JP2008118632A - 超音波トランスデューサ、超音波トランスデューサの製造方法、及び超音波内視鏡 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の超音波トランスデューサ25は、下部電極と、下部電極上に配置された第1の絶縁層と、第1の絶縁層上に配置された空隙部と、空隙部上に配置された第2の絶縁層と、該第2の絶縁層上に設けられた上部電極を含む2つ以上の超音波振動子セルと、該空隙部同士を連通するチヤネルと、該チヤネル上に配置された該第2の絶縁層と、該チヤネル上に配置された該第2の絶縁層に形成された孔部と、該孔部を封止し、該チヤネルに侵入している部分の横断面形状は、該孔部の形状と同様である封止部と、を備えた超音波振動子セルを具備する。
【選択図】 図6
Description
以下に図4〜図19を用いて、本発明の超音波トランスデューサについて説明をする。
次に、図20〜図23を用いて、本発明の第2の実施の形態について説明する。
図20〜図23は、第2の実施の形態に係り、図20は上部電極、及び封止部がエッチング形成された状態の超音波振動子セルの製造過程を示す断面図、図21は保護膜が形成された状態の超音波振動子セルの製造過程を示す断面図、図22はパリレン膜が形成された状態の超音波振動子セルの製造過程を示す断面図、図23は超音波振動子セルの製造工程を示すフローチャートである。
2…挿入部
3…操作部
4…ユニバーサルコード
4a…内視鏡コネクタ
5…電気ケーブル
5a…電気コネクタ
6…超音波ケーブル
6a…超音波コネクタ
7…先端硬性部
7a…先端面
8…湾曲部
9…可撓管部
11…アングルノブ
12…送気送水ボタン
13…吸引ボタン
14…処置具挿入口
20…超音波振動子部
21…照明用レンズカバー
22…観察用レンズカバー
23…鉗子口
24…ケーブル接続基板部
25…振動子エレメント
26…同軸ケーブル束
30…c−MUTセル
31…上部電極
31a…伝導部
32…第3絶縁層
33…第2絶縁層
34…第1絶縁層
35…下部電極
36…シリコン熱酸化膜
37…シリコン基板
38…メンブレン
39…基板
41…封止部
41a…柱部
42…絶縁膜
43…チヤネル
51…空隙部
52…犠牲層
54…導電性膜
55…絶縁膜
58…保護膜
60…保護膜
61…パリレン膜
Claims (9)
- 下部電極と、
該下部電極上に配置された第1の絶縁層と、
該第1の絶縁層上に配置された空隙部と、
該空隙部上に配置された第2の絶縁層と、
該第2の絶縁層上に設けられた上部電極を含む2つ以上の超音波振動子セルと、
該空隙部同士を連通するチヤネルと、
該チヤネル上に配置された該第2の絶縁層と、
該チヤネル上に配置された該第2の絶縁層に形成された孔部と、
該孔部を封止し、該チヤネルに侵入している部分の横断面形状は、該孔部の形状と同様である封止部と、
を備えた超音波振動子セルを具備することを特徴とする超音波トランスデューサ。 - 該上部電極と、該封止部とは、同一の導電性材料により形成されていることを特徴とする請求項1に記載の超音波トランスデューサ。
- 該上部電極および該封止部は、該第2の絶縁層上にスパッタリング法または真空蒸着法を施した後に、化学気相蒸着法を施してなる膜であることを特徴とする請求項2に記載の超音波トランスデューサ。
- さらに、該封止部上面には、絶縁膜が形成されていることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の超音波トランスデューサ。
- 該チヤネルの該孔部および該空隙部間の形状は直線状であることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の超音波トランスデューサ。
- マイクロマシーニング技術を用いた超音波トランスデューサの製造方法であって、
表面に絶縁層を有する基板上に導電性材料を堆積させ、該導電性材料を部分的にエッチング加工して下部電極を形成し、
該下部電極および該絶縁層を被覆するように絶縁材料を堆積させ、第1の絶縁層を形成し、
該第1の絶縁層上に犠牲材料を堆積させ、エッチング加工して2以上の空隙部、及び該空隙部同士を連通するチヤネルの形状をした犠牲層を形成し、
該第1の絶縁層および該犠牲層上に絶縁材料を堆積させ、第2の絶縁層を形成し、
該チヤネルの形状をした犠牲層上に形成された該第2の絶縁層の一部分にエッチング加工して孔部を形成し、
該犠牲層をエッチング加工により、該孔部を通じて除去して、該空隙部、及び該チヤネルを形成し、
該第2の絶縁層上に、該孔部を塞ぐように、スパッタリング法または真空蒸着法により、導電性材料を堆積させた後、さらに化学気相蒸着法により導電性材料を堆積させて導電性膜を形成し、
該導電性膜を部分的にエッチング加工して上部電極、及び該孔部を塞ぐ封止部を形成し、
該第2の電極、及び該封止部を被覆するように、該第2の絶縁層上に保護材料により保護膜を形成する、
ことを特徴とする超音波トランスデューサの製造方法。 - さらに、該第2の絶縁層上に、該孔部を塞ぐように、スパッタリング法、或いは真空蒸着法により、導電性材料を堆積させた後、該導電性材料上に絶縁材料を堆積させ、該絶縁材料を部分的にエッチング加工して第3の絶縁層が上面を覆う該上部電極、及び絶縁膜が上面を覆う該封止部を形成する、
ことを特徴とする請求項6に記載の超音波トランスデューサの製造方法。 - 該第3の絶縁層、及び該絶縁膜を形成するための該絶縁材料は、化学気相成長法により、形成される、
ことを特徴とする請求項6に記載の超音波トランスデューサの製造方法。 - 内視鏡挿入部の先端を構成する先端硬性部の先端側に請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の超音波トランスデューサを備えた超音波内視鏡。
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