JP2008109751A - 直流電源装置および2重化電源装置 - Google Patents

直流電源装置および2重化電源装置 Download PDF

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Abstract

【課題】 2台の直流電源装置を並列接続した2重化電源装置では、2台の直流電源装置の出力電流が均等にならないため、2重化電源装置の信頼性が低下し、かつ直流電源装置が切り替わったときの電圧変動が大きくなるという課題を解決する。
【解決手段】 各直流電源装置の出力電流値を検出し、出力電流値が大きくなると所定の割合で出力電圧を小さくし、出力電流値が小さくなると出力電圧を大きくするようにした。2台の直流電源装置の出力電流が均等になるので、電源装置の信頼性が高くなり、かつ直流電源が切り替わったときの電圧変動を小さくすることができる。

【選択図】 図1

Description

本発明は直流電力を負荷に供給する直流電源装置、およびこの直流電源装置を2台並列に接続した2重化電源装置に関するものである。
信頼性を向上させることを目的として、電源を2台並列接続した2重化電源装置が用いられる。このような2重化電源装置の構成を図4に示す。図4において、10、11は直流電源であり、それぞれ出力端子Vout、電圧検出端子Vs、マイナス端子COMを有している。この直流電源10、11は出力端子Voutの電圧を電圧検出端子Vsに帰還することによって、出力端子Voutの電圧が一定になるように制御する。直流電源10、11を直接並列に接続すると互いに干渉することがあるので、それぞれショットキバリアダイオード13、14を介して並列に接続し、負荷12に電力を供給する。
このようにすることにより、一方の電源がダウンしても他方の電源から負荷12に電力を供給することができるので、信頼性の高いシステムを構成することができる。なお、2重化電源装置では、直流電源10、11のどちらか片方のみでも負荷12が要求する電流を供給できるように、直流電源10、11の電流容量を選択する。
図4の構成では、ショットキバリアダイオード13、14の順方向降下電圧によって損失が発生し、この損失は直流電源10、11の出力電流が大きくなるほど大きくなるという欠点がある。そのため、ショットキバリアダイオードの代わりに低オン抵抗のMOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)が用いられるようになってきた。
図5にMOSFETを用いた場合の構成を示す。なお、図4と同じ要素には同一符号を付し、説明を省略する。図5において、15、16はMOSFETであり、ショットキバリアダイオード13、14の代わりに用いられている。このMOSFET15、16のオンオフは、それぞれ直流電源10、11にある制御端子CTRLの制御電圧によって制御される。
特開平11−122814号公報
しかしながら、このような2重化電源装置では、直流電源10、11の初期の出力電圧が異なると、各直流電源が分担する電流が異なってしまい、均等に動作しないという課題があった。図6は、図4の2重化電源装置において、負荷12に流れる電流(横軸)を変化させたときの、直流電源10、11の出力電圧と出力電流(分担電流)の変化を測定した実験結果であり、20、21はそれぞれ直流電源10、11の出力電圧の変化、22は負荷に供給される電圧の変化、23、24はそれぞれ直流電源10、11の出力電流の変化を表したグラフである。
この図から明らかなように、各直流電源の出力電流は同じではなく、負荷に流れる電流が大きくなる程出力電流の差は大きくなる。負荷電流が12Aのときの直流電源10と11の出力電流はそれぞれ4.8A、7.2Aであり、それぞれ定格に対して40%、60%になる。なお、ショトキバリアダイオード13、14の順方向電圧降下のために、負荷に供給される電圧22は各直流電源の出力電流20、21より低くなる。
図7は、図5の2重化電源装置において、負荷12に流れる電流(横軸)を変化させたときの、直流電源10、11の出力電圧と出力電流(分担電流)の変化を測定した実験結果であり、25、26はそれぞれ直流電源10、11の出力電圧の変化、27は負荷12に供給される電圧の変化、28、29はそれぞれ直流電源10、11の出力電流の変化を表したグラフである。
この図から明らかなように、各直流電源の出力電流は同じではなく、負荷12に流れる電流が大きくなる程差は大きくなる。負荷電流が12Aのときの直流電源10と11の出力電流はそれぞれ2.8A、9.2Aであり、それぞれ定格に対して23%、77%になる。
図6、図7からわかるように、並列に接続された直流電源の出力電流は均等にならず、初期の出力電圧が高い方が出力電流も大きくなる。一般にショットキバリアダイオードを用いた場合よりもMOSFETを用いた場合の方が降下電圧は小さいので、出力電流の不均一度はMOSFETを用いた場合の方が大きくなる。極端な場合では、一方が全出力電流を負担し、他方は0の場合もあり得る。また、負荷特性がよい(出力電流の変化に対する出力電圧の変化割合が小さい)電源ほど、出力電流の差は大きくなる。
出力電流を均一にするためには、並列接続する直流電源の出力電圧を同じにしなければならないが、そのためには高精度で出力電圧を調整しなければならず、多くの調整時間と設備が必要になるという課題があった。また、出力電圧は周囲温度や経年変化によっても変化するので、完全に一致させることは一般に不可能である。実用的には、±10mV程度が限界であり、出力電流の不均一性を除去することはできない。
出力電流の差が大きくなると、両電源の発熱量に差が発生し、その結果電源寿命に差が発生する。このため、システムの信頼性が低下する。また、片方の電源がダウンして電源が切り替わったときに分担電流に応じた電流変動が発生するので、出力電圧の変動が大きくなるという課題もあった。
従って本発明の目的は、並列接続された電源装置の出力電流を均等化することができる直流電源装置およびそれを用いた2重化電源装置を提供することにある。
このような課題を達成するために、本発明のうち請求項1記載の発明は、
出力電流の値を検出し、この出力電流値に関連する信号を出力する電流検出部と、
その出力電圧を一定に制御すると共に、前記電流検出部の出力を用いて、前記出力電流が増加すると所定の割合で前記出力電圧を減少させ、前記出力電流が減少すると所定の割合で前記出力電圧を増加させる電圧制御部と、
を具備したものである。並列接続されたときに、出力電流の差を小さくすることができる。
請求項2記載の発明は、請求項1記載の発明において、
前記電流検出部を、出力電流が流れる経路の途中に配置された抵抗と、この抵抗の両端電圧を検出する増幅回路で構成したものである。構成が簡単になる。
請求項3記載の発明は、
請求項1または請求項2記載の直流電源装置を2台並列に接続したものである。各直流電源の出力電流の差を小さくすることができる。
請求項4記載の発明は、請求項3記載の発明において、
前記直流電源装置の各々の出力側にダイオードを接続するようにしたものである。制御が不要になる。
請求項5記載の発明は、請求項3記載の発明において、
前記直流電源装置の各々の出力側にMOSFETを接続したものである。損失を小さくできる。
以上説明したことから明らかなように、本発明によれば次のような効果がある。
請求項1,2、3、4および5の発明によれば、直流電源装置の出力電流を測定し、この出力電流が大きくなると出力電圧を所定の割合で低下させ、出力電流が小さくなると出力電圧を所定の割合で増加させるようにした。また、この直流電源装置を2台並列に接続して、2重化電源装置を構成した。
出力電流値が均等化されるので発熱量が均一になり、直流電源装置の故障の頻度が低下する。従って、この直流電源装置で2重化電源装置を構成するとこの電源装置の信頼性が増し、この2重化電源装置を用いたシステムの信頼性が向上するという効果がある。
また、並列接続される相手側電源の出力電流を検出しなくても自動的に出力電流が均一化されるので、信号インターフェイスおよび制御が容易になるという効果もある。さらに、数分で均一化されればよいので急激な制御は必要なく、容易に安定な制御ができるという効果もある。
以下本発明を、図面を用いて詳細に説明する。図1は本発明に係る2重化電源装置の一実施例を示す構成図である。なお、図5と同じ要素には同一符号を付し、説明を省略する。図1において、30、31は直流電源であり、所定の出力電圧を有する直流を出力する。これらの直流電源は出力端子Vout、電圧検出端子Vs、マイナス端子COM、制御端子CTRLの他に、負荷電流検出端子Isを有している。負荷電流検出端子Isには自身の出力電流に関する信号が入力される。直流電源10、11はこの負荷電流検出端子Isに入力された信号に基づいて自身の出力電圧を調整する。
直流電源30、31の出力端子Voutの電圧は電圧検出端子Vsに帰還される。これにより、直流電源30、31は、出力電流が変化しても出力電圧を一定値に維持するように制御する。また、直流電源30、31の出力電流はそれぞれMOSFET15、16を介して並列に接続され、負荷12の端子+に一定電圧の直流を供給する。負荷12の端子−は直流電源30、31のマイナス端子COMに接続される。また、MOSFET15、16のオンオフは、それぞれ直流電源30,31の制御端子CTRLの制御信号によって制御される。
32は抵抗であり、その両端は直流電源30の負荷電流検出端子Isとマイナス端子COMに接続される。33は抵抗であり、その両端は直流電源31の負荷電流検出端子Isとマイナス端子COMに接続される。抵抗32、33の抵抗値は出力電流の範囲によって異なるが、例えば0.003Ωが用いられる。
直流電源30の出力電流は負荷12を経由して抵抗32に流れ、抵抗32の両端には出力電流に比例する電圧が発生する。このため、負荷電流検出端子Isには出力電流に比例する電圧が入力される。直流電源30は、この負荷電流検出端子Isに入力される電圧が大きくなると出力電圧を所定の割合で低下させ、小さくなると出力電圧を所定の割合で増加させる。負荷12の負荷は一定なので、出力電流は出力電圧と同方向に増減する。
直流電源31も同様に動作する。抵抗33の両端には、直流電源31の出力電流値に比例する電圧が発生し、この電圧は負荷電流検出端子Isに入力される。直流電源31は、この電圧が大きくなると所定の割合で出力電圧を低下させ、小さくなると所定の割合で増加させる。出力電流は、出力電圧と同方向に増減する。
直流電源30の出力電流が直流電源31のそれより大きいと、抵抗32の両端電圧が同33の両端電圧よりも大きくなり、直流電源30の出力電圧はより低下する。そのため、直流電源30の出力電流は小さくなり、直流電源31の出力電流に近づく。このように、直流電源30と31の出力電流は等しくなるように制御される。
抵抗32と33の抵抗値を同じ値にし、直流電源30と31に同じ特性の電源を用いることにより、両電源の出力電流をほぼ同じ値に制御することができる。また、直流電源30と31の出力電圧調整特性が異なっても、それに伴って抵抗32、33の抵抗値を調整すれば、同じ効果が得られる。
図2に、直流電源30の構成の一例を示す。なお、この電源はシリーズパスレギュレータの例である。また、図1と同じ要素には同一符号を付し、説明を省略する。図2において、40は増幅回路であり、マイナス端子COMと負荷電流検出端子Is間に接続された抵抗32両端に発生する電圧を差動入力回路で受け、インピーダンス変換して出力する。抵抗32と増幅回路40で電流検出回路を構成している。増幅回路40は、増幅率が1以下の場合も含まれる。
41は電圧制御部であり、電圧源42の出力電圧を、基準電圧源43の出力電圧で決まる一定電圧に制御する。電圧制御部41の出力電圧をVとすると、このVが増加するとA点の電圧が高くなり、トランジスタ44のベース電流が増加する。そのため、トランジスタ45のベース電流が減少して、電圧Vを下げる。このようにして、出力端子Voutに流れる電流が変化しても、電圧Vを一定値に保つ。
増幅回路40の出力電圧は、抵抗46を介してA点に印可される。負荷12に流れる電流が増加すると抵抗32両端の電圧が増加し、A点の電圧を引き上げる。このため、電圧Vが上昇したのと同じことになり、電圧Vは低下する。このように、負荷12に供給される電圧は出力電流が増加するに伴って低くなり、その結果出力電流は減少する。直流電源31も同じ構成を有し、直流電源30と同様に動作するので直流電源30、31の出力電流は同じ値に近づく。
図3に、負荷12に接続した時点で直流電源30と31の出力電圧が20mVずれていた場合における、負荷12に流れる負荷電流を変化させたときの、各電源の出力電流の変化を示す。横軸は負荷12に流れる負荷電流(直流電源30と31から供給される合計電流)、縦軸は直流電源30、31の出力電流(分担電流)と負荷12に供給される電圧である。
図3において、50、51はそれぞれ直流電源10、11の出力電圧、52は負荷12に供給される電圧の変化を表したグラフである。MOSFET15、16に抵抗成分があるので、負荷12に供給される電圧と直流電源10、11の出力電圧の差は、負荷12に流れる電流が増加すると共に大きくなる。
53、54はそれぞれ直流電源30、31の出力電流の変化を表したグラフである。直流電源30、31の出力電流は負荷電流が増加するに従って増加するが、その差は負荷電流の大きさに関わらずほぼ一定となり、かつ図6、図7の場合より小さくなる。負荷電流が12A(最大値)における直流電源30と31の出力電流はそれぞれ5.6A、6.4Aになり、定格に対してそれぞれ47%、53%になる。図7では23%、77%であったので、かなり改善されたことがわかる。
なお、図2ではシリーズパス電源について説明したが、スイッチング電源にも応用することができる。また、ショットキバリアダイオードを含むダイオードを用いた2重化電源に適用することもできる。
本発明の一実施例を示す構成図である。 本発明に係る直流電源装置の内部構成図である。 本発明の効果を示す特性図である。 従来の、ショットキバリアダイオードを用いた2重化電源装置の構成図である。 従来の、MOSFETを用いた2重化電源装置の構成図である。 ショットキバリアダイオードを用いた2重化電源装置の特性図である。 MOSFETを用いた2重化電源装置の特性図である。
符号の説明
12 負荷
15、16 MOSFET
30、31 直流電源
32、33 抵抗
40 増幅回路
41 電圧制御部
42 電圧源
43 基準電源
44、45 トランジスタ
50、51 出力電圧
52 負荷に供給される電圧
53、54 各直流電源の出力電流
Vout 出力端子
COM マイナス端子
Is 負荷電流検出端子

Claims (5)

  1. 出力電流の値を検出し、この出力電流値に関連する信号を出力する電流検出部と、
    その出力電圧を一定に制御すると共に、前記電流検出部の出力を用いて、前記出力電流が増加すると所定の割合で前記出力電圧を減少させ、前記出力電流が減少すると所定の割合で前記出力電圧を増加させる電圧制御部と、
    を具備したことを特徴とする直流電源装置。
  2. 前記電流検出部は、出力電流が流れる経路の途中に配置された抵抗と、この抵抗の両端電圧を検出する増幅回路で構成されることを特徴とする請求項1記載の直流電源装置。
  3. 請求項1または請求項2記載の直流電源装置を2台並列に接続したことを特徴とする2重化電源装置。
  4. 前記直流電源装置の各々の出力側にダイオードが接続されたことを特徴とする請求項3記載の2重化電源装置。
  5. 前記直流電源装置の各々の出力側にMOSFETが接続されたことを特徴とする請求項3記載の2重化電源装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011200016A (ja) * 2010-03-19 2011-10-06 Sanken Electric Co Ltd 電源装置
JP5530009B1 (ja) * 2013-07-31 2014-06-25 株式会社計測技術研究所 電源装置

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