JP2008112850A

JP2008112850A - Manufacturing method of wiring circuit board

Info

Publication number: JP2008112850A
Application number: JP2006294620A
Authority: JP
Inventors: Atsushi Ishii; 淳石井; Kyoya Oyabu; 恭也大薮; Hiroyuki Kurai; 寛幸倉井
Original assignee: Nitto Denko Corp
Current assignee: Nitto Denko Corp
Priority date: 2006-10-30
Filing date: 2006-10-30
Publication date: 2008-05-15

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of a wiring circuit board, capable of efficiently removing static electricity charged on an obtained wiring circuit board while preventing discoloration of a terminal portion. <P>SOLUTION: A metal supporting board 15 is prepared, on which a plurality of circuit-equipped suspension boards 1 under manufacturing, each having a base insulating layer, a conductor pattern 4 and a cover insulating layer, are disposed in arrangement. Subsequently, a polymerization liquid of a conductive polymer is poured into a polymerization bath 19 having an electrode 16 provided therein, the metal supporting board 15 is immersed in the polymerization liquid, and a voltage is applied so that the electrode 16 may become an anode 12 and the conductive pattern 4 may become a cathode 13. Then, a polymerization initiator solution is blended while continuing application of the voltage, thereby forming a semi-conducting layer on the surface of the base insulating layer and the surface of the cover insulating layer. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、配線回路基板の製造方法、詳しくは、回路付サスペンション基板などの配線回路基板の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a wired circuit board, and more particularly to a method for manufacturing a wired circuit board such as a suspension board with circuit.

従来より、ベース絶縁層と、配線および端子部を有する導体パターンと、カバー絶縁層とを順次積層した配線回路基板が知られている。このような配線回路基板は、各種の電気機器や電子機器の分野において、広く用いられている。
このような配線回路基板の製造方法として、実装される電子部品の静電破壊を防止するために、例えば、ベース層、導体回路およびカバー層からなる積層体（基板本体）を製造し、その後、該積層体の周囲に導電ポリマー層を形成する、フレキシブルプリント回路基板の製造方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
特開２００４−１５８４８０号公報 Conventionally, a printed circuit board in which a base insulating layer, a conductor pattern having wiring and terminal portions, and a cover insulating layer are sequentially laminated is known. Such a printed circuit board is widely used in the fields of various electric devices and electronic devices.
As a method of manufacturing such a printed circuit board, in order to prevent electrostatic breakdown of electronic components to be mounted, for example, a laminate (board body) including a base layer, a conductor circuit, and a cover layer is manufactured. A method of manufacturing a flexible printed circuit board in which a conductive polymer layer is formed around the laminate has been proposed (see, for example, Patent Document 1).
JP 2004-158480 A

しかるに、特許文献１に記載のフレキシブルプリント回路基板の製造方法では、導電ポリマー層の形成において、積層体を、モノマーと酸化重合剤とを含む酸化性の処理液中に浸漬するので、このような処理液によって、導体回路におけるカバー層から露出する端子部において、導体回路を形成する導体材料が溶解する場合がある。そのため、端子部が腐食されて、端子部が変色するというおそれがある。 However, in the method for manufacturing a flexible printed circuit board described in Patent Document 1, in the formation of the conductive polymer layer, the laminate is immersed in an oxidizing treatment liquid containing a monomer and an oxidation polymerization agent. The treatment liquid may dissolve the conductor material forming the conductor circuit at the terminal portion exposed from the cover layer of the conductor circuit. For this reason, the terminal portion may be corroded and the terminal portion may be discolored.

本発明の目的は、端子部の変色を防止できながら、得られた配線回路基板の静電気の帯電を効率的に除去することのできる、配線回路基板の製造方法を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a printed circuit board that can efficiently remove static charges of the obtained printed circuit board while preventing discoloration of terminal portions.

上記目的を達成するために、本発明の配線回路基板の製造方法は、絶縁層と、前記絶縁層に被覆される配線および前記絶縁層から露出する端子部を有する導体パターンと、を備える配線回路基板を用意する工程と、前記配線回路基板を、電極が設けられている導電性ポリマーの重合液に浸漬して、前記電極が陽極となり、前記導体パターンが陰極となるように電圧を印加して、半導電性層を前記絶縁層の表面に形成する工程とを備えることを特徴としている。 In order to achieve the above object, a method for manufacturing a wired circuit board according to the present invention comprises an insulating layer, and a conductor pattern having a wiring covered by the insulating layer and a terminal portion exposed from the insulating layer. A step of preparing a substrate, and immersing the wired circuit board in a polymerization solution of a conductive polymer provided with an electrode, and applying a voltage so that the electrode becomes an anode and the conductor pattern becomes a cathode. And a step of forming a semiconductive layer on the surface of the insulating layer.

この配線回路基板の製造方法では、配線回路基板を、電極が設けられている導電性ポリマーの重合液に浸漬して、電極が陽極となり、導体パターンが陰極となるように電圧を印加する。そのため、陽極では、電子を放出する一方で、陰極では電子を受け取るという電気分解の原理により、陰極となる導体パターンを形成する導体材料は、たとえ、端子部において露出していても、溶解しにくくなる。 In this method of manufacturing a printed circuit board, the printed circuit board is immersed in a polymerization solution of a conductive polymer provided with electrodes, and a voltage is applied so that the electrodes become anodes and the conductor patterns become cathodes. Therefore, due to the electrolysis principle that the anode emits electrons while the cathode receives electrons, the conductor material forming the conductor pattern that becomes the cathode is difficult to dissolve even if it is exposed at the terminal portion. Become.

そのため、端子部における腐食を防止できながら、半導電性層を絶縁層の表面に形成することができる。
その結果、端子部における変色を防止できながら、得られた配線回路基板の静電気の帯電を効率的に除去することができる。
また、本発明の配線回路基板の製造方法では、前記配線回路基板を用意する工程において、前記端子部の表面にめっき層を形成することが好適である。 Therefore, the semiconductive layer can be formed on the surface of the insulating layer while preventing corrosion at the terminal portion.
As a result, it is possible to efficiently remove the electrostatic charge of the obtained printed circuit board while preventing discoloration in the terminal portion.
In the wired circuit board manufacturing method of the present invention, it is preferable that a plating layer is formed on the surface of the terminal portion in the step of preparing the wired circuit board.

一般に、配線回路基板の製造方法において、端子部を保護するために、その表面にめっき層を形成する場合があるところ、それでも、導電性ポリマーの重合液に浸漬した場合には、めっき層の周端部と絶縁層との界面に、導電性ポリマーの重合液が浸透して、これによって、端子部における導体材料が溶解して、端子部が腐食されるおそれがある。
しかし、この配線回路基板の製造方法では、上記した電気分解の原理により、端子部における導体材料は溶解しにくくなるので、端子部の表面にめっき層を形成して、めっき層の周端部と絶縁層との界面に導電性ポリマーの重合液が浸透しても、かかる腐食のおそれが少なく、そのため、端子部における変色を有効に防止することができる。 In general, in a method of manufacturing a printed circuit board, a plating layer may be formed on the surface to protect the terminal portion. However, if the plating layer is immersed in a polymerization solution of a conductive polymer, the periphery of the plating layer is still present. There is a possibility that the polymer solution of the conductive polymer permeates into the interface between the end portion and the insulating layer, whereby the conductor material in the terminal portion is dissolved and the terminal portion is corroded.
However, in this method of manufacturing a printed circuit board, the conductive material in the terminal portion is difficult to dissolve due to the principle of electrolysis described above. Therefore, a plating layer is formed on the surface of the terminal portion, and the peripheral end portion of the plating layer and Even if the polymerization solution of the conductive polymer penetrates into the interface with the insulating layer, there is little risk of such corrosion, so that discoloration at the terminal portion can be effectively prevented.

また、本発明の配線回路基板の製造方法では、前記導体パターンを形成する導体材料が、銅であることが好適である。
一般に、導体パターンを形成する導体材料が銅である場合には、その銅は導電性ポリマーの重合液への浸漬によって、溶解し易いところ、この配線回路基板の製造方法では、上記した電気分解の原理により、導体パターンを形成する銅は溶解しにくくなる。そのため、端子部における銅の溶解のおそれが少なく、その結果、端子部における変色を有効に防止することができる。 In the method for manufacturing a printed circuit board according to the present invention, it is preferable that the conductor material forming the conductor pattern is copper.
In general, when the conductive material for forming the conductive pattern is copper, the copper is easily dissolved by immersion in a polymerization solution of a conductive polymer. According to the principle, copper forming the conductor pattern is difficult to dissolve. Therefore, there is little possibility of copper dissolution at the terminal portion, and as a result, discoloration at the terminal portion can be effectively prevented.

また、本発明の配線回路基板の製造方法では、１．０Ｖ以上の電圧を印加することが好適である。
この配線回路基板の製造方法では、１．０Ｖ以上の電圧を印加するので、端子部における導体材料の溶解が確実に抑制される。
そのため、端子部における腐食を確実に防止することができる。その結果、端子部における変色を確実に防止することができる。 In the method for manufacturing a printed circuit board according to the present invention, it is preferable to apply a voltage of 1.0 V or more.
In this method for manufacturing a printed circuit board, since a voltage of 1.0 V or higher is applied, dissolution of the conductor material in the terminal portion is reliably suppressed.
Therefore, corrosion at the terminal portion can be reliably prevented. As a result, discoloration in the terminal portion can be reliably prevented.

また、本発明の配線回路基板の製造方法では、前記導電性ポリマーが、ポリアニリンであることが好適である。
この配線回路基板の製造方法では、導電性ポリマーがポリアニリンであるので、得られた配線回路基板は、静電気の帯電をより一層効率的に除去することができる。 In the method for manufacturing a printed circuit board according to the present invention, it is preferable that the conductive polymer is polyaniline.
In this method of manufacturing a printed circuit board, since the conductive polymer is polyaniline, the obtained wired circuit board can more efficiently remove static charges.

本発明の配線回路基板の製造方法によれば、端子部における腐食を防止できながら、半導電性層を絶縁層の表面に形成することができる。その結果、端子部における変色を防止できながら、得られた配線回路基板の静電気の帯電を効率的に除去することができる。 According to the method for manufacturing a printed circuit board of the present invention, the semiconductive layer can be formed on the surface of the insulating layer while preventing corrosion at the terminal portion. As a result, it is possible to efficiently remove the electrostatic charge of the obtained printed circuit board while preventing discoloration in the terminal portion.

図１は、本発明の配線回路基板の製造方法により製造される配線回路基板の一実施形態である回路付サスペンション基板を備える回路付サスペンション基板シートの平面図、図２は、図１に示す回路付サスペンション基板の拡大平面図である。なお、図１および図２において、後述する導体パターン４の配置を明確にするために、後述する、ベース絶縁層３、めっき層８および半導電性層１０は省略して示している。 FIG. 1 is a plan view of a suspension board sheet with circuit, which is an embodiment of a wired circuit board manufactured by the method for manufacturing a wired circuit board of the present invention, and FIG. 2 is a circuit diagram shown in FIG. It is an enlarged plan view of an attached suspension board. In FIG. 1 and FIG. 2, the base insulating layer 3, the plating layer 8, and the semiconductive layer 10, which will be described later, are omitted in order to clarify the arrangement of the conductor pattern 4 which will be described later.

図１において、この回路付サスペンション基板シート２０は、複数の回路付サスペンション基板１と、その複数の回路付サスペンション基板１を分離可能に支持する支持枠２１とを備えている。
各回路付サスペンション基板１は支持枠２１内において、互いに間隔を隔てて整列状態で配置されており、図２に示すように、切断可能な複数のジョイント部２２をそれぞれ介して支持枠２１に支持されている。 In FIG. 1, the suspension board with circuit 20 includes a plurality of suspension boards with circuits 1 and a support frame 21 that supports the plurality of suspension boards with circuits 1 in a separable manner.
Each suspension board with circuit 1 is arranged in an aligned state in the support frame 21 with a space between each other, and is supported on the support frame 21 via a plurality of severable joint portions 22 as shown in FIG. Has been.

より具体的には、各回路付サスペンション基板１と支持枠２１との間には、各回路付サスペンション基板１の外周縁に沿って、各回路付サスペンション基板１と支持枠２１とを分離させるための隙間溝１７が形成されている。各ジョイント部２２は、隙間溝１７を横切って、各回路付サスペンション基板１と支持枠２１との間に架設されている。
回路付サスペンション基板１は、ハードディスクドライブに搭載され、磁気ヘッド（図示せず）を実装して、その磁気ヘッドを、磁気ディスクとの間で相対的に走行させるときの空気流に抗して、磁気ディスクとの間に微小間隔を保持しながら支持するための金属支持層２に、磁気ヘッドとリード・ライト基板（図示せず）とを接続するための導体パターン４が形成されている。 More specifically, the suspension board with circuit 1 and the support frame 21 are separated between the suspension board with circuit 1 and the support frame 21 along the outer peripheral edge of the suspension board with circuit 1. The gap groove 17 is formed. Each joint portion 22 extends between the suspension board with circuit 1 and the support frame 21 across the gap groove 17.
The suspension board with circuit 1 is mounted on a hard disk drive, mounted with a magnetic head (not shown), and resists the air flow when the magnetic head travels relative to the magnetic disk. A conductor pattern 4 for connecting a magnetic head and a read / write substrate (not shown) is formed on a metal support layer 2 for supporting the magnetic disk while maintaining a minute gap.

導体パターン４は、磁気ヘッド側接続端子部７Ａと、外部側接続端子部７Ｂと、これら磁気ヘッド側接続端子部７Ａおよび外部側接続端子部７Ｂを接続するための配線６とを、一体的に連続して備えている。
配線６は、回路付サスペンション基板１の長手方向（以下、単に長手方向という。）に沿って設けられ、幅方向（長手方向に直交する方向、以下同じ。）において互いに間隔を隔てて複数（４本）並列配置されている。 The conductor pattern 4 integrally includes a magnetic head side connection terminal portion 7A, an external side connection terminal portion 7B, and a wiring 6 for connecting the magnetic head side connection terminal portion 7A and the external side connection terminal portion 7B. It is prepared continuously.
The wiring 6 is provided along the longitudinal direction of the suspension board with circuit 1 (hereinafter simply referred to as the longitudinal direction), and a plurality (4) of the wiring 6 are spaced apart from each other in the width direction (the direction orthogonal to the longitudinal direction, hereinafter the same). Book) are arranged in parallel.

磁気ヘッド側接続端子部７Ａは、金属支持層２の先端部に配置され、幅方向に沿って互いに間隔を隔てて並列配置されており、長手方向に延びる平面視略矩形状の角ランドとして形成されている。また、磁気ヘッド側接続端子部７Ａは、各配線６の先端部がそれぞれ接続されるように、複数（４つ）設けられている。この磁気ヘッド側接続端子部７Ａには、磁気ヘッドの端子部（図示せず）が接続される。 The magnetic head side connection terminal portion 7A is disposed at the tip of the metal support layer 2, and is arranged in parallel along the width direction so as to be spaced apart from each other. The magnetic head side connection terminal portion 7A is formed as a rectangular land having a substantially rectangular shape in plan view. Has been. Also, a plurality (four) of magnetic head side connection terminal portions 7A are provided so that the tip ends of the respective wires 6 are connected to each other. A magnetic head terminal portion (not shown) is connected to the magnetic head side connection terminal portion 7A.

外部側接続端子部７Ｂは、金属支持層２の後端部に配置され、幅方向に沿って互いに間隔を隔てて並列配置されており、長手方向に延びる平面視略矩形状の角ランドとして形成されている。また、外部側接続端子部７Ｂは、各配線６の後端部がそれぞれ接続されるように、複数（４つ）設けられている。この外部側接続端子部７Ｂには、リード・ライト基板の端子部（図示せず）が接続される。 The external side connection terminal portion 7B is disposed at the rear end portion of the metal support layer 2, and is arranged in parallel along the width direction so as to be spaced apart from each other, and is formed as a rectangular land having a substantially rectangular shape in plan view extending in the longitudinal direction. Has been. In addition, a plurality (four) of external connection terminal portions 7B are provided so that the rear ends of the wirings 6 are connected to each other. A terminal portion (not shown) of a read / write board is connected to the external connection terminal portion 7B.

また、導体パターン４には、めっきリード９が接続されている。
めっきリード９は、回路付サスペンション基板１の先端部に配置されている。より具体的には、めっきリード９は、各磁気ヘッド側接続端子部７Ａに接続されるように分岐されており、回路付サスペンション基板１の先端部に配置されるジョイント部２２の近傍において、１本のめっきリード９にまとめられている。そして、１本にまとめられためっきリード９は、ジョイント部２２を通過して、支持枠２１に至っている。支持枠２１における複数の回路付サスペンション基板１に対応する複数のめっきリード９は、支持枠２１の端部において、さらに、１本のめっきリード９にまとめられて、後述する導線１４（図６参照）に接続されている。 A plating lead 9 is connected to the conductor pattern 4.
The plating lead 9 is disposed at the tip of the suspension board with circuit 1. More specifically, the plating lead 9 is branched so as to be connected to each magnetic head side connection terminal portion 7A, and in the vicinity of the joint portion 22 disposed at the tip portion of the suspension board with circuit 1, The plating lead 9 is collected. The plated lead 9 combined into one passes through the joint portion 22 and reaches the support frame 21. The plurality of plating leads 9 corresponding to the plurality of suspension boards with circuit 1 in the support frame 21 are further combined into one plating lead 9 at the end portion of the support frame 21, and a conductor 14 described later (see FIG. 6). )It is connected to the.

なお、以下、磁気ヘッド側接続端子部７Ａおよび外部側接続端子部７Ｂは、特に区別が必要でない場合には、単に端子部７として説明する。
そして、この回路付サスペンション基板１は、図３に示すように、金属支持層２と、金属支持層２の上に形成されるベース絶縁層３と、ベース絶縁層３の上に形成される導体パターン４と、ベース絶縁層３の上に、導体パターン４を被覆するように形成されるカバー絶縁層５とを備えている。また、この回路付サスペンション基板１は、導体パターン４の端子部７の表面に形成されるめっき層８と、カバー絶縁層５の表面およびベース絶縁層３の表面に形成される半導電性層１０とを備えている。 In the following description, the magnetic head side connection terminal portion 7A and the external side connection terminal portion 7B will be described simply as the terminal portion 7 unless it is necessary to distinguish between them.
As shown in FIG. 3, the suspension board with circuit 1 includes a metal support layer 2, a base insulating layer 3 formed on the metal support layer 2, and a conductor formed on the base insulating layer 3. A pattern 4 and a cover insulating layer 5 formed on the insulating base layer 3 so as to cover the conductor pattern 4 are provided. The suspension board with circuit 1 includes a plating layer 8 formed on the surface of the terminal portion 7 of the conductor pattern 4 and a semiconductive layer 10 formed on the surface of the cover insulating layer 5 and the surface of the base insulating layer 3. And.

金属支持層２は、図２に示すように、長手方向に沿って延びる平面視略矩形シート状に形成されている。金属支持層２は、ステンレス、４２アロイ、アルミニウム、銅−ベリリウム、りん青銅などの金属材料から形成される。金属支持層２の厚みは、例えば、１５〜３０μｍ、好ましくは、２０〜２５μｍである。
ベース絶縁層３は、図１に示すように、金属支持層２の上に、金属支持層２より長手方向および幅方向（図示せず）がやや短くなる平面視略矩形シート状に形成されている。ベース絶縁層３は、例えば、ポリイミド、ポリアミドイミド、アクリル、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリ塩化ビニルなどの合成樹脂などの絶縁材料から形成される。好ましくは、ポリイミドから形成される。ベース絶縁層３の厚みは、例えば、１〜３５μｍ、好ましくは、８〜１５μｍである。また、ベース絶縁層３の大きさは、金属支持層２に対応して、適宜設定される。 As shown in FIG. 2, the metal support layer 2 is formed in a substantially rectangular sheet shape in plan view extending along the longitudinal direction. The metal support layer 2 is made of a metal material such as stainless steel, 42 alloy, aluminum, copper-beryllium, phosphor bronze. The thickness of the metal support layer 2 is, for example, 15 to 30 μm, preferably 20 to 25 μm.
As shown in FIG. 1, the insulating base layer 3 is formed on the metal support layer 2 in a substantially rectangular sheet shape in plan view in which the longitudinal direction and the width direction (not shown) are slightly shorter than the metal support layer 2. Yes. The base insulating layer 3 is formed of an insulating material such as a synthetic resin such as polyimide, polyamideimide, acrylic, polyether nitrile, polyether sulfone, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, or polyvinyl chloride. Preferably, it is formed from polyimide. The insulating base layer 3 has a thickness of, for example, 1 to 35 μm, or preferably 8 to 15 μm. Further, the size of the base insulating layer 3 is appropriately set corresponding to the metal support layer 2.

導体パターン４は、ベース絶縁層３の上に、配線６および配線６に接続される端子部７から一体的に形成される配線回路パターンとして、形成されている。
配線６は、カバー絶縁層５に被覆されるように形成されている。
端子部７は、ベース絶縁層３の長手方向両端部において、カバー絶縁層５の両端部から露出するように形成されている。 The conductor pattern 4 is formed on the base insulating layer 3 as a wiring circuit pattern integrally formed from the wiring 6 and the terminal portion 7 connected to the wiring 6.
The wiring 6 is formed so as to be covered with the insulating cover layer 5.
The terminal portions 7 are formed so as to be exposed from both end portions of the insulating cover layer 5 at both longitudinal ends of the insulating base layer 3.

導体パターン４は、例えば、銅、ニッケル、金、またはこれらの合金などの導体材料から形成される。好ましくは、銅から形成される。
導体パターン４の厚みは、例えば、３〜５０μｍ、好ましくは、５〜２０μｍである。また、各配線６の幅（幅方向長さ、以下同じ）は、例えば、１０〜２００μｍ、好ましくは、２０〜１００μｍであり、各配線６間の間隔は、例えば、１０〜１０００μｍ、好ましくは、２０〜１００μｍである。また、各端子部７の長さは、例えば、５０〜２０００μｍ、好ましくは、１００〜１０００μｍであり、幅は、例えば、５０〜２０００μｍ、好ましくは、１００〜１０００μｍである。 The conductor pattern 4 is formed from a conductor material such as copper, nickel, gold, or an alloy thereof. Preferably, it is formed from copper.
The thickness of the conductor pattern 4 is 3-50 micrometers, for example, Preferably, it is 5-20 micrometers. The width of each wiring 6 (width direction length, the same applies hereinafter) is, for example, 10 to 200 μm, preferably 20 to 100 μm, and the interval between the wirings 6 is, for example, 10 to 1000 μm, 20 to 100 μm. Moreover, the length of each terminal part 7 is 50-2000 micrometers, for example, Preferably, it is 100-1000 micrometers, and the width is 50-2000 micrometers, for example, Preferably, it is 100-1000 micrometers.

カバー絶縁層５は、図２に示すように、長手方向に沿って延びる平面視略矩形シート状に形成されている。より具体的には、カバー絶縁層５は、長手方向においては、その長手方向両端縁が、ベース絶縁層３の長手方向両端縁よりもやや短くなるように配置されている。カバー絶縁層５は、幅方向においては、その幅方向両端縁が、平面視においてベース絶縁層３の幅方向両端縁（図示せず）と同一位置に配置されている。また、これにより、カバー絶縁層５は、導体パターン４の配線６を被覆し、かつ、導体パターン４の端子部７を露出させている。 As shown in FIG. 2, the insulating cover layer 5 is formed in a substantially rectangular sheet shape in plan view extending along the longitudinal direction. More specifically, the insulating cover layer 5 is arranged such that both longitudinal edges thereof are slightly shorter than both longitudinal edges of the insulating base layer 3 in the longitudinal direction. In the width direction, the cover insulating layer 5 has both ends in the width direction arranged at the same position as both edges (not shown) in the width direction of the base insulating layer 3 in plan view. Accordingly, the insulating cover layer 5 covers the wiring 6 of the conductor pattern 4 and exposes the terminal portions 7 of the conductor pattern 4.

カバー絶縁層５は、上記したベース絶縁層３と同様の絶縁材料から形成されている。カバー絶縁層５の厚みは、例えば、１〜４０μｍ、好ましくは、１〜７μｍである。また、カバー絶縁層５の大きさは、ベース絶縁層３および端子部７の大きさに応じて、適宜設定される。
めっき層８は、図３に示すように、端子部７の上面、長手方向両側面および幅方向両側面（図示せず）に形成されている。また、めっき層８は、めっきリード９の表面にも形成されている。めっき層８を形成する材料としては、例えば、金などの金属材料が用いられる。めっき層８の厚みは、例えば、０．２〜３μｍ、好ましくは、０．５〜２μｍである。 The insulating cover layer 5 is made of the same insulating material as the insulating base layer 3 described above. The insulating cover layer 5 has a thickness of, for example, 1 to 40 μm, or preferably 1 to 7 μm. The size of the insulating cover layer 5 is appropriately set according to the sizes of the insulating base layer 3 and the terminal portion 7.
As shown in FIG. 3, the plating layer 8 is formed on the upper surface of the terminal portion 7, both side surfaces in the longitudinal direction, and both side surfaces (not shown) in the width direction. The plating layer 8 is also formed on the surface of the plating lead 9. As a material for forming the plating layer 8, for example, a metal material such as gold is used. The thickness of the plating layer 8 is, for example, 0.2 to 3 μm, or preferably 0.5 to 2 μm.

半導電性層１０は、カバー絶縁層５の上面、および、長手方向両側面および幅方向両側面と、カバー絶縁層５および導体パターン４から露出するベース絶縁層３の上面、および、ベース絶縁層３の長手方向両側面および幅方向両側面（図示せず）とに、形成されている。
半導電性層１０は、後述する導電性ポリマーの重合液への浸漬により、導電性ポリマーから形成されている。 The semiconductive layer 10 includes an upper surface of the insulating cover layer 5, both side surfaces in the longitudinal direction and both side surfaces in the width direction, an upper surface of the insulating base layer 3 exposed from the insulating cover layer 5 and the conductor pattern 4, and the insulating base layer. 3 is formed on both side surfaces in the longitudinal direction and on both side surfaces in the width direction (not shown).
The semiconductive layer 10 is formed from a conductive polymer by immersing the conductive polymer described later in a polymerization solution.

導電性ポリマーとしては、例えば、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、またはこれらの誘導体などが挙げられる。好ましくは、ポリアニリンが挙げられる。これら導電性ポリマーは、単独使用または２種以上併用することができる。
半導電性層１０の厚みは、例えば、５〜３０ｎｍ、好ましくは、７〜２０ｎｍである。
さらに、この回路付サスペンション基板１には、図２に示すように、めっきリード９と切り目２４とが設けられている。 Examples of the conductive polymer include polyaniline, polypyrrole, polythiophene, or derivatives thereof. Preferably, polyaniline is used. These conductive polymers can be used alone or in combination of two or more.
The thickness of the semiconductive layer 10 is, for example, 5 to 30 nm, preferably 7 to 20 nm.
Further, the suspension board with circuit 1 is provided with a plating lead 9 and a cut 24 as shown in FIG.

めっきリード９は、金属支持層２およびベース絶縁層３の上に形成されており、上記した導体パターン４と同様の導体材料から、導体パターン４と接続されるように、上記したパターンで形成されている。
切り目２４は、めっきリード９における４本に分岐する部分を横切るように、幅方向に沿って直線的に設けられており、ミシン目形状に形成されている。これより、めっきリード９における１本にまとめられる部分が、除去可能とされている。 The plating lead 9 is formed on the metal support layer 2 and the base insulating layer 3, and is formed in the above-described pattern so as to be connected to the conductor pattern 4 from the same conductive material as that of the above-described conductor pattern 4. ing.
The cut line 24 is linearly provided along the width direction so as to cross the four branches of the plating lead 9 and is formed in a perforation shape. As a result, the portion of the plating lead 9 that is gathered into one can be removed.

次に、この回路付サスペンション基板１の製造方法について、図４〜図６を参照して、説明する。
まず、この方法では、図４（ａ）に示すように、金属支持基板１５を用意する。
金属支持基板１５は、図１が参照されるように、平面視略矩形シート状に形成されている。この金属支持基板１５は、図２が参照されるように、各回路付サスペンション基板１に対応する金属支持層２と、支持枠２１とを含んでいる。金属支持基板１５を形成する金属材料は、金属支持層２と同様のものが用いられる。 Next, a method for manufacturing the suspension board with circuit 1 will be described with reference to FIGS.
First, in this method, a metal support substrate 15 is prepared as shown in FIG.
As shown in FIG. 1, the metal support substrate 15 is formed in a substantially rectangular sheet shape in plan view. As shown in FIG. 2, the metal support board 15 includes a metal support layer 2 corresponding to each suspension board with circuit 1 and a support frame 21. The metal material that forms the metal support substrate 15 is the same as the metal support layer 2.

次いで、この方法では、図４（ｂ）に示すように、金属支持基板１５の上に、ベース絶縁層３を、各回路付サスペンション基板１に対応したパターンで形成する。
ベース絶縁層３を、上記したパターンで形成するには、例えば、金属支持基板１５の上面に、感光性の、上記した絶縁材料のワニスを塗布し、乾燥後、フォトマスクを介して露光し、現像後、必要により硬化させる。 Next, in this method, as shown in FIG. 4B, the base insulating layer 3 is formed on the metal supporting board 15 in a pattern corresponding to each suspension board with circuit 1.
In order to form the base insulating layer 3 in the pattern described above, for example, a photosensitive varnish of the insulating material described above is applied to the upper surface of the metal support substrate 15, and after drying, exposed through a photomask, After development, it is cured if necessary.

次いで、この方法では、図４（ｃ）に示すように、ベース絶縁層３の上に、導体パターン４を、各回路付サスペンション基板１に対応した配線回路パターンで形成するとともに、ベース絶縁層３の上に、めっきリード９を形成する。
導体パターン４およびめっきリード９は、例えば、アディティブ法、サブトラクティブ法などの公知のパターンニング法により形成する。好ましくは、アディティブ法により形成する。 Next, in this method, as shown in FIG. 4 (c), the conductor pattern 4 is formed on the insulating base layer 3 with a wiring circuit pattern corresponding to each suspension board with circuit 1, and the insulating base layer 3. A plating lead 9 is formed thereon.
The conductor pattern 4 and the plating lead 9 are formed by a known patterning method such as an additive method or a subtractive method. Preferably, it is formed by an additive method.

アディティブ法では、まず、ベース絶縁層３の上面、長手方向両側面および幅方向両側面と、ベース絶縁層３から露出する金属支持基板１５の上面とに、仮想線で示す金属薄膜１８を形成する。金属薄膜１８は、スパッタリング、好ましくは、クロムスパッタリングおよび銅スパッタリングにより、クロム薄膜と銅薄膜とを積層することにより、形成する。 In the additive method, first, a metal thin film 18 indicated by an imaginary line is formed on the upper surface of the base insulating layer 3, both side surfaces in the longitudinal direction and both side surfaces in the width direction, and the upper surface of the metal supporting substrate 15 exposed from the base insulating layer 3. . The metal thin film 18 is formed by laminating a chromium thin film and a copper thin film by sputtering, preferably chromium sputtering and copper sputtering.

次いで、この金属薄膜１８の上面に、上記したパターンと逆パターンで図示しないめっきレジストを形成した後、めっきレジストから露出する金属薄膜１８の上面に、電解めっきにより、上記したパターンで、導体パターン４を形成するとともにめっきリード９を形成し、その後、めっきレジストおよびそのめっきレジストが積層されていた部分の金属薄膜１８を除去する。 Next, after forming a plating resist (not shown) on the upper surface of the metal thin film 18 in a pattern opposite to the above pattern, the conductor pattern 4 is formed in the above pattern by electrolytic plating on the upper surface of the metal thin film 18 exposed from the plating resist. And the plating lead 9 are formed, and then the plating resist and the metal thin film 18 where the plating resist was laminated are removed.

これにより、導体パターン４をベース絶縁層３の上に、各回路付サスペンション基板１に対応した配線回路パターンで形成するとともに、めっきリード９を金属支持基板１５およびベース絶縁層３の上に形成することができる。
次いで、この方法では、図４（ｄ）に示すように、カバー絶縁層５を、ベース絶縁層３の上に、導体パターン４の配線６を被覆し、かつ、導体パターン４の端子部７を露出する各回路付サスペンション基板１に対応したパターンで形成する。 As a result, the conductor pattern 4 is formed on the base insulating layer 3 with the wiring circuit pattern corresponding to each suspension board with circuit 1, and the plating lead 9 is formed on the metal support substrate 15 and the base insulating layer 3. be able to.
Next, in this method, as shown in FIG. 4 (d), the insulating cover layer 5 is covered with the wiring 6 of the conductive pattern 4 on the insulating base layer 3, and the terminal portion 7 of the conductive pattern 4 is formed. A pattern corresponding to each exposed suspension board with circuit 1 is formed.

カバー絶縁層５を上記したパターンで形成するには、例えば、導体パターン４、めっきリード９およびベース絶縁層３を含む金属支持基板１５の上面に、感光性の、上記した絶縁材料のワニスを塗布し、乾燥後、フォトマスクを介して露光し、現像後、必要により硬化させる。
次いで、この方法では、図５（ｅ）に示すように、めっき層８を、端子部７の表面およびめっきリード９の表面に、各回路付サスペンション基板１に対応して形成する。 In order to form the insulating cover layer 5 with the above-described pattern, for example, a photosensitive varnish of the insulating material is applied to the upper surface of the metal support substrate 15 including the conductor pattern 4, the plating lead 9, and the insulating base layer 3. Then, after drying, it is exposed through a photomask, and after development, it is cured if necessary.
Next, in this method, as shown in FIG. 5E, the plating layer 8 is formed on the surface of the terminal portion 7 and the surface of the plating lead 9 corresponding to each suspension board with circuit 1.

めっき層８を形成するには、例えば、めっきリード９を除く金属支持基板１５を被覆するように図示しないめっきレジストを形成した後、例えば、電解めっきまたは無電解めっき、好ましくは、電解金めっきまたは無電解金めっきする。その後、めっきレジストを除去する。
これにより、金属支持基板１５において、ベース絶縁層３およびカバー絶縁層５と、導体パターン４とを備える、製造途中の複数の回路付サスペンション基板１（半導電性層１０が形成される前の回路付サスペンション基板１）を用意する。 In order to form the plating layer 8, for example, after forming a plating resist (not shown) so as to cover the metal support substrate 15 excluding the plating lead 9, for example, electrolytic plating or electroless plating, preferably electrolytic gold plating or Electroless gold plating. Thereafter, the plating resist is removed.
As a result, a plurality of suspension boards with circuit 1 (manufactured before the semiconductive layer 10 is formed) including the base insulating layer 3, the cover insulating layer 5, and the conductor pattern 4 in the metal supporting board 15. A suspension board 1) is prepared.

この製造途中の複数の回路付サスペンション基板１では、導体パターン４は、カバー絶縁層５に被覆される配線６と、カバー絶縁層５から露出し、その表面にめっき層８が形成される端子部７とを一体的に備えている。また、製造途中の複数の回路付サスペンション基板１では、導体パターン４がめっきリード９（図２参照）に接続されている。
次いで、この方法では、図５（ｆ）に示すように、半導電性層１０を、カバー絶縁層５の表面およびベース絶縁層３の表面に、各回路付サスペンション基板１に対応して形成する。 In the plurality of suspension boards with circuit 1 being manufactured, the conductor pattern 4 is exposed from the wiring 6 covered with the insulating cover layer 5 and the terminal portion where the plating layer 8 is formed on the surface thereof. 7 is provided integrally. Further, in the plurality of suspension boards with circuit 1 that are being manufactured, the conductor pattern 4 is connected to the plating lead 9 (see FIG. 2).
Next, in this method, as shown in FIG. 5 (f), the semiconductive layer 10 is formed on the surface of the insulating cover layer 5 and the surface of the insulating base layer 3 corresponding to each suspension board with circuit 1. .

半導電性層１０を形成するには、まず、図５（ｅ）の工程が終了した金属支持基板１５を、図６に示すように、電極１６が設けられている導電性ポリマーの重合液に浸漬して、導体パターン４が陰極１３となるように電圧を印加する。
導電性ポリマーの重合液は、例えば、導電性ポリマーを重合するためのモノマーおよび溶媒を配合することにより調製されている。 In order to form the semiconductive layer 10, first, the metal support substrate 15 after the step of FIG. 5 (e) is changed to a conductive polymer polymerization solution provided with electrodes 16 as shown in FIG. 6. Immersion is performed, and a voltage is applied so that the conductor pattern 4 becomes the cathode 13.
The conductive polymer polymerization solution is prepared, for example, by blending a monomer and a solvent for polymerizing the conductive polymer.

モノマーとしては、例えば、アニリン、ピロール、チオフェンなどが用いられ、好ましくは、アニリンが用いられる。これらモノマーは、単独使用または２種以上併用することができる。
溶媒としては、例えば、水、酸性水溶液などが用いられ、好ましくは、酸性水溶液が用いられる。酸性水溶液を形成する酸性成分としては、例えば、塩酸、硝酸、硫酸、リン酸などの無機酸、例えば、ギ酸、酢酸、シュウ酸などの有機酸などが用いられる。 As the monomer, for example, aniline, pyrrole, thiophene or the like is used, and aniline is preferably used. These monomers can be used alone or in combination of two or more.
As the solvent, for example, water, an acidic aqueous solution, or the like is used, and an acidic aqueous solution is preferably used. Examples of the acidic component that forms the acidic aqueous solution include inorganic acids such as hydrochloric acid, nitric acid, sulfuric acid, and phosphoric acid, and organic acids such as formic acid, acetic acid, and oxalic acid.

導電性ポリマーの重合液において、モノマーの濃度は、例えば、０．００５〜０．５ｍｏｌ／Ｌ、好ましくは、０．０１〜０．１ｍｏｌ／Ｌであり、溶媒が酸性水溶液である場合における酸性成分の濃度は、例えば、０．００２〜０．１ｍｏｌ／Ｌ、好ましくは、０．００５〜０．０５ｍｏｌ／Ｌである。
また、導電性ポリマーの重合液は、重合槽１９に注入されている。 In the conductive polymer polymerization solution, the monomer concentration is, for example, 0.005 to 0.5 mol / L, preferably 0.01 to 0.1 mol / L, and the acidic component when the solvent is an acidic aqueous solution. The concentration of is, for example, 0.002 to 0.1 mol / L, preferably 0.005 to 0.05 mol / L.
A conductive polymer polymerization solution is poured into the polymerization tank 19.

電極１６は、直流電源１１からの電圧の印加により陽極１２となる電極であって、導電性ポリマーの重合液に浸漬されるように重合槽１９内に挿入されており、金属支持基板１５（製造途中の回路付サスペンション基板シート２０）と間隔を隔てて対向配置される。電極１６は、平板電極からなり、例えば、白金などの金属材料から形成されている。なお、電極１６は、例えば、棒状電極から形成することができる。 The electrode 16 is an electrode that becomes the anode 12 by application of a voltage from the DC power source 11 and is inserted into the polymerization tank 19 so as to be immersed in a polymerization solution of a conductive polymer. It is disposed opposite to the suspension board sheet with circuit 20) in the middle with a space therebetween. The electrode 16 is made of a flat plate electrode, and is made of, for example, a metal material such as platinum. In addition, the electrode 16 can be formed from a rod-shaped electrode, for example.

そして、金属支持基板１５を、導電性ポリマーの重合液に浸漬されるように重合槽１９内に挿入する。
次いで、直流電源１１の陽極側端子２５に、導線１４を介して、電極１６を接続するとともに、直流電源１１の陰極側端子２６に、導線１４を介して、めっきリード９を接続する。そして、この直流電源１１が電圧を印加することによって、電極１６が陽極１２となり、導体パターン４が陰極１３となる。 And the metal support substrate 15 is inserted in the polymerization tank 19 so that it may be immersed in the polymerization liquid of a conductive polymer.
Next, the electrode 16 is connected to the anode side terminal 25 of the DC power source 11 via the lead wire 14, and the plating lead 9 is connected to the cathode side terminal 26 of the DC power source 11 via the lead wire 14. When the DC power source 11 applies a voltage, the electrode 16 becomes the anode 12 and the conductor pattern 4 becomes the cathode 13.

直流電源１１の電圧の印加では、その電圧が、例えば、１．０Ｖ以上、好ましくは、１．５Ｖ以上、さらに好ましくは、２．０Ｖ以上、通常、３．０以下となるように設定する。
次いで、上記した導電性ポリマーの重合液に重合開始剤を配合する。
重合開始剤としては、例えば、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル、２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオンアミジン）二硫酸塩、２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオンアミジン）二塩酸塩などのアゾ系開始剤、例えば、過硫酸カリウム（ペルオキソ二硫酸カリウム）、過硫酸アンモニウム（ペルオキソ二硫酸アンモニウム）などの過硫酸塩系開始剤、例えば、ベンゾイルパーオキサイド、ｔ−ブチルハイドロパーオキサイド、過酸化水素などの過酸化物系開始剤、例えば、フェニル置換エタンなどの置換エタン系開始剤、例えば、芳香族カルボニル化合物などのカルボニル系開始剤、例えば、過硫酸塩と亜硫酸水素ナトリウムとの組合せ、過酸化物とアスコルビン酸ナトリウムとの組合せなどのレドックス系開始剤などが用いられる。これら重合開始剤は、単独使用または２種以上併用することができる。 When the voltage of the DC power supply 11 is applied, the voltage is set to be, for example, 1.0 V or higher, preferably 1.5 V or higher, more preferably 2.0 V or higher, usually 3.0 or lower.
Next, a polymerization initiator is blended in the polymerization solution of the conductive polymer described above.
Examples of the polymerization initiator include 2,2′-azobisisobutyronitrile, 2,2′-azobis (2-methylpropionamidine) disulfate, and 2,2′-azobis (2-methylpropionamidine). Azo initiators such as dihydrochloride, for example persulfate initiators such as potassium persulfate (potassium peroxodisulfate), ammonium persulfate (ammonium peroxodisulfate), such as benzoyl peroxide, t-butyl hydroperoxide Peroxide initiators such as hydrogen peroxide, substituted ethane initiators such as phenyl-substituted ethane, carbonyl initiators such as aromatic carbonyl compounds, such as persulfate and sodium bisulfite Combinations, redox initiators such as combinations of peroxides and sodium ascorbate, etc. That. These polymerization initiators can be used alone or in combination of two or more.

また、重合開始剤を導電性ポリマーの重合液に配合するには、必要により、重合開始剤を溶媒に溶解させた重合開始剤溶液を調製し、この重合開始剤溶液を配合することもできる。なお、重合開始剤溶液の調製において用いられる溶媒は、重合液の調製に用いられる溶媒と同様のものが用いられる。
重合開始剤（または重合開始剤溶液）が配合されたときの、重合液においては、重合開始剤の濃度が、例えば、０．００２〜０．２ｍｏｌ／Ｌ、好ましくは、０．００５〜０．１ｍｏｌ／Ｌである。 Moreover, in order to mix | blend a polymerization initiator with the polymerization liquid of a conductive polymer, the polymerization initiator solution which dissolved the polymerization initiator in the solvent can be prepared as needed, and this polymerization initiator solution can also be mix | blended. The solvent used in preparing the polymerization initiator solution is the same as the solvent used in preparing the polymerization solution.
In the polymerization liquid when the polymerization initiator (or polymerization initiator solution) is blended, the concentration of the polymerization initiator is, for example, 0.002 to 0.2 mol / L, preferably 0.005 to 0.00. 1 mol / L.

また、重合開始剤を配合した後、電圧の印加を継続しながら、例えば、５〜１８０分間、好ましくは、１０〜１００分間、各回路付サスペンション基板１のベース絶縁層３の表面およびカバー絶縁層５の表面に導電性ポリマーを重合および析出させる。
上記した浸漬において、導電性ポリマーの重合液は、その浸漬温度が、例えば、１〜４０℃、好ましくは、５〜２５℃に設定される。 Further, after the polymerization initiator is blended, the surface of the base insulating layer 3 and the insulating cover layer of each suspension board with circuit 1 are covered, for example, for 5 to 180 minutes, preferably for 10 to 100 minutes, while applying voltage. The conductive polymer is polymerized and deposited on the surface of 5.
In the above immersion, the polymerization temperature of the conductive polymer is set to 1 to 40 ° C., preferably 5 to 25 ° C., for example.

これにより、各回路付サスペンション基板１において、導電性ポリマーからなる半導電性層１０が、絶縁層の表面、すなわち、カバー絶縁層５の表面およびベース絶縁層３の表面において析出するように重合され形成される。
その後、金属支持基板１５を重合槽１９から引き上げて水洗する。
次いで、この方法では、必要により、半導電性層１０の導電性ポリマーをドーピングする。 Thereby, in each suspension board with circuit 1, the semiconductive layer 10 made of a conductive polymer is polymerized so as to be deposited on the surface of the insulating layer, that is, the surface of the cover insulating layer 5 and the surface of the base insulating layer 3. It is formed.
Thereafter, the metal support substrate 15 is pulled up from the polymerization tank 19 and washed with water.
Next, in this method, if necessary, the conductive polymer of the semiconductive layer 10 is doped.

半導電性層１０の導電性ポリマーをドーピングするには、金属支持基板１５（半導電性層１０が形成された複数の回路付サスペンション基板１）を、ドーピング剤を溶解した溶液（ドーピング剤溶液）に浸漬する。
ドーピング剤は、導電性ポリマーに導電性を付与するものであって、例えば、ｐ−トルエンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、アルキルナフタレンスルホン酸、ポリスチレンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸ノボラック樹脂、ｐ−フェノールスルホン酸ノボラック樹脂、β−ナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物などが用いられる。これらドーピング剤は、単独使用または２種以上併用することができる。 In order to dope the conductive polymer of the semiconductive layer 10, a metal support substrate 15 (a plurality of suspension boards with circuit 1 on which the semiconductive layer 10 is formed) is dissolved in a solution (doping agent solution) in which a doping agent is dissolved. Immerse in.
The doping agent imparts conductivity to the conductive polymer. For example, p-toluenesulfonic acid, dodecylbenzenesulfonic acid, alkylnaphthalenesulfonic acid, polystyrenesulfonic acid, p-toluenesulfonic acid novolak resin, p-toluene Phenolsulfonic acid novolak resin, β-naphthalenesulfonic acid formalin condensate and the like are used. These doping agents can be used alone or in combination of two or more.

ドーピング剤を溶解するための溶媒としては、例えば、水、メタノールなどが用いられる。
ドーピング剤溶液の調製においては、ドーピング剤の濃度が、例えば、５〜１００重量％、好ましくは、１０〜５０重量％となるように、溶媒を配合する。
金属支持基板１５のドーピング剤溶液への浸漬時間は、例えば、３０秒〜３０分、好ましくは、１〜１０分に設定される。 As a solvent for dissolving the doping agent, for example, water, methanol or the like is used.
In the preparation of the doping agent solution, the solvent is blended so that the concentration of the doping agent is, for example, 5 to 100% by weight, preferably 10 to 50% by weight.
The immersion time of the metal support substrate 15 in the doping agent solution is set to, for example, 30 seconds to 30 minutes, preferably 1 to 10 minutes.

また、ドーピング剤溶液の浸漬（ドーピング）温度は、例えば、１０〜７０℃、好ましくは、２０〜６０℃に設定される。
上記した半導電性層１０の導電性ポリマーのドーピングにより、導電性ポリマーに導電性が付与される。
また、導電性ポリマーがドーピングされた、半導電性層１０の表面抵抗値は、例えば、１×１０^５〜１×１０^１２Ω／□、好ましくは、１×１０^６〜１×１０^１１Ω／□である。なお、半導電性層１０の表面抵抗値は、例えば、ＭＩＴＳＵＢＩＳＨＩＰＥＴＲＯＣＨＥＭＩＣＡＬ社製のＨｉｒｅｓｔａＩＰＭＣＰ−ＨＴ２６０（プローブ：ＨＲＳ）を用いて測定することができる。 Further, the immersion (doping) temperature of the doping agent solution is set to, for example, 10 to 70 ° C, preferably 20 to 60 ° C.
Conductivity is imparted to the conductive polymer by doping the conductive polymer of the semiconductive layer 10 described above.
The surface resistance value of the semiconductive layer 10 doped with the conductive polymer is, for example, 1 × 10 ⁵ to 1 × 10 ¹² Ω / □, preferably 1 × 10 ⁶ to 1 × 10 ¹¹ Ω / □. □. In addition, the surface resistance value of the semiconductive layer 10 can be measured using, for example, HIRESTA IP MCP-HT260 (probe: HRS) manufactured by MITSUBISHI PETROCHEMICAL.

その後、この方法では、金属支持基板１５（導電性ポリマーがドーピングされた半導電性層１０が形成された複数の回路付サスペンション基板１）をさらに水洗する。
次いで、この方法では、図５（ｇ）に示すように、金属支持基板１５に、化学エッチングなどによって隙間溝１７を形成することにより、支持枠２１にジョイント部２２を介して支持される金属支持層２を形成し、複数の回路付サスペンション基板１を得る。 Thereafter, in this method, the metal supporting board 15 (the plurality of suspension boards with circuit 1 on which the semiconductive layer 10 doped with the conductive polymer is formed) is further washed with water.
Next, in this method, as shown in FIG. 5G, a metal support supported by the support frame 21 via the joint portion 22 by forming the gap groove 17 in the metal support substrate 15 by chemical etching or the like. The layer 2 is formed to obtain a plurality of suspension boards with circuits 1.

その後、各回路付サスペンション基板１では、図２が参照されるように、ジョイント部２２を切断した後、導体パターン４を導通検査し、その後、切り目９に沿って、めっきリード９を切り離す。
そして、この回路付サスペンション基板１の製造方法では、金属支持基板１５（製造途中の複数の回路付サスペンション基板１）を、電極１６が設けられている導電性ポリマーの重合液に浸漬して、電極１６が陽極１２となり、導体パターン４が陰極１３となるように、直流電源１１により電圧を印加する。そのため、陽極１２では、電子を直流電源１１に供給する一方で、陰極１３では、電子を直流電源１１から受け取るという電気分解の原理により、陰極１３となる導体パターン４を形成する導体材料は、たとえ、端子部７において露出していても、導電性ポリマーの重合液に溶解しにくくなる。 Thereafter, in each suspension board with circuit 1, as shown in FIG. 2, after the joint portion 22 is cut, the conductor pattern 4 is inspected for continuity, and then the plating lead 9 is cut along the cut line 9.
In this method of manufacturing the suspension board with circuit 1, the metal support board 15 (a plurality of suspension boards with circuit 1 being manufactured) is immersed in a polymerization solution of a conductive polymer provided with the electrode 16, A voltage is applied by the DC power supply 11 so that 16 becomes the anode 12 and the conductor pattern 4 becomes the cathode 13. Therefore, while the anode 12 supplies electrons to the DC power supply 11, the cathode 13 receives the electrons from the DC power supply 11, and the conductor material that forms the conductor pattern 4 that becomes the cathode 13 is based on the principle of electrolysis. Even if it is exposed at the terminal portion 7, it becomes difficult to dissolve in the polymerization solution of the conductive polymer.

そのため、端子部７における腐食を防止できながら、半導電性層１０をカバー絶縁層５の表面およびベース絶縁層３の表面に形成することができる。
その結果、端子部７における変色を防止できながら、得られた回路付サスペンション基板１の静電気の帯電を効率的に除去することができる。
また、この回路付サスペンション基板１の製造方法では、端子部７を保護するために、その表面にめっき層８を形成しているが、導電性ポリマーの重合液に浸漬すると、めっき層８の周端部とカバー絶縁層５およびベース絶縁層３との界面に、導電性ポリマーの重合液が浸透して、端子部７を腐食させるおそれがある。しかし、この方法では、上記した電圧の印加に基づく電気分解の原理により、端子部７における導体材料は溶解しにくくなっているので、かかる腐食のおそれは少なく、そのため、端子部７における変色を有効に防止することができる。 Therefore, the semiconductive layer 10 can be formed on the surface of the insulating cover layer 5 and the surface of the insulating base layer 3 while preventing corrosion at the terminal portion 7.
As a result, the electrostatic charge of the obtained suspension board with circuit 1 can be efficiently removed while preventing discoloration in the terminal portion 7.
Further, in this manufacturing method of the suspension board with circuit 1, the plating layer 8 is formed on the surface thereof in order to protect the terminal portion 7, but when immersed in a conductive polymer polymerization solution, the periphery of the plating layer 8 is formed. There is a risk that the polymer solution of the conductive polymer may permeate into the interface between the end portion and the insulating cover layer 5 and the insulating base layer 3 to corrode the terminal portion 7. However, in this method, the electroconductive principle based on the application of voltage described above makes it difficult for the conductor material in the terminal portion 7 to dissolve, so there is little risk of such corrosion. Can be prevented.

また、製造途中の回路付サスペンション基板１において、導体パターン４の導体材料が銅である場合には、その銅は導電性ポリマーの重合液への浸漬によって、溶解し易いが、上記した電気分解の原理により、導体パターン４を形成する銅は溶解しにくくなる。
そのため、端子部７における銅の腐食のおそれが少なく、その結果、端子部７における変色を有効に防止することができる。 In addition, in the suspension board with circuit 1 in the course of manufacturing, when the conductor material of the conductor pattern 4 is copper, the copper is easily dissolved by immersion in the polymerization solution of the conductive polymer. According to the principle, copper forming the conductor pattern 4 is difficult to dissolve.
Therefore, there is little fear of the copper corrosion in the terminal part 7, As a result, discoloration in the terminal part 7 can be prevented effectively.

また、半導電性層１０の形成時における直流電源１１の電圧の印加において、１．０Ｖ以上の電圧を印加する場合には、端子部７における導体材料の溶解が確実に抑制される。
そのため、端子部７における腐食を確実に防止することができる。その結果、端子部７における変色を確実に防止することができる。
また、この回路付サスペンション基板１の製造方法では、導電性ポリマーがポリアニリンである場合には、得られた回路付サスペンション基板１は、静電気の帯電をより一層効率的に除去することができる。 In addition, when a voltage of 1.0 V or higher is applied in the application of the voltage of the DC power supply 11 when forming the semiconductive layer 10, dissolution of the conductor material in the terminal portion 7 is reliably suppressed.
Therefore, corrosion at the terminal portion 7 can be reliably prevented. As a result, discoloration in the terminal portion 7 can be reliably prevented.
Further, in this method of manufacturing the suspension board with circuit 1, when the conductive polymer is polyaniline, the obtained suspension board with circuit 1 can more efficiently remove static charge.

そのため、端子部７における腐食を確実に防止することができる。その結果、端子部７における変色を確実に防止することができる。
なお、上記した説明では、本発明の配線回路基板を、回路付サスペンション基板１を例示して説明したが、本発明の配線回路基板は、これに限定されず、片面フレキシブル配線回路基板、両面フレキシブル配線回路基板、または、多層フレキシブル配線回路基板、さらには、金属支持層２が補強層として設けられた各種フレキシブル配線回路基板などの他の配線回路基板にも広く適用することができる。 Therefore, corrosion at the terminal portion 7 can be reliably prevented. As a result, discoloration in the terminal portion 7 can be reliably prevented.
In the above description, the wired circuit board of the present invention has been described by taking the suspension board with circuit 1 as an example. However, the wired circuit board of the present invention is not limited to this, and the single-sided flexible wired circuit board and the double-sided flexible board. The present invention can be widely applied to other wiring circuit boards such as a wiring circuit board, a multilayer flexible wiring circuit board, and various flexible wiring circuit boards provided with the metal support layer 2 as a reinforcing layer.

以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例および比較例に限定されない。
（回路付サスペンション基板の製造）
実施例１
厚み２０μｍのステンレスからなる金属支持基板を用意した（図４（ａ）参照）。 Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples and comparative examples. However, the present invention is not limited to the examples and comparative examples.
(Manufacture of suspension board with circuit)
Example 1
A metal support substrate made of stainless steel having a thickness of 20 μm was prepared (see FIG. 4A).

次いで、その金属支持基板の上面に、感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを、スピンコーターを用いて均一に塗布し、次いで、塗布されたワニスを、９０℃で１５分間加熱することにより、ベース皮膜を形成した。その後、そのベース皮膜を、フォトマスクを介して、７００ｍＪ／ｃｍ^２で露光させ、１９０℃で１０分間加熱した後、アルカリ現像液を用いて現像した。その後、１．３３Ｐａに減圧した状態で、３８５℃で硬化させることにより、ポリイミドからなるベース絶縁層を、金属支持基板の上に、各回路付サスペンション基板に対応するパターンで形成した（図４（ｂ）参照）。このベース絶縁層の厚みは１０μｍであった。 Next, a varnish of a photosensitive polyamic acid resin is uniformly applied to the upper surface of the metal support substrate using a spin coater, and then the applied varnish is heated at 90 ° C. for 15 minutes to form a base film. Formed. Thereafter, the base film was exposed at 700 mJ / cm ² through a photomask, heated at 190 ° C. for 10 minutes, and then developed using an alkali developer. Thereafter, the base insulating layer made of polyimide was formed in a pattern corresponding to each suspension board with a circuit on the metal supporting board by curing at 385 ° C. under a reduced pressure of 1.33 Pa (FIG. 4 ( b)). The insulating base layer had a thickness of 10 μm.

次いで、アディティブ法により、銅からなる厚み１５μｍの導体パターンを、各回路付サスペンション基板に対応するパターンで形成するとともに、厚み１５μｍのめっきリードを形成した（図４（ｃ）参照）。各配線間の間隔は３０μｍ、各配線の幅は３０μｍであり、各端子部の長さは２００μｍ、各端子部の幅は２００μｍであった。
次いで、上記した感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを、導体パターン、めっきリードおよびベース絶縁層を含む金属支持基板の上面に、スピンコーターを用いて均一に塗布し、９０℃で１０分間加熱することにより、厚み１５μｍのカバー皮膜を形成した。その後、そのカバー皮膜を、フォトマスクを介して、７００ｍＪ／ｃｍ^２で露光させ、１８０℃で１０分間加熱した後、アルカリ現像液を用いて現像することにより、カバー皮膜をパターンニングした。その後、１．３３Ｐａに減圧した状態で、３８５℃で硬化させた。これにより、ポリイミドからなるカバー絶縁層を、ベース絶縁層上に、配線を被覆しかつ端子部を露出する、各回路付サスペンション基板に対応するパターンで形成した（図４（ｄ）参照）。このカバー絶縁層の厚みは４μｍであった。 Next, a conductive pattern made of copper having a thickness of 15 μm was formed in a pattern corresponding to each suspension board with circuit by an additive method, and a plating lead having a thickness of 15 μm was formed (see FIG. 4C). The interval between each wiring was 30 μm, the width of each wiring was 30 μm, the length of each terminal part was 200 μm, and the width of each terminal part was 200 μm.
Next, the above-described photosensitive polyamic acid resin varnish is uniformly applied to the upper surface of the metal support substrate including the conductor pattern, the plating lead and the base insulating layer using a spin coater, and heated at 90 ° C. for 10 minutes. A cover film having a thickness of 15 μm was formed. Thereafter, the cover film was exposed at 700 mJ / cm ² through a photomask, heated at 180 ° C. for 10 minutes, and then developed using an alkali developer to pattern the cover film. Thereafter, it was cured at 385 ° C. under a reduced pressure of 1.33 Pa. Thus, a cover insulating layer made of polyimide was formed on the base insulating layer in a pattern corresponding to each suspension board with circuit, covering the wiring and exposing the terminal portion (see FIG. 4D). The insulating cover layer had a thickness of 4 μm.

次いで、めっきリードを除く金属支持基板にめっきレジストを形成した後、無電解金めっきすることにより、金めっき層を、端子部の表面に各回路付サスペンション基板に対応して形成するとともに、めっきリードの表面にも形成した。その後、めっきレジストを除去した（図５（ｅ）参照）。この金めっき層の厚みは２．５μｍであった。
次いで、半導電性層を、カバー絶縁層の表面およびベース絶縁層の表面に、各回路付サスペンション基板に対応して形成した（図５（ｆ）参照）。 Next, after forming a plating resist on the metal supporting board excluding the plating lead, by performing electroless gold plating, a gold plating layer is formed on the surface of the terminal portion corresponding to each suspension board with circuit, and the plating lead Also formed on the surface. Thereafter, the plating resist was removed (see FIG. 5E). The thickness of this gold plating layer was 2.5 μm.
Next, a semiconductive layer was formed on the surface of the cover insulating layer and the surface of the base insulating layer corresponding to each suspension board with circuit (see FIG. 5F).

半導電性層の形成では、まず、９８％濃硫酸２．０ｇに、純水約３００ｇおよびアニリン２．５ｇを順次加え、攪拌しながら１０℃になるまで冷却することにより、ポリアニリンの重合液を調製した。また、別途、ペルオキソ二硫酸アンモニウム（過硫酸アンモニウム：ＡＰＳ）１０．７ｇに、純水２０ｇを加え、溶解するまで攪拌し、１０℃になるまで冷却することにより、重合開始剤水溶液を調製した。 In the formation of the semiconductive layer, first, about 300 g of pure water and 2.5 g of aniline were sequentially added to 2.0 g of 98% concentrated sulfuric acid, and the mixture was cooled to 10 ° C. with stirring, whereby a polyaniline polymerization solution was obtained. Prepared. Separately, 20 g of pure water was added to 10.7 g of ammonium peroxodisulfate (ammonium persulfate: APS), stirred until dissolved, and cooled to 10 ° C. to prepare an aqueous polymerization initiator solution.

次いで、白金電極が挿入された重合槽を用意して、この重合槽に上記したポリアニリンの重合液を注入した。次いで、この重合槽に、金属支持基板（製造途中の複数の回路付サスペンション基板）を、白金電極と間隔を隔てて対向配置されるように挿入し、金属支持基板を重合液に浸漬した。次いで、直流電源の陽極側端子に、導線を介して、白金電極を接続するとともに、直流電源の陰極側端子に、導線を介して、めっきリードを接続した。 Next, a polymerization tank in which a platinum electrode was inserted was prepared, and the above polyaniline polymerization solution was poured into the polymerization tank. Next, a metal support substrate (a plurality of suspension substrates with circuits in the process of production) was inserted into the polymerization tank so as to be opposed to the platinum electrode with a space therebetween, and the metal support substrate was immersed in the polymerization solution. Next, a platinum electrode was connected to the anode side terminal of the DC power source via a conducting wire, and a plating lead was connected to the cathode side terminal of the DC power source via a conducting wire.

次いで、白金電極が陽極となり、導体パターンが陰極となるように、直流電源によって、１．０Ｖの電圧を印加した（図６参照）。次いで、電圧の印加を継続しながら、ポリアニリンの重合液に、上記した重合開始剤水溶液を添加して混合し、その後、さらに１０℃で１２分間浸漬することにより、アニリンを重合させて、ベース絶縁層の表面およびカバー絶縁層の表面にポリアニリンを析出させた。 Next, a voltage of 1.0 V was applied by a direct current power source so that the platinum electrode became an anode and the conductor pattern became a cathode (see FIG. 6). Next, while continuing to apply voltage, the above-mentioned polymerization initiator aqueous solution was added to and mixed with the polyaniline polymerization solution, and then immersed in the polymer for 12 minutes at 10 ° C. to polymerize aniline, thereby providing base insulation. Polyaniline was deposited on the surface of the layer and the surface of the insulating cover layer.

なお、重合開始剤水溶液が添加された重合液においては、アニリンの濃度は０．０５ｍｏｌ／Ｌ、硫酸の濃度は０．０４ｍｏｌ／Ｌ、ペルオキソ二硫酸アンモニウムの濃度は０．０９ｍｏｌ／Ｌであった。
その後、金属支持基板を重合槽の重合液から引き上げ、これを水洗後、濃度２０重量％のｐ−フェノールスルホン酸ノボラック樹脂（ＰＰＳＡ）のドーピング剤水溶液に、６０℃で１０分間浸漬することにより、半導電性層のポリアニリンをドーピングした。その後、これを水洗した。なお、このドーピングされたポリアニリンからなる半導電性層の厚みは０．０３μｍであった。また、ドーピングされたポリアニリンからなる半導電性層の表面抵抗値は、１×１０^７〜１×１０^８Ω／□であった。 In the polymerization solution to which the polymerization initiator aqueous solution was added, the aniline concentration was 0.05 mol / L, the sulfuric acid concentration was 0.04 mol / L, and the ammonium peroxodisulfate concentration was 0.09 mol / L.
Thereafter, the metal support substrate was pulled up from the polymerization solution in the polymerization tank, washed with water, and immersed in a doping agent aqueous solution of p-phenolsulfonic acid novolak resin (PPSA) having a concentration of 20% by weight at 60 ° C. for 10 minutes. The semiconductive layer was doped with polyaniline. Thereafter, this was washed with water. The semiconductive layer made of doped polyaniline had a thickness of 0.03 μm. Further, the surface resistance value of the semiconductive layer made of doped polyaniline was 1 × 10 ⁷ to 1 × 10 ⁸ Ω / □.

その後、金属支持基板に、化学エッチングによって隙間溝を形成することにより、支持枠にジョイント部を介して支持される金属支持層を形成して、複数の回路付サスペンション基板を得た（図２および図５（ｇ）参照）。
実施例２
実施例１において、印加する電圧を、１．０Ｖから、１．５Ｖに変更した以外は、実施例１と同様の方法により、複数の回路付サスペンション基板を得た。 Thereafter, a gap groove was formed on the metal support substrate by chemical etching to form a metal support layer supported on the support frame via the joint portion, thereby obtaining a plurality of suspension boards with circuits (see FIG. 2 and FIG. 2). (Refer FIG.5 (g)).
Example 2
In Example 1, a plurality of suspension boards with circuits were obtained by the same method as in Example 1 except that the applied voltage was changed from 1.0 V to 1.5 V.

実施例３
実施例１において、印加する電圧を、１．０Ｖから、２．０Ｖに変更した以外は、実施例１と同様の方法により、複数の回路付サスペンション基板を得た。
比較例１
実施例１において、電圧を印加しなかった、すなわち、印加する電圧を０Ｖに変更した以外は、実施例１と同様の方法により、複数の回路付サスペンション基板を得た。 Example 3
In Example 1, a plurality of suspension boards with circuits were obtained by the same method as in Example 1 except that the applied voltage was changed from 1.0 V to 2.0 V.
Comparative Example 1
In Example 1, a plurality of suspension boards with circuits were obtained by the same method as Example 1 except that no voltage was applied, that is, the applied voltage was changed to 0V.

（評価）
実施例１〜３および比較例１により得られた複数の回路付サスペンション基板の端子部を目視により観察した。
実施例１〜３の回路付サスペンション基板では、端子部に変色は見られなかった。
しかし、比較例１の回路付サスペンション基板では、端子部に変色が見られた。 (Evaluation)
The terminal portions of the plurality of suspension boards with circuit obtained in Examples 1 to 3 and Comparative Example 1 were visually observed.
In the suspension boards with circuits of Examples 1 to 3, no discoloration was observed in the terminal portions.
However, in the suspension board with circuit of Comparative Example 1, discoloration was observed in the terminal portion.

本発明の配線回路基板の製造方法により製造される配線回路基板の一実施形態である回路付サスペンション基板を備える回路付サスペンション基板シートの平面図である。It is a top view of a suspension board sheet with a circuit provided with a suspension board with a circuit which is one embodiment of a wired circuit board manufactured by a manufacturing method of a wired circuit board of the present invention. 図１に示す回路付サスペンション基板の拡大平面図である。FIG. 2 is an enlarged plan view of the suspension board with circuit shown in FIG. 1. 図２に示す回路付サスペンション基板のＡ−Ａ線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the AA line of the suspension board with a circuit shown in FIG. 図３に示す回路付サスペンション基板の製造工程を示す断面図であって、（ａ）は、金属支持基板を用意する工程、（ｂ）は、ベース絶縁層を、金属支持基板の上に形成する工程、（ｃ）は、導体パターンおよびめっきリードを形成する工程、（ｄ）は、カバー絶縁層を、配線を被覆しかつ端子部を被覆するパターンで、ベース絶縁層の上に形成する工程を示す。FIGS. 4A and 4B are cross-sectional views showing a manufacturing process of the suspension board with circuit shown in FIG. 3, wherein FIG. 3A is a process for preparing a metal support board, and FIG. 3B is a process for forming a base insulating layer on the metal support board. Step (c) is a step of forming a conductor pattern and a plating lead. (D) is a step of forming a cover insulating layer on the base insulating layer with a pattern covering the wiring and covering the terminal portion. Show. 図４に続いて、図３に示す回路付サスペンション基板の製造工程を示す断面図であって（ｅ）は、めっき層を、端子部およびめっきリードの表面に形成する工程、（ｆ）は、半導電性層を、カバー絶縁層の表面およびベース絶縁層の表面に形成する工程、（ｇ）は、隙間溝を形成することにより、金属支持層を形成する工程を示す。FIG. 4 is a cross-sectional view showing a manufacturing process of the suspension board with circuit shown in FIG. 3 following FIG. 4, wherein (e) is a step of forming a plating layer on the surface of the terminal portion and the plating lead; Step (g) of forming the semiconductive layer on the surface of the insulating cover layer and the surface of the insulating base layer shows a step of forming a metal support layer by forming a gap groove. 図５（ｆ）に示す半導電性を形成する工程を説明するための概略図である。It is the schematic for demonstrating the process of forming the semiconductivity shown in FIG.5 (f).

Explanation of symbols

１回路付サスペンション基板
３ベース絶縁層
４導体パターン
５カバー絶縁層
６配線
７端子部
８めっき層
１０半導電性層
１２陽極
１３陰極
１６電極 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Suspension board with a circuit 3 Base insulating layer 4 Conductive pattern 5 Cover insulating layer 6 Wiring 7 Terminal part 8 Plating layer 10 Semiconductive layer 12 Anode 13 Cathode 16 Electrode

Claims

Preparing a wiring circuit board comprising an insulating layer, and a conductor pattern having a wiring covered with the insulating layer and a terminal portion exposed from the insulating layer;
The wiring circuit board is immersed in a polymerization solution of a conductive polymer provided with electrodes, and a voltage is applied so that the electrode becomes an anode and the conductor pattern becomes a cathode, and the semiconductive layer is And a step of forming the insulating layer on the surface of the insulating layer.

The method for manufacturing a wired circuit board according to claim 1, wherein in the step of preparing the wired circuit board, a plating layer is formed on a surface of the terminal portion.

The method for manufacturing a printed circuit board according to claim 1, wherein the conductor material forming the conductor pattern is copper.

The method for manufacturing a printed circuit board according to claim 1, wherein a voltage of 1.0 V or more is applied.

The method for manufacturing a printed circuit board according to claim 1, wherein the conductive polymer is polyaniline.