JP2008107642A - Liquid crystal display and its manufacturing method - Google Patents

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Norihisa Maeda
典久 前田
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Japan Display Central Inc
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Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a technique advantageous for attaining higher yield in manufacture of a liquid crystal display including a step for cutting an insulating substrate. <P>SOLUTION: The liquid crystal display is provided with substrates SUB1 and SUB2 opposed to each other, a frame-shaped sealing resin layer SL interposed between the substrates SUB1 and SUB2, an alignment layer AL1 with which a first principal surface opposed to the substrate SUB2 of the substrate SUB1 is coated on the inner side of the frame-shaped sealing resin layer SL, an alignment layer AL2 with which a second principal surface opposed to the substrate SUB1 of the substrate SUB2 is coated on the inner side of the frame-shaped sealing resin layer SL, a liquid crystal material LC with which a space enclosed by the substrates SUB1 and SUB2 and the frame-shaped sealing resin layer SL is filled and a peeling layer AL1' which is composed of the same material as the alignment layer AL1 and with which a peripheral part of the first principal surface is coated and which encloses the frame-shaped sealing resin layer SL. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、液晶表示装置及びその製造方法に関する。   The present invention relates to a liquid crystal display device and a manufacturing method thereof.

液晶表示装置は、例えば、以下の方法により製造する。
まず、各々の一方の主面上に電極又は複数の電極が形成された第1及び第2絶縁基板を準備する。そして、各絶縁基板の電極又は複数の電極が形成された主面上に、複数の配向膜を、それら配向膜が互いから離間するように及び各電極が配向膜で被覆されるように形成する。
The liquid crystal display device is manufactured, for example, by the following method.
First, first and second insulating substrates each having an electrode or a plurality of electrodes formed on one main surface are prepared. Then, a plurality of alignment films are formed on the main surface of each insulating substrate or on the main surface on which the plurality of electrodes are formed so that the alignment films are separated from each other and each electrode is covered with the alignment film. .

次に、第1絶縁基板の上記主面上に、接着剤を用いて複数の枠形封止樹脂層を形成する。これら枠形封止樹脂層は、第1絶縁基板上に形成されている配向膜がそれぞれ枠形封止樹脂層に取り囲まれるように形成する。また、各枠形封止樹脂層には、後で注入口として利用するための開口を設けておく。   Next, a plurality of frame-shaped sealing resin layers are formed on the main surface of the first insulating substrate using an adhesive. These frame-shaped sealing resin layers are formed so that the alignment films formed on the first insulating substrate are respectively surrounded by the frame-shaped sealing resin layers. Each frame-shaped sealing resin layer is provided with an opening for later use as an injection port.

その後、これら絶縁基板を、第2絶縁基板上に形成された配向膜が第1絶縁基板上の枠形封止樹脂層内にそれぞれ位置するように貼り合せる。これにより、大判パネルを得る。   Thereafter, these insulating substrates are bonded so that the alignment films formed on the second insulating substrate are positioned in the frame-shaped sealing resin layer on the first insulating substrate. Thereby, a large format panel is obtained.

次に、大判パネルの一方の絶縁基板を、枠形封止樹脂層間の位置で枠形封止樹脂層に沿って割断する。続いて、大判パネルの他方の絶縁膜を同様に割断する。これにより、複数の液晶セルを得る。   Next, one insulating substrate of the large panel is cleaved along the frame-shaped sealing resin layer at a position between the frame-shaped sealing resin layers. Subsequently, the other insulating film of the large format panel is similarly cleaved. Thereby, a plurality of liquid crystal cells are obtained.

次いで、各液晶セルの一対の基板と枠形封止樹脂層とに囲まれた空間に、先の注入口から液晶材料を注入する。注入口を樹脂で塞いだ後、必要に応じて、液晶セルへの光学フィルムの貼り付けなどを行う。さらに、このようにして得られた表示パネルを、外部回路と接続し、必要に応じてバックライトなどと組み合わせる。これにより、液晶表示装置を完成する。   Next, a liquid crystal material is injected from the previous injection port into a space surrounded by the pair of substrates and the frame-shaped sealing resin layer of each liquid crystal cell. After filling the inlet with resin, if necessary, an optical film is attached to the liquid crystal cell. Further, the display panel thus obtained is connected to an external circuit and combined with a backlight or the like as necessary. Thereby, a liquid crystal display device is completed.

これに代表されるように、液晶表示装置製造プロセスの多くは、絶縁基板を割断する工程を含んでいる。そのようなプロセスでは、枠形封止樹脂層がそれに許されている領域からはみ出すことがある。この場合、絶縁基板を複数の断片へと割断したときに、それら断片同士が枠形封止樹脂層を介して繋がったままとなる可能性がある。   As represented by this, many of the liquid crystal display device manufacturing processes include a step of cleaving the insulating substrate. In such a process, the frame-shaped sealing resin layer may protrude from the region where it is allowed. In this case, when the insulating substrate is divided into a plurality of pieces, the pieces may remain connected via the frame-shaped sealing resin layer.

断片同士が枠形封止樹脂層を介して繋がっていると、それら断片の分離が妨げられる。しかも、この場合、それら断片の1つが、他の断片を傷つける可能性がある。   If the fragments are connected to each other via the frame-shaped sealing resin layer, separation of the fragments is prevented. Moreover, in this case, one of the fragments may damage the other fragment.

本発明の目的は、絶縁基板を割断する工程を含んだ液晶表示装置の製造でより高い歩留まりを実現するのに有利な技術を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a technique advantageous for realizing a higher yield in the manufacture of a liquid crystal display device including a step of cleaving an insulating substrate.

本発明の第1側面によると、互いに向き合った第1及び第2基板と、前記第1及び第2基板間に介在した枠形封止樹脂層と、前記第1基板の前記第2基板と向き合った第1主面を前記枠形封止樹脂層の内側で被覆した第1配向膜と、前記第2基板の前記第1基板と向き合った第2主面を前記枠形封止樹脂層の内側で被覆した第2配向膜と、前記第1及び第2基板と前記枠形封止樹脂層とに囲まれた空間を満たした液晶材料と、前記第1配向膜と同じ材料からなり、前記第1主面の周縁部を被覆して前記枠形封止樹脂層を取り囲んだ第1剥離層とを具備したことを特徴とする液晶表示装置が提供される。   According to the first aspect of the present invention, the first and second substrates facing each other, the frame-shaped sealing resin layer interposed between the first and second substrates, and the second substrate of the first substrate facing each other. A first alignment film covering the first main surface with the inside of the frame-shaped sealing resin layer, and a second main surface of the second substrate facing the first substrate inside the frame-shaped sealing resin layer. A liquid crystal material filling a space surrounded by the first and second substrates and the frame-shaped sealing resin layer, and the same material as the first alignment film, There is provided a liquid crystal display device comprising a first release layer covering a peripheral portion of one main surface and surrounding the frame-shaped sealing resin layer.

本発明の第2側面によると、第1基板の第1主面を部分的に被覆した第1配向膜を形成する工程と、第2基板の第2主面を部分的に被覆した第2配向膜を形成する工程と、前記第1主面上に前記第1配向膜を取り囲むと共に前記第1配向膜と同じ材料からなる第1剥離層を形成する工程と、前記第1基板と前記第2基板とを枠形封止樹脂層を介して貼り合せて、前記第1及び第2配向膜が向き合い且つ前記枠形封止樹脂層が前記第1配向膜と前記第1剥離層との間に位置した大判パネルを形成する工程と、前記大判パネルの前記第1基板を前記第1剥離層の位置で前記枠形封止樹脂層に沿って割断する工程とを含んだことを特徴とする液晶表示装置の製造方法が提供される。   According to the second aspect of the present invention, a step of forming a first alignment film partially covering the first main surface of the first substrate, and a second alignment partially covering the second main surface of the second substrate. Forming a film; forming a first release layer that surrounds the first alignment film on the first main surface and is made of the same material as the first alignment film; and the first substrate and the second A substrate is bonded via a frame-shaped sealing resin layer, the first and second alignment films face each other, and the frame-shaped sealing resin layer is between the first alignment film and the first release layer. A step of forming a positioned large panel, and a step of cleaving the first substrate of the large panel along the frame-shaped sealing resin layer at the position of the first release layer. A method for manufacturing a display device is provided.

本発明の第3側面によると、第1基板の第1主面を部分的に被覆した第1配向膜を形成する工程と、第2基板の第2主面を部分的に被覆した第2配向膜を形成する工程と、前記第1主面上に前記第1配向膜を取り囲むと共に前記第1配向膜と同じ材料からなる第1剥離層を形成する工程と、前記第2主面上に前記第2配向膜を取り囲むと共に前記第2配向膜と同じ材料からなる第2剥離層を形成する工程と、前記第1主面上であって前記第1剥離層の外側に前記第1配向膜と同じ材料からなる第3剥離層を形成する工程と、前記第1基板と前記第2基板とを枠形封止樹脂層及びダミー封止樹脂層を介して貼り合せて、前記第1及び第2配向膜が向き合い、前記枠形封止樹脂層が前記第1配向膜と前記第1剥離層との間であって前記第2配向膜と前記第2剥離層との間に位置し、前記ダミー封止樹脂層が前記第3剥離層上に位置した大判パネルを形成する工程と、前記大判パネルの前記第1基板を前記第1剥離層の位置で前記枠形封止樹脂層に沿って割断する工程と、前記大判パネルの前記第1基板を前記第1剥離層の位置で前記枠形封止樹脂層に沿って割断する工程とを含んだことを特徴とする液晶表示装置の製造方法が提供される。   According to the third aspect of the present invention, a step of forming a first alignment film partially covering the first main surface of the first substrate, and a second alignment partially covering the second main surface of the second substrate. Forming a film; forming a first release layer that surrounds the first alignment film on the first main surface and is made of the same material as the first alignment film; and Forming a second release layer that surrounds the second alignment film and made of the same material as the second alignment film; and the first alignment film on the first main surface and outside the first release layer; A step of forming a third release layer made of the same material, and the first substrate and the second substrate are bonded together via a frame-shaped sealing resin layer and a dummy sealing resin layer. An alignment film faces and the frame-shaped sealing resin layer is between the first alignment film and the first release layer, and the second alignment film Forming a large panel positioned between the second release layer and the dummy sealing resin layer on the third release layer; and forming the first substrate of the large panel as the first release layer. Cleaving along the frame-shaped sealing resin layer at the position, and cleaving the first substrate of the large panel along the frame-shaped sealing resin layer at the position of the first release layer. The manufacturing method of the liquid crystal display device characterized by including is provided.

本発明によると、絶縁基板を割断する工程を含んだ液晶表示装置の製造でより高い歩留まりを実現するのに有利な技術が提供される。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the technique advantageous in implement | achieving a higher yield by manufacture of the liquid crystal display device including the process of cleaving an insulated substrate is provided.

以下、本発明の態様について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同様又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In addition, in each figure, the same referential mark is attached | subjected to the component which exhibits the same or similar function, and the overlapping description is abbreviate | omitted.

図1は、本発明の第1及び第2態様に係る方法で製造可能な液晶表示装置の一例を概略的に示す断面図である。   FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing an example of a liquid crystal display device that can be manufactured by the method according to the first and second aspects of the present invention.

この液晶表示装置は、TN(twisted nematic)型の液晶表示装置である。この液晶表示装置は、表示パネルDPを含んでいる。図1では、表示パネルDPの両主面は互いに交差するX方向及びY方向に平行であり、表示パネルDPの厚さ方向はX方向及びY方向と直交するZ方向と平行である。典型的には、X方向及びY方向は互いに直交する。   This liquid crystal display device is a TN (twisted nematic) type liquid crystal display device. This liquid crystal display device includes a display panel DP. In FIG. 1, both main surfaces of the display panel DP are parallel to the X direction and the Y direction intersecting each other, and the thickness direction of the display panel DP is parallel to the Z direction orthogonal to the X direction and the Y direction. Typically, the X direction and the Y direction are orthogonal to each other.

表示パネルDPは、アレイ基板ASと対向基板CSとを含んでいる。アレイ基板ASと対向基板CSとは、僅かな間隙を隔てて向き合っている。アレイ基板AS及び対向基板CSの構造については、後で詳述する。   The display panel DP includes an array substrate AS and a counter substrate CS. The array substrate AS and the counter substrate CS face each other with a slight gap. The structures of the array substrate AS and the counter substrate CS will be described later in detail.

アレイ基板ASと対向基板CSとの間隙は、図示しないスペーサによって形成されている。これらスペーサは、例えば、アレイ基板AS及び/又は対向基板CSの一部として形成された柱状スペーサである。或いは、これらスペーサは、アレイ基板ASと対向基板CSとの間に分布した粒状スペーサであってもよい。   A gap between the array substrate AS and the counter substrate CS is formed by a spacer (not shown). These spacers are columnar spacers formed as part of the array substrate AS and / or the counter substrate CS, for example. Alternatively, these spacers may be granular spacers distributed between the array substrate AS and the counter substrate CS.

アレイ基板ASと対向基板CSとの間には、枠形封止樹脂層SLが介在している。枠形封止樹脂層SLは、1箇所又は複数個所で開いた枠形状のパターンを形成している。枠形封止樹脂層SLは、アレイ基板ASと対向基板CSとを結合させている。枠形封止樹脂層SLは、例えば、熱硬化型エポキシ樹脂などの接着剤を用いて形成する。   A frame-shaped sealing resin layer SL is interposed between the array substrate AS and the counter substrate CS. The frame-shaped sealing resin layer SL forms a frame-shaped pattern opened at one or a plurality of locations. The frame-shaped sealing resin layer SL bonds the array substrate AS and the counter substrate CS. The frame-shaped sealing resin layer SL is formed using an adhesive such as a thermosetting epoxy resin, for example.

アレイ基板ASと対向基板CSと枠形封止樹脂層SLとは、液晶セルCLを形成している。枠形封止樹脂層SLの枠形状パターンに設けられた開口は、液晶セルCLの内部空間と外部空間とを連通する注入口として利用する。   The array substrate AS, the counter substrate CS, and the frame-shaped sealing resin layer SL form a liquid crystal cell CL. The opening provided in the frame shape pattern of the frame-shaped sealing resin layer SL is used as an injection port that connects the internal space and the external space of the liquid crystal cell CL.

アレイ基板ASと対向基板CSとの間であって、枠形封止樹脂層SLが形成している枠形状パターンの外側には、トランスファ電極(図示せず)が介在している。このトランスファ電極により、アレイ基板ASと対向基板CSとを電気的に接続する。   Transfer electrodes (not shown) are interposed between the array substrate AS and the counter substrate CS and outside the frame-shaped pattern formed by the frame-shaped sealing resin layer SL. By this transfer electrode, the array substrate AS and the counter substrate CS are electrically connected.

液晶セルCLの内部空間は、液晶材料LCで満たされている。液晶材料LCは、液晶層を形成している。この表示パネルDPでは、液晶材料LCとして、誘電率異方性が正のネマチック液晶を使用している。液晶セルCLへの液晶材料LCの注入は、例えば、ディップ式又はディスペンサ式などの注入方式を利用する。   The internal space of the liquid crystal cell CL is filled with the liquid crystal material LC. The liquid crystal material LC forms a liquid crystal layer. In this display panel DP, nematic liquid crystal having positive dielectric anisotropy is used as the liquid crystal material LC. The liquid crystal material LC is injected into the liquid crystal cell CL using, for example, an injection method such as a dip type or a dispenser type.

液晶セルCLの注入口は、封止体(図示せず)で塞がれている。封止体は、例えば、紫外線硬化型樹脂などの接着剤を注入口にディスペンスし、これを硬化させることにより形成する。   The inlet of the liquid crystal cell CL is closed with a sealing body (not shown). The sealing body is formed, for example, by dispensing an adhesive such as an ultraviolet curable resin into the injection port and curing it.

アレイ基板ASの外面には、偏光板PLZ1が貼り付けられている。対向基板CSの外面にも、偏光板PLZ2が貼り付けられている。   A polarizing plate PLZ1 is attached to the outer surface of the array substrate AS. A polarizing plate PLZ2 is also attached to the outer surface of the counter substrate CS.

次に、アレイ基板AS及び対向基板CSについて説明する。
アレイ基板ASは、絶縁基板SUB1を含んでいる。基板SUB1は、例えば、ガラス基板などの光透過性基板である。このガラス基板は、対向基板CS側の主面に、無機膜が形成されていてもよく、或いは、そのような無機膜は形成されていなくてもよい。この無機膜としては、例えば、シリコン酸化物及び/又はシリコン窒化物などの絶縁体からなる無機絶縁膜を挙げることができる。
Next, the array substrate AS and the counter substrate CS will be described.
The array substrate AS includes an insulating substrate SUB1. The substrate SUB1 is a light transmissive substrate such as a glass substrate, for example. In this glass substrate, an inorganic film may be formed on the main surface on the counter substrate CS side, or such an inorganic film may not be formed. Examples of the inorganic film include an inorganic insulating film made of an insulator such as silicon oxide and / or silicon nitride.

基板SUB1上では、複数の信号線(図示せず)と複数のソース電極SEとが配列している。信号線は、Y方向に延びており、X方向に配列している。信号線は、ドレイン電極DEを兼ねている。ソース電極SEは、信号線に対応して複数の列を形成している。   On the substrate SUB1, a plurality of signal lines (not shown) and a plurality of source electrodes SE are arranged. The signal lines extend in the Y direction and are arranged in the X direction. The signal line also serves as the drain electrode DE. The source electrode SE forms a plurality of columns corresponding to the signal lines.

基板SUB1上では、複数の半導体層SCが、ドレイン電極DEに対応してさらに配列している。各半導体層SCは、ソース電極SE及びドレイン電極DEを被覆している。各半導体層には、ソース及びドレインが形成されている。   On the substrate SUB1, a plurality of semiconductor layers SC are further arranged corresponding to the drain electrodes DE. Each semiconductor layer SC covers the source electrode SE and the drain electrode DE. A source and a drain are formed in each semiconductor layer.

各半導体層SCは、絶縁膜GIで被覆されている。絶縁膜GIのうち、半導体層SCを被覆している部分は、ゲート絶縁膜として利用する。   Each semiconductor layer SC is covered with an insulating film GI. A portion of the insulating film GI that covers the semiconductor layer SC is used as a gate insulating film.

基板SUB1上では、X方向に延びた複数の走査線(図示せず)がY方向に配列している。各走査線は、信号線に対応して、Y方向に延びた複数の突出部を含んでいる。これら突出部は、それぞれ、絶縁膜GIを介して半導体層SCと向き合ったゲート電極GEである。   On the substrate SUB1, a plurality of scanning lines (not shown) extending in the X direction are arranged in the Y direction. Each scanning line includes a plurality of protrusions extending in the Y direction corresponding to the signal lines. Each of these protrusions is a gate electrode GE that faces the semiconductor layer SC via the insulating film GI.

半導体層SCと絶縁膜GIとゲート電極GEとは、スイッチング素子SWとして、トップゲート型の薄膜トランジスタを形成している。スイッチング素子SWは、ソース電極SEに対応して配列している。   The semiconductor layer SC, the insulating film GI, and the gate electrode GE form a top gate type thin film transistor as the switching element SW. The switching elements SW are arranged corresponding to the source electrodes SE.

基板SUB1上には、カラーフィルタCFと周辺遮光層LSとが配置されている。
カラーフィルタCFは、複数の赤色着色層Rと、複数の緑色着色層Gと、複数の青色着色層Bとを含んでいる。着色層R,G,Bは、Y方向に延びた帯形状を有しており、X方向に配列している。これら着色層R,G,Bは、ストライプパターンを形成している。着色層R,G,Bは、例えば、着色染料や着色顔料を含有した感光性樹脂を用いて形成することができる。
On the substrate SUB1, the color filter CF and the peripheral light shielding layer LS are arranged.
The color filter CF includes a plurality of red coloring layers R, a plurality of green coloring layers G, and a plurality of blue coloring layers B. The colored layers R, G, and B have a band shape extending in the Y direction and are arranged in the X direction. These colored layers R, G, and B form a stripe pattern. The colored layers R, G, and B can be formed using, for example, a photosensitive resin containing a colored dye or a colored pigment.

周辺遮光層LSは、カラーフィルタCFを取り囲んでいる。すなわち、周辺遮光層LSは、枠形状を有している。周辺遮光層LSは、例えば、着色染料や着色顔料を含有した感光性樹脂を用いて形成することができる。   The peripheral light shielding layer LS surrounds the color filter CF. That is, the peripheral light shielding layer LS has a frame shape. The peripheral light shielding layer LS can be formed using, for example, a photosensitive resin containing a coloring dye or a coloring pigment.

カラーフィルタCF上では、複数の画素電極PEが、スイッチング素子SWに対応して配列している。画素電極PEは、着色層R,G,Bに対応した複数の列を形成している。これら画素電極PEは、それぞれ、カラーフィルタCFに形成された貫通孔を介してソース電極SEに接続されている。画素電極PEは、透明電極である。この液晶表示装置を反射型とする場合には、典型的には、画素電極PEとして反射電極を使用する。また、この液晶表示装置を半透過型とする場合には、典型的には、画素電極PEとして反射電極と透明電極との組み合わせを使用する。   On the color filter CF, a plurality of pixel electrodes PE are arranged corresponding to the switching elements SW. The pixel electrode PE forms a plurality of columns corresponding to the colored layers R, G, and B. Each of the pixel electrodes PE is connected to the source electrode SE through a through hole formed in the color filter CF. The pixel electrode PE is a transparent electrode. When the liquid crystal display device is of a reflective type, typically, a reflective electrode is used as the pixel electrode PE. When the liquid crystal display device is a transflective type, typically, a combination of a reflective electrode and a transparent electrode is used as the pixel electrode PE.

画素電極PEは、配向膜AL1で被覆されている。配向膜AL1は、例えば、ポリイミドなどの樹脂からなる。配向膜AL1には、例えばラビングや光配向技術などを利用した配向処理が施されている。VA(vertically aligned)モードを採用する場合には、配向膜AL1に配向処理を施さなくてもよい。   The pixel electrode PE is covered with the alignment film AL1. The alignment film AL1 is made of a resin such as polyimide, for example. The alignment film AL1 is subjected to an alignment process using, for example, rubbing or an optical alignment technique. When the VA (vertically aligned) mode is employed, the alignment film AL1 may not be subjected to the alignment treatment.

基板SUB1の配向膜AL1が形成された主面の周縁部は、剥離層AL1’で被覆されている。剥離層AL1’は、枠形封止樹脂層SLを取り囲んだ枠形状のパターンを形成している。剥離層AL1’は、配向膜AL1と同じ材料からなる。   The peripheral portion of the main surface of the substrate SUB1 where the alignment film AL1 is formed is covered with a release layer AL1 '. The release layer AL1 'forms a frame-shaped pattern surrounding the frame-shaped sealing resin layer SL. The release layer AL1 'is made of the same material as the alignment film AL1.

対向基板CSは、絶縁基板SUB2を含んでいる。基板SUB2は、例えば、ガラス基板などの光透過性基板である。このガラス基板は、アレイ基板AS側の主面に、無機膜が形成されていてもよく、或いは、そのような無機膜は形成されていなくてもよい。この無機膜としては、例えば、シリコン酸化物及び/又はシリコン窒化物などの絶縁体からなる無機絶縁膜を挙げることができる。   The counter substrate CS includes an insulating substrate SUB2. The substrate SUB2 is, for example, a light transmissive substrate such as a glass substrate. In this glass substrate, an inorganic film may be formed on the main surface on the array substrate AS side, or such an inorganic film may not be formed. Examples of the inorganic film include an inorganic insulating film made of an insulator such as silicon oxide and / or silicon nitride.

基板SUB2の一方の主面は、対向電極CEで被覆されている。対向電極CEは、複数の画素電極PEと向き合っている。対向電極CEは、典型的には透明電極である。   One main surface of the substrate SUB2 is covered with a counter electrode CE. The counter electrode CE faces a plurality of pixel electrodes PE. The counter electrode CE is typically a transparent electrode.

対向電極CEは、配向膜AL2で被覆されている。配向膜AL2には、配向膜AL1と同様の材料を使用することができる。配向膜AL2には、例えばラビングや光配向技術などを利用した配向処理が施されている。VAモードを採用する場合には、配向膜AL2に配向処理を施さなくてもよい。   The counter electrode CE is covered with the alignment film AL2. For the alignment film AL2, the same material as that of the alignment film AL1 can be used. The alignment film AL2 is subjected to an alignment process using, for example, rubbing or an optical alignment technique. When the VA mode is adopted, the alignment film AL2 may not be subjected to alignment treatment.

基板SUB2の配向膜AL2が形成された主面の周縁部は、剥離層AL2’で被覆されている。剥離層AL2’は、枠形封止樹脂層SLを取り囲んだ枠形状のパターンを形成している。剥離層AL2’は、配向膜AL2と同じ材料からなる。   The peripheral portion of the main surface of the substrate SUB2 on which the alignment film AL2 is formed is covered with a release layer AL2 '. The release layer AL2 'forms a frame-shaped pattern surrounding the frame-shaped sealing resin layer SL. The release layer AL2 'is made of the same material as the alignment film AL2.

この液晶表示装置は、例えば、以下の方法により製造する。
図2及び図3は、本発明の第1態様に係る液晶表示装置の製造方法を概略的に示す断面図である。図4は、図2の構造を概略的に示す平面図である。なお、図2に示す断面は、図4に示す構造のII−II線に沿った断面に相当している。
This liquid crystal display device is manufactured, for example, by the following method.
2 and 3 are cross-sectional views schematically showing a method of manufacturing the liquid crystal display device according to the first aspect of the present invention. FIG. 4 is a plan view schematically showing the structure of FIG. The cross section shown in FIG. 2 corresponds to the cross section taken along the line II-II of the structure shown in FIG.

この方法では、まず、図2及び図4に示す大判パネルOPを形成する。そして、この大判パネルOPを割断して、図3に示す複数の液晶セルCLを得る。   In this method, first, the large panel OP shown in FIGS. 2 and 4 is formed. Then, the large panel OP is cut to obtain a plurality of liquid crystal cells CL shown in FIG.

具体的には、まず、大判の絶縁基板SUB1と大判の絶縁基板SUB2とを準備する。以下、大判基板SUB1の一方の主面のうち、形成すべき複数の液晶セルCLに対応した複数の領域の各々を「第1領域」と呼ぶ。また、大判基板SUB2の一方の主面のうち、形成すべき複数の液晶セルCLに対応した複数の領域の各々を「第2領域」と呼ぶ。   Specifically, first, a large insulating substrate SUB1 and a large insulating substrate SUB2 are prepared. Hereinafter, each of the plurality of regions corresponding to the plurality of liquid crystal cells CL to be formed on one main surface of the large substrate SUB1 is referred to as a “first region”. In addition, each of a plurality of regions corresponding to the plurality of liquid crystal cells CL to be formed on one main surface of the large substrate SUB2 is referred to as a “second region”.

各第1領域上には、信号線、スイッチング素子SW、走査線、カラーフィルタCF、周辺遮光層LS、及び画素電極PEを形成する。次に、例えばオフセット印刷により、各第1領域上に配向膜AL1を形成すると共に、各第1領域とその周囲の領域との境界部に剥離層AL1’を形成する。印刷インクとしては、例えば、ポリイミドなどの樹脂と溶剤とを含んだ混合物を使用する。その後、配向膜AL1及び剥離層AL1’を例えば約200℃で焼成し、配向膜AL1にラビングなどの配向処理を施す。このようにして、大判のアレイ基板ASを得る。   A signal line, a switching element SW, a scanning line, a color filter CF, a peripheral light shielding layer LS, and a pixel electrode PE are formed on each first region. Next, the alignment film AL1 is formed on each first region by, for example, offset printing, and the release layer AL1 'is formed at the boundary between each first region and the surrounding region. As the printing ink, for example, a mixture containing a resin such as polyimide and a solvent is used. Thereafter, the alignment film AL1 and the release layer AL1 'are baked at, for example, about 200 ° C., and the alignment film AL1 is subjected to an alignment process such as rubbing. In this way, a large array substrate AS is obtained.

また、各第2領域上には、対向電極CEを形成する。次に、例えばオフセット印刷により、各第2領域上に配向膜AL2を形成すると共に、各第2領域とその周囲の領域との境界部に剥離層AL2’を形成する。印刷インクとしては、例えば、ポリイミドなどの樹脂と溶剤とを含んだ混合物を使用する。その後、配向膜AL2及び剥離層AL2’を例えば約200℃で焼成し、配向膜AL2に配向処理を施す。このようにして、大判の対向基板CSを得る。なお、配向膜AL2は、大判アレイ基板ASと大判対向基板CSとを向き合わせたときに、それぞれ配向膜AL1と正面で向き合い得るように配置する。   A counter electrode CE is formed on each second region. Next, the alignment film AL2 is formed on each second region by, for example, offset printing, and the release layer AL2 'is formed at the boundary between each second region and the surrounding region. As the printing ink, for example, a mixture containing a resin such as polyimide and a solvent is used. Thereafter, the alignment film AL2 and the release layer AL2 'are baked, for example, at about 200 ° C., and the alignment film AL2 is subjected to alignment treatment. In this way, a large counter substrate CS is obtained. The alignment film AL2 is arranged so that it can face the alignment film AL1 on the front surface when the large array substrate AS and the large counter substrate CS face each other.

次に、各第1領域上に、枠形封止樹脂層SLを形成する。枠形封止樹脂層SLは、周辺遮光層LSと剥離層AL1’との間に位置するように形成する。枠形封止樹脂層SLは、例えば、ディスペンサ方式及びスクリーン印刷方式により形成することができる。次いで、各第1領域上であって、枠形封止樹脂層SLの外側に、例えば銀ペーストからなるトランスファ電極を形成する。トランスファ電極は、例えばディスペンサ方式により形成することができる。なお、枠形封止樹脂層SL及びトランスファ電極は、第1領域上に形成する代わりに、第2領域上に形成してもよい。   Next, the frame-shaped sealing resin layer SL is formed on each first region. The frame-shaped sealing resin layer SL is formed so as to be positioned between the peripheral light shielding layer LS and the peeling layer AL1 '. The frame-shaped sealing resin layer SL can be formed by, for example, a dispenser method and a screen printing method. Next, a transfer electrode made of, for example, silver paste is formed on each first region and outside the frame-shaped sealing resin layer SL. The transfer electrode can be formed by a dispenser method, for example. The frame-shaped sealing resin layer SL and the transfer electrode may be formed on the second region instead of being formed on the first region.

その後、スペーサとして粒状スペーサを使用する場合には、粒状スペーサを第2領域又は第1領域上に散布する。続いて、大判アレイ基板ASと大判対向基板CSとの位置合わせを行い、それらを貼り合せる。さらに、枠形封止樹脂層SLを加熱して硬化させる。以上のようにして、大判パネルOPを得る。   Then, when using a granular spacer as a spacer, a granular spacer is spread | dispersed on a 2nd area | region or a 1st area | region. Subsequently, the large array substrate AS and the large counter substrate CS are aligned and bonded together. Further, the frame-shaped sealing resin layer SL is heated and cured. The large format panel OP is obtained as described above.

次に、大判基板SUB1を、剥離層AL1’の位置で枠形封止樹脂層SLに沿って割断する。次いで、大判基板SUB2を、剥離層AL2’の位置で枠形封止樹脂層SLに沿って割断する。すなわち、大判基板SUB1及びSUB2を、それぞれ、割断ラインBL1及びBL2に沿って割断する。   Next, the large substrate SUB1 is cleaved along the frame-shaped sealing resin layer SL at the position of the release layer AL1 '. Next, the large substrate SUB2 is cleaved along the frame-shaped sealing resin layer SL at the position of the release layer AL2 '. That is, the large substrates SUB1 and SUB2 are cut along the cutting lines BL1 and BL2, respectively.

具体的には、まず、大判パネルOPを、大判基板SUB1が上向きになるように台の上に載置する。次に、カッタ刃で、大判基板SUB1の外面を割断ラインBL1に沿ってけがき、スクライブライン,すなわちクラック,を形成する。大判パネルOPを反転させた後、大判基板SUB2側から大判基板SUB1に局部的に圧力を加え、先のクラックを拡大させる。これにより、大判基板SUB1を分断する。次いで、ダイヤモンドを用いたカッタ刃で、大判基板SUB2の外面を割断ラインBL2に沿ってけがき、スクライブライン,すなわちクラック,を形成する。大判パネルOPを反転させた後、基板SUB1側から大判基板SUB2に局部的に圧力を加え、先のクラックを拡大させる。これにより、大判基板SUB2を分断して、複数の液晶セルCLを得る。   Specifically, first, the large panel OP is placed on a table so that the large substrate SUB1 faces upward. Next, the outer surface of the large substrate SUB1 is scribed along the cutting line BL1 with a cutter blade to form a scribe line, that is, a crack. After inverting the large format panel OP, pressure is locally applied to the large format substrate SUB1 from the large format substrate SUB2 side to expand the previous crack. As a result, the large substrate SUB1 is divided. Next, the outer surface of the large substrate SUB2 is scribed along the cutting line BL2 with a cutter blade using diamond to form a scribe line, that is, a crack. After inverting the large format panel OP, pressure is locally applied to the large format substrate SUB2 from the substrate SUB1 side to enlarge the previous crack. Thereby, the large substrate SUB2 is divided to obtain a plurality of liquid crystal cells CL.

次いで、各液晶セルCLに注入口から液晶材料LCを注入し、続いて、注入口を封止体で塞ぐ。さらに、各液晶セルCL1のアレイ基板AS及び対向基板CSに、それぞれ、偏光板PLZ1及びPLZ2を貼り付け、複数の表示パネルDPを得る。   Next, the liquid crystal material LC is injected into each liquid crystal cell CL from the injection port, and then the injection port is closed with a sealing body. Further, polarizing plates PLZ1 and PLZ2 are attached to the array substrate AS and the counter substrate CS of each liquid crystal cell CL1, respectively, to obtain a plurality of display panels DP.

その後、各表示パネルDPに、ドライバ回路などの外部回路を接続する。さらに、各表示パネルDPを、例えば、バックライトなどと組み合わせる。以上のようにして、液晶表示装置を完成する。   Thereafter, an external circuit such as a driver circuit is connected to each display panel DP. Further, each display panel DP is combined with, for example, a backlight. The liquid crystal display device is completed as described above.

この方法によると、絶縁基板SUB1を複数の断片へと割断したとき、及び、絶縁基板SUB2を複数の断片へと割断したときの各々において、それら断片同士が枠形封止樹脂層SLを介して繋がるのを防止することができる。これについて、図5乃至図8を参照しながら説明する。   According to this method, when the insulating substrate SUB1 is divided into a plurality of pieces and when the insulating substrate SUB2 is divided into a plurality of pieces, the pieces are separated from each other via the frame-shaped sealing resin layer SL. It is possible to prevent connection. This will be described with reference to FIGS.

図5及び図6は、第1比較例に係る液晶表示装置の製造方法において枠形封止樹脂層が幅広に形成された場合の割断工程を概略的に示す断面図である。図7及び図8は、図2乃至図4の製造方法において枠形封止樹脂層が幅広に形成された場合の割断工程を概略的に示す断面図である。   5 and 6 are cross-sectional views schematically showing a cleaving process when the frame-shaped sealing resin layer is formed wide in the method for manufacturing the liquid crystal display device according to the first comparative example. 7 and 8 are cross-sectional views schematically showing a cleaving process when the frame-shaped sealing resin layer is formed wide in the manufacturing method of FIGS.

例えば、ディスペンサ方式などで枠形封止樹脂層SLを形成すると、枠形封止樹脂層SLが部分的に幅広になることがある。そのため、割断ラインBL1と枠形封止樹脂層SLとの間の距離が短い場合には、枠形封止樹脂層SLの幅広部が割断ラインBL1を跨ることがある。   For example, when the frame-shaped sealing resin layer SL is formed by a dispenser method or the like, the frame-shaped sealing resin layer SL may be partially widened. Therefore, when the distance between the cutting line BL1 and the frame-shaped sealing resin layer SL is short, the wide part of the frame-shaped sealing resin layer SL may straddle the cutting line BL1.

この枠形封止樹脂層SLを、大判基板SUB1の割断工程で分断することは極めて難しい。そのため、図5に示すようにAL1’を形成していない構造では、枠形封止樹脂層SLが割断ラインBL1を跨るように形成されると、大判基板SUB1を割断しても、図6に示すように割断した基板SUB1同士が枠形封止樹脂層SLを介して繋がったままとなる。   It is extremely difficult to divide the frame-shaped sealing resin layer SL in the cleaving process of the large substrate SUB1. Therefore, in the structure in which AL1 ′ is not formed as shown in FIG. 5, when the frame-shaped sealing resin layer SL is formed so as to straddle the cutting line BL1, even if the large substrate SUB1 is cut, FIG. As shown, the cleaved substrates SUB1 remain connected via the frame-shaped sealing resin layer SL.

枠形封止樹脂層SLとしては、アレイ基板AS及び対向基板CSの被接着面,ここでは基板SUB1及びSUB2の表面,に対する密着性が高いものを使用している。それゆえ、割断した基板SUB1同士が枠形封止樹脂層SLを介して繋がった状態で、それらを引き離そうとすると、枠形封止樹脂層SLが損傷するのに加え、基板SUB1上に形成した他の構成要素も損傷する可能性がある。   As the frame-shaped sealing resin layer SL, one having high adhesion to the adherend surfaces of the array substrate AS and the counter substrate CS, here, the surfaces of the substrates SUB1 and SUB2 is used. Therefore, when the cleaved substrates SUB1 are connected to each other via the frame-shaped sealing resin layer SL, if they are separated, the frame-shaped sealing resin layer SL is damaged and formed on the substrate SUB1. Other components can also be damaged.

剥離層AL1’の基板SUB1に対する密着性は、枠形封止樹脂層SLの基板SUB1に対する密着性と比較して遥かに低い。そのため、図7に示すように剥離層AL1’を形成した構造を採用すると、枠形封止樹脂層SLが割断ラインBL1を跨るように形成されたとしても、例えば、大判基板SUB1を割断した際や分断した基板SUB1を互いから引き離す際に、図7に示すように、剥離層AL1’は基板SUB1から容易に剥離する。   The adhesion of the release layer AL1 'to the substrate SUB1 is much lower than the adhesion of the frame-shaped sealing resin layer SL to the substrate SUB1. Therefore, when the structure in which the peeling layer AL1 ′ is formed as shown in FIG. 7 is adopted, even when the frame-shaped sealing resin layer SL is formed so as to straddle the cutting line BL1, for example, when the large substrate SUB1 is cut When the separated substrates SUB1 are separated from each other, the separation layer AL1 ′ is easily separated from the substrate SUB1, as shown in FIG.

したがって、剥離層AL1’を設けると、剥離層AL1’を設けない場合と比較して、枠形封止樹脂層SLや他の構成要素の損傷が生じ難くなる。すなわち、この方法によると、割断ラインBL1と枠形封止樹脂層SLとの距離を短くした場合でも高い歩留まりを実現することが可能となる。   Therefore, when the release layer AL1 'is provided, damage to the frame-shaped sealing resin layer SL and other components is less likely to occur than when the release layer AL1' is not provided. That is, according to this method, it is possible to achieve a high yield even when the distance between the cutting line BL1 and the frame-shaped sealing resin layer SL is shortened.

また、この方法では、上記と同様、枠形封止樹脂層SLが割断ラインBL2を跨るように形成されたとしても、例えば、大判基板SUB2を割断した際や分断した基板SUB2を互いから引き離す際に、剥離層AL2’は基板SUB2から容易に剥離する。したがって、剥離層AL2’を設けると、剥離層AL2’を設けない場合と比較して、枠形封止樹脂層SLや他の構成要素の損傷が生じ難くなる。すなわち、この方法によると、割断ラインBL2と枠形封止樹脂層SLとの距離を短くした場合でも高い歩留まりを実現することが可能となる。   Further, in this method, as described above, even when the frame-shaped sealing resin layer SL is formed so as to straddle the cutting line BL2, for example, when the large substrate SUB2 is cut or when the divided substrates SUB2 are separated from each other In addition, the release layer AL2 ′ is easily peeled from the substrate SUB2. Therefore, when the release layer AL2 'is provided, damage to the frame-shaped sealing resin layer SL and other components is less likely to occur as compared to the case where the release layer AL2' is not provided. That is, according to this method, a high yield can be achieved even when the distance between the cutting line BL2 and the frame-shaped sealing resin layer SL is shortened.

なお、図8に示す構造では、アレイ基板ASと対向基板CSとの間隙から枠形封止樹脂層SL及び剥離層AL1’がはみ出ている。通常、これら枠形封止樹脂層SL及び剥離層AL1’のはみ出し部は、大判基板SUB1及びSUB2の割断後に、切断及び/又は研磨することによって除去する。   In the structure shown in FIG. 8, the frame-shaped sealing resin layer SL and the release layer AL1 'protrude from the gap between the array substrate AS and the counter substrate CS. Usually, the protruding portions of the frame-shaped sealing resin layer SL and the release layer AL1 'are removed by cutting and / or polishing after the large-sized substrates SUB1 and SUB2 are cleaved.

この方法では、剥離層AL1’と配向膜AL1とは、別々の工程で形成してもよく、同時に形成してもよい。後者によると、前者と比較して、より少ない工程数で液晶表示装置を製造することができる。また、剥離層AL2’と配向膜AL2とは、別々の工程で形成してもよく、同時に形成してもよい。後者によると、前者と比較して、より少ない工程数で液晶表示装置を製造することができる。   In this method, the release layer AL1 'and the alignment film AL1 may be formed in separate steps or simultaneously. According to the latter, compared with the former, a liquid crystal display device can be manufactured with fewer steps. Further, the release layer AL2 'and the alignment film AL2 may be formed in separate steps or simultaneously. According to the latter, compared with the former, a liquid crystal display device can be manufactured with fewer steps.

この方法では、枠形封止樹脂層SLは、剥離層AL1’及びAL2’を被覆していない。その代わりに、枠形封止樹脂層SLは、剥離層AL1’及び/又は剥離層AL2’の内側部分を被覆するように形成してもよい。   In this method, the frame-shaped sealing resin layer SL does not cover the release layers AL1 'and AL2'. Instead, the frame-shaped sealing resin layer SL may be formed so as to cover the inner part of the release layer AL1 'and / or the release layer AL2'.

枠形封止樹脂層SLから割断ラインBL1までの距離の設計値に特に制限はないが、図5及び図6を参照しながら説明した問題は、この距離の設計値が短い場合,例えば0.5mm以下である場合,に特に生じ易い。それゆえ、ここで説明する技術は、このような場合に特に有用である。なお、この設計値の下限はゼロであるが、通常は、スクライブラインの位置誤差などを見込んで0.3mm以上とする。   The design value of the distance from the frame-shaped sealing resin layer SL to the cutting line BL1 is not particularly limited. However, the problem described with reference to FIGS. This is particularly likely to occur when the thickness is 5 mm or less. Therefore, the technique described here is particularly useful in such cases. Although the lower limit of this design value is zero, it is usually set to 0.3 mm or more in consideration of the position error of the scribe line.

同様に、この技術は、枠形封止樹脂層SLから割断ラインBL2までの距離の設計値が短い場合,例えば0.5mm以下である場合,に特に有用である。また、この設計値の下限はゼロであるが、通常は、スクライブラインの位置誤差などを見込んで0.3mm以上とする。   Similarly, this technique is particularly useful when the design value of the distance from the frame-shaped sealing resin layer SL to the cutting line BL2 is short, for example, 0.5 mm or less. The lower limit of this design value is zero, but it is usually set to 0.3 mm or more in consideration of the position error of the scribe line.

次に、本発明の第2態様について説明する。第2態様では、以下に説明するように、大判パネルは、ダミー封止樹脂層と評価用素子とを含んでいる。ダミー封止樹脂層は、アレイ基板と対向基板との間であって、枠形封止樹脂層の外側に配置する。ダミー封止樹脂層は剥離層上に形成する。ダミー封止樹脂層は、アレイ基板の不要部と封止基板の不要部とを一体化するのに使用する。評価用素子は、アレイ基板上であって、枠形封止樹脂層の外側に配置する。評価用素子は、例えば、表示パネルが含む回路又は素子と同様の構造を有している。この場合、評価用素子は、先の回路又は素子の評価に利用可能である。   Next, the second aspect of the present invention will be described. In the second aspect, as described below, the large format panel includes a dummy sealing resin layer and an evaluation element. The dummy sealing resin layer is disposed between the array substrate and the counter substrate and outside the frame-shaped sealing resin layer. The dummy sealing resin layer is formed on the release layer. The dummy sealing resin layer is used to integrate the unnecessary portion of the array substrate and the unnecessary portion of the sealing substrate. The evaluation element is disposed on the array substrate and outside the frame-shaped sealing resin layer. The evaluation element has a structure similar to, for example, a circuit or element included in the display panel. In this case, the evaluation element can be used for the evaluation of the previous circuit or element.

図9乃至図11は、本発明の第2態様に係る液晶表示装置の製造方法を概略的に示す断面図である。   9 to 11 are cross-sectional views schematically showing a method for manufacturing a liquid crystal display device according to the second embodiment of the present invention.

この方法では、まず、図9に示す大判パネルOPを形成する。次に、この大判パネルOPを割断して、図3に示す複数の液晶セルCLと図10に示す破片PCとを得る。そして、この破片PCの一部を用いて、液晶セルCLが含む回路又は素子などの評価を行う。   In this method, first, the large panel OP shown in FIG. 9 is formed. Next, the large panel OP is cleaved to obtain a plurality of liquid crystal cells CL shown in FIG. 3 and a fragment PC shown in FIG. Then, a circuit or element included in the liquid crystal cell CL is evaluated using a part of the broken piece PC.

具体的には、まず、大判の絶縁基板SUB1と大判の絶縁基板SUB2とを準備する。第1態様と同様、大判基板SUB1の一方の主面のうち、形成すべき複数の液晶セルCLに対応した複数の領域の各々を「第1領域」と呼ぶ。また、大判基板SUB2の一方の主面のうち、形成すべき複数の液晶セルCLに対応した複数の領域の各々を「第2領域」と呼ぶ。さらに、大判基板SUB1の上記主面のうち、第1領域以外の領域を第3領域と呼ぶ。   Specifically, first, a large insulating substrate SUB1 and a large insulating substrate SUB2 are prepared. As in the first embodiment, each of a plurality of regions corresponding to the plurality of liquid crystal cells CL to be formed on one main surface of the large substrate SUB1 is referred to as a “first region”. In addition, each of a plurality of regions corresponding to the plurality of liquid crystal cells CL to be formed on one main surface of the large substrate SUB2 is referred to as a “second region”. Furthermore, a region other than the first region in the main surface of the large substrate SUB1 is referred to as a third region.

各第1領域上には、信号線、スイッチング素子SW、走査線、カラーフィルタCF、周辺遮光層LS、及び画素電極PEを形成する。第3領域の一部の上には、評価用素子EEを形成する。評価用素子EEは、例えば、信号線、スイッチング素子SW、走査線、カラーフィルタCF、周辺遮光層LS、及び画素電極PEの1つ以上である。   A signal line, a switching element SW, a scanning line, a color filter CF, a peripheral light shielding layer LS, and a pixel electrode PE are formed on each first region. An evaluation element EE is formed on a part of the third region. The evaluation element EE is, for example, one or more of a signal line, a switching element SW, a scanning line, a color filter CF, a peripheral light shielding layer LS, and a pixel electrode PE.

次に、例えばオフセット印刷により、各第1領域上に配向膜AL1を形成すると共に、各第1領域とその周囲の第3領域との境界部に剥離層AL1’を形成する。また、第3領域上には、評価用素子EEに隣接して又は評価用素子EEから離れた位置に剥離層AL1”を形成する。印刷インクとしては、例えば、ポリイミドなどの樹脂と溶剤とを含んだ混合物を使用する。その後、配向膜AL1と剥離層AL1’及びAL1”とを例えば約200℃で焼成し、配向膜AL1にラビングなどの配向処理を施す。このようにして、大判のアレイ基板ASを得る。   Next, the alignment film AL1 is formed on each first region by, for example, offset printing, and the release layer AL1 'is formed at the boundary between each first region and the surrounding third region. Further, on the third region, a release layer AL1 ″ is formed adjacent to the evaluation element EE or at a position away from the evaluation element EE. As the printing ink, for example, a resin such as polyimide and a solvent are used. Thereafter, the alignment film AL1 and the release layers AL1 ′ and AL1 ″ are baked at, for example, about 200 ° C., and the alignment film AL1 is subjected to alignment treatment such as rubbing. In this way, a large array substrate AS is obtained.

また、各第2領域上には、対向電極CEを形成する。次に、例えばオフセット印刷により、各第2領域上に配向膜AL2を形成すると共に、各第2領域とその周囲の領域との境界部に剥離層AL2’を形成する。印刷インクとしては、例えば、ポリイミドなどの樹脂と溶剤とを含んだ混合物を使用する。その後、配向膜AL2及び剥離層AL2’を例えば約200℃で焼成し、配向膜AL2に配向処理を施す。このようにして、大判の対向基板CSを得る。なお、配向膜AL2は、大判アレイ基板ASと大判対向基板CSとを向き合わせたときに、それぞれ配向膜AL1と正面で向き合い得るように配置する。   A counter electrode CE is formed on each second region. Next, the alignment film AL2 is formed on each second region by, for example, offset printing, and the release layer AL2 'is formed at the boundary between each second region and the surrounding region. As the printing ink, for example, a mixture containing a resin such as polyimide and a solvent is used. Thereafter, the alignment film AL2 and the release layer AL2 'are baked, for example, at about 200 ° C., and the alignment film AL2 is subjected to alignment treatment. In this way, a large counter substrate CS is obtained. The alignment film AL2 is arranged so that it can face the alignment film AL1 on the front surface when the large array substrate AS and the large counter substrate CS face each other.

次に、各第1領域上に枠形封止樹脂層SLを形成し、剥離層AL1”上にダミー封止樹脂層SL’を形成する。枠形封止樹脂層SLは、周辺遮光層LSと剥離層AL1’との間に位置するように形成する。枠形封止樹脂層SL及びダミー封止樹脂層SL’は、例えば、ディスペンサ方式及びスクリーン印刷方式により形成することができる。また、ダミー封止樹脂層SL’には、例えば、枠形封止樹脂層SLと同じ材料を使用する。次いで、各第1領域上であって、枠形封止樹脂層SLの外側に、例えば銀ペーストからなるトランスファ電極を形成する。トランスファ電極は、例えばディスペンサ方式により形成することができる。なお、枠形封止樹脂層SL及びダミー封止樹脂層SL’並びにトランスファ電極は、大判基板SUB1上に形成する代わりに、大判基板SUB2上に形成してもよい。   Next, a frame-shaped sealing resin layer SL is formed on each first region, and a dummy sealing resin layer SL ′ is formed on the release layer AL1 ″. The frame-shaped sealing resin layer SL is a peripheral light shielding layer LS. The frame-shaped sealing resin layer SL and the dummy sealing resin layer SL ′ can be formed by, for example, a dispenser method and a screen printing method. For example, the same material as that of the frame-shaped sealing resin layer SL is used for the dummy sealing resin layer SL ′, and then, for example, silver is formed on each first region and outside the frame-shaped sealing resin layer SL. A transfer electrode made of paste can be formed by, for example, a dispenser method, and the frame-shaped sealing resin layer SL, the dummy sealing resin layer SL ′, and the transfer electrode are formed on the large substrate SUB1. form Instead of, or it may be formed on the large substrate SUB2.

その後、スペーサとして粒状スペーサを使用する場合には、粒状スペーサを大判アレイ基板AS又は大判対向基板CS上に散布する。続いて、大判アレイ基板ASと大判対向基板CSとの位置合わせを行い、それらを貼り合せる。さらに、枠形封止樹脂層SL及びダミー封止樹脂層SL’を加熱して硬化させる。以上のようにして、大判パネルOPを得る。   Thereafter, when a granular spacer is used as the spacer, the granular spacer is spread on the large array substrate AS or the large counter substrate CS. Subsequently, the large array substrate AS and the large counter substrate CS are aligned and bonded together. Further, the frame-shaped sealing resin layer SL and the dummy sealing resin layer SL 'are heated and cured. The large format panel OP is obtained as described above.

次に、図2乃至図4を参照しながら説明したのと同様の方法により、大判基板SUB1を剥離層AL1’の位置で枠形封止樹脂層SLに沿って割断すると共に、大判基板SUB2を剥離層AL2’の位置で枠形封止樹脂層SLに沿って割断する。すなわち、大判基板SUB1及びSUB2を、それぞれ、割断ラインBL1及びBL2に沿って割断する。   Next, the large substrate SUB1 is cleaved along the frame-shaped sealing resin layer SL at the position of the peeling layer AL1 ′ by the same method as described with reference to FIGS. 2 to 4, and the large substrate SUB2 is formed. Cleaving along the frame-shaped sealing resin layer SL at the position of the release layer AL2 ′. That is, the large substrates SUB1 and SUB2 are cut along the cutting lines BL1 and BL2, respectively.

大判基板SUB1及びSUB2を割断すると、図3に示す液晶セルCLと、図6に示す破片PCとが得られる。   When the large substrates SUB1 and SUB2 are cleaved, the liquid crystal cell CL shown in FIG. 3 and the fragment PC shown in FIG. 6 are obtained.

液晶セルCLには、第1態様で説明したのと同様、液晶材料LCの注入、注入口の封止、偏光板PLZ1及びPLZ2の貼り付けを順次行い、複数の表示パネルDPを得る。そして、各表示パネルDPにドライバ回路などの外部回路を接続し、さらに、例えば、バックライトなどと組み合わせて、液晶表示装置を完成する。   In the liquid crystal cell CL, as described in the first embodiment, the liquid crystal material LC is injected, the injection port is sealed, and the polarizing plates PLZ1 and PLZ2 are sequentially attached to obtain a plurality of display panels DP. Then, an external circuit such as a driver circuit is connected to each display panel DP, and further combined with, for example, a backlight to complete a liquid crystal display device.

図6に示す断片PCは、評価用素子EEを含んでいる。本態様では、この評価用素子EEを利用して、表示パネルDPが含む回路又は素子などの評価を行う。   A fragment PC shown in FIG. 6 includes an evaluation element EE. In this aspect, this evaluation element EE is used to evaluate a circuit or element included in the display panel DP.

まず、図11に示すように、基板SUB1を基板SUB2から引き離す。ダミー封止樹脂層SL’と基板SUB1との間には剥離層AL1”が介在しているので、基板SUB23は、ダミー封止樹脂層SL’及び剥離層AL1”と共に、基板SUB1から容易に剥がれる。   First, as shown in FIG. 11, the substrate SUB1 is separated from the substrate SUB2. Since the release layer AL1 ″ is interposed between the dummy sealing resin layer SL ′ and the substrate SUB1, the substrate SUB23 is easily peeled from the substrate SUB1 together with the dummy sealing resin layer SL ′ and the release layer AL1 ″. .

なお、ダミー封止樹脂層SL’を形成しない場合、基板SUB1及び基板SUB2の割断時に液晶セルCL及び/又は評価用素子EEが傷つく可能性が高い。ダミー封止樹脂層SL’を形成すると、そのような損傷を抑制できる。   When the dummy sealing resin layer SL ′ is not formed, there is a high possibility that the liquid crystal cell CL and / or the evaluation element EE are damaged when the substrate SUB1 and the substrate SUB2 are cleaved. When the dummy sealing resin layer SL ′ is formed, such damage can be suppressed.

次に、評価用素子EEを評価する。評価用素子EEが薄膜トランジスタである場合には、例えば、その閾値電圧などを評価する。評価用素子EEがアレイ基板ASの構成要素の一部である場合には、例えば、その膜厚など評価する。   Next, the evaluation element EE is evaluated. When the evaluation element EE is a thin film transistor, for example, its threshold voltage is evaluated. When the evaluation element EE is a part of the constituent elements of the array substrate AS, for example, the film thickness thereof is evaluated.

その後、評価結果を、製造ラインにフィードバックする。例えば、この評価結果に基づいて、ドーピング条件や成膜条件を変更する。   Thereafter, the evaluation result is fed back to the production line. For example, the doping conditions and film forming conditions are changed based on the evaluation results.

本態様では、上記の通り、第1態様で説明した剥離層AL1’及びAL2’を形成する。したがって、本態様でも、第1態様で説明したのと同様の効果を得ることができる。   In this embodiment, as described above, the release layers AL1 'and AL2' described in the first embodiment are formed. Therefore, in this aspect, the same effect as described in the first aspect can be obtained.

また、本態様では、ダミー封止樹脂層SL’と基板SUB1との間に、剥離層AL1”を配置している。そのため、以下に説明するように、評価用素子EEなどが破壊されるのを防止できる。   In this embodiment, the release layer AL1 ″ is disposed between the dummy sealing resin layer SL ′ and the substrate SUB1. Therefore, as described below, the evaluation element EE and the like are destroyed. Can be prevented.

図12及び図13は、第2比較例に係る液晶表示装置の製造方法を概略的に示す断面図である。この方法は、剥離層AL1”を省略していること以外は、図9乃至図11を参照しながら説明した方法と同様である。   12 and 13 are cross-sectional views schematically showing a method for manufacturing a liquid crystal display device according to a second comparative example. This method is the same as the method described with reference to FIGS. 9 to 11 except that the release layer AL1 ″ is omitted.

ダミー封止樹脂層SL’は、基板SUB1及びSUB2の双方に高い密着力を示す。そのため、剥離層AL1”を省略した場合、基板SUB1を基板SUB2から引き離す際に、基板SUB1及び/又は基板SUB2が破損し易い。すなわち、図12及び図13の方法では、評価用素子EEなどの破壊を生じ易い。   The dummy sealing resin layer SL ′ exhibits high adhesion to both the substrates SUB1 and SUB2. Therefore, when the separation layer AL1 ″ is omitted, the substrate SUB1 and / or the substrate SUB2 is easily damaged when the substrate SUB1 is separated from the substrate SUB2. That is, in the method of FIGS. Prone to destruction.

これに対し、図9乃至図11の方法では、上記の通り、ダミー封止樹脂層SL’とSUB1との間に剥離層AL1”を介在させる。そのため、基板SUB1を基板SUB2から引き離すことに起因した基板SUB1及び/又は基板SUB2の破損は生じ難い。したがって、本態様によると、評価用素子EEなどが破壊されるのを防止できる。なお、この効果は、剥離層AL1’及びAL2’がない場合であっても得られる。   On the other hand, in the method of FIGS. 9 to 11, as described above, the release layer AL1 ″ is interposed between the dummy sealing resin layer SL ′ and the SUB1. Therefore, the substrate SUB1 is separated from the substrate SUB2. Therefore, the substrate SUB1 and / or the substrate SUB2 is not easily damaged, and according to this aspect, it is possible to prevent the evaluation element EE and the like from being destroyed.This effect is obtained without the release layers AL1 ′ and AL2 ′. Even if it is obtained.

本態様では、基板SUB1とダミー封止樹脂層SL’との間に剥離層AL”を介在させている。その代わりに、基板SUB2とダミー封止樹脂層SL’との間に、配向膜AL2と同じ材料からなる剥離層を介在させてもよい。或いは、基板SUB1とダミー封止樹脂層SL’との間に剥離層AL”を介在させるのに加え、基板SUB2とダミー封止樹脂層SL’との間に、配向膜AL2と同じ材料からなる剥離層を介在させてもよい。   In this embodiment, the release layer AL ″ is interposed between the substrate SUB1 and the dummy sealing resin layer SL ′. Instead, the alignment film AL2 is interposed between the substrate SUB2 and the dummy sealing resin layer SL ′. A release layer made of the same material as that of the substrate SUB1 may be interposed between the substrate SUB2 and the dummy sealing resin layer SL, in addition to the release layer AL ″ being interposed between the substrate SUB1 and the dummy sealing resin layer SL ′. A peeling layer made of the same material as that of the alignment film AL2 may be interposed therebetween.

本態様では、表示モードとしてTNモードを採用した。その代わりに、VAモード、OCB(optically compensated birefringence)モード、IPS(in-plane switching)モードなどの他の表示モードを採用してもよい。なお、VAモードなどを採用した場合には、配向膜AL1及びAL2への配向処理は不要である。また、IPSモードなどを採用した場合には、対向電極CEを省略すると共に画素電極PEを例えば一対の電極で構成する。   In this aspect, the TN mode is adopted as the display mode. Instead, other display modes such as a VA mode, an OCB (optically compensated birefringence) mode, and an IPS (in-plane switching) mode may be employed. Note that when the VA mode or the like is employed, the alignment treatment on the alignment films AL1 and AL2 is not necessary. Further, when the IPS mode or the like is adopted, the counter electrode CE is omitted and the pixel electrode PE is constituted by a pair of electrodes, for example.

以下、本発明の例を説明する。   Examples of the present invention will be described below.

(例1)
図14は、例1で製造した大判パネルを概略的に示す平面図である。本例では、以下に説明する通り、図14に示す大判パネルOPを製造し、これを用いて図1に示す表示パネルDPを6枚製造した。なお、各液晶パネルDPの対角寸法は2.2インチとした。
(Example 1)
14 is a plan view schematically showing the large panel manufactured in Example 1. FIG. In this example, as described below, a large panel OP shown in FIG. 14 was manufactured, and six display panels DP shown in FIG. 1 were manufactured using this. The diagonal dimension of each liquid crystal panel DP was 2.2 inches.

まず、寸法が150mm×150mmのガラス基板SUB1を準備した。この基板SUB1の一主面のうち、液晶パネルDPに利用すべき6つの第1領域の各々の上に、信号線、薄膜トランジスタSW、走査線、カラーフィルタCF、周辺遮光層LS、及び画素電極PEを形成した。次に、オフセット印刷により、各第1領域上にポリイミドからなる配向膜AL1を形成すると共に、各第1領域とその周囲の領域との境界部に剥離層AL1’を形成した。配向膜AL1及び剥離層AL1’を約200℃で焼成し、配向膜AL1にラビング処理を施した。このようにして、大判のアレイ基板ASを得た。   First, a glass substrate SUB1 having a size of 150 mm × 150 mm was prepared. A signal line, a thin film transistor SW, a scanning line, a color filter CF, a peripheral light shielding layer LS, and a pixel electrode PE are formed on each of the six first regions to be used for the liquid crystal panel DP on one main surface of the substrate SUB1. Formed. Next, an alignment film AL1 made of polyimide was formed on each first region by offset printing, and a release layer AL1 'was formed at the boundary between each first region and the surrounding region. The alignment film AL1 and the release layer AL1 'were baked at about 200 ° C., and the alignment film AL1 was rubbed. In this way, a large array substrate AS was obtained.

また、寸法が150mm×150mmのガラス基板SUB2を準備した。この基板SUB2の一主面のうち、液晶パネルDPに利用すべき6つの第2領域の各々の上に、対向電極CEを形成した。次に、オフセット印刷により、各第2領域上に配向膜AL2を形成すると共に、各第2領域とその周囲の領域との境界部に剥離層AL2’を形成した。その後、配向膜AL2及び剥離層AL2’を約200℃で焼成し、配向膜AL2にラビング処理を施した。このようにして、大判の対向基板CSを得た。   Moreover, the glass substrate SUB2 with a dimension of 150 mm x 150 mm was prepared. A counter electrode CE was formed on each of the six second regions to be used for the liquid crystal panel DP on one main surface of the substrate SUB2. Next, an alignment film AL2 was formed on each second region by offset printing, and a release layer AL2 'was formed at the boundary between each second region and the surrounding region. Thereafter, the alignment film AL2 and the release layer AL2 ′ were baked at about 200 ° C., and the alignment film AL2 was rubbed. In this way, a large counter substrate CS was obtained.

次に、ディスペンサ方式により、各第1領域上に、熱硬化型エポキシ樹脂からなる枠形封止樹脂層SLを形成した。枠形封止樹脂層SLは、周辺遮光層LSと剥離層AL1’との間に位置するように形成した。次いで、ディスペンサ方式により、各第1領域上であって、枠形封止樹脂層SLの外側に、銀ペーストからなるトランスファ電極を形成した。   Next, a frame-shaped sealing resin layer SL made of a thermosetting epoxy resin was formed on each first region by a dispenser method. The frame-shaped sealing resin layer SL was formed so as to be positioned between the peripheral light shielding layer LS and the peeling layer AL1 '. Next, a transfer electrode made of a silver paste was formed on each first region and outside the frame-shaped sealing resin layer SL by a dispenser method.

その後、粒状スペーサを、第2領域上に散布した。続いて、大判アレイ基板ASと大判対向基板CSとの位置合わせを行い、それらを貼り合せた。さらに、枠形封止樹脂層SLを加熱して硬化させた。以上のようにして、大判パネルOPを得た。   Then, the granular spacer was spread | dispersed on the 2nd area | region. Subsequently, the large-sized array substrate AS and the large-sized counter substrate CS were aligned and bonded together. Further, the frame-shaped sealing resin layer SL was heated and cured. Thus, a large panel OP was obtained.

次に、基板SUB1及びSUB2を、それぞれ、割断ラインBL1及びBL2に沿って順次割断した。その後、各液晶セルCLに注入口から液晶材料LCを注入し、続いて、注入口を封止体で塞いだ。さらに、各液晶セルCL1のアレイ基板AS及び対向基板CSに、それぞれ、偏光板PLZ1及びPLZ2を貼り付け、6枚の表示パネルDPを得た。   Next, the substrates SUB1 and SUB2 were cleaved sequentially along the cleaving lines BL1 and BL2, respectively. Thereafter, the liquid crystal material LC was injected into each liquid crystal cell CL from the injection port, and then the injection port was closed with a sealing body. Further, polarizing plates PLZ1 and PLZ2 were attached to the array substrate AS and the counter substrate CS of each liquid crystal cell CL1, respectively, to obtain six display panels DP.

本例では、割断した基板同士が封止樹脂層SLを介して繋がったままとなることはなかった。また、得られた表示パネルDPを調べたところ、全て良品であった。   In this example, the cleaved substrates did not remain connected via the sealing resin layer SL. Further, when the obtained display panel DP was examined, all were non-defective products.

(例2)
図15は、例2で製造した大判パネルを概略的に示す平面図である。本例では、封止樹脂層SLを図15に示す形状に形成したこと以外は例1で説明したのと同様の方法により図1の表示パネルDPを6枚製造した。具体的には、本例では、図15にしめすように、封止樹脂層SLを、その一部が5mmの長さにわたって割断ラインBL1を跨るように形成した。
(Example 2)
FIG. 15 is a plan view schematically showing a large panel manufactured in Example 2. FIG. In this example, six display panels DP of FIG. 1 were manufactured by the same method as described in Example 1 except that the sealing resin layer SL was formed in the shape shown in FIG. Specifically, in this example, as shown in FIG. 15, the sealing resin layer SL is formed so that a part thereof straddles the cutting line BL1 over a length of 5 mm.

本例では、割断した基板同士が封止樹脂層SLを介して繋がったままとなることはなかった。また、得られた表示パネルDPを調べたところ、全て良品であった。   In this example, the cleaved substrates did not remain connected via the sealing resin layer SL. Further, when the obtained display panel DP was examined, all were non-defective products.

(比較例)
本例では、剥離層AL1’及びAL2’を形成しなかったこと以外は、例2と同様の方法により表示パネルを製造した。
(Comparative example)
In this example, a display panel was manufactured by the same method as in Example 2 except that the release layers AL1 ′ and AL2 ′ were not formed.

本例では、割断した基板同士が封止樹脂層SLを介して繋がったままとなった。それらを分離させるべくより大きな力を加えたところ、基板の一部に亀裂を生じた。このため、本例では、良品として得られた表示パネルDPは3枚のみであった。   In this example, the cleaved substrates remained connected via the sealing resin layer SL. When more force was applied to separate them, a part of the substrate cracked. For this reason, in this example, only three display panels DP were obtained as good products.

本発明の第1及び第2態様に係る方法で製造可能な液晶表示装置の一例を概略的に示す断面図。Sectional drawing which shows roughly an example of the liquid crystal display device which can be manufactured with the method which concerns on the 1st and 2nd aspect of this invention. 本発明の第1態様に係る液晶表示装置の製造方法を概略的に示す断面図。Sectional drawing which shows schematically the manufacturing method of the liquid crystal display device which concerns on the 1st aspect of this invention. 本発明の第1態様に係る液晶表示装置の製造方法を概略的に示す断面図。Sectional drawing which shows schematically the manufacturing method of the liquid crystal display device which concerns on the 1st aspect of this invention. 図2の構造を概略的に示す平面図。FIG. 3 is a plan view schematically showing the structure of FIG. 2. 第1比較例に係る液晶表示装置の製造方法において枠形封止樹脂層が幅広に形成された場合の割断工程を概略的に示す断面図。Sectional drawing which shows roughly the cleaving process when the frame-shaped sealing resin layer is formed wide in the manufacturing method of the liquid crystal display device which concerns on a 1st comparative example. 第1比較例に係る液晶表示装置の製造方法において枠形封止樹脂層が幅広に形成された場合の割断工程を概略的に示す断面図。Sectional drawing which shows roughly the cleaving process when the frame-shaped sealing resin layer is formed wide in the manufacturing method of the liquid crystal display device which concerns on a 1st comparative example. 図2乃至図4の製造方法において枠形封止樹脂層が幅広に形成された場合の割断工程を概略的に示す断面図。Sectional drawing which shows roughly the cleaving process when the frame-shaped sealing resin layer is formed wide in the manufacturing method of FIG. 2 thru | or FIG. 図2乃至図4の製造方法において枠形封止樹脂層が幅広に形成された場合の割断工程を概略的に示す断面図。Sectional drawing which shows roughly the cleaving process when the frame-shaped sealing resin layer is formed wide in the manufacturing method of FIG. 2 thru | or FIG. 本発明の第2態様に係る液晶表示装置の製造方法を概略的に示す断面図。Sectional drawing which shows schematically the manufacturing method of the liquid crystal display device which concerns on the 2nd aspect of this invention. 本発明の第2態様に係る液晶表示装置の製造方法を概略的に示す断面図。Sectional drawing which shows schematically the manufacturing method of the liquid crystal display device which concerns on the 2nd aspect of this invention. 本発明の第2態様に係る液晶表示装置の製造方法を概略的に示す断面図。Sectional drawing which shows schematically the manufacturing method of the liquid crystal display device which concerns on the 2nd aspect of this invention. 第2比較例に係る液晶表示装置の製造方法を概略的に示す断面図。Sectional drawing which shows schematically the manufacturing method of the liquid crystal display device which concerns on a 2nd comparative example. 第2比較例に係る液晶表示装置の製造方法を概略的に示す断面図。Sectional drawing which shows schematically the manufacturing method of the liquid crystal display device which concerns on a 2nd comparative example. 例1で製造した大判パネルを概略的に示す平面図。FIG. 2 is a plan view schematically showing a large panel manufactured in Example 1. 例1で製造した大判パネルを概略的に示す平面図。FIG. 2 is a plan view schematically showing a large panel manufactured in Example 1.

符号の説明Explanation of symbols

AL1…配向膜、AL1’…剥離層、AL1”…剥離層、AL2…配向膜、AL2’…剥離層、AS…アレイ基板、BL1…割断ライン、BL2…割断ライン、CE…対向電極、CF…カラーフィルタ、CL…液晶セル、CS…対向基板、DE…ドレイン電極、DP…表示パネル、EE…評価用素子、GE…ゲート電極、GI…絶縁膜、LC…液晶材料、LS…周辺遮光層、OP…大判パネル、PE…画素電極、PLZ1…偏光板、PLZ2…偏光板、SE…ソース電極、SUB1…絶縁基板、SC…半導体層、SL…枠形封止樹脂層、SUB2…絶縁基板、SW…スイッチング素子。   AL1 ... alignment film, AL1 '... release layer, AL1 "... release layer, AL2 ... alignment film, AL2' ... release layer, AS ... array substrate, BL1 ... cleaving line, BL2 ... cleaving line, CE ... counter electrode, CF ... Color filter, CL ... Liquid crystal cell, CS ... Counter substrate, DE ... Drain electrode, DP ... Display panel, EE ... Element for evaluation, GE ... Gate electrode, GI ... Insulating film, LC ... Liquid crystal material, LS ... Peripheral light shielding layer, OP ... large format panel, PE ... pixel electrode, PLZ1 ... polarizing plate, PLZ2 ... polarizing plate, SE ... source electrode, SUB1 ... insulating substrate, SC ... semiconductor layer, SL ... frame-shaped sealing resin layer, SUB2 ... insulating substrate, SW ... switching element.

Claims (6)

互いに向き合った第1及び第2基板と、
前記第1及び第2基板間に介在した枠形封止樹脂層と、
前記第1基板の前記第2基板と向き合った第1主面を前記枠形封止樹脂層の内側で被覆した第1配向膜と、
前記第2基板の前記第1基板と向き合った第2主面を前記枠形封止樹脂層の内側で被覆した第2配向膜と、
前記第1及び第2基板と前記枠形封止樹脂層とに囲まれた空間を満たした液晶材料と、
前記第1配向膜と同じ材料からなり、前記第1主面の周縁部を被覆して前記枠形封止樹脂層を取り囲んだ第1剥離層とを具備したことを特徴とする液晶表示装置。
First and second substrates facing each other;
A frame-shaped sealing resin layer interposed between the first and second substrates;
A first alignment film in which the first main surface of the first substrate facing the second substrate is covered with the inside of the frame-shaped sealing resin layer;
A second alignment film in which the second main surface of the second substrate facing the first substrate is covered with the inside of the frame-shaped sealing resin layer;
A liquid crystal material filling a space surrounded by the first and second substrates and the frame-shaped sealing resin layer;
A liquid crystal display device comprising: a first release layer made of the same material as the first alignment film, covering a peripheral edge portion of the first main surface and surrounding the frame-shaped sealing resin layer.
前記第2配向膜と同じ材料からなり、前記第2主面の周縁部を被覆して前記枠形封止樹脂層を取り囲んだ第2剥離層をさらに具備したことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。   The second release layer made of the same material as the second alignment film, further covering a peripheral edge of the second main surface and surrounding the frame-shaped sealing resin layer. The liquid crystal display device described. 第1基板の第1主面を部分的に被覆した第1配向膜を形成する工程と、
第2基板の第2主面を部分的に被覆した第2配向膜を形成する工程と、
前記第1主面上に前記第1配向膜を取り囲むと共に前記第1配向膜と同じ材料からなる第1剥離層を形成する工程と、
前記第1基板と前記第2基板とを枠形封止樹脂層を介して貼り合せて、前記第1及び第2配向膜が向き合い且つ前記枠形封止樹脂層が前記第1配向膜と前記第1剥離層との間に位置した大判パネルを形成する工程と、
前記大判パネルの前記第1基板を前記第1剥離層の位置で前記枠形封止樹脂層に沿って割断する工程とを含んだことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
Forming a first alignment film partially covering the first main surface of the first substrate;
Forming a second alignment film partially covering the second main surface of the second substrate;
Forming a first release layer made of the same material as the first alignment film while surrounding the first alignment film on the first main surface;
The first substrate and the second substrate are bonded to each other through a frame-shaped sealing resin layer, the first and second alignment films face each other, and the frame-shaped sealing resin layer and the first alignment film Forming a large panel positioned between the first release layer;
And cleaving the first substrate of the large panel along the frame-shaped sealing resin layer at the position of the first release layer.
前記第2主面上に前記第2配向膜を取り囲むと共に前記第2配向膜と同じ材料からなる第2剥離層を形成する工程と、
前記大判パネルの前記第2基板を前記第2剥離層の位置で前記枠形封止樹脂層に沿って割断する工程とをさらに含み、
前記大判パネルにおいて前記枠形封止樹脂層は前記第2配向膜と前記第2剥離層との間に位置させることを特徴とする請求項3に記載の液晶表示装置の製造方法。
Forming a second release layer made of the same material as the second alignment film while surrounding the second alignment film on the second main surface;
Cleaving the second substrate of the large panel along the frame-shaped sealing resin layer at the position of the second release layer,
4. The method of manufacturing a liquid crystal display device according to claim 3, wherein the frame-shaped sealing resin layer is positioned between the second alignment film and the second release layer in the large panel.
第1基板の第1主面を部分的に被覆した第1配向膜を形成する工程と、
第2基板の第2主面を部分的に被覆した第2配向膜を形成する工程と、
前記第1主面上に前記第1配向膜を取り囲むと共に前記第1配向膜と同じ材料からなる第1剥離層を形成する工程と、
前記第2主面上に前記第2配向膜を取り囲むと共に前記第2配向膜と同じ材料からなる第2剥離層を形成する工程と、
前記第1主面上であって前記第1剥離層の外側に前記第1配向膜と同じ材料からなる第3剥離層を形成する工程と、
前記第1基板と前記第2基板とを枠形封止樹脂層及びダミー封止樹脂層を介して貼り合せて、前記第1及び第2配向膜が向き合い、前記枠形封止樹脂層が前記第1配向膜と前記第1剥離層との間であって前記第2配向膜と前記第2剥離層との間に位置し、前記ダミー封止樹脂層が前記第3剥離層上に位置した大判パネルを形成する工程と、
前記大判パネルの前記第1基板を前記第1剥離層の位置で前記枠形封止樹脂層に沿って割断する工程と、
前記大判パネルの前記第1基板を前記第1剥離層の位置で前記枠形封止樹脂層に沿って割断する工程とを含んだことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
Forming a first alignment film partially covering the first main surface of the first substrate;
Forming a second alignment film partially covering the second main surface of the second substrate;
Forming a first release layer made of the same material as the first alignment film while surrounding the first alignment film on the first main surface;
Forming a second release layer made of the same material as the second alignment film while surrounding the second alignment film on the second main surface;
Forming a third release layer made of the same material as the first alignment film on the first main surface and outside the first release layer;
The first substrate and the second substrate are bonded via a frame-shaped sealing resin layer and a dummy sealing resin layer, the first and second alignment films face each other, and the frame-shaped sealing resin layer is Between the first alignment film and the first release layer and between the second alignment film and the second release layer, the dummy sealing resin layer is positioned on the third release layer Forming a large panel,
Cleaving the first substrate of the large panel along the frame-shaped sealing resin layer at the position of the first release layer;
And cleaving the first substrate of the large panel along the frame-shaped sealing resin layer at the position of the first release layer.
前記第1及び第2基板を割断した後に、割断された前記第1基板のうち前記ダミー封止樹脂層を挟んで前記第2基板の一部と向き合っている部分を前記第2基板の前記一部から剥離する工程をさらに含んだことを特徴とする請求項5に記載の液晶表示装置の製造方法。   After cleaving the first and second substrates, a portion of the cleaved first substrate that faces a part of the second substrate across the dummy sealing resin layer is the one of the second substrates. The method for manufacturing a liquid crystal display device according to claim 5, further comprising a step of peeling from the portion.
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