的に真空引きし、ある所定の流量で一定量のガスを安定的に流している状態で、上流側の遮断弁装置52を完全な閉状態とする。すると、今まで検定用タンク部56のタンク本体68内に満たされていたガスが、このタンク本体68内から少しずつ下流側へ流れて出して行き、最終時には真空引きによるベース圧まで圧力が低下することになる。この時の圧力の変化を圧力検出手段58により測定し、変動特性、すなわち圧力降下特性を得る。
尚、上記遮断弁装置52、34にあっては、電磁弁102として3方弁式の電磁弁を用いた場合を例にとって説明したが、これに限定されず、2方弁、或いは4方弁以上の電磁弁を用いてもよい。また、2方弁式の電磁弁を用いる場合には、外部の制御系により作動気体の給排の制御を行うようにする。
図4に示した質量流量制御装置51は、上述のSEMI規格(全長105mm×幅28.6mm)を満足するように弁ブロック体81を設けたものである。全長が長い分だけ遮断弁52を弁ブロック体81の下方に設けることが可能となった。
これによって、質量流量制御装置51の流体入口6Aは、図1に示した質量流量制御装置のそれと比較して曲がる回数が少なく形成することが可能である。よって処理ガスの圧力損失を最小限とすることが可能となった。
図6に示した従来のガス供給ユニット151と比較すると、質量流量制御装置50に遮断弁装置52、54を備えるので、空圧駆動遮断弁A1及びA2を不要とし、また、圧力検出手段を備えるとともに、処理ガスの圧力変動が発生した場合には、第1制御モードと第2制御モードとを切替えて制御するので、圧力制御弁R及び圧力センサTを必要としていない。また、これらを連結する流路ブロックV3からV6をも必要としない。
従って、同じ機能を有するガス供給ユニットを極めてコンパクト化でき、安価に供給できるだけでなく、連結個所を減少させることができるので、ガス漏れの可能性が極めて低く抑えられる。
34:流入路、36:弁室、38:ダイアフラム弁体、40:流出路、42:弁口、44:弁座、
50、51:質量流量制御装置、52、54:遮断弁装置、56:検定用タンク部、58:圧力検出手段、62、64:作動気体給排気口、68:タンク本体、70:温度検出手段、
74:凹部、78:流出口、80、81:弁ブロック体、82:押圧手段、84:アクチュエータ板、84A:係合突起、86:作動室、88:作動気体給排機構、90:ダイアフラム押え、92:押圧突起部、94:突起ネジ、96:ボタンホルダ、98:板押え部材、98A:嵌合凹部、
102:電磁弁(ソレノイド弁機構)、104:ケーシング、106:電磁コイル、108:3方弁弁体、
108A、108B、108C:流路、110:オネジ、112:メネジ、114、116、118:シール部材、120:蓋部材、130:バネ、
S0:流量設定信号、S1:流量信号、S2:バルブ駆動信号、S3、S4:遮断弁動作信号(ソレノイド弁駆動信号)、S5:圧力検出信号、
150、151:ガス供給ユニット、
M:マスフローコントローラ、S:手動遮断弁、R:圧力制御弁、T:圧力センサ、A1、A2:空圧駆動遮断弁、V1、V7:継手ブロック、V2、V3、V4、V5、V6:流路ブロック、
Claims (5)
- 少なくとも、バルブ駆動信号により弁開度を変えることによって質量流量を制御する流量制御弁機構と、外部から入力される流量設定信号に基づいて前記流量制御弁機構に前記バルブ駆動信号を出力する流量制御弁制御手段と、を設けてなる質量流量制御装置において、
前記流量制御弁機構の上流側及び/又は下流側に、作動気体を給排気させることによって開閉される遮断弁機構を介設し、前記遮断弁機構の作動気体給排気口と、前記作動気体を給排気させるソレノイド弁機構の作動気体出力ポートとを直接連通させるように、前記質量流量制御装置の弁ブロック体に前記遮断弁機構および前記ソレノイド弁機構を一体として設け、
且つ前記流量制御弁制御手段は、前記ソレノイド弁機構を動作させるソレノイド弁駆動信号を出力するとともに、前記バルブ駆動信号と、前記ソレノイド弁駆動信号とを同期させることを特徴とする質量流量制御装置。 - 前記遮断弁機構は、前記質量流量制御装置の弁ブロック体に設けた弁室と、前記弁室に対して流体を流入させる流入路と、前記弁室から流体を流出させる流出路と、前記流入路の流入口と前記流出路の流出口のいずれか一方よりなる弁口に設けられた弁座と、前記弁座に対向させて前記弁室を区画するように配置されると共に、前記弁座に当接して前記弁口を遮断する金属製のダイアフラム弁体と、前記ダイアフラム弁体を押圧するための押圧手段とを備え、
前記押圧手段は、前記弁室の反対側に前記ダイアフラム弁体に対向するように配置された弾性体よりなるアクチュエータ板と、前記アクチュエータ板と前記ダイアフラム弁体との間に介設させた押圧突起部と、前記アクチュエータ板により区画されて作動気体が給排される作動室と、により構成されることを特徴とする請求項1に記載の質量流量制御装置。 - 前記ソレノイド弁機構は、三方弁体と、該三方弁体が内装された三方弁室と、該三方弁室へ作動気体を導入する作動気体入力ポートと、前記作動室へ連通する作動気体出力ポートと、該三方弁室と該作動気体入力ポートとが連通する周囲に設けられた三方弁第一弁座と、該三方弁室において該三方弁第一弁座に対向して設けられた排気ポートと、該三方弁室と該排気ポートとが連通する周囲に設けられた三方弁第二弁座と、作動電圧が印加されたときに該三方弁体を動作させる電磁コイルとからなることを特徴とする請求項1又は2のいずれかに記載の質量流量制御装置。
- 流体を流す流路に、流量を検出して流量信号を出力する流量検出手段と、流体の圧力を検出して圧力検出信号を出力する圧力検出手段を介設し、
前記流量制御弁制御手段は、前記圧力検出信号を用いることなく前記流量信号と前記流量設定信号とに基づいて流量の制御を行う第1制御モードと、前記圧力検出信号から得られる圧力変化量と前記流量設定信号とに基づいて流量の制御を行う第2制御モードとを選択的に切り替えるように構成したことを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の質量流量制御装置。 - ベースプレートの上面に、複数の流路ブロックを介して連結された複数の流体制御機器が搭載されたガス供給ユニットにおいて、前記流体制御機器の少なくともひとつは、請求項1乃至4のいずれかに記載の質量流量制御装置であることを特徴とするガス供給ユニット。
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