JP2008100257A - Scribing apparatus, method for parting substrate, and method for producing electrooptical device - Google Patents

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豊 山崎
Toshihiro Saito
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a scribing apparatus by which, when laser scribing is performed, a modified part can be formed at high productivity, to provide a method for parting a substrate, and to provide a method for producing an electrooptical device. <P>SOLUTION: The invention refers to a scribing apparatus by which a substrate 41 is irradiated with laser light 37 so as to be scribed, and a method for parting the substrate. The scribing apparatus is provided with: a laser light source for emitting the laser light 37; and a light collecting part 8 where the laser light 37 is collected on the inside of the substrate 41 so as to be emitted, and a modified part 45 is formed. The light collecting part 8 performs light collection in such a manner that, compared with a first direction 38 orthogonal to the optical axis of the laser light 37, in a second direction 39 orthogonal to the optical axis and the first direction 38, the number of apertures in the laser light 37 is made large, and the substrate 41 is irradiated with the light. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、スクライブ装置、基板の分断方法及び、電気光学装置の製造方法に関するものである。   The present invention relates to a scribing apparatus, a method for dividing a substrate, and a method for manufacturing an electro-optical device.

光透過性のある基板を品質良く切断するために、レーザ光を基板に照射して基板内部に改質領域(以下、改質部と称す)を形成するレーザスクライブ方法が特許文献1に開示されている。それによると、パルス幅が1μs以下のレーザ光を出射し、集光レンズで基板内部に集光し、集光部におけるピークパワー密度を1×108(W/cm2)以上にする。これにより、加工対象物の内部に多光子吸収による改質部を形成するものである。 Patent Document 1 discloses a laser scribing method in which a modified region (hereinafter referred to as a modified portion) is formed inside a substrate by irradiating the substrate with laser light in order to cut a light transmissive substrate with high quality. ing. According to this, a laser beam having a pulse width of 1 μs or less is emitted and condensed inside the substrate by a condenser lens, and the peak power density in the condensing part is set to 1 × 10 8 (W / cm 2 ) or more. Thereby, the modified part by multiphoton absorption is formed inside the workpiece.

また、このレーザスクライブ方法において、加工対象物の内部に形成される改質部あるいはこれを起点として形成される改質部の大きさは、集光レンズの特性と、レーザ光のピークパワー密度に依存する。例えば、上記特許文献1に示されたガラス(厚さ700μm)に対してYAGレーザを用いて切断する実施例では、集光レンズの開口数が0.55の場合、ピークパワー密度がおよそ1×1011(W/cm2)では、改質部の大きさは、およそ100μmである。また、ピークパワー密度がおよそ5×1011(W/cm2)では、およそ250μmである。基板の内部に改質部を配列して形成し、改質部を押圧することで、基板を改質部に沿って品質良く分断することができる。 In this laser scribing method, the size of the modified portion formed inside the object to be processed or the modified portion formed from this depends on the characteristics of the condenser lens and the peak power density of the laser beam. Dependent. For example, in an embodiment in which the glass (thickness: 700 μm) disclosed in Patent Document 1 is cut using a YAG laser, the peak power density is approximately 1 × when the condensing lens has a numerical aperture of 0.55. At 10 11 (W / cm 2 ), the size of the modified portion is approximately 100 μm. Further, when the peak power density is about 5 × 10 11 (W / cm 2 ), it is about 250 μm. By forming the reforming portions in the substrate and pressing the reforming portions, the substrate can be divided along the reforming portions with good quality.

特開2002−192371号公報JP 2002-192371 A

基板を品質良く切断するために、基板の内部に改質部を配列して形成する。ガラスが厚いときには、改質部を厚み方向に複数段配置する必要がある。基板が大きい場合に、必要とされる改質部が多くなることから、生産性良く改質部を形成する方法が望まれていた。   In order to cut the substrate with high quality, the modified portions are arranged and formed inside the substrate. When the glass is thick, it is necessary to arrange a plurality of modified portions in the thickness direction. Since a large number of reforming portions are required when the substrate is large, a method for forming the reforming portions with high productivity has been desired.

本発明は、このような従来の問題点に着目してなされたもので、レーザスクライブするとき、生産性良く改質部が形成できるスクライブ装置、基板の分断方法及び、電気光学装置の製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made paying attention to such conventional problems, and provides a scribing device, a substrate cutting method, and an electro-optical device manufacturing method that can form a modified portion with high productivity when laser scribing. The purpose is to provide.

上記課題を解決するために、本発明のスクライブ装置は、基板にレーザ光を照射してスクライブするスクライブ装置であって、レーザ光を発光するレーザ光源と、基板の内部にレーザ光を集光して照射し、改質部を形成する集光部とを備え、集光部は、レーザ光の光軸と直交する第1方向に比べて、光軸及び第1方向と直交する第2方向に、レーザ光の開口数が大きくなるように集光して基板に照射することを特徴とする。   In order to solve the above problems, a scribing apparatus of the present invention is a scribing apparatus that irradiates a substrate with laser light and scribes the laser light source that emits laser light, and condenses the laser light inside the substrate. And a condensing part that forms a modified part, and the condensing part is in a second direction orthogonal to the optical axis and the first direction, compared to a first direction orthogonal to the optical axis of the laser beam. The laser beam is condensed so as to increase the numerical aperture of the laser beam and irradiated onto the substrate.

ここで、基板にレーザ光を照射してスクライブする、ということは、基板にレーザ光を照射して、改質部を配列して形成し、基板が配列して形成される改質部に沿って、基板が分断され易くする製造方法のことを示す。
また、開口数は、光学系に入射あるいは射出する光束で、最も周辺の光線と光軸との成す角度の正弦値を示す。
Here, irradiating the substrate with laser light and scribing means irradiating the substrate with laser light, arranging the modified portions, and along the modified portions formed by arranging the substrates. The manufacturing method for making the substrate easy to be divided will be described.
The numerical aperture is a luminous flux that enters or exits the optical system and indicates the sine value of the angle formed by the most peripheral light beam and the optical axis.

このスクライブ装置によれば、スクライブ装置は、レーザ光源と、集光部とを備えている。レーザ光源がレーザ光を発光する。集光部が、基板の内部にレーザ光を集光して照射する。集光部は、レーザ光の光軸と直交する第1方向に比べて、光軸及び第1方向と直交する第2方向に、レーザ光の開口数が大きくなるように集光して基板に照射する。   According to this scribing apparatus, the scribing apparatus includes a laser light source and a condensing unit. A laser light source emits laser light. A condensing part condenses and irradiates a laser beam inside a board | substrate. The condensing unit condenses on the substrate so that the numerical aperture of the laser light is larger in the second direction perpendicular to the optical axis and the first direction than in the first direction perpendicular to the optical axis of the laser light. Irradiate.

基板にレーザ光が集光される場所には、改質部が形成される。レーザ光の開口数は、第1方向に比べて、第2方向が大きいことから、形成される改質部は、第2方向に比べて、第1方向に長い形状となる。つまり、第1方向に長い改質部を形成することができる。従って、所定の長さの基板に改質部を並べて配列するとき、第1方向と第2方向とに同じ長さの改質部を形成する場合に比べて、少ない照射数で改質部を配列することができる。その結果、生産性良くスクライブすることができる。   A modified portion is formed in a place where the laser beam is focused on the substrate. Since the numerical aperture of the laser beam is larger in the second direction than in the first direction, the formed modified portion has a shape that is longer in the first direction than in the second direction. That is, a reforming portion that is long in the first direction can be formed. Therefore, when arranging the modified portions side by side on a substrate having a predetermined length, the modified portions can be formed with a smaller number of irradiation than when the modified portions having the same length are formed in the first direction and the second direction. Can be arranged. As a result, it is possible to scribe with high productivity.

本発明のスクライブ装置では、集光部は対物レンズを備え、対物レンズは、第1方向の焦点距離に対して、第2方向の焦点距離が短い非球面レンズを用いたことを特徴とする。   In the scribing apparatus of the present invention, the light condensing unit includes an objective lens, and the objective lens is an aspheric lens having a short focal length in the second direction with respect to the focal length in the first direction.

このスクライブ装置によれば、スクライブ装置は、対物レンズを備えている。この対物レンズは非球面レンズであり、第1方向の焦点距離に対して、第2方向の焦点距離が短く形成されている。従って、この対物レンズを通過するレーザ光の開口数は、第1方向に比べて、第2方向を大きくすることができる。その結果、この対物レンズを用いてレーザ光を集光して照射する基板には、第1方向に長い改質部を形成することができる。   According to this scribing apparatus, the scribing apparatus includes the objective lens. This objective lens is an aspheric lens, and is formed such that the focal length in the second direction is shorter than the focal length in the first direction. Therefore, the numerical aperture of the laser light passing through the objective lens can be increased in the second direction compared to the first direction. As a result, a modified portion that is long in the first direction can be formed on the substrate on which the laser light is collected and irradiated using this objective lens.

本発明のスクライブ装置では、対物レンズは、柱状レンズであることを特徴とする。   In the scribing apparatus of the present invention, the objective lens is a columnar lens.

このスクライブ装置によれば、スクライブ装置は対物レンズを備え、この対物レンズは柱状レンズである。柱状レンズは、断面の一方向が曲線で形成され、別の一方向は直線で形成されている。レンズの光軸に対して、全方向を曲線で形成する場合には、全方向を研磨して曲線を形成する必要があり、レンズの形成には労力を要する。それに比べて、レンズの一方向が直線の場合には、一方向に研磨して曲線を形成すれば良いことから、形成し易いレンズと言える。従って生産性良く形成できる対物レンズを備えるスクライブ装置とすることができる。   According to this scribing apparatus, the scribing apparatus includes an objective lens, and the objective lens is a columnar lens. In the columnar lens, one direction of the cross section is formed by a curve, and another direction is formed by a straight line. When forming all directions in a curved line with respect to the optical axis of the lens, it is necessary to polish the entire direction to form a curved line. On the other hand, when one direction of the lens is a straight line, it can be said that the lens is easy to form because it can be polished in one direction to form a curve. Therefore, a scribing apparatus including an objective lens that can be formed with high productivity can be obtained.

本発明のスクライブ装置は、集光部が、光軸を中心として、回転し、第1方向及び第2方向が変更することを特徴とする。   The scribing device of the present invention is characterized in that the condensing unit rotates around the optical axis, and the first direction and the second direction are changed.

このスクライブ装置によれば、スクライブ装置は集光部を備えており、集光部が、光軸を中心として、回転することにより、第1方向及び第2方向が変更される。この集光部を用いてレーザ光を集光して照射する基板には、第1方向に長い改質部を形成することができる。従って、第1方向及び第2方向を変更することにより、改質部を長く形成する第1方向を、所望の方向に設定することができる。その結果、所望の方向に長い改質部を形成することができる。   According to this scribing device, the scribing device includes the light collecting unit, and the first direction and the second direction are changed as the light collecting unit rotates about the optical axis. A modified portion that is long in the first direction can be formed on the substrate that condenses and irradiates laser light using this condensing portion. Therefore, by changing the first direction and the second direction, the first direction in which the reforming portion is formed longer can be set to a desired direction. As a result, it is possible to form a modified portion that is long in a desired direction.

上記課題を解決するために、本発明の基板の分断方法は、可視光を透過する基板に、集光部からレーザ光を照射し、改質部を形成し、分断する基板の分断方法であって、レーザ光の光軸と直交する第1方向に比べて、光軸及び第1方向と直交する第2方向に、レーザ光の開口数が大きくなるように集光して基板に照射する照射工程と、基板と集光部とを第1方向に相対移動する移動工程と、基板を押圧して分断する分断工程とを有し、照射工程と、移動工程とを繰り返して、第1方向に改質部を配列してスクライブすることを特徴とする。   In order to solve the above-described problems, the substrate dividing method of the present invention is a method for dividing a substrate in which a substrate that transmits visible light is irradiated with laser light from a light converging unit, a modified portion is formed, and the substrate is divided. Irradiation that condenses and irradiates the substrate in a second direction orthogonal to the optical axis and the first direction so that the numerical aperture of the laser light is larger than that in the first direction orthogonal to the optical axis of the laser light. A process, a moving process for relatively moving the substrate and the light collecting unit in the first direction, and a dividing process for pressing and dividing the substrate, and repeating the irradiation process and the moving process in the first direction. The modification part is arranged and scribed.

この基板の分断方法によれば、可視光を透過する基板に、集光部からレーザ光を照射し、改質部を形成する照射工程と、移動工程と、分断工程とを有する。
照射工程では、レーザ光の光軸と直交する第1方向に比べて、光軸及び第1方向と直交する第2方向に、レーザ光の開口数が大きくなるように集光して基板に照射する。移動工程では、基板と集光部とを第1方向に相対移動する。照射工程と、移動工程とを繰り返して、第1方向に改質部を配列してスクライブする。続いて、分断工程において、基板を押圧して分断する。
According to the method for dividing a substrate, the substrate that transmits visible light is irradiated with laser light from a light collecting unit to form a modified unit, a moving step, and a dividing step.
In the irradiation process, the laser beam is condensed and irradiated on the substrate in a second direction orthogonal to the optical axis and the first direction as compared with the first direction orthogonal to the optical axis of the laser light. To do. In the moving step, the substrate and the light collecting unit are relatively moved in the first direction. The irradiation process and the moving process are repeated, and the modified portions are arranged and scribed in the first direction. Subsequently, in the dividing step, the substrate is pressed and divided.

照射工程において、照射するレーザ光の開口数は、第1方向に比べて、第2方向が大きいことから、形成される改質部は第2方向に比べて、第1方向に長い形状となる。つまり、第1方向に長い改質部を形成することができる。移動工程において、基板と集光部とを第1方向に相対移動する。照射工程と移動工程とを繰り返すことにより、第1方向に長い改質部を、第1方向に配列して形成することができる。従って、所定の長さの基板に改質部を並べて配列するとき、第1方向と第2方向とに同じ長さの改質部を形成する場合に比べて、少ない照射数で改質部を配列することができる。その結果、生産性良くスクライブすることができる。   In the irradiation step, the numerical aperture of the laser beam to be irradiated is larger in the second direction than in the first direction, so that the formed modified portion has a shape longer in the first direction than in the second direction. . That is, a reforming portion that is long in the first direction can be formed. In the moving step, the substrate and the light collecting unit are relatively moved in the first direction. By repeating the irradiation step and the moving step, the modified portions that are long in the first direction can be formed by being arranged in the first direction. Therefore, when arranging the modified portions side by side on a substrate having a predetermined length, the modified portions can be formed with a smaller number of irradiation than when the modified portions having the same length are formed in the first direction and the second direction. Can be arranged. As a result, it is possible to scribe with high productivity.

上記課題を解決するために、本発明の電気光学装置の製造方法は、第1基板と、第2基板との間に光学素子を挟んで接合し、形成する電気光学装置の製造方法であって、第1基板が複数行且つ複数列形成されている第1マザー基板をスクライブする第1スクライブ工程と、第2基板が複数行且つ複数列形成されている第2マザー基板をスクライブする第2スクライブ工程と、第1マザー基板と第2マザー基板とを分断する分断工程とを有し、少なくとも、第1スクライブ工程と第2スクライブ工程とのいずれか一方の工程において、第1マザー基板または、第2マザー基板に集光部からレーザ光を照射し、改質部を形成して、スクライブするスクライブ工程を有し、スクライブ工程は、照射工程と移動工程とを有し、照射工程では、レーザ光の光軸と直交する第1方向に比べて、光軸及び第1方向と直交する第2方向に、レーザ光の開口数が大きくなるように集光して基板に照射し、移動工程では、基板と集光部とを第1方向に相対移動し、スクライブ工程では、照射工程と、移動工程とを繰り返して、第1方向に改質部を配列してスクライブすることを特徴とする。   In order to solve the above problems, a method for manufacturing an electro-optical device according to the present invention is a method for manufacturing an electro-optical device in which an optical element is sandwiched and formed between a first substrate and a second substrate. A first scribing step for scribing a first mother substrate in which the first substrate is formed in a plurality of rows and columns, and a second scribing step for scribing a second mother substrate in which the second substrate is formed in a plurality of rows and columns. And a dividing step of dividing the first mother substrate and the second mother substrate, and in at least one of the first scribe step and the second scribe step, the first mother substrate or the first mother substrate 2 Mother substrate is irradiated with laser light from the condensing part, a modified part is formed, and a scribing process for scribing is included. The scribing process includes an irradiation process and a moving process. Compared with the first direction orthogonal to the optical axis, the laser beam is condensed so as to increase the numerical aperture of the laser beam in the second direction orthogonal to the optical axis and the first direction. In the scribing process, the irradiation process and the moving process are repeated, and the modification parts are arranged in the first direction for scribing.

この電気光学装置の製造方法によれば、電気光学装置は、第1基板と、第2基板との間に光学素子を挟んで接合され、形成される。電気光学装置の製造方法は、第1スクライブ工程と第2スクライブ工程と分断工程とを有している。第1スクライブ工程では、第1基板が複数行且つ複数列形成されている第1マザー基板をスクライブする。第2スクライブ工程では、第2基板が複数行且つ複数列形成されている第2マザー基板をスクライブする。分断工程では、第1マザー基板と第2マザー基板とを分断する。少なくとも、第1スクライブ工程と第2スクライブ工程とのいずれか一方の工程において、レーザ光を用いて第1マザー基板と第2マザー基板との一方または、両方の基板をスクライブする。   According to this method for manufacturing an electro-optical device, the electro-optical device is formed by bonding an optical element between a first substrate and a second substrate. The method for manufacturing an electro-optical device includes a first scribe process, a second scribe process, and a dividing process. In the first scribing step, the first mother substrate on which the first substrate is formed in a plurality of rows and a plurality of columns is scribed. In the second scribing step, the second mother substrate in which the second substrate is formed in a plurality of rows and a plurality of columns is scribed. In the dividing step, the first mother substrate and the second mother substrate are divided. At least one of the first scribe step and the second scribe step is used to scribe one or both of the first mother substrate and the second mother substrate using laser light.

そして、このレーザ光を用いるスクライブ方法は、照射工程と移動工程とを有する。照射工程では、レーザ光の光軸と直交する第1方向に比べて、光軸及び第1方向と直交する第2方向に、前記レーザ光の開口数が大きくなるように集光して前記基板に照射する。移動工程では、基板と集光部とを第1方向に相対移動する。照射工程と、移動工程とを繰り返して、前記第1方向に前記改質部を配列して、スクライブしている。   And the scribing method using this laser beam has an irradiation process and a movement process. In the irradiating step, the substrate is condensed so that the numerical aperture of the laser light is larger in the second direction perpendicular to the optical axis and the first direction than in the first direction perpendicular to the optical axis of the laser light. Irradiate. In the moving step, the substrate and the light collecting unit are relatively moved in the first direction. The irradiation process and the moving process are repeated, and the modified portions are arranged in the first direction to perform scribing.

照射工程において、照射するレーザ光の開口数は、第1方向に比べて、第2方向が大きいことから、形成される改質部は第2方向に比べて、第1方向に長い形状となる。つまり、第1方向に長い改質部を形成することができる。移動工程において、基板と集光部とを第1方向に相対移動する。照射工程と移動工程とを繰り返すことにより、第1方向に長い改質部を、第1方向に配列して形成することができる。従って、所定の長さの基板に改質部を並べて配列するとき、第1方向と第2方向とに同じ長さの改質部を形成する場合に比べて、少ない照射数で改質部を配列することができる。その結果、生産性良くスクライブすることができる。   In the irradiation step, the numerical aperture of the laser beam to be irradiated is larger in the second direction than in the first direction, so that the formed modified portion has a shape longer in the first direction than in the second direction. . That is, a reforming portion that is long in the first direction can be formed. In the moving step, the substrate and the light collecting unit are relatively moved in the first direction. By repeating the irradiation step and the moving step, the modified portions that are long in the first direction can be formed by being arranged in the first direction. Therefore, when arranging the modified portions side by side on a substrate having a predetermined length, the modified portions can be formed with a smaller number of irradiation than when the modified portions having the same length are formed in the first direction and the second direction. Can be arranged. As a result, it is possible to scribe with high productivity.

以下、本発明を具体化した実施例について図面に従って説明する。
尚、各図面における各部材は、各図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各部材毎に縮尺を異ならせて図示している。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
In addition, each member in each drawing is illustrated with a different scale for each member in order to make the size recognizable on each drawing.

(第1の実施形態)
本実施形態では、対物レンズに柱状レンズを有するスクライブ装置を用いて、レーザスクライブ法によってスクライブして分断する場合の例を説明する。ここで、本発明の特徴的な製造方法について説明する前にスクライブ装置について図1及び図2を用いて説明する。
(First embodiment)
In the present embodiment, an example will be described in which a scribing device having a columnar lens as an objective lens is used for scribing and dividing by a laser scribing method. Here, the scribing apparatus will be described with reference to FIGS. 1 and 2 before describing the characteristic manufacturing method of the present invention.

(スクライブ装置)
図1は、スクライブ装置の構成を示す模式概略図であり、図2は、集光部の構成を示す要部模式概略図である。
図1に示すように、スクライブ装置1は、レーザ光を出射するレーザ光源2と、出射されたレーザ光をワークに照射する光学経路部3と、光学経路部3に対してワークを相対的に移動させるテーブル部4と、動作を制御する制御装置5を主として構成されている。
(Scribe device)
FIG. 1 is a schematic schematic diagram showing the configuration of the scribing apparatus, and FIG. 2 is a schematic schematic diagram of the main part showing the configuration of the light collecting unit.
As shown in FIG. 1, the scribing apparatus 1 includes a laser light source 2 that emits laser light, an optical path portion 3 that irradiates the work with the emitted laser light, and a workpiece that is relatively relative to the optical path portion 3. The table 4 to be moved and the control device 5 for controlling the operation are mainly configured.

レーザ光源2は、出射するレーザ光を加工対象物の内部に集光して多光子吸収による改質部を形成できる光源であれば良い。例えば、レーザ光源2は、本実施形態において、LD励起Nd:YAG(Nd:Y3Al512)のレーザ媒質からなり、第3高調波(波長:355nm)のQスイッチパルス発振のレーザ光を出射する発光条件を採用している。パルス幅はおよそ14ns(ナノ秒)、パルス周期は10kHz、出力はおよそ60μJ/パルスのレーザ光を出射する発光条件を採用している。 The laser light source 2 may be any light source that can collect the emitted laser light inside the object to be processed and form a modified portion by multiphoton absorption. For example, in the present embodiment, the laser light source 2 is composed of a laser medium of LD excitation Nd: YAG (Nd: Y 3 Al 5 O 12 ), and is a third harmonic (wavelength: 355 nm) Q-switch pulse oscillation laser light. The light emission conditions for emitting light are employed. The light emission conditions for emitting a laser beam with a pulse width of about 14 ns (nanoseconds), a pulse period of 10 kHz, and an output of about 60 μJ / pulse are employed.

光学経路部3はハーフミラー6を備えている。ハーフミラー6は、レーザ光源2から照射されるレーザ光の光軸7a上に配置されている。ハーフミラー6はレーザ光源2から照射されるレーザ光を反射して、光軸7aから光軸7へ進行方向を変更する。ハーフミラー6に反射したレーザ光が通過する光軸7上に集光部8が配置されている。テーブル部4には基板としてのワーク9が配置され、集光部8を通過したレーザ光がワーク9に照射されるようになっている。   The optical path unit 3 includes a half mirror 6. The half mirror 6 is disposed on the optical axis 7 a of the laser light emitted from the laser light source 2. The half mirror 6 reflects the laser light emitted from the laser light source 2 and changes the traveling direction from the optical axis 7 a to the optical axis 7. A condenser 8 is disposed on the optical axis 7 through which the laser light reflected by the half mirror 6 passes. A work 9 as a substrate is disposed on the table unit 4, and the work 9 is irradiated with laser light that has passed through the light collecting unit 8.

集光部8はレンズ支持部10により、レンズ移動機構11に支持されている。レンズ移動機構11は、図示しない直動機構を有し、集光部8を光軸7方向(図中Z方向)に移動させて、集光部8を通過したレーザ光が集光する位置を移動可能としている。   The condensing unit 8 is supported by the lens moving mechanism 11 by the lens support unit 10. The lens moving mechanism 11 has a linear motion mechanism (not shown), moves the condensing unit 8 in the direction of the optical axis 7 (Z direction in the figure), and determines the position where the laser light that has passed through the condensing unit 8 is condensed. It can be moved.

直動機構は、例えばZ方向に延びるネジ軸(駆動軸)と、同ネジ軸と螺合するボールナットを供えたネジ式直動機構であって、その駆動軸が所定のパルス信号を受けて所定のステップ単位で正逆転する図示しないZ軸モータに連結されている。そして、所定のステップ数に相当する駆動信号がZ軸モータに入力されると、Z軸モータが正転又は反転して、レンズ移動機構11が同ステップ数に相当する分だけ、光軸7方向に沿って往動又は復動するようになっている。   The linear motion mechanism is, for example, a screw type linear motion mechanism provided with a screw shaft (drive shaft) extending in the Z direction and a ball nut screwed to the screw shaft, and the drive shaft receives a predetermined pulse signal. It is connected to a Z-axis motor (not shown) that rotates forward and backward in predetermined step units. When a drive signal corresponding to a predetermined number of steps is input to the Z-axis motor, the Z-axis motor rotates normally or reversely, and the lens moving mechanism 11 corresponds to the number of steps corresponding to the optical axis 7 direction. It moves forward or backward along.

集光部8は、柱状の対物レンズとしての集光レンズ8aとレンズ回転機構12とを備えている。レンズ回転機構12は、集光レンズ8aを、光軸7を中心に回転可能としている。   The condensing unit 8 includes a condensing lens 8 a as a columnar objective lens and a lens rotating mechanism 12. The lens rotation mechanism 12 can rotate the condenser lens 8 a about the optical axis 7.

集光部8とハーフミラー6とを通過する光軸7の延長線上にあって、ハーフミラー6に対して集光部8と反対側には、撮像装置13を備えている。撮像装置13は、例えば、図示しない同軸落射型光源とCCD(Charge Coupled Device)が組み込まれたものである。同軸落射型光源から出射した可視光は、集光部8を透過してワーク9を照射する。撮像装置13は、集光部8とハーフミラー6とを通してワーク9を撮像することが可能となっている。   An imaging device 13 is provided on the extension line of the optical axis 7 that passes through the light collector 8 and the half mirror 6, on the opposite side of the light collector 8 with respect to the half mirror 6. For example, the imaging device 13 includes a coaxial incident light source (not shown) and a CCD (Charge Coupled Device). Visible light emitted from the coaxial incident light source passes through the condensing unit 8 and irradiates the work 9. The imaging device 13 can image the workpiece 9 through the light collecting unit 8 and the half mirror 6.

テーブル部4は、基台15を備えている。基台15の光学経路部3側には、レール16が凸設して配置されており、レール16上にはX軸スライド17が配置されている。X軸スライド17は、図示しない直動機構を備え、レール16上のX方向に移動可能となっている。直動機構は、レンズ移動機構11が備える直動機構と同様な機構であり、所定のステップ数に相当する駆動信号に対応してX軸スライド17が同ステップ数に相当する分だけ、X方向に沿って往動又は復動するようになっている。   The table unit 4 includes a base 15. On the side of the optical path portion 3 of the base 15, a rail 16 is provided so as to protrude, and an X-axis slide 17 is provided on the rail 16. The X-axis slide 17 includes a linear motion mechanism (not shown) and can move in the X direction on the rail 16. The linear motion mechanism is a mechanism similar to the linear motion mechanism included in the lens moving mechanism 11, and the X-axis slide 17 corresponds to the number of steps corresponding to the drive signal corresponding to the predetermined number of steps in the X direction. It moves forward or backward along.

X軸スライド17の光学経路部3側にはレール18が凸設して配置されており、レール18上にはY軸スライド19が配置されている。Y軸スライド19は、X軸スライド17と同様な直動機構を備え、レール18上をY方向に移動可能となっている。   A rail 18 is provided so as to protrude from the X-axis slide 17 on the optical path section 3 side, and a Y-axis slide 19 is provided on the rail 18. The Y-axis slide 19 includes a linear motion mechanism similar to that of the X-axis slide 17 and can move on the rail 18 in the Y direction.

Y軸スライド19の光学経路部3側には、ステージ20が配置され、ステージ20の上面には図示しない吸引式のチャック機構が設けられている。そして、ワーク9を載置すると、チャック機構によって、ワーク9がステージ20の上面における所定の位置に位置決めされ固定されるようになっている。   A stage 20 is disposed on the optical path section 3 side of the Y-axis slide 19, and a suction chuck mechanism (not shown) is provided on the upper surface of the stage 20. When the workpiece 9 is placed, the workpiece 9 is positioned and fixed at a predetermined position on the upper surface of the stage 20 by the chuck mechanism.

制御装置5は、メインコンピュータ24を備えている。メインコンピュータ24は内部に図示しないCPU(Central Processing Unit)やメモリーを備えている。CPUはメモリー内に記憶されたプログラムソフトに従って、スクライブ装置1の動作を制御するものである。
メインコンピュータ24は、図示しない入出力インターフェースを備え、入力装置25、表示装置26、レーザ制御装置27、レンズ制御装置28、画像処理装置29、ステージ制御装置30と接続されている。
The control device 5 includes a main computer 24. The main computer 24 includes a CPU (Central Processing Unit) and a memory (not shown). The CPU controls the operation of the scribe device 1 according to program software stored in the memory.
The main computer 24 includes an input / output interface (not shown), and is connected to an input device 25, a display device 26, a laser control device 27, a lens control device 28, an image processing device 29, and a stage control device 30.

入力装置25は、レーザ加工の際に用いられる各種加工条件のデータを入力する装置であり、表示装置26はレーザ加工時の各種情報を表示する装置である。CPUは、入力される各種加工条件とプログラムソフトとに従って、レーザ加工を行い、加工状況を表示装置26に表示する。操作者が表示装置26に表示される各種情報を見て、レーザ加工状況を確認して操作するようになっている。   The input device 25 is a device for inputting data of various processing conditions used in laser processing, and the display device 26 is a device for displaying various information at the time of laser processing. The CPU performs laser processing according to various processing conditions and program software that are input, and displays the processing status on the display device 26. The operator looks at various information displayed on the display device 26 and confirms the laser processing status for operation.

レーザ制御装置27は、レーザ光源2を駆動するパルス信号のパルス幅、パルス周期、出力の開始と停止、等を制御する装置であり、メインコンピュータ24の制御信号により制御される。   The laser control device 27 is a device that controls the pulse width of the pulse signal that drives the laser light source 2, the pulse cycle, the start and stop of output, and the like, and is controlled by the control signal of the main computer 24.

レンズ制御装置28は、レンズ移動機構11の移動、停止及び、集光レンズ8aの回転角度を制御する装置である。レンズ移動機構11には、移動距離を検出可能な図示しない位置センサが内蔵されており、レンズ制御装置28は、この位置センサの出力を検出することにより、集光部8の光軸7方向の位置を認識する。レンズ制御装置28は、レンズ移動機構11にパルス信号を送信し、レンズ移動機構11を所望の位置に移動することができるようになっている。   The lens control device 28 is a device that controls the movement and stop of the lens moving mechanism 11 and the rotation angle of the condenser lens 8a. The lens moving mechanism 11 has a built-in position sensor (not shown) capable of detecting the moving distance, and the lens control device 28 detects the output of the position sensor to detect the position of the light collecting unit 8 in the direction of the optical axis 7. Recognize position. The lens control device 28 can transmit a pulse signal to the lens moving mechanism 11 to move the lens moving mechanism 11 to a desired position.

集光部8は、集光レンズ8aの回転角度を検出可能な図示しない角度センサが内蔵されており、レンズ制御装置28は、この角度センサの出力を検出することにより、集光レンズ8aの角度を認識する。レンズ制御装置28は、レンズ回転機構12に駆動信号を送信し、集光レンズ8aを所望の角度に回転し、停止することが可能となっている。   The condensing unit 8 incorporates an angle sensor (not shown) that can detect the rotation angle of the condensing lens 8a, and the lens control device 28 detects the angle of the condensing lens 8a by detecting the output of the angle sensor. Recognize The lens control device 28 can transmit a drive signal to the lens rotation mechanism 12 to rotate the condenser lens 8a to a desired angle and stop it.

画像処理装置29は、撮像装置13から出力される画像データを演算する機能を備えている。ステージ20にワーク9を配置し、撮像装置13で撮像した画像を観察するとき、レンズ移動機構11を操作して、集光部8とワーク9との距離を変えることにより画像が鮮明になるときとぼやけるときが存在する。集光部8を移動して、ワーク9のステージ20側の面に焦点が合うときと、ワーク9の光学経路部3側の面に焦点が合うときに、撮像される画像が鮮明になる。一方、焦点が合っていないとき、撮像される画像は、ぼやけた画像となる。   The image processing device 29 has a function of calculating image data output from the imaging device 13. When the work 9 is placed on the stage 20 and an image picked up by the image pickup device 13 is observed, the image is sharpened by operating the lens moving mechanism 11 and changing the distance between the light condensing unit 8 and the work 9. There are times when it is blurred. When the condensing unit 8 is moved to focus on the surface of the work 9 on the stage 20 side and when the work 9 is focused on the surface of the work 9 on the optical path unit 3 side, the captured image becomes clear. On the other hand, when the image is out of focus, the captured image is a blurred image.

集光部8を光軸7の方向に移動して、撮像装置13が撮像する画像が鮮明になる集光部8の位置を、内蔵する位置センサで検出することにより、ワーク9の厚みを測定することが可能となる。   The thickness of the work 9 is measured by moving the condensing unit 8 in the direction of the optical axis 7 and detecting the position of the condensing unit 8 at which the image picked up by the imaging device 13 becomes clear by a built-in position sensor. It becomes possible to do.

撮像装置13で撮像するときに焦点が合う合焦点位置と、レーザ光を照射したときに、集光部8により集光される集光位置との差の距離を計測することで、合焦点位置と集光位置の差の距離であるオフセット距離を知ることができる。例えば、透明な2枚の基板を重ねた物をワーク9としてステージ20に設置し、2枚の基板の接触部に撮像装置13の焦点が合うように集光部8を移動する。次に、レーザ光を照射して改質部を形成する。2枚の基板の接触部と改質部の距離を計測することでオフセット距離を設定することができる。   The in-focus position is obtained by measuring the distance between the in-focus position where the image is focused by the imaging device 13 and the condensing position where the light is condensed by the condensing unit 8 when the laser beam is irradiated. And the offset distance, which is the difference between the condensing positions. For example, an object in which two transparent substrates are stacked is placed on the stage 20 as a work 9, and the light condensing unit 8 is moved so that the imaging device 13 is focused on a contact portion between the two substrates. Next, the modified portion is formed by irradiating laser light. The offset distance can be set by measuring the distance between the contact portion and the reforming portion of the two substrates.

集光部8を光軸7方向(図中Z方向)に移動して、ワーク9の光学経路部3側の面に撮像装置13の焦点を合わせる。レーザ光を照射したい位置とオフセット距離とのデータを用いて、集光部8の移動距離を演算し、演算した移動距離に対応する距離分、集光部8を移動させる。この方法でワーク9における所定の深さにレーザ光を集光することが可能となる。   The condensing unit 8 is moved in the direction of the optical axis 7 (Z direction in the figure), and the imaging device 13 is focused on the surface of the work 9 on the optical path unit 3 side. Using the data of the position where the laser beam is to be irradiated and the offset distance, the moving distance of the condensing unit 8 is calculated, and the condensing unit 8 is moved by the distance corresponding to the calculated moving distance. With this method, the laser beam can be condensed to a predetermined depth in the workpiece 9.

ステージ制御装置30は、X軸スライド17とY軸スライド19との位置情報の取得と移動制御を行う。X軸スライド17とY軸スライド19とには図示しない位置センサが内蔵されており、ステージ制御装置30は位置センサの出力を検出することにより、X軸スライド17とY軸スライド19との位置を検出する。ステージ制御装置30は、X軸スライド17とY軸スライド19との位置情報を取得し、メインコンピュータ24から指示される位置情報とを比較し、差に相当する距離に対応して、X軸スライド17とY軸スライド19とを駆動して移動する。ステージ制御装置30はX軸スライド17とY軸スライド19とを駆動して、所望の位置にワーク9を移動することが可能となっている。   The stage control device 30 performs acquisition of position information and movement control of the X-axis slide 17 and the Y-axis slide 19. The X-axis slide 17 and the Y-axis slide 19 have built-in position sensors (not shown), and the stage control device 30 detects the positions of the X-axis slide 17 and the Y-axis slide 19 by detecting the output of the position sensor. To detect. The stage control device 30 acquires the position information of the X-axis slide 17 and the Y-axis slide 19, compares the position information instructed from the main computer 24, and corresponds to the distance corresponding to the difference to the X-axis slide. 17 and the Y-axis slide 19 are driven to move. The stage control device 30 can drive the X-axis slide 17 and the Y-axis slide 19 to move the workpiece 9 to a desired position.

レーザ制御装置27がレーザ光源2を制御しレーザ光を発光させる。画像処理装置29がワーク9の面における光軸7方向の位置を検出する。レンズ制御装置28がレーザ光を集光する光軸7方向の位置を制御する。ステージ制御装置30がワーク9をXY方向に移動して、ワーク9にレーザ光が照射される位置を制御する。上述した制御を行い所望の位置にレーザ光を集光して照射することが可能となっている。   The laser control device 27 controls the laser light source 2 to emit laser light. The image processing device 29 detects the position in the direction of the optical axis 7 on the surface of the workpiece 9. The lens control device 28 controls the position in the direction of the optical axis 7 where the laser light is condensed. The stage control device 30 moves the workpiece 9 in the XY directions, and controls the position where the workpiece 9 is irradiated with laser light. It is possible to collect and irradiate laser light at a desired position by performing the above-described control.

ここで、多光子吸収による改質部の形成について説明する。集光部8によって集光されたレーザ光は、ワーク9に入射する。そして、ワーク9がレーザ光を透過する材料であっても、材料の吸収バンドギャップよりも光子のエネルギーが非常に大きいとき、ワーク9は光子エネルギーを吸収する。これを多光子吸収と言い、レーザ光のパルス幅を極めて短くすることでエネルギーを高めて、多光子吸収をワーク9の内部に起こさせると、多光子吸収のエネルギーが熱エネルギーに転化せずに、永続的な構造変化が誘起された領域が形成される。   Here, formation of the modified portion by multiphoton absorption will be described. The laser beam condensed by the condensing unit 8 enters the workpiece 9. Even if the workpiece 9 is a material that transmits laser light, the workpiece 9 absorbs photon energy when the energy of the photon is much larger than the absorption band gap of the material. This is called multiphoton absorption. When the energy is increased by making the pulse width of the laser light extremely short and the multiphoton absorption is caused inside the work 9, the energy of the multiphoton absorption is not converted into thermal energy. A region in which a permanent structural change is induced is formed.

本実施形態では、この構造変化領域を改質部と呼ぶ。改質部のうち、大きく構造変化した結果複数のクラックが形成された領域をクラック部と呼ぶ。尚、材料の種類によっては、例えば石英などの場合には、クラック部は複数のクラックにならず、空洞が形成される場合もある。   In the present embodiment, this structure change region is called a modified portion. Of the modified portion, a region where a plurality of cracks are formed as a result of a large structural change is referred to as a crack portion. Depending on the type of material, for example, in the case of quartz or the like, the crack portion may not be a plurality of cracks, and a cavity may be formed.

このような改質部を形成するためのレーザ光の照射条件は、加工対象物ごとにレーザ光の出力やパルス幅、パルス周期、レーザスキャン速度等の設定が必要になる。特に、レーザ光源2が照射するレーザ光の出力は、ハーフミラー6や集光部8のような光軸7上に配置される透過性物質による吸収で減衰することを考慮する必要がある。従って、実際の加工対象物を用いた予備試験を実施して、最適な照射条件を導くことが望ましい。   As for the irradiation condition of the laser beam for forming such a modified portion, it is necessary to set the output of the laser beam, the pulse width, the pulse period, the laser scan speed, etc. for each workpiece. In particular, it is necessary to consider that the output of the laser light emitted from the laser light source 2 is attenuated by absorption by a transmissive substance disposed on the optical axis 7 such as the half mirror 6 or the light collecting unit 8. Therefore, it is desirable to carry out a preliminary test using an actual workpiece to derive optimum irradiation conditions.

図2(a)は、集光部8を示す要部模式平面図である。図2(b)は、図2(a)におけるA−A’線の要部模式断面図であり、図2(c)は、図2(a)におけるB−B’線の要部模式断面図である。   FIG. 2A is a schematic plan view of a main part showing the light collecting unit 8. 2B is a schematic cross-sectional view of the main part taken along the line AA ′ in FIG. 2A, and FIG. 2C is a schematic cross-sectional view of the main part taken along the line BB ′ in FIG. FIG.

図2(a)に示すように、集光部8は、レンズ支持部10と接続して円筒状の固定管31を備えている。固定管31の内側にはボール32を介して、移動管33が配置されている。固定管31、ボール32、移動管33によりボールベアリングが形成され、移動管33が回転可能となっている。   As shown in FIG. 2A, the light collecting unit 8 includes a cylindrical fixed tube 31 connected to the lens support unit 10. A moving tube 33 is disposed inside the fixed tube 31 via a ball 32. A ball bearing is formed by the fixed tube 31, the ball 32, and the moving tube 33, and the moving tube 33 is rotatable.

移動管33の内側には、矩形の孔が形成された支持板34が配置されている。矩形の孔には、矩形に形成された集光レンズ8aが配置されている。集光レンズ8aの中心と、移動管33の中心と光軸7とが重なるように、集光レンズ8a及び移動管33が配置されている。これにより、矩形に形成されている集光レンズ8aは、矩形の中心が光軸7と重なり、光軸7を回転中心にして回転するようになっている。   A support plate 34 having a rectangular hole is disposed inside the moving tube 33. A condensing lens 8a formed in a rectangular shape is disposed in the rectangular hole. The condensing lens 8a and the moving tube 33 are arranged so that the center of the condensing lens 8a, the center of the moving tube 33, and the optical axis 7 overlap. Thereby, the condensing lens 8a formed in a rectangle is configured such that the center of the rectangle overlaps with the optical axis 7 and rotates around the optical axis 7 as a rotation center.

レンズ支持部10には、駆動軸35aが所定のパルス信号を受けて所定のステップ単位で正逆転するレンズ回転モータ35が配置されている。駆動軸35aには、歯車36が配置され、歯車36の外周部36aが移動管33の外周部33aと接するようになっている。また、移動管33の外周部33aには歯が形成され、歯車36の外周部36aに形成されている歯とかみ合っている。そのため、歯車36が回転するとき、歯車36の動力が移動管33に伝わり移動管33が回転するようになっている。   The lens support unit 10 is provided with a lens rotation motor 35 in which the drive shaft 35a receives a predetermined pulse signal and rotates forward and backward in a predetermined step unit. A gear 36 is disposed on the drive shaft 35 a, and the outer peripheral portion 36 a of the gear 36 is in contact with the outer peripheral portion 33 a of the moving tube 33. Further, teeth are formed on the outer peripheral portion 33 a of the moving tube 33, and mesh with the teeth formed on the outer peripheral portion 36 a of the gear 36. Therefore, when the gear 36 rotates, the power of the gear 36 is transmitted to the moving tube 33 so that the moving tube 33 rotates.

そして、所定のステップ数に相当する駆動信号がレンズ回転モータ35に入力されると、レンズ回転モータ35の駆動軸35aが正転又は反転する。レンズ回転モータ35の駆動軸35aの回転が歯車36を介して移動管33に伝わり、移動管33が回転する。移動管33には、支持板34を介して集光レンズ8aが配置されていることから、移動管33が回転すると、集光レンズ8aが回転する。つまり、レンズ回転モータ35の駆動軸35aが回転すると、駆動軸35aの回転角度に応じて、集光レンズ8aが光軸7を中心として回転するようになっている。   When a drive signal corresponding to a predetermined number of steps is input to the lens rotation motor 35, the drive shaft 35a of the lens rotation motor 35 rotates forward or reverse. The rotation of the drive shaft 35a of the lens rotation motor 35 is transmitted to the moving tube 33 via the gear 36, and the moving tube 33 rotates. Since the condensing lens 8a is disposed on the moving tube 33 via the support plate 34, when the moving tube 33 rotates, the condensing lens 8a rotates. That is, when the drive shaft 35a of the lens rotation motor 35 rotates, the condenser lens 8a rotates about the optical axis 7 according to the rotation angle of the drive shaft 35a.

図2(b)及び図2(c)に示すように、集光レンズ8aは、A−A’方向から見るときには、矩形であり、B−B’方向から見るときには、凸レンズの形態をした柱状レンズとなっている。レーザ光37をZ方向から集光レンズ8aに照射するとき、X方向には集光せず、Y方向には集光するようになっている。そのため、レーザ光37が集光する集光場所37aは、X方向に長い線状となる。   As shown in FIGS. 2B and 2C, the condensing lens 8a is rectangular when viewed from the AA ′ direction, and is columnar in the form of a convex lens when viewed from the BB ′ direction. It is a lens. When irradiating the condensing lens 8a with the laser light 37 from the Z direction, the condensing lens 8a is not condensed in the X direction but condensed in the Y direction. Therefore, the condensing place 37a which the laser beam 37 condenses becomes a linear shape long in the X direction.

集光レンズ8aの断面が矩形となる方向(X方向)を第1方向38とし、集光レンズ8aの断面が凸レンズとなる方向(Y方向)を第2方向39とする。集光レンズ8aを通過したレーザ光37は、第1方向38には集光しないことから、集光レンズ8aの第1方向38に対する開口数は、ゼロに近い値となる。一方、集光レンズ8aを通過したレーザ光37は、第2方向39に集光することから、集光レンズ8aの第2方向39に対する開口数は、第1方向38に対する開口数に比べて、大きくなっている。   A direction (X direction) in which the cross section of the condensing lens 8a is rectangular is defined as a first direction 38, and a direction (Y direction) in which the cross section of the condensing lens 8a is a convex lens is defined as a second direction 39. Since the laser light 37 that has passed through the condensing lens 8a is not condensed in the first direction 38, the numerical aperture of the condensing lens 8a in the first direction 38 is close to zero. On the other hand, since the laser light 37 that has passed through the condenser lens 8a is condensed in the second direction 39, the numerical aperture of the condenser lens 8a in the second direction 39 is larger than the numerical aperture in the first direction 38. It is getting bigger.

また、集光レンズ8aを通過したレーザ光37は、第1方向38には集光しないことから、集光レンズ8aの第1方向38に対する焦点距離は、無限大の値となる。一方、集光レンズ8aを通過したレーザ光37は、第2方向39に集光することから、集光レンズ8aの第2方向39に対する焦点距離は、有限の値となる。従って、集光レンズ8aは、第1方向38に対する焦点距離に比べて、第2方向39に対する焦点距離が短い非球面レンズとなっている。   Further, since the laser light 37 that has passed through the condenser lens 8a is not condensed in the first direction 38, the focal length of the condenser lens 8a with respect to the first direction 38 becomes an infinite value. On the other hand, since the laser light 37 that has passed through the condensing lens 8a is condensed in the second direction 39, the focal length of the condensing lens 8a in the second direction 39 is a finite value. Therefore, the condensing lens 8 a is an aspherical lens having a shorter focal length in the second direction 39 than the focal length in the first direction 38.

(基板の分断方法)
次に本発明の基板の分断方法について図3〜図9にて説明する。図3は、基板の分断方法のフローチャートであり、図4〜図9は基板の分断方法を説明する図である。
(Substrate dividing method)
Next, the substrate cutting method of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 3 is a flowchart of the substrate dividing method, and FIGS. 4 to 9 are diagrams for explaining the substrate dividing method.

図3のフローチャートにおいて、ステップS1は基板設置工程に相当し、基板をスクライブ装置に設置して、スクライブ装置の初期設定をする工程である。次にステップS2に移行する。ステップS2は、照射工程に相当し、基板にレーザ光を照射して改質部を形成する工程である。このとき、集光レンズは柱状レンズであり、集光レンズの第2方向に、レーザ光の開口数が大きくなるように照射する。次にステップS3に移行する。ステップS3は予定の領域総てに照射したかを判断する工程に相当し、スクライブする予定の領域とスクライブした領域とを比較し、スクライブする予定の領域で、まだスクライブしていない領域を検索する工程である。スクライブする予定の領域で、まだスクライブしていない領域があるとき(NOのとき)、ステップS4に移行する。スクライブする予定の領域で、スクライブしていない領域がないとき(YESのとき)、ステップS5に移行する。ステップS4は、移動工程に相当し、集光レンズの第1方向において、次にスクライブする領域へ集光レンズとテーブル部とを相対移動する工程である。次にステップS2に移行する。   In the flowchart of FIG. 3, step S <b> 1 corresponds to a substrate installation process, and is a process of installing a substrate on a scribe device and initializing the scribe device. Next, the process proceeds to step S2. Step S2 corresponds to an irradiation process, and is a process of forming a modified portion by irradiating the substrate with laser light. At this time, the condenser lens is a columnar lens, and irradiation is performed in the second direction of the condenser lens so that the numerical aperture of the laser light is increased. Next, the process proceeds to step S3. Step S3 corresponds to a step of determining whether or not all the planned areas have been irradiated. The area to be scribed is compared with the area to be scribed, and the areas not yet scribed are searched for in the areas to be scribed. It is a process. When there is an area that is not yet scribed in the area to be scribed (NO), the process proceeds to step S4. When there is no area that is not scribed in the area to be scribed (YES), the process proceeds to step S5. Step S4 corresponds to a moving step, and is a step of relatively moving the condenser lens and the table portion to the next scribe area in the first direction of the condenser lens. Next, the process proceeds to step S2.

ステップS5は、回転工程に相当し、集光レンズを回転し、基板に対して、集光レンズの第1方向及び第2方向を変更する工程である。次にステップS6に移行する。ステップS6は、移動工程に相当し、ステップS2において、スクライブした方向と異なる方向にスクライブする領域に移動する工程である。次にステップS7に移行する。ステップS7は、照射工程に相当し、基板にレーザ光を照射して改質部を形成する工程である。このとき、集光レンズは柱状レンズであり、集光レンズの第2方向に、レーザ光の開口数が大きくなるように照射する。次にステップS8に移行する。ステップS8は予定の領域総てに照射したかを判断する工程に相当し、スクライブする予定の領域とスクライブした領域とを比較し、スクライブする予定の領域で、まだスクライブしていない領域を検索する工程である。スクライブする予定の領域で、まだスクライブしていない領域があるとき(NOのとき)、ステップS9に移行する。スクライブする予定の領域で、スクライブしていない領域がないとき(YESのとき)、ステップS10に移行する。ステップS9は、移動工程に相当し、集光レンズの第1方向において、次にスクライブする領域へ集光レンズ8aとテーブル部4とを相対移動する工程である。次にステップS7に移行する。ステップS1〜ステップS9をまとめてステップS11とする。ステップS11は、スクライブ工程に相当する。   Step S5 corresponds to a rotation process, and is a process of rotating the condenser lens and changing the first direction and the second direction of the condenser lens with respect to the substrate. Next, the process proceeds to step S6. Step S6 corresponds to a moving step, and is a step of moving to a region that is scribed in a direction different from the direction scribed in step S2. Next, the process proceeds to step S7. Step S7 corresponds to an irradiation step, and is a step of forming a modified portion by irradiating the substrate with laser light. At this time, the condenser lens is a columnar lens, and irradiation is performed in the second direction of the condenser lens so that the numerical aperture of the laser light is increased. Next, the process proceeds to step S8. Step S8 corresponds to the step of determining whether all the planned areas have been irradiated. The area to be scribed is compared with the area to be scribed, and the areas not yet scribed are searched for in the areas to be scribed. It is a process. If there is an area that is not yet scribed in the area to be scribed (NO), the process proceeds to step S9. When there is no area that is not scribed in the area to be scribed (YES), the process proceeds to step S10. Step S9 corresponds to a moving step, and is a step of relatively moving the condenser lens 8a and the table unit 4 to the next scribe area in the first direction of the condenser lens. Next, the process proceeds to step S7. Steps S1 to S9 are collectively referred to as step S11. Step S11 corresponds to a scribe process.

ステップS10は、分断工程に相当し、基板のスクライブした場所を押圧して、基板を分断する工程である。以上の工程により基板を分断する工程が完了する。   Step S10 corresponds to a dividing step, and is a step of dividing the substrate by pressing the scribed place of the substrate. The process of dividing the substrate is completed by the above process.

次に、図4〜図9を用いて、図3に示したステップと対応させて、製造方法を詳細に説明する。図4(a)は、本実施形態で分断する基板の模式平面図である。図4(b)は、図4(a)に示す接合基板のC−C’線から見た模式側面図である。図4(a)及び図4(b)に示す様に、基板41は矩形の板で構成されている。基板41は、レーザ光に透過性のある材質からなり本実施形態では、例えば、石英ガラスを採用している。   Next, the manufacturing method will be described in detail using FIGS. 4 to 9 in association with the steps shown in FIG. FIG. 4A is a schematic plan view of a substrate to be divided in this embodiment. FIG. 4B is a schematic side view of the bonded substrate shown in FIG. 4A as viewed from the line C-C ′. As shown in FIGS. 4A and 4B, the substrate 41 is formed of a rectangular plate. The substrate 41 is made of a material that is transmissive to laser light. In this embodiment, for example, quartz glass is used.

基板41の平面方向において、基板41の長尺方向をX方向とし、X方向と直交する方向をY方向とする。また、基板41の厚さ方向をZ方向とする。基板41において、X方向の中心線を通る厚さ方向(Z方向)の面を第1切断予定面42とする。同じく基板41において、Y方向の中心線を通る厚さ方向(Z方向)の面を第2切断予定面43とする。第1切断予定面42は、ステップS2〜ステップS4において、スクライブする面であり第2切断予定面43は、ステップS7〜ステップS9において、スクライブする面である。   In the plane direction of the substrate 41, the longitudinal direction of the substrate 41 is defined as the X direction, and the direction orthogonal to the X direction is defined as the Y direction. The thickness direction of the substrate 41 is the Z direction. In the substrate 41, a surface in the thickness direction (Z direction) passing through the center line in the X direction is defined as a first scheduled cutting surface 42. Similarly, in the substrate 41, a surface in the thickness direction (Z direction) passing through the center line in the Y direction is defined as a second scheduled cutting surface 43. The first scheduled cutting surface 42 is a surface to be scribed in steps S2 to S4, and the second scheduled cutting surface 43 is a surface to be scribed in steps S7 to S9.

図4(c)及び図5(a)はステップS1に対応する図である。図4(c)に示す様に、基板41を図1に示すスクライブ装置1のテーブル部4に載置する。基板41は吸引式のチャック機構により、ステージ20に固定される。スクライブ装置1は、第1切断予定面42において、基板41の端となる場所42aに、レーザ光37を照射可能となる場所に、集光部8を移動する。また、このステップにおいて、操作者は、レーザ光37を照射するレーザ光源2の発光条件の設定を行う。   FIG. 4C and FIG. 5A are diagrams corresponding to step S1. As shown in FIG. 4C, the substrate 41 is placed on the table unit 4 of the scribing apparatus 1 shown in FIG. The substrate 41 is fixed to the stage 20 by a suction type chuck mechanism. The scribing apparatus 1 moves the condensing unit 8 to a place where the laser light 37 can be irradiated to a place 42 a that is an end of the substrate 41 on the first scheduled cutting surface 42. In this step, the operator sets the light emission conditions of the laser light source 2 that irradiates the laser light 37.

図5(a)に示す様に、集光レンズ8aの断面が矩形となる第1方向38が、第1切断予定面42と同じ方向なるように配置する。従って、集光レンズ8aの断面が凸レンズとなる第2方向39は、第1切断予定面42と直交する方向となる。   As shown to Fig.5 (a), it arrange | positions so that the 1st direction 38 from which the cross section of the condensing lens 8a becomes a rectangle may become the same direction as the 1st cutting plan surface 42. FIG. Therefore, the second direction 39 in which the cross-section of the condenser lens 8a is a convex lens is a direction orthogonal to the first scheduled cutting surface 42.

図5(b)及び図5(c)はステップS2に対応する図である。図5(b)及び図5(c)に示す様に、集光部8から基板41の内部にレーザ光37をY方向に集光して照射する。レーザ光37が集光されて照射された集光場所37aには、改質部45が形成され、改質部45の中央には、クラック部46が形成される。本実施形態においては、基板41に石英ガラスを用いていることから、クラック部46には、空洞が形成される。   FIG. 5B and FIG. 5C are diagrams corresponding to step S2. As shown in FIGS. 5B and 5C, the laser beam 37 is condensed in the Y direction and irradiated from the condensing unit 8 to the inside of the substrate 41. A reforming portion 45 is formed at the condensing place 37 a where the laser beam 37 is condensed and irradiated, and a crack portion 46 is formed at the center of the reforming portion 45. In the present embodiment, since quartz glass is used for the substrate 41, a cavity is formed in the crack portion 46.

第1方向38に比べて、第2方向39に、レーザ光37の開口数が大きくなるように集光して基板41に照射する。つまり、集光レンズ8aは、レーザ光37を、第1方向38には集光せず、第2方向39に集光するため、改質部45は、第1方向38に長く、第2方向39に短い形状に形成される。   Compared with the first direction 38, the laser beam 37 is condensed and irradiated on the substrate 41 in the second direction 39 so that the numerical aperture of the laser light 37 is increased. That is, the condensing lens 8a does not condense the laser light 37 in the first direction 38, but condenses it in the second direction 39, so that the reforming unit 45 is long in the first direction 38 and the second direction. 39 is formed in a short shape.

第1方向38が、第1切断予定面42の方向に配置されていることから、改質部45は、第1切断予定面42に沿って長く、Y方向に短い形状に形成される。   Since the first direction 38 is arranged in the direction of the first scheduled cutting surface 42, the reforming portion 45 is formed in a shape that is long along the first scheduled cutting surface 42 and short in the Y direction.

ステップS2において、レーザ光37を照射した後、ステップS3に移行する。ステップS3において、メインコンピュータ24は、第1切断予定面42の総てに、改質部45を形成したかを判断する。メインコンピュータ24は、記憶部を備えている。記憶部には、第1切断予定面42において、改質部45を形成する予定の場所と、既に改質部45を形成した場所のデータが格納されている。ステップS2において、メインコンピュータ24は、改質部45を形成する毎に、記憶部に形成した場所のデータを記憶する。改質部45を形成する予定の場所であって、改質部45が形成されていない場所の有無を判断する。改質部45が形成されていない場所が有るとき、続いて、ステップS4で、その場所へ移動する。   In step S2, after the laser beam 37 is irradiated, the process proceeds to step S3. In step S <b> 3, the main computer 24 determines whether the reforming portion 45 has been formed on all of the first scheduled cutting surfaces 42. The main computer 24 includes a storage unit. The storage unit stores data on a location where the reforming portion 45 is to be formed and a location where the reforming portion 45 has already been formed on the first cut planned surface 42. In step S2, the main computer 24 stores the data of the place formed in the storage unit every time the reforming unit 45 is formed. It is determined whether or not there is a place where the reforming part 45 is to be formed and the reforming part 45 is not formed. When there is a place where the reforming unit 45 is not formed, the process moves to that place in step S4.

図6(a)はステップS4に対応する図である。図6(a)に示す様に、基板41と集光部8とを第1方向38に相対移動する。移動距離は、改質部45を形成する間隔とし、本実施形態では、例えば、改質部45の第1方向38の幅より、少し短い距離とする。改質部45を形成する間隔は、ステップS10にて、品質良く分断可能に改質部45が配列される間隔であれば良く、試行して間隔を設定するのが、望ましい。   FIG. 6A is a diagram corresponding to step S4. As shown in FIG. 6A, the substrate 41 and the light collector 8 are relatively moved in the first direction 38. The moving distance is an interval at which the reforming part 45 is formed, and in this embodiment, for example, is a distance slightly shorter than the width of the reforming part 45 in the first direction 38. The interval for forming the reforming portion 45 may be an interval at which the reforming portion 45 is arranged in step S10 so that it can be divided with good quality, and it is desirable to set the interval by trial.

図6(b)及び図6(c)はステップS2に対応する図である。図6(b)に示す様に、集光部8から基板41の内部にレーザ光37をY方向に集光して照射する。レーザ光37が集光されて照射された集光場所37aには、改質部45が形成され、改質部45の中央には、クラック部46が形成される。その結果、改質部45が配列して形成される。   FIG. 6B and FIG. 6C are diagrams corresponding to step S2. As shown in FIG. 6B, the laser beam 37 is condensed and irradiated in the Y direction from the condensing unit 8 to the inside of the substrate 41. A reforming portion 45 is formed at the condensing place 37 a where the laser beam 37 is condensed and irradiated, and a crack portion 46 is formed at the center of the reforming portion 45. As a result, the reforming portions 45 are formed in an array.

図6(c)に示す様に、改質部45を配列して形成し、1段目の改質部45aを形成する。続いて、1段目の改質部45aに対して、Z方向に隣接する場所に、改質部45を配列して形成し、2段目の改質部45bを形成する。この様に、改質部45を多段に配列して形成し、第1切断予定面42総てに、改質部45が形成された第1スクライブ面47を形成する。   As shown in FIG. 6C, the reforming portions 45 are arranged and formed to form the first-stage reforming portion 45a. Subsequently, the reforming portions 45 are arranged and formed at positions adjacent to the first-stage reforming portion 45a in the Z direction to form the second-stage reforming portion 45b. In this way, the reforming portions 45 are formed in multiple stages, and the first scribe surface 47 on which the reforming portions 45 are formed is formed on all the first scheduled cutting surfaces 42.

図7(a)はステップS5及びステップS6に対応する図である。図7(a)に示す様に、ステップS5において、スクライブ装置1は、集光レンズ8aの光軸7を中心として、集光レンズ8aを回転する。集光部8における第1方向38を、第1切断予定面42の方向から第2切断予定面43の方向に変更する。   FIG. 7A corresponds to steps S5 and S6. As shown in FIG. 7A, in step S5, the scribing apparatus 1 rotates the condenser lens 8a around the optical axis 7 of the condenser lens 8a. The first direction 38 in the light collector 8 is changed from the direction of the first scheduled cutting surface 42 to the direction of the second scheduled cutting surface 43.

ステップS6において、スクライブ装置1は、第2切断予定面43において、基板41の端となる場所43aに、レーザ光37を照射可能となる場所に、集光部8を移動する。   In step S <b> 6, the scribing apparatus 1 moves the light converging unit 8 to a place where the laser beam 37 can be irradiated to the place 43 a that becomes the end of the substrate 41 on the second scheduled cutting surface 43.

図7(b)及び図7(c)はステップS7に対応する図である。図7(b)及び図7(c)に示す様に、集光部8から基板41の内部にレーザ光37をX方向に集光して照射する。レーザ光37が集光されて照射された集光場所37aには、改質部45が形成され、改質部45の中央には、クラック部46が形成される。   FIG. 7B and FIG. 7C are diagrams corresponding to step S7. As shown in FIGS. 7B and 7C, the laser beam 37 is condensed in the X direction and irradiated from the condensing unit 8 to the inside of the substrate 41. A reforming portion 45 is formed at the condensing place 37 a where the laser beam 37 is condensed and irradiated, and a crack portion 46 is formed at the center of the reforming portion 45.

第1方向38に比べて、第2方向39に、レーザ光37の開口数が大きくなるように集光して基板41に照射する。つまり、集光レンズ8aは、レーザ光37を、第1方向38には集光せず、第2方向39に集光するため、改質部45は、第1方向38に長く、第2方向39に短い形状に形成される。   Compared with the first direction 38, the laser beam 37 is condensed and irradiated on the substrate 41 in the second direction 39 so that the numerical aperture of the laser light 37 is increased. That is, the condensing lens 8a does not condense the laser light 37 in the first direction 38, but condenses it in the second direction 39, so that the reforming unit 45 is long in the first direction 38 and the second direction. 39 is formed in a short shape.

第1方向38が、第2切断予定面43の方向に配置されていることから、改質部45は、第2切断予定面43に沿って長く、X方向に短く形状に形成される。   Since the first direction 38 is arranged in the direction of the second scheduled cutting surface 43, the reforming portion 45 is formed in a shape that is long along the second scheduled cutting surface 43 and short in the X direction.

ステップS7において、レーザ光37を照射した後、ステップS8に移行する。ステップS8において、メインコンピュータ24は、第2切断予定面43の総てに、改質部45を形成したかを判断する。メインコンピュータ24の記憶部には、第2切断予定面43において、改質部45を形成する予定の場所と、既に改質部45を形成した場所のデータが格納されている。ステップS7において、メインコンピュータ24は、改質部45を形成する毎に、記憶部に形成した場所のデータを記憶する。改質部45を形成する予定の場所であって、改質部45が形成されていない場所の有無を判断する。改質部45が形成されていない場所が有るとき、続いて、ステップS9で、その場所へ移動する。   In step S7, after the laser beam 37 is irradiated, the process proceeds to step S8. In step S <b> 8, the main computer 24 determines whether the reforming portion 45 has been formed on all of the second scheduled cutting surfaces 43. In the storage unit of the main computer 24, data of a place where the reforming unit 45 is to be formed and a place where the reforming unit 45 has already been formed are stored on the second scheduled cutting surface 43. In step S <b> 7, each time the reforming unit 45 is formed, the main computer 24 stores the data of the place formed in the storage unit. It is determined whether or not there is a place where the reforming part 45 is to be formed and the reforming part 45 is not formed. When there is a place where the reforming unit 45 is not formed, the process moves to that place in step S9.

図8(a)はステップS9に対応する図である。図8(a)に示す様に、基板41と集光部8とを第1方向38に相対移動する。移動距離は、例えば、本実施例では、改質部45の第1方向38の幅より、少し短い距離とする。   FIG. 8A is a diagram corresponding to step S9. As shown in FIG. 8A, the substrate 41 and the light collecting unit 8 are relatively moved in the first direction 38. For example, in this embodiment, the moving distance is a distance slightly shorter than the width of the reforming unit 45 in the first direction 38.

図8(b)及び図8(c)はステップS7に対応する図である。図8(b)に示す様に、集光部8から基板41の内部にレーザ光37をX方向に集光して照射する。レーザ光37が集光されて照射された集光場所37aには、改質部45が形成され、改質部45の中央には、クラック部46が形成される。その結果、改質部45が配列して形成される。   FIG. 8B and FIG. 8C are diagrams corresponding to step S7. As shown in FIG. 8B, the laser beam 37 is condensed and irradiated in the X direction from the condensing unit 8 to the inside of the substrate 41. A reforming portion 45 is formed at the condensing place 37 a where the laser beam 37 is condensed and irradiated, and a crack portion 46 is formed at the center of the reforming portion 45. As a result, the reforming portions 45 are formed in an array.

図8(c)に示す様に、改質部45を配列して形成し、1段目の改質部45cを形成する。続いて、1段目の改質部45cに対して、Z方向に隣接する場所に、改質部45を配列して形成し、2段目の改質部45dを形成する。この様に、改質部45を多段に配列して形成し、第2切断予定面43総てに、改質部45が形成された第2スクライブ面48を形成する。   As shown in FIG. 8C, the reforming portions 45 are arranged and formed to form the first-stage reforming portion 45c. Subsequently, the reforming portions 45 are arranged and formed at positions adjacent to the first-stage reforming portion 45c in the Z direction to form the second-stage reforming portion 45d. In this manner, the modified portions 45 are formed in multiple stages, and the second scribe surface 48 on which the modified portions 45 are formed is formed on the entire second cut planned surface 43.

図9(a)及び図9(b)はステップS10に対応する図である。図9(a)に示す様に、基板41を弾性材より少なくともなる台49の上に配置する。第1切断予定面42に形成された第1スクライブ面47と対向する場所を、加圧部材50を用いて押圧する。基板41は台49に沈み込み、クラック部46に張力が作用する。基板41は、台49と接する面に近いクラック部46を起点として破断が進行し、分断する。   FIG. 9A and FIG. 9B are diagrams corresponding to step S10. As shown in FIG. 9A, the substrate 41 is placed on a base 49 made of at least an elastic material. A place facing the first scribe surface 47 formed on the first cut planned surface 42 is pressed using the pressing member 50. The substrate 41 sinks into the base 49 and a tension acts on the crack portion 46. The substrate 41 breaks and breaks starting from the crack portion 46 close to the surface in contact with the base 49.

図9(b)に示す様に、同様に、第2切断予定面43に形成された第2スクライブ面48と対向する場所を、加圧部材50を用いて押圧する。基板41は台49に沈み込み、クラック部46に張力が作用する。基板41は、台49と接する面に近いクラック部46を起点として破断が進行し、分断する。   Similarly, as shown in FIG. 9B, a place facing the second scribe surface 48 formed on the second scheduled cutting surface 43 is pressed using the pressing member 50. The substrate 41 sinks into the base 49 and a tension acts on the crack portion 46. The substrate 41 breaks and breaks starting from the crack portion 46 close to the surface in contact with the base 49.

その結果、図4(a)に示す、基板41が第1切断予定面42及び第2切断予定面43で分断され、4分割される。   As a result, the substrate 41 shown in FIG. 4A is divided by the first scheduled cutting surface 42 and the second scheduled cutting surface 43 and divided into four.

上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
(1)本実施形態によれば、スクライブ装置1は、レーザ光源2と、集光部8とを備えている。レーザ光源2がレーザ光37を発光する。集光部8が、基板41の内部にレーザ光37を集光して照射する。集光部8は、レーザ光37の光軸7と直交する第1方向38に比べて、光軸7及び第1方向38と直交する第2方向39に、レーザ光37の開口数が大きくなるように集光して基板41に照射している。
As described above, this embodiment has the following effects.
(1) According to the present embodiment, the scribing apparatus 1 includes the laser light source 2 and the light collecting unit 8. The laser light source 2 emits laser light 37. The condensing unit 8 condenses and irradiates the laser light 37 inside the substrate 41. The condensing unit 8 has a larger numerical aperture of the laser light 37 in the second direction 39 orthogonal to the optical axis 7 and the first direction 38 than in the first direction 38 orthogonal to the optical axis 7 of the laser light 37. In this way, the light is condensed and applied to the substrate 41.

基板41にレーザ光37が集光される集光場所37aには、改質部45が形成される。レーザ光37の開口数は、第1方向38に比べて、第2方向39が大きいことから、形成される改質部45は、第2方向39に比べて、第1方向38に長い形状となる。つまり、第1方向38に長い改質部45を形成することができる。従って、所定の長さの基板41に改質部45を並べて配列するとき、第1方向38と第2方向39とに同じ長さの改質部45を形成する場合に比べて、少ない照射数で改質部45を配列することができる。その結果、生産性良くスクライブすることができる。   A reforming portion 45 is formed at a condensing place 37 a where the laser beam 37 is condensed on the substrate 41. Since the numerical aperture of the laser beam 37 is larger in the second direction 39 than in the first direction 38, the formed modified portion 45 has a shape that is longer in the first direction 38 than in the second direction 39. Become. In other words, the modified portion 45 that is long in the first direction 38 can be formed. Therefore, when the modified portions 45 are arranged side by side on the substrate 41 having a predetermined length, the number of irradiations is smaller than when the modified portions 45 having the same length are formed in the first direction 38 and the second direction 39. Thus, the reforming portions 45 can be arranged. As a result, it is possible to scribe with high productivity.

(2)本実施形態によれば、スクライブ装置1は、集光レンズ8aを備えている。この集光レンズ8aは非球面レンズであり、第1方向38の焦点距離に対して、第2方向39の焦点距離が短く形成されている。従って、この集光レンズ8aを通過するレーザ光37の開口数は、第1方向38に比べて、第2方向39が大きく形成されている。その結果、この集光レンズ8aを用いてレーザ光37を集光して照射する基板41には、第1方向38に長い改質部45を形成することができる。   (2) According to the present embodiment, the scribe device 1 includes the condenser lens 8a. The condensing lens 8 a is an aspheric lens, and has a focal length in the second direction 39 that is shorter than a focal length in the first direction 38. Therefore, the numerical aperture of the laser light 37 that passes through the condenser lens 8 a is larger in the second direction 39 than in the first direction 38. As a result, the long modified portion 45 in the first direction 38 can be formed on the substrate 41 that condenses and irradiates the laser light 37 using the condensing lens 8a.

(3)本実施形態によれば、スクライブ装置1は集光レンズ8aを備え、この集光レンズ8aは柱状レンズとなっている。柱状レンズは、断面の一方向が曲線で形成され、別の一方向は直線で形成されている。集光レンズ8aの光軸7に対して、全方向を曲線で形成する場合には、全方向を研磨して曲線を形成する必要があり、レンズの形成には労力を要する。それに比べて、レンズの一方向が直線の場合には、一方向に研磨して曲線を形成すれば良いことから、形成し易いレンズと言える。従って生産性良く形成できる集光レンズ8aを備えるスクライブ装置とすることができる。   (3) According to the present embodiment, the scribe device 1 includes the condensing lens 8a, and the condensing lens 8a is a columnar lens. In the columnar lens, one direction of the cross section is formed by a curve, and another direction is formed by a straight line. When forming all directions in a curved line with respect to the optical axis 7 of the condensing lens 8a, it is necessary to polish the all directions to form a curve, and it takes effort to form the lens. On the other hand, when one direction of the lens is a straight line, it can be said that the lens is easy to form because it can be polished in one direction to form a curve. Therefore, a scribing apparatus including the condensing lens 8a that can be formed with high productivity can be obtained.

(4)本実施形態によれば、スクライブ装置1は集光部8を備えており、集光部8は、集光レンズ8aが、光軸7を中心として、回転することにより、第1方向38及び第2方向39が変更される。この集光部8を用いてレーザ光37を集光して照射する基板41には、第1方向38に長い改質部45を形成することができる。従って、第1方向38及び第2方向39を変更することにより、改質部45を長く形成する第1方向38を、所望の方向に設定することができる。その結果、所望の方向に長い改質部45を形成することができる。   (4) According to the present embodiment, the scribing apparatus 1 includes the light collecting unit 8, and the light collecting unit 8 rotates in the first direction by the condensing lens 8 a rotating about the optical axis 7. 38 and the second direction 39 are changed. A long modified portion 45 in the first direction 38 can be formed on the substrate 41 that condenses and irradiates the laser light 37 using the condensing portion 8. Therefore, by changing the first direction 38 and the second direction 39, the first direction 38 in which the reforming portion 45 is formed long can be set to a desired direction. As a result, the modified portion 45 that is long in a desired direction can be formed.

(5)本実施形態によれば、基板41に、集光部8からレーザ光37を照射し、改質部45を形成するステップS2及びステップS7の照射工程と、ステップS4及びステップS9の移動工程とを有している。照射工程では、レーザ光37の光軸7と直交する第1方向38に比べて、第2方向39に、レーザ光37の開口数が大きくなるように集光して基板41に照射する。移動工程では、基板41と集光部8とを第1方向38に相対移動する。そして、照射工程と、移動工程とを繰り返して、第1方向38に改質部45を配列してスクライブしている。続いて、分断工程において、基板を押圧して分断している。   (5) According to the present embodiment, the substrate 41 is irradiated with the laser beam 37 from the light converging unit 8 to form the modified unit 45, the irradiation process of Step S2 and Step S7, and the movement of Step S4 and Step S9. Process. In the irradiating step, the substrate 41 is condensed and irradiated in the second direction 39 so that the numerical aperture of the laser light 37 is larger than the first direction 38 orthogonal to the optical axis 7 of the laser light 37. In the moving process, the substrate 41 and the light collector 8 are relatively moved in the first direction 38. The irradiation process and the movement process are repeated, and the modified portions 45 are arranged and scribed in the first direction 38. Subsequently, in the dividing step, the substrate is pressed and divided.

照射工程において、照射するレーザ光37の開口数は、第1方向38に比べて、第2方向39が大きいことから、形成される改質部45は第2方向39に比べて、第1方向38に長い形状となる。つまり、第1方向38に長い改質部45を形成することができる。移動工程において、基板41と集光部8とを第1方向38に相対移動する。照射工程と移動工程とを繰り返すことにより、第1方向38に長い改質部45を、第1方向38に配列して形成することができる。従って、所定の長さの基板41に改質部45を並べて配列するとき、第1方向38と第2方向39とに同じ長さの改質部45を形成する場合に比べて、少ない照射数で改質部45を配列することができる。その結果、生産性良くスクライブすることができる。   In the irradiation process, since the numerical aperture of the laser beam 37 to be irradiated is larger in the second direction 39 than in the first direction 38, the modified portion 45 to be formed is in the first direction compared with the second direction 39. 38 becomes a long shape. In other words, the modified portion 45 that is long in the first direction 38 can be formed. In the moving step, the substrate 41 and the light collecting unit 8 are relatively moved in the first direction 38. By repeating the irradiation process and the movement process, the modified portions 45 that are long in the first direction 38 can be formed in an array in the first direction 38. Therefore, when the modified portions 45 are arranged side by side on the substrate 41 having a predetermined length, the number of irradiations is smaller than when the modified portions 45 having the same length are formed in the first direction 38 and the second direction 39. Thus, the reforming portions 45 can be arranged. As a result, it is possible to scribe with high productivity.

(第2の実施形態)
次に、本発明を具体化した液晶表示装置の製造方法の一実施形態について図10〜図14を用いて説明する。
本実施形態では、本発明の基板を分断方法を用いて液晶表示装置を製造する場合の例を説明する。ここで、本発明の特徴的な製造方法について説明する前に、液晶表示装置について順次説明する。
(Second Embodiment)
Next, an embodiment of a method for manufacturing a liquid crystal display device embodying the present invention will be described with reference to FIGS.
In the present embodiment, an example in the case of manufacturing a liquid crystal display device using a method for dividing the substrate of the present invention will be described. Here, before describing the characteristic manufacturing method of the present invention, the liquid crystal display device will be sequentially described.

(液晶表示装置)
まず、液晶表示装置について説明する。図10(a)は、液晶表示装置の模式平面図であり、図10(b)は、図10(a)の液晶表示装置のD−D’線に沿う模式断面図である。
(Liquid crystal display device)
First, a liquid crystal display device will be described. FIG. 10A is a schematic plan view of the liquid crystal display device, and FIG. 10B is a schematic cross-sectional view taken along the line DD ′ of the liquid crystal display device of FIG.

図10(a)及び図10(b)において、本実施形態の電気光学装置としての液晶表示装置55は、対をなす第2基板としてのTFTアレイ基板56と第1基板としての対向基板57とが熱硬化性の封止材であるシール材によって貼り合わされて形成されている。このシール材が固化したシール58によって、区画される領域内に封入された光学素子としての液晶59より少なくともなる液晶層を備えている。シール58は、基板面内の領域において閉ざされた枠形状に形成されている。   10A and 10B, a liquid crystal display device 55 as an electro-optical device according to this embodiment includes a TFT array substrate 56 as a pair of second substrates and a counter substrate 57 as a first substrate. Are bonded together by a sealing material which is a thermosetting sealing material. A liquid crystal layer including at least a liquid crystal 59 as an optical element enclosed in a partitioned region is provided by a seal 58 in which the sealing material is solidified. The seal 58 is formed in a frame shape closed in a region within the substrate surface.

シール58の内側で対向基板57の液晶59側の面には、遮光性材料で配線を隠すための周辺見切り60が形成されている。シール58の外側の場所には、データ線駆動回路61及び電極端子62がTFTアレイ基板56の辺56a(図10(a)中下側の辺)に沿って形成されており、この辺56aに隣接する辺56b及び辺56c(図10(a)中左右の辺)に沿って走査線駆動回路63が形成されている。データ線駆動回路61、電極端子62及び走査線駆動回路63は光透過性の導電膜である配線64aにより電気的に接続されている。TFTアレイ基板56の残る辺56d(図10(a)中上側の辺)には、2つの走査線駆動回路63の間を接続するための光透過性の導電膜である配線64bが設けられている。また、対向基板57のコーナー部の4箇所においては、TFTアレイ基板56と対向基板57との間で電気的導通をとるための基板間導通材65が配設されている。   A peripheral parting 60 for concealing the wiring with a light-shielding material is formed on the surface of the counter substrate 57 on the liquid crystal 59 side inside the seal 58. A data line driving circuit 61 and an electrode terminal 62 are formed along a side 56a (lower side in FIG. 10A) of the TFT array substrate 56 at a location outside the seal 58, and adjacent to the side 56a. The scanning line driving circuit 63 is formed along the side 56b and the side 56c (left and right sides in FIG. 10A). The data line driving circuit 61, the electrode terminal 62, and the scanning line driving circuit 63 are electrically connected by a wiring 64a that is a light transmissive conductive film. On the remaining side 56d (the upper side in FIG. 10A) of the TFT array substrate 56, a wiring 64b, which is a light transmissive conductive film for connecting the two scanning line driving circuits 63, is provided. Yes. In addition, inter-substrate conductive members 65 for providing electrical continuity between the TFT array substrate 56 and the counter substrate 57 are disposed at the four corners of the counter substrate 57.

また、液晶表示装置55はカラー表示用として構成しており、対向基板57において、赤(R)、緑(G)、青(B)のカラーフィルタ66R,66G,66Bが保護膜とともに形成されている。カラーフィルタ66R,66G,66Bの各フィルタ素子の間には、遮光膜67が形成されており、カラーフィルタ66R,66G,66Bを通過しない光は遮光膜67が遮断するようになっている。さらに、カラーフィルタ66R,66G,66Bの保護膜のTFTアレイ基板56側には対向電極68と配向膜69とが配置されている。   The liquid crystal display device 55 is configured for color display. On the counter substrate 57, red (R), green (G), and blue (B) color filters 66R, 66G, and 66B are formed together with a protective film. Yes. A light shielding film 67 is formed between the filter elements of the color filters 66R, 66G, and 66B, and the light shielding film 67 blocks light that does not pass through the color filters 66R, 66G, and 66B. Further, a counter electrode 68 and an alignment film 69 are disposed on the TFT array substrate 56 side of the protective film of the color filters 66R, 66G, and 66B.

液晶は、該液晶を挟持する電極に電圧を印加すると液晶分子の液晶の傾き角度が変化する性質を持っており、TFTのスイッチング動作により、液晶にかける電圧をコントロールして液晶の傾き角度を制御し、画素毎に光を透過させたり遮ったりする動作を行う。それにより、透過した光は、画素毎に相対して設置される赤(R)、緑(G)、青(B)の3色の色フィルタを有するカラーフィルタを透過することで、画素毎に対応する各色フィルタの色を色光として透過する。尚、光が液晶により遮られた画素に対応する色フィルタには当然光は入射しないため、黒色となる。このようにTFTのスイッチング動作により、液晶をシャッタとして動作させることにより、画素毎に光の透過をコントロールし、画素を明滅させることにより、カラー映像を表示させることができる。   The liquid crystal has the property that the tilt angle of the liquid crystal molecules changes when a voltage is applied to the electrodes sandwiching the liquid crystal, and the tilt angle of the liquid crystal is controlled by controlling the voltage applied to the liquid crystal by the switching operation of the TFT. Then, an operation of transmitting or blocking light is performed for each pixel. Thereby, the transmitted light passes through a color filter having three color filters of red (R), green (G), and blue (B) that are installed relative to each pixel. The color of each corresponding color filter is transmitted as colored light. In addition, since light does not naturally enter the color filter corresponding to the pixel where the light is blocked by the liquid crystal, the color filter is black. In this way, by operating the liquid crystal as a shutter by the switching operation of the TFT, the transmission of light is controlled for each pixel, and the color image can be displayed by blinking the pixel.

このような構造を有する液晶表示装置55の画像を表示する領域には、複数の画素がm行n列のマトリクス状に構成されているとともに、これらの画素の各々には、画素信号をスイッチングするスイッチング素子であるTFT(Thin Film Transistor)が形成されている。画素信号を供給するデータ線(ソース配線)がTFTのソース電極に電気的に接続され、走査信号を供給する走査線(ゲート配線)がTFTのゲート電極に電気的に接続され、TFTのドレイン電極に画素電極70が電気的に接続されている。画素電極70はカラーフィルタ66R,66G,66Bの各フィルタ素子と対向する場所に形成されている。走査線が接続されるTFTのゲート電極には、所定のタイミングで、走査線からパルス信号の走査信号が供給される。   A plurality of pixels are arranged in a matrix of m rows and n columns in the region for displaying an image of the liquid crystal display device 55 having such a structure, and a pixel signal is switched to each of these pixels. A TFT (Thin Film Transistor) which is a switching element is formed. A data line (source wiring) for supplying a pixel signal is electrically connected to the source electrode of the TFT, a scanning line (gate wiring) for supplying a scanning signal is electrically connected to the gate electrode of the TFT, and a drain electrode of the TFT The pixel electrode 70 is electrically connected to the first electrode. The pixel electrode 70 is formed at a location facing the filter elements of the color filters 66R, 66G, and 66B. A scanning signal of a pulse signal is supplied from the scanning line to the gate electrode of the TFT to which the scanning line is connected at a predetermined timing.

画素電極70は、TFTのドレイン電極に電気的に接続されており、TFTを一定期間だけオン状態とすることにより、データ線から供給される画素信号が各画素の画素電極70に所定のタイミングで供給される。このようにして画素電極70に供給された所定レベルの画素信号の電圧レベルは、図10(b)に示す対向基板57の対向電極68との間で保持され、画素信号の電圧レベルに応じて、液晶59の光透過量が変化する。液晶表示装置55はカラーフィルタを備えており、カラーフィルタ66R,66G,66Bを透過する光を液晶59より少なくともなる液晶層を挟持する電極に印加する画像信号により制御することで、液晶表示装置55はカラー画像を表示することができる。   The pixel electrode 70 is electrically connected to the drain electrode of the TFT. By turning the TFT on for a certain period, the pixel signal supplied from the data line is applied to the pixel electrode 70 of each pixel at a predetermined timing. Supplied. The voltage level of the pixel signal of the predetermined level supplied to the pixel electrode 70 in this way is held between the counter electrode 68 of the counter substrate 57 shown in FIG. 10B and according to the voltage level of the pixel signal. The light transmission amount of the liquid crystal 59 changes. The liquid crystal display device 55 includes a color filter, and the light transmitted through the color filters 66R, 66G, and 66B is controlled by an image signal applied to an electrode that sandwiches at least a liquid crystal layer made of the liquid crystal 59, whereby the liquid crystal display device 55 is controlled. Can display color images.

画素電極70の対向基板57側には配向膜71が配置されている。配向膜69と配向膜71とにはその表面に溝状の凹凸が形成されており、配向膜69と配向膜71との間に充填された液晶59は、溝状の凹凸に沿って配列して形成される。   An alignment film 71 is disposed on the counter electrode 57 side of the pixel electrode 70. The alignment film 69 and the alignment film 71 have groove-like irregularities formed on the surfaces thereof, and the liquid crystal 59 filled between the alignment film 69 and the alignment film 71 is arranged along the groove-like irregularities. Formed.

TFTアレイ基板56及び対向基板57において、液晶59と反対側の面には、偏光シート72,73が配置され、偏光シート72,73及び液晶59の作用により、液晶表示装置55を透過する光透過量が変化するようになっている。   In the TFT array substrate 56 and the counter substrate 57, polarizing sheets 72 and 73 are arranged on the surface opposite to the liquid crystal 59, and light transmission that transmits through the liquid crystal display device 55 by the action of the polarizing sheets 72 and 73 and the liquid crystal 59. The amount is changing.

(液晶表示装置の製造方法)
次に、上述した液晶表示装置55における基板の分断方法について図11〜図14にて説明する。図11は、液晶表示装置の製造方法のフローチャートであり、図12は、液晶表示パネルが区画形成されたマザー基板を示す模式図である。図13及び図14は液晶表示装置の製造方法を説明する図である。
(Manufacturing method of liquid crystal display device)
Next, a method for dividing the substrate in the above-described liquid crystal display device 55 will be described with reference to FIGS. FIG. 11 is a flowchart of a method for manufacturing a liquid crystal display device, and FIG. 12 is a schematic view showing a mother substrate on which a liquid crystal display panel is partitioned. 13 and 14 are diagrams for explaining a method of manufacturing a liquid crystal display device.

図11のフローチャートにおいて、ステップS11は対向マザー基板の第1スクライブ工程に相当し、対向マザー基板の一方向にスクライブする工程である。次にステップS12に移行する。ステップS12は対向マザー基板の第2スクライブ工程に相当し、対向マザー基板において、ステップS11でスクライブした方向と直交する方向にスクライブする工程である。ステップS11とステップS12とを合わせてステップS21とする。ステップS21は、第1スクライブ工程に相当する。次にステップS13に移行する。   In the flowchart of FIG. 11, step S <b> 11 corresponds to the first scribing process of the counter mother substrate, and is a process of scribing in one direction of the counter mother substrate. Next, the process proceeds to step S12. Step S12 corresponds to the second scribing process of the counter mother substrate, and is a process of scribing in the direction orthogonal to the direction scribed in step S11 on the counter mother substrate. Step S11 and step S12 are collectively referred to as step S21. Step S21 corresponds to a first scribe process. Next, the process proceeds to step S13.

ステップS13はTFTアレイマザー基板の第1スクライブ工程に相当し、TFTアレイマザー基板の一方向にスクライブする工程である。次にステップS14に移行する。ステップS14はTFTアレイマザー基板の第2スクライブ工程に相当し、TFTアレイマザー基板において、ステップS13でスクライブした方向と直交する方向にスクライブする工程である。ステップS13とステップS14とを合わせてステップS22とする。ステップS22は、第2スクライブ工程に相当する。次にステップS15に移行する。   Step S13 corresponds to the first scribing process of the TFT array mother substrate, and is a process of scribing in one direction of the TFT array mother substrate. Next, the process proceeds to step S14. Step S14 corresponds to the second scribing process of the TFT array mother substrate, and is a process of scribing in the direction orthogonal to the direction scribed in step S13 on the TFT array mother substrate. Step S13 and step S14 are combined into step S22. Step S22 corresponds to a second scribe process. Next, the process proceeds to step S15.

ステップS15はTFTアレイマザー基板の第1分断工程に相当し、TFTアレイマザー基板の一方向を分断する工程である。次にステップS16に移行する。ステップS16はTFTアレイマザー基板の第2分断工程に相当し、TFTアレイマザー基板において、ステップS15で分断した方向と直交する方向を分断する工程である。次にステップS17に移行する。ステップS17は対向マザー基板の第1分断工程に相当し、対向マザー基板の一方向を分断する工程である。次にステップS18に移行する。ステップS18は対向マザー基板の第2分断工程に相当し、対向マザー基板において、ステップS17で分断した方向と直交する方向を分断する工程である。ステップS15〜ステップS18とを合わせてステップS23とする。ステップS23は、分断工程に相当する。以上の工程により、液晶表示装置55が形成される。   Step S15 corresponds to the first dividing step of the TFT array mother substrate, and is a step of dividing one direction of the TFT array mother substrate. Next, the process proceeds to step S16. Step S16 corresponds to a second dividing step of the TFT array mother substrate, and is a step of dividing the direction perpendicular to the direction divided in step S15 in the TFT array mother substrate. Next, the process proceeds to step S17. Step S <b> 17 corresponds to a first dividing step of the counter mother substrate, and is a step of dividing one direction of the counter mother substrate. Next, the process proceeds to step S18. Step S18 corresponds to a second dividing step of the counter mother substrate, and is a step of cutting the direction orthogonal to the direction divided in step S17 in the counter mother substrate. Step S15 to step S18 are combined to form step S23. Step S23 corresponds to a dividing step. Through the above steps, the liquid crystal display device 55 is formed.

次に、図12〜図14を用いて、図11に示したステップと対応させて、製造方法を詳細に説明する。図12(a)は、液晶表示装置が区画形成されたマザー基板を示す模式図である。図12(b)は、図12(a)のE−E’線に沿った模式断面図である。   Next, the manufacturing method will be described in detail with reference to FIGS. 12 to 14 in association with the steps shown in FIG. FIG. 12A is a schematic diagram showing a mother substrate in which a liquid crystal display device is partitioned. FIG. 12B is a schematic cross-sectional view taken along line E-E ′ of FIG.

図12(a)及び図12(b)に示すように、第1マザー基板としての対向マザー基板80と第2マザー基板としてのTFTアレイマザー基板76とがシール材79により接着され、マザー基板82が形成されている。対向マザー基板80及びTFTアレイマザー基板76の製造方法と、対向マザー基板80及びTFTアレイマザー基板76の組立て方法は公知であり、説明を省略する。尚、TFTアレイマザー基板76を構成する基板77及び対向マザー基板80を構成する基板81は、石英ガラスにより形成されている。   As shown in FIG. 12A and FIG. 12B, a counter mother substrate 80 as a first mother substrate and a TFT array mother substrate 76 as a second mother substrate are bonded together by a sealing material 79, and a mother substrate 82 is obtained. Is formed. A method for manufacturing the counter mother substrate 80 and the TFT array mother substrate 76 and a method for assembling the counter mother substrate 80 and the TFT array mother substrate 76 are well known, and a description thereof will be omitted. The substrate 77 constituting the TFT array mother substrate 76 and the substrate 81 constituting the counter mother substrate 80 are made of quartz glass.

図10に示す液晶表示装置55を形成するために、対向マザー基板80を分断する予定の面をH対向切断面83、V対向切断面84とし、TFTアレイマザー基板76を分断する予定の面をH素子切断面85、V素子切断面86と表記する。
H対向切断面83は、一点鎖線で示した対向マザー基板80の切断面であり、図12(a)のX軸方向に延在する切断面である。図12(a)に示した、83a,83b,83c,83d,83eは、それぞれH対向切断面83である。
In order to form the liquid crystal display device 55 shown in FIG. 10, the surface on which the counter mother substrate 80 is to be divided is defined as an H counter cutting surface 83 and a V counter cutting surface 84, and the surface on which the TFT array mother substrate 76 is to be divided is formed. They are represented as an H element cut surface 85 and a V element cut surface 86.
The H-opposed cut surface 83 is a cut surface of the opposed mother substrate 80 indicated by a one-dot chain line, and is a cut surface extending in the X-axis direction of FIG. Reference numerals 83a, 83b, 83c, 83d, and 83e shown in FIG.

V対向切断面84は、一点鎖線で示した対向マザー基板80の切断面であり、図12(a)のY軸方向に延在する切断面である。図12(a)に示した、84a,84b,84cは、それぞれV対向切断面84である。   The V-opposing cut surface 84 is a cut surface of the opposed mother substrate 80 indicated by a one-dot chain line, and is a cut surface extending in the Y-axis direction of FIG. 84a, 84b, and 84c shown in FIG. 12A are V opposing cut surfaces 84, respectively.

H素子切断面85は、一点鎖線で示したTFTアレイマザー基板76の切断面であり、図12(a)のX軸方向に延在する切断面である。図12(a)に示した、85a,85b,85cは、それぞれH素子切断面85である。   The H element cut surface 85 is a cut surface of the TFT array mother substrate 76 indicated by a one-dot chain line, and is a cut surface extending in the X-axis direction of FIG. 85a, 85b, and 85c shown in FIG. 12A are H element cut surfaces 85, respectively.

V素子切断面86は、一点鎖線で示したTFTアレイマザー基板76の切断面であり、図12(a)のY軸方向に延在する切断面である。V素子切断面86は、V対向切断面84と対向する場所に位置し、図12(a)に示した、86a,86b,86cは、それぞれV素子切断面86である。   The V element cut surface 86 is a cut surface of the TFT array mother substrate 76 indicated by a one-dot chain line, and is a cut surface extending in the Y-axis direction of FIG. The V element cutting surface 86 is located at a location facing the V facing cutting surface 84, and 86a, 86b, 86c shown in FIG. 12A are V element cutting surfaces 86, respectively.

図13(a)〜図13(b)はステップS11に対応する図である。図13(a)に示す様に、ステップS11において、基板81のV対向切断面84に沿ってレーザ光37を照射する照射工程と、次に照射する場所へ移動する移動工程とを繰り返して、スクライブを行う。   FIG. 13A to FIG. 13B are diagrams corresponding to step S11. As shown in FIG. 13A, in step S11, the irradiation process of irradiating the laser beam 37 along the V facing cut surface 84 of the substrate 81 and the moving process of moving to the next irradiation place are repeated. Do a scribe.

まず、マザー基板82をスクライブ装置1のステージ20に配置する。続いて、照射工程において、対向マザー基板80の基板81の内部に、集光部8の集光レンズ8aでレーザ光37を集光して照射する。   First, the mother substrate 82 is placed on the stage 20 of the scribing apparatus 1. Subsequently, in the irradiation step, the laser beam 37 is condensed and irradiated by the condensing lens 8 a of the condensing unit 8 inside the substrate 81 of the counter mother substrate 80.

図5(a)に示す集光レンズ8aの断面が矩形となる第1方向38が、V対向切断面84と同じ方向なるように、集光レンズ8aを配置する。従って、集光レンズ8aの断面が凸レンズとなる第2方向39は、V対向切断面84と直交する方向となる。   The condensing lens 8a is arranged so that the first direction 38 in which the cross section of the condensing lens 8a shown in FIG. Accordingly, the second direction 39 in which the cross-section of the condensing lens 8a is a convex lens is a direction orthogonal to the V-opposing cut surface 84.

図5(b)及び図5(c)と同様に、集光部8から基板81の内部にレーザ光37をX方向に集光して照射する。レーザ光37が集光されて照射された集光場所37aには、Y方向に長い改質部45が形成され、改質部45の中央には、クラック部46が形成される。本実施形態においては、基板81に石英ガラスを用いていることから、クラック部46には、空洞が形成される。   Similarly to FIGS. 5B and 5C, the laser beam 37 is condensed in the X direction and irradiated from the condensing unit 8 to the inside of the substrate 81. A reforming portion 45 that is long in the Y direction is formed at the condensing place 37 a irradiated with the laser beam 37. A crack portion 46 is formed at the center of the reforming portion 45. In the present embodiment, since quartz glass is used for the substrate 81, a cavity is formed in the crack portion 46.

続いて、移動工程では、次にレーザ光37を照射する場所と対向する場所に集光レンズ8aが位置する様に、集光部8と基板81とを、第1方向38へ相対的に移動する。続いて、照射工程において、レーザ光37を照射し、改質部45を配列して形成する。まず、基板81において、TFTアレイマザー基板76側の面81aの近くに改質部45を配列して1段目の改質部45eを、基板81のV対向切断面84に沿って形成する。続いて、1段目と隣接する場所に改質部45を配列して2段目の改質部45fを形成する。3段目以降についても、同様の方法で、改質部45を配列して形成する。   Subsequently, in the moving step, the condensing unit 8 and the substrate 81 are relatively moved in the first direction 38 so that the condensing lens 8a is positioned at a place opposite to the place where the laser light 37 is next irradiated. To do. Subsequently, in the irradiation step, the laser beam 37 is irradiated and the modified portions 45 are arranged and formed. First, in the substrate 81, the modified portion 45 is arranged near the surface 81 a on the TFT array mother substrate 76 side, and a first-stage modified portion 45 e is formed along the V facing cut surface 84 of the substrate 81. Subsequently, the reforming part 45 is arranged at a location adjacent to the first stage to form a second-stage reforming part 45f. In the third and subsequent stages, the reforming portions 45 are arranged and formed in the same manner.

図13(b)に示す様に、その結果、基板81のV対向切断面84総てに改質部45が配列して形成され、改質部45の中央にはクラック部46が形成される。   As a result, as shown in FIG. 13B, the modified portion 45 is formed in an array on all the V facing cut surfaces 84 of the substrate 81, and the crack portion 46 is formed in the center of the modified portion 45. .

ステップS12においては、基板81のH対向切断面83に沿ってレーザ光37を照射し、スクライブを行う。続いて、ステップS13において、マザー基板82を反転し、基板77のV素子切断面86に沿ってレーザ光37を照射して、スクライブを行う。続いて、ステップS14において、基板77のH素子切断面85に沿ってレーザ光37を照射し、スクライブを行う。スクライブ方法については、ステップS11と同様であり、詳細な説明は省略する。   In step S12, the laser beam 37 is irradiated along the H facing cut surface 83 of the substrate 81 to perform scribing. Subsequently, in step S <b> 13, the mother substrate 82 is reversed, and the laser beam 37 is irradiated along the V element cut surface 86 of the substrate 77 to perform scribing. Subsequently, in step S14, the laser beam 37 is irradiated along the H element cut surface 85 of the substrate 77 to perform scribing. The scribing method is the same as in step S11, and detailed description thereof is omitted.

図14(a)〜図14(b)はステップS15に対応する図である。図14(a)に示す様に、マザー基板82を弾性材より少なくともなる台49の上に配置する。マザー基板82のTFTアレイマザー基板76が台49と接する様に配置し、対向マザー基板80において、H素子切断面85に配列して形成されているクラック部46と対向する場所を、加圧部材50を用いて押圧する。TFTアレイマザー基板76は台49に沈み込み、クラック部46に張力が作用する。TFTアレイマザー基板76は、台49と接する面に近いクラック部46を起点として破断が進行し、分断する。
図14(b)に示す様に、その結果、TFTアレイマザー基板76は、H素子切断面85で分断される。
FIG. 14A to FIG. 14B are diagrams corresponding to step S15. As shown in FIG. 14A, the mother substrate 82 is disposed on a base 49 made of at least an elastic material. The TFT array mother substrate 76 of the mother substrate 82 is disposed so as to be in contact with the base 49, and a place where the opposing mother substrate 80 is opposed to the crack portion 46 formed by being arranged on the H element cutting surface 85 is a pressure member. Press using 50. The TFT array mother substrate 76 sinks into the base 49 and a tension acts on the crack portion 46. The TFT array mother substrate 76 breaks and breaks starting from the crack portion 46 close to the surface in contact with the base 49.
As a result, as shown in FIG. 14B, the TFT array mother substrate 76 is divided at the H element cut surface 85.

ステップS16においては、TFTアレイマザー基板76のV素子切断面86に沿って形成されているクラック部46を分断する。続いて、ステップS17において、マザー基板82を反転し、対向マザー基板80のH対向切断面83に沿って形成されているクラック部46を分断する。続いて、ステップS17において、対向マザー基板80のV対向切断面84に沿って形成されているクラック部46を分断する。分断方法については、ステップS15と同様であり、詳細な説明は省略する。   In step S16, the crack portion 46 formed along the V element cut surface 86 of the TFT array mother substrate 76 is divided. Subsequently, in step S <b> 17, the mother substrate 82 is inverted to divide the crack portion 46 formed along the H-opposing cut surface 83 of the opposed mother substrate 80. Subsequently, in step S <b> 17, the crack portion 46 formed along the V-opposing cut surface 84 of the opposed mother substrate 80 is divided. The dividing method is the same as that in step S15, and detailed description thereof is omitted.

以上の工程により、マザー基板82が分割されて、図10(a)に示す液晶表示装置55の形状に形成され、図10(b)に示す偏光シート72,73を接着して液晶表示装置55が完成する。   Through the above process, the mother substrate 82 is divided and formed into the shape of the liquid crystal display device 55 shown in FIG. 10A, and the polarizing sheets 72 and 73 shown in FIG. Is completed.

上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
(1)本実施形態によれば、電気光学装置の製造方法は、第1スクライブ工程と第2スクライブ工程と分断工程とを有し、レーザ光37を照射して、TFTアレイマザー基板76と対向マザー基板80とをスクライブする。
As described above, this embodiment has the following effects.
(1) According to this embodiment, the method of manufacturing an electro-optical device includes a first scribe process, a second scribe process, and a dividing process, and irradiates a laser beam 37 to face the TFT array mother substrate 76. Scribe with the mother board 80.

そして、このレーザ光37を用いるスクライブ方法では、照射工程と移動工程とを有する。照射工程では、レーザ光の光軸と直交する第1方向38に比べて、第2方向39に、レーザ光37の開口数が大きくなるように集光してTFTアレイマザー基板76と対向マザー基板80とに照射する。移動工程では、TFTアレイマザー基板76及び対向マザー基板80と集光部8とを第1方向38に相対移動する。照射工程と、移動工程とを繰り返して、第1方向38に改質部45を配列して、スクライブしている。   The scribing method using the laser beam 37 includes an irradiation process and a movement process. In the irradiation step, the TFT array mother substrate 76 and the opposing mother substrate are condensed so that the numerical aperture of the laser light 37 is larger in the second direction 39 than in the first direction 38 orthogonal to the optical axis of the laser light. And 80. In the moving step, the TFT array mother substrate 76 and the counter mother substrate 80 and the light collecting unit 8 are relatively moved in the first direction 38. By repeating the irradiation process and the moving process, the modified portions 45 are arranged in the first direction 38 and scribed.

照射工程において、照射するレーザ光37の開口数は、第1方向38に比べて、第2方向39が大きいことから、形成される改質部45は第2方向39に比べて、第1方向38に長い形状となる。つまり、第1方向38に長い改質部45を形成することができる。移動工程において、TFTアレイマザー基板76及び対向マザー基板80と集光部8とを第1方向38に相対移動する。照射工程と移動工程とを繰り返すことにより、第1方向38に長い改質部45を、第1方向38に配列して形成することができる。従って、所定の長さのTFTアレイマザー基板76及び対向マザー基板80に改質部45を並べて配列するとき、第1方向38と第2方向39とに同じ長さの改質部45を形成する場合に比べて、少ない照射数で改質部45を配列することができる。その結果、生産性良くスクライブすることができる。   In the irradiation process, since the numerical aperture of the laser beam 37 to be irradiated is larger in the second direction 39 than in the first direction 38, the modified portion 45 to be formed is in the first direction compared with the second direction 39. 38 becomes a long shape. In other words, the modified portion 45 that is long in the first direction 38 can be formed. In the moving process, the TFT array mother substrate 76, the counter mother substrate 80 and the light collecting unit 8 are relatively moved in the first direction 38. By repeating the irradiation process and the movement process, the modified portions 45 that are long in the first direction 38 can be formed in an array in the first direction 38. Therefore, when the modified portions 45 are arranged side by side on the TFT array mother substrate 76 and the opposite mother substrate 80 having a predetermined length, the modified portions 45 having the same length are formed in the first direction 38 and the second direction 39. Compared to the case, the modified portions 45 can be arranged with a smaller number of irradiations. As a result, it is possible to scribe with high productivity.

尚、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、種々の変更や改良を加えることも可能である。変形例を以下に述べる。
(変形例1)
前記第1の実施形態及び第2の実施形態において、集光レンズ8aは、第1方向38の断面が矩形であり、第2方向39の断面が凸レンズの柱状レンズを採用している。これに限らず、第1方向の断面が、凸レンズ、または凹レンズでも良い。このとき、第2方向に、レーザ光の開口数が大きくなるようなレンズにして、集光する場所に改質部45が形成される様なレンズであれば良い。
In addition, this invention is not limited to embodiment mentioned above, A various change and improvement can also be added. A modification will be described below.
(Modification 1)
In the first and second embodiments, the condensing lens 8a employs a columnar lens in which the cross section in the first direction 38 is rectangular and the cross section in the second direction 39 is a convex lens. Not only this but the cross section of the 1st direction may be a convex lens or a concave lens. At this time, the lens may be a lens in which the numerical aperture of the laser beam is increased in the second direction so that the modified portion 45 is formed at a condensing place.

図15に集光レンズの例を示す。この図において、X方向が第1方向38、Y方向が第2方向39を示す。例えば、図15(a)に示す対物レンズとしての集光レンズ90は、YZ方向の断面が蒲鉾型をしている柱状レンズである。図15(b)に示す対物レンズとしての集光レンズ91は、XZ方向の断面が凹レンズであり、YZ方向の断面が凸レンズとなっている。図15(c)に示す対物レンズとしての集光レンズ92は、XZ方向の断面が凹レンズであり、YZ方向の断面が凸レンズとなっている。また、Z方向の逆方向の面が平面となっている。   FIG. 15 shows an example of a condensing lens. In this figure, the X direction indicates the first direction 38, and the Y direction indicates the second direction 39. For example, a condensing lens 90 as an objective lens shown in FIG. 15A is a columnar lens whose cross section in the YZ direction has a bowl shape. The condenser lens 91 as the objective lens shown in FIG. 15B has a concave lens in the XZ direction and a convex lens in the YZ direction. The condenser lens 92 as the objective lens shown in FIG. 15C has a concave lens in the XZ direction and a convex lens in the YZ direction. Further, the surface in the direction opposite to the Z direction is a flat surface.

図15(d)に示す対物レンズとしての集光レンズ93は、YZ方向の断面が凸レンズとなっており、XZ方向の断面が、湾曲した柱状となっている。図15(e)の対物レンズとしての集光レンズ94は、図15(c)の集光レンズ92の変形である。YZ方向の断面が凸レンズとなっており、Z方向の逆方向の面が凸状となっている。図15(f)の対物レンズとしての集光レンズ95は、楕円球の重心を通るXY平面で、分断した形状をした凸レンズである。図15(g)の対物レンズとしての集光レンズ96は、ラグビーボール状のレンズである。いずれの場合にも、X方向に比べて、Y方向にレーザ光の開口数が大きくなるレンズとして採用することができる。   The condensing lens 93 as an objective lens shown in FIG. 15D has a convex cross section in the YZ direction, and has a curved columnar cross section in the XZ direction. A condenser lens 94 as an objective lens in FIG. 15E is a modification of the condenser lens 92 in FIG. The cross section in the YZ direction is a convex lens, and the surface in the opposite direction to the Z direction is convex. The condenser lens 95 as the objective lens in FIG. 15F is a convex lens having a divided shape on the XY plane passing through the center of gravity of the elliptic sphere. The condenser lens 96 as the objective lens in FIG. 15G is a rugby ball-shaped lens. In either case, the lens can be employed as a lens having a larger numerical aperture of laser light in the Y direction than in the X direction.

(変形例2)
前記第1の実施形態及び第2の実施形態において、集光部8に集光レンズ8aを用いたが、集光レンズ8aに換えて、凹面鏡を用いても良い。図16に示すように、凹面鏡97の断面形状において、第1方向38と第2方向39とで、曲率の異なる凹面鏡97としても良い。この凹面鏡97に、鏡98を介してレーザ光37を照射することにより、第1方向38に比べて、第2方向39の開口数が大きなレーザ光を集光して基板に照射することにより改質部45を形成しても良い。第1の実施形態及び第2の実施形態と同様の効果を得ることができる。
(Modification 2)
In the first embodiment and the second embodiment, the condensing lens 8a is used for the condensing unit 8, but a concave mirror may be used instead of the condensing lens 8a. As shown in FIG. 16, the concave mirror 97 having different curvatures in the first direction 38 and the second direction 39 in the cross-sectional shape of the concave mirror 97 may be used. By irradiating the concave mirror 97 with the laser beam 37 through the mirror 98, the laser beam having a larger numerical aperture in the second direction 39 than in the first direction 38 is condensed and irradiated onto the substrate. The mass part 45 may be formed. The same effects as those of the first embodiment and the second embodiment can be obtained.

(変形例3)
前記第1の実施形態及び第2の実施形態において、基板41、基板77、基板81は石英ガラスを用いているが、他のガラスでも良い。光透過性があり、前記第2の実施形態では、液晶表示装置55を構成できる脆性材料であれば良い。例えば、石英ガラスの他に、ソーダ石灰ガラス、パイレックス(登録商標)等のホウ珪酸ガラス、OA−10(日本電気硝子社製)等の無アルカリガラス、ネオセラム(登録商標)等の耐熱結晶化ガラス、光学ガラス、水晶等を挙げることができる。
(Modification 3)
In the first and second embodiments, the substrate 41, the substrate 77, and the substrate 81 are made of quartz glass, but other glasses may be used. Any brittle material may be used as long as it is light transmissive and can form the liquid crystal display device 55 in the second embodiment. For example, in addition to quartz glass, soda-lime glass, borosilicate glass such as Pyrex (registered trademark), alkali-free glass such as OA-10 (manufactured by Nippon Electric Glass Co., Ltd.), and heat-resistant crystallized glass such as Neoceram (registered trademark) , Optical glass, crystal and the like.

(変形例4)
前記第2の実施形態では、液晶表示装置55に本発明の基板の分断方法を用いたが、液晶表示装置55以外の電気光学装置にも用いることができる。基板を備えた電気光学装置として、例えば、プラズマディスプレイ、有機EL(ELECTROLUMINESCENCE)ディスプレイ、真空蛍光ディスプレイ、フィールドエミッションディスプレイ等における基板の分断手段として好適に用いることができる。いずれの場合でも、基板にレーザ光37を照射してスクライブする工程において、第1方向38に比べて、第2方向39に、レーザ光37の開口数が大きくなるように集光して改質部45を形成することにより生産性良くスクライブすることができる。
(Modification 4)
In the second embodiment, the substrate dividing method of the present invention is used for the liquid crystal display device 55, but it can also be used for electro-optical devices other than the liquid crystal display device 55. As an electro-optical device provided with a substrate, for example, it can be suitably used as a means for dividing a substrate in a plasma display, an organic EL (ELECTROLUMINESCENCE) display, a vacuum fluorescent display, a field emission display, or the like. In any case, in the step of scribing by irradiating the substrate with the laser beam 37, the laser beam 37 is condensed and modified so that the numerical aperture of the laser beam 37 is larger in the second direction 39 than in the first direction 38. By forming the portion 45, it is possible to scribe with high productivity.

(変形例5)
前記第1の実施形態及び第2の実施形態では、レーザ光源2にYAGレーザを用いたが、フェムト秒レーザを用いても良い。出射するレーザ光を加工対象物の内部に集光して多光子吸収による改質部45を形成できる光源であれば良い。例えば、チタンサファイアを固体光源とするレーザ光をフェムト秒のパルス幅で出射するいわゆるフェムト秒レーザを採用しても良い。発光条件及び集光レンズの条件の例としては、パルスレーザ光は、波長分散特性を有しており、中心波長が800nmであり、その半値幅はおよそ20nmである。またパルス幅はおよそ300fs(フェムト秒)、パルス周期は1kHz、出力はおよそ700mWである。集光レンズは、この場合においても、第1方向38と第2方向39とでレーザ光37の開口数が異なるレンズを採用する。
(Modification 5)
In the first embodiment and the second embodiment, the YAG laser is used as the laser light source 2, but a femtosecond laser may be used. Any light source may be used as long as the emitted laser light is condensed inside the object to be processed to form the modified portion 45 by multiphoton absorption. For example, a so-called femtosecond laser that emits laser light using titanium sapphire as a solid light source with a pulse width of femtosecond may be employed. As an example of the light emission conditions and the condensing lens conditions, the pulsed laser light has wavelength dispersion characteristics, the center wavelength is 800 nm, and the half width is about 20 nm. The pulse width is about 300 fs (femtosecond), the pulse period is 1 kHz, and the output is about 700 mW. Even in this case, the condensing lens employs a lens in which the numerical aperture of the laser light 37 is different between the first direction 38 and the second direction 39.

(変形例6)
前記第2の実施形態では、H対向切断面83、V対向切断面84、H素子切断面85、V素子切断面86の断面において、レーザ光37を照射してスクライブしている。加工条件によっては、切断面の幾つかにおいて、レーザ光37を照射してスクライブし、他の切断面において、他の方法を用いて切断しても良い。例えば、ダイヤモンドホイールまたは、超硬ホイールを備えたガラスカッターを用いて、スクライブし、切断しても良い。他の方法として、ダイヤモンドブレード等のブレードを回転して切断するダイシング方法を用いて切断しても良い。
(Modification 6)
In the second embodiment, scribing is performed by irradiating the laser beam 37 on the cross section of the H-facing cutting surface 83, the V-facing cutting surface 84, the H-element cutting surface 85, and the V-element cutting surface 86. Depending on the processing conditions, some of the cut surfaces may be scribed by irradiating the laser beam 37, and the other cut surfaces may be cut using other methods. For example, a glass cutter equipped with a diamond wheel or a carbide wheel may be used for scribing and cutting. As another method, cutting may be performed by using a dicing method in which a blade such as a diamond blade is rotated and cut.

(変形例7)
前記第2の実施形態では、ステップS21の第1スクライブ工程において、基板81のV対向切断面84及び、H対向切断面83に沿ってレーザ光37を照射し、スクライブを行っている。続いて、ステップS22の第2スクライブ工程において、基板77のV素子切断面86及び、H素子切断面85に沿ってレーザ光37を照射し、スクライブを行っている。この工程順には、限定されず変更してもよい。例えば、V対向切断面84、V素子切断面86、H対向切断面83、H素子切断面85の順にスクライブを行っても良い。このとき、第1スクライブ工程、第2スクライブ工程、第1スクライブ工程、第2スクライブ工程となる。この場合においても、前記第2の実施形態と同様の効果を得ることができる。
(Modification 7)
In the second embodiment, in the first scribing process of step S21, the laser beam 37 is irradiated along the V facing cutting surface 84 and the H facing cutting surface 83 of the substrate 81 to perform scribing. Subsequently, in the second scribe process in step S22, the laser beam 37 is irradiated along the V element cut surface 86 and the H element cut surface 85 of the substrate 77 to perform scribing. The order of the steps is not limited and may be changed. For example, scribing may be performed in the order of the V-facing cutting surface 84, the V-element cutting surface 86, the H-facing cutting surface 83, and the H-element cutting surface 85. At this time, a first scribe process, a second scribe process, a first scribe process, and a second scribe process are performed. Even in this case, the same effect as in the second embodiment can be obtained.

第1の実施形態に係るスクライブ装置の構成を示す模式概略図。The schematic schematic diagram which shows the structure of the scribing apparatus according to the first embodiment. 集光部の構成を示す要部模式概略図。The principal part schematic diagram which shows the structure of a condensing part. 基板の分断方法のフローチャート。The flowchart of the dividing method of a board | substrate. 基板の分断方法を説明する図。The figure explaining the division | segmentation method of a board | substrate. 基板の分断方法を説明する図。The figure explaining the division | segmentation method of a board | substrate. 基板の分断方法を説明する図。The figure explaining the division | segmentation method of a board | substrate. 基板の分断方法を説明する図。The figure explaining the division | segmentation method of a board | substrate. 基板の分断方法を説明する図。The figure explaining the division | segmentation method of a board | substrate. 基板の分断方法を説明する図。The figure explaining the division | segmentation method of a board | substrate. 第2の実施形態に係る液晶表示装置の模式図。The schematic diagram of the liquid crystal display device which concerns on 2nd Embodiment. 液晶表示装置の製造方法のフローチャート。The flowchart of the manufacturing method of a liquid crystal display device. 液晶表示パネルが区画形成されたマザー基板を示す模式図。The schematic diagram which shows the mother board | substrate with which the liquid crystal display panel was dividedly formed. 液晶表示装置の製造方法を説明する図。4A and 4B illustrate a method for manufacturing a liquid crystal display device. 液晶表示装置の製造方法を説明する図。4A and 4B illustrate a method for manufacturing a liquid crystal display device. 変形例1に係る集光レンズを示す要部模式概略図。The principal part schematic diagram which shows the condensing lens which concerns on the modification 1. FIG. 変形例2に係る集光部を示す要部模式概略図。The principal part schematic diagram which shows the condensing part which concerns on the modification 2. FIG.

符号の説明Explanation of symbols

1…スクライブ装置、2…レーザ光源、7,7a…光軸、8a,90,91,92,93,94,95,96…対物レンズとしての集光レンズ、8…集光部、9…基板としてのワーク、38…第1方向、39…第2方向、41…基板、45e…1段目の改質部、55…電気光学装置としての液晶表示装置、56…第2基板としてのTFTアレイ基板、57…第1基板としての対向基板、59…光学素子としての液晶、76…第2マザー基板としてのTFTアレイマザー基板、80…第1マザー基板としての対向マザー基板。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Scribe device, 2 ... Laser light source, 7, 7a ... Optical axis, 8a, 90, 91, 92, 93, 94, 95, 96 ... Condensing lens as an objective lens, 8 ... Condensing part, 9 ... Substrate 38 ... first direction, 39 ... second direction, 41 ... substrate, 45e ... first-stage modified portion, 55 ... liquid crystal display device as electro-optical device, 56 ... TFT array as second substrate Reference numeral 57: Counter substrate as a first substrate, 59: Liquid crystal as an optical element, 76: TFT array mother substrate as a second mother substrate, 80 ... Counter mother substrate as a first mother substrate

Claims (6)

基板にレーザ光を照射してスクライブするスクライブ装置であって、
前記レーザ光を発光するレーザ光源と、
前記基板の内部に前記レーザ光を集光して照射し、改質部を形成する集光部とを備え、
前記集光部は、前記レーザ光の光軸と直交する第1方向に比べて、前記光軸及び前記第1方向と直交する第2方向に、前記レーザ光の開口数が大きくなるように集光して前記基板に照射することを特徴とするスクライブ装置。
A scribing device for scribing a substrate by irradiating a laser beam,
A laser light source for emitting the laser light;
Condensing and irradiating the laser light inside the substrate, forming a reforming portion, and
The condensing unit concentrates so that the numerical aperture of the laser beam is larger in the second direction perpendicular to the optical axis and the first direction than in the first direction orthogonal to the optical axis of the laser beam. A scribing apparatus for irradiating the substrate with light.
請求項1に記載のスクライブ装置であって、
前記集光部は対物レンズを備え、
前記対物レンズは、前記第1方向の焦点距離に対して、前記第2方向の焦点距離が短い非球面レンズを用いたことを特徴とするスクライブ装置。
The scribing device according to claim 1,
The condensing unit includes an objective lens,
The scribing apparatus according to claim 1, wherein the objective lens is an aspherical lens having a focal length in the second direction that is shorter than a focal length in the first direction.
請求項2に記載のスクライブ装置であって、
前記対物レンズは、柱状レンズであることを特徴とするスクライブ装置。
The scribing device according to claim 2,
The scribing apparatus, wherein the objective lens is a columnar lens.
請求項1〜3のいずれか一項に記載のスクライブ装置であって、
前記集光部が、前記光軸を中心として、回転し、前記第1方向及び前記第2方向が変更することを特徴とするスクライブ装置。
The scribing device according to any one of claims 1 to 3,
The condensing unit rotates about the optical axis, and the first direction and the second direction change, and the scribing apparatus is characterized in that
可視光を透過する基板に、集光部からレーザ光を照射し、改質部を形成して、スクライブし、分断する基板の分断方法であって、
前記レーザ光の光軸と直交する第1方向に比べて、前記光軸及び前記第1方向と直交する第2方向に、前記レーザ光の開口数が大きくなるように集光して前記基板に照射する照射工程と、
前記基板と前記集光部とを前記第1方向に相対移動する移動工程と、
前記基板を押圧して分断する分断工程とを有し、
前記照射工程と、移動工程とを繰り返して、前記第1方向に前記改質部を配列してスクライブすることを特徴とする基板の分断方法。
A substrate dividing method in which a substrate that transmits visible light is irradiated with laser light from a condensing part, a modified part is formed, scribed, and divided.
Compared with the first direction orthogonal to the optical axis of the laser beam, the laser beam is condensed and focused on the substrate in the second direction orthogonal to the optical axis and the first direction so that the numerical aperture of the laser beam is increased. An irradiation process of irradiating;
A moving step of relatively moving the substrate and the light collecting unit in the first direction;
A dividing step of pressing and dividing the substrate,
The substrate cutting method, wherein the irradiation step and the moving step are repeated to scribe and scribe the modified portions in the first direction.
第1基板と、第2基板との間に光学素子を挟んで接合し、形成する電気光学装置の製造方法であって、
前記第1基板が複数行且つ複数列形成されている第1マザー基板をスクライブする第1スクライブ工程と、
前記第2基板が複数行且つ複数列形成されている第2マザー基板をスクライブする第2スクライブ工程と、
前記第1マザー基板と前記第2マザー基板とを分断する分断工程とを有し、
少なくとも、前記第1スクライブ工程と前記第2スクライブ工程とのいずれか一方の工程において、
前記第1マザー基板または、前記第2マザー基板に集光部からレーザ光を照射し、改質部を形成して、スクライブするスクライブ工程を有し、
前記スクライブ工程は、照射工程と移動工程とを有し、
前記照射工程では、前記レーザ光の光軸と直交する第1方向に比べて、前記光軸及び前記第1方向と直交する第2方向に、前記レーザ光の開口数が大きくなるように集光して前記基板に照射し、
前記移動工程では、前記基板と前記集光部とを前記第1方向に相対移動し、
前記スクライブ工程では、前記照射工程と、前記移動工程とを繰り返して、前記第1方向に前記改質部を配列してスクライブすることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
A method for manufacturing an electro-optical device, in which an optical element is sandwiched and bonded between a first substrate and a second substrate,
A first scribing step of scribing a first mother substrate in which the first substrate is formed in a plurality of rows and columns;
A second scribing step of scribing a second mother substrate in which the second substrate is formed in a plurality of rows and columns;
A dividing step of dividing the first mother substrate and the second mother substrate;
At least in any one of the first scribe process and the second scribe process,
The first mother substrate or the second mother substrate is irradiated with a laser beam from a condensing part, a modified part is formed, and a scribing step is performed for scribing.
The scribing step has an irradiation step and a moving step,
In the irradiation step, the laser beam is condensed so that the numerical aperture of the laser beam is larger in the second direction orthogonal to the optical axis and the first direction than in the first direction orthogonal to the optical axis of the laser beam. And irradiate the substrate,
In the moving step, the substrate and the light collecting unit are relatively moved in the first direction,
In the scribing step, the irradiation step and the moving step are repeated, and the modification portion is arranged in the first direction for scribing.
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