JP2008106126A - Thermally conductive material, heat releasing substrate using this and its manufacturing method - Google Patents

Thermally conductive material, heat releasing substrate using this and its manufacturing method Download PDF

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俊行 朝日
Yukihiro Shimazaki
幸博 島▲崎▼
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To solve a problem that a circuit board or the like required with a predetermined strength is hardly used since in a heat releasing substrate using a conventional crystallized resin, the recrystallized resin itself for enhancing a thermal conductivity is hard and brittle. <P>SOLUTION: A crystalline epoxy resin 17 and a thermoplastic resin having a phenyl group 27 (or a mesogen group) such as an amorphous PPE resin 18 with a high Tg (Tg is a glass transition temperature) and high strength are mixed, and it is made to a thermal conductive insulation material in which the mutual phenyl groups 27 are oriented and crystallized and an inorganic based inorganic filler 20 is further added. Thereby, load bearing (or hardly cracking) and Tg are improved while maintaining the high thermal conductivity. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、放熱が要求されるパワー系の半導体等の各種電子部品を高密度化に実装する際に用いられる熱伝導性材料及びこれを用いた放熱基板とその製造方法に関するものである。   The present invention relates to a heat conductive material used when mounting various electronic components such as power semiconductors that require heat dissipation at high density, a heat dissipation substrate using the same, and a method of manufacturing the same.

従来、電子部品実装用の放熱基板としては、金属板の上に絶縁材層を積層し配線パターンを形成した金属コア基板が多く使われている。次に図14を用いて従来の金属コア基板(例えば特許文献1)について説明する。   Conventionally, as a heat dissipation substrate for mounting electronic components, a metal core substrate in which an insulating material layer is laminated on a metal plate to form a wiring pattern is often used. Next, a conventional metal core substrate (for example, Patent Document 1) will be described with reference to FIG.

図14は従来の放熱基板の断面図である。図14において、金属板1の上には、電気絶縁材層2が形成されている。そしてここで電気絶縁材層2としては、ポリイミド又はポリフェニレンオキサイドに無機フィラーを添加したものが提案されている(例えば、下記の特許文献1)。なおポリフェニレンオキサイド(あるいはPPO)は、General Electronic Companyの登録商標であるので、本願の中ではポリフェニレンオキサイド(PPO)は、ポリフェニレンエーテル(polyphenylene ether、以下PPEと呼ぶ)と呼ぶ。なおPPOとPPEとは同じものであり、PPEの詳細については、後述する図8等で説明する。   FIG. 14 is a cross-sectional view of a conventional heat dissipation board. In FIG. 14, an electrical insulating material layer 2 is formed on the metal plate 1. And here, what added the inorganic filler to the polyimide or polyphenylene oxide as the electrical insulating material layer 2 is proposed (for example, the following patent document 1). Since polyphenylene oxide (or PPO) is a registered trademark of the General Electronic Company, in this application, polyphenylene oxide (PPO) is called polyphenylene ether (hereinafter referred to as PPE). Note that PPO and PPE are the same, and details of PPE will be described later with reference to FIG.

そしてこの電気絶縁材層2の上に銅箔又は接続箔3が積層されている。そしてこの上に、半田4を用いて、セラミックチップ部品5やシリコン半導体6、端子7等を実装する。ここで電気絶縁材層2は、熱伝導率が0.005から0.018(Cal/℃・cm・sec)で、ガラス転移温度が164℃以上のものである。しかしこのようなPPEのような一般的な樹脂は、樹脂自体の熱伝導率が低いため、近年のPDP(プラズマディスプレイパネル)やLED(発光ダイオード)等の高放熱性が要求される電子部品用の放熱基板とすることが難しい場合があった。なお熱伝導率の換算式は、1cal/(s・m・℃)≒4.2W/(m・K)である。   A copper foil or connection foil 3 is laminated on the electrical insulating material layer 2. Then, a ceramic chip component 5, a silicon semiconductor 6, a terminal 7, and the like are mounted thereon using solder 4. Here, the electrical insulating material layer 2 has a thermal conductivity of 0.005 to 0.018 (Cal / ° C. · cm · sec) and a glass transition temperature of 164 ° C. or higher. However, a general resin such as PPE has a low thermal conductivity of the resin itself, and therefore, for electronic components that require high heat dissipation such as PDP (plasma display panel) and LED (light emitting diode) in recent years. In some cases, it was difficult to obtain a heat dissipation substrate. The conversion formula of the thermal conductivity is 1 cal / (s · m · ° C.) ≈4.2 W / (m · K).

次に電気絶縁材層2の高放熱化について、樹脂の熱伝導性を高める場合について、図15を用いて説明する。例えば樹脂の熱伝導性を高める手段として、結晶化樹脂を用いることが提案されている(例えば、下記特許文献2)。図15は、メソゲン基を有するモノマーの重合反応中の変化の模式図である。図15(A)〜(C)に示すようにして、メソゲン基8を有するモノマー9は、互いに重合することによって、電気絶縁性でかつ優れた熱伝導性を得ようとするものである。しかし結晶化樹脂を用いて高放熱性(あるいは高熱伝導性)を得るには、結晶化樹脂の結晶化率を高める必要がある。しかし結晶化樹脂の結晶化率を高めるほど、できあがった基板が硬くて脆くなってしまう。その結果、得られた実装用の基板の樹脂部分が折れ、欠けやひび等が入りやすいと言う課題が発生する可能性がある。
特許第3255315号公報 特開平11−323162号公報
Next, a case of increasing the heat conductivity of the resin will be described with reference to FIG. For example, it has been proposed to use a crystallized resin as means for increasing the thermal conductivity of the resin (for example, Patent Document 2 below). FIG. 15 is a schematic view of a change during a polymerization reaction of a monomer having a mesogenic group. As shown in FIGS. 15A to 15C, the monomers 9 having the mesogenic groups 8 are intended to obtain electrical insulation and excellent thermal conductivity by polymerizing each other. However, in order to obtain high heat dissipation (or high thermal conductivity) using the crystallized resin, it is necessary to increase the crystallization rate of the crystallized resin. However, the higher the crystallization rate of the crystallization resin, the harder and more fragile the substrate will be. As a result, there is a possibility that the resin part of the obtained mounting substrate is broken and a problem that chips, cracks, etc. are likely to occur.
Japanese Patent No. 3255315 JP-A-11-323162

このように結晶性樹脂は、結晶性樹脂特有の物性(硬くて脆い、欠けやすい、割れやすい)のため、放熱基板に使いにくいという場合があった。   As described above, the crystalline resin may be difficult to use for the heat dissipation substrate due to the physical properties unique to the crystalline resin (hard and brittle, easy to chip, and easy to break).

本発明は、従来の課題を解決するもので、結晶性樹脂の硬くて脆いという課題を解決し、結晶性樹脂を用いた放熱基板に高熱伝導性と丈夫さを両立させられる熱伝導性材料及びそれを用いた放熱基板とその製造方法を提供することを目的とする。   The present invention solves the conventional problems, solves the problem that the crystalline resin is hard and brittle, and provides a heat conductive material that can achieve both high thermal conductivity and robustness in the heat dissipation substrate using the crystalline resin, and An object of the present invention is to provide a heat dissipation board using the same and a manufacturing method thereof.

前記従来の課題を解決するために、本発明は、結晶性エポキシ樹脂と、ポニフェニレンエーテル、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルスルホンの少なくとも一つを主成分とする熱可塑樹脂と、硬化剤とで、熱伝導性材料を構成するものである。   In order to solve the above-described conventional problems, the present invention provides a crystalline epoxy resin, a thermoplastic resin mainly composed of at least one of poniphenylene ether, polyphenylene sulfide, and polyether sulfone, and a curing agent. It constitutes a conductive material.

そして、硬くて脆い結晶性樹脂の課題を補うために、結晶性樹脂と同様の構造(例えばフェニル基)を有しながらも、ガラス転移温度が高く、重合度が高く、割れにくいと言う特徴を有する熱可塑樹脂を添加する。そしてこれらを加熱し溶解することで、熱可塑性のフェニル基と、結晶性樹脂のフェニル基とを互いに分子状態で配向(あるいは結晶化)させる。   And in order to compensate for the problem of hard and brittle crystalline resin, it has the same structure (for example, phenyl group) as crystalline resin, but has high glass transition temperature, high degree of polymerization, and is hard to break. Add the thermoplastic resin you have. Then, by heating and dissolving them, the thermoplastic phenyl group and the phenyl group of the crystalline resin are oriented (or crystallized) with each other in a molecular state.

そして熱可塑樹脂を主骨格とし、その主骨格の周囲に結晶性樹脂を積極的に配向(あるいは結晶化)させることで、両者の特徴を最大限に引き出そうとするものである。   Then, the thermoplastic resin is used as a main skeleton, and the crystalline resin is positively orientated (or crystallized) around the main skeleton so as to maximize the characteristics of both.

本発明の熱伝導性材料及びそれを用いた放熱基板と放熱基板の製造方法によれば、電子部品用の基板として要求される丈夫さ(割れにくさ等)を付与する。また、添加したフェニル基を有する熱可塑性樹脂によって、結晶性エポキシ樹脂の配向性や結晶化を向上させ、高放熱性も向上できる。   According to the heat conductive material of the present invention and the heat dissipation substrate using the heat conductive material and the method for manufacturing the heat dissipation substrate, the required strength (hardness to crack) is provided as a substrate for an electronic component. Further, the thermoplastic resin having the added phenyl group can improve the orientation and crystallization of the crystalline epoxy resin, and can also improve the high heat dissipation.

(実施の形態)
以下、本発明の実施の形態における熱伝導性樹脂及びこれを用いた放熱基板について説明する。まず本発明の熱伝導樹脂を用いた放熱基板について、図1を用いて説明する。
(Embodiment)
Hereinafter, the thermally conductive resin and the heat dissipation substrate using the same in the embodiment of the present invention will be described. First, a heat dissipation substrate using the heat conductive resin of the present invention will be described with reference to FIG.

図1は、実施の形態における放熱基板の斜視断面図である。図1において、10は配線パターンであり、リードフレームや銅箔等を所定形状(あるいは所定配線パターン形状)に加工したものに相当する。11は熱伝導性絶縁層であり、後述する図3等で説明するものであり、少なくとも結晶性エポキシ樹脂と、ポニフェニレンエーテル(以下PPEと呼ぶ)、ポリフェニレンスルフィド(以下PPSと呼ぶ)、ポリエーテルスルホン(以下PESと呼ぶ)の少なくとも一つを主成分とする熱可塑樹脂と(更に必要に応じて無機フィラーを添加する)からなる熱伝導性材料で構成する。そしてこの熱伝導性材料をシート状に加工し、熱伝導性絶縁層11とする。12は金属板であり、銅やアルミニウム等の熱伝導性に優れた金属材料から構成する。   FIG. 1 is a perspective sectional view of a heat dissipation board in the embodiment. In FIG. 1, reference numeral 10 denotes a wiring pattern, which corresponds to a lead frame, copper foil or the like processed into a predetermined shape (or a predetermined wiring pattern shape). Reference numeral 11 denotes a thermally conductive insulating layer, which will be described later with reference to FIG. 3 and the like. At least a crystalline epoxy resin, poniphenylene ether (hereinafter referred to as PPE), polyphenylene sulfide (hereinafter referred to as PPS), polyether It is made of a heat conductive material composed of a thermoplastic resin containing at least one of sulfone (hereinafter referred to as PES) as a main component (added with an inorganic filler if necessary). Then, this heat conductive material is processed into a sheet shape to form a heat conductive insulating layer 11. A metal plate 12 is made of a metal material having excellent thermal conductivity such as copper or aluminum.

図1において、配線パターン10の一部分以上を埋め込んだシート状の熱伝導性絶縁層11は、金属板12の表面に固定している。そして配線パターン10の一面を、前記熱伝導性絶縁層11から露出させる。そして熱伝導性絶縁層11に一部分以上を埋め込んだ配線パターン10の、露出面に電子部品(図示していない)を実装することになる。   In FIG. 1, a sheet-like thermally conductive insulating layer 11 in which a part or more of the wiring pattern 10 is embedded is fixed to the surface of the metal plate 12. Then, one surface of the wiring pattern 10 is exposed from the thermally conductive insulating layer 11. Then, an electronic component (not shown) is mounted on the exposed surface of the wiring pattern 10 in which a part or more is embedded in the heat conductive insulating layer 11.

次に図2を用いて、図1の放熱基板の放熱メカニズムについて説明する。図2(A)(B)は配線パターンを埋め込んだ放熱基板の放熱メカニズムを説明する断面図である。図2(A)(B)において、13は電子部品であり、発熱を伴うパワー半導体や発光ダイオード(LED)、レーザー等である。14a、14bは矢印である。   Next, the heat dissipation mechanism of the heat dissipation substrate of FIG. 1 will be described with reference to FIG. 2A and 2B are cross-sectional views illustrating a heat dissipation mechanism of a heat dissipation board in which a wiring pattern is embedded. 2A and 2B, reference numeral 13 denotes an electronic component, which is a power semiconductor with heat generation, a light emitting diode (LED), a laser, or the like. 14a and 14b are arrows.

まず図2(A)に示すように、電子部品13を配線パターン10の上に実装する。なお図2(A)において、配線パターン10の上に形成したソルダーレジストは図示していない。なお配線パターン10の上にソルダーレジストを形成することで、配線パターン10の表面で、実装用の半田(図示していない)が広がりすぎることを防止する。   First, as shown in FIG. 2A, the electronic component 13 is mounted on the wiring pattern 10. In FIG. 2A, the solder resist formed on the wiring pattern 10 is not shown. By forming a solder resist on the wiring pattern 10, it is possible to prevent the mounting solder (not shown) from spreading too much on the surface of the wiring pattern 10.

次に図2(B)を用いて配線パターン10の上に実装した電子部品13に発生した熱を放熱する様子を説明する。図2(B)において、矢印14bは、熱が伝わる(あるいは放熱する)方向を示す。電子部品13に発生した熱は、矢印14bが示すように、配線パターン10を介して広面積に広がる(あるいはヒートスプレッドする)。そして配線パターン10の熱は、配線パターン10を一部分以上埋め込んだ熱伝導性絶縁層11に伝わる。そして熱伝導性絶縁層11の熱は、金属板12に伝わる。こうして電子部品13を冷却する。   Next, how the heat generated in the electronic component 13 mounted on the wiring pattern 10 is radiated will be described with reference to FIG. In FIG. 2B, an arrow 14b indicates a direction in which heat is transmitted (or radiated). The heat generated in the electronic component 13 spreads over a wide area (or heat spreads) through the wiring pattern 10 as indicated by the arrow 14b. The heat of the wiring pattern 10 is transmitted to the heat conductive insulating layer 11 in which the wiring pattern 10 is partially embedded. The heat of the heat conductive insulating layer 11 is transmitted to the metal plate 12. In this way, the electronic component 13 is cooled.

そして電子部品13を冷却することで、電子部品13の効率アップ(例えば発光ダイオードや半導体レーザーの光量アップ)や、高寿命化、高信頼性化が可能となる。なお図2(A)(B)において、電子部品13と配線パターン10との実装部分(例えば半田やワイヤー、表面実装用のバンプ等)は図示していない。次に放熱基板に用いる熱伝導性絶縁層11について説明する。   Then, by cooling the electronic component 13, it is possible to increase the efficiency of the electronic component 13 (for example, increase the light amount of the light emitting diode or the semiconductor laser), increase the life, and increase the reliability. 2A and 2B, the mounting part (for example, solder, wire, bump for surface mounting, etc.) between the electronic component 13 and the wiring pattern 10 is not shown. Next, the thermally conductive insulating layer 11 used for the heat dissipation substrate will be described.

図3〜6を用いて、熱伝導性絶縁層11に用いる熱伝導の製法について説明する。図3は、熱伝導性絶縁層11を構成する熱伝導絶縁材の製造方法の一例を示す模式図である。図3において、15は混練装置、17は結晶性エポキシ樹脂、18はPPE樹脂、19は硬化剤、20は無機フィラーである。なお結晶性エポキシ樹脂17については後述する図10、11で、PPE樹脂18については図8、9で説明する。   The manufacturing method of the heat conduction used for the heat conductive insulating layer 11 is demonstrated using FIGS. FIG. 3 is a schematic diagram illustrating an example of a method for manufacturing a heat conductive insulating material constituting the heat conductive insulating layer 11. In FIG. 3, 15 is a kneading apparatus, 17 is a crystalline epoxy resin, 18 is a PPE resin, 19 is a curing agent, and 20 is an inorganic filler. The crystalline epoxy resin 17 will be described later with reference to FIGS. 10 and 11, and the PPE resin 18 will be described with reference to FIGS.

図3(A)〜(C)において混練装置15としては、市販の加熱混練装置(例えば、プラネタリーミキサーやニーダー、あるいは株式会社東洋精機製作所のラボプラストミル)であり、各作業工程に応じて組み合わせる。また混練機構16は、モーター等を用いた混練機構部分であり、溶解した樹脂同士を互いに分子レベルで均一化になるように攪拌(あるいは混練)させるものである。また混練機構16の先端には攪拌羽根としてΣ型、Z型、ハイブリッド型等の攪拌羽根をつけても良い。また羽根以外の形状を用いることもできる。また混練装置15はヒーター等で所定温度に加熱できるものを用いる。混練装置15を加熱することで、室温では固体状態であった樹脂材料を溶解(あるいは液化)できるため他の部材との混練性や親和性を高められる。   3 (A) to 3 (C), the kneading device 15 is a commercially available heating kneading device (for example, a planetary mixer or kneader, or a laboratory plast mill manufactured by Toyo Seiki Seisakusho Co., Ltd.). combine. The kneading mechanism 16 is a kneading mechanism portion using a motor or the like, and agitates (or kneads) the melted resins so that they become uniform at the molecular level. Further, a stirring blade of Σ type, Z type, hybrid type or the like may be attached to the tip of the kneading mechanism 16 as a stirring blade. Moreover, shapes other than a blade | wing can also be used. The kneading device 15 is one that can be heated to a predetermined temperature with a heater or the like. By heating the kneading device 15, the resin material that is in a solid state at room temperature can be dissolved (or liquefied), so that kneadability and affinity with other members can be improved.

まず図3(A)に示すように、混練装置15を結晶性エポキシ樹脂17の融点以上に加熱し液化する。これは結晶性エポキシ樹脂17が、室温で粒状(固体状態)であるため、室温状態ではPPE樹脂18または、硬化剤19等との分子レベルにおける均一混合(特に分子状態での均一化)または、反応が難しいためである。   First, as shown in FIG. 3A, the kneading device 15 is heated to the melting point of the crystalline epoxy resin 17 or higher to be liquefied. This is because the crystalline epoxy resin 17 is in a granular state (solid state) at room temperature, and therefore, at the room temperature state, it is uniformly mixed with the PPE resin 18 or the curing agent 19 at the molecular level (particularly in the molecular state) or This is because the reaction is difficult.

次に図3(B)に示すように、液化した結晶性エポキシ樹脂17の中にPPE樹脂18を添加する。なお図3(B)(C)において、混練機構16は図示していない。   Next, as shown in FIG. 3B, a PPE resin 18 is added to the liquefied crystalline epoxy resin 17. In FIGS. 3B and 3C, the kneading mechanism 16 is not shown.

次に図3(C)に示すように、結晶性エポキシ樹脂17とPPE樹脂18とからなる液状物(あるいは粘稠物)の中に、硬化剤19や、(必要に応じて)無機フィラー20を徐々に(あるいは個別に)添加する。この時、液状物(あるいは粘稠物)の温度を、これら部材の最低液化温度以上(液化状態を保てる最低温度以上、例えば100℃以上)とすることが望ましい。そしてこの最低液化温度以上で、混練装置15にセットした混練機構16(図示していない)を用いてこれら部材を混合(あるいは混練)することで、これら部材を分子状態で均一化させる。   Next, as shown in FIG. 3C, a curing agent 19 and (if necessary) an inorganic filler 20 are contained in a liquid material (or viscous material) composed of the crystalline epoxy resin 17 and the PPE resin 18. Are added gradually (or separately). At this time, it is desirable that the temperature of the liquid material (or viscous material) is higher than the lowest liquefaction temperature of these members (more than the lowest temperature at which a liquefied state can be maintained, for example, 100 ° C. or higher). These members are mixed (or kneaded) using a kneading mechanism 16 (not shown) set in the kneading device 15 at a temperature equal to or higher than the minimum liquefaction temperature, thereby homogenizing these members in a molecular state.

なお硬化剤19の添加時に、混練装置15(あるいはその中にセットした樹脂部材)の温度を一段下げておくことで、添加後の樹脂の熱硬化反応(あるいは経時変化)を抑えることもできる。こうして、熱伝導絶縁材を作製する。   When the curing agent 19 is added, the temperature of the kneading device 15 (or the resin member set therein) is lowered one step so that the thermosetting reaction (or change with time) of the resin after the addition can be suppressed. In this way, a heat conductive insulating material is produced.

なお硬化剤19の添加は、PPE樹脂18の添加後とする。これは結晶性エポキシ樹脂17への硬化剤19の添加効果(例えば温度変化や硬化開始)の発現を遅らせるためである。   The curing agent 19 is added after the PPE resin 18 is added. This is to delay the effect of adding the curing agent 19 to the crystalline epoxy resin 17 (for example, temperature change or curing start).

また無機フィラー20としては、アルミナ、窒化アルミ、窒化ホウ素、炭化ケイ素、窒化ケイ素から選ばれた少なくとも1種類からなる無機フィラー20を用いることが望ましい。熱伝導性の高い無機フィラー20を用いることで、熱伝導絶縁材の熱伝導性を更に高めることができる。なお結晶性エポキシ樹脂17等の温度を、その溶解温度以上(例えば50〜200℃)の範囲とすることで、結晶性エポキシ樹脂17の溶融粘度を低く保ち、無機フィラー20の樹脂への均一分散を可能にする。また、硬化促進剤や、表面処理剤等を混入してもよい。   Moreover, as the inorganic filler 20, it is desirable to use at least one inorganic filler 20 selected from alumina, aluminum nitride, boron nitride, silicon carbide, and silicon nitride. By using the inorganic filler 20 having high thermal conductivity, the thermal conductivity of the thermal conductive insulating material can be further increased. By setting the temperature of the crystalline epoxy resin 17 or the like within the range of its melting temperature (for example, 50 to 200 ° C.), the melt viscosity of the crystalline epoxy resin 17 is kept low, and the inorganic filler 20 is uniformly dispersed in the resin. Enable. Moreover, you may mix a hardening accelerator, a surface treating agent, etc.

次に熱伝導絶縁材の予備成形について説明する。図3(A)〜(C)のようにして作製した熱伝導絶縁材は、混練装置15(例えば混練装置15を構成する反応釜)から出すと同時に、フィルム状に成形することが望ましい。熱伝導絶縁材をフィルム状に予備成形しておくことで、熱伝導絶縁材の取り扱い性を改善できる。次に図4を用いて、熱伝導絶縁材の予備成形(例えばフィルム化)について説明する。   Next, the preforming of the heat conductive insulating material will be described. It is desirable that the heat-conducting insulating material produced as shown in FIGS. 3A to 3C is formed into a film at the same time as being taken out from the kneading device 15 (for example, the reaction kettle constituting the kneading device 15). By pre-molding the heat conductive insulating material into a film shape, the handleability of the heat conductive insulating material can be improved. Next, the preforming (for example, film formation) of the heat conductive insulating material will be described with reference to FIG.

図4は熱伝導絶縁材の予備成形について説明する断面図である。図4において、21は熱伝導絶縁材、22は離型シート、23は成形装置である。図4において、熱伝導絶縁材21は、図3(A)〜(C)によって製造したものであり、少なくともPPE樹脂18等の熱可塑樹脂と結晶性エポキシ樹脂17と無機フィラー20、硬化剤19とからなるものである。そしてこの熱伝導絶縁材21を、成形装置23にセットし、矢印14に示すように駆動し、シート状に予備成形する。なおこの時、熱伝導絶縁材21と、成形装置23の間に離型シート22を挟んでおくことで、成形装置23の加工部表面(例えば、ロール回転部分等)の、熱伝導絶縁材21による汚れ発生を防止する。そして離型シート22は、シート化した熱伝導絶縁材21の表面に、一種の表面保護フィルムとして残しておく。   FIG. 4 is a cross-sectional view for explaining the preforming of the heat conductive insulating material. In FIG. 4, 21 is a heat conductive insulating material, 22 is a release sheet, and 23 is a molding apparatus. In FIG. 4, the heat conductive insulating material 21 is manufactured according to FIGS. 3A to 3C, and at least a thermoplastic resin such as PPE resin 18, a crystalline epoxy resin 17, an inorganic filler 20, and a curing agent 19. It consists of And this heat conductive insulating material 21 is set to the shaping | molding apparatus 23, it drives as shown by the arrow 14, and pre-forms in a sheet form. At this time, the release sheet 22 is sandwiched between the heat conductive insulating material 21 and the molding device 23, so that the heat conductive insulating material 21 on the surface of the processing portion of the molding device 23 (for example, a roll rotating portion or the like). Prevents dirt from being generated. The release sheet 22 is left as a kind of surface protection film on the surface of the heat conductive insulating material 21 formed into a sheet.

なお離型シート22としては、市販の表面をシリコン処理や撥水処理、離型処理したPET等の樹脂フィルムを用いることができる。また予備成形した熱伝導絶縁材21の厚みは、0.02mm以上5.00mm以下が望ましい。厚みが0.02mm以下とした場合、シート状の熱伝導絶縁材21にピンホールが発生する場合がある。またその厚みが5.00mmを超えると、放熱基板としての放熱性に影響を与える場合がある。なお成形装置23の成形部(例えば加圧ロール部分)を加熱しておくことで、熱伝導絶縁材21の成形性を高められ、できあがったシート状の成形物の厚みバラツキも低減できる。そしてシート状に予備成形した熱伝導絶縁材21の表面に、離型シート22を一種の保護シートとして残すことで、ゴミ等の付着を防止する。   As the release sheet 22, a resin film such as PET obtained by treating a commercially available surface with silicon treatment, water repellent treatment, or release treatment can be used. The thickness of the preliminarily formed heat conductive insulating material 21 is preferably 0.02 mm or more and 5.00 mm or less. When the thickness is 0.02 mm or less, pinholes may occur in the sheet-like heat conductive insulating material 21. Moreover, when the thickness exceeds 5.00 mm, the heat dissipation as a heat sink may be affected. In addition, by heating the molding part (for example, pressure roll part) of the shaping | molding apparatus 23, the moldability of the heat conductive insulating material 21 can be improved, and the thickness variation of the completed sheet-like molded product can also be reduced. And the adhesion of dust etc. is prevented by leaving the release sheet 22 as a kind of protective sheet on the surface of the heat conductive insulating material 21 preformed into a sheet shape.

またコーターを用いて塗工や、押出成型機を用いることもできる。必要に応じて粘度を調整するために溶剤を添加してもよい。また予め溶剤に溶かした状態で混練してもよい。なお製造方法はこれに限定されるものではない。   Also, coating using a coater or an extrusion molding machine can be used. You may add a solvent in order to adjust a viscosity as needed. Moreover, you may knead | mix in the state previously melt | dissolved in the solvent. The manufacturing method is not limited to this.

次にシート化した熱伝導絶縁材21を用いて、放熱基板を作製する様子について、図5(A)(B)を用いて説明する。図5(A)(B)は放熱基板の製造方法の一例を説明する断面図である。図5(A)(B)において、24はフィルムであり、成形装置23の表面が、熱伝導絶縁材21で汚れないようにするものである。   Next, how a heat dissipation substrate is manufactured using the sheet-formed heat conductive insulating material 21 will be described with reference to FIGS. 5A and 5B are cross-sectional views illustrating an example of a method for manufacturing a heat dissipation board. 5A and 5B, reference numeral 24 denotes a film which prevents the surface of the molding apparatus 23 from being soiled by the heat conductive insulating material 21.

まず図5(A)に示すように、金属板12と配線パターン10の間に、事前に離型シート22を除去しておいた熱伝導絶縁材21をセットする。そして金属板12と熱伝導絶縁材21と配線パターン10を、プレス等の成形装置23の間に挟み、矢印14に示すように加熱加圧する。なお図5(A)(B)において、成形装置23にセットする金型等は図示していない。そして成形装置23を矢印14に示すようにして、これら部材を所定温度、圧力し、一体化する。   First, as shown in FIG. 5A, a heat conductive insulating material 21 from which the release sheet 22 has been removed in advance is set between the metal plate 12 and the wiring pattern 10. The metal plate 12, the heat conductive insulating material 21, and the wiring pattern 10 are sandwiched between molding devices 23 such as a press and are heated and pressurized as indicated by an arrow 14. In FIGS. 5A and 5B, a mold and the like set in the molding apparatus 23 are not shown. Then, as shown by the arrow 14 in the molding apparatus 23, these members are pressed at a predetermined temperature and integrated.

その後、図5(B)に示すように成形装置23を矢印14の方向に引き離す。その後、フィルム24を剥がす。このように配線パターン10を、その一面だけが露出するようにして、熱伝導性絶縁層11に埋め込んだ放熱基板(図1相当品)を作製する。   Thereafter, the molding device 23 is pulled away in the direction of the arrow 14 as shown in FIG. Thereafter, the film 24 is peeled off. In this manner, a heat dissipation substrate (a product equivalent to FIG. 1) is produced in which the wiring pattern 10 is exposed only on one surface thereof, and is embedded in the heat conductive insulating layer 11.

このようにして配線パターン10の一部以上を、熱伝導性絶縁層11に埋め込むことによって、配線パターン10と熱伝導性絶縁層11の接触面積を増加でき、放熱性を高める。また埋め込むことで、熱伝導性絶縁層11の表面に突き出す配線パターン10の厚みを小さくする。   By embedding a part or more of the wiring pattern 10 in the heat conductive insulating layer 11 in this manner, the contact area between the wiring pattern 10 and the heat conductive insulating layer 11 can be increased, and heat dissipation is improved. Further, by embedding, the thickness of the wiring pattern 10 protruding from the surface of the heat conductive insulating layer 11 is reduced.

ここで配線パターン10として、例えば肉厚0.3mmのリードフレームを用いることが出来る。そしてリードフレームの一部以上を、熱伝導性絶縁層11に埋め込むことで、熱伝導性絶縁層11からの配線パターン10の突き出し量(あるいは段差)を50μm以下(望ましくは20μm以下、更には10μm以下)に抑える。こうして突き出し量を抑えることで、配線パターン10の上に形成するソルダーレジストの形成が容易となり、ソルダーレジストの膜厚も薄層、均一化でき、放熱基板の放熱性を高める。   Here, as the wiring pattern 10, for example, a lead frame having a thickness of 0.3 mm can be used. Then, by embedding a part or more of the lead frame in the heat conductive insulating layer 11, the protruding amount (or step) of the wiring pattern 10 from the heat conductive insulating layer 11 is 50 μm or less (desirably 20 μm or less, further 10 μm). Less) By suppressing the protruding amount in this way, it becomes easy to form the solder resist formed on the wiring pattern 10, the thickness of the solder resist can be made thin and uniform, and the heat dissipation property of the heat dissipation substrate is improved.

更に配線パターン10の一部分以上を熱伝導性絶縁層11に埋め込むことで、配線パターン10と熱伝導性絶縁層11との接続強度を高める以外にも、配線パターン10の引張り強度も高められる(引張り強度の測定方法については、プリント配線基板における銅箔の引張り強度評価方法等を参考にできる)。   Furthermore, by embedding a part or more of the wiring pattern 10 in the heat conductive insulating layer 11, in addition to increasing the connection strength between the wiring pattern 10 and the heat conductive insulating layer 11, the tensile strength of the wiring pattern 10 can also be increased (tensile Regarding the strength measurement method, the tensile strength evaluation method of the copper foil on the printed wiring board can be referred to).

次に熱伝導絶縁材21を構成する部材であるPPE樹脂18、結晶性エポキシ樹脂17について個別に説明する。   Next, the PPE resin 18 and the crystalline epoxy resin 17 which are members constituting the heat conductive insulating material 21 will be described individually.

まず図6〜図7を用いて、PPE樹脂18について説明する。図6は、PPE樹脂の製法の一例を示す構造図である。一般的にPPE樹脂18は有機溶媒を用いたものを使っても良いが、超臨界炭酸ガス等を用いて合成したものも使える。例えば図6において、25はDMP、26はDPQである。DMP25は、2,6ジメチルフェノール(dimethyl phthalate)であり、PPE樹脂18の出発原料となるものである。これをCu等の触媒(catalyst)を用いて、カップリング反応させることで重合させPPE樹脂18を得る。またこの反応の際、副産物としてDPQ26が生成する。DPQはジフェノキノン(diphenoquinone)である。この反応時の塩基濃度、温度、攪拌方法等を最適化することで、DPQ26の副生を抑制し、より高分子(望ましくはnが100以上、あるいは分子量3万以上)PPEを合成できる。ここでPPE樹脂18の重合度(n)は、100以上が望ましい。PPE樹脂18の重合度が100未満の場合、配線基板としての物理強度が得られない場合がある。   First, the PPE resin 18 will be described with reference to FIGS. FIG. 6 is a structural diagram showing an example of a method for producing a PPE resin. In general, the PPE resin 18 may be one using an organic solvent, but one synthesized using supercritical carbon dioxide or the like can also be used. For example, in FIG. 6, 25 is DMP and 26 is DPQ. DMP 25 is 2,6 dimethyl phthalate and is a starting material for the PPE resin 18. This is polymerized by a coupling reaction using a catalyst such as Cu to obtain PPE resin 18. In this reaction, DPQ26 is produced as a by-product. DPQ is diphenoquinone. By optimizing the base concentration, temperature, stirring method, and the like during this reaction, DPQ26 by-product can be suppressed and higher molecular weight PPE (preferably n is 100 or higher, or molecular weight is 30,000 or higher) can be synthesized. Here, the degree of polymerization (n) of the PPE resin 18 is desirably 100 or more. When the degree of polymerization of the PPE resin 18 is less than 100, physical strength as a wiring board may not be obtained.

図7(A)(B)はPPE樹脂の構造式と模式図である。図7(A)(B)において27はフェニル基である。図7(A)は、PPE樹脂の構造式である。図7(B)は、非晶質状態のPPE樹脂18の主鎖(あるいはフェニル基27)部分を説明する模式図である。図7(A)に示すように、PPE樹脂18は酸素(O)を介して、フェニル基27(図7(B)においてフェニル基27は四角で記載)が連続的にフレキシブルな状態で結合している。ここでPPE樹脂18自体は、本質的で非晶質の熱可塑性樹脂であるため、熱伝導率が低い。   7A and 7B are a structural formula and a schematic diagram of a PPE resin. In FIGS. 7A and 7B, 27 is a phenyl group. FIG. 7A shows a structural formula of PPE resin. FIG. 7B is a schematic diagram for explaining the main chain (or phenyl group 27) portion of the PPE resin 18 in an amorphous state. As shown in FIG. 7A, the PPE resin 18 is bonded with oxygen (O) via a phenyl group 27 (in FIG. 7B, the phenyl group 27 is indicated by a square) continuously in a flexible state. ing. Here, since the PPE resin 18 itself is an essentially amorphous thermoplastic resin, its thermal conductivity is low.

こうしたPPE樹脂18は、その主鎖にフェニル基27を多数個(例えばn≧100)規則正しく有している。そして本実施の形態では、規則正しく並んだフェニル基27に注目し、そして後述する図10等で説明するようにフェニル基27を少数(例えば2〜20個)有している結晶性エポキシ樹脂17と、このPPE樹脂18のフェニル基27との間で、互いのフェニル基27同士を配向させ、結晶化させることで熱伝導率を高める。一般的にTgを向上させる方法として、網目構造をとりやすい硬化剤19を配合する場合があるが、結晶化が阻害され、高い熱伝導率が得られなかった。そこでPPE樹脂18のフェニル基27(あるいは結晶化に寄与すると思われるメソゲン基部分)と、結晶性エポキシ樹脂17のフェニル基27(あるいはメソゲン基部分)が、互いに共通エレメントであることを積極的に利用し、これらを配向(あるいは結晶化)させる。これにより、結晶性エポキシ樹脂自体の結晶化度も向上させることができる。   Such a PPE resin 18 regularly has a large number (for example, n ≧ 100) of phenyl groups 27 in the main chain. In the present embodiment, attention is paid to the regularly arranged phenyl groups 27, and the crystalline epoxy resin 17 having a small number (for example, 2 to 20) of phenyl groups 27 as described later with reference to FIG. In addition, the phenyl groups 27 of the PPE resin 18 are aligned with each other and crystallized to increase the thermal conductivity. In general, as a method for improving Tg, there is a case where a curing agent 19 that easily takes a network structure is blended, but crystallization is inhibited and high thermal conductivity cannot be obtained. Therefore, it is positive that the phenyl group 27 of the PPE resin 18 (or a mesogen group portion that is thought to contribute to crystallization) and the phenyl group 27 (or mesogen group portion) of the crystalline epoxy resin 17 are common elements. These are used and oriented (or crystallized). Thereby, the crystallinity degree of crystalline epoxy resin itself can also be improved.

なおPPE樹脂18としては、変性PPE樹脂を選んでも良い。変性ポリフェニレンエーテル(m−PPE)としては、エーテル基(COC)を持った芳香族ポリエーテル樹脂PPEを主体に、スチレン系樹脂(例えばポリスチレン)とのポリマーアロイ等で変性したものを用いることができる。こうした変性を行い、変性PPE樹脂とすることで、その強度を上げると共に、結晶性エポキシ樹脂17との間で架橋点を有しTgを高めることができる。   As the PPE resin 18, a modified PPE resin may be selected. As the modified polyphenylene ether (m-PPE), an aromatic polyether resin PPE having an ether group (COC) as a main component and modified with a polymer alloy with a styrene resin (for example, polystyrene) can be used. . By carrying out such modification to obtain a modified PPE resin, it is possible to increase the strength and increase the Tg by having a crosslinking point with the crystalline epoxy resin 17.

次に図8を用いて、PPE樹脂18の主鎖を形成するフェニル基部分と、一種の配向現象を起こさせることで、結晶化を促進させる結晶性エポキシ樹脂17について説明する。   Next, the crystalline epoxy resin 17 that promotes crystallization by causing a phenyl group portion forming the main chain of the PPE resin 18 and a kind of orientation phenomenon will be described with reference to FIG.

図8(A)(B)、図9(A)〜(F)は、共に結晶性エポキシ樹脂の一例を示す構造式である。図8(A)において、結晶性エポキシ樹脂17の構造式におけるXは、S(硫黄)もしくはO(酸素)、C(炭素)、なし(短結合)である。またR1、R2、R3、R4はCH、H、t−Bu等である。またR1〜R4は同じであっても良い。 FIGS. 8A and 8B and FIGS. 9A to 9F are structural formulas showing examples of crystalline epoxy resins. In FIG. 8A, X in the structural formula of the crystalline epoxy resin 17 is S (sulfur) or O (oxygen), C (carbon), or none (short bond). R1, R2, R3, and R4 are CH 3 , H, t-Bu, and the like. R1 to R4 may be the same.

図8(B)は、結晶性エポキシ樹脂17の硬化に用いる硬化剤の構造図である。図8(B)の構造式においてXは、S(硫黄)O(酸素)もしくは短結合である。図8(A)の主剤と、図8(B)の硬化剤19を混合し、重合させたものも結晶質エポキシ樹脂とよんでもよい。   FIG. 8B is a structural diagram of a curing agent used for curing the crystalline epoxy resin 17. In the structural formula of FIG. 8B, X is S (sulfur) O (oxygen) or a short bond. A material obtained by mixing and polymerizing the main agent of FIG. 8A and the curing agent 19 of FIG. 8B may be called a crystalline epoxy resin.

なお主剤と硬化剤12の割合は、エポキシ当量から計算する。また硬化剤12として図8(B)以外の硬化剤12を使っても良い。なお結晶性エポキシ樹脂17としては、図9(A)〜(F)に図示したものも使うことができる。   The ratio of the main agent and the curing agent 12 is calculated from the epoxy equivalent. Further, a curing agent 12 other than that shown in FIG. 8B may be used as the curing agent 12. As the crystalline epoxy resin 17, those shown in FIGS. 9A to 9F can also be used.

図9(A)〜(F)は、PPE樹脂と結晶化しやすい結晶性エポキシ樹脂の一例を示す構造図である。このような結晶性エポキシ樹脂17は、融点が50〜121℃程度で、更に溶解粘度も低い(例えば、150℃における粘度は6〜20mPa・s)ため、前述の図5(A)(B)の工程において、PPE樹脂18や無機フィラー20を混合、分散させやすい効果が得られる。なおこれら結晶性エポキシ樹脂17の重合度は20以下(更に10以下、望ましくは5以下)が適当である。重合度が20より大きい場合、分子が大きくなりすぎてPPE樹脂18に配向した状態で結晶化しにくくなるためである。   FIGS. 9A to 9F are structural diagrams showing an example of a crystalline epoxy resin that easily crystallizes with a PPE resin. Such a crystalline epoxy resin 17 has a melting point of about 50 to 121 ° C. and a lower dissolution viscosity (for example, a viscosity at 150 ° C. of 6 to 20 mPa · s). In this step, the effect of easily mixing and dispersing the PPE resin 18 and the inorganic filler 20 is obtained. The degree of polymerization of the crystalline epoxy resin 17 is suitably 20 or less (further 10 or less, desirably 5 or less). This is because when the degree of polymerization is greater than 20, the molecules become too large to be crystallized in a state of being oriented in the PPE resin 18.

次に図10を用いて、PPE樹脂18と結晶性エポキシ樹脂17および硬化剤19との結晶化メカニズムについて説明する。図10は、PPE樹脂と結晶性エポキシ樹脂および硬化剤とが互いに結晶化する様子を説明する模式図であり、28は点線である。図10において、PPE樹脂18は、複数個のフェニル基27が酸素(図10ではOで記載)を介して、鎖状に重合している。そしてこのPPE樹脂18を主骨格とし、このPPE樹脂のフェニル基27に、結晶性エポキシ樹脂17のフェニル基27を配向、結晶化させる。図10において、PPE樹脂18のフェニル基27は、長方形で示しているが、これはフェニル基27が一種の板状構造であることを意味する。そして本実施の形態では、フェニル基27が板状構造であることで一定の方向性を有していることを利用し、同じフェニル基27を有した結晶性エポキシ樹脂17を結晶化させる。図10において、点線28がPPE樹脂18のフェニル基27と、結晶性エポキシ樹脂17のフェニル基27が配向し、結晶化している部分を示す。   Next, the crystallization mechanism of the PPE resin 18, the crystalline epoxy resin 17, and the curing agent 19 will be described with reference to FIG. FIG. 10 is a schematic diagram for explaining how the PPE resin, the crystalline epoxy resin, and the curing agent crystallize each other, and 28 is a dotted line. In FIG. 10, in the PPE resin 18, a plurality of phenyl groups 27 are polymerized in a chain via oxygen (indicated as O in FIG. 10). The PPE resin 18 is used as a main skeleton, and the phenyl group 27 of the crystalline epoxy resin 17 is oriented and crystallized on the phenyl group 27 of the PPE resin. In FIG. 10, the phenyl group 27 of the PPE resin 18 is shown as a rectangle, which means that the phenyl group 27 is a kind of plate-like structure. In this embodiment, the crystalline epoxy resin 17 having the same phenyl group 27 is crystallized by utilizing the fact that the phenyl group 27 has a plate-like structure and has a certain direction. In FIG. 10, a dotted line 28 indicates a portion where the phenyl group 27 of the PPE resin 18 and the phenyl group 27 of the crystalline epoxy resin 17 are oriented and crystallized.

次にPPE樹脂18と結晶性エポキシ樹脂17および硬化剤19との間で、互いのフェニル基27が結晶化しているかどうかの見分け方について、図11を用いて説明する。   Next, how to distinguish whether or not the phenyl groups 27 are crystallized between the PPE resin 18 and the crystalline epoxy resin 17 and the curing agent 19 will be described with reference to FIG.

図11は、熱分析結果を示す図である。図11(A)(B)において、X軸は温度(℃)、Y軸は熱膨張係数(相対値)である。また31a,31bはグラフで、それぞれの測定結果に相当する。   FIG. 11 is a diagram showing a thermal analysis result. 11A and 11B, the X axis is temperature (° C.) and the Y axis is thermal expansion coefficient (relative value). Reference numerals 31a and 31b are graphs corresponding to respective measurement results.

図11(A)は、結晶化エポキシ樹脂17と硬化剤19の反応物の熱機械分析TMA(Thermo mechanical Analysis)を示す。結晶化エポキシ樹脂17と硬化剤19の反応物(グラフ31aで図示)はTg1とTg2の二つの変曲点を有している。これは結晶化エポキシ樹脂17の100%が結晶化していないため起こる現象である。ここでTg1は結晶化していない反応物のTgであり、Tg2は結晶化した部分のTg(結晶性が崩壊する温度)であると思われる。高い熱伝導率が得られるのは結晶化している樹脂部分である。一般的にはTg1を反応物のTgとしていることが多いが、通常のTgと比較して、熱膨張係数の変化量や弾性的な挙動は比較的Tg2まで維持されるが基板としての耐熱温度はTg1で決定される。そこで、本発明の実施の形態で説明するように、高い熱伝導率を得るには、図3(A)〜(C)で説明したように、PPE樹脂18と結晶性エポキシ樹脂17を加熱することによって、主鎖となるPPE樹脂18と結晶性エポキシ樹脂17のフェニル基27同士がマッチングしやすい状態とする。こうして分子状態で互いのフェニル基27同士が重なりやすいようにさせることで、硬化後(更には冷却後の)フェニル基27を有する樹脂部分の熱伝導率を高めることができる。   FIG. 11A shows a thermal mechanical analysis TMA (Thermo mechanical Analysis) of a reaction product of the crystallized epoxy resin 17 and the curing agent 19. The reaction product of the crystallized epoxy resin 17 and the curing agent 19 (shown by the graph 31a) has two inflection points, Tg1 and Tg2. This is a phenomenon that occurs because 100% of the crystallized epoxy resin 17 is not crystallized. Here, Tg1 is Tg of a reaction product that is not crystallized, and Tg2 is considered to be Tg of the crystallized portion (temperature at which crystallinity collapses). It is the resin part that is crystallized that provides high thermal conductivity. In general, Tg1 is often used as the Tg of the reaction product, but compared with normal Tg, the amount of change in the thermal expansion coefficient and the elastic behavior are relatively maintained up to Tg2, but the heat-resistant temperature as the substrate Is determined by Tg1. Therefore, as described in the embodiment of the present invention, in order to obtain a high thermal conductivity, the PPE resin 18 and the crystalline epoxy resin 17 are heated as described with reference to FIGS. Thus, the PPE resin 18 as the main chain and the phenyl groups 27 of the crystalline epoxy resin 17 are easily matched. Thus, by making it easy for the phenyl groups 27 to overlap each other in the molecular state, the thermal conductivity of the resin portion having the phenyl groups 27 after curing (and after cooling) can be increased.

その結果、PPE樹脂18と結晶性エポキシ樹脂17と硬化剤19の反応物(グラフ31bで図示)のTMAは図11(B)に示すようにTg1の変曲度が小さくなり、熱伝導率も向上する。   As a result, the TMA of the reaction product of PPE resin 18, crystalline epoxy resin 17 and curing agent 19 (illustrated by graph 31b) has a small inflection of Tg1 as shown in FIG. improves.

ここでTgを向上させる方法として、網目構造をとりやすい硬化剤を配合する方法等があるが、結晶性エポキシ樹脂17の場合、構造的に大きく異なる樹脂を配合すると結晶化が阻害され、高い熱伝導率が得られない場合が多い。   Here, as a method for improving Tg, there is a method of blending a curing agent that easily takes a network structure. However, in the case of the crystalline epoxy resin 17, crystallization is hindered by blending a structurally different resin, and high heat In many cases, conductivity cannot be obtained.

本発明は、従来の課題を解決するもので、結晶性樹脂の硬くて脆い、また、未結晶部分のTgが低いという課題を解決し、結晶性樹脂を用いた放熱基板に高熱伝導性と丈夫さを両立させられる熱伝導性材料及びそれを用いた放熱基板とその製造方法を提供している。   The present invention solves the conventional problems, solves the problem that the crystalline resin is hard and brittle, and the Tg of the non-crystalline portion is low, and the heat dissipation substrate using the crystalline resin has high thermal conductivity and durability. The present invention provides a thermally conductive material that can balance the thickness, a heat dissipation substrate using the same, and a manufacturing method thereof.

またPPE樹脂18を変性し、エポキシ基を有する熱硬化性の特性を付与すると、結晶化エポキシ樹脂17との間に網目構造の架橋点を有し、Tgが高くなる。   Further, when the PPE resin 18 is modified to give a thermosetting property having an epoxy group, it has a network structure crosslinking point with the crystallized epoxy resin 17 and Tg is increased.

ここで、PPE樹脂18のような熱可塑樹脂と結晶性エポキシ樹脂17および硬化剤19と無機フィラーとからなる熱伝導性材料の場合、熱可塑樹脂の、分子量を大きくする(あるいは重合度を高める)ことが望ましい。熱可塑樹脂の分子量を大きくする(あるいは重合度を高める)ことによって、できあがった熱伝導性材料の物理的な強度を上げることができる。そのため、熱可塑樹脂の重合度は100以上が望ましい。   Here, in the case of a thermally conductive material composed of a thermoplastic resin such as the PPE resin 18, the crystalline epoxy resin 17, the curing agent 19 and an inorganic filler, the molecular weight of the thermoplastic resin is increased (or the degree of polymerization is increased). Is desirable. By increasing the molecular weight of the thermoplastic resin (or increasing the degree of polymerization), the physical strength of the resulting thermally conductive material can be increased. Therefore, the degree of polymerization of the thermoplastic resin is desirably 100 or more.

一方、発明者らの実験によると、結晶性エポキシ樹脂17および硬化剤19と、PPEのような熱可塑樹脂と、無機フィラー20とからなる熱伝導性材料の場合について、結晶性エポキシ樹脂17の重合度を色々振って実験したところ、結晶性エポキシ樹脂17の重合度をあげるほど、熱伝導率が低下する傾向が得られた。そこで、社内の分析部門の協力も得ながら、色々な手法で結晶性エポキシ樹脂17の結晶化について調べたところ、結晶性エポキシ樹脂17の重合度をあげるほど、熱可塑樹脂との混合状態では結晶性エポキシ17の結晶化が阻害されることが判った。つまり結晶性エポキシ樹脂17の重合度をあげるほど、できあがった熱伝導性材料内における結晶性エポキシ樹脂17の結晶化が阻害される(特にPPEに隣接した状態での結晶化エポキシ樹脂17の結晶化が阻害される)ことが判った。そして結晶化エポキシ樹脂17の結晶化が阻害される、つまり熱伝導性材料の内部で、結晶化構造が取りにくい、あるいは結晶化構造に寄与しないフリーの長鎖部分が増加することが判った。このような結晶化エポキシ樹脂17の結晶化構造に寄与しないフリーの長鎖部分が増加することによって、熱伝導率が低下することが判った。またこのようなフリーの長鎖部分が増加する結果、できあがった熱伝導性材料のTg(ガラス転移温度)が影響を受けることが判った(結晶化していない樹脂部分のTgの割合が大きくなってしまった)。このように結晶化エポキシ樹脂17の重合度が高すぎる場合、熱伝導性材料自体の熱伝導率が低下する、Tgが低下するという課題が発生することが判った。そして発明者らの実験では、結晶性エポキシ樹脂17の重合度は、20以下(更には10以下、更に望ましくは5以下)で良い結果が得られた。   On the other hand, according to experiments by the inventors, in the case of a thermally conductive material composed of the crystalline epoxy resin 17 and the curing agent 19, a thermoplastic resin such as PPE, and the inorganic filler 20, the crystalline epoxy resin 17 As a result of experiments with varying degrees of polymerization, it was found that the higher the degree of polymerization of the crystalline epoxy resin 17, the lower the thermal conductivity. Therefore, the crystallization of the crystalline epoxy resin 17 was investigated by various methods with the cooperation of the in-house analytical department. As the degree of polymerization of the crystalline epoxy resin 17 increased, the crystallized state in the mixed state with the thermoplastic resin increased. It was found that the crystallization of the conductive epoxy 17 is inhibited. That is, as the degree of polymerization of the crystalline epoxy resin 17 is increased, the crystallization of the crystalline epoxy resin 17 in the completed thermally conductive material is inhibited (particularly, the crystallization of the crystallized epoxy resin 17 adjacent to the PPE). Was found to be hindered). It has been found that the crystallization of the crystallized epoxy resin 17 is hindered, that is, the free long chain portion that does not contribute to the crystallized structure is difficult to take or does not contribute to the crystallized structure inside the thermally conductive material. It has been found that the thermal conductivity decreases as the number of free long chain portions that do not contribute to the crystallized structure of the crystallized epoxy resin 17 increases. Further, as a result of the increase of such free long chain portions, it was found that the Tg (glass transition temperature) of the resulting heat conductive material is affected (the proportion of Tg of the resin portion not crystallized increases). Oops). Thus, when the polymerization degree of the crystallized epoxy resin 17 was too high, it turned out that the subject that the heat conductivity of heat conductive material itself falls and Tg falls generate | occur | produces. In the experiments conducted by the inventors, good results were obtained when the degree of polymerization of the crystalline epoxy resin 17 was 20 or less (more preferably 10 or less, more preferably 5 or less).

次にPPE樹脂18と、結晶性エポキシ樹脂17の比率について説明する。全樹脂に対して、PPE樹脂18は3〜20wt%(結晶化エポキシ樹脂+硬化剤が85〜97wt%)の範囲内が望ましい。PPE樹脂18の割合が3wt%未満の場合、できあがった熱伝導性絶縁層11が脆くなる可能性がある。またPPE樹脂18の割合が20wt%を超えると、結晶化エポキシ樹脂の割合が低下するため、できあがった熱伝導性絶縁層11の熱伝導率が影響を受ける可能性がある。   Next, the ratio between the PPE resin 18 and the crystalline epoxy resin 17 will be described. The PPE resin 18 is desirably within a range of 3 to 20 wt% (crystallized epoxy resin + curing agent is 85 to 97 wt%) with respect to the total resin. When the proportion of the PPE resin 18 is less than 3 wt%, the completed heat conductive insulating layer 11 may become brittle. Further, when the proportion of the PPE resin 18 exceeds 20 wt%, the proportion of the crystallized epoxy resin is lowered, so that the thermal conductivity of the completed thermally conductive insulating layer 11 may be affected.

なお無機フィラー20と全樹脂(ここで全樹脂とは、PPE樹脂18と結晶性エポキシ樹脂17+硬化剤19の合計の意味であり、樹脂バインダーに相当する)の比率において、無機フィラー20は50〜95Vol%(樹脂バインダーは50〜5Vol%)の範囲内が望ましい。無機フィラー20の割合が50Vol%未満の場合、熱伝導絶縁材21が硬化してなる熱伝導性絶縁層11の熱伝導率が低下する場合がある。また無機フィラー20の割合が95Vol%より大きくなると、熱伝導絶縁材21の成形性に影響を与える場合がある。なおここでwt%は重量%、Vol%は体積%を意味する。   In addition, in the ratio of the inorganic filler 20 and the total resin (here, the total resin means the total of the PPE resin 18 and the crystalline epoxy resin 17 + curing agent 19 and corresponds to the resin binder), the inorganic filler 20 has a ratio of 50. It is desirable to be in the range of -95 Vol% (resin binder is 50-5 Vol%). When the ratio of the inorganic filler 20 is less than 50 Vol%, the thermal conductivity of the thermally conductive insulating layer 11 formed by curing the thermally conductive insulating material 21 may be reduced. Moreover, when the ratio of the inorganic filler 20 becomes larger than 95 Vol%, the moldability of the heat conductive insulating material 21 may be affected. Here, wt% means weight%, and Vol% means volume%.

また無機フィラー20の平均粒径は、1μm以上100μm以下の範囲が望ましい。平均粒径が1μm以下になると、比表面積が大きくなり、熱伝導絶縁材21の混練が難しくなり、熱伝導性絶縁層11の成形性にも影響を与える場合がある。また100μmを超えると、熱伝導性絶縁層11の薄層化が難しくなり、放熱基板としての放熱性に影響を与え、製品の小型化に影響を与える可能性がある。なお無機フィラー20の充填率を増加するために、異なる粒度分布を有する複数種の無機フィラー20を選び、これらを混合して使用しても良い。   The average particle size of the inorganic filler 20 is desirably in the range of 1 μm to 100 μm. When the average particle size is 1 μm or less, the specific surface area becomes large, the kneading of the heat conductive insulating material 21 becomes difficult, and the moldability of the heat conductive insulating layer 11 may be affected. On the other hand, if the thickness exceeds 100 μm, it is difficult to reduce the thickness of the thermally conductive insulating layer 11, which may affect the heat dissipation as a heat dissipation substrate and may affect the miniaturization of the product. In order to increase the filling rate of the inorganic filler 20, a plurality of types of inorganic fillers 20 having different particle size distributions may be selected and used in combination.

なお配線パターン10としては、放熱基板の用途に応じて、配線パターン10の厚みとして0.002〜0.10mmの範囲が必要な場合は銅箔を、0.10〜1.00mmの範囲が必要な場合はリードフレームをと、互いに使い分けることができる。なおリードフレームの部材としては銅を主体としたもの(例えばタフピッチ銅や無酸素銅等と呼ばれているもの)を用いることが望ましい。銅を主体とすることで、高放熱性と低抵抗性を両立することができる。また配線パターン10の一部分以上を熱伝導性絶縁層11に埋めることで、放熱基板における配線パターン10に起因する段差(厚み段差)を低減できる。   In addition, as the wiring pattern 10, depending on the use of the heat dissipation board, when the thickness of the wiring pattern 10 requires a range of 0.002 to 0.10 mm, a copper foil is required, and a range of 0.10 to 1.00 mm is required. In this case, the lead frames can be used differently. As the lead frame member, it is desirable to use a material mainly composed of copper (for example, a material called tough pitch copper or oxygen-free copper). By mainly using copper, both high heat dissipation and low resistance can be achieved. Further, by embedding a part or more of the wiring pattern 10 in the heat conductive insulating layer 11, a step (thickness step) due to the wiring pattern 10 in the heat dissipation substrate can be reduced.

(実施例1)
結晶性エポキシ樹脂17としてジャパンエポキシレジン製「YL6121H」,東都化学製「YSLV−80XY」、硬化剤19として、4−4ジアミノビフェニルエーテル、4−4,ジハイドロキシビフェニル、熱可塑性樹脂としてPPE粉末を用意した。
(Example 1)
"YL6121H" manufactured by Japan Epoxy Resin as "Crystalline Epoxy Resin 17", "YSLV-80XY" manufactured by Tohto Chemical Co., Ltd., 4-4 diaminobiphenyl ether, 4-4, dihydroxybiphenyl as curing agent 19, and PPE powder as thermoplastic resin Prepared.

上記の結晶性エポキシ樹脂17を加熱融解し、硬化剤19とPPE(1〜30Wt%)を混合し攪拌した。比較・測定用試料としてPPEを混合していない試料もあわせて作製している。また、4−4,ジハイドロキシビフェニルを用いた試料は硬化促進剤としてイミダゾールを0.5Wt%添加している。   The crystalline epoxy resin 17 was melted by heating, and the curing agent 19 and PPE (1 to 30 Wt%) were mixed and stirred. A sample not mixed with PPE is also prepared as a sample for comparison and measurement. Moreover, the sample using 4-4, dihydroxy biphenyl has added imidazole 0.5Wt% as a hardening accelerator.

この混合物を、厚さ5 0 0 μ m にシート成形した。成形後、測定に応じた形状に積層後180℃×2Hourの条件で硬化させ、各種測定を行った。   This mixture was formed into a sheet having a thickness of 500 μm. After molding, the film was laminated in a shape according to the measurement, and then cured under conditions of 180 ° C. × 2 Hour, and various measurements were performed.

熱伝導率測定:ブルカーエイエックスエス社製キセノンレーザーフラッシュ
試料サイズ:φ1/2インチ、t1mm
TMA圧縮加重測定:セイコー製
試料サイズ:4mm×4mm×t3mm
破断強度試験:図12参照
図12は、曲げ強度の評価方法の一例を示すものである。図12において、29はサンプル、30は治具である。図12において、治具30の間にサンプル29をセットし、矢印14で示す方向に治具30を用いて、サンプル29を曲げる。発明者らの実験では、従来品では1〜2mm曲げた時点で、サンプル29が折れた(割れた)。一方、本発明のサンプル29では、4〜5mm曲げても折れなかった。なお試料サイズ(サンプル形状)は、40mm×4mm×t2mmである。
Measurement of thermal conductivity: Bruker AXS Xenon laser flash Sample size: φ1 / 2 inch, t1mm
TMA compression load measurement: Seiko's sample size: 4mm x 4mm x t3mm
Breaking strength test: see FIG. 12 FIG. 12 shows an example of a bending strength evaluation method. In FIG. 12, 29 is a sample and 30 is a jig. In FIG. 12, the sample 29 is set between the jigs 30, and the sample 29 is bent using the jigs 30 in the direction indicated by the arrow 14. In the experiments of the inventors, the sample 29 was broken (broken) at the time when the conventional product was bent by 1 to 2 mm. On the other hand, Sample 29 of the present invention did not break even when bent by 4 to 5 mm. The sample size (sample shape) is 40 mm × 4 mm × t2 mm.

YL6121と4−4ジアミノビフェニルの測定結果を(表1)に示す。   The measurement results of YL6121 and 4-4 diaminobiphenyl are shown in (Table 1).

PPEを配合することにより20%以下の試料で熱伝導率の向上(=結晶化率の向上)がみられた。また、破断強度試験において試料1、2は(表1)に示す値で、破断したが、試料3〜7は大きくたわむだけで、今回用いた測定器の範囲では破断しなかった。   By adding PPE, an improvement in thermal conductivity (= an improvement in crystallization rate) was observed in samples of 20% or less. In the breaking strength test, Samples 1 and 2 fractured at the values shown in (Table 1), but Samples 3 to 7 were largely bent and did not break within the range of the measuring instrument used this time.

次に、YSLV−80XYとジハイドロキシビフェニルのTMA測定結果を図13(A)〜(C)に示す。図13(A)はPPE配合量0%(グラフ31aで図示)、図13(B)は配合量10%(グラフ31bで図示)である。図13(C)は合成図(グラフ31aとグラフ31bの合成)である。図13(C)をみるとTg1の変曲度が異なっており、PPEの配合により、結晶化度が向上しTg1がほとんどわからないほどになっている。     Next, TMA measurement results of YSLV-80XY and dihydroxybiphenyl are shown in FIGS. 13 (A) to (C). FIG. 13A shows a PPE blending amount of 0% (shown by graph 31a), and FIG. 13B shows a blending amount of 10% (shown by graph 31b). FIG. 13C is a composite diagram (combination of graph 31a and graph 31b). As shown in FIG. 13C, the degree of inflection of Tg1 is different, and the crystallinity is improved and Tg1 is hardly understood by the blending of PPE.

以上のように、本発明に係る熱伝導性材料及びそれを用いた放熱基板と放熱基板の製造方法によって、PDPテレビ(PDPはプラズマディスプレイパネル)の電源回路や、液晶テレビの発光ダイオードを用いたバックライトのような放熱性が必要な機器の小型化、低コスト化が可能となる。   As described above, the power supply circuit of the PDP television (PDP is a plasma display panel) and the light emitting diode of the liquid crystal television are used by the thermally conductive material according to the present invention and the method of manufacturing the heat dissipation substrate and the heat dissipation substrate. It is possible to reduce the size and cost of a device that requires heat dissipation such as a backlight.

本発明の一実施の形態における放熱基板の一部切り欠き斜視図1 is a partially cutaway perspective view of a heat dissipation board in an embodiment of the present invention. (A)(B)は、配線パターンを埋め込んだ放熱基板の放熱メカニズムを説明する断面図(A) (B) is sectional drawing explaining the heat dissipation mechanism of the thermal radiation board | substrate which embedded the wiring pattern. (A)〜(C)は、熱伝導樹脂の製造方法の一例を示す模式図(A)-(C) are schematic diagrams which show an example of the manufacturing method of heat conductive resin. 熱伝導絶縁材の予備成形について説明する断面図Sectional drawing explaining pre-formation of heat conductive insulating material (A)(B)は、放熱基板の製造方法の一例を説明する断面図(A) (B) is sectional drawing explaining an example of the manufacturing method of a thermal radiation board | substrate. PPE樹脂の製法の一例を示す構造図Structural diagram showing an example of PPE resin manufacturing method (A)(B)は、PPE樹脂の構造式を示す図と模式図(A) and (B) are diagrams and schematic views showing the structural formula of PPE resin. (A)(B)は、結晶性エポキシ樹脂の一例を示す構造式を示す図(A) (B) is a figure which shows structural formula which shows an example of a crystalline epoxy resin. (A)〜(F)は、共に結晶性エポキシ樹脂の一例を示す構造式を示す図(A)-(F) is a figure which shows structural formula which shows an example of a crystalline epoxy resin together PPE樹脂と結晶性エポキシ樹脂とが互いに結晶化する様子を説明する模式図Schematic diagram explaining how PPE resin and crystalline epoxy resin crystallize each other (A)(B)は、TMA特性モデル図(A) and (B) are TMA characteristic model diagrams 破断強度試験モデル図Breaking strength test model diagram (A)〜(C)は、TMA測定結果を示す図(A)-(C) are figures which show a TMA measurement result. PPEを用いた従来の放熱基板の断面図Sectional view of a conventional heat dissipation board using PPE (A)〜(C)は、メソゲン基を有するモノマーの重合反応中の変化の模式図(A)-(C) are schematic diagrams of changes during the polymerization reaction of a monomer having a mesogenic group

符号の説明Explanation of symbols

10 配線パターン
11 熱伝導性絶縁層
12 金属板
13 電子部品
14 矢印
15 混練装置
16 混練機構
17 結晶性エポキシ樹脂
18 PPE樹脂
19 硬化剤
20 無機フィラー
21 熱伝導絶縁材
22 離型シート
23 成形装置
24 フィルム
25 DMP
26 DPQ
27 フェニル基
28 点線
29 サンプル
30 治具
31a,31b グラフ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Wiring pattern 11 Thermal conductive insulating layer 12 Metal plate 13 Electronic component 14 Arrow 15 Kneading apparatus 16 Kneading mechanism 17 Crystalline epoxy resin 18 PPE resin 19 Hardener 20 Inorganic filler 21 Thermal conductive insulating material 22 Release sheet 23 Molding apparatus 24 Film 25 DMP
26 DPQ
27 Phenyl group 28 Dotted line 29 Sample 30 Jig 31a, 31b Graph

Claims (9)

ポニフェニレンエーテル、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルスルホンの少なくとも一つを主成分とする熱可塑樹脂と、
結晶性エポキシ樹脂と、
硬化剤とからなる熱伝導性材料。
A thermoplastic resin mainly composed of at least one of poniphenylene ether, polyphenylene sulfide, and polyether sulfone;
Crystalline epoxy resin,
A thermally conductive material consisting of a curing agent.
ポニフェニレンエーテル、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルスルホンの少なくとも一つを主成分とする熱可塑樹脂と、
結晶性エポキシ樹脂と、
硬化剤と、
無機フィラーとからなる熱伝導性材料。
A thermoplastic resin mainly composed of at least one of poniphenylene ether, polyphenylene sulfide, and polyether sulfone;
Crystalline epoxy resin,
A curing agent;
Thermally conductive material composed of inorganic filler.
前記結晶性エポキシ樹脂が以下の構造式である請求項1もしくは2記載の熱伝導性材料。


X:C,O,Sまたは短結合
R1,R2,R3,R4:CH3,H,t-Bu(R1〜R4は同じものであってよい)
The thermally conductive material according to claim 1 or 2, wherein the crystalline epoxy resin has the following structural formula.


X: C, O, S or short bond
R1, R2, R3, R4: CH3, H, t-Bu (R1 to R4 may be the same)
熱可塑樹脂はポリフェニレンエーテルを含み、このポリフェニレンエーテルは、変成ポリフェニレンエーテルを含んでいる請求項1もしくは2記載の熱伝導性材料。 The thermally conductive material according to claim 1 or 2, wherein the thermoplastic resin contains polyphenylene ether, and the polyphenylene ether contains a modified polyphenylene ether. 結晶性エポキシ樹脂の重合度は20以下である請求項1もしくは2記載の熱伝導性材料。 The heat conductive material according to claim 1 or 2, wherein the degree of polymerization of the crystalline epoxy resin is 20 or less. 熱可塑樹脂の重合度は100以上である請求項1もしくは2記載の熱伝導性材料。 The thermally conductive material according to claim 1 or 2, wherein the degree of polymerization of the thermoplastic resin is 100 or more. 無機フィラーは、アルミナ、窒化アルミ、窒化ホウ素、炭化ケイ素、窒化ケイ素から選ばれた少なくとも1種類以上からなる無機フィラーである請求項2記載の熱伝導性材料。 The heat conductive material according to claim 2, wherein the inorganic filler is an inorganic filler composed of at least one selected from alumina, aluminum nitride, boron nitride, silicon carbide, and silicon nitride. 熱伝導性絶縁層と、この熱伝導性絶縁層に接着された金属板と、前記熱伝導性絶縁層に少なくとも一部分以上を埋め込んだ配線パターンと、からなり、
前記熱伝導性絶縁層は、結晶性エポキシ樹脂と、
ポニフェニレンエーテル、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルスルホンの少なくとも一つを主成分とする樹脂と、
硬化剤と、
無機フィラーとからなる放熱基板。
A heat conductive insulating layer, a metal plate bonded to the heat conductive insulating layer, and a wiring pattern in which at least a part is embedded in the heat conductive insulating layer,
The thermally conductive insulating layer includes a crystalline epoxy resin,
A resin mainly composed of at least one of poniphenylene ether, polyphenylene sulfide, and polyether sulfone;
A curing agent;
A heat dissipation substrate made of an inorganic filler.
少なくとも、金属板上に、
シート状に予備成形した、少なくとも結晶性エポキシ樹脂と、
ポニフェニレンエーテル、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルスルホンの少なくとも一つを主成分とする熱可塑樹脂と、
硬化剤と、
無機フィラーとからなる熱伝導性材料と、
配線パターンと、をセットする工程と、
前記金属板上に前記熱伝導性材料と、前記配線パターンと、を一体化する工程と、
を含む放熱基板の製造方法。
At least on a metal plate,
At least a crystalline epoxy resin preformed into a sheet,
A thermoplastic resin mainly composed of at least one of poniphenylene ether, polyphenylene sulfide, and polyether sulfone;
A curing agent;
A thermally conductive material comprising an inorganic filler;
A step of setting a wiring pattern;
Integrating the thermally conductive material and the wiring pattern on the metal plate;
The manufacturing method of the thermal radiation board | substrate containing this.
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